JP5396036B2

JP5396036B2 - 有機ｅｌ素子

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Publication number: JP5396036B2
Application number: JP2008103813A
Authority: JP
Inventors: 憲史川村; 浩一森; 秀幸小林; 敬士竹久
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2008-04-11
Filing date: 2008-04-11
Publication date: 2014-01-22
Anticipated expiration: 2028-04-11
Also published as: JP2009259413A

Description

本発明は、電気抵抗の異なる一対の電極に挟まれた有機発光層を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関する。

従来、有機発光層を有する有機ＥＬ素子が知られている。また、照明等に用いるために有機ＥＬ素子の平面積が大型化する傾向にある。このような場合、有機ＥＬ素子では、発光面の面内における輝度斑が生じるといった問題があった。そこで、このような有機ＥＬ素子の輝度の斑を低減するための技術が提案されている。

特許文献１には、基板と、基板上に形成された陽極と、有機発光層と、陰極とを備えた有機ＥＬ照明装置が開示されている。この有機ＥＬ照明装置では、陽極を複数の帯状の透明電極によって形成している。そして、陽極の端部に接続される外部からの配線が、交互に異なる側の端部に接続されている。

また、特許文献２には、１枚の基板上に複数の有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ素子ユニットが開示されている。この有機ＥＬ素子ユニットでは、隣接する有機ＥＬ素子の陽極と陰極とが電気的に接続されないように、隣接する有機ＥＬ素子間に間隔が形成されている。
特開２００７−１７３５１９号公報特開２００７−１７３５６４号公報

しかしながら、特許文献１の有機ＥＬ照明装置では、陽極の形成されていない領域では、正孔が注入されないために光が発光されない。このため、特許文献１の有機ＥＬ照明装置では、帯状の陽極が形成されている領域と、陽極が形成されていない領域との間での輝度斑が大きくなるといった課題がある。また、特許文献１の有機ＥＬ照明装置では、陽極が抵抗の大きい透明電極により形成されている。このため、帯状の陽極が形成されている領域においても、外部からの配線が接続されていない側の端部へは、正孔が到達しにくく、輝度が小さくなる。これによっても、輝度斑が大きくなるといった課題がある。

また、特許文献２の有機ＥＬ素子ユニットでは、各有機ＥＬ素子の間で光が発光しない。このため、特許文献２の有機ＥＬ素子ユニットでは、有機ＥＬ素子の形成されている領域と、有機ＥＬ素子の形成されていない領域との輝度斑が大きいといった課題がある。

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、輝度斑を低減することができる有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板と、面状の第１電極と、前記第１電極よりも電気抵抗が小さく面状の第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に形成された有機発光層とを含み、前記基板上に形成された発光部と、前記基板上に形成され、前記第１電極と接続される第１外部端子と、前記基板上に形成され、前記第２電極と接続される第２外部端子とを備え、
外部と接続される前記第１外部端子の面を第１の接続面とし、外部と接続される前記第２外部端子の面を第２の接続面とし、前記第２の接続面の面積よりも前記第１の接続面の面積の方が大きく、前記基板は、多角形状であって、前記第１外部端子は、前記多角形の基板の辺に沿って形成され、前記第２外部端子は、前記多角形の基板の頂点に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子である。

また、請求項２に記載の発明は、前記第１外部端子及び前記第２外部端子は、前記有機発光層の中心または中心を通る直線に対して対称であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子である。

また、請求項３に記載の発明は、前記第１電極は、前記基板上に形成され、前記第１電極と前記第１外部端子は、同じ材料によって一体的に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子である。

また、請求項４に記載の発明は、前記第１外部端子と、前記第２外部端子は、同じ材料によって形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子である。

また、請求項５に記載の発明は、前記第１電極は、光を透過可能な透明電極であって、前記第２電極は、金属電極であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子である。

本発明によれば、面状の第１電極に接続される第１外部端子の第１の接続面を、電気抵抗の小さい第２電極に接続される第２外部端子の第２の接続面よりも大きく形成している。これにより、本発明では、第１電極に注入されるキャリアを増大させることができるので、第１電極を介して有機発光層の中心に達するキャリアを増大させることができる。この結果、本発明では、有機発光層の中心において発光する光を増大させることができるので、輝度斑を低減することができる。

（第１実施形態）
以下、図面を参照して、本発明をボトムエミッション型の有機ＥＬ素子に適用した第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。図２は、封止板を外した有機ＥＬ素子の内部の全体斜視図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、第１透明電極及び第２透明電極の平面図である。尚、以下の説明において、図１の矢印で示す上下を上下方向とする。

図１〜図５に示すように、第１実施形態による有機ＥＬ素子１は、基板２と、第１透明電極３と、４個の第２透明電極４と、絶縁層５と、有機発光層６と、陰極（請求項の第２電極に相当）７と、封着材８と、封止板９とを備えている。

基板２は、光を透過可能なガラス基板からなる。基板２は、約０．７ｍｍの厚みを有する。基板２は、平面視にて、一辺が約１５ｃｍの正方形状に形成されている。基板２の上面は、各層３〜７が形成される成長主面２ａである。基板２の下面は、光が取り出される光取出面２ｂである。

第１透明電極３は、有機発光層６に正孔を注入するためのものである。第１透明電極３は、基板２の成長主面２ａ上に形成されている。第１透明電極３は、成長主面２ａの各頂点近傍を除く領域に、八角形状に形成されている。第１透明電極３は、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。第１透明電極３は、光を透過可能な約１５０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる。ＩＴＯの抵抗率は、１０^−４Ω・ｃｍのオーダーである。

第１透明電極３は、陽極（請求項の第１電極に相当）１１と、４個の陽極端子（請求項の第１外部端子に相当）１２とを含む。

陽極１１は、有機発光層６の下面と電気的に接続されている。陽極１１は、有機発光層６の下面の略全面を覆うように面状に形成されている。陽極１１は、封着材８の内部に形成されている。

陽極端子１２は、外部の電源（図示略）と陽極１１とを接続するためのものである。陽極端子１２は、陽極１１と一体的に形成されている。陽極端子１２は、基板２の成長主面２ａの各辺に沿って形成されている。陽極端子１２は、封着材８の外側に形成されている。４個の陽極端子１２は、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。陽極端子１２の上面は、外部の配線等が接続される陽極接続面１２ａである。陽極接続面１２ａの略全面には、面全体を同電位に保つための半田層（図示略）が形成される。

第２透明電極４は、外部の電源と陰極７とを接続するためのものである。第２透明電極４は、基板２の成長主面２ａの各頂点の近傍に形成されている。第２透明電極４は、平面視にて、三角形に形成されている。第２透明電極４は、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。第２透明電極４は、光を透過可能な約１５０ｎｍの厚みを有するＩＴＯからなる。第２透明電極４と第１透明電極３との間には、互いを電気的に絶縁するための絶縁溝１３が形成されている。

第２透明電極４は、接続部１５と、陰極端子（請求項の第２外部端子に相当）１６とを含む。

接続部１５は、封着材８の内部に形成されている。接続部１５には、陰極７の頂点部分が電気的に接続される。

陰極端子１６は、基板２の成長主面２ａの各頂点にＬ字状に形成されている。陰極端子１６は、封着材８の外部に形成されている。４個の陰極端子１６は、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。陰極端子１６の上面は、外部の配線等が接続される陰極接続面１６ａである。陰極接続面１６ａの略全面には、面全体を同電位に保つための半田層（図示略）が形成される。

ここで、図５を参照して、陽極端子１２の陽極接続面１２ａの面積Ｓ１と、陰極端子１６の陰極接続面１６ａの面積Ｓ２について説明する。図５において、太線によりハッチングされている領域が陽極接続面１２ａである。図５において、点によりハッチングされている領域が陰極接続面１６ａである。尚、図５における点線は、封着材８の外周面を示している。図５に示すように、有機ＥＬ素子１では、正孔の注入を促進するために、陽極接続面１２ａの面積Ｓ１は、陰極接続面１６ａの面積Ｓ２よりも大きくなるように形成されている。

絶縁層５は、陽極１１と陰極７との短絡を抑制するためのものである。絶縁層５は、八角形状に形成されている。絶縁層５の中央部は、陽極１１を露出させるために開口されている。絶縁層５の一部は、絶縁溝１３に形成されている。絶縁層５は、ＳｉＯ_２からなる。

有機発光層６は、光を発光するためのものである。有機発光層６は、平面視にて、外周が絶縁層５の外周と一致する八角形状に形成されている。有機発光層６は、陽極１１上に電気的に接続された状態で形成されている。有機発光層６には、正孔輸送層及び電子輸送層が陽極１１側から順に積層されている。正孔輸送層は、約５０ｎｍの厚みを有するＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）膜からななる。電子輸送層は、約５０ｎｍの厚みを有し、色素を混入させたキノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ_３）膜からなる。

陰極７は、有機発光層６に電子を注入するためのものである。陰極７は、平面視にて、略正方形状に形成されている。陰極７の中央部は、有機発光層６上に電気的に接続されている。陰極７は、有機発光層６の上面の略全面を覆うように面状に形成されている。陰極７の各頂点は、第２透明電極４の接続部１５上に電気的に接続された状態で形成されている。陰極７は、約１００ｎｍの厚みを有するＡｌ膜からなる。Ａｌ膜の抵抗率は、１０^−６Ω・ｃｍのオーダーである。即ち、陰極７を構成するＡｌ膜の抵抗率は、陽極１１を構成するＩＴＯの抵抗率よりも２桁小さい。このことから、陽極１１の方が、陰極７よりも抵抗が大きいことがわかる。尚、陽極１１、有機発光層６及び陰極７が、請求項の発光部に相当する。

封止板９は、有機発光層６が形成されている領域を封止するためのものである。封止板９は、ＵＶ硬化樹脂からなる封着材８によって第１透明電極３及び第２透明電極４に封着されている。

次に、上述した第１実施形態による有機ＥＬ素子１の動作を説明する。

まず、有機ＥＬ素子１の陽極端子１２には、外部の電源から正孔が注入される。また、有機ＥＬ素子１の陰極端子１６には、外部の電源から電子が注入される。陽極端子１２から注入された正孔は、陽極１１を介して有機発光層６に注入される。一方、陰極端子１６から注入された電子は、接続部１５及び陰極７を介して有機発光層６に注入される。有機発光層６に注入された正孔と電子は、再結合して光を発光する。発光された光は、陽極１１及び基板２を透過して光取出面２ｂから外部へと照射される。

次に、上述した第１実施形態による有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。図６〜図１５は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程を説明する図である。尚、図６、１０、１２、１４は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線と同じ位置の断面図である。図７、８は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＶ−ＩＶ線と同じ位置の断面図である。図９、１１、１３、１５は、第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における平面図である。

まず、図６及び図７に示すように、スパッタ法により、基板２の成長主面２ａの全面にＩＴＯからなる第１透明電極３及び第２透明電極４を形成する。

次に、図８に示すように、フォトリソグラフィー法により、絶縁溝１３を形成する領域が露出するように、透明電極３、４の上面にレジスト膜５１を形成する。その後、エッチング法によって、第１透明電極３と第２透明電極４との間に絶縁溝１３を形成する。この後、図９に示すように、レジスト膜５１を除去する。これにより、基板２の成長主面２ａ上にパターニングされた透明電極３、４が完成する。

次に、図１０及び図１１に示すように、スパッタ法、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、パターニングされたＳｉＯ_２からなる絶縁層５を、陽極１１上及び絶縁溝１３内に形成する。

次に、図１２に示すように、中央部に開口部５２ａが形成されたシャドウマスク５２を用いて、図１２及び図１３に示す八角形状の有機発光層６を陽極１１上に蒸着する。

次に、図１４に示すように、中央部に開口部５３ａが形成されたシャドウマスク５３を用いて、図１４及び図１５に示すように、Ａｌ膜からなる略正方形状の陰極７を有機発光層６及び第２透明電極４上に蒸着する。

次に、図１及び図３に示すように、封着材８を介して封止板９を封着することによって、有機ＥＬ素子１が完成する。

上述したように、有機ＥＬ素子１は、面状の陽極端子１２の陽極接続面１２ａの面積Ｓ１を、陰極端子１６の陰極接続面１６ａの面積Ｓ２よりも大きくなるように形成している。これにより、正孔をより多く陽極端子１２に注入できるので、抵抗の大きいＩＴＯにより構成されている陽極１１の中心部まで、より多くの正孔を到達させることができる。このため、有機発光層６の中心部にも多くの正孔が注入されるので、正孔と電子との再結合を向上させることができる。この結果、中心部での輝度を向上させることができるので、輝度斑を低減することができる。

また、有機ＥＬ素子１では、陽極端子１２を成長主面２ａの各辺に沿って形成し、陰極端子１６を成長主面２ａの各頂点の近傍に形成している。これにより、陽極端子１２と有機発光層６の中心Ｃとの距離を、陰極端子１６と有機発光層６の中心Ｃとの距離よりも小さくすることができる。この結果、陽極端子１２と陽極１１の中心までの電気抵抗を小さくすることができるので、陽極１１の中心までに達する正孔を、より多くすることができる。この結果、有機発光層６の中心Ｃでの輝度を向上させることができるので、より輝度斑を低減することができる。

また、有機ＥＬ素子１では、陽極端子１２及び陰極端子１６を有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成している。これにより、各端子１２、１６から有機発光層６の中央へ正孔及び電子が均等に注入されるので、輝度斑をより低減することができる。

また、有機ＥＬ素子１では、面状の陽極端子１２及び面状の陰極端子１６によって有機発光層６の両面の略全域を覆うように形成しているので、有機発光層６の略全域で発光させることができる。これにより、輝度斑をより低減することができる。

また、有機ＥＬ素子１では、陽極１１及び陽極端子１２を一体的に同じ材料（ＩＴＯ）により成長主面２ａ上に構成している。更に、有機ＥＬ素子１では、第１透明電極３及び第２透明電極４を同じ材料（ＩＴＯ）で構成している。これらにより、パターニングによって、第１透明電極３及び第２透明電極４を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。

ここで、第１実施形態による有機ＥＬ素子１の効果を証明するために行った実験について説明する。本実験は、光取出面２ｂ上の５個所の輝度を測定して、各点の輝度から輝度分布を調べた。輝度を測定した５個所のうち、１個所は光取出面２ｂの中心（有機発光層６の中心Ｃ）である。残りの４個所Ｐ（図５参照）は、光取出面２ｂの中心から各辺への４本の垂線上である。更に、垂線上の４個所Ｐは、中心からの距離が全て同じ個所であって、光取出面２ｂの各辺の近傍である。全面の平均輝度を２２００ｃｄ／ｍ^２とした。

ここで、輝度分布［％］は、
輝度分布［％］＝１００×（輝度の標準偏差）／（輝度の平均値）
とする。尚、各測定個所で３回輝度を測定している。

また、第１実施形態による有機ＥＬ素子１と比較するために、比較用の有機ＥＬ素子（以下、比較例という）を作製した。比較例は、同じ大きさ及び形状の基板を用いた。そして、対向する２辺に沿って陽極端子を形成し、他の対向する２辺に沿って陰極端子を形成した。比較例は、外部端子以外は第１実施形態と同様の構成を有する。

この実験では、比較例の輝度分布が約３５％であったのに対し、第１実施形態による有機ＥＬ素子では、約１４％に低減することができた。これにより、第１実施形態による有機ＥＬ素子では、発光領域の外周部に対する中央部の輝度の低下を抑制できていることがわかる。更に、第１実施形態による有機ＥＬ素子では、中央部に注入される正孔を増大できていることがわかる。

（第２実施形態）
次に、上述した第１実施形態の一部を変更した第２実施形態による有機ＥＬ素子について、図面を参照して説明する。図１６は、第２実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。図１７は、透明電極の平面図である。図１６において、便宜上、封着材８及び封止板９は、点線で示す。また、図１７において、封着材８の外周を点線で示す。尚、第１実施形態と同じ構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。

図１６及び図１７に示すように、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａでは、基板２上に形成される第１透明電極３Ａ及び第２透明電極４Ａの形状が、第１実施形態とは異なる。

第１透明電極３Ａは、基板２の成長主面２ａ（図３参照）の頂点近傍以外の領域に十字形状に形成されている。第１透明電極３Ａは、封着材８の内部の陽極１１Ａと、封着材８の外部の陽極端子１２Ａとを含む。

第２透明電極４Ａは、基板２の成長主面２ａの各頂点近傍に正方形状に形成されている。第２透明電極４Ａと第１透明電極３Ａとの間には、互いを絶縁するための絶縁溝１３が形成されている。第２透明電極４Ａは、封着材８の内部の接続部１５Ａと、封着材８の外部の陰極端子１６Ａとを備えている。

ここで、図１７から明らかなように、陽極端子１２Ａの陽極接続面１２Ａａの面積Ｓ１は、陰極端子１６Ａの陰極接続面１６Ａａの面積Ｓ２よりも大きい。また、陽極端子１２Ａは、基板２の各辺に沿って形成されている。一方、陰極端子１６Ａは、基板２の成長主面２ａの各頂点近傍に形成されている。更に、端子１２Ａ、１６Ａは、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。この結果、第２実施形態による有機ＥＬ素子１Ａは、第１実施形態による有機ＥＬ素子１と同様の効果を奏することができる。

（第３実施形態）
次に、上述した第１実施形態の一部を変更した第３実施形態による有機ＥＬ素子について、図面を参照して、説明する。図１８は、第３実施形態による透明電極の平面図である。図１８では、封着材８の外周を点線で示す。

図１８に示すように、第３実施形態による有機ＥＬ素子では、基板２の成長主面２ａ（図３参照）上に形成される第１透明電極３Ｂ及び第２透明電極４Ｂの形状が、第１実施形態とは異なる。

第１透明電極３Ｂは、基板２の成長主面２ａの各辺の中央部が正方形状に除去されている以外は、成長主面２ａの略全面に形成されている。第１透明電極３Ｂは、封着材８の内部の陽極１１Ｂと、封着材８の外部の陽極端子１２Ｂとを含む。

第２透明電極４Ｂは、基板２の成長主面２ａの各辺の中央部に正方形状に形成されている。第２透明電極４Ｂと第１透明電極３Ｂとの間には、互いを絶縁するための絶縁溝１３が形成されている。第２透明電極４Ｂは、封着材８の内部の接続部１５Ｂと、封着材８の外部の陰極端子１６Ｂとを備えている。

ここで、図１８から明らかなように、陽極端子１２Ｂの陽極接続面１２Ｂａは、陰極端子１６Ｂの陰極接続面１６Ｂａよりも大きい。また、端子１２Ｂ、１６Ｂは、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。これにより、第３実施形態による有機ＥＬ素子は、輝度斑を低減することができる。

（第４実施形態）
次に、上述した第１実施形態の一部を変更した第４実施形態による有機ＥＬ素子について、図面を参照して、説明する。図１９は、第４実施形態による基板及び透明電極の平面図である。図１９では、封着材８の外周を点線で示す。

図１９に示すように、第４実施形態による有機ＥＬ素子では、基板２Ｃが正六角形状に形成されている。これに伴い、第４実施形態による有機ＥＬ素子では、基板２Ｃ上に形成される第１透明電極３Ｃ及び第２透明電極４Ｃの形状が、第１実施形態とは異なる。

第１透明電極３Ｃは、基板２Ｃの頂点近傍以外の領域に十二角形状に形成されている。第１透明電極３Ｃは、封着材８の内部の陽極１１Ｃと、封着材８の外部の陽極端子１２Ｃとを含む。

第２透明電極４Ｃは、基板２Ｃの各頂点近傍に三角形状に形成されている。第２透明電極４Ｃと第１透明電極３Ｃとの間には、互いを絶縁するための絶縁溝１３が形成されている。第２透明電極４Ｃは、封着材８の内部の接続部１５Ｃと、封着材８の外部の陰極端子１６Ｃとを備えている。

ここで、図１９から明らかなように、陽極端子１２Ｃの陽極接続面１２Ｃａは、陰極端子１６Ｃの陰極接続面１６Ｃａよりも大きい。また、陽極端子１２Ｃは、基板２Ｃの上面（成長主面）の各辺に沿って形成されている。一方、陰極端子１６Ｃは、基板２Ｃの上面の各頂点近傍に形成されている。更に、端子１２Ｃ、１６Ｃは、有機発光層６の中心Ｃの周りに点対称に形成されている。この結果、第４実施形態による有機ＥＬ素子は、第１実施形態による有機ＥＬ素子１と同様の効果を奏することができる。

以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。

上述した各実施形態における、数値、材料、形状等は適宜変更可能である。

また、上述した各実施形態は、ボトムエミッション型を例に説明したが、本発明をトップエミッション型の有機ＥＬ素子に適用してもよい。

また、上述した実施形態は、陽極端子及び陰極端子を有機発光層の中心の周りに点対称に形成したが、有機発光層の中心の周りに回転対称に形成してもよく、有機発光層の中心を通る直線を挟み、線対称に形成してもよい。

第１実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。有機ＥＬ素子の内部の全体斜視図である。図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図１のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。第１透明電極及び第２透明電極の平面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線と同じ位置の断面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＶ−ＩＶ線と同じ位置の断面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＶ−ＩＶ線と同じ位置の断面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における平面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線と同じ位置の断面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における平面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線と同じ位置の断面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における平面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線と同じ位置の断面図である。第１実施形態による有機ＥＬ素子の各製造工程における平面図である。第２実施形態による有機ＥＬ素子の全体斜視図である。透明電極の平面図である。第３実施形態による透明電極の平面図である。第４実施形態による基板及び透明電極の平面図である。

符号の説明

１、１Ａ有機ＥＬ素子
２、２Ｃ基板
２ａ成長主面
２ｂ光取出面
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ第１透明電極
４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ第２透明電極
５絶縁層
６有機発光層
７陰極
８封着材
９封止板
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ陽極
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ陽極端子
１２ａ、１２Ａａ、１２Ｂａ、１２Ｃａ陽極接続面
１３絶縁溝
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ接続部
１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ陰極端子
１６ａ、１６Ａａ、１６Ｂａ、１６Ｃａ陰極接続面
Ｃ中心
Ｓ１面積
Ｓ２面積

Claims

基板と、
面状の第１電極と、前記第１電極よりも電気抵抗が小さく面状の第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に形成された有機発光層とを含み、前記基板上に形成された発光部と、
前記基板上に形成され、前記第１電極と接続される第１外部端子と、
前記基板上に形成され、前記第２電極と接続される第２外部端子と
を備え、
外部と接続される前記第１外部端子の面を第１の接続面とし、
外部と接続される前記第２外部端子の面を第２の接続面とし、
前記第２の接続面の面積よりも前記第１の接続面の面積の方が大きく、
前記基板は、多角形状であって、
前記第１外部端子は、前記多角形の基板の辺に沿って形成され、
前記第２外部端子は、前記多角形の基板の頂点に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
前記第１外部端子及び前記第２外部端子は、前記有機発光層の中心または中心を通る直線に対して対称であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
前記第１電極は、前記基板上に形成され、
前記第１電極と前記第１外部端子は、同じ材料によって一体的に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
前記第１外部端子と、前記第２外部端子は、同じ材料によって形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
前記第１電極は、光を透過可能な透明電極であって、
前記第２電極は、金属電極であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。