JP5266321B2 - 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 - Google Patents
量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5266321B2 JP5266321B2 JP2010515923A JP2010515923A JP5266321B2 JP 5266321 B2 JP5266321 B2 JP 5266321B2 JP 2010515923 A JP2010515923 A JP 2010515923A JP 2010515923 A JP2010515923 A JP 2010515923A JP 5266321 B2 JP5266321 B2 JP 5266321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared sensor
- quantum
- gas
- quantum infrared
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/59—Transmissivity
- G01N21/61—Non-dispersive gas analysers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Claims (11)
- 複数の量子型赤外線センサ素子と、
該量子型赤外線センサ素子に対して赤外線光源側に設けられ、各々異なる特定の波長帯域の赤外線を選択的に透過する複数の光学フィルタと、
少なくとも前記光学フィルタを保持し、前記量子型赤外線センサ素子に対して前記赤外線光源側に向けて複数の貫通孔を設けた保持部材と
を備え、前記量子型赤外線センサと前記フィルタとが、前記保持部材の前記貫通孔に嵌め込まれ、前記光学フィルタと前記量子型赤外線センサ素子とが密接していることを特徴とする量子型赤外線センサ。 - 前記保持部材は、下段と上段を備え、前記下段と前記上段に前記量子型赤外線センサ素子に対向して赤外線を受光するための第1及び第2の貫通孔を設けた階層構造を有し、
前記下段には、第1及び第2の量子型赤外線センサ素子が設けられ、前記上段には、第1及び第2の光学フィルタが前記第1及び第2の量子型赤外線センサ素子に対向して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の量子型赤外線センサ。 - 前記光学フィルタは、前記赤外線光源からの参照光透過用の光学フィルタと、前記参照光と異なる波長帯域透過用の光学フィルタとの一対からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の量子型赤外線センサ。
- 前記光学フィルタは、前記赤外線光源からの参照光透過用の光学フィルタと、前記参照光と各々異なる複数の波長帯域透過用の光学フィルタとからなることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の量子型赤外線センサ。
- 前記保持部材は、予め成型したパッケージ材であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の量子型赤外線センサ。
- 前記パッケージ材は、表面実装用の端子を有する量子型赤外線センサ素子の該端子を用いて表面実装可能にしたことを特徴とする請求項5に記載の量子型赤外線センサ。
- 前記量子型赤外線センサ素子はセンサ素子部を有し、該センサ素子部は、
基板上に設けられた第1のコンタクト層と、該第1のコンタクト層上に設けられた吸収層と、該吸収層上に設けられたバリア層と、該バリア層上に設けられた第2のコンタクト層と、該第2のコンタクト層上に設けられた第2の電極と、前記第1のコンタクト層と前記吸収層と前記バリア層と前記第2のコンタクト層に隣接して設けられたパッシベーション層と、該パッシベーション層を介して前記基板上に設けられた第1の電極とを備えたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の量子型赤外線センサ。 - 前記第1のコンタクト層はn型のInSbからなり、前記吸収層はπ型のInSbからなり、前記バリア層はp型のAlInSbからなり、前記第2のコンタクト層はp型のInSbからなることを特徴とする請求項7に記載の量子型赤外線センサ。
- 前記センサ素子部を複数個設け、該複数のセンサ素子部を直列接続させたことを特徴とする請求項7又は8に記載の量子型赤外線センサ。
- 測定対象ガスの流路を構成するサンプルセル内の一端に赤外線光源を配置するとともに、前記サンプルセル内の他端に請求項1乃至9のいずれかに記載の量子型赤外線センサを配置したことを特徴とする量子型赤外線ガス濃度計。
- 前記量子型赤外線センサからのセンサ信号を増幅する増幅器及びノイズを除去するフィルタを介して入力され、回路オフセットメモリからの信号を前記センサ信号から減算してオフセットを除去する減算手段と、
該減算手段からの各々の信号に基づいて、前記測定対象ガスの吸収帯の透過光量と前記測定対象ガスの吸収のない波長帯の透過光量の信号の比を演算する演算手段と、
該演算手段からの信号に、2波長帯を用いることによるガスオフセットメモリからの比例係数分オフセットを加算する加算手段と、
該加算手段からの信号に基づいて、ガス定数メモリからのガスの吸光度係数とガス路長の定数を除算する除算手段と
を備え、前記測定対象ガスの吸収帯の透過光量と前記測定対象ガスの吸収のない波長帯の透過光量を用いてガスの濃度の定量を行うようにしたことを特徴とする請求項10に記載の量子型赤外線ガス濃度計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010515923A JP5266321B2 (ja) | 2008-06-04 | 2009-06-04 | 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008147261 | 2008-06-04 | ||
| JP2008147261 | 2008-06-04 | ||
| JP2008176855 | 2008-07-07 | ||
| JP2008176855 | 2008-07-07 | ||
| JP2010515923A JP5266321B2 (ja) | 2008-06-04 | 2009-06-04 | 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 |
| PCT/JP2009/060285 WO2009148134A1 (ja) | 2008-06-04 | 2009-06-04 | 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009148134A1 JPWO2009148134A1 (ja) | 2011-11-04 |
| JP5266321B2 true JP5266321B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=41398207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010515923A Active JP5266321B2 (ja) | 2008-06-04 | 2009-06-04 | 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8803092B2 (ja) |
| EP (1) | EP2284904A4 (ja) |
| JP (1) | JP5266321B2 (ja) |
| CN (1) | CN102057495B (ja) |
| WO (1) | WO2009148134A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5731754B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2015-06-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ |
| JP2011171672A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ |
| JP5576162B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-08-20 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 量子型赤外線ガス濃度計 |
| JP5558893B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-07-23 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイスの製造方法 |
| JP5551516B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2014-07-16 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 樹脂封止パッケージ |
| JP5917007B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2016-05-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | フォトカプラ |
| JP5512583B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-06-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 量子型赤外線センサ |
| JP5606374B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-15 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体の製造方法および量子型赤外線センサ |
| JP5662225B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-01-28 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ |
| US8217355B1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-07-10 | Airware, Inc. | Self-commissioning NDIR gas sensors |
| WO2013046676A1 (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及び保持体 |
| CA2856353C (en) * | 2011-12-02 | 2020-03-24 | Senseair Ab | Epoxy molded gas cell for optical measurement and method of forming |
| JP6015034B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光学センサー及び電子機器 |
| CN102662002A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-09-12 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体薄膜、气体传感器及其制作方法 |
| DE102012212968A1 (de) | 2012-07-24 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element |
| WO2014087619A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法、赤外線センサ用フィルタ部材、フォトカプラ |
| JP6039789B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-12-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
| CN105103320A (zh) * | 2013-03-25 | 2015-11-25 | 旭化成微电子株式会社 | 化合物半导体层叠体以及半导体装置 |
| JP6010702B2 (ja) | 2013-09-27 | 2016-10-19 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ガスセンサ |
| WO2016002466A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 株式会社村田製作所 | ガス濃度測定装置 |
| DE102015208701A1 (de) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Infratec Gmbh | Vorrichtung zur gleichzeitigen Bestimmung mehrerer unterschiedlicher Stoffe und/oder Stoffkonzentrationen |
| US9909926B2 (en) * | 2016-05-31 | 2018-03-06 | Ams Sensors Uk Limited | Chemical sensor |
| DE102016012970A1 (de) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Drägerwerk AG & Co. KGaA | Vorrichtung zur Konzentrationsbestimmung mindestens einer Gaskomponente in einem Atemgasgemisch |
| US20210282663A1 (en) * | 2017-01-16 | 2021-09-16 | Koninklijke Philips N.V. | Capnography with lead selenide detector and integrated bandpass filter |
| EP3372988B1 (de) * | 2017-03-10 | 2022-10-12 | Sensatronic GmbH | Verfahren und vorrichtung zum messen einer stoffkonzentration in einem gasförmigen medium mittels absorptionsspektroskopie |
| JP7033777B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-03-11 | 株式会社四国総合研究所 | 光学式センサチップ及び光学式ガスセンサ |
| CN108458984A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-08-28 | 郑州力创光电技术有限公司 | 基于光电传感原理的气体绝缘设备在线气体监测控制系统 |
| US11346775B2 (en) | 2018-08-29 | 2022-05-31 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | NDIR gas sensor and optical device |
| JP7348826B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-09-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Ndirガスセンサ及び光学デバイス |
| JP2022063219A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 信号出力装置及び濃度測定システム |
| TWI808541B (zh) | 2021-11-22 | 2023-07-11 | 財團法人工業技術研究院 | 晶片封裝結構的透氣封裝蓋及其製造方法 |
| JP2023105618A (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-31 | 株式会社堀場エステック | ガス分析装置、及び、ガス分析方法 |
| KR102732474B1 (ko) * | 2022-11-04 | 2024-11-21 | 한국생산기술연구원 | 아세틸렌 가스 센서 |
| JP2025012828A (ja) * | 2023-07-14 | 2025-01-24 | ミツミ電機株式会社 | 光学式ガスセンサ装置及び光学式ガスセンサ装置の製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0875642A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線ガス分析計 |
| JPH09135010A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Konica Corp | ベアチップccdの取付け方法 |
| JP2001228022A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Yokogawa Electric Corp | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 |
| JP2002043554A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-02-08 | Orient Semiconductor Electronics Ltd | Ccdパッケージ・モジュール |
| JP2004253534A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光通信用光電気変換モジュール |
| WO2005027228A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | 赤外線センサic、赤外線センサ及びその製造方法 |
| JP2006194791A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Denso Corp | 赤外線センサ装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2637616A1 (de) * | 1976-08-20 | 1978-02-23 | Siemens Ag | Filter fuer fotodetektoren |
| JPS6130731A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Chino Works Ltd | 放射エネルギ−検出器 |
| US4859858A (en) * | 1986-12-04 | 1989-08-22 | Cascadia Technology Corporation | Gas analyzers |
| AU7322594A (en) * | 1994-07-05 | 1996-01-25 | Telaire Systems, Inc. | Ndir gas analysis using spectral ratioing technique |
| US5721430A (en) * | 1995-04-13 | 1998-02-24 | Engelhard Sensor Technologies Inc. | Passive and active infrared analysis gas sensors and applicable multichannel detector assembles |
| US5877500A (en) * | 1997-03-13 | 1999-03-02 | Optiscan Biomedical Corporation | Multichannel infrared detector with optical concentrators for each channel |
| US6590710B2 (en) * | 2000-02-18 | 2003-07-08 | Yokogawa Electric Corporation | Fabry-Perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector |
| DE102004002164A1 (de) * | 2004-01-15 | 2005-08-04 | Robert Bosch Gmbh | Strahlungsdetektor, Sensormodul mit einem Strahlungsdetektor und Verfahren zum Herstellen eines Strahlungsdetektors |
| WO2006095834A1 (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Asahi Kasei Emd Corporation | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
| KR101147759B1 (ko) * | 2005-10-05 | 2012-05-25 | 엘지전자 주식회사 | 디지털 방송 송/수신 시스템 |
| KR101208498B1 (ko) * | 2005-10-10 | 2012-12-05 | 엘지전자 주식회사 | 디지털 방송 시스템, 방법, 및 데이터 구조 |
-
2009
- 2009-06-04 WO PCT/JP2009/060285 patent/WO2009148134A1/ja not_active Ceased
- 2009-06-04 EP EP09758401.5A patent/EP2284904A4/en not_active Withdrawn
- 2009-06-04 JP JP2010515923A patent/JP5266321B2/ja active Active
- 2009-06-04 CN CN2009801208396A patent/CN102057495B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-04 US US12/996,293 patent/US8803092B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0875642A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線ガス分析計 |
| JPH09135010A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Konica Corp | ベアチップccdの取付け方法 |
| JP2001228022A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Yokogawa Electric Corp | 波長選択型赤外線検出素子及び赤外線ガス分析計 |
| JP2002043554A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-02-08 | Orient Semiconductor Electronics Ltd | Ccdパッケージ・モジュール |
| JP2004253534A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光通信用光電気変換モジュール |
| WO2005027228A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | 赤外線センサic、赤外線センサ及びその製造方法 |
| JP2006194791A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Denso Corp | 赤外線センサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102057495B (zh) | 2013-10-09 |
| EP2284904A1 (en) | 2011-02-16 |
| CN102057495A (zh) | 2011-05-11 |
| JPWO2009148134A1 (ja) | 2011-11-04 |
| US8803092B2 (en) | 2014-08-12 |
| EP2284904A4 (en) | 2014-03-26 |
| WO2009148134A1 (ja) | 2009-12-10 |
| US20110090505A1 (en) | 2011-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5266321B2 (ja) | 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計 | |
| JP6010702B2 (ja) | ガスセンサ | |
| TWI421475B (zh) | Infrared Flame Detector | |
| CN104937385B (zh) | 红外线检测元件、红外线检测器及红外线式气体传感器 | |
| JP5636557B2 (ja) | 赤外線センサの製造方法及び赤外線センサ並びに量子型赤外線ガス濃度計 | |
| US20200370963A1 (en) | Thermopile infrared individual sensor for measuring temperature or detecting gas | |
| US5962854A (en) | Infrared sensor and infrared detector | |
| US8465202B2 (en) | Microstructured sensor for the detection of IR radiation | |
| US7385199B2 (en) | Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication | |
| JP2011027699A (ja) | 赤外線式ガス検知器および赤外線式ガス計測装置 | |
| US10436647B2 (en) | Non-contact temperature measurement sensor | |
| JP5662225B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| JP6410679B2 (ja) | ガスセンサ | |
| Graf et al. | Seebeck's effect in micromachined thermopiles for infrared detection. A review. | |
| JP5564681B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| JP2012215432A (ja) | 赤外線センサおよびこれを用いたndirガス濃度計 | |
| JP5531275B2 (ja) | 赤外線センサ及びその製造方法 | |
| JP5576162B2 (ja) | 量子型赤外線ガス濃度計 | |
| JPH06194229A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPS6257211B2 (ja) | ||
| CN111373230A (zh) | 红外装置 | |
| EP4585887A1 (en) | Thermal infrared detector and method for manufacturing thermal infrared detector | |
| KR100693063B1 (ko) | 경년 변화 보정 수단을 구비한 ndir 가스 센서 | |
| JP2024139573A (ja) | 赤外線センサモジュール | |
| CN119469390A (zh) | 光束分析仪的传感器及分光装置及光谱设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130430 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130502 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5266321 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |