JP4819811B2 - ２つのバルク波共振器を備えたフィルタ装置 - Google Patents

Description

本発明はフィルタ装置、特に、無線通信装置のフロントエンドにおいて入出力フィルタとして使用することのできる少なくとも１つのＨＦフィルタの装置に関するものである。

異なる物理的原理に基づいた様々なタイプのフィルタおよびフィルタ装置が公知である。そのうちの１つがバルク波共振器により動作するフィルタである。占有面積が小さいこと、組込形成が可能であること、またそれによって得られるフィルタ特性のゆえに、バルク波共振器は移動体用途向けに通常はＦＢＡＲフィルタとして形成されている。ＦＢＡＲフィルタは、電極とともに基板上に平面的に配置された少なくとも２つの平面バルク波共振器を内蔵している。複数の共振器は、上下に、有利には並列に、電極の構造化を介して組み込み、相互に接続させることができる。動作可能なフィルタは複数のＦＢＡＲ共振器の接続により得られる。この複数のＦＢＡＲ共振器に関しては、ラダー型とラティス型の配置が公知である。

このような素子の電気的接触と付加的な回路部品の集積は、有利には、ＦＢＡＲ共振器を載せた基板−例えばシリコン基板−を支持体の表面にあるフリップチップ構造内に取り付けることにより行われる。このとき、支持体の下面には完成した素子の外部コンタクトが実現されている。これらの完成した素子は貫通コンタクトにより上面にあるコンタクト面と接続させることができる。２つ以上の誘電体層を有し、これら誘電体層の間にメタライゼーション面が配置された多層支持体の場合、メタライゼーション面の構造化により付加的な受動回路素子を支持体に組み込むことができる。

環境の影響、特に、湿度または機械的破損に対する保護のため、付加的なハウジングを用いず、基板の裏側または支持体の表側にぴったりと敷設された、例えば保護箔の貼合せにより形成される被覆を素子に設けてもよい。被覆箔の表面に金属層を敷けば、特に気密な被覆が得られる。

金属層を備えたこのような気密被覆の欠点は、この被覆とＦＢＡＲ共振器または一般的なバルク波共振器の平面的に形成された電極との間の距離が小さいことである。このため、誘電体として機能し、かつ被覆の金属層を形成している電極間にある被覆層とチップ基板とにより、電極間に少なからぬ寄生容量が形成されることがあり、このことが素子の特性に不都合な影響を与える。この容量性結合により、ＦＢＡＲ共振器の相互間にも容量性結合が生じ、フィルタ特性がさらに損なわれる。

１つの基板または別個の基板の上に２つのフィルタが実現され、それが共通の支持体の上に配置され、共通の被覆で覆われた形態のフィルタ装置も存在している。このような装置では、そうでなければ別々である２つのフィルタに容量性結合が生じ、いわゆるクロストークに至る。２つのフィルタが１つのデュプレクサを形成している場合には、容量性結合とこれにより生じるクロストークとにより、送信パス（ＴＸパス）と受信パス（ＲＸパス）との間の絶縁が損なわれ、低下する。

受信パスでは、高周波送信信号電力の干渉が大きくなり、雑音レベルが上がる。このことは、前置増幅器段のダイナミックレンジが過飽和に至るまで損なわれることを意味する。これは高い線形性（ＩＩＰ３ポイント）を有する雑音の少ない前置増幅器（ＬＭＡ）によっても限定的にしか補償することができない。しかも、このような前置増幅器（ＬＭＡ）は高価であり、例えば消費電流の増大のような別の技術的短所を有している。雑音レベルのある程度の増大を差し引いても、受信機の感度が近くにある基地局の受信にも不十分となれば、最終的に妨害はもはや許容されない。

ＣＤＭＡ携帯電話システムの場合、このような干渉のため、受信パスでのベースバンドのディジタルフィルタリングにおける相互変調積の抑制に対する要求が高くなる。これらの相互変調積は送信パス内の非線形電力増幅器段における外部妨害信号の変換により生じるものであり、いわゆるフライバック領域では送信周波数の何倍にもなる。

この問題の解決のために、被覆の金属層をアース端子と接続し、これにより容量性結合を低減させることが既に提案されている。この提案では、アースに対してできるだけ多くの分路接続をすることが効果を改善するものと前提されている。

しかしながら、このようにしても素子の特性は実質的に改善されず、フィルタ装置内のさまざまなバルク波共振器の容量性結合は依然として生じ、フィルタ性能が損なわれることが判明している。

したがって、本発明の課題は、少なくとも２つのバルク波共振器を備えたフィルタ装置において、容量性クロストークの負の作用を低減することである。
本発明によればこの課題は請求項１に記載の特徴を備えたフィルタ装置により解決される。本発明の有利な実施形態は他の請求項に示されている。

本発明によるフィルタ装置は少なくとも１つのフィルタと少なくとも２つのバルク波共振器を有している。バルク波共振器の電極は誘電体または半導体の基板の上に平面的に配置されている。金属層を含んだ面積の大きな被覆は基板を覆って配置されており、有利には基板の裏側を覆う。２つ以上のバルク波共振器の間の、またはこれらバルク波共振器の電極間の容量性結合を低減するために、金属層はフィルタ装置のアース端子に電気的に接続されており、この電気接続部に直列インダクタンスが形成される。

これまではつねに、このような被覆金属層のアースへの接続を誘導により構成するということは為されずに、被覆金属層のアースへの接続を特にこのような接続を多数設けることによって実現するという努力が為されてきたのに対して、本発明はむしろインダクタンスをある程度上げることを要点としている。この場合、インダクタンスの値は、標準的にフィルタ装置のアース端子に金属層を電気的に接続する場合よりも明らかに高い。

このような構成により、アースに付加的な共振回路を接続することができ、そのおかげで相応する共振周波数範囲の信号をアースに導くことができる。上記回路は被覆のためにインダクタンスを寄生容量と直列接続することにより形成される。ここで、この付加的な共振回路の共振周波数が１つまたは複数のフィルタの通過帯域に対して相応しい位置を占めるように直列インダクタンスを選べば、阻止帯域における減衰は通過帯域の近傍においても遠く離れた「フライバック」領域においても改善される。有利には、インダクタンスは与えられた寄生容量に依存して、この吸収回路の共振周波数がフィルタの阻止帯域内に入るような値に設定される。存在している寄生容量はインダクタンスとの直列接続により振動回路を形成し、この振動回路がアースに対する吸収回路を形成する。フィルタ装置が２つのフィルタを有していれば、このようにして２つのフィルタの間の絶縁が改善される。

本発明の別の実施形態では、それぞれ別のインダクタンスを介して、フィルタ装置のアース端子に対して金属層の少なくとも１つの別の電気接続が行われる。このようにして、共振周波数により互いに区別される複数の吸収回路を形成することができる。金属層に対して個々のバルク波共振器を形成する各々の容量が実質的に異なっていないと仮定すれば、その結果として、異なる吸収回路の異なるインダクタンスはそれぞれ異なる値で形成される。

本発明のある１つの実施形態では、バルク波共振器を有する基板がバンプにより支持体の上面に電気的および機械的に固定されている。支持体の下面には、少なくとも１つの信号端子とアース端子とがある。貫通コンタクトにより、これらの端子はそれぞれ１つまたは複数のバルク波共振器の１つの電極と、または金属層と電気的に接続されている。

このような構成においては、被覆を基板の裏側に敷設しても、基板の上に載せてもよいし、支持体とともに基板を気密封止するために、基板の側面または周囲に配置してもよい。

支持体のおかげで、付加的な回路または回路素子をフィルタ装置に接続すること、またはフィルタ装置に組み込むことが可能である。今のケースでは、金属層のアース接続部において直列に接続されているインダクタンスを支持体上または支持体内に実現することができる。

有利には、支持体は多層に形成されており、少なくとも２つの誘電体層と各２つの誘電体層の間に配置されたメタライゼーション面とを有している。メタライゼーション面の構造化により、回路素子と特にインダクタンスとが形成されており、支持体の下面にあるアース端子への金属層の接続に対して直列に接続されている。インダクタンスは例えば蛇行状の導電路として形成してよい。また、インダクタンスをコイルとして形成することも可能である。しかしながら、導電路の長さの増大とともにインダクタンス値が上昇する長い導電路としてインダクタンスを形成するだけでも十分である。概算から、インダクタンスの値は１００μｍの導電路長当たり約０．１０〜０．１５ｎＨとなる。このようにして、簡単に、約１〜２ｎＨの値をもつインダクタンスを支持体上にまたは支持体内に形成することができる。

また、個々のインダクタンスをより高い値で形成し、上記接続部に直列接続することも可能である。それに対して、複数のアース接続を並列接続すれば、基準となる全インダクタンスはまた低下する。この措置の成功にとっては、上記接続部の合計から得られる全インダクタンスがフィルタ装置当たり２ｎＨの値を上回らないことが決定的に重要である。
フィルタ装置はデュプレクサとして形成することもでき、また、それぞれ少なくとも１つのバルク波共振器を備えた第１および第２のフィルタを含んでいる。これらフィルタは共通の基板または別個の基板の上に形成されているものの、共通の支持体の上に配置されている。２つのフィルタを備えた１つまたは複数の基板は裏面から切れ目のない共通の被覆で覆われている。

支持体上への基板の敷設は、有利には、フリップチップ構造内において行われる。被覆は、有利には、単層または多層に形成されたプラスチックラミネート箔から成っており、このプラスチックラミネート箔は圧力と加熱とにより支持体の表面にある基板の裏面に積層することができる。

積層後、気密な金属層を被覆の上にさらに敷設してもよい。ラミネートは、有利には、枠のように基板の周りを閉じている帯状領域においては取り去られ、支持体の表面が露出させられる。つづいて、例えば、チタンおよび／または銅の薄層をスパッタリングし、つづいてガルバーニ電流で強化してもよい。しかしながら、金属層を蒸着または全面にわたってスパッタリングすることも、または他の金属を使用することも可能である。

所定のデザインを有するフィルタ装置の場合には、電極の大きさ、したがってまた寄生容量の大きさは狭い範囲でしか変えることができないため、有利には、インダクタンスは電極と被覆の金属層との間の所与の寄生容量に依存して、吸収回路に３〜６ＧＨｚの共振周波数を生じさせる値に設定される。これは、１．５〜２ＧＨｚの通過帯域を有するフィルタ装置にとって、デュプレクサの２つの単独フィルタの最大の絶縁を達成するものであり、２つのフィルタの相互の結合を最小化するのに最適な領域である。

以下では、本発明を実施例および関連する図面に基づき詳細に説明する。これらの図は本発明の説明のためにのみ用いられるものであって、概略に過ぎず、縮尺通りには描かれていない。同一の部分には同一の参照記号が付されている。

図１は、それ自体は公知であるバルク波共振器（ＦＢＡＲ共振器）を概略的な横断面で示したものである。
図２は、支持体上に配置された２つの基板をバルク波共振器とともに横断面で示したものである。
図３は、バルク波共振器から形成されたデュプレクサの概略的な回路図を示したものである。
図４は、直列インダクタンスを備えた本発明によるデュプレクサを概略的な回路図で示したものである。
図５は、直列インダクタンスを内包した接続が組み込まれた支持体上にあるバルク波共振器を備えた２つの基板を有するフィルタ装置を示したものである。

図１には、それ自体は公知であるバルク波共振器（ＦＢＡＲ共振器）が概略的な横断面で示されている。このバルク波共振器、原則的に、例えば窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛から成る薄層である圧電層ＰＬから形成されている。圧電層の両面には、それぞれ１つの上側電極ＥＴと下側電極ＥＢが配置されており、これらの電極は、例えば、弾性剛さと密度との積の平方根として定義される音響インピーダンスの高い金属、例えばモリブデン、タングステン、またはタンタルのような金属、または導電率の高い金属および金属合金（アルミニウムまたはアルミニウム銅のような）、または層状にしたこれらの組合せから成っている。端子Ｔ１，Ｔ２により接続された電極により圧電層ＰＬ内にバルク弾性波が発生する。

その全厚によって振動周波数に固定されたバルク波共振器の内部の音響エネルギーを所望の層の内部に保持するため、図示されているように、共振器の内部に音響ミラーを設けてもよい。この音響ミラーは、音響インピーダンスの低い層ＬＩと音響インピーダンスの高い層ＨＩの交互配置から成っている。低インピーダンス層ＬＩが例えば酸化ケイ素またはプラスチックから形成されている一方で、高インピーダンス層ＨＩは有利には例えばモリブデンやタングステンなどの重金属から成っている。全体は基板Ｓの上に形成されており、基板Ｓの上には、個々の層が薄層技術により全面にわたって上下にデポジットされる。構造化は各層に対して個別にまたは層の一部に対してまとめても行ってよい。例えば、上側電極ＥＢの形成後に下側電極層ＥＢを音響ミラーの高および低インピーダンス層ＨＩ，ＬＩとともに構造化することも可能である。圧電層ＰＬは全面にわたって配置してもよく、必ずしも構造化を必要としない。上側電極ＥＴも構造化されており、下側電極ＥＢと同様に、並列的に配置された複数のバルク波共振器ＶＲを接続するために使用することができる。横断面の右側には、共振器を表す電気回路記号が示されている。

図２には、完成した素子が示されており、２つの基板Ｓ１，Ｓ２は、その上に配置されたバルク波共振器とともにフリップチップ構造においてバンプＢＵを介して支持体の上に取り付けられている。バンプを介して同時に支持体の上面にある相応するコンタクト面への電気接続が行われる。コンタクト面はさらに、貫通コンタクトＤＫと、支持体内部に配置されたメタライゼーション面の導体部分ＬＡと、別の貫通コンタクトとを介して、素子全体またはフィルタ装置の外部端子Ａ１，Ａ２と接続されている。基板Ｓの裏面は、支持体とともに各基板の周りを封止するラミネート箔ＬＦで覆われている。基板Ｓ１およびＳ２のそれぞれを取り巻く領域においては、ラミネート箔ＬＦが取り除かれており、この帯状領域においては支持体Ｔの表面が露出している。つづいて、ラミネート箔ＬＦの全面にわたって金属層が敷設されており、この金属層は支持体Ｔの表面が露出している帯状領域において支持体を以て終端している。したがって、金属層ＭＳは、基板Ｓの上に配置された例えばフィルタの一部であるバルク波共振器ＶＲ１，ＶＲ２を外界に対して気密に封止している。

２つの基板の適切な接続、または、基板上に配置されたバルク波共振器を含んだフィルタ回路もしくはフィルタの適切な接続は、ここでは例えば２層に形成された支持体内に組み込んで配置されている。支持体Ｔはここでは２つの誘電体層を含んでおり、これら誘電体層の間には、構造化されたメタライゼーション面が形成されている。メタライゼーション面内には、例えば電気的な接続ないし相互接続に使用される導体部分ＬＡが実現されている。導体部分ＬＡはさらに別の貫通コンタクトを介して支持体Ｔの下面に配置された外部端子Ａ１，Ａ２と接続されている。この構成は図示された２つの端子よりも多くの端子を含んでいてもよく、同様に各基板は２つより多くのバンプを介して支持体と機械的および電気的に接続される。

バルク波共振器の電極ＥＢ，ＥＴと基板Ｓの裏面にある金属層ＭＳとの間には、寄生容量ＣＰ１，ＣＰ２が形成される。特に、基板の近傍にある下側電極ＥＢと金属層ＭＳとの間の寄生容量が重要である。基板Ｓ上に複数のバルク波共振器が実現されていれば、電気的に絶縁された各電極部分と金属層ＭＳとの間に寄生容量が形成されうる。

図３には、２つのフィルタ回路を製造するための概略的な回路図が示されており、ここでは、共振器Ｒ１〜Ｒ３を含む第１のフィルタとＲ４〜Ｒ６を含む第２のフィルタとからデュプレクサが構成されている。図の左側に示されている第１のフィルタにおいては、さらに第１の共振器Ｒ１と第２の共振器Ｒ２とが第１の端子Ｔ１とアンテナＡＮＴとの間で直列接続されている。この直列回路に並列に、第３の共振器Ｒ３がアース端子Ｇに対して接続されている。回路図では、共振器の各側にＢ（ボトム）またはＴ（トップ）の文字が付されており、このことから、上側電極ＥＴであるのか、下側電極ＥＢであるのかが分かる。右側のフィルタは、アンテナと第２の端子Ｔ２との間に接続された唯一の直列共振器Ｒ５から成っている。この共振器Ｒ５の両側には、アース端子Ｇ２に対して並列枝路が接続されており、これら並列枝路内にはそれぞれ共振器Ｒ４，Ｒ６が配置されている。アンテナと第２のフィルタとの間にはさらに移相器ＰＳが接続されており、この移相器ＰＳは、位相回転により、一方のフィルタからの信号が他方のフィルタの動作を妨げるようにすることによって、２つのフィルタを互いから分離する。

それぞれの下側電極ＥＢと金属層との間には寄生容量ＣＰが形成されるため、図示された公知のデュプレクサにおいては、金属層ＭＳを介して共通の電極をもつ全部で６つの寄生容量ＣＰが生じる。

２つのフィルタはこれらの容量を介して相互に容量性結合されているため、クロストークが生じ、それによってそれぞれの他方のフィルタ内の信号が妨害され、有効信号が完全に遮られるまで雑音レベルが上がってしまう。

図４は、アースに対して接続された本発明によるインダクタンスＬによって、どのようにして、結合された容量Ｃｐとインダクタンスとから、デュプレクサの絶縁を改善する振動回路が生じるのかを示している。図にはインダクタンスＬしか示されていないものの、複数の接続部とその中に配置された直列インダクタンスとを介して金属層をアースに接続してもよい。このようにして、インダクタンス値を適切に選ぶことによって、アースに対してそれぞれ異なる共振周波数を有するさまざまな吸収回路を形成することが可能である。その結果、これの共振周波数においてＴｘおよびＲｘパスの電気的絶縁が改善される。実施例として図示されているＦＢＡＲデュプレクサでは、電気的絶縁の改善はフライバック領域においては２０ｄＢを超えている。さらに、共振周波数を３〜６ＧＨｚの範囲内で適切に選べば、図示されたデュプレクサの２つのフィルタの間の絶縁はＴｘおよびＲｘフィルタの通過帯域においてほぼ１〜５ｄＢ改善される。つまり、本発明によれば、公知のデュプレクサに比べて絶縁と阻止帯域抑制とが格段に改善されたデュプレクサが得られる。

図５は、本発明のように直列インダクタンスＬにより金属層をアースに接続するデュプレクサの概略的な横断面に基づいて、素子またはフィルタ装置の支持体Ｔ内にどのようにして付加的なインダクタンスＬを組み込むことができるかを示している。図２では、被覆の金属層ＭＳが電気的に絶縁されていたのに対して、本発明による素子または本発明によるフィルタ装置の金属層ＭＳは、同時に貫通コンタクトの表面でもありうる支持体の上面にある接続面を介して支持体内部の回路と接続されている。金属層ＭＳは貫通コンタクトＤＫ１１，ＤＫ２１を介してインダクタンスＬ１，Ｌ２と接続されており、さらに支持体の下面に配置された外部端子Ａ1,A2と直列接続されている。

ここに示されている２つのインダクタンスＬ１，Ｌ２は、例えば、長く延びた、とりわけ蛇行状に形成された導体部分として、ここでは２層である支持体のメタライゼーション面内に実現されている。ここでは、移相器ＰＳは図示されていないが、これは、例えば、２つのバンプＢＵ１２とＢＵ２１を相互に接続する導体部分ＬＡ１に配置されている。アンテナも導体部分ＬＡ１を介して接続することができる。他の端子、貫通コンタクト、および導体部分は図示された断面図では把握されないが、フィルタ装置内に任意の数または必要な数だけ含まれている。

少数の実施例のみにより本発明を説明してきたが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本発明は、隣接する切れ目のない金属層を介して容量性結合され、それにより不所望に相互接続されるおそれのある少なくとも２つのバルク波共振器を有するすべてのフィルタ装置において使用することができる。本発明によれば、例えば図示のように形成されたデュプレクサを用いて、既に述べた広範な利点が得られる。

本発明は、１つまたは複数の基板の上に配置された２つ以上のフィルタを有するフィルタ装置のも応用可能である。したがって、本発明はデュプレクサとして形成された２つのフィルタを有するフィルタ装置にも限定されない。本発明は２in１フィルタにおいてもまたはデュプレクサにおいても使用することができる。本発明は、２ゲートと見なされるフィルタの入力ゲートと出力ゲートの間の絶縁を改善することにより、複数のバルク波共振器を有する単一のフィルタの範囲内でも利点を提供する。

それ自体は公知であるバルク波共振器（ＦＢＡＲ共振器）を概略的な横断面で示す。 支持体上に配置された２つの基板をバルク波共振器とともに横断面で示す。 バルク波共振器から形成されたデュプレクサの概略的な回路図を示す。 直列インダクタンスを備えた本発明によるデュプレクサを概略的な回路図で示す。 直列インダクタンスを内包した接続部が組み込まれた支持体上にあるバルク波共振器を備えた２つの基板を有するフィルタ装置を示す。

符号の説明

ＶＲ バルク波共振器
ＥＴ ＶＲの上側電極
ＥＢ ＶＲの下側電極
ＰＬ 圧電層
ＨＩ 高インピーダンス層
ＬＩ 低インピーダンス層
Ｓ 基板
Ｔ１，Ｔ２ 電気端子
Ｃｐ 寄生容量
Ｔ 支持体
ＢＵ バンプ
ＤＫ 貫通コンタクト
ＬＡ 導電路部分
Ａ 素子の外部端子
ＬＦ ラミネート箔
ＭＳ 金属層
ＰＳ 移相器
Ａｎｔ アンテナ
Ｌ インダクタンス
Ｇ アース端子

Claims (10)

1. １つのフィルタと少なくとも２つのバルク波共振器（ＶＲ）とを備えたフィルタ装置において、前記バルク波共振器とその電極（ＥＴ，ＥＢ）とが誘電体基板または半導体基板（Ｓ）の上に平面的に配置されており、金属層（ＭＳ）を含んだ被覆が前記基板を覆っており、前記金属層は前記フィルタ装置のアース端子（Ｇ）への電気接続部を有しており、該接続部内に第１の直列インダクタンス（Ｌ）が形成されており、前記電極（ＥＴ，ＥＢ）の一方と前記金属層（ＭＳ）との間に寄生容量（Ｃｐ）が形成されており、該寄生容量と前記接続部の第１のインダクタンス（Ｌ）はアースに対する吸収回路を形成しており、前記第１のインダクタンスは、前記容量に依存して、前記吸収回路の共振周波数が前記フィルタの阻止帯域内に入るような値に設定されている、ことを特徴とするフィルタ装置。
2. 前記金属層（ＭＳ）は、さらに別のインダクタンス（Ｌ）を介した、前記フィルタ装置のアース端子（Ｇ）への別の少なくとも１つの電気接続部を有している、請求項１記載の装置。
3. 前記第１のインダクタンスと前記別のインダクタンス（Ｌ）は互いに異なる値に形成されている、請求項２記載の装置。
4. 前記基板（Ｓ１，Ｓ２）が支持体（Ｔ）の表面にあるフリップチップ構造内に固定されており、前記支持体の下面には信号端子とアース端子（Ｇ）とがあり、両端子は貫通コンタクト（ＤＫ）を介してそれぞれ前記バルク波共振器（ＶＲ）または金属層（ＭＳ）と電気的に接続されている、請求項１から３のいずれか１項記載の装置。
5. 前記支持体（Ｔ）が多層に形成されており、少なくとも２つの誘電体層と各２つの誘電体層の間に配置されたメタライゼーション面とを含んでおり、前記接続部のインダクタンス（Ｌ）が実質的に前記支持体内部のメタライゼーション（ＤＫ，ＬＡ）により形成されている、請求項４記載の装置。
6. 別々の基板（Ｓ１，Ｓ２）の上に形成された、それぞれが少なくとも１つのバルク波共振器を有する第１および第２のフィルタを含んだデュプレクサとして形成されており、前記両方の基板が共通の支持体（Ｔ）の上に配置されており、前記被覆で共通に切れ目なく覆われている、請求項１から５のいずれか１項記載の装置。
7. 前記１つの又は複数のフィルタが、ＦＢＡＲ共振器として形成された複数のバルク波共振器（ＶＲ）を含んでおり、これら複数のバルク波共振器は構造化された電極層（ＥＢ，ＥＴ）によりラダー型またはラティス型の配置で前記基板（Ｓ）上に配置され相互接続されている、請求項１から６のいずれか１項記載の装置。
8. 前記第１のインダクタンス（Ｌ）及び／又は前記別のインダクタンス（Ｌ）が１〜２ｎＨの値を有する、請求項１から７のいずれか１項記載の装置。
9. 並列したすべての接続部から得られる全インダクタンスが２ｎＨよりも低い値を有する、請求項１から８のいずれか１項記載の装置。
10. 前記第１のインダクタンス（Ｌ）及び／又は前記別のインダクタンス（Ｌ）は、電極（ＥＢ，ＥＴ）と前記被覆の金属層（ＭＳ）との間の寄生容量に依存して、前記吸収回路の共振周波数が３〜６ＧＨｚの範囲内に入るような値に設定されている、請求項１から９のいずれか１項記載の装置。

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