JP4895685B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。

ＩＣの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施す場合には、枚葉式プラズマ処理装置を使用するのが、一般的である。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。

そこで、複数枚のウエハが搬入される処理室を備え、かつ、ヒータによって加熱されるプロセスチューブの処理室に一対の電極が縦長に配置されたバッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている。例えば、特許文献１参照。
特開２００２−２８０３７８号公報

しかしながら、前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、プラズマが各ウエハに遠隔的にそれぞれ供給されるために、処理室内のウエハ相互間の処理状況が不均一になる可能性が有ると、考えられる。
そこで、各ウエハの表面から所定の距離に交流電力印加用電極をそれぞれ配置することにより、各ウエハの表面にプラズマをそれぞれ生成させるバッチ式プラズマ処理装置が、提案されている。
しかしながら、このようなバッチ式プラズマ処理装置においては、ウエハの表面側の電極またはウエハの裏面側の電極とウエハとの間に、ドーナツ形状のプラズマが生成されるために、ウエハの表面におけるプラズマ処理もプラズマのドーナツ形状に影響を受けて不均一になってしまうという問題点があると、考えられる。

本発明の目的は、従来の技術のこれらの問題点を解決し、被処理基板内の処理状況の均一性および被処理基板相互間の処理状況の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）処理室内に複数枚の被処理基板を所定の間隔を置いて配置し、前記処理室内に処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記各被処理基板の表面から所定の距離に各電極体がそれぞれ配置されており、前記各電極体は一対の電極板が誘電体によって囲まれて構成されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）処理室内に複数枚の被処理基板を所定の間隔を置いて配置し、前記処理室内に処理ガスを供給し所定の圧力の下で前記被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記各被処理基板の表面から所定の距離に各電極体がそれぞれ配置されており、前記各電極体には一般に使用される１３．５６ＭＨｚより小さい周波数の交流電力が印加されるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
（３）前記電極体は一対の電極板と、この一対の電極板を囲んだ誘電体とを備えており、前記一対の電極板は同一の平面内においてこの平面の中心に対して対称形に配置されていることを特徴とする前記（２）に記載のプラズマ処理装置。
（４）前記（１）（３）において、前記各電極体を前記各一対の電極板のうちの同極の電極板が対向して並ぶようにそれぞれ構成する。
（５）前記（１）（３）において、前記各電極体を前記各一対の電極板のうちの異極の電極板が対向して並ぶようにそれぞれ構成する。

前記（１）によれば、電極体が各被処理基板にそれぞれ配置されることにより、プラズマ雰囲気が被処理基板のそれぞれに専用的に生成されるために、プラズマ処理状況は被処理基板内および被処理基板相互間のいずれにおいても均一になる。
また、プラズマは一対の電極板によって形成されることにより、被処理基板に影響されずに安定して生成されるために、プラズマ処理状況は被処理基板内および被処理基板相互間のいずれにおいても均一になる。
前記（２）によれば、一般に使用される１３．５６ＭＨｚより小さい周波数の交流電力を各電極体に印加することにより、プラズマを各被処理基板の全域にわたって広がるように生成することができるので、プラズマ処理状況は被処理基板内および被処理基板相互間のいずれにおいても均一になる。
前記（１）（３）において、一対の電極板を誘電体で囲むことにより、沿面放電によって誘電体の表面に均一なプラズマを平坦に生成することができる。
また、一対の電極板を誘電体で囲むことにより、一対の電極板にプラズマが接触するのを阻止することができるので、電極板からの不純物の放出を防止することができる。
前記（４）によれば、各電極体が各一対の電極板のうちの同極の電極板が対向して並ぶようにそれぞれ構成されていることにより、同一の平面内の一対の電極板による放電に加えて、隣り合う電極体の電極板同士間による放電も利用することができるので、プラズマを効率よく生成させることができる。
前記（５）によれば、各電極体が各一対の電極板のうちの異極の電極板が対向して並ぶようにそれぞれ構成されていることにより、被処理基板に対して入射するイオンのエネルギーを増加させることができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置（以下、バッチ式プラズマ処理装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が４枚の場合について説明しているが、実際上は４枚〜１５０枚程度のウエハを一括して取り扱うことができるものとする。

図１に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、オープンカセット（以下、カセットという。）２が使用されている。
バッチ式プラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。筐体１１の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口１２が開設されており、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。

カセット搬入搬出口１４の筐体１１の内部にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置により、カセットステージ１６にはカセット２が、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１６はカセット２を筐体１１の後方に右回り縦方向９０度回転させ、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向く作動が可能となるように構成されている。

筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されている。カセット棚１７には複数のカセット２が収納される移載棚１８が複数段設けられており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。

カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０は、カセット２を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂとによって構成されており、カセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続作動により、カセットステージ１６とカセット棚１７と予備カセット棚１９との間でカセット２を搬送するように構成されている。

カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２２と、ウエハ移載装置エレベータ２２によって昇降されるウエハ移載装置２３とを備えている。
ウエハ移載装置エレベータ２２は筐体１１の右側端部に設置されている。
ウエハ移載装置２３はウエハ１をツィーザ２４によって保持して回転ないし直線運動させるように構成されている。
ウエハ移載装置エレベータ２２およびウエハ移載装置２３の連続作動により、ウエハ移載機構２１はウエハ１の授受作動を実行するように構成されている。

図１に示されているように、カセット棚１７の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット２５が設置されている。クリーンユニット２５は清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体１１内の後部空間に流通させるように構成されている。

図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３０が垂直に設置されている。
図２に示されているように、処理炉３０は処理室３２を形成するプロセスチューブ３１を備えている。プロセスチューブ３１は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。

プロセスチューブ３１の下端面にはマニホールド３３が当接されており、マニホールド３３は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。マニホールド３３はプロセスチューブ３１についての保守点検作業や清掃作業のためにプロセスチューブ３１に着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド３３が筐体１１に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド３３の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３４を形成している。炉口３４は通常時には炉口シャッタ３５によって閉塞されるようになっている。

マニホールド３３の側壁には排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。

マニホールド３３の排気管３６と異なる位置（図示例では１８０度反対側の位置）には、処理ガスを供給するためのガス供給管３７が垂直に立脚されており、ガス供給管３７は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管３７には複数個の吹出口３８が垂直方向に並べられて開設されており、これら吹出口３８の個数は処理されるウエハ１の枚数に対応されている。吹出口３８の個数は処理されるウエハ１の枚数に一致されており、各吹出口３８の高さ位置は上下で隣合うウエハ１とウエハ１との間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。

プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３９が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３９は筐体１１の上に垂直に据え付けられた状態になっている。

図１に示されているように、筐体１１内における処理炉３０の真下近傍にはボートエレベータ４０が設置されており、ボートエレベータ４０のアーム４１には、処理に際して炉口３４を閉塞するシールキャップ４２が水平に支持されている。
シールキャップ４２はマニホールド３３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ４０によって上昇されることにより、炉口３４を気密シールして閉塞するように構成されている。

シールキャップ４２の上には、複数枚（本実施の形態では、４枚）のウエハ１を保持して処理室３２の内外に搬送する搬送治具（以下、ボートという。）４３が垂直に立脚されて支持されている。ボート４３は石英等の誘電体が使用されて形成されている。
ボート４３は上下で一対の端板４４、４５と、両端板４４、４５間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では、３本）の保持柱４６とを備えている。
各保持柱４６にはウエハ受け４７が複数個（本実施の形態では、４個）ずつ、上下方向に等間隔に配置されて径方向内向きにそれぞれ突設されており、各段のウエハ受け４７、４７、４７の上面はウエハ１を水平に保持するように同一の水平面を構成している。

各保持柱４６間には電極体５０が複数個（本実施の形態では４個）、それぞれ長手方向に等間隔に配されて水平に架設されており、各段の電極体５０は各段のウエハ受け４７の間にそれぞれ配置されている。上下で隣り合う電極体５０、５０の間隔は、ウエハ１の受け渡しに必要な寸法と、後述するプラズマ処理の作用とを考慮して定められている。

図３に示されているように、電極体５０は円形の平盤形状に形成されており、外径はウエハ１の外径よりも大きめに設定されている。
電極体５０は互いに一対になる第一電極板５１および第二電極板５２と、誘電体５３とを備えている。
第一電極板５１および第二電極板５２は導電性を有する金属材料が使用されて、真円形の平板を二等分した半円形の平板形状にそれぞれ形成されている。第一電極板５１と第二電極板５２とは同一の平面内にて半円形の弦を一定の間隔を置いて対向された状態でこの平面の中心に対して対称形に配置されている。この一定の間隔により、第一電極板５１と第二電極板５２との対向面間には絶縁ギャップ５４が形成されている。
この配置状態で、第一電極板５１および第二電極板５２は石英等の誘電体材料によって形成された誘電体５３により包囲されている。第一電極板５１および第二電極板５２の円弧形状の外周の中央部には、ターミナルを兼用する固定端部５１ａ、５２ａがそれぞれ突設されており、両固定端部５１ａ、５２ａが誘電体５３にそれぞれ固定されることにより、第一電極板５１および第二電極板５２と誘電体５３との熱膨張差が吸収されるようになっている。

図４に示されているように、各電極体５０は上下で隣り合う電極体５０、５０において第一電極板５１と５１同士、第二電極板５２と５２同士が同極になるようにそれぞれ構成されている。
例えば、上側の電極体５０の第一電極板５１と下側の電極体５０の第一電極板５１同士が陰極の場合には、上側の電極体５０の第二電極板５２と下側の電極体５０の第二電極板５２同士が陽極となるようにそれぞれ構成されている。
電極体５０の第一電極板５１の固定端部５１ａと第二電極板５２の固定端部５２ａとには、交流電力を印加する交流電源６１が整合器６２を介して電気的に接続されており、各電極体５０の第一電極板５１と第二電極板５２とはそれぞれ並列に接続されている。
交流電力としては、数ｋＨｚの低周波数から１３．５６ＭＨｚ等の高周波数の交流電源が使用されており、各電極体５０には一般に使用される１３．５６ＭＨｚより小さい周波数の交流電力が印加されるように構成されている。
交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス６３が介設されており、各電極体５０の第一電極板５１と第二電極板５２とはアースと絶縁された状態になっている。

次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置１０の作用を説明する。

図１に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向けるように、筐体１１の後方に右周り縦方向に９０度回転させられる。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へ、カセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡される。

一時的に保管された後、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載されるか、もしくは、直接、移載棚１８に搬送される。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２４によってカセット２内のウエハ１をカセット２のウエハ出し入れ口を通じてピックアップし、ウエハ１をカセット２内からボート４３に搬送し、ウエハ１をツィーザ２４からボート４３の最上段のウエハ受け４７間の上に移載する。
ウエハ１を最上段のウエハ受け４７間の上に移載すると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２４をカセット２に戻し、次のウエハ１をツィーザ２４によってピックアップする。
ウエハ移載装置２３は以上の作動を繰り返すことにより、最下段までのウエハ受け４７間の上にウエハ１を順次に移載して行く。

全ての段のウエハ受け４７間の上にウエハ１が移載されたボート４３はボートエレベータ４０によって上昇されて、図５に示されているように、処理炉３０の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
ボート４３が上限に達すると、シールキャップ４２が炉口３４をシール状態に閉塞するために、処理室３２は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３２は排気管３６によって排気され、ヒータ３９によって所定の温度（例えば、４００℃程度）に加熱される。
この際、ヒータ３９がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４３に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。

処理室３２内の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス７０が処理室３２内にガス供給管３７から供給され、かつ、処理室３２内の圧力が予め設定された値に達すると、各段の電極体５０の第一電極板５１と第二電極板５２とには、それぞれ１８０度位相が異なる交流電力が交流電源６１や整合器６２および絶縁トランス６３によって印加される。

本実施の形態においては、第一電極板５１と第二電極板５２とが誘電体５３によって全体的に円盤形状に包囲されていることにより、円盤形状の誘電体５３の表面に沿面放電が生じる。
この際に、第一電極板５１と第二電極板５２とは真円形の平板を二等分割した半円形の平板形状に形成されて同一平面内で対称形に配置されていることにより、沿面放電は誘電体５３の表面の全体にわたって均一になるために、図４に示されているように、プラズマ６０は全体的に均一で平坦に生成される。
ちなみに、第一電極板５１と第二電極板５２とが誘電体５３によって全体的に被覆されていることにより、プラズマ６０と第一電極板５１および第二電極板５２とが直接的に接触しないために、第一電極板５１および第二電極板５２からの不純物の放出を防止することができる。

さらに、各段の電極体５０は上下で隣り合う電極体５０、５０において第一電極板５１と５１同士、第二電極板５２と５２同士が同極になるようにそれぞれ構成されていることにより、各段の電極体５０内の第一電極板５１と第二電極板５２とによる放電に加えて、上下で隣り合う電極体５０と５０の第一電極板５１と第二電極板５２とによる放電も利用することができるので、プラズマ６０を効率よく生成させることができる。

また、各段の電極体５０の第一電極板５１と第二電極板５２との間には一般に使用される１３．５６ＭＨｚより小さい周波数の交流電力が印加される。これにより、プラズマ６０を各ウエハ１の全域にわたって広がるように生成することができる。
図６は１３．５６ＭＨｚの交流電力と４００ｋＨｚの交流電力とを使用した場合のウエハ面内の窒化膜の膜厚分布を示すグラフである。
図６によれば、１３．５６ＭＨｚの場合にはウエハ面内の膜厚分布は中央部が厚く周辺部が薄くなっているのに対して、４００ｋＨｚの場合には全体にわたって略均一になっている。

ガス供給管３７に供給された処理ガス７０は各吹出口３８から各段のウエハ１の上方空間にそれぞれ吹き出し、各電極体５０の下面に生成された均一で平坦なプラズマ６０により、反応が活性な状態になる。
各段の電極体５０で活性化した粒子（以下、活性粒子という。）は、各段のウエハ受け４７間の上に載置されたウエハ１のアクティブエリア側の主面に接触し、ウエハ１にプラズマ処理を施す。
この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート４３の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、均一で平坦なプラズマ６０による活性粒子のウエハ１との接触分布が各段のウエハ１同士で同等かつ各段のウエハ１のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ１におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ１同士で、かつ、各段のウエハ１のウエハ面内において均一な状態になる。

予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス７０の供給、ヒータ３９の加熱、交流電力の印加および排気管３６の排気が停止された後に、ボートエレベータ４０によってシールキャップ４２が下降されることにより、炉口３４が開口されるとともに、ボート４３が炉口３４から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。

処理室３２の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載装置２３の作動とは逆の手順により、カセット２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) 複数枚のウエハが複数段の電極体のそれぞれに対向されてプラズマ処理されることにより、プラズマ雰囲気を各段のウエハのそれぞれにおいて専用的に生成することができるために、プラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。

2) 複数段の電極体のそれぞれに対向された複数枚のウエハをホットウオール形のヒータによって一律に加熱することにより、ウエハのボート全長および各ウエハ面内の温度を均一に分布させることができるため、ウエハのプラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。

3) 複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。

4) 電極体において半円形の第一電極板と半円形の第二電極板とを同一の平面内で対称形に配置することにより、誘電体の表面に沿面放電を全体にわたって均一に形成させて、電極体の表面に均一で平坦なプラズマを生成させることができるので、ウエハの主面に全体にわたって均一なプラズマ処理を施すことができる。

5) 第一電極板および第二電極板を誘電体によって全体的に被覆して電極体を構築することにより、プラズマと第一電極板および第二電極板とが直接的に接触するのを回避することができるので、第一電極板および第二電極板からの不純物の放出を防止することができる。

6) 各段の電極体の第一電極板と第二電極板との間に１３．５６ＭＨｚより小さい周波数の交流電力を印加することにより、プラズマを各ウエハの全域にわたって広がるように生成することができるので、ウエハ面内の膜厚分布を全体にわたって略均一に形成することができる。

7) ウエハと電極体とを接触しないように構成することにより、ウエハをサセプタ電極に載置する構造に比べて、ピンによる受け渡しを省略することができる分だけ、ウエハのボートへの授受を簡単化することができる。

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

図７に示されているように、各段の電極体５０は上下で隣り合う電極体５０、５０において第一電極板５１と５１同士、第二電極板５２と５２同士が異極になるようにそれぞれ構成してもよい。
例えば、上側の電極体５０の第一電極板５１と下側の電極体５０の第二電極板５２とが陰極の場合に、上側の電極体５０の第二電極板５２と下側の電極体５０の第一電極板５１とが陽極となるようにそれぞれ構成されている。
上下で隣り合う電極体５０、５０において第一電極板５１と５１同士、第二電極板５２と５２同士が異極になるように構成することにより、ウエハ１に対して入射するイオンのエネルギーを増加させることができるので、プラズマ処理の効率を向上させることができる。

本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。

また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。

本発明の一実施の形態であるバッチ式プラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。 図１のII−II線に沿う正面断面図である。 （ａ）は電極体を示す平面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。 交流電力の供給回路を示す回路図である。 プラズマ処理ステップを示す一部省略正面断面図である。 印加電力の周波数と膜厚分布との関係を示すグラフである。 本発明の他の実施の形態における交流電力の供給回路を示す回路図である。

符号の説明

１…ウエハ（基板）、２…カセット、１０…バッチ式プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２２…ウエハ移載装置エレベータ、２３…ウエハ移載装置、２４…ツィーザ、２５…クリーンユニット、３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…炉口、３５…炉口シャッタ、３６…排気管、３７…ガス供給管、３８…吹出口、３９…ヒータ、４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…シールキャップ、４３…ボート（搬送治具）、４４、４５…端板、４６…保持柱、４７…ウエハ受け、５０…電極体、５１…第一電極板（一方の電極板）、５１ａ…固定端部、５２…第二電極板（他方の電極板）、５２ａ…固定端部、５３…誘電体、５４…絶縁ギャップ、壁部、６０…プラズマ、６１…交流電源、６２…整合器、６３…絶縁トランス、７０…処理ガス。

Claims (2)

1. 処理室内に複数枚の被処理基板を所定の間隔を置いて配置し、前記処理室内に処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置であって、
   前記各被処理基板の表面から所定の距離に各電極体がそれぞれ配置されており、前記各電極体は一対の電極板が誘電体によって囲まれて構成され、
   前記各電極体には交流電源が接続されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 処理室内に複数枚の被処理基板を所定の間隔を置いて配置し、前記処理室内に処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理し、
   前記各被処理基板の表面から所定の距離に各電極体がそれぞれ配置されており、前記各電極体は一対の電極板が誘電体によって囲まれて構成され、
   前記各電極体には交流電源が接続された基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   前記基板を前記処理室内に配置した後、前記交流電源によって前記各電極体に交流電力を印加し、前記基板をプラズマ処理する半導体装置の製造方法。

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