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JP4731691B2 - Apparatus and method for tuning the wavelength of light in an external cavity laser - Google Patents

Apparatus and method for tuning the wavelength of light in an external cavity laser Download PDF

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JP4731691B2
JP4731691B2 JP2000600330A JP2000600330A JP4731691B2 JP 4731691 B2 JP4731691 B2 JP 4731691B2 JP 2000600330 A JP2000600330 A JP 2000600330A JP 2000600330 A JP2000600330 A JP 2000600330A JP 4731691 B2 JP4731691 B2 JP 4731691B2
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JP
Japan
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external cavity
cavity laser
wavelength
light
rigid
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JP2000600330A
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Inventor
ケネット ヴィルヘルムソン,
トーマス ロック,
Original Assignee
ラディアンス イノーヴァ アーベー
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
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Description

【0001】
【発明の技術分野】
この発明は、外部キャビテイ半導体レーザー内において、正確で、迅速で、連続的な、同調をさせるための装置と方法に関し、この発明によれば、摩擦および機械的磨耗による固有の制約が、絶対最小値まで削減される。
【0002】
【発明の背景技術】
精密で波長調整が可能な、レーザー光源が必要とされる用途においては、しばしば外部キャビテイで安定化する、半導体レーザーを使う必要があった。従来式レーザーは、第1反射面と第2反射面の間に、光学的増幅手段を含む。一体式半導体レーザーにおいては、これらの反射面は通常、光学的に増幅する半導体チップの端部切子面である。波長固定式一体型レーザーは、第2の半導体チップ切子面に、反射防止(AR)被膜を施こすと共に、波長選択用として、外部に第2の可動式反射面を準備することにより、調整可能とすることができる。
【0003】
波長選択を行なうための、数々の方法が存在し、その中では可動回折格子、あるいは固定格子に対して作動する、可動ミラーが最も一般的である。何故なら、それらは典型的に、広範囲の同調レンジを提供するからである。
【0004】
また、光学的増幅手段を通じて、第1反射面と第2反射面の間を伝播する、レーザー光を利用する、いくつかの方法も存在する。その中では、一部分が反射し、一部分が透過する第1反射面がその一例である。もうひとつの方法は、上述の固定格子からの、部分反射光を有効利用する方法である。
【0005】
外部キャビテイ半導体レーザー内において波長を選択し、その結果として、該外部キャビティレーザーからの、出力光の波長を選択することは通常、反射防止(AR)被膜を施こした、半導体チップ切子面から出てくる、平行光線にしたビームと、回折格子の垂直面との間の、角度を変更することによって達成される。この平行光線化は、普通はレンズ系を用いて行なわれる。
【0006】
入射角の変更は、回折格子そのものを動かすか、あるいは補助ミラーを用いて、回折格子に向かうビームの方向を変更するかの、どちらかにより達成できる。両方の装置において、連続的な同調は、可動部分の移動、回転を調整することにより達成できる。
【0007】
波長選択範囲を確保するための補助ミラー、あるいは回折格子の動作機構は普通、歯車装置を組み合わせた、機械的駆動系により達成される。ひとつのそのような装置が、米国特許第5491714号に記載されている。
【0008】
外部キャビティレーザー内で、光の波長を変更する目的で、電動モーターを用いることもまた、良く知られている。これらの装置においては、典型的にウォームギア、または別タイプの、機械的歯車装置を含めることができる。
【0009】
外部キャビティレーザー内で、機械的装置または歯車装置と共に、従来型モーターを使うことの、不都合のひとつは、そのような機械的装置が、固有の摩擦の故に、同時迅速かつ正確な、同調を妨げることである。さらに詳しくは、制約のひとつとして、歯車比の選択時、高精度では低速、あるいは高速では低精度の、いずれかに妥協するしかないという固有の結末がある。
【0010】
外部キャビティレーザー内で、光の波長を同調するための、既知のシステムにおける、さらなる不都合の内には、例えば次のようなことが有る。それは、機械的磨耗、摩擦発熱、遊び、潤滑膜圧のばらつき、機械的剛性不足など、長期的信頼性、およびシステム性能に有害な不都合である。
【0011】
【当該発明の説明】
この発明により解決される問題は、外部キャビティレーザー内における、光の波長を決める、光学諸要素の方向と、適切な場合の場所を、高速かつ高精度に、変動させるという難題である。この発明はまた、最小量の摩擦発熱と最小量の機械的磨耗のもとに、波長変更を可能にする。
【0012】
外部キャビティレーザー内における、光の波長を同調するための、次のものを含む、この発明による方法と装置に基づいて、上述の問題は解決される。ここに含まれるものは、光学増幅半導体チップ、第1反射面、反射防止(AR)被覆を施した半導体チップ切子面、AR被覆した半導体チップ切子面から出た、ビームの少なくとも一部が入射し、光学増幅半導体チップへ回折反射する回折格子、AR被覆した半導体チップ切子面から出射して、回折格子へ向かう光を平行光線にする手段、ならびに、その可動部分により、外部キャビティレーザー内における、光の波長が同調できる、駆動手段に基づく可動部分であって、該外部キャビティレーザー内における可動部分が、外部キャビティレーザーの光学軸に対し、相対的に回転運動を示し、該光学軸が、第1反射面および第2反射面を伝播する、ビームの中心として定義され、前記駆動手段が、前記可動部分の集積箇所内で生成された、電磁力で駆動される手段である可動部分。
【0013】
外部キャビティレーザー内における可動部分の動作が、可動部分の集積箇所内で生成された、電磁力で駆動されるという事実に基づき、この電磁力を、直接動作および外部キャビティレーザー内における光の波長調整に、作用させる目的で使うことができる。このようにして、中間媒体としての、歯車装置その他の類似物は、もはや不必要である。その結果、外部キャビティレーザーの可動部分は、最小限の摩擦で、動くようにすることができ、その動作、さらにひいては、外部キャビティレーザー内における光の波長を、精密に、迅速に、かつ連続的に、広い波長領域にわたって、同調させることができる。
【0014】
この発明の一実施例として、装置の可動部分が、該装置の回折格子を搭載した、回転可能なアームを含む。
【0015】
この発明の別の実施例として、装置の可動部分がまた、回折格子から回折されて出た光の、少なくとも一部を入射し、該回折格子に向けて反射する、補助ミラーを含むことができる。この装置において、上述の可動部分が、該補助ミラーを搭載した、回転可能なアームを含む。
【0016】
電磁力が生成される、可動部分の該集積箇所は、電流が流された第1固定コイルとの相互作用で、電磁力が生成される第1磁石、または第1固定磁石との相互作用で、電磁力が生成される、電流が流された第1コイルを含むことができる。
【0017】
この発明の望ましい一実施例として、該装置がまた、少なくとも1個の第2コイル、およびそれに付随する、少なくとも1個の第2磁石を含み、両者の内どちらかが、該装置の可動部分に搭載され、第2コイルと第2磁石間の、電磁力の相互作用が、該可動部分の動作検出のために使用される。
【0018】
電磁力の影響下で可動部分が動くと、第2磁石はそれに従って、第2コイルと関係して動作を演じ、あるいは逆に、その結果として、第2コイルに電圧が発生する。この第2コイルと第2磁石間の電磁力の相互作用は、換言すれば、第2コイルに発生した電圧が、該可動部分の動作検出の目的に使用できる。該可動部分の動作に関する情報が今度は、外部キャビティレーザー光の、波長制御を改善するために、制御系に活用することができる。
【0019】
【実施例】
図1にこの発明を適用した外部キャビティレーザー(100)の基本的な構成を示す。該外部キャビティレーザー(100)は以下に説明する公知の「リトマン(Littman)構造」に沿って構成されたものである。
【0020】
外部キャビティレーザー(100)は光学増幅半導体チップ(110)と、第1の反射面(112)と、AR被覆半導体チップ切子面(114)と、回折格子(130)と、コリメーターレンズ(120)と可動部分上に配置された補助ミラー(150)とを有している。チップ(110)の切子面(114)を通して放射された光線は回折格子(130)に入射するが、これに向けて光線はコリメーターレンズ(120)により平行光線とされる。回折格子(130)から光線は補助ミラー(150)に向けて完全にまたは一部回折される。ついで回折格子(130)およびコリメーターレンズ(120)を経て半導体チップ(110)に向けて反射される。
【0021】
可動部分には補助ミラー(150)が設けられていて回転軸(140)について回転し、この補助ミラーの回転により補助ミラー(150)と回折格子との間の角度と距離とが変化して、外部キャビティレーザー(100)中の光線の波長を変化させることができ、図1中矢印で示すように出力光線の波長λを変化させることができる。
【0022】
図2にこの発明を適用した外部キャビティレーザー(200)の基本的な構成を示す。該外部キャビティレーザー(200)は以下に説明する公知の「リトロー(Littrow)構造」に沿って構成されたものである。
【0023】
前記の外部キャビティレーザー(100)同様に、外部キャビティレーザー(200)は好ましくは光学増幅半導体チップである光学増幅媒体(210)を有している。この光学増幅チップは好ましくは反射半導体チップ切子面である第1の反斜面(212)とAR被覆半導体チップ切子面(214)とを有している。
【0024】
光線は光学増幅媒体(210)から放射された光線はAR被覆半導体チップ(214)を経て回折格子(230)に向かう。この光線はレンズ(220)により平行光線にされる。さらにこの回折格子(230)から光線の全部または一部はレンズ(220)を経て光学増幅半導体チップ(210)に反射される。このレンズは回折格子からの光線を光学増幅半導体チップ(210)に焦点させる。
【0025】
光学増幅半導体チップ(210)からの光線は第1の反斜面(212)(この例では一部を反射し一部を透過させている)を通すことも可能である。この反射面からのレーザー光線は公知の適宜な方法で利用することができる。
【0026】
図2に示すように、回折格子(230)は回転軸(240)について回転可能である。この回折格子は可動部分上に配置されており、好ましくは図示しない外部キャビティレーザー(200)中のアームにより支持されている。回転軸(240)について回折格子(230)を回転させることにより、平行光線と回折格子に垂直な面との間の角度を変更できる。これと同時に回折格子と第1の反斜面(212)との間の光路長を変更できる。かくして外部キャビティレーザー(200)中の光線の波長λを連続的に変更できる。換言すると、第1の反斜面(212)を経て取出されるレーザー光線は回転軸(240)についての回折格子(230)の回転により連続的に変更され得るのである。
【0027】
リトマン構造またはリトロー構造またはその他の構造のいずれに関係なく、外部キャビティレーザーは可動部分を有しており、その運動によりレーザーから放射されるレーザー光線の波長を同調させることができる。この発明の核心は外部キャビティレーザーの正確にして迅速な連続同調装置と方法に関するものである。そこでは本来的な摩擦および機械的な摩耗を最少に低減している。上記したいずれの構造であっても、可動部分の移動と回転とを整合させることにより連続同調が達成される。
【0028】
図3に示すこの発明の装置すなわち外部キャビティレーザー(300)にあっては、そこから放射されたレーザー波長は上記したリトロー構造に沿って変更されるが、リトマン構造にもこの発明は適用されるものである。
【0029】
該外部キャビティレーザー(300)は光学増幅半導体チップ(310)を有しており、この半導体チップ(310)は第1の反射面(312)(好ましくは半導体チップ切子面)および非反射AR被覆半導体チップ切子面(314)とを有している。切子面を経て放射された光線はレンズ(320)により平行光線とされて、回折格子(330)に向かう。この回折格子は軸転または回転アーム(360)などの可動部分に配置されており、該可動部分は回転中心(340)について回転する。
【0030】
矢印(390)で示す方向にアーム(360)を回転することにより、平行光線と回折格子(330)に垂直な面との間の角度および回折格子と第1の反射面(312)との間の光路長とが同時に変更される。この結果装置中のレーザー光線の波長も連続的に変化する。光線は例えば図3に示した第2、第3のレンズ(392、395)を経て装置外に放射される。これらのレンズにより光線は光ファイバー(398)中に導かれるが、これは光線利用の一例に過ぎないものである。
【0031】
この発明において可動アーム(360)は第1の磁石(370)を有しており、この磁石の周りには静的な第1のコイル(374)が配置されている。第1の磁石(370)と第1のコイル(374)とは相互作用して電磁力を生じ、これがアームを運動させる。この電磁力はコイルに電流を通すことにより発生する。通電による電磁力発生の結果第1の磁石とアームとが回転中心(340)について運動し、外部キャビティレーザー中の光線の波長を所望の態様で同調することができる。
【0032】
コイルが接触することなしに磁石ひいてはアームを動かすので、アームの動く際の摩擦力は最小とある。残る唯一の摩擦力はアーム(360)を軸(340)に取り付けることによるものである。かくして外部キャビティレーザー(300)により放射される波長の制御は高い正確さ、高速および最少の摩擦と機械的な摩耗により達成されるのである。
【0033】
この発明の装置は外部キャビティレーザーにより放射された波長を広い範囲に亙って所望の波長に変更するのに使用でき、該範囲は主として使用された光学増幅媒体の性質により定まるものである。
【0034】
またこの発明によれば、上記したような電磁力を発生する要素に関する限りでは、逆の態様でも設計が可能となる。つまり可動アームはコイルを有してもよく、第1の磁石(370)をアーム上に配置する代わりに静的に配置して、コイル(374)と相互作用するようにもできる。
【0035】
さらに同調の正確さと速度を増加すべく、第2の磁石(372)を可動アーム(360)上に固定してもよい。第2の磁石の周りには第2のコイル(376)が設けられている。第1のコイル(374)が第1の磁石(370)と電磁運動的に相互作用してアームを動かすと、第2の磁石(372)もまた第2のコイル(376)に対して動く。この動きは電磁誘導により第2のコイル(376)中に電圧を発生する。
【0036】
可動アーム(360)の速度に応じて第2のコイル(376)中の電圧が変化するので、この電圧を使って可動アームの速度を検知できる。これを制御システムに用いて、外部キャビティレーザー(300)中の光線の波長の制御を改善できる。
【0037】
外部キャビティレーザー(300)における正確な位置付けと速度制御とを両立させるには、アーム(360)の位置を検知する追加の装置が必要となる。これらとしては好ましくはレーザーダイオードなどの第2の光源(380)、PSDとして知られている装置、位置感応検知子(PSD)(385)などがある。第2の光源(380)は、放射光線が回折格子(330)上に入射してPSD(385)に向けて反射されるように、配置されている。
【0038】
PSDは周知の装置であるので詳しくは記載しないが、その表面が光線により照射されたときに2通りの電流を発生するものである。これら2通りの電流の差を合計で除算したものはPSDの表面のどこを光線が照射したかを示し、これにより回折格子の位置に関しての情報が得られ、可動部分の位置が得られる。アームの位置に関するこの情報は、可動アームの速度に関する情報とともに、上記した制御システムにおいて適宜利用される。かくしてアームの速度と正確な位置を制御することができ、外部キャビティレーザーにより放射されるレーザー光線の波長が制御できる。
【0039】
図4に示すのはこの発明の制御システム(400)であって、アームの位置と速度に関する情報によりアームの運動を制御するものである。この制御システム(400)は第1の加算ノード(420)と第2の加算ノード(440)と第1の制御器(430)と第2の制御器(450)と速度センサー(470)と位置センサー(480)とモーター(460)とを有している。
【0040】
制御システム(400)中の速度センサー(470)は好ましくは第2の磁石(372)と相互作用する第2のコイル(376)であって、図3に関する上記した記載によれば、可動部分の運動を検知するのに用いることができる。
【0041】
制御システムのモーター(460)は好ましくは第1の磁石(370)と相互作用する第1のコイル(374)であり、図3についての記載によれば可動部分を運動させるものである。
【0042】
位置センサー(480)は好ましくはPSDからなり、その機能については図3に間連して上記したところである。
【0043】
以下制御システム(400)の機能について詳細に説明する。装置中の可動部分の位置は位置センサー(480)により検知されて、第1の加算ノード(420)への入力データとして用いられる。この発明による可動部分の所望の位置が第1の加算ノード(420)へのもうひとつの入力データとして用いられる。したがって該ノードからの出力データは装置中における可動部分の実際の位置と所望の位置との間の位置誤差となり、これを第1の制御器(430)への入力データとする。
【0044】
第1の制御器(430)からの出力データは第2の加算ノード(440)への入力データとして用いられる。速度センサー(470)からの値は第2の加算ノード(440)へのもうひとつの入力データとして用いられる。第2の加算ノード(440)からの差値は速度誤差をなし、第2の制御器(450)に入力されて、これがモーター(460)を制御する。
【0045】
したがって制御システム(400)は制御ループから構成されていると考えられ、入れ子状のループ(410)を含んでおり、この内部制御ループ(410)が可動部分の速度を処理する。
【0046】
この発明は以上開示した実施例に限定されるものではなく、当業者推考可能な限りで種々変更が可能である。
【0047】
以上の記載において、外部キャビティレーザーに含まれる光学増幅媒体はAR被覆半導体切子面を具えた光学増幅半導体チップとして説明されたが、他のタイプのものも勿論使用できる。その場合には例えば第1の反射面は光学増幅媒体とは別体に配置することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 外部キャビティレーザーの一例の原理を示す説明図である。
【図2】 この発明を適用した外部キャビティレーザーの他の例の原理を示す説明図である。
【図3】 この発明の装置の基本構成を示す図である。
【図4】 この発明において用いる制御システムのブロック線図である。
【符号の説明】
100、200、300:外部キャビティレーザー
110:光学増幅半導体チップ
120:コリメーターレンズ
130、230:回折格子
150:補助ミラー
210:光学増幅媒体
214:切子面
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus and method for accurate, rapid, continuous, and tuning within an external cavity semiconductor laser, according to which the inherent constraints due to friction and mechanical wear are absolutely minimized. Reduced to value.
[0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In applications where a precise and tunable laser light source is required, it was often necessary to use a semiconductor laser that was stabilized by external cavities. The conventional laser includes an optical amplifying means between the first reflecting surface and the second reflecting surface. In an integrated semiconductor laser, these reflecting surfaces are usually end facets of a semiconductor chip that is optically amplified. The fixed wavelength integrated laser can be adjusted by applying an antireflection (AR) coating on the second semiconductor chip facet and preparing a second movable reflective surface outside for wavelength selection. It can be.
[0003]
There are a number of ways to perform wavelength selection, of which movable mirrors that operate on movable diffraction gratings or fixed gratings are the most common. This is because they typically provide a wide tuning range.
[0004]
There are also several methods that utilize laser light that propagates between the first and second reflective surfaces through optical amplification means. Among them, a first reflecting surface that partially reflects and partially transmits is an example. Another method is a method of effectively using partially reflected light from the above-described fixed grating.
[0005]
Selecting the wavelength within an external cavity semiconductor laser and, as a result, selecting the wavelength of the output light from the external cavity laser is usually from the semiconductor chip facet with an anti-reflection (AR) coating. This is accomplished by changing the angle between the incoming collimated beam and the vertical plane of the diffraction grating. This collimation is usually performed using a lens system.
[0006]
Changing the incident angle can be achieved either by moving the diffraction grating itself or by using an auxiliary mirror to change the direction of the beam toward the diffraction grating. In both devices, continuous tuning can be achieved by adjusting the movement and rotation of the movable part.
[0007]
The auxiliary mirror or diffraction grating operating mechanism for ensuring the wavelength selection range is usually achieved by a mechanical drive system combined with a gear device. One such device is described in US Pat. No. 5,491,714.
[0008]
It is also well known to use an electric motor to change the wavelength of light within an external cavity laser. These devices can typically include a worm gear or another type of mechanical gearing.
[0009]
One disadvantage of using a conventional motor in an external cavity laser with a mechanical device or gear device is that such mechanical device prevents simultaneous rapid and accurate tuning due to inherent friction. That is. More specifically, as one of the constraints, there is an inherent ending when the gear ratio is selected, either high speed is low speed or high speed is low precision.
[0010]
Among the further disadvantages of known systems for tuning the wavelength of light in an external cavity laser are, for example: It is a disadvantage that is detrimental to long-term reliability and system performance, such as mechanical wear, frictional heating, play, variations in lubricating film pressure, lack of mechanical stiffness.
[0011]
[Description of the invention]
The problem solved by this invention is the difficulty of changing the direction of the optical elements that determine the wavelength of light within the external cavity laser and the location where appropriate, with high speed and high accuracy. The invention also allows for wavelength changes with a minimum amount of frictional heat and a minimum amount of mechanical wear.
[0012]
Based on the method and apparatus according to the present invention, including the following, for tuning the wavelength of light in an external cavity laser, the above problems are solved. What is included here is an optically amplified semiconductor chip, a first reflecting surface, a semiconductor chip facet with anti-reflection (AR) coating, and at least a part of the beam emitted from the AR-coated semiconductor chip facet. A diffraction grating that diffracts and reflects to the optical amplification semiconductor chip, means for collimating light emitted from the AR-coated semiconductor chip facet and traveling toward the diffraction grating, and its movable part, A movable part based on the driving means, wherein the movable part in the external cavity laser exhibits a rotational movement relative to the optical axis of the external cavity laser, the optical axis being a first part Defined as the center of the beam propagating through the reflecting surface and the second reflecting surface, the drive means being generated within the collection point of the movable part, Moving parts is a means driven by the force.
[0013]
Based on the fact that the movement of the movable part in the external cavity laser is driven by the electromagnetic force generated in the integration point of the movable part, this electromagnetic force is directly operated and the wavelength adjustment of the light in the external cavity laser. It can be used for the purpose of acting. In this way, gearing and other similar things as an intermediate medium are no longer necessary. As a result, the movable part of the external cavity laser can be moved with minimal friction, and its operation, and thus the wavelength of light in the external cavity laser, can be precisely, rapidly and continuously. Can be tuned over a wide wavelength range.
[0014]
In one embodiment of the invention, the movable part of the device includes a rotatable arm carrying the diffraction grating of the device.
[0015]
As another embodiment of the present invention, the movable part of the apparatus can also include an auxiliary mirror that impinges at least a portion of the light diffracted from the diffraction grating and reflects it toward the diffraction grating. . In this apparatus, the above-mentioned movable part includes a rotatable arm on which the auxiliary mirror is mounted.
[0016]
The integrated portion of the movable part where the electromagnetic force is generated is interacted with the first fixed coil through which an electric current is passed, and is interacted with the first magnet or the first fixed magnet where the electromagnetic force is generated. A first coil through which an electromagnetic force is generated and a current is passed may be included.
[0017]
As a preferred embodiment of the present invention, the apparatus also includes at least one second coil and associated at least one second magnet, either of which is on the movable part of the apparatus. An electromagnetic force interaction between the second coil and the second magnet mounted is used for motion detection of the movable part.
[0018]
When the movable part moves under the influence of electromagnetic force, the second magnet acts accordingly in relation to the second coil, or conversely, a voltage is generated in the second coil as a result. In other words, in the interaction of the electromagnetic force between the second coil and the second magnet, the voltage generated in the second coil can be used for the purpose of detecting the operation of the movable part. Information regarding the operation of the movable part can now be utilized in the control system to improve the wavelength control of the external cavity laser light.
[0019]
【Example】
FIG. 1 shows a basic configuration of an external cavity laser (100) to which the present invention is applied. The external cavity laser (100) is constructed along the well-known “Littman structure” described below.
[0020]
The external cavity laser (100) includes an optical amplification semiconductor chip (110), a first reflecting surface (112), an AR-coated semiconductor chip facet (114), a diffraction grating (130), and a collimator lens (120). And an auxiliary mirror (150) disposed on the movable part. The light beam emitted through the facet (114) of the chip (110) is incident on the diffraction grating (130), and the light beam is converted into a parallel beam by the collimator lens (120). Light rays from the diffraction grating (130) are completely or partially diffracted toward the auxiliary mirror (150). Then, the light is reflected toward the semiconductor chip (110) through the diffraction grating (130) and the collimator lens (120).
[0021]
The movable part is provided with an auxiliary mirror (150) and rotates about the rotation axis (140). The rotation of the auxiliary mirror changes the angle and distance between the auxiliary mirror (150) and the diffraction grating, The wavelength of the light beam in the external cavity laser (100) can be changed, and the wavelength λ of the output light beam can be changed as shown by the arrow in FIG.
[0022]
FIG. 2 shows a basic configuration of an external cavity laser (200) to which the present invention is applied. The external cavity laser (200) is constructed along the well-known “Littrow structure” described below.
[0023]
Like the external cavity laser (100), the external cavity laser (200) has an optical amplification medium (210) which is preferably an optical amplification semiconductor chip. The optical amplification chip preferably has a first anti-slope (212) which is a reflective semiconductor chip facet and an AR-coated semiconductor chip facet (214).
[0024]
The light beam emitted from the optical amplifying medium (210) goes to the diffraction grating (230) through the AR-coated semiconductor chip (214). This ray is collimated by the lens (220). Further, all or part of the light beam from the diffraction grating (230) is reflected by the optical amplification semiconductor chip (210) through the lens (220). This lens focuses the light from the diffraction grating onto the optical amplification semiconductor chip (210).
[0025]
The light beam from the optical amplifying semiconductor chip (210) can also pass through the first anti-slope (212) (partially reflecting and partially transmitting in this example). The laser beam from the reflecting surface can be used by a known appropriate method.
[0026]
As shown in FIG. 2, the diffraction grating (230) is rotatable about a rotation axis (240). This diffraction grating is disposed on the movable part and is preferably supported by an arm in an external cavity laser (200) (not shown). By rotating the diffraction grating (230) about the rotation axis (240), the angle between the parallel rays and the plane perpendicular to the diffraction grating can be changed. At the same time, the optical path length between the diffraction grating and the first anti-slope (212) can be changed. Thus, the wavelength λ of the light beam in the external cavity laser (200) can be continuously changed. In other words, the laser beam extracted via the first anti-slope (212) can be continuously changed by the rotation of the diffraction grating (230) about the rotation axis (240).
[0027]
Regardless of the Littman structure, the Littrow structure, or other structures, the external cavity laser has a movable part that can be tuned to tune the wavelength of the laser beam emitted from the laser. The core of this invention relates to an accurate and rapid continuous tuning apparatus and method for an external cavity laser. There, the inherent friction and mechanical wear is reduced to a minimum. In any of the structures described above, continuous tuning is achieved by matching the movement and rotation of the movable part.
[0028]
In the apparatus of the present invention shown in FIG. 3, that is, the external cavity laser (300), the laser wavelength emitted therefrom is changed along the above-mentioned Littrow structure, but the present invention is also applied to the Littman structure. Is.
[0029]
The external cavity laser (300) has an optical amplification semiconductor chip (310), which has a first reflective surface (312) (preferably a semiconductor chip facet) and a non-reflective AR coated semiconductor. And a chip facet (314). The light beam emitted through the facet is converted into a parallel beam by the lens (320) and travels toward the diffraction grating (330). The diffraction grating is disposed on a movable part such as an axis rotation or rotary arm (360), and the movable part rotates about a rotation center (340).
[0030]
By rotating the arm (360) in the direction indicated by the arrow (390), the angle between the parallel rays and the plane perpendicular to the diffraction grating (330) and the distance between the diffraction grating and the first reflection surface (312). Are simultaneously changed. As a result, the wavelength of the laser beam in the apparatus also changes continuously. The light beam is radiated out of the apparatus through the second and third lenses (392, 395) shown in FIG. 3, for example. These lenses direct light into the optical fiber (398), which is just one example of using light.
[0031]
In the present invention, the movable arm (360) has a first magnet (370), and a static first coil (374) is disposed around the magnet. The first magnet (370) and the first coil (374) interact to generate electromagnetic force, which moves the arm. This electromagnetic force is generated by passing a current through the coil. As a result of the generation of electromagnetic force by energization, the first magnet and arm move about the center of rotation (340), and the wavelength of the light beam in the external cavity laser can be tuned in a desired manner.
[0032]
Since the magnet and thus the arm are moved without the coil being in contact, the frictional force when the arm moves is minimal. The only remaining frictional force is due to the arm (360) being attached to the shaft (340). Thus, control of the wavelength emitted by the external cavity laser (300) is achieved with high accuracy, high speed and minimal friction and mechanical wear.
[0033]
The apparatus of the present invention can be used to change the wavelength emitted by the external cavity laser to the desired wavelength over a wide range, which is mainly determined by the nature of the optical amplification medium used.
[0034]
In addition, according to the present invention, the design can be made in the opposite manner as far as the above-described elements that generate electromagnetic force are concerned. That is, the movable arm may have a coil, and the first magnet (370) may be placed statically instead of being placed on the arm to interact with the coil (374).
[0035]
Further, the second magnet (372) may be fixed on the movable arm (360) to increase the accuracy and speed of tuning. A second coil (376) is provided around the second magnet. As the first coil (374) interacts electromagnetically with the first magnet (370) to move the arm, the second magnet (372) also moves relative to the second coil (376). This movement generates a voltage in the second coil (376) by electromagnetic induction.
[0036]
Since the voltage in the second coil (376) changes according to the speed of the movable arm (360), the speed of the movable arm can be detected using this voltage. This can be used in a control system to improve the control of the wavelength of light in the external cavity laser (300).
[0037]
To achieve both accurate positioning and speed control in the external cavity laser (300), an additional device for detecting the position of the arm (360) is required. These preferably include a second light source (380) such as a laser diode, a device known as a PSD, a position sensitive detector (PSD) (385), and the like. The second light source (380) is arranged such that the emitted light is incident on the diffraction grating (330) and reflected toward the PSD (385).
[0038]
Since PSD is a well-known device, it will not be described in detail, but it generates two kinds of current when its surface is irradiated with light. The difference between these two currents divided by the sum indicates where on the surface of the PSD the light beam was radiated, which gives information about the position of the diffraction grating and the position of the movable part. This information regarding the position of the arm is appropriately used in the control system described above together with information regarding the speed of the movable arm. Thus, the speed and exact position of the arm can be controlled, and the wavelength of the laser beam emitted by the external cavity laser can be controlled.
[0039]
FIG. 4 shows a control system (400) according to the present invention, which controls the movement of the arm based on information on the position and speed of the arm. The control system (400) includes a first summing node (420), a second summing node (440), a first controller (430), a second controller (450), a speed sensor (470), and a position. It has a sensor (480) and a motor (460).
[0040]
The speed sensor (470) in the control system (400) is preferably a second coil (376) that interacts with a second magnet (372), according to the description above with respect to FIG. Can be used to detect movement.
[0041]
The motor (460) of the control system is preferably a first coil (374) that interacts with the first magnet (370) and moves the moving part according to the description with respect to FIG.
[0042]
The position sensor (480) preferably comprises a PSD, the function of which has been described above in conjunction with FIG.
[0043]
Hereinafter, functions of the control system (400) will be described in detail. The position of the movable part in the apparatus is detected by the position sensor (480) and used as input data to the first addition node (420). The desired position of the movable part according to the invention is used as another input data to the first summing node (420). Therefore, the output data from the node becomes a position error between the actual position of the movable part in the apparatus and the desired position, and this is used as input data to the first controller (430).
[0044]
The output data from the first controller (430) is used as input data to the second addition node (440). The value from the speed sensor (470) is used as another input data to the second summing node (440). The difference value from the second summing node (440) forms a speed error and is input to the second controller (450), which controls the motor (460).
[0045]
The control system (400) is therefore considered to be composed of control loops and includes a nested loop (410) that handles the speed of the moving parts.
[0046]
The present invention is not limited to the embodiments disclosed above, and various modifications are possible as long as those skilled in the art can infer.
[0047]
In the above description, the optical amplification medium included in the external cavity laser has been described as an optical amplification semiconductor chip having an AR-coated semiconductor facet, but other types can also be used. In this case, for example, the first reflecting surface can be arranged separately from the optical amplification medium.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the principle of an example of an external cavity laser.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the principle of another example of an external cavity laser to which the present invention is applied.
FIG. 3 is a diagram showing a basic configuration of an apparatus according to the present invention.
FIG. 4 is a block diagram of a control system used in the present invention.
[Explanation of symbols]
100, 200, 300: external cavity laser 110: optical amplification semiconductor chip 120: collimator lens 130, 230: diffraction grating 150: auxiliary mirror 210: optical amplification medium 214: facet

Claims (12)

外部キャビティレーザー内で光の波長を同調させる装置(300)であって、前記装置(300)は、
光学増幅半導体チップ(310)と、
第1の反射面(312)と、
反射防止(AR)被覆を施した半導体チップ切子面(314)と、
半導体チップ切子面(314)から放射された光線の少なくとも一部が入射して光学増幅半導体チップ(310)に回折される回折格子(330)と、
導体チップ切子面から放射された光線を回折格子に向けて平行光線にする手段(320)と、
その運動により上記した光線の波長の一部が外部キャビティレーザー内で同調される剛体の可動部分(360)とを含んでなり、
外部キャビティレーザーの前記剛体の可動部分(360)が外部キャビティレーザーの光軸に対して回転運動を行い、第1と第2の反射面間で伝播する光線の中心により該光軸が画定され、上記した運動が前記剛体の可動部分の集積部分により発生された電磁力により励動され、前記電磁力を発生する前記剛体の可動部分の集積部分が第1の磁石(370)を有しており、電流が通される第1のコイル(374)との相互作用で前記電磁力が発生されることを特徴とする外部キャビティレーザー内で光の波長を同調させる装置。
An apparatus (300) for tuning the wavelength of light in an external cavity laser, said apparatus (300) comprising:
An optical amplification semiconductor chip (310);
A first reflective surface (312);
A semiconductor chip facet (314) with anti-reflection (AR) coating;
A diffraction grating (330) in which at least a part of the light beam emitted from the semiconductor chip facet (314) is incident and diffracted by the optical amplification semiconductor chip (310);
Means (320) for collimating the light beam emitted from the facet of the conductor chip toward the diffraction grating;
A rigid movable part (360) whose movement causes a portion of the wavelength of the light beam described above to be tuned within the external cavity laser;
The rigid movable part (360) of the external cavity laser rotates relative to the optical axis of the external cavity laser, the optical axis being defined by the center of the light beam propagating between the first and second reflective surfaces; The above-described motion is excited by the electromagnetic force generated by the integrated portion of the movable portion of the rigid body, and the integrated portion of the movable portion of the rigid body that generates the electromagnetic force has a first magnet (370). a first coil (374) and the device for tuning the wavelength of the light in the external cavity laser in which the electromagnetic force in interaction characterized Rukoto the generation of the current is passed.
前記剛体の可動部分が回折格子(330)が配置されている可動アーム(360)を有していることを特徴とする請求項1に記載の装置。The apparatus according to claim 1, characterized in that the movable part of the rigid body has a movable arm (360) on which a diffraction grating (330) is arranged. さらに補助ミラー(150)を有しており、回折格子(330)からの回折光線の少なくとも一部が入射して回折格子に向けて反射され、前記剛体の可動部分が補助ミラー(150)が配置された可動アームを有していることを特徴とする請求項1に記載の装置。Furthermore, it has an auxiliary mirror (150), and at least part of the diffracted light from the diffraction grating (330) is incident and reflected toward the diffraction grating, and the auxiliary mirror (150) is arranged on the movable part of the rigid body. The apparatus according to claim 1, further comprising a movable arm. 電磁力を発生する前記剛体の可動部分(360)の集積部分が電流が通される第1のコイル(374)を有しており、静的な第1の磁石(370)と相互作用中に電磁力が発生されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかひとつに記載の装置。An integrated portion of the rigid movable part (360) that generates electromagnetic force has a first coil (374) through which current is passed and during interaction with a static first magnet (370). The apparatus according to claim 1, wherein an electromagnetic force is generated. さらに少なくとも1個の第2のコイル(376)これに併設された少なくとも1個の第2の磁石(372)とを有しており、これらの電磁相互作用が前記剛体の可動部分(360)の運動を検知するために使われることを特徴とする請求項1〜のいずれかひとつに記載の装置。Furthermore, it has at least one second coil (376) and at least one second magnet (372) attached to the second coil (376), and these electromagnetic interactions are caused to move the rigid movable portion (360). apparatus according to any one of claims 1-4, characterized in that it is used to detect the motion. 前記剛体の可動部分(360)の検知された運動が、外部キャビティレーザー中の光線の波長の制御を改良する制御システムに、使用されることを特徴とする請求項に記載の装置。 6. Apparatus according to claim 5 , characterized in that the sensed movement of the rigid movable part (360) is used in a control system that improves the control of the wavelength of light in an external cavity laser. さらに前記剛体の可動部分(360)の位置を検知する手段(380、485)を有しており、前記剛体の可動部分の位置が前記の制御システムに使用されて、外部キャビティレーザー中の光線の波長制御に用いられることを特徴とする請求項1〜のいずれかひとつに記載の装置。Furthermore, it has means (380, 485) for detecting the position of the movable part (360) of the rigid body, and the position of the movable part of the rigid body is used in the control system so that the beam in the external cavity laser can be detected. apparatus according to any one of claims 1-6, characterized in that used for wavelength control. 前記剛体の可動部分の位置検知手段が位置感応検知子(PSD)とPSDにより検知される光線を発生するのに用いられる二次光源(480)とを有することを特徴とする請求項に記載の装置。Claim 7, characterized in that it comprises a secondary light source (480) used to generate a light beam position sensing means of the moving part of the rigid body is detected by the position-sensitive detection element and (PSD) PSD Equipment. 外部キャビティレーザー装置内で光の波長を同調させる方法であって、前記装置が、
光学増幅半導体チップ(310)と、
第1の反射面(312)と、
反射防止(AR)被覆を施した半導体チップ切子面(314)と、
半導体チップ切子面(314)から放射された光線の少なくとも一部が入射して光学増幅半導体チップ(310)に回折される回折格子(330)と、
半導体チップ切子面から放射された光線を回折格子に向けて平行光線とする手段(320)と、
その運動により上記した光線の波長の一部が外部キャビティレーザー内で同調される剛体の可動部分(360)とを含み、
前記剛体の可動部分の集積部分において発生された電磁力により外部キャビティレーザーの前記剛体の可動部分(360)に回転運動を与え、前記電磁力を発生する前記剛体の可動部分の集積部分が第1の磁石(370)を有しており、電流が通される第1のコイル(374)との相互作用で前記電磁力が発生されることを特徴とする外部キャビティレーザー内で光の波長を同調させる方法。
A method of tuning the wavelength of light in an external cavity laser device, the device comprising:
An optical amplification semiconductor chip (310);
A first reflective surface (312);
A semiconductor chip facet (314) with anti-reflection (AR) coating;
A diffraction grating (330) in which at least a part of the light beam emitted from the semiconductor chip facet (314) is incident and diffracted by the optical amplification semiconductor chip (310);
Means (320) for collimating the light beam emitted from the facet of the semiconductor chip toward the diffraction grating;
The movable portion of the rigid part of the wavelength of light described above can be tuned in the external cavity laser by the motion (360) seen including,
The integrated portion of the rigid movable portion that generates the electromagnetic force is provided by applying rotational motion to the rigid movable portion 360 of the external cavity laser by the electromagnetic force generated in the integrated portion of the rigid movable portion. has a magnet (370), tuning the wavelength of light in the external cavity laser, characterized in Rukoto is the electromagnetic force is generated in the interaction of the first coil current is passed (374) How to make.
第2のコイル(476)とそれに併設された第2の磁石(372)との間の電磁相互作用により前記剛体の可動部分(360)の回転運動を追加的に検知することを特徴とする請求項に記載の方法。The rotational movement of the movable portion (360) of the rigid body is additionally detected by electromagnetic interaction between the second coil (476) and a second magnet (372) provided therewith. Item 10. The method according to Item 9 . 前記剛体の可動部分(360)の検知された運動を、外部キャビティレーザー中の光線の波長を制御する制御システムに、用いることを特徴とする請求項9または10に記載の方法。 11. Method according to claim 9 or 10 , characterized in that the sensed movement of the rigid movable part (360) is used in a control system for controlling the wavelength of light in an external cavity laser. さらに前記剛体の可動部分(360)の位置を検知して、これを外部キャビティレーザー中の光線の波長を制御する制御システムに、用いることを特徴とする請求項11のいずれかひとつに記載の方法。Further by detecting the position of the movable portion (360) of the rigid, to a control system for controlling the wavelength of the light beam which in the external cavity laser, according to any one of claims 9-11, which comprises using the method of.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2280257B1 (en) * 2003-06-06 2017-04-05 The General Hospital Corporation Process and apparatus for a wavelength tuned light source
JP2007027547A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Anritsu Corp Test light source and optical test system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115718A (en) * 1987-10-30 1989-05-09 Nec Home Electron Ltd Shock absorber control device
JPH03279821A (en) * 1990-03-29 1991-12-11 Anritsu Corp Variable wavelength light source unit
JPH0725046B2 (en) * 1990-10-11 1995-03-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション Positioning device
JPH07240558A (en) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd Light source of tunable semiconductor laser
JPH09321711A (en) * 1996-05-29 1997-12-12 Canon Inc Optical transmitter, optical transmitter / receiver, optical communication system, transmission wavelength control method, and optical communication method
JPH1026984A (en) * 1996-07-11 1998-01-27 Yamaha Corp Tactile force controller for operator
JPH10301041A (en) * 1997-04-30 1998-11-13 Sumitomo Electric Ind Ltd Light switch
JPH10341057A (en) * 1997-06-06 1998-12-22 Ando Electric Co Ltd External resonator type wavelength-variable semiconductor laser optical source and wavelength variable method therefor

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115718A (en) * 1987-10-30 1989-05-09 Nec Home Electron Ltd Shock absorber control device
JPH03279821A (en) * 1990-03-29 1991-12-11 Anritsu Corp Variable wavelength light source unit
JPH0725046B2 (en) * 1990-10-11 1995-03-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション Positioning device
JPH07240558A (en) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd Light source of tunable semiconductor laser
US5491714A (en) * 1994-02-28 1996-02-13 Ando Electric Co., Ltd. Wavelength-variable semiconductor laser light source
JPH09321711A (en) * 1996-05-29 1997-12-12 Canon Inc Optical transmitter, optical transmitter / receiver, optical communication system, transmission wavelength control method, and optical communication method
JPH1026984A (en) * 1996-07-11 1998-01-27 Yamaha Corp Tactile force controller for operator
JPH10301041A (en) * 1997-04-30 1998-11-13 Sumitomo Electric Ind Ltd Light switch
JPH10341057A (en) * 1997-06-06 1998-12-22 Ando Electric Co Ltd External resonator type wavelength-variable semiconductor laser optical source and wavelength variable method therefor

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