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JP4663165B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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JP4663165B2
JP4663165B2 JP2001195447A JP2001195447A JP4663165B2 JP 4663165 B2 JP4663165 B2 JP 4663165B2 JP 2001195447 A JP2001195447 A JP 2001195447A JP 2001195447 A JP2001195447 A JP 2001195447A JP 4663165 B2 JP4663165 B2 JP 4663165B2
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manufacturing
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Renesas Electronics Corp
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体チップを実装するのための電極の構造とその接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣあるいはＬＳＩはますます高集積化され大容量化してきている。そして、半導体チップを実装するパッケージは、小型化と共に多ピン化され高密度化されてきている。更には、複数の半導体チップを１つに実装するＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）が実用化されてきている。
【０００３】
更に、情報技術の急速な普及に伴い、情報処理装置を構成する半導体装置のシステム化の要求はますます大きくなっている。そして、複数のＬＳＩや、化合物半導体を用いた光デバイス・高周波デバイスを含む多様な機能ブロックを集積・システム化する、電子システムインテグレーション技術への期待が高くなってきている。
【０００４】
この電子システムインテグレーションにおいて最も重要となる要素技術に、微細接合技術がある。従来から用いられている代表的な接合技術としては、ワイヤーボンディング技術、ＦＣ（フリップチップ）接合技術、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術などが挙げられるが、特にフリップチップ接合技術で用いられるバンプ接合技術は汎用性が高く、高密度な接続が可能であるため、非常に重要となる。高密度なＭＣＰ技術の１つであるＣＯＣ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｃｈｉｐ）技術でもこのバンプ接合技術を用いる。
【０００５】
現状の最も一般的なバンプ接合技術としては、Ｃ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｉｂｌｅ Ｃｈｉｐ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる、はんだバンプを用いて溶融接合する技術がよく知られている。しかし、最近では、地球環境保全の観点から鉛（はんだに含まれる）のフリー化が求められており、また、はんだ表面の酸化膜除去に用いるフラックスの洗浄後の残渣が品質に及ぼす悪影響も問題になってきている。
【０００６】
そこで、はんだバンプの代わりに、近年、Ａｕ（金）バンプを用いた接合が検討されている。この技術について図６を参照して概略説明する。図６は、２つの半導体チップを金バンプを介して接合するＣＯＣ技術の模式的な工程略断面図である。
【０００７】
図６（ａ）に示すように、第１の半導体基板１０１表面の所定の領域にパッド電極１０２が形成され、パッド電極１０２に第１の金バンプ１０３が形成される。このようにして第１の半導体チップ１０４が形成されている。そして、第２の半導体基板１０５表面に銅等で配線１０６が形成され、この配線１０６の所定の領域に第２の金バンプ１０７が接続される。このようにして第２の半導体チップ１０８が形成されている。
【０００８】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ１０４と第２の半導体チップ１０８を重ね合わせをし、第１の半導体チップ１０４上の第１の金バンプ１０３と第２の半導体チップ１０８上の第２の金バンプ１０７を位置合わせする。そして、加熱・加圧しながら上記第１の金バンプ１０３と第２の金バンプ１０７を接合させる。このようにして、第１の半導体チップ１０４を第２の半導体チップ１０８に接合する。ここで、上記加熱の温度は２５０℃以上が必要である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
現在の実装技術で広く用いられているはんだバンプを用いた溶融接合の技術では、はんだ表面の酸化膜除去の為にフラックスが必須である。信頼性を保つために一般的にフラックスは接合完了後に洗浄することが必要になるが、バンプの微細化、狭ピッチ化に伴い、完全に洗浄することが困難になってきている。また、はんだバンプを用いたＦＣ接合では、はんだバンプが溶融しその形状が大きく変化する。このために、バンプの狭ピッチ化に限界があり、半導体装置の高密度化が困難になってくる。
【００１０】
上記図面に基づいて説明した金バンプを用いたＦＣ接合の場合では、金同士の接合において金の固相拡散を利用する。そこで、上述したように、２５０℃以上の比較的に高い温度と圧力が必要になる。このために、実装時においてＩＣに損傷が生じ、ＩＣの特性劣化が起こる。上記のような問題は、ＩＣの高密度化に伴ってより顕在化してくる。
【００１１】
また、上記接合での加熱温度の低温化ができると予想される銅バンプを、従来の技術を基に、上記金バンプに代えて電極に適用しようとすると、室温でも容易に酸化される銅の酸化膜により、銅バンプのような電極の接合は非常に難しくなる。
【００１２】
本発明の主な目的は、以上の様な現状の接合技術の問題点に鑑み、低温、低エネルギーで接合可能な電極構造とこれを用いた接合プロセスを提供することにある。更には、本発明の他の目的は、半導体装置の高密度化を容易にし促進させることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、半導体チップと配線基板間、あるいは、複数の半導体チップ間の接続に用いられる電極において、前記電極の構成原子とは異なる少なくとも１種類以上のハロゲン原子から成る添加物質が前記電極の表面近傍に導入され、且つ、前記電極の表面に絶縁体が形成されていることを特徴とする半導体装置、が提供される。
【００１４】
ここで、たとえば前記添加物質として少なくともＦ（フッ素）あるいはＣｌ（塩素）原子を含有する。
【００１５】
上記の発明では、前記電極はＣｕ（銅）、Ａｕ（金）またはＳｎ（錫）を主成分とする導電体で構成される。そして、前記電極の表面形状は曲面である。あるいは、前記電極はバンプ形状になっている。
【００１６】
また、本発明では、前記請絶縁体は無機絶縁膜である。ここで、前記絶縁体は窒化シリコンを含んでいる。あるいは、前記絶縁体は接着剤である。あるいは、前記絶縁体は、電極を直接被覆する無機絶縁膜と前記無機絶縁膜を被覆する接着剤との二重構造となっている。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ハロゲン原子を含むプラズマを照射して、前記電極の表面近傍にハロゲン原子を注入する工程を含む。あるいは、ハロゲン原子を含むイオンビームを照射して、前記電極の表面近傍にハロゲン原子を注入する工程を含む。
【００１８】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、上記電極間の接合において、一の電極を接続対象の他の電極に押圧し前記絶縁体を破壊し、前記一の電極と他の電極とを接合させる。ここで、前記押圧するときに、超音波振動またはスクラブ振動を前記電極間の界面に生じさせる。あるいは、前記押圧するときに、前記電極を加熱する。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、前記一の電極と他の電極とを接合させると同時に、前記接着剤により半導体チップと配線基板とを、あるいは複数の半導体チップを接着させる。
【００２０】
本発明のように、加熱処理により活性化しやすい添加物質原子を接合電極表面に閉じ込めた構造にすることにより、低エネルギー、低ストレスで電極間の接合が容易になる。そして、半導体装置の高密度化が促進される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の第１の実施の形態について図１と図２に基づいて概略説明する。ここで、図１と図２は、２つの半導体チップをバンプで接続する場合の製造工程順の略断面図である。なお、この製造工程の中で本発明の半導体装置の構造については示される。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、第１の半導体基板１表面の所定の領域にパッド電極２を公知の方法で形成する。ここで、パッド電極２はアルミあるいは銅等で形成される。そして、このパッド電極２に接続して銅バンプ３を形成する。この銅バンプ３表面は、金バンプの場合とは異なり酸化され易い。Ａｕのような貴金属と違いＣｕ表面の酸化は室温でも生じ易いからである。そこで、このような第１の半導体チップ４をマルチチャンバーで構成される多目的処理装置に搬入する。先ず初めに、この多目的処理装置の第１のチャンバー内でアルゴン等のプラズマ処理を施す。このプラズマ処理で、上述した銅バンプ３表面の酸化膜を除去する。このプラズマ処理では、アルゴンの他にネオン、ヘリウム、クリプトンあるいは窒素等の不活性ガスをプラズマ励起し、生成するイオン等を用いて酸化膜除去をしてもよい。
【００２３】
次に、第１の半導体チップ４を大気に曝すことなく、上記多目的処理装置の第２のチャンバーに搬入する。そして、第１の半導体基板１および銅バンプ３表面をハロゲンのプラズマに曝す。このようにして、図１（ｂ）に示すように、銅バンプ３の表面にハロゲン原子のような添加物質を含む添加層５を設ける。ここで、ハロゲンがフッ素の場合は、ＮＦ3 ガス、ＳＦ6 ガス、ＮＦ2 Ｃｌガス、ＮＦ2 Ｈガスあるいはフロロカーボンのような反応ガスをプラズマ励起しＦイオンを導入する。また、塩素の場合には、Ｃｌ2 ガス、ＨＣｌガス、ＮＦ2 Ｃｌガスあるいはクロロカーボンガス等をプラズマ励起する。あるいは、Ｂｒ（臭素）の場合には、Ｂｒ2 ガス、ＨＢｒガス等をプラズマ励起する。上記の添加層５の形成工程では、第１の半導体チップ４を加熱してもよい。
【００２４】
次に、上記の第１の半導体チップ４を多目的処理装置の第３のチャンバーに搬入する。そして、プラズマ励起の化学気相成長（ＣＶＤ）法で極薄の絶縁膜を全面に形成する。このようにして、図１（ｃ）に示すように、第１の半導体基板１表面および銅バンプ３表面を被覆するコーティング層６を形成する。ここで、上記のコーティング層６は３〜５原子層（例えば１０ｎｍ程度の厚さ）程度のシリコン窒化膜で構成される。あるいはシリコンオキシナイトライド膜／シリコン窒化膜の積層膜で構成される。
【００２５】
このコーティング層６の形成により、上記銅バンプ３の表面領域にある添加層５内の添加物質はこの領域に閉じこめられる。また、このコーティング層６は、銅バンプ３表面の酸化を防止する役割をもつ。ここで、銅バンプ３表面のコーティング層６は、バンプの接合部となる領域では薄く（例えば１０ｎｍ程度）、それ以外の領域では厚く（例えば１００ｎｍ程度）なるように形成するとよい。
【００２６】
次に、図２（ａ）に示しているように、第２の半導体基板７表面に銅等で配線８が形成され、この配線８の所定の領域に金バンプ９が接続される。このようにして第２の半導体チップ１０が形成されている。そして、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ１０を重ね合わせをし、第１の半導体チップ４上でコーティング層６に覆われた銅バンプ３と第２の半導体チップ１０上の金バンプ９を位置合わせする。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、加熱した押圧処理を施す。この押圧処理では超音波振動を付加するとよい。この押圧処理により上記銅バンプ３と金バンプ９を接合させる。
【００２８】
この押圧処理の工程では、銅バンプ３の変形によりコーティング層６は機械的に破壊される。また、上記押圧処理の温度は１５０℃以下に低減するようになる。この温度の低減は、上記添加層５中のハロゲン原子により、銅バンプ３の銅原子あるいは金バンプ９中の金原子の拡散が増速するようになるからである。
【００２９】
上記の接合工程では、押圧時に、適度な超音波振動、あるいはスクラブ等による機械的な摩擦を接合界面に与えることにより、絶縁膜の破壊を促進することも可能となる。
【００３０】
次に、図３に基づいて本発明の原理について説明する。図３は、図１と図２で説明した工程において本発明の要点を説明するための工程略断面図である。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、上述した銅バンプ３に対応する第１の接合金属１１の表面を清浄にする。すなわち、酸化層等を除去し第１の接合金属１１面を露出させる。そして、図３（ｂ）に示すように、上述したようなプラズマ処理で、ハロゲン原子等の添加物１２を上記第１の接合金属１１表面領域にドーピングする。ここで、上記の第１の接合金属１１の導電体材料としては、銅の他に金、Ｓｎ（錫）、はんだ、あるいは、Ｉｎ（インジウム）、Ａｇ（銀）が用いられる。また、添加物１２のドーピングは、イオン注入で行ってもよい。
【００３２】
そして、図３（ｃ）に示すように、第１の接合金属１１表面にコーティング層１３を形成する。このコーティング層１３は、上記添加物１２を第１の接合金属１１内に閉じこめる働きを有する。
【００３３】
そして、図３（ｄ）に示すように、第１の接合金属１１上に第２の接合金属１４を押圧する。この押圧処理の工程で上記添加物１２が活性化し、上記第１の接合金属１１の他に第２の接合金属１４にも入り込む。この添加物１２の活性化は低温で容易に起こる。そして、上記第１の接合金属１１および第２の接合金属１４を構成する金属元素の拡散を増速させるようになる。このようにして、第１の接合金属１１と第２の接合金属１４の接合が促進され、接合の低温化が可能になる。ここで、上記の第２の接合金属１４の導電体材料としては、金の他に銅、錫、はんだ、あるいは、インジウム、銀等が用いられる。
【００３４】
本発明では、加熱処理により活性化しやすい原子を接合金属表面に閉じ込めた構造により、低エネルギー、低ストレスで接合可能な電極構造を提供することができる。
【００３５】
次に、本発明の第２の実施の形態について図４に基づいて説明する。この実施の形態では、第１の実施の形態で説明したコーティング層に代えて、接着剤を用いる点に特徴がある。そこで、図１あるいは図２と同様のものは同一符号で示している。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、第１の実施の形態で説明したのと同様に、第１の半導体基板１表面の所定の領域のパッド電極２、このパッド電極２に接続する銅バンプ３を有する第１の半導体チップ４が形成される。そして、銅バンプ３の表面部に添加層５が形成され、第１の半導体チップ４表面に第１の接着層１５が形成される。同様に、第２の半導体基板７表面の配線８、配線８の所定の領域に金バンプ９を有する第２の半導体チップ１０が形成され、第２の半導体チップ１０表面に第２の接着層１６が形成される。ここで、第１あるいは第２の接着層１５，１６は樹脂系の有機ポリマー、例えばポリイミドで構成される。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ１０を重ね合わせし、第１の半導体チップ４上で銅バンプ３と金バンプ９を位置合わせする。そして、加熱した押圧処理を施す。この押圧処理では超音波振動を付加するとよい。この押圧処理により上記銅バンプ３と金バンプ９を接合させる。この実施の形態では、押圧処理の工程で上記第１の接着層１５と第２の接着層１６は互いに接着する。このようにして、図４（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ１０の間に接着層１７が形成される。ここで、接着層１７は樹脂等の有機の接着剤である。このような接着層１７は、窒素雰囲気あるいは真空中でのラミネート圧着で形成される。このような手法により、銅バンプ３表面の酸化は防止される。
【００３８】
この場合でも、押圧処理の工程で、銅バンプ３および金バンプ９の変形により第１（２）の接着層１５，１６は機械的に破壊される。そして、上記押圧処理の温度は１５０℃以下に低減するようになる。この温度の低減は、第１の実施の形態で説明したのと同じで、銅バンプ３表面の添加層５中のハロゲン原子により、銅バンプ３の銅原子あるいは金バンプ９中の金原子の拡散が増速するようになるからである。この場合でも、押圧時に、適度な超音波振動、あるいはスクラブ等による機械的な摩擦を接合界面に与えることによって、接着層の破壊が容易になる。
【００３９】
第２の実施の形態でも、第１の実施の形態で説明したのと同様な効果が生じる。さらに、フリップチップ接合工程において一般的に行われるアンダーフィルと呼ばれる接合部の樹脂封止工程が省略される。これは、上記接着層１７が自動的に上記樹脂封止の機能を有するからである。
【００４０】
次に、本発明の第３の実施の形態について図５に基づいて説明する。この実施の形態は、銅バンプのみを用いたＣＯＣ技術に本発明を適用する例である。
【００４１】
図５（ａ）に示すように、第１の実施の形態で説明したのと同様な方法で、第１の半導体基板２１表面の所定の領域の第１のパッド電極２２、この第１のパッド電極２２に接続する第１の銅バンプ２３を有する第１の半導体チップ２４が形成される。そして、第１の銅バンプ２３の表面部に添加層２５が形成され、第１の半導体チップ２４上および第１の銅バンプ２３表面に第１のコーティング層２６が形成される。
【００４２】
同様に、第２の半導体基板２７表面の所定の領域の第２のパッド電極２８、この第２のパッド電極２８に接続する第２の銅バンプ２９を有する第２の半導体チップ３０が形成される。そして、第２の半導体チップ３０表面および第２の銅バンプ２９表面に第２のコーティング層３１が形成される。ここで、上記第１あるいは第２のコーティング層２６，３１は、第１の実施の形態で説明したのと同様にして形成される。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ２４と第２の半導体チップ３０を重ね合わせし、第１の半導体チップ２４上の第１の銅バンプ２３と第２の半導体チップ３０上の第２の銅バンプ２９を位置合わせする。そして、加熱した押圧処理を施す。この押圧処理では超音波振動を付加するとよい。この押圧処理により上記第１の銅バンプ２３と第２の銅バンプ２９を接合させる。この場合でも、押圧処理の工程で、第１の銅バンプ２３および第２の銅バンプ２９の変形により第１のコーティング層２６と第２のコーティング層３１の一部は機械的に破壊される。そして、上記押圧処理の温度は１００℃以下に低減するようになる。この温度の低減は、第１の実施の形態で説明したのと同じで、第１の銅バンプ２３表面の添加層２５中のハロゲン原子により、第１（２）の銅バンプ２３，２９の銅原子の拡散が増速するようになるからである。この場合でも、押圧時に、適度な超音波振動、あるいはスクラブ等による機械的な摩擦を接合界面に与えることによって、上記第１（２）のコーティング層の破壊が容易になる。
【００４４】
第３の実施の形態でも、第１の実施の形態で説明したのと同様な効果が生じる。さらに、この場合には、上記第１のコーティング層２６および第２のコーティング層３１は、半導体チップのパッシベーション膜としても機能する。このために、この場合でも、フリップチップ接合工程において一般的に行われるアンダーフィルと呼ばれる接合部の樹脂封止工程が省略される。また、この場合には、電極が共に銅バンプであるために、接合の低温化がさらに容易になる。このようにして、従来の技術で生じていた実装時におけるＩＣの損傷あるいは特性劣化は生じなくなる。
【００４５】
上記の実施の形態では、コーティング層を絶縁膜で形成する場合について説明した。本発明は、これに限定されるものではなく、コーティング層を導電膜、例えば、ＴｉＮ（窒化チタン）膜、ＴａＮ（窒化タンタル）膜、で形成する場合でも同様な効果が生じる。コーティング層を導電膜で形成する場合には、コーティング層は、バンプ表面を被覆するように部分的に形成し、半導体チップ表面全面に亘り形成しないことが必要となる。
【００４６】
また、上記第２の実施の形態において、第１の実施の形態で説明したように、コーティング層を形成してからこのコーティング層を被覆するように接着層を形成してもよい。
【００４７】
また、本発明は、ＣＯＣ技術の場合に限定されるものではない。パッド電極とワイヤーとのボンディング、あるいはパッケージのリードとワイヤーとのボンディングにおいても同様に適用できるものである。また、半導体チップと配線基板との接続技術にも容易に適用できるものである。更に、その他の金属同士の接合においても本発明は同様に適用できるものである。ここで、接合する電極の表面形状は平坦面であってもよい。
【００４８】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、実施の形態が適宜変更され得る。
【００４９】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の要部では、半導体チップと配線基板とをあるいは複数の半導体チップ間を電気接続する電極において、上記電極の構成原子とは異なる少なくとも１種類以上の原子から成る添加物質が電極の表面近傍に導入され、上記電極の表面には絶縁体が形成される。
【００５０】
このように、加熱処理により活性化しやすい添加物質原子を接合電極表面に閉じ込めた構造にすることにより、低エネルギー、低ストレスで電極間の接合が容易になる。そして、半導体装置の高密度化が促進されると共に半導体装置の信頼性が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するためのバンプ接合工程順の略断面図である。
【図２】上記の続きのバンプ接合工程順の本略断面図である。
【図３】本発明の接合促進の機構を説明するための金属接合工程順の模式的断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態を説明するためのバンプ接合工程順の略断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を説明するためのバンプ接合工程順の略断面図である。
【図６】従来の技術を説明するためのバンプ接合工程順の略断面図である。
【符号の説明】
１，２１，１０１ 第１の半導体基板
２，１０２ パッド電極
３ 銅バンプ
４，２４，１０４ 第１の半導体チップ
５ 添加層
６，１３ コーティング層
７，２７，１０５ 第２の半導体基板
８，１０６ 配線
９，１０３，１０７ 金バンプ
１０，３０，１０８ 第２の半導体チップ
１１ 第１の接合金属
１２ 添加物
１４ 第２の接合金属
１５ 第１の接着層
１６ 第２の接着層
１７ 接着層
２２ 第１のパッド電極
２３ 第１の銅バンプ
２５ 添加層
２６ 第１のコーティング層
２８ 第２のパッド電極
２９ 第２の銅バンプ
３１ 第２のコーティング層

Claims (17)

  1. 半導体チップと配線基板間、あるいは、複数の半導体チップ間の接続に用いられる電極において、前記電極の構成原子とは異なる少なくとも１種類以上のハロゲン原子から成る添加物質が前記電極の表面近傍に導入され、且つ、前記電極の表面に絶縁体が形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記添加物質として少なくともＦ（フッ素）あるいはＣｌ（塩素）原子を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記電極はＣｕ（銅）、Ａｕ（金）またはＳｎ（錫）を主成分とする導電体で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項２のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  4. 前記電極の表面形状が曲面であることを特徴とする請求項１から請求項３のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  5. 前記電極がバンプ形状になっていることを特徴とする請求項１から請求項４のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  6. 前記絶縁体が無機絶縁膜であることを特徴とする請求項１から請求項５のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  7. 前記絶縁体が窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１から請求項５のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  8. 前記絶縁体が接着剤であることを特徴とする請求項１から請求項５のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  9. 前記絶縁体が、電極を直接被覆する無機絶縁膜と前記無機絶縁膜を被覆する接着剤との二重構造であることを特徴とする請求項１から請求項５のうち１つの請求項に記載の半導体装置。
  10. 請求項１乃至請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、ハロゲン原子を含むプラズマを照射して、前記電極の表面近傍にハロゲン原子を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 請求項１乃至請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、ハロゲン原子を含むイオンビームを照射して、前記電極の表面近傍にハロゲン原子を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. Ｆ（フッ素）原子あるいはＣｌ（塩素）原子を含むプラズマを照射して、前記電極の表面近傍にＦ（フッ素）原子あるいはＣｌ（塩素）原子を注入することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
  13. Ｆ（フッ素）原子あるいはＣｌ（塩素）原子を含むイオンビームを照射して、前記電極の表面近傍にＦ（フッ素）原子あるいはＣｌ（塩素）原子を注入することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
  14. 一の電極を接続対象の他の電極に押圧し前記絶縁体を破壊し、前記一の電極と他の電極とを接合させることを特徴とする請求項１０乃至請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
  15. 前記押圧するときに、超音波振動またはスクラブ振動を前記電極間の界面に生じさせることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
  16. 前記押圧するときに、前記電極を加熱することを特徴とする請求項１４または請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
  17. 前記一の電極と他の電極とを接合させると同時に、前記接着剤により半導体チップと配線基板とを、あるいは複数の半導体チップを接着させることを特徴とする請求項１４、請求項１５または請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
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