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JP4595665B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は配線基板の製造方法に関し、特に放熱性に優れ、産業用の電源機器にも適用できる配線基板の製造方法に関する。
電源装置に使用される半導体モジュールは、家庭用エアコン、冷蔵庫などの民生機器から、インバータ、サーボコントローラなどの産業機器まで、広範囲に渡って適用されている。特に、パワー半導体を搭載したＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールなどは、発熱が大きいことから、放熱性に優れた金属ベース配線基板やセラミックス配線基板が用いられてきている。
図３は従来の金属ベース配線基板の断面構造を示す図である。
金属ベース配線基板は、ベース金属１０１と、このベース金属１０１上に形成された絶縁層１０２と、この絶縁層１０２上に形成された回路パターン１０３との３層構造になっている。ベース金属１０１は、アルミニウム板または銅板などの放熱性に優れた金属が用いられている。絶縁層１０２は、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮなどの無機フィラーを含有したエポキシ樹脂などからなっている。
回路パターン１０３は、通常、銅箔が用いられているが、まれにアルミ箔が用いられる場合もある。銅箔は、通常３５μｍ〜１４０μｍ程度の厚みのものが用いられている。この銅箔は、湿式エッチングにより所定の回路パターンに加工される。電流容量が１０Ａ程度と小さく、発熱の小さいパワー半導体の場合、そのパワー半導体は、直接この回路パターン１０３にはんだ付け接合により搭載される。パワー半導体の電流容量が大きくなる場合は、熱をこの回路パターン１０３上に広げて熱抵抗を低減させるため、銅箔の厚みは、１４０μｍ程度の厚いものにする。１４０μｍで足りない場合は、さらに厚い、例えば２００μｍ、２５０μｍなどの銅箔を用いる。さらに、回路パターン１０３の厚みを１ｍｍ以上、例えば３〜４ｍｍの厚みにすれば、ヒートスプレッダ効果が発揮され、パワー半導体で発生した熱は横方向に広がり、熱抵抗は大幅に低減される。
金属ベース配線基板に使用される絶縁層１０２は、絶縁信頼性と熱放散性に優れていることが必要である。さらに、絶縁層１０２としては、応力緩和性、耐湿性、耐熱性などに優れていることも要求されており、それに適した樹脂組成物も知られている（たとえば、特許文献１〜３参照。）。このように、回路パターン１０３が熱放散性に優れた絶縁層１０２を介してベース金属１０１に接合されていることにより、金属ベース配線基板は、パワー半導体など高発熱部品を実装する配線基板として用いられている。
しかしながら、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮなどの無機フィラーを含有したエポキシ樹脂の場合、充填量に限界があるので、その熱伝導率は現状７〜１０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。したがって、適用できるパワー半導体モジュールの電流容量にも限界があり、現状では５０Ａクラス程度までしか適用できない。
これに対し、５０Ａを超える、より大容量のパワー半導体モジュールの場合には、金属ベース配線基板ではなく、絶縁層の熱伝導率がより高いセラミックス配線基板が用いられている。
図４は従来のセラミックス配線基板の断面構造を示す図であって、（ａ）はセラミックス配線基板を示し、（ｂ）はベース金属が接合されたセラミックス配線基板を示している。
セラミックス配線基板は、セラミックス絶縁板１０４の両側に回路パターン１０３が張り合わせられることによって構成されている。セラミックス絶縁板１０４は、原料紛をバインダーと練り合せ、グリーンシートと呼ばれるシート状の絶縁板にし、これを高温にて焼成することによって作製される。その後に、回路パターン１０３用の銅箔、もしくはアルミニム箔を高温で接合することにより、配線基板にする。さらに、これらセラミックス配線基板は、通常、厚さ２〜３ｍｍ程度の銅板のベース金属１０１にはんだ層１０５を介して接合されている。
セラミックス絶縁板１０４は、その原料として、Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4などが用いられている。そのセラミックス絶縁板１０４の熱伝導率は、原料がＡｌ2Ｏ3の場合、約２０Ｗ／ｍ・Ｋ、原料がＡｌＮの場合、１６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、そして、原料がＳｉ3Ｎ4の場合、８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度となっており、エポキシ樹脂に無機フィラーを配合した場合に比べて、１〜２桁高くなっている。
特開２００２−１２６５３号公報 特開２００２−７６５４９号公報 特開２００２−１１４８３６号公報
しかしながら、金属ベース配線基板の場合、熱抵抗を低減するため、銅箔を厚くしていくと、回路パターン層を加工するためのエッチング加工の時間が厚みに比例して長くなっていくので、加工費が大幅に高くなり、コストが大幅に嵩んでしまうという問題点があった。しかも、回路パターン層の厚みが３〜４ｍｍにもなれば、銅を溶かすのに長い時間を要するだけでなく、回路パターン層の端部のエッチングが精度良くできなくなるので、エッチング加工自体が現実的でなくなる。
また、セラミックス配線基板の場合、セラミックス絶縁板を一度作製し、それに回路パターン層を接合し、エッチング加工し、このようにして作製されたセラミックス配線基板をベース金属にはんだで接合する、というように多くの工数が必要になっていることから、価格が高く、低価格化が困難であるという問題点があった。しかも、セラミックス配線基板の場合、回路パターン用の銅箔をあまり厚くすることができない。ヒートスプレッダ効果を高めるために厚い銅箔もしくは銅板を貼り付ければよいが、約１０００℃以上の高温で銅板をセラミックス絶縁板に接合するので、両側の厚みを同じにしておかないと熱膨張係数の違いにより冷却時にバイメタル効果でそり曲がってしまう。また、前述のように、銅箔または銅板が厚くなるとエッチング加工費が大幅に高くなってしまうので、現在、セラミックス配線基板の回路パターンの厚みは、正確には０．６ｍｍ程度以下までしか用いられていない。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明では上記問題を解決するために、絶縁板に金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して回路パターンを形成した配線基板の製造方法において、発熱半導体部品が搭載される部分の回路パターンの上部に上積み回路パターンを備えたことを特徴とし、その上積み回路パターンは、回路パターンの上部に金属材料をコールドスプレー法により積層して搭載される半導体チップの端部から上積み回路パターンの端部までの距離が回路パターンおよび上積み回路パターンの合計の厚みと等しくなるまで、または、搭載される半導体チップの端部から上積み回路パターンの端部までの距離と回路パターンおよび上積み回路パターンの合計の厚みとの比が０．８〜１．２の範囲になるまで厚みを上積みすることによって形成した。
このような配線基板の製造方法によれば、金属箔の回路パターンの上にさらに厚い上積み金属パターンが形成されている。これにより、この厚肉の上積み回路パターン上にパワー半導体を搭載すれば、その損失により発生した熱が厚肉の上積み回路パターンで拡散できるので熱抵抗を減らすことができ、熱抵抗の少ない放熱性に優れた配線基板を構成することができる。
本発明の配線基板の製造方法は、金属箔の回路パターンを少なくとも部分的に厚く形成することができるため、この厚肉の回路パターン上にパワー半導体を搭載すれば、損失により発生した熱が厚肉の回路パターンで拡散できるので、熱抵抗を減らすことができ、従来の金属ベース配線基板やセラミックス配線基板に比べ大幅に熱抵抗の少ない放熱性に優れた配線基板を安価かつ容易に作製できるという利点がある。
以下、本発明の実施の形態として、絶縁層に金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して所定の回路パターンを形成した金属ベースのプリント配線板に適用した場合を例に図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の配線基板の製造工程および完成したパワー半導体モジュールの状態を示したものであって、（ａ）は金属ベース配線基板を示し、（ｂ）はコールドスプレーによる上積み回路パターンの形成工程を示し、（ｃ）は上積み回路パターンが形成された状態を示し、（ｄ）は上積み回路パターン上にパワー半導体が実装されたパワー半導体モジュールを示している。
金属ベース配線基板は、図１の（ａ）に示したように、ベース金属１上に無機フィラーを含有した絶縁層２を設け、その上に回路パターン３を張り合わせた３層構造の構成になっている。
回路パターン３は、通常、銅箔が用いられている。なお、この回路パターン３は、銅箔に代えて、アルミ箔を用いてもよい。絶縁層２に張り合わされた銅箔は、湿式エッチングにより所定のパターンに加工され、回路パターン３となる。ここで、銅箔は、通常、３５μｍ〜１４０μｍ程度の厚みを持った標準品が用いられる。また、回路パターン３のパターン幅は、回路の電流容量により決められるが、エッチング加工費を考慮すると、銅箔の厚さは、できるだけ薄い方が望ましい。
以上のように形成された金属ベース配線基板は、従来の金属ベース配線基板と同じであるが、本発明による配線基板では、回路パターン３の中で、放熱性を向上させたい領域のみ部分的に厚みを増すようにしている。すなわち、図１の（ｂ）に示したように、回路パターン３の上に、その厚みを増したい領域に対応した形状の孔が開けられたマスク４を配置し、その上方からコールドスプレー法にて金属紛を常温にて超音速で吹き付け、回路パターン３上に金属紛を積層させていくことにより、図１の（ｃ）に示した上積み回路パターン５を形成する。
ここで、コールドスプレー法について説明する。コールドスプレー法は、溶射技術の１つとしてとらえられており、溶射材料の融点または軟化温度よりも低い温度のガスを超音速流にして、その流れの中に溶射材料粒子を投入して加速させ、固相状態のまま基材に高速で衝突させて皮膜を形成する技術である。コールドスプレー法の特徴は、従来のプラズマ溶射法、フレーム溶射法、高速フレーム溶射法などに比べて、溶射材料粒子を加熱・加速する作動ガスの温度が著しく低いことである。プラズマ溶射などは２０００〜８０００℃の高い作動ガスの温度が必要であるが、コールドスプレーの場合、常温〜６００℃程度の作動ガスでよい。溶射材料粒子をあまり加熱せずに固相状態のまま基材へ高速で衝突させるが、臨界速度に達するとその衝突エネルギにより基材と溶射材料粒子とが塑性変形して皮膜を形成する。そのため、他の溶射方法と違い、溶射材料の熱による酸化や熱変質を最小限にすることが可能である。
コールドスプレー装置は、ボンベなどのガス源から供給された高圧ガスを粉末供給装置とガス加熱器とに分岐させる。このうち、主流の作動ガスは、電気炉などで直接または間接的に加熱されるコイル状のガス管内を流れて温度が上げられ、溶射ガンに供給されて超音速ノズルにより加速されて噴出する。
一方、作動ガスの一部は、粉末供給装置へ分流されてキャリアガスとして溶射粉末とともに溶射ガン後方に流入される。作動ガスの加熱は、行なわない場合もあるが、加熱した方が粒子速度を高くでき、かつ粒子の塑性変形を生じやすくするために有利である。ガスとしては空気、ヘリウム、窒素が使用される。
ここで、回路パターン３に溶射される溶射材料には、粒子径が１〜５０μｍの金属材料が用いられる。その粒子材料としては、銅、アルミニウム、鉄、チタン、モリブデン、ニッケルなどが用いられる。配線基板用には、通常、銅またはアルミニウムが用いられる。これらの溶射材料粒子は、５００〜９００ｍ／ｓのスピードで、１０〜５０ｍｍの距離を隔ててマスク４越しに回路パターン３に吹き付けられて堆積させられ、これによって、図１の（ｃ）に示したように、回路パターン３上に上積み回路パターン５が形成される。上積み回路パターン５が必要な膜厚を得るため、溶射材料粒子の吹き付けは、所定の時間行われる。上積み回路パターン５の厚みは、パワー半導体の発生ロスを考慮して設定される。発生ロスにもよるが、効果のある上積み回路パターン５の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
このような製造工程により上積み回路パターン５を直接銅箔に接合した３層構造の金属ベース配線基板が作製される。その後、コールドスプレーにより積層された上積み回路パターン５の上にパワー半導体６が実装される。パワー半導体６は、通常、ＳｎＰｂ系はんだやＳｎＡｇＣｕ系はんだによって上積み回路パターン５に接合される。
そして、最後に、パワー半導体６は、外部回路への接続を行なうためワイヤ７による必要な結線が行われて、図１の（ｄ）に示したパワー半導体モジュールが作製される。パワー半導体６のように電流容量が大きい半導体素子の場合、ワイヤ７は、通常、アルミニウム製ワイヤが用いられる。
なお、コールドスプレーにより上積みされる上積み回路パターン５は、回路パターン３の放熱が必要なパワー半導体６が搭載される部分のみに形成したが、回路パターン３の全面に形成しても良い。
また、コールドスプレーにより積層された銅材もしくはその他の金属材料でも、その材料が本来持っている熱伝導率を得ることができる。
さらに、ここでは、配線基板の一実施の形態として、金属ベース配線基板の場合について説明したが、図４に示したセラミックス配線基板でも、パワー半導体が搭載される側の回路パターン１０３の上に同様の製造方法にて上積み回路パターンを形成することができる。
次に、コールドスプレーにより回路パターン３上に積層する上積み回路パターン５の厚みの最適化について説明する。
図２は上積み回路パターンの厚みについての説明図である。
パワー半導体６から発生する熱流は、通常、斜め４５度の角度で拡散し広がるという性質を有している。したがって、パワー半導体６のチップ端部から上積み回路パターン５の端部までの距離ａは、回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂと等しければ、ヒートスプレッダ効果が最大に発揮され、熱抵抗を大幅に低減することができる。このため、パワー半導体６の大きさに対して無理に回路パターン３および上積み回路パターン５の幅を広げる必要はないし、無理に上積み回路パターン５の厚みを増加させる必要もない。
以上の上積み回路パターン５の幅および厚みの関係から、搭載されるパワー半導体６の端部から上積み回路パターン５の端部までの距離ａと回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂとの比は、１が最適であるが、０．８〜１．２の範囲であれば、実質的に十分な熱拡散性が得られる。これが０．８未満では十分な熱拡散性が得られない場合が生じ、１．２を超えても効果は飽和することになる。
なお、以上の実施の形態では、絶縁層またはセラミックス絶縁板に銅などの金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して所定の回路パターンを形成したプリント配線板に適用した場合について詳述したが、リードフレームの回路パターンの厚み調整に適用することもできる。
本発明の配線基板の製造工程および完成したパワー半導体モジュールの状態を示したものであって、（ａ）は金属ベース配線基板を示し、（ｂ）はコールドスプレーによる上積み回路パターンの形成工程を示し、（ｃ）は上積み回路パターンが形成された状態を示し、（ｄ）は上積み回路パターン上にパワー半導体が実装されたパワー半導体モジュールを示している。 上積み回路パターンの厚みについての説明図である。 従来の金属ベース配線基板の断面構造を示す図である。 従来のセラミックス配線基板の断面構造を示す図であって、（ａ）はセラミックス配線基板を示し、（ｂ）はベース金属が接合されたセラミックス配線基板を示している。
符号の説明
１ ベース金属
２ 絶縁層
３ 回路パターン
４ マスク
５ 上積み回路パターン
６ パワー半導体
７ ワイヤ
１０１ ベース金属
１０２ 絶縁層
１０３ 回路パターン
１０４ セラミックス絶縁板
１０５ はんだ層

Claims (2)

  1. 絶縁板に金属箔を張り合わせ、前記金属箔を加工して回路パターンを形成した配線基板の製造方法において、
    発熱半導体部品が搭載される部分の前記回路パターンの上部にコールドスプレー法により金属材料を積層して上積み回路パターンを形成し、前記上積み回路パターンは、前記回路パターンを含めた合計の厚みが搭載される半導体チップの端部から前記上積み回路パターンの端部までの距離に等しくなるまで前記コールドスプレー法にて形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 絶縁板に金属箔を張り合わせ、前記金属箔を加工して回路パターンを形成した配線基板の製造方法において、
    発熱半導体部品が搭載される部分の前記回路パターンの上部にコールドスプレー法により金属材料を積層して上積み回路パターンを形成し、前記上積み回路パターンは、搭載される半導体チップの端部から前記上積み回路パターンの端部までの距離と前記回路パターンおよび前記上積み回路パターンの合計の厚みとの比が０．８〜１．２の範囲になるまで前記コールドスプレー法にて形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4662361B2 (ja) * 2006-01-23 2011-03-30 株式会社小糸製作所 光源モジュール
JP2008053548A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Sharp Corp 回路基板および電気回路の検査方法
JP5150076B2 (ja) * 2006-09-15 2013-02-20 株式会社豊田自動織機 表面実装用電子部品の表面実装構造
US7957158B2 (en) * 2006-10-31 2011-06-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device
DE102006061435A1 (de) * 2006-12-23 2008-06-26 Leoni Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufspritzen insbesondere einer Leiterbahn, elektrisches Bauteil mit einer Leiterbahn sowie Dosiervorrichtung
KR100834515B1 (ko) * 2007-03-07 2008-06-02 삼성전기주식회사 금속 나노입자 에어로졸을 이용한 포토레지스트 적층기판의형성방법, 절연기판의 도금방법, 회로기판의 금속층의표면처리방법 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법
JP4986657B2 (ja) * 2007-03-09 2012-07-25 パナソニック株式会社 ブラシレスモータ
EP2157607A4 (en) * 2007-05-30 2012-09-05 Kyocera Corp LAMINATED HEAT-DISPOSING BASE BODY AND HEAT DISPOSAL UNIT AND ELECTRONIC DEVICE WITH LAMINATED HEAT-DISINFECTING BASE BODY
DE102007050405B4 (de) * 2007-10-22 2010-09-09 Continental Automotive Gmbh Elektrische Leistungskomponente, insbesondere Leistungshalbleiter-Modul, mit einer Kühlvorrichtung und Verfahren zum flächigen und wärmeleitenden Anbinden einer Kühlvorrichtung an eine elektrische Leistungskomponente
US20090141456A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Multilayer, thermally-stabilized substrate structures
JP5321942B2 (ja) * 2008-02-29 2013-10-23 新東工業株式会社 電子回路基板の製造方法およびその電子回路基板
KR101013078B1 (ko) * 2008-05-09 2011-02-08 (주)세렉트론 저온분사법을 이용한 전극의 제조방법 및 이에 의한 전극
DE102009033029A1 (de) * 2009-07-02 2011-01-05 Electrovac Ag Elektronische Vorrichtung
JP5359644B2 (ja) * 2009-07-23 2013-12-04 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
EP2315242A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-27 ABB Technology AG Circuit arrangement and manufacturing method thereof
JP5186528B2 (ja) * 2010-04-23 2013-04-17 日本発條株式会社 導電部材及びその製造方法
KR101401764B1 (ko) 2010-05-12 2014-05-30 도요타지도샤가부시키가이샤 반도체 장치
CN102549738B (zh) 2010-05-18 2015-07-01 丰田自动车株式会社 半导体装置及其制造方法
WO2011145202A1 (ja) * 2010-05-21 2011-11-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
DE102010039728A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung und elektrischen Schaltung
US20120193126A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-02 General Electric Company Method of forming sensors and circuits on components
JP2013012531A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Kyocera Corp 電子部品搭載用部材および電子装置
US9335296B2 (en) 2012-10-10 2016-05-10 Westinghouse Electric Company Llc Systems and methods for steam generator tube analysis for detection of tube degradation
WO2014073038A1 (ja) * 2012-11-06 2014-05-15 日本碍子株式会社 発光ダイオード用基板
WO2014073039A1 (ja) * 2012-11-06 2014-05-15 日本碍子株式会社 発光ダイオード用基板
DE102012224376A1 (de) * 2012-12-27 2014-07-03 Robert Bosch Gmbh Leiterbahnanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
JP6037885B2 (ja) * 2013-02-19 2016-12-07 三菱重工業株式会社 成膜方法
US9147631B2 (en) 2013-04-17 2015-09-29 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor power device having a heat sink
JP5889488B2 (ja) * 2014-01-10 2016-03-22 古河電気工業株式会社 電子回路装置
CN103841784A (zh) * 2014-03-18 2014-06-04 亚超特工业有限公司 电子装置的内部中框板的成型方法及其该内部中框板
DE102014217186A1 (de) * 2014-08-28 2016-03-03 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers und Schaltungsträger für elektronische Bauelemente
CN104363697B (zh) * 2014-10-16 2017-12-29 金壬海 陶瓷填充介质铝衬底覆铜板及其制造方法
DE102015201927A1 (de) 2015-02-04 2016-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Kaltgasspritzen mit Maske
JP6400501B2 (ja) * 2015-02-18 2018-10-03 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス回路基板の製造方法
JP6370257B2 (ja) * 2015-04-27 2018-08-08 三菱電機株式会社 半導体装置
KR102424402B1 (ko) 2015-08-13 2022-07-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP6454262B2 (ja) 2015-12-24 2019-01-16 タツタ電線株式会社 半田接続構造、および成膜方法
DE102016001810A1 (de) * 2016-02-17 2017-08-17 Häusermann GmbH Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit verstärkter Kupferstruktur
US9532448B1 (en) * 2016-03-03 2016-12-27 Ford Global Technologies, Llc Power electronics modules
CN106158764A (zh) * 2016-08-30 2016-11-23 无锡新洁能股份有限公司 功率模块用底板及功率模块
US11160172B2 (en) * 2017-01-17 2021-10-26 Denka Company Limited Method for producing ceramic circuit board
CN110476244B (zh) 2017-03-31 2023-11-03 罗姆股份有限公司 功率模块及其制造方法
JP7299671B2 (ja) * 2017-08-04 2023-06-28 デンカ株式会社 セラミックス回路基板
JP7369508B2 (ja) * 2017-08-04 2023-10-26 デンカ株式会社 セラミックス回路基板
WO2019036304A1 (en) * 2017-08-18 2019-02-21 Thin Film Electronics Asa SPRAY-COATED DETECTION LINES, SAFETY AND / OR IDENTIFICATION LABELS AND DEVICES COMPRISING THE SAME, AND METHODS OF MAKING
US11152318B2 (en) * 2017-11-22 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US11935662B2 (en) 2019-07-02 2024-03-19 Westinghouse Electric Company Llc Elongate SiC fuel elements
JP7440621B2 (ja) 2019-09-19 2024-02-28 ウェスティングハウス エレクトリック カンパニー エルエルシー コールドスプレー堆積物のその場付着試験を行うための装置及びその使用方法
DE102019215793A1 (de) * 2019-10-14 2021-04-15 Vitesco Technologies GmbH Verdrahtungssubstrat für ein Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Verdrahtungssubstrats
DE102020202607A1 (de) 2020-02-28 2021-09-02 Siemens Aktiengesellschaft Elektronikmodul, Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls und Industrieanlage
KR102707682B1 (ko) 2020-03-19 2024-09-19 삼성전자주식회사 반도체 모듈
DE102020109557B3 (de) * 2020-04-06 2021-07-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zur herstellung eines halbleitergehäuses, halbleitergehäuse und eingebettetes pcb-modul
CN111867259A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 南京凯泰化学科技有限公司 一种陶瓷覆铜板的制备方法
CN115004359A (zh) * 2020-08-28 2022-09-02 富士电机株式会社 半导体装置
JP7567432B2 (ja) * 2020-12-15 2024-10-16 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板、および、絶縁回路基板の製造方法
JP2024162622A (ja) 2023-05-11 2024-11-21 富士電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5933894A (ja) * 1982-08-19 1984-02-23 電気化学工業株式会社 混成集積用回路基板の製造法
US4811166A (en) * 1986-07-02 1989-03-07 Texas Instruments Incorporated Heat dissipating member for mounting a semiconductor device and electrical circuit unit incorporating the member
JPS6351690A (ja) 1986-08-20 1988-03-04 松下電工株式会社 セラミツク配線基板の製法
JPS63112969A (ja) 1986-10-31 1988-05-18 Yoshio Murata 麦茶及びその製造方法
JPH0831546B2 (ja) 1987-07-22 1996-03-27 電気化学工業株式会社 ハイパワ−用回路基板及びその混成集積回路
US5348683A (en) * 1990-02-06 1994-09-20 Olin Corporation Chloric acid - alkali metal chlorate mixtures and chlorine dioxide generation
DE69233801D1 (de) * 1991-07-24 2011-02-17 Denki Kagaku Kogyo Kk Verfahren zur Herstellung eines Schaltungssubstrates mit einem montierten Halbleiterelement
JP2772184B2 (ja) * 1991-11-07 1998-07-02 株式会社東芝 半導体装置
US5393568A (en) * 1992-02-28 1995-02-28 Thomas J. Valente Metalized coating process
KR100223504B1 (ko) * 1992-08-28 1999-10-15 다카노 야스아키 혼성 집적 회로 장치
JPH0778901A (ja) 1993-06-18 1995-03-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体デバイス
JPH07122696A (ja) 1993-10-27 1995-05-12 Nippon Steel Corp 半導体装置
US6570099B1 (en) * 1999-11-09 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal conductive substrate and the method for manufacturing the same
DE19963264B4 (de) 1999-12-17 2007-05-31 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Trägermaterial für elektronische Hochleistungs-Bauelemente in SMD-Bauform und ein damit hergestelltes elektronisches Hochleistungs-Bauelement
JP2002012653A (ja) 2000-07-03 2002-01-15 Denki Kagaku Kogyo Kk 硬化性樹脂組成物及びそれを用いた金属ベース回路基板
JP2002033558A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板とその製造方法
JP4187062B2 (ja) 2000-08-24 2008-11-26 電気化学工業株式会社 金属ベース回路基板
JP4536240B2 (ja) 2000-10-10 2010-09-01 電気化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物及びそれを用いた金属ベース回路基板
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP2003229508A (ja) 2001-11-28 2003-08-15 Nitto Shinko Kk 高放熱性絶縁基板及びこれを用いたモジュール
US6808817B2 (en) * 2002-03-15 2004-10-26 Delphi Technologies, Inc. Kinetically sprayed aluminum metal matrix composites for thermal management
US6627814B1 (en) * 2002-03-22 2003-09-30 David H. Stark Hermetically sealed micro-device package with window
JP2003309292A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
US7476422B2 (en) * 2002-05-23 2009-01-13 Delphi Technologies, Inc. Copper circuit formed by kinetic spray
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4023397B2 (ja) 2003-04-15 2007-12-19 富士電機機器制御株式会社 半導体モジュールおよびその製造方法
DE10331208A1 (de) * 2003-07-10 2005-02-10 Newspray Gmbh Verfahren und Anordnung zur Isolierung eines Kühlkörpers
US7232957B2 (en) * 2003-09-25 2007-06-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same
US7128948B2 (en) * 2003-10-20 2006-10-31 The Boeing Company Sprayed preforms for forming structural members
US20050147742A1 (en) * 2004-01-07 2005-07-07 Tokyo Electron Limited Processing chamber components, particularly chamber shields, and method of controlling temperature thereof
US20060093736A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Derek Raybould Aluminum articles with wear-resistant coatings and methods for applying the coatings onto the articles

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