JP4379973B2

JP4379973B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JP4379973B2
Application number: JP28522099A
Authority: JP
Inventors: 隆八木澤
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1999-10-06
Filing date: 1999-10-06
Publication date: 2009-12-09
Anticipated expiration: 2019-10-06
Also published as: JP2001106872A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形性、耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止材料への要求は益々厳しいものとなってきている。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきている現状では、吸湿した半導体装置が半田処理時に高温にさらされ、気化した水蒸気の爆発的応力によりパッケージにクラックが発生したり、あるいは半導体素子やリードフレームと半導体封止材料との界面に剥離が発生することにより、電気的信頼性を大きく損なう不良が生じ、これらの不良の防止、即ち耐半田性の向上が大きな課題となっていた。更に、近年の環境問題に対して、半導体装置の実装に用いる半田に含まれる鉛を無くする方向になってきており、それに伴い、半田処理の温度が上昇することが確実視されており、耐半田特性はより厳しくなると考えられる。
【０００３】
この耐半田性の向上のために、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は無機充填材を多量に配合することにより、これを用いて得られる半導体装置の低吸湿化、低熱膨張化、高強度化を図ってきている。このため、エポキシ樹脂としては低粘度型のものや、常温では結晶性であるが融点を越えると極めて低粘性を示す結晶性エポキシ樹脂を使用して、無機充填材の配合量の増加に伴うエポキシ樹脂組成物の成形時の流動性の低下を防止する手法が一般的にとられている。
一方、半田処理による信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は非常に重要となってきている。この界面との接着力が弱いと半田処理後の基材との界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因するパッケージクラックが発生する原因となっている。このため、無機充填材を多量に配合しても成形時の低粘度・高流動を実現でき、且つ接着性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、成形性、吸湿後の半田処理において耐半田クラック性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂中に含まれる前記結晶性エポキシ樹脂の割合が１００重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置である。
【化６】
（式中のＲ_１、Ｒ_２は、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれもｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる結晶性エポキシ樹脂としては種々の樹脂があるが、これらの内では融点１５０℃未満のものが好ましい。１５０℃を越えると、溶融混練時に十分に融解せず均一分散できないので、この溶融混合物を用いた樹脂組成物の成形品は不均一となり、強度が各部分によって異なるために半導体装置の性能が低下するので好ましくない。これらの条件を満たす結晶性エポキシ樹脂としては、例えば、一般式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂、一般式（３）のビスフェノール型エポキシ樹脂、一般式（４）のスチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【化７】
（式中のＲ₃は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数）
【０００７】
【化８】
【０００８】
【化９】
（式中のＲ₆は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。Ｒ₇は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数）
【０００９】
一般式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジメチルビフェニル、又は４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフェニル等（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジルエーテル化物が挙げられる。
【００１０】
一般式（３）のビスフェノール型エポキシ樹脂としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ターシャリブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、又はビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド等のグリシジルエーテル化物が挙げられる。
【００１１】
一般式（４）のスチルベン型エポキシ樹脂としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジメチルスチルベン、又は４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等（置換位置の異なる異性体を含む）のグリシジルエーテル化物が挙げられる。
【００１２】
これらの内では、入手のし易さ、性能、原料価格等の点から、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィドのグリシジルエーテル化物（以上７種のエポキシ樹脂を、以下ａ群という）、３−ターシャリブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物（以上３種のエポキシ樹脂を、以下ｂ群という）、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、又は４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物（以上６種のエポキシ樹脂を、以下ｃ群という）から選択される１種以上が好ましい。
【００１３】
ａ群の内、ビフェニル型エポキシ樹脂では、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む４，４’−ジヒドロキシビフェニルの骨格が含まれているものが特に好ましく、４，４’−ジヒドロキシビフェニルのグリシジルエーテル化物が最も好ましい。その他のａ群では、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィドのグリシジルエーテル化物が特に好ましい。
又、スチルベン型エポキシ樹脂では、ｂ群から選ばれる１種以上と、ｃ群から選ばれる１種以上との混合物が、融点が低くなるため好ましい。これらの混合比、混合方法等は特に限定しない。例えば、スチルベン型エポキシ樹脂の原料であるスチルベン型フェノール類をグリシジルエーテル化する前に混合しておいたり、両方のスチルベン型エポキシ樹脂を溶融混合する方法等がある。
又、耐湿信頼性向上のために、本発明に使用される結晶性エポキシ樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオンは、極力少ないことが望ましい。
又、本発明の結晶性エポキシ樹脂の特性を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用しても良い。併用可能なエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【００１４】
本発明に用いられる一般式（１）で示されるフェノール樹脂は、例えばビス（メトキシメチル）ビフェニル及びビス（メトキシメチル）ベンゼンとフェノール類をフリーデル・クラフツ・アルキル化反応により重合させて得られる。
一般式（１）で示されるフェノール樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物は、ガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低く、低吸湿性であるため表面実装の半田付け時における熱ストレスを低減させることができ耐半田クラック性、半田処理後の基材との密着性に優れた特徴を有している。この樹脂は、一般式（６）のジフェニレン骨格のみを含むフェノールアラルキル樹脂に比べ、樹脂組成物の硬化性が向上し成形性に優れている。又、一般式（７）のフェニレン骨格のみを含むフェノールアラルキル樹脂に比べ、樹脂組成物の硬化物は低吸湿性、熱時低弾性の特徴を有し、接着強度、耐湿信頼性に優れている。又、一般式（６）のジフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹脂と一般式（７）のフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹脂を単に混合した場合は、硬化性の高い一般式（７）のフェノールアラルキル樹脂が硬化網目構造を先に形成し、硬化性の低い一般式（６）のフェノールアラルキル樹脂が硬化時に取り残されるため、成形品表面と金型との界面に一般式（６）のフェノールアラルキル樹脂がブリードし、金型や成形品表面に汚れを発生したり、硬化網目構造が不均一なため曲げ強度等の機械的特性が低下する。これに対し１分子中にジフェニレン構造とフェニレン構造の両者を有する一般式（１）で示されるフェノール樹脂は、両方の樹脂の特徴をバランス良く有しており、均一な硬化挙動と均一な硬化物構造を形成する。
【００１５】
【化１０】
【００１６】
【化１１】
一般式（１）中のＲ₁、Ｒ₂は、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれもｍ、ｎ＝１〜１０の正数である。いずれかが１０を越えると流動性が劣り好ましくない。より好ましいｍ、ｎは１〜５である。
ｍとｎの合計に対するｍの割合は、０．１〜０．９が好ましい。０．１未満だと高温時の弾性率の低下が小さくなり、硬化性が悪く、０．９を越えると硬化性が悪くなる傾向にある。更に、一般式（１）の内では、硬化性、流動性、高温時の弾性率等のバランスから式（５）で示される樹脂が好ましい。
【００１７】
【化１２】
一般式（１）で示されるフェノール樹脂の１５０℃での溶融粘度としては、０．１〜１．５ポイズが好ましい。１．５ポイズを越えると、溶融時の流動性が低下することによる。本発明のフェノール樹脂の１５０℃での溶融粘度は、ＩＣＩ粘度計（コーン＆プレート型）を用いて測定したものである。
一般式（１）で示されるフェノール樹脂は、その特性が損なわれない範囲で他のフェノール樹脂と併用してもかまわないが、このフェノール樹脂の配合量を調節することにより、耐半田クラック性を最大限に引き出すことができる。耐半田クラック性の効果を引き出すためには、一般式（１）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂量に対して３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上の使用が望ましい。３０重量％未満だと高温時の低弾性化及び接着性が十分に得られず、耐半田クラック性が不十分となるおそれがある。
併用するフェノール樹脂としては、分子内にフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂等が挙げられる。又、これらのフェノール樹脂は、単独もしくは混合して用いても差し支えない。
全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ましくは０．５〜２．０、特に好ましくは０．７〜１．５である。０．５〜２．０の範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下するので好ましくない。
【００１８】
本発明で用いられる無機充填材の種類については特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。形状は限りなく真球状であることが好ましく、又、粒子の大きさの異なるものを混合することにより充填量を多くすることができる。
この無機充填材の配合量としては、全樹脂組成物中に７５〜９４重量％が好ましい。７５重量％未満だと、無機充填材による補強効果が十分に発現せず、且つ吸湿要因である樹脂成分の配合量が多くなるので、樹脂組成物の硬化物の吸湿量が増大してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラックが発生しやすくなるため好ましくない。９４重量％を越えると、樹脂組成物の流動性が低下し、成形時に充填不良やチップシフト、パッドシフト、ワイヤースイープが発生しやすくなるため好ましくない。
本発明の無機充填材は、必要に応じて無機充填材をカップリング剤やエポキシ樹脂或いはフェノール樹脂で予め処理して用いても良く、処理の方法としては、溶剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や、直接無機充填材に添加し混合機を用いて処理する方法等がある。
【００１９】
本発明で用いられる硬化促進剤としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進するものであれば良く、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支えない。
【００２０】
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、加熱ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明の樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
【００２１】
【実施例】
以下、本発明を実施例で具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
実施例１
式（８）の構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂（融点１０５℃、エポキシ当量１９１ｇ／ｅｑ．、以下ＢＥＰ−１という）５．６重量部
【式１３】
【００２２】
をミキサーを用いて常温で混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、冷却後粉砕して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表２に示す。
【００２３】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で測定した。単位はｃｍ。
バコール硬度：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で１６ｐＳＯＰを成形した。金型が開いて１０秒後の成形品の表面硬度をバコール硬度計＃９３５を用いて測定した。
吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形品を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、得られた成形品を８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定して吸湿率を求めた。単位は重量％。
熱時強度：熱時曲げ強度、及び熱時曲げ弾性率をＪＩＳＫ６９１１に準じて（２４０℃で）測定した。単位はいずれもＮ／ｍｍ²。
熱時密着性：トランスファー成形機を用いて１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で、せん断接着力測定用の成形品（円錐状。上面の直径９ｍｍ、下面の直径１１ｍｍ、高さ５ｍｍ、円錐の下面は銅基板と一体化）を成形し、更に１７５℃、８時間で後硬化した。引張り試験機を用いて、基材を固定し、２４０℃で成形品の部位に横から加重をかけ、引き剥がすまでにかかった荷重を測定した。せん断接着力の単位はＮ／ｍｍ²。
耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で１００ｐＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、半導体素子のサイズは８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％で１６８時間放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージを観察し、外部クラック発生率［（クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を算出した。単位は％。又、半導体素子と樹脂組成物の硬化物の剥離面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（半導体素子面積）×１００］を求めた。単位は％。
【００２４】
実施例２〜７
表２の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表２に示す。
比較例１〜７
表３の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価を行った。結果を表３に示す。
なお、実施例、比較例に用いたエポキシ樹脂、フェノール樹脂の性状を以下に示す。式（５）で示されるフェノール樹脂（ＰＮ−１〜３）については、ｍとｎの合計に対するｍの割合、ｍ／ｎ比率及び特性を表１に示す。
式（９）の構造を主成分とするスチルベン型エポキシ樹脂（融点１１０℃、エポキシ当量１８７ｇ／ｅｑ．、以下ＳＥＰ−１という）、
式（１０）の構造を主成分とするスチルベン型エポキシ樹脂（融点１４５℃、エポキシ当量２３０ｇ／ｅｑ．、以下ＳＥＰ−２という）
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃、エポキシ当量１９６ｇ／ｅｑ．、以下ＥＯＣＮ−１という）
式（１１）のフェノール樹脂（軟化点７５℃、水酸基当量１７４ｇ／ｅｑ．、以下ＰＸ−１という）
式（１２）のフェノール樹脂（軟化点９０℃、水酸基当量１９４ｇ／ｅｑ．、以下ＢＰ−１という）
フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．）
上記式（９）〜（１２）の樹脂構造を以下に示す。
【化１４】
【００２５】
【化１５】
【００２６】
【化１６】
【００２７】
【化１７】
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【発明の効果】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、低溶融粘度、高接着性を有し、これを用いて封止された半導体装置は吸湿後の耐半田クラック性に優ている。

Claims

（Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂中に含まれる前記結晶性エポキシ樹脂の割合が１００重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（式中のＲ_１、Ｒ_２は、炭素数１〜４のアルキル基の中から選択される同一もしくは異なる基、ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数、ｍ、ｎは平均値で、いずれもｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
結晶性エポキシ樹脂が、一般式（２）、一般式（３）又は一般式（４）から選ばれる１種以上である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（式中のＲ_３は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数）
（式中のＲ_６は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。Ｒ_７は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲンの中から選択される原子又は基を表し、それらは同一もしくは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数）
結晶性エポキシ樹脂が、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、もしくはビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィドのグリシジルエーテル化物、又は３−ターシャリブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物の３種から選ばれる１種以上と４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、もしくは４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物の６種から選ばれる１種以上との混合物である請求項１、又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
一般式（１）で示されるフェノール樹脂が、式（５）である請求項１、２又は３記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（ｍ、ｎは平均値で、いずれもｍ、ｎ＝１〜１０の正数）
一般式（１）で示されるフェノール樹脂の１５０℃における溶融粘度が０．１〜１．５ポイズである請求項１、２、３、又は４記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
請求項１〜５記載のいずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。