JP4010504B2 - マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機 - Google Patents
マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4010504B2 JP4010504B2 JP2003159744A JP2003159744A JP4010504B2 JP 4010504 B2 JP4010504 B2 JP 4010504B2 JP 2003159744 A JP2003159744 A JP 2003159744A JP 2003159744 A JP2003159744 A JP 2003159744A JP 4010504 B2 JP4010504 B2 JP 4010504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- amplifier
- transmission
- communication system
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/403—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
- H04B1/406—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency with more than one transmission mode, e.g. analog and digital modes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
- H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6688—Mixed frequency adaptations, i.e. for operation at different frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯電話や無線通信機のフロントエンド部で使用されるマルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、１台の携帯電話機内に、複数の通信システムの送受信系を搭載し、地域性や利用目的に応じて選択することができるマルチバンド方式の携帯電話が採用されている。マルチバンド方式の携帯電話機では、各通信システムの送受信回路と、通信システムの周波数帯を分波する分波回路とを構成する必要があるが、各部品を個別に搭載して構成すれば、携帯電話機が大型化し、また高コスト化につながる。
【０００３】
このような問題に対して、例えば特許文献１に示すようなマルチバンド用送受信機が開示されている。このマルチバンド用送受信機は、分波回路、各通信システムの送受信回路の切換を行うスイッチ回路、送信信号の増幅を行うための電力増幅器、電力増幅器の出力もモニタするためのカプラを一体にしたもので、分波回路、スイッチ回路、カプラ及び電力増幅器の整合回路部分を誘電体基板内に形成し、この基板上にダイオード、電力増幅器の増幅回路等の素子を搭載した構造になっており、マルチバンド用携帯電話機の高周波回路部の小型化、低コスト化を実現している。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−８４７０号公報
【０００５】
特許文献１のマルチバンド用送受信機は、GSM、DCSといったTDMA(時分割多重接続)方式による通信方式の場合に限定され、CDMA(符号分割多重接続)方式を含む場合には使用することができない。
【０００６】
CDMA方式を含むマルチバンド用携帯電話機に使用可能なマルチバンド用送受信機を実現するには、特許文献１のマルチバンド用送受信機のスイッチ回路部を、送信用フィルタ、受信用フィルタ、フィルタ間の整合回路からなるアンテナ共用器に置き換えればよい。送信用フィルタ、受信フィルタとしては、SAWフィルタを用いるのが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
SAWフィルタは基本的には圧電基板と、この基板表面に形成された導体薄膜からなるすだれ状電極から構成される。圧電基板としては特性の優れた材料が選択されるが、現在携帯電話用SAWフィルタの実用に供されている圧電基板は数十ppm台の温度特性を有している。また、すだれ状電極の導体としてはAlあるいはAl合金等の薄膜が使用されるが、本発明の係わるアンテナ共用器では比較的大きな電力を処理するためSAWフィルタの破壊が問題となる。このSAWフィルタの破壊は、弾性表面波の励振、伝播によるストレスマイグレーションですだれ状電極が劣化することで発生し、温度により破壊が加速される傾向がある。
ところが、上記マルチバンド用送受信機の場合、搭載基板上に増幅回路用半導体素子、SAWフィルタを搭載する構造となり、携帯電話機が通話状態にあるとき、SAWフィルタには増幅回路から発生する熱が伝達する。その結果、熱の影響によるSAWフィルタの特性劣化が起こり、高温状態でSAWフィルタに高出力信号が入力された場合、SAWフィルタが破壊されやすくなる等、信頼性の著しい低下が予想される。
【０００８】
またSAWフィルタの周波数特性に対する温度の影響を防止する技術として、圧電基板表面あるいは電極を形成した圧電基板表面に、圧電基板材料と異なる温度特性を有する材料層を形成して、温度特性を改善する技術がある。
例えば、高周波用途で広く使用されているYカット-X伝搬タンタル酸リチウム単結晶（Y-X LiTaO3）の場合、周波数温度係数は-35ppm程度であり環境温度が上昇すると周波数特性は低周波側にシフトするが、逆の温度特性を有する材料として例えば二酸化珪素（SiO2）薄膜を表面に形成すれば、互いの温度特性が相殺してフィルタの温度特性を向上できることが知られている。この場合、SiO2の膜厚は温度特性を相殺するのに最適な値が選択され、通常フィルタの電極で励振されるSAW波長の数パーセントから数十パーセントの膜厚が使用される。
しかし上記のような温度特性の改善手段では、表面に温度特性補正用の薄膜を付加形成することになるため、この薄膜の厚さがSAWの励振・伝播特性に影響を及ぼすことになり、現在の技術では膜厚を充分制御することが出来ていないため特性ばらつきの原因となっている。
このようなプロセスに起因する特性ばらつきは、SAWフィルタの量産上大きな問題になるため、SAWフィルタを使用した送受信機において熱の影響を抑え一層の安定した性能を実現するには、上記のような薄膜形成によらない改善手段が強く要望されている。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するもので、増幅回路用半導体素子の発熱によるマルチバンド用送受信機全体の性能劣化を防止することを目的とする。
さらに小型、低コストかつ高信頼性を有するマルチバンド用送受信機を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のマルチバンド用送受信機は、複数の周波数バンドの送受信信号を同一アンテナで共用する機能を有するマルチバンド用送受信機において、前記複数の周波数バンドのうち、低周波数の通信システムに対応した送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器と、高周波数の通信システムに対応し、前記フィルタとは異なる温度特性を有する送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器とを同一基板上に実装し、前記送信フィルタに繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記複数の増幅器は前記基板上に略一群に配置し、前記複数の送受信フィルタは、温度特性に優れる順に前記増幅器群に近接配置すると共に、前記増幅器群からより遠い位置にある送受信フィルタが、前記複数の周波数バンドの内、より低周波数の通信システムに対応するものであることを特徴とする。
【００１１】
本発明のマルチバンド用送受信機は、複数の周波数バンドの送受信信号を同一アンテナで共用する機能を有するマルチバンド用送受信機において、前記複数の周波数バンドのうち、低周波数の通信システムに対応した送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器と、高周波数の通信システムに対応し、前記フィルタとは異なる温度特性を有する送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器とを同一基板上に実装し、前記送信フィルタに繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記複数の増幅器は前記基板上に略一群に配置し、前記複数の送受信フィルタは、温度特性に優れる順に前記増幅器群に近接配置するとともに、前記増幅器群に最近接配置された送受信フィルタとこの送受信フィルタに対応する周波数バンドで動作する増幅器との間に他の増幅器を少なくとも１つ配置し、前記増幅器群からより遠い位置にある送受信フィルタが、前記複数の周波数バンドの内、より低周波数の通信システムに対応するものであることを特徴とする。
【００１２】
本発明のマルチバンド用送受信機は、第１の通信システムの送受信を行うための第１の共用器（ Dup1 ）と、第２の通信システムの送受信を行うための第２の共用器（ Dup2 ）と、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための第１の増幅器（ PM1 ）と、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための第２の増幅器（ PM2 ）と、第１の通信システムと、第２の通信システムの周波数帯を切り換えるための周波数切換回路（ Dip ）からなり、前記第１の共用器（ Dup1 ）を構成する第１の送信フィルタ（ S1 ）と、前記第１の共用器を形成する第１の受信フィルタ（ S2 ）と、前記第２の共用器（ Dup2 ）を構成する第２の送信フィルタ（ F1 ）と、前記第２の共用器を形成する第２の受信フィルタ（ F2 ）と、前記第１の増幅器（ PM1 ）と、前記第２の増幅器（ PM2 ）とを同一基板上に搭載するマルチバンド用送受信機において、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）と第２の送信フィルタ（ F1 ）の夫々に繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記第１の通信システムは、第２の通信システムより低周波数の通信システムであり、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）は、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）よりも温度特性に劣っており、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離が、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離よりも大きくなるように配置したことを特徴とする。
【００１３】
本発明のマルチバンド用送受信機は、第１の通信システムの送受信を行うための第１の共用器（ Dup1 ）と、第２の通信システムの送受信を行うための第２の共用器（ Dup2 ）と、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための第１の増幅器（ PM1 ）と、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための第２の増幅器（ PM2 ）と、第１の通信システムと、第２の通信システムの周波数帯を切り換えるための周波数切換回路（ Dip ）からなり、前記第１の共用器（ Dup1 ）を構成する第１の送信フィルタ（ S1 ）と、前記第１の共用器を形成する第１の受信フィルタ（ S2 ）と、前記第２の共用器（ Dup2 ）を構成する第２の送信フィルタ（ F1 ）と、前記第２の共用器を形成する第２の受信フィルタ（ F2 ）と、前記第１の増幅器（ PM1 ）と、前記第２の増幅器（ PM2 ）とを同一基板上に搭載するマルチバンド用送受信機において、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）と第２の送信フィルタ（ F1 ）の夫々に繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記第１の通信システムは、第２の通信システムより低周波数の通信システムであり、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）は、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）よりも温度特性に劣っており、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離が、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離よりも大きくなるように配置し、かつ、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び前記第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び前記第２の増幅器（ PM2 ）との間に前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び前記第２の受信フィルタ（ F2 ）を配置したことを特徴とする。
【００１５】
本発明のマルチバンド用送受信機は、各周波数バンドに対応する送信フィルタ、受信フィルタ間の整合をとるための整合回路と、前記増幅器の整合回路の少なくとも一部と、周波数バンドの切換を行うための周波数切換回路の少なくとも一部を前記基板の表面もしくは内部に配置することが望ましい。
【００１６】
本発明のマルチバンド用送受信機は、前記増幅器群と前記近接配置されたフィルタとの間及び／又は前記近接配置されたフィルタと他のフィルタとの間にスルーホールを介してグランド電極に通じる電極パターンを前記基板を構成する誘電体層に形成することが望ましい。
また、本発明のマルチバンド用送受信機は、前記基板の表面または裏面の少なくとも一方に前記送信フィルタ、前記受信フィルタ、前記増幅器のうち、少なくとも１つを収納するための凹部を設けることができる。
【００１７】
本発明のマルチバンド用送受信機は、前記基板がセラミックス基板あるいは樹脂基板のいずれかで形成されることが望ましい。
【００１８】
本発明のマルチバンド用送受信機の前記セラミックスの材質が低温焼成セラミックスであることが望ましい。
【００１９】
本発明のマルチバンド用送受信機は、前記基板が樹脂とセラミックスの複合材料であることが望ましい。
【００２０】
本発明の無線通信機は、複数の周波数バンドにおける送受信機能を有する無線通信機において、アンテナと、前記複数の周波数バンドに対応した複数の高周波回路との間に本発明のマルチバンド用送受信機を配置し、上記高周波回路と上記マルチバンド用送受信機の動作条件を通信に用いる周波数バンドに応じて制御する制御部を具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明の無線通信機は、複数の周波数バンドにおける送受信機能を有する無線通信機において、アンテナと、上記複数の周波数バンドに対応した複数の高周波回路との間に本発明のマルチバンド用送受信機を配置し、上記高周波回路と上記マルチバンド用送受信機の動作条件を通信に用いる周波数バンドに応じて制御する制御部を具備し、該制御部は前記増幅器群に最近接配置されたフィルタに対応する周波数バンドで通信する場合に、上記最近接配置されたフィルタに最近接する増幅器以外の増幅器を動作するように制御することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第１の実施形態を図１〜図６に示す。
図１はマルチバンド用送受信機の回路図で、図２は本実施例の斜視図である。図３は本実施例の上面図である。図４は本実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解図である。図５、図６は本実施例の斜視図である。本実施例のマルチバンド用送受信機は図１に示すように、周波数切換回路である分波器Dipと第１の通信システムのアンテナ共用器Dup１と第２の通信システムのアンテナ共用器Dup２と第１の通信システムの送信信号を増幅するための第１の増幅器PM１と第２の通信システムの送信信号を増幅するための第２の増幅器PM２で構成される。分波器DipはコンデンサC１、C２、C３、インダクタL１で構成される低域通過フィルタがANT端子とDup１の共通端子com１との間に接続され、コンデンサC４、C５、インダクタL２で構成される高域通過フィルタがANT端子とDup２の共通端子com２との間に接続されることで構成される。本実施例では第１の通信システムと第２の通信システムの通信周波数帯が１０００MHzほど離れており、第１の通信システムが低周波数側、第２の通信システムが高周波数側の帯域を用いている。Dup１は２つのフィルタS１、S２、整合回路mc１からなり、Dup２は２つのフィルタF１、F２、整合回路mc３からなる。また、PM１は増幅回路P１、整合回路mc２、C８からなり、PM２は増幅回路P２、整合回路mc４、C９からなる。本実施例では、S１、S２はSAWフィルタ、F１、F２はFBARフィルタで構成されている。
【００２３】
第１の通信システムを利用するときは、送信端子Tx１より入力された送信信号が増幅器PM１の増幅回路P１で増幅されDup１のフィルタS１に入力される。PM１の整合回路mc２、C８はP１とDup１のフィルタS１とのインピーダンス整合を取るための回路で、P１で増幅した送信信号を効率よくS１へ伝達するための回路である。コンデンサC６は増幅器PM１からの直流電流をカットするためのものである。S１は低損失で分波器へ信号を伝達する。このとき、フィルタS１から見たフィルタのS２のインピーダンスは整合回路mc１の効果により、高インピーダンスとなり、送信信号が受信端子Rx１へ漏洩することはない。Dup１より分波器Dipへ入力された送信信号はANT端子へ出力され、アンテナより空中へ放射される。このとき分波器Dipの高域通過フィルタは送信信号を減衰させる働きをもつので、第２の通信システム側の回路への漏洩は少なくなり、携帯電話機の誤作動を防ぐことができる。
【００２４】
一方アンテナより受信した受信信号はANT端子より分波器Dipへ入力される。受信信号は分波器Dipの低域通過フィルタからDup１の整合回路mc１を介してフィルタS２ヘ入力される。S２は低損失で受信端子Rx１へ伝達する。このときS２から見たS１のインピーダンスは極めて高インピーダンスとなり、受信信号が増幅器PM１へ漏洩することはない。
【００２５】
第２の通信システムを利用するときは、送信端子Tx２より入力された送信信号が増幅器PM２の増幅回路P２で増幅されDup２のフィルタF１に入力される。PM２の整合回路mc４、C９はP２とDup２のフィルタF１とのインピーダンス整合を取るための回路で、P２で増幅した送信信号を効率よくF１へ伝達するための回路である。C７は増幅器PM２からの直流電流をカットするためのものである。F１は低損失で分波器へ信号を伝達する。このとき、フィルタF１から見たフィルタのF２のインピーダンスはDup２の整合回路mc３の効果により、極めて高インピーダンスとなり、送信信号が受信端子Rx２へ漏洩することはない。Dup２より分波器Dipへ入力された送信信号はANT端子へ出力され、アンテナより空中へ放射される。このとき分波器Dipの低域通過フィルタは送信信号を減衰させる働きをもつので、第１の通信システム側の回路への漏洩は少なくなり、携帯電話機の誤作動を防ぐことができる。
【００２６】
一方アンテナより受信した受信信号はANT端子より分波器Dipへ入力される。受信信号は分波器Dipの高域通過フィルタから、Dup２の整合回路mc３を介してフィルタF２ヘ入力される。F２は低損失で受信端子Rx２へ伝達する。このときF２から見たF１のインピーダンスは高インピーダンスとなり、受信信号が増幅器PM２へ漏洩することはない。
【００２７】
図２に本実施例の斜視図を示す。本実施例のマルチバンド用送受信機は、搭載基板１上面にDup１のフィルタS１、S２、Dup２のフィルタF１、F２、増幅器PM１の増幅回路P１、増幅器PM２の増幅回路P２、増幅器の直流カットコンデンサC６、C７を形成するチップ素子２、分波器DipのコンデンサC４、C５、C６、インダクタL１を形成するチップ素子３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS１、S２との間にSAWフィルタと比較して熱特性の優れたFBARフィルタF１、F２を配置している。各フィルタ及び増幅回路は搭載基板上に接着材等で固着される。また、各フィルタ、増幅器の周囲には電極４が配置され、電極４とフィルタの入出力電極、グランド電極をワイヤ５で接続する。これにより、各フィルタ及び増幅回路が、搭載基板内の回路と接続される。
【００２８】
この配置方法であると、P１、P２より発生する熱が、FBARフィルタF１、F２が途中に配置されているためにSAWフィルタS１、S２へ伝達しにくくなる。従って、長時間使用してもSAWフィルタの特性劣化、高温下における、SAWフィルタの耐電力性の劣化によるSAWフィルタの破壊の心配が極めて少なくなる。一方で、FBARフィルタはAlなどの導電性材料で構成される平板状薄膜電極の間にAlNあるいはZnO等の圧電体で構成される膜を配置し、この圧電体膜の振動を利用するものである。したがって、圧電基板上に微細なすだれ上薄膜電極を構成するSAWと比較して高温状態における耐電力性がSAWに比較して優れている。そのため、増幅器より高出力の信号が入力されても破壊される心配は無い。
【００２９】
図３は本実施例の上面図である。搭載基板１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc１、mc３、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部、分波器Dipの一部が形成されている。搭載基板１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc１、mc２、mc３、mc４、L２がストリップライン電極として形成され、C１、C２、C３は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成される。本実施例ではmc１を破線で囲んだ領域６に形成し、mc３を破線で囲んだ領域７に形成する。分波器回路の一部L２、C１、C２、C３を破線で囲んだ領域８に形成する。
【００３０】
図４は本実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解図である。誘電体シート１a上面には電極９a、９b、１３a、１３b、１４a、１４b、１５a、１５bが形成されている。電極１３a、１３bはそれぞれSAWフィルタS２、S１を、電極１４a、１４bはそれぞれFBARフィルタF１、F２を、電極１５a、１５bはそれぞれ増幅回路P２、P１を搭載するための電極である。電極１５a、１５bと誘電体シート１c下面に形成されたグランド電極１２はスルーホール１０により接続されている。これにより、増幅回路より発生する熱の一部を、スルーホール１０を通じて裏面グランド電極１２から携帯電話機のマザー基板へ逃がすことができる。電極９a、９bは、誘電体シート１b、１cに形成されたスルーホール９cと接続している。スルーホール９cはグランド電極１２と接続している。これにより、増幅回路より発生する熱を電極９a、９bからスルーホールを通じて裏面グランド電極１２から携帯電話機のマザー基板へと逃がすことができ、フィルタへの熱の伝達量を減少させることができる。特にSAWフィルタS１、S２と増幅回路との間には電極９a、９bの２つの電極を配置するので一層高い効果を得ることができる。
【００３１】
誘電体シート１b上面に形成された電極１１a、１１bはそれぞれ、整合回路mc４、mc２を形成するストリップライン電極である。一般に、通信周波数の低い第１の通信システムは、通信周波数が高い第２の通信システムに比べて、より長い増幅器の整合回路電極を必要とする。本実施例のフィルタの配置方法によれば、第１の通信システムのSAWフィルタと増幅回路との距離が、第２の通信システムのFBARフィルタと増幅回路との距離よりも大きくなっている。従って、整合回路mc２の長いストリップライン電極を効率よく形成することができる。
【００３２】
図５は本実施例の斜視図を示す。搭載基板１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材１６によって、SAWフィルタS１、S２、FBARフィルタF１、F２、増幅回路P１、P２を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができる。
【００３３】
図６は本実施例の別の気密封止方法を示す図である。SAWフィルタS１、S２、FBARフィルタF１、F２を樹脂材１６a、増幅回路P１、P２は樹脂材１６bでそれぞれ別に気密封止される。この方法であると、増幅回路より樹脂材を介してSAWフィルタに伝達する熱量が減少する。これによってSAWフィルタの熱による特性劣化の心配が一層減り、より信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００３４】
図７は本実施例の搭載方法の変形例である。この例では、増幅回路P1はFBARフィルタF1、F2に隣接して配置されるが、増幅回路P2はFBARフィルタF1、F２との間に増幅回路P1を介して配置される。この場合、第１の通信システムが動作中のとき、増幅回路P1とSAWフィルタS1、S2の間にはFBARフィルタF１、F２を介しているので、増幅回路P1からSAWフィルタS1、S2への熱の伝達を減少させることができる。
一方、第２の通信システムが動作中のとき、増幅回路P２とFBARフィルタF1、F2の間には増幅回路P1を介しているので、増幅回路P２からFBARフィルタF1、F2への熱の伝達を減少させることができる。この配置方法であると、各通信システムに対応するフィルタ、増幅回路との距離を大きくとれると共に、フィルタと増幅回路の間に他の通信システムのフィルタ或いは増幅回路を介することができるので、どちらの通信システムを使用する場合も安定して動作するマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００３５】
次に本発明に係る第２の実施形態を図８〜図１０に示す。図８は本実施例の斜視図、図９は本実施例の上面図、図１０は本実施例の斜視図を示す。本実施例では図８に示すように、搭載基板２１上面にDup１のフィルタS１、S２、Dup２のフィルタF１、F２、増幅器PM１の増幅回路P１、増幅器PM２の増幅回路P２、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部を形成するチップ素子２２、分波器Dipの一部を形成するチップ素子２３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS１、S２を搭載基板２１上面の対角線上に配置し、その間にFBARフィルタF１、F２を配置している。この配置方法であると、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS１、S２との間にFBARフィルタF１、F２を配置できると共に、P１、P２とS１、S２の距離をより大きくとることが可能で、増幅回路より発生する熱のSAWフィルタへの伝達をより減少させることができる。
【００３６】
図９は第２の実施例の上面図を示す。搭載基板２１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc１、mc３、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部、分波器Dipの一部が形成されている。搭載基板２１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc１、mc２、mc３、mc４、L２がストリップライン電極として形成され、C１、C２、C３は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成し内蔵される。本実施例ではmc１を破線で囲んだ領域２４の投影する下部層に形成し、同じくmc３を破線で囲んだ領域２５の下部層に形成する。また、分波器回路の一部L２、C１、C２、C３を破線で囲んだ領域２６の下部層に形成する。電極２７a、２７bはスルーホールにより裏面グランド電極と接続しており、増幅回路より発生する熱をスルーホールを通じて携帯電話機のマザー基板に逃がす効果を持つ。これにより、SAWおよびFBARフィルタへの熱の伝達を減少させることが可能となる。また、図示しないが、第１の実施例と同様にP１、P２搭載部から裏面グランド電極にかけて複数のスルーホールが形成されており、増幅回路より発生する熱の一部を携帯電話機のマザー基板へ伝えることができる。
【００３７】
図１０は本実施例の斜視図である。搭載基板２１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材２８aによってSAWフィルタS１、S２およびFBARフィルタF１、F２を、樹脂材２８bによって増幅回路P１、P２を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができる。また、増幅回路とフィルタをそれぞれ別の樹脂材で封止するので、増幅回路からSAWへの樹脂材を介しての熱の伝達が減り、マルチバンド用送受信機の信頼性が一層向上する。
【００３８】
次に本発明にかかる第３の実施例を図１１〜図１３に示す。図１１は本実施例の斜視図である。図１２は本実施例の上面から見た図で、図１３は本実施例の斜視図である。本実施例では図１１に示すように、搭載基板３１上面にDup１のフィルタS１、S２、Dup２のフィルタF１、F２、増幅器PM１の増幅回路P１、増幅器PM２の増幅回路P２、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部を形成するチップ素子３２a、３２b、分波器Dipの一部を形成するチップ素子３３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、FBARフィルタF2、SAWフィルタS１を搭載基板３１上面の一方の側部に列状に配置し、増幅回路P２、FBARフィルタF１、SAWフィルタS２を搭載基板３１上面のもう一方の側部に列状に配置し、チップ素子３３を搭載基板中央部に配置した構造になっている。そして、各列とも、増幅回路とSAWフィルタとの間にFBARフィルタを配置している。この配置方法であると、SAWフィルタS１、S２および、FBARフィルタF１、F２の距離を大きくとることができる。従って、フィルタ素子の接近して配置することで生じる干渉が減少し、各アンテナ共用器の送信端子から受信端子のアイソレーション特性が向上する。また、増幅回路P１、SAWフィルタS１および増幅回路P２、FBARフィルタF1を同列に配置しているので、増幅回路の整合回路mc２、mc４を効率よく配置することができる。
【００３９】
図１２は本実施例の上面からみた図である。上記実施例と同様に、搭載基板３１内部には整合回路の一部mc１〜mc４、分波器回路の一部を形成する。本実施例では破線で囲んだ領域３４に整合回路mc１を、領域３５に整合回路mc３を、領域３６に分波器回路の一部をそれぞれ誘電体シート内部に形成する。電極３７は、スルーホールにより裏面グランド電極に接続しており、増幅回路より発生する熱の一部をスルーホールを通じて裏面グランド電極から携帯電話機のマザー基板へ逃がす効果をもつ。これにより、フィルタへの熱の伝達を減少させることができる。
【００４０】
図１３は本実施例の斜視図を示す。本実施例では、増幅回路P１、SAWフィルタS１、FBARフィルタF２、チップ素子３２aを樹脂材３８aで、増幅回路P２、SAWフィルタS２、FBARフィルタF１、チップ素子３２bを樹脂材３８bでそれぞれ気密封止し、フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護する。
【００４１】
次に本発明にかかる第４の実施例を図１４に示す。図１４は本実施例の斜視図である。本実施例の構造は第１の実施例と同じであるが、搭載基板４１上面に凹部を設け、そこにフィルタS１、S２、F１、F２と、増幅回路P１、P２を収納する構造としている。搭載基板４１の各凹部は収納するフィルタ、増幅回路の厚さとほぼ同じであり、収納時に搭載基板上面とフィルタ、増幅回路の上面の高さがほぼ同じとなる。また、凹部の周囲には電極４４が配置されており、電極４４とフィルタ、増幅回路上面に設けられた接続端子とをワイヤ４５で接続する。このとき、電極４４とフィルタ、増幅回路の接続端子がほぼ同じ高さにあるのでワイヤを接続する作業を容易に行うことができる。また、第１の実施例と同様に樹脂材により気密封止した場合、フィルタ、増幅回路が凹部に収納されている分樹脂材の厚みを薄くすることができる。従って、より低背のマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００４２】
次に本発明に係る第５の実施例を図１５、図１６に示す。図１５は本実施例の斜視図を示し、図１６はその搭載基板の分解斜視図を示す。本実施例は第１の実施例の封止方法の変形例である。樹脂材５２はSAWフィルタS１、S２、FBARフィルタF１、F２のみを気密封止する。金属カバー５３は搭載基板５１上面に設けた電極５４と導電性接着材等により接続し、搭載基板５１に密着させることで増幅回路P１、P２を気密封止する。
【００４３】
図１６は本実施例の搭載基板の分解斜視図である。誘電体シート５１a上面に設けられた電極５４aは、スルーホール５９を通じて誘電体シート５１bに形成された電極５６と接続する。電極５６は、増幅回路搭載部から裏面グランド電極５７にかけて形成されたスルーホール５８と接続している。また、電極５４bはスルーホール５５を通じて裏面グランド電極５７と接続している。これにより増幅回路P１、P２より発生し、金属カバー５３に伝達した熱はスルーホール５５、５８を通じて携帯電話機の携帯電話機のマザー基板に逃がすことができる。これによりSAWフィルタおよびFBARフィルタへ伝達する熱量が減少し、SAWフィルタの熱による特性劣化の心配が一層減り、より信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００４４】
次に本発明に係る第６の実施例を図１７〜図２０に示す。図１７は本実施例の回路図で、図１８はその斜視図である。図１９は本実施例の上面から見た図で、図２０は本実施例の斜視図である。本実施例は、異なる３つの通信システムで利用可能なマルチバンド送受信機である。図１７に示すようにアンテナ直下には、受動回路により構成され、３つの通信システムの周波数の切換を行うトリプレクサTriを配置し、その後段には第１の通信システムのアンテナ共用器Dup1、第２の通信システムのアンテナ共用器Dup2と、第３の通信システムのアンテナ共用器Dup3、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための増幅器PM1、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための増幅器PM2、第３の通信システムの送信信号を増幅させるための増幅器PM3が接続されて構成される。Dup１は２つのフィルタS１、S２、整合回路mc１からなり、Dup２は２つのフィルタF１、F２、整合回路mc３からなり、Dup3は、２つのフィルタF3、F4、整合回路mc5からなる。また、PM１は増幅回路P１、整合回路mc２、C６２からなり、PM２は増幅回路P２、整合回路mc４、C６４からなり、PM3は増幅回路P3、整合回路mc6、C６６からなる。本実施例では、各通信システムの通信周波数帯がそれぞれ１０００MHz以上離れており、第１の通信システムがもっとも低い周波数帯を利用し、第３の通信システムがもっとも高い周波数帯を利用し、第２の通信システムが中間の周波数帯を利用する。また、S１、S２はSAWフィルタ、F１、F２、F３、F４はFBARフィルタで構成されている。
【００４５】
図１８は本実施例の斜視図を示す。本実施例では、搭載基板６１上にフィルタS１、S２、F１、F２、F３、F４、増幅回路P１、P２、P３及びチップ素子６２、６３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２、P３とSAWフィルタS１、S２の間にFBARフィルタF１、F２、F３、F４を配置している。この配置方法であると、増幅回路P１、P２、P３とSAWフィルタS１、S２との間にFBARフィルタF１、F２、F３、Ｆ４を配置できると共に、P１、P２、P３とS１、S２の距離をより大きくとることが可能で、増幅回路より発生する熱のSAWフィルタへの伝達をより減少させることができる。また、周波数帯の低い通信システムで用いるフィルタを増幅回路から離した構造になっているので、第１の実施例で示したのと同様に、増幅回路の整合回路mc２、mc４、mc６を搭載基板内に効率よく形成することが可能となる。
【００４６】
図１９は本実施例の上面図である。搭載基板６１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc１、mc３、mc５、増幅器の整合回路mc２、mc４、mc６の一部、トリプレクサTriの一部が形成されている。搭載基板６１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc１、mc２、mc３、mc４、mc５、mc６、がストリップライン電極として形成され、C６１、C６２、C６３、C６４、C６５、C６６は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成される。本実施例ではmc１を破線で囲んだ領域６６に、mc３を破線で囲んだ領域６７に、mc５を破線で囲んだ領域６８に形成する。トリプレクサを構成する電極は破線で囲んだ領域６９に形成する。あるいはトリプレクサTriの代わりにトランジスタにより構成されるSP3T半導体スイッチを基板上面の領域６９内に搭載してもよい。この場合、SP3T半導体スイッチを制御するための直流電流を入力するための端子を基板に形成することで使用することができ、３つの通信システムの何れか一組、あるいは全ての通信システムの通信周波数が１０００MHzよりも近接している場合でも良好な切換動作を行うことができる。
【００４７】
図２０は本実施例の斜視図である。搭載基板６１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材７０aによってSAWフィルタS１、S２およびFBARフィルタF１、F２、F３、F４を、樹脂材７０bによって増幅回路P１、P２、P３を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができる。また、増幅回路とフィルタをそれぞれ別の樹脂材で封止するので、増幅回路からSAWフィルタへの樹脂材を介しての熱の伝達が減り、マルチバンド用送受信機の信頼性が一層向上する。
【００４８】
次に、本発明に係る第７の実施形態を図２１〜２４図を用いて説明する。図２１は、本発明に係る第７の実施例のマルチバンド用送受信機の回路図であり、図２２はその斜視図である。図２３は本実施例の上面図であり、図２４は本実施例の斜視図である。
【００４９】
図２１に本実施例の回路図を示す。本実施例は、第１の実施例における第１の通信システムのアンテナ共用器がPINダイオードと伝送線路で形成されるダイオードスイッチで構成されている。第１の通信システムのアンテナ共用器Dup７１の送信側回路はPINダイオードD７１と、インダクタL７３、コンデンサC７７、C７８、C７９で形成される低域通過フィルタで構成される。Dup７１の受信側回路は伝送線路L７４とダイオードD７２とコンデンサC８２、C８３、C８４、抵抗R７１、SAWフィルタS７１、直流電圧端子Vcで構成される。
【００５０】
第１の通信システムを利用するとき、Vcに正の直流電圧を印加した場合、PINダイオードD７１、D７２はON状態となり低インピーダンスとなる。このとき、ON状態となったPINダイオードD７２とコンデンサC８２により伝送線路L74が共振し、PINダイオードD７２のアノードとコンデンサC７６と伝送線路L７４の接続点から受信側回路をみたインピーダンスが非常に大きくなる。その結果、Dup71の受信側回路から受信信号出力端子Rx1の間で回路が遮断され、送信側回路だけに信号が伝送される。
【００５１】
一方、直流電圧端子Vcに０Vの電圧を印加した場合、PINダイオードはOFF状態となり、高インピーダンスとなる。その結果、Dup７１の送信側回路から送信信号入力端子Tx１の間で回路が遮断され、受信側回路だけに信号が伝送される。
本実施例は、第１の通信システムにTDMA方式を使用する携帯電話機に対応するマルチバンド用送受信機として利用するのに適している。
【００５２】
図２２は本実施例の斜視図を示す。本実施例では、搭載基板７１上にフィルタS７１、F１、F２、増幅回路P１、P２チップ素子７２、７３、PINダイオードD７１、D７２、抵抗チップ素子R７１を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS７１の間にFBARフィルタF１、F２を配置している。この配置方法であると、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS７１との間にFBARフィルタF１、F２を配置できると共に、P１、P２とS７１の距離をより大きくとることが可能で、増幅回路より発生する熱のSAWフィルタへの伝達をより減少させることができる。また、周波数帯の低い通信システムで用いるフィルタを増幅回路から離した構造になっているので、第１の実施例で示したのと同様に、増幅回路の整合回路mc７１、mc７３を搭載基板内に効率よく形成することが可能となる。
【００５３】
図２３は本実施例の上面図である。搭載基板７１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc７２、インダクタL７３、伝送線路L７４、増幅器の整合回路mc７１、mc７３の一部、分波器Dipの一部が形成されている。搭載基板７１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc７１、mc７２、mc７３、L７３、L７４がストリップライン電極として形成され、C７１、C７２、C７３、C７４、C７５、C７６、C７７、C７８、C７９、C８１、C８６は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成される。本実施例ではmc７２を破線で囲んだ領域７４に、分波器を構成する電極の一部は破線で囲んだ領域７５に形成する。
【００５４】
図２４は本実施例の斜視図である。搭載基板７１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材７６によってSAWフィルタS７１、FBARフィルタF１、F２を、増幅回路P１、P２を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができ、マルチバンド用送受信機の信頼性が向上する。
【００５５】
図２５には第７の実施形態の変形例の斜視図を示す。本実施例では第７の実施例の第１の通信システムの受信フィルタS71をFBARフィルタで構成したものであり、搭載基板８１上面にはFBARフィルタF81を搭載している。このように搭載するフィルタを全てFBARフィルタにすることで、高出力時におけるフィルタの破壊の心配が無くなるのとともに、温度変化に対する周波数シフトの影響が大きくなる低周波数側の通信システムの受信フィルタを増幅器より離した構造となるのでより信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００５６】
マルチバンド用送受信機の搭載基板は９５０℃以下の低温同時焼成が可能低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ材料）あるいは樹脂基板を用いることで形成することが可能である。低温焼成セラミックスで形成する場合、例えばAl2O3、SiO2等を主成分とする粉末とバインダを混合したスラリー状の誘電体材料を、ドクターブレードでグリーンシート状に成形する。シート厚みは４０〜２００μｍのものを使用した。成形したシートの所定の箇所にはレーザーを用いて貫通孔を形成する、貫通孔の直径は50〜200μmが好ましく、特に100〜200μmが好ましい。その後、スクリーン印刷により貫通孔に導体ペーストを充填し、スルーホールを形成する。さらにシート上に回路電極を構成する例えば銀系の導体をスクリーン印刷する。これらスクリーン印刷されたシートを積層し、圧着させて、一体焼成して、搭載基板を構成する。さらに、搭載基板表面、裏面の搭載電極、グランド電極にはメッキ等を施す。また、誘電体のペーストと導体ペーストをそれぞれ印刷して構成することも出来る。また、誘電体基板に導体パターンを印刷、焼付し、その基板を積層一体化して構成することも出来る。
【００５７】
ここで基板のシート材として例えば、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉと、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＢｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｍｎをそれぞれ含有した誘電体組成物が用いられる。この誘電体は比誘電率が約７の誘電体材料を用いた。用いる誘電体の比誘電率としては、７〜１００が好ましい。また、コンデンサを形成する電極の間の誘電体シートを例えば誘電率１００以上の高誘電率材を用いれば極めて小面積でコンデンサを形成することも可能である。パターン電極は、Ａｇペーストを印刷して形成した。Ａｇ以外でも、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を用いても良い。
【００５８】
搭載基板を樹脂基板を用いて形成する場合、例えば銅等の導体で回路パターンが形成されたガラスエポキシ基板上にエポキシ系の感光性絶縁層を形成し、この感光性絶縁層にフォトエッチング法でスルーホールを形成した後、その上から電解銅メッキで内層配線パターンとスルーホール導体を形成する。以後同様の工程を繰り返して多層化し、必要なインダクタ、コンデンサパターンを内蔵した搭載基板を得ることができる。
【００５９】
図２６に本発明の第８の実施例における無線通信機の構成を示す。本発明は、上述のマルチバンド用送受信機を、携帯電話等の無線通信機に適用した例である。通信に用いる周波数バンドに対応して第１および第２の無線回路102、103がマルチバンド用送受信機101に接続され、無線変復調の処理を行う。復調信号は信号処理部104により音声データに変換されスピーカ106より送出される。逆に、マイク107より入力された音声は、信号処理部104によって音声符号化され、変調部に送られる。制御部105はマルチバンド用送受信機101、無線回路102、103及び信号処理部104の動作を制御する。例えば、第１の無線回路102に対応する周波数バンドで通信を行う場合には、第一の無線回路102の動作をＯＮ、第２の無線回路103をＯＦＦとする。同様に信号処理部104、マルチバンド用送受信機101の該当部分を動作するよう制御する。必要な部分のみ動作するよう制御することにより、消費電流の低減と無線回路間の干渉抑圧ができる。マルチバンド用送受信機101に対する制御は、該当する周波数バンドの増幅器を動作ＯＮ、他方をＯＦＦする。この際、増幅器に最近接するフィルタが対応する周波数バンドを用いて通信する場合、制御部が動作ＯＮにする増幅器を、該当する周波数バンドに対応するフィルタに最近接するもの以外の増幅器から選択するようにすることが望ましい。この場合、通信に用いているフィルタと増幅器との間に動作ＯＦＦ状態の増幅器が介在することにより、動作中の増幅器からの熱の影響をフィルタが受けにくくすることが出来るので、フィルタの周波数シフトを抑える効果が向上する。なお、図２５では２つの周波数バンドを例に挙げているが、３以上の複数のバンドに適用した場合にも同様に、小型化を図りながらフィルタの周波数シフトを最小限に抑えることが出来る。
【００６０】
本発明は上述の実施例に限定されるものではない。上述の実施例では第１の通信システムの通信周波数を低周波数側、第２の通信システムの通信周波数を高周波数側としたが、この逆としても構わない。そのときは分波器の低域通過フィルタ、高域通過フィルタの接続を上述の実施例の逆にし、各フィルタ、整合回路、増幅器をそれぞれの通信周波数で使用可能なものを選べばよい。また、フィルタ、増幅回路、チップ素子の配置についても、請求項１に記載した配置方法に基づくものであれば、どのように配置しても構わない。
本実施例では、分波器、増幅器の整合回路の一部にチップ素子を用いたが、基板内の面積に余裕があれば回路全てを搭載基板内の電極パターンで形成してもよく、そのときはチップ素子を搭載する工程を省くことができ、マルチバンド用送受信機の生産性が向上する。
本実施例では、搭載基板の電極とフィルタ及び増幅回路との接続にワイヤを使用しているが、金属バンプによるフリップチップ接続を使用しても構わない。
また、増幅器が複数ではなく、複数の周波数バンドを１つのチップで対応できる増幅器を用いた場合においても、複数のフィルタの配置を温度特性に優れる順に増幅器に近接配置することにより、フィルタの周波数シフトを最小限に抑える効果が得られることは自明である。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、増幅器から発生する熱によるフィルタの特性劣化を防ぐことができ、非常に信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。また、搭載基板上にフィルタ、増幅器を実装し周波数切換回路、フィルタ間の整合回路、増幅器の整合回路の一部を搭載基板内に形成することで小型、低背のマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマルチバンド用送受信機の回路図を示すものである。
【図２】本発明のマルチバンド用送受信機の第１の実施例の斜視図である。
【図３】第１の実施例の上面から見た図である。
【図４】第１の実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解図である。
【図５】第１の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図６】第１の実施例の別の樹脂封止方法を示す図である。
【図７】本発明のマルチバンド用送受信機の第１の実施例の変形例を示す斜視図である。
【図８】本発明のマルチバンド用送受信機の第２の実施例の斜視図である。
【図９】第２の実施例の上面から見た図である。
【図１０】第２の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図１１】本発明のマルチバンド用送受信機の第３の実施例の斜視図である。
【図１２】第３の実施例の上面から見た図である。
【図１３】第３の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図１４】本発明のマルチバンド用送受信機の第４の実施例の斜視図である。
【図１５】本発明のマルチバンド用送受信機の第５の実施例の斜視図である。
【図１６】第５の実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解斜視図である。
【図１７】本発明のマルチバンド用送受信機の第６の実施例の回路図である。
【図１８】第６の実施例の斜視図である。
【図１９】第６の実施例の上面から見た図である。
【図２０】第６の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図２１】本発明のマルチバンド用送受信機の第７の実施例の回路図である。
【図２２】第７の実施例の斜視図である。
【図２３】第７の実施例の上面から見た図である。
【図２４】第７の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図２５】第７の実施例の変形例の斜視図である。
【図２６】第８の実施例の構成を示す機能ブロック図である。
【符号の説明】
Dup１：第１の通信システムのアンテナ共用器
Dup２：第２の通信システムのアンテナ共用器
PM１：第１の通信システムの増幅器
PM２：第２の通信システムの増幅器
S１、S２、S７１：SAWフィルタ
F１、F２、F３、F４、F８１：FBARフィルタ
P１、P２：増幅回路
mc１、mc３、mc５、mc７２：アンテナ共用器の整合回路
mc２、mc４、mc６、mc７１、mc７３：増幅器の整合回路の伝送線路
C１〜C９、C６１〜C６６、C７１〜C８６：コンデンサ
L１、L２、L７１、L７２、L７３、L７４：インダクタ
D７１、D７２：ダイオード
１：搭載基板
２、３、７２、７３：チップ素子
４：接続電極
５：ワイヤ
９c、１０、５５、５８、５９：スルーホール
１６、１６a、１６b、２８a、２８b、３８a、３８b、５２、７０a、７０ｂ、
７６：樹脂材
５３：金属キャップ
１００：アンテナ
１０１：マルチバンド用送受信機
１０２、１０３：無線回路
１０４：信号処理部
１０５：制御部
１０６：スピーカ
１０７：マイク
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯電話や無線通信機のフロントエンド部で使用されるマルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、１台の携帯電話機内に、複数の通信システムの送受信系を搭載し、地域性や利用目的に応じて選択することができるマルチバンド方式の携帯電話が採用されている。マルチバンド方式の携帯電話機では、各通信システムの送受信回路と、通信システムの周波数帯を分波する分波回路とを構成する必要があるが、各部品を個別に搭載して構成すれば、携帯電話機が大型化し、また高コスト化につながる。
【０００３】
このような問題に対して、例えば特許文献１に示すようなマルチバンド用送受信機が開示されている。このマルチバンド用送受信機は、分波回路、各通信システムの送受信回路の切換を行うスイッチ回路、送信信号の増幅を行うための電力増幅器、電力増幅器の出力もモニタするためのカプラを一体にしたもので、分波回路、スイッチ回路、カプラ及び電力増幅器の整合回路部分を誘電体基板内に形成し、この基板上にダイオード、電力増幅器の増幅回路等の素子を搭載した構造になっており、マルチバンド用携帯電話機の高周波回路部の小型化、低コスト化を実現している。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−８４７０号公報
【０００５】
特許文献１のマルチバンド用送受信機は、GSM、DCSといったTDMA(時分割多重接続)方式による通信方式の場合に限定され、CDMA(符号分割多重接続)方式を含む場合には使用することができない。
【０００６】
CDMA方式を含むマルチバンド用携帯電話機に使用可能なマルチバンド用送受信機を実現するには、特許文献１のマルチバンド用送受信機のスイッチ回路部を、送信用フィルタ、受信用フィルタ、フィルタ間の整合回路からなるアンテナ共用器に置き換えればよい。送信用フィルタ、受信フィルタとしては、SAWフィルタを用いるのが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
SAWフィルタは基本的には圧電基板と、この基板表面に形成された導体薄膜からなるすだれ状電極から構成される。圧電基板としては特性の優れた材料が選択されるが、現在携帯電話用SAWフィルタの実用に供されている圧電基板は数十ppm台の温度特性を有している。また、すだれ状電極の導体としてはAlあるいはAl合金等の薄膜が使用されるが、本発明の係わるアンテナ共用器では比較的大きな電力を処理するためSAWフィルタの破壊が問題となる。このSAWフィルタの破壊は、弾性表面波の励振、伝播によるストレスマイグレーションですだれ状電極が劣化することで発生し、温度により破壊が加速される傾向がある。
ところが、上記マルチバンド用送受信機の場合、搭載基板上に増幅回路用半導体素子、SAWフィルタを搭載する構造となり、携帯電話機が通話状態にあるとき、SAWフィルタには増幅回路から発生する熱が伝達する。その結果、熱の影響によるSAWフィルタの特性劣化が起こり、高温状態でSAWフィルタに高出力信号が入力された場合、SAWフィルタが破壊されやすくなる等、信頼性の著しい低下が予想される。
【０００８】
またSAWフィルタの周波数特性に対する温度の影響を防止する技術として、圧電基板表面あるいは電極を形成した圧電基板表面に、圧電基板材料と異なる温度特性を有する材料層を形成して、温度特性を改善する技術がある。
例えば、高周波用途で広く使用されているYカット-X伝搬タンタル酸リチウム単結晶（Y-X LiTaO3）の場合、周波数温度係数は-35ppm程度であり環境温度が上昇すると周波数特性は低周波側にシフトするが、逆の温度特性を有する材料として例えば二酸化珪素（SiO2）薄膜を表面に形成すれば、互いの温度特性が相殺してフィルタの温度特性を向上できることが知られている。この場合、SiO2の膜厚は温度特性を相殺するのに最適な値が選択され、通常フィルタの電極で励振されるSAW波長の数パーセントから数十パーセントの膜厚が使用される。
しかし上記のような温度特性の改善手段では、表面に温度特性補正用の薄膜を付加形成することになるため、この薄膜の厚さがSAWの励振・伝播特性に影響を及ぼすことになり、現在の技術では膜厚を充分制御することが出来ていないため特性ばらつきの原因となっている。
このようなプロセスに起因する特性ばらつきは、SAWフィルタの量産上大きな問題になるため、SAWフィルタを使用した送受信機において熱の影響を抑え一層の安定した性能を実現するには、上記のような薄膜形成によらない改善手段が強く要望されている。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するもので、増幅回路用半導体素子の発熱によるマルチバンド用送受信機全体の性能劣化を防止することを目的とする。
さらに小型、低コストかつ高信頼性を有するマルチバンド用送受信機を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のマルチバンド用送受信機は、複数の周波数バンドの送受信信号を同一アンテナで共用する機能を有するマルチバンド用送受信機において、前記複数の周波数バンドのうち、低周波数の通信システムに対応した送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器と、高周波数の通信システムに対応し、前記フィルタとは異なる温度特性を有する送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器とを同一基板上に実装し、前記送信フィルタに繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記複数の増幅器は前記基板上に略一群に配置し、前記複数の送受信フィルタは、温度特性に優れる順に前記増幅器群に近接配置すると共に、前記増幅器群からより遠い位置にある送受信フィルタが、前記複数の周波数バンドの内、より低周波数の通信システムに対応するものであることを特徴とする。
【００１１】
本発明のマルチバンド用送受信機は、複数の周波数バンドの送受信信号を同一アンテナで共用する機能を有するマルチバンド用送受信機において、前記複数の周波数バンドのうち、低周波数の通信システムに対応した送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器と、高周波数の通信システムに対応し、前記フィルタとは異なる温度特性を有する送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器とを同一基板上に実装し、前記送信フィルタに繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記複数の増幅器は前記基板上に略一群に配置し、前記複数の送受信フィルタは、温度特性に優れる順に前記増幅器群に近接配置するとともに、前記増幅器群に最近接配置された送受信フィルタとこの送受信フィルタに対応する周波数バンドで動作する増幅器との間に他の増幅器を少なくとも１つ配置し、前記増幅器群からより遠い位置にある送受信フィルタが、前記複数の周波数バンドの内、より低周波数の通信システムに対応するものであることを特徴とする。
【００１２】
本発明のマルチバンド用送受信機は、第１の通信システムの送受信を行うための第１の共用器（ Dup1 ）と、第２の通信システムの送受信を行うための第２の共用器（ Dup2 ）と、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための第１の増幅器（ PM1 ）と、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための第２の増幅器（ PM2 ）と、第１の通信システムと、第２の通信システムの周波数帯を切り換えるための周波数切換回路（ Dip ）からなり、前記第１の共用器（ Dup1 ）を構成する第１の送信フィルタ（ S1 ）と、前記第１の共用器を形成する第１の受信フィルタ（ S2 ）と、前記第２の共用器（ Dup2 ）を構成する第２の送信フィルタ（ F1 ）と、前記第２の共用器を形成する第２の受信フィルタ（ F2 ）と、前記第１の増幅器（ PM1 ）と、前記第２の増幅器（ PM2 ）とを同一基板上に搭載するマルチバンド用送受信機において、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）と第２の送信フィルタ（ F1 ）の夫々に繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記第１の通信システムは、第２の通信システムより低周波数の通信システムであり、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）は、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）よりも温度特性に劣っており、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離が、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離よりも大きくなるように配置したことを特徴とする。
【００１３】
本発明のマルチバンド用送受信機は、第１の通信システムの送受信を行うための第１の共用器（ Dup1 ）と、第２の通信システムの送受信を行うための第２の共用器（ Dup2 ）と、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための第１の増幅器（ PM1 ）と、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための第２の増幅器（ PM2 ）と、第１の通信システムと、第２の通信システムの周波数帯を切り換えるための周波数切換回路（ Dip ）からなり、前記第１の共用器（ Dup1 ）を構成する第１の送信フィルタ（ S1 ）と、前記第１の共用器を形成する第１の受信フィルタ（ S2 ）と、前記第２の共用器（ Dup2 ）を構成する第２の送信フィルタ（ F1 ）と、前記第２の共用器を形成する第２の受信フィルタ（ F2 ）と、前記第１の増幅器（ PM1 ）と、前記第２の増幅器（ PM2 ）とを同一基板上に搭載するマルチバンド用送受信機において、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）と第２の送信フィルタ（ F1 ）の夫々に繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記第１の通信システムは、第２の通信システムより低周波数の通信システムであり、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）は、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）よりも温度特性に劣っており、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離が、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離よりも大きくなるように配置し、かつ、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び前記第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び前記第２の増幅器（ PM2 ）との間に前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び前記第２の受信フィルタ（ F2 ）を配置したことを特徴とする。
【００１５】
本発明のマルチバンド用送受信機は、各周波数バンドに対応する送信フィルタ、受信フィルタ間の整合をとるための整合回路と、前記増幅器の整合回路の少なくとも一部と、周波数バンドの切換を行うための周波数切換回路の少なくとも一部を前記基板の表面もしくは内部に配置することが望ましい。
【００１６】
本発明のマルチバンド用送受信機は、前記増幅器群と前記近接配置されたフィルタとの間及び／又は前記近接配置されたフィルタと他のフィルタとの間にスルーホールを介してグランド電極に通じる電極パターンを前記基板を構成する誘電体層に形成することが望ましい。
また、本発明のマルチバンド用送受信機は、前記基板の表面または裏面の少なくとも一方に前記送信フィルタ、前記受信フィルタ、前記増幅器のうち、少なくとも１つを収納するための凹部を設けることができる。
【００１７】
本発明のマルチバンド用送受信機は、前記基板がセラミックス基板あるいは樹脂基板のいずれかで形成されることが望ましい。
【００１８】
本発明のマルチバンド用送受信機の前記セラミックスの材質が低温焼成セラミックスであることが望ましい。
【００１９】
本発明のマルチバンド用送受信機は、前記基板が樹脂とセラミックスの複合材料であることが望ましい。
【００２０】
本発明の無線通信機は、複数の周波数バンドにおける送受信機能を有する無線通信機において、アンテナと、前記複数の周波数バンドに対応した複数の高周波回路との間に本発明のマルチバンド用送受信機を配置し、上記高周波回路と上記マルチバンド用送受信機の動作条件を通信に用いる周波数バンドに応じて制御する制御部を具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明の無線通信機は、複数の周波数バンドにおける送受信機能を有する無線通信機において、アンテナと、上記複数の周波数バンドに対応した複数の高周波回路との間に本発明のマルチバンド用送受信機を配置し、上記高周波回路と上記マルチバンド用送受信機の動作条件を通信に用いる周波数バンドに応じて制御する制御部を具備し、該制御部は前記増幅器群に最近接配置されたフィルタに対応する周波数バンドで通信する場合に、上記最近接配置されたフィルタに最近接する増幅器以外の増幅器を動作するように制御することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第１の実施形態を図１〜図６に示す。
図１はマルチバンド用送受信機の回路図で、図２は本実施例の斜視図である。図３は本実施例の上面図である。図４は本実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解図である。図５、図６は本実施例の斜視図である。本実施例のマルチバンド用送受信機は図１に示すように、周波数切換回路である分波器Dipと第１の通信システムのアンテナ共用器Dup１と第２の通信システムのアンテナ共用器Dup２と第１の通信システムの送信信号を増幅するための第１の増幅器PM１と第２の通信システムの送信信号を増幅するための第２の増幅器PM２で構成される。分波器DipはコンデンサC１、C２、C３、インダクタL１で構成される低域通過フィルタがANT端子とDup１の共通端子com１との間に接続され、コンデンサC４、C５、インダクタL２で構成される高域通過フィルタがANT端子とDup２の共通端子com２との間に接続されることで構成される。本実施例では第１の通信システムと第２の通信システムの通信周波数帯が１０００MHzほど離れており、第１の通信システムが低周波数側、第２の通信システムが高周波数側の帯域を用いている。Dup１は２つのフィルタS１、S２、整合回路mc１からなり、Dup２は２つのフィルタF１、F２、整合回路mc３からなる。また、PM１は増幅回路P１、整合回路mc２、C８からなり、PM２は増幅回路P２、整合回路mc４、C９からなる。本実施例では、S１、S２はSAWフィルタ、F１、F２はFBARフィルタで構成されている。
【００２３】
第１の通信システムを利用するときは、送信端子Tx１より入力された送信信号が増幅器PM１の増幅回路P１で増幅されDup１のフィルタS１に入力される。PM１の整合回路mc２、C８はP１とDup１のフィルタS１とのインピーダンス整合を取るための回路で、P１で増幅した送信信号を効率よくS１へ伝達するための回路である。コンデンサC６は増幅器PM１からの直流電流をカットするためのものである。S１は低損失で分波器へ信号を伝達する。このとき、フィルタS１から見たフィルタのS２のインピーダンスは整合回路mc１の効果により、高インピーダンスとなり、送信信号が受信端子Rx１へ漏洩することはない。Dup１より分波器Dipへ入力された送信信号はANT端子へ出力され、アンテナより空中へ放射される。このとき分波器Dipの高域通過フィルタは送信信号を減衰させる働きをもつので、第２の通信システム側の回路への漏洩は少なくなり、携帯電話機の誤作動を防ぐことができる。
【００２４】
一方アンテナより受信した受信信号はANT端子より分波器Dipへ入力される。受信信号は分波器Dipの低域通過フィルタからDup１の整合回路mc１を介してフィルタS２ヘ入力される。S２は低損失で受信端子Rx１へ伝達する。このときS２から見たS１のインピーダンスは極めて高インピーダンスとなり、受信信号が増幅器PM１へ漏洩することはない。
【００２５】
第２の通信システムを利用するときは、送信端子Tx２より入力された送信信号が増幅器PM２の増幅回路P２で増幅されDup２のフィルタF１に入力される。PM２の整合回路mc４、C９はP２とDup２のフィルタF１とのインピーダンス整合を取るための回路で、P２で増幅した送信信号を効率よくF１へ伝達するための回路である。C７は増幅器PM２からの直流電流をカットするためのものである。F１は低損失で分波器へ信号を伝達する。このとき、フィルタF１から見たフィルタのF２のインピーダンスはDup２の整合回路mc３の効果により、極めて高インピーダンスとなり、送信信号が受信端子Rx２へ漏洩することはない。Dup２より分波器Dipへ入力された送信信号はANT端子へ出力され、アンテナより空中へ放射される。このとき分波器Dipの低域通過フィルタは送信信号を減衰させる働きをもつので、第１の通信システム側の回路への漏洩は少なくなり、携帯電話機の誤作動を防ぐことができる。
【００２６】
一方アンテナより受信した受信信号はANT端子より分波器Dipへ入力される。受信信号は分波器Dipの高域通過フィルタから、Dup２の整合回路mc３を介してフィルタF２ヘ入力される。F２は低損失で受信端子Rx２へ伝達する。このときF２から見たF１のインピーダンスは高インピーダンスとなり、受信信号が増幅器PM２へ漏洩することはない。
【００２７】
図２に本実施例の斜視図を示す。本実施例のマルチバンド用送受信機は、搭載基板１上面にDup１のフィルタS１、S２、Dup２のフィルタF１、F２、増幅器PM１の増幅回路P１、増幅器PM２の増幅回路P２、増幅器の直流カットコンデンサC６、C７を形成するチップ素子２、分波器DipのコンデンサC４、C５、C６、インダクタL１を形成するチップ素子３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS１、S２との間にSAWフィルタと比較して熱特性の優れたFBARフィルタF１、F２を配置している。各フィルタ及び増幅回路は搭載基板上に接着材等で固着される。また、各フィルタ、増幅器の周囲には電極４が配置され、電極４とフィルタの入出力電極、グランド電極をワイヤ５で接続する。これにより、各フィルタ及び増幅回路が、搭載基板内の回路と接続される。
【００２８】
この配置方法であると、P１、P２より発生する熱が、FBARフィルタF１、F２が途中に配置されているためにSAWフィルタS１、S２へ伝達しにくくなる。従って、長時間使用してもSAWフィルタの特性劣化、高温下における、SAWフィルタの耐電力性の劣化によるSAWフィルタの破壊の心配が極めて少なくなる。一方で、FBARフィルタはAlなどの導電性材料で構成される平板状薄膜電極の間にAlNあるいはZnO等の圧電体で構成される膜を配置し、この圧電体膜の振動を利用するものである。したがって、圧電基板上に微細なすだれ上薄膜電極を構成するSAWと比較して高温状態における耐電力性がSAWに比較して優れている。そのため、増幅器より高出力の信号が入力されても破壊される心配は無い。
【００２９】
図３は本実施例の上面図である。搭載基板１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc１、mc３、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部、分波器Dipの一部が形成されている。搭載基板１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc１、mc２、mc３、mc４、L２がストリップライン電極として形成され、C１、C２、C３は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成される。本実施例ではmc１を破線で囲んだ領域６に形成し、mc３を破線で囲んだ領域７に形成する。分波器回路の一部L２、C１、C２、C３を破線で囲んだ領域８に形成する。
【００３０】
図４は本実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解図である。誘電体シート１a上面には電極９a、９b、１３a、１３b、１４a、１４b、１５a、１５bが形成されている。電極１３a、１３bはそれぞれSAWフィルタS２、S１を、電極１４a、１４bはそれぞれFBARフィルタF１、F２を、電極１５a、１５bはそれぞれ増幅回路P２、P１を搭載するための電極である。電極１５a、１５bと誘電体シート１c下面に形成されたグランド電極１２はスルーホール１０により接続されている。これにより、増幅回路より発生する熱の一部を、スルーホール１０を通じて裏面グランド電極１２から携帯電話機のマザー基板へ逃がすことができる。電極９a、９bは、誘電体シート１b、１cに形成されたスルーホール９cと接続している。スルーホール９cはグランド電極１２と接続している。これにより、増幅回路より発生する熱を電極９a、９bからスルーホールを通じて裏面グランド電極１２から携帯電話機のマザー基板へと逃がすことができ、フィルタへの熱の伝達量を減少させることができる。特にSAWフィルタS１、S２と増幅回路との間には電極９a、９bの２つの電極を配置するので一層高い効果を得ることができる。
【００３１】
誘電体シート１b上面に形成された電極１１a、１１bはそれぞれ、整合回路mc４、mc２を形成するストリップライン電極である。一般に、通信周波数の低い第１の通信システムは、通信周波数が高い第２の通信システムに比べて、より長い増幅器の整合回路電極を必要とする。本実施例のフィルタの配置方法によれば、第１の通信システムのSAWフィルタと増幅回路との距離が、第２の通信システムのFBARフィルタと増幅回路との距離よりも大きくなっている。従って、整合回路mc２の長いストリップライン電極を効率よく形成することができる。
【００３２】
図５は本実施例の斜視図を示す。搭載基板１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材１６によって、SAWフィルタS１、S２、FBARフィルタF１、F２、増幅回路P１、P２を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができる。
【００３３】
図６は本実施例の別の気密封止方法を示す図である。SAWフィルタS１、S２、FBARフィルタF１、F２を樹脂材１６a、増幅回路P１、P２は樹脂材１６bでそれぞれ別に気密封止される。この方法であると、増幅回路より樹脂材を介してSAWフィルタに伝達する熱量が減少する。これによってSAWフィルタの熱による特性劣化の心配が一層減り、より信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００３４】
図７は本実施例の搭載方法の変形例である。この例では、増幅回路P1はFBARフィルタF1、F2に隣接して配置されるが、増幅回路P2はFBARフィルタF1、F２との間に増幅回路P1を介して配置される。この場合、第１の通信システムが動作中のとき、増幅回路P1とSAWフィルタS1、S2の間にはFBARフィルタF１、F２を介しているので、増幅回路P1からSAWフィルタS1、S2への熱の伝達を減少させることができる。
一方、第２の通信システムが動作中のとき、増幅回路P２とFBARフィルタF1、F2の間には増幅回路P1を介しているので、増幅回路P２からFBARフィルタF1、F2への熱の伝達を減少させることができる。この配置方法であると、各通信システムに対応するフィルタ、増幅回路との距離を大きくとれると共に、フィルタと増幅回路の間に他の通信システムのフィルタ或いは増幅回路を介することができるので、どちらの通信システムを使用する場合も安定して動作するマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００３５】
次に本発明に係る第２の実施形態を図８〜図１０に示す。図８は本実施例の斜視図、図９は本実施例の上面図、図１０は本実施例の斜視図を示す。本実施例では図８に示すように、搭載基板２１上面にDup１のフィルタS１、S２、Dup２のフィルタF１、F２、増幅器PM１の増幅回路P１、増幅器PM２の増幅回路P２、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部を形成するチップ素子２２、分波器Dipの一部を形成するチップ素子２３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS１、S２を搭載基板２１上面の対角線上に配置し、その間にFBARフィルタF１、F２を配置している。この配置方法であると、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS１、S２との間にFBARフィルタF１、F２を配置できると共に、P１、P２とS１、S２の距離をより大きくとることが可能で、増幅回路より発生する熱のSAWフィルタへの伝達をより減少させることができる。
【００３６】
図９は第２の実施例の上面図を示す。搭載基板２１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc１、mc３、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部、分波器Dipの一部が形成されている。搭載基板２１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc１、mc２、mc３、mc４、L２がストリップライン電極として形成され、C１、C２、C３は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成し内蔵される。本実施例ではmc１を破線で囲んだ領域２４の投影する下部層に形成し、同じくmc３を破線で囲んだ領域２５の下部層に形成する。また、分波器回路の一部L２、C１、C２、C３を破線で囲んだ領域２６の下部層に形成する。電極２７a、２７bはスルーホールにより裏面グランド電極と接続しており、増幅回路より発生する熱をスルーホールを通じて携帯電話機のマザー基板に逃がす効果を持つ。これにより、SAWおよびFBARフィルタへの熱の伝達を減少させることが可能となる。また、図示しないが、第１の実施例と同様にP１、P２搭載部から裏面グランド電極にかけて複数のスルーホールが形成されており、増幅回路より発生する熱の一部を携帯電話機のマザー基板へ伝えることができる。
【００３７】
図１０は本実施例の斜視図である。搭載基板２１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材２８aによってSAWフィルタS１、S２およびFBARフィルタF１、F２を、樹脂材２８bによって増幅回路P１、P２を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができる。また、増幅回路とフィルタをそれぞれ別の樹脂材で封止するので、増幅回路からSAWへの樹脂材を介しての熱の伝達が減り、マルチバンド用送受信機の信頼性が一層向上する。
【００３８】
次に本発明にかかる第３の実施例を図１１〜図１３に示す。図１１は本実施例の斜視図である。図１２は本実施例の上面から見た図で、図１３は本実施例の斜視図である。本実施例では図１１に示すように、搭載基板３１上面にDup１のフィルタS１、S２、Dup２のフィルタF１、F２、増幅器PM１の増幅回路P１、増幅器PM２の増幅回路P２、増幅器の整合回路mc２、mc４の一部を形成するチップ素子３２a、３２b、分波器Dipの一部を形成するチップ素子３３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、FBARフィルタF2、SAWフィルタS１を搭載基板３１上面の一方の側部に列状に配置し、増幅回路P２、FBARフィルタF１、SAWフィルタS２を搭載基板３１上面のもう一方の側部に列状に配置し、チップ素子３３を搭載基板中央部に配置した構造になっている。そして、各列とも、増幅回路とSAWフィルタとの間にFBARフィルタを配置している。この配置方法であると、SAWフィルタS１、S２および、FBARフィルタF１、F２の距離を大きくとることができる。従って、フィルタ素子の接近して配置することで生じる干渉が減少し、各アンテナ共用器の送信端子から受信端子のアイソレーション特性が向上する。また、増幅回路P１、SAWフィルタS１および増幅回路P２、FBARフィルタF1を同列に配置しているので、増幅回路の整合回路mc２、mc４を効率よく配置することができる。
【００３９】
図１２は本実施例の上面からみた図である。上記実施例と同様に、搭載基板３１内部には整合回路の一部mc１〜mc４、分波器回路の一部を形成する。本実施例では破線で囲んだ領域３４に整合回路mc１を、領域３５に整合回路mc３を、領域３６に分波器回路の一部をそれぞれ誘電体シート内部に形成する。電極３７は、スルーホールにより裏面グランド電極に接続しており、増幅回路より発生する熱の一部をスルーホールを通じて裏面グランド電極から携帯電話機のマザー基板へ逃がす効果をもつ。これにより、フィルタへの熱の伝達を減少させることができる。
【００４０】
図１３は本実施例の斜視図を示す。本実施例では、増幅回路P１、SAWフィルタS１、FBARフィルタF２、チップ素子３２aを樹脂材３８aで、増幅回路P２、SAWフィルタS２、FBARフィルタF１、チップ素子３２bを樹脂材３８bでそれぞれ気密封止し、フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護する。
【００４１】
次に本発明にかかる第４の実施例を図１４に示す。図１４は本実施例の斜視図である。本実施例の構造は第１の実施例と同じであるが、搭載基板４１上面に凹部を設け、そこにフィルタS１、S２、F１、F２と、増幅回路P１、P２を収納する構造としている。搭載基板４１の各凹部は収納するフィルタ、増幅回路の厚さとほぼ同じであり、収納時に搭載基板上面とフィルタ、増幅回路の上面の高さがほぼ同じとなる。また、凹部の周囲には電極４４が配置されており、電極４４とフィルタ、増幅回路上面に設けられた接続端子とをワイヤ４５で接続する。このとき、電極４４とフィルタ、増幅回路の接続端子がほぼ同じ高さにあるのでワイヤを接続する作業を容易に行うことができる。また、第１の実施例と同様に樹脂材により気密封止した場合、フィルタ、増幅回路が凹部に収納されている分樹脂材の厚みを薄くすることができる。従って、より低背のマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００４２】
次に本発明に係る第５の実施例を図１５、図１６に示す。図１５は本実施例の斜視図を示し、図１６はその搭載基板の分解斜視図を示す。本実施例は第１の実施例の封止方法の変形例である。樹脂材５２はSAWフィルタS１、S２、FBARフィルタF１、F２のみを気密封止する。金属カバー５３は搭載基板５１上面に設けた電極５４と導電性接着材等により接続し、搭載基板５１に密着させることで増幅回路P１、P２を気密封止する。
【００４３】
図１６は本実施例の搭載基板の分解斜視図である。誘電体シート５１a上面に設けられた電極５４aは、スルーホール５９を通じて誘電体シート５１bに形成された電極５６と接続する。電極５６は、増幅回路搭載部から裏面グランド電極５７にかけて形成されたスルーホール５８と接続している。また、電極５４bはスルーホール５５を通じて裏面グランド電極５７と接続している。これにより増幅回路P１、P２より発生し、金属カバー５３に伝達した熱はスルーホール５５、５８を通じて携帯電話機の携帯電話機のマザー基板に逃がすことができる。これによりSAWフィルタおよびFBARフィルタへ伝達する熱量が減少し、SAWフィルタの熱による特性劣化の心配が一層減り、より信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００４４】
次に本発明に係る第６の実施例を図１７〜図２０に示す。図１７は本実施例の回路図で、図１８はその斜視図である。図１９は本実施例の上面から見た図で、図２０は本実施例の斜視図である。本実施例は、異なる３つの通信システムで利用可能なマルチバンド送受信機である。図１７に示すようにアンテナ直下には、受動回路により構成され、３つの通信システムの周波数の切換を行うトリプレクサTriを配置し、その後段には第１の通信システムのアンテナ共用器Dup1、第２の通信システムのアンテナ共用器Dup2と、第３の通信システムのアンテナ共用器Dup3、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための増幅器PM1、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための増幅器PM2、第３の通信システムの送信信号を増幅させるための増幅器PM3が接続されて構成される。Dup１は２つのフィルタS１、S２、整合回路mc１からなり、Dup２は２つのフィルタF１、F２、整合回路mc３からなり、Dup3は、２つのフィルタF3、F4、整合回路mc5からなる。また、PM１は増幅回路P１、整合回路mc２、C６２からなり、PM２は増幅回路P２、整合回路mc４、C６４からなり、PM3は増幅回路P3、整合回路mc6、C６６からなる。本実施例では、各通信システムの通信周波数帯がそれぞれ１０００MHz以上離れており、第１の通信システムがもっとも低い周波数帯を利用し、第３の通信システムがもっとも高い周波数帯を利用し、第２の通信システムが中間の周波数帯を利用する。また、S１、S２はSAWフィルタ、F１、F２、F３、F４はFBARフィルタで構成されている。
【００４５】
図１８は本実施例の斜視図を示す。本実施例では、搭載基板６１上にフィルタS１、S２、F１、F２、F３、F４、増幅回路P１、P２、P３及びチップ素子６２、６３を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２、P３とSAWフィルタS１、S２の間にFBARフィルタF１、F２、F３、F４を配置している。この配置方法であると、増幅回路P１、P２、P３とSAWフィルタS１、S２との間にFBARフィルタF１、F２、F３、Ｆ４を配置できると共に、P１、P２、P３とS１、S２の距離をより大きくとることが可能で、増幅回路より発生する熱のSAWフィルタへの伝達をより減少させることができる。また、周波数帯の低い通信システムで用いるフィルタを増幅回路から離した構造になっているので、第１の実施例で示したのと同様に、増幅回路の整合回路mc２、mc４、mc６を搭載基板内に効率よく形成することが可能となる。
【００４６】
図１９は本実施例の上面図である。搭載基板６１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc１、mc３、mc５、増幅器の整合回路mc２、mc４、mc６の一部、トリプレクサTriの一部が形成されている。搭載基板６１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc１、mc２、mc３、mc４、mc５、mc６、がストリップライン電極として形成され、C６１、C６２、C６３、C６４、C６５、C６６は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成される。本実施例ではmc１を破線で囲んだ領域６６に、mc３を破線で囲んだ領域６７に、mc５を破線で囲んだ領域６８に形成する。トリプレクサを構成する電極は破線で囲んだ領域６９に形成する。あるいはトリプレクサTriの代わりにトランジスタにより構成されるSP3T半導体スイッチを基板上面の領域６９内に搭載してもよい。この場合、SP3T半導体スイッチを制御するための直流電流を入力するための端子を基板に形成することで使用することができ、３つの通信システムの何れか一組、あるいは全ての通信システムの通信周波数が１０００MHzよりも近接している場合でも良好な切換動作を行うことができる。
【００４７】
図２０は本実施例の斜視図である。搭載基板６１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材７０aによってSAWフィルタS１、S２およびFBARフィルタF１、F２、F３、F４を、樹脂材７０bによって増幅回路P１、P２、P３を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができる。また、増幅回路とフィルタをそれぞれ別の樹脂材で封止するので、増幅回路からSAWフィルタへの樹脂材を介しての熱の伝達が減り、マルチバンド用送受信機の信頼性が一層向上する。
【００４８】
次に、本発明に係る第７の実施形態を図２１〜２４図を用いて説明する。図２１は、本発明に係る第７の実施例のマルチバンド用送受信機の回路図であり、図２２はその斜視図である。図２３は本実施例の上面図であり、図２４は本実施例の斜視図である。
【００４９】
図２１に本実施例の回路図を示す。本実施例は、第１の実施例における第１の通信システムのアンテナ共用器がPINダイオードと伝送線路で形成されるダイオードスイッチで構成されている。第１の通信システムのアンテナ共用器Dup７１の送信側回路はPINダイオードD７１と、インダクタL７３、コンデンサC７７、C７８、C７９で形成される低域通過フィルタで構成される。Dup７１の受信側回路は伝送線路L７４とダイオードD７２とコンデンサC８２、C８３、C８４、抵抗R７１、SAWフィルタS７１、直流電圧端子Vcで構成される。
【００５０】
第１の通信システムを利用するとき、Vcに正の直流電圧を印加した場合、PINダイオードD７１、D７２はON状態となり低インピーダンスとなる。このとき、ON状態となったPINダイオードD７２とコンデンサC８２により伝送線路L74が共振し、PINダイオードD７２のアノードとコンデンサC７６と伝送線路L７４の接続点から受信側回路をみたインピーダンスが非常に大きくなる。その結果、Dup71の受信側回路から受信信号出力端子Rx1の間で回路が遮断され、送信側回路だけに信号が伝送される。
【００５１】
一方、直流電圧端子Vcに０Vの電圧を印加した場合、PINダイオードはOFF状態となり、高インピーダンスとなる。その結果、Dup７１の送信側回路から送信信号入力端子Tx１の間で回路が遮断され、受信側回路だけに信号が伝送される。
本実施例は、第１の通信システムにTDMA方式を使用する携帯電話機に対応するマルチバンド用送受信機として利用するのに適している。
【００５２】
図２２は本実施例の斜視図を示す。本実施例では、搭載基板７１上にフィルタS７１、F１、F２、増幅回路P１、P２チップ素子７２、７３、PINダイオードD７１、D７２、抵抗チップ素子R７１を搭載した構造になっている。本実施例では、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS７１の間にFBARフィルタF１、F２を配置している。この配置方法であると、増幅回路P１、P２とSAWフィルタS７１との間にFBARフィルタF１、F２を配置できると共に、P１、P２とS７１の距離をより大きくとることが可能で、増幅回路より発生する熱のSAWフィルタへの伝達をより減少させることができる。また、周波数帯の低い通信システムで用いるフィルタを増幅回路から離した構造になっているので、第１の実施例で示したのと同様に、増幅回路の整合回路mc７１、mc７３を搭載基板内に効率よく形成することが可能となる。
【００５３】
図２３は本実施例の上面図である。搭載基板７１の内部には、アンテナ共用器の整合回路mc７２、インダクタL７３、伝送線路L７４、増幅器の整合回路mc７１、mc７３の一部、分波器Dipの一部が形成されている。搭載基板７１は複数の誘電体シートが積層することで構成されており、これら誘電体シート上にmc７１、mc７２、mc７３、L７３、L７４がストリップライン電極として形成され、C７１、C７２、C７３、C７４、C７５、C７６、C７７、C７８、C７９、C８１、C８６は複数の誘電体にわたって対向する平面状電極として形成される。本実施例ではmc７２を破線で囲んだ領域７４に、分波器を構成する電極の一部は破線で囲んだ領域７５に形成する。
【００５４】
図２４は本実施例の斜視図である。搭載基板７１上面にフィルタ、増幅回路、チップ素子を搭載後、樹脂材７６によってSAWフィルタS７１、FBARフィルタF１、F２を、増幅回路P１、P２を気密封止する。これにより、各フィルタ、増幅回路を接触による破損、また空気中に晒されることによる劣化から保護することができ、マルチバンド用送受信機の信頼性が向上する。
【００５５】
図２５には第７の実施形態の変形例の斜視図を示す。本実施例では第７の実施例の第１の通信システムの受信フィルタS71をFBARフィルタで構成したものであり、搭載基板８１上面にはFBARフィルタF81を搭載している。このように搭載するフィルタを全てFBARフィルタにすることで、高出力時におけるフィルタの破壊の心配が無くなるのとともに、温度変化に対する周波数シフトの影響が大きくなる低周波数側の通信システムの受信フィルタを増幅器より離した構造となるのでより信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【００５６】
マルチバンド用送受信機の搭載基板は９５０℃以下の低温同時焼成が可能低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ材料）あるいは樹脂基板を用いることで形成することが可能である。低温焼成セラミックスで形成する場合、例えばAl2O3、SiO2等を主成分とする粉末とバインダを混合したスラリー状の誘電体材料を、ドクターブレードでグリーンシート状に成形する。シート厚みは４０〜２００μｍのものを使用した。成形したシートの所定の箇所にはレーザーを用いて貫通孔を形成する、貫通孔の直径は50〜200μmが好ましく、特に100〜200μmが好ましい。その後、スクリーン印刷により貫通孔に導体ペーストを充填し、スルーホールを形成する。さらにシート上に回路電極を構成する例えば銀系の導体をスクリーン印刷する。これらスクリーン印刷されたシートを積層し、圧着させて、一体焼成して、搭載基板を構成する。さらに、搭載基板表面、裏面の搭載電極、グランド電極にはメッキ等を施す。また、誘電体のペーストと導体ペーストをそれぞれ印刷して構成することも出来る。また、誘電体基板に導体パターンを印刷、焼付し、その基板を積層一体化して構成することも出来る。
【００５７】
ここで基板のシート材として例えば、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下のＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｔｉと、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％のＢｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｍｎをそれぞれ含有した誘電体組成物が用いられる。この誘電体は比誘電率が約７の誘電体材料を用いた。用いる誘電体の比誘電率としては、７〜１００が好ましい。また、コンデンサを形成する電極の間の誘電体シートを例えば誘電率１００以上の高誘電率材を用いれば極めて小面積でコンデンサを形成することも可能である。パターン電極は、Ａｇペーストを印刷して形成した。Ａｇ以外でも、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を用いても良い。
【００５８】
搭載基板を樹脂基板を用いて形成する場合、例えば銅等の導体で回路パターンが形成されたガラスエポキシ基板上にエポキシ系の感光性絶縁層を形成し、この感光性絶縁層にフォトエッチング法でスルーホールを形成した後、その上から電解銅メッキで内層配線パターンとスルーホール導体を形成する。以後同様の工程を繰り返して多層化し、必要なインダクタ、コンデンサパターンを内蔵した搭載基板を得ることができる。
【００５９】
図２６に本発明の第８の実施例における無線通信機の構成を示す。本発明は、上述のマルチバンド用送受信機を、携帯電話等の無線通信機に適用した例である。通信に用いる周波数バンドに対応して第１および第２の無線回路102、103がマルチバンド用送受信機101に接続され、無線変復調の処理を行う。復調信号は信号処理部104により音声データに変換されスピーカ106より送出される。逆に、マイク107より入力された音声は、信号処理部104によって音声符号化され、変調部に送られる。制御部105はマルチバンド用送受信機101、無線回路102、103及び信号処理部104の動作を制御する。例えば、第１の無線回路102に対応する周波数バンドで通信を行う場合には、第一の無線回路102の動作をＯＮ、第２の無線回路103をＯＦＦとする。同様に信号処理部104、マルチバンド用送受信機101の該当部分を動作するよう制御する。必要な部分のみ動作するよう制御することにより、消費電流の低減と無線回路間の干渉抑圧ができる。マルチバンド用送受信機101に対する制御は、該当する周波数バンドの増幅器を動作ＯＮ、他方をＯＦＦする。この際、増幅器に最近接するフィルタが対応する周波数バンドを用いて通信する場合、制御部が動作ＯＮにする増幅器を、該当する周波数バンドに対応するフィルタに最近接するもの以外の増幅器から選択するようにすることが望ましい。この場合、通信に用いているフィルタと増幅器との間に動作ＯＦＦ状態の増幅器が介在することにより、動作中の増幅器からの熱の影響をフィルタが受けにくくすることが出来るので、フィルタの周波数シフトを抑える効果が向上する。なお、図２５では２つの周波数バンドを例に挙げているが、３以上の複数のバンドに適用した場合にも同様に、小型化を図りながらフィルタの周波数シフトを最小限に抑えることが出来る。
【００６０】
本発明は上述の実施例に限定されるものではない。上述の実施例では第１の通信システムの通信周波数を低周波数側、第２の通信システムの通信周波数を高周波数側としたが、この逆としても構わない。そのときは分波器の低域通過フィルタ、高域通過フィルタの接続を上述の実施例の逆にし、各フィルタ、整合回路、増幅器をそれぞれの通信周波数で使用可能なものを選べばよい。また、フィルタ、増幅回路、チップ素子の配置についても、請求項１に記載した配置方法に基づくものであれば、どのように配置しても構わない。
本実施例では、分波器、増幅器の整合回路の一部にチップ素子を用いたが、基板内の面積に余裕があれば回路全てを搭載基板内の電極パターンで形成してもよく、そのときはチップ素子を搭載する工程を省くことができ、マルチバンド用送受信機の生産性が向上する。
本実施例では、搭載基板の電極とフィルタ及び増幅回路との接続にワイヤを使用しているが、金属バンプによるフリップチップ接続を使用しても構わない。
また、増幅器が複数ではなく、複数の周波数バンドを１つのチップで対応できる増幅器を用いた場合においても、複数のフィルタの配置を温度特性に優れる順に増幅器に近接配置することにより、フィルタの周波数シフトを最小限に抑える効果が得られることは自明である。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、増幅器から発生する熱によるフィルタの特性劣化を防ぐことができ、非常に信頼性の高いマルチバンド用送受信機を実現することができる。また、搭載基板上にフィルタ、増幅器を実装し周波数切換回路、フィルタ間の整合回路、増幅器の整合回路の一部を搭載基板内に形成することで小型、低背のマルチバンド用送受信機を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマルチバンド用送受信機の回路図を示すものである。
【図２】本発明のマルチバンド用送受信機の第１の実施例の斜視図である。
【図３】第１の実施例の上面から見た図である。
【図４】第１の実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解図である。
【図５】第１の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図６】第１の実施例の別の樹脂封止方法を示す図である。
【図７】本発明のマルチバンド用送受信機の第１の実施例の変形例を示す斜視図である。
【図８】本発明のマルチバンド用送受信機の第２の実施例の斜視図である。
【図９】第２の実施例の上面から見た図である。
【図１０】第２の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図１１】本発明のマルチバンド用送受信機の第３の実施例の斜視図である。
【図１２】第３の実施例の上面から見た図である。
【図１３】第３の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図１４】本発明のマルチバンド用送受信機の第４の実施例の斜視図である。
【図１５】本発明のマルチバンド用送受信機の第５の実施例の斜視図である。
【図１６】第５の実施例の搭載基板を構成する誘電体シートの分解斜視図である。
【図１７】本発明のマルチバンド用送受信機の第６の実施例の回路図である。
【図１８】第６の実施例の斜視図である。
【図１９】第６の実施例の上面から見た図である。
【図２０】第６の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図２１】本発明のマルチバンド用送受信機の第７の実施例の回路図である。
【図２２】第７の実施例の斜視図である。
【図２３】第７の実施例の上面から見た図である。
【図２４】第７の実施例の樹脂封止後の斜視図である。
【図２５】第７の実施例の変形例の斜視図である。
【図２６】第８の実施例の構成を示す機能ブロック図である。
【符号の説明】
Dup１：第１の通信システムのアンテナ共用器
Dup２：第２の通信システムのアンテナ共用器
PM１：第１の通信システムの増幅器
PM２：第２の通信システムの増幅器
S１、S２、S７１：SAWフィルタ
F１、F２、F３、F４、F８１：FBARフィルタ
P１、P２：増幅回路
mc１、mc３、mc５、mc７２：アンテナ共用器の整合回路
mc２、mc４、mc６、mc７１、mc７３：増幅器の整合回路の伝送線路
C１〜C９、C６１〜C６６、C７１〜C８６：コンデンサ
L１、L２、L７１、L７２、L７３、L７４：インダクタ
D７１、D７２：ダイオード
１：搭載基板
２、３、７２、７３：チップ素子
４：接続電極
５：ワイヤ
９c、１０、５５、５８、５９：スルーホール
１６、１６a、１６b、２８a、２８b、３８a、３８b、５２、７０a、７０ｂ、
７６：樹脂材
５３：金属キャップ
１００：アンテナ
１０１：マルチバンド用送受信機
１０２、１０３：無線回路
１０４：信号処理部
１０５：制御部
１０６：スピーカ
１０７：マイク
Claims (8)
- 複数の周波数バンドの送受信信号を同一アンテナで共用する機能を有するマルチバンド用送受信機において、前記複数の周波数バンドのうち、低周波数の通信システムに対応した送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器と、高周波数の通信システムに対応し、前記フィルタとは異なる温度特性を有する送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器とを同一基板上に実装し、前記送信フィルタに繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記複数の増幅器は前記基板上に略一群に配置し、前記複数の送受信フィルタは、温度特性に優れる順に前記増幅器群に近接配置すると共に、前記増幅器群からより遠い位置にある送受信フィルタが、前記複数の周波数バンドの内、より低周波数の通信システムに対応するものであることを特徴とするマルチバンド用送受信機。
- 複数の周波数バンドの送受信信号を同一アンテナで共用する機能を有するマルチバンド用送受信機において、前記複数の周波数バンドのうち、低周波数の通信システムに対応した送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器と、高周波数の通信システムに対応し、前記フィルタとは異なる温度特性を有する送信フィルタと受信フィルタ及び送信信号を増幅する増幅器とを同一基板上に実装し、前記送信フィルタに繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、前記複数の増幅器は前記基板上に略一群に配置し、前記複数の送受信フィルタは、温度特性に優れる順に前記増幅器群に近接配置するとともに、前記増幅器群に最近接配置された送受信フィルタとこの送受信フィルタに対応する周波数バンドで動作する増幅器との間に他の増幅器を少なくとも１つ配置し、前記増幅器群からより遠い位置にある送受信フィルタが、前記複数の周波数バンドの内、より低周波数の通信システムに対応するものであることを特徴とするマルチバンド用送受信機。
- 第１の通信システムの送受信を行うための第１の共用器（ Dup1 ）と、第２の通信システムの送受信を行うための第２の共用器（ Dup2 ）と、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための第１の増幅器（ PM1 ）と、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための第２の増幅器（ PM2 ）と、第１の通信システムと、第２の通信システムの周波数帯を切り換えるための周波数切換回路（ Dip ）からなり、前記第１の共用器（ Dup1 ）を構成する第１の送信フィルタ（ S1 ）と、前記第１の共用器を形成する第１の受信フィルタ（ S2 ）と、前記第２の共用器（ Dup2 ）を構成する第２の送信フィルタ（ F1 ）と、前記第２の共用器を形成する第２の受信フィルタ（ F2 ）と、前記第１の増幅器（ PM1 ）と、前記第２の増幅器（ PM2 ）とを同一基板上に搭載するマルチバンド用送受信機において、
前記第１の送信フィルタ（ S1 ）と第２の送信フィルタ（ F1 ）の夫々に繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、
前記第１の通信システムは、第２の通信システムより低周波数の通信システムであり、
前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）は、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）よりも温度特性に劣っており、
前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離が、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離よりも大きくなるように配置したことを特徴とするマルチバンド用送受信機。 - 第１の通信システムの送受信を行うための第１の共用器（ Dup1 ）と、第２の通信システムの送受信を行うための第２の共用器（ Dup2 ）と、第１の通信システムの送信信号を増幅させるための第１の増幅器（ PM1 ）と、第２の通信システムの送信信号を増幅させるための第２の増幅器（ PM2 ）と、第１の通信システムと、第２の通信システムの周波数帯を切り換えるための周波数切換回路（ Dip ）からなり、前記第１の共用器（ Dup1 ）を構成する第１の送信フィルタ（ S1 ）と、前記第１の共用器を形成する第１の受信フィルタ（ S2 ）と、前記第２の共用器（ Dup2 ）を構成する第２の送信フィルタ（ F1 ）と、前記第２の共用器を形成する第２の受信フィルタ（ F2 ）と、前記第１の増幅器（ PM1 ）と、前記第２の増幅器（ PM2 ）とを同一基板上に搭載するマルチバンド用送受信機において、
前記第１の送信フィルタ（ S1 ）と第２の送信フィルタ（ F1 ）の夫々に繋がる前記増幅器の整合回路の少なくとも一部を、前記基板を構成する誘電体層にストリップライン電極により形成し、
前記第１の通信システムは、第２の通信システムより低周波数の通信システムであり、
前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）は、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）よりも温度特性に劣っており、
前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離が、前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び第２の受信フィルタ（ F2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び第２の増幅器（ PM2 ）との距離よりも大きくなるように配置し、かつ、前記第１の送信フィルタ（ S1 ）及び前記第１の受信フィルタ（ S2 ）と前記第１の増幅器（ PM1 ）及び前記第２の増幅器（ PM2 ）との間に前記第２の送信フィルタ（ F1 ）及び前記第２の受信フィルタ（ F2 ）を配置したことを特徴とするマルチバンド用送受信機。 - 前記増幅器群と前記近接配置されたフィルタとの間及び／又は前記近接配置されたフィルタと他のフィルタとの間にスルーホールを介してグランド電極に通じる電極パターンを前記基板を構成する誘電体層に形成したことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のマルチバンド用送受信機。
- 前記基板がセラミックス基板あるいは樹脂基板のいずれかで形成されたことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のマルチバンド用送受信機。
- 複数の周波数バンドにおける送受信機能を有する無線通信機であって、アンテナと、上記複数の周波数バンドに対応した複数の高周波回路との間に請求項１〜６の何れかに記載のマルチバンド用送受信機を配置し、前記高周波回路と前記マルチバンド用送受信機の動作条件を通信に用いる周波数バンドに応じて制御する制御部を具備したことを特徴とする無線通信機。
- 複数の周波数バンドにおける送受信機能を有する無線通信機であって、アンテナと、上記複数の周波数バンドに対応した複数の高周波回路との間に請求項１〜６の何れかに記載のマルチバンド用送受信機を配置し、前記高周波回路と前記マルチバンド用送受信機の動作条件を通信に用いる周波数バンドに応じて制御する制御部を具備し、
該制御部は、前記増幅器群に最近接配置されたフィルタに対応する周波数バンドで通信する場合に、前記最近接配置されたフィルタに最近接する増幅器以外の増幅器を動作するように制御することを特徴とする無線通信機。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003159744A JP4010504B2 (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機 |
| CNA2004100452537A CN1574664A (zh) | 2003-06-04 | 2004-06-04 | 多频带用收发器以及使用该收发器的无线电通信设备 |
| US10/860,325 US7379751B2 (en) | 2003-06-04 | 2004-06-04 | Multi-band transceiver and radio communication device using the transceiver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003159744A JP4010504B2 (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004363926A JP2004363926A (ja) | 2004-12-24 |
| JP4010504B2 true JP4010504B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=33549164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003159744A Expired - Fee Related JP4010504B2 (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7379751B2 (ja) |
| JP (1) | JP4010504B2 (ja) |
| CN (1) | CN1574664A (ja) |
Families Citing this family (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200520201A (en) * | 2003-10-08 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | High-frequency module and communication apparatus |
| US7701515B2 (en) * | 2004-02-13 | 2010-04-20 | Broadcom Corporation | Multi-input multi-output tuner front ends |
| DE102004031397A1 (de) * | 2004-06-29 | 2006-01-26 | Epcos Ag | Duplexer |
| TWI245407B (en) * | 2004-11-12 | 2005-12-11 | Richwave Technology Corp | Device and method for integrating SAW filter and transceiver |
| CN100396092C (zh) * | 2005-02-24 | 2008-06-18 | 启碁科技股份有限公司 | 可传送多个频道的数据的无线信号传输装置 |
| US8467827B2 (en) * | 2005-03-31 | 2013-06-18 | Black Sand Technologies, Inc. | Techniques for partitioning radios in wireless communication systems |
| KR100631217B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2006-10-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 및 표면 음향파 공진기가 집적된인티그레이티드 필터 및 그 제작 방법 |
| JP5125511B2 (ja) | 2005-09-29 | 2013-01-23 | 日本電気株式会社 | 無線送受信方法および無線送受信装置 |
| JP2007318657A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 送信装置 |
| US8755747B2 (en) | 2006-10-31 | 2014-06-17 | Qualcomm Incorporated | Techniques to control transmit power for a shared antenna architecture |
| US8260214B2 (en) * | 2006-10-31 | 2012-09-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Shared antenna architecture for multiple co-located radio modules |
| KR100822844B1 (ko) * | 2006-11-14 | 2008-04-17 | 주식회사 네오펄스 | 능동형 무선 모듈 |
| WO2009066380A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Fujitsu Limited | フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機 |
| US8549741B2 (en) * | 2008-06-11 | 2013-10-08 | Adc Telecommunications, Inc. | Suspension method for compliant thermal contact of electronics modules |
| JP4586897B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2010-11-24 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
| JPWO2010007805A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2012-01-05 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
| CA2735987A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Usg Interiors, Inc. | Electrically conductive module |
| WO2010028006A2 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Usg Interiors, Inc. | Electrically conductive element, system, and method of manufacturing |
| WO2010028007A2 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Usg Interiors, Inc. | Electrically conductive tape for walls and ceilings |
| JP5262840B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-08-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| US8909165B2 (en) * | 2009-03-09 | 2014-12-09 | Qualcomm Incorporated | Isolation techniques for multiple co-located radio modules |
| US9166471B1 (en) | 2009-03-13 | 2015-10-20 | Rf Micro Devices, Inc. | 3D frequency dithering for DC-to-DC converters used in multi-mode cellular transmitters |
| US9693390B2 (en) | 2009-06-01 | 2017-06-27 | Qualcomm Incorporated | Techniques to manage a mobile device based on network density |
| US20100309901A1 (en) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Harris Corporation | Systems and methods for maintaining a controlled power output at an antenna port over a range of frequencies defined by two or more frequency bands |
| KR101059628B1 (ko) | 2009-11-11 | 2011-08-25 | 삼성전기주식회사 | 배선 간섭이 억제된 송신 모듈 |
| US20110111792A1 (en) * | 2009-11-12 | 2011-05-12 | Sony Corporation | System and method for effectively implementing a composite antenna for a wireless transceiver device |
| US8548398B2 (en) | 2010-02-01 | 2013-10-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Envelope power supply calibration of a multi-mode radio frequency power amplifier |
| US8538355B2 (en) | 2010-04-19 | 2013-09-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Quadrature power amplifier architecture |
| US9008597B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-04-14 | Rf Micro Devices, Inc. | Direct current (DC)-DC converter having a multi-stage output filter |
| US8942650B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-01-27 | Rf Micro Devices, Inc. | RF PA linearity requirements based converter operating mode selection |
| US8942651B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-01-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Cascaded converged power amplifier |
| US8947157B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-02-03 | Rf Micro Devices, Inc. | Voltage multiplier charge pump buck |
| US8989685B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-03-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Look-up table based configuration of multi-mode multi-band radio frequency power amplifier circuitry |
| US9077405B2 (en) * | 2010-04-20 | 2015-07-07 | Rf Micro Devices, Inc. | High efficiency path based power amplifier circuitry |
| US9048787B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-06-02 | Rf Micro Devices, Inc. | Combined RF detector and RF attenuator with concurrent outputs |
| US8958763B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-02-17 | Rf Micro Devices, Inc. | PA bias power supply undershoot compensation |
| US9214900B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-12-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Interference reduction between RF communications bands |
| US9030256B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-05-12 | Rf Micro Devices, Inc. | Overlay class F choke |
| US8913967B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-12-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Feedback based buck timing of a direct current (DC)-DC converter |
| US8983410B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-03-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Configurable 2-wire/3-wire serial communications interface |
| US9362825B2 (en) | 2010-04-20 | 2016-06-07 | Rf Micro Devices, Inc. | Look-up table based configuration of a DC-DC converter |
| US9553550B2 (en) | 2010-04-20 | 2017-01-24 | Qorvo Us, Inc. | Multiband RF switch ground isolation |
| US9214865B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-12-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Voltage compatible charge pump buck and buck power supplies |
| US8983407B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-03-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Selectable PA bias temperature compensation circuitry |
| US9577590B2 (en) | 2010-04-20 | 2017-02-21 | Qorvo Us, Inc. | Dual inductive element charge pump buck and buck power supplies |
| US9900204B2 (en) | 2010-04-20 | 2018-02-20 | Qorvo Us, Inc. | Multiple functional equivalence digital communications interface |
| US9184701B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-11-10 | Rf Micro Devices, Inc. | Snubber for a direct current (DC)-DC converter |
| JP5561379B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2014-07-30 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| US8639286B2 (en) * | 2011-12-23 | 2014-01-28 | Broadcom Corporation | RF transmitter having broadband impedance matching for multi-band application support |
| US9065505B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Optimal switching frequency for envelope tracking power supply |
| US9820158B2 (en) * | 2012-03-07 | 2017-11-14 | Qualcomm Incorporated | Multi-radio interference mitigation via frequency selectivity |
| KR101956921B1 (ko) * | 2012-06-19 | 2019-03-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호회로모듈 및 이를 구비하는 배터리 팩 |
| JP6250934B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2017-12-20 | 太陽誘電株式会社 | モジュール基板及びモジュール |
| TWI544754B (zh) | 2014-01-28 | 2016-08-01 | A wireless transceiver device with frequency band matching adjustment function and its adjustment method | |
| WO2016039231A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-03-17 | 株式会社村田製作所 | 複合部品およびフロントエンドモジュール |
| JP6057024B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2017-01-11 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| US9882538B2 (en) | 2015-03-24 | 2018-01-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Distributed output matching network for a radio frequency power amplifier module |
| US20180041244A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Qualcomm Incorporated | Rf front end resonant matching circuit |
| JP2018101943A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| CN107395248B (zh) * | 2017-08-08 | 2022-11-18 | 大器物联科技（广州）有限公司 | 一种能实现双角色通讯的设备及在单一设备上实现双角色通讯的方法 |
| US11699056B2 (en) * | 2019-09-24 | 2023-07-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RFID inlay |
| US11817832B2 (en) | 2020-01-03 | 2023-11-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier output matching |
| JP2021145282A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| JP2021158554A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| JP2021158556A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| CN113225098A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-08-06 | 深圳市时代速信科技有限公司 | 一种射频收发模块 |
| FR3123169B1 (fr) * | 2021-05-21 | 2024-09-27 | St Microelectronics Sa | Réseau d'adaptation d'impédance |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI102121B (fi) * | 1995-04-07 | 1998-10-15 | Filtronic Lk Oy | Radiotietoliikenteen lähetin/vastaanotin |
| US6075995A (en) * | 1998-01-30 | 2000-06-13 | Conexant Systems, Inc. | Amplifier module with two power amplifiers for dual band cellular phones |
| US6522895B1 (en) * | 1998-12-31 | 2003-02-18 | Ericsson Inc. | Integrated transmitter and receiver components for a dual-band transceiver |
| US6745046B1 (en) * | 1999-02-03 | 2004-06-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated antenna coupler element |
| US6289294B1 (en) * | 1999-02-17 | 2001-09-11 | Daimlerchrysler Corporation | Method for determining rotational data using an encoder device |
| JP2000299438A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2001244416A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 信号処理用半導体集積回路 |
| JP3612031B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2005-01-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波モジュール |
| JP3960115B2 (ja) | 2001-05-24 | 2007-08-15 | 松下電器産業株式会社 | 携帯用電力増幅器 |
| KR20020091785A (ko) * | 2001-05-31 | 2002-12-06 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 전자부품 및 이것을 사용한 이동체 통신장치 |
| US6683512B2 (en) * | 2001-06-21 | 2004-01-27 | Kyocera Corporation | High frequency module having a laminate board with a plurality of dielectric layers |
| US20030017806A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-23 | Albert Sutono | Multi-layer, high density integrated wireless communication architecture |
| US7105980B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
| US20040038660A1 (en) * | 2002-08-21 | 2004-02-26 | Ziming He | RF front-end for dual-mode wireless LAN module |
| GB2393050B (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-15 | Hitachi Ltd | Communication semiconductor integrated circuit and radio communication system |
-
2003
- 2003-06-04 JP JP2003159744A patent/JP4010504B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-04 CN CNA2004100452537A patent/CN1574664A/zh active Pending
- 2004-06-04 US US10/860,325 patent/US7379751B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1574664A (zh) | 2005-02-02 |
| JP2004363926A (ja) | 2004-12-24 |
| US20050003855A1 (en) | 2005-01-06 |
| US7379751B2 (en) | 2008-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4010504B2 (ja) | マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機 | |
| US6975841B2 (en) | Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same | |
| US20200212875A1 (en) | Multi-layer piezoelectric substrate with grounding structure | |
| US20130307639A1 (en) | Branching filter and communication module component | |
| WO2010061477A1 (ja) | フィルタ、デュプレクサおよび電子装置 | |
| JP3532158B2 (ja) | 分波器デバイス | |
| JP2005268878A (ja) | アンテナ共用器 | |
| US12388473B2 (en) | High frequency module and communication apparatus | |
| JP2005102098A (ja) | 高周波モジュール及びそれを用いた無線通信装置 | |
| JP3729396B2 (ja) | 高周波部品 | |
| JP3851184B2 (ja) | フロントエンドモジュール | |
| JP2005260837A (ja) | アンテナ切換モジュールおよびその設計方法 | |
| JP2005311929A (ja) | アンテナ切換モジュール | |
| JP2006333168A (ja) | 高周波モジュール | |
| JP2006108734A (ja) | 分波器、高周波モジュール及び無線通信装置 | |
| JP4177282B2 (ja) | アンテナ切換モジュール | |
| JP2006295530A (ja) | アンテナスイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 | |
| US11889620B2 (en) | Radio-frequency module and communication device | |
| JP4331634B2 (ja) | アンテナ切換モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2005260835A (ja) | アンテナ切換モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2004282175A (ja) | ダイプレクサ内蔵配線基板 | |
| JP4143976B2 (ja) | モジュール | |
| JP4381933B2 (ja) | 高周波モジュール及び無線通信装置 | |
| JP2006211144A (ja) | 高周波モジュール及び無線通信機器 | |
| JP2005277075A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051021 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070615 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070803 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070831 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070831 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4010504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |