JP4073075B2 - 高周波鉄損Ｗ１／１０ｋの低い珪素鋼板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランス、リアクトル、モータなどの鉄心用として好適である高周波鉄損の低い珪素鋼板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に珪素鋼板の鉄損は励磁周波数が高くなると急激に上昇することが知られている。一方、近年、珪素鋼板が広く用いられているトランス、リアクトル、モータなどの駆動周波数は、鉄心の小型化や高効率化をはかるために、年々高周波化してきている。
【０００３】
この駆動周波数の高周波化に伴い、珪素鋼板の鉄損によるこれら鉄心の温度上昇や効率の低下が間題となるケースがとみに増加してきている。このような理由から珪素鋼板の高周波鉄損を低減することが必要とされるようになってきている。
【０００４】
従来、珪素鋼板の高周波鉄損を低減する手法としては、Ｓｉ含有量を高めて固有抵抗を高くすることで高周波鉄損を低減する方法と、板厚を薄くして渦電流損失を抑えることで高周波鉄損を低減する方法がとられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術のうち、Ｓｉ含有量を高める方法は、珪素鋼板の加工性を著しく低下させるため、珪素鋼板そのものの生産性の低下を招くことに加え、鉄心の加工コストの上昇も招くという問題点がある。
【０００６】
また板厚を薄くする方法も、薄くするほど鋼板そのものの製造コストが増加し、なおかつ鉄心の積層枚数が増えることから鉄心の製作コストの上昇を招くという間題点がある。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、トランス、リアクトル、モータなどの鉄心用として好適である高周波鉄損の低い珪素鋼板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上述した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、珪素鋼板において鋼板の表層Ｓｉ濃度と、そのＳｉ濃度を有する領域の板厚方向深さを特定の範囲に規定することにより、珪素鋼板の鉄損、特に高周波鉄損を著しく低くすることができることを見出した。
【０００９】
本発明は、このような知見に基づいて完成されたものであって、第１に、Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が８ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し（ただし、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％の場合を除く）、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２．２〜３．５ｗｔ．％（ただし、３％の場合を除く）であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１０】
第２に、上記第１の珪素鋼板において、前記Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に実質的に板厚の１５〜２５％であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１１】
第３に、Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が７ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し（ただし、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％の場合を除く）、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２．２〜３．５ｗｔ．％（ただし、３％の場合を除く）であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１２】
第４に、上記第３の珪素鋼板において、前記Ｓｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％である部分が、鋼板の上下両面表層に存在し、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１５〜２５％であることを特微とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下本発明について詳細に説明する。
本発明に係る珪素鋼板は、基本的には、上述したように表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が８ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２〜３．５ｗｔ．％である。
【００１４】
図１は、板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した場合における表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合ｄｅｐ（％）と鉄損Ｗ1/10k（周波数１０ｋＨｚ、磁束密度１ｋＧａｕｓｓでの鉄損値）との関係を示す図である。ただし、ここでは、図２に示したようにＳｉ濃度が５ｗｔ．％となる深さをａ、板厚をｔとしたとき、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ａ／ｔ）×１００で定義している。
【００１５】
なお、Ｓｉ濃度はサンブル断面についてＥＰＭＡ（電子線プローブマイクロアナライザ）で分析した結果である。また、ここでは、板厚０．２ｍｍの圧延法にて製造された３ｗｔ．％Ｓｉ鋼板に対し、１２００℃のＳｉＣｌ４雰囲気中浸珪処理を行い、その後１２００℃のＮ２雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を形成したサンプルを用いた。
【００１６】
図１より、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することがわかる。この時の鉄損は全板厚が６．５ｗｔ．％Ｓｉであるものより最大約３０％低下する。なお、鋼板表層の高Ｓｉ濃度部分のＳｉ濃度の上限は、鉄損特性上からは特に規定されないが、Ｓｉ濃度が８ｗｔ．％を超えると鋼板の加工性が著しく低下することから、本発明では上限を８ｗｔ．％と規定した。
【００１７】
また状態図的に変態点を有すると熱処理による変態点通過で細粒化して磁気特性を著しく損ねる。このため状態図的にα単相である必要から、板厚中心部の低Ｓｉ部分のＳｉ濃度の下限値を２．２ｗｔ．％とした。
【００１８】
このように表層Ｓｉ濃度が高く、板厚中心部が低Ｓｉである材料は特許第２５４１３８３号、特開平６−１７２０２号公報および特開平９−１８４０５１号公報に開示されている。しかし、特許第２５４１３８号は、浸珪処理で６．５ｗｔ．％珪素鋼板を製造する際、生産性を上げるべく拡散処理時間を短縮した結果として得られる表層Ｓｉ濃度が高い珪素鋼板を提案しており、鉄損は６．５ｗｔ．％珪素鋼板と同等である。また、特開平６−１７２０２号公報は、６．５％珪素鋼板の加工性を改善するべく表層だけを６．５ｗｔ．％Ｓｉとしたものであり、鉄損は６．５ｗｔ．％珪素鋼板に比べ劣化するとしている。さらに、特開平９−１８４０５１号公報は、残留磁束密度を低下させるため表層高Ｓｉ鋼板を提案しており、本発明と目的が異なっている。鉄損については５０Ｈｚの鉄損は表層Ｓｉの高い材料が低いとしている。しかし、周波数が高くなると一般には鉄損は全体のＳｉ量に支配されると通常考えられ、板厚中心部のＳｉ量が低い材料は鉄損特性が劣るとされている。
【００１９】
本発明は、このような常識を覆し、特定のＳｉ濃度分布を形成することにより、高周波鉄損が低い材料が得られるという初めて見出された知見に基づくものである。
【００２０】
鋼板表層の高Ｓｉ濃度部分を形成する手法はＣＶＤ、ＰＶＤその他いずれの方法でもよく、特に限定されるものではないが、Ｓｉ濃度分布を形成する以前の母材は生産性の観点から大量生産に適した圧延法で製造することが好ましい。このため母材のＳｉ含有量は通常の圧延が可能な３．５ｗｔ．％を上限とすることが好ましい。したがって、本発明の珪素鋼板における板厚中心部の低Ｓｉ部分のＳｉ濃度の上限値を３．５ｗｔ．％とした。
【００２１】
図３は、板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した揚合における表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図である。ただし、ここでは、図４に示したように表層のＳｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％となる深さをｂ（表層のＳｉ濃度は７．０ｗｔ．％以下）、板厚をｔとしたとき、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ｂ／ｔ）×１００で定義している。
【００２２】
また、ここでは板厚０．２ｍｍの圧延法にて製造された３ｗｔ．％Ｓｉ鋼板に対し、１１５０℃のＳｉＣｌ4雰囲気中で浸珪処理を行い、その後１１５０℃のＮ2雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を形成したサンプルを用いた。
【００２３】
図３より、表層からＳｉ農度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することがわかる。さらに図１と図３を比較すると、表層の高Ｓｉ部分の濃度を実質的に６．５ｗｔ．％となるように限定することで、より一層鉄損を低減可能なことがわかる。
【００２４】
なお、本発明の効果は珪素鋼板の板厚には依存せず、いずれの板厚であっても本発明に規定された範囲とすることで鉄損を著しく低減させることができる。
【００２５】
次に、Ｓｉ以外の元素の限定理由について説明する。
Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起こすため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする。その下限は特に規定されないが、経済的に除去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２６】
Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆くなるため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただし、その含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面キズを誘発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とする。
【００２７】
Ｐは磁気特性から見ると好ましい元素であるが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特に規定されないが、経済的に除去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２８】
Ｓは加工性を劣化させるため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、経済的に除去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２９】
ｓｏｌ．Ａ１は同じく加工性を害するため、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とする。
【００３０】
Ｎは多量に含有されると窒化物を形成して磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、現在の製鋼技術では０．０００１ｗｔ．％が事実上の下限となる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
表１の組成を有する板厚０．２ｍｍの鋼板を圧延法にて作製し、１２００℃ののＳｉＣｌ ４雰囲気中で浸珪処理を行い、その後１２００℃のＮ２雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を有する珪素鋼板を作製した。Ｓｉ濃度分布はサンブル断面についてＥＰＭＡ（電子線ブローブマイクロアナライザ）で分析した。Ｓｉ以外の元素の量は、浸珪、拡散処理の前後でほとんど変化しなかった。
【００３２】
【表１】
【００３３】
このようにして作製した鋼板から外径３１ｍｍ、内径１９ｍｍのリング試料を採取し、周波数１０ｋＨｚ、磁束密度０．１Ｔでの交流磁気特性を測定した。図１は、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合ｄｅｐ（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図である。ただし、ここでは、図２に示したようにＳｉ濃度が５ｗｔ．％となる深さａ、板厚ｔとしたとき、表層からＳｉ獲度が５ｗｔ．％以上であるある部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ａ／ｔ）ｘｌ００で定義している。
【００３４】
図１より、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することが確認された。
【００３５】
【実施例２】
表１の組成を有する板厚０．２ｍｍの鋼板を圧延法にて作製し、１１５０℃のＳｉＣｌ4雰囲気中で浸珪処理を行い、その後１１５０℃のＮ2雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を有する珪素鋼板を作製した。Ｓｉ濃度分布はサンプル断面についてＥＰＭＡで分析した。Ｓｉ以外の元素の量は、浸珪、拡散処理の前後でほとんど変化しなかった。
【００３６】
このようにして作製した鋼板から外径３１ｍｍ、内径１９ｍｍのリング試料を採取し、周波数１０ｋＨｚ、磁束密度０．１Ｔでの交流磁気特性を測定した。図３は、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図である。ただし、ここでは、図４に示したようにＳｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％となる深さをｂ、板厚をｔとしたとき、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ｂ／ｔ）×１００で定義している。
【００３７】
図３より、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することが確認された。
【００３８】
さらに図１と図３を比較すると、表層の高Ｓｉ部分の濃度を実質的に６．５ｗｔ％となるように限定することで、より一層鉄損を低減できることが確認された。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれぱ、加工性を損なうことなく、かつ板厚を低減することなしに、高周波鉄損の著しく低い珪素鋼板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した場合における表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合ｄｅｐ（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図。
【図２】図１の深さ割合ｄｅｐ（％）の定義を説明するための図。
【図３】板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した揚合における表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図。
【図４】図３の深さ割合ｄｅｐ（％）の定義を説明するための図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランス、リアクトル、モータなどの鉄心用として好適である高周波鉄損の低い珪素鋼板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に珪素鋼板の鉄損は励磁周波数が高くなると急激に上昇することが知られている。一方、近年、珪素鋼板が広く用いられているトランス、リアクトル、モータなどの駆動周波数は、鉄心の小型化や高効率化をはかるために、年々高周波化してきている。
【０００３】
この駆動周波数の高周波化に伴い、珪素鋼板の鉄損によるこれら鉄心の温度上昇や効率の低下が間題となるケースがとみに増加してきている。このような理由から珪素鋼板の高周波鉄損を低減することが必要とされるようになってきている。
【０００４】
従来、珪素鋼板の高周波鉄損を低減する手法としては、Ｓｉ含有量を高めて固有抵抗を高くすることで高周波鉄損を低減する方法と、板厚を薄くして渦電流損失を抑えることで高周波鉄損を低減する方法がとられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術のうち、Ｓｉ含有量を高める方法は、珪素鋼板の加工性を著しく低下させるため、珪素鋼板そのものの生産性の低下を招くことに加え、鉄心の加工コストの上昇も招くという問題点がある。
【０００６】
また板厚を薄くする方法も、薄くするほど鋼板そのものの製造コストが増加し、なおかつ鉄心の積層枚数が増えることから鉄心の製作コストの上昇を招くという間題点がある。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、トランス、リアクトル、モータなどの鉄心用として好適である高周波鉄損の低い珪素鋼板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上述した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、珪素鋼板において鋼板の表層Ｓｉ濃度と、そのＳｉ濃度を有する領域の板厚方向深さを特定の範囲に規定することにより、珪素鋼板の鉄損、特に高周波鉄損を著しく低くすることができることを見出した。
【０００９】
本発明は、このような知見に基づいて完成されたものであって、第１に、Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が８ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し（ただし、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％の場合を除く）、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２．２〜３．５ｗｔ．％（ただし、３％の場合を除く）であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１０】
第２に、上記第１の珪素鋼板において、前記Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に実質的に板厚の１５〜２５％であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１１】
第３に、Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が７ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し（ただし、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％の場合を除く）、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２．２〜３．５ｗｔ．％（ただし、３％の場合を除く）であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１２】
第４に、上記第３の珪素鋼板において、前記Ｓｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％である部分が、鋼板の上下両面表層に存在し、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１５〜２５％であることを特微とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下本発明について詳細に説明する。
本発明に係る珪素鋼板は、基本的には、上述したように表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が８ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２〜３．５ｗｔ．％である。
【００１４】
図１は、板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した場合における表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合ｄｅｐ（％）と鉄損Ｗ1/10k（周波数１０ｋＨｚ、磁束密度１ｋＧａｕｓｓでの鉄損値）との関係を示す図である。ただし、ここでは、図２に示したようにＳｉ濃度が５ｗｔ．％となる深さをａ、板厚をｔとしたとき、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ａ／ｔ）×１００で定義している。
【００１５】
なお、Ｓｉ濃度はサンブル断面についてＥＰＭＡ（電子線プローブマイクロアナライザ）で分析した結果である。また、ここでは、板厚０．２ｍｍの圧延法にて製造された３ｗｔ．％Ｓｉ鋼板に対し、１２００℃のＳｉＣｌ４雰囲気中浸珪処理を行い、その後１２００℃のＮ２雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を形成したサンプルを用いた。
【００１６】
図１より、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することがわかる。この時の鉄損は全板厚が６．５ｗｔ．％Ｓｉであるものより最大約３０％低下する。なお、鋼板表層の高Ｓｉ濃度部分のＳｉ濃度の上限は、鉄損特性上からは特に規定されないが、Ｓｉ濃度が８ｗｔ．％を超えると鋼板の加工性が著しく低下することから、本発明では上限を８ｗｔ．％と規定した。
【００１７】
また状態図的に変態点を有すると熱処理による変態点通過で細粒化して磁気特性を著しく損ねる。このため状態図的にα単相である必要から、板厚中心部の低Ｓｉ部分のＳｉ濃度の下限値を２．２ｗｔ．％とした。
【００１８】
このように表層Ｓｉ濃度が高く、板厚中心部が低Ｓｉである材料は特許第２５４１３８３号、特開平６−１７２０２号公報および特開平９−１８４０５１号公報に開示されている。しかし、特許第２５４１３８号は、浸珪処理で６．５ｗｔ．％珪素鋼板を製造する際、生産性を上げるべく拡散処理時間を短縮した結果として得られる表層Ｓｉ濃度が高い珪素鋼板を提案しており、鉄損は６．５ｗｔ．％珪素鋼板と同等である。また、特開平６−１７２０２号公報は、６．５％珪素鋼板の加工性を改善するべく表層だけを６．５ｗｔ．％Ｓｉとしたものであり、鉄損は６．５ｗｔ．％珪素鋼板に比べ劣化するとしている。さらに、特開平９−１８４０５１号公報は、残留磁束密度を低下させるため表層高Ｓｉ鋼板を提案しており、本発明と目的が異なっている。鉄損については５０Ｈｚの鉄損は表層Ｓｉの高い材料が低いとしている。しかし、周波数が高くなると一般には鉄損は全体のＳｉ量に支配されると通常考えられ、板厚中心部のＳｉ量が低い材料は鉄損特性が劣るとされている。
【００１９】
本発明は、このような常識を覆し、特定のＳｉ濃度分布を形成することにより、高周波鉄損が低い材料が得られるという初めて見出された知見に基づくものである。
【００２０】
鋼板表層の高Ｓｉ濃度部分を形成する手法はＣＶＤ、ＰＶＤその他いずれの方法でもよく、特に限定されるものではないが、Ｓｉ濃度分布を形成する以前の母材は生産性の観点から大量生産に適した圧延法で製造することが好ましい。このため母材のＳｉ含有量は通常の圧延が可能な３．５ｗｔ．％を上限とすることが好ましい。したがって、本発明の珪素鋼板における板厚中心部の低Ｓｉ部分のＳｉ濃度の上限値を３．５ｗｔ．％とした。
【００２１】
図３は、板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した揚合における表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図である。ただし、ここでは、図４に示したように表層のＳｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％となる深さをｂ（表層のＳｉ濃度は７．０ｗｔ．％以下）、板厚をｔとしたとき、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ｂ／ｔ）×１００で定義している。
【００２２】
また、ここでは板厚０．２ｍｍの圧延法にて製造された３ｗｔ．％Ｓｉ鋼板に対し、１１５０℃のＳｉＣｌ4雰囲気中で浸珪処理を行い、その後１１５０℃のＮ2雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を形成したサンプルを用いた。
【００２３】
図３より、表層からＳｉ農度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することがわかる。さらに図１と図３を比較すると、表層の高Ｓｉ部分の濃度を実質的に６．５ｗｔ．％となるように限定することで、より一層鉄損を低減可能なことがわかる。
【００２４】
なお、本発明の効果は珪素鋼板の板厚には依存せず、いずれの板厚であっても本発明に規定された範囲とすることで鉄損を著しく低減させることができる。
【００２５】
次に、Ｓｉ以外の元素の限定理由について説明する。
Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起こすため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする。その下限は特に規定されないが、経済的に除去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２６】
Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆くなるため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただし、その含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面キズを誘発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とする。
【００２７】
Ｐは磁気特性から見ると好ましい元素であるが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特に規定されないが、経済的に除去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２８】
Ｓは加工性を劣化させるため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、経済的に除去する観点からは０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２９】
ｓｏｌ．Ａ１は同じく加工性を害するため、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とする。
【００３０】
Ｎは多量に含有されると窒化物を形成して磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、現在の製鋼技術では０．０００１ｗｔ．％が事実上の下限となる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
表１の組成を有する板厚０．２ｍｍの鋼板を圧延法にて作製し、１２００℃ののＳｉＣｌ ４雰囲気中で浸珪処理を行い、その後１２００℃のＮ２雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を有する珪素鋼板を作製した。Ｓｉ濃度分布はサンブル断面についてＥＰＭＡ（電子線ブローブマイクロアナライザ）で分析した。Ｓｉ以外の元素の量は、浸珪、拡散処理の前後でほとんど変化しなかった。
【００３２】
【表１】
このようにして作製した鋼板から外径３１ｍｍ、内径１９ｍｍのリング試料を採取し、周波数１０ｋＨｚ、磁束密度０．１Ｔでの交流磁気特性を測定した。図１は、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合ｄｅｐ（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図である。ただし、ここでは、図２に示したようにＳｉ濃度が５ｗｔ．％となる深さａ、板厚ｔとしたとき、表層からＳｉ獲度が５ｗｔ．％以上であるある部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ａ／ｔ）ｘｌ００で定義している。
【００３４】
図１より、表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することが確認された。
【００３５】
【実施例２】
表１の組成を有する板厚０．２ｍｍの鋼板を圧延法にて作製し、１１５０℃のＳｉＣｌ4雰囲気中で浸珪処理を行い、その後１１５０℃のＮ2雰囲気中で拡散処理を行って種々のＳｉ濃度分布を有する珪素鋼板を作製した。Ｓｉ濃度分布はサンプル断面についてＥＰＭＡで分析した。Ｓｉ以外の元素の量は、浸珪、拡散処理の前後でほとんど変化しなかった。
【００３６】
このようにして作製した鋼板から外径３１ｍｍ、内径１９ｍｍのリング試料を採取し、周波数１０ｋＨｚ、磁束密度０．１Ｔでの交流磁気特性を測定した。図３は、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図である。ただし、ここでは、図４に示したようにＳｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％となる深さをｂ、板厚をｔとしたとき、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合をｄｅｐ（％）＝（ｂ／ｔ）×１００で定義している。
【００３７】
図３より、表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合を１０％以上、より好ましくは１５〜２５％とすれば鉄損が著しく低下することが確認された。
【００３８】
さらに図１と図３を比較すると、表層の高Ｓｉ部分の濃度を実質的に６．５ｗｔ％となるように限定することで、より一層鉄損を低減できることが確認された。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれぱ、加工性を損なうことなく、かつ板厚を低減することなしに、高周波鉄損の著しく低い珪素鋼板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した場合における表層からＳｉ濃度が５ｗｔ．％以上である部分の深さ割合ｄｅｐ（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図。
【図２】図１の深さ割合ｄｅｐ（％）の定義を説明するための図。
【図３】板厚方向にＳｉ濃度分布を形成した揚合における表層からＳｉ濃度が実質的に６．５ｗｔ．％である部分の深さ割合（％）と鉄損Ｗ1/10kとの関係を示す図。
【図４】図３の深さ割合ｄｅｐ（％）の定義を説明するための図。
Claims (4)
- Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が８ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し（ただし、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％の場合を除く）、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２．２〜３．５ｗｔ．％（ただし、３％の場合を除く）であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板。
- 前記Ｓｉ濃度が５〜８ｗｔ．％の部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に実質的に板厚の１５〜２５％であることを特徴とする請求項１に記載の高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板。
- Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、表層から板厚中心部に向かってＳｉ濃度が連続的に低くなるＳｉ濃度勾配が形成され、表層のＳｉ濃度が７ｗｔ．％以下であり、Ｓｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％の部分が、鋼板の上下両面表層に存在し（ただし、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％の場合を除く）、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１０％以上であって、かつ板厚中心付近のＳｉ濃度が２．２〜３．５ｗｔ．％（ただし、３％の場合を除く）であることを特徴とする高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板。
- 前記Ｓｉ濃度が６．０〜７．０ｗｔ．％である部分が、鋼板の上下両面表層に存在し、その部分の厚みが、片面につき鋼板の表層から板厚深さ方向に板厚の１５〜２５％であることを特微とする請求項３に記載の高周波鉄損Ｗ 1 ／１０ k の低い珪素鋼板。
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