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JP3991612B2 - 発光素子 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の方向に均一な指向性を有し薄型で高出力の発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて紫外領域から黄色の光を発光することができる発光ダイオードが開発されたことから、紫外領域から赤色までの幅広い領域の用途に対応して種々の発光素子の作製が可能になった。
これらの発光素子において、所定の方向に均一な指向性が要求される場合には、例えば樹脂が成形されてなるレンズと発光素子とを組み合わせて所定の指向特性を得ている。
【0003】
従来は、発光素子と組み合わせるレンズは、例えば、図13に示すように、キャスティングケース100のレンズ形状に対応する空洞内にリードフレーム101上に設けられた発光素子チップ102をセットして、その空洞内に透光性樹脂110を流し込んでレンズを形成する方法、又は、図14に示すように、成形金型104内に基板103上に設けられた発光素子チップ102をセットして、透光性樹脂111を射出成形することにより形成する方法等により作製されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の構成及び方法では、指向性のバラツキを十分小さく抑えることが難しく、また、薄型化が困難であるという問題点があった。
【0005】
そこで、本発明は、指向性のバラツキを十分小さく抑えることができ、かつ薄型化が可能な発光ダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る発光素子は、互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、上記第1の主面を発光観測面としかつ上記第2の主面に正及び負の電極が形成された発光素子チップと、上記第1の主面上に形成されたレンズとを備え、
上記第1の主面の外周端部と上記レンズの外周端部とが実質的に一致し、かつ上記レンズの球面が上記外周端部より外側に膨らんで形成されていることを特徴とする。
このように、本発明に係る発光素子は、上記第1の主面の外周端部と上記レンズの外周端部とが実質的に一致するように上記発光面上のみにレンズが形成されているので、薄型化が図れる。
また、上記レンズの球面が上記レンズの外周端部より外側に膨らんで形成されているので、上記発光観測面である第1の主面の外周端部にいて輝線が観測されることを防止できる。
さらに、本発明に係る発光素子において、上記発光素子はさらに、光散乱粒子を含む遮光層を有し、該遮光層は上記発光素子チップの側面と上記レンズの外周端部及びその近傍とを連続的に覆うように設けられている。
これにより、実質的に発光した光を実質的に発光観測面のみから出力できるので、発光強度を向上させることができる。
【0007】
た、本発明に係る発光素子において、上記散乱粒子として酸化ケイ素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1つを含む粒子を用いることができる。
【0008】
さらに、本発明に係る発光素子においては、上記発光素子チップを窒化物半導体発光素子チップとし、上記レンズは蛍光体を含むようにすることができる。
このようにすると、発光素子チップからの光と蛍光体からの光との混色による発光色が得られる。
また、上記蛍光体として、少なくともセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を含む蛍光体を用いることができる。
さらに、上記発光素子チップは、主発光波長が530nm以下の可視光を発光するようにできる。
ここで、本発明におけるセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、広義に解釈するものとし、Yの少なくとも一部をGdやLa等に置換するもの、Alの少なくとも一部をInやGa等に置換するもの、Ceの少なくとも一部をTb等に置換するものを含む。他の蛍光体として、発光素子チップの発光スペクトル、蛍光体の発光スペクトルや励起スペクトルを考慮して、種々のものを利用することができるが、Eu及び/又はCrで付活されたCa−Al−Si−O−N系オキシナイトライド蛍光硝子やYS:Eu,Sr(POCl:Eu,(SrEr)O・Al等が挙げられる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態の発光素子について説明する。
本実施の形態の発光素子は、一方の主面にn電極とp電極とが形成され他方の主面を発光観測面とする発光素子チップ1と、レンズ20と、遮光膜30とを備え、レンズ20がパッケージ内に設けられた発光素子チップ1の発光観測面に形成されていることを特徴とし、これにより高い指向特性と発光輝度の向上を実現している。
以下、詳細に本実施の形態の発光素子について説明する。
【0010】
本実施の形態おいて、パッケージ50は、正電極板51と負電極板52とが樹脂54により連結されてなる底部電極部と、その底部電極部の上面に発光素子チップを収納する収納部が形成されるように該上面の周囲に接合された外枠53により構成される。
また、発光素子チップ1は、例えば、サファイアからなる基板10の上に、例えばn型窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層11と、例えばp型窒化ガリウム系化合物半導体からなるp型半導体層12とが積層され、n型半導体層11及びp型半導体層12の上にそれぞれ、n電極14及びp電極13とが形成されて構成される。
【0011】
以上のように構成された発光素子チップ1は、図1に示すように、パッケージ50の正電極板51と負電極板52にそれぞれp電極13とn電極14とが対向するように配置され、例えば、半田、銀ペースト等の導電性接着材15,16や金バンプ等の金属により接合される。
そして、レンズ20は、以下の2つの条件を満足するように発光素子チップ1の発光観測面(第1の主面)上に形成されている。
第1に、レンズ20は、レンズ20の外周端部(発光素子チップ1とレンズ20とが接する境界におけるレンズ20の外周端部)が発光素子チップ1の発光観測面(第1の主面)の外周端部と実質的に一致するように形成される。
第2に、レンズ20は、レンズ20の球面がレンズ20の外周端部より外側に膨らむように、すなわち、レンズの光軸上の上方からレンズ20及び発光素子チップ1を見た時に、発光素子チップ1の発光観測面(第1の主面)の外周端部がレンズ20の球面によって覆い隠されるように形成される。
【0012】
また、遮光膜30は、発光素子チップが発光する光を反射散乱させる、例えば、TiOからなる光散乱粒子を含む樹脂等からなり、少なくとも発光素子チップ1の側面とレンズ20の球面におけるレンズ20の外周端部の近傍とを含むように、発光素子チップ1の周りに形成される。
このように、遮光膜30を、発光素子チップ1の側面とレンズ20の球面における外周端部の近傍とに亙って形成することにより、発光素子チップ1の側面から放出される光を遮光膜30により反射してレンズ20を介して出力できるので、より効果的に発光素子チップ1の側面から放出される光を利用することができ、発光出力を向上させることができる。
【0013】
また、本発明では、図1に示すように、散乱粒子を含む遮光膜は、発光素子チップ1のp電極13とn電極14の間にできる発光素子チップ1とパッケージ50の底部電極板との間の隙間にも形成することが、以下のような点でより好ましい(図1においてこの遮光膜は31の符号を付して示している。)。
すなわち、上述の位置に遮光膜31をさらに形成すると、発光素子チップ1の発光観測面を除く外表面が全て、遮光膜30,31と遮光性のある電極層(p電極13,n電極14)とによって覆われていることになり、発光層において発光した光を発光観測面から効果的に放出することができるので、発光効率を向上させることができる。
【0014】
次に、発光素子チップ1の発光観測面の外周端部1a付近におけるレンズ20、発光素子チップ1、遮光層30の位置関係について、図2を参照しながら、詳細に説明する。
レンズ20は、以下に説明する方法により形成されるので、実際に形成された後の、レンズ20の外周端部20aは、発光観測面の外周端部1aの若干下に位置することがある。しかしながら、発光素子チップ1の厚さが通常、80μm〜100であるのに対し、レンズ20が形成された後のレンズ20の外周端部20aと発光観測面の外周端部1aの間隔は通常10μm以下であり、本明細書において、この程度のずれは実質的に一致しているという。
また、遮光膜30は、発光素子チップ1の側面からレンズ20の外周端部の近傍に位置する球面とを連続して覆うように形成される。
【0015】
以上のように構成された実施の形態の発光素子は、レンズ20を、そのレンズ20の外周端部が発光素子チップ1の発光観測面の外周端部と実質的に一致するように、かつレンズ20の球面がレンズ20の外周端部より外側に膨らむように形成し、しかも遮光膜30を、発光素子チップ1の側面からレンズ20の外周端部の近傍に位置する球面とを連続して覆うように形成しているので、光軸に対して角度の大きい方向の光の強度を効果的に抑えることができ(図11における0度〜20度、160度〜180度付近)、全体的に均一な指向性が得られる。
【0016】
すなわち、従来のように発光素子チップ全体(発光素子チップの発光観測面と側面の両方)を覆うようにレンズを形成すると、長方体形状に形成されるパッケージにおいては、その長軸方向における指向性と短軸方向における指向性が異なるが、本実施の形態では、発光素子チップに直接レンズ20を形成するようにしているので、パッケージの形状に影響されることなく、方向性のない指向特性を実現できる。
【0017】
また、従来のように発光素子チップ全体を覆うようにレンズを形成すると、発光素子チップの発光観測面から出力される光と発光素子チップの側面から出力される光の量やダイシング状態(加工バリや形状)が変化すると、その変化により指向特性が変化することから、指向特性にばらつきが生じやすいが、本実施の形態の窒化物半導体発光素子では、発光観測面上に形成されたレンズ20と発光素子チップの側面を取り囲むように形成された遮光膜により、発光素子チップにより発光された光は実質的に発光観測面のみから出力されるので、指向特性のばらつきを小さくできる。
【0018】
次に、本実施の形態の発光素子におけるレンズの形成方法と遮光膜の形成方法について説明する。
(レンズの形成方法)
本形成方法では、まず、図3(a)(b)に示すように、発光素子チップ1の発光観測面上のほぼ中央にディスペンサーにより所定量のレンズ形成用樹脂21を塗布する。ここで、レンズ形成用樹脂21は例えば粘度が5000〜8000cpsのエポキシ樹脂に、例えば平均粒径7μmの石英ガラスフィラーが混合されてなり、ディスペンサーの吐出圧力を例えば1.5kgf/cm2に設定して、吐出時間を調節することにより一定量のレンズ形成用樹脂21を塗布する。
このように吐出されたレンズ形成用樹脂21は、図4(a)(b)に示すように、発光観測面の外周端部1aまで広がり、その吐出された樹脂21の量と粘度に対応した形状の球面を形成する。
【0019】
すなわち、発光観測面の外周端部1aまで広がった樹脂は、発光素子チップ1の側面は分割面であるために、滑らかな発光観測面とは異なり凹凸のある粗面となっており、発光観測面の端部1aの外側にさらに広がって流れ出すことはなく、表面張力により樹脂21の量と粘度に対応した形状の球面を形成することになる。
言いかえると、本方法は、発光素子チップの発光観測面の形状及び面積と、形成しようとするレンズ形状に基いて、レンズ形成用樹脂の粘度と塗布量とを設定することにより、所望の形状のレンズ20を形成するものである。
【0020】
次に、レンズ形成樹脂21を硬化させて固体化されたレンズ20とする。
ここで、レンズ形成樹脂21の硬化温度は、例えば、レンズ形成樹脂21のエポキシ樹脂が150℃以上のガラス転位点を有する場合、レンズを形状のばらつきなく一定の形状に形成するために、120℃,2時間で硬化させた後さらに、150℃,8時間で硬化させるなど、2段階で硬化させることが好ましい。
そして、レンズ形成樹脂21を硬化させてレンズ20とした後、例えば、反射散乱粒子(光散乱粒子)としてTiOが混合された樹脂をディスペンサーを用いて、発光素子チップの側面とレンズ20の外周端部の近傍とを少なくとも覆うように、発光素子チップ1の両側に塗布して硬化させる。
【0021】
以上のようにして、本実施の形態の発光素子は、上記製造方法を用いて、実質的に発光観測面の上のみにおいてレンズ20を形成することができるので、レンズ20の高さを従来の素子チップ全体を覆うレンズに比較して薄くできる。
また、本実施の形態の発光素子の製造方法において、レンズ20は、高価な金型等を使用することなく、樹脂の粘度と塗布量とを所望のレンズ形状に対応させて設定することにより所望のレンズ形状を形成しているので、金型を用いて形成される従来例に比較して、簡単でかつ安価に製造することができる。
【0022】
以上の実施の形態の窒化物半導体発光素子では、レンズ20に石英ガラスフィラーを混合した例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、レンズ20に、発光素子チップにより発光された光の一部又は全部を吸収して吸収した光より長波長の光を放出する蛍光体を含有してもよい。
すなわち、レンズ20に石英ガラスフィラーを混合した場合には、発光素子チップが発生する光がそのまま(波長が変化することなく)レンズ20を介して出力されるので、発光色は発光素子チップの発光色となる。
これに対して、レンズ20が蛍光体を含む場合には、以下のように決定される発光色となる。
発光素子チップにより発光される光の一部を蛍光体が吸収する場合は、蛍光体からの光と発光素子チップからの光との混色により得られる光の発光色となる。また、発光素子チップにより発光された全部を蛍光体が吸収する場合、または発光素子チップが紫外光を発光しその紫外光を蛍光体が吸収して発光する場合は、蛍光体が発光する光の発光色となる。
【0023】
【実施例】
以下、本発明にかかる実施例について説明する。
実施例1
(発光素子チップ作製)
まず、発光素子チップとして、InGaNからなる発光層を有し主発光ピークが470nmのLEDチップを準備する。
このLEDチップは、MOCVD法を利用して、サファイア基板上に発光層等の窒化物半導体層を成膜して、所定のエッチング工程を経て所定の位置に電極を形成し、個々のチップに分割することにより作製することができる。
尚、発光層等の窒化物半導体層は、反応室内に洗浄したサファイア基板をセットし、反応ガスとして、TMG(トリメチル)ガス、TMI(トリメチルインジウム)ガス、TMA(トリメチルアルミニウム)ガス、アンモニアガス及びキャリアガスとして水素ガス、さらには不純物ガスとしてシランガス及びシクロペンタジアマグネシウムを利用して成膜することができる。
【0024】
(発光素子チップ実装)
次に、上述のようにして作製されたLEDチップをパッケージ50に電極同士を対向させ発光観測面(サファイア基板の裏面)を上にして実装する。
(レンズ形成)
次に、以下のようにしてレンズ20を形成する。
ガラス点移転が150℃以上である一液性熱硬化型のエポキシ樹脂に、平均粒径が15μmの組成式が(Y0.8Gd0.2Al12:Ceである蛍光体粉末を分散させ、粘度を5000cpsに調整する。
ここで、実施例1では、蛍光体の含有量は、重量比でエポキシ樹脂100に対して、蛍光体を45の割合とした。
【0025】
次に、蛍光体が混合された蛍光体混合エポキシ樹脂を、吐出圧力1.5kgf/cm、吐出時間0.4秒の条件で、LEDチップの発光観測面に塗布する。これにより、所定量の蛍光体混合エポキシ樹脂が発光観測面に塗布され、図3〜図5に示すようにレンズ形状が発光観測面上に形成される。
そして、このレンズ形状に形成された蛍光体混合エポキシ樹脂を120℃で2時間硬化した後さらに、150℃で8時間硬化する。
【0026】
(遮光膜形成)
次に、レンズ形成に用いたものと同様のエポキシ樹脂に、TiO2からなる反射散乱粒子を分散させ、粘度を5000cpsに調整する。
ここで、実施例1では、反射散乱粒子の含有量は、重量比でエポキシ樹脂100に対して、反射散乱粒子を30の割合とした。
そして、調整された反射散乱粒子混合エポキシ樹脂を、発光素子チップの周りに所定量だけ塗布した後、前述と同様の2段階で熱硬化する。
尚、遮光膜は、実施の形態で説明したように、発光素子チップ1の側面からレンズ20の外周端部の近傍の球面とを連続して覆うように形成する。
言いかえると、反射散乱粒子混合エポキシ樹脂の塗布量は、発光素子チップ1の側面からレンズ20の外周端部の近傍の球面とを連続して覆うように設定する。
以上のようにして、実施例1の窒化物半導体発光素子は作製される。
【0027】
以上のように作製された実施例1の窒化物半導体発光素子は、発光色は白色であり、図6に示す指向特性を有していた。
ここで、図6において、実線L1は、長軸方向d1(図8参照)における指向角に対する発光出力Poを示し、破線L2は短軸方向d2(図8参照)における指向角に対する発光出力Poを示す。
図6から明らかなように、本実施例の構成では、長軸方向d1及び短軸方向d2において、ほぼ等しい指向特性を有している。
【0028】
比較例1
比較例1の窒化物半導体発光素子は、実施例1の窒化物半導体発光素子において、レンズ20と遮光膜30とを形成することなく、実施例1と同様にして蛍光体が混合された蛍光体混合エポキシ樹脂を、図10に示すように、パッケージ50のチップ収納部に充填して硬化させたものである。
尚、この比較例1において、蛍光体混合エポキシ樹脂60の表面は、パッケージ50の外枠53の上面とほぼ一致し、かつ実質的に平坦になるように形成する。
すなわち、この比較例1の素子における蛍光体混合エポキシ樹脂は、発光素子チップからの光を遮光する遮光層及び集光させるレンズ形状を有していない。
【0029】
以上のように作製された比較例1の窒化物半導体発光素子は、発光色は白色であり、図7に示す指向特性を有していた。
ここで、図7において、実線L3は、長軸方向d1(図8参照)における指向角に対する発光出力Poを示し、破線L4は短軸方向d2(図8参照)における指向角に対する発光出力Poを示す。
図7から明らかなように、本実施例の構成では、長軸方向d1及び短軸方向d2において、ほぼ等しい特性を有しているが、指向性は実施例1に比較して均一でなく大きくばらつく。
【0030】
また、図6と図7とを比較することにより、実施例1の発光出力は、比較例1に比べて極めて大きくできることがわかる。
【0031】
実施例2.
実施例2の窒化物半導体発光素子は、実施例1の窒化物半導体発光素子において、レンズ20の蛍光体に代えて、石英ガラスフィラーを含有させた点以外は、実施例1と同様にして作製される。
ここで、実施例2において、石英ガラスフィラーの含有量は、重量比でエポキシ樹脂100に対して、石英ガラスフィラーを30の割合とした。
以上のようにして作製した実施例2の窒化物半導体発光素子の発光色は青色である(すなわち、図1に示す構造で発光色は青色である)。
【0032】
比較例2.
比較例2の窒化物半導体発光素子は、比較例1の窒化物半導体発光素子のパッケージ50の収納部に充填された樹脂において、蛍光体に代えて、石英ガラスフィラーを含有させた点以外は、比較例1と同様にして作製される。
以上のようにして作製した比較例2の窒化物半導体発光素子の発光色は青色である(図10に示す構造で発光色は青色である)。
【0033】
以上のようにして作製した実施例2の素子と比較例2の素子の発光強度と光出力とを比較してそれぞれ、図9(a)と図9(b)に示す。
図9(a)と図9(b)に示すように、実施例2の素子の発光強度及び光出力は、比較例2の素子に比べて、極めて高くできる。
尚、図9に示すデータは、実施例2の素子及び比較例2の素子とをそれぞれ600個(各3ロット)ずつ作製して、その平均値を示したものである。
【0034】
また、図11は、実施例2の発光素子の指向特性を示すグラフであり、実線L5は長軸方向d1の指向特性を示し、破線L6は短軸方向d2の指向特性を示す。
この実施例2の発光素子においても、実施例1と同様、長軸方向d1の指向特性と短軸方向d2の指向特性とはほぼ同一である。
【0035】
比較例3.
比較例3の発光素子は、比較例2の発光素子において、石英ガラスフィラーを含有させた樹脂の表面を平坦ではなく、レンズ形状にした以外は比較例2と同様に構成される。
この比較例3の発光素子の指向特性は、図12に示すようになる。
ここで、図12において、実線L7は長軸方向d1の指向特性であり、破線L8は短軸方向d2の指向特性である。
図12から明らかなように、比較例3の素子では、長軸方向d1と短軸方向d2では指向特性が異なる。
これに対して、本発明の発光素子では、長軸方向d1の指向特性と短軸方向d2の指向特性とをほぼ同一にできる。
【0036】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る発光素子は、上記第1の主面を発光観測面としかつ上記第2の主面に正及び負の電極が形成された発光素子チップの第1の主面上にレンズが形成され、かつそのレンズは上記第1の主面の外周端部と上記レンズの外周端部とが実質的に一致し、かつ上記レンズの球面が上記レンズの外周端部より外側に膨らむように形成されているので、薄型化が図れ、かつ発光観測面の外周端部において輝線が観測されるのを防止できる。
また、本発明に係る発光素子は、金型を用いることなくレンズを形成することができるので、安価に製造できる。
また、本発明に係る発光素子において、光散乱粒子を含む遮光層を上記発光素子チップの側面と上記レンズの外周端部及びその近傍とを連続的に覆うように設けることにより、発光した光を実質的に発光観測面のみから出力できるので、発光強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る実施の形態の発光素子の構成を示す断面図である。
【図2】 図1の一部を拡大して示す断面図である。
【図3】 実施の形態の発光素子の製造方法において、発光素子チップの発光観測面上にレンズ形成用樹脂を塗布した直後の平面図(a)と断面図(b)である。
【図4】 実施の形態の発光素子の製造方法において、発光素子チップの発光観測面上にレンズ形成用樹脂を塗布し、レンズ形状が形成されたときの平面図(a)と断面図(b)である。
【図5】 実施の形態の発光素子の製造方法において、発光素子チップの周りに遮光膜を形成した後の平面図(a)と断面図(b)である。
【図6】 実施例1の窒化物半導体発光素子の指向特性を示すグラフである。
【図7】 比較例1の窒化物半導体発光素子の指向特性を示すグラフである。
【図8】 実施例及び比較例に使用したパッケージの長軸方向と短軸方向とを示す平面図である。
【図9】 実施例2の発光素子の特性と比較例2の発光素子の特性とを対比して示すグラフであり、(a)は光度を比較して示すグラフであり、(b)は光出力を比較して示すグラフである。
【図10】 比較例2の断面図である。
【図11】 実施例2の発光素子の指向特性を示すグラフである。
【図12】 比較例3の発光素子の指向特性を示すグラフである。
【図13】 従来例の発光素子において、キャスティングケースを用いてレンズを形成する場合の様子を示す断面図である。
【図14】 従来例の発光素子において、金型を用いてレンズを形成する場合の様子を示す断面図である。
【符号の説明】
1…発光素子チップ、
1a…発光観測面の外周端部、
10…基板、
11…n型半導体層、
12…p型半導体層12、
13…p電極、
14…n電極、
15,16…導電性接着材、
20…レンズ、
20a…レンズの外周端部、
21…レンズ形成用樹脂、
30,31…遮光膜、
50…パッケージ、
51…正電極板、
52…負電極板、
54…樹脂。

Claims (5)

  1. 互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、上記第1の主面を発光観測面としかつ上記第2の主面に正及び負の電極が形成された発光素子チップと、上記第1の主面上に形成されたレンズとを備え、
    上記第1の主面の外周端部と上記レンズの外周端部とが実質的に一致し、かつ上記レンズの球面が上記外周端部より外側に膨らんで形成された発光素子であって、
    上記発光素子はさらに、光散乱粒子を含む遮光層を有し、該遮光層は上記発光素子チップの側面と上記レンズの外周端部及びその近傍とを連続的に覆うように設けられていることを特徴とする発光素子。
  2. 上記散乱粒子は、酸化ケイ素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1つを含む請求項記載の発光素子。
  3. 上記発光素子チップは窒化物半導体発光素子チップであって、上記レンズは蛍光体を含む請求項1又は2に記載の発光素子。
  4. 上記蛍光体は、少なくともセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を含む請求項記載の発光素子。
  5. 前記発光素子チップは、主発光波長が530nm以下の可視光を発光する請求項1〜のうちのいずれか1つに記載の発光素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193393A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
JP4385741B2 (ja) * 2003-11-25 2009-12-16 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4622253B2 (ja) * 2004-01-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光デバイス及びその製造方法
JP2006086172A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Seiko Epson Corp 光源装置及びその冷却方法、並びに画像表示装置
JP4979896B2 (ja) * 2005-04-25 2012-07-18 パナソニック株式会社 発光装置
JP5189247B2 (ja) * 2005-09-27 2013-04-24 スタンレー電気株式会社 半導体光源装置の製造方法
CN101427388B (zh) * 2006-04-24 2010-08-18 旭硝子株式会社 发光装置
EP2023408A4 (en) * 2006-05-18 2011-06-29 Asahi Glass Co Ltd PROCESS FOR MANUFACTURING AN ILLUMINATING ELEMENT AND LIGHTING ELEMENT
WO2008041771A1 (fr) 2006-10-05 2008-04-10 Asahi Glass Co., Ltd. élément électroluminescent revêtu de verre, panneau de câblage avec élément électroluminescent, son procédé de fabrication, dispositif d'éclairage et projecteur
JP4973279B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101517644B1 (ko) 2007-11-29 2015-05-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치 및 그 제조방법
JP5224173B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101596001B1 (ko) * 2008-07-01 2016-03-07 코닌클리케 필립스 엔.브이. 변환되지 않은 광의 방출이 감소된 파장 변환형 발광 다이오드
US7973327B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED
JP5226449B2 (ja) * 2008-10-03 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN101436637B (zh) * 2008-12-16 2011-02-16 王海军 一种高效散热发光的大功率led封装结构
DE202009018419U1 (de) * 2009-03-09 2011-08-17 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung
JP2011071272A (ja) 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP4875185B2 (ja) * 2010-06-07 2012-02-15 株式会社東芝 光半導体装置
DE102010023955A1 (de) * 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010024545B4 (de) 2010-06-22 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP5923850B2 (ja) * 2010-11-30 2016-05-25 サンユレック株式会社 オプトデバイスの製造方法
JP6107475B2 (ja) 2013-06-28 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5765865B2 (ja) 2013-07-17 2015-08-19 丸文株式会社 半導体発光素子及びフォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法
JP6229412B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2015165536A (ja) * 2014-03-03 2015-09-17 ウシオ電機株式会社 発光装置および発光モジュール
JP5702481B2 (ja) * 2014-03-03 2015-04-15 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US9806229B2 (en) 2014-03-06 2017-10-31 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
JP6387677B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9929317B2 (en) 2015-01-16 2018-03-27 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
JP6625326B2 (ja) * 2015-02-09 2019-12-25 住友化学株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP5932087B2 (ja) * 2015-03-23 2016-06-08 株式会社東芝 光半導体装置
US9972752B2 (en) 2015-04-08 2018-05-15 Nichia Corporation Light-emitting device manufacturing method
JP6020657B2 (ja) * 2015-05-25 2016-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI637530B (zh) 2015-09-03 2018-10-01 丸文股份有限公司 深紫外led及其製造方法
WO2017168811A1 (ja) 2016-03-30 2017-10-05 丸文株式会社 深紫外led及びその製造方法
JP6776855B2 (ja) 2016-12-06 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102026655B1 (ko) * 2017-07-25 2019-09-30 (주)라이타이저 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법
JP6665143B2 (ja) * 2017-10-02 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7316610B6 (ja) 2018-01-26 2024-02-19 丸文株式会社 深紫外led及びその製造方法
JP6669197B2 (ja) * 2018-06-08 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7011196B2 (ja) * 2020-03-18 2022-02-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7021447B2 (ja) * 2020-10-05 2022-02-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7071680B2 (ja) * 2021-01-12 2022-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN115966561A (zh) 2021-09-30 2023-04-14 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2023139780A (ja) * 2022-03-22 2023-10-04 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

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