JP3976063B2 - Light emitting device - Google Patents
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Description
本発明は、発光装置に関し、特に、光源の光放射面から放射された光を反射して光源の背面側へ放射させる反射型の発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a reflective light emitting device that reflects light emitted from a light emitting surface of a light source and emits the light toward the back side of the light source.
本出願は、日本国特許出願番号(2003−373274、2004―251021)に基づいており、この日本国出願の全内容は、本出願において参照され導入される。 This application is based on Japanese patent application numbers (2003-373274, 2004-251021), and the entire contents of this Japanese application are referred to and introduced in this application.
従来、LED(Light-Emitting Diode:発光ダイオード)素子と反射鏡を対向配置し、LED素子から放射される光を反射して所望の方向に放射させる反射型の発光装置が特開平5−291627号公報に提案されている。 Conventionally, a reflection type light emitting device in which an LED (Light-Emitting Diode) element and a reflecting mirror are arranged to face each other and the light emitted from the LED element is reflected and emitted in a desired direction is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-291627. Proposed in the gazette.
反射型の発光装置は、反射光の光路にLED素子や給電用のリードが位置するために光の一部が遮られるという不都合はあるが、LED素子から放射される光を高い効率で集光できるため、光放射効率に優れている。 Reflective light emitting devices have the disadvantage that some of the light is blocked because the LED element and the power supply lead are located in the optical path of the reflected light, but the light emitted from the LED element is collected with high efficiency. Therefore, it is excellent in light emission efficiency.
近年、LEDの用途拡大に伴って、高出力のLEDの開発が進められており、すでに数ワットの大出力タイプも製品化されている。LEDは発熱の少ないことが特徴であるが、高出力化を実現するにはLED素子に大電流を供給する必要があり、その結果無視できないレベルの発熱が生じる。 In recent years, with the expansion of LED applications, high-power LEDs have been developed, and a high-power type of several watts has already been commercialized. The LED is characterized by low heat generation. However, in order to achieve high output, it is necessary to supply a large current to the LED element, and as a result, a non-negligible level of heat generation occurs.
特開平5−291627号公報に記載される発光装置は、LED素子をリードに搭載し、LED素子の電極とリードとをワイヤでボンディングしたものを第1の光透過性材料で封止し、更に第2の光透過性材料で第1の光透過性材料とリードとを封止して形成されており、第2の光透過性材料にはLED素子の発光面に対向する側に凹面状反射面が形成され、LED素子の背面側に平坦な放射面が形成されている。LED素子から放射された光は凹面状反射面で反射され、放射面から外部に放射される。
しかし、従来の反射型の発光装置によると、LED素子の点灯に伴って生じる熱を、リードを介して外部に伝熱して放熱するため、LED素子の発熱量増大に対応すべくリードのサイズを大にすると反射光を遮って光放射効率を低下させることから、放熱性の向上に制約が生じるという問題がある。 However, according to the conventional reflection type light emitting device, the heat generated when the LED element is lit is transferred to the outside through the lead to dissipate the heat. If it is made large, the reflected light is blocked and the light radiation efficiency is lowered, so that there is a problem in that the improvement in heat dissipation is restricted.
従って、本発明の目的は、放熱性に優れ、反射光の放射効率低減を最小限に抑えることのできる反射型の発光装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、より部品点数を低減させた反射型の発光装置を提供することにもある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a reflective light-emitting device that has excellent heat dissipation and can minimize the reduction in the radiation efficiency of reflected light.
Another object of the present invention is to provide a reflective light-emitting device with a reduced number of parts.
本発明は、上記の目的を達成するため、金属材料からなる遮光性の放熱板と、前記放熱板の端面に搭載され固体発光素子を含む光源部と、前記光源部へ電力を供給し、前記放熱板と絶縁され前記放熱板と一体的に形成されている給電部と、前記光源部から放射された光を、前記放熱板方向であって前記放熱板と平行な方向へ反射する反射部とを有することを特徴とする発光装置を提供する。 The present invention for achieving the above object, and supplies the light-shielding heat dissipating plate made of a metal material, a light source unit including a solid-state light-emitting element is mounted on the end face of the heat radiating plate, the power to the light source unit, wherein A power feeding part that is insulated from the heat sink and formed integrally with the heat sink; and a reflection part that reflects light emitted from the light source part in a direction parallel to the heat sink and in the direction of the heat sink There is provided a light emitting device characterized by comprising:
前記給電部は、金属性薄膜からなっていても良い。 The feeding unit may be made of metal thin film.
前記給電部は、複数の放熱板に絶縁体を介して挟入されていても良い。 The power feeding unit may be sandwiched between a plurality of heat radiating plates via an insulator.
前記光源部は、前記固体発光素子を光透過性材料で封止してパッケージ化されたものを用いることもできる。 The light source unit may be a package formed by sealing the solid light emitting element with a light transmissive material.
前記光源部は、フリップチップ実装される前記固体発光素子を有し、前記固体発光素子に対して電力の受供給を行う導電パターンを形成された無機材料基板上に実装され、前記無機材料基板との熱膨張率が同等の無機封止材料によって封止されているものであっても良い。 The light source unit includes the solid-state light emitting element that is flip-chip mounted, and is mounted on an inorganic material substrate on which a conductive pattern that receives and supplies power to the solid-state light emitting element is formed. May be sealed with an inorganic sealing material having the same thermal expansion coefficient.
前記無機封止材料は、ガラスであっても良い。 The inorganic sealing material may be glass.
前記固体発光素子は、屈折率1.55以上の無機封止材料によって封止されることが望ましい。 The solid state light emitting device is preferably sealed with an inorganic sealing material having a refractive index of 1.55 or more.
前記固体発光素子あるいは前記固体発光素子の周囲から、複数領域波長のスペクトル光を放射するものであっても良い。 The solid-state light emitting element or a light emitting spectrum light having a plurality of wavelengths from the periphery of the solid-state light emitting element may be used.
前記固体発光素子の周囲に蛍光体を配置した構成としても良い。 The phosphor may be arranged around the solid-state light emitting device.
また、前記反射部および前記放熱板を収容し、前記放熱板から伝熱される熱を外部放熱するケースとを有していても良い。 Further, accommodating the pre-Symbol reflective portion and the heat radiating plate may be possess a case for external heat the heat heat is transferred from the heat radiating plate.
前記放熱板は、前記ケースと同一部材で形成されていても良い。 The heat radiating plate may be formed of the same member as the case.
前記ケースは、前記反射部が配置される第1の開口部と、前記反射部にて反射された光を取り出す第2の開口部と、を有していても良い。The case may include a first opening in which the reflecting portion is disposed and a second opening from which light reflected by the reflecting portion is extracted.
前記ケースは、光を反射する表面を有することが望ましい。 Wherein the case, it is desirable to have a front surface you reflect light.
前記ケースの外周面は、放熱面積を拡大するために、凹凸部が形成されていても良い。 The outer peripheral surface of the case, in order to enlarge the heat area release, uneven portions may be formed.
前記ケースの外周面は、放熱面積を拡大するために、粗面化されていても良い。 The outer peripheral surface of the case, in order to enlarge the heat release area, may be roughened.
前記放熱板は、光を反射する表面を有する構成とすることが望ましい。 The heat sink, it is desirable to adopt a configuration that have a front surface you reflect light.
前記放熱板は、前記反射部側に突出した形状を有するものであっても良い。 The heat radiating plate may have a shape protruding toward the reflecting portion .
前記反射部は、樹脂材料によって形成されるものであっても良い。 The reflection part may be formed of a resin material.
前記光源部は、複数の固体発光素子を備えるものであっても良い。 The light source unit may include a plurality of solid state light emitting elements.
前記光源部を複数備え、前記複数の光源部に対応した複数の反射部と放熱板とを有するものであっても良い。 It said light source unit comprises a plurality of a plurality of reflective portions corresponding to the plurality of light source sections radiator plate and may have a.
前記複数の光源部は、赤色(R)、緑色(G)、および青色(B)の発光色の光源部からなるものであっても良い。 The plurality of light source units may include light source units of red ( R ) , green ( G ) , and blue ( B ) emission colors.
以下に、本発明に係る発光装置について、図面等を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る反射型の発光装置であり、(a)は斜視図、(b)は(a)のB−B部における横断面図、(c)は(a)のC−C部における縦断面図、(d)はLED素子搭載部の変形例の部分拡大図である。 1A and 1B show a reflective light emitting device according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a perspective view, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along a line BB in FIG. (A) The longitudinal cross-sectional view in CC section of (a), (d) is the elements on larger scale of the modification of a LED element mounting part.
この発光装置1は、金属材料で形成されて放熱性に優れるケース10と、ケース10の下部と嵌合するように形成される反射鏡部11と、ケース10の上面を覆う透過性の透明板12と、熱伝導性に優れる金属材料で形成されてケース10の内部に挿入される放熱板13および14と、放熱板13に搭載されるLED素子2と、放熱板13に絶縁層15aを介して固定されてLED素子2に給電する給電部材であるリード部15Aおよび15Bと、リード部15Aおよび15Bをケース10と絶縁する絶縁性材料で形成されたスペーサ16とを有する。なお、以下の説明では、LED素子2の発光面を原点とし、その中心軸をZ方向、これに直交するリード部15Aおよび15Bの引き出し方向をX方向、これらに直交する方向をY方向として説明する。
The
LED素子2は、GaN系の半導体材料によって構成されており、チップサイズは1mm×1mmである。また、0.3mm×0.3mmの標準サイズLED素子2を用いることも可能である。また、LED素子2は、上面に図示しない給電用の電極を有し、この電極とワイヤ3を介してリード部15Aおよび15Bに電気的に接続される。また、LED素子2はシリコン樹脂からなるモールド部2Aによって封止されている。LED素子2の下面は銀ペースト等の接着剤によって放熱板13に接着されている。
The
ケース10は、放熱性、加工性に優れるアルミニウムによって円筒状に形成されており、内壁面は鏡面状に加工されて平坦性を高めている。すなわち、内壁面は高直線反射率を有する。側面には放熱板14を嵌合させるスリット10Aが形成されている。
The
反射鏡部11は、放熱性に優れる銅等の金属材料によって形成されており、LED素子2から放射された光が照射される部分には発光装置が組み上げられた際、図1の座標原点を焦点とし、中心軸がZ軸と一致する回転放物面形状となる円弧状に窪んだφ10mmの反射鏡面11Aが形成されている。反射鏡面11Aは銀メッキによる鏡面加工が施されている。また、反射鏡部11は、ケース10と嵌合可能に形成されている。
The reflecting
透明板12は、光透過性を有する樹脂によって平板状に形成されて反射鏡面11Aで反射された光を透過させる光透過性を有するとともにケース10の上面を覆って異物等の侵入を防止している。
The transparent plate 12 is formed of a light-transmitting resin in a flat plate shape and has a light transmission property that allows the light reflected by the reflecting
放熱板13および14は、熱伝導性に優れる厚さ0.5mm、幅(Z方向)5mmの銅板であり、表面粗度が小さい材料の表面に銀メッキによる鏡面加工が施されている。放熱板13の中央には放熱板14を挿入するためのスリット13Aが設けられている。放熱板14は、スリット13Aに挿入されて放熱板13と直交するように配置される。放熱板13は、ケース10のスリット10Aに嵌合するように取り付けられている。また、放熱板13のLED素子搭載部分は圧潰等によってLED素子2の搭載に適した形状に幅が拡大されて2.0mm角とされている。
The
リード部15Aおよび15Bは、熱伝導性に優れる銅によって形成されており、ワイヤ3の接合性および光反射性を付与するために表面に銀メッキが施されている。このリード部15Aおよび15Bは、放熱板13の端面にポリイミド等の絶縁層15aを介して接着されており、放熱板13を介してリード部15Aおよび15Bが短絡しないようになっている。
The
スペーサ16は、ケース10に嵌入されてリード部15Aおよび15Bを所定の位置に固定するとともにケース10と電気的に短絡しないように絶縁している。
The
次に、第1の実施の形態の発光装置1の製造工程について以下に説明する。
Next, the manufacturing process of the
まず、リードフレーム(図示せず)に保持されたリード部15Aおよび15Bに対し、ワイヤ3の接合性を高めるために予め銀メッキを施す。また、銀メッキを施すことでリード表面に当たる光が反射される。次に、鏡面加工を施された放熱板13の端面に絶縁層15aを介してリード部15Aおよび15Bを接着する。次に、放熱板13の端面にLED素子2を接着し、図示しない電極とリード部15Aおよび15Bとをワイヤ3でボンディングし、LED素子2を樹脂封止するとともにモールド部2Aを形成する。次に、リード部15Aおよび15Bをリードフレームから分離する。次に、ケース10にスペーサ16を組み込む。次に、LED素子2、リード部15Aおよび15Bを接着された放熱板13をケース10のスリット10Aに挿入し、スペーサ16の位置まで押し込む。次に、放熱板13のスリット13Aに放熱板14を挿入する。次に、ケース10の下面、すなわち、LED素子2の光放射側に位置する開口に予め形成された反射鏡部11を嵌入する。次に、ケース10の上面、すなわち、LED素子2の背面側に透明板12を嵌め込んで一体化する。
First, silver plating is performed in advance on the
次に、第1の実施の形態の発光装置1の動作について以下に説明する。
Next, operation | movement of the light-emitting
ケース10の外部に露出されたリード部15Aおよび15Bに図示しない電源部から電力が供給されるとLED素子2が点灯する。LED素子2から放射された略全部の光は、反射鏡部11の反射鏡面11Aで反射されてZ軸に平行な反射光として図1(c)に示す方向、すなわち、LED素子2の背面側に向かい、一部ケース10の内壁面、放熱板13および14の表面で反射される光も含めて透明板12を介して外部に放射される。
When power is supplied from a power supply unit (not shown) to the
また、LED素子2の点灯に伴って生じた熱は、放熱板13および14を介してケース10に伝熱して大気中に放熱される。
Further, the heat generated along with the lighting of the
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)放熱板13の端面にLED素子2を搭載するようにしたため、LED素子2の点灯時に生じた熱がリード部15Aおよび15B、放熱板13および14を介してケース10に速やかに熱引きされるようになり、LED素子2の高出力化によって発熱量が増大しても良好な放熱性が得られる。
According to the first embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) Since the
(2)放熱部となる放熱板13および14は、LED素子2の背面方向(Z軸方向)に放熱幅を有する。すなわち、面の法線方向がZ軸に直交する方向で配置されているので、φ10の光学径としてもφ10の反射面に対するLED素子2を含むLED素子搭載部分と放熱板13、14の面積は15%程度に留まり、伝熱のために十分な面積を保つことができるとともに、反射鏡面11Aで反射された反射光が放熱板13および14の端面に当たる面積が小になり、反射光が端面に当たることに基づいて生じる迷光を低減して外部放射性を向上させることができる。そして、小形で高効率の集光放射を実現できる。当然、光学径をさらに大きくとれば迷光をさらに抑え、さらなる高効率とすることができる。なお、従来技術のように、金属平板を打ち抜いたリードから伝熱させるものでは、リード幅となる抜き幅に対し、2倍程度の厚みとしかできないのに対し、本発明ではリード幅に対して10倍以上の厚さ(LED素子2の背面方向への幅)を有する伝熱面積が得られる。また、光学径を小さく抑え、小形の発光装置とするには、LED素子2に対するLED素子搭載面積も重要となる。例えば、既に市販されている1mm角のLED素子2を搭載したφ7.5のパッケージを用いてもφ10の対向反射面では、反射面で反射された光の大半はパッケージで遮られ、高効率の外部放射はできない。せめて、LED素子2に対し5倍以内のLED素子搭載幅、望ましくは3倍以内の幅に抑えたものを用いたほうが良い。当然、光学径をさらに大きくとったものでも、効率影響の程度が異なるだけでLED素子搭載面は小さくするのが望ましい。
(2) The
(3)放熱板13をケース10に支持させるとともに放熱板14と交差させているため、薄板状の放熱板13を使用しながらLED素子2およびリード部15Aおよび15Bの支持部材として構造的な強度を確保することができる。
(3) Since the
(4)ケース10の内壁面、放熱板13および14の表面は直線反射率が高いため、光源であるLED素子2が大きさを持つことに起因して生ずる、Z軸に対して拡がり角を持つ反射光がこれらに達しても反射鏡面11Aで反射された反射光を減衰させることなく、更には、反射光は入射光に対して対称反射されるものが大半であるので、集光度を保ったままケース10の外部に放射させることができる。
(4) Since the inner wall surface of the
(5)ケース10の内壁面が高直線反射率を有するため、放熱板がZ方向に幅を有し、反射鏡面11Aで反射された反射光の光路範囲内にケース10の内壁面が位置するようにしても、効率良く外部放射させることができるので、コンパクトなパッケージを実現できる。このことは反射鏡面11Aの形状を変えて更に拡がり角を有する反射光に対しても同様であり、この場合更に効果がある。
(5) Since the inner wall surface of the
(6)ケース10は、高熱伝導性のアルミニウムであるので、放熱板13の熱を速やかにケース10全体に伝え、LED素子2が発する熱は、放熱板13とケース10とで大気へと放熱される。このため、一般のラージ素子で必要なヒートシンクを用いなくても20℃/W以下の熱抵抗とできる。
(6) Since the
なお、第1の実施の形態では、GaN系のLED素子2を用いた構成を説明したが、例えば、AlInGaP等の他のLED素子2を使用することも可能である。
In the first embodiment, the configuration using the GaN-based
また、LED素子2を封止するモールド部2Aに蛍光体を含有して波長変換型の反射型発光装置としても良い。この場合、反射による光学系ではレンズ型LEDのように発光波長によって屈折率が異なることはなく、集光光に色分離が生じないものとできる。
Moreover, it is good also as a reflection type light-emitting device of a wavelength conversion type by containing fluorescent substance in the
すなわち、例えば、白色光源は、LEDの青色とそれによって励起される蛍光体の黄色、あるいは、LEDのUV光によって励起される蛍光体の青色、緑色、赤色等の複数領域波長のスペクトル光で構成されている。この光をレンズによって集光放射する場合、波長によって屈折角が異なり、それぞれ異なる方向へ放射される。集光度が高く照射距離が長いほどこの現象は顕著となる。一方、反射光学系では、波長による反射角依存はないため、高集光長照射距離としてもこの問題は生じない。 That is, for example, the white light source is composed of spectrum light of a plurality of wavelengths such as blue of LED and yellow of phosphor excited by the LED, or blue, green, red of phosphor excited by UV light of the LED. Has been. When this light is condensed and emitted by the lens, the refraction angle differs depending on the wavelength, and the light is emitted in different directions. This phenomenon becomes more prominent as the degree of light collection is higher and the irradiation distance is longer. On the other hand, since the reflection optical system does not depend on the reflection angle depending on the wavelength, this problem does not occur even when the irradiation distance is high.
そして、これまでの大電流供給による高光出力タイプのLEDでないものでは、照らす光として用いるものには光量不足であり、色分離が大きな問題となるケースは稀であったが、大電流を通電する高出力タイプでは照明に用いられる光源とすることができる。そして、放熱対策が必要な高出力タイプのLEDにおいて複数領域波長のスペクトル光を放射する光を色分離なしで高効率集光放射することによる、均一な色の高照度照射を実現することができる。なお、複数領域のスペクトル光は、LED素子と蛍光体との組み合わせに限定されるものではなく、LED素子自体が広い波長幅のスペクトル特性である場合や、複数の複数色LED素子を密配列し、光拡散部材で封止したものである場合などでも良い。さらに、レンズとその周囲の反射鏡によって集光する場合、レンズによる照射光と反射鏡による照射光とで均一な照射光をえることは困難である。しかし、単一反射面による集光を行っているので、均斉度の高い照射を実現できる。 And in the case of the LED that is not a high light output type with a large current supply so far, the amount of light used is not sufficient for the light used for illuminating, and it is rare that color separation is a serious problem, but a large current is applied. The high output type can be used as a light source for illumination. And high-illuminance illumination of uniform color can be realized by high-efficiency condensing and radiating light that radiates spectrum light of multiple regions wavelength without color separation in high-power type LEDs that need countermeasures against heat dissipation. . The spectral light in a plurality of regions is not limited to the combination of the LED element and the phosphor. If the LED element itself has a spectral characteristic with a wide wavelength width, or a plurality of multi-color LED elements are closely arranged. Alternatively, it may be sealed with a light diffusing member. Furthermore, when the light is collected by the lens and the reflecting mirror around it, it is difficult to obtain uniform light by the light irradiated by the lens and the light irradiated by the reflecting mirror. However, since light is collected by a single reflecting surface, irradiation with high uniformity can be realized.
また、光源部としてチップLEDを用いることもできる。チップLEDとは、LED素子を基板等に実装して電気的な接続を行った後に封止材で全体を封止し、ペレット状にダイシングすることによって得られる小型LEDである。 Moreover, chip | tip LED can also be used as a light source part. The chip LED is a small LED obtained by mounting an LED element on a substrate or the like and making an electrical connection, then sealing the whole with a sealing material and dicing into a pellet.
また、LED素子2と反射鏡面11Aとの間が光透過性材料で充填されたものであっても良い。
Further, the
放熱板13および14については、放熱性に優れる金属材料であれば銅に限定されず、アルミニウムあるいは他の材料で形成されても良いが、熱伝導率100W・m−1・k−1以上の材料を用いることが好ましい。
For radiating
光源部の背面方向に放熱幅を有して設けられる放熱板13および14の適正形状は、材料の熱伝導率だけでなく光源への投入電力や光源の耐熱性にも依存する。しかし、放熱板の厚さ方向に対して3倍以上の放熱幅とすることで、反射鏡の中心軸に対し直交する平板形状によるリードフレームとの差異を出すことができる。
The appropriate shape of the
また、放熱部についても、リード部15Aおよび15BにLED素子2の背面方向への幅を持たせることで放熱板の機能を有するようにしても良い。
Further, the heat radiating portion may have a function of a heat radiating plate by giving the
透明板12については、ケース10の上面を覆う機能以外に、例えば、光学系として集光・光拡散を行わせるものとしても良い。例えば、集光レンズ状の透明部とすることでケース10から外部放射される反射光をスポット状に集光することも可能である。また、平板状の透明板12の一面をホログラム技術により、所定角度範囲に光放射されるよう粗面化して、外部放射される光を拡散させるようにしても良い。
About the transparent plate 12, it is good also as what performs light collection and light diffusion as an optical system other than the function which covers the upper surface of
また、透明板12をガラス材で形成し、その表面に薄膜状に蛍光体層を設けることによって、耐光性、耐熱性に優れ、少ない蛍光体使用量で波長変換性に優れる波長変換型の発光装置1が得られる。
Moreover, the transparent plate 12 is formed of a glass material, and a phosphor layer is provided on the surface thereof in a thin film shape, so that it is excellent in light resistance and heat resistance, and wavelength conversion type light emission excellent in wavelength conversion with a small amount of phosphor used.
図1(d)は、LED素子2の搭載部分の拡大図である。このように、LED素子2を搭載する部分をリード部15Aおよび15Bの表面より突出させて設けても良い。この場合には、LED素子2の横方向に放射される光がリード部15Aおよび15Bによって妨げられることがないので、外部への光放射効率が向上する。
FIG. 1D is an enlarged view of a mounting portion of the
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る反射型の発光装置の断面図である。断面の位置は図1で示すB−B部である。第2の実施の形態の発光装置1は、ケース10の外周面に放熱面積を拡大するための凹凸部10Bを形成した構成において第1の実施の形態の発光装置1と相違している。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a reflective light-emitting device according to the second embodiment of the present invention. The position of the cross section is the BB part shown in FIG. The
上記した第2の実施の形態によると、ケース10の表面積が凹凸部10Bによって拡大されることにより、放熱板13および14を介して伝熱した熱を大気中に効率良く放散させることができる。なお、凹凸部10Bを設ける以外に、ケース10の外周面をブラスト処理等によって粗面化しても同様の効果が得られる。また、凹凸加工と粗面化処理とを併用しても良い。
According to the second embodiment described above, the surface area of the
図3は、本発明の第3の実施の形態に係る反射型の発光装置であり、(a)は平面図、(b)は(a)のD−D部における横断面図、(c)は(a)側面図である。この発光装置1は、放熱板13および14を中央で支持する伝熱性材料からなる放熱支柱17と、放熱支柱17の端面、すなわち、反射鏡部11と対向する側に接着されるリード部15Bと、ケース10の下部に接着される基板18を有する構成において第1の実施の形態の発光装置1と相違している。以下の説明において、第1の実施の形態と共通する部分については同一の引用数字を付している。
3A and 3B show a reflective light-emitting device according to a third embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along a line DD in FIG. (A) It is a side view. The
反射鏡部11は、リード部15Aおよび15Bと接触する部分に絶縁層15aを有する。
The reflecting
放熱板13および14は、熱伝導性に優れる厚さ0.1mmのアルミニウム板であり、表面粗度の小さい鏡面状の板である。放熱板13および14の中央には放熱支柱17に組み込むための図示しないスリットが設けられている。放熱板13は、スペーサ16を介してケース10に支持されている。
The heat sinks 13 and 14 are 0.1 mm thick aluminum plates having excellent thermal conductivity, and are mirror-like plates having a small surface roughness. A slit (not shown) is provided in the center of the
リード部15Aおよび15Bは、熱伝導性に優れる銅によって形成されており、光反射性を付与するために表面に銀メッキが施されている。リード部15Bは、LED素子2を搭載する部分が凹状に窪んだ形状を有しており、放熱支柱17の端面に接着されている。LED素子2はエポキシ樹脂からなるモールド部2Aによってリード部15Bの先端部に封止されている。
The
スペーサ16は、熱伝導性に優れるアルミニウムによって形成されており、底面にはリード部15Aおよび15Bと電気的に絶縁するための絶縁層15aを有する。なお、絶縁層15aは、リード部15Aおよび15Bに設けることもできる。
The
基板18は、ケース10と同様にアルミニウムで形成されてケース10の下部に接着されている。
The
図4は、放熱支柱を示す図であり、(a)は側面図、(b)は平面図である。放熱支柱17は銅によって形成されて表面に銀メッキが施されており、放熱板13および14を中央で交差状に支持するようにスリット17Aおよび17Bが形成されている。
4A and 4B are views showing the heat dissipation column, where FIG. 4A is a side view and FIG. 4B is a plan view. The heat dissipating column 17 is made of copper and has a surface plated with silver, and slits 17A and 17B are formed so as to support the
次に、第3の実施の形態における発光装置1の製造工程について、以下に説明する。
Next, the manufacturing process of the
まず、リードフレーム(図示せず)に保持されたリード部15Aおよび15Bに対し、ワイヤ3の接合性を高めるために予め銀メッキを施す。次に、リード部15Bの先端部にLED素子2を接合し、図示しないLED素子2の電極とリード部15Aおよび15Bとをワイヤ3でボンディングし、LED素子2を樹脂封止するとともにモールド部2Aを形成する。次に、リード部15Bの先端部にろう材等で放熱支柱17を接合する。次に、ケース10に予め形成された反射鏡部11を組み込む。次に、LED素子2および放熱支柱17を一体化されたリード部15Aおよび15Bをケース10に組み込む。次に、リード部15Aおよび15Bをリードフレーム(図示せず)から分離する。次に、ケース10にスペーサ16を組み込む。次に、放熱板13および14をケース10に組み込む。このとき、放熱板13および14の中央部分を放熱支柱17のスリット17Aおよび17Bに挿入するとともにスペーサ16のスリット16Aに放熱板13を組み込む。次に、ケース10の下部に基板18を接合する。次に、ケース10の上面に透明板12を嵌め込んで一体化する。
First, silver plating is performed in advance on the
上記した第3の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)リード部15Bから放熱支柱17を介して放熱板13および14にLED素子2の点灯に基づく熱を伝熱するようにしたため、LED素子2の高出力化に対して伝熱性に余裕のある放熱経路を確保することができる。
According to the above-described third embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Since heat based on the lighting of the
(2)放熱支柱17で放熱板13および14を支持することにより、放熱板13および14を第1の実施の形態で説明したものより更に薄く形成できるため、より迷光の生じにくい構成を得ることができ、反射光の外部放射性を向上させることができる。
(2) Since the
図5は、本発明の第4の実施の形態に係る反射型の発光装置を示し、(a)は縦断面図、(b)はZ方向から見た平面図である。この発光装置1は、(a)に示すように第3の実施の形態で説明した発光装置1の透明板12を放熱板13および14の下側に配置している構成を有する。すなわち、透明板12は、(b)に示すように放熱板13および14より下側のケース10内部に設けられており、放熱板を大気開放している。また、放熱板13および14に加えて放熱板19が設けられており、そのことによって放熱板13、14、および19が格子状に配列される。その他の構成については第3の実施の形態と同様に形成されている。
5A and 5B show a reflective light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a longitudinal sectional view, and FIG. 5B is a plan view seen from the Z direction. The
透明板12は、放熱支柱17を貫通させる貫通孔12Aを有しており、ケース10の内部でスペーサ16によって支持されている。また、放熱支柱17は貫通孔12Aによってケース10の中央に配置される。なお、ここで反射鏡面11Aはφ10mm、放熱板19は厚さ0.1mmである。
The transparent plate 12 has a through-hole 12 </ b> A that allows the heat dissipation column 17 to pass through, and is supported by the
次に、第4の実施の形態における発光装置1の製造工程について、以下に説明する。
Next, the manufacturing process of the
まず、リードフレーム(図示せず)に保持されたリード部15Aおよび15Bに対し、ワイヤ3の接合性を高めるために予め銀メッキを施す。次に、リード部15Bの先端部にLED素子2を接合し、図示しないLED素子2の電極とリード部15Aおよび15Bとをワイヤ3でボンディングし、LED素子2を樹脂封止するとともにモールド部2Aを形成する。次に、リード部15Bの先端部にろう材等で放熱支柱17を接合する。次に、ケース10に予め形成された反射鏡部11を組み込む。次に、LED素子2および放熱支柱17を一体化されたリード部15Aおよび15Bをケース10に組み込む。次に、リード部15Aおよび15Bをリードフレーム(図示せず)から分離する。次に、ケース10にスペーサ16を組み込む。次に、ケース10の下部に基板18を接合する。次に、ケース10の上側から透明板12をケース10の内部に挿入してスペーサ16の位置まで嵌め込む。このとき、貫通孔12Aに放熱支柱17を貫通させる。次に、放熱板13および14をケース10に組み込む。このとき、放熱板13および14の中央部分を放熱支柱17のスリット17Aおよび17Bに挿入する。また、放熱板13および14に直交するように放熱板19を組み込む。
First, silver plating is performed in advance on the
上記した第4の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)放熱支柱17および放熱板13、14、および19が透明板12の外側に配置されるため、LED素子2の点灯に伴う熱の放熱性が向上する。
According to the fourth embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) Since the heat radiation support column 17 and the
(2)LED素子2が発する熱に応じて放熱板13、14、および19の配置を容易に変更できるため、用途に応じたパッケージの放熱性を適切に設定できる。また、放熱板13、14、および19の配置に基づいて意匠性に優れる発光装置が得られる。
(2) Since the arrangement of the
(3)放熱板13、14、および19は、薄板のために遮光影響は無視できる範囲にあり、放熱面積を大幅に増やすことができる。更に、(1)の効果に加えて、必ずしもケース10へ放熱しなくとも十分な放熱性が得られる。
(3) Since the
(4)放熱支柱17が透明板12の貫通孔12Aによって支持されるため、薄板によって形成される放熱板13,14、および19を安定的に配置させることができる。
(4) Since the heat radiating column 17 is supported by the through-hole 12A of the transparent plate 12, the
図6は、本発明の第5の実施の形態に係る反射鏡部の部分構成図である。反射鏡部11は、LED素子2の直下に凸部11Bを有した反射鏡面11Aを有している。詳細には、LED素子2の位置と、LED素子2から中心軸方向に2R、中心軸と垂直な方向に2R/3の位置とに焦点を持つ楕円線を中心軸まわりに回転させた形状としてある。
FIG. 6 is a partial configuration diagram of a reflecting mirror section according to the fifth embodiment of the present invention. The reflecting
上記した第5の実施の形態によると、LED素子2の直下に放射された光がLED素子2の方向に反射されることがないため、LED素子2の遮光を減ずることができ、反射光の外部への光取り出し性を向上させることができる。なお、第5の実施の形態では、凸部11Bは反射鏡面11Aに一体的に設けられているものを説明したが、例えば、凸部11Bを反射鏡面11Aと別体で形成し、接着剤等によって反射鏡面11Aに固定するようにしても良い。
According to the fifth embodiment described above, since the light emitted directly under the
図7は、本発明の第6の実施の形態に係るモールド部の部分構成図である。モールド部2Aは、LED素子2の光放射面側が円弧状に窪んだ凹部2aを有して構成されている。
FIG. 7 is a partial configuration diagram of a mold part according to the sixth embodiment of the present invention. The
上記した第6の実施の形態によると、LED素子2の直下に放射された光が凹部2aからモールド部2Aの外部へ放射される際に屈折する。すなわち、LED素子2の直下の反射鏡面11Aに光が入射しないため、反射光の外部への光取り出し性を向上させることができる。
According to the above-described sixth embodiment, the light radiated immediately below the
図8は、本発明の第7の実施の形態に係るLED素子搭載部の部分構成図である。LED素子2は、フリップチップタイプであり、高熱伝導性を有する窒化アルミニウム(AlN)からなるサブマウント素子21にAuバンプ4を介して搭載されている。
FIG. 8 is a partial configuration diagram of an LED element mounting portion according to the seventh embodiment of the present invention. The
サブマウント素子21は、リード部15Aと電気的に接続される電極21Aと、リード部15Bと電気的に接続される電極21Bとを有し、電極21Aおよび21Bは、サブマウント素子21内に形成される配線層21Cおよび21Dを介してLED素子2の電極(図示せず)に電気的に接続される。このサブマウント素子21に放熱支柱17が取り付けられている。
The submount element 21 includes an electrode 21A electrically connected to the
上記した第7の実施の形態によると、放熱支柱17にサブマウント素子21を取り付けることによって光取り出し効率に優れるフリップチップタイプのLED素子2を搭載することが可能になる。また、ワイヤを用いないので、モールドサイズを素子同等とすることができ、LED素子2の遮光を減ずることができ、反射光の外部への光取り出し性を向上させることができる。また、LED素子2の点灯に基づいて生じる熱を熱伝導性に優れるサブマウント素子21を介して放熱支柱17に伝熱させることができ、放熱支柱17に接合される放熱板から効率良く熱を放散させることができる。
According to the seventh embodiment described above, it is possible to mount the flip-chip
なお、上記した各実施の形態では、LED素子2、反射鏡部11、リード部15A,15B、放熱板13,14等をケース10に収容した構成を説明したが、これらを固定的に配置できればケース10を省いても良い。
In each of the above-described embodiments, the configuration in which the
図9は、本発明の第8の実施の形態に係る反射型の発光装置であり、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B部における横断面図、(c)は(a)側面図である。 9A and 9B show a reflection type light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention, in which FIG. 9A is a plan view, FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. (A) It is a side view.
この発光装置1は、放熱板の一方がポリイミド層13C及び銅箔13Dを間に挟んだ2枚の金属製の放熱板13Bから成っている構成、銅箔13DがLED素子に給電するための給電部材となることでリード部が不要となり、更には、リード部とケース10とを絶縁するための絶縁層やスペーサが不要となる構成、及びガラス封止型のLED20を銅箔13Dと電気的に接続している構成において、第1の実施の形態の発光装置1と相違している。なお、以下の説明において、第1の実施の形態と同様の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。
The
図10は、発光装置に搭載されるLEDを示す断面図である。 FIG. 10 is a cross-sectional view showing an LED mounted on the light emitting device.
このLED20は、フリップチップ型のGaN系LED素子2(発光波長470nm)と、GaN系LED素子2を搭載するガラス含有Al2O3基板200(熱膨張率12.3×10−6/℃)と、タングステン(W)−ニッケル(Ni)−金(Au)で構成されてガラス含有Al2O3基板200に形成される回路パターン201と、GaN系LED素子2と回路パターン201とを電気的に接続するAuスタッドバンプ202と、GaN系LED素子2を封止するとともにガラス含有Al2O3基板200と接着されるガラス封止部203とを有する。このLED20は、絶縁性接着剤によって放熱板13Bに接着固定される。
This
ガラス含有Al2O3基板200は、基板の表面および裏面にメタライズされたWからなる回路パターン201を導通させるビアホール200Aを有している。
The glass-containing Al 2 O 3 substrate 200 has via
ガラス封止部203は、低融点ガラスとしてのリン酸系ガラス(熱膨張率11.4×10−6/℃、Tg390℃、n=1.59)によって形成されており、金型によるホットプレス加工によってガラス含有Al2O3基板200と接着された後にダイサーでカットされることに基づく上面203Aおよび側面203Bを有して矩形状に形成されている。なお、ガラス封止部203にGaN系LED素子2から放射される青色光によって励起される蛍光体を含有することによって白色光を放射するものであっても良い。
The glass sealing part 203 is formed of phosphoric acid glass (thermal expansion coefficient 11.4 × 10 −6 / ° C., Tg 390 ° C., n = 1.59) as a low melting point glass, and is hot pressed by a mold. It is formed in a rectangular shape having an upper surface 203A and a
図11は、放熱板13B、ポリイミド層13C及び銅箔13Dから成る放熱板の構成を示す図であり、それぞれ(a)は正面図、(b)は側面図、(c)は下面図である。ポリイミド層13Cは側面部及び下部において放熱板13Bの縁部より突出する形状をしている。また、2つの銅箔13Dは、それぞれポリイミド層の側面突出部から下突出部にかけてポリイミド層13Cに含まれるように位置しており、各突出部から更に突出している。
11A and 11B are diagrams showing the configuration of the heat radiating plate made of the
2枚の放熱板13Bはそれぞれ、熱伝導性に優れる厚さ0.2〜0.3mmの銅板であり、ポリイミド層13Cに接する面に対向する面には、表面粗度が小さい材料の表面に銀メッキによる鏡面加工が施されている。また、その他の形状については第1の実施の形態における放熱板13に準じている。なお、放熱板13Bを構成する金属材料は熱伝導性に優れるものであれば他の材料で形成されても良く、例えば、アルミニウムで形成しても良い。アルミニウムの場合、高熱伝導性に加え、高反射性を有することから、メッキ処理等の鏡面加工を省くことも可能である。例えば、圧延時に高直線反射率(80%)とされるものを用いても良い。
Each of the two
また、2枚の放熱板13Bの間には、ポリイミド層13Cが挟入されており、ポリイミド層13Cは銅箔13Dを包み込んでいる。ここでポリイミド層13Cは、放熱板13Bと銅箔13Dとを絶縁するとともに、2枚の放熱板13Bを貼り合わせた際に隙間ができないようにするスペーサの役目も果たす。
A
ポリイミド層13C及び銅箔13Dは、上述のように側面部及び下部において放熱板13Bの縁部より突出する形状をしているが、銅箔13Dのポリイミド層13Cの下突出部より突出した部分が、LED素子2の電極と半田バンプ等を介して接し、また、銅箔13Dのポリイミド層13Cの側面突出部より突出した部分が、電源からの導線等と接することによって、LED素子2に給電を行うためである。また、ポリイミド層13Cは、側面突出部及び下突出部については上述したような絶縁の目的のほかに、銅箔を保護するために用いられている。なお、本発明においては、ポリイミドに限らず、その他の絶縁性材料を用いても良い。
As described above, the
また、図11(d)は、中央部が両側部より厚みを有した放熱板の下面図である。上述した図11(c)に示すような放熱板においては、0.3×0.3mmの標準サイズLED素子を搭載するには適しているが、1×1mmのラージサイズLEDパッケージを搭載するには、放熱板自体の厚みが不足するため、適切ではない。しかしながら、図11(d)に示すような構成により、部品点数を増やすこともなく、適切にラージサイズLEDパッケージを搭載することができる。 Moreover, FIG.11 (d) is a bottom view of the heat sink with the center part having thickness from both sides. The heat sink as shown in FIG. 11 (c) is suitable for mounting a standard size LED element of 0.3 × 0.3 mm, but for mounting a large size LED package of 1 × 1 mm. Is not appropriate because the thickness of the heat sink itself is insufficient. However, with the configuration as shown in FIG. 11D, a large-size LED package can be appropriately mounted without increasing the number of components.
更に、図11(e)は、中央部が両側部よりも厚みを有し、且つ、給電部である銅箔を2組有する放熱板の下面図である。ラージサイズLEDパッケージを搭載した場合、当該ラージサイズLEDパッケージに搭載された複数のLED素子に対して個別に給電することができる。なお、図11(e)の放熱板においては、銅箔を2組備えているが、本発明に係る発光装置は、3組以上の銅箔を有するものであっても良い。 Furthermore, FIG.11 (e) is a bottom view of the heat sink which has a center part thicker than both sides, and has 2 sets of copper foils which are electric power feeding parts. When a large size LED package is mounted, power can be individually supplied to a plurality of LED elements mounted on the large size LED package. In addition, in the heat sink of FIG.11 (e), although 2 sets of copper foils are provided, the light-emitting device which concerns on this invention may have 3 or more sets of copper foils.
次に、第8の実施の形態の発光装置における放熱板の製造工程について以下に説明する。 Next, the manufacturing process of the heat sink in the light-emitting device of 8th Embodiment is demonstrated below.
まず、2枚の放熱板13Bを用意し、放熱板13Bよりも一回りサイズの大きい2枚のポリイミド膜を用意する。2枚のポリイミド膜で銅箔13Dが所望の形状を維持するように挟み込み、更に2枚の放熱板13Bで挟みこむ。次に、2枚のポリイミド膜からなるポリイミド層13Cの、2枚の放熱板13Bからはみ出した部分について、図11で示すような側面及び下突出部を残存させるように切除する。そして、放熱板13Bの表面に銀メッキによる鏡面加工を施した後、スリット13Aを形成する。
First, two
また、予め2枚のポリイミド膜を用意するのではなく、放熱板13Bにポリイミド樹脂を塗布し、銅箔13Dを配置した後、更にポリイミド樹脂を塗布して銅箔13Dを覆った後、もう1枚の放熱板13Bで挟み込む、といった方法であっても良い。
Also, instead of preparing two polyimide films in advance, after applying polyimide resin to the
あるいは、ポリイミド膜に銅箔を貼り、これにエッチング加工した後に銅箔側を更に別なポリイミド膜でラミネートしてフレキシブル基板を形成し、このフレキシブル基板を放熱板13Bに貼り付けても良い。
Alternatively, a copper foil may be attached to the polyimide film, and after etching the copper foil, a copper substrate may be laminated with another polyimide film to form a flexible substrate, and the flexible substrate may be attached to the
次に、第8の実施の形態の発光装置における、LED素子2と銅箔13Dの接続方法について説明する。
Next, a method of connecting the
まず、放熱板13B下部から突出したポリイミド層13Cの下突出部を折り曲げ、放熱板13Bの下縁部に接着剤にて固定する。次に、ポリイミド層13Cの放熱板13Bに固定されてない側の面を削ぎ落とし、銅箔13Dを露出させる。そして、銅箔13Dの露出した部分とLED素子2の電極とを半田バンプ等を介して接続し、同時にLED素子2自体も放熱板13Bの下縁部に接着剤にて固定する。この際、ポリイミド層13Cは、LED素子2と放熱板13Bとを絶縁する働きも持つ。
First, the lower protrusion of the
上記した第8の実施の形態によると、2枚の放熱板13Bの間に絶縁層としてポリイミド層13Cを介して配線層となる銅箔13Dを一体的に設けたため、ケース10に対する放熱板13Bの組み付け性が向上する。また、ケース10および放熱板13Bと銅箔13Dとの絶縁がポリイミド層13Cによって保たれることから、放熱板13Bのケース10への組み付けにあたって絶縁部材を用意する必要がなく、部品点数の低減を図ることができ、そのことによって低コストで反射型発光装置を形成することができる。
According to the above-described eighth embodiment, since the
また、放熱板13Bの断面内に銅箔13Dを内蔵するため、搭載するLED20やLED素子2に応じて所望の配線パターンを形成することができ、反射型発光装置としての光取り出し性を損なうことなしに配線の自由度に優れる。
In addition, since the
封止材劣化に対しては、樹脂封止ではなく、無機材料による発光素子封止であることにより、発光素子の自発熱、自発光による封止材料の劣化による光吸収、そしてLED20の外部放射効率の低下を抑えることができる。特に、GaN系のLED素子2では、発光出力低下要因は、主に封止材の劣化によるものであるため、ガラス封止にすることで、極めて出力劣化の小さいLED20とすることができる。また、λ=365nmといったUV光であっても、初期透過率、透過維持率ともに良好なものとできる。
For sealing material deterioration, light-emitting element sealing with an inorganic material, not resin sealing, self-heating of the light-emitting element, light absorption due to deterioration of the sealing material due to self-light emission, and external emission of the LED 20 A decrease in efficiency can be suppressed. In particular, in the GaN-based
屈折率については、樹脂劣化の大きいエポキシ樹脂に代えて、シリコン樹脂を用いる例もあるが、シリコン樹脂は屈折率がエポキシ樹脂よりやや低いので、光出力が5〜10%低下する。これに対し、封止材料としてガラスを選択することにより、屈折率n=1.55以上といったエポキシ樹脂以上の高い屈折率を選択することも容易となる。 Regarding the refractive index, there is an example in which a silicon resin is used instead of an epoxy resin having a large resin deterioration. However, since the refractive index of the silicon resin is slightly lower than that of the epoxy resin, the light output is reduced by 5 to 10%. On the other hand, by selecting glass as the sealing material, it becomes easy to select a refractive index higher than the epoxy resin, such as a refractive index n = 1.55 or higher.
熱膨張率差による剥離断線については、封止ガラスとガラス含有Al2O3基板200の熱膨張率が同等であるので、高温で接着された後、常温あるいは低温状態としても、剥離、クラック等の接着不良が生じにくい。また、一般に封止材料として用いられるエポキシ樹脂やシリコン樹脂に対し、それぞれ1/5、1/10以下の熱膨張率であるので、熱膨張率による断線は極めて生じにくい。このため、放熱板の光源部の背面方向の放熱幅を3mmとしても、大きな影響がないものとすることが可能である。但し、長期寿命等に影響が生じるので、放熱性は、例えば、放熱板の厚みに対し、放熱幅を5倍以上とするなどして確保することが好ましい。また、製造時以外にも、大電流タイプの発光素子が発した熱による熱応力に関しても、樹脂のような熱膨張率が他の部材より著しく大の部材がなくなるので、クラックなどの熱応力によって生じる問題を回避することができる。このため、数ワットの投入電力ヒートシンクに相当する放熱手段を備えなくても放熱板とケースからの自然放熱のみで成立するものとできる。 As for the disconnection due to the difference in thermal expansion coefficient, the sealing glass and the glass-containing Al 2 O 3 substrate 200 have the same thermal expansion coefficient. It is difficult to cause poor adhesion. In addition, since the thermal expansion coefficient is 1/5 or 1/10 or less than that of an epoxy resin or silicon resin generally used as a sealing material, disconnection due to the thermal expansion coefficient is extremely unlikely to occur. For this reason, even if the heat radiation width in the back direction of the light source part of the heat radiating plate is set to 3 mm, it is possible to have no significant influence. However, since it affects the long-term life and the like, it is preferable to ensure heat dissipation by, for example, setting the heat dissipation width to 5 times or more of the thickness of the heat dissipation plate. In addition to the manufacturing, the thermal stress caused by the heat generated by the large current type light-emitting element is eliminated by the thermal stress such as cracks because there is no member with a coefficient of thermal expansion that is significantly larger than that of other members. Problems that arise can be avoided. For this reason, even if it does not have the heat radiating means corresponding to the input power heat sink of several watts, it can be realized only by natural heat radiation from the heat sink and the case.
パッケージの小型化については、ガラス含有Al2O3基板とガラス6とが酸化物を介した化学結合に基づいて接着することにより強固な封着強度が得られるので、接合面積が小さくとも優れた接合性を有する小形パッケージを具現化できる。このため、LED素子2で3倍以下のパッケージとできるので反射鏡面11Aで反射された光を遮る割合の低いものとできる。特に、φ10程度の小形反射鏡面とする際に効果が大きい。このパッケージが光源部に相当する。また、複数のLED素子2を密実装した小形パッケージとしても良く、その際にも、同様の特徴を有する。但し、この際、パッケージが大きくなる分、反射鏡面の径を大きくすることが望ましい。
As for the downsizing of the package, the glass-containing Al 2 O 3 substrate and the
上記したLEDの具現化については、低融点ガラスと同等の熱膨張率を有するセラミック基板を用いることで、加工時の耐熱性を備え、更に加工時と常温時における温度差と、熱膨張率差による熱応力の発生を低く抑えることによりクラック等が生じないものとしている。更に発光素子は、実装に際してワイヤを用いないフリップ実装タイプを用いることで、極力低温としつつ高粘度ガラス状態(104〜109ポアズ)で加工できるものとし、これをホットプレス加工に基づいて発光素子およびセラミック基板に対するガラス封止を行っている。これにより、従来ガラス封止LEDのコンセプトが提案されていながらも具現化できていないという開顕を解消している。 For the implementation of the above-described LED, by using a ceramic substrate having a thermal expansion coefficient equivalent to that of the low melting point glass, it has heat resistance during processing, and further, a temperature difference between processing and normal temperature, and a difference in thermal expansion coefficient. By suppressing the generation of thermal stress due to the above, cracks and the like are not generated. Furthermore, the light-emitting element can be processed in a high-viscosity glass state (10 4 to 10 9 poise) while using a flip mounting type that does not use a wire for mounting, and emits light based on hot press processing. Glass sealing is performed on the element and the ceramic substrate. As a result, the concept that the concept of the glass-sealed LED has been proposed but not realized has been solved.
また、LED20については、リン酸系ガラス(熱膨張率11.4×10−6/℃、Tg390℃)とガラス含有Al2O3基板(熱膨張率12.3×10−6/℃)の組み合わせに代えて、珪酸系ガラス(熱膨張率6.5×10−6/℃、Tg500℃)とAl2O3基板(熱膨張率7.0×10−6/℃)の組み合わせとしても良い。封止ガラスの熱膨張率が7×10−6/℃程度であれば、LED素子2との熱膨張率が同等となり、ラージサイズのLED素子2としてもガラス封止を可能とできる。また、LED素子2の封止材料がシリコン樹脂の場合、ちり、埃等の付着が生じやすく、除去も容易ではないため、透明板12を備えることが望ましいが、LED素子2の封止材料がガラスであれば、ちりや埃は付着しにくく、除去も容易である。このため、透明板12を備えなくても良く、その際、ケース10や反射鏡部11の内面からの空気への放熱が促されるという効果がある。
Also, the
なお、ポリイミド膜を含む回路部は、必ずしも放熱板とともに用いなくても良く、放熱板を用いない場合、ポリイミド表面に銀メッキやアルミ蒸着のような鏡面加工を施しても良い。 Note that the circuit portion including the polyimide film is not necessarily used together with the heat radiating plate. When the heat radiating plate is not used, the polyimide surface may be subjected to mirror finishing such as silver plating or aluminum vapor deposition.
図12は、本発明の第9の実施の形態に係る反射型の発光装置であり、(a)は光放射側から見た平面図、(b)は背面図、(c)は(a)のC−C部における縦断面図、(d)は(b)の放熱フィンの形状を示す側面図である。 12A and 12B show a reflective light emitting device according to the ninth embodiment of the present invention. FIG. 12A is a plan view seen from the light emission side, FIG. 12B is a rear view, and FIG. The longitudinal cross-sectional view in CC section of FIG. 1, (d) is a side view which shows the shape of the radiation fin of (b).
この発光装置1は、銅からなる略三角形状のケース10に赤色(R)、緑色(G)、および青色(B)の光を放射する発光部1R、1G、および1Bを一体的に設けたものであり、反射鏡面11Aを有する反射鏡部11と一体化されている。反射鏡部11は、3つのLED素子3から放射されるR,G,Bの光をそれぞれ反射する3つの反射鏡面11Aと、反射鏡面11Aと反対側に設けられる放熱フィン11Cとを有する。
In the
LED素子2は、紫外光を放射する紫外光LED素子であり、後述する蛍光体含有シリコン樹脂によって封止されている。
The
ケース10は、銅板を打ち抜き加工して形成されており、表面に光反射性を高めるためにAgめっきが施され、更に表面が透明な樹脂材料によってオーバーコートされている。また、LED素子2から放射され、反射鏡部11の反射鏡面11Aで反射された光を外部に取り出すための3つの開口部100と、LED素子2の背面方向に放熱幅を有することで、反射鏡部11の反射鏡面11Aで反射された光をほとんど遮らず、LED素子2の発する熱を放熱する放熱板101を備える。放熱板101には、中央にLED素子2を搭載する素子搭載部101Aが設けられ、また、LED素子2に給電するための回路基板23も搭載される。この放熱板101は、LED素子2の発光に基づく熱を効率良く熱伝導するようにケース10に一体形成されており、幅w:1mm、LED素子2を含む光源部の背面方向の幅h:7.5mmで形成されている。
The
反射鏡部11は、ケース10と同様に銅によって形成されて表面にAgめっきが施されている。また、LED素子2から放射される光をケース10の開口部100に位置して設けられる半球面状の反射鏡面11Aで反射することによって、LED素子2の光出射方向と反対側に光を取り出すように形成されている。また、ケース10との接合面の反対側には放熱性を高めるための放熱フィン11Cが所定の高さおよび間隔で直線状に設けられている。なお、放熱フィン11Cは、図示した直線形状以外に、例えば、ジグザグ形状等に形成されても良く、更に、表面積を拡大する粗面化加工が施されていても良い。
The
図13は、放熱板および素子搭載部を部分的に示し、(a)は光放射側から見た平面図、(b)は(a)のB−B部における切断図、(c)は(b)のC−C部における切断図である。 13A and 13B partially show the heat sink and the element mounting portion, where FIG. 13A is a plan view seen from the light emission side, FIG. 13B is a sectional view taken along the line B-B in FIG. It is a cut view in CC section of b).
放熱板101には、図13(a)に示すように、薄膜状に形成された回路基板23が接着固定されるとともに、素子搭載部101AにAlNサブマウント25を介してLED素子2が搭載されており、LED素子2は蛍光体含有シリコン樹脂24によって封止されている。また、AlNサブマウント25の底面には、放熱板101への放熱を促す接着性を有し、良熱伝導性材料からなる放熱シート26が設けられている。なお、放熱シート26に代えて、Agペーストや半田等の放熱を促す接着性材料であれば、他であっても良い。
As shown in FIG. 13A, a
回路基板23は、図13(b)に示すように、導電層となる銅箔230と、銅箔230に積層されるポリイミド膜231と、表層のポリイミド膜231上に積層される光反射膜としてのAl蒸着部232とを有する。
As shown in FIG. 13B, the
蛍光体含有シリコン樹脂24は、LED素子2から放射される紫外光によって励起されるRGB蛍光体を含有している。本実施の形態では、発光部1RでRの励起光を放射するもの、発光部1GでGの励起光を放射するもの、発光部1BでBの励起光を放射するものがシリコン樹脂に所定の量で混合されている。そのため、発光部1R、1G、および1Bから同時に光を放射させることで光の3原色に基づく白色光が得られる。
The phosphor-containing
AlNサブマウント25は、LED素子2の搭載面と回路基板23への実装面に設けられるW−Ni−Auからなる回路パターン25Aを導通パターン25Bで電気的に接続して形成されている。
The AlN submount 25 is formed by electrically connecting a circuit pattern 25A made of W—Ni—Au provided on the mounting surface of the
また、回路基板23は、図13(c)に示すように、AlNサブマウント25との電気的接続性を確保するための開口部231Aが回路パターン25Aに応じて設けられており、開口部231A内に露出したCu箔露出部230AとAlNサブマウント25の底面に設けられる回路パターン25Aとが半田等によって電気的に接続される。AlNサブマウント25の底面に貼り付けられた放熱シート26は、貫通穴233を介して放熱板101に面接触するようになっている。
Further, as shown in FIG. 13C, the
上記した第9の実施の形態によると、ケース10に複数の発光部1R、1G、および1Bを一体的に設け、この発光部1R、1G、および1BからR,G,およびBの光を反射鏡面11Aの反射に基づいて外部放射させるようにしたので、セル状の複数の発光部を同一面上に平面的に配置することができ、薄型でデザイン性に優れる高出力のフルカラー型発光装置が得られる。
According to the above-described ninth embodiment, the
10W以下のハロゲン電球は、商品ニーズはあっても充分なハロゲンサイクルを得にくいことから技術的に実現が困難であるが、第9の実施の形態で説明したようにセル状の複数の発光部を並列に、かつ密配置することで集積性に優れ、コンパクトで数WクラスのLEDスポット光源を具現化できる。しかも、LED光源から放射される光は熱線を含まないので、チョコレートや口紅等の対象物を近接照明しても溶けないといった特徴がある。なお、発光部の配置は、平面状のほかに球面状に配置することも可能である。 Although it is difficult to technically realize a halogen bulb of 10 W or less because it is difficult to obtain a sufficient halogen cycle even if there is a product need, as described in the ninth embodiment, a plurality of cellular light emitting units Are arranged in parallel and densely, so that the LED spot light source having excellent integration, compact and several W class can be realized. And since the light radiated | emitted from a LED light source does not contain a heat ray, even if objects, such as chocolate and a lipstick, adjoin, it has the characteristic that it does not melt | dissolve. In addition, the light emitting unit can be arranged in a spherical shape in addition to a planar shape.
ケース10内に近接配置された発光部1R、1G、および1Bから反射鏡面11Aの反射に基づいてR,G,およびBの光を外部放射するので、数10cm離れた面ではR,G,およびBの光が略同一エリアに照射される。このことにより、3色の光の混合性が向上するとともに演色性の良好な照明を行うことができる。また、発光部1R、1G、および1BのLED素子2に対し通電制御を行うことにより、所望の色を高輝度で照射することができる。また、色表現範囲も広くできる。
Since light of R, G, and B is externally radiated from the
また、黄色光と青色光の補色により白色を生じる発光装置では、レンズによる集光光学系を用いて集光すると発光波長の違いに基づく屈折率差によって各波長による光の集光度合いの差が生じ、集光光にリング状の色分離が生じるが、本発明の構成によれば、このような色分離は生じないことにより、厳密な色調を必要とする照明用途に適する。 In addition, in a light emitting device that generates white color by the complementary color of yellow light and blue light, when the light is collected using a condensing optical system using a lens, the difference in the degree of light collection by each wavelength is caused by the difference in refractive index based on the difference in the emission wavelength. In this case, ring-shaped color separation occurs in the condensed light. However, according to the configuration of the present invention, such color separation does not occur, which is suitable for lighting applications that require a strict color tone.
放熱板101は、ケース10を打ち抜き加工することで一体形成されているので、放熱板101からケース10へは、はめ込み接合した構造より、伝熱が優れたものとなる。また、量産性にも優れる。
Since the
さらに、反射鏡部11に放熱フィン11Cを一体的に設けているので、ケース10と一体的に設けられる放熱板101によりケース10へ伝えられる熱が増大し、これが放熱フィン11Cに伝えられるので、LED素子2の発光に伴って生じる熱の空気中への放熱性が向上する。このことにより、LED素子2の増加によって発熱量が増大しても放熱不良を生じることがなく、LED素子2の長時間駆動においても熱による発光特性の低下を生じることがない。
Furthermore, since the heat radiation fin 11C is integrally provided in the reflecting
ケース10および反射鏡部11が金属材料によって形成されるので、機械的強度に優れる発光装置1が得られる。特に、放熱板101とケース10とが一体的に形成されているので、開口部100の機械的強度が確保され、この部分の潰れや変形によって光放射性が損なわれることがない。また、LED素子2が発光装置1の表面に露出しないので、外力や衝撃によって損傷しにくい構造とできる。
Since the
ポリイミド膜231とCu箔230からなる薄膜状の回路基板23にLED素子2を搭載するとともに電気的に接続するので、簡易な配線構造を実現でき、発光装置1の薄型化、小型化、および生産性の向上を実現できる。また、ポリイミド膜231の表面に設けられるAl蒸着部232は、回路基板23に照射された光を反射し、反射鏡面11Aに導くので、光ロスを抑えることができる。
Since the
また、回路基板23に貫通穴233が開口されているので、AlNサブマウント25と放熱板101との伝熱経路が形成され、更に放熱シート26を介することにより、熱抵抗の大なるポリイミド膜231によって伝熱性を阻害されることなくLED素子2の発熱に伴う熱を速やかに放熱することが可能になる。
In addition, since the through hole 233 is opened in the
なお、第9の実施の形態では、紫外光LED素子2とRGB蛍光体による発光部1R、1G、および1Bを有した発光装置1の構成を説明したが、青色LED素子2と黄色の励起光を放射する蛍光体による白色の発光部1R、1G、および1Bとしても良い。この場合の蛍光体として、例えば、セリウムで賦活されたYAG(Yttrium Aluminum Garnet)を用いることができる。また、青色LED素子2を用いる他の構成として、青色光で励起されることにより赤色光を放射する赤色蛍光体と緑色蛍光体を使用することによって白色を得るものであっても良い。
In the ninth embodiment, the configuration of the
また、蛍光体を使用せずにR,G,BのLED素子2を近接配置し、反射鏡面11Aによる反射に基づいて光放射させることでフルカラー照明を実現する発光装置1としても良い。
Moreover, it is good also as the light-emitting
更に、上記した各部の構成についても種々の変更が可能である。例えば、ケース10は銅の押し出し材によって形成されても良い。また、LED素子2についてもフリップ実装型に限定されず、フェイスアップ型のLED素子2を用いることも可能である。また、第8の実施の形態で説明したガラス封止型LED20を回路基板23に実装しても良い。この場合には長期にわたって信頼性に優れるフルカラー発光装置1が得られる。
Furthermore, various changes can be made to the configuration of each unit described above. For example, the
図14は、第9の実施の形態の変形例を示し、(a)は放熱板の他の形成例、(b)はケースの他の形成例、(c)は表面に凹凸を有するケースの形成例である。 14A and 14B show a modification of the ninth embodiment, in which FIG. 14A shows another example of the heat sink, FIG. 14B shows another example of the case, and FIG. 14C shows the case having irregularities on the surface. It is a formation example.
図14(a)は、放熱板101を略三角形状のケース10の中心から放射状に形成したものであり、ケース10のデザイン性を向上させることができる。
In FIG. 14A, the
図14(b)は、ケース10の外形を円形状に形成したものであり、ケース10は銅合金の押し出しによって形成される。このように外形を円形状とすることで、既存のランプやソケット等に対して形状互換性を有する発光装置1が得られる。
FIG. 14B shows the
図14(c)は、略三角形状のケース10の表面に凹凸形状部10Cを設けたものであり、表面積の拡大によって放熱性を向上させることができる。なお、凹凸形状部10Cを設ける以外に、ケース10の外周面をブラスト処理等によって粗面化しても同様の効果が得られる。また、凹凸加工と粗面化処理とを併用しても良い。
FIG. 14C shows an uneven surface 10C provided on the surface of a substantially
図15は、本発明の第10の実施の形態に係る反射型の発光装置の平面図である。 FIG. 15 is a plan view of a reflective light emitting apparatus according to the tenth embodiment of the invention.
この発光装置1は、六角形状のケース10に7つの発光部を設けた構成を有し、中央に発光部1Bが配置され、その周囲に2個の発光部1Gと4個の発光部1Rが配置されている。このように複数の発光部を近接配置できることにより、高輝度、小形、集積性に優れるフルカラー型発光装置1が得られる。なお、複数のLED素子2を搭載する発光装置1では、ケース10の表面に放熱性を高める凹凸加工や粗面化加工を施すことが好ましい。
The light-emitting
図16は、本発明の第11の実施の形態に係る反射型発光装置の発光部を示し、(a)は発光部の平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図である。 FIG. 16 shows a light emitting unit of a reflective light emitting device according to an eleventh embodiment of the present invention, where (a) is a plan view of the light emitting unit, and (b) is a cross-sectional view taken along line AA of (a). It is.
この発光部1Rでは、図16(a)に示すケース10と一体的に形成される放熱板101がLED20から放射される光を遮ることのない形状で形成されており、かつLED20から放射された光が反射鏡部11の反射鏡面11Aで効率良く反射されるように反射鏡面11Cを形成した構成を有する。なお、同図においては発光部1Rを示しているが、例えば、図12に示す発光部1G、1Bについても同様に形成することができる。
In this
放熱板101は、素子搭載部101Aが反射鏡面11Aの底面側に突出した略五角形状に形成されており、斜辺部の頂点に設けられる素子搭載部101Aに図10で説明したLED20が搭載される。なお、本実施の形態において、LED20は、搭載される青色LED素子2の表面にYAG蛍光体を薄膜状に塗布された構成を有しており、そのことによって白色光を放射する配光の広い波長変換型LEDとなっている。
The
反射鏡部11は、樹脂材料の射出成形によって形成されており、反射鏡面となる曲面部分にAl蒸着膜を設けることによって鏡面状の反射鏡面11Aが形成されている。反射鏡面11Aは、楕円(f0,f1,焦点)をZ軸周りに回転させることに基づく形状を有し、放熱板101の素子搭載部101Aに搭載されたLED20のZ軸方向に対する0°〜115°の範囲、LED20に対する反射鏡面11Aの立体角が2.85πstradとしてある。光源の配光に応じ、Z軸に対し0°〜90°ないしは120°の範囲の立体角で2π〜3.4πstradに形成することが、高効率放射のために望ましい。
The reflecting
上記した第11の実施の形態によると、反射鏡部11内に突出した素子搭載部101にLED20を搭載するとともに、LED20の位置に応じた反射面形状の反射鏡部11を設けたので、放熱板101の放熱面積が拡大して放熱性が向上する。また、LED20と反射鏡面11Aの配置に基づいて反射面立体角が大になることから、広い配光特性を有するLED20から放射される略全光は反射鏡面11Aで反射され、放熱板101に遮られることなく効率良く放射される。このため、特に蛍光体を有する広い配光特性のLEDに適する。また、複数のセル状の発光部を集積して配置することでより高輝度化を図ることができる。
According to the eleventh embodiment described above, the
なお、第11の実施の形態では、回路基板23にLED20を搭載した構成を説明したが、例えば、LED素子2を搭載する構成としても良い。
In the eleventh embodiment, the configuration in which the
以上説明したように、本発明の発光装置によれば、発光素子の背面方向に放熱幅を有した放熱板を設け、発光素子から放射された光を発光面側に対向して設けられる反射部で反射して放射させるようにしたため、放熱性に優れ、ハイパワーの発光素子を用いることができ、大光量の光を高効率で照射することができる。 As described above, according to the light-emitting device of the present invention, the heat radiating plate having the heat radiating width is provided in the back direction of the light-emitting element, and the reflection part provided to oppose the light emitted from the light-emitting element to the light-emitting surface side. Therefore, a high-power light-emitting element can be used, and a large amount of light can be irradiated with high efficiency.
また、本発明の発光装置によれば、発光素子の背面方向に放熱幅を有した放熱板を設けて放熱性を有するケースの内部に収容するとともに、発光素子から放射された光を発光面側に対向して設けられる反射部で反射してケース外部に放射させるようにしたため、放熱性に優れ、反射光の放射効率低減を最小限に抑えることができる。 Further, according to the light emitting device of the present invention, a heat radiating plate having a heat radiating width is provided in the back direction of the light emitting element so as to be housed in a heat radiating case, and light emitted from the light emitting element is emitted on the light emitting surface side Since the light is reflected by the reflecting portion provided opposite to and radiated to the outside of the case, the heat dissipation is excellent, and the reduction of the radiation efficiency of reflected light can be minimized.
更に、本発明の発光装置によれば、発光素子へ給電する為の給電部として、リードの代わりに金属薄膜を用い、且つ、2枚の放熱板に挟みこむように構成したため、部品点数が低減でき、組み立てが容易になり、また、コストを削減することができる。 Furthermore, according to the light emitting device of the present invention, the power supply unit for supplying power to the light emitting element is configured to use a metal thin film instead of the lead and sandwiched between two heat radiating plates, so that the number of parts can be reduced. Assembling becomes easy, and the cost can be reduced.
Claims (20)
前記放熱板の端面に搭載され固体発光素子を含む光源部と、
前記光源部へ電力を供給し、前記放熱板と絶縁され前記放熱板と一体的に形成されている給電部と、
前記光源部から放射された光を、前記放熱板方向であって前記放熱板と平行な方向へ反射する反射部とを有することを特徴とする発光装置。 A light-shielding heat sink made of a metal material;
A light source unit that is mounted on an end face of the heat sink and includes a solid-state light emitting element;
Power is supplied to the light source unit, insulated from the heat radiating plate, and integrally formed with the heat radiating plate ,
A light emitting device comprising: a reflection portion that reflects light emitted from the light source portion in a direction parallel to the heat dissipation plate and in a direction parallel to the heat dissipation plate .
前記固体発光素子に対して電力の受供給を行う導電パターンを形成された無機材料基板上に実装され、
前記無機材料基板との熱膨張率が同等の無機封止材料によって封止されていることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。The light source unit includes the solid-state light emitting element that is flip-chip mounted.
Mounted on an inorganic material substrate formed with a conductive pattern for receiving and supplying power to the solid state light emitting device,
The light emitting device according to claim 4, wherein the light emitting device is sealed with an inorganic sealing material having a thermal expansion coefficient equivalent to that of the inorganic material substrate.
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| TWI244226B (en) * | 2004-11-05 | 2005-11-21 | Chen Jen Shian | Manufacturing method of flip-chip light-emitting device |
| JP2008311471A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting device |
| JP2006314082A (en) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | LIGHT EMITTING UNIT, LIGHTING DEVICE USING THE LIGHT EMITTING UNIT, AND IMAGE READING DEVICE |
| KR101232505B1 (en) * | 2005-06-30 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method of fabrication light emission diode package and backlight unit and liquid crystal display device |
| JP4555234B2 (en) * | 2005-09-20 | 2010-09-29 | エアサイクルハウジング株式会社 | Light irradiation device |
| JP4940883B2 (en) | 2005-10-31 | 2012-05-30 | 豊田合成株式会社 | Light emitting device |
| KR101283182B1 (en) * | 2006-01-26 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | Package of light-emitting diode and manufacturing method thereof |
| KR101235460B1 (en) * | 2006-02-14 | 2013-02-20 | 엘지이노텍 주식회사 | Side-View Type Light Emitting Diode and Manufacturing Method thereof |
| JP2007250295A (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Konica Minolta Opto Inc | Compact image projector |
| US7850314B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-12-14 | Konica Minolta Opto, Inc. | Light-emitting module and image projection apparatus using same |
| JP4955422B2 (en) * | 2006-03-08 | 2012-06-20 | 三菱電機株式会社 | Light emitting device |
| JP2007258466A (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Sumita Optical Glass Inc | Lighting device and light emitting device |
| DE102006018668B4 (en) * | 2006-04-21 | 2013-04-11 | Osram Gmbh | Modular lighting system and lighting arrangement |
| TWI349146B (en) * | 2006-05-15 | 2011-09-21 | Epistar Corp | A light-mixing type light-emitting device |
| TW200820460A (en) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Lei Tech Co Ltd | Semiconductor light source device |
| WO2008060586A2 (en) | 2006-11-15 | 2008-05-22 | The Regents Of The University Of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
| TW200837997A (en) * | 2006-11-15 | 2008-09-16 | Univ California | High light extraction efficiency sphere LED |
| US20090121250A1 (en) * | 2006-11-15 | 2009-05-14 | Denbaars Steven P | High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging |
| WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
| JP4862795B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-01-25 | 豊田合成株式会社 | Light source device |
| JP4893582B2 (en) * | 2007-10-25 | 2012-03-07 | 豊田合成株式会社 | Light source device |
| TWI367465B (en) * | 2008-02-15 | 2012-07-01 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | Led display |
| DE102008035255B4 (en) | 2008-07-29 | 2021-10-07 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
| CN102187485B (en) * | 2008-10-15 | 2013-07-03 | 株式会社小糸制作所 | Light-emitting module, manufacturing method for light-emitting module, and light fixture unit |
| US8858032B2 (en) * | 2008-10-24 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element |
| EP2401548A1 (en) * | 2009-02-27 | 2012-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led-based lamps and thermal management systems therefor |
| US9841162B2 (en) | 2009-05-18 | 2017-12-12 | Cree, Inc. | Lighting device with multiple-region reflector |
| FI123457B (en) * | 2009-09-24 | 2013-05-15 | Oversol Oy | Reflector and this utilizing lighting device |
| US8902382B2 (en) * | 2009-12-22 | 2014-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device |
| JP5355458B2 (en) * | 2010-03-11 | 2013-11-27 | 三菱電機照明株式会社 | Light emitting device |
| US8534880B1 (en) * | 2010-04-12 | 2013-09-17 | Analog Technologies Corp. | Solid state lighting system |
| EP2431656B1 (en) * | 2010-09-16 | 2013-08-28 | LG Innotek Co., Ltd. | Lighting device |
| JP2012226874A (en) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Ccs Inc | Reflection type lighting device |
| JP2013096020A (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sumita Optical Glass Inc | helmet |
| CN103137823B (en) * | 2011-11-24 | 2015-10-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light-emitting diode and apply the direct-light-type backlight of this light-emitting diode |
| US8727567B1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-05-20 | Jds Uniphase Corporation | Semiconductor light source having a reflector |
| US10182485B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-01-15 | Eaton Intelligent Power Limited | Lens structure for high intensity LED fixture |
| US9677730B2 (en) * | 2014-06-18 | 2017-06-13 | Ag World Corp. | Vehicular light system |
| JP5949872B2 (en) * | 2014-10-27 | 2016-07-13 | ウシオ電機株式会社 | Fluorescent light source device |
| JP6710534B2 (en) * | 2016-02-17 | 2020-06-17 | トキコーポレーション株式会社 | Light emitting device |
| US12099005B2 (en) * | 2019-07-05 | 2024-09-24 | Rohm Co., Ltd. | Terahertz device |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
| IT202100030980A1 (en) * | 2021-12-09 | 2023-06-09 | Coelux Srl | LED CIRCUIT BOARD AND LIGHT EMISSION MODULE |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291627A (en) | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Iwasaki Electric Co Ltd | Light emitting diode |
| DE4311530A1 (en) * | 1992-10-02 | 1994-04-07 | Telefunken Microelectron | Optoelectronic component with a narrow opening angle |
| US5991160A (en) | 1995-12-27 | 1999-11-23 | Infineon Technologies Corporation | Surface mount LED alphanumeric display |
| JPH10144966A (en) * | 1996-09-13 | 1998-05-29 | Iwasaki Electric Co Ltd | Light emitting diode |
| JPH10190069A (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
| US5924785A (en) * | 1997-05-21 | 1999-07-20 | Zhang; Lu Xin | Light source arrangement |
| JPH10335706A (en) | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting diode lamp |
| US6784463B2 (en) * | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
| JPH11266036A (en) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Planar light source device and method of manufacturing the same |
| JP3639428B2 (en) * | 1998-03-17 | 2005-04-20 | 三洋電機株式会社 | Light source device |
| US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
| US6076948A (en) * | 1998-10-28 | 2000-06-20 | K. W. Muth Company, Inc. | Electromagnetic radiation emitting or receiving assembly |
| JP2000252525A (en) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Iwasaki Electric Co Ltd | Light emitting diode lamp |
| US6439888B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-08-27 | Pls Liquidating Llc | Optical source and method |
| JP4330742B2 (en) * | 1999-12-24 | 2009-09-16 | シチズン電子株式会社 | Structure and drive circuit of surface mount infrared communication module |
| JP2002151746A (en) | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Reflective light emitting diode |
| JP2001217466A (en) | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Reflective light-emitting device |
| JP2001189494A (en) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Iwasaki Electric Co Ltd | Light emitting diode |
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| EP1146572A3 (en) * | 2000-03-14 | 2005-03-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light source device |
| CN2458485Y (en) * | 2000-11-16 | 2001-11-07 | 上海嘉利莱实业有限公司 | LED lighting module |
| JP3858634B2 (en) | 2001-06-28 | 2006-12-20 | 豊田合成株式会社 | Method for manufacturing reflective optical device |
| JP2003008079A (en) | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Reflection type optical device and method of manufacturing the same |
| JP2002223006A (en) | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Reflective light emitting diode |
| US6578998B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-06-17 | A L Lightech, Inc. | Light source arrangement |
| JP3753011B2 (en) | 2001-04-11 | 2006-03-08 | 豊田合成株式会社 | Reflective light emitting diode |
| CN1212676C (en) * | 2001-04-12 | 2005-07-27 | 松下电工株式会社 | Light source device using LED and manufacturing method thereof |
| US6871993B2 (en) * | 2002-07-01 | 2005-03-29 | Accu-Sort Systems, Inc. | Integrating LED illumination system for machine vision systems |
| WO2004016983A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-26 | Tony Chunlung Young | Led reflector |
| US6800373B2 (en) * | 2002-10-07 | 2004-10-05 | General Electric Company | Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method |
| US6851835B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-02-08 | Whelen Engineering Company, Inc. | Large area shallow-depth full-fill LED light assembly |
| DE10311853B4 (en) * | 2003-03-17 | 2005-03-24 | Daimlerchrysler Ag | Headlight for a vehicle |
| CN1806145B (en) * | 2003-06-10 | 2010-06-23 | 照明管理解决方案公司 | Improved LED flashlight |
| US6976769B2 (en) * | 2003-06-11 | 2005-12-20 | Cool Options, Inc. | Light-emitting diode reflector assembly having a heat pipe |
| US6999318B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-02-14 | Honeywell International Inc. | Heatsinking electronic devices |
| US7246921B2 (en) * | 2004-02-03 | 2007-07-24 | Illumitech, Inc. | Back-reflecting LED light source |
| US7131760B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-11-07 | Gelcore Llc | LED luminaire with thermally conductive support |
| US7086765B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-08-08 | Guide Corporation | LED lamp with light pipe for automotive vehicles |
| JP2006310204A (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led lamp |
| US20070279910A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Gigno Technology Co., Ltd. | Illumination device |
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