JP3866591B2 - 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極間接続構造体の形成方法に関する。より具体的には、電気的接続を伴う半導体チップと半導体チップの接合、半導体チップの配線基板への実装、および配線基板と配線基板の接合などにおいて利用可能な、電極間接続構造体の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が高まっており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、半導体チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、半導体チップおよび配線基板の電極間にハンダバンプを介在させることによって達成するフェイスダウン実装すなわちフリップチップ接合が採用される傾向にある。また、ハンダバンプないしハンダ材料を介して電気的接続を図る技術は、半導体チップ−半導体チップ間および配線基板−配線基板間などにおいても採用されており、例えば、特開平２−９６３４３号公報、特開平４−３２６７４７号公報、特開平５−３２６６２８号公報、特開平６−２６２３８６号公報、特開平８−６４６３９号公報、特開平９−２６００５９号公報、特開平１１−１３５５５２号公報、特開平１１−１９１６７３号公報などに開示されている。
【０００３】
図７および図８は、フリップチップ接合を達成するための従来の方法の一例を示す。従来のフリップチップ接合方法においては、まず、図７（ａ）に示すように、半導体チップ４１０の有する電極４１１に対応した位置に予め開口部４３０ａが設けられたメタルマスク４３０を用意する。次に、図７（ｂ）に示すように、開口部４３０ａと電極４１１とを位置合わせして、メタルマスク４３０を半導体チップ４１０上に載置する。次に、図７（ｃ）に示すように、印刷法により、所定のハンダ粉末を含んだハンダペースト４４０をメタルマスク４３０の開口部４３０ａに供給する。次に、図７（ｄ）に示すように、ハンダペースト４４０を残してメタルマスク４３０を半導体チップ４１０の表面から取り外す。次に、図７（ｅ）に示すように、ハンダペースト４４０中のハンダ粉末を一旦溶融させるための加熱処理を経て、電極４１１上にバンプ４１２を形成する。
【０００４】
半導体チップ４１０の電極４１１にバンプ４１２を形成した後、図８（ａ）に示すように、配線基板４２０上にフラックス４５０を塗布する。フラックス４５０の役割は、バンプ４１２表面の酸化膜の除去、ハンダリフロー時の大気遮断によるバンプ４１２の再酸化防止、配線基板４２０に対する半導体チップ４１０の仮接着などである。次に、図８（ｂ）に示すように、配線基板４２０の電極４２１とバンプ４１２とが対向するように位置合わせを行いつつ半導体チップ４１０を配線基板４２０上に載置する。次に、図８（ｃ）に示すように、バンプ４１２をリフローさせるための加熱処理を経て、電極４１１および電極４２１をバンプ４１２を介して接続する。次に、図８（ｄ）に示すように、フラックス４５０を洗浄除去する。このようにして、配線基板４２０に対する半導体チップ４１０のフリップチップ接合が達成される。そして、このようなフリップチップ接合においては、図８（ｅ）に示すように、半導体チップ４１０と配線基板４２０との間に、接着剤ないしアンダーフィル剤４６０が充填される。アンダーフィル剤４６０は、電極４１１および電極４２１を接続する導体部ないしバンプ４１２を保護するとともに、半導体チップ４１０表面および配線基板４２０表面を保護することによって、長期間に渡る接続信頼性を確保するためのものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来の接続方法では、メタルマスク４３０を半導体チップ４１０上に載置する際に、開口部４３０ａと電極４１１とを位置合わせする必要があり、電極４１１の配設ピッチが小さくなる程、適切に位置合わせすることが困難となる。特に、電極４１１の配設ピッチが２００μｍ以下である場合には、メタルマスク４３０を載置する際に生ずる位置ずれの程度は相対的に極めて大きくなる。メタルマスク４３０の位置ずれは、バンプ４１２の形成位置に影響を与え、フリップチップ接合において導通不良を招来する場合がある。
【０００６】
２００μｍ以下のピッチで設けられた電極４１１に形成できるバンプ４１２の径は、電極４１１のサイズをピッチの１／２とした場合、約７０μｍであり、このようなサイズのバンプ４１２を介して接続された半導体チップ４１０と配線基板４２０の離隔距離は５０μｍ以下となる。半導体チップ４１０と配線基板４２０の離隔距離がそのように微小である場合、図８（ｄ）を参照して上述した工程において、充分にフラックス４５０を除去することは困難である。半導体チップ４１０と配線基板４２０の間に残存するフラックス４５０は、バンプ４１２を腐食させたり、隣接する電極間の絶縁抵抗が低下する原因となったり、アンダーフィル剤４６０の充填を阻害するなどの不具合を招来する場合がある。加えて、半導体チップ４１０と配線基板４２０との離隔距離が微小である場合には、図８（ｅ）を参照して上述した工程において、アンダーフィル剤４６０にボイドが発生し易くなり、半導体チップ４１０と配線基板４２０との間にアンダーフィル剤４６０を適切に充填することが困難となる。
【０００７】
このように、従来の方法では、狭ピッチないし高密度で電極が設けられている場合には、良好な接合信頼性を得るのが困難である。
【０００８】
また、上述のような従来の方法では、フラックス４５０の塗布および除去、並びにアンダーフィル剤４６０の充填を含んだ多くの工程を行う必要があり、プロセスが煩雑化している。
【０００９】
接合工程の簡略化を目的として、近年、フラックスアンダーフィル剤が開発されている。フラックスアンダーフィル剤は、エポキシ接着剤にフラックス成分を添加したものであり、アンダーフィル剤の機能に加えてフラックスの機能を呈するように構成されている。例えば、フラックスアンダーフィル剤は、図８（ａ）の工程でフラックスが塗布されるように配線基板４２０上に塗布される。そして、洗浄除去されずに、図８（ｅ）の工程で通常のアンダーフィル剤４６０が加熱硬化されるように、半導体チップ４１０と配線基板４２０との間で加熱硬化される。
【００１０】
フラックスアンダーフィル剤には、半導体チップ４１０と配線基板４２０の接合信頼性を確保すべく熱膨張率を低減するため、無機フィラーを添加する必要がある。しかしながら、フラックスアンダーフィル剤における無機フィラーの含有率を２０ｗｔ％以上とすると、フラックスアンダーフィル剤は、無機フィラーを多く含んでいることに起因して、図８（ｂ）に示すような載置工程においてバンプ４１２と電極４２１との接触界面に介在し易くなり、その結果、電極４２１に対するバンプ４１２の接合率が極端に低下してしまう。そのため、フラックスアンダーフィル剤の熱膨張率を必要な程度にまで低下させるべく無機フィラーを添加すると、バンプの接合率低下に起因して初期導通不良が生じてしまう場合がある。また、フラックスアンダーフィル剤は、一液性接着剤であるため、室温可使時間が短く利便性に乏しい。
【００１１】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、上述の従来の問題点を解消ないし軽減することを課題とし、高密度実装に適するとともに充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程数の少ない電極間接続構造体形成方法およびこれにより形成される電極間接続構造体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面によると、電極間接続構造体の形成方法が提供される。この形成方法は、第１電極部を有する第１接続対象物に対して、第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、金属を含む金属ペーストを開口部に充填する工程と、第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、開口部に充填された金属ペーストと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極部および第２電極部が金属を介して電気的に接続されるとともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
このような電極間接続構造体形成方法は、電気的接続を伴う半導体チップと半導体チップの接合、半導体チップの配線基板への実装、および配線基板と配線基板の接合などにおいて、高密度実装に適するとともに充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程数が少ない。
【００１４】
本発明の第１の側面において、第１接続対象物および第２接続対象物を配置する工程では、第１接続対象物にバンプは形成されていない。そのため、バンプ表面の酸化膜除去および再酸化防止を図るためのフラックスを第２接続対象物に塗布する必要はない。また、樹脂膜の開口部に充填されている粘性を有する金属ペーストを介して位置合わせするため、第２接続対象物に対して第１接続対象物を仮接着するためのフラックスを第２接続対象物に塗布する必要もない。このように、第１および第２接続対象物を適切な配向で配置する工程においてフラックスを使用しないので、第１接続対象物と第２接続対象物の離隔距離が小さくなる場合であっても、フラックスの洗浄除去という困難な工程は回避される。
【００１５】
また、金属ペースト充填用の開口部が形成された樹脂膜は、金属ペースト中の金属を溶融する際に硬化する。これによって、第１接続対象物と第２接続対象物が当該樹脂膜により接合される。したがって、第１接続対象物と第２接続対象物の離隔距離が小さい場合であっても、予め介在する樹脂膜によって接続対象物同士を良好に接合することができ、且つ、接合後におけるアンダーフィル剤の充填という困難な工程は回避される。
【００１６】
接合状態における第１接続対象物および第２接続対象物の間の隙間からのフラックスの除去、および、当該隙間へのアンダーフィル剤の充填を行う必要がないため、第１および第２接続対象物の間において短い離隔距離が許容され、その結果、第１および第２接続対象物において微細なピッチで電極を設けることが可能となる。例えば、第１接続対象物と第２接続対象物の離隔距離は、５０μｍ以下とすることも可能である。このように、本発明は、高密度実装に適しているのである。
【００１７】
また、本発明によると、フラックスの塗布および除去、ならびにアンダーフィル剤の充填を行う必要がないため、従来法よりも工程数が低減される。
【００１８】
液状である従来のフラックスアンダーフィル剤は、上述のように、バンプ４１２と電極４２１との界面に残存してバンプの接合率を低下させる場合がある。これに対し、本発明において、樹脂膜は、電気的接続を図るための金属を含む金属ペーストと電極部との間には介在しない。そのため、樹脂膜において、熱膨張率を低下させるために添加する無機フィラーの含有率を２０ｗｔ％以上としても、バンプの接合率低下に起因する初期導通不良を生じることはない。したがって、充分量の無機フィラーを添加することができ、その結果、第１および第２接続対象物による電極間接続構造体において、充分な接合信頼性を達成することが可能なのである。
【００１９】
本発明の第１の側面において、好ましい実施の形態では、金属は粉末状のハンダであり、接続工程では当該ハンダ粉末を溶融させる。より好ましくは、金属ペーストは、ハンダ粉末に加えて樹脂分を含み、接続工程では、ハンダ粉末を溶融させるとともに当該樹脂分を硬化させる。樹脂膜は、金属が溶融する温度以下で軟化する組成を有するのが好ましい。
【００２０】
他の好ましい実施の形態では、金属は、例えば粉末状の、ＡｇまたはＣｕである。より好ましくは、金属ペーストは、粉末状のＡｇまたはＣｕに加えて樹脂分を含み、接続工程では、当該金属を溶融させずに当該樹脂分を硬化させる。樹脂膜は、樹脂分が硬化する温度以下で軟化する組成を有するのが好ましい。
【００２１】
好ましくは、金属は、金属ペーストにおいて３０〜７０体積％含まれている。当該金属は、好ましくは８０〜３８０℃の融点を有する。
【００２２】
好ましい実施の形態では、金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分および樹脂膜は同一の主剤樹脂を含み、接続工程では樹脂分および樹脂膜を一体化させる。好ましくは、樹脂膜は主剤樹脂を含み、金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は主剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む。好ましくは、金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は主剤樹脂を含み、樹脂膜は主剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む。
【００２３】
本発明の第２の側面によると、電極間接続構造体の別の形成方法が提供される。この方法は、第１電極部を有する第１接続対象物に対して、第１電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、開口部に導体部を形成する工程と、第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、開口部に形成された導体部と第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極部および第２電極部が導体部を介して電気的に接続されるとともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
このような方法によっても、本発明の第１の側面に係る方法と同様、接合状態における第１および第２接続対象物の間の隙間からのフラックスの除去、および、当該隙間へのアンダーフィル剤の充填を行う必要がない。したがって、第２の側面に係る方法も、第１の側面に関して上述したのと略同様な理由で、電極間接続構造体の形成において、高密度実装に適するとともに充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程数が少ない。
【００２５】
好ましくは、接続工程では、導体部は、第１電極部および／または第２電極部に対して溶融接合される。これによって、第１電極部と第２電極部が適切に導通される。導体部は、電気めっき及び／又は無電解めっきにより形成される。また、導体部は、好ましくは、複数の層からなる積層構造を有し、各層は、隣接する層とは異なる金属組成を有する。導体部の少なくとも一部は、８０〜４００℃の融点を有するのが好ましい。
【００２６】
本発明の第３の側面によると、電極間接続対象物の別の形成方法が提供される。この方法は、第１電極部を有する第１接続対象物に対して、第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、金属を含むバンプ形成材料を開口部に充填する工程と、加熱処理を行うことにより開口部にバンプを形成する工程と、第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、バンプと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極部および第２電極部がバンプを介して接続されるとともに樹脂膜を硬化させるように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする。
【００２７】
本発明の第４の側面によると接続方法が提供される。この方法は、第１電極部を備えるとともに当該第１電極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、第１電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法であって、金属を含む金属ペーストを開口部に充填する工程と、第１接続対象物および第２接続対象物を、金属ペーストと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極部および第２電極部が金属を介して電気的に接続されるとともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むことを特徴とする。
【００２８】
本発明の第５の側面によると別の接続方法が提供される。この方法は、第１電極部を備えるとともに当該第１電極部を露出させる開口部を有する熱硬化性の樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、第１電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法であって、開口部に導体部を形成する工程と、第１接続対象物および第２接続対象物を、導体部と第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極部および第２電極部が導体部を介して電気的に接続されるとともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むことを特徴とする。
【００２９】
本発明の第６の側面によると別の接続方法が提供される。この方法は、第１電極部を備えるとともに当該第１電極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、第１電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法であって、金属を含むバンプ形成材料を開口部に充填する工程と、加熱処理を行うことにより開口部にバンプを形成する工程と、第１接続対象物および第２接続対象物を、バンプと第２電極部とが対向しつつ樹脂膜が第２接続対象物に接するように、配置する工程と、第１電極部および第２電極部がバンプを介して電気的に接続されるとともに樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むことを特徴とする。
【００３０】
本発明の第３から第６の側面に係るいずれの方法によっても、第１の側面に係る方法と同様、接合状態における第１および第２接続対象物の間の隙間からのフラックスの除去、および、当該隙間へのアンダーフィル剤の充填を行う必要がない。したがって、第３から第６の側面に係るいずれの方法も、第１の側面に関して上述したのと略同様な理由で、電極間接続構造体の形成において、高密度実装に適するとともに充分な接合信頼性を達成することが可能であって、工程数が少ない。
【００３１】
本発明の第１から第６の側面において、接続工程では、第１接続対象物に対して第２接続対象物を押圧する、或は、第２接続対象物に対して第１接続対象物を押圧する。
【００３２】
本発明の第７の側面によると、上述のいずれか１つに記載の方法によって形成されたことを特徴とする電極間接続構造体が提供される。このような電極間接続構造体においては、その形成過程において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００３３】
本発明の第８の側面によると、電極間接続構造中間体の形成方法が提供される。この方法は、電極部が設けられた接続対象物に対して、電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、電極部が露出するように開口部を形成する工程と、開口部に導体部を形成する工程と、を含み、樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であることを特徴とする。このような方法によると、本発明の第２の側面における、樹脂膜の開口部に導体部が充填されている状態の第１接続対象物を得ることができる。
【００３４】
本発明の第９の側面によると、別の電極間接続構造中間体の形成方法が提供される。この方法は、電極部が設けられた接続対象物に対して、電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、電極部が露出するように開口部を形成する工程と、金属を含むバンプ形成材料を開口部に充填する工程と、を含み、樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であることを特徴とする。このような方法によると、本発明の第３の側面における、樹脂膜の開口部にバンプ形成材料が充填されている状態、または、バンプが形成されている状態の第１接続対象物を得ることができる。
【００３５】
本発明の第１０の側面によると、上述の第８または第９の側面に係る方法によって形成されたことを特徴とする電極間接続構造中間体が提供される。このような電極間接続構造中間体は、第２または第３の側面に係る形成方法における中間体として、利用することができる。
【００３６】
本発明の第１から第１０の側面において、樹脂膜は、好ましくは、感光性を有しており、フィルム状とされている。このような樹脂膜によると、開口部の形成を良好に行うことができる。また、好ましくは、樹脂膜には、３０〜７０ｗｔ％の含有率で無機フィラーが添加されている。このような構成によって、樹脂膜の熱膨張率が適切に低下される。
【００３７】
本発明の第１１の側面によると、電極間接続構造体が提供される。この電極間接続構造体は、第１電極部が設けられた第１接続対象物と、第１電極部に対向する第２電極部が設けられた第２接続対象物と、第１電極部と第２電極部とを接続する鼓状の導体部と、第１接続対象物と第２接続対象物との間を填塞する封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【００３８】
このような構造の電極間接続構造体は、本発明の第１の側面に係る方法により形成することができる。そのため、その形成過程において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。加えて、電極間を接続する導体部がその中間においてくびれを有しているため、導体部にかかる応力は、電極と導体部との接続部位にではなく、導体部の中央部に集中する。そのため、当該接続部位の破断が抑制され、電極間接続について良好な接続信頼性が達成される。
【００３９】
好ましくは、封止樹脂には３０〜７０ｗｔ％の無機フィラーが含まれている。また、第１接続対象物および第２接続対象物は、各々、半導体チップまたは配線基板である。
【００４０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電極間接続構造体形成方法の一連の工程を表す。本実施形態では、フリップチップ接合を例に挙げて説明する。まず、図１（ａ）に示すように、表面に電極１１１が設けられた半導体チップ１１０に対して、電極１１１を覆うように樹脂膜１３０を積層形成する。樹脂膜１３０の形成においては、フィルム状の樹脂組成物を、半導体チップ１１０に対して載置した後、５０〜１４０℃で加熱しつつ圧着する。或は、液状樹脂組成物を、スピンコートにより半導体チップ１１０の表面に塗布し、それを乾燥してもよい。
【００４１】
樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物は、熱硬化性樹脂である主剤および硬化剤の両方またはいずれか一方、並びに無機フィラーを含んで、フィルム状に成形されるか、または液状とされる。フィルム状の樹脂組成物を用意する場合、フィルムの厚さは、半導体チップ１１０の電極ピッチ、電極サイズ、および、接合信頼性の観点から推定される接続高さに基づいて決定する。
【００４２】
熱硬化性樹脂である主剤としてはエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、固形タイプまたは液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシなどを用いることができる。
【００４３】
硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤などを用いることができる。イミダゾール系硬化剤としては、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２,４−ジアミノ−６−[２−メチルイミダゾール−(１)]−エチル−Ｓ−トリアジン、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４,５−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどを用いることができる。酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などを用いることができる。アミン系硬化剤としては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォンなどを用いることができる。
【００４４】
無機フィラーとしては、シリカ粉末やアルミナ粉末を用いることができる。樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物において、無機フィラーの含有率は３０〜７０ｗｔ％とするのが好ましい。
【００４５】
樹脂膜に感光性を付与する場合には、樹脂膜を形成するための樹脂組成物に対してアクリルモノマーおよび光重合開始剤を添加する。アクリルモノマーとしては、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、１,６−ヘキサンジオールアクリレート、ラウリルアクリレート、アルキルアクリレート、セチルアクリレート、ステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、３−メトキシブチルアクリレート、エチルアカルビートルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、フェノキシポリエチレンアクリレート、メトキシトリプロピレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、シクロヘキサン−１,２−ジカルボン酸モノ−(２−アクリロイルオキシ−１−メチル−エチル)エステル（Cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid mono-(2-acryloyloxy-1-methyl-ethyle)ester）、４−シクロヘキセン−１,２−ジカルボン酸モノ−(２−アクリロイルオキシ−１−メチル−エチル)エステル（Cyclohex-4-ene-1,2-dicarboxylic acid mono-(2-acryloyloxy-1-methyl-ethyle)ester）、ジメチルアミノエチルアクリレート、トリフルオロエチルアクリレート、ヘキサフルオロプロピルアクリレートなどの単官能モノマーや、１,４−ブタンジオールジアクリレート、１,６−ヘキサンジオールジアクリレート、１,９−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ビスフェノールＡ,ＥＯ付加物ジアクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレートなどの２官能モノマーや、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチルプロパンＥＯ付加トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ付加物トリアクリレート、グリセリンＰＯ付加物トリアクリレート、トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの多官能モノマーなどを用いることができる。ただし、アクリルモノマーに代えて又はこれと共にビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物などのオリゴマーを用いることもできる。樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物において、アクリルモノマーの含有率は、１〜５０ｗｔ％が好ましい。
【００４６】
光重合開始剤としては、２,２−ジメトキシ−１,２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−[４−(メチルチオ)フェニル]−２−モノフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−[４−(２−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−２−ヒドキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(２,６−ジフルオロ−３−（ビル−１−イル）チタニウムなどを用いることができる。樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物において、光重合開始剤の含有率は、０．１〜４ｗｔ％が好ましい。
【００４７】
樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物には、更に、ポリエステル樹脂やアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂を添加してもよい。
【００４８】
樹脂膜１３０の形成の後、図１（ｂ）に示すように、樹脂膜１３０に対して、各電極１１１に対応する箇所に開口部１３０ａを形成する。開口部１３０ａの形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどを用いることができる。感光性を有する樹脂膜１３０を形成した場合には、開口部１３０ａの形成にはフォトリソグラフィを採用することができる。電極へのダメージを抑制するという観点からは、フォトリソグラフィを採用するのが好ましい。フォトリソグラフィを採用する場合には、樹脂膜１３０に対して、所定のフォトマスク（図示せず）を介しての露光処理およびその後の現像処理を施すことにより、各電極１１１が露出するように開口部１３０ａを形成する。
【００４９】
次いで、図１（ｃ）に示すように、開口部１３０ａに金属ペースト１４０を充填する。金属ペースト１４０の充填は、スキージ（図示略）を用いた印刷法により行う。スキージは、樹脂膜１３０に損傷を与えることを回避ないし軽減するため、ウレタンゴムスキージを用いる。ウレタンゴムスキージの硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準じた方法で測定した場合において、５０〜８０度が好ましい。
【００５０】
金属ペースト１４０は、金属粉末１４１と、これをペースト化するための樹脂分１４２とからなる。本実施形態では、金属粉末１４１は、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を粉末化したものである。ただし、本発明では、金属粉末１４１として、そのようなハンダ粉末に代えてＡｇやＣｕなどの低抵抗の金属の粉末を用いてもよい。金属粉末１４１としてハンダ粉末を用いる場合、樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物については、当該ハンダが溶融する前に軟化するように組成を制御する。一方、金属粉末１４１としてＡｇやＣｕなどの低抵抗の金属の粉末を用いる場合、樹脂膜１３０を形成するための樹脂組成物については、樹脂分１４２が硬化する前に軟化するように組成を制御する。金属ペースト１４０における金属粉末１４１の含有率は、３０〜７０体積％または２０〜９５ｗｔ％とする。３０体積％未満または２０ｗｔ％未満では、電極間を適切に接続することが困難となる傾向にある。７０体積％または９５ｗｔ％より多いと、金属ペースト１４０の粘度が過剰に高くなり、開口部１３０ａへの充填が困難となる。樹脂分１４２については、後の加熱工程においてハンダ粉末を溶融させ一体化させるとともに、ハンダ粉末が溶融した後に樹脂膜１３０と一体化するように組成を制御する。
【００５１】
具体的には、例えば、樹脂分１４２は、液状タイプのビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシなどから選択される主剤としてのエポキシ樹脂を含有率３０〜７０ｗｔ％で、および／または、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸などから選択される酸無水物硬化剤を含有率３０〜７０ｗｔ％で含む。ただし、樹脂分１４２に含まれる主剤および硬化剤としては、樹脂膜１３０に関して列挙した主剤および硬化剤を用いてもよい。
【００５２】
硬化剤を含んで主剤を含まない樹脂膜１３０を採用する場合には、金属ペースト１４０の樹脂分１４２には、主剤を含んで硬化剤を含まないものを使用することができる。また、主剤を含んで硬化剤を含まない樹脂膜１３０を採用する場合には、樹脂分１４２には、硬化剤を含んで主剤を含まないものを使用することができる。後者の場合、金属ペースト１４０は、主剤を含まずに、硬化剤およびこれに分散する金属粉末１４１を含む。このような組成においては、硬化剤としては、金属粉末１４１の活性剤としての効果を有する酸無水物硬化剤またはアミン系硬化剤を用いるのが好ましい。
【００５３】
また、金属ペースト１４０には、ハンダの濡れ性を向上させるためにロジンを添加してもよい。ロジンとしては、例えば、ロジン酸、ロジン酸エステル、ロジン無水物、脂肪酸、アビエチン酸、イソピマール酸、ネオアビエチン酸、ピマール酸、ジヒドロアビエチン酸、デヒドロアビエチン酸などを用いることができる。また、金属ペースト１４０には、金属表面の活性化のために、硬化剤とは別に有機カルボン酸やアミンを添加してもよいし、更に、粘度調整のために、ジエレングリコールやテトラエチレングリコールなどの高級アルコールを添加してもよい。
【００５４】
金属ペースト１４０の充填の後、図１（ｄ）に示すように、配線基板１２０に対して半導体チップ１１０を搭載する。このとき、樹脂膜１３０の開口部１３０ａに充填されている金属ペースト１４０と配線基板１２０の電極１２１とが対向するように、位置合わせする。また、荷重を加えることによって、樹脂膜１３０を配線基板１２０に密着させる。
【００５５】
次に、図１（ｅ）に示すように、リフロー加熱を行うことによって、半導体チップ１１０と配線基板１２０を機械的に接合するとともに、電極１１１と電極１２１とを電気的に接続する。本実施形態では、金属ペースト１４０に含まれる金属粉末１４１としてハンダ粉末を用いており、加熱処理における目的加熱温度は、当該ハンダの融点よりも１０〜５０℃高い温度とする。
【００５６】
加熱処理の昇温過程においては、半導体チップ１１０および配線基板１２０の間の樹脂膜１３０は、ハンダの融点以下の温度で一旦軟化する。続いて、金属粉末１４１が溶融して形成される導体部１４１ａによって電極１１１および電極１２１が電気的に接続されるとともに、樹脂膜１３０において硬化反応が進行する。樹脂膜１３０の硬化によって、半導体チップ１１０と配線基板１２０とが接合される。
【００５７】
なお、第１の実施形態において、図１（ｃ）の工程で得られる半導体チップ１１０は、他の半導体チップや配線基板に対する電気的接続および機械的接続を単一加熱処理により達成できる半導体チップとして提供することができる。
【００５８】
図２は、図１に示す工程で形成された電極間接続構造体の部分拡大断面図である。金属ペースト１４０における金属粉末１４１の含有率は、上述のように３０〜７０体積％である。そのため、リフロー加熱を経て電極間が接続された後は、電極１１１および電極１２１を電気的に接続する導体部１４１ａは、鼓状をとる。このような形状の導体部１４１ａによると、導体部１４１ａにかかる応力は、電極１１１，１２１と導体部１４１ａとの接続部位にではなく、導体部１４１ａの中央部に集中する。そのため、当該接続部位の破断が抑制され、電極間接続について良好な接続信頼性が達成される。
【００５９】
本発明において、金属粉末１４１として、ハンダ粉末に代えてＡｇやＣｕなどの低抵抗の金属の粉末を用いる場合には、図１（ｅ）の接合工程は、リフロー加熱に代えてチップボンダーを用いて行う。その場合の加熱温度は、金属ペースト１４０の金属粉末１４１が溶融しない温度であって樹脂分１４２が硬化可能な温度とする。この加熱の昇温過程においては、半導体チップ１１０および配線基板１２０の間の樹脂膜１３０は、樹脂分１４２の硬化温度以下で一旦軟化する。続いて、金属粉末１４１が圧縮集合して電極１１１および電極１２１が電気的に接続されるとともに、樹脂膜１３０において硬化反応が進行する。樹脂膜１３０の硬化によって、半導体チップ１１０と配線基板１２０とが接合される。このように、本発明では、金属粉末１４１としてＡｇやＣｕなどの低抵抗の金属の粉末を用いると、金属粉末１４１を溶融せずとも適切な電極間接続を達成することができる。
【００６０】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る電極間接続構造体形成方法を表す。本実施形態についても、フリップチップ接合を例に挙げて説明する。まず、図３（ａ）に示すように、表面に電極２１１が設けられた半導体チップ２１０に対して、電極２１１を覆うように樹脂膜２３０を積層形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂膜２３０に対して、各電極２１１に対応する箇所に開口部２３０ａを形成する。樹脂膜２３０の形成および開口部２３０ａの形成については、第１の実施形態に関して上述したのと同様である。
【００６１】
次に、図３（ｃ）に示すように、開口部２３０ａにおいて電極２１１の上に導体部２１２を形成する。導体部２１２は、電気めっき法や無電解めっき法により形成することができる。
【００６２】
図４は、電気めっき法により導体部２１２を形成する方法を表す。まず、図４（ａ）に示すように、通電層２６１を形成する。通電層２６１は、ＴｉやＮｉなどのスパッタリングにより形成される。次に、図４（ｂ）に示すように、通電層２６１の上に、めっきレジスト２６２をパターン形成する。めっきレジスト２６２は、開口部２３０ａに対応して開口している。次に、図４（ｃ）に示すように、電気めっき法により、開口部２３０ａ内に導体部２１２を堆積成長させる。次に、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト２６２をエッチング除去するとともに、樹脂膜２３０上の通電層２６１をエッチング除去する。このようにして、図３（ｃ）に示すような導体部２１２は形成される。
【００６３】
電気めっき法により導体部２１２を形成する場合、図４に示す方法に代えて、次の方法を採用してもよい。まず、図３（ａ）の工程の前に、通電層２６１を、各電極２１１を覆うように半導体チップ２１０上にパターン形成する。このとき、通電層２６１は、図３（ｂ）に示す工程以降において樹脂膜２３０に覆われる箇所にて電極２１１どうしを短絡させないように、パターン形成される。次に、上述したように図３（ａ）および図３（ｂ）の工程を経て、樹脂膜２３０において開口部２３０ａを形成する。次に、通電層２６１上に電気めっき法により導体部２１２を堆積成長させる。
【００６４】
また、導体部２１２の形成に際しては、電気めっき法に代えて無電解めっき法を採用してもよい。無電解めっき法により導体部２１２を形成するには、まず、図３（ｂ）に示す状態において、開口部２３０ａ内の少なくとも電極２１１の表面に、所定の触媒を付着させる。次に、無電解めっき法により、当該触媒を介して電極２１１上に導体部２１２を堆積成長させる。このようにして、図３（ｃ）に示すような導体部２１２を形成することもできる。
【００６５】
導体部２１２を形成するための材料としては、Ａｌ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄなどの単体金属や、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ａｕなどから選択される複数の単体金属からなる合金を用いることができる。例えば、ＩｎやＳｎ―Ｂｉ合金などの低融点金属により導体部２１２を形成することができる。低融点金属により導体部２１２を形成すると、後述する工程において、樹脂膜２３０を硬化させるための温度を比較的低温に設定することができる。その結果、最終的に得られる接続構造体において、半導体チップ２１０および配線基板２２０の熱膨張差に起因して生じ得る影響、例えば、半導体チップ２１０または配線基板２２０の反りなどによる接続部の形成不良を抑制することが可能となる。加えて、樹脂膜２３０の軟化が生じる温度領域にて溶融する程の低融点金属よりなる導体部２１２であれば、後述の工程において、配線基板２２０へ半導体チップ２１０を搭載する際の押圧力により生じ得る回路面の損傷が抑制される。
【００６６】
また、異なる組成の金属を順次積層することによって導体部２１２を形成してもよい。例えば、図３（ｃ）に示す工程において、低抵抗のＣｕを電極２１１上に厚く堆積させ、この後、Ｃｕよりも低融点で低硬度のＳｎをＣｕめっき表面に薄く堆積させてもよい。このような積層構造を有する導体部２１２では、後述する工程において配線基板２２０の電極２２１と直接接触するのはＳｎめっきである。電気抵抗の小さい金属材料を主体としつつ、対向する電極２２１と接触する箇所には比較的低融点または低硬度の金属材料を用いると、電極間の接続において低抵抗の電気的接続を良好に達成することができる。
【００６７】
図３（ｃ）に示すように導体部２１２を形成した後、図３（ｄ）に示すように、配線基板２２０に対して半導体チップ２１０を搭載する。このとき、樹脂膜２３０の開口部２３０ａに形成されている導体部２１２と配線基板２２０の電極２２１とが対向するように、位置合わせする。また、荷重を加えることによって、樹脂膜２３０を配線基板２２０に密着させる。このとき、導体部２１２は、配線基板２２０の電極２２１に対して圧接される。
【００６８】
次に、加熱処理を行うことによって、図３（ｅ）に示すように、半導体チップ２１０と配線基板２２０を機械的に接合するとともに、電極２１１と電極２２１とを電気的に接続する。加熱処理の昇温過程においては、半導体チップ２１０および配線基板２２０の間の樹脂膜２３０は、導体部２１２の融点以下の温度で一旦軟化する。続いて、導体部２１２は、電極２１１および電極２２１に対して融着する。樹脂膜２３０においては硬化反応が進行する。樹脂膜２３０の硬化によって、半導体チップ２１０と配線基板２２０とが機械的に接合される。これとともに、電極２１１と電極２２１とが導体部２１２によって電気的に接合される。導体部２１２の構成材料として融点が８０〜４００℃の金属を用いると、導体部２１２は、電極２１１および電極２２１に対して濡れなどの拡散を生じ易く、信頼性の高い電気的接続が確保される。ただし、電極２２１に対する圧接により導体部２１２が電極間の導通を達成するのであれば、導体部２１２を溶融するまで加熱する必要はない。
【００６９】
なお、第２の実施形態において、図３（ｃ）の工程で得られる半導体チップ２１０は、他の半導体チップや配線基板に対する電気的接続および機械的接続を単一加熱処理により達成できる半導体チップとして提供することができる。
【００７０】
図５および図６は、本発明の第３の実施形態に係る電極間接続構造体形成方法を表す。本実施形態についても、フリップチップ接合を例に挙げて説明する。まず、図５（ａ）に示すように、表面に電極３１１が設けられた半導体チップ３１０に対して、電極３１１を覆うように樹脂膜３３０を積層形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、樹脂膜３３０に対して、各電極３１１に対応する箇所に開口部３３０ａを形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、開口部３３０ａにハンダペースト３４０を充填する。樹脂膜３３０の形成および開口部３３０ａの形成については、第１の実施形態に関して上述したのと同様である。
【００７１】
ハンダペースト３４０は、ハンダ粉末３４１とフラックスビヒクル３４２とからなる。ハンダ粉末３４１は、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｓｂなどから選択される単体金属、または、これらから選択される複数の単体金属からなる合金を粉末化したものである。フラックスビヒクル３４２は、ロジン、活性剤、チクソ剤、溶剤を含む。ロジンとしては、重合ロジン、水素添加ロジン、エステル化ロジンなどを用いることができる。活性剤としては、例えば、セバシン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリブチルアミンなどから選択された１又は２以上の有機酸および／または有機アミンを使用することができる。チクソ剤としては、硬化ヒマシ油、ヒドロキシステアリン酸などを用いることができる。溶剤としては、２−メチル−２，４ペンタンジオールやジエチレングリコールモノブチルエーテルなどを用いることができる。
【００７２】
ハンダペースト３４０の充填の後、図５（ｄ）に示すように、加熱処理を経てバンプ３５０を形成する。具体的には、まず、加熱により開口部３３０ａに充填されているハンダペースト３４０を溶融させる。これにより、ハンダペースト３４０に含まれているフラックスビヒクル３４２が揮発消失するとともに、ハンダ粉末３４１が溶融して寄り集まる。その後の冷却によって、パンプ３５０が形成される。
【００７３】
次に、図６（ａ）に示すように、配線基板３２０に対して半導体チップ３１０を搭載する。このとき、樹脂膜３３０の開口部３３０ａに形成されたバンプ３５０と配線基板３２０の電極３２１とが対向するように、位置合わせする。また、荷重を加えることによって、樹脂膜３３０を配線基板３２０に密着させる。
【００７４】
次に、図６（ｂ）に示すように、リフロー加熱を行うことによって、半導体チップ３１０と配線基板３２０を機械的に接合するとともに、電極３１１と電極３２１とを電気的に接続する。リフロー加熱における加熱温度は、使用するハンダの融点よりも１０〜５０℃高い温度とする。リフロー加熱の昇温過程においては、半導体チップ３１０および配線基板３２０の間の樹脂膜３３０は、バンプ３５０の融点以下の温度で一旦軟化する。続いて、バンプ３５０が溶融して電極３１１および電極３２１が電気的に接続されるとともに、樹脂膜３３０において硬化反応が進行する。樹脂膜３３０の硬化によって、半導体チップ３１０と配線基板３２０とが接合される。このような方法に代えて、荷重を加えながら加熱することによって、半導体チップ３１０と配線基板３２０を機械的に接合するとともに、電極３１１と電極３２１とを電気的に接続してもよい。
【００７５】
なお、第３の実施形態において、図５（ｄ）の工程で得られる半導体チップ３１０は、他の半導体チップや配線基板に対する電気的接続および機械的接続を単一加熱処理により達成できる半導体チップとして提供することができる。
【００７６】
以上、本発明に係る電極間接続構造体形成方法をフリップチップ接合を例に挙げて説明した。本発明は、フリップチップ接合に限らず、半導体チップと半導体チップの接合および配線基板と配線基板の接合においても実施することができる。また、本発明は、ウエハなどの大型の基板におけるバッチ製造にも適用できる。
【００７７】
具体的には、第１の実施形態においては、まず、樹脂膜１３０の形成、開口部１３０ａの形成、金属ペースト１４０の充填を所定のウエハに対して行う。次に、当該ウエハを必要なサイズに切断する。次に、切断された基板個片を、図１（ｄ）および図１（ｅ）を参照して上述したように、他の接続対象物に対して接合する。第２の実施形態においては、まず、樹脂膜２３０の形成、開口部２３０ａの形成、導体部２１２の形成を所定のウエハに対して行う。次に、当該ウエハを必要なサイズに切断する。次に、切断された基板個片を、図３（ｄ）および図３（ｅ）を参照して上述したように、他の接続対象物に対して接合する。第３の実施形態においては、まず、樹脂膜３３０の形成、開口部３３０ａの形成、ハンダペースト３４０の充填、バンプ３５０の形成を所定のウエハに対して行う。次に、当該ウエハを必要なサイズに切断する。次に、切断された基板個片を、図６を参照して上述したように、他の接続対象物に対して接合する。
【００７８】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、比較例とともに説明する。
【００７９】
【実施例１】
＜樹脂フィルムの作製＞
主剤としての固形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を６１ｗｔ％、主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を１５ｗｔ％、固形の硬化剤としてのイミダゾール(商品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成製)を７ｗｔ％、アクリル樹脂としてのポリメチルメタクリレート（商品名：ＰＭＭＡ、アルドリッチ製）を７ｗｔ％、アクリルモノマーとしてのビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物(商品名：Ｖ＃５４０、大阪有機化学工業製)を９ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０ｗｔ％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形することによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。フィルムの成形に際しては、シリカ粉末を添加および混合した後の樹脂組成物をメチルケトン中に溶解ないし分散させ、分散液をＰＥＴフィルム上に塗工した後に乾燥により溶媒を除去した。
【００８０】
＜金属ペーストの調製＞
主剤としてのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂(商品名：ＧＹ２６０、日立化成製)を５０ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立化成製)を５０ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【００８１】
＜フリップチップ接合＞
上述のようにして作製した樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。形成した開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００８２】
【実施例２】
＜樹脂フィルムの作製＞
主剤としての固形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を６７ｗｔ％、主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を１７ｗｔ％、固形の硬化剤としてのイミダゾール(商品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成製)を８ｗｔ％、アクリル樹脂としてのポリメチルメタクリレート（商品名：ＰＭＭＡ、アルドリッチ製）を８ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０ｗｔ％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形することによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【００８３】
＜フリップチップ接合＞
上述のようにして作製した樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出するように直径８０μｍの開口部を形成した。形成した開口部に対し、実施例１と同様の金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００８４】
【実施例３】
＜液状樹脂組成物の調製＞
主剤としての固形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を４１ｗｔ％、主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を１０ｗｔ％、固形の硬化剤としてのイミダゾール(商品名：２ＭＺ−Ａ、四国化成製)を４．７ｗｔ％、アクリル樹脂としてのポリメチルメタクリレート（商品名：ＰＭＭＡ、アルドリッチ製）を４．７ｗｔ％、アクリルモノマーとしてのビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物(商品名：Ｖ＃５４０、大阪有機化学工業製)を６ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を０．６ｗｔ％、溶媒としてのメチルエチルケトンを３３ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比１：１（シリカ粉末の添加率は５０ｗｔ％）で混連し、樹脂膜形成用の液状樹脂組成物を調製した。
【００８５】
＜フリップチップ接合＞
上述のようにして調製した樹脂組成物を、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾燥して５０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。形成した開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００８６】
【実施例４】
＜金属ペーストの調製＞
主剤としてのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂(商品名：ＧＹ２６０、日立化成製)を５０ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立化成製)を５０ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径７μｍのＡｇ粉末とを、重量比１：９（Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【００８７】
＜フリップチップ接合＞
実施例１で用いた金属ペーストに代えて上述のようにして調製した金属ペーストを用いた以外は、実施例１と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００８８】
【実施例５】
実施例２で用いた金属ペーストに代えて実施例４と同一の金属ペーストを用いた以外は、実施例２と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００８９】
【実施例６】
実施例３で用いた金属ペーストに代えて実施例４と同一の金属ペーストを用いた以外は、実施例３と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００９０】
【実施例７】
＜金属ペーストの調製＞
主剤としてのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂(商品名：ＧＹ２６０、日立化成製)を５０ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立化成製)を５０ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―５２％Ｉｎ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―５２％Ｉｎ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【００９１】
＜フリップチップ接合＞
実施例１で用いた金属ペーストに代えて上述のようにして調製した金属ペーストを用い、接続工程における加熱温度２６０℃を２３０℃とした以外は、実施例１と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００９２】
【実施例８】
実施例２で用いた金属ペーストに代えて実施例７と同一の金属ペーストを用い、接続工程における加熱温度２６０℃を２３０℃とした以外は、実施例２と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００９３】
【実施例９】
実施例３で用いた金属ペーストに代えて実施例７と同一の金属ペーストを用い、接続工程における加熱温度２６０℃を２３０℃とした以外は、実施例３と同様にしてフリップチップ接合を行い、本実施例の電極間接続構造体を得た。
【００９４】
【実施例１０】
＜金属ペーストの調製＞
重合ロジン（商品名：ポリペール、理化ハーキュレス製）を５３ｗｔ％、溶剤としての２−メチル−２,４−ペンタンジオールおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルを各々２０ｗｔ％、活性剤としてのコハク酸を２ｗｔ％、チクソ剤としての硬化ヒマシ油を５ｗｔ％含有するフラックスビヒクルを調製した。このフラックスビヒクルと平均粒径１３μｍのＳｎ―５７％Ｂｉ―１％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―５７％Ｂｉ―１％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【００９５】
＜フリップチップ接合＞
実施例１と同様の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。形成した開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップを１７０℃に加熱した後に冷却すると、良好なバンプおよび接着樹脂膜付きの半導体チップを形成することができた。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００９６】
【実施例１１】
実施例２と同様の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出するように直径８０μｍの開口部を形成した。形成した開口部に対し、実施例１０と同様の金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップを１７０℃に加熱した後に冷却すると、良好なバンプおよび接着樹脂膜付きの半導体チップを形成することができた。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００９７】
【実施例１２】
実施例３と同様の樹脂組成物を、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾燥して５０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。形成した開口部に対し、実施例１０と同様の金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。この半導体チップを１７０℃に加熱した後に冷却すると、良好なバンプおよび接着樹脂膜付きの半導体チップを形成することができた。この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに３０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【００９８】
【実施例１３】
＜樹脂フィルムの作製＞
主剤としての固形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を６６ｗｔ％、主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を１３ｗｔ％、感光性付与剤としてのペンタエリスリトールトリアクリレート(商品名：ＴＭＰ−３Ａ、大阪有機化学工業製)を１３ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗｔ％、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を７ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７（シリカ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形することによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【００９９】
＜金属ペーストの調製＞
硬化剤としてのメチルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立化成製)を９６ｗｔ％、硬化促進剤としての１−メチル−２−エチルイミダゾール（商品名：１Ｍ２ＥＺ、四国化成製）を４ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【０１００】
＜フリップチップ接合＞
上述のようにして作製した樹脂フィルムを、チップ個片単位の電極数が３０００個であるＬＳＩチップウエハ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ)に対して、電極を覆うように、ラミネート装置（（株）エム・シー・ケー製）を用いて６５℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。現像は、イソプロピルアルコールを用いて行った。形成した開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。樹脂膜表面に保護フィルム（商品名：Ｄ６２８、リンテック製）を貼り付けた後、ダイシングによりＬＳＩチップウエハをチップ個片に切断した。切断されたチップを、フリップチップボンダを用いてビルドアップ基板に位置合わせして仮固定を行った。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１０１】
【実施例１４】
＜樹脂フィルムの作製＞
主剤としての固形タイプのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＡＥＲ６０４２、旭化成エポキシ製）を７３ｗｔ％、主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を１８ｗｔ％、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を９ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７（シリカ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形することによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【０１０２】
＜金属ペーストの調製＞
硬化剤としてのメチルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立化成製)を６９ｗｔ％、硬化促進剤としての１−メチル−２−エチルイミダゾール（商品名：１Ｍ２ＥＺ、四国化成製）を３ｗｔ％、溶剤としてのテトラエチレングリコールを２８ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【０１０３】
＜フリップチップ接合＞
上述のようにして作製した樹脂フィルムを、ビルドアップ基板Ａ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ)に対して、電極を覆うように、ラミネート装置（（株）エム・シー・ケー製）を用いて貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、炭酸ガスレーザを用いて、電極が露出するように直径１２０μｍの開口部を形成した。形成した開口部に対し、上述のようにして調製した金属ペーストをウレタンゴムスキージを用いて充填した。このビルドアップ基板Ａをフリップチップボンダを用いて別のビルドアップ基板Ｂに位置合わせして仮固定を行った。このとき、開口部に充填されている金属ペーストとビルドアップ基板Ｂの電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、ビルドアップ基板同士が接合された電極間接続構造体を得た。
【０１０４】
【実施例１５】
＜液状樹脂組成物の調製＞
主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を６６ｗｔ％、感光性付与剤としてのペンタエリスリトールトリアクリレート(商品名：ＴＭＰ−３Ａ、大阪有機化学工業製)を２６ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗｔ％、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を７ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７（シリカ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、樹脂膜形成用の液状樹脂組成物を調製した。
【０１０５】
＜金属ペーストの調製＞
フェノール系硬化剤（商品名：ＢＵＲ６０１Ｐ、旭電化工業製)を７１ｗｔ％、硬化促進剤としての１−メチル−２−エチルイミダゾール（商品名：１Ｍ２ＥＺ、四国化成製）を４ｗｔ％、活性剤としての無水コハク酸を７ｗｔ％、ロジン酸（和光純薬製）を４ｗｔ％、溶剤としてのテトラエチレングリコールを１４ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【０１０６】
＜フリップチップ接合＞
上述のようにして調製した液状樹脂組成物を、チップ個片単位の電極数が３０００個であるＬＳＩチップウエハ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ)に対して、電極を覆うように、スピンコータを用いてスピンコーティングし、樹脂膜を形成した。以降の工程は実施例１３と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１０７】
【実施例１６】
＜樹脂フィルムの作製＞
フェノール系硬化剤（商品名：ＢＵＲ６０１Ｐ、旭電化工業製)を７５ｗｔ％、感光性付与剤としてのペンタエリスリトールトリアクリレート(商品名：ＴＭＰ−３Ａ、大阪有機化学工業製)を１６ｗｔ％、光重合開始剤としての２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モノフォリノフェニル)−ブタン−１−オン（商品名：イルガキュア３６９、チバスペシャリティケミカルズ製)を１ｗｔ％、熱可塑性樹脂であるポリエステル樹脂を８ｗｔ％含有する中間樹脂組成物を調製した。この中間樹脂組成物と、平均粒径４μｍのシリカ粉末とを、重量比３：７（シリカ粉末の添加率は７０ｗｔ％）で混連し、５０μｍの厚さのフィルムを成形することによって本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【０１０８】
＜金属ペーストの調製＞
主剤としての液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）を８３ｗｔ％、溶剤としてのテトラエチレングリコールを１７ｗｔ％含有する樹脂分を調製した。この樹脂分と平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末とを、重量比１：９（Ｓｎ―３．５％Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連し、本実施例の金属ペーストを調製した。
【０１０９】
＜フリップチップ接合＞
実施例１３で用いた樹脂フィルムおよび金属ペーストに代えて、上述のようにして得た樹脂フィルムおよび金属ペーストを用いた以外は、実施例１３と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１１０】
【実施例１７】
＜樹脂フィルムの作製＞
厚さ５０μｍを２０μｍに代えた以外は実施例１と同様にして、本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【０１１１】
＜フリップチップ接合＞
本実施例の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。次に、樹脂膜上および開口部内に通電層を形成した。具体的には、スパッタリングにより、Ｔｉ(０．５μｍ)およびＮｉ(０．５μｍ)を順次成膜した。次に、樹脂膜上に、開口部を露出させつつ、めっきレジスト膜をパターン形成した。次に、電気めっき法により、開口部内に導体部を形成した。具体的には、開口部内の電極上に、通電層を介して、厚さ４μｍのＮｉめっきに続いて厚さ１５μｍのＳｎめっきを施した。次に、めっきレジスト、および、樹脂膜上の通電層をエッチングにより除去した。これにより、電極上にＮｉ層およびＳｎ層の２層構造を有する導体部を備えつつ、接合用の絶縁膜を有する半導体チップが得られた。そして、この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、樹脂膜の開口部に形成されている導体部とビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１１２】
【実施例１８】
＜樹脂フィルムの作製＞
厚さ５０μｍを２０μｍに代えた以外は実施例２と同様にして、本実施例の樹脂フィルムを作製した。
【０１１３】
＜フリップチップ接合＞
本実施例の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。以降の工程については実施例１７と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。
【０１１４】
【実施例１９】
＜液状樹脂組成物の調製＞
中間樹脂組成物とこれに添加されるシリカ粉末との重量比を、１：１に代えて５：１（シリカ粉末の添加率は１６．７ｗｔ％）とした以外は、実施例３と同様にして、本実施例の液状樹脂組成物を調製した。
【０１１５】
＜フリップチップ接合＞
本実施例の樹脂組成物を、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾燥して２０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。以降の工程については実施例１７と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。
【０１１６】
【実施例２０】
電気めっき法による導体部の形成において、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの６３％Ｓｎ―Ｐｂめっきを施した以外は、実施例１７と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。したがって、本実施例の電極間接続構造体において、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層および６３％Ｓｎ―Ｐｂ層からなる２層構造を有する。
【０１１７】
【実施例２１】
電気めっき法による導体部の形成において、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの６３％Ｓｎ―Ｐｂめっきを施した以外は、実施例１８と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２０と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層および６３％Ｓｎ―Ｐｂ層からなる２層構造を有する。
【０１１８】
【実施例２２】
電気めっき法による導体部の形成において、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍの６３％Ｓｎ―Ｐｂめっきを施した以外は、実施例１９と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２０および実施例２１と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層および６３％Ｓｎ―Ｐｂ層からなる２層構造を有する。
【０１１９】
【実施例２３】
実施例１７と同一の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。次に、樹脂膜上および開口部内に通電層を形成した。具体的には、スパッタリングにより、Ｔｉ(０．５μｍ)およびＮｉ(０．５μｍ)を順次成膜した。次に、樹脂膜上に、開口部を露出させつつ、めっきレジスト膜をパターン形成した。次に、電気めっき法により、開口部内に導体部を形成した。具体的には、開口部内の電極上に、通電層を介して、厚さ４μｍのＮｉめっきに続いて厚さ１５μｍのＩｎめっきを施した。次に、めっきレジスト、および、樹脂膜上の通電層をエッチングにより除去した。これにより、電極上にＮｉ層およびＩｎ層の２層構造を有する導体部を備えつつ、接合用の絶縁膜を有する半導体チップが得られた。そして、この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、樹脂膜の開口部に形成されている導体部とビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で１８０℃にまで加熱し、この温度を１０分間維持した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１２０】
【実施例２４】
実施例１８と同一の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。以降の工程については実施例２３と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。したがって、本実施例の電極間接続構造体において、実施例２３と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＩｎ層からなる２層構造を有する。
【０１２１】
【実施例２５】
実施例１９と同一の液状樹脂組成物を、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾燥して２０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。以降の工程については実施例２３と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２３および実施例２４と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＩｎ層からなる２層構造を有する。
【０１２２】
【実施例２６】
電気めっき法による導体部の形成において、厚さ１５μｍのＩｎめっきに代えて厚さ１５μｍのＳｎ―５７％Ｂｉめっきを施した以外は、実施例２３と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。したがって、本実施例の電極間接続構造体において、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＳｎ―５７％Ｂｉ層からなる２層構造を有する。
【０１２３】
【実施例２７】
電気めっき法による導体部の形成において、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍのＳｎ―５７％Ｂｉめっきを施した以外は、実施例２４と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２６と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＳｎ―５７％Ｂｉ層からなる２層構造を有する。
【０１２４】
【実施例２８】
電気めっき法による導体部の形成において、厚さ１５μｍのＳｎめっきに代えて厚さ１５μｍのＳｎ―５７％Ｂｉめっきを施した以外は、実施例２５と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２６および実施例２７と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｎｉ層およびＳｎ―５７％Ｂｉ層からなる２層構造を有する。
【０１２５】
【実施例２９】
実施例１７と同一の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。次に、開口部内の電極の表面を触媒処理した。次に、無電解めっき法により、開口部内に導体部を形成した。具体的には、開口部内の電極上に、厚さ１７μｍのＣｕめっきを施し、更に厚さ３μｍのＳｎめっきを施した。これにより、電極上にＣｕ層およびＳｎ層の２層構造を有する導体部を備えつつ、接合用の絶縁膜を有する半導体チップが得られた。そして、この半導体チップを、ビルドアップ基板に搭載した。このとき、樹脂膜の開口部に形成されている導体部とビルドアップ基板の電極とが対向するように位置合わせした。次に、半導体チップに２０ｇの荷重を加えながら、４℃／ｍｉｎの昇温速度で２６０℃に加熱した。その結果、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を得た。
【０１２６】
【実施例３０】
実施例１８と同一の樹脂フィルムを、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように、ロールマウンタ（（株）エム・シー・ケー製）を用いて８０℃の加熱下で貼り付けて樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いて、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。以降の工程については実施例２９と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。したがって、本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２９と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｃｕ層およびＳｎ層からなる２層構造を有する。
【０１２７】
【実施例３１】
実施例１９と同一の液状樹脂組成物を、半導体チップ（電極径４０μｍ、電極ピッチ８０μｍ、電極数３０００個)に対して、電極を覆うように７０μｍの厚さにスピンコーティングし、８０℃の温度下で乾燥して２０μｍの樹脂膜を形成した。次に、当該樹脂膜に対し、露光および現像を施して、電極が露出するように直径４０μｍの開口部を形成した。現像は、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて行った。以降の工程については実施例２９と同様にして、半導体チップがビルドアップ基板にフリップチップ接合された電極間接続構造体を作製した。本実施例の電極間接続構造体においても、実施例２９および実施例３０と同様に、半導体チップ電極と基板電極を接続する導体部は、Ｃｕ層およびＳｎ層からなる２層構造を有する。
【０１２８】
【温度サイクル試験】
実施例１〜３１の電極間接続構造体の各々について、温度サイクル試験により接続信頼性を調べた。具体的には、まず、電極間接続構造体における各電極間接続部について初期導通抵抗を測定した。次に、−５５℃〜１２５℃の範囲で温度サイクル試験を行った後、各接続部の導通抵抗を測定した。温度サイクル試験は、−５５℃での１５分間冷却、室温での１０分間放置、および１２５℃での１５分間加熱を１サイクルとし、このサイクルを２０００回繰り返した。その結果、実施例１〜３１の全ての電極間接続構造体について、各接続部における抵抗上昇は１０％未満であり、良好な接続部が形成されていることが確認された。
【０１２９】
【耐湿試験】
実施例１〜３１の電極間接続構造体の各々について、耐湿試験により接続信頼性を調べた。具体的には、まず、電極間接続構造体における各電極間接続部について、２５℃および湿度６０％の環境下で導通抵抗を測定した。次に、各電極間接続構造体を、１２１℃および湿度８５％の環境下に放置し、１０００時間経過後における各接続部の導通抵抗を測定した。その結果、実施例１〜３１の全ての電極間接続構造体について、各接続部における抵抗上昇は１０％未満であり、良好な接続部が形成されていることが確認された。
【０１３０】
【比較例】
図７および図８を参照して上述した方法で、従来のフリップチップ接合を行った。まず、半導体チップ（電極径７０μｍ、電極ピッチ１５０μｍ、電極数３０００個)にバンプを形成した。バンプの形成に使用したメタルマスクは、厚さが５０μｍであって開口部の直径を１２０μｍとした。まず、このメタルマスクの開口部と半導体チップの電極とを位置合わせしつつ、メタルマスクを半導体チップ上に載置した。次に、メタルマスクの開口部に対して、スキージを用いて金属ペーストを充填した。金属ペーストは、ロジンとしてのポリペール（理化ハーキュレス製）を５３ｗｔ％、溶剤としての２−メチル−２,４−ペンタンジオールおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルを各々２０ｗｔ％、活性剤としてのコハク酸を２ｗｔ％、チクソ剤としての硬化ヒマシ油を５ｗｔ％含有するフラックスビヒクルに、平均粒径１３μｍのＳｎ―３．５％Ａｇ粉末を、重量比１：９（Ｓｎ―３．５Ａｇ粉末の添加率は９０ｗｔ％）で混連したものを用いた。
【０１３１】
金属ペーストの充填の後、メタルマスクを除去し、２６０℃の加熱処理を経て電極上にバンプを形成した。次に、フラックスをビルドアップ基板に塗布した。次に、ビルドアップ基板に対して、バンプが形成された半導体チップを位置合わせしつつ搭載した。次に、再度２６０℃に加熱した。次に、グリコールエーテル系洗浄剤（商品名：クリーンスルー、花王製）を用いて、半導体チップとビルドアップ基板との間の隙間のフラックスを除去した。次に、液状のアンダーフィル剤を当該隙間に充填した。このアンダーフィル剤は、液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＧＹ２６０、日立化成製）を４２ｗｔ％、硬化剤としてのメチルテトラヒドロフタル酸無水物(商品名：ＨＮ−２２００、日立化成製)を３６ｗｔ％、触媒としての１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ、四国化成製）を１ｗｔ％、平均粒径４μｍのシリカ粉末を２１ｗｔ％含有する。アンダーフィル剤の充填の後、１５０℃で２時間の熱処理を行って、当該アンダーフィル剤を硬化させた。
【０１３２】
このようなフリップチップ接合により形成された電極間接続構造体について、実施例１〜３１と同様にして温度サイクル試験を行ったところ、各接続部について２０％以上の抵抗上昇が確認された。また、実施例１〜３１と同様にして耐湿試験を行ったところ、温度サイクル試験と同様に、各接続部について２０％以上の抵抗上昇が確認された。
【０１３３】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【０１３４】
（付記１）第１電極部を有する第１接続対象物に対して、前記第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
金属を含む金属ペーストを前記開口部に充填する工程と、
前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、前記開口部に充填された金属ペーストと前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
前記第１電極部および前記第２電極部が前記金属を介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする、電極間接続構造体の形成方法。
（付記２）前記金属は粉末状のハンダであり、前記接続工程では、前記粉末状のハンダを溶融させる、付記１に記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記３）前記金属ペーストは樹脂分を含み、前記接続工程では、当該樹脂分を硬化させる、付記１または２に記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記４）前記樹脂膜は、前記金属が溶融する温度以下で軟化する組成を有する、付記１から３のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記５）前記金属はＡｇまたはＣｕであり、前記金属ペーストは樹脂分を含み、前記接続工程では、前記金属を溶融させずに前記樹脂分を硬化させる、付記１に記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記６）前記樹脂膜は、前記樹脂分が硬化する温度以下で軟化する組成を有する、付記５に記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記７）前記金属は、８０〜３８０℃の融点を有する、付記１から６のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記８）前記金属は、前記金属ペーストにおいて３０〜７０体積％含まれている、付記１から７のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記９）前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分および前記樹脂膜は同一の主剤樹脂を含み、前記接続工程では前記樹脂分および前記樹脂膜を一体化させる、付記１から８のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１０）前記樹脂膜は主剤樹脂を含み、前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は前記主剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む、付記１から９のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１１）前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は主剤樹脂を含み、前記樹脂膜は前記主剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む、付記１から９のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１２）第１電極部を有する第１接続対象物に対して、前記第１電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
前記開口部に導体部を形成する工程と、
前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、前記開口部に形成された前記導体部と前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
前記第１電極部および前記第２電極部が前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする、電極間接続構造体の形成方法。
（付記１３）前記接続工程では、前記導体部は、前記第１電極部および／または前記第２電極部に対して溶融接合される、付記１２に記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１４）前記導体部は、電気めっき及び／又は無電解めっきにより形成される、付記１２または１３に記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１５）前記導体部は、複数の層からなる積層構造を有し、各層は、隣接する層とは異なる金属組成を有する、付記１２から１４のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１６）前記導体部の少なくとも一部は、８０〜４００℃の融点を有する、付記１２から１５のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１７）第１電極部を有する第１接続対象物に対して、前記第１電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
金属を含むバンプ形成材料を前記開口部に充填する工程と、
加熱処理を行うことにより前記開口部にバンプを形成する工程と、
前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、前記バンプと前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
前記第１電極部および前記第２電極部が前記バンプを介して接続されるとともに前記樹脂膜を硬化させるように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする、電極間接続構造体の形成方法。
（付記１８）前記樹脂膜は感光性を有している、付記１から１７のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記１９）前記樹脂膜はフィルム状である、付記１から１８のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記２０）前記樹脂膜は無機フィラーを含み、前記樹脂膜における前記無機フィラーの含有率は３０〜７０ｗｔ％である、付記１から１９のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記２１）前記接続工程では、前記第１接続対象物に対して前記第２接続対象物を押圧する、或は、前記第２接続対象物に対して前記第１接続対象物を押圧する、付記１から２０のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
（付記２２）付記１から２１のいずれか１つに記載の方法によって形成されたことを特徴とする、電極間接続構造体。
（付記２３）第１電極部を備えるとともに、この第１電極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、前記第１電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法であって、
金属を含む金属ペーストを前記開口部に充填する工程と、
前記第１接続対象物および前記第２接続対象物を、前記金属ペーストと前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
前記第１電極部および前記第２電極部が前記金属を介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むことを特徴とする、接続方法。
（付記２４）第１電極部を備えるとともに、この第１電極部を露出させる開口部を有する熱硬化性の樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、前記第１電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法であって、
前記開口部に導体部を形成する工程と、
前記第１接続対象物および前記第２接続対象物を、前記導体部と前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
前記第１電極部および前記第２電極部が前記導体部を介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むことを特徴とする、接続方法。
（付記２５）第１電極部を備えるとともに、この第１電極部を露出させる開口部を有する樹脂膜で覆われている第１接続対象物に対して、前記第１電極部に対応する第２電極部を備えた第２接続対象物を接続するための方法であって、
金属を含むバンプ形成材料を前記開口部に充填する工程と、
加熱処理を行うことにより前記開口部にバンプを形成する工程と、
前記第１接続対象物および前記第２接続対象物を、前記バンプと前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
前記第１電極部および前記第２電極部が前記バンプを介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化するように、加熱処理を行う接合工程と、を含むことを特徴とする、接続方法。
（付記２６）電極部が設けられた接続対象物に対して、前記電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
前記開口部に導体部を形成する工程と、を含み、
前記樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であることを特徴とする、電極間接続構造中間体の形成方法。
（付記２７）電極部が設けられた接続対象物に対して、前記電極部を覆うように樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
金属を含むバンプ形成材料を前記開口部に充填する工程と、を含み、
前記樹脂膜は、加熱によって硬化可能な状態であることを特徴とする、電極間接続構造中間体の形成方法。
（付記２８）付記２６または２７に記載の方法によって形成されたことを特徴とする、電極間接続構造中間体。
（付記２９）第１電極部が設けられた第１接続対象物と、
前記第１電極部に対向する第２電極部が設けられた第２接続対象物と、
前記第１電極部と前記第２電極部とを接続する中間くびれ導体部と、
前記第１接続対象物と前記第２接続対象物との間を填塞する封止樹脂と、を備えることを特徴とする、電極間接続構造体。
（付記３０）前記封止樹脂は無機フィラーを含み、前記封止樹脂における前記無機フィラーの含有率は３０〜７０ｗｔ％である、付記２９に記載の電極間接続構造体。
（付記３１）前記第１接続対象物および前記第２接続対象物は、各々、半導体チップまたは配線基板である、請求項２２，２９および３０のいずれか１つに記載の電極間接続構造体。
【０１３５】
【発明の効果】
本発明によると、半導体チップと半導体チップの接合、半導体チップの配線基板への実装、配線基板と配線基板との接合などにおいて、位置合わせのためのフラックスの塗布および除去ならびにアンダーフィル剤の充填を行うことなく、接合信頼性の高い電極間接続構造体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電極間接続構造体形成方法を利用したフリップチップ接合の一連の工程を表す。
【図２】図１に示す方法により形成された電極間接続構造体の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る電極間接続構造体形成方法を利用したフリップチップ接合の工程を表す。
【図４】図３に示す電極間接続構造体形成方法における導体部形成工程を表す。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る電極間接続構造体形成方法を利用したフリップチップ接合の工程を表す。
【図６】図５に続く工程を表す。
【図７】フリップチップ接合の従来の工程を表す。
【図８】図７に続く工程を表す。
【符号の説明】
１１０，２１０，３１０ 半導体チップ
１２０，２２０，３２０ 配線基板
１１１，１２１，２１１，２２１，３１１，３２１ 電極
１３０，２３０，３３０ 樹脂膜
１３０ａ，２３０ａ，３３０ａ 開口部
１４０ 金属ペースト
１４１ 金属粉末
１４１ａ，２１２ 導体部
１４２ 樹脂分
３４０ ハンダペースト
３４１ ハンダ粉末
３４２ フラックスビヒクル
３５０ バンプ

Claims (8)

1. 第１電極部を有する第１接続対象物に対して、前記第１電極部を覆うように熱硬化性の樹脂膜を形成する工程と、
   前記樹脂膜に対して、前記第１電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
   金属を含む金属ペーストを前記開口部に充填する工程と、
   前記第１接続対象物、および、第２電極部を有する第２接続対象物を、前記開口部に充填された金属ペーストと前記第２電極部とが対向しつつ前記樹脂膜が前記第２接続対象物に接するように、配置する工程と、
   前記第１電極部および前記第２電極部が前記金属を介して電気的に接続されるとともに前記樹脂膜が硬化する際に前記金属ペーストに含まれる樹脂分が前記樹脂膜と一体化するように、加熱処理を行う接続工程と、を含むことを特徴とする、電極間接続構造体の形成方法。
2. 前記金属は粉末状のハンダであり、前記接続工程では、前記粉末状のハンダを溶融させる、請求項１に記載の電極間接続構造体の形成方法。
3. 前記金属ペーストは樹脂分を含み、前記接続工程では、当該樹脂分を硬化させる、請求項１または２に記載の電極間接続構造体の形成方法。
4. 前記樹脂分および前記樹脂膜は同一の主剤樹脂を含む、請求項１から３のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
5. 前記樹脂膜は主剤樹脂を含み、前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は前記主剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む、請求項１から４のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
6. 前記金属ペーストは樹脂分を含み、当該樹脂分は主剤樹脂を含み、前記樹脂膜は前記主剤樹脂を硬化させるための硬化剤を含む、請求項１から５のいずれか１つに記載の電極間接続構造体の形成方法。
7. 請求項１から６のいずれか一つに記載の電極間接続構造体の形成方法により形成された電極間接続構造体であって、
   第１電極部が設けられた第１接続対象物と、
   前記第１電極部に対向する第２電極部が設けられた第２接続対象物と、
   前記第１電極部と前記第２電極部とを接続する鼓状の導体部と、
   前記第１接続対象物と前記第２接続対象物との間を填塞する封止樹脂と、を備えることを特徴とする、電極間接続構造体。
8. 前記第１接続対象物および前記第２接続対象物は、各々、半導体チップまたは配線基板である、請求項７に記載の電極間接続構造体。

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