JP3766653B2 - Semi-insulator welding method and welding apparatus therefor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属(膜)表面に化成膜(コーティング膜)が被覆された半絶縁体と、金属製導体とを、直接に溶接する方法及びそのための溶接装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、上記半絶縁体と金属製導体とを溶接することが至難であったため、図11(イ)に示すように、半絶縁体31の上に金属製導体32を載置し、カシメ針33を実線から2点鎖線にて示す如く押込んで、串挿し状とし、金属製導体32を部分的に半絶縁体31に貫通させて、バリ(突片)34を下方へ突出させ、その後、図11(ロ)に示すように、矢印35, 36のようにプレス機械で押圧して、下方突出状の上記バリ34を圧潰して、抜止め部37を形成して、半絶縁体31の内部の金属膜と、金属製導体32とを、一体化する方法が用いられていた。
【0003】
しかしながら、この図11のような機械的結合では導通性能にバラツキを生じ、品質上問題が生じ易いという欠点、あるいは、機械加工の2工程が必要であって非能率であるといった欠点があった。
【0004】
そこで、図10に示すように、電気絶縁性のコーティング層(化成膜)38と金属膜39とを有する半絶縁体31に、一旦孔40を明け、さらに他方の金属製導体32には小突起41をセンタポンチで形成し、この孔40に小突起41を係合させた状態で、溶接電極42, 43間に挟み、加圧状態で電流を流して、スポット(抵抗)溶接する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−154667号公報(図1及び請求項1)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図10に示したような従来の溶接方法では、機械加工にて、孔40を形成する手間を要し、かつ、プレス加工で小突起41を形成する手間も要して、作業能率が極めて悪かった。
【0007】
本発明は、このような従来の問題点を解決して、能率的に、かつ、安定して高品質に、半絶縁体と金属製導体とを、直接的に溶接する方法及び装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、金属表面に化成膜が被覆された半絶縁体と、金属製導体とを、一対の溶接電極にて加圧し、上記化成膜を局部的に破るための高電圧第1パルスを印加し、次に、 0.2 m sec 〜 1.0 m sec の微小休止時間後に本溶接するための高電圧第2パルスを印加して、上記導体を上記半絶縁体に溶接し、さらに、上記溶接電極にて流す電流の時間変化を示すグラフ図における該電流の面積は、上記第1パルスよりも上記第2パルスの方が大きく設定され、かつ、電圧は、該第1パルスよりも該第2パルスの方が小さく設定されている方法である。
また、本発明に係る溶接装置は、一対の溶接電極に、金属表面に化成膜が被覆された半絶縁体の該化成膜を局部的に破る高電圧第1パルスを発生させる化成膜局部的破壊用第1パルス発生回路と、上記第1パルスの発生後の微小休止時間後に本溶接するための高電圧第2パルスを発生させる本溶接用第2パルス発生回路とを、備え、上記第1パルス発生回路及び上記第2パルス発生回路にて、上記溶接電極にて流す電流の時間変化を示すグラフ図における該電流の面積は、上記第1パルスよりも上記第2パルスの方が大きく設定され、かつ、電圧は、該第1パルスよりも該第2パルスの方が小さく設定され、さらに、上記第1パルス発生回路が、交流電源からの交流を昇圧する第1昇圧変圧器と、該第1昇圧変圧器で昇圧された電流を直流に変換する整流器と、電気エネルギを蓄積するオイルコンデンサと、を有し、上記第2パルス発生回路が、上記交流電源からの交流を昇圧する第2昇圧変圧器と、該第2昇圧変圧器で昇圧された電流を直流に変換する整流器と、電気エネルギを蓄積するオイルコンデンサ又は電解コンデンサと、を有する。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施の形態に基づき、本発明を詳説する。
図3,図4,図5,図6は、本発明に係るスポット(抵抗)溶接方法を工程順に示した実施の一形態であって、まず図3のように、一対の電極1,2間に、半絶縁体3と金属製導体4とを挟んで加圧Aする。
【0010】
半絶縁体3は、AlやCuやFe等の金属層(薄板)5と、その両表面に積層(被覆)された絶縁性の化成膜(コーティング膜やめっき膜)6,7とから成る。金属製導体4は、AlやCuやFe等である。
具体例としては、半絶縁体3は表面に化成膜が形成されたアルミニウム(Al)箔であって、又は、表面に酸化膜(本発明では化成膜の一種と定義する)が形成されたAl箔である。金属製導体4はリード線(の端部)が相当する。
【0011】
上記加圧の状態で、図4から図5に示すように、化成膜6を局部的に破るための高電圧第1パルスP1 を印加する。つまり、図5に示す如く、一方の化成膜6───金属製導体4が押圧されていた側の化成膜6───が、局部的に破られる。
【0012】
次に、微小休止時間T3 後に、本溶接するための高電圧第2パルスP2 を印加して、図6に示す如く、金属製導体4を、半絶縁体3に溶接する。上記微小休止時間T3 としては、 0.2msec 〜 1.0msec が望ましい。下限値未満では一度に印加した状態に近く、溶接の品質と強度のバラツキが大きく(安定せず)、場合によっては、溶接部分で爆飛することもある。さらに、下限値未満の微小休止時間T3 をもって、第2パルスP2 を発生させるための電気(電子)回路の作製が難しくなる。逆に、上限値を越すと、第1パルスP1 にて加熱された化成膜6の破壊された部分が、冷却してしまって、第2パルスP2 によっても十分な溶接強度と安定性が、得にくくなる。
なお、図6(又は図5)に於て、下方の電極2側に接触する(他方の)化成膜7は破れていない場合を示しているが、溶接条件によっては、破れることもあり、そのように破れても良い。
【0013】
図1と図2は、上述の第1パルスP1 と第2パルスP2 の電圧Vと電流Iを各々破線と実線にて示したグラフであって、横軸には時間を、縦軸には電圧Vと電流Iの値を示す。 図1は化成膜6,7が薄い場合、図2は比較的厚い場合に好適な第1パルスP1 と第2パルスP2 の波形を示す。
【0014】
両図を比較すると、第1パルスP1 の電圧V1 と電流I1 と時間T1 は略等しい値とする(又は後者をやや大き目に設定する)が、第2パルスP2 に於ては、後者は電流I2 の面積S2 ───電流I2 ×T2 ───が前者よりも大きくして、後者は多くの熱エネルギを与えて厚い化成膜6,7であっても十分に溶接可能なように、設定されている。但し、電流I2 と電圧V2 の値は後者の方を低い目に設定して、美しい均質な溶接となるように図っている。
【0015】
この図1、図2の各々の図面に於て、次の関係式が成立するように設定するのが望ましい。
0.2msec ≦T3 ≦ 1.0msec
S2 >S1
100ボルト≦V2 <V1 ≦1500ボルト
T2 >T1
【0016】
上記式から第1パルスP1 は(第2パルスP2 に比較して)高い電圧V1 で極めて短い時間T1 のパルスとして、化成膜6(又は化成膜6と7)を局部的に破っていることが分かる。また、第2パルスP2 は(第1パルスP1 に比較して)十分に大きい電流時間S2 にて、本溶接することを示している。また、従来の溶接では、6ボルト〜8ボルトの低電圧が多用されてきたが本発明では、 100ボルト〜1500ボルトの電圧───これを本発明では「高電圧」と呼ぶものとする───が付与される。
【0017】
図12は比較例を示し、電極1,2の間に半絶縁体3を挟んで加圧し、上述の高電圧を一度───S1 とS2 とを合わせた電流面積を一度───に印加した場合には、図12(ロ)に示す如く爆飛Yを生ずることを示す。しかも、このような爆飛Yを防止せんとしても、その溶接条件の設定は至難であり、溶接強度と品質の安定性に欠けることが判明した。
【0018】
本発明は、図1〜図6に於て既に述べたように、化成膜(絶縁被膜)6、又は、化成膜(絶縁被膜)6と7とを、局部的に破るための高電圧第1パルスP1 をまず印加し、次に、 0.2msec 〜 1.0msec の微小休止時間T3 の後、本溶接するための高電圧第2パルスP2 を印加して、金属製導体4を、半絶縁体3に(スポット)溶接する方法であって、図12の比較例のような爆飛Yを確実に防止でき、かつ、溶接強度等の品質を安定して一定に維持できる。しかも、溶接条件の制御も容易であるという利点を有する。
【0019】
次に、図7〜図9は、上述のような溶接を行うのに用いられる溶接装置の電気回路を示す。
8は第1昇圧変圧器であり、交流電源9からの交流を、第1充電スイッチング素子10を介して接続されている。この第1昇圧変圧器8で昇圧された電流は、第1整流器11にて直流に変換され、第1放電スイッチング素子12及び第1インダクタンスL1 、さらに、第1コンデンサC1 …を介して、電極1,2に接続(配線)する。15は第1パルス充電制御部であり、上記第1充電スイッチング素子10を制御する。16は第1パルス放電制御部であり、上記第1放電スイッチング素子12を制御する。17は充放電タイミング制御部であり、上記第1パルス充電制御部15及び第1パルス放電制御部16等へ信号を出力して、充電・放電のタイミングを制御する。
【0020】
18は第2昇圧変圧器であり、交流電源9からの交流を、第2充電スイッチング素子20を介して接続されている。この第2昇圧変圧器18で昇圧された電流は、第2整流器21にて直流に変換され、第2放電スイッチング素子22及び第2インダクタンスL2 、さらに、第2コンデンサC2 …を介して、電極1,2に接続(配線)する。25は第2パルス充電制御部であり、上記第2充電スイッチング素子20を制御する。26は第2パルス放電制御部であり、上記第2放電スイッチング素子22を制御する。前記充放電タイミング制御部17からの充放電タイミング制御信号は、上述の第1パルス充電制御部15・第1パルス放電制御部16の他に、第2パルス充電制御部25・第2パルス放電制御部26にも、送られるように、接続される。
【0021】
一対の溶接電極1,2に、化成膜6(及び7)を局部的に破る高電圧第1パルスP1 を発生させる化成膜局部的破壊用第1パルス発生回路27は、図7中に2点鎖線にて包囲した第1充電スイッチング素子10、第1昇圧変圧器8、第1整流器11、第1パルス充電制御部15、充放電タイミング制御部17、第1コンデンサC1 …群、第1放電スイッチング素子12、第1インダクタンスL1 、第1パルス放電制御部16等から、構成される。電気エネルギを蓄積する第1コンデンサC1 としては、オイルコンデンサが好適である。
【0022】
そして、上記第1パルスP1 の発生後、微小休止時間T3 後に、本溶接するための高電圧第2パルスP2 を発生させる本溶接用第2パルス発生回路28は、図7中に別の2点鎖線にて包囲した第2充電スイッチング素子20、第2昇圧変圧器18、第2整流器21、第2パルス充電制御部25、充放電タイミング制御部17、第2コンデンサC2 …群、第2放電スイッチング素子22、第2インダクタンスL2 、第2パルス放電制御部26等から、構成される。
【0023】
なお、図7では、充放電タイミング制御部17は、第1パルス発生回路27及び第2パルス発生回路28に共通に用いられているが、これを、別々に設けても自由である(図示省略)。
そして、第2パルス発生回路28が電気エネルギを蓄積する第2コンデンサC2 としては、オイルコンデンサ又は電解コンデンサが好適である。
【0024】
図7に於て、スタート信号S0 が、充放電タイミング制御部17へ送られて、図1や図2に示した如く、まず、第1パルスP1 が、そして所定の微小休止時間T3 の後に、第2パルスP2 が、印加される。
図8は電極1,2に第1パルスP1 が印加された瞬間の電流の流れを矢印I1 にて示す。また、図9は第2パルスP2 が印加された瞬間の電流の流れを矢印I2 にて示す。
【0025】
第1インダクタンスL1 及び第1コンデンサC1 によって、第1パルスP1 の波形───特にパルス幅(時間T1 )等───が増減調整できる。
また、第2インダクタンスL2 及び第2コンデンサC2 によって、第2パルスP2 の波形───特にパルス幅(時間T2 )等───が増減調整できる。
さらに、図例(図7〜図9)では、放電スイッチング素子12, 22のON時間を放電制御部16, 26にて制御して、パルスP1 ,P2 のパルス幅をさらに増減調整する。
なお、図3〜図6に於て、下面側の化成膜7が無い半絶縁体3に本発明の方法及び装置を、適用しても自由である。
【0026】
【発明の効果】
本発明は上述の構成により次のような著大な効果を奏する。
(請求項1によれば、)金属表面に化成膜6,7が被膜された半絶縁体3と、金属製導体4とを、爆飛Y(図12参照)等の問題を生ずることなく、常に安定した溶接強度にて溶接できて、優れた品質の製品が容易に、かつ、能率的に得られる。
即ち、従来の図10や図11のような機械的加工を省略して、電気的に容易かつ迅速に安定した溶接を実現できる。
また、半絶縁体3に対し、一層安定して優れた溶接を実現できる。
また、小休止時間T 3 が小さすぎるということがない。即ち、爆飛が生じたり、電気回路の作成が難しくなったりしない。
また、小休止時間T 3 が大きすぎるということがない。即ち、第1パルスP 1 にて加熱された化成膜6の破壊された部分が、第2パルスP 2 の印加までに冷却してしまうことがなく、十分な溶接強度と安定性を得ることができる。
また、第1パルスP 1 は、第2パルスP 2 に比較して高い電圧V 1 で短い時間のパルスとして、化成膜6,7を局部的に容易に破ることができる。
また、第2パルスP 1 は多くの熱エネルギを与えて厚い化成膜6,7であっても十分に溶接することができる。
【0027】
(請求項2によれば、)金属表面に化成膜6,7が被膜された半絶縁体3と、金属製導体4とを、爆飛Y(図12参照)等の問題を生ずることなく、常に安定した溶接強度にて溶接できて、優れた品質の製品が容易に、かつ、能率的に得られる。
即ち、従来の図10や図11のような機械的加工を省略して、電気的に容易かつ迅速に安定した溶接を実現できる。
また、図1又は図2に例示したような極めて短い時間での放電を実現できると共に、高精度の制御が容易に行い得る。
また、第1パルスP 1 は、第2パルスP 2 に比較して高い電圧V 1 で短い時間のパルスとして、化成膜6,7を局部的に容易に破ることができる。
また、第2パルスP 1 は多くの熱エネルギを与えて厚い化成膜6,7であっても十分に溶接することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を説明するための溶接電流と溶接電圧の時間的変化を示すグラフ図である。
【図2】 本発明を説明するための溶接電流と溶接電圧の時間的変化の他の例を示したグラフ図である。
【図3】 溶接の第1工程の説明図である。
【図4】 溶接の第2工程の説明図である。
【図5】 溶接の第3工程の説明図である。
【図6】 溶接の第4工程の説明図である。
【図7】 本発明に係る溶接装置の実施の一形態を示す回路図である。
【図8】 第1パルス発生時の説明図である。
【図9】 第2パルス発生時の説明図である。
【図10】 従来例を示す説明図である。
【図11】 他の従来例を示す説明図である。
【図12】 比較例を示す説明図である。
【符号の説明】
1 電極
2 電極
3 半絶縁体
4 金属製導体
6 化成膜
27 第1パルス発生回路
28 第2パルス発生回路
C1 第1コンデンサ
C2 第2コンデンサ
P1 第1パルス
P2 第2パルス
T3 微小休止時間
8 第1昇圧変圧器
18 第2昇圧変圧器 [0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for directly welding a semi-insulator having a metal (film) surface coated with a chemical film (coating film) and a metal conductor, and a welding apparatus therefor.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, since it has been difficult to weld the semi-insulator and the metal conductor, the
[0003]
However, the mechanical coupling as shown in FIG. 11 has a drawback that the conduction performance varies and a quality problem is likely to occur, or that two machining steps are necessary and inefficiency.
[0004]
Therefore, as shown in FIG. 10, a
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-5-154667 (FIG. 1 and claim 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional welding method as shown in FIG. 10 requires labor for forming the
[0007]
The present invention provides a method and apparatus for directly welding a semi-insulator and a metal conductor in an efficient manner, stably and with high quality, by solving such conventional problems. For the purpose.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In view of this, the present invention provides a high voltage method for locally breaking the chemical film by pressing a semi-insulator whose metal surface is coated with a chemical film and a metal conductor with a pair of welding electrodes. one pulse is applied, then 0.2 after m sec ~ 1.0 m sec minute downtime on by applying a high voltage second pulses for the welding, and welding the conductors to the semi-insulating material, further, the The area of the current in the graph showing the time change of the current flowing through the welding electrode is set to be larger in the second pulse than in the first pulse, and the voltage is higher than that in the first pulse. In this method, the two pulses are set smaller .
Also, the welding apparatus according to the present invention, the pair of welding electrodes, chemical conversion to generate a high voltage first pulses to break the chemical conversion film of the semi-insulator conversion film on the metal surface is coated locally A first pulse generating circuit for film local destruction, and a second pulse generating circuit for main welding for generating a high-voltage second pulse for main welding after a minute rest time after the generation of the first pulse , In the first pulse generation circuit and the second pulse generation circuit, the area of the current in the graph showing the time change of the current flowing through the welding electrode is larger in the second pulse than in the first pulse. The voltage is set larger in the second pulse than in the first pulse , and the first pulse generating circuit further includes a first step-up transformer that boosts the alternating current from the alternating current power supply. The current boosted by the first step-up transformer is converted to direct current A rectifier for conversion has an oil capacitor for storing electrical energy, and the second pulse generation circuit, a second step-up transformer for boosting the AC from the AC power source, boosted by the second step-up transformer having a rectifier for converting currents into direct current, an oil capacitor or electrolytic capacitor for storing electrical energy, a.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the illustrated embodiment.
3, FIG. 4, FIG. 5 and FIG. 6 show an embodiment showing the spot (resistance) welding method according to the present invention in the order of steps. First, as shown in FIG. Then, pressure A is applied across the
[0010]
The
As a specific example, the
[0011]
In the pressurized state, as shown in FIGS. 4 to 5, a high voltage first pulse P 1 for locally breaking the
[0012]
Next, a high voltage second pulse P 2 for main welding is applied after a minute rest time T 3 , and the metal conductor 4 is welded to the
In addition, in FIG. 6 (or FIG. 5), the case where the (the other)
[0013]
FIGS. 1 and 2 are graphs in which the voltage V and current I of the first pulse P 1 and the second pulse P 2 described above are indicated by a broken line and a solid line, respectively. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents time. Indicates the values of voltage V and current I. FIG. 1 shows the waveforms of the first pulse P 1 and the second pulse P 2 that are suitable when the
[0014]
Comparing the two figures, the voltage V 1 , current I 1, and time T 1 of the first pulse P 1 are substantially equal (or the latter is set slightly larger), but in the second pulse P 2 , the latter of area S 2 ─── current I 2 × T 2 ─── current I 2 is set larger than the former, the latter be a thick
[0015]
In each of FIGS. 1 and 2, it is desirable to set so that the following relational expression is established.
0.2 msec ≤ T 3 ≤ 1.0 msec
S 2 > S 1
100 volts ≤ V 2 <V 1 ≤ 1500 volts
T 2 > T 1
[0016]
From the above equation, the first pulse P 1 (as compared to the second pulse P 2 ) is a pulse having a high voltage V 1 and a very short time T 1 , and the chemical film 6 (or
[0017]
FIG. 12 shows a comparative example, in which the
[0018]
As described above with reference to FIGS. 1 to 6, the present invention provides a high voltage for locally breaking the chemical film (insulating film) 6 or chemical films (insulating films) 6 and 7. The first pulse P 1 is first applied, and then after a minute rest time T 3 of 0.2 msec to 1.0 msec, a high voltage second pulse P 2 for main welding is applied, and the metal conductor 4 is This is a method of (spot) welding to the
[0019]
Next, FIG. 7 to FIG. 9 show an electric circuit of a welding apparatus used for performing the above-described welding.
[0020]
[0021]
The first
[0022]
A second
[0023]
In FIG. 7, the charge / discharge
An oil capacitor or an electrolytic capacitor is suitable as the second capacitor C 2 in which the second
[0024]
In FIG. 7, the start signal S 0 is sent to the charge / discharge
FIG. 8 shows the current flow at the moment when the first pulse P 1 is applied to the
[0025]
By the first inductance L 1 and the first capacitor C 1 , the waveform of the first pulse P 1 —particularly the pulse width (time T 1 ) —can be increased or decreased.
The second inductance L 2 and the second capacitor C 2 can be used to increase or decrease the waveform of the second pulse P 2 , especially the pulse width (time T 2 ).
Further, in the illustrated example (FIGS. 7 to 9), the ON times of the
3 to 6, the method and the apparatus of the present invention can be applied to the semi-insulator 3 having no bottom surface
[0026]
【The invention's effect】
The present invention has the following remarkable effects by the above-described configuration.
(According to claim 1) The
That is, the conventional mechanical processing as shown in FIG. 10 and FIG. 11 can be omitted, and stable welding can be realized easily and quickly electrically.
Further, it is possible to realize more stable and excellent welding to the
In addition, there is no that there is a small pause time T 3 is too small. That is, no explosion occurs and it is difficult to create an electric circuit.
In addition, there is no that there is a small pause time T 3 is too large. That is, the destroyed portion of the
Further, the first pulse P 1 can be easily broken locally as a pulse having a high voltage V 1 and a short time compared to the second pulse P 2 .
Further, the second pulse P 1 gives a large amount of heat energy and can be sufficiently welded even if the
[0027]
(According to claim 2 ) The
That is, the conventional mechanical processing as shown in FIG. 10 and FIG. 11 can be omitted, and stable welding can be realized easily and quickly electrically.
In addition, it is possible to realize discharge in an extremely short time as illustrated in FIG. 1 or FIG. 2 and to easily perform high-precision control.
Further, the first pulse P 1 can be easily broken locally as a pulse having a high voltage V 1 and a short time compared to the second pulse P 2 .
Further, the second pulse P 1 gives a large amount of heat energy and can be sufficiently welded even if the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a graph showing temporal changes in welding current and welding voltage for explaining the present invention.
FIG. 2 is a graph showing another example of a temporal change in welding current and welding voltage for explaining the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a first step of welding.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a second step of welding.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a third step of welding.
FIG. 6 is an explanatory diagram of a fourth step of welding.
FIG. 7 is a circuit diagram showing an embodiment of a welding apparatus according to the present invention.
FIG. 8 is an explanatory diagram when a first pulse is generated.
FIG. 9 is an explanatory diagram when a second pulse is generated.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a conventional example.
FIG. 11 is an explanatory diagram showing another conventional example.
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a comparative example.
[Explanation of symbols]
1
27 First pulse generator
28 Second pulse generation circuit C 1 first capacitor C 2 second capacitor P 1 first pulse P 2 second pulse T 3 minute pause time
8 First step-up transformer
18 Second step-up transformer
Claims (2)
さらに、上記溶接電極にて流す電流の時間変化を示すグラフ図における該電流の面積は、上記第1パルスよりも上記第2パルスの方が大きく設定され、かつ、電圧は、該第1パルスよりも該第2パルスの方が小さく設定されていることを特徴とする半絶縁体の溶接方法。A semi-insulator whose metal surface is coated with a chemical film and a metal conductor are pressed with a pair of welding electrodes, and a high voltage first pulse for locally breaking the chemical film is applied, Next, 0.2 m sec ~ after 1.0 m sec minute downtime by applying a high voltage second pulses for the welding, and welding the conductors to the semi-insulating material,
Further, the area of the current in the graph showing the time change of the current flowing through the welding electrode is set to be larger in the second pulse than in the first pulse, and the voltage is larger than that in the first pulse. The method for welding a semi-insulator, wherein the second pulse is set smaller .
上記第1パルス発生回路及び上記第2パルス発生回路にて、上記溶接電極にて流す電流の時間変化を示すグラフ図における該電流の面積は、上記第1パルスよりも上記第2パルスの方が大きく設定され、かつ、電圧は、該第1パルスよりも該第2パルスの方が小さく設定され、
さらに、上記第1パルス発生回路が、交流電源からの交流を昇圧する第1昇圧変圧器と、該第1昇圧変圧器で昇圧された電流を直流に変換する整流器と、電気エネルギを蓄積するオイルコンデンサと、を有し、
上記第2パルス発生回路が、上記交流電源からの交流を昇圧する第2昇圧変圧器と、該第2昇圧変圧器で昇圧された電流を直流に変換する整流器と、電気エネルギを蓄積するオイルコンデンサ又は電解コンデンサと、を有することを特徴とする溶接装置。A pair of welding electrodes, and the chemical conversion film first pulse generating circuit for local disruption for generating a high voltage first pulses to break locally the chemical conversion film of the semi-insulator conversion film on the metal surface coated A second pulse generation circuit for main welding for generating a high-voltage second pulse for main welding after a minute pause time after the generation of the first pulse ,
In the first pulse generation circuit and the second pulse generation circuit, the area of the current in the graph showing the time change of the current flowing through the welding electrode is larger in the second pulse than in the first pulse. And the voltage is set smaller in the second pulse than in the first pulse,
Further, the first pulse generation circuit includes a first step-up transformer that steps up alternating current from an AC power source, a rectifier that converts current boosted by the first step-up transformer into direct current, and oil that stores electrical energy. A capacitor, and
A second step-up transformer that boosts alternating current from the alternating-current power source; a rectifier that converts a current boosted by the second step-up transformer into direct current; and an oil capacitor that stores electrical energy. Or an electrolytic capacitor .
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