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JP3688131B2 - 光増幅素子 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光信号を増幅する光増幅素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
周知のように、Er添加光ファイバ増幅器(EDFA)は、1.5μm帯光通信のキーデバイスであり、波長多重(WDM)通信システムへの適用に向けて、研究が進められている。
【0003】
EDFAの利得特性には温度依存性があり、そのために、EDFAにおいては、外部の温度が変化すると、利得が増加または減少する。
【0004】
ところで、このEDFAには、図13〜図15に例示するように、各温度における利得の温度係数が等しくなるファイバ長が存在する。つまり、図13〜図15において、各温度に対する利得曲線が1点で交差する点(図中、矢印で示す)が存在し、この時のファイバ長を温度無依存ファイバ長と称している。従って、この長さのEr添加ファイバ(EDF)を使用することで、温度無依存型EDFAが実現できる(M. Yamada et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, vol.28, No.3, pp.640-649, 1992) 。
【0005】
しかし、利得の温度係数は信号波長により異なり、そのため、複数の波長の信号を一括増幅するWDM用EDFAでは、温度無依存ファイバ長が各信号波長により異なる結果となり、ファイバ長を温度に対して最適化できない。このため、WDM用EDFAの温度を一定に保つ必要があり、温度制御機能付EDFAが求められていた。
【0006】
前述の要求に対して、従来は、Er添加ファイバ(EDF)を収納したパッケージに対して温度制御を行う形態の温度制御機能付EDFAがあった(特願平2−208923号)。
【0007】
しかし、この従来の形態では、直接EDFの温度制御をしていないため、温度制御性が悪く、また、EDFだけでなくパッケージ全体を温度制御するため、必要な電力が大きくなるということと、サイズが大きくなるという、3つの欠点があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、その課題は、外部の温度が変化しても利得の変動がなく、温度制御性が良く、小型でかつ低消費電力の光増幅素子を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の光増幅素子は、光ファイバの温度を一定に保つことにより常に一定の利得を有し、かつ温度制御性に優れ、小型で低消費電力であることを特徴とするもので、以下の構成を有する。
【0010】
すなわち、本発明光増幅素子は、コア部またはクラッド部にレーザ遷移を有する希土類または遷移金属が添加されている光増幅用の光ファイバと、前記光ファイバへ正または負の熱量を加える加熱素子と、前記光ファイバの温度を検知する温度検知手段と、前記加熱素子へ供給される電力を制御する電力制御手段と、を備えことを特徴とする。
【0011】
本発明の光増幅素子の一形態においては、前記加熱素子が線状に形成され、該線状の加熱素子がコイル状に巻かれた前記光ファイバの束に巻き付けられた状態で前記光ファイバと前記加熱素子とが接触している。
【0012】
本発明の光増幅素子の別の形態においては、前記光ファイバが前記加熱素子と接触するとともに、前記加熱素子が線状に形成され、該加熱素子と前記光ファイバが一緒にコイル状に巻かれて該光ファイバと加熱素子とが接触している。
【0013】
本発明の光増幅素子において、前記光ファイバ、加熱素子、温度検知手段および電力制御手段は、パッケージに収納されている。
【0014】
そして、前記パッケージの内部に断熱材が取り付けられている。
【0015】
本発明の光増幅素子において、前記光増幅用の光ファイバはEr添加光ファイバである。
【0016】
前記Er添加光ファイバのホストは、石英系光ファイバ材、フッ化物系光ファイバ材、テルライト系光ファイバ材、多成分酸化物系光ファイバ材、フツリン酸系光ファイバ材、カルコゲナイドガラス光ファイバ材の中から選択された1種類以上の材料から構成されている。
【0017】
本発明の光増幅素子において、前記光ファイバの増幅帯域は、1.55μm帯と1.58μm帯の少なくとも一方にある。
【0018】
本発明の光増幅素子においては、前記加熱素子が前記光ファイバへ正の熱量を加える導電性発熱体であることができる
【0019】
本発明の光増幅素子においては、前記加熱素子が前記光ファイバへ負の熱量を加える吸熱素子であることもできる
【0020】
以下、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は、以下の実施形態例に限定されるものではない。
【0021】
【発明の実施の形態】
(実施形態例1・参考
図1は、本発明において参考とする光増幅素子の第1の実施形態例を示す斜視図である。図中、1はEr添加光ファイバを示し、2は加熱素子であるシリコンラバーヒータ(導電性発熱体)を示す。また、3aは熱電対、3bは電圧計または温度モニタであり、これらは温度検知手段を構成している。さらに、5は加熱素子2に電力を供給する電源装置(電力制御手段)を示す。前記各構成要素は、パッケージの内部に収納されて使用に供されるようになっており、パッケージの一部を構成する支持基板100の上に固定されている。前記Er添加光ファイバ1は、図に示すように、支持基板100上で所要回数巻かれて、コイル状の束にされており、このコイル状の束部分を前記シリコンラバヒータ2、2が挟んでいる。
【0022】
このように、本実施形態例の光増幅素子は、Er添加光ファイバ1に直接熱を与えることによって、パッケージに対して熱を与える従来のものよりも高い温度制御性が得られ、小型で低消費電力の光増幅素子が実現されている。定量的には、先に説明した従来技術に比べて、体積は4分の3に、消費電力は2分の1となっている。なお、図1は、パッケージを開けた状態を示しており、前述のように、支持基板100はこのパッケージの一部であり、各構成要素1〜5の部品は、かかるパッケージ(一つの箱)に収納されている。また、本実施形態においては、パッケージ内部に断熱材(不図示)を入れ、温度制御性を高めている。
【0023】
Er添加ファイバ1としては、Er添加石英系ファイバ(屈折率差1.8%、カットオフ波長0.9μm、Er添加濃度1000ppm、Al添加濃度4wt%、長さ175m)を使用した。Er添加ファイバ1の温度は、熱電対3と電圧計または温度モニタ4とからなる温度検知手段4で監視し、電源装置5から供給される電力を制御することによって、一定に保たれる。
【0024】
図2(a)〜(d)は、本実施形態の光増幅素子を使用した光増幅器の構成例を示す図である。図において、これらの光増幅器は、光増幅素子6と、励起光と信号光を合波する合波器7,7と、励起光源8,8と、アイソレータ9,9と、光サーキュレータ10、全反射ミラー(全反射ミラーを端面にコートしたファイバ)11により、構成される。合波器7としてはバルク型WDMカップラ、励起光源8としては1.48μm帯LDを使用した。
【0025】
前記図2(a)の構成を使用した場合において、温度制御をしない場合の利得特性を図3に、温度制御をした場合(80℃)の利得特性を図4に、それぞれ示す。
【0026】
図3および図4から明らかなように、温度制御をすることによって、利得の温度依存性がなくなっているのがわかる。例えば、1570mmで3.7dB、1595nmで6.5dBの利得偏差が、温度制御により、0.3dBに抑えられている。
【0027】
励起光源として、0.98μm帯LDを使用した場合も、1.48μm帯LDを使用した場合と同様に、温度制御を行うことによって、利得を一定に保つことができた。
【0028】
以上のように、本実施形態の光増幅素子を使用することによって、従来技術より温度制御性が良く、小型で低消費電力の温度無依存型光増幅器が実現できた。
【0029】
なお、残りの図2(b),(c),(d)の構成を用いたが、同様の温度無依存型光増幅器が実現できた。
【0030】
図5,図6,図9に光増幅素子の他の形態をまとめて示す。図中、図1と同一構成要素には同一符号を付して説明を簡略化する。
【0031】
(実施形態例2・本発明
図5の構成は、本発明のコイル状の束になっているEr添加光ファイバ1の周囲に、線状のヒータ2aを巻き付けたことを特徴としている実施形態例を示す。本形態をとることにより、第1の実施形態の光増幅素子(図1)よりもさらに消費電力が小さくなった。具体的には、この図5の素子では、必要な消費電力が、第1の実施形態の光増幅素子に比べて、4分の3であった。
【0032】
(実施形態例3・本発明
図6の構成は、本発明のEr添加光ファイバ1と、線状のヒータ2bとを、図7あるいは図8に示すように、互いに交互に並べるように束ねて、コイル状に巻回していることを特徴としている実施形態例を示す。光ファイバ1と線状ヒータ2bの巻回の仕方は、図7または図8に断面構成を示すように、配置することができる。このように、光ファイバ1とヒータ2bとを同時に巻き回すことにより、図1に示した第1の実施形態例の光増幅素子よりも、低消費電力であった。さらに、光ファイバの巻き回し後に、ヒータを巻き付けるなどの作業が省略できるため、作業性の向上が得られた。具体的には、第1の実施形態例の光増幅素子に比べて、消費電力は4分の3、作成作業時間は2分の1であった。
【0033】
(実施形態例4・参考
図9の構成は、Er光添加ファイバ1を巻き回したボビン200に、面状ヒータ2cが内蔵されていることを特徴としている参考実施形態例を示す。本形態をとることにより、図8の構成で必要な光ファイバ1とヒータとの位置合わせが不必要となり、図8の光増幅素子よりも作業性が向上した。具体的には、図8の光増幅素子に比べて、作業時間は2分の1であり、消費電力は第1の実施形態例の光増幅素子(図1)と同程度であった。
【0034】
なお、図5,図6,図9では、パッケージを開けた状態を示しており、構成要素1〜5は一つの箱(パッケージ)に収納されている。また、本実施形態においては、パッケージ内部に断熱材(不図示)を入れ、温度制御性を高めている。
【0035】
これらの光増幅素子を使用し、第1の実施形態と同様に光増幅器を構成して温度無依存型光増幅器が実現できた。
【0036】
(実施形態例5・参考
本実施形態例の光増幅素子の基本構成は、第1の実施形態例と同様である。本実施形態例では、素子の材料組成を変えた。
【0037】
ホストガラスの組成を変えた各種Er添加光ファイバを使用して光増幅素子を構成し、この素子を用いて光増幅器を構成した。この光増幅器の温度特性を、表1および表2に示す。表中の利得の温度変化は、−40から+80℃まで外部温度を変化させたときの最大利得と最小利得との差を示している。
【0038】
このように光増幅素子の種類を変えることにより、従来技術より温度制御性が良く、小型で低消費電力の温度無依存型光増幅器が実現できた。
【0039】
【表1】
Figure 0003688131
【0040】
【表2】
Figure 0003688131
【0041】
(実施形態例6・参考
図10は、本発明で参考とする光増幅素子の第6の実施形態を示す。図中、図1と同一構成要素には、同一符号を付して説明を簡略化する。図中、12は負の熱量を加えるペルチェ素子(吸熱型加熱素子)であり、コイル状に巻回された光ファイバ1の下に敷設されている。このペルチェ素子12には、電源5から電力が供給される。
【0042】
このように本実施形態例の光増幅素子は、Er添加光ファイバ1に直接熱を与えることにより、パッケージに対して熱を与える従来のものより高い温度制御性が得られ、小型で低消費電力の光増幅素子が実現されている。具体的には、従来技術に比べて、体積は4分の3に、消費電力は2分の1である。なお、図10はパッケージを開けた状態を示しており、構成要素1〜5および12は一つの箱(パッケージ)に収納されている。また、本実施形態においては、パッケージ内部に断熱材を入れ、温度制御性を高めている。
【0043】
Er添加ファイバ1としては、Er添加石英系ファイバ(比屈折率差1.8%、カットオフ波長0.9μm、Er添加濃度1000ppm、Al添加濃度4wt%、長さ175m)を使用した。Er添加ファイバ1の温度は、熱電対3および電圧計または温度モニタ4で監視し、電源5を制御することによって、一定に保たれる。
【0044】
図2(a)の構成の光増幅素子において、温度制御をしない場合の利得特性を図11に、温度制御をした場合(20℃)の利得特性を図12に、それぞれ示す。
【0045】
両図から明らかなように、温度制御をすることによって、利得の温度依存性がなくなっているのがわかる。例えば、1570nmで3.7dB、1595nmで6.5dBの利得偏差が温度制御により0.4dBに抑えられている。
【0046】
励起光源として、0.98μm帯LDを使用した時も、1.48μm帯LDを使用した場合と同様に、温度制御を行うことによって利得を一定に保つことができた。
【0047】
以上のように、本発明の光増幅素子を使用することによって、従来技術より温度制御性が良く、小型で低消費電力の温度無依存型光増幅器が実現できた。
【0048】
なお、図2(b),(c),(d)の構成を用いたが、図2(a)の構成の場合と同様の温度無依存型光増幅器が実現できた。
【0049】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光増幅器は、外部の温度が変化した場合に、EDFの温度を一定に保つことによって利得を制御して、常に一定の利得が得られる。さらに、従来の光増幅素子、光増幅器に比べて温度制御性に優れ、小型で低消費電力である。
【0050】
このような光増幅器を光通信システムに適用することにより、外部温度変化があった場合にも伝送特性劣化のないシステムを構築することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 光増幅素子の第1の参考実施形態例の構成を示す斜視図である。
【図2】 (a)〜(d)は、それぞれ第1の参考実施形態例の光増幅素子を用いた光増幅器の構成を示すブロック図である。
【図3】 第1の参考実施形態例による光増幅器の温度の特性(温度制御なし)を示すグラフである。
【図4】 第1の参考実施形態例による光増幅器の温度の特性(温度制御あり)を示すグラフである。
【図5】 本発明の光増幅素子の第2の実施形態例を示す斜視図である。
【図6】 本発明の光増幅素子の第3の実施形態例を示す斜視図である。
【図7】 図6に示した光増幅素子の光ファイバとヒータとの組み合わせ構成を示す断面図である。
【図8】 図6に示した光増幅素子の光ファイバとヒータとの他の組み合わせ構成を示す断面図である。
【図9】 光増幅素子の第4の参考実施形態例を示す斜視図である。
【図10】 光増幅素子の第6の参考実施形態例を示す斜視図である。
【図11】 第6の参考実施形態例による光増幅器の温度特性(温度制御なし)を示すグラフである。
【図12】 第6の参考実施形態例による光増幅器の温度特性(温度制御あり)を示すグラフである。
【図13】 従来の光増幅器の特性を説明するグラフである。
【図14】 従来の光増幅器の特性を説明するグラフである。
【図15】 従来の光増幅器の特性を説明するグラフである。
【符号の説明】
1 Er添加ファイバ
2 シリコンラバーヒータ(導電性発熱体;加熱素子)
2a 線状ヒータ(導電性発熱体;加熱素子)
2b 線状ヒータ(導電性発熱体;加熱素子)
2c 面状ヒータ(導電性発熱体;加熱素子)
3 熱電対
3b 電圧計または温度モニタ
4 温度検知手段
5 電源(電力制御手段)
6 光増幅素子
7 合波器
8 励起光源
9 アイソレータ
10 光サーキュレータ
11 全反射ミラー
12 ペルチェ素子(吸熱型加熱素子)
100 基板(パッケージの一部)
200 ボビン

Claims (8)

  1. コア部またはクラッド部にレーザ遷移を有する希土類または遷移金属が添加されている光増幅用の光ファイバと、
    前記光ファイバへ正または負の熱量を加える加熱素子と、
    前記光ファイバの温度を検知する温度検知手段と、
    前記加熱素子へ供給される電力を制御する電力制御手段と、を備え、
    前記加熱素子が線状に形成され、該線状の加熱素子がコイル状に巻かれた前記光ファイバの束に巻き付けられているか、もしくは前記線状の加熱素子と前記光ファイバが一緒にコイル状に巻かれて、光ファイバと加熱素子とが接触していることを特徴とする光増幅素子。
  2. 前記光ファイバ、加熱素子、温度検知手段および電力制御手段が、パッケージに収納されていることを特徴とする請求項1に記載の光増幅素子。
  3. 前記パッケージの内部に断熱材が取り付けられていることを特徴とする請求項に記載の光増幅素子。
  4. 前記光増幅用の光ファイバがEr添加光ファイバであることを特徴とする請求項1または2に記載の光増幅素子。
  5. 前記Er添加光ファイバのホストが、石英系光ファイバ材、フッ化物系光ファイバ材、テルライト系光ファイバ材、多成分酸化物系光ファイバ材、フツリン酸系光ファイバ材、およびカルコゲナイドガラス光ファイバ材よりなる群から選択された1種類以上の材料から構成されていることを特徴とする請求項に記載の光増幅素子。
  6. 前記光ファイバの増幅帯域が1.55μm帯と1.58μm帯の少なくとも一方にあることを特徴とする請求項1、2または4のいずれかに記載の光増幅素子。
  7. 前記加熱素子が前記光ファイバへ正の熱量を加える導電性発熱体であることを特徴とする請求項1または2に記載の光増幅素子。
  8. 前記加熱素子が前記光ファイバへ負の熱量を加える吸熱素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の光増幅素子。
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