JP3661571B2

JP3661571B2 - 配線の形成方法

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Publication number: JP3661571B2
Application number: JP2000207388A
Authority: JP
Inventors: 達也下田; 悟宮下; 聡井上; 方哉石田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-07-07
Filing date: 2000-07-07
Publication date: 2005-06-15
Anticipated expiration: 2020-07-07
Also published as: JP2002026014A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特殊な構造体に配線を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子を画素として備える有機ＥＬ表示体は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆動が可能であること、応答性が高速であること、固体有機膜による発光であることから、表示性能に優れているとともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能であるため、将来的に液晶表示体に代わるものとして期待されている。
【０００３】
特に、駆動方式がアクティブマトリックス方式であるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体は、画素毎に駆動用のトランジスタを備えているため、高輝度での高精細化が可能であり、多階調化や表示体の大型化に対応できる。このトランジスタとしては、透明で大面積の基板上に有機ＥＬ表示体を形成するために、ガラス基板に形成可能な、低温多結晶シリコン膜を活性層とする薄膜トランジスタを使用することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体では、各画素毎に薄膜トランジスタを形成する必要があるが、これを表示体基板に直接形成すると、画素数の増加に伴って、性能不良の薄膜トランジスタが形成される可能性が高くなる。
【０００５】
これに対して、各画素用の薄膜トランジスタを、表示用基板とは別の基板上に多数個並列に形成し、これを単位ブロックに分割して各単位ブロックのトランジスタ性能を検査し、良品のみを表示体用基板の各画素位置に配置すれば、表示体用基板上に性能不良の薄膜トランジスタが形成されないようにすることができる。この場合には、単位ブロックの表面にトランジスタの端子を形成しておき、表示用基板の各画素位置に単位ブロックを配置した後に、この端子を使用して各単位ブロックのトランジスタを配線で接続する必要がある。
【０００６】
本発明は、このような特殊な構造体の端子間に、配線を簡単に形成する方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面に親液性（液体によって濡れ易い性質）の絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、配線形成材料として導電性材料または導電性材料の前駆体と溶剤とを含む液体を用い、この液体をインクジェット法により前記貫通孔を含む配線形成部に配置した後、この配置された液体から溶剤を蒸発させる処理と導電性材料の前駆体を使用した場合にはこの前駆体を導電性材料にする処理を行うことを特徴とする配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第１の方法と定義する。
【０００８】
この方法で使用可能な液体（配線形成材料）としては、導電性材料からなる微粒子が溶剤に分散されている液体や、導電性高分子または導電性高分子の前駆体が溶剤に溶けている溶液が挙げられる。導電性材料からなる微粒子としては、金、銀、または銅を含む微粒子が挙げられる。導電性高分子としてはポリチオフェン、ポリアニリン等が挙げられる。導電性高分子の前駆体としては、ポリチオフェンの前駆体、ポリアニリンの前駆体等が挙げられる。溶剤としては、水やアルコール等の極性溶剤が挙げられる。
【０００９】
本発明はまた、前記第１の方法において、前記絶縁膜上にこの絶縁膜とは異なる材料からなり表面が撥液性である被膜を形成し、この被膜の配線形成部に相当する部分を除去した後、この除去された部分に前記液体をインクジェット法により配置する配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第２の方法と定義する。
【００１０】
第２の方法では、前記被膜を自己組織化膜とすることが好ましい。
第２の方法では、前記絶縁膜をポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールとし、フルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成することが好ましい。フルオロアルキルシランとしては、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００１１】
本発明において「自己組織化膜」とは、膜形成面の構成原子と結合可能な官能基が直鎖分子に結合されている化合物を、気体または液体の状態で膜形成面と共存させることにより、前記官能基が膜形成面に吸着して膜形成面の構成原子と結合し、直鎖分子を外側に向けて形成された緻密な単分子膜である。この単分子膜は、化合物の膜形成面に対する自発的な化学吸着によって形成されることから、自己組織化膜と称される。
【００１２】
なお、自己組織化膜については、Ａ．Ｕｌｍａｎ著の「ＡｎＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏＵｌｔｒａｔｈｉｎＯｒｇａｎｉｃＦｉｌｍｆｒｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−ＢｌｏｄｇｅｔｔｔｏＳｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓＩｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳細に記載されている。
【００１３】
親水性の膜形成面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する膜形成面）に対してフルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成すると、フルオロアルキルシランのシリル基と膜形成面のヒドロキシル基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にフルオロアルキル基（ＣＦ₃（ＣＦ₂）_n−）が配置されるため、得られる自己組織化膜の表面は撥液性（液体によって濡れ難い性質）となる。
【００１４】
したがって、第２の方法において、絶縁膜をポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコール（親水基を含む分子からなる物質）で構成することによって膜形成面を親水性とし、自己組織化膜の材料としてフルオロアルキルシランを用いれば、前記絶縁膜の上に形成された自己組織化膜の表面は撥液性となる。
本発明はまた、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫通孔内にアミノ基またはチオール基を有する化合物からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外に相当する部分を除去した後、無電解めっきを行うことにより、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第３の方法と定義する。
【００１５】
第３の方法では、前記被膜をアミノ基またはチオール基が表面に配置された自己組織化膜とすることが好ましい。第３の方法では、前記絶縁膜はポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなり、アミノ基またはチオール基を有する、メトキシシラン類、エトキシシラン類、またはクロロシラン類を用いて自己組織化膜を形成することが好ましい。自己組織化膜の材料としては、アミノプロピルトリエトキシシランおよびメルカプトプロピルトリエトキシシランを用いることが特に好ましい。
【００１６】
第３の方法では、無電解めっきの前処理としてパラジウムを付着させる処理を行うことが好ましい。
ここで、第３の方法において、前記絶縁膜の表面を親水性の面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する面）とし、自己組織化膜の材料として、例えば、アミノプロピルトリエトキシシランまたはメルカプトプロピルトリエトキシシランを用いれば、これらの化合物のシリル基と絶縁膜表面のヒドロキシル基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にアミノ基またはチオール基が配置される。これにより、この自己組織化膜の表面にアミノ基またはチオール基が存在する。
【００１７】
そして、アミノ基およびチオール基はパラジウムと配位結合すると考えられるため、この配位結合力により、この自己組織化膜の表面にパラジウム化合物が安定的に存在できると推測される。
したがって、この自己組織化膜の残存部分に無電解パラジウムめっきを行うか、パラジウムを付着させる処理を行った後に無電解めっきを行うことにより、この部分にのみ無電解めっき膜が付着するようになる。そして、この部分は配線形成部に相当するため、この第３の方法によって無電解めっき膜からなる配線が形成される。
【００１８】
本発明はまた、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、この構造体の表面に絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫通孔内にチオール基を有する化合物からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外の部分を除去した後、有機金属化合物または金属錯体を含む液体をこの被膜上に供給して加熱処理することにより、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配線の形成方法を提供する。この方法を本発明の第４の方法と定義する。
【００１９】
第４の方法では、金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、または砒素からなる金属原子を構成原子として有する有機金属化合物または金属錯体を使用することが好ましい。
第４の方法では、前記被膜をチオール基が表面に配置された自己組織化膜とすることが好ましい。第４の方法では、前記絶縁膜はポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなり、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランまたは３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いて自己組織化膜を形成することが好ましい。
【００２０】
チオール基は、金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、砒素等の金属と、共有結合に近い結合力で安定的に結合する。これらの金属原子は、有機金属化合物を構成する金属や、金属錯体の中心元素として存在する原子である。
ここで、第４の方法において、前記絶縁膜の表面を親水性の面（ヒドロキシル基等の親水基が存在する面）とし、自己組織化膜の材料として、例えば、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いれば、これらの化合物のシリル基と絶縁膜表面のヒドロキシル基との間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子の末端にチオール基が配置される。これにより、この自己組織化膜の表面にチオール基が存在する。
【００２１】
したがって、金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、砒素等の金属原子を構成原子とする有機金属化合物または金属錯体を含む液体を、この自己組織化膜上に供給して加熱することにより、有機金属化合物または金属錯体の前記金属原子とチオール基に結合が生じてこの金属原子から配位子が外れ、自己組織化膜の残存部分にのみ前記金属原子からなる導電層が形成される。そして、この部分は配線形成部に相当するため、この第４の方法によって配線が形成される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
〔第１実施形態〕
図１〜４を用いて、本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明する。
先ず、図３に示すように、単位ブロック３９の微細構造（トランジスタ等の素子を含む回路）を、シリコンウエハ４１上に多数個並列に形成する。次に、このシリコンウエハ４１を分割線５１で分割することにより、多数の単位ブロック３９を得る。各単位ブロック３９の表面には素子の端子が形成されている。
【００２３】
一方、図１（ａ）に示すように、ガラス基板５２には、エッチング等の工程により、単位ブロック３９を配置する位置に窪み５４を設けておく。単位ブロック３９の端面はシリコン単結晶の劈開面に沿って斜めに切断されているため、ガラス基板５２の窪み５４の内壁面を、この単位ブロック３９の斜面に合わせた形状にしておく。また、ガラス基板５２の表面の所定位置に端子５２Ａ，５２Ｂを予め形成しておく。
【００２４】
そして、図４に示すように、このガラス基板５２と単位ブロック３９を液体５３中に入れ、単位ブロック３９をガラス基板５２の表面（窪み５４が形成されている面）に沿って流動させることにより、単位ブロック３９を窪み５４に嵌め入れる。その結果、単位ブロック３９がガラス基板５２の所定位置に配置された構造体Ｋが得られる。図１（ｂ）はこの状態を示す。この構造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，３９Ｂとガラス基板５２に直接形成された端子５２Ａ，５２Ｂが露出している。
【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すように、この構造体Ｋの表面（各端子が露出している面）全体に対して、ポリビニルピロリドンからなる被膜１を形成する。この被膜１は、例えば、ポリビニルピロリドンをメタノール等の溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布した後、溶剤を蒸発させることにより形成できる。この被膜１は、この構造体Ｋの表面の保護膜且つ絶縁膜であるとともに、単位ブロック３９を窪み５４内に固定する固定化膜としても機能する。この被膜１の厚さは例えば２〜３μｍとする。
【００２６】
次に、図１（ｄ）に示すように、この被膜１の単位ブロック３９の端子３９Ａの部分に、インクジェット装置のヘッド２からメタノール３を吐出する。これにより、ポリビニルピロリドンはメタノールに溶解するため、被膜１の端子３９Ａの部分がメタノール３で破壊される。その結果、被膜１に貫通孔１０が形成されて端子３９Ａが露出する。単位ブロック３９の端子３９Ａと接続するガラス基板５２の端子５２Ａについても、これと同様にインクジェット法で貫通孔１０を形成する。インクジェット装置のヘッド２の吐出孔の直径は例えば３０μｍ程度とする。
【００２７】
次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所定の液体で洗浄すること等により、被膜１の表面および貫通孔１０内に残存するメタノールを除去する。この洗浄用の液体としては、ポリビニルピロリドン被膜１および端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。
次に、図２（ａ）に示すように、金属微粒子が溶剤中に分散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被覆１の端子５２Ａ上の貫通孔１０から端子３９Ａ上の貫通孔１０まで連続して吐出する。この液体７は、図２（ｂ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１の上側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１上には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて減圧することによって、図２（ｂ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。
【００２８】
これにより、図２（ｃ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７に含まれていた金属微粒子からなる。
〔第２実施形態〕
図５および６を用いて本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明する。
【００２９】
先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体Ｋの作製とこの構造体Ｋの表面に対するポリビニルアルコール被膜（絶縁膜）１Ａの形成を行う。ただし、ポリビニルアルコール被膜１Ａの形成は、例えばポリビニルアルコール水溶液を用いて行う。図５（ａ）はこの状態を示す。
次に、この構造体Ｋとヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランを同一の密閉容器に入れて、５時間１２０℃で放置することにより、被膜１Ａの上に自己組織化膜４を形成する。図５（ｂ）はこの状態を示す。ここで、ポリビニルアルコール被膜１Ａの上にヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランを用いて形成された自己組織化膜４の表面は撥液性となる。
【００３０】
次に、図５（ｃ）に示すように、自己組織化膜４の上に、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａの位置に紫外線透過部５Ａを有するフォトマスク５を置き、このフォトマスク５を介して自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、図５（ｄ）に示すように、自己組織化膜４の端子３９Ａ，５２Ａの位置に貫通孔４Ａが形成される。
【００３１】
次に、図５（ｅ）に示すように、これらの貫通孔４Ａに、インクジェット装置のヘッド２から水３０を吐出する。ここで、前述のように、自己組織化膜４の表面は撥液性であるため、極性溶媒である水３０は、自己組織化膜４の表面に止まらずに貫通孔４Ａ内に積極的に入る。図５（ｆ）はこの状態を示す。これにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの部分が水３０で効率的に破壊される。その結果、ポリビニルアルコール被膜１Ａの端子３９Ａ，５２Ａに対応する部分に貫通孔１０が形成されて、端子３９Ａ，５２Ａが露出する。図５（ｅ）はこの状態を示す。
【００３２】
次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所定の液体で洗浄すること等により、被膜１Ａの貫通孔１０内に残存する水を除去する。この洗浄用の液体としては、ポリビニルアルコール被膜１Ａおよび端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。
次に、図６（ａ）に示すように、自己組織化膜４の上に、配線パターンに応じた紫外線透過部８Ａが形成されているフォトマスク８を置き、このフォトマスク８を介して自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、自己組織化膜４の配線パターンに応じた部分が所定幅で除去される。図６（ｂ）はこの状態を示す。
【００３３】
この状態で、金属微粒子が溶剤中に分散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５に吐出する。この液体７は、図６（ｃ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１Ａの上側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１Ａ上には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて減圧することによって、図６（ｃ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。
【００３４】
これにより、図６（ｄ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７に含まれていた金属微粒子からなる。ここで使用する液体７の溶剤は、極性溶媒であることが好ましい。溶剤が極性溶媒である液体７は、親水基を含む分子からなる被膜１Ａとの親和力が高いため、この被膜１Ａの貫通孔１０および被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５内に安定的に配置される。
〔第３実施形態〕
図７を用いて本発明の第３の方法に相当する実施形態を説明する。
【００３５】
先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体Ｋの作製、この構造体Ｋの表面に対するポリビニルピロリドン被膜１の形成、被膜１に対する貫通孔１０の形成を行う。
次に、図７（ａ）に示すように、被膜１上および貫通孔１０内に、アミノプロピルトリエトキシシランを用いて自己組織化膜４０を形成する。次に、この自己組織化膜４０の上に、配線パターンに応じて配線形成部に紫外線遮蔽部８０Ａが形成されているフォトマスク８０を置き、このフォトマスク８０を介して自己組織化膜４０に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。
【００３６】
ここで、自己組織化膜４０の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、図７（ｂ）に示すように、自己組織化膜４０の配線形成部以外に相当する部分が除去されて、配線形成部に相当する部分のみが残る。
次に、この状態で、構造体Ｋを、以下のようにして調合されたパラジウム処理液に室温で２分間浸漬することにより、自己組織化膜４０の表面にパラジウムを付着させる。パラジウム処理液は以下のようにして調合する。先ず、パラジウム塩を濃度０．２重量％で、塩化水素を濃度４．０重量％で含有する水溶液を用意し、この水溶液３０ミリリットルを１リットルの水で希釈する。この液体に水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを５．２に調整する。
【００３７】
このパラジウム処理液への浸漬を行った後、この構造体Ｋを流水中で３分間洗浄する。次に、７０℃ｐＨ４．６の無電解ニッケルめっき浴に１分間浸漬することにより、無電解ニッケルめっきを行う。無電解ニッケルめっき浴としては、ニッケル塩化物を３０ｇ／リットルの濃度で、次亜燐酸ナトリウムを１０ｇ／リットルの濃度で含有するものを用いた。
【００３８】
ここで、自己組織化膜４０の表面にはアミノ基が存在するため、このアミノ基とパラジウムと配位結合によって、配線形成部に相当する部分のみに存在する自己組織化膜４０の表面にパラジウムが付着し、このパラジウム付着部分にニッケルめっき膜が形成される。これにより、図７（ｃ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが、ニッケルめっき膜からなる配線９で接続される。
〔第４実施形態〕
図８を用いて本発明の第４の方法に相当する実施形態を説明する。
【００３９】
先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体Ｋの作製、この構造体Ｋの表面に対するポリビニルピロリドン被膜１の形成、被膜１に対する貫通孔１０の形成を行う。
次に、図８（ａ）に示すように、被膜１上および貫通孔１０内に、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いて自己組織化膜４８を形成する。次に、この自己組織化膜４８の上に、配線パターンに応じて配線形成部に紫外線遮蔽部８０Ａが形成されているフォトマスク８０を置き、このフォトマスク８０を介して自己組織化膜４８に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。
【００４０】
ここで、自己組織化膜４８の紫外線６が照射された部分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去されるため、図８（ｂ）に示すように、自己組織化膜４８の配線形成部以外に相当する部分が除去されて、配線形成部に相当する部分のみが残る。
次に、この状態の構造体Ｋを、容器内に入れたクロロ（トリメチルフォスフィン）ゴールドのトルエン／キシレン溶液に浸漬し、この容器を密封状態にして８０℃で２時間放置した。ここで、自己組織化膜４８の表面にはチオール基が存在するため、このアミノ基とクロロ（トリメチルフォスフィン）ゴールドの金が結合して金原子から配位子が外れ、配線形成部に相当する部分のみに存在する自己組織化膜４８の表面に金薄膜が形成される。
【００４１】
これにより、図８（ｃ）に示すように、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａが、金薄膜からなる配線１９で接続される。
以上のように、これらの実施形態の方法によれば、構造体Ｋの単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５２Ａを接続する配線が、容易に形成される。また、これらの実施形態の方法によれば、構造体Ｋの端子３９Ａ，５２Ａの部分に、配線間接続孔（貫通孔１０）を簡単に形成することができる。
【００４２】
特に、第２実施形態では、表面が撥液性となる自己組織化膜４を親水性のポリビニルアルコール被膜１Ａ上に形成し、極性溶媒である水３０を貫通孔４Ａ内に入れることにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの部分を水３０で効率的に破壊することができる。また、自己組織化膜４をパターニングすることにより、フォトマスク５の紫外線透過部５Ａが精度良く貫通孔４Ａに転写されるため、第１実施形態の方法よりも、配線間接続孔（貫通孔１０）の寸法精度を高くすることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法によれば、基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体の端子間に、配線を簡単に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図２】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図３】単位ブロックの形成方法を説明する図である。
【図４】構造体の作製方法を説明する図である。
【図５】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図６】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図７】本発明の第３の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【図８】本発明の第４の方法に相当する実施形態を説明する図である。
【符号の説明】
１被膜（絶縁膜）
１Ａ被膜（絶縁膜）
１０被膜の貫通孔（配線間接続孔）
２インクジェット装置のヘッド
３メタノール
３０水
４自己組織化膜
４Ａ自己組織化膜の貫通孔
４０自己組織化膜
４８自己組織化膜
５フォトマスク
５Ａ紫外線透過部
６紫外線
７配線材料の液体
７０銅微粒子からなる配線
８フォトマスク
８Ａ紫外線透過部
８０フォトマスク
８０Ａ紫外線遮蔽部
９めっき膜からなる配線
１９金薄膜からなる配線
３９単位ブロック
３９Ａ単位ブロックの端子
４１シリコンウエハ
５１分割線
５２ガラス基板
５２Ａガラス基板の端子
５２Ｂガラス基板の端子
５４窪み
Ｋ構造体

Claims

基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、
この構造体の表面に親液性の絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にこの絶縁膜とは異なる材料からなり表面が撥液性である被膜を形成して、前記被膜および絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成し、前記被膜の配線形成部に相当する部分を除去した後、配線形成材料として導電性材料または導電性材料の前駆体と溶剤とを含む液体を用い、この液体をインクジェット法により前記貫通孔を含む配線形成部に配置した後、この配置された液体から溶剤を蒸発させる処理と導電性材料の前駆体を使用した場合にはこの前駆体を導電性材料にする処理を行うことを特徴とする配線の形成方法。
前記被膜は自己組織化膜である請求項１記載の配線の形成方法。
前記絶縁膜はポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなり、フルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成する請求項２記載の配線の形成方法。
基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、
この構造体の表面に、ポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなる絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫通孔内に、アミノ基またはチオール基を有する、メトキシシラン類、エトキシシラン類、またはクロロシラン類を用いて、アミノ基またはチオール基が表面に配置された自己組織化膜からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外に相当する部分を除去した後、無電解めっきを行うことにより、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配線の形成方法。
基板とその所定位置に配置された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に端子が形成されている構造体に、これらの端子間を接続する配線を形成する方法であって、
この構造体の表面に、ポリビニルピロリドンまたはポリビニルアルコールからなる絶縁膜を形成して、この絶縁膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形成した後、この絶縁膜上および前記貫通孔内に、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランまたは３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを用いて、チオール基が表面に配置された自己組織化膜からなる被膜を形成し、この被膜の配線形成部以外の部分を除去した後、有機金属化合物または金属錯体を含む液体をこの被膜上に供給して加熱処理することにより、前記被膜の残存部分に配線を形成することを特徴とする配線の形成方法。
金、銀、銅、イリジウム、ガリウム、または砒素からなる金属原子を構成原子として有する有機金属化合物または金属錯体を使用する請求項５記載の配線の形成方法。