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JP3523197B2 - メッキ設備及び方法 - Google Patents

メッキ設備及び方法

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JP3523197B2
JP3523197B2 JP2000531609A JP2000531609A JP3523197B2 JP 3523197 B2 JP3523197 B2 JP 3523197B2 JP 2000531609 A JP2000531609 A JP 2000531609A JP 2000531609 A JP2000531609 A JP 2000531609A JP 3523197 B2 JP3523197 B2 JP 3523197B2
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anode
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エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】［発明の背景］ １．発明の分野 本発明は、一般に薄膜のメッキ方法及び設備、特に半導
体デバイスの相互接続を形成するために金属フィルムを
メッキする方法及び設備である。
【０００２】２．従来技術の説明 Ｍｏｏｒｅの法則に従って半導体デバイスの特徴は小さ
くなっているので、アルミニウム（Ａｌ）及びＳｉＯ2
を使用し続けると、０．１８μｍ世代のデバイスでは、
相互接続遅延はデバイスゲート遅延よりも大きくなる。
相互接続遅延を減少させるためには、銅及びｋ値が小さ
い誘電体が可能な解である。銅／小さいｋ値の誘電体の
相互接続は、従来のＡｌ／ＳｉＯ2 を超えるいくつかの
利点を有する。この利点としては、必要とされる金属の
レベル数を減少させ、電力の放散を最小化し、且つ製造
コストを減少させつつ、相互接続遅延を有意に減少させ
る能力を挙げることができる。アルミニウムと比較した
ときに銅は、電気移動に対する抵抗性がかなり良好なの
で、改良された信頼性を提供する。従来の物理気相堆積
（ＰＶＤ）及び化学気相堆積（ＣＶＤ）技術から電気メ
ッキ方法までの様々な技術が、銅の堆積のために開発さ
れてきている。ＰＶＤによるＣｕの堆積では典型的に、
大きいアスペクト比の小さい隙間（０．１８μｍ未満）
を充填するときに、気孔をもたらす問題がある。ＣＶＤ
によるＣｕの堆積では、堆積の間にフィルム内に多くの
不純物がフィルムに組み込まれ、抵抗が小さいＣｕフィ
ルムを得るためには、高温でのアニール処理を行って、
不純物を除去することが必要である。電気メッキによる
Ｃｕのみが、小さい抵抗性及び隙間を充填する優れた能
力の両方を、同時に提供することができる。もう１つの
重要な要素はコストであり、電気メッキ機器のコスト
は、ＰＶＤ又はＣＶＤ機器のそれぞれ２／３又は１／２
である。また、Ｃｕを電気メッキするための低い処理温
度（３０℃〜６０℃）は、今後の世代のデバイスのｋ値
が小さい誘電体（ポリマー、キセロゲル、及びエアロゲ
ル）に関して有利である。
【０００３】電気メッキによるＣｕが、長年にわたって
プリント回路板、チップパッケージにおけるバンパーメ
ッキ、及び磁気ヘッドにおいて使用されている。従来の
メッキ装置では、ウェハーの周縁部へのメッキ電流の密
度は、ウェハーの中央部へのメッキ電流の密度よりも大
きい。これは、ウェハーの周縁部において、ウェハーの
中央部でよりも大きいメッキ速度をもたらす。Ｇｒａｎ
ｄｉａらの米国特許第４，３０４，８４１号明細書は、
基材への均一なメッキ電流流れ及び電解質流れを得るた
めに、基材とアノードの間に拡散装置を配置することを
開示している。Ｍｏｒｉの米国特許第５，４４３，７０
７号明細書は、アノードの大きさを小さくすることによ
って、メッキ電流を操作することを開示している。Ｔｚ
ａｎａｖａｒａｓの米国特許第５，４２１，９８７号明
細書は、複数のジェットノズルを有するアノードを回転
させて、均一で早いメッキ速度を得ることを開示してい
る。Ｌｏｗｅｒｙの米国特許第５，６７０，０３４号明
細書は、回転しているウェハーの前面においてアノード
を横方向に往復運動させて、メッキ厚さの均一性を改良
することを開示している。Ａｎｇの米国特許第５，８２
０，５８１号明細書は、別個の電力供給源によってシー
フ（ｔｈｉｅｆ）リングに電力を供給して、ウェハーで
のメッキ電流分布を操作することを開示している。
【０００４】これら従来技術手法の全てが、Ｃｕメッキ
の前にＣｕシード層を必要としている。通常、Ｃｕシー
ド層は、拡散バリアー上に存在する。このＣｕシード層
は、化学気相堆積（ＣＶＤ）又は物理気相堆積（ＰＶ
Ｄ）のいずれかによって堆積させる。しかしながら上述
のようにＰＶＤによるＣｕには問題がある。この問題
は、続くＣｕ電気メッキによって、アスペクト比が大き
い小さい隙間（０．１８μｍ未満）を充填するときに気
孔をもたらすことである。ＣＶＤによるＣｕでは、堆積
の間にフィルム内に高レベルの不純物を堆積させ、抵抗
が小さいＣｕシード層を得るためには、高温アニール処
理を行って不十分物を除去することが必要である。デバ
イスの特徴の大きさは小さくなってきているので、この
Ｃｕシード層はより深刻な問題となる。また、Ｃｕシー
ド層の堆積は追加の処理であり、これはＩＣの製造コス
トを増加させる。
【０００５】従来技術のもう１つの欠点は、メッキ電流
及び電解質流れパターンを関連させて操作すること、又
はメッキ電流のみを操作することである。これはプロセ
スを変更する可能性を制限する。なぜならば、良好な隙
間充填能力、厚さの均一性、及び電気的な均一性、並び
に粒度及び構造の均一性を全て同時に得るためには、最
適なメッキ電流条件は、最適な電解質流れ条件と必ずし
も同調しないためである。
【０００６】従来技術のもう１つの欠点は、メッキヘッ
ド又はメッキシステムが大きく設置面積が大きいので、
使用者が所有するのに多くの費用が必要であることであ
る。
【０００７】［発明の概略］ 本発明の目的は、メッキ処理以外の方法によって作った
シード層を使用せずに、バリアー層に直接に、金属フィ
ルムをメッキする新しい方法及び設備を提供することで
ある。
【０００８】本発明の更なる目的は、従来技術で使用さ
れるのよりも薄いシード層上に、金属フィルムをメッキ
する新しい方法及び設備を提供することである。
【０００９】本発明の追加の目的は、ウェハー上に比較
的均一な厚さの薄いフィルムをメッキする新しい方法及
び設備を提供することである。
【００１０】本発明の更なる目的は、ウェハー上に比較
的均一な導電性の伝導性フィルムをメッキする新しい方
法及び設備を提供することである。
【００１１】本発明の更なる目的は、比較的均一なフィ
ルム構造、粒子サイズ、組織及び配向を持つ薄いフィル
ムをメッキする新しい方法及び設備を提供することであ
る。
【００１２】本発明の更なる目的は、ウェハー上で改良
された隙間充填能力を持つ薄いフィルムをメッキする新
しい方法及び設備を提供することである。
【００１３】本発明の更なる目的は、集積回路ＩＣチッ
プの相互接続のための金属フィルムをメッキする新しい
方法及び設備を提供することである。
【００１４】本発明の更なる目的は、独立のメッキ電流
制御及び電解質フローパターン制御を行う方法及び設備
で、薄いフィルムをメッキする新しい方法及び設備を提
供することである。
【００１５】本発明の更なる目的は、ダマシンプロセス
のための金属の薄いフィルムをメッキする新しい方法及
び設備を提供することである。
【００１６】本発明の更なる目的は、不純物レベルが低
い金属フィルムをメッキする新しい方法及び設備を提供
することである。
【００１７】本発明の更なる目的は、ストレスが小さく
付着性が良好な銅をメッキする新しい方法及び設備を提
供することである。
【００１８】本発明の更なる目的は、付加粒子密度が小
さい金属フィルムをメッキする新しい方法及び設備を提
供することである。
【００１９】本発明の更なる目的は、設置面積が小さい
新しいメッキシステムを提供することである。
【００２０】本発明の更なる目的は、所有に関するコス
トが安い新しいメッキシステムを提供することである。
【００２１】本発明の更なる目的は、１度に１つのウェ
ハーメッキする新しいメッキシステムを提供することで
ある。
【００２２】本発明の更なる目的は、その場のフィルム
厚さ均一性監視装置を有する新しいメッキシステムを提
供することである。
【００２３】本発明の更なる目的は、乾燥したウェハー
が入って出る組み込み式清浄化システムを伴う新しいメ
ッキシステムを提供することである。
【００２４】本発明の更なる目的は、ウェハーの処理量
が大きい新しいメッキシステムを提供することである。
【００２５】本発明の更なる目的は、３００ｍｍを超え
る大きさのウェハーを扱うことができる新しいメッキシ
ステムを提供することである。
【００２６】本発明の更なる目的は、複数のメッキ浴及
び清浄化／乾燥容器を有する新しいメッキシステムを提
供することである。
【００２７】本発明の更なる目的は、積み重ねメッキ容
器及び清浄化／乾燥容器構造を有する新しいメッキシス
テムを提供することである。
【００２８】本発明の更なる目的は、標準機械インター
フェイス（ＳＭＩＦ）、自動搬送体（ＡＧＶ）、及びＳ
ＥＭＩ装置通信標準／汎用装置機械（ＳＥＣＳ／ＧＥ
Ｍ）の自動特徴を有する新しいメッキシステムを提供す
ることである。
【００２９】本発明の更なる目的は、半導体装置及び材
料国際（ＳＥＭＩ）及びヨーロッパ安全仕様に合う新し
いメッキシステムを提供することである。
【００３０】本発明の更なる目的は、平均故障間隔（Ｍ
ＴＢＦ）が大きく、計画停止時間が小さく、且つ装置ア
ップタイムが大きい生産能力の大きい新しいメッキシス
テムを提供することである。
【００３１】本発明の更なる目的は、標準のオペレーテ
ィングシステムを有するパーソナルコンピューター、例
えばウィンドウズＮＴ環境のＩＢＭパーソナルコンピュ
ーターによって制御される新しいメッキシステムを提供
することである。
【００３２】本発明の更なる目的は、グラフィックユー
ザーインターフェイス、例えばタッチスクリーンを有す
る新しいメッキシステムを提供することである。
【００３３】本発明のこれらの及び関連する目的並びに
利点は、ここで説明する新しい方法及び設備を使用して
達成することができる。本発明によって基材の表面に所
望の厚さのフィルムをメッキする方法は、基材の表面の
第１の部分に所望の厚さまでフィルムをメッキすること
を含む。その後で、少なくとも基材の第２の部分に所望
の厚さまでフィルムをメッキして、基材に所望の厚さの
連続フィルムを提供する。先の部分の１又は複数に既に
メッキされたフィルムに隣接して接触する基材表面の追
加の部分は、必要に応じてメッキして、基材表面全体に
連続フィルムを与える。
【００３４】本発明に従って基材にフィルムをメッキす
る設備は、メッキ電解質に基材を接触させて配置するた
めの基材ホルダーを有する。この設備は、基材にメッキ
電流を供給するための少なくとも１つのアノード、及び
基材に接触する電解質を供給する関連する少なくとも２
つの流量制御装置を有する。少なくとも１つの制御シス
テムは、少なくとも１つのアノードと少なくとも２つの
流量制御装置に組み合わされており、電解質及びメッキ
電流を組み合わせて基材の一連の部分に提供して、基材
の一部分へのフィルムの続くメッキ処理によって、均一
な厚さの連続フィルムを基材に提供する。
【００３５】本発明のもう１つの面では、本発明によっ
て基材にフィルムをメッキする設備は、基材をメッキ電
解質と接触させて配置する基材ホルダーを具備してい
る。この設備は、基材にメッキ電流を供給するための少
なくとも２つのアノード、及び基材に接触する電解質を
供給する関連する少なくとも１つの流量制御装置を有す
る。少なくとも１つの制御システムは、少なくとも２つ
のアノードと少なくとも１つの流量制御装置に組み合わ
されており、電解質及びメッキ電流を組み合わせて基材
の一連の部分に提供して、基材の一部分へのフィルムの
一連のメッキ処理によって、均一な厚さの連続フィルム
を基材に提供する。
【００３６】本発明の更なる面では、本発明によって基
材にフィルムをメッキする設備は、基材をメッキ電解質
と接触させて配置する基材ホルダーを具備している。こ
の設備は、基材にメッキ電流を供給するための少なくと
も１つのアノード、及び基材に接触する電解質を供給す
る少なくとも１つの関連する流量制御装置を有する。少
なくとも１つの流量制御装置は、少なくとも３つの筒状
の壁を有しており、基材の中央部分の下に配置された第
１の筒状の壁は、第２の筒状の壁よりも基材により近く
まで上方向に延びている。ここでこの第２の筒状の壁
は、中央部分に対して基材周縁部の第２の部分の下に配
置されている。駆動機構を基材ホルダーに結合して、基
材ホルダーを上下に動かし、電解質に接触する基材の１
又は複数の部分を制御する。少なくとも１つの制御シス
テムを、少なくとも１つのアノード及び少なくとも１つ
の流量制御装置に結合させて、電解質及びメッキ電流を
組み合わせて基材の一連の部分に提供し、基材のこの部
分へのフィルムの一連のメッキによって、均一の厚さの
連続フィルムを基材に提供する。
【００３７】本発明の更にもう１つの面では、本発明に
よって基材にフィルムをメッキする設備は、基材をメッ
キ電解質と接触させて配置する基材ホルダーを具備して
いる。この設備は、基材にメッキ電流を供給するための
少なくとも１つのアノード、及び基材に接触する電解質
を供給する少なくとも１つの関連する流量制御装置を有
する。少なくとも１つの流量制御装置は、基材に向かっ
て上向きに及び基材から離れるようにして下向きに動く
ことができる少なくとも３つの筒状壁を有しており、基
材とそれぞれの筒状壁との間の隙間を調節して、電解質
に接触する基材の１又は複数の部分を制御する。駆動機
構を基材ホルダーに結合して、基材ホルダーを上下に動
かし、電解質に接触する基材の１又は複数の部分を制御
する。少なくとも１つの制御システムを、少なくとも１
つのアノード及び少なくとも１つの流量制御装置に結合
させて、電解質及びメッキ電流を組み合わせて基材の一
連の部分に提供し、基材のこの部分へのフィルムの一連
のメッキによって、均一の厚さの連続フィルムを基材に
提供する。
【００３８】本発明の更にもう１つの面では、基材にフ
ィルムをメッキする設備は、基材を電解質の本体に入れ
て配置する基材ホルダーを具備している。少なくとも１
つの可動式ジェットアノードは、基材にメッキ電流及び
電解質を供給する。可動式ジェットアノードは、基材表
面に対して平行な方向に可動式である。流量制御装置
は、可動式ジェットアノードを通る電解質の流量を制御
する。少なくとも１つの制御システムは、可動式ジェッ
トアノード及び流量制御装置に結合させて、電解質及び
メッキ電流を組み合わせて基材の部分に提供し、基材の
この部分へのフィルムの一連のメッキによって、均一の
厚さの連続フィルムを基材に提供する。
【００３９】本発明の更にもう１つの面では、基材にフ
ィルムをメッキする設備は、基材を電解質表面の上に配
置する基材ホルダーを具備している。第１の駆動機構を
基材ホルダーに結合させて、基材ホルダーが電解質表面
に向かうように及び電解質表面から離れるように動かし
て、基材表面の電解質と接触する部分を制御する。電解
質のための浴は、この浴内に配置された少なくとも１つ
のアノードを有する。第２の駆動機構を浴に結合させ
て、この浴を垂直軸の周りに回転させて、電解質の表面
を実質的に放物線状の形状にする。制御システムを第１
及び第２の駆動機構、並びに少なくとも１つのアノード
に結合させて、電解質及びメッキ電流を組み合わせて基
材の一連の部分に提供し、基材の一部分へのフィルムの
一連のメッキ処理によって、均一な厚さの連続フィルム
を基材に提供する。
【００４０】本発明の更にもう１つの面では、基材にフ
ィルムをメッキする設備は、基材を電解質表面の上に配
置する基材ホルダーを具備している。第１の駆動機構を
基材ホルダーに結合させて、基材ホルダーが電解質表面
に向かうように及び電解質表面から離れるように動かし
て、基材表面の電解質と接触する部分を制御する。第２
の駆動機構を基材ホルダーに結合させて、基材の表面に
対して垂直な軸の周りに基材ホルダーを回転させる。第
３の駆動機構を基材ホルダーに結合させて、電解質表面
に対して基材ホルダーを傾ける。電解質のための浴は、
浴内に取り付けられた少なくとも１つのアノードを有す
る。制御システムは、第１、第２、及び第３の駆動機
構、並びに少なくとも１つのアノードに結合させて、電
解質及びメッキ電流を組み合わせて基材の一連の部分に
提供し、基材の一部分へのフィルムの一連のメッキ処理
によって、均一な厚さの連続フィルムを基材に提供す
る。
【００４１】本発明の更にもう１つの面では、基材表面
に所望の厚さのフィルムをメッキする方法は、複数の積
み重ねメッキモジュール及び基材輸送機構を提供するこ
とを含む。基材は、基材ホルダーから、基材輸送機構に
よって取る。基材は、基材輸送機構によって、第１の積
み重ねメッキモジュールに装填する。フィルムは、この
第１の積み重ねメッキモジュールにおいて基材にメッキ
する。基材は、基材輸送機構によって基材ホルダーに戻
す。
【００４２】本発明の更にもう１つの面では、基材にフ
ィルムをメッキする自動機器は、積み重ねの関係で配置
された少なくとも２つのメッキ浴、少なくとも１つのメ
ッキホルダー、及び基材輸送機構を有する。フレーム
は、メッキ浴、基材ホルダー、及び基材輸送機構を支持
している。制御システムは、基材輸送機構、基材ホルダ
ー、及びメッキ浴に結合して、複数の基材への均一なフ
ィルムの堆積を連続的に行う。
【００４３】方法１：ウェハー表面の一部分を電解質と
接触させる（固定アノード） 本発明の上述の目的及び他の目的を、上部（又は表面）
にバリアー層を有する基材に直接に薄いフィルムをメッ
キする方法によって更に達成する。ここでこの方法は、
（１）上部にバリアー層を有する基材表面の一部分に電
解質を流すこと、（２）直流又はパルス電力を提供し
て、フィルム厚さが所定の厚さになるまで、基材表面の
この部分に金属フィルムをメッキすること、（３）基材
の追加の部分に電解質を流すことによって、基材のこの
追加の部分に工程１及び２を繰り返すこと、（４）薄い
シード層によって基材表面全体がメッキされるまで、工
程３を繰り返すこと、（５）電解質を基材の全領域に流
すこと、（６）全てのアノードに正電圧を印可する電力
を供給して、フィルム厚さが所望の厚さに達するまで、
薄いフィルムをメッキすること、を含む。
【００４４】方法２：ウェハー表面全体を電解質と接触
させる（固定アノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの方法を提
供する。ここでこの方法は、（１）基材の表面全体に電
解質を流すこと、（２）ウェハー表面の一部分に近いア
ノードに正電圧を印可し、且つ基材表面の残部に近い全
ての他のアノードに負電圧を印可することによって、基
材のこの部分にメッキされたフィルムの厚さが所定の厚
さになるまで、基材表面のこの部分のみに薄いフィルム
をメッキすること、（３）基材の更なる部分に工程２を
繰り返すこと、（４）薄いシード層によって基材表面全
体がメッキされるまで、工程３を繰り返すこと、（５）
全基材表面のフィルムの厚さが所定の厚さに達するま
で、全てのアノードに正電圧を印可することによって、
同時に基材の全表面に薄いフィルムをメッキすること、
を含む。
【００４５】方法３：初めにウェハー表面全体を電解質
と接触させ、その後でメッキされたウェハーの一部分を
電解質から取り出す 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの方法を提
供する。ここでこの方法は、（１）基材の表面全体に電
解質を流すこと、（２）ウェハー表面の一部分に近いア
ノードに正電圧を印可し、且つ基材表面の残部に近い全
ての他のアノードに負電圧を印可することによって、基
材のこの部分にメッキされたフィルムの厚さが所定の厚
さになるまで、基材表面のこの部分のみに薄いフィルム
をメッキすること、（３）基材のメッキされた全ての部
分と接触しないように電解質を移動させ、且つ電解質
が、基材のメッキされていない残部にまだ接触している
ようにすること、（４）基材の次の部分にメッキするた
めに工程２及び３を繰り返すこと、（５）薄いシード層
によって基材表面全体がメッキされるまで、工程４を繰
り返すこと、（６）全基材表面のフィルムの厚さが所定
の厚さに達するまで、全てのアノードに正電圧を印可
し、且つ基材の全表面に電解質を流すことによって、基
材全体に同時に薄いフィルムをメッキすること、を含
む。
【００４６】方法４：初めに基材の一部分を電解質と接
触させ、その後で基材のメッキされた部分及び次の部分
を電解質と接触させる 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの方法を提
供する。ここでこの方法は、（１）基材表面の第１の部
分に電解質を流すこと、（２）基材表面の第１の部分に
近いアノードに正電圧を印可することによって、基材表
面の第１の部分にメッキされたフィルムの厚さが所定の
厚さになるまで、基材表面の第１の部分にのみ薄いフィ
ルムをメッキすること、（３）電解質を動かして基材表
面の第２の部分に接触させ、且つ同時に基材表面の第１
の部分にまだ電解質が接触しているようにすること、
（４）基材表面の第２の部分に近いアノードに正電圧を
印可し、且つ基材表面の第１の部分に近いアノードに負
電圧を印可することによって、基材表面の第２の部分に
のみ薄いフィルムをメッキすること、（５）基材表面の
第３の部分をメッキするために工程３及び４を繰り返す
こと、（６）基材表面の全領域が薄いシード層によって
メッキされるまで、工程４を繰り返すこと、（７）全て
のアノードに正電圧を印可し且つ全基材表面に電解質を
流すことによって、全基材表面のフィルムの厚さが所定
の厚さになるまで、同時にウェハー全体に薄いフィルム
をメッキすること、を含む。
【００４７】方法５：シード層のメッキのためだけに基
材表面の一部分を電解質と接触させる（可動式アノー
ド） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの方法を提
供する。ここでこの方法は、（１）可動式ジェットアノ
ードを通して、上部にバリアー層を有する基材表面の一
部分に電解質を流すこと、（２）フィルム厚さが所定の
厚さになるまで、直流電流又はパルス電流を提供して、
前記基材の一部分に金属フィルムをメッキすること、
（３）基材の更なる部分の近くに可動式ジェットアノー
ドを移動させることによって、基材のこの更なる部分の
ために工程１及び２を繰り返すこと、（４）基材の全て
の領域が薄いシード層によってメッキされるまで、工程
３を繰り返すこと、を含む。
【００４８】方法６：シード層のメッキのためだけに全
基材表面を電解質と接触させる（可動式アノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの方法を提
供する。ここでこの方法は、（１）基材の全表面を電解
質に浸漬すること、（２）基材表面の第１の部分に近い
可動式アノードに正電圧を印可することによって、基材
表面の第１の部分のみに薄いフィルムをメッキするこ
と、（３）基材の更なる部分の近くに可動式アノードを
移動させることによって、基材のこの更なる部分のため
に工程２を繰り返すこと、（４）基材の全ての領域が薄
いシード層によってメッキされるまで、工程３を繰り返
すこと、を含む。
【００４９】設備１：複数の液体流量制御装置（ＬＭＦ
Ｃ）及び複数の電力源 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に薄いフィルムを直接にメッキするための設備を提供す
る。ここでこの設備は、電解質表面の上に基材を保持す
るための基材ホルダー；それぞれが隔離筒状壁によって
離されている少なくとも２つのアノード；２つの筒状壁
の間の空間を通る電解質の流量を制御して、基材の一部
分に接触させる別個の液体質量流量制御装置；それぞれ
のアノードとカソード又は基材との間に電位を発生させ
る別個の電力供給源、を具備し、基材の一部分に対応す
る電力供給源及び液体流量制御装置を同時に作用させた
ときのみ、基材表面のこの部分をメッキする。
【００５０】設備２；１つの共通ＬＭＦＣ及び複数の電
力供給源 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの設備を提
供する。ここでこの設備は、電解質表面の上に基材を保
持する基材チャック；基材ホルダーを上向き又は下向き
に移動させ、表面領域の電解質と接触する部分を制御す
るモーター；それぞれが２つの隔離筒状壁によって離さ
れている少なくとも２つのアノード、ここで筒状壁の高
さは、基材半径の外側方向に行くにつれて低くなってい
る；それぞれの隣接する筒状壁の間の空間を通る電解質
を制御して、基材表面に達するようにする１つの共通液
体質量流量制御装置；それぞれのアノードとカソード又
は基材との間に電位を発生させる別個の電力供給源、を
具備し、同時に、基材の一部分に近いアノードに正電圧
を印可し、残りのアノードに負電圧を印可し、且つ基材
の前記部分に電解質を接触させたときのみ、基材表面の
この部分をメッキする。メッキ厚さがシード層の所定の
厚さに達した後で、基材を上向きに移動させて、メッキ
された部分を電解質から取り出す。これは、基材の他の
部分をメッキするときに、更なるメッキ処理又はエッチ
ング処理をもたらさないことを可能にする。
【００５１】設備３；複数のＬＭＦＣ及び１つの共通電
力供給源 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの設備を提
供する。ここでこの設備は、電解質表面の上に基材を保
持する基材ホルダー；それぞれが２つの隔離筒状壁によ
って離されている少なくとも２つのアノード；２つの筒
状壁の間の空間を通る電解質の流量を制御して、基材の
一部分に接触するようにする別個の液体質量流量制御装
置；それぞれのアノードとカソード又は基材との間に電
位を発生させる１つの共通電力供給源、を具備し、液体
質量流量制御装置及び電力供給源を同時に作用させたと
きのみ、基材表面の一部分をメッキする。
【００５２】設備４；１つの共通ＬＭＦＣ及び１つの共
通電力供給源 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの設備を提
供する。ここでこの設備は、電解質表面の上に基材を保
持する基材ホルダー；それぞれが２つの隔離筒状壁によ
って離されている少なくとも２つのアノード、ここで筒
状壁は、上下に動いて基材と筒状壁との間の隙間を調節
することができ、それによって電解質を制御して基材の
この壁に隣接する部分に接触させることができる；２つ
の筒状壁の間の空間を通って流れる電解質を制御するた
めの１つの液体質量流量制御装置；全てのアノードとカ
ソード又は基材との間に電位を発生させる１つの電力供
給源、を具備し、基材表面の一部分の下の筒状壁を上向
きに動かし、それによって電解質が基材のこの部分に接
触し、且つ同時に電力を供給したときのみ、基材表面の
この部分をメッキする。
【００５３】設備５；電解質に浸漬されていない基材を
伴う可動式アノード 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの設備を提
供する。ここでこの設備は、電解質表面の上に基材を保
持する基材ホルダー；基材の下側に近接させて配置され
た可動式アノードジェットであって、基材表面に向かっ
て移動し、それによってアノードジェットからの電解質
を制御して、基材の任意の箇所に接触させることができ
るアノードジェット；可動式アノードジェットとカソー
ド又は基材との間に電位を発生させる１つの電力供給
源、を具備し、可動式アノードジェットから放出される
電解質が表面の一部分と接触するときのみ、基材表面の
この部分をメッキする。
【００５４】設備６；電解質に浸漬させた基材を伴う可
動式アノード 本発明の更なる面では、上部にバリアー層を有する基材
に直接に薄いフィルムをメッキするもう１つの設備を提
供する。ここでこの設備は、基材を電解質に浸漬させて
保持する基材ホルダー；基材に近接する可動式アノード
ジェットであって、基材表面に向かって移動することが
でき、それによってアノードジェットからのメッキ電流
を制御して基材の任意の箇所に送ることができるアノー
ドジェット；可動式アノードジェットとカソード又は基
材との間に電位を発生させる１つの電力供給源、を具備
し、基材の一部分が可動式アノードジェットに近い場合
のみ、基材のこの部分をメッキする。
【００５５】方法７；完全に自動化されたメッキ機器に
よる基材への金属フィルムのメッキ 本発明の更なる面では、完全に自動化されたメッキ機器
によって基材に薄フィルムをメッキするもう１つの方法
を提供する。ここでこの方法は、（１）カセットからウ
ェハーを取って、ロボットによって積み重ねメッキ浴の
１つに送ること；（２）ウェハーに金属フィルムをメッ
キすること；（３）メッキ処理が完了した後で、メッキ
されたウェハーを、積み重ねメッキ浴からロボットによ
って取って、積み重ね清浄化／乾燥容器のうちの１つに
送ること；（４）メッキされたウェハーを清浄化するこ
と；（５）メッキされたウェハーを乾燥させること；
（６）乾燥したウェハーを、積み重ね清浄化／乾燥容器
からロボットによって取って、カセットに送ること、を
含む。
【００５６】設備７；基材に金属フィルムをメッキする
ための完全自動化機器 本発明の更なる面では、基材に金属フィルムをメッキす
るための完全自動化機器を提供する。ここでこの完全自
動化機器は、ウェハーを輸送するためのロボット；ウェ
ハーカセット；複数の積み重ね浴；複数の積み重ね清浄
化／乾燥浴；電解質タンク；並びに制御バルブ、フィル
ター、液体質量流量制御装置、及び配管を保持する配管
ボックス、を含む。この完全自動化機器は、コンピュー
ター、及びコンピューターと自動化機器の他の構成要素
との間に接続された制御ハードウェア、並びにコンピュ
ーターのオペレーティングシステム制御ソフトウェアパ
ッケージを有する。
【００５７】方法８：薄層メッキ−−ウェハー表面の一
部分を電解質と接触させ、その後でウェハーのメッキさ
れた部分及び他の部分の両方を、電解質と接触させて金
属によってメッキする 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接に薄いフィルムをメッキするも
う１つの方法を提供する。ここでこの方法は、（１）直
流電流又はパルス電流を提供すること；（２）基材表面
の第１の部分を電解質と接触させ、それによって基材の
この第１の部分に金属フィルムをメッキすること；
（３）金属フィルム厚さが所定の厚さになったときに、
基材の１又は複数の更なる部分を電解質と接触させるこ
とによって、基材の１又は複数の更なる部分に工程１及
び２を繰り返えすことを、基材の第１の部分及び基材の
任意の先の１又は複数の更なる部分へのメッキ処理を継
続しながら行うこと；（４）基材の全領域が薄いシード
層によってメッキされるまで、工程３を繰り返すこと、
を含む。
【００５８】方法９：薄層そして厚い層のメッキ−−ウ
ェハー表面の一部分を電解質と接触させ、その後でウェ
ハーのメッキされた部分及び次の部分の両方を、電解質
と接触させて金属によってメッキする 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの方法を提供する。ここでこの方法は、（１）直流電
流又はパルス電流を提供すること；（２）基材表面の第
１の部分を電解質と接触させ、それによって基材のこの
第１の部分に金属フィルムをメッキすること；（３）金
属フィルム厚さが所定の厚さになったときに、基材の１
又は複数の更なる部分を電解質と接触させることによっ
て、この基材の１又は複数の更なる部分に工程１及び２
を繰り返えすことを、基材の第１の部分及び基材の任意
の先の１又は複数の更なる部分へのメッキ処理を継続し
ながら行うこと；（４）基材の全ての部分が薄いシード
層によってメッキされるまで、工程３を繰り返すこと；
（５）基材の全ての部分を電解質と接触させること；
（６）基材の全ての部分に近接するアノードに正電圧を
印可して、フィルム厚さが所定の厚さになるまでフィル
ムをメッキすること、を含む。
【００５９】方法１０：薄層のメッキ−−ウェハー表面
の第１の部分を初めに電解質と接触させ、その後でウェ
ハーのこの第１の部分と第２の部分の両方を電解質と接
触させるにもかかわらず、ウェハーの第２の部分のみを
メッキする 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの方法を提供する。ここでこの方法は、（１）基材表
面の第１の部分に近い第１のアノードに正電圧を印可す
ること；（２）基材表面のこの第１の部分に電解質と接
触させ、それによって基材この第１の部分にフィルムを
メッキすること；（３）基材表面のこの第１の部分のフ
ィルム厚さが所定の厚さに達したときに、基材表面の第
１の部分に電解質を接触させたままで、基材表面の第２
の部分を更に電解質と接触させること、（４）基材表面
の第２の部分に近い第２のアノードに正電圧を印可し、
且つ基材表面の第１の部分に近い第１のアノードに十分
な正電圧を印加して、基材表面の第１の部分がメッキさ
れないがメッキの除去もされないようにすることによっ
て、基材表面の第２の部分のみにフィルムをメッキする
こと；（５）基材表面の第１及び第２の部分のメッキが
除去されないようにしながら、基材の第３の部分のため
に工程３及び４を繰り返すこと；（６）基材表面の全領
域が薄いシード層でメッキされるまで、基材表面の続く
領域に工程４を繰り返すこと、を含む。
【００６０】方法１１：薄層そして厚い層のメッキ−−
ウェハー表面の一部分を初めに電解質と接触させ、その
後でウェハーのメッキされた部分及び次の部分の両方を
電解質と接触させ、ウェハーの次の部分のみをメッキす
る 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの方法を提供する。ここでこの方法は、（１）基材領
域の第１の部分を電解質と接触させること；（２）基材
表面の第１の部分のフィルム厚さが所定の厚さに達する
まで、ウェハー表面のこの部分に近い第１のアノードに
正電圧を印可することによって、基材表面のこの第１の
部分のみに薄いフィルムをメッキすること；（３）基材
表面の第１の部分への電解質の接触を維持したままで、
基材表面の第２の部分を更に電解質に接触させること；
（４）基材表面の第２の部分に近い第２のアノードに正
電圧を印可し、且つ基材表面の第１の部分に近い第１の
アノードに十分な正電圧を印加して、基材表面のこの第
１の部分がメッキされないがメッキの除去もされないよ
うにすることによって、基材表面の第２の部分のみにフ
ィルムをメッキすること；（５）基材表面の第１及び第
２の部分のメッキが除去されないようにしながら、基材
の第３の部分のために工程３及び４を繰り返すこと；
（６）基材表面の全領域が薄いシード層でメッキされる
まで、工程４を繰り返すこと；（７）全てのアノードに
正電圧を印可し且つ同時に基材表面の全領域を電解質に
接触させることによって、全基材表面の更なるフィルム
の厚さが所定の厚さに達するまで、ウェハー全体に更な
る金属フィルムをメッキすること、を含む。
【００６１】設備８：電解質を放物線状の形状にする回
転メッキ浴（１つのアノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの設備を提供する。ここでこの設備は、電解質表面の
上に基材を保持する基材チャック；基材ホルダーを上下
に動かして、表面領域の電解質に接触する部分を制御す
るモーター；浸漬したアノードを有する浴；電解質流量
を制御して基材に接触させる液体質量流量制御装置；ア
ノードとカソード又は基材との間に電位を発生させる電
力源；電解質表面が放物線状の形状を作るような速度
で、その中心軸の周りにメッキ浴を回転させるもう１つ
のモーター、を有し、液体質量流量制御装置及び電力供
給源が同時に作用しているときのみ、基材表面の一部分
をメッキする。メッキ厚さが所定のシード層厚さに達し
た後で、基材を下向きに移動させ、それによって基材の
次の部分を電解質と接触させてメッキする。
【００６２】設備９：電解質を放物線状の形状にする回
転メッキ浴（複数のアノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの設備を提供する。ここでこの設備は、電解質表面の
上に基材を保持する基材チャック；基材ホルダーを上下
に動かして、表面領域の電解質に接触する部分を制御す
るモーター；それぞれが２つの隔離筒状壁によって分離
される少なくとも２つのアノード；２つの筒状壁の間の
空間を流れる電解質を制御して基材の一部分に接触させ
る別個の液体質量流量制御装置；それぞれのアノードと
カソード又は基材との間に電位を発生させる別個の電力
源；電解質表面が放物線状の形状を作るような速度で、
その中心軸の周りにメッキ浴を回転させるもう１つのモ
ーター、を有し、基材表面のある部分に近いアノードに
正の電圧を印可し且つ同時に基材表面のその部分に電解
質を接触させたときにのみ、基材表面のその部分をメッ
キする。メッキ厚さが所定の厚さに達した後で、基材を
下向きに移動させ、それによって基材の次の部分を電解
質と接触させてメッキする。
【００６３】設備１０：ｙ軸又はｘ軸の周りに傾斜して
いるウェハーホルダー（１つのアノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの設備を提供する。ここでこの設備は、電解質表面の
上に基材を保持する基材チャック、ここで基材ホルダー
はｚ軸の周りに回転可能でありまたｙ軸又はｘ軸の周り
に傾斜可能である；アノード；基材に接触する電解質を
制御する液体質量流量制御装置；アノードとカソード又
は基材との間に電位を発生させる電力源、を有し、基材
チャックがｙ軸又はｘ軸の周りに傾斜してｚ軸の周りに
回転し、それによって基材の周囲部分が電解質と接触
し、且つ同時に液体質量流量制御装置及び電力源が作用
するときにのみ、基材表面の周囲部分をメッキする。
【００６４】設備１１：ウェハーホルダーの傾斜回転軸
（複数のアノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの設備を提供する。ここでこの設備は、電解質表面の
上に基材を保持する基材チャック、ここで基材ホルダー
はｚ軸の周りに回転可能でありまたｙ軸又はｘ軸の周り
に傾斜可能である；それぞれが２つの隔離筒状壁によっ
て分離されている少なくとも２つのアノード；２つの筒
状壁の間の空間を流れる電解質を制御して、基材の一部
分に接触させる別個の液体質量流量制御装置；それぞれ
のアノードとカソード又は基材との間に電位を発生させ
る別個の電力源、を有し、基材チャックがｙ軸又はｘ軸
の周りに傾斜してｚ軸の周りに回転し、それによって基
材の周囲部分が電解質と接触し、且つ同時に液体質量流
量制御装置及び電力源が作用するときにのみ、基材表面
の周囲部分をメッキする。
【００６５】設備１２：電解質を放物線状の形状にする
回転メッキ浴、及びｙ軸又はｘ軸の周りに傾斜している
ウェハーホルダー（１つのアノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの設備を提供する。ここでこの設備は、電解質表面の
上に基材を保持する基材チャック；基材ホルダーを上下
に移動させて、表面領域の電解質と接触する部分を制御
するモーター；ｚ軸の周りに回転可能であり、またｙ軸
又はｘ軸の周りに傾斜可能である基材ホルダー；アノー
ド；電解質を制御して基材と接触するようにする液体質
量流量制御装置；アノードとカソード又は基材との間に
電位を発生させる電力源；電解質表面が放物線状の形状
になるような速度でその中心軸の周りにメッキ浴を回転
させるもう１つのモーター、を有し、基材チャックがｙ
軸又はｘ軸の周りに傾斜してｚ軸の周りに回転し、それ
によって基材の周囲部分が電解質と接触し、且つ同時に
液体質量流量制御装置及び電力源が作用するときにの
み、基材表面の周囲部分をメッキする。
【００６６】設備１３：電解質を放物線状の形状にする
回転メッキ浴、及びｙ軸又はｘ軸の周りに傾斜している
ウェハーホルダー（複数のアノード） 本発明の更なる面では、上部にバリアー層又は薄いシー
ド層を有する基材に直接にフィルムをメッキするもう１
つの設備を提供する。ここでこの設備は、電解質表面の
上に基材を保持する基材チャック；基材ホルダーを上下
に移動させて、基材表面の電解質に接触する部分を制御
するモーター；前記基材ホルダーはｚ軸の周りに回転可
能であり、またｙ軸又はｘ軸の周りに傾斜可能である；
それぞれが２つの隔離筒状壁によって分離される少なく
とも２つのアノード、ここで前記筒状壁は基材の縁側で
よりも中央部分で基材に近く；２つの筒状壁の間の空間
を流れる電解質を制御して、基材の一部分に接触させる
別個の液体質量流量制御装置；それぞれのアノードとカ
ソード又は基材との間に電位を発生させる別個の電力
源；電解質表面が放物線状の形状になるような速度でそ
の中心軸の周りにメッキ浴を回転させるもう１つのモー
ター、を有し、基材の一部分に近いアノードに正の電位
を印可し、且つ同時に基材表面のこの部分を電解質に接
触させたときのみ、基材表面のこの部分をメッキする。
メッキ厚さが所定の厚さに達した後で、基材を下向きに
動かし、それによって基材の次の部分を電解質に接触さ
せてメッキする。
【００６７】メッキ以外の処理によって作られたシード
層を使用せずに、金属フィルムをメッキする本発明の考
えの中心は、ある時間ウェハーの一部分をメッキしてバ
リアー層への電流負荷を減少させることである。これは
バリアー層の抵抗が典型的に銅金属層の１００倍である
ためである。詳細については、以下の理論的な解析を参
照。
【００６８】上述の事項の達成並びに本発明に関連する
目的、利点、及び特徴は、以下の本発明のより詳細な説
明を図と共に参照すると、当業者はより容易に理解する
であろう。
【００６９】［発明の詳細な説明］ 図、特に図１Ａ及び１Ｂを参照すると、本発明を理解す
るのに有益な従来技術のメッキ設備の一部が示されてい
る。
【００７０】従来のメッキ処理の場合のウェハーの中央
部分及び縁部分での電位差の理論計算図１Ａは、従来の
噴水（ｆｏｕｎｔａｉｎ）タイプのメッキ機器、及び薄
いバリアー層４００を有する半導体ウェハー３１の断面
図を示している。以下の理論計算では、通常のメッキ処
理の間のウェハーの中央部と周縁部との電位差を求め
る。メッキ電流密度はウェハー表面全体で均一であるこ
とを仮定すると、電位差は以下の式で計算することがで
きる： Ｖ＝（Ｉ0 ρs ／４πｒ0 2）（ｒ2 −ｒ0 2） （１） ここで、ｒは半径（ｃｍ）、ｒ0 はウェハーの半径（ｃ
ｍ）、Ｉ0 はウェハーに流れる全メッキ電流（Ａ）、ρ
s はバリアー層のシート抵抗（Ω／□）である。
【００７１】原子半径が３Åであることを仮定すると、
表面密度が１×１０15原子／ｃｍ2となる。ウェハーを
流れる電流の密度は、以下のように表すことができる： ＩD ＝（２×１×1015／60）（ｑＰ．Ｒ．／Ｄatom） （２） ここで、ＩD はメッキ電流密度（Ａ／ｃｍ2 ）、ｑは電
子の電荷（Ｃ）、Ｐ．Ｒ．はメッキ速度（Å／分）、Ｄ
atomは原子の直径である。適当な値であるＰ．Ｒ．＝２
０００Å／分、ｑ＝１．８２×１０-19 Ｃ、及びＤatom
＝３Åを式（２）に入れると以下のようになる： ＩD ＝（２×１×1015／60）（1 .62 ×10 -19×2000／３） ＝3.6 ×10 -3 Ａ／ｃｍ2 （３） ２００ｍｍウェハーへの全電流は以下のようになる： Ｉ0 ＝πｒ0 2ＩD ＝3.14×100 ×3.6 ×10-3 ＝1.13Ａ （４） シート抵抗はフィルムの厚さ及びフィルムの堆積方法に
依存している。通常のＣＶＤ又はＰＶＤ法によって堆積
させた厚さが２００Åのフィルムのシート抵抗は、１０
０〜３００Ω／□である。上述のＩ0 ＝１．１３Ａ、ρ
s ＝１００〜３００Ω／□、及びｒ＝０、ｒ0 ＝１０ｃ
ｍを式（１）に代入すると、ウェハーの中央部分と縁部
分の電位差は以下のようになる： Ｖ＝８．９６〜２６．９Ｖ
【００７２】酸性Ｃｕメッキにおける通常のメッキ電圧
は、２〜４Ｖである。そのような電位差は、従来の機器
によってバリアー層に直接にメッキを行うことを不可能
にすることは明らかである。過剰な電圧を使用するとウ
ェハーの中央部において金属をメッキすることはできる
が、ウェハーの周縁部において、金属イオンと共に実質
的な量のＨ+ が現れ、これが金属フィルムの質を低下さ
せる。半導体の相互接続の用途では、メッキされた銅フ
ィルムは非常に抵抗が大きく形態が劣っている。
【００７３】本発明のメッキ処理の間のメッキ領域の外
側と内側との電位差の理論計算図２に示されるように、
本発明では一度のウェハーの一部分のみをメッキする。
半径ｒ2 の部分と半径ｒ1 の部分の電位差は以下のよう
にして示すことができる： Ｖ21＝∫ｄｖ＝∫ＩｄＲ ＝∫ＩD ( πｒ2 2−πｒ1 2)(ρs /2πｒ) ｄｒ ＝(ID ρs /2）[(０.5ｒ2 2−ｒ1 2Inｒ2)−(0.5ｒ1 2 −ｒ1 2Inｒ1)] （６） 最も悪いのは、ウェハーの周縁部の場合である。ｒ1 ＝
９ｃｍ、ｒ2 ＝１０ｃｍ、ＩD ＝３．６×１０-3Ａ
（Ｐ．Ｒ．＝２０００Å／分に対応）、ρs ＝１００〜
３００Ω／□を、式（６）に代入すると以下のようにな
る： Ｖ21＝０．１７３〜０．５２２Ｖ 水素過電圧は約０．８３Ｖである。本発明のメッキ処理
の間に水素が発生しないことは明らかである。
【００７４】［好ましい態様の説明］本発明の様々な態
様の説明において、繰り返しの説明を最小化するため
に、異なる図の対応する部分は同じ参照番号で示してあ
る。
【００７５】図３Ａ及び３Ｂは、上部にバリアー層を有
する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする本発明の
装置の１つの態様の概略図である。メッキ浴は、管１０
９内に配置されたアノードロッド１、及び筒状壁１０７
と１０５、１０３と１０１の間にそれぞれ配置されたア
ノードリング２及び３を有する。アノードリング１、２
及び３には、それぞれ電力供給源１３、１２及び１１に
よって電力を供給する。電解質３４はポンプ３３によっ
て送って、フィルター３２に通し、液体質量流量制御装
置（ＬＭＦＣ）２１、２２及び２３の入口に達するよう
にする。ＬＭＦＣ２１、２２及び２３は、所定の流量で
電解質を、それぞれアノード３、２及び１を有するサブ
メッキ浴に送る。電解質を、ウェハー３１と筒状壁１０
１、１０３、１０５、１０７及び１０９の上部との間を
通した後で、それぞれ筒状壁１００と１０１、１０３と
１０５、及び１０７と１０９の間を通してタンク３６に
戻す。圧力漏出バルブ３８を、ポンプ３３の出口と電解
質タンク３６との間に配置して、ＬＭＦＣ２１、２２、
２３が閉じたときに電解質が漏れてタンク３６に戻るよ
うにする。浴の温度はヒーター４２、温度センサー４
０、及びヒーター制御装置４４によって調節する。ウェ
ハーチャック２９によって保持しているウェハー３１
は、電力供給源１１、１２及び１３に接続する。駆動機
構３０を使用して、ウェハー３１をｚ軸の周りに回転さ
せ、示されているｘ、ｙ及びｚ方向にウェハーを振動さ
せる。ＬＭＦＣは、当該技術分野で既知のタイプの、耐
酸性又は耐腐食性で汚染がないタイプの質量流量制御装
置である。フィルター３２は、０．１又は０．２μｍよ
りも大きい粒子をろ過し、それによってメッキプロセス
に粒子があまり加わらないようにする。ポンプ３３は、
耐酸性又は耐腐食性で、汚染がないポンプであるべきで
ある。筒状壁１００、１０１、１０３、１０５、１０７
及び１０９は、電気的に絶縁性且つ耐酸性又は耐腐食性
で酸に溶解せず金属を含まない物質、例えばテトラフル
オロエチレン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化
ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリプロピレン等で作る。
【００７６】図４Ａ及び４Ｂは、上部にバリアー層２０
３を有するウェハー３１を示している。バリアー層２０
３を使用して、メッキ金属のシリコンウェハーへの拡散
を防ぐ。典型的に、窒化チタン又は窒化タンタルを使用
する。カソード導線とバリアー層との接触抵抗を減少さ
せるために、ＰＶＤ又はＣＶＤによってウェハー３１の
周縁部に金属フィルム２０１を堆積させる。この金属フ
ィルム２０１の厚さは、５００Å〜２０００Åである。
フィルム２０１の材料は、好ましくは後でメッキする材
料と同じである。例えば、Ｃｕフィルムをメッキするた
めには、フィルム２０１の材料としてＣｕを選択するこ
とが好ましい。
【００７７】１Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキするための処理工程 工程１：ＬＭＦＣ２１のみを作用させ、それによって電
解質がウェハー３１のアノード３の上の部分にのみ接触
するようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。正の金属イオンが、ウェハー３１のアノ
ード３の上の部分にのみメッキされる。 工程３：金属の伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚
さになったときに、電力供給源１１を切り且つＬＭＦＣ
２１を切る。 工程４：ＬＭＦＣ２２及び電極供給源１２を使用し、ア
ノード２について工程１〜３を繰り返す。 工程５：ＬＭＦＣ２３及び電極供給源１３を使用し、ア
ノード１について工程４を繰り返す。
【００７８】上述のメッキ処理の間に、電力供給源は直
流様式、パルス様式、又は直流−パルス混合様式で操作
することができる。直流様式では、電力供給源を一定電
流様式、又は一定電圧様式、又は一定電流様式と一定電
圧様式との組み合わせで操作することができる。一定電
流様式と一定電圧様式との組み合わせとは、メッキ処理
の間に、１つの様式から他の様式に電力供給を切り替え
られることを意味している。図５は、代表的なシード層
メッキの間のそれぞれの電源のオン／オフの順序を示し
ている。Ｔp はいわゆるメッキ時間であり、１つのサイ
クルの間の正のパルスの時間である。Ｔe はいわゆるエ
ッチング時間であり、１つのサイクルの間の負のパルス
の時間である。Ｔe ／Ｔp はいわゆるエッチングメッキ
比である。これは一般に０〜１の間の値である。図６Ａ
及び６Ｂに示されるように、Ｔe／Ｔp の比が大きいこ
とは、隙間の充填性が比較的良好であること又は突端が
できにくいことを意味しているが、メッキ速度が比較的
遅いことを意味している。Ｔe ／Ｔp の比が小さいこと
は、メッキ速度が比較的大きいことを意味するが、隙間
の充填性が比較的不十分であること又は比較的突端でき
やすいことを意味している。
【００７９】１Ｂ．１Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程６：ＬＭＦＣ２１、２２及び２３を作用させる。原
理的に、それぞれのＬＭＦＣからの電解質の流量は、対
応するアノードが担当するウェハー領域に比例するよう
に設定する。 工程７：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１、
１２及び１３を作用させる。原理的に、それぞれの電力
供給源の電流も、対応するアノードが担当するウェハー
領域に比例するように設定する。 工程８：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッキ
電流を使用する場合、電力供給源１１、１２及び１３を
同時に切る。あるいは、メッキフィルム厚さの均一性を
調節するために、異なる時間で電力供給源を切ることが
できる。
【００８０】図７は、予めメッキした金属シード層に、
金属フィルムをメッキするための代表的な順序を示して
いる。上述のように、全メッキ時間Ｔ3 、Ｔ2 及びＴ1
は、ウェハーでの厚さの均一性を調節するためにメッキ
電流を可変要素として使用する場合、同じであってよ
く、又はウェハーでの厚さの均一性を調節するためにメ
ッキ時間を使用する場合、異なっていてよい。
【００８１】アノードの数は、１よりも大きい任意の数
でよい。電極の数が多ければ多いほど、より良好なフィ
ルムの均一性が得られると考えられる。性能とコストの
バランスを考えると、アノードの数は典型的に、２００
ｍｍウェハーで７〜２０個、３００ｍｍウェハーで１０
〜３０個である。
【００８２】図８に示されているように、２極のパルス
波（ａ）を使用する代わりに、変形サイン波型パルス波
（ｂ）、単一極パルス波（ｃ）、反転パルス波（ｄ）、
パルス−オン−パルス波（ｅ）、又は２パルス波（ｆ）
を使用することができる。
【００８３】シード層メッキ処理においては、アノード
３、アノード２、そしてアノード１の順序が通常は好ま
しいが、メッキ順序は以下のようなものであってもよ
い： （１）アノード１、そしてアノード２、そしてアノード
３、 （２）アノード２、そしてアノード１、そしてアノード
３、 （３）アノード２、そしてアノード３、そしてアノード
１、 （４）アノード３、そしてアノード１、そしてアノード
２、又は （５）アノード１、そしてアノード３、そしてアノード
２。
【００８４】図９Ａ〜９Ｄは、アノードと壁の形状の他
の態様の概略断面図を示している。図３の場合には、電
極１０３と１０５の間の空間の上のウェハー領域は、ア
ノード３の上のウェハー領域と比べて、受け取るメッキ
電流が比較的少ない。メッキ処理の間にウェハーを回転
させるだけの場合は、これはウェハーでの厚さの変化を
もたらす。ウェハーをｘ及びｙ方向に振動させずに比較
的均一性が良好なフィルムをメッキするために、アノー
ド及び壁の形状は、例えば三角形、正方形、長方形、五
角形、多角形、又は楕円形であってよい。これらの様式
では、ウェハーでのメッキ電流分布を平均化することが
できる。
【００８５】図１０は、シード層がウェハー全体にわた
って連続フィルムになっているかを確認するための機構
を示している。バリアー層（Ｔｉ／ＴｉＮ又はＴａ／Ｔ
ａＮ）の抵抗は、金属銅の約５０〜１００倍であるの
で、シード層をメッキする前の周縁部と中央部の間の電
位差は、連続銅シード層をメッキした後の周縁部と中央
部の電位差よりもかなり大きい。この抵抗は、図１０に
示されるように、電力供給源１１、１２及び１３の出力
電圧及び電流を測定することによって、計算することが
できる。シード層が連続フィルムになったときに、負荷
抵抗は有意に減少する。この様式では、いずれの領域が
連続フィルムによって覆われていないかも測定すること
ができる。例えば：
【００８６】論理表１ （１）Ｖ11、Ｖ12が小さく、且つＶ13が大きい場合、ア
ノード１の上のウェハー領域のフィルムが不連続であ
る； （２）Ｖ11が小さく、且つＶ12及びＶ13が大きい場合、
少なくともアノード２の上のウェハー領域のフィルムが
不連続である； 更にこの条件（２）では、 Ｖ12とＶ13が互いに近いと、アノード１の上のウェハー
領域のフィルムは連続である； Ｖ12とＶ13が有意に異なっていると、アノード１の上の
ウェハー領域のフィルムは不連続である； （３）Ｖ11、Ｖ12及びＶ13が大きい場合、少なくともア
ノード３の上のウェハー領域のフィルムは不連続であ
る； 更にこの条件（３）では、 Ｖ12とＶ13が有意に異なっていると、アノード２とアノ
ード１の上のウェハー領域のフィルムは不連続である； Ｖ11とＶ12が有意に異なっており、且つＶ12とＶ13が互
いに近いと、アノード２の上のウェハー領域のフィルム
は不連続であるが、領域１の上のウェハー領域のフィル
ムは連続である； Ｖ11とＶ12が互いに近く、且つＶ12とＶ13が有意に異な
っていると、アノード２の上のウェハー領域のフィルム
は連続であり、アノード１の上のウェハー領域のフィル
ムは不連続である； Ｖ12及びＶ13がＶ11に近いと、アノード１及びアノード
２の上のウェハー領域のフィルムは連続である。
【００８７】図１１に示されるような論理チェックによ
って、どこのシード層が連続であるかを示すことができ
る。そして、更なるシード層メッキを行うことができ
る。
【００８８】図１２は、図３Ａ及び３Ｂの態様を使用し
て電解質中に完全に浸漬させたウェハーにシード層をメ
ッキする処理手順を示している。第１の半サイクルで
は、アノード３の上のウェハー領域はメッキ状態であ
り、アノード２及び１の上のウェハー領域はエッチング
状態である。第２の半サイクルでは、アノード３の上の
ウェハー領域はエッチング状態であり、アノード２及び
１の上のウェハー領域がメッキ状態である。この様式で
は、メッキ電流の一部はエッチング電流によって打ち消
され、従ってウェハーの周縁部への全電流流れは有意に
減少している。２極パルス波形を使用する代わりに、図
７に示されるような他のパルス波形を使用することもで
きる。
【００８９】図１３Ａ及び１３Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図１３Ａ及び１３Ｂの態様は、ＬＭＦＣ２１、２２
及び２３をバルブ５１、５２及び５３とＬＭＦＣ５５で
置き換えたことを除いて、図３Ａ及び３Ｂの態様と同様
である。ＬＭＦＣ５５の流量設定値は、以下のようなそ
れぞれのバルブの状態によって決定する： ＬＭＦＣ５５の流量設定値＝Ｆ．Ｒ．３×ｆ（バルブ５１） ＋Ｆ．Ｒ．２×ｆ（バルブ５２） ＋Ｆ．Ｒ．１×ｆ（バルブ５３） ここで、Ｆ．Ｒ．１はアノード１のための流量設定、
Ｆ．Ｒ．２はアノード２のための流量設定、且つＦ．
Ｒ．３はアノード３のための流量設定であり、ｆ（バル
ブ＃）は以下のように定義されるバルブの状態関数であ
る： ｆ（バルブ＃）＝バルブ＃が開いているときは１； バルブ＃が閉じているときは０
【００９０】図１４Ａ及び１４Ｂは、伝導性フィルムを
メッキするための本発明の設備のもう１つの態様を示し
ている。図１４Ａ及び１４Ｂの態様は、ＬＭＦＣ２１、
２２及び２３を断続（ｏｎ／ｏｆｆ）バルブ５１、５２
及び５３と３つのポンプ３３で置き換えたことを除い
て、図３Ａ及び３Ｂの態様と同様である。それぞれのア
ノードに流れる電解質は、１つのポンプ３３と１つの断
続バルブによって独立に制御する。
【００９１】図１５Ａ及び１５Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図１５Ａ及び１５Ｂの態様は、追加のアノード５及
び４をそれぞれ筒状壁１０９と１０７の間及び筒状壁１
０３及び１０５の間に加え、アノード３と筒状壁１０１
を取り去り、且つ断続バルブ８１、８２、８３、８４を
ＬＭＦＣ２１、２２、２３、２４とタンク３６との間に
挿入することを除いて、図３Ａ及び３Ｂの態様と同様で
ある。
【００９２】２Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ２１を作用させバルブ８２、８３及び
８４を開き；ＬＭＦＣ２２、２３、２４を切りバルブ８
１を閉じ、それによって電解質をウェハーのアノード４
の上の部分にのみに接触させ、そして筒状壁１００と１
０３との間の戻り経路空間を通し、バルブ８２、８３及
び８４を通してタンク３６に戻す。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。正の金属イオンは、ウェハー３１のアノ
ード４の上の部分にのみメッキされる。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１を切り且つＬＭＦＣ２１を
切る。 工程４：アノード３について工程１〜３を繰り返す（Ｌ
ＭＦＣ２２を作用させ、バルブ８１、８３、８４を開
き、且つ電力供給源１２を作用させ、ＬＭＦＣ２１、２
３、２４を切り、バルブ８２を閉じ、且つ電力供給源１
１、１３、１４を切る）。 工程５：アノード２について工程４を繰り返す（ＬＭＦ
Ｃ２３を作用させ、バルブ８１、８２、８４を開き、且
つ電力供給源１３を作用させ、ＬＭＦＣ２１、２２、２
４を切り、バルブ８３を閉じ、及び電力供給源１１、１
２、１４を切る）。 工程６：アノード１について工程４を繰り返す（ＬＭＦ
Ｃ２４を作用させ、バルブ８１、８２、８３を開き、且
つ電力供給源１４を作用させ、ＬＭＦＣ２１、２２、２
３を切り、バルブ８４を閉じ、及び電力供給源１１、１
２、１３を切る）。 上述のシード層メッキ処理では、ウェハーの周縁部から
ウェハーの中央に向かってメッキする代わりに、ウェハ
ーの中央部から周縁部に向かってメッキを行うこと、又
はアノードの順序を無作為に選択して行うことができ
る。
【００９３】２Ｂ．２Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程７：ＬＭＦＣ２１、２２、２３及び２４を作用さ
せ、バルブ８１、８２、８３及び８４を閉じる。原理的
に、それぞれのＬＭＦＣからの電解質の流量は、対応す
るアノードが担当するウェハー領域に比例するように設
定する。 工程８：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１、
１２、１３及び１４を作用させる。原理的に、それぞれ
の電力供給源の電流は、対応するアノードが担当するウ
ェハー領域に比例するように設定する。 工程９：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッキ
電流を使用する場合、電力供給源１１、１２、１３及び
１４を同時に切る。メッキフィルム厚さの均一性を調節
するために、異なる時間で電力供給源を切ることもでき
る。
【００９４】図１６Ａ及び１６Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図１６Ａ及び１６Ｂの態様は、断続バルブ８１、８
２、８３、８４を取り除き、電解質戻り経路を、筒状壁
１００と１０３との間の１つのみに減らしたことを除い
て、図１５Ａ及び１５Ｂの態様と同様である。
【００９５】３Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ２１をのみを作用させ、ＬＭＦＣ２
２、２３、２４を切る。ウェハー全体を電解質に浸漬す
る。しかしながら、ウェハーのアノード４の上の部分の
みがＬＭＦＣ２１から電解質流れに向くようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させて、電極４に正電圧を印可し、且つ電力供給
源１２、１３及び１４を作用させて、電極３、２及び１
にそれぞれ負電圧を印可する。従って、正の金属イオン
は、ウェハー３１のアノード４の上の部分にのみメッキ
される。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１を切り且つＬＭＦＣ２１を
切る。 工程４：ＬＭＦＣ２２をのみを作用させ、ＬＭＦＣ２
１、２３、２４を切る。この様式では、ウェハー領域全
体を電解質に浸漬するが、ウェハーのアノード３の上の
領域のみがＬＭＦＣ２２からの電解質流れに向くように
する。 工程５：アノード３について工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１２を作用させて、アノード３に正電圧を
印可し、且つ電力供給源１１、１３及び１４を作用させ
て、アノード４、２及び１に負電圧を印可し、ＬＭＦＣ
２１、２３、２４を切る）。 工程６：アノード２について工程４及び５を繰り返す
（ＬＭＦＣ２３を作用させ、電力供給源１３を作用させ
てアノード２に正電圧を印可し、電力供給源１１、１２
及び１４を作用させてアノード４、３及び１に負電圧を
印可し、且つＬＭＦＣ２１、２２、２４を切る）。 工程７：アノード１について工程４及び５を繰り返す
（ＬＭＦＣ２４を作用させ、電力供給源１４を作用させ
てアノード１に正電圧を印可し、電力供給源１１、１２
及び１３を作用させてアノード４、３及び２に負電圧を
印可し、且つＬＭＦＣ２１、２２、２３を切る）。
【００９６】上述のシード層メッキ処理では、ウェハー
の周縁部からウェハーの中央部に向かってメッキする代
わりに、ウェハーの中央部から周縁部に向かってメッキ
を行うこと、又はアノードの順序を無作為に選択して行
うことができる。
【００９７】３Ｂ．３Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程８：ＬＭＦＣ２１、２２、２３及び２４を作用させ
る。原理的に、それぞれのＬＭＦＣからの電解質の流量
は、対応するアノードが担当するウェハー領域に比例す
るように設定する。 工程９：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１、
１２、１３及び１４を作用させる。原理的に、それぞれ
の電力供給源の電流は、対応するアノードが担当するウ
ェハー領域に比例するように設定する。 工程１０：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッ
キ電流を使用する場合、電力供給源１１、１２、１３及
び１４を同時に切る。また、メッキフィルム厚さの均一
性を調節するために、異なる時間で電力供給源を切るこ
ともできる。
【００９８】図１７は、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。図１７の態
様は、拡散リング１１２をそれぞれのアノードの上に加
えて、筒状壁に沿う流量を均一にすることを除いて、図
３Ａ及び３Ｂの態様と同様である。この拡散装置は、拡
散リングを通る多くの孔を開けることによって作るこ
と、又は気孔率が１０％〜９０％の多孔質材料で直接に
作ることができる。この拡散装置を作る材料は、耐酸
性、耐腐食性で、粒子及び汚染をもたらさない。
【００９９】図１８Ａ及び１８Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図１８Ａ及び１８Ｂの態様は、メッキ処理の間にそ
れぞれの電力供給源が供給する電荷を正確に測定するた
めに、それぞれの電力供給源に電荷累算装置に加えたこ
とを除いて、図３Ａ及び３Ｂの態様と同様である。例え
ば、銅イオンは２価のイオンであるので、累算された電
荷数を２で割ることによって、全銅原子数を計算するこ
とができる。
【０１００】図１９Ａ及び１９Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図１９Ａ及び１９Ｂの態様は、メッキ浴への電解質
の入口の数が１つではなく２つであることを除いて、図
３Ａ及び３Ｂの態様と同様である。これは、筒状壁の周
囲に沿う流量の均一性を更に促進する。入口の数は３、
４、５、６等であってもよい。すなわち、２よりも大き
い任意の数の入口を使用して、筒状壁の周囲に沿う流量
を均一にすることができる。
【０１０１】図２０Ａ及び２０Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図２０Ａ及び２０Ｂの態様は、図２０Ａに示すよう
に半径方向の外側に向かって筒状壁の高さが高くなって
いること、及び図２０Ｂに示すように半径方向の外側に
向かって筒状壁の高さが低くなっていることを除いて、
図１５Ａ及び１５Ｂ並びに図１６Ａ及び１６Ｂの態様と
同様である。このことは、メッキ条件を最適化するため
に電解質及びメッキ電流の流れパターンを操作する追加
の可変要素を提供する。
【０１０２】図２１Ａ及び２１Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図２１Ａ及び２１Ｂの態様は、図２１Ａに示すよう
に半径方向の外側に向かって筒状壁の高さが高くなって
いること、及び図２１Ｂに示すように半径方向の外側に
向かって筒状壁の高さが低くなっていることを除いて、
図３Ａ及び３Ｂの態様と同様である。このことは、メッ
キ条件を最適化するために電解質及びメッキ電流の流れ
パターンを操作する追加の可変要素を提供する。
【０１０３】図２２Ａ及び２２Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図２２Ａ及び２２Ｂの態様は、筒状壁を上下に動か
して流れのパターンを調節することを除いて、図３Ａ及
び３Ｂの態様と同様である。図２２Ｂに示されているよ
うに、筒状壁１０５及び１０７を上向きに動かし、それ
によってウェハーの筒状壁１０５及び１０７の上の部分
に電解質が向かうようにする。メッキ処理工程は以下の
ようなものである：
【０１０４】４Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ２１をのみを作用させ、筒状壁１０
１、１０３を動かしてウェハーに近付け、それによって
電解質がウェハーの筒状壁１０１及び１０３の上の部分
にのみ接触するようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。ウェハー３１の筒状壁１０１及び１０３
の上の部分に正の金属イオンをメッキする。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１を切り、ＬＭＦＣ２１を切
り、且つ筒状壁１０１及び１０３を動かして比較的低い
位置にする。 工程４：筒状壁１０５及び１０７に関して工程１〜３を
繰り返す（ＬＭＦＣ２２、筒状壁１０５及び１０７、並
びに電力供給源１２）。 工程５：管１０９に関して工程４を繰り返す（ＬＭＦＣ
２３、管１０９、及び電力供給源１３）。
【０１０５】４Ｂ．４Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程６：ＬＭＦＣ２１、２２及び２３を作用させ、全て
の筒状壁１０１、１０３、１０５、１０７及び管１０９
を動かして、ウェハー３１に近付ける。原理的に、それ
ぞれのＬＭＦＣからの電解質の流量は、対応するＬＭＦ
Ｃが担当するウェハー領域に比例するように設定する。 工程７：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１、
１２及び１３を作用させる。原理的に、それぞれの電力
供給源からの電流は、対応するアノード又は電力供給源
が担当するウェハー領域に比例する。 工程８：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッキ
電流を使用する場合、電力供給源１１、１２及び１３を
同時に切る。また、メッキフィルム厚さの均一性を調節
するために、異なる時間で電力供給源を切ることもでき
る。
【０１０６】図２３Ａ及び２３Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備の更に２つの態様を示してい
る。図２３Ａ及び２３Ｂの態様は、プレート１１３によ
って筒状壁及びアノードリングを６つの区画に分けてい
ることを除いて、図１５Ａ及び１５Ｂ並びに図３Ａ及び
３Ｂの態様と同様である。この区画の数は２よりも大き
い任意の数であってよい。以下の表２は、電極供給源と
アノードとの接続及びＬＭＦＣとそれぞれの区画との接
続の可能な組み合わせを示している。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】上記の表では、組み合わせのタイプ１、
２、４及び５の操作が上述の操作と同じである。組み合
わせのタイプ１、２及び３の場合、ウェハー回転機構は
なくすことができる。これは、異なる区画のそれぞれの
アノードを独立の電力供給源によって制御することによ
る。例えば、基材の一部分のメッキフィルムの厚さは、
基材のこの部分の下のアノードのメッキ時間又はメッキ
電流を制御することによって操作できる。組み合わせの
タイプ３、６、７、８及び９の操作は、以下で詳細に説
明する。
【０１０９】図２４Ａ及び２４Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様をしている。
図２４Ａ及び２４Ｂの態様は、筒状壁及びアノードリン
グを複数のロッドタイプアノード１及び管１０９で置き
換えたことを除いて、図３Ａ及び３Ｂの態様と同様であ
る。電解質は、管１０９から出て、ウェハー表面に接触
し、そして複数の孔５００を通ってタンク（図示せず）
に戻る。リングの管及びアノードは、同じ円周に配置す
る。管とアノードの隣接する２つのリングの間には複数
の孔が存在して、電解質をタンク３６に引き出す。以下
の表３は、電極供給源とアノードとの接続及びＬＭＦＣ
とそれぞれの区画との接続の可能な組み合わせを示して
いる。
【０１１０】
【表２】
【０１１１】上記の表では、組み合わせのタイプ１、
２、４及び５の操作が上述の操作と同じである。組み合
わせ１、２及び３のタイプの場合、ウェハー回転機構は
なくすことができる。これは、異なる管のそれぞれのア
ノードを、独立の電力供給源によって制御することによ
る。例えば、基材の一部分のメッキフィルムの厚さは、
基材のこの部分の下のアノードのメッキ時間又はメッキ
電流を制御することによって操作できる。組み合わせの
タイプ３、６、７、８及び９の操作は、以下で詳細に説
明する。
【０１１２】円周状リングに管及びアノードを配置する
代わりに、三角形、正方形、長方形、五角形、多角形、
及び楕円形のリングに管及びアノードを配置することが
できる。三角形、正方形、及び楕円形のリングは図２５
Ａ〜２５Ｃに示している。
【０１１３】２．複数のＬＭＦＣ及び１つの電力供給源 図２６Ａ及び２６Ｂは、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。図２６Ａ及
び２６Ｂの態様は、アノードリング及び筒状壁を１つの
アノード２４０、棒状体（ｂａｒ）２４２、並びにバル
ブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２、
２１４、２１６、及び２１８で置き換えることを除い
て、図３Ａ及び３Ｂの態様と同様である。複数の電力供
給源は、１つの電力供給源２００に減らす。新しいバル
ブは断続バルブであり、これを使用してウェハー領域へ
の電解質流れを制御する。バルブ２０８と２１２、２０
６と２１４、２０４と２１６、２０２と２１８をそれぞ
れ対称になるようにして棒状体２４２に配置する。
【０１１４】５Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ポンプ３３及びＬＭＦＣ５５を作用させ、バル
ブ２０２及び２１８を開き、駆動機構３０を作動させ、
それによってバルブ２０２及び２１８を出る電解質をウ
ェハーのバルブ２０２及び２１８の上の周縁部にのみ接
触させる。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源２０
０を作用させる。ウェハー３１のバルブ２０２及び２１
８の上の周縁部に正の金属イオンをメッキする。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源２００を切り、ＬＭＦＣ５５を
切り、且つバルブ２０２及び２１８を閉じる。 工程４：バルブ２０４及び２１６に関して工程１〜３を
繰り返す。 工程５：バルブ２０６及び２１４に関して工程４を繰り
返す。 工程６：バルブ２０８及び２１２に関して工程４を繰り
返す。 工程７：バルブ２１０に関して工程４を繰り返す。
【０１１５】上述のメッキ処理の間に、電力供給源は直
流様式、又は図８に示すパルスのような任意の様々なパ
ルス様式で操作することができる。
【０１１６】５Ｂ．５Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程８：ＬＭＦＣ５５を作用させ、全てのバルブ２０
２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２、２１
４、２１６、２１８を開き、それによって電解質がウェ
ハー領域全体に接触するようにする。 工程９：全ての流れが安定化した後で、電力供給源２０
０を作用させる。 工程１０：フィルム厚さが所定の厚さに達したときに、
電力供給源２００を切り且つ全てのバルブを閉じる。ウ
ェハーにおけるメッキフィルム厚さの均一性を調節する
ために、電力供給源２００を作用させたままで、バルブ
を異なる時間で閉めることもできる。
【０１１７】図２７は、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。図２７の態
様は、より良い均一性で金属をメッキするために、異な
る半径で全てのバルブを棒状体２４２に配置することを
除いて、図２６Ａ及び２６Ｂの態様と同様である。メッ
キ処理工程は以下に示すようなものである：
【０１１８】６Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ポンプ３３及びＬＭＦＣ５５を作用させ、バル
ブ２１８を開き、駆動機構３０を作動させ、それによっ
てバルブ２１８を出る電解質をウェハーのバルブ２１８
の上の周縁部にのみ接触させる。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源２０
０を作用させる。ウェハー３１のバルブ２１８の上の周
縁部に正の金属イオンをメッキする。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源２００及びＬＭＦＣ５５を切
り、且つバルブ２１８を閉じる。 工程４：バルブ２０４に関して工程１〜３を繰り返す。 工程５：バルブ２１６に関して工程４を繰り返す。 工程６：バルブ２０６に関して工程４を繰り返す。 工程７：バルブ２１４、２０８、２１２及び２１０に関
してそれぞれ工程４を繰り返す。
【０１１９】上述のメッキ処理の間に、電力供給源２０
０は直流様式、又は図８に示すパルスのような任意の様
々なパルス様式で操作することができる。
【０１２０】６Ｂ．６Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程８：ＬＭＦＣ５５を作用させ、且つ全てのバルブ２
０４、２０６、２０８、２１０、２１２、２１４、２１
６、２１８を開き、それによって電解質がウェハー領域
全体に接触するようにする。 工程９：全ての流れが安定化した後で、電力供給源２０
０を作用させる。 工程１０：フィルム厚さが所定の厚さに達したときに、
電力供給源２００を切り且つ全てのバルブを閉じる。ウ
ェハーにおけるメッキフィルム厚さの均一性を調節する
ために、電力供給源２００を作用させたままで、バルブ
を異なる時間で閉めることもできる。
【０１２１】図２８は、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。図２８の態
様は、追加の棒状体を加えて十字型の形状の棒状体構造
物２４４を作ることを除いて、図２６の態様と同様であ
る。バルブ２０２と２１８、２０４と２１６、２０６と
２１４、２０８と２１２を、棒状体構造物２４４の水平
部分に対称で配置する。同様に、バルブ２２０と２３
６、２２２と２３４、２２４と２３２を、棒状体構造物
２４４の垂直部分に対称で配置する。棒状体２４４の水
平部分の全てのバルブは、それぞれ棒状体２４４の垂直
部分の全てのバルブと異なる半径で配置されている。メ
ッキ処理工程は以下のようなものである：
【０１２２】７Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ポンプ３３及びＬＭＦＣ５５を作用させ、バル
ブ２１８及び２０２を開き、且つ駆動機構３０を作動さ
せ、それによってバルブ２１８を出る電解質を、ウェハ
ーのバルブ２１８及び２０２の上の周縁部にのみ接触さ
せる。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源２０
０を作用させる。ウェハー３１のバルブ２１８及び２０
２の上の周縁部に、正の金属イオンをメッキする。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源２００及びＬＭＦＣ５５を切
り、且つバルブ２１８及び２０２を閉じる。 工程４：バルブ２２０及び２３６に関して工程１〜３を
繰り返す。 工程５：バルブ２０４及び２１６に関して工程４を繰り
返す。 工程６：バルブ２２２及び２３４に関して工程４を繰り
返す。 工程７：バルブ２０６と２１４、２２４と２３２、２０
８と２１２、及び２１０のみに関して工程４を繰り返
す。
【０１２３】上述のメッキ処理の間に、電力供給源は直
流様式、又は図８に示すパルスのような任意の様々なパ
ルス様式で操作することができる。
【０１２４】７Ｂ．７Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程８：ＬＭＦＣ５５を作用させ、且つ全てのバルブ２
０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２、２１
４、２１６、２１８、２２０、２２２、２２４、２３
２、２３４、２３６を開き、それによって電解質がウェ
ハー領域全体に接触するようにする。 工程９：全ての流れが安定した後で、電力供給源２００
を作用させる。 工程１０：フィルム厚さが所定の厚さに達したときに、
電力供給源２００を切り且つ全てのバルブを閉じる。ウ
ェハーにおけるメッキフィルム厚さの均一性を調節する
ために、電力供給源２００を作用させたままで、バルブ
を異なる時間で閉めることもできる。
【０１２５】図２９Ａ〜２９Ｃは、伝導性フィルムをメ
ッキする本発明の設備の更に３つの態様の一部分を示し
ている。図２９Ａの態様は、棒状体の数を３つに増やし
たことを除いて、図２６Ａ及び２６Ｂの態様と同様であ
る。２つの隣接する棒状体の間の角度は６０°である。
図２９Ｂの態様は、棒状体の数を４つに増やしたことを
除いて、図２６Ａ及び２６Ｂの態様と同様である。２つ
の隣接する棒状体の間の角度は４５°である。図２９Ｃ
の態様は、棒状体の数を０．５に減らしたこと、すなわ
ち棒状体を半分にしたことを除いて、図２６Ａ及び２６
Ｂの態様と同様である。あるいは、棒状体の数は５、
６、７、又はそれ以上にすることができる。
【０１２６】メッキ処理は、ウェハーの周縁部に近いバ
ルブから開始すること、又はウェハーの中央部から開始
すること、又は無作為に開始することができる。予めメ
ッキされた金属シード層（比較的大きい直径）は次のシ
ード層（比較的小さい直径）のメッキのために電流を運
ぶことができるので、ウェハーの周縁部からメッキを開
始することが好ましい。
【０１２７】図３０Ａ及び３０Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図３０Ａ及び３０Ｂの態様は、位置固定バルブ（ジ
ェット）を２つの可動式アノードジェット２５４で置き
換えたことを除いて、図２６Ａ及び２６Ｂの態様と同様
である。アノードジェット２５４は、ウェハー３１の下
に配置して、棒状体２５０のガイドに乗せる。アノード
ジェット２５４は、電位質をウェハー３１の一部分に吹
き付け、また図３０Ｂに示されるようにｘ方向に動くこ
とができる。新しい電解質は、フレキシブルパイプ２５
８を通して供給する。この態様は、シード層のメッキの
ために特に有利である。シード層メッキ処理工程は以下
に示すようなものである：
【０１２８】８Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ポンプ３３及びＬＭＦＣ５５を作用させ、バル
ブ３５６を開き、且つ駆動機構３０を作用させ、それに
よってバルブ３５６を出る電解質を、ウェハーのバルブ
３５６の上の周縁部にのみ接触させる。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源２０
０を作用させる。ウェハー３１のバルブ３５６の上の周
縁部に、正の金属イオンをメッキする。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源２００及びＬＭＦＣ５５を切
り、且つバルブ３５６を閉じる。 工程４：アノードジェット２５４を、比較的半径が小さ
い次の部分に移動させる。 工程５：薄いフィルムによってウェハー全体がメッキさ
れるまで、工程１〜４を繰り返す。 上述の処理工程は以下のように変更することができる： 工程１：上記の工程と同様。 工程２：上記の工程と同様。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さの特
定の割合に達したときに、アノードジェット２５４をウ
ェハーの中央部に向けて半径方向でゆっくりと移動させ
始める。アノードジェット２５４を移動させる速度は、
所定の値又は厚さによって決定する。また、アノードジ
ェット２５４によってメッキされる表面領域は、アノー
ドジェット２５４がある部分の半径に比例するので、ア
ノードジェット２５４を移動させる速度は、ウェハーの
中央部分に向かうにつれて速くなる。 工程４：アノードジェット２５４がウェハーの中央部に
達したときに、電力供給源２００及びＬＭＦＣ５５を切
り、且つバルブ３５６を閉じる。
【０１２９】図３１Ａ及び３１Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図３１Ａ及び３１Ｂの態様は、Ｙ方向に２つの追加
の可動式アノードジェットを加えて、メッキ速度を増加
させることを除いて、図３０Ａ及び３０Ｂの態様と同様
である。処理の手順は、図３０Ａ及び３０Ｂの態様と同
様である。
【０１３０】図３２Ａ及び３２Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図３２Ａ及び３２Ｂの態様は、ウェハー３１を電解
質中に浸漬させることを除いて、図３０Ａ及び３０Ｂの
態様と同様である。可動式アノードはウェハー３１に非
常に近付けて配置して、メッキ電流をウェハー３１の一
部分に集める。この間隔の大きさは、０．１ｍｍ〜５ｍ
ｍ、好ましくは１ｍｍである。処理の手順は、図３０の
態様と同様である。
【０１３１】図３３Ａ及び３３Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図３３Ａ及び３３Ｂの態様は、新しい電解質をフレ
キシブルパイプ２５８を通してアノードジェット２５４
に送る代わりに、新しい電解質を浴の中央から入れてパ
イプ２６０に通すことを除いて、図３２Ａ及び３２Ｂの
態様と同様である。また、ウェハー３１は電解質に浸漬
させている。同様に、可動式アノードはウェハー３１に
非常に近付けて配置して、メッキ電流をウェハー３１の
一部分に集める。この間隔の大きさは、０．１ｍｍ〜５
ｍｍ、好ましくは１ｍｍである。処理の手順は、図３０
の態様と同様である。
【０１３２】図３４Ａ〜３４Ｄは、本発明の可動式アノ
ードの４つの態様を示している。図３４Ａは、アノード
２５２及びケース２６２からなるアノード構造を示して
いる。ケース２６２は、テトラフルオロエチレン、ＰＶ
Ｃ、ＰＶＤＦ又はポリプロピレンのような絶縁材料から
できている。図３４Ｂは、アノード２６６及びケース２
６４からなるアノード構造を示している。電解質は、ケ
ース２６４の底部の孔を通して供給する。図３４Ｃは、
アノード２６２、電極２７４及び２７０、絶縁スペーサ
ー２７２及びケース２６２、並びに電力供給源２７６、
２６８からなるアノード構造を示している。電極２７４
は、電力供給源２７６の負極側に接続されており、電極
２７０はカソードウェハー３１に接続されている。電極
２７４の機能は、ケース２６２から流出する全ての金属
イオンを捕らえること、すなわちケース２６２の外側の
ウェハー領域にはフィルムがメッキされないようにする
ことである。電極２７０の機能は、電極２７４からの電
場の漏れを防いで、全てのエッチング効果を最少化する
ことである。図３４Ｄの態様は、ケース２６４の底部に
孔が存在してそこを通って電解質が流れることを除い
て、図３４Ｃの態様と同様である。
【０１３３】図３５は、メッキ処理の間のウェハーの表
面状態を示している。ウェハー領域２８０はシード層に
よってメッキされており、ウェハー領域２８４はメッキ
処理中であり、ウェハー領域２８２はまだメッキされて
いない。
【０１３４】図３６Ａ〜３６Ｃは、伝導性フィルムをメ
ッキする本発明の設備の更に３つの態様を示している。
図３６Ａの態様は、棒状体の数を３つに増やしたことを
除いて、図３０Ａ及び３０Ｂの態様と同様である。２つ
の隣接する棒状体の間の角度は６０°である。図３６Ｂ
の態様は、棒状体の数を４つに増やしたことを除いて、
図３０Ａ及び３０Ｂの態様と同様である。２つの隣接す
る棒状体の間の角度は４５°である。図３６Ｃの態様
は、棒状体の数を０．５に減らしたこと、すなわち棒状
体を半分にしたことを除いて、図３０Ａ及び３０Ｂの態
様と同様である。あるいは、棒状体の数は５、６、７、
又はそれ以上にすることができる。
【０１３５】図３６Ｄの態様は、棒状体２５０の形状を
直線型ではなくらせん状の形状にしたことを除いて、図
３０Ａ及び３０Ｂの態様と同様である。可動式アノード
ジェット２５４は、らせん状の棒状体に沿って移動させ
ることができ、それによってウェハーを回転させなくて
も良い均一性のメッキを得ることができる。これはウェ
ハーチャックの機構を単純化する。
【０１３６】図３７Ａ及び３７Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備の更に２つの態様を示してい
る。図３７Ａ及び３７Ｂの態様は、それぞれ、ウェハー
を上下反対に配置すること及び垂直に配置することを除
いて、図３０Ａ及び３０Ｂの態様と同様である。
【０１３７】図３８Ａ及び３８Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図３８Ａ及び３８Ｂの態様は、全てのアノードを一
体型アノード８で置き換えることを除いて、図１６Ａ及
び１６Ｂの態様と同様である。アノード８は、１つの電
力供給源１１に接続する。この態様のメッキ処理工程は
以下のようなものである：
【０１３８】９Ａ．バリアー層に直接に（又はシード層
に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ２１を作用させ、バルブ８２、８３及
び８４を開き、ＬＭＦＣ２２、２３、２４を切り、且つ
バルブ８１を閉じ、それによって電解質をウェハーのサ
ブメッキ浴６６の上の部分にのみ接触させ、筒状壁１０
０と１０３、１０５と１０７、１０７と１０９の間の間
隔及び管１０９の戻り経路を通してタンク３６に戻す。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。ウェハー３１のサブメッキ浴６６の上の
部分に、正の金属イオンをメッキする。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１及びＬＭＦＣ２１を切る。 工程４：ＬＭＦＣ２２に関して工程１〜３を繰り返す
（ＬＭＦＣ２２を作用させ、バルブ８１、８３、８４を
開け、電力供給源１１を作用させ、且つＬＭＦＣ２１、
２３、２４を切り、バルブ８２を閉める）。 工程５：ＬＭＦＣ２３に関して工程４を繰り返す（ＬＭ
ＦＣ２３を作用させ、バルブ８１、８２、８４を開け、
電力供給源１１を作用させ、且つＬＭＦＣ２１、２２、
２４を切り、バルブ８３を閉める）。 工程６：ＬＭＦＣ２４に関して工程４を繰り返す（ＬＭ
ＦＣ２４を作用させ、バルブ８１、８２、８３を開け、
電力供給源１１を作用させ、且つＬＭＦＣ２１、２２、
２３を切り、バルブ８４を閉める）。 上述のシード層メッキ処理では、ウェハーの周縁部から
ウェハーの中央部に向かってメッキする代わりに、ウェ
ハーの中央部からウェハーの周縁部に向かってメッキす
ること、又は無作為に選択したアノード順序で行うこと
もできる。
【０１３９】９Ｂ．９Ａの処理においてメッキした金属
シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程７：ＬＭＦＣ２１、２２、２３及び２４を作用さ
せ、且つバルブ８１、８２、８３及び８４を閉じる。原
理的に、それぞれのＬＭＦＣからの電解質の流量は対応
するＬＭＦＣが担当するウェハー領域に比例するように
設定する。 工程８：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１を
作用させる。 工程９：フィルム厚さが所定の厚さに達したときに、電
力供給源１１を切る。
【０１４０】図３９に示すように、ＬＭＦＣを異なる時
間で切って、メッキフィルム厚さの均一性を調節するこ
とができる。時間ｔ1 では、ＬＭＦＣ２１、２３及び２
４のみが切りられており、またバルブ８１、８３及び８
４が閉じられている。従って電解質は、サブメッキ浴６
４の上の領域以外ではウェハーに接触していない。電力
供給源１１は作用しているままなので、金属イオンは、
サブメッキ浴６４の上の領域にのみメッキされる。ＬＭ
ＦＣ２２は時間ｔ2 で切る。同様にＬＭＦＣ２４は時間
ｔ3 で作用させ、時間ｔ4 で切って、サブメッキ浴６０
の上のウェハー領域で追加のメッキを得る。停止時間ｔ
2 及びｔ4 は、ウェハー厚さの均一性を測定することに
よって、細かく調節することができる。
【０１４１】図４０Ａ及び４０Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図４０Ａ及び４０Ｂの態様は、全てのアノードを１
つの電力供給源１１に接続することを除いて、図３Ａ及
び３Ｂの態様と同様である。シードメッキ処理の間にア
ノードの上のウェハー部分にのみ電解質が接触するの
で、メッキ電流はアノードを通りウェハーのその部分に
のみ流れる。このメッキ処理工程は、電力供給源１１を
電力供給源１２及び１３で置き換えれば、図３Ａ及び３
Ｂの態様と同様である。
【０１４２】図４１Ａ及び４１Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図４１Ａ及び４１Ｂの態様は、筒状壁が上下に動い
て流れのパターンを調節できることを除いて、図４０Ａ
及び４０Ｂの態様と同様である。図４１Ｂに示されてい
るように、筒状壁１０５及び１０７が上方向に移動し、
それによって電解質が筒状壁１０５及び１０７の上のウ
ェハー部分に向かうようになっている。この態様のメッ
キ処理工程は以下のようなものである：
【０１４３】１０Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ２１のみを作用させ、筒状壁１０１及
び１０３を動かしてウェハーに近付け、それによってウ
ェハーの筒状壁１０１及び１０３の上の部分にみ電解質
が接触するようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。ウェハー３１の筒状壁１０１及び１０３
の上の部分に、正の金属イオンがメッキされる。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１及びＬＭＦＣ２１を切り、
筒状壁１０１及び１０３を動かして下側の位置にする。 工程４：筒状壁１０５及び１０７に関して工程１〜３を
繰り返す（ＬＭＦＣ２２、筒状壁１０５及び１０７）。 工程５：管１０９に関して工程４を繰り返す（ＬＭＦＣ
２３及び管１０９）。
【０１４４】１０Ｂ．１０Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程６：ＬＭＦＣ２１、２２及び２３を作用させ、且つ
全ての筒状壁１０１、１０３、１０５、１０７及び管１
０９を動かしてウェハー３１に近付ける。原理的に、そ
れぞれのＬＭＦＣからの電解質の流量は、対応するＬＭ
ＦＣが担当するウェハー領域に比例するように設定す
る。 工程７：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１を
作用させる。 工程８：フィルム厚さが所定の値に達したときに、全て
の筒状壁を下側の位置に動かし、全てのＬＭＦＣを同時
に切り、そして電力供給源１１を切る。厚さの均一性を
改良するために、電力供給源１１を作用させたままで、
それぞれの筒状壁の対を異なる時間で下向きに移動させ
ることもできる。例えば図４１Ｂに示されるように、筒
状壁１０５及び１０７は、ＬＭＦＣ２２を作用させたま
まで、比較的高い位置に維持する。筒状壁１０５及び１
０７の上のウェハー領域は、追加のメッキフィルムを得
る。追加のメッキ時間及び箇所は、ウェハーにおけるメ
ッキフィルムの厚さの均一性を解析することによって、
決定することができる。
【０１４５】３．複数の電力供給源及び単一のＬＭＦＣ 図４２Ａ及び４２Ｂは、上部にバリアー層を有する基材
に直接に伝導性フィルムをメッキする本発明の、複数の
電力供給源及び単一のＬＭＦＣを有する設備の態様であ
る。図４２Ａ及び４２Ｂの態様は、ＬＭＦＣ２１、２
２、２３及び２４を単一のＬＭＦＣ５５で置き換えたこ
とを除いて、図１６Ａ及び１６Ｂの態様と同様である。
【０１４６】１１Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ５５を作用させ、ウェハー全体を電解
質に浸漬する。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させて電極４に正電圧を印可し、電力供給源１
２、１３及び１４を作用させて電極３、２及び１にそれ
ぞれ負電圧を印可する。従って、正の金属イオンは、ウ
ェハー３１のアノード４の上の部分にのみメッキされ
る。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１を切る。 工程４：アノード３に関して関して工程２及び３を繰り
返す（電力供給源１２を作用させてアノード３に正電圧
を印可し、電力供給源１１、１３及び１４を作用させて
電極２及び１にそれぞれ負電圧を印可する）。 工程５：アノード２に関して関して工程４を繰り返す
（電力供給源１３を作用させてアノード２に正電圧を印
可し、電力供給源１４を作用させて電極１に負電圧を印
可する）。 工程６：アノード１に関して関して工程４を繰り返す
（電力供給源１４を作用させてアノード１に正電圧を印
可する）。
【０１４７】図４３は、ウェハー領域４（アノード４の
上）、３、２及び１をメッキするための、電力供給源の
オン／オフの順序を示している。電力供給源の出力は波
形としては様々な波形を選択することができ、例えば図
４４に示すような変形サイン波、単一極パルス、反転パ
ルス、パルス−オン−パルス、又は２パルスを選択する
ことができる。
【０１４８】上述のシード層メッキ処理では、ウェハー
の周縁部からウェハーの中央部に向かってメッキする代
わりに、ウェハーの中央部からウェハーの周縁部に向か
ってメッキすること、又は無作為に選択したアノード順
序で行うこともできる。
【０１４９】１１Ｂ．１１Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程７：ＬＭＦＣ５５を作用させる。 工程８：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１、
１２、１３及び１４を作用させる。原理的に、それぞれ
の電力供給源からの電流は、対応するアノードが担当す
るウェハー領域に比例するように設定する。 工程９：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッキ
電流を使用する場合、電力供給源１１、１２、１３及び
１４を同時に切る。あるいは、電力供給源を異なる時間
で切って、メッキフィルム厚さの均一性を調節すること
ができる。
【０１５０】図４５Ａ及び４５Ｂは、上部にバリアー層
を有する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする本発
明の、複数の電力供給源及び単一のＬＭＦＣを有する設
備のもう１つの態様である。図４５Ａ及び４５Ｂの態様
は、筒状壁が上下に動いて流れのパターンを調節できる
ことを除いて、図４２Ａ及び４２Ｂの態様と同様であ
る。図４５に示されているように、筒状壁１０５及び１
０７が上向きに移動し、それによって電解質がウェハー
の筒状壁１０５及び１０７の上の部分に流れるようにす
る。この態様でのメッキ処理工程は以下に示すようなも
のである：
【０１５１】１２Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ５５を作用させ、筒状壁１０１及び１
０３を動かしてウェハーに近付け、それによって電解質
がウェハーの筒状壁１０１及び１０３の上の部分にのみ
接触するようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。正の金属イオンは、ウェハー３１の筒状
壁１０１及び１０３の上の部分にのみメッキされる。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１を切り、筒状壁１０１及び
１０３を動かして下側の位置にする。 工程４：筒状壁１０５及び１０７に関して工程１〜３を
繰り返す（筒状壁１０５及び１０７、並びに電力供給源
１２）。 工程５：管１０９に関して関して工程４を繰り返す（管
１０９、及び電力供給源）。
【０１５２】１２Ｂ．１２Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程６：ＬＭＦＣ５５を作用させ、全ての筒状壁１０
１、１０３、１０５、１０７及び管１０９を動かして、
ウェハー３１に近付ける。 工程７：全ての流れが安定した後で、電力供給源１１、
１２及び１３を作用させる。原理的に、それぞれの電力
供給源からの電流は、対応するアノード又は電力供給源
が担当するウェハー領域に比例している。 工程８：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッキ
電流を使用する場合、電力供給源１１、１２及び１３を
同時に切る。あるいは、電力供給源を異なる時間で切っ
て、メッキフィルム厚さの均一性を調節することができ
る。
【０１５３】図４６Ａ及び４６Ｂは、上部にバリアー層
を有する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする本発
明の、複数の電力供給源及び単一のＬＭＦＣを有する設
備のもう１つの態様である。図４６Ａ及び４６Ｂの態様
は、図４６Ｂに示すように、筒状壁の高さが半径方向の
外側に行くに従って低くなっていることを除いて、図４
２Ａ及び４２Ｂの態様と同様である。電解質の流れのパ
ターン又は形状は、筒状壁１２０を上下に動かすことで
調節することができる。この筒状壁を最も高い位置に移
動させると、ウェハー領域全体が電解質と接触し、この
筒状壁１２０を最も低い位置に移動させると、ウェハー
の中央部分が電解質と接触する。この態様でのメッキ処
理工程は以下に示すようなものである：
【０１５４】１３Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ５５を作用させ、筒状壁１２０を動か
して最も高い位置にし、それによって電解質がウェハー
３１の全領域に接触するようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させてアノード４に正電圧を印可し、電力供給源
１２、１３及び１４を作用させてアノード３、２及び１
にそれぞれ負電圧を印可する。従って、正の金属イオン
は、アノード４の上のウェハー３１の周縁部にのみメッ
キされる。 工程３：ウェハー周縁部の伝導性フィルムの厚さが所定
の値又は厚さになったときに、電力供給源１１を切る。 工程４：筒状壁１２０を動かして比較的低い位置にし、
それによって工程３において薄い金属フィルムでメッキ
したウェハーの周縁部のみが電解質と接触しないように
する。 工程５：アノード３に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１２を作用させてアノード３に正電圧を印
可し、電力供給源１３及び１４を作用させてアノード２
及び１に負電圧を印可する）。 工程６：筒状壁１２０を動かして更に比較的低い位置に
し、それによって工程５において薄い金属フィルムによ
ってメッキされたウェハーの周縁部のみが電解質と接触
しないようにする。 工程７：アノード２に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１３を作用させてアノード２に正電圧を印
可し、電力供給源１４を作用させてアノード１に負電圧
を印可する）。 工程８：筒状壁１２０を動かして更に比較的低い位置に
し、それによって工程７において薄い金属フィルムによ
ってメッキされたウェハーの周縁部のみが電解質と接触
しないようにする。 工程９：アノード１に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１４を作用させてアノード１に正電圧を印
可する）。
【０１５５】１３Ｂ．１３Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程１０：ＬＭＦＣ５５を作用させ、筒状壁１２０を動
かして最も高い位置にし、それによってウェハー３１の
全領域が電解質と接触するようにする。 工程１１：流れが安定した後で、電力供給源１１、１
２、１３及び１４を作用させる。原理的に、それぞれの
電力供給源からの電流は、対応するアノード又は電力供
給源が担当するウェハー領域に比例している。 工程１２：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッ
キ電流を使用する場合、電力供給源１１、１２、１３及
び１４を同時に切る。あるいは、それぞれの電力供給源
を異なる時間で切って、メッキフィルム厚さの均一性を
調節することができる。
【０１５６】図４７Ａ及び４７Ｂは、上部にバリアー層
を有する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする本発
明の、複数の電力供給源及び単一のＬＭＦＣを有する設
備のもう１つの態様である。図４７Ａ及び４７Ｂの態様
は、筒状壁１２０の位置を固定し、電解質の流量を調節
することによって電解質の高さを変えることを除いて、
図４６Ａ及び４６Ｂの態様と同様である。電解質の流量
が大きい場合、電解質の高さは高く、それによって全ウ
ェハー領域が電極と接触する。流量が少ない場合、電解
質の高さが低く、それによって図４７Ｂに示すようにウ
ェハー３１の周縁部は電解質から出る。この態様でのメ
ッキ処理工程は以下に示すようなものである：
【０１５７】１４Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ５５を作用させ、電解質がウェハー３
１の全領域に接触するのに十分に大きいように電解質の
流量を設定する。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させてアノード４に正電圧を印可し、電力供給源
１２、１３及び１４を作用させてアノード３、２及び１
にそれぞれ負電圧を印可する。従って、正の金属イオン
は、アノード４の上のウェハー３１の周縁部にのみメッ
キされる。 工程３：ウェハー周縁部の伝導性フィルムの厚さが所定
の値又は厚さになったときに、電力供給源１１を切る。 工程４：電解質の流量を減少させ、それによって工程３
において薄い金属フィルムでメッキしたウェハーの周縁
部のみが電解質と接触しないようにする。 工程５：アノード３に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１２を作用させてアノード３に正電圧を印
可し、電力供給源１３及び１４を作用させてアノード２
及び１に負電圧を印可する）。 工程６：電解質の流量を減少させ、それによって工程５
において薄い金属フィルムでメッキしたウェハーの周縁
部のみが電解質と接触しないようにする。 工程７：アノード２に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１３を作用させてアノード２に正電圧を印
可し、電力供給源１４を作用させてアノード１に負電圧
を印可する）。 工程８：電解質の流量を減少させ、それによって工程７
において薄い金属フィルムでメッキしたウェハーの周縁
部のみが電解質と接触しないようにする。 工程９：アノード１に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１４を作用させてアノード１に正電圧を印
可する）。
【０１５８】１４Ｂ．１４Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程１０：電解質の流量を増加させ、ウェハー３１全体
が電解質と接触するようにする。 工程１１：流れが安定した後で、電力供給源１１、１
２、１３及び１４を作用させる。原理的に、それぞれの
電力供給源からの電流は、対応するアノード又は電力供
給源が担当するウェハー領域に比例している。 工程１２：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッ
キ電流を使用する場合、電力供給源１１、１２、１３及
び１４を同時に切る。あるいは、それぞれの電力供給源
を異なる時間で切って、フィルム厚さの均一性を調節す
ることができる。
【０１５９】図４８Ａ及び４８Ｂは、上部にバリアー層
を有する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする本発
明の、複数の電力供給源及び単一のＬＭＦＣを有する設
備のもう１つの態様である。図４８Ａ及び４８Ｂの態様
は、電解質の高さの固定し、ウェハー３１自身を上下に
動かして、電解質と接触するウェハー領域の大きさを調
節することを除いて、図４７Ａ及び４７Ｂの態様と同様
である。ウェハー３１を最も低い位置に移動させると、
ウェハー領域全体が電解質と接触する。ウェハー３１を
最も高い位置に移動させると、図４８Ｂのようにウェハ
ー３１の中央部分のみが電解質と接触する。この態様で
のメッキ処理工程は以下に示すようなものである：
【０１６０】１５Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ５５を作用させ、電解質がウェハー３
１の全領域に接触するようにウェハー３１を移動させ
る。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させてアノード４に正電圧を印可し、電力供給源
１２、１３及び１４を作用させてアノード３、２及び１
にそれぞれ負電圧を印可する。従って、正の金属イオン
は、アノード４の上のウェハー３１の周縁部にのみメッ
キされる。 工程３：ウェハー周縁部の伝導性フィルムの厚さが所定
の値又は厚さになったときに、電力供給源１１を切る。 工程４：ウェハー３１を上方向に移動させ、それによっ
て工程３において薄い金属フィルムでメッキしたウェハ
ーの周縁部のみが電解質と接触しないようにする。 工程５：アノード３に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１２を作用させてアノード３に正電圧を印
可し、電力供給源１３及び１４を作用させてアノード２
及び１に負電圧を印可する）。 工程６：ウェハー３１を上方向に移動させ、それによっ
て工程５において薄い金属フィルムでメッキしたウェハ
ーの周縁部のみが電解質と接触しないようにする。 工程７：アノード２に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１３を作用させてアノード２に正電圧を印
可し、電力供給源１４を作用させてアノード１に負電圧
を印可する）。 工程８：ウェハー３１を上方向に移動させ、それによっ
て工程７において薄い金属フィルムでメッキしたウェハ
ーの周縁部のみが電解質と接触しないようにする。 工程９：アノード１に関して工程２及び３を繰り返す
（電力供給源１４を作用させてアノード１に正電圧を印
可する）。
【０１６１】１５Ｂ．１５Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程１０：ウェハー３１を下向きに移動させ、ウェハー
３１の全領域が電解質と接触するようにする。 工程１１：流れが安定した後で、電力供給源１１、１
２、１３及び１４を作用させる。原理的に、それぞれの
電力供給源からの電流は、対応するアノード又は電力供
給源が担当するウェハー領域に比例している。 工程１２：厚さの均一性を調節する可変要素としてメッ
キ電流を使用する場合、電力供給源１１、１２、１３及
び１４を同時に切る。あるいは、それぞれの電力供給源
を異なる時間で切って、フィルム厚さの均一性を調節す
ることができる。
【０１６２】４．単一の電力供給源及び単一のＬＭＦＣ 図４９Ａ及び４９Ｂは、上部にバリアー層を有する基材
に直接に伝導性フィルムをメッキする本発明の、単一の
電力供給源及び単一のＬＭＦＣを有する設備のもう１つ
の態様である。図４９Ａ及び４９Ｂの態様は、電力供給
源の数を１つの減少させて、全てのアノードを単一の電
力供給源１１に接続することを除いて、図４５Ａ及び４
５Ｂの態様と同様である。同様に、筒状壁を上下に移動
させて、流れのパターンを調節することができる。図４
９Ｂに示されるように、筒状壁１０５及び１０７を上向
きに動かして、ウェハーの筒状壁１０５及び１０７の上
の部分に向けて電解質を流す。この態様でのメッキ処理
工程は以下に示すようなものである：
【０１６３】１６Ａ．バリアー層に直接に（又はシード
層に）伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：ＬＭＦＣ５５を作用させ、筒状壁１０１及び１
０３を動かしてウェハー３１に近付け、それによって電
荷質がウェハーの筒状壁１０１及び１０３の上の部分に
のみ接触するようにする。 工程２：電解質の流れが安定した後で、電力供給源１１
を作用させる。正の金属イオンは、ウェハー３１の筒状
壁１０１及び１０３の上の部分にのみメッキされる。 工程３：伝導性フィルムの厚さが所定の値又は厚さにな
ったときに、電力供給源１１を切り、筒状壁１０１及び
１０３を比較的低い位置に移動させる。 工程４：筒状壁１０５及び１０７に関して工程１〜３を
繰り返す（筒状壁１０５及び１０７を動かしてウェハー
３１に近付け、電力供給源１１を作用させる）。 工程５：管１０９に関して工程４を繰り返す（管１０９
を動かしてウェハー３１に近付け、電力供給源１１を作
用させる）。
【０１６４】１６Ｂ．１６Ａの処理においてメッキした
金属シード層に、続けて金属をメッキする処理工程 工程６：ＬＭＦＣ５５を作用させ、全ての筒状壁１０
１、１０３、１０５、１０７及び管１０９を動かしてウ
ェハー３１に近付ける。 工程７：流れが安定した後で、電力供給源１１を作用さ
せる。 工程８：フィルム厚さが所定の値に達したときに、全て
の筒状壁を同時に下向きに移動させ、電力供給源１１を
切る。それぞれの対の筒状壁は、電力供給源１１を作用
させたままで、異なる時間で下向きに移動させて、厚さ
の均一性を調節することができる。例えば、図４９Ｂに
示されているように、電力供給源１１を作用させたまま
で、筒状壁１０５及び１０７を比較的高い位置に維持す
ることができる。筒状壁１０５及び１０７の上のウェハ
ー領域は、追加のメッキ処理を受ける。追加のメッキの
時間の長さ及び箇所は、後のフィルムの特性によってウ
ェハーにおけるフィルム厚さの均一性を解析して決定す
ることができる。
【０１６５】５．他の可能な組み合わせ 流量調節装置、例えば図１７の態様で示す拡散装置は、
単一のＬＭＦＣを使用する全ての態様で使用することが
できる。多段階フィルター、例えば第１のフィルターが
１μｍよりも大きい粒子をろ過する粗いフィルターであ
り第２のフィルターが０．１μｍよりも大きい粒子をろ
過する細かいフィルターである一連の接続された２つの
フィルターを使用することができる。また、ウェハーを
回転させる代わりに、ウェハーにおける良好なフィルム
の均一性を得るために、メッキ処理の間にメッキ浴を回
転させることができる。この場合、メッキ電流を導通さ
せるためのスリップリングを使用するべきである。また
このスリップリングは、電解質を輸送するようにする。
あるいは、電解質を輸送するための別の構造を使用して
もよい。
【０１６６】その場の厚さ均一性監視装置を、図５０に
示すように本発明のメッキ浴に加えることができる。１
つの厚さ検出器５００を、異なる半径の流路又はそれぞ
れのサブメッキ浴、の下に設置する。検知器５００は厚
さの信号を検知して、コンピューター５０２に送る。コ
ンピューター５０２はこの信号を処理して、厚さの均一
性を求める。また、ウェハーの回転位置をコンピュータ
ー５０２にインプットして、周囲方向に沿う位置を決め
ることができる。この場合には、メッキ浴の底部は透明
な材料で作り、又はメッキ浴の底部がレーザー光が透過
する窓を持つようにする。
【０１６７】図５１は、厚さ均一性監視装置を有する設
備のもう１つの態様を示している。この態様は、光学フ
ァイバー５０４を使用することを除いて図５０の態様と
同様である。検知装置５００からのレーザービームは光
学ファイバー５０４を通ってウェハーに達する。ウェハ
ーで反射したレーザービームは、再び光学ファイバー５
０４を通って検知装置５００に戻る。この態様の利点
は、メッキ浴の底部を透明な材料で作る必要がないこと
である。
【０１６８】本発明の設備及び方法を使用して、様々な
金属をメッキすることができる。例えば、銅、ニッケ
ル、クロム、亜鉛、カドミウム、銀、金、ロジウム、パ
ラジウム、プラチナ、スズ、鉛、鉄、及びインジウムの
全てを本発明でメッキすることができる。
【０１６９】銅をメッキする場合、３つのタイプの電解
質を使用する。これは、シアニド、酸、及びピロリン酸
錯電解質である。シアン化銅電解質の基本的な組成は、
シアン化銅；シアン化ナトリウム、炭酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、及びロッシェル塩である。酸性銅電解
質の基本的な組成は、硫酸銅、硫酸、フルオロホウ酸
銅、フルオロホウ酸、及びホウ酸である。ピロリン酸銅
電解質の基本的な組成は、ピロリン酸銅、ピロリン酸カ
リウム、硝酸アンモニウム、及びアンモニアである。処
理の調和性を考慮すると、半導体ウェハーを銅メッキす
るためには酸性銅電解質が好ましい。
【０１７０】銀をメッキする場合、シアニド電解質を使
用する。シアニド電解質の基本的な組成は、シアン化
銀、シアン化カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウ
ム、及び硝酸カリウムである。
【０１７１】金をメッキする場合、シアニド電解質を使
用する。シアニド電解質の基本的な組成は、シアン化カ
リウム金、シアン化カリウム、炭酸カリウム、リン酸二
カリウム一水素、水酸化カリウム、リン酸一カリウム二
水素、及び硝酸カリウムである。
【０１７２】添加剤を使用して、表面の滑らかさ、小さ
い粒度、樹状構造形成傾向の減少、小さいフィルム応
力、小さい抵抗率、良好な付着性、及び比較的良好な隙
間充填能力に関するフィルムの品質を促進することがで
きる。酸性銅メッキの場合、ニカワ、デキストロース、
フェノールスルホン酸、糖蜜（ｍｏｌａｓｓｓｅｓ）、
及びチオ尿素の様な物質を添加剤として使用することが
できる。シアン化銅のメッキのための添加剤としては、
活性硫黄基を有する及び／又はセレニウム若しくはテル
リウムのようなメタロイドを含む化合物；活性硫黄を伴
う有機アミン又はそれらの反応生成物を含む化合物；セ
レニウム、テルリウム、鉛、タリウム、アンチモン、ヒ
素のような金属を含む無機化合物；並びに有機窒素及び
硫黄ヘテロ環化合物を挙げることができる。
【０１７３】５．系の構造設計（積み重ね構造） 図５２Ａ〜５２Ｃは、半導体ウェハーに伝導性フィルム
メッキする本発明のメッキ系の１つの態様の概略図であ
る。これは独立式のコンピューターによって完全に制御
された系であり、自動ウェハー輸送装置、並びにウェハ
ーのドライイン及びドライアウト能力を備えた清浄化モ
ジュールを有する。これは、５つの積み重ねメッキ浴３
００、３０２、３０４、３０６及び３０８、５つの積み
重ね清浄化／乾燥容器３１０、３１２、３１４、３１
６、３１８、ロボット３２２、ウェハーカセット３２
１、３２２、電解質タンク３６、並びに配管ボックス３
３０からなっている。上述のように、メッキ浴３００
は、アノード、筒状壁又は管、ウェハーチャック、及び
メッキ処理の間にウェハーを回転させる又は振動させる
駆動装置、からなっている。電解質タンク３６は、温度
制御装置を含む。配管ボックス３３０は、ポンプ、ＬＭ
ＦＣ、バルブ、フィルター、及び配管接続からなってい
る。メッキ系は、コンピューター制御ハードウェア、電
力供給源、及びオペレーティングシステム制御ソフトウ
ェアパッケージを更に有する。ロボット３２２は、大き
いｚ−行程を有する。Ｇｅｎｍａｒｋ Ａｕｔｏｍａｔ
ｉｏｎ社によって製造されている全位置能力を持つ多段
式タイプの（積み重ね式の）ロボットが好ましい。この
態様のための操作処理の順序は以下に示すようなもので
ある：
【０１７４】単一ウェハーのメッキ処理操作順序 工程Ａ：ウェハーカセット３２０、３２１を手動で又は
ロボットでメッキ機器に装填する。 工程Ｂ：処理方法を選択して、処理を開始する。 工程Ｃ：制御ソフトウェアがシステム初期化する。これ
は、処理方法の仕様における全てのシステムパラメータ
ーを調べること、及びシステムに警告が存在しないこと
を確認することを含む。 工程Ｄ：初期化が終了した後で、ロボット３２２がカセ
ット３２０又は３２１からウェハーを取って、ウェハー
をメッキ浴（３００又は３０２又は３０４又は３０６又
は３０８）のうちの１つに送る。 工程Ｅ：ウェハーに金属フィルムをメッキする。 工程Ｆ：メッキ処理が終了した後で、ロボット３２２が
メッキ浴からウェハーを取って、このウェハーを清浄化
／乾燥容器（３１０又は３１２又は３１４又は３１６又
は３１８）のうちの１つに運ぶ。 工程Ｇ：メッキされたウェハーを清浄化する。 工程Ｈ：スピンドライ及び／又はＮ2 パージによってメ
ッキされたウェハーを乾燥する。工程Ｉ：ロボット３２
２が乾燥したウェハーを取って、このウェハーをカセッ
ト３２０又は３２１に運ぶ。
【０１７５】図５３は、複数のウェハーを同時にメッキ
するための処理の順序を示している。複数のウェハーを
メッキするための処理の順序は、工程Ｉの後でカセット
３２０又は３２１に未処理のウェハーが残っているかを
コンピューターが調べることを除いて、単一のウェハー
をメッキするための処理の順序と同様である。カセット
３２０又は３２１に未処理のウェハーが残っていない場
合、システムループは工程Ａに戻る。すなわち、新しい
カセットを装填又はカセットを交換する。カセット３２
０及び／又は３２１に未処理のウェハーが残っている場
合、システムは工程Ｄに戻る。すなわち、ロボット３２
２がカセットから未処理のウェハーを取って、このウェ
ハーをメッキ浴のうちの１つに運ぶ。
【０１７６】処理工程Ｅは２つの処理工程を含むことが
できる。この２つの処理工程の第１の処理工程は、バリ
アー層に直接にシード層をメッキすること、第２の処理
工程は、メッキされたシード層に金属フィルムをメッキ
することである。
【０１７７】１つの浴でシード層メッキとシード層メッ
キへの金属メッキを行う代わりに、これら２つの処理工
程を異なる浴で行うことができる。これら２つの処理工
程を異なる浴で行うことの利点は、比較的良好な処理の
制御又は比較的幅広い処理の可能性を与えることであ
る。このことは、シード層メッキのための電解質を、続
くシード層へのメッキのための電解質と変えられること
による。ここで、異なる電解質とは、異なる酸のタイ
プ、異なる酸の濃度、異なる添加剤、異なる添加剤の濃
度、又は異なる処理温度を意味している。また、シード
層メッキの要求を考慮して、メッキハードウェアが異な
っていてもよい。このシード層メッキの要求としては、
高密度の核形成部位、滑らかな形態、非常に初期の段階
（数百Å未満）で連続フィルムができること、及び相似
層の必要性を挙げることができる。続くシード層へのメ
ッキは、大きいメッキ速度、単結晶構造、特定の粒子配
向、及び気孔がない隙間充填性を必要とする。
【０１７８】１つの容器でウェハーを清浄化する代わり
に、異なる容器で清浄化処理を行うことができる。清浄
化処理は複数の工程からなっていて、それぞれの工程で
異なる溶液若しくは異なる溶液濃度を使用し、又は異な
るハードウェアを使用することができる。フレーム３０
１の底部にロボット３２２を取り付ける代わりに、ロボ
ット３２２をフレーム３０１の上部に上下を逆にしてぶ
ら下げることができる。
【０１７９】５つのメッキ浴及び５つの清浄化／乾燥容
器を配置する代わりに、メッキ浴の数及び清浄化／乾燥
容器の数を、以下の表に示すように１〜１０に変えるこ
とができる。
【表３】 この表のタイプ４〜７が好ましい。
【０１８０】図５４Ａ〜５４Ｃは、伝導性フィルムを半
導体ウェハーにメッキする本発明のメッキシステムのも
う１つの態様の概略図である。図５４Ａ〜５４Ｃの態様
は、カセット３２０をロボット３２３によって上下に移
動させることを除いて、図５２Ａ〜５２Ｃの態様と同様
である。カセット３２０の位置を上下に移動させてロボ
ットの位置に合わせ、それによってカセット３２０から
未処理のウェハーを取るとき又はメッキした乾燥ウェハ
ーをカセット３２０に戻すときに、ロボット３２２をｚ
方向に動かす必要がないようにする。これはロボットの
輸送速度を増加させる。
【０１８１】図５５は、伝導性フィルムを半導体ウェハ
ーにメッキする本発明のメッキシステムのもう１つの態
様の概略図である。図５５は、ロボット３２２自身がｘ
方向に移動できることを除いて、図５２Ａ〜５２Ｃの態
様と同様である。この様式では、ロボットはｚ軸のまわ
りに回転する機能を必要としない。
【０１８２】図５６は、伝導性フィルムを半導体ウェハ
ーにメッキする本発明のメッキシステムのもう１つの態
様の概略図である。図５６のシステムは、メッキ浴及び
清浄化／乾燥容器を１つのカラムに入れることを除い
て、図５２Ａ〜５２Ｃの態様と同様である。図５２の態
様と比較すると、システムの設置面積は減少するが、ウ
ェハーの処理量は比較的少なくなる。
【０１８３】図５７Ａ〜５７Ｃは、伝導性フィルムを半
導体ウェハーにメッキする本発明のメッキシステムのも
う１つの態様の概略図である。これは、メッキ浴及び清
浄化／乾燥容器の３つのカラム、直線的に移動可能なロ
ボット３２２、ディスプレイスクリーン３４０、２つの
積み重ねカセット、配管ボックス３３０、並びに電解質
タンク３６からなっている。メッキ処理工程は、図５２
Ａ〜５２Ｃの態様で説明したのと同様である。
【０１８４】図５８Ａ〜５８Ｃは、上部にバリアー層又
は薄いシードを層を有する基材に直接に伝導性フィルム
をメッキする本発明の設備の更なる態様の概略図であ
る。メッキ浴は、管１０９内に配置されたアノードロッ
ド１、それぞれ筒状壁１０７と１０５、１０３と１０１
の間に配置されたアノードリング２及び３を含む。アノ
ード１、２及び３にはそれぞれ、電力供給源１３、１２
及び１１によって電力を供給する。メッキ処理において
それぞれの電力供給源によって提供される電荷は、それ
ぞれ電荷計１１Ａ、１２Ａ及び１３Ａによって監視す
る。電解質３４はポンプ３３によって輸送して、フィル
ター３２を通し、液体質量流量計（ＬＭＦＣ）２１、２
２及び２３の入口に達するようにする。ＬＭＦＣ２１、
２２及び２３は、所定の流量で電解質を、アノード３、
２及び１をそれぞれ有するサブメッキ浴に輸送する。電
解質を、ウェハー３１と筒状壁の上部との間の隙間を通
して流した後で、それぞれ筒状壁１００と１０１、１０
３と１０５、１０７と１０９の間の空間を通してタンク
３６に戻す。圧力漏出バルブ３８を、ポンプの出口と電
解質タンク３６との間に配置して、ＬＭＦＣ２１、２
２、２３が閉じているときは、電解質が漏れてタンク３
６に戻るようにする。浴の温度はヒーター４２、温度セ
ンサー４０、及びヒーター制御装置４４によって制御す
る。ウェハーチャック２９が保持しているウェハー３１
は、電力供給源１１、１２及び１３に接続する。機構３
０を使用して、ωｘｌの速度でｚ軸の周りにウェハー３
１を回転させ、ｘ、ｙ及びｚ方向にウェハー３１を振動
させる。ＬＭＦＣは、耐酸性又は耐腐食性であり、且つ
汚染がないタイプの質量流量制御装置である。フィルタ
ー３２は、０．０５又は０．１μｍよりも大きい粒子を
ろ過して、加えられる粒子が少ないメッキ処理を得るべ
きである。ポンプ３３は、耐酸性又は耐腐食性であり、
且つ汚染がないタイプのポンプであるべきである。筒状
壁１００、１０１、１０３、１０５、１０７及び１０９
は、電気的に絶縁性の材料でできている。またこの材料
は、耐酸性又は耐腐食性であり、且つ酸に溶解せず、金
属を含まない物質、例えばテフロン、ＣＰＶＣ、ＰＶＤ
Ｆ又はポリプロピレンである。
【０１８５】１６．非常に薄いシード層又はバリアー層
に直接に伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：電力供給源１１を作用させる。 工程２：ＬＭＦＣ２１のみを作用させ、それによってウ
ェハーのアノード３の上の部分にのみ、電解質が接触す
るようにする。正の金属イオンは、ウェハー３１のアノ
ード３の上の領域部分にのみメッキされる。 工程３：伝導性フィルムの厚さが、所定の厚さ又は厚さ
に達したときに、電力供給源１１及びＬＭＦＣ２１を作
用させたままで工程４に進む。 工程４：アノード２に関して工程１〜３を繰り返し（Ｌ
ＭＦＣ２２及び電力供給源１２）、電力供給源１１、１
２及びＬＭＦＣ２１、２２を作用させたままで工程５に
進む。 工程５：アノード１に関して工程４を繰り返す（ＬＭＦ
Ｃ２３及び電力供給源１３）。ウェハー全体のフィルム
の厚さが所定の値に達したときに、電力供給源及びＬＭ
ＦＣを同時に切る。
【０１８６】上述のメッキ処理の間に、電力供給源は直
流様式、パルス様式、又は直流パルス混合様式で操作す
ることができる。図５９は、シード層メッキの間の、そ
れぞれの電力供給源の断続の順序を示している。工程３
が終了した後で、電力供給源１１の出力電圧は、ウェハ
ーのアノード３の上の部分でメッキが起こらない又はメ
ッキが失われるレベルまで減少させることができる。ま
た、工程３及び４の完了の後で、電力供給源１１及び１
２の出力電圧は、時間Ｔ３、Ｔ２及びＴ１の間にアノー
ド３、２及び１に輸送される全電荷が以下の要求を満た
すように減少させることができる： Ｑ３／（アノード３の上の領域）＝ Ｑ２／（アノード２の上の領域）＝ Ｑ１／（アノード１の上の領域）＝所定の値 ここで、Ｑ３は全メッキ処理の間にアノード３に輸送さ
れる全電荷、Ｑ２は全メッキ処理の間にアノード２に輸
送される全電荷、Ｑ１は全メッキ処理の間にアノード１
に輸送される全電荷である。
【０１８７】電荷監視装置１１Ａ、１２Ａ及び１３Ａ
は、その場の厚さ監視装置として使用する。電圧供給の
変動による全ての電荷の偏差は、コンピューターにフィ
ードバックさせることができる。コンピューターは、こ
の電力供給源によって提供される電流を調節することに
よって、又はメッキ時間を調節することによって、この
偏差を補正することができる。
【０１８８】上述の方法の利点は、全メッキ処理の間に
メッキが失われることがないことである。そのようにメ
ッキが失われることは、更なる厚さの偏差をもたらし、
場合によってはメッキフィルムの腐食をもたらす。
【０１８９】図６０Ａ及び６０Ｂは、伝導性フィルムを
メッキする本発明の設備のもう１つの態様を示してい
る。図６０Ａ及び６０Ｂの態様は、それぞれの流路の出
口に複数の小さいノズル９００を付けることを除いて、
図５８Ａ及び５８Ｂの態様と同様である。これらノズル
は、フィルムの均一性を促進する。
【０１９０】図６１は、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。メッキ浴８
８を機械的手段（図示せず）によって回転させて、電解
質の表面を放物線状の形状にする。アノード８０４を浴
８８の内側に配置して、電力供給源８０６に接続する。
ウェハーチャック２９をｘ、ｙ及びｚ方向に動かし、ｚ
軸の周りに回転させる。
【０１９１】１７．非常に薄いシード層又はバリアー層
に直接に伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：電解質を浴８００に送る。 工程２：ωｗ２の速度でｚ軸の周りに浴８００を回転さ
せて、電解質の表面を放物線状の形状にする。 工程３：電力供給源８０６を作用させる。 工程４：ウェハー表面全体が電解質と接触するまで、特
定の速度でチャックを下向きに移動させる。回転角度又
は傾斜角度は、０〜１８０°である。チャックを下向き
に移動させる速度は、初期フィルム厚さ分布を決定す
る。この初期厚さ分布は、続くメッキ処理の間のウェハ
ーでの電位に影響を与える。 工程５：フィルム厚さが所定の値に達したときに、電解
質ポンプ、電力供給源、及び浴８００の駆動手段を切
る。 上述の処理の間に、チャックをｚ軸の周りに回転させ
て、フィルムの均一性を更に促進することができる。チ
ャックの回転方向は、浴８０の回転方向の反対であるこ
とが好ましい。
【０１９２】図６２及び６３は、伝導性フィルムをメッ
キする本発明の設備の更に２つの態様を示している。図
６２及び６３の態様は、単一のアノードを複数のアノー
ドによって置き換えることを除いて、図６１の態様と同
様である。浴の縁部に配置される隔離壁の高さは、浴の
中央部に配置される隔離壁の高さよりも高い。これら２
つの態様の利点は、ウェハーでのフィルムの均一性を制
御するための追加の可変要素を提供することである。
【０１９３】図６４及び６５は、伝導性フィルムをメッ
キする本発明の設備の更に２つの態様を示している。図
６４及び６５の態様は、浴の中央部から縁部にかけて配
置される隔離壁の高さを同じにすることを除いて、図６
２及び６３の態様と同様である。
【０１９４】図６６は、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。図６６の態
様は、チャック２９をｙ軸又はｘ軸の周りに回転させ
て、ウェハーの周縁部のみを電解質に接触させられるこ
とを除いて、図６１の態様と同様である。回転角度又は
傾斜角度は０〜１８０°である。
【０１９５】１８．非常に薄いシード層又はバリアー層
に直接に伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：電解質を浴８００に送る。 工程２：θｙの角度でｙ軸の周りにチャック２９を回転
させる。 工程３：ωｚ１の速度でｚ軸の周りにチャック２９を回
転させる。 工程４：電力供給源８０６を作用させる。 工程５：ウェハー表面全体が電解質と接触するまで、特
定の速度でチャック２９を下向き（ｚ軸）に移動させ
る。チャックを下向きに移動させる速度は、初期フィル
ム厚さ分布を決定する。この初期厚さ分布は、続くメッ
キ処理の間のウェハーでの電位に影響を与える。 工程６：フィルム厚さが所定の値に達したときに、電解
質ポンプ、電力供給源、及びチャック２９の駆動手段を
切る。
【０１９６】処理工程５の間に、ウェハーが完全に電解
質と接触した後で、ウェハーチャックをｙ軸の周りに回
転させて、ウェハーチャックを水平にすることができ
る。これはフィルムの均一性を促進する。
【０１９７】図６７及び図６８は、伝導性フィルムをメ
ッキする本発明の設備の更に２つの態様を示している。
図６７及び図６８の態様は、単一のアノードを複数のア
ノードによって置き換えることを除いて、図６６の態様
と同様である。これら２つの態様の利点は、ウェハーで
のフィルムの均一性を制御するための追加の可変要素を
提供することである。
【０１９８】図６９は、伝導性フィルムをメッキする本
発明の設備のもう１つの態様を示している。図６９の態
様は、図６１の態様と図６６の態様の組み合わせであ
る。この態様の利点は、電解質表面に対するウェハーの
位置を制御するための追加の可変要素を提供することで
ある。
【０１９９】１９．非常に薄いシード層又はバリアー層
に直接に伝導性フィルムをメッキする処理工程 工程１：電解質を浴８００に送る。 工程２：θｙの角度でｙ軸の周りにチャック２９を回転
させる。 工程３：ωｚ１の速度でｚ軸の周りにチャック２９を回
転させる。 工程４：ωｚ２の速度でｚ軸の周りに浴８００を回転さ
せ、電解質の表面を放物線状の形状にする。 工程５：電力供給源８０６を作用させる。 工程６：ウェハー表面全体が電解質と接触するまで、特
定の速度でチャック２９を下向き（ｚ軸）に移動させ
る。チャックを下向きに移動させる速度は、初期フィル
ム厚さ分布を決定する。この初期厚さ分布は、続くメッ
キ処理の間のウェハーでの電位に影響を与える。 工程７：フィルム厚さが所定の値に達したときに、電解
質ポンプ、電力供給源、及び浴８００とチャック２９の
駆動手段を切る。 工程６の間に、ウェハーが完全に電解質と接触した後
で、ウェハーチャック２９をｙ軸の周りに回転させて、
ウェハーチャック２９を水平にすることができる。これ
はフィルムの均一性を促進する。
【０２００】図７０及び７１は、伝導性フィルムをメッ
キする本発明の設備の更に２つの態様を示している。図
７０及び７１の態様は、単一のアノードを複数のアノー
ドによって置き換えることを除いて、図６９の態様と同
様である。これら２つの態様の利点は、ウェハーでのフ
ィルムの均一性を制御するための追加の可変要素を提供
することである。
【０２０１】ここで示され説明されてきた本発明の詳細
及び形状に様々な変更を行えることは当業者に明らかで
ある。そのような変更は、特許請求の範囲に示される本
発明の範囲及び本発明の本質に含まれることを意図して
いる。 ［図面の簡単な説明］
【図１Ａ】図１Ａは、本発明を理解するために有益な従
来技術のメッキ設備の一部である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１に示される基材の平面図であ
る。
【図２】図２は、本発明のメッキ処理の間の、対応する
基材の平面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明のメッキ設備の一部の平面
図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、部分的に図３Ａの線３Ｂ−−３Ｂ
に沿ってとった断面図で示し、部分的にブロック線図で
示した本発明のメッキ設備である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明のメッキをする基材の平面
図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａの基材の線４Ａ−−４Ａに
沿ってとった断面図である。
【図５】図５は、本発明の図３Ａ及び３Ｂの態様の操作
を理解するために有益な波形の一連の図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明を更に理解するために有益
なメッキされた基材の部分断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明を更に理解するために有益
なメッキされた基材の部分断面図である。
【図７】図７は、本発明の図３Ａ及び３Ｂの態様の操作
を更に理解するために有益な波形の更なる一連の図であ
る。
【図８】図８は、本発明の図３Ａ及び３Ｂの態様の操作
を更に理解するために有益な波形の更なる一連の図であ
る。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の他の態様のメッキ設備の
一部の平面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明の他の態様のメッキ設備の
一部の平面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、本発明の他の態様のメッキ設備の
一部の平面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、本発明の他の態様のメッキ設備の
一部の平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の設備の操作で得られた波
形である。
【図１１】図１１は、本発明の方法の流れ図である。
【図１２】図１２は、本発明のもう１つの態様のための
波形の一連の図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本発明のメッキ設備の第２の
態様の一部の平面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、部分的に図１３Ａの線１３Ｂ
−−１３Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第２の態様のあ
る。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本発明のメッキ設備の第３の
態様の一部の平面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、部分的に図１４Ａの線１４Ｂ
−−１４Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第３の態様であ
る。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本発明のメッキ設備の第４の
態様の一部の平面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、部分的に図１５Ａの線１５Ｂ
−−１５Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４の態様であ
る。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本発明のメッキ設備の第５の
態様の一部の平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、部分的に図１６Ａの線１６Ｂ
−−１６Ｂに沿ってとった断面図示し、部分的にブロッ
ク線図で示した本発明のメッキ設備の第５の態様であ
る。
【図１７】図１７は、本発明のメッキ設備の第５の態様
の一部の断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本発明のメッキ設備の第６の
態様の一部の平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、部分的に図１８Ａの線１８Ｂ
−−１８Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第６の態様であ
る。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本発明のメッキ設備の第７の
態様の一部の平面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、部分的に図１９Ａの線１９Ｂ
−−１９Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第７の態様であ
る。
【図２０Ａ】図２０Ａは、部分的に断面図で及び部分的
にブロック線図で示した本発明のメッキ設備の第８の態
様である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、部分的に断面図で及び部分的
にブロック線図で示した本発明のメッキ設備の第８の態
様である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、部分的に断面図で及び部分的
にブロック線図で示した本発明のメッキ設備の第９の態
様である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、部分的に断面図で及び部分的
にブロック線図で示した本発明のメッキ設備の第９の態
様である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、本発明のメッキ設備の第１０
の態様の一部の平面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、部分的に図２２Ａの線２２Ｂ
−−２２Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第１０の態様で
ある。
【図２３Ａ】図２３Ａは、本発明のメッキ設備の第１１
及び１２の態様の一部の平面図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、本発明のメッキ設備の第１１
及び１２の態様の一部の平面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、本発明のメッキ設備の第１３
の態様の一部の平面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、部分的に図２４Ａの線２４Ｂ
−−２４Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第１３の態様で
ある。
【図２５Ａ】図２５Ａは、本発明のメッキ設備の第１
４、１５及び１６の態様の一部の平面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、本発明のメッキ設備の第１
４、１５及び１６の態様の一部の平面図である。
【図２５Ｃ】図２５Ｃは、本発明のメッキ設備の第１
４、１５及び１６の態様の一部の平面図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、本発明のメッキ設備の第１７
の態様の一部の平面図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、部分的に図２６Ａの線２６Ｂ
−−２６Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第１７の態様で
ある。
【図２７】図２７は、本発明のメッキ設備の第１８及び
１９の態様の一部の平面図である。
【図２８】図２８は、本発明のメッキ設備の第１８及び
１９の態様の一部の平面図である。
【図２９Ａ】図２９Ａは、本発明のメッキ設備の第２
０、２１及び２２の態様の一部の平面図である。
【図２９Ｂ】図２９Ｂは、本発明のメッキ設備の第２
０、２１及び２２の態様の一部の平面図である。
【図２９Ｃ】図２９Ｃは、本発明のメッキ設備の第２
０、２１及び２２の態様の一部の平面図である。
【図３０Ａ】図３０Ａは、本発明のメッキ設備の第２３
の態様の一部の平面図である。
【図３０Ｂ】図３０Ｂは、部分的に図３０Ａの線３０Ｂ
−−３０Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第２３の態様で
ある。
【図３１Ａ】図３１Ａは、本発明のメッキ設備の第２４
の態様の一部の平面図である。
【図３１Ｂ】図３１Ｂは、部分的に図３１Ａの線３１Ｂ
−−３１Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第２４の態様で
ある。
【図３２Ａ】図３２Ａは、本発明のメッキ設備の第２５
の態様の一部の平面図である。
【図３２Ｂ】図３２Ｂは、部分的に図３２Ａの線３２Ｂ
−−３２Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第２５の態様で
ある。
【図３３Ａ】図３３Ａは、本発明のメッキ設備の第２６
の態様の一部の平面図である。
【図３３Ｂ】図３３Ｂは、部分的に図３３Ａの線３３Ｂ
−−３３Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第２６の態様で
ある。
【図３４Ａ】図３４Ａは、本発明のメッキ設備の第２７
〜３０の態様の一部の断面図である。
【図３４Ｂ】図３４Ｂは、本発明のメッキ設備の第２７
〜３０の態様の一部の断面図である。
【図３４Ｃ】図３４Ｃは、本発明のメッキ設備の第２７
〜３０の態様の一部の断面図である。
【図３４Ｄ】図３４Ｄは、本発明のメッキ設備の第２７
〜３０の態様の一部の断面図である。
【図３５】図３５は、本発明による処理でメッキしてい
る間の基材を示している。
【図３６Ａ】図３６Ａは、本発明のメッキ設備の第３１
〜３４の態様の平面図である。
【図３６Ｂ】図３６Ｂは、本発明のメッキ設備の第３１
〜３４の態様の平面図である。
【図３６Ｃ】図３６Ｃは、本発明のメッキ設備の第３１
〜３４の態様の平面図である。
【図３６Ｄ】図３６Ｄは、本発明のメッキ設備の第３１
〜３４の態様の平面図である。
【図３７Ａ】図３７Ａは、本発明のメッキ設備の第３５
及び３６の態様の一部の断面図である。
【図３７Ｂ】図３７Ｂは、本発明のメッキ設備の第３５
及び３６の態様の一部の断面図である。
【図３８Ａ】図３８Ａは、本発明のメッキ設備の第３７
の態様の一部の平面図である。
【図３８Ｂ】図３８Ｂは、部分的に図３８Ａの線３８Ｂ
−−３８Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第３７の態様で
ある。
【図３９】図３９は、図３８Ａ及び３８Ｂのメッキ設備
の操作を理解するために有益な一連の波形図である。
【図４０】図４０は、本発明のメッキ設備の第３８の態
様の一部の平面図である。
【図４０Ｂ】図４０Ｂは、部分的に図４０Ａの線４０Ｂ
−−４０Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第３８の態様で
ある。
【図４１Ａ】図４１Ａは、本発明のメッキ設備の第３９
の態様の一部の平面図である。
【図４１Ｂ】図４１Ｂは、部分的に図４１Ａの線４１Ｂ
−−４１Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第３９の態様で
ある。
【図４２Ａ】図４２Ａは、本発明のメッキ設備の第４０
の態様の一部の平面図である。
【図４２Ｂ】図４２Ｂは、部分的に図４２Ａの線４２Ｂ
−−４２Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４０の態様で
ある。
【図４３】図４３は、図４２Ａ及び４２Ｂの態様の操作
を理解するのに有益な一連の波形図である。
【図４４】図４４は、図４２Ａ及び４２Ｂの態様の操作
を理解するのに有益な一連の波形図である。
【図４５Ａ】図４５Ａは、本発明のメッキ設備の第４１
の態様の一部の平面図である。
【図４５Ｂ】図４５Ｂは、部分的に図４５Ａの線４５Ｂ
−−４５Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４１の態様で
ある。
【図４６Ａ】図４６Ａは、本発明のメッキ設備の第４２
の態様の一部の平面図である。
【図４６Ｂ】図４６Ｂは、部分的に図４６Ａの線４６Ｂ
−−４６Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４２の態様で
ある。
【図４７Ａ】図４７Ａは、本発明のメッキ設備の第４３
の態様の一部の平面図である。
【図４７Ｂ】図４７Ｂは、部分的に図４７Ａの線４７Ｂ
−−４７Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４３の態様で
ある。
【図４８Ａ】図４８Ａは、本発明のメッキ設備の第４４
の態様の一部の平面図である。
【図４８Ｂ】図４８Ｂは、部分的に図４８Ａの線４８Ｂ
−−４８Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４４の態様で
ある。
【図４９Ａ】図４９Ａは、本発明のメッキ設備の第４５
の態様の一部の平面図である。
【図４９Ｂ】図４９Ｂは、部分的に図４９Ａの線４９Ｂ
−−４９Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４５の態様で
ある。
【図５０】図５０は、部分的に断面図で示し及び部分的
にブロック線図で示した本発明のメッキ設備の第４６の
態様である。
【図５１】図５１は、部分的に断面図で示し及び部分的
にブロック線図で示した本発明のメッキ設備の第４７の
態様である。
【図５２Ａ】図５２Ａは、本発明のメッキシステムの第
１の態様の概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５２Ｂ】図５２Ｂは、本発明のメッキシステムの第
１の態様の概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５２Ｃ】図５２Ｃは、本発明のメッキシステムの第
１の態様の概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５３】図５３は、図５２のメッキシステムの制御の
ためのソフトウェアの一部の操作流れ図である。
【図５４Ａ】図５４Ａは、本発明のメッキシステムの第
２の態様の概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５４Ｂ】図５４Ｂは、本発明のメッキシステムの第
２の態様の概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５４Ｃ】図５４Ｃは、本発明のメッキシステムの第
２の態様の概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５５】図５５は、本発明のメッキシステムの第３及
び４の態様の上面概略図である。
【図５６】図５６は、本発明のメッキシステムの第３及
び４の態様の上面概略図である。
【図５７Ａ】図５７Ａは、本発明の態様のメッキシステ
ムの概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５７Ｂ】図５７Ｂは、本発明の態様のメッキシステ
ムの概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５７Ｃ】図５７Ｃは、本発明の態様のメッキシステ
ムの概略の上面図、断面図、及び側面図である。
【図５８Ａ】図５８Ａは、本発明のメッキ設備の第４８
の態様の一部の平面図である。
【図５８Ｂ】図５８Ｂは、部分的に図５８Ａの線５８Ｂ
−−５８Ｂに沿ってとった断面図で示し、部分的にブロ
ック線図で示した本発明のメッキ設備の第４８の態様で
ある。
【図５９】図５９は、メッキ処理の間に図５８Ａ及び５
８Ｂで使用する電力供給のオン／オフの順序を示す一連
の波形図である。
【図６０Ａ】図６０Ａは、本発明のメッキ設備の第４９
の態様の一部の平面図である。
【図６０Ｂ】図６０Ｂは、部分的に図６０Ａの線６０Ｂ
−−６０Ｂに沿ってとった断面図で示した本発明のメッ
キ設備の第４９の態様のである。
【図６１】図６１は、部分的に断面図で示し、部分的に
概略図で示した本発明のメッキ設備の第５０の態様であ
る。
【図６２】図６２は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６３】図６３は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６４】図６４は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６５】図６５は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６６】図６６は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６７】図６７は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６８】図６８は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図６９】図６９は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図７０】図７０は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
【図７１】図７１は、本発明のメッキ設備の第５１〜６
０の態様の概略図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−274208（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−260824（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−220021（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−97444（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−80993（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−36096（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−17790（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−283993（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−197299（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291191（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−224202（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−73598（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45283（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−17291（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−206064（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−195183（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−55167（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−311591（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−170031（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−185999（ＪＰ，Ａ) 特公 平８−3153（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平７−113159（ＪＰ，Ｂ２) 実用新案登録2538705（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 5/02 C25D 5/08 C25D 7/12 C25D 5/18 C25D 21/12 H01L 21/288

Claims (100)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基材を回転させ、 前記基材が回転しているときに、前記基材の表面に直接
    に、電解質溶液を流し、前記 基材表面の第１の部分に、所望の厚さまでフィルム
    をメッキし、そして前記基材表面の第１の部分に前記フ
    ィルムをメッキした後で、前記第１の部分とは異なる前
    記基材表面の少なくとも第２の部分に、前記所望の厚さ
    までフィルムをメッキすること、 を含み、それによって前記所望の厚さの連続フィルムを
    前記基材に提供する、基材表面に前記所望の厚さまでフ
    ィルムをメッキする方法。
  2. 【請求項２】 前記基材が半導体ウェハであり、且つ前
    記所望の厚さが、前記基材に前記フィルムの連続シード
    層を与える厚さである、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記連続シード層に更なる厚さのメッキ
    をして、前記シード層の所望の厚さよりも厚い第２の均
    一な厚さの連続フィルムを前記基材に提供することを更
    に含む、請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記フィルムが前記所望の厚さになるま
    で、前記基材表面の第１の部分に電解質を流し且つメッ
    キ電流を提供して、前記基材の第１の部分に前記フィル
    ムをメッキし；少なくとも前記基材の第２の部分のため
    に、電解質を流すこと及びメッキ電流を流すことを繰り
    返して、この第２の部分に前記所望の厚さまで前記フィ
    ルムをメッキし；そして、第２の均一な厚さが得られる
    まで、前記基材の第１の部分及び少なくとも第２の部分
    に電解質を流し、且つ第１の部分及び少なくとも第２の
    部分にメッキ電流を流すことによって、前記基材の第１
    の部分及び少なくとも第２の部分にフィルムをメッキす
    る、請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記基材の第１及び第２の部分のための
    メッキ電極に独立にメッキ電流を提供することによっ
    て、この第１及び第２の部分に前記フィルムをメッキす
    る、請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記基材の第１の部分及び第２の部分に
    独立に前記電解質を流す、請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記基材の第１及び第２の部分に同時に
    電解質を流し、且つこの第１及び第２の部分のためのメ
    ッキ電極に別々にメッキ電流を提供することによって、
    この第１及び第２の部分に前記フィルムをメッキする、
    請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記基材の第２の部分にメッキ電流を提
    供している間、前記基材の第１の部分のフィルム厚さが
    所望の厚さに達した後で、メッキが除去されるのを防ぐ
    のに十分な電流を、前記基材の第１の部分に提供するこ
    とを更に含む、請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記基材の第１の部分にメッキ電流を提
    供している間、メッキが除去されることを防ぐのに十分
    なメッキ電圧を、前記基材の第２の部分に提供すること
    を更に含む、請求項７に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記基材の第２の部分にメッキ電流を
    提供している間、前記基材の第１の部分のフィルム厚さ
    が所望の厚さに達した後で、前記基材の第１の部分を電
    解質から出すことを更に含む、請求項７に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記基材の第１の部分にフィルムをメ
    ッキしている間、前記基材の第１の部分に電解質を流す
    こと、及び前記基材の第１の部分及び第２の部分にフィ
    ルムをメッキしている間、前記基材の第１の部分及び第
    ２の部分に同時に電解質を流すことによって、前記基材
    の第１及び第２の部分に前記フィルムをメッキする、請
    求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記基材の第２の部分にメッキ電流を
    提供している間、前記基材の第１の部分のフィルムの厚
    さが所望の厚さに達した後で、メッキが除去されること
    を防ぐのに十分なメッキ電圧を、前記基材の第１の部分
    に提供することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記基材の第１の部分の近くに可動式
    ジェットアノードを移動させて、前記基材の第１の部分
    にのみ電解質を流すこと、及び前記基材の第２の部分の
    近くに可動式ジェットアノードを移動させて、前記基材
    の第２の部分にのみ電解質を流すことによって、前記基
    材の第１の部分及び第２の部分に前記フィルムをメッキ
    する、請求項１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記基材の表面を電解質に浸漬するこ
    とを更に含む方法であって、別々に、可動式ジェットア
    ノードを前記基材の第１の部分の近くに移動させ、且つ
    他の１つの可動式ジェットアノードを前記基材の第２の
    部分の近くに移動させることによって、前記基材の第１
    の部分及び第２の部分に前記フィルムをメッキする、請
    求項１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記基材の第２の部分にフィルムをメ
    ッキしている間、前記基材の第１の部分に継続して前記
    フィルムをメッキする、請求項１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記基材の第１の部分に前記フィルム
    をメッキしている間、前記基材の第１の部分に電解質を
    流すこと、及び前記基材の第１及び第２の部分に同時に
    前記フィルムをメッキする間、前記基材の第１及び第２
    の部分に同時に電解質を流すことによって、前記基材の
    第１及び第２の部分に前記フィルムをメッキする、請求
    項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記基材が半導体ウェハであり、且つ
    前記基材の第１及び第２の部分に前記所望の厚さまで前
    記フィルムをメッキして連続シード層を与える方法であ
    って、前記連続シード層に更にメッキして、前記シード
    層の前記所望の厚さよりも厚い第２の均一な厚さの連続
    フィルムを前記基材に提供することを更に含む、請求項
    １６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記基材の第１の部分にフィルムをメ
    ッキしている間、前記基材の第１の部分にのみ電解質を
    流すこと、及び前記基材の第２の部分に前記フィルムを
    メッキしている間、前記基材の第１及び第２の部分に同
    時に電解質を流すことによって、前記基材の第１及び第
    ２の部分にフィルムをメッキする、請求項１に記載の方
    法。
  19. 【請求項１９】 前記基材の第２の部分にメッキ電流を
    提供している間、前記基材の第１の部分のフィルムの厚
    さが所望の厚さに達した後で、メッキが除去されるのを
    防ぐのに十分な電圧を、前記基材の第１の部分に提供す
    ることを更に含む、請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記基材が半導体ウェハであり、且つ
    前記基材の第１及び第２の部分に前記所望の厚さまで前
    記フィルムをメッキして連続シード層を与える方法であ
    って、前記連続シード層に更にメッキして、前記シード
    層の所望の厚さよりも厚い第２の均一な厚さの連続フィ
    ルムを前記基材に提供することを更に含む、請求項１９
    に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記基材の第２の部分が、前記基材の
    第１の部分に隣接している、請求項１に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記基材が半導体ウェハーである、請
    求項１に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記半導体ウェハーがシリコンウェハ
    ーである、請求項２２に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記シリコンウェハーの表面にバリア
    ー層が存在する、請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記バリアー層がチタン、窒化チタ
    ン、タンタル、又は窒化タンタルである、請求項２４に
    記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記半導体ウェハーが、前記バリアー
    層の表面にシード層を更に有する、請求項２４に記載の
    方法。
  27. 【請求項２７】 前記シード層が、前記半導体ウェハー
    の周縁部領域の近くで比較的厚く且つ内側領域で比較的
    薄い、請求項２６に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記フィルムが、前記半導体ウェハー
    上の集積回路の相互接続を構成する、請求項２２に記載
    の方法。
  29. 【請求項２９】 前記相互接続がダマシン構造である、
    請求項２８に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 メッキ電解質との接触のために基材を
    配置する基材ホルダー、 前記基材にメッキ電流を供給する少なくとも１つのアノ
    ード、 前記基材に接触する電解質を供給する少なくとも２つの
    流量制御装置、並びに前記少なくとも１つのアノード及
    び前記少なくとも２つの流量制御装置に組み合わされ
    て、前記基材の第１の部分に電解質とメッキ電流とを提
    供してフィルムをメッキし、そして基材の第１の部分に
    前記フィルムをメッキした後で、基材のこの第１の部分
    とは異なる第２の部分に電解質とメッキ電流とを提供し
    てフィルムをメッキして、基材のこれらの部分にフィル
    ムを続けてメッキすることによって、前記基材に均一な
    厚さの連続フィルムを提供する制御システム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  31. 【請求項３１】 少なくとも２つの前記アノードを具備
    し、これらの少なくとも２つのアノードが、それぞれの
    アノードを取り囲む隔離壁によって分離されている、請
    求項３０に記載の設備。
  32. 【請求項３２】 前記それぞれのアノードの隔離壁の高
    さが同じである、請求項３１に記載の設備。
  33. 【請求項３３】 前記それぞれのアノードの隔離壁の高
    さが異なっている、請求項３１に記載の設備。
  34. 【請求項３４】 前記基材の中央部に近い前記それぞれ
    のアノードの隔離壁の高さが、前記基材の縁に近い前記
    それぞれのアノードの隔離壁の高さよりも高い、請求項
    ３１に記載の設備。
  35. 【請求項３５】 前記基材の中央部に近い前記それぞれ
    のアノードの隔離壁の高さが、前記基材の縁に近い前記
    それぞれのアノードの隔離壁の高さよりも低い、請求項
    ３１に記載の設備。
  36. 【請求項３６】 前記少なくとも２つの流量制御装置
    が、前記少なくとも２つのアノードのそれぞれに近接す
    る基材部分に、メッキ電解質を選択的に供給する別々の
    バルブであり、これら別々のバルブに組み合わされた少
    なくとも１つのポンプを更に具備する、請求項３１に記
    載の設備。
  37. 【請求項３７】 ２つの前記ポンプを具備している、請
    求項３６に記載の設備。
  38. 【請求項３８】 前記少なくとも１つのポンプの出口に
    持続された圧力漏出バルブを更に具備している、請求項
    ３６に記載の設備。
  39. 【請求項３９】 前記バルブが液体質量流量制御バルブ
    である、請求項３６に記載の設備。
  40. 【請求項４０】 前記少なくとも１つの制御システム
    が、前記少なくとも２つのアノードに選択的にメッキ電
    流を供給するようにされている、請求項３１に記載の設
    備。
  41. 【請求項４１】 前記基材の第１の部分、そしてこの第
    １の部分とは異なる第２の部分に前記電解質を供給する
    ようにされた複数の電解質流路を、前記設備が更に具備
    している、請求項３１に記載の設備。
  42. 【請求項４２】 前記複数の電解質流路のそれぞれが、
    入口と前記基材ホルダーに向いている複数のノズルを具
    備している、請求項４１に記載の設備。
  43. 【請求項４３】 ２つの隣接する電解質流路が、これら
    ２つの隣接する電解質流路の間の少なくとも１つの電解
    質戻り経路を有する、請求項４１に記載の設備。
  44. 【請求項４４】 前記基材ホルダーが上下に移動して、
    前記基材と前記アノードとの間の隙間を調節することが
    できる、請求項３０に記載の設備。
  45. 【請求項４５】 前記基材ホルダーが、メッキ処理の間
    に水平方向に振動することができる、請求項３０に記載
    の設備。
  46. 【請求項４６】 前記基材ホルダーが、メッキ処理の間
    に、基材に対して垂直な軸の周りに回転することができ
    る、請求項３０に記載の設備。
  47. 【請求項４７】 メッキ処理の間に前記電解質の温度を
    一定に維持する温度制御装置を更に具備している、請求
    項３０に記載の設備。
  48. 【請求項４８】 前記少なくとも２つの流量制御装置に
    結合したフィルターとタンクを更に具備して、メッキ処
    理の間に電解質を循環させる、請求項３０に記載の設
    備。
  49. 【請求項４９】 前記制御システムが、一定電流様式で
    操作可能な少なくとも２つの直流電源を具備している、
    請求項３０に記載の設備。
  50. 【請求項５０】 前記制御システムが、一定電圧様式で
    操作可能な少なくとも２つの直流電源を具備している、
    請求項３０に記載の設備。
  51. 【請求項５１】 前記少なくとも２つの直流電源が、一
    定電圧様式及び一定電流様式の両方で操作できる、請求
    項５０に記載の設備。
  52. 【請求項５２】 前記制御システムが、少なくとも２つ
    のパルス電源を具備している、請求項３０に記載の設
    備。
  53. 【請求項５３】 前記少なくとも２つのパルス電源が、
    ２極パルス、変形サイン波、単一極パルス、反転パル
    ス、パルス−オン−パルス、又は２パルスの様式で操作
    できる、請求項５２に記載の設備。
  54. 【請求項５４】 前記少なくとも２つのパルス電源が、
    位相シフト様式で操作できる、請求項５２に記載の設
    備。
  55. 【請求項５５】 前記制御システムが、少なくとも１つ
    の電荷監視装置を具備して、メッキされたフィルムの厚
    さを測定する、請求項３０に記載の設備。
  56. 【請求項５６】 前記制御システムが、前記少なくとも
    １つの電荷監視装置からの厚さの入力に基づいて前記基
    材にメッキされたフィルム厚さの均一性を制御するソフ
    トウェアを有する、請求項５５に記載の設備。
  57. 【請求項５７】 前記少なくとも１つのアノードの形状
    が、円形、楕円形、又は多角形である、請求項３０に記
    載の設備。
  58. 【請求項５８】 前記多角形が、三角形、正方形、長方
    形、又は五角形である、請求項５７に記載の設備。
  59. 【請求項５９】 前記アノードが、円形、楕円形、又は
    多角形を作るように配置された少なくとも２つのサブア
    ノードを含む、請求項５７に記載の設備。
  60. 【請求項６０】 前記サブアノードが互いに電気的に絶
    縁されている、請求項５９に記載の設備。
  61. 【請求項６１】 前記制御システムが、前記基材の前記
    部分にフィルムを続けてメッキした後でフィルムの連続
    性を調べるための、メッキされた基材の表面電気抵抗に
    基づく論理表を有する、請求項３０に記載の設備。
  62. 【請求項６２】 前記設備が、複数の電解質流路を更に
    具備し、前記少なくとも２つの流量制御装置のそれぞれ
    が、バルブと前記複数の電解質流路のうちの１つに接続
    されている、請求項３０に記載の設備。
  63. 【請求項６３】 前記複数の電解質流路のそれぞれの出
    口が、前記基材の中央に関して放射状に配置されてい
    る、請求項６２に記載の設備。
  64. 【請求項６４】 前記複数の流量制御装置のそれぞれが
    液体質量流量制御装置及びポンプを具備し、且つ前記流
    量制御装置のうちの１つによって制御されている流路の
    出口の上の基材部分にフィルムをメッキしている間、前
    記制御システムが、流量制御装置のうちの１つのバルブ
    を閉じるように設計されている、請求項６２に記載の設
    備。
  65. 【請求項６５】 単一のアノードを具備する、請求項６
    ２に記載の設備。
  66. 【請求項６６】 少なくとも２つの電気的に接続された
    アノードを具備し、これらのアノードのそれぞれが、前
    記複数の電解質流路のうちの異なるものの中にある、請
    求項６２に記載の設備。
  67. 【請求項６７】 メッキ電解質との接触のために基材を
    配置する基材ホルダー、 前記基材にメッキ電流を供給する少なくとも２つのアノ
    ード、 前記基材に接触する電解質を制御する少なくとも１つの
    流量制御装置、並びに前記少なくとも２つのアノード及
    び前記少なくとも１つの流量制御装置と組み合わさっ
    て、前記基材の第１の部分に電解質及びメッキ電流を提
    供してフィルムをメッキし、そして基材の第１の部分に
    前記フィルムをメッキした後で、基材のこの第１の部分
    とは異なる第２の部分に電解質及びメッキ電流を提供し
    てフィルムをメッキして、前記基材のこれらの部分に続
    けてフィルムを続けてメッキすることによって、前記基
    材に均一な厚さの連続フィルムを提供する、少なくとも
    １つの制御システム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  68. 【請求項６８】 前記少なくとも２つのアノードの間
    に、これら少なくとも２つのアノードのそれぞれを取り
    囲む隔離壁が配置されている、請求項６７に記載の設
    備。
  69. 【請求項６９】 前記少なくとも１つの制御システム
    が、前記少なくとも２つのアノードに選択的にメッキ電
    流を供給するように設計されている、請求項６７に記載
    の設備。
  70. 【請求項７０】 前記基材の第１の部分、そしてこの第
    １の部分とは異なる第２の部分に電解質を供給するよう
    にされた複数の電解質流路を、前記設備が更に具備して
    いる、請求項６７に記載の設備。
  71. 【請求項７１】 前記複数の電解質流路のそれぞれが、
    前記基材ホルダーに向いている複数のノズルを具備して
    いる、請求項７０に記載の設備。
  72. 【請求項７２】 前記少なくとも１つの流量制御装置
    が、少なくとも１つの質量流量制御装置である、請求項
    ６７に記載の設備。
  73. 【請求項７３】 メッキ電解質との接触のために基材を
    配置する基材ホルダー、 前記基材にメッキ電流を供給する少なくとも１つのアノ
    ード、 前記基材に接触する電解質を制御する少なくとも１つの
    流量制御装置であって、少なくとも３つの筒状壁を有
    し、前記基材の中央部分の下に配置された第１の筒状壁
    が、前記基材の中央部分よりも周縁部側の基材の第２の
    部分の下に配置された第２の筒状壁と比較して、前記基
    材の近くまで上方向に延びている、少なくとも１つの流
    量制御装置、 前記基材ホルダーと組み合わさって、前記基材ホルダー
    を上下に移動させ、電解質に接触する基材の１又は複数
    の部分を制御する駆動機構、 前記少なくとも１つのアノード及び前記少なくとも１つ
    の流量制御装置と組み合わさって、電解質及びメッキ電
    流を前記基材の一連の部分に提供し、前記基材のこれら
    の部分に続けてフィルムをメッキすることによって、前
    記基材に均一な厚さの連続フィルムを提供する、少なく
    とも１つの制御システム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  74. 【請求項７４】 メッキ電解質との接触のために基材を
    配置する基材ホルダー、 前記基材にメッキ電流を供給する少なくとも１つのアノ
    ード、 前記基材に接触する電解質を制御する少なくとも１つの
    流量制御装置であって、基材に向かって上向きに及び基
    材から離れるように下向きに移動することができる少な
    くとも３つの筒状壁を有し、前記基材と前記筒状壁のそ
    れぞれのとの隙間を調節して、電解質に接触する基材の
    １又は複数の部分を制御する、少なくとも１つの流量制
    御装置、 前記少なくとも１つのアノード及び前記流量制御装置と
    組み合わさって、電解質及びメッキ電流を前記基材の一
    連の部分に提供し、前記基材のこれらの部分に続けて前
    記フィルムをメッキすることによって、前記基材に均一
    な厚さの連続フィルムを提供する、少なくとも１つの制
    御システム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  75. 【請求項７５】 少なくとも２つのアノードを具備して
    いる、請求項７４に記載の設備。
  76. 【請求項７６】 前記流量制御装置が、前記基材の異な
    る部分への電解質の流量を制御する少なくとも２つのバ
    ルブを更に具備している、請求項７５に記載の設備。
  77. 【請求項７７】 基材を電解質表面の上に配置する基材
    ホルダー、 前記基材にメッキ電流と電解質を供給する少なくとも１
    つの、前記基材の表面に対して平行な方向に移動するこ
    とができる可動式ジェットアノード、 前記可動式ジェットアノードを通って流れる電解質を制
    御する少なくとも１つの流量制御装置、 前記可動式ジェットアノード及び前記流量制御装置と組
    み合わさって、前記基材の第１の部分に電解質及びメッ
    キ電流を提供してフィルムをメッキし、そして基材の第
    １の部分に前記フィルムをメッキした後で、基材のこの
    第１の部分とは異なる第２の部分に電解質及びメッキ電
    流を提供してフィルムをメッキして、前記基材のこれら
    の部分に続けて前記フィルムをメッキすることによっ
    て、前記基材に均一な厚さの連続フィルムを提供する、
    少なくとも１つの制御システム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  78. 【請求項７８】 前記基材ホルダーが、前記基材に対し
    て垂直な軸の周りに回転可能である、請求項７７に記載
    の設備。
  79. 【請求項７９】 前記基材ホルダーが、前記基材を完全
    に電解質に浸漬させるように電解質に向かって移動可能
    であり、また電解質から離れるように移動可能である、
    請求項７７に記載の設備。
  80. 【請求項８０】 前記可動式ジェットアノードが、１つ
    のアノード、及び前記アノードを囲んでいる電解質流れ
    ノズルを具備している、請求項７７に記載の設備。
  81. 【請求項８１】 前記可動式ジェットアノードが、前記
    ノズルの外側の周りに配置された第２の電極を更に有す
    る、請求項８０に記載の設備。
  82. 【請求項８２】 前記可動式ジェットアノードが、前記
    第２の電極の周りに配置された絶縁壁、及びこの絶縁壁
    の周りに配置された第３の電極を更に有する、請求項８
    １に記載の設備。
  83. 【請求項８３】 前記可動式ジェットアノードが、前記
    基材に対して平行な直線経路を移動することができる、
    請求項７７に記載の設備。
  84. 【請求項８４】 前記可動式ジェットアノードが、前記
    基材に対して平行な湾曲経路を移動することができる、
    請求項７７に記載の設備。
  85. 【請求項８５】 前記湾曲経路が、前記基材に対して平
    行な面内の渦巻状の経路である、請求項８４に記載の設
    備。
  86. 【請求項８６】 基材を電解質中に配置し、回転させる
    基材ホルダー、 前記基材にメッキ電流と電解質を供給する少なくとも１
    つの、前記基材の表面に対して平行な方向に移動するこ
    とができる可動式ジェットアノード、 前記可動式ジェットアノードを通って流れる電解質を制
    御する流量制御装置、 前記可動式ジェットアノード及び前記流量制御装置と組
    み合わさって、前記基材の第１の部分に電解質及びメッ
    キ電流を提供してフィルムをメッキし、そして基材の第
    １の部分に前記フィルムをメッキした後で、基材のこの
    第１の部分とは異なる第２の部分に提供してフィルムを
    メッキして、前記基材のこれらの部分に続けてフィルム
    をメッキすることによって、前記基材に均一な厚さの連
    続フィルムを提供する、少なくとも１つの制御システ
    ム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  87. 【請求項８７】 前記可動式ジェットアノードが、前記
    基材に対して平行な直線経路を移動することができる、
    請求項８６に記載の設備。
  88. 【請求項８８】 前記可動式ジェットアノードが、前記
    基材に対して平行な湾曲経路を移動することができる、
    請求項８６に記載の設備。
  89. 【請求項８９】 前記湾曲経路が前記基材に対して平行
    な平面内の渦巻状の経路である、請求項８８に記載の設
    備。
  90. 【請求項９０】 前記基材を、前記可動式ジェットアノ
    ードの下に隣接させて水平に配置する、請求項８６に記
    載に設備。
  91. 【請求項９１】 前記基材を、前記可動式ジェットアノ
    ードに隣接させて垂直に配置する、請求項８６に記載の
    設備。
  92. 【請求項９２】 基材を電解質表面の上に配置する基材
    ホルダー、 前記基材ホルダーと組み合わさって、この基材ホルダー
    を電解質表面に向かうように及び電解質表面から離れる
    ように動かして、基材表面の電解質と接触する部分を制
    御する第１の駆動機構、 前記電解質の浴、 前記浴内に取り付けられた少なくとも１つのアノード、 前記浴と組み合わさって、垂直軸の周りにこの浴を回転
    させ、前記電解質の表面を実質的に放物線状の形状にす
    る第２の駆動機構、 前記第１及び第２の駆動機構並びに前記少なくとも１つ
    のアノードと組み合わさって、前記電解質及びメッキ電
    流を前記基材の一連の部分に提供し、前記基材のこれら
    の部分に続けてフィルムをメッキすることによって、前
    記基材に均一な厚さの連続フィルムを提供する制御シス
    テム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  93. 【請求項９３】 メッキ処理の間に新しい電解質を供給
    する少なくとも１つの流量制御装置を更に具備してい
    る、請求項９２に記載の設備。
  94. 【請求項９４】 複数のアノードを具備している、請求
    項９２に記載の設備。
  95. 【請求項９５】 前記基材ホルダーと組み合わさった第
    ３の駆動機構を更に具備して、前記基材の表面に垂直な
    軸の周りに前記基材ホルダーを回転させる、請求項９２
    に記載の設備。
  96. 【請求項９６】 基材を電解質表面の上に配置する基材
    ホルダー、 前記基材ホルダーと組み合わさって、この基材ホルダー
    を電解質表面に向かうように及び電解質表面から離れる
    ように動かして、基材表面の電解質と接触する部分を制
    御する第１の駆動機構、 前記基材ホルダーと組み合わさって、前記基材の表面に
    対して垂直な軸の周りに前記基材を回転させる第２の駆
    動機構、 前記基材ホルダーと組み合わさって、前記電解質の表面
    に関して前記基材ホルダーを傾斜させる第３の駆動機
    構、 前記電解質の浴、 前記浴内に取り付けられた少なくとも１つのアノード、 前記第１、第２及び第３の駆動機構並びに前記少なくと
    も１つのアノードと組み合わさって、前記基材の第１の
    部分に電解質及びメッキ電流を提供してフィルムをメッ
    キし、そして基材の第１の部分に前記フィルムをメッキ
    した後で、基材のこの第１の部分とは異なる第２の部分
    に電解質及びメッキ電流を提供してフィルムをメッキし
    て、前記基材のこれらの部分に続けてフィルムをメッキ
    することによって、前記基材に均一な厚さの連続フィル
    ムを提供する制御システム、 を具備している、基材にフィルムをメッキする設備。
  97. 【請求項９７】 メッキ処理の間に新しい電解質を供給
    する少なくとも１つの流量制御装置を更に具備してい
    る、請求項９６に記載の設備。
  98. 【請求項９８】 前記少なくとも１つのアノードが複数
    のアノードを含んでいる、請求項９６に記載の設備。
  99. 【請求項９９】 前記第３の駆動機構が、９０度未満の
    傾斜角で前記基材ホルダーを傾斜させるようにされてい
    る、請求項９６に記載の設備。
  100. 【請求項１００】 前記浴と組み合わさって垂直軸の周
    りにこの浴を回転させ、前記電解質の表面を実質的に放
    物線状の形状にする第４の駆動機構、 を更に具備している、請求項９６に記載の設備。
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Families Citing this family (374)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6749390B2 (en) 1997-12-15 2004-06-15 Semitool, Inc. Integrated tools with transfer devices for handling microelectronic workpieces
US6752584B2 (en) * 1996-07-15 2004-06-22 Semitool, Inc. Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US6921467B2 (en) * 1996-07-15 2005-07-26 Semitool, Inc. Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7244677B2 (en) * 1998-02-04 2007-07-17 Semitool. Inc. Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device
TWI223678B (en) * 1998-03-20 2004-11-11 Semitool Inc Process for applying a metal structure to a workpiece, the treated workpiece and a solution for electroplating copper
US6565729B2 (en) 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
DE69929967T2 (de) 1998-04-21 2007-05-24 Applied Materials, Inc., Santa Clara Elektroplattierungssystem und verfahren zur elektroplattierung auf substraten
US6416647B1 (en) * 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
KR100654413B1 (ko) * 1998-04-30 2006-12-05 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 도금방법
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6773571B1 (en) 2001-06-28 2004-08-10 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for uniform electroplating of thin metal seeded wafers using multiple segmented virtual anode sources
US6919010B1 (en) 2001-06-28 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform electroplating of thin metal seeded wafers using rotationally asymmetric variable anode correction
US6258220B1 (en) * 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US7204924B2 (en) * 1998-12-01 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus to deposit layers with uniform properties
US6582578B1 (en) * 1999-04-08 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
US6837978B1 (en) 1999-04-08 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Deposition uniformity control for electroplating apparatus, and associated method
US7585398B2 (en) 1999-04-13 2009-09-08 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7438788B2 (en) 1999-04-13 2008-10-21 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
JP4219562B2 (ja) * 1999-04-13 2009-02-04 セミトゥール・インコーポレイテッド ワークピースを電気化学的に処理するためのシステム
US6368475B1 (en) * 2000-03-21 2002-04-09 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7020537B2 (en) * 1999-04-13 2006-03-28 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7351314B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US6916412B2 (en) * 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
US7160421B2 (en) 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7264698B2 (en) * 1999-04-13 2007-09-04 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7189318B2 (en) 1999-04-13 2007-03-13 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7351315B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
KR20010020807A (ko) * 1999-05-03 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 고정 연마재 제품을 사전-조절하는 방법
US6623609B2 (en) 1999-07-12 2003-09-23 Semitool, Inc. Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same
US20050205111A1 (en) * 1999-10-12 2005-09-22 Ritzdorf Thomas L Method and apparatus for processing a microfeature workpiece with multiple fluid streams
WO2001027357A1 (en) * 1999-10-12 2001-04-19 Semitool, Inc. Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station
US6660139B1 (en) * 1999-11-08 2003-12-09 Ebara Corporation Plating apparatus and method
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US6547937B1 (en) * 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
US20050092621A1 (en) * 2000-02-17 2005-05-05 Yongqi Hu Composite pad assembly for electrochemical mechanical processing (ECMP)
US20030213703A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate polishing
US6848970B2 (en) 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US7670468B2 (en) * 2000-02-17 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing
US7059948B2 (en) * 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US7029365B2 (en) * 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US6991528B2 (en) 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7066800B2 (en) 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303462B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US6537144B1 (en) 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
US20040020789A1 (en) * 2000-02-17 2004-02-05 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7678245B2 (en) * 2000-02-17 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical processing
US7303662B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7077721B2 (en) 2000-02-17 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US20040182721A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-23 Applied Materials, Inc. Process control in electro-chemical mechanical polishing
US6962524B2 (en) 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6991526B2 (en) * 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US7374644B2 (en) 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20080156657A1 (en) * 2000-02-17 2008-07-03 Butterfield Paul D Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6979248B2 (en) 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7125477B2 (en) 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US8475636B2 (en) 2008-11-07 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US8308931B2 (en) * 2006-08-16 2012-11-13 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US20050183959A1 (en) * 2000-04-13 2005-08-25 Wilson Gregory J. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece
US6495005B1 (en) * 2000-05-01 2002-12-17 International Business Machines Corporation Electroplating apparatus
US6913680B1 (en) 2000-05-02 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of application of electrical biasing to enhance metal deposition
US6689519B2 (en) 2000-05-04 2004-02-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for lithography process control
JP2001316887A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd メッキ処理装置
US7622024B1 (en) * 2000-05-10 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. High resistance ionic current source
US6527920B1 (en) 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
US6808612B2 (en) 2000-05-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio
WO2001090434A2 (en) * 2000-05-24 2001-11-29 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US20050109627A1 (en) * 2003-10-10 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Methods and chemistry for providing initial conformal electrochemical deposition of copper in sub-micron features
US20050145499A1 (en) * 2000-06-05 2005-07-07 Applied Materials, Inc. Plating of a thin metal seed layer
WO2001094656A2 (en) * 2000-06-05 2001-12-13 Applied Materials, Inc. Plating apparatus with individually controllable anode segments and associated method
US20050284751A1 (en) * 2004-06-28 2005-12-29 Nicolay Kovarsky Electrochemical plating cell with a counter electrode in an isolated anolyte compartment
US7273535B2 (en) * 2003-09-17 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Insoluble anode with an auxiliary electrode
US7584761B1 (en) * 2000-06-30 2009-09-08 Lam Research Corporation Wafer edge surface treatment with liquid meniscus
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US6428673B1 (en) * 2000-07-08 2002-08-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrochemical processing of a microelectronic workpiece, capable of modifying processing based on metrology
AU2001282879A1 (en) 2000-07-08 2002-01-21 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
US6747734B1 (en) * 2000-07-08 2004-06-08 Semitool, Inc. Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology
US7349090B2 (en) 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
AU2001295060A1 (en) 2000-09-20 2002-04-02 Kla-Tencor-Inc. Methods and systems for semiconductor fabrication processes
US7106425B1 (en) 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US7130029B2 (en) 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
WO2002029137A2 (en) * 2000-10-03 2002-04-11 Applied Materials,Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
US6896776B2 (en) 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
JP2002212786A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Ebara Corp 基板処理装置
US20040020780A1 (en) * 2001-01-18 2004-02-05 Hey H. Peter W. Immersion bias for use in electro-chemical plating system
JP2002220692A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Ebara Corp めっき装置及び方法
US7128825B2 (en) * 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7232514B2 (en) * 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US6811680B2 (en) * 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6899804B2 (en) * 2001-04-10 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20020139684A1 (en) * 2001-04-02 2002-10-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plating system, plating method, method of manufacturing semiconductor device using the same, and method of manufacturing printed board using the same
US7189647B2 (en) 2001-04-05 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers
US7137879B2 (en) 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7344432B2 (en) 2001-04-24 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Conductive pad with ion exchange membrane for electrochemical mechanical polishing
JP3530149B2 (ja) * 2001-05-21 2004-05-24 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体装置
US20060011487A1 (en) * 2001-05-31 2006-01-19 Surfect Technologies, Inc. Submicron and nano size particle encapsulation by electrochemical process and apparatus
US20040115340A1 (en) * 2001-05-31 2004-06-17 Surfect Technologies, Inc. Coated and magnetic particles and applications thereof
US6551487B1 (en) * 2001-05-31 2003-04-22 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlled-angle wafer immersion
US7682498B1 (en) 2001-06-28 2010-03-23 Novellus Systems, Inc. Rotationally asymmetric variable electrode correction
US6908540B2 (en) * 2001-07-13 2005-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for encapsulation of an edge of a substrate during an electro-chemical deposition process
AU2002343330A1 (en) 2001-08-31 2003-03-10 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6746591B2 (en) 2001-10-16 2004-06-08 Applied Materials Inc. ECP gap fill by modulating the voltate on the seed layer to increase copper concentration inside feature
US20030072639A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6755946B1 (en) 2001-11-30 2004-06-29 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus with dynamic uniformity control
US7033465B1 (en) 2001-11-30 2006-04-25 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus with crystal shielding and in-situ rinse-dry
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US6830673B2 (en) 2002-01-04 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Anode assembly and method of reducing sludge formation during electroplating
US6951599B2 (en) 2002-01-22 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Electropolishing of metallic interconnects
US6837983B2 (en) 2002-01-22 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes
TWI277473B (en) * 2002-01-31 2007-04-01 Ebara Corp Electrolytic processing apparatus and method, fixing method, fixing structure for ion exchanging member
US20030159921A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Randy Harris Apparatus with processing stations for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US6991710B2 (en) * 2002-02-22 2006-01-31 Semitool, Inc. Apparatus for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
JP3843871B2 (ja) * 2002-03-26 2006-11-08 ソニー株式会社 電解研磨方法および半導体装置の製造方法
US7854828B2 (en) * 2006-08-16 2010-12-21 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating including remotely positioned second cathode
US6911136B2 (en) * 2002-04-29 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method for regulating the electrical power applied to a substrate during an immersion process
US20050194681A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US6893505B2 (en) * 2002-05-08 2005-05-17 Semitool, Inc. Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
US7247223B2 (en) * 2002-05-29 2007-07-24 Semitool, Inc. Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces
US6875331B2 (en) * 2002-07-11 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Anode isolation by diffusion differentials
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US7114903B2 (en) * 2002-07-16 2006-10-03 Semitool, Inc. Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces
US7128823B2 (en) 2002-07-24 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Anolyte for copper plating
US7223323B2 (en) * 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
US20040217005A1 (en) * 2002-07-24 2004-11-04 Aron Rosenfeld Method for electroplating bath chemistry control
US7247222B2 (en) * 2002-07-24 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Electrochemical processing cell
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US7993773B2 (en) 2002-08-09 2011-08-09 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
JP4058307B2 (ja) 2002-08-29 2008-03-05 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置
US7112270B2 (en) * 2002-09-16 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Algorithm for real-time process control of electro-polishing
US20050061674A1 (en) * 2002-09-16 2005-03-24 Yan Wang Endpoint compensation in electroprocessing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7614411B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7293571B2 (en) * 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7513262B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7069937B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7153400B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7045018B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
US20040108212A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Lyndon Graham Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces
CN100514581C (zh) * 2002-12-09 2009-07-15 Acm研究公司 晶片卡盘和抛光/电镀托座之间的测量对准
US20040226654A1 (en) * 2002-12-17 2004-11-18 Akihisa Hongo Substrate processing apparatus and substrate processing method
DE10261493A1 (de) * 2002-12-23 2004-07-08 METAKEM Gesellschaft für Schichtchemie der Metalle mbH Anode zur Galvanisierung
US20040154926A1 (en) * 2002-12-24 2004-08-12 Zhi-Wen Sun Multiple chemistry electrochemical plating method
JP4303484B2 (ja) * 2003-01-21 2009-07-29 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置
US20060049038A1 (en) * 2003-02-12 2006-03-09 Surfect Technologies, Inc. Dynamic profile anode
WO2004075266A2 (en) * 2003-02-18 2004-09-02 Applied Materials, Inc. Method for immersing a substrate
WO2004077519A2 (en) * 2003-02-27 2004-09-10 Mukundan Narasimhan Dielectric barrier layer films
US7842169B2 (en) 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
US7238628B2 (en) * 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
WO2004107422A2 (en) * 2003-05-27 2004-12-09 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
KR100545192B1 (ko) * 2003-06-19 2006-01-24 동부아남반도체 주식회사 증착 중단 시기 검출 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의구리 배선 형성 방법
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
DE10337669B4 (de) * 2003-08-08 2006-04-27 Atotech Deutschland Gmbh Wässrige, saure Lösung und Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Kupferüberzügen sowie Verwendung der Lösung
US7067048B2 (en) * 2003-08-08 2006-06-27 Lsi Logic Corporation Method to improve the control of electro-polishing by use of a plating electrode an electrolyte bath
JP4624738B2 (ja) * 2003-08-21 2011-02-02 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP5232844B2 (ja) * 2003-08-21 2013-07-10 株式会社荏原製作所 めっき装置
US6972438B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US20050092601A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Harald Herchen Electrochemical plating cell having a diffusion member
US20050092602A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Harald Herchen Electrochemical plating cell having a membrane stack
US20050095854A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Uzoh Cyprian E. Methods for depositing high yield and low defect density conductive films in damascene structures
US20050092611A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Semitool, Inc. Bath and method for high rate copper deposition
US20050121141A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-09 Manens Antoine P. Real time process control for a polishing process
US7186164B2 (en) 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US6998337B1 (en) * 2003-12-08 2006-02-14 Advanced Micro Devices, Inc. Thermal annealing for Cu seed layer enhancement
US20070039827A1 (en) * 2003-12-09 2007-02-22 Acm Reasearch, Inc. Measuring alignment between a wafer chuck and polishing/plating receptacle
US20050178666A1 (en) * 2004-01-13 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Methods for fabrication of a polishing article
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
JP2007525595A (ja) * 2004-02-04 2007-09-06 サーフェクト テクノロジーズ インク． メッキ装置及び方法
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US8623193B1 (en) 2004-06-16 2014-01-07 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating using a high resistance ionic current source
US7285195B2 (en) * 2004-06-24 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Electric field reducing thrust plate
US7214297B2 (en) * 2004-06-28 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Substrate support element for an electrochemical plating cell
US7645364B2 (en) * 2004-06-30 2010-01-12 Lam Research Corporation Apparatus and method for plating semiconductor wafers
US20060030156A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Abrasive conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7084064B2 (en) 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
WO2006039436A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Applied Materials, Inc. Pad design for electrochemical mechanical polishing
US7520968B2 (en) 2004-10-05 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Conductive pad design modification for better wafer-pad contact
US20060102467A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Harald Herchen Current collimation for thin seed and direct plating
JP2008522040A (ja) * 2004-11-30 2008-06-26 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性表面の膜制限選択性電気めっき
KR101127370B1 (ko) 2004-12-08 2012-03-29 인피니트 파워 솔루션스, 인크. ＬｉＣｏＯ２의 증착
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7368042B2 (en) * 2004-12-30 2008-05-06 United Microelectronics Corp. Electroplating apparatus including a real-time feedback system
US7655565B2 (en) * 2005-01-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Electroprocessing profile control
US20060163058A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Kiyonori Watanabe Apparatus for plating a semiconductor wafer and plating solution bath used therein
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
WO2006081589A2 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Tungsten electroprocessing
US20060175201A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Hooman Hafezi Immersion process for electroplating applications
US20060219566A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for fabricating metal layer
US20060219663A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Applied Materials, Inc. Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers
US7427340B2 (en) * 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
US7820026B2 (en) * 2005-04-13 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Method to deposit organic grafted film on barrier layer
US20060237319A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Akira Furuya Planting process and manufacturing process for semiconductor device thereby, and plating apparatus
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060249395A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Material, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US7837851B2 (en) 2005-05-25 2010-11-23 Applied Materials, Inc. In-situ profile measurement in an electroplating process
US7838133B2 (en) * 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
KR100651919B1 (ko) * 2005-09-29 2006-12-01 엘지전자 주식회사 녹화 속도 조절 기능을 갖는 이동통신단말기 및 이를이용한 방법
JP2007123473A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Alps Electric Co Ltd 軟磁性膜及びその製造方法、ならびに前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US20070141818A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Bulent Basol Method of depositing materials on full face of a wafer
US8029653B2 (en) * 2006-02-21 2011-10-04 Ebara Corporation Electroplating apparatus and electroplating method
US7655126B2 (en) * 2006-03-27 2010-02-02 Federal Mogul World Wide, Inc. Fabrication of topical stopper on MLS gasket by active matrix electrochemical deposition
US7736913B2 (en) * 2006-04-04 2010-06-15 Solopower, Inc. Composition control for photovoltaic thin film manufacturing
US20070227633A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Basol Bulent M Composition control for roll-to-roll processed photovoltaic films
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US7422982B2 (en) * 2006-07-07 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control
US9822461B2 (en) 2006-08-16 2017-11-21 Novellus Systems, Inc. Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
KR20090069323A (ko) 2006-09-29 2009-06-30 인피니트 파워 솔루션스, 인크. 가요성 기판의 마스킹 및 가요성 기판에 배터리 층을 증착하기 위한 재료의 구속
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
JP4915220B2 (ja) * 2006-11-24 2012-04-11 富士通株式会社 携帯端末装置
US20080128019A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
US7704352B2 (en) * 2006-12-01 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate
US7799182B2 (en) 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
US7736928B2 (en) * 2006-12-01 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
US7799684B1 (en) 2007-03-05 2010-09-21 Novellus Systems, Inc. Two step process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US20080293343A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Yuchun Wang Pad with shallow cells for electrochemical mechanical processing
DE102007026633B4 (de) 2007-06-06 2009-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
US8528498B2 (en) * 2007-06-29 2013-09-10 Lam Research Corporation Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity
US7985325B2 (en) 2007-10-30 2011-07-26 Novellus Systems, Inc. Closed contact electroplating cup assembly
US7935231B2 (en) 2007-10-31 2011-05-03 Novellus Systems, Inc. Rapidly cleanable electroplating cup assembly
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
WO2009086038A1 (en) 2007-12-21 2009-07-09 Infinite Power Solutions, Inc. Method for sputter targets for electrolyte films
CN101911367B (zh) 2008-01-11 2015-02-25 无穷动力解决方案股份有限公司 用于薄膜电池及其他器件的薄膜包封
US8703615B1 (en) 2008-03-06 2014-04-22 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US7964506B1 (en) 2008-03-06 2011-06-21 Novellus Systems, Inc. Two step copper electroplating process with anneal for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US8513124B1 (en) 2008-03-06 2013-08-20 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on semi-noble metal coated wafers
US20090236447A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas injection in process chamber
KR101672254B1 (ko) 2008-04-02 2016-11-08 사푸라스트 리써치 엘엘씨 에너지 수확과 관련된 에너지 저장 장치를 위한 수동적인 과전압/부족전압 제어 및 보호
US20090250352A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 Emat Technology, Llc Methods for electroplating copper
CN101580945B (zh) * 2008-05-12 2012-12-05 盛美半导体设备（上海）有限公司 电沉积系统
US9659670B2 (en) 2008-07-28 2017-05-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US8906523B2 (en) 2008-08-11 2014-12-09 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
WO2010030743A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral conductive surface for data communication via electromagnetic energy and method thereof
JP2012503096A (ja) * 2008-09-16 2012-02-02 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウエハ上に実質的に均一な銅析出を行う方法
US8508193B2 (en) 2008-10-08 2013-08-13 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
US11225727B2 (en) 2008-11-07 2022-01-18 Lam Research Corporation Control of current density in an electroplating apparatus
US8858774B2 (en) 2008-11-07 2014-10-14 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus for tailored uniformity profile
US10011917B2 (en) 2008-11-07 2018-07-03 Lam Research Corporation Control of current density in an electroplating apparatus
US20120261254A1 (en) 2011-04-15 2012-10-18 Reid Jonathan D Method and apparatus for filling interconnect structures
US20100126849A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery and capacitor
CN101748459B (zh) * 2008-12-01 2014-09-24 盛美半导体设备（上海）有限公司 在半导体晶片上超均匀沉积铜膜的方法
US9512538B2 (en) 2008-12-10 2016-12-06 Novellus Systems, Inc. Plating cup with contoured cup bottom
US8172992B2 (en) 2008-12-10 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Wafer electroplating apparatus for reducing edge defects
US8475637B2 (en) * 2008-12-17 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus with vented electrolyte manifold
US8262871B1 (en) 2008-12-19 2012-09-11 Novellus Systems, Inc. Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers
JP5084766B2 (ja) * 2009-03-11 2012-11-28 住友電気工業株式会社 薄膜超電導線材および超電導ケーブル導体
US9455139B2 (en) 2009-06-17 2016-09-27 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US20100320081A1 (en) 2009-06-17 2010-12-23 Mayer Steven T Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling
US9677188B2 (en) 2009-06-17 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
US8599572B2 (en) 2009-09-01 2013-12-03 Infinite Power Solutions, Inc. Printed circuit board with integrated thin film battery
US20110041899A1 (en) * 2009-10-30 2011-02-24 National Institute Of Standards And Technology Three Dimensionally Structured Thin Film Photovoltaic Devices with Self-Aligned Back Contacts
US9347987B2 (en) 2009-11-06 2016-05-24 Intel Corporation Direct liquid-contact micro-channel heat transfer devices, methods of temperature control for semiconductive devices, and processes of forming same
US9138784B1 (en) 2009-12-18 2015-09-22 Novellus Systems, Inc. Deionized water conditioning system and methods
TWI397614B (zh) * 2009-12-22 2013-06-01 Zhen Ding Technology Co Ltd 電鍍治具
TWI410531B (zh) * 2010-05-07 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Mfg 直立式電鍍設備及其電鍍方法
US9441295B2 (en) * 2010-05-14 2016-09-13 Solarcity Corporation Multi-channel gas-delivery system
US9385035B2 (en) 2010-05-24 2016-07-05 Novellus Systems, Inc. Current ramping and current pulsing entry of substrates for electroplating
EP2577777B1 (en) 2010-06-07 2016-12-28 Sapurast Research LLC Rechargeable, high-density electrochemical device
US8795480B2 (en) * 2010-07-02 2014-08-05 Novellus Systems, Inc. Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US10094034B2 (en) 2015-08-28 2018-10-09 Lam Research Corporation Edge flow element for electroplating apparatus
US9523155B2 (en) 2012-12-12 2016-12-20 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US9624592B2 (en) 2010-07-02 2017-04-18 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US10233556B2 (en) 2010-07-02 2019-03-19 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating
TWI414640B (zh) * 2010-09-06 2013-11-11 Grand Plastic Technology Co Ltd 垂直懸臂式電鍍夾具
TW201213622A (en) * 2010-09-27 2012-04-01 Pin-Chun Huang Device and method for electroplating thin board
US20120325671A2 (en) * 2010-12-17 2012-12-27 Tel Nexx, Inc. Electroplated lead-free bump deposition
CN102041531B (zh) * 2010-12-30 2012-05-23 东莞铭励电器制品有限公司 一种局部喷镀银接触钉之喷镀装置及一种局部喷镀银接触钉
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9028666B2 (en) 2011-05-17 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. Wetting wave front control for reduced air entrapment during wafer entry into electroplating bath
KR101783786B1 (ko) 2011-06-24 2017-10-10 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 상의 균일한 금속화를 위한 방법 및 장치
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
JP5646758B2 (ja) * 2011-08-11 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置及び配線形成用治具
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US20130233356A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-12 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
KR102112881B1 (ko) 2012-03-28 2020-05-19 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 전자도금 기판 홀더들을 세정하기 위한 방법들 및 장치들
KR102092416B1 (ko) 2012-03-30 2020-03-24 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝
CN103590092B (zh) * 2012-08-16 2017-05-10 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种电化学抛光/电镀装置及方法
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9909228B2 (en) 2012-11-27 2018-03-06 Lam Research Corporation Method and apparatus for dynamic current distribution control during electroplating
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US9746427B2 (en) 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US9613833B2 (en) 2013-02-20 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US9435048B2 (en) * 2013-02-27 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Layer by layer electro chemical plating (ECP) process
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
US10113244B2 (en) * 2013-04-22 2018-10-30 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for uniformly metallization on substrate
US9670588B2 (en) 2013-05-01 2017-06-06 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US9449808B2 (en) 2013-05-29 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Apparatus for advanced packaging applications
US9677190B2 (en) 2013-11-01 2017-06-13 Lam Research Corporation Membrane design for reducing defects in electroplating systems
US9435049B2 (en) 2013-11-20 2016-09-06 Lam Research Corporation Alkaline pretreatment for electroplating
CN103938257A (zh) * 2014-05-08 2014-07-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 多用途电化学池装置及电镀和分析方法
CN105316754B (zh) * 2014-07-29 2019-08-16 盛美半导体设备（上海）有限公司 电化学加工工艺及电化学加工装置
CN105590987B (zh) * 2014-10-20 2022-06-14 苏州易益新能源科技有限公司 一种水平电化学沉积金属的方法
WO2016082093A1 (en) * 2014-11-25 2016-06-02 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus and method for uniform metallization on substrate
US9752248B2 (en) 2014-12-19 2017-09-05 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for dynamically tunable wafer-edge electroplating
US9567685B2 (en) 2015-01-22 2017-02-14 Lam Research Corporation Apparatus and method for dynamic control of plated uniformity with the use of remote electric current
US9481942B2 (en) 2015-02-03 2016-11-01 Lam Research Corporation Geometry and process optimization for ultra-high RPM plating
TWI560323B (en) * 2015-02-13 2016-12-01 Inotera Memories Inc Electrochemical plating device and anode assembly thereof
US9617648B2 (en) 2015-03-04 2017-04-11 Lam Research Corporation Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
US9816194B2 (en) 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating
US10014170B2 (en) 2015-05-14 2018-07-03 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US9972740B2 (en) 2015-06-07 2018-05-15 Tesla, Inc. Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures
US9988733B2 (en) 2015-06-09 2018-06-05 Lam Research Corporation Apparatus and method for modulating azimuthal uniformity in electroplating
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
EP3176288A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-07 ATOTECH Deutschland GmbH Method for galvanic metal deposition
US10364505B2 (en) 2016-05-24 2019-07-30 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
WO2018013874A1 (en) 2016-07-13 2018-01-18 Alligant Scientific, LLC Electrochemical methods, devices and compositions
DE112017003666T5 (de) * 2016-07-20 2019-05-02 Technic, Inc. GALVANISCHES ABSCHEIDEN VON METALLSCHICHTEN MIT GLEICHMÄßIGER DICKE AUF HALBLEITERWAFERN
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
WO2018063257A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Intel Corporation Methods & apparatus for electroless plating dispense
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating
CN106917121A (zh) * 2017-03-02 2017-07-04 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种晶圆电镀装置及电镀方法
KR102000672B1 (ko) * 2017-07-28 2019-07-17 주식회사 선익시스템 박막 증착용 마스크 제조 방법 및 이를 통해 제작된 증착 마스크
KR101987172B1 (ko) * 2017-07-28 2019-06-10 주식회사 선익시스템 박막 증착용 마스크 제조 방법 및 이를 통해 제작된 증착 마스크
US11001934B2 (en) 2017-08-21 2021-05-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating
US10781527B2 (en) 2017-09-18 2020-09-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating
CN110512248B (zh) * 2018-05-21 2022-04-12 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 电镀设备及电镀方法
JP7296699B2 (ja) * 2018-07-02 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
US11781235B2 (en) 2018-12-28 2023-10-10 Acm Research (Shanghai), Inc. Plating apparatus and plating method
KR102639119B1 (ko) * 2018-12-31 2024-02-20 엘지디스플레이 주식회사 전기 도금 장치 및 이를 이용한 전기 도금 방법
IT201900007878A1 (it) * 2019-06-03 2020-12-03 C D T Centro Depurazione Toscano Srl Impianto galvanostatico per la gestione della distribuzione dello spessore di riporti galvanici ed il procedimento per ottenerli
CN110614074B (zh) * 2019-09-25 2021-07-23 赣州泰普新材料有限公司 一种带有废物处理机构的萜烯树脂用生产装置
CN110923761B (zh) * 2019-12-26 2022-01-11 重庆切普电子技术有限公司 一种喷淋电镀系统
TWI865476B (zh) * 2019-12-27 2024-12-11 大陸商盛美半導體設備（上海）股份有限公司 電鍍裝置及電鍍方法
CN113493920B (zh) * 2020-03-19 2022-12-23 芯恩（青岛）集成电路有限公司 改善电镀薄膜均匀性的装置及方法
JP7356401B2 (ja) * 2020-05-12 2023-10-04 株式会社荏原製作所 プレート、めっき装置、及びプレートの製造方法
CN111854415B (zh) * 2020-07-15 2022-04-01 合肥三伍机械有限公司 一种烘干机用自清洁网板结构和烘干机
KR200496932Y1 (ko) 2020-08-25 2023-06-07 주식회사 한국가스기술공사 방폭등기구 테스트 장치
CN112899743B (zh) * 2021-01-19 2021-09-21 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司 一种电镀装置及电镀方法
WO2025102103A1 (en) * 2023-11-13 2025-05-22 Sundrive Solar Pty Ltd Method for depositing a metallic material on a major surface of a substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2538705Y2 (ja) 1991-01-10 1997-06-18 日本電気株式会社 めっき処理装置

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3880725A (en) * 1974-04-10 1975-04-29 Rca Corp Predetermined thickness profiles through electroplating
JPS56102590A (en) * 1979-08-09 1981-08-17 Koichi Shimamura Method and device for plating of microarea
US4304641A (en) 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
JPS57171690A (en) * 1981-04-13 1982-10-22 Tokio Osaki Plating method
WO1987003915A1 (en) * 1985-12-24 1987-07-02 Gould Inc. A process and apparatus for electroplating copper foil
GB8617675D0 (en) * 1986-07-19 1986-08-28 Ae Plc Deposition of bearing alloys
JPH01234590A (ja) * 1988-03-16 1989-09-19 Toshiba Eng Co Ltd 部分メッキ装置
US5235995A (en) 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
WO1990000476A1 (en) 1988-07-12 1990-01-25 The Regents Of The University Of California Planarized interconnect etchback
JPH07113159B2 (ja) * 1988-08-29 1995-12-06 日本電装株式会社 めっき装置
JPH02185999A (ja) * 1989-01-11 1990-07-20 Nec Corp 電気メッキ槽
JPH083153B2 (ja) * 1990-02-26 1996-01-17 日本電装株式会社 めっき装置
US5222310A (en) 1990-05-18 1993-06-29 Semitool, Inc. Single wafer processor with a frame
JPH04170031A (ja) * 1990-11-02 1992-06-17 Nec Corp 金属配線の形成方法
US5326455A (en) * 1990-12-19 1994-07-05 Nikko Gould Foil Co., Ltd. Method of producing electrolytic copper foil and apparatus for producing same
JPH04311591A (ja) * 1991-04-08 1992-11-04 Sumitomo Metal Ind Ltd めっき装置及びめっき方法
JP3112700B2 (ja) * 1991-05-08 2000-11-27 啓一郎 菅沼 半導体製造方法並びにその装置
JPH0555167A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH05206064A (ja) * 1991-12-10 1993-08-13 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH05195183A (ja) * 1992-01-23 1993-08-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0617291A (ja) * 1992-07-03 1994-01-25 Nec Corp 金属めっき装置
JPH0625899A (ja) 1992-07-10 1994-02-01 Nec Corp 電解メッキ装置
JPH0645283A (ja) * 1992-07-27 1994-02-18 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3350564B2 (ja) * 1993-01-22 2002-11-25 沖電気工業株式会社 めっき装置及びめっき方法
JP3064734B2 (ja) * 1993-04-01 2000-07-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5489341A (en) 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
US5421987A (en) 1993-08-30 1995-06-06 Tzanavaras; George Precision high rate electroplating cell and method
JP3289459B2 (ja) * 1993-12-29 2002-06-04 カシオ計算機株式会社 メッキ方法及びメッキ装置
WO1995020064A1 (en) * 1994-01-24 1995-07-27 Berg N Edward Uniform electroplating of printed circuit boards
US5544421A (en) 1994-04-28 1996-08-13 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing system
JP3033009B2 (ja) * 1994-09-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3394842B2 (ja) * 1995-04-14 2003-04-07 島田理化工業株式会社 ウエハ処理装置
US5516412A (en) 1995-05-16 1996-05-14 International Business Machines Corporation Vertical paddle plating cell
US5522975A (en) * 1995-05-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture
EP0751566A3 (en) * 1995-06-30 1997-02-26 Ibm Metal thin film barrier for electrical connections
US5670034A (en) 1995-07-11 1997-09-23 American Plating Systems Reciprocating anode electrolytic plating apparatus and method
US5620581A (en) 1995-11-29 1997-04-15 Aiwa Research And Development, Inc. Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
JP3537269B2 (ja) * 1996-05-21 2004-06-14 アネルバ株式会社 マルチチャンバースパッタリング装置
US5779799A (en) * 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
US6221230B1 (en) * 1997-05-15 2001-04-24 Hiromitsu Takeuchi Plating method and apparatus
JP3223850B2 (ja) * 1997-07-18 2001-10-29 日本電気株式会社 噴流めっき装置
JPH1180993A (ja) * 1997-09-10 1999-03-26 Ebara Corp 半導体ウエハメッキ装置
JP3554665B2 (ja) * 1997-09-17 2004-08-18 株式会社荏原製作所 半導体基板配線のバリア層及び配線構造
US5882498A (en) * 1997-10-16 1999-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for reducing oxidation of electroplating chamber contacts and improving uniform electroplating of a substrate
US6027631A (en) * 1997-11-13 2000-02-22 Novellus Systems, Inc. Electroplating system with shields for varying thickness profile of deposited layer
US6251528B1 (en) * 1998-01-09 2001-06-26 International Business Machines Corporation Method to plate C4 to copper stud
US6140234A (en) * 1998-01-20 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method to selectively fill recesses with conductive metal
JP3501937B2 (ja) * 1998-01-30 2004-03-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6143155A (en) * 1998-06-11 2000-11-07 Speedfam Ipec Corp. Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2538705Y2 (ja) 1991-01-10 1997-06-18 日本電気株式会社 めっき処理装置

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