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JP3500359B2 - 熱処理装置および熱処理方法ならびに基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

熱処理装置および熱処理方法ならびに基板処理装置および基板処理方法

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JP3500359B2
JP3500359B2 JP2001022260A JP2001022260A JP3500359B2 JP 3500359 B2 JP3500359 B2 JP 3500359B2 JP 2001022260 A JP2001022260 A JP 2001022260A JP 2001022260 A JP2001022260 A JP 2001022260A JP 3500359 B2 JP3500359 B2 JP 3500359B2
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JP
Japan
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substrate
heat treatment
gas
chamber
hot plate
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崇 田中
慎二 永嶋
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハ等の基板に層間絶縁膜等の膜を形成するために用い
られる熱処理装置および熱処理方法ならびに基板処理装
置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
例えば、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム
法、フォックス法等により、半導体ウエハ上に塗布膜を
スピンコートし、化学的処理または加熱処理等を施して
層間絶縁膜を形成している。このうち、シルク法、スピ
ードフィルム法、フォックス法により層間絶縁膜を形成
する際には、冷却した半導体ウエハに塗布液を塗布し、
加熱処理して冷却処理し、さらに低酸素濃度雰囲気にお
いて加熱処理および冷却処理を施す硬化処理によって塗
布膜を硬化（キュア）させ、層間絶縁膜を得ている。
【０００３】ここで、キュア処理等の加熱処理時には、
半導体ウエハの温度が高くなっている状態で酸素濃度が
大きくなると、形成される層間絶縁膜の誘電率が大きく
なるという問題が生ずるため、例えば、半導体ウエハが
載置されたチャンバ内に窒素ガス等の不活性ガスを所定
量流しながら熱処理が行われている。より具体的には、
このような熱処理は、半導体ウエハが載置されるホット
プレートの外周に複数箇所設けられたガス吐出口からチ
ャンバ内へ不活性ガスを供給しつつ、ホットプレートの
中央上方に設けられた排気口からチャンバ内のガスを排
気する方法を用いて行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな不活性ガスの供給方法では、ガス吐出口の位置が固
定されていることから、ガス吐出口に近い部分とガス供
給口から離れている部分とでは不活性ガスの流れ方が異
なり、これによって半導体ウエハに温度分布が生じた
り、または半導体ウエハの周囲に酸素濃度分布が生ずる
等して、形成される膜の特性、例えば、誘電率や硬さ、
剥離強度等の均一性が低下する場合がある。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、ホットプレートに載置され
た基板に均一にガスを供給することにより、基板の熱処
理を基板全体で均一に行うことを可能とする熱処理装置
と熱処理方法ならびに基板処理装置および基板処理方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は第１発明として、基板に所定の熱処理を施
す熱処理装置であって、基板を載置するホットプレート
と、前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載
置された基板を収納するチャンバと、前記チャンバ内に
所定のガスを供給するガス供給機構と、前記ホットプレ
ートに載置された基板を囲繞するように前記チャンバ内
に配置され、前記ガス供給機構から供給されるガスの吹
き出し口が複数箇所に形成されたバッフル部材と、前記
バッフル部材を回転させ、または所定角度の反転回動運
動をさせる回転駆動機構と、を具備することを特徴とす
る熱処理装置、を提供する。
【０００７】本発明は第２発明として、基板に所定の熱
処理を施す熱処理装置であって、基板を載置するホット
プレートと、前記ホットプレートおよび前記ホットプレ
ートに載置された基板を収納するチャンバと、前記チャ
ンバ内に所定のガスを供給するガス吐出口を有するガス
供給機構と、前記ガス吐出口を前記基板周りに回転さ
せ、または所定角度の反転回動運動をさせる回転駆動機
構と、を具備することを特徴とする熱処理装置、を提供
する。
【０００８】本発明は第３発明として、基板に所定の熱
処理を施す熱処理装置であって、基板を載置するホット
プレートと、前記ホットプレートおよび前記ホットプレ
ートに載置された基板を収納するチャンバと、前記チャ
ンバ内に所定のガスを供給するガス供給機構と、前記ガ
ス供給機構から供給されるガスを拡散させるガス拡散機
構と、を具備し、前記ガス拡散機構は、前記ホットプレ
ートに載置された基板を囲繞するように前記チャンバ内
に配置され、前記ガス供給機構から供給されるガスの吹
き出し口が複数箇所に形成されたバッフル部材と、前記
バッフル部材に取り付けられ、前記ガス供給機構から供
給されるガスの圧力を受けて前記バッフル部材を回転さ
せるフィンと、前記バッフル部材を回転自在な状態で保
持するバッフル部材保持手段と、を有することを特徴と
する熱処理装置、を提供する。
【０００９】本発明は上記熱処理装置を用いた熱処理方
法を提供する。すなわち、本発明は第４発明として、基
板に所定の熱処理を施す熱処理方法であって、基板をホ
ットプレート上に載置する第１工程と、前記ホットプレ
ートに載置された基板を囲繞するようにバッフル部材を
配置する第２工程と、前記バッフル部材に形成されたガ
ス吹き出し口から前記基板に不活性ガスを供給する第３
工程と、を有し、前記第３工程においては、前記バッフ
ル部材を回転させ、または所定角度の反転回動運動させ
て、前記吹き出し口の位置を移動させながら前記基板へ
不活性ガスの供給を行うことを特徴とする熱処理方法、
を提供する。
【００１０】本発明は第５発明として、基板に所定の熱
処理を施す熱処理方法であって、基板をホットプレート
上に載置する第１工程と、前記ホットプレートおよび前
記ホットプレートに載置された基板をチャンバ内に収納
する第２工程と、前記チャンバ内の基板に所定の不活性
ガスを供給しつつ前記チャンバ内からの排気を行って前
記基板を熱処理する第３工程と、を有し、前記第３工程
においては、前記不活性ガスを吐出するガス吐出口を前
記基板周りに回転させ、または所定角度の反転回動運動
させて、前記ガス吐出口の位置を移動させながら前記基
板へ不活性ガスの供給を行うことを特徴とする熱処理方
法、を提供する。
【００１１】本発明は第６発明として、基板に所定の熱
処理を施す熱処理方法であって、基板をホットプレート
上に載置する第１工程と、前記ホットプレートに載置さ
れた基板を囲繞するようにバッフル部材を配置し、ま
た、前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載
置された基板ならびに前記バッフル部材をチャンバ内に
収納する第２工程と、前記チャンバ内に所定の不活性ガ
スを供給して前記バッフル部材に形成されたガス吹き出
し口から前記基板に不活性ガスを供給しつつ前記チャン
バ内からの排気を行って前記基板を熱処理する第３工程
と、を有し、前記第３工程は、前記チャンバ内に供給さ
れる不活性ガスの吐出圧が前記バッフル部材に設けられ
たフィンに作用して前記バッフル部材を回転させること
で、前記バッフル部材に形成された吹き出し口の位置を
移動させながら前記基板へ不活性ガスの供給を行うこと
を特徴とする熱処理方法、を提供する。
【００１２】本発明は第７発明として、表面に塗布液が
塗布された基板を加熱処理して層間絶縁膜を形成するた
めの基板処理装置であって、前記基板を加熱する加熱処
理室と、前記加熱処理室に隣接して設けられ、前記基板
を冷却する冷却処理室と、前記加熱処理室と前記冷却処
理室とを連通させる連通口を開閉するシャッタと、前記
加熱処理室に進入可能であり、前記加熱処理室で加熱処
理された基板を受け取って前記冷却処理室に搬入し、前
記基板を冷却するクーリングプレートと、を具備し、前
記加熱処理室は、前記基板を載置するホットプレート
と、前記ホットプレートに載置された基板を収容するチ
ャンバと、前記チャンバ内に不活性ガスを供給するガス
供給機構と、前記ホットプレートに載置された基板を囲
繞するように前記チャンバ内に配置され、前記ガス供給
機構から供給されるガスの吹き出し口が複数箇所に形成
されたバッフル部材と、 前記バッフル部材を回転させ、
または所定角度の反転回動運動をさせる回転駆動機構
と、を有することを特徴とする基板処理装置、を提供す
る。
【００１３】本発明は第８発明として、表面に塗布液が
塗布された基板を加熱処理して層間絶縁膜を形成するた
めの基板処理方法であって、前記基板の周囲に配置され
た不活性ガスの供給口を前記基板周りに回転または反転
回動運動させながら不活性ガスを前記塗布液が塗布され
た基板の周囲から前記基板に対して供給しつつ前記基板
を加熱処理することにより、形成される層間絶縁膜の誘
電率および硬さを基板全体で均一にすることを特徴とす
る基板処理方法、を提供する。
【００１４】 このような熱処理装置および熱処理方法な
らびに基板処理装置および基板処理方法によれば、基板
に供給される不活性ガスの供給口の位置が移動すること
から、不活性ガスがより均一に基板に供給されるように
なり、基板の熱処理を均一に行うことが可能となる。こ
れにより、基板に形成される膜等の性質が均質化し、品
質の高い処理基板を得ることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の熱処理装置の実施
の形態について説明するが、本実施の形態においては、
半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）の表面に層間絶
縁膜を形成する際に使用される熱処理装置であって、窒
素ガス等の不活性ガスを供給しながら熱処理を行う硬化
処理ユニット（ＤＬＣ（dielectric low oxygen contro
lled cure unit）およびベーク処理ユニット（ＤＬＢ
（dielectric low oxygen controlled bake unit）を例
とし、これら硬化処理ユニット（ＤＬＣ）とベーク処理
ユニット（ＤＬＢ）を用いた塗布膜形成装置（ＳＯＤ
（spin on dielectric）システム）について、図面を参
照しながら説明することとする。
【００１６】 図１（ａ）は本発明の実施の形態に係るＳ
ＯＤシステムの上段の平面図であり、図１（ｂ）はその
ＳＯＤシステムの下段の平面図であり、図２は図１に示
したＳＯＤシステムの側面図であり、図３は図１に示し
たＳＯＤシステム内に装着された２個のユニット積層体
の側面図である。このＳＯＤシステムは、大略的に、処
理部１と、サイドキャビネット２と、キャリアステーシ
ョン（ＣＳＢ）３とを有している。
【００１７】 処理部１は、図１（ａ）および図２に示す
ように、その手前側の上段に設けられた塗布処理ユニッ
ト（ＳＣＴ）１１・１２とを有し、さらに、図１（ｂ）
および図２に示すように、その手前側の下段に設けられ
た薬品等を内蔵したケミカル室１３・１４とを有してい
る。
【００１８】 処理部１の中央部には、図１（ａ）・
（ｂ）に示すように、複数の処理ユニットを多段に積層
してなる処理ユニット群１６・１７が設けられ、これら
の間に、昇降して半導体ウエハ（ウエハ）Ｗを搬送する
ためのウエハ搬送機構（ＰＲＡ）１８が設けられてい
る。
【００１９】 ウエハ搬送機構（ＰＲＡ）１８は、Ｚ方向
に延在し、垂直壁５１ａ・５１ｂおよびこれらの間の側
面開口部５１ｃを有する筒状支持体５１と、その内側に
筒状支持体５１に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられた
ウエハ搬送体５２とを有している。筒状支持体５１はモ
ータ５３の回転駆動力によって回転可能となっており、
それに伴ってウエハ搬送体５２も一体的に回転されるよ
うになっている。
【００２０】 ウエハ搬送体５２は、搬送基台５４と、搬
送基台５４に沿って前後に移動可能な３本のウエハ搬送
アーム５５・５６・５７とを備えており、ウエハ搬送ア
ーム５５〜５７は、筒状支持体５１の側面開口部５１ｃ
を通過可能な大きさを有している。これらウエハ搬送ア
ーム５５〜５７は、搬送基台５４内に内蔵されたモータ
およびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移動する
ことが可能となっている。ウエハ搬送体５２は、モータ
５８によってベルト５９を駆動させることにより昇降す
るようになっている。なお、符号４０は駆動プーリー、
４１は従動プーリーである。
【００２１】 左側の処理ユニット群１６は、図３に示す
ように、その上側から順に低温用のホットプレート（Ｌ
ＨＰ）１９と、２個の硬化（キュア）処理ユニット（Ｄ
ＬＣ）２０と、２個のエージングユニット（ＤＡＣ）２
１とが積層されて構成されている。また、右側の処理ユ
ニット群１７は、その上から順に２個のベーク処理ユニ
ット（ＤＬＢ）２２と、低温用のホットプレート（ＬＨ
Ｐ）２３と、２個のクーリングプレート（ＣＰＬ）２４
と、受渡部（ＴＲＳ）２５と、クーリングプレート（Ｃ
ＰＬ）２６とが積層されて構成されている。なお、受渡
部（ＴＲＳ）２５は、クーリングプレートの機能を兼ね
備えることが可能である。
【００２２】 サイドキャビネット２は、その上段に薬液
を供給するためのバブラー（Ｂｕｂ）２７と、排気ガス
の洗浄のためのトラップ（ＴＲＡＰ）２８とを有し、そ
の下段に、電力供給源２９と、ＨＭＤＳやアンモニア水
（ＮＨ４ＯＨ）等の薬液を貯留するための薬液室３０
と、廃液を排出するためのドレイン３１とを有してい
る。
【００２３】 上記のように構成されたＳＯＤシステムに
おいて、例えば、ゾル−ゲル法により層間絶縁膜を形成
する場合には、クーリングプレート（ＣＰＬ）２４・２
６→塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１１・１２→エージン
グユニット（ＤＡＣ）２１→低温用のホットプレート
（ＬＨＰ）１９・２３→ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）
２２の順序により、塗布膜が形成される。
【００２４】 また、シルク法およびスピードフィルム法
により層間絶縁膜を形成する場合には、クーリングプレ
ート（ＣＰＬ）２４・２６→塗布処理ユニット（ＳＣ
Ｔ）１１・１２（アドヒージョンプロモータの塗布）→
低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９・２３→塗布処
理ユニット（ＳＣＴ）１１・１２（本薬液の塗布）→低
温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９・２３→ベーク処
理ユニット（ＤＬＢ）２２→硬化処理ユニット（ＤＬ
Ｃ）２０の順序により、塗布膜が形成される。
【００２５】 さらに、フォックス法により層間絶縁膜を
形成する場合には、クーリングプレート（ＣＰＬ）２４
・２６→塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１１・１２→低温
用のホットプレート（ＬＨＰ）１９・２３→ベーク処理
ユニット（ＤＬＢ）２２→硬化処理ユニット（ＤＬＣ）
２０の順序により、塗布膜が形成される。なお、これら
各種の方法によって形成される塗布膜の材質には制限は
なく、有機系、無機系およびハイブリッド系の各種材料
を用いることが可能である。
【００２６】 次に、本発明の熱処理装置の一実施形態で
あるの硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０とベーク処理ユ
ニット（ＤＬＢ）２２の構成について、より詳細に説明
する。図４はベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２の一実
施形態であるベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ａの概
略構造を示した断面図であり、ここで図４（ａ）はウエ
ハＷの処理中の状態を、図４（ｂ）はウエハＷを受け渡
すときの状態をそれぞれ示している。
【００２７】 ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ａは、
ケーシング６１と、ウエハＷを載置して加熱するホット
プレート６２と、ホットプレート６２の外周を囲繞する
ように設けられたサポートリング６３と、ホットプレー
ト６２を貫通するように設けられた昇降ピン６４と昇降
ピン６４を昇降させる昇降機構６４ａと、昇降機構６６
ｄにより昇降自在な蓋体６６と、蓋体６６の側壁６６ａ
に設けられたガス供給路６６ｂに所定のガスを供給する
ガス供給管６７と、蓋体６６の中央部に設けられた排気
機構６８と、蓋体６６と同時昇降可能に配置されたガス
拡散機構６９と、を有している。
【００２８】 ケーシング６１の上面には開口部６１ａが
形成され、また、側面にはユニット内の排気を行うため
の排気口６１ｂが形成され、さらに別の側面にはウエハ
搬送機構（ＰＲＡ）１８との間でウエハＷの受け渡しを
可能とする図示しない開閉自在なシャッターが形成され
ている。
【００２９】 ホットプレート６２の上面には、図示しな
い支持ピンが複数箇所に形成されており、ウエハＷをホ
ットプレート６２の上面から所定間隔ほど離れた状態で
ホットプレート６２に載置できるようになっている。ま
た、ホットプレート６２にはヒータが内蔵されており、
設定温度を５０℃〜３５０℃とすることができるように
なっている。昇降ピン６４は少なくとも３本設けられ
（図４では２本のみを図示）、ウエハＷを受け渡すとき
にはウエハＷを所定の高さに支持し、硬化処理中は、例
えば、その先端がホットプレート６２の上面と同じ高さ
となる位置に保持される。
【００３０】 サポートリング６３の上部端面には段差が
形成され、その下段部にはシールリング６５が配設され
ており、図４（ａ）に示されるように、蓋体６６はその
側壁６６ａが開口部６１ａを閉塞し、蓋体６６が処理位
置にある場合には、側壁６６ａの下面がシールリング６
５に当接することで処理室７０が形成される。ガス供給
管６７は蓋体６６の中心に対して点対称な２箇所（後に
示す図１０参照）に設けられており、ガス供給路６６ｂ
へ供給された不活性ガス（以下、窒素ガスを例示するも
のとする）がガス供給路６６ｂから処理室７０へ向けて
吐出可能なように、側壁６６ａの内周面には４箇所（後
に示す図１０参照）にガス吐出口６６ｃが形成されてい
る。
【００３１】 ガス拡散機構６９は、回転モータ３８と、
蓋体６６に回転モータ３８を固定している固定治具３９
と、回転モータ３８に取り付けられた回転軸（枢軸）３
７と、ウエハＷを囲繞するように設けられたバッフルリ
ング３５と、バッフルリング３５と回転軸３７とを連結
する連結部材３６から構成されており、バッフルリング
３５には、８箇所（後に示す図１０参照）に窒素ガスの
吹き出し口３５ａが形成されている。なお、排気機構６
８から排気されるガスは回転モータ３８に当たらないよ
うに図示しない排気経路が設けられている。
【００３２】 従って、回転モータ３８を回転駆動させた
場合や、所定角度の時計回りの回動と所定角度の反時計
回りの回動とを交互に繰り返す反転回動運動を行った場
合には、回転モータ３８の動きに合わせてバッフルリン
グ３５が回転し、または反転回動し、このとき、吹き出
し口３５ａの位置もバッフルリング３５の運動に合わせ
て移動し、ガス吐出口６６ｃから吐出された窒素ガス
は、位置が移動する吹き出し口３５ａを通って、処理室
７０内に供給される。
【００３３】 次に、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２
の別の実施形態であるベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２
２ｂの概略構造を示した断面図を図５に示す。ベーク処
理ユニット（ＤＬＢ）２２ｂは、蓋体４７ａと下部容器
４７ｂからなるチャンバ４７と、蓋体４７ａに設けられ
た排気機構４８と、チャンバ４７内に配置されたホット
プレート４３と、ホットプレート４３を貫通するように
設けられた昇降ピン４４と、昇降ピン４４を昇降させる
昇降機構４４ａと、ホットプレート４３を囲繞するよう
に設けられたバッフルリング４５と、バッフルリング４
５の外周部に設けられたガス吐出ノズル４６とを有す
る。
【００３４】 蓋体４７ａは昇降機構４７ｃにより昇降自
在となっている。また、バッフルリング４５には、所定
位置、例えば、前述したバッフルリング３５と同様な位
置８箇所に吹き出し口４５ａが形成されており、バッフ
ルリング４５は昇降機構４９ａにより昇降可能であると
ともに、回転駆動機構４９ｂにより回転運動または反転
回動可能となっている。
【００３５】 ガス吐出ノズル４６は、例えば、十字の方
向の４箇所に設けられ、ガス吐出ノズル４６から吐出さ
れる窒素ガスは、バッフルリング４５に形成された吹き
出し口４５ａを通してホットプレート４３上へ供給さ
れ、このとき、バッフルリング４５を回転または反転回
動させることにより、吹き出し口４５ａの位置を移動さ
せながら窒素ガスをホットプレート４３上へ供給するこ
とが可能となっている。
【００３６】 なお、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２
ｂの構造を、例えば、図６に示すベーク処理ユニット
（ＤＬＢ）２２ｃのように、ガス吐出ノズル４６を回転
駆動機構５０によりウエハＷの周囲に沿って回転または
反転回動させる構造に変更することが可能である。つま
り、ガス吐出ノズル４６におけるガス吐出口の位置を移
動させることで、バッフルリング４５を回転または反転
回動させるのと同等の状況を作り出すことが可能であ
る。このようにガス吐出ノズル４６を反転回動させる場
合には、必ずしもバッフルリング４５を設けなくともよ
く、また、バッフルリング４５を設けた場合にあって
も、バッフルリング４５を回転させなくともよい。
【００３７】 続いて、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２
２のさらに別の実施形態であるベーク処理ユニット（Ｄ
ＬＢ）２２ｄの概略構造を示した断面図を図７に示す。
ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ｄが有する蓋体４７
ａと下部容器４７ｂからなるチャンバ４７、排気機構４
８、ホットプレート４３、昇降ピン４４、ガス吐出ノズ
ル４６は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ｂに用い
られているものと同等である。
【００３８】 ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ｄは、
また、ガス拡散機構７８を有しており、このガス拡散機
構７８は、ウエハＷを囲繞するように設けられたバッフ
ルリング７２と、回転軸７７と、回転軸７７が回転自在
な状態で回転軸７７を支持する回転支持部材７４と、回
転支持部材７４を蓋体４７ａに固定する固定部材７５
と、バッフルリング７２と回転軸７７とを連結する連結
部材７６から構成され、バッフルリング７２には吹き出
し口７２ａが所定位置、例えば、円周に沿って等間隔で
１２箇所に設けられており、また、バッフルリング７２
の外周にフィン７３が設けられている。
【００３９】 ガス吐出ノズル４６には、フィン７３に向
かって斜め上方へ所定の吐出圧で窒素ガスを吐出するこ
とができるようにガス吐出口４６ａが設けられており、
このガス吐出口４６ａから吐出される窒素ガスの風圧を
フィン７３が受けることでバッフルリング７２が自然に
回転する構造となっている。こうして、バッフルリング
７２の回転によって位置が移動する吹き出し口７２ａか
らウエハＷに窒素ガスが供給されるようになっている。
【００４０】 次に、硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０の
概略構造について説明する。図８は硬化処理ユニット
（ＤＬＣ）２０の一実施形態を示す平面図であり、図９
は硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０のウエハＷの処理中
の状態を示した断面図である。硬化処理ユニット（ＤＬ
Ｃ）２０は、加熱処理室８１とこれに隣接して設けられ
た冷却処理室８２とを有しており、加熱処理室８１と冷
却処理室８２の間にはこれらの室間でウエハＷの受渡を
行う際に開閉されるシャッター９２が設けられ、また、
加熱処理室８１には、ウエハ搬送機構（ＰＲＡ）１８と
の間でウエハＷの受け渡しを行う際に開閉されるシャッ
ター７９が設けられている。
【００４１】 加熱処理室８１には、ガス供給管９６ａを
通して内部に窒素ガスが供給され、また、側壁に形成さ
れた排気口８１ｂおよび底壁の隅部の４箇所に設けられ
た排気口９９ａから排気されるようになっており、こう
して、加熱処理室８１内を所定の低酸素濃度に保持する
ことが可能となっている。なお、加熱処理室８１の隅部
にはシャッター７９を開口させたときに流入してくる大
気が滞留し易いが、排気口９９ａからの排気を行うこと
で、大気の滞留を防止して加熱処理室８１内全体を均一
な窒素ガス雰囲気に保持することが可能となっている。
【００４２】 加熱処理室８１は、設定温度を２００℃〜
４７０℃とすることができるホットプレート８３と、ホ
ットプレート８３の外周を囲繞するように設けられたサ
ポートリング９８と、昇降機構８８ａによってウエハＷ
を支持して昇降させる３本の昇降ピン８８と、昇降機構
８５ａにより昇降可能な蓋体８５と、蓋体８５の外周を
囲繞するように蓋体８５と接続して設けられたガスパー
ジリング８４と、ガスパージリング８４へ窒素ガスを供
給するガス供給管８４ａと、蓋体８５の中央部に設けら
れた排気機構８６と、ガスパージリング８４から吐出さ
れる窒素ガスを拡散するガス拡散機構１００と、を有し
ている。
【００４３】 ホットプレート８３の上面には図示しない
支持ピンが複数箇所に形成されており、ウエハＷをホッ
トプレート８３の上面から所定間隔ほど離れた状態で載
置できるようになっている。昇降ピン８８はウエハＷの
受渡時にはウエハＷを所定の高さに支持し、硬化処理中
は、例えば、その先端がホットプレート８３の上面と同
じ高さとなる位置に保持される。サポートリング９８の
上部端面には段差が形成され、下段部にはシールリング
８７が配設されており、蓋体８５が図９に示すように処
理位置にある場合には、ガスパージリング８４の下面が
シールリング８７に当接することで処理室９０が形成さ
れる。
【００４４】 ガス拡散機構１００は前述したガス拡散機
構６９と同等の構成を有し、また、ガス拡散機構６９と
同様に機能する。すなわち、ガス拡散機構１００は、回
転モータ１０３と、蓋体８５に回転モータ１０３を固定
している固定治具１０５と、回転モータ１０３に取り付
けられた回転軸１０４と、ウエハＷを囲繞するように設
けられたバッフルリング１０１と、バッフルリング１０
１と回転軸１０４とを連結する連結部材１０２から構成
されており、バッフルリング１０１には、例えば、８箇
所に窒素ガスの吹き出し口１０１ａが形成され、回転モ
ータ１０３の回転または反転回動により吹き出し口１０
１ａの位置を移動させることができるようになってい
る。
【００４５】 ガスパージリング８４の内周面には所定位
置、例えば十字の方向の４箇所にガス吐出口が設けられ
ており、ガス供給管８４ａから供給された窒素ガスはこ
のガス吐出口からバッフルリング１０１に設けられた吹
き出し口１０１ａを通してウエハＷへ向けて供給され
る。
【００４６】 なお、排気機構８６から排気されたガス
は、回転モータ１０３に当たらないようにして、図示し
ない別のルートで排気されるように排気経路が設けられ
ている。これは、硬化処理時に排気されるガスには、ウ
エハＷに形成された塗布膜から蒸発、昇華等した物質が
含まれているために、このような物質によって加熱処理
室８１内が汚染されることを防止するためである。
【００４７】 加熱処理室８１と冷却処理室８２との間は
シャッター９２により開閉される連通口８１ａを介して
連通しており、ウエハＷを載置して冷却するためのクー
リングプレート９３がガイドプレート９４に沿って移動
機構９５により水平方向に移動自在に構成されている。
これにより、クーリングプレート９３は、連通口８１ａ
を介して加熱処理室８１内に進入することができ、加熱
処理室８１内においてホットプレート８３により加熱さ
れた後のウエハＷを昇降ピン８８から受け取って冷却処
理室８２内に搬入し、ウエハＷを冷却した後、ウエハＷ
を昇降ピン８８に戻すようになっている。なお、クーリ
ングプレート９３の設定温度は、例えば、１５℃〜２５
℃である。
【００４８】 冷却処理室８２内には、ガス供給管９６ｂ
から窒素ガスが供給されるようになっており、こうして
冷却処理室８２内が低酸素濃度に保持されるようになっ
ている。冷却処理室８２に供給された窒素ガスは底壁に
形成された排気口９９ｂから排気される。
【００４９】 次に、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２
と硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０の両方を用いるシル
ク法およびスピードフィルム法により層間絶縁膜を形成
する工程について説明する。ここでは、ベーク処理ユニ
ット（ＤＬＢ）２２として、図４に示したベーク処理ユ
ニット（ＤＬＢ）２２ａを用いるものとする。
【００５０】 キャリアステーション（ＣＳＢ）３から受
渡部（ＴＲＳ）２５に搬送されたウエハＷは、ウエハ搬
送機構（ＰＲＡ）１８によってクーリングプレート（Ｃ
ＰＬ）２４・２６に搬送されて冷却される。こうして、
塗布前のウエハＷの温度を一定とすることによって、形
成される塗布膜の膜厚および膜質の均質化を図ることが
できる。次いで、ウエハＷは塗布処理ユニット（ＳＣ
Ｔ）１１・１２に搬送されて、第１の塗布液としてアド
ヒージョンプロモータがスピンコートにより塗布され
る。このアドヒージョンプロモータを本塗布液に先立っ
て塗布することにより、膜の密着性が促進される。その
後、ウエハＷは、クーリングプレート（ＣＰＬ）２４・
２６に搬送されて温調される。
【００５１】 クーリングプレート（ＣＰＬ）２４・２６
にて温調されたウエハＷは、次に、塗布処理ユニット
（ＳＣＴ）１１・１２に搬送されて、第２の塗布液とし
て層間絶縁膜用の本塗布液が、スピンコートにより塗布
される。その後、ウエハＷは、低温用のホットプレート
（ＬＨＰ）１９・２３により適宜、熱処理され、例え
ば、塗布膜に含まれ比較的低温で蒸発する成分、例え
ば、水分の除去が行われる。
【００５２】 次いで、ウエハＷは、使用された本塗布液
に含まれる溶剤等に応じて、ベーク処理ユニット（ＤＬ
Ｂ）２２ａによる加熱処理を経た後に硬化処理ユニット
（ＤＬＣ）２０に搬送されて硬化処理が施され、または
直接に硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０に搬送されて硬
化処理が施される。以下、前者の場合について説明す
る。
【００５３】 ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ａにお
いては、低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９・２３
における処理温度よりも高い温度であって、かつ、後の
硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０における処理温度より
も低い温度で加熱処理が行われ、低温用のホットプレー
ト（ＬＨＰ）１９・２３における加熱処理では除去でき
なかった本塗布液に含まれる溶剤成分等の蒸発・昇華等
による除去が行われる。例えば、高温での熱処理を行っ
たことで塗布膜から蒸発等した物質によって汚染された
熱処理ユニットを用いて、次に低温での熱処理のみを行
った場合には、ウエハＷが高温蒸発成分によって汚染さ
れる可能性があるが、塗布液から蒸発し、または昇華等
する成分に応じて熱処理ユニットを使い分けることで、
ウエハＷの汚染を防止することができる。
【００５４】 図４（ｂ）に示したように、蓋体６６を上
昇させた状態で、ガス供給管６７からガス供給路６６ｂ
へ窒素ガスを供給し、かつ、回転モータ３８を、例え
ば、４５度の範囲で反転回動させることによって吹き出
し口３５ａの位置を移動させて、吹き出し口３５ａから
窒素ガスが内側に向かって供給されている状態として、
低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９・２３からウエ
ハ搬送機構（ＰＲＡ）１８を用いてウエハＷをベーク処
理ユニット（ＤＬＢ）２２ａ内に搬入し、昇降ピン６４
に受け渡す。昇降ピン６４を降下させながら、蓋体６６
についても降下させて、図４（ａ）に示したように、処
理室７０を形成してウエハＷをホットプレート６２上に
載置して所定時間保持する。
【００５５】 図１０はウエハＷをホットプレート６２に
載置されているときの処理室７０内での窒素ガスの流れ
を示した説明図であり、図１０（ａ）はバッフルリング
３５が反時計回りの方向から時計回りの方向へと反転す
る直前の状態を示しており、図１０（ｂ）はバッフルリ
ング３５が反転を開始してから２２．５度だけ時計回り
に回転した状態を示している。
【００５６】 図１０に示すように、２箇所のガス供給管
６７からガス供給路６６ｂへ供給された窒素ガスは、４
箇所に設けられたガス吐出口６６ｃからバッフルリング
３５へ向かって吐出される。ここで、蓋体６６が回転し
ないことからガス吐出口６６ｃの位置は移動しない。し
かしながら、バッフルリング３５に形成された８箇所の
吹き出し口３５ａは、図１０（ａ）に示した位置から時
計回りに移動して２２．５度だけ回転した状態で図１０
（ｂ）に示した状態となり、さらに２２．５度ほど時計
回りに回転すると、結果的に図１０（ａ）に示した状態
と同じ状態となる。
【００５７】 次に、反時計回りへと反転させると、２
２．５度だけ反時計回りに回転した状態は図１０（ｂ）
に示した状態と同じとなり、さらに２２．５度だけ反時
計回りに回転させると、図１０（ａ）に示した状態に戻
る。このような反転回動を繰り返すことで、常に吹き出
し口３５ａの位置が移動することから、特定方向からの
み窒素ガスが供給されることがなく、ウエハＷの周囲か
ら均等に窒素ガスが供給されることとなる。
【００５８】 こうして、従来のように、ウエハＷへ特定
の方向からのみ窒素ガスが供給されることで、供給され
る窒素ガス温度に起因してウエハＷに温度分布が生じた
り、またはウエハＷの周囲に酸素濃度分布が生ずる等し
て形成される層間絶縁膜の誘電率や硬さ、剥離強度とい
った特性の均一性が低下するといった問題が回避され、
均一な特性を有する品質の高い層間絶縁膜が形成された
ウエハＷを得ることが可能となる。
【００５９】 ウエハＷをベーク処理ユニット（ＤＬＢ）
２２ａへ搬入したときと逆の手順によってウエハＷをウ
エハＷをベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ａからウエ
ハ搬送機構（ＰＲＡ）１８を用いて搬出し、次に、硬化
処理ユニット（ＤＬＣ）２０へ搬入する。このウエハＷ
の硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２０へ搬入は、加熱処理
室８１に設けられたシャッター７９を開いて、ウエハＷ
をウエハ搬送機構（ＰＲＡ）１８から昇降ピン８８に受
け渡し、シャッター７９を閉じることで行われる。
【００６０】 このとき、蓋体８５とガス拡散機構１００
は加熱処理室８１の天井近辺まで上昇させた状態にあ
り、先のベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２２ａを用いた
処理の場合と同様に、ガス供給管８４ａからガスパージ
リング８４へ窒素ガスを供給しながら、回転モータ１０
３を駆動してバッフルリング１０１を所定角度ほど反転
回動させて、バッフルリング１０１に形成された吹き出
し口１０１ａから内側に向かって窒素ガスが供給された
状態としておく。なお、シャッター７９を閉じた後に、
排気口９９ａからの排気を開始すると、加熱処理室８１
内の隅部に滞留した大気を流出させて、酸素濃度を低減
させることができ、好ましい。
【００６１】 昇降ピン８８を降下させながら蓋体８５と
ガス拡散機構１００もまた降下させて、ウエハＷをホッ
トプレート８３上に載置し、また、ガスパージリング８
４をシールリング８７に当接させて処理室９０を形成す
る。こうして所定時間保持することで硬化処理が行われ
るが、このときのウエハＷへの窒素ガスの供給状態は、
先に図１０を参照しながら説明したベーク処理ユニット
（ＤＬＢ）２２ａによるベーク処理のときと同様であ
り、吹き出し口１０１ａの位置が移動することで、ウエ
ハＷの硬化処理を均一に行い、均質性に優れた層間絶縁
膜を得ることができるようになる。
【００６２】 所定の硬化処理が行われている間に、冷却
処理室８２においては、ガス供給管９６ｂから不活性ガ
スを冷却処理室８２に供給することで、冷却処理室８２
内を所定の低酸素濃度雰囲気としておく。そして、所定
時間の硬化処理が終了したら、蓋体８５およびガス拡散
機構１００を上昇させるとともに昇降ピン８８を上昇さ
せてウエハＷを所定の高さに保持する。次いで、シャッ
ター９２を動作させて連通口８１ａを開口させ、クーリ
ングプレート９３を加熱処理室８１内に進入させてウエ
ハＷを昇降ピン８８からクーリングプレート９３へ移載
して、昇降ピン８８を降下させる。
【００６３】 クーリングプレート９３を冷却処理室８２
に戻して所定時間保持し、ウエハＷの冷却処理を行う。
ウエハＷの冷却処理が終了した後は、ガス供給管９６ｂ
からの不活性ガスの供給を一旦停止して、ウエハＷを加
熱処理室８１内の昇降ピン８８に一旦受け渡し、その後
にウエハ搬送機構（ＰＲＡ）１８を用いて加熱処理室８
１から搬出することで、硬化処理ユニット（ＤＬＣ）２
０における層間絶縁膜の硬化処理が終了する。ウエハ搬
送機構（ＰＲＡ）１８に保持されたウエハＷは、受渡部
（ＴＲＳ）２５を介して、ウエハ搬送機構（ＰＲＡ）１
８によりキャリアステーション（ＣＳＢ）３に戻され
る。
【００６４】 以上、本発明の熱処理装置および基板処理
装置を、層間絶縁膜を形成するＳＯＤシステムの硬化処
理ユニット（ＤＬＣ）２０およびベーク処理ユニット
（ＤＬＢ）２２に適用した場合について説明してきた
が、本発明はこのような実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、バッフルリングを回転または反転回動
させる手段は、回転モータに限定されるものではなく、
例えば、バッフルリングを円弧状のガイドに沿って移動
可能な構造として、エアーシリンダを用いた伸縮動作を
利用してガイドに沿ってバッフルリングを反転回動させ
ることも可能である。バッフルリングの駆動は、上部よ
り行ってもよく、一方、下部から行ってもよい。また、
バッフルリングに設ける吹き出し口の位置と数も、図１
０に示したものに限定されるものでなく、例えば、より
多くの吹き出し口を設けることや、吹き出し口の径を場
所によって異ならしめることも可能であり、１箇所の吹
き出し口は複数個の穴部から構成してもよい。さらに、
処理される基板は、半導体ウエハに限定されるものでは
なく、例えば、ＬＣＤ基板等の他の基板であっても構わ
ない。
【００６５】
【発明の効果】上述したように、本発明の熱処理装置と
熱処理方法ならびに基板処理装置および基板処理方法に
よれば、基板に供給される不活性ガスの供給口の位置が
移動して、不活性ガスがより均一に基板に供給されるこ
とから、ガスの供給経路に依存して基板に温度分布等が
発生することが回避され、これにより基板の熱処理が均
一に行われて、均一かつ良好な特性を有する膜を基板に
形成して、品質の高い処理基板を得ることが可能になる
という効果が得られる。また、本発明は、不良品の発生
頻度を低減して、歩留まりが向上するという効果をも奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の熱処理装置の一実施形態であるベーク
処理ユニット（ＤＬＢ）および硬化処理ユニット（ＤＬ
Ｃ）を用いた塗布膜形成装置（ＳＯＤシステム）の概略
構造を示す平面図。
【図２】図１記載のＳＯＤシステムの側面図。
【図３】図１記載のＳＯＤシステムの別の側面図。
【図４】ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）の一実施形態の
概略構造を示す断面図。
【図５】ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）の別の実施形態
の概略構造を示す断面図。
【図６】ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）のさらに別の実
施形態の概略構造を示す断面図。
【図７】ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）のさらに別の実
施形態の概略構造を示す断面図。
【図８】硬化処理ユニット（ＤＬＣ）の一実施形態の概
略構造を示す平面図。
【図９】硬化処理ユニット（ＤＬＣ）の一実施形態の概
略構造を示す断面図。
【図１０】ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）における熱処
理時の窒素ガスの供給の状態を示す説明図。
【符号の説明】
１；処理部 ２；サイドキャビネット ３；キャリアステーション（ＣＳＢ） １６・１７；処理ユニット群 １８；ウエハ搬送機構（ＰＲＡ） ２０；硬化処理ユニット（ＤＬＣ） ３５；バッフルリング ３５ａ；吹き出し口 ３６；連結部材 ３７；回転軸 ３８；回転モータ ３９；固定治具 ４５；バッフルリング ４５ａ；吹き出し口 ４６；ガス吐出ノズル ４７；チャンバ ４７ａ；蓋体 ４７ｂ；下部容器 ６１；ケーシング ６２；ホットプレート ６６ｂ；ガス供給路 ６６ｃ；ガス吐出口 ６７；ガス供給管 ６９；ガス拡散機構 ７３；フィン ７４；回転支持部材 １００；ガス拡散機構
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−153539（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267182（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−199435（ＪＰ，Ａ) 特開2000−124206（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−177118（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/027 H01L 21/316

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に所定の熱処理を施す熱処理装置で
    あって、 基板を載置するホットプレートと、 前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載置さ
    れた基板を収納するチャンバと、 前記チャンバ内に所定のガスを供給するガス供給機構
    と、 前記ホットプレートに載置された基板を囲繞するように
    前記チャンバ内に配置され、前記ガス供給機構から供給
    されるガスの吹き出し口が複数箇所に形成されたバッフ
    ル部材と、 前記バッフル部材を回転させ、または所定角度の反転回
    動運動をさせる回転駆動機構と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項２】 基板に所定の熱処理を施す熱処理装置で
    あって、 基板を載置するホットプレートと、 前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載置さ
    れた基板を収納するチャンバと、 前記チャンバ内に所定のガスを供給するガス吐出口を有
    するガス供給機構と、 前記ガス吐出口を前記基板周りに回転させ、または所定
    角度の反転回動運動をさせる回転駆動機構と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項３】 前記チャンバ内において、前記ホットプ
    レートに載置された基板と前記ガス吐出口との間に、ガ
    ス吹き出し口が形成されたバッフル部材が前記基板を囲
    繞するよう配置されていることを特徴とする請求項２に
    記載の熱処理装置。
  4. 【請求項４】 基板に所定の熱処理を施す熱処理装置で
    あって、 基板を載置するホットプレートと、 前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載置さ
    れた基板を収納するチャンバと、 前記チャンバ内に所定のガスを供給するガス供給機構
    と、 前記ガス供給機構から供給されるガスを拡散させるガス
    拡散機構と、 を具備し、 前記ガス拡散機構は、 前記ホットプレートに載置された基板を囲繞するように
    前記チャンバ内に配置され、前記ガス供給機構から供給
    されるガスの吹き出し口が複数箇所に形成されたバッフ
    ル部材と、 前記バッフル部材に取り付けられ、前記ガス供給機構か
    ら供給されるガスの圧力を受けて前記バッフル部材を回
    転させるフィンと、 前記バッフル部材を回転自在な状態で保持するバッフル
    部材保持手段と、 を有することを特徴とする熱処理装置。
  5. 【請求項５】 基板に所定の熱処理を施す熱処理方法で
    あって、 基板をホットプレート上に載置する第１工程と、 前記ホットプレートに載置された基板を囲繞するように
    バッフル部材を配置する第２工程と、 前記バッフル部材に形成されたガス吹き出し口から前記
    基板に不活性ガスを供給する第３工程と、を有し、 前記第３工程においては、前記バッフル部材を回転さ
    せ、または所定角度の反転回動運動させて、前記吹き出
    し口の位置を移動させながら前記基板へ不活性ガスの供
    給を行うことを特徴とする熱処理方法。
  6. 【請求項６】 基板に所定の熱処理を施す熱処理方法で
    あって、 基板をホットプレート上に載置する第１工程と、 前記ホットプレートおよび前記ホットプレートに載置さ
    れた基板をチャンバ内に収納する第２工程と、 前記チャンバ内の基板に所定の不活性ガスを供給しつつ
    前記チャンバ内からの排気を行って前記基板を熱処理す
    る第３工程と、を有し、 前記第３工程においては、前記不活性ガスを吐出するガ
    ス吐出口を前記基板周りに回転させ、または所定角度の
    反転回動運動させて、前記ガス吐出口の位置を移動させ
    ながら前記基板へ不活性ガスの供給を行うことを特徴と
    する熱処理方法。
  7. 【請求項７】 基板に所定の熱処理を施す熱処理方法で
    あって、 基板をホットプレート上に載置する第１工程と、 前記ホットプレートに載置された基板を囲繞するように
    バッフル部材を配置し、また、前記ホットプレートおよ
    び前記ホットプレートに載置された基板ならびに前記バ
    ッフル部材をチャンバ内に収納する第２工程と、 前記チャンバ内に所定の不活性ガスを供給して前記バッ
    フル部材に形成されたガス吹き出し口から前記基板に不
    活性ガスを供給しつつ前記チャンバ内からの排気を行っ
    て前記基板を熱処理する第３工程と、を有し、 前記第３工程は、前記チャンバ内に供給される不活性ガ
    スの吐出圧が前記バッフル部材に設けられたフィンに作
    用して前記バッフル部材を回転させることで、前記バッ
    フル部材に形成された吹き出し口の位置を移動させなが
    ら前記基板へ不活性ガスの供給を行うことを特徴とする
    熱処理方法。
  8. 【請求項８】 表面に塗布液が塗布された基板を加熱処
    理して層間絶縁膜を形成するための基板処理装置であっ
    て、 前記基板を加熱する加熱処理室と、 前記加熱処理室に隣接して設けられ、前記基板を冷却す
    る冷却処理室と、 前記加熱処理室と前記冷却処理室とを連通させる連通口
    を開閉するシャッタと、 前記加熱処理室に進入可能であり、前記加熱処理室で加
    熱処理された基板を受け取って前記冷却処理室に搬入
    し、前記基板を冷却するクーリングプレートと、 を具備し、 前記加熱処理室は、 前記基板を載置するホットプレートと、 前記ホットプレートに載置された基板を収容するチャン
    バと、 前記チャンバ内に不活性ガスを供給するガス供給機構
    と、 前記ホットプレートに載置された基板を囲繞するように
    前記チャンバ内に配置 され、前記ガス供給機構から供給
    されるガスの吹き出し口が複数箇所に形成されたバッフ
    ル部材と、 前記バッフル部材を回転させ、または所定角度の反転回
    動運動をさせる回転駆動機構と、 を有することを特徴とする基板処理装置。
  9. 【請求項９】 前記加熱処理室と前記冷却処理室のそれ
    ぞれの内部に不活性ガスを供給するガス供給管をさらに
    具備することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記加熱処理室は略直方体の形状を有
    し、 前記加熱処理室の底隅部４箇所に排気口が設けられてい
    ることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の基
    板処理装置。
  11. 【請求項１１】 表面に塗布液が塗布された基板を加熱
    処理して層間絶縁膜を形成するための基板処理方法であ
    って、 前記基板の周囲に配置された不活性ガス供給口を前記基
    板周りに回転または反転回動運動させながら不活性ガス
    を前記塗布液が塗布された基板の周囲から前記基板に対
    して供給しつつ前記基板を加熱処理することにより、形
    成される層間絶縁膜の誘電率および硬さを基板全体で均
    一にすることを特徴とする基板処理方法。
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