JP3411285B2 - γ−ブチロラクトンの製法 - Google Patents
γ−ブチロラクトンの製法Info
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- JP3411285B2 JP3411285B2 JP51419695A JP51419695A JP3411285B2 JP 3411285 B2 JP3411285 B2 JP 3411285B2 JP 51419695 A JP51419695 A JP 51419695A JP 51419695 A JP51419695 A JP 51419695A JP 3411285 B2 JP3411285 B2 JP 3411285B2
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D307/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D307/26—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D307/30—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D307/32—Oxygen atoms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D315/00—Heterocyclic compounds containing rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom according to more than one of groups C07D303/00 - C07D313/00
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、γ−ブチロラクトンの製法に関する。
ハーフェル（Havel）他（J.Org.Chem.41,513（197
6））は、2,3−ジヒドロフランを三重項−酸素を用いて
酸化することによってγ−ブチロラクトンを製造した。
γ−ブチロラクトンは、この反応の場合には、収率1.4
％のみで得られる。ピアンカテリ（Piancatelli）他（T
etrahedron Lett.39,3483（1977））は、2,3−ジヒド
ロフランをピリジニウムクロロクロメートを用いて酸化
した。この高価な酸化剤ピリジニウムクロロクロメート
は、この反応の場合には化学量論的な量で消費され、従
って、この方法は、工業的な使用に対する経済性の欠如
という理由から考慮の対象とならない。
6））は、2,3−ジヒドロフランを三重項−酸素を用いて
酸化することによってγ−ブチロラクトンを製造した。
γ−ブチロラクトンは、この反応の場合には、収率1.4
％のみで得られる。ピアンカテリ（Piancatelli）他（T
etrahedron Lett.39,3483（1977））は、2,3−ジヒド
ロフランをピリジニウムクロロクロメートを用いて酸化
した。この高価な酸化剤ピリジニウムクロロクロメート
は、この反応の場合には化学量論的な量で消費され、従
って、この方法は、工業的な使用に対する経済性の欠如
という理由から考慮の対象とならない。
これまでγ−ブチロラクトンは、2,5−ジヒドロフラ
ンから出発して、直接的な方法で得ることができなかっ
た。アルパー（Alper）他（J.Mol.Cat.72,143（199
2））によって、2,5−ジヒドロフランを酸素を用いて塩
化コバルト（II）の触媒により酸化することによって式
I: で示される２−ブテン−４−オリドが得られること記載
されており、上記式中のCC二重結合は、γ−ブチロラク
トンが得られる前に、後からの反応の際に水素化されな
ければならない。従って、この方法もまた不経済的であ
る。
ンから出発して、直接的な方法で得ることができなかっ
た。アルパー（Alper）他（J.Mol.Cat.72,143（199
2））によって、2,5−ジヒドロフランを酸素を用いて塩
化コバルト（II）の触媒により酸化することによって式
I: で示される２−ブテン−４−オリドが得られること記載
されており、上記式中のCC二重結合は、γ−ブチロラク
トンが得られる前に、後からの反応の際に水素化されな
ければならない。従って、この方法もまた不経済的であ
る。
欧州特許出願公開第24770号明細書によれば、2,5−ジ
ヒドロフランは、液相中で水と、酸化アルミニウム上の
白金／パラジウム−触媒上で４−ヒドロキシブチルアル
デヒドが得られる反応が行なわれる。γ−ブチロラクト
ンは、この反応の場合には存在しなかった。
ヒドロフランは、液相中で水と、酸化アルミニウム上の
白金／パラジウム−触媒上で４−ヒドロキシブチルアル
デヒドが得られる反応が行なわれる。γ−ブチロラクト
ンは、この反応の場合には存在しなかった。
γ−ブチロラクトンは、例えば、ポリアクリロニトリ
ル、セルロースアセテート、ポリスチレン、シェラック
及び樹脂のための溶剤として使用されかつさらに経済的
に重要な生成物、例えばピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン及びポリビニルピロリドンの製造のための出発物質
として使用される、大量に必要とされる化学物質であ
る。
ル、セルロースアセテート、ポリスチレン、シェラック
及び樹脂のための溶剤として使用されかつさらに経済的
に重要な生成物、例えばピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン及びポリビニルピロリドンの製造のための出発物質
として使用される、大量に必要とされる化学物質であ
る。
本発明の課題は、2,5−ジヒドロフランもしくは2,3−
ジヒドロフランから出発して、経済的な方法で可能であ
るγ−ブチロラクトンの製法を見いだすことであった。
殊に、γ−ブチロラクトンを、2,5−ジヒドロフランか
ら出発して直接、１段階で製造することができる方法が
見いだされなければならない。
ジヒドロフランから出発して、経済的な方法で可能であ
るγ−ブチロラクトンの製法を見いだすことであった。
殊に、γ−ブチロラクトンを、2,5−ジヒドロフランか
ら出発して直接、１段階で製造することができる方法が
見いだされなければならない。
これに応じて、2,5−ジヒドロフランもしくは2,3−ジ
ヒドロフラン又は両方のジヒドロフランの混合物を気相
中で水の存在下で、付加的な水素の存在下もしくは不在
下で、高められた温度で、水素化触媒上で反応させるこ
とを特徴とする、γ−ブチロラクトンの製法が見いださ
れた。
ヒドロフラン又は両方のジヒドロフランの混合物を気相
中で水の存在下で、付加的な水素の存在下もしくは不在
下で、高められた温度で、水素化触媒上で反応させるこ
とを特徴とする、γ−ブチロラクトンの製法が見いださ
れた。
確かに、本発明による方法の基礎となる反応に対する
化学的な反応機構は、依然として未知であるが、しかし
ながら、上記反応が次の反応式に従って進行することが
できることは推測される。従って、おそらく2,5−ジヒ
ドロフランIIは、先ず水素化触媒上で、反応式（１）に
従って2,3−ジヒドロフランIIIに異性化される。
化学的な反応機構は、依然として未知であるが、しかし
ながら、上記反応が次の反応式に従って進行することが
できることは推測される。従って、おそらく2,5−ジヒ
ドロフランIIは、先ず水素化触媒上で、反応式（１）に
従って2,3−ジヒドロフランIIIに異性化される。
引き続き、2,3−ジヒドロフランに、反応式（２）に
従って水が付加され、 この場合、式IVで示される２−ヒドロキシテトラヒドロ
フランが生成され、この２−ヒドロキシテトラヒドロフ
ランは、その開環異性体である、式V: で示される４−ヒドロキシブチルアルデヒドと平衡状態
にある。さらに ２−ヒドロキシテトラヒドロフランIVは、水素化触媒に
よっておそらく反応式（３） に従って脱水素化されることによってγ−ブチロラクト
ンが得られる。従って、使用された水素化触媒は、脱水
素化触媒として作用する。しかし、本発明による方法に
使用可能である触媒は、通常、公知技術水準の場合には
水素化触媒として使用されるため、該触媒は、本出願明
細書の範囲内では、本発明による方法におけるその脱水
素化作用にも関わらず、以下、「水素化触媒」と呼称さ
れる。上述のとおり、上記の反応機構は、専ら、本発明
による方法の場合に、触媒上で進行する化学的な経過を
説明する試みにすぎないのであり、この化学的な経過
は、詳細には研究されていない。この反応機構に対する
上記の提案は、本発明による方法を付加的な水素の不在
下で実施することができる2,5−ジヒドロフランならび
に2,3−ジヒドロフランを本発明による方法に使用する
ことができることが観察されたことによって、ならびに
見いだされた副生成物によって本質的に支えられてい
る。
従って水が付加され、 この場合、式IVで示される２−ヒドロキシテトラヒドロ
フランが生成され、この２−ヒドロキシテトラヒドロフ
ランは、その開環異性体である、式V: で示される４−ヒドロキシブチルアルデヒドと平衡状態
にある。さらに ２−ヒドロキシテトラヒドロフランIVは、水素化触媒に
よっておそらく反応式（３） に従って脱水素化されることによってγ−ブチロラクト
ンが得られる。従って、使用された水素化触媒は、脱水
素化触媒として作用する。しかし、本発明による方法に
使用可能である触媒は、通常、公知技術水準の場合には
水素化触媒として使用されるため、該触媒は、本出願明
細書の範囲内では、本発明による方法におけるその脱水
素化作用にも関わらず、以下、「水素化触媒」と呼称さ
れる。上述のとおり、上記の反応機構は、専ら、本発明
による方法の場合に、触媒上で進行する化学的な経過を
説明する試みにすぎないのであり、この化学的な経過
は、詳細には研究されていない。この反応機構に対する
上記の提案は、本発明による方法を付加的な水素の不在
下で実施することができる2,5−ジヒドロフランならび
に2,3−ジヒドロフランを本発明による方法に使用する
ことができることが観察されたことによって、ならびに
見いだされた副生成物によって本質的に支えられてい
る。
本発明による方法の場合には、2,5−ジヒドロフラン
もしくは2,3−ジヒドロフラン又はこれら化合物のジヒ
ドロフランの混合物、有利に2,5−ジヒドロフラン単独
は、気相中で水と、ジヒドロフラン／水のモル比、通常
2:1〜1:100、有利に1:1〜1:50、特に有利に1:1〜1:10
で、水素化触媒の存在下で圧力、通常0.5〜50バール、
特に0.8〜40バール、殊に１〜10バールで、温度100〜35
0℃、有利に130〜330℃、特に有利に170〜300℃で反応
することによってγ−ブチロラクトンに変換される。
もしくは2,3−ジヒドロフラン又はこれら化合物のジヒ
ドロフランの混合物、有利に2,5−ジヒドロフラン単独
は、気相中で水と、ジヒドロフラン／水のモル比、通常
2:1〜1:100、有利に1:1〜1:50、特に有利に1:1〜1:10
で、水素化触媒の存在下で圧力、通常0.5〜50バール、
特に0.8〜40バール、殊に１〜10バールで、温度100〜35
0℃、有利に130〜330℃、特に有利に170〜300℃で反応
することによってγ−ブチロラクトンに変換される。
水素化触媒として、本発明による方法の場合には、カ
ルボニル基の水素化に適当である実質的に全ての不均質
系触媒、例えば、Houben−Weyl,Methoden der Organi
schen Chemie,第IV巻,lc,16−26頁,Thieme−Verlag,St
uttgart,1980に記載されている不均質系触媒は、使用す
ることができる。水素化触媒は、本発明による方法の場
合には反応器中の固定床中にか、又は動的に、例えば流
動床中に配置することができる。
ルボニル基の水素化に適当である実質的に全ての不均質
系触媒、例えば、Houben−Weyl,Methoden der Organi
schen Chemie,第IV巻,lc,16−26頁,Thieme−Verlag,St
uttgart,1980に記載されている不均質系触媒は、使用す
ることができる。水素化触媒は、本発明による方法の場
合には反応器中の固定床中にか、又は動的に、例えば流
動床中に配置することができる。
有利に、本発明による方法の場合には、元素の周期律
表の第I b、VI b、VII b及びVIII b族の１個もしくはそ
れ以上の元素を含有している不均質系水素化触媒は、使
用される。有利な触媒は、殊に、触媒活性を有する成分
として、例えば銅、クロム、レニウム、コバルト、ニッ
ケル、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウ
ム、鉄もしくは白金又はこれらのうちの複数の元素の混
合物を含有しかつ、場合によってはこれら成分の触媒活
性及び選択性に影響を及ぼす別の成分として、例えばイ
ンジウム、亜鉛もしくはアンチモンを含有する触媒であ
る。特に有利に、本発明による方法の場合には、レニウ
ム及び／又は銅を含有している水素化触媒は使用され
る。
表の第I b、VI b、VII b及びVIII b族の１個もしくはそ
れ以上の元素を含有している不均質系水素化触媒は、使
用される。有利な触媒は、殊に、触媒活性を有する成分
として、例えば銅、クロム、レニウム、コバルト、ニッ
ケル、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウ
ム、鉄もしくは白金又はこれらのうちの複数の元素の混
合物を含有しかつ、場合によってはこれら成分の触媒活
性及び選択性に影響を及ぼす別の成分として、例えばイ
ンジウム、亜鉛もしくはアンチモンを含有する触媒であ
る。特に有利に、本発明による方法の場合には、レニウ
ム及び／又は銅を含有している水素化触媒は使用され
る。
不均質系触媒として、本発明による方法の場合には、
触媒活性を有する成分を担体材料上に施与することによ
って製造されている、いわゆる沈殿触媒（Faellungskat
alysatoren）ならびにこれまでの担体触媒は、使用する
ことができる。
触媒活性を有する成分を担体材料上に施与することによ
って製造されている、いわゆる沈殿触媒（Faellungskat
alysatoren）ならびにこれまでの担体触媒は、使用する
ことができる。
沈殿触媒は、その触媒活性を有する成分をこの成分の
塩溶液から、殊にこの成分のニトレート及び／又はアセ
テートの溶液から、アルカリ金属−及び／又はアルカリ
土類金属水酸化物−及び／又はカーボネート溶液を添加
することによって、例えば難溶性の水酸化物、オキシヒ
ドラート、塩基性塩もしくはカーボネートとして沈澱さ
せ、引き続き、得られた沈殿物を乾燥し、かつさらに該
沈殿物を通常300〜700℃、特に400〜600℃でのか焼によ
って相応する酸化物、酸化物混合物及び／又は混合され
た原子価の（gemischtvalentigen）酸化物に変換し、こ
れら酸化物を通常50〜700℃、特に100〜400℃で水素も
しくは水素を含有しているガスで処理することによっ
て、より低い酸化段階の、相応する金属及び／又は酸化
物化合物に還元し、かつ触媒活性を有する本来の形に変
換することによって得ることができる。水素の代わり
に、上記目的に別の適当な還元剤、例えばヒドラジンは
使用することができるが、しかしながら、水素の使用が
有利である。この場合には、通常、実質的にもはや水素
が消費されなくなるまで、還元は行なわれる。担体材料
を有する沈殿触媒の製造の場合には、触媒活性を有する
成分の沈澱は、相応する担体材料の存在下で行なうこと
ができる。しかし触媒活性を有する成分は、有利に同時
に担体材料と、相応する塩溶液から沈澱させることもで
きる。適当な担体材料は、例えばアルミニウムの酸化
物、チタンの酸化物、酸化亜鉛、二酸化ジルコニウム、
酸化珪素、アルミナ、例えばモンモリロナイト、シリケ
ート、例えばマグネシウム−もしくはアルミニウムシリ
ケート又はゼオライト、例えばZSM−５−もしくはZSM−
10−ゼオライトである。このような担体材料の混合物
は、使用してもよい。必要に応じて、沈澱からの、乾燥
された沈殿物は、か焼前に成形助剤、例えばグラファイ
ト、タルクもしくはステアリンと、及び／又は気孔形成
剤（Porenbildnern）、例えばセルロース、メチルセル
ロース、澱粉、蝋、パラフィン及び／又はポリアクリレ
ングリコールと反応させることができ、かつ触媒成形
体、例えば錠剤、球、環もしくはストランドに圧縮形成
もしくは押し出すことができる。
塩溶液から、殊にこの成分のニトレート及び／又はアセ
テートの溶液から、アルカリ金属−及び／又はアルカリ
土類金属水酸化物−及び／又はカーボネート溶液を添加
することによって、例えば難溶性の水酸化物、オキシヒ
ドラート、塩基性塩もしくはカーボネートとして沈澱さ
せ、引き続き、得られた沈殿物を乾燥し、かつさらに該
沈殿物を通常300〜700℃、特に400〜600℃でのか焼によ
って相応する酸化物、酸化物混合物及び／又は混合され
た原子価の（gemischtvalentigen）酸化物に変換し、こ
れら酸化物を通常50〜700℃、特に100〜400℃で水素も
しくは水素を含有しているガスで処理することによっ
て、より低い酸化段階の、相応する金属及び／又は酸化
物化合物に還元し、かつ触媒活性を有する本来の形に変
換することによって得ることができる。水素の代わり
に、上記目的に別の適当な還元剤、例えばヒドラジンは
使用することができるが、しかしながら、水素の使用が
有利である。この場合には、通常、実質的にもはや水素
が消費されなくなるまで、還元は行なわれる。担体材料
を有する沈殿触媒の製造の場合には、触媒活性を有する
成分の沈澱は、相応する担体材料の存在下で行なうこと
ができる。しかし触媒活性を有する成分は、有利に同時
に担体材料と、相応する塩溶液から沈澱させることもで
きる。適当な担体材料は、例えばアルミニウムの酸化
物、チタンの酸化物、酸化亜鉛、二酸化ジルコニウム、
酸化珪素、アルミナ、例えばモンモリロナイト、シリケ
ート、例えばマグネシウム−もしくはアルミニウムシリ
ケート又はゼオライト、例えばZSM−５−もしくはZSM−
10−ゼオライトである。このような担体材料の混合物
は、使用してもよい。必要に応じて、沈澱からの、乾燥
された沈殿物は、か焼前に成形助剤、例えばグラファイ
ト、タルクもしくはステアリンと、及び／又は気孔形成
剤（Porenbildnern）、例えばセルロース、メチルセル
ロース、澱粉、蝋、パラフィン及び／又はポリアクリレ
ングリコールと反応させることができ、かつ触媒成形
体、例えば錠剤、球、環もしくはストランドに圧縮形成
もしくは押し出すことができる。
有利に本発明による方法の場合には、水素化を触媒す
る金属もしくは金属化合物を担体材料上に析出された状
態で含有している水素化触媒は、使用される。触媒活性
である成分の他になお付加的に担体材料を含有している
上記の沈殿触媒の他に、本発明による方法には通常、触
媒活性作用を有する成分が、例えば含浸によって担体材
料上に施与されている担体触媒は特に好適である。
る金属もしくは金属化合物を担体材料上に析出された状
態で含有している水素化触媒は、使用される。触媒活性
である成分の他になお付加的に担体材料を含有している
上記の沈殿触媒の他に、本発明による方法には通常、触
媒活性作用を有する成分が、例えば含浸によって担体材
料上に施与されている担体触媒は特に好適である。
担体上への触媒活性である金属の施与の方法は、通
常、重要ではなく、かつ種々の方法で実施することがで
きる。触媒活性である金属は、上記の担体材料上に、例
えば適当な元素の塩もしくは酸化物の溶液もしくは懸濁
液を用いて浸漬し、乾燥しかつ引き続き、還元剤、例え
ば水素、水素含有ガスを用いて相応する金属もしくはよ
り低い酸化段階に金属化合物を還元することによって施
与することができる。担体材料上に析出された金属化合
物の還元は、前記で沈殿触媒の場合に記載されたものと
同じ条件下で行なうことができる。上記担体への触媒活
性である金属の施与の別の方法は、担体を、例えばニト
レート又は熱により容易に分解可能な錯体化合物、例え
ば触媒活性である金属のカルボニル−もしくはヒドリド
−錯体を含有している熱により容易に分解可能な塩の溶
液で含浸し、かつこのようにして浸漬された担体を、吸
収された金属化合物の熱分解のために温度300〜600℃に
加熱することにある。この熱分解は、有利に保護ガス雰
囲気下で行なわれる。適当な保護ガスは、例えば窒素、
二酸化炭素、水素又は希ガスである。さらに、触媒活性
である金属は、触媒担体上に蒸発によってか又は溶射に
よって析出することができる。この場合には、担体材料
として金属網もしくは金属箔は、使用することができ
る。触媒担体の触媒活性である金属の含量は、原理的に
本発明による方法の実施にとって重要ではない。該触媒
担体の触媒活性である金属のより高い含量によって、よ
り低い含量より、より高い空時収量が得ることができる
ことは、当業者には自明のことである。通常、触媒活性
である金属の含量が触媒全体に対して0.1〜90重量％、
特に0.5〜40重量％である担体触媒は、使用される。上
記の含量記載が、種々の担体材料、しかしながら種々の
比重及び種々の表面積を有する担体材料を含めた触媒全
体に対するものであるため、該記載は、本発明による方
法の結果に不利に影響を及ぼすことなく下回ることもで
きるし、上回ることもできる。自明のことながら、複数
の触媒活性である金属がそれぞれの担体材料上に施与さ
れていてもよい。さらに、触媒活性である金属は、ドイ
ツ国特許出願公開第2519817号明細書、欧州特許出願公
開第147219号明細書及び欧州特許出願公開第285420号明
細書に記載の方法に従って担体上に施与することができ
る。上記明細書に記載の触媒の場合には、触媒活性であ
る金属は、例えば浸漬によって担体上に析出された、前
記の金属の塩もしくは錯体の熱処理及び／又は還元によ
って得られる合金として存在している。
常、重要ではなく、かつ種々の方法で実施することがで
きる。触媒活性である金属は、上記の担体材料上に、例
えば適当な元素の塩もしくは酸化物の溶液もしくは懸濁
液を用いて浸漬し、乾燥しかつ引き続き、還元剤、例え
ば水素、水素含有ガスを用いて相応する金属もしくはよ
り低い酸化段階に金属化合物を還元することによって施
与することができる。担体材料上に析出された金属化合
物の還元は、前記で沈殿触媒の場合に記載されたものと
同じ条件下で行なうことができる。上記担体への触媒活
性である金属の施与の別の方法は、担体を、例えばニト
レート又は熱により容易に分解可能な錯体化合物、例え
ば触媒活性である金属のカルボニル−もしくはヒドリド
−錯体を含有している熱により容易に分解可能な塩の溶
液で含浸し、かつこのようにして浸漬された担体を、吸
収された金属化合物の熱分解のために温度300〜600℃に
加熱することにある。この熱分解は、有利に保護ガス雰
囲気下で行なわれる。適当な保護ガスは、例えば窒素、
二酸化炭素、水素又は希ガスである。さらに、触媒活性
である金属は、触媒担体上に蒸発によってか又は溶射に
よって析出することができる。この場合には、担体材料
として金属網もしくは金属箔は、使用することができ
る。触媒担体の触媒活性である金属の含量は、原理的に
本発明による方法の実施にとって重要ではない。該触媒
担体の触媒活性である金属のより高い含量によって、よ
り低い含量より、より高い空時収量が得ることができる
ことは、当業者には自明のことである。通常、触媒活性
である金属の含量が触媒全体に対して0.1〜90重量％、
特に0.5〜40重量％である担体触媒は、使用される。上
記の含量記載が、種々の担体材料、しかしながら種々の
比重及び種々の表面積を有する担体材料を含めた触媒全
体に対するものであるため、該記載は、本発明による方
法の結果に不利に影響を及ぼすことなく下回ることもで
きるし、上回ることもできる。自明のことながら、複数
の触媒活性である金属がそれぞれの担体材料上に施与さ
れていてもよい。さらに、触媒活性である金属は、ドイ
ツ国特許出願公開第2519817号明細書、欧州特許出願公
開第147219号明細書及び欧州特許出願公開第285420号明
細書に記載の方法に従って担体上に施与することができ
る。上記明細書に記載の触媒の場合には、触媒活性であ
る金属は、例えば浸漬によって担体上に析出された、前
記の金属の塩もしくは錯体の熱処理及び／又は還元によ
って得られる合金として存在している。
担体材料として、通常、アルミニウムの酸化物、チタ
ンの酸化物、酸化亜鉛、二酸化ジルコニウム、二酸化珪
素、アルミナ、例えばモンモリロナイト、シリケート、
例えばマグネシウム−もしくはアルミニウムシリケート
又はゼオライト、例えばZSM−５−もしくはZSM−10−ゼ
オライトならびに活性炭は、使用することができる。有
利な担体材料は、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二
酸化珪素、二酸化ジルコニウム又は活性炭である。自明
のことながら、種々の担体材料の混合物は、本発明によ
る方法に使用可能な水素化触媒のための担体として使用
することができる。
ンの酸化物、酸化亜鉛、二酸化ジルコニウム、二酸化珪
素、アルミナ、例えばモンモリロナイト、シリケート、
例えばマグネシウム−もしくはアルミニウムシリケート
又はゼオライト、例えばZSM−５−もしくはZSM−10−ゼ
オライトならびに活性炭は、使用することができる。有
利な担体材料は、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二
酸化珪素、二酸化ジルコニウム又は活性炭である。自明
のことながら、種々の担体材料の混合物は、本発明によ
る方法に使用可能な水素化触媒のための担体として使用
することができる。
本発明による方法に使用可能な水素化触媒として、例
えば、次の物質が挙げられる： 活性炭上の白金、活性炭上のパラジウム、酸化アルミニ
ウム上のパラジウム、活性炭上のコバルト、二酸化珪素
上のコバルト、酸化アルミニウム上のコバルト、活性炭
上の鉄、活性炭上のマンガン、活性炭上のレニウム、二
酸化珪素上のレニウム、活性炭上のレニウム／錫、活性
炭上のレニウム／パラジウム、活性炭上の銅、二酸化珪
素上の銅、酸化アルミニウム上の銅、亜クロム酸銅なら
びにドイツ国特許出願公開第392 332号明細書、米国特
許第３ 449 445号明細書、欧州特許出願公開第44 44
4号明細書、欧州特許出願公開第147 219号明細書、ド
イツ国特許出願公開第39 04 083号明細書、ドイツ国
特許出願公開第23 21 101号明細書、欧州特許出願公
開第415 202号明細書、ドイツ国特許出願公開第23 66
264号明細書及び欧州特許出願公開第100 406号明細
書による触媒。
えば、次の物質が挙げられる： 活性炭上の白金、活性炭上のパラジウム、酸化アルミニ
ウム上のパラジウム、活性炭上のコバルト、二酸化珪素
上のコバルト、酸化アルミニウム上のコバルト、活性炭
上の鉄、活性炭上のマンガン、活性炭上のレニウム、二
酸化珪素上のレニウム、活性炭上のレニウム／錫、活性
炭上のレニウム／パラジウム、活性炭上の銅、二酸化珪
素上の銅、酸化アルミニウム上の銅、亜クロム酸銅なら
びにドイツ国特許出願公開第392 332号明細書、米国特
許第３ 449 445号明細書、欧州特許出願公開第44 44
4号明細書、欧州特許出願公開第147 219号明細書、ド
イツ国特許出願公開第39 04 083号明細書、ドイツ国
特許出願公開第23 21 101号明細書、欧州特許出願公
開第415 202号明細書、ドイツ国特許出願公開第23 66
264号明細書及び欧州特許出願公開第100 406号明細
書による触媒。
特に有利な触媒は、銅もしくはレニウム金属の少なく
とも１つを含有している。銅含有の沈殿触媒は、通常、
触媒の全体重量に対して、CuOとして計算された銅0.1〜
90重量％、有利に１〜80重量％、特に有利に５〜50重量
％を含有することができる。銅含有の、担体材料の含浸
もしくは被覆によって製造された担体触媒は、通常、触
媒の全体重量に対して、CuOとして計算された銅0.1〜30
重量％、有利に３〜25重量％、特に有利に５〜50重量％
を含有することができる。レニウム含有の触媒は、本発
明による方法の場合にはレニウムを、Reとして計算しか
つ触媒の全体重量に対して、0.1〜25重量％、有利に１
〜20重量％、特に有利に２〜10重量％の量で含有してい
る担体触媒の形で使用される。
とも１つを含有している。銅含有の沈殿触媒は、通常、
触媒の全体重量に対して、CuOとして計算された銅0.1〜
90重量％、有利に１〜80重量％、特に有利に５〜50重量
％を含有することができる。銅含有の、担体材料の含浸
もしくは被覆によって製造された担体触媒は、通常、触
媒の全体重量に対して、CuOとして計算された銅0.1〜30
重量％、有利に３〜25重量％、特に有利に５〜50重量％
を含有することができる。レニウム含有の触媒は、本発
明による方法の場合にはレニウムを、Reとして計算しか
つ触媒の全体重量に対して、0.1〜25重量％、有利に１
〜20重量％、特に有利に２〜10重量％の量で含有してい
る担体触媒の形で使用される。
本発明による方法は、有利に連続的に実施される。こ
の場合には、例えば、触媒が有利に固定床の形で配置さ
れている管型反応器又は、触媒がガス流によって動かさ
れる流動床反応器は、使用することができる。
の場合には、例えば、触媒が有利に固定床の形で配置さ
れている管型反応器又は、触媒がガス流によって動かさ
れる流動床反応器は、使用することができる。
エダクトである2,5−ジヒドロフラン及び／又は2,3−
ジヒドロフランならびに水は、これら物質が触媒によっ
て導かれる前に、例えば蒸発器で気相に変換することが
できる。有利にエダクトは、キャリヤーガス流中で上は
蒸発され、この場合、キャリヤーガスとして、例えば希
ガス、窒素、C1〜C4−炭化水素、特にメタン及び有利に
水素は、使用することができる。この場合には、キャリ
ヤーガス流は、エダクト、生成物及び場合によっては生
じた副生成物、例えば1,4−ブタンジオール、テトラヒ
ドロフラン及びブタノールが反応器中でガス状のままで
ある程度に供給される。
ジヒドロフランならびに水は、これら物質が触媒によっ
て導かれる前に、例えば蒸発器で気相に変換することが
できる。有利にエダクトは、キャリヤーガス流中で上は
蒸発され、この場合、キャリヤーガスとして、例えば希
ガス、窒素、C1〜C4−炭化水素、特にメタン及び有利に
水素は、使用することができる。この場合には、キャリ
ヤーガス流は、エダクト、生成物及び場合によっては生
じた副生成物、例えば1,4−ブタンジオール、テトラヒ
ドロフラン及びブタノールが反応器中でガス状のままで
ある程度に供給される。
エダクトの蒸発に使用されるキャリヤーガス流は、有
利に循環させることもでき、即ち、触媒充填物の除去後
に該キャリヤーガス流中に含有されている生成物の析出
後に、例えば、気液分離器（Gas−Fluesigkeits−Absch
eider）もしくは冷却器中で、改めてエダクトの蒸発に
キャリヤーガス流として再度使用することができる。循
環ガス方法が使用されないか、又は水素以外のャリヤー
ガスが使用される場合には、触媒上での反応式（３）に
よる反応の際に遊離される水素は、水素化触媒を活性状
態で維持するのに十分である。
利に循環させることもでき、即ち、触媒充填物の除去後
に該キャリヤーガス流中に含有されている生成物の析出
後に、例えば、気液分離器（Gas−Fluesigkeits−Absch
eider）もしくは冷却器中で、改めてエダクトの蒸発に
キャリヤーガス流として再度使用することができる。循
環ガス方法が使用されないか、又は水素以外のャリヤー
ガスが使用される場合には、触媒上での反応式（３）に
よる反応の際に遊離される水素は、水素化触媒を活性状
態で維持するのに十分である。
通常、触媒は、本発明による方法の場合にはジヒドロ
フラン0.05〜5kg/l 触媒＊時間-1、有利にヒドロフラ
ン0.1〜3kg/l 触媒＊時間-1で負荷される。
フラン0.05〜5kg/l 触媒＊時間-1、有利にヒドロフラ
ン0.1〜3kg/l 触媒＊時間-1で負荷される。
ガス状の反応器排出物は、生成物の冷却及び縮合後
に、それ自体常用の方法で蒸留によって、例えば分別蒸
留によって後処理することができる。ガス状の反応器排
出物を、直接、蒸留塔中に導入することも可能である。
蒸留の場合には、プロセス生成物の他にγ−ブチロラク
トン、同様に場合によっては反応器排出物中に含有され
ている副生成物、例えば1,4−ブタンジオール、テトラ
ヒドロフラン及び／又はｎ−ブタノール、の他に価値生
成物として2,5−ジヒドロフラン及び／又は2,3−ジヒド
ロフラン及び／又は２水は、生成物の蒸留によって分離
することができ、かつ再度、蒸発後に反応器中に返送す
ることができる。
に、それ自体常用の方法で蒸留によって、例えば分別蒸
留によって後処理することができる。ガス状の反応器排
出物を、直接、蒸留塔中に導入することも可能である。
蒸留の場合には、プロセス生成物の他にγ−ブチロラク
トン、同様に場合によっては反応器排出物中に含有され
ている副生成物、例えば1,4−ブタンジオール、テトラ
ヒドロフラン及び／又はｎ−ブタノール、の他に価値生
成物として2,5−ジヒドロフラン及び／又は2,3−ジヒド
ロフラン及び／又は２水は、生成物の蒸留によって分離
することができ、かつ再度、蒸発後に反応器中に返送す
ることができる。
従って、本発明による方法によって、2,5−ジヒドロ
フラン及び／又は2,3−ジヒドロフランから出発して、
γ−ブチロラクトンの経済的な製造が可能である。この
場合には、γ−ブチロラクトンが2,5−ジヒドロフラン
から一段階で得ることができることは、特に有利であ
る。
フラン及び／又は2,3−ジヒドロフランから出発して、
γ−ブチロラクトンの経済的な製造が可能である。この
場合には、γ−ブチロラクトンが2,5−ジヒドロフラン
から一段階で得ることができることは、特に有利であ
る。
本発明によれば使用される出発材料2,5−ジヒドロフ
ランは、例えば米国特許第５ 034 545号明細書及び米
国特許第５ 082 956号明細書に記載の方法によってビ
ニルオキシランの単離によって製造することができる。
2,3−ジヒドロフランは、2,5−ジヒドロフランから、例
えば、ポール（Paul）他（Bull.Soc.Chim.France 668
（1950））又はフーバート（Hubert）他（J.Chem.Soc.P
erkin II 366（1972））による方法による、該化合物
の塩基触媒されたかもしくは光化学的に触媒された単離
によって、獲得することができる。
ランは、例えば米国特許第５ 034 545号明細書及び米
国特許第５ 082 956号明細書に記載の方法によってビ
ニルオキシランの単離によって製造することができる。
2,3−ジヒドロフランは、2,5−ジヒドロフランから、例
えば、ポール（Paul）他（Bull.Soc.Chim.France 668
（1950））又はフーバート（Hubert）他（J.Chem.Soc.P
erkin II 366（1972））による方法による、該化合物
の塩基触媒されたかもしくは光化学的に触媒された単離
によって、獲得することができる。
実施例
下記の実施例中に記載された選択率（収率／変換率＊
100）をガスクロマトグラフィーによって内部標準の使
用下に測定した。
100）をガスクロマトグラフィーによって内部標準の使
用下に測定した。
例 １
外部の加熱装置が備えられた160mlの気相反応器中に
二酸化珪素上の銅の担体触媒102g（銅含量:22重量％、C
uOとして計算され、かつ触媒の全体重量に対するもので
ある；担体をアンモニア性炭酸銅溶液で浸漬し、含浸さ
れた担体を120℃で乾燥しかつ500℃でか焼することによ
って得られた）をスプリットの形で充填し、かつ水素流
中で、最初150℃の温度でかつ最終温度250℃で還元し
た。その後に前蒸発器によって水33ml/時間及び2,5−ジ
ヒドロフラン16ml/時間を水素流18l/時間中で200℃/101
3ミリバールで連続的に蒸発させ、かつ210℃の高温の反
応器中に導入した。反応器排出物を冷却された受器中に
捕捉し、かつ分析した。変換率58％の場合には、γ−ブ
チロラクトンが選択率83％で得られた（2,3−ジヒドロ
フラン:0.4％；フラン:4％；テトラヒドロフラン:9％;n
−ブタノール:3％；残り：さらに、結果に総括されなか
った種々の低沸点物質、例えばプロパノール）。
二酸化珪素上の銅の担体触媒102g（銅含量:22重量％、C
uOとして計算され、かつ触媒の全体重量に対するもので
ある；担体をアンモニア性炭酸銅溶液で浸漬し、含浸さ
れた担体を120℃で乾燥しかつ500℃でか焼することによ
って得られた）をスプリットの形で充填し、かつ水素流
中で、最初150℃の温度でかつ最終温度250℃で還元し
た。その後に前蒸発器によって水33ml/時間及び2,5−ジ
ヒドロフラン16ml/時間を水素流18l/時間中で200℃/101
3ミリバールで連続的に蒸発させ、かつ210℃の高温の反
応器中に導入した。反応器排出物を冷却された受器中に
捕捉し、かつ分析した。変換率58％の場合には、γ−ブ
チロラクトンが選択率83％で得られた（2,3−ジヒドロ
フラン:0.4％；フラン:4％；テトラヒドロフラン:9％;n
−ブタノール:3％；残り：さらに、結果に総括されなか
った種々の低沸点物質、例えばプロパノール）。
例 ２
例１と同様にして2,5−ジヒドロフラン15ml/時間及び
水32ml/時間を220℃で、二酸化珪素上の銅及びマグネシ
ウムを含有する触媒149g（組成:CuOとして計算された
銅:43.0重量％;MgOとして計算されたマグネシウム:18.0
重量％:Si02として計算されたシリケート:35.0重量％;B
aOとして計算されたバリウム:1重量％;Cr203として計算
されたクロム:0.6重量％;ZnOとして計算された亜鉛:0.4
重量％;Na20として計算されたナトリウム:0.2重量％：
残りはカーボネートが優勢である；全ての記載は触媒の
全体重量に対するものである；金属塩及び珪酸ナトリウ
ムの溶液（水ガラス）から炭酸ナトリウムを用いて共沈
させ、生じた沈殿物を乾燥し、予備成形助剤としてのタ
ルクを含有するストランドに押し出しかつ500℃でか焼
し、例１と同様にして還元することによって製造され
た）に導通した。変換率97％で、選択率85％を有するγ
−ブチロラクトンが得られた（2,3−ジヒドロフラン:1.
4％；フラン:3％：テトラヒドロフラン:9％:n−ブタノ
ール:1％：残り：僅かな量の種々の、結果に総括されな
かった低沸点物質）。
水32ml/時間を220℃で、二酸化珪素上の銅及びマグネシ
ウムを含有する触媒149g（組成:CuOとして計算された
銅:43.0重量％;MgOとして計算されたマグネシウム:18.0
重量％:Si02として計算されたシリケート:35.0重量％;B
aOとして計算されたバリウム:1重量％;Cr203として計算
されたクロム:0.6重量％;ZnOとして計算された亜鉛:0.4
重量％;Na20として計算されたナトリウム:0.2重量％：
残りはカーボネートが優勢である；全ての記載は触媒の
全体重量に対するものである；金属塩及び珪酸ナトリウ
ムの溶液（水ガラス）から炭酸ナトリウムを用いて共沈
させ、生じた沈殿物を乾燥し、予備成形助剤としてのタ
ルクを含有するストランドに押し出しかつ500℃でか焼
し、例１と同様にして還元することによって製造され
た）に導通した。変換率97％で、選択率85％を有するγ
−ブチロラクトンが得られた（2,3−ジヒドロフラン:1.
4％；フラン:3％：テトラヒドロフラン:9％:n−ブタノ
ール:1％：残り：僅かな量の種々の、結果に総括されな
かった低沸点物質）。
例 ３
例１と同様にして2,5−ジヒドロフラン19ml/時間及び
水11ml/時間を例２からの触媒142gに導通した。変換率9
9.7％で、選択率89％を有するγ−ブチロラクトンが得
られた（2,3−ジヒドロフラン:0.13％；フラン:3.9％：
テトラヒドロフラン:5％;n−ブタノール:1.7％：残り：
僅かな量の種々の、結果に総括されなかった低沸点物
質）。
水11ml/時間を例２からの触媒142gに導通した。変換率9
9.7％で、選択率89％を有するγ−ブチロラクトンが得
られた（2,3−ジヒドロフラン:0.13％；フラン:3.9％：
テトラヒドロフラン:5％;n−ブタノール:1.7％：残り：
僅かな量の種々の、結果に総括されなかった低沸点物
質）。
例 ４
例１と同様にして、2,5−ジヒドロフラン8ml/時間及
び水5ml/時間を210℃で活性炭上の銅の触媒8g（銅含量:
10重量％、CuOとして計算され、かつ触媒の全体重量に
対するものである;4mmの活性炭ストランドをアンモニア
性炭酸銅溶液で含浸し、含浸された4mmの活性炭ストラ
ンドを120℃で乾燥しかつ例１と同様にして還元するこ
とによって得られた）に導通した。変換率98％で、選択
率83％を有するγ−ブチロラクトンが形成された（2,3
−ジヒドロフラン:2％：フラン:4％；テトラヒドロフラ
ン:4％:n−ブタノール:1％:4−ヒドロキシブチルアルデ
ヒド:5％;1,4−ブタンジオール:0.2％；残り：僅かな量
の種々の、結果に総括されなかった低沸点物質）。
び水5ml/時間を210℃で活性炭上の銅の触媒8g（銅含量:
10重量％、CuOとして計算され、かつ触媒の全体重量に
対するものである;4mmの活性炭ストランドをアンモニア
性炭酸銅溶液で含浸し、含浸された4mmの活性炭ストラ
ンドを120℃で乾燥しかつ例１と同様にして還元するこ
とによって得られた）に導通した。変換率98％で、選択
率83％を有するγ−ブチロラクトンが形成された（2,3
−ジヒドロフラン:2％：フラン:4％；テトラヒドロフラ
ン:4％:n−ブタノール:1％:4−ヒドロキシブチルアルデ
ヒド:5％;1,4−ブタンジオール:0.2％；残り：僅かな量
の種々の、結果に総括されなかった低沸点物質）。
例 ５
例１と同様にして2,5−ジヒドロフラン10ml/時間及び
水9ml/時間を活性炭上のレニウム73g（レニウム含量:6
重量％、Reとして計算された:4mmの活性炭ストランドを
ジレニウムヘプトオキシド（Re207）水溶液で含浸し;12
0℃で乾燥し；例１と同様にして還元することによって
得られた）に導通した。変換率99％で、選択率91％を有
するγ−ブチロラクトンが形成された（2,3−ジヒドロ
フラン:0.5％：フラン:1％：テトラヒドロフラン:5％:n
−ブタノール:1％：残り：僅かな量の種々の、結果に総
括されなかった低沸点物質）。
水9ml/時間を活性炭上のレニウム73g（レニウム含量:6
重量％、Reとして計算された:4mmの活性炭ストランドを
ジレニウムヘプトオキシド（Re207）水溶液で含浸し;12
0℃で乾燥し；例１と同様にして還元することによって
得られた）に導通した。変換率99％で、選択率91％を有
するγ−ブチロラクトンが形成された（2,3−ジヒドロ
フラン:0.5％：フラン:1％：テトラヒドロフラン:5％:n
−ブタノール:1％：残り：僅かな量の種々の、結果に総
括されなかった低沸点物質）。
例 ６
例５と同様にして、活性炭上のレニウムに2,5−ジヒ
ドロフラン14ml/時間及び水24ml/時間を220℃で導通し
た。完全な変換率で、選択率87％を有するγ−ブチロラ
クトンが形成された（フラン:2.5％：テトラヒドロフラ
ン:9％:n−ブタノール:1％：残り：種々の、結果に総括
されなかった低沸点物質）。
ドロフラン14ml/時間及び水24ml/時間を220℃で導通し
た。完全な変換率で、選択率87％を有するγ−ブチロラ
クトンが形成された（フラン:2.5％：テトラヒドロフラ
ン:9％:n−ブタノール:1％：残り：種々の、結果に総括
されなかった低沸点物質）。
例 ７
例１と同様にして、2,5−ジヒドロフラン16ml/時間及
び水30ml/時間を230℃で、ジュートヒェミー社（Suedch
emie）,Muenchen,記号Ｇ 22の市販の亜クロム酸銅−触
媒 253g（販売パンフレットに記載の組成:Cu 37％:Cr
203 46％:BaO 13％；例１と同様の還元）に導通し
た。変換率71％で、選択率67％を有するγ−ブチロラク
トンが形成された（2,3−ジヒドロフラン:8％：フラン:
3％；テトラヒドロフラン:2％:n−ブタノール:1％;4−
ヒドロキシブチルアルデヒド:0.5％：残り：種々の、結
果に総括されなかった低沸点物質）。
び水30ml/時間を230℃で、ジュートヒェミー社（Suedch
emie）,Muenchen,記号Ｇ 22の市販の亜クロム酸銅−触
媒 253g（販売パンフレットに記載の組成:Cu 37％:Cr
203 46％:BaO 13％；例１と同様の還元）に導通し
た。変換率71％で、選択率67％を有するγ−ブチロラク
トンが形成された（2,3−ジヒドロフラン:8％：フラン:
3％；テトラヒドロフラン:2％:n−ブタノール:1％;4−
ヒドロキシブチルアルデヒド:0.5％：残り：種々の、結
果に総括されなかった低沸点物質）。
例 ８
例１と同様にして、2,3−ジヒドロフラン10ml/時間及
び水8ml/時間を220℃で水素13l/時間のキャリヤーガス
流中で、例５による活性炭上のレニウム47gに導通した
（反応器容量:100ml）。変換率99.5％で、選択率98％を
有するγ−ブチロラクトンが形成された（テトラヒドロ
フラン:0.3％;4−ヒドロキシブチルアルデヒド:0.5％：
残り：僅かな量の種々の、結果に総括されなかった低沸
点物質）。
び水8ml/時間を220℃で水素13l/時間のキャリヤーガス
流中で、例５による活性炭上のレニウム47gに導通した
（反応器容量:100ml）。変換率99.5％で、選択率98％を
有するγ−ブチロラクトンが形成された（テトラヒドロ
フラン:0.3％;4−ヒドロキシブチルアルデヒド:0.5％：
残り：僅かな量の種々の、結果に総括されなかった低沸
点物質）。
例 ９
例８と同様にして、2,3−ジヒドロフラン10ml/時間及
び水10ml/時間を220℃で水素13l/時間のキャリヤーガス
流中で、活性炭上のレニウム−パラジウムの触媒45g
（レニウム含量:3重量％、Reとして計算された：パラジ
ウム含量:3重量％、Pdとして計算された：それぞれ、触
媒の全体重量に対して:4mmの活性炭ストランドを塩酸水
溶液中のPdCl2で含浸し、乾燥し、かつ新たに該担体を
ジレニウムヘプトオキシド（Re207）水溶液で浸漬し、1
20℃で乾燥しかつ例１と同様にして還元することによっ
て得られた）に導通した。
び水10ml/時間を220℃で水素13l/時間のキャリヤーガス
流中で、活性炭上のレニウム−パラジウムの触媒45g
（レニウム含量:3重量％、Reとして計算された：パラジ
ウム含量:3重量％、Pdとして計算された：それぞれ、触
媒の全体重量に対して:4mmの活性炭ストランドを塩酸水
溶液中のPdCl2で含浸し、乾燥し、かつ新たに該担体を
ジレニウムヘプトオキシド（Re207）水溶液で浸漬し、1
20℃で乾燥しかつ例１と同様にして還元することによっ
て得られた）に導通した。
変換率99.5％で、選択率１％を有するγ−ブチロラク
トンが形成された。
トンが形成された。
水素のキャリヤー流を窒素12l/時間に置換後に、完全
な変換率で、選択率15％を有するγ−ブチロラクトンが
得られた。
な変換率で、選択率15％を有するγ−ブチロラクトンが
得られた。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
// Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｂ０１Ｊ 23/64 １０４Ｚ
(56)参考文献 特表 平６−507898（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07D 307/33
C07D 307/20
Claims (10)
- 【請求項１】γ−ブチロラクトンを製造する方法におい
て、2,5−ジヒドロフランもしくは2,3−ジヒドロフラン
又は両方のジヒドロフランの混合物を気相中で水の存在
下で、付加的な水素の存在下もしくは不在下で、100℃
〜350℃の温度で、水素化触媒上で反応させることを特
徴とする、γ−ブチロラクトンの製法。 - 【請求項２】反応を付加的な水素の存在下で実施する、
請求項１記載の方法。 - 【請求項３】反応を付加的な水素の存在下で実施し、こ
の場合、水素をキャリヤーガスとして使用する、請求項
１又は２記載の方法。 - 【請求項４】反応を圧力0.5〜50バールで実施する、請
求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】元素の周期律表の第I b、VI b、VII b及び
／又はVIII b族のうちの少なくとも１個の元素を含有し
ている水素化触媒を使用する、請求項１から４までのい
ずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】第I b、VI b、VII b及び／又はVIII b族の
うちの少なくとも１個の元素の他に付加的に周期律表の
第II b、I a、II a、III a、V a及び／又はVI a族のう
ちの少なくとも１個の元素を含有している水素化触媒を
使用する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項７】レニウムを含有している水素化触媒を使用
する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項８】銅を含有している水素化触媒を使用する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】水素化触媒として担体触媒を使用する、請
求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】水素化触媒を反応の開始前に水素もしく
は水素を含有しているガスで還元する、請求項１から９
までのいずれか１項に記載の方法。
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