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JP3331967B2 - ミリ波モジュール - Google Patents

ミリ波モジュール

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JP3331967B2
JP3331967B2 JP15245898A JP15245898A JP3331967B2 JP 3331967 B2 JP3331967 B2 JP 3331967B2 JP 15245898 A JP15245898 A JP 15245898A JP 15245898 A JP15245898 A JP 15245898A JP 3331967 B2 JP3331967 B2 JP 3331967B2
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millimeter
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silicon single
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和晃 高橋
潮 寒川
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
    • H01P1/20363—Linear resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はミリ波またはマイク
ロ波を用いた高周波のモジュールおよびこれを用いた無
線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、異方性エッチングによるシリコン
基板を用いたミリ波導波路としては、１９９６年ＩＥＥ
Ｅ ＭＴＴ−Ｓダイジェスト７９７頁から８００頁に記
載されたものが知られている。
【０００３】図９に従来のミリ波導波路の構造を示す。
９０１のシリコン基板に二酸化珪素９０２（ＳｉＯ２）
を積層し、その上にマイクロストリップ線路９０３を形
成している。シールド構造を得るために金属を積層した
キャリア基板９０４とマイクロマシン加工されたシリコ
ン基板９０５とを用いて、９０１のシリコン基板を挟み
込むような構造でシールドされたマイクロストリップ線
路を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このミリ波導波路にお
いては、マイクロストリップ線路を二酸化珪素で支えて
中空に浮いた状態のため、ＭＭＩＣなど他のミリ波部品
を実装したモジュール化が困難である。また、強度の面
でも課題がある。また、マイクロマシンによる加工を２
枚のシリコン基板に施し、強度を得るためにかなり厚い
二酸化珪素膜を形成する必要があるために、加工のプロ
セスが複雑になるという課題がある。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、低損失のフィルタやＭＭＩＣ等が混載したミリ波モ
ジュールを簡便な加工で実現し、安価なミリ波およびマ
イクロ波を用いた無線装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】シリコン単結晶基板に異
方性エッチングにより方形状のくぼみを複数設け、各々
のくぼみの間をコプレナ線路で接続する金属配線を前記
のシリコン単結晶基板の表面に有し、前記各々のくぼみ
の底面及び側面にグランド面として導体を積層し、片面
にマイクロストリップ型フィルタの金属配線を形成した
誘電体基板を、マイクロストリップ型フィルタの金属配
線面が、シリコン単結晶基板のくぼみと対面し、且つく
ぼみを覆うように実装し、更に、シリコン単結晶基板に
設けた他のくぼみを覆うように、ＭＭＩＣをフリップチ
ップ実装した構造を形成するものである。
【０００７】これにより、簡便な加工法で、低損失を実
現したフィルタとＭＭＩＣを混載したミリ波モジュール
が得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、第１のシリコン単結晶基板に異方性エッチングによ
り方形状のくぼみを複数設け、各々のくぼみの間をコプ
レナ線路で接続する金属配線を前記第１のシリコン単結
晶基板の表面に有し、前記各々のくぼみの底面及び側面
にグランド面として導体を積層し、片面にマイクロスト
リップ型フィルタの金属配線を有した第１の誘電体基板
を、前記マイクロストリップ型フィルタの金属配線面
が、前記第１のシリコン単結晶基板のくぼみと対面し且
つくぼみを覆うように実装し、更に、前記第１のシリコ
ン単結晶基板に設けた他のくぼみを覆うように、ＭＭＩ
Ｃをフリップチップ実装したことを特徴とするミリ波モ
ジュールであり、空気を誘電体とする低損失フィルタが
容易に実現でき、ＭＭＩＣのデバイス面の保護が劣化な
くでき、低損失のフィルタとＭＭＩＣとの接続も容易で
あるという作用を有する。
【０００９】請求項２に記載の発明は、第１の誘電体基
板およびＭＭＩＣの実装方法として、金によるマイクロ
バンプを用いたことを特徴とする請求項１記載のミリ波
モジュールであり、金によるマイクロバンプを用いるこ
とで、高い位置精度が得られ、ミリ波においても位置ず
れによる特性劣化がないという作用を有する。
【００１０】請求項３に記載の発明は、第１の誘電体基
板の裏面にグランド面として導体を有し、前記第１の誘
電体基板のグランド面と第１のシリコン単結晶基板上の
グランド面とを、前記第１の誘電体基板に設けたスルー
ホールと実装用のマイクロバンプを介して接続した構造
を特徴とする請求項１記載のミリ波モジュールであり、
フィルタの金属配線が上下のグランド面でシールドされ
ることにより、電界の放射を防ぐことができるという作
用を有する。
【００１１】請求項４に記載の発明は、方形状の穴を有
する第１のセラミック基板と、穴を有しない第２のセラ
ミック基板とを貼り合わせることにより得られた第３の
セラミック基板を第１のシリコン単結晶基板の代わりと
して用い、前記第１のシリコン単結晶基板に設けたくぼ
み形状と同様の形状を、前記第３のセラミック基板を用
いて形成することを特徴とする請求項１記載のミリ波モ
ジュールであり、セラミック基板を用いるため、安価に
形成できるという作用を有する。
【００１２】請求項５および６に記載の発明は、第１の
セラミック基板の代わりとして、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）やポリミィドなどの有機材料を誘電体として用
いたことを特徴とする請求項４記載のミリ波モジュール
であり、セラミック基板と比べて、くぼみ形状の寸法精
度を高めることができ、ミリ波特性を向上させることが
できるという作用を有する。
【００１３】請求項７に記載の発明は、第２のセラミッ
ク基板と第１のセラミック基板との接合面全体に、グラ
ンド面として金属層を有することを特徴とする請求項４
記載のミリ波モジュールであり、コプレナ線路でなく、
マイクロストリップ線路でフィルタやＭＭＩＣ間を接続
することができるという作用を有する。
【００１４】請求項８に記載の発明は、第２のセラミッ
ク基板の代わりとして、導電性金属を有することを特徴
とする請求項７記載のミリ波モジュールであり、安価に
モジュールが形成できるという作用を有する 請求項９に記載の発明は、同一面上に、コプレナ線路に
よる配線と、マイクロストリップ型フィルタの金属配線
と、方形状の穴とを有する第３の誘電体基板と、異方性
エッチングによりくぼみを形成し、前記くぼみの内部
と、くぼみが形成された面全体にグランド導体を積層し
た第２のシリコン単結晶基板を有し、前記第２のシリコ
ン単結晶基板を前記第３の誘電体基板のマイクロストリ
ップ型フィルタの金属配線上に蓋をする形で実装し、更
に、前記第３の誘電体基板上に設けた方形状の穴に蓋を
するようにＭＭＩＣをフリップチップ実装したことを特
徴とするミリ波モジュールであり、マイクロストリップ
型フィルタは、空気を誘電体とするマイクロストリップ
構造であるため低損失となるという作用を有する。
【００１５】
【００１６】請求項１０に記載の発明は、請求項１から
９のいずれかに記載のミリ波モジュールを用いたことを
特徴とする無線装置であり、簡便な加工法により形成し
たミリ波モジュールを用いることにより安価な無線装置
を実現できるという作用を有する。
【００１７】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図８を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本実施の形態におけるミリ波モ
ジュールの構造概念図を示し、図１（ａ）は断面図、図
１（ｂ）は斜視図である。図１において、１０１はシリ
コン基板、１０２は異方性エッチングによるくぼみ、１
０３はくぼみ内に積層したグランド金属層、１０４は空
気、１０５は実装のための金マイクロバンプ、１０６は
ミリ波ＭＭＩＣ、１０７はガラス基板、１０８はコプレ
ナ線路、１０９はマイクロストリップ型フィルタの金属
配線、１１０はＭＭＩＣにバイアスを供給するためのバ
イアスパッドである。
【００１８】このような構造とすることで、マイクロス
トリップ型フィルタの電界のほとんどは、誘電体損がな
い空気層１０４ａに集中するため、フィルタの低損失化
が実現できる。
【００１９】また、フリップチップ実装するミリ波ＭＭ
ＩＣの直下にもシリコン基板１０１にくぼみ１０２ｂを
設けて、能動素子の間近を空気層１０４ｂとするため、
フリップチップ実装することによる特性劣化を抑えるこ
とができる。
【００２０】さらに、ガラス基板１０７とＭＭＩＣ１０
６との接続をコプレナ線路とすることで、シリコン基板
１０１のプロセス工程を簡略化できる。
【００２１】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００２２】なお、本実施の形態として、フィルタとＭ
ＭＩＣの構成を示したが、複数のフィルタやＭＭＩＣを
様々に組み合わせてもよい。また本実施の形態では、く
ぼみの加工を異方性エッチングとしたが、ドライエッチ
ング加工による方法でも同様の形状が得られることは言
うまでもない。
【００２３】（実施の形態２）図２は本実施の形態にお
けるミリ波モジュールの構造概念図を示し、図２（ａ）
は断面図、図２（ｂ）は表面及び裏面の状態図である。
図２において第１の実施の形態と異なるのは、ガラス基
板１０７の裏面にグランド面１１１を設け、グランド面
をスルーホール１１２を介してシリコン基板１０１のグ
ランドと接続している点であり、それ以外の符号につい
ては図１と同様である。
【００２４】このような構造とすることで、マイクロス
トリップ型フィルタ１０９の近傍に発生する電界が、上
下のグランド１０３ａと１１１に囲まれてシールドされ
ることにより、電界の放射による損失劣化を抑えること
ができるとともに、本発明のミリ波モジュールを筐体に
実装する際に、筐体によるフィルタ特性への影響を防ぐ
ことができる。
【００２５】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００２６】（実施の形態３）図３は本実施の形態にお
けるミリ波モジュールの断面構造の概念図を示す。図３
において第１の実施の形態と異なるのは、シリコン基板
の代わりとして、方形状の穴を設けた第１のセラミック
基板２０１ｂ、２０１ｃと、穴を設けない第２のセラミ
ック基板２０１ａを貼り合わせることで、第３のセラミ
ック基板を形成し、シリコン基板と同様のくぼみ形状を
形成した点である。くぼみの底面にはそれぞれグランド
層として２０３ａ、２０３ｂをそれぞれ積層し、このく
ぼみにより空気層２０４が形成される。それ以外の符号
については図１と同様である。
【００２７】このような構造とすることで、第１の実施
の形態と同様の効果を安価なセラミック基板を用いて実
現できる。
【００２８】また、本実施の形態において、第１のセラ
ミック基板として２０１ｂ、２０１ｃの２層構造を示し
ており、このような構造とすることで、空気層の厚さを
２０４ａでは２層分、２０４ｂでは１層分とすることが
容易に可能であり、必要に応じて空気層の厚さを変化さ
せることができる。
【００２９】なお、本実施の形態においては、第３のセ
ラミック基板２０１を３層構造としたが、４層以上の構
成でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３０】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００３１】（実施の形態４）図４は本実施の形態にお
けるミリ波モジュールの断面構造の概念図を示す。図４
において第３の実施の形態と異なる点は、穴を設けない
第１のセラミック基板２０１ａと穴を設けた第２のセラ
ミック基板２０１ｂとの接合面にグランド面２０５を設
け、くぼみの底面に設けたグランド面２０３ｂとグラン
ド面２０５の間をスルーホール２１０で接続し、ガラス
基板１０７とＭＭＩＣ１０６との間をコプレナ線路でな
くマイクロストリップ線路で接続できようにした点であ
る。それ以外の符号については、図３と同様である。
【００３２】このような構造とすることで、コプレナ線
路とマイクロストリップ線路の変換部がなくなり、設計
性が向上する。
【００３３】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００３４】（実施の形態５）図５は本実施の形態にお
けるミリ波モジュールの断面構造の概念図を示す。図５
において第４の実施の形態と異なる点は、穴を設けない
セラミック基板の代わりとして、アルミや真ちゅうなど
の導電性金属２０６を用いた点である。それ以外の符号
については、図４と同様である。
【００３５】このような構造とすることで、簡素な構造
で第４の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３６】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００３７】（実施の形態６）図６は本実施の形態にお
けるミリ波モジュールの構造概念図を示し、図６（ａ）
は断面図、図６（ｂ）は斜視図である。図６において、
３０１はガラス基板、３０２はシリコン基板、３０３は
異方性エッチングにより設けたくぼみ、３０４はくぼみ
内に積層したグランド金属層、３０５は空気、３０６は
実装のための金マイクロバンプ、３０７はミリ波ＭＭＩ
Ｃ、３０８はコプレナ線路、３０９はマイクロストリッ
プ型フィルタの金属配線、３１０はＭＭＩＣにバイアス
を供給するためのバイアスパッドである。
【００３８】このような構造とすることで、第１の実施
の形態と同様に、空気層３０５を絶縁層としたマイクロ
ストリップ型フィルタが実現でき、フィルタの低損失化
が実現できる。
【００３９】また、フリップチップ実装するミリ波ＭＭ
ＩＣ３０７の直下のガラス基板３０１に方形状の穴３１
１を設ければ、能動素子の間近を空気とするため、フリ
ップチップ実装することによる特性劣化を抑えることが
できる。
【００４０】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００４１】（実施の形態７）図７は本実施の形態にお
けるミリ波モジュールの構造概念図を示し、図７（ａ）
は断面図、図７（ｂ）は斜視図である。また、図８は図
７のミリ波モジュールに使用するガラス基板の表面構造
を示す概念図である。図７において、４０１はシリコン
基板、４０２は異方性エッチングにより設けたくぼみ、
４０３はくぼみ内に積層したグランド金属層、４０４は
空気、４０７はガラス基板、４０８ａ、４０８ｂはシリ
コン基板４０１上に設けた第１、第２のコプレナ線路、
４０９ａ、４０９ｂはそれぞれガラス基板上に設けた第
３、第４のコプレナ線路、４１０はガラス基板４０７上
に設けた第５のコプレナ線路配線である。４１１はシリ
コン基板４０１とガラス基板４０７上のグランド金属を
取り除いた窓である。
【００４２】くぼみ４０４とガラス基板上に形成された
グランド金属とで閉じ込められた空間は、くぼみ４０４
の一辺を自由空間の波長の２分の１近傍の周波数で共振
する、空洞共振器として作用する。この空洞共振器の間
をガラス基板上に設けた第５のコプレナ線路配線４１０
で結合し、また入出力を第３、第４のコプレナ線路４０
９で空洞共振器と結合し、シリコン基板４０１上の入出
力線路となる、第１第２のコプレナ線路４０８ａ、４０
８ｂと接続することで、入出力がコプレナ線路構造の空
洞共振器フィルタが実現する。
【００４３】空洞共振器はＱ値が高いため、低損失のフ
ィルタが実現できる。また、シリコン基板４０１とガラ
ス基板４０７は、各々のグランド配線上に設けた窓４１
１どうしを陽極接合することにより実現するために、空
気層４０４の高さ方向の精度が高く、目的とする共振周
波数が精度よく実現できる。
【００４４】さらに、入出力がコプレナ構造であるた
め、ＭＭＩＣなどの他の部品との接続も容易に実現でき
る。
【００４５】そして、このように簡易な方法で作製され
たミリ波モジュールを用いることにより、安価な無線装
置を実現することができる。
【００４６】なお、本実施の形態ではシリコン基板４０
１とガラス基板４０７の接合方法を陽極接合としたが、
他の実施の形態に示した金マイクロバンプを用いた実装
法を用いてもよいことは言うまでもない。
【００４７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、簡易な加
工法で準平面的な構造上に低損失のフィルタが実現で
き、ＭＭＩＣ等との接続も簡易にでき、小型化と高性能
化の双方を満足したミリ波モジュールとそれを用いた無
線装置が安価でできるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジ
ュールの断面構造図 （ｂ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジュールの
斜視概念図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジ
ュールの断面構造図 （ｂ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジュールに
使用するガラス基板の表面及び裏面の構造図
【図３】本発明の一実施の形態によるミリ波モジュール
の断面構造図
【図４】本発明の一実施の形態によるミリ波モジュール
の断面構造図
【図５】本発明の一実施の形態によるミリ波モジュール
の断面構造図
【図６】（ａ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジ
ュールの断面構造図 （ｂ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジュールの
斜視概念図
【図７】（ａ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジ
ュールの断面構造図 （ｂ）本発明の一実施の形態によるミリ波モジュールに
使用するシリコン基板の斜視概念図
【図８】本発明の一実施の形態によるミリ波モジュール
に使用するガラス基板の表面の構造図
【図９】従来のミリ波導波路の断面構造図
【符号の説明】
１０１、３０２、４０１ シリコン基板 １０２、３０３、４０２ くぼみ １０３、１１１、２０３、２０５、３０４、４０３ グ
ランド面 １０４、２０４、３０５、４０４ 空気層 １０５、３０６ マイクロバンプ １０６、３０７ ＭＭＩＣ １０７、３０１、４０１、４０７ ガラス基板 １０８、２０８、３０８、４０８、４０９、４１０ コ
プレナ線路 １０９、３０９ マイクロストリップ型フィルタパター
ン １１０、３１０ バイアスパッド １１２、２１０ スルーホール ２０１ａ 方形状の穴を有しないセラミック基板 ２０１ｂ、２０１ｃ 方形状の穴を有するセラミック基
板 ２０６ 導電性金属 ３１１ 穴 ４１１ 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｆ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/00 H01P 1/20 - 1/219 H01P 3/08 H01P 5/08 H01P 7/00 - 7/10 H01P 11/00 H01L 23/12 301

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１のシリコン単結晶基板に異方性エッ
    チングにより方形状のくぼみを複数設け、各々のくぼみ
    の間をコプレナ線路で接続する金属配線を前記第１のシ
    リコン単結晶基板の表面に有し、前記各々のくぼみの底
    面及び側面にグランド面として導体を積層し、片面にマ
    イクロストリップ型フィルタの金属配線を有した第１の
    誘電体基板を、前記マイクロストリップ型フィルタの金
    属配線面が、前記第１のシリコン単結晶基板のくぼみと
    対面し且つくぼみを覆うように実装し、更に、前記第１
    のシリコン単結晶基板に設けた他のくぼみを覆うよう
    に、ＭＭＩＣをフリップチップ実装したことを特徴とす
    るミリ波モジュール。
  2. 【請求項２】 第１の誘電体基板およびＭＭＩＣの実装
    方法として、金によるマイクロバンプを用いたことを特
    徴とする請求項１記載のミリ波モジュール。
  3. 【請求項３】 第１の誘電体基板の裏面にグランド面と
    して導体を有し、前記第１の誘電体基板のグランド面と
    第１のシリコン単結晶基板上のグランド面とを、前記第
    １の誘電体基板に設けたスルーホールと実装用のマイク
    ロバンプを介して接続した構造を特徴とする請求項１記
    載のミリ波モジュール。
  4. 【請求項４】 方形状の穴を有する第１のセラミック基
    板と、穴を有しない第２のセラミック基板とを貼り合わ
    せることにより得られた第３のセラミック基板を第１の
    シリコン単結晶基板の代わりとして用い、前記第１のシ
    リコン単結晶基板に設けたくぼみ形状と同様の形状を、
    前記第３のセラミック基板を用いて形成することを特徴
    とする請求項１記載のミリ波モジュール。
  5. 【請求項５】 第１のセラミック基板の代わりとして、
    ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）を用いたことを特徴とす
    る請求項４記載のミリ波モジュール。
  6. 【請求項６】 第１のセラミック基板の代わりとして、
    ポリミィドを用いたことを特徴とする請求項４記載のミ
    リ波モジュール。
  7. 【請求項７】 第２のセラミック基板と第１のセラミッ
    ク基板との接合面全体に、グランド面として金属層を有
    することを特徴とする請求項４記載のミリ波モジュー
    ル。
  8. 【請求項８】 第２のセラミック基板の代わりとして、
    導電性金属を有することを特徴とする請求項７記載のミ
    リ波モジュール。
  9. 【請求項９】 同一面上に、コプレナ線路による配線
    と、マイクロストリップ型フィルタの金属配線と、方形
    状の穴とを有する第３の誘電体基板と、異方性エッチン
    グによりくぼみを形成し、前記くぼみの内部と、くぼみ
    が形成された面全体にグランド導体を積層した第２のシ
    リコン単結晶基板を有し、前記第２のシリコン単結晶基
    板を前記第３の誘電体基板のマイクロストリップ型フィ
    ルタの金属配線上に蓋をする形で実装し、更に、前記第
    ３の誘電体基板上に設けた方形状の穴に蓋をするように
    ＭＭＩＣをフリップチップ実装したことを特徴とするミ
    リ波モジュール。
  10. 【請求項１０】 請求項１から９のいずれかに記載のミ
    リ波モジュールを用いたことを特徴とする無線装置。
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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6606011B2 (en) 1998-04-07 2003-08-12 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit assembly
US6650525B2 (en) 1997-04-08 2003-11-18 X2Y Attenuators, Llc Component carrier
US7301748B2 (en) 1997-04-08 2007-11-27 Anthony Anthony A Universal energy conditioning interposer with circuit architecture
US7110235B2 (en) 1997-04-08 2006-09-19 Xzy Altenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
WO1999052210A1 (en) 1998-04-07 1999-10-14 X2Y Attenuators, L.L.C. Component carrier
US7336467B2 (en) 2000-10-17 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Energy pathway arrangement
US7042703B2 (en) 2000-03-22 2006-05-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning structure
US7274549B2 (en) 2000-12-15 2007-09-25 X2Y Attenuators, Llc Energy pathway arrangements for energy conditioning
US7106570B2 (en) 1997-04-08 2006-09-12 Xzy Altenuators, Llc Pathway arrangement
US6603646B2 (en) 1997-04-08 2003-08-05 X2Y Attenuators, Llc Multi-functional energy conditioner
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US6018448A (en) 1997-04-08 2000-01-25 X2Y Attenuators, L.L.C. Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package
US6894884B2 (en) 1997-04-08 2005-05-17 Xzy Attenuators, Llc Offset pathway arrangements for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US20030161086A1 (en) 2000-07-18 2003-08-28 X2Y Attenuators, Llc Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package
US7110227B2 (en) 1997-04-08 2006-09-19 X2Y Attenuators, Llc Universial energy conditioning interposer with circuit architecture
US7427816B2 (en) 1998-04-07 2008-09-23 X2Y Attenuators, Llc Component carrier
KR100513709B1 (ko) * 1999-03-31 2005-09-07 삼성전자주식회사 전압제어발진기의 위상 잡음 감소용 공동공진기 및 그 제작방법
US6356172B1 (en) * 1999-12-29 2002-03-12 Nokia Networks Oy Resonator structure embedded in mechanical structure
US7113383B2 (en) 2000-04-28 2006-09-26 X2Y Attenuators, Llc Predetermined symmetrically balanced amalgam with complementary paired portions comprising shielding electrodes and shielded electrodes and other predetermined element portions for symmetrically balanced and complementary energy portion conditioning
EP1154511A3 (en) * 2000-05-11 2003-05-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Adjusting method for electrical characteristics of microstrip line filter, duplexer, communication device, and microstrip line type resonator
JP2002026611A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Nec Corp フィルタ
JP2002057513A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Denso Corp ミリ波モジュール
AU2001283565A1 (en) 2000-08-15 2002-02-25 X2Y Attenuators, L.L.C. An electrode arrangement for circuit energy conditioning
WO2002033798A1 (en) 2000-10-17 2002-04-25 X2Y Attenuators, Llc Amalgam of shielding and shielded energy pathways and other elements for single or multiple circuitries with common reference node
US7193831B2 (en) 2000-10-17 2007-03-20 X2Y Attenuators, Llc Energy pathway arrangement
KR100473871B1 (ko) * 2000-11-13 2005-03-08 주식회사 엠에스솔루션 박막 필터
DE10134685A1 (de) * 2001-07-20 2003-02-06 Bosch Gmbh Robert Koppelelement für eine HF-Streifenleiterstruktur
KR20030019779A (ko) * 2001-08-31 2003-03-07 이진구 근접효과 억제용 플립칩 실장 기판
US20030057544A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated assembly protocol
US20030059976A1 (en) * 2001-09-24 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated package and methods for making same
JP2003188338A (ja) * 2001-12-13 2003-07-04 Sony Corp 回路基板装置及びその製造方法
US20030153119A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Nathan Richard J. Integrated circuit package and method for fabrication
KR100480244B1 (ko) * 2002-06-03 2005-04-06 삼성전자주식회사 레이저 모듈
US6657518B1 (en) * 2002-06-06 2003-12-02 Raytheon Company Notch filter circuit apparatus
US6903458B1 (en) 2002-06-20 2005-06-07 Richard J. Nathan Embedded carrier for an integrated circuit chip
US6809384B1 (en) * 2002-08-09 2004-10-26 Pts Corporation Method and apparatus for protecting wiring and integrated circuit device
US7180718B2 (en) 2003-01-31 2007-02-20 X2Y Attenuators, Llc Shielded energy conditioner
US7440252B2 (en) 2003-05-29 2008-10-21 X2Y Attenuators, Llc Connector related structures including an energy conditioner
EP1649572A4 (en) 2003-07-21 2012-06-27 X2Y Attenuators Llc FILTER ASSEMBLY
JP2005086603A (ja) 2003-09-10 2005-03-31 Tdk Corp 電子部品モジュールおよびその製造方法
KR100538470B1 (ko) * 2003-09-15 2005-12-23 한국과학기술원 유전체 박막을 이용한 동축선 구조의 전송선 시스템, 그제조 방법 및 그를 이용한 패키지 방법
CN1890854A (zh) 2003-12-22 2007-01-03 X2Y艾泰钮埃特有限责任公司 内屏蔽式能量调节装置
KR100598446B1 (ko) * 2004-12-01 2006-07-11 한국전자통신연구원 밀리미터파 대역 평면형 필터용 에어 캐비티 모듈
JP2006222609A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Sony Corp 高周波信号伝送回路の製造方法及び高周波信号伝送回路装置
KR20070107747A (ko) 2005-03-01 2007-11-07 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 공통평면의 도전체를 갖는 조절기
US7817397B2 (en) 2005-03-01 2010-10-19 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioner with tied through electrodes
WO2006099297A2 (en) 2005-03-14 2006-09-21 X2Y Attenuators, Llc Conditioner with coplanar conductors
US20060284698A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Nokia Corporation Low-loss microstrip transmission line structure and a method for its implementation
KR100631212B1 (ko) * 2005-08-01 2006-10-04 삼성전자주식회사 모놀리식 듀플렉서 및 그 제조방법
US7724109B2 (en) * 2005-11-17 2010-05-25 Cts Corporation Ball grid array filter
JP2007142854A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Sony Corp 信号伝送回路装置及び信号伝送回路装置の製造方法
CN101395683A (zh) 2006-03-07 2009-03-25 X2Y衰减器有限公司 能量调节装置结构
WO2007149046A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Meds Technologies Pte Ltd Quasi-planar circuits with air cavities
EP2090144A1 (en) * 2006-10-20 2009-08-19 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (PUBL) Flipped micro-strip filter
US20080102762A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Lianjun Liu Methods and apparatus for a hybrid antenna switching system
WO2009070348A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Skyworks Solutions, Inc. Wafer level packaging using flip chip mounting
CN103281096B (zh) * 2008-10-07 2016-01-20 启碁科技股份有限公司 滤波装置及其相关无线通信接收机
JP2011187550A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 高周波パッケージ
CN103178321B (zh) * 2013-02-26 2016-01-13 西安空间无线电技术研究所 Siw谐振器及其加工方法
JP2015065553A (ja) 2013-09-25 2015-04-09 株式会社東芝 接続部材、半導体デバイスおよび積層構造体
EP4568466A3 (en) * 2017-10-05 2025-08-13 Google Llc Low footprint resonator in flip chip geometry
KR102686622B1 (ko) * 2019-11-21 2024-07-18 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2071662A1 (en) * 1991-06-26 1992-12-27 Jon J. Gulick Integrated socket-type package for flip-chip semiconductor devices and circuits
US5608263A (en) 1994-09-06 1997-03-04 The Regents Of The University Of Michigan Micromachined self packaged circuits for high-frequency applications
CA2198305A1 (en) * 1996-05-01 1997-11-02 Yinon Degani Integrated circuit bonding method and apparatus
JP3218996B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-15 松下電器産業株式会社 ミリ波導波路
JPH11239020A (ja) * 1997-04-18 1999-08-31 Murata Mfg Co Ltd 円偏波アンテナおよびそれを用いた無線装置

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