JP3326390B2 - 再生専用多重ホログラムカード - Google Patents
再生専用多重ホログラムカードInfo
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は再生専用多重ホログ
ラムカードに関する。この再生専用多重ホログラムカー
ドは、磁気カードやＩＣカードの様に持ち運び容易なメ
モリーカードとして利用することができる。具体的に
は、この再生専用多重ホログラムカードは偽造や複製が
困難であるため電子商取引用認証カードとしての使用、
また、記憶容量が大きくかつ安価に生産できるため音楽
や映像ソフトあるいはコンピュータのソフトウエアの配
布等の用途が考えられる。
ラムカードに関する。この再生専用多重ホログラムカー
ドは、磁気カードやＩＣカードの様に持ち運び容易なメ
モリーカードとして利用することができる。具体的に
は、この再生専用多重ホログラムカードは偽造や複製が
困難であるため電子商取引用認証カードとしての使用、
また、記憶容量が大きくかつ安価に生産できるため音楽
や映像ソフトあるいはコンピュータのソフトウエアの配
布等の用途が考えられる。
【０００２】
【従来の技術】従来、ポケットに入れて持ち運びが可能
な情報カードとしては、テレフォンカードの様な磁気カ
ードが一般に用いられている。また、近年ではＩＣカー
ドが登場し、電子商取引への適用が考えられている。
な情報カードとしては、テレフォンカードの様な磁気カ
ードが一般に用いられている。また、近年ではＩＣカー
ドが登場し、電子商取引への適用が考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁気カードは安価では
あるが、偽造の危険性があり、また、ＩＣカードは偽造
は困難であるが、ビット単価が高価になってしまうとい
う欠点がある。
あるが、偽造の危険性があり、また、ＩＣカードは偽造
は困難であるが、ビット単価が高価になってしまうとい
う欠点がある。
【０００４】一方、偽造が困難で記憶容量の大きな情報
記録技術として、ホログラフィーを用いた記録技術が考
えられる。ホログラフィーを平面ホログラムと体積ホロ
グラムとに分類すると、体積ホログラムは記憶容量に優
れるものの、情報転写技術が存在せず大量生産には不向
きであり、認証カードやソフト配布用等の再生専用メモ
リーへの適用は困難である。また、平面ホログラムは、
印刷技術を応用した大量生産が可能ではあるが記憶密度
が制限され、情報再生装置のサイズや使い勝手を考慮に
入れれば、ＩＣカードに較べて魅力に欠ける。この欠点
を補うべく記憶容量を大きくするため、この平面ホログ
ラムを多層に重ねたとしても、通常の再生方法では各層
からのホログラムが同時に再生されるためクロストーク
が大きく、情報を取り出すことはできない。
記録技術として、ホログラフィーを用いた記録技術が考
えられる。ホログラフィーを平面ホログラムと体積ホロ
グラムとに分類すると、体積ホログラムは記憶容量に優
れるものの、情報転写技術が存在せず大量生産には不向
きであり、認証カードやソフト配布用等の再生専用メモ
リーへの適用は困難である。また、平面ホログラムは、
印刷技術を応用した大量生産が可能ではあるが記憶密度
が制限され、情報再生装置のサイズや使い勝手を考慮に
入れれば、ＩＣカードに較べて魅力に欠ける。この欠点
を補うべく記憶容量を大きくするため、この平面ホログ
ラムを多層に重ねたとしても、通常の再生方法では各層
からのホログラムが同時に再生されるためクロストーク
が大きく、情報を取り出すことはできない。
【０００５】従って、本発明は記憶容量に優れ、情報を
確実に取り出すことができ、しかも、大量生産が可能で
安価な再生専用多重ホログラムカードを提供することを
課題とする。
確実に取り出すことができ、しかも、大量生産が可能で
安価な再生専用多重ホログラムカードを提供することを
課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する手段として、次の構成を採るものである。平面型光
導波路に周期的散乱要因を作り、当該導波路に光を入射
した際に生じる散乱光がホログラムからの再生像を形成
する平面導波路型ホログラム層が多層に配置された再生
専用多重ホログラムカードにおいて、構成要素である上
記平面型光導波路が高分子導波路であり、上記平面型光
導波路の端面を導波面の法線に対して斜めにカットし、
全反射、もしくは、金属反射膜あるいは誘電体反射膜コ
ートによる反射を用いることで、導波面に垂直な方向か
ら光を入射させて導波路内に光を導入することが可能な
機能を持つよう構成したことを特徴とする再生専用多重
ホログラムカード。
する手段として、次の構成を採るものである。平面型光
導波路に周期的散乱要因を作り、当該導波路に光を入射
した際に生じる散乱光がホログラムからの再生像を形成
する平面導波路型ホログラム層が多層に配置された再生
専用多重ホログラムカードにおいて、構成要素である上
記平面型光導波路が高分子導波路であり、上記平面型光
導波路の端面を導波面の法線に対して斜めにカットし、
全反射、もしくは、金属反射膜あるいは誘電体反射膜コ
ートによる反射を用いることで、導波面に垂直な方向か
ら光を入射させて導波路内に光を導入することが可能な
機能を持つよう構成したことを特徴とする再生専用多重
ホログラムカード。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明は、平面ホログラムを多層
に重ねて、かつ、各層からのホログラムを独立に再生す
る事を可能にする再生専用多重ホログラムカードとその
作製方法に関するものである。以下、本発明の実施の形
態を図面に基づき詳細に説明する。
に重ねて、かつ、各層からのホログラムを独立に再生す
る事を可能にする再生専用多重ホログラムカードとその
作製方法に関するものである。以下、本発明の実施の形
態を図面に基づき詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の実施の形態に係る再生専用
多重ホログラムカードの構造及び光の入出力方法の概観
を示す模式的断面図である。同図に示すように、この再
生専用多重ホログラムカードは、ガラス基板５０上に、
／クラッド／コア／クラッド／コア…／クラッド／の様
な周期層構造となっており、何れの／クラッド／コア／
クラッド／単位においても、使用するレーザー光の波長
において、平面型シングルモード光導波路５５となって
いる。また、重ね合わせられた平面型光導波路５５の端
面の少なくとも一カ所は、導波路平面の法線に対して４
５度の角度を持つ反射面（４５度ミラー）５４となって
おり、レーザー光が目的の導波路に結合するよう凸レン
ズの位置を調節し、この焦点が当該導波路のコア層５２
が４５度カットされた部分にくるようにする。
多重ホログラムカードの構造及び光の入出力方法の概観
を示す模式的断面図である。同図に示すように、この再
生専用多重ホログラムカードは、ガラス基板５０上に、
／クラッド／コア／クラッド／コア…／クラッド／の様
な周期層構造となっており、何れの／クラッド／コア／
クラッド／単位においても、使用するレーザー光の波長
において、平面型シングルモード光導波路５５となって
いる。また、重ね合わせられた平面型光導波路５５の端
面の少なくとも一カ所は、導波路平面の法線に対して４
５度の角度を持つ反射面（４５度ミラー）５４となって
おり、レーザー光が目的の導波路に結合するよう凸レン
ズの位置を調節し、この焦点が当該導波路のコア層５２
が４５度カットされた部分にくるようにする。
【００１９】ここで、反射面５４が露出している場合
は、反射は全反射によって行われ、反射面に特別に反射
層を設ける必要はないが、耐候性を持たせるために樹脂
などで保護する場合には、反射層として誘電体反射膜や
金属反射膜を形成しておく必要がある。
は、反射は全反射によって行われ、反射面に特別に反射
層を設ける必要はないが、耐候性を持たせるために樹脂
などで保護する場合には、反射層として誘電体反射膜や
金属反射膜を形成しておく必要がある。
【００２０】なお、レンズのＮＡL は、レンズの直径を
２Ｄ、焦点距離をｆとして、下式（１）と定義し、一
方、導波路のＮＡWGは、コア層の屈折率をｎa 、クラッ
ド層の屈折率をｎc として、下式（２）と定義する。
２Ｄ、焦点距離をｆとして、下式（１）と定義し、一
方、導波路のＮＡWGは、コア層の屈折率をｎa 、クラッ
ド層の屈折率をｎc として、下式（２）と定義する。
【００２１】
【数１】
【００２２】反射点５２ａから導波路に導入された光
は、導波光となって導波路平面内の主にコア層５２中
を、反射点５２ａを要として周期的に拡がりながら進行
する。ここで、扇の広がり角度は、２ sin-1（ＮＡL ）
となり、凸レンズの選択によって変更が可能である。導
波光は、コア層５２もしくはクラッド層５１に設けられ
た散乱要因５３によって部分的に散乱され、導波路外に
漏れ出すが、散乱要因５３が周期構造を持っていると、
各散乱要因５３からの散乱光の位相が合致する方向が存
在し、その方向に回折光となって、導波路外にも光が進
行し、それがホログラムからの再生像を形成する。な
お、図１にはコア層５２に周期散乱要因５３として周期
的凹凸形状を設けた場合を例示している。
は、導波光となって導波路平面内の主にコア層５２中
を、反射点５２ａを要として周期的に拡がりながら進行
する。ここで、扇の広がり角度は、２ sin-1（ＮＡL ）
となり、凸レンズの選択によって変更が可能である。導
波光は、コア層５２もしくはクラッド層５１に設けられ
た散乱要因５３によって部分的に散乱され、導波路外に
漏れ出すが、散乱要因５３が周期構造を持っていると、
各散乱要因５３からの散乱光の位相が合致する方向が存
在し、その方向に回折光となって、導波路外にも光が進
行し、それがホログラムからの再生像を形成する。な
お、図１にはコア層５２に周期散乱要因５３として周期
的凹凸形状を設けた場合を例示している。
【００２３】ここで言う周期散乱要因とは、具体的には
コア／クラッド界面の周期的荒れや、周期的屈折率変調
を指すが、導波光を部分的に導波路外に漏れさす要因が
周期的に存在すればよい。
コア／クラッド界面の周期的荒れや、周期的屈折率変調
を指すが、導波光を部分的に導波路外に漏れさす要因が
周期的に存在すればよい。
【００２４】この周期的散乱要因を形成する部分として
は、本発明では以下の３種類となる。
は、本発明では以下の３種類となる。
【００２５】（１）周期的散乱要因を、多層を構成する
コア層あるいはクラッド層に周期的凹凸形状を設けて作
製する。 （２）周期的散乱要因を、多層の各平面型光導波路のコ
ア部分あるいはクラッド部分の屈折率を周期的に変化さ
せて作製する。 （３）周期的散乱要因を、平面型光導波路のコア層ある
いはクラッド層を形成する材料とは異なる材料を用いて
作製する。
コア層あるいはクラッド層に周期的凹凸形状を設けて作
製する。 （２）周期的散乱要因を、多層の各平面型光導波路のコ
ア部分あるいはクラッド部分の屈折率を周期的に変化さ
せて作製する。 （３）周期的散乱要因を、平面型光導波路のコア層ある
いはクラッド層を形成する材料とは異なる材料を用いて
作製する。
【００２６】実際の周期的散乱要因（周期的凹凸形状
等）を作製する方法としては、以下の４種類を用いてい
る。
等）を作製する方法としては、以下の４種類を用いてい
る。
【００２７】ａ．周期的凹凸形状を作製する方法とし
て、クラッド層あるいはコア層を形成した後、レジスト
層を形成し、該レジスト層を電子ビーム描画あるいは光
照射によりパターン化した後、該レジストをマスクにし
てクラッド層あるいはコア層をドライエッチングし、そ
の後レジスト層を剥離し、さらにコア層あるいはクラッ
ド層を形成する方法。 ｂ．周期的凹凸形状を作製する方法として、周期的凹凸
形状を有する金型をクラッド層あるいはコア層の上に押
し付けてクラッド層あるいはコア層に周期的凹凸形状を
転写し、その後コア層あるいはクラッド層を積層する方
法。 ｃ．周期的散乱要因を作製する方法として、電子ビーム
照射あるいは光照射によりコアあるいはクラッドに用い
られている材料の屈折率を周期的に変化させる方法。 ｄ．クラッド層あるいはコア層の上にレジスト層を形成
し、該レジスト層を光照射あるいは電子ビーム照射によ
りパターン化することで周期的凹凸形状を得る作製方
法。
て、クラッド層あるいはコア層を形成した後、レジスト
層を形成し、該レジスト層を電子ビーム描画あるいは光
照射によりパターン化した後、該レジストをマスクにし
てクラッド層あるいはコア層をドライエッチングし、そ
の後レジスト層を剥離し、さらにコア層あるいはクラッ
ド層を形成する方法。 ｂ．周期的凹凸形状を作製する方法として、周期的凹凸
形状を有する金型をクラッド層あるいはコア層の上に押
し付けてクラッド層あるいはコア層に周期的凹凸形状を
転写し、その後コア層あるいはクラッド層を積層する方
法。 ｃ．周期的散乱要因を作製する方法として、電子ビーム
照射あるいは光照射によりコアあるいはクラッドに用い
られている材料の屈折率を周期的に変化させる方法。 ｄ．クラッド層あるいはコア層の上にレジスト層を形成
し、該レジスト層を光照射あるいは電子ビーム照射によ
りパターン化することで周期的凹凸形状を得る作製方
法。
【００２８】また、本発明の作製方法によって作製され
る再生専用多重ホログラムカードは一般的に使われるカ
ードであり、大量生産可能で安価に作製される必要があ
るため、高分子材料をベースとしている。この本発明の
再生専用多重ホログラムカードに用いられる高分子材料
は導波路構造を形成でき、しかも透明性が重要となる。
る再生専用多重ホログラムカードは一般的に使われるカ
ードであり、大量生産可能で安価に作製される必要があ
るため、高分子材料をベースとしている。この本発明の
再生専用多重ホログラムカードに用いられる高分子材料
は導波路構造を形成でき、しかも透明性が重要となる。
【００２９】以下に本発明の再生専用多重ホログラムカ
ードに使用できる高分子材料をあげる。
ードに使用できる高分子材料をあげる。
【００３０】ポリメチルメタクリレートを初めとしたポ
リアクリレート、ポリカボーネート、ポリエーテル、ポ
リイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂等の熱可塑樹脂、
エポキシ樹脂を初めとした熱硬化性樹脂、アクリル、エ
ポキシ樹脂を紫外線硬化性にした樹脂等があげられる。
リアクリレート、ポリカボーネート、ポリエーテル、ポ
リイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂等の熱可塑樹脂、
エポキシ樹脂を初めとした熱硬化性樹脂、アクリル、エ
ポキシ樹脂を紫外線硬化性にした樹脂等があげられる。
【００３１】また、本発明で使用可能なレジスト材料を
以下にあげる。
以下にあげる。
【００３２】電子線レジストとして以下のものがある。 ネガ型： クロロメチル化ポリスチレン等のハロゲン化
ポリマー、エポキシ化ポリブタジエン、グリシジルメタ
クリレートなどのエポキシ化ポリマ、クロロメチル化ポ
リシロキサンなどの無機系ネガ型レジスト（ＳＮＲ）、
酸発生剤を含むｔ−ブトキシカルボニル基保護ポリヒド
ロキシスチレンに代表される化学増感レジスト。 ポジ型： ポリメチルメタクリレート、ポリフルオロメ
タクリレート（ＰＦＭ）などのポリメタクリレート、ポ
リブテンスルフォン等のポリスルフォン、ポリメチルイ
ソプロピルケトンなどのポリケトン等。
ポリマー、エポキシ化ポリブタジエン、グリシジルメタ
クリレートなどのエポキシ化ポリマ、クロロメチル化ポ
リシロキサンなどの無機系ネガ型レジスト（ＳＮＲ）、
酸発生剤を含むｔ−ブトキシカルボニル基保護ポリヒド
ロキシスチレンに代表される化学増感レジスト。 ポジ型： ポリメチルメタクリレート、ポリフルオロメ
タクリレート（ＰＦＭ）などのポリメタクリレート、ポ
リブテンスルフォン等のポリスルフォン、ポリメチルイ
ソプロピルケトンなどのポリケトン等。
【００３３】ホトレジストとしては以下が代表的であ
る。 ネガ型： アジド化合物−環化ゴム、アジド化合物−ア
ルカリ可溶ポリマー、アジド化合物−ポリシロキサンな
ど無機系ホトレジスト、酸発生剤を含むエポキシ樹脂に
代表される化学増感レジスト、ネガ型ドライフィルムレ
ジストなど。 ポジ型： ジアゾナフトキノンジアゾナフトキノン−ノ
ボラック樹脂などのＡＺタイプレジスト、ジアゾナフト
キノン−ポリシロキサンなどの無機系ポジ型ホトレジス
ト、ポジ型ドライフィルムレジストなど。
る。 ネガ型： アジド化合物−環化ゴム、アジド化合物−ア
ルカリ可溶ポリマー、アジド化合物−ポリシロキサンな
ど無機系ホトレジスト、酸発生剤を含むエポキシ樹脂に
代表される化学増感レジスト、ネガ型ドライフィルムレ
ジストなど。 ポジ型： ジアゾナフトキノンジアゾナフトキノン−ノ
ボラック樹脂などのＡＺタイプレジスト、ジアゾナフト
キノン−ポリシロキサンなどの無機系ポジ型ホトレジス
ト、ポジ型ドライフィルムレジストなど。
【００３４】以上のように、本実施の形態に係る再生専
用多重ホログラムカードとその作製方法によれば、大量
生産可能な平面ホログラムの手法を用いながら、体積ホ
ログラムの様にデータ容量を大きくすることが可能とな
り、安価で大容量の再生専用メモリを提供することが可
能となった。さらに、光ディスクの様な回転機構が不要
な事から、音楽や映像再生の為の再生装置が省電力とな
る利点もある。また、認証カードとして用いる場合に
は、偽造が困難であることに加え、様々な付加情報を記
憶しておく事も可能となり、利便性が高まる。
用多重ホログラムカードとその作製方法によれば、大量
生産可能な平面ホログラムの手法を用いながら、体積ホ
ログラムの様にデータ容量を大きくすることが可能とな
り、安価で大容量の再生専用メモリを提供することが可
能となった。さらに、光ディスクの様な回転機構が不要
な事から、音楽や映像再生の為の再生装置が省電力とな
る利点もある。また、認証カードとして用いる場合に
は、偽造が困難であることに加え、様々な付加情報を記
憶しておく事も可能となり、利便性が高まる。
【００３５】ここで、具体的な実施例により本発明をさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００３６】（実施例１）図１に示す様に、紫外線硬化
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を、３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４８５で厚
さ２．４μｍである。
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を、３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４８５で厚
さ２．４μｍである。
【００３７】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ
型電子線レジストをスピンコートした。これに周期的に
電子線露光し、現像することによりライン幅０．１μｍ
の周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要因
パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応性
イオンエッチングにより下層のエポキシ樹脂を０．１μ
ｍエッチングし、クラッド層５１に周期的散乱要因５３
を得た。その後レジスト層を剥離し、次に、このクラッ
ド層５１上にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚スピンコ
ートした。コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上に
ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコー
トした。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬
化した。このような下層クラッド塗布から上層クラッド
塗布までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波路多層
膜を得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブレード
で多層膜端面を切削する事により４５度ミラー５４を作
製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ
型電子線レジストをスピンコートした。これに周期的に
電子線露光し、現像することによりライン幅０．１μｍ
の周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要因
パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応性
イオンエッチングにより下層のエポキシ樹脂を０．１μ
ｍエッチングし、クラッド層５１に周期的散乱要因５３
を得た。その後レジスト層を剥離し、次に、このクラッ
ド層５１上にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚スピンコ
ートした。コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上に
ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコー
トした。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬
化した。このような下層クラッド塗布から上層クラッド
塗布までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波路多層
膜を得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブレード
で多層膜端面を切削する事により４５度ミラー５４を作
製した。
【００３８】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００３９】（実施例２）実施例１に示したホログラム
カードに用いたコアのＰＭＭＡの代りに紫外線硬化性エ
ポキシ樹脂を用いた。クラッド層５１は屈折率１．４７
５で厚さ８μｍ、コア層５２は屈折率１．４８５で厚さ
２．４μｍである。
カードに用いたコアのＰＭＭＡの代りに紫外線硬化性エ
ポキシ樹脂を用いた。クラッド層５１は屈折率１．４７
５で厚さ８μｍ、コア層５２は屈折率１．４８５で厚さ
２．４μｍである。
【００４０】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ
型電子線レジストをスピンコートした。これに周期的に
電子線露光し、現像することによりライン幅０．１μｍ
の周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要因
パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応性
イオンエッチングにより下層のエポキシ樹脂を０．１μ
ｍエッチングし、クラッド層５１に周期的散乱要因５３
を得た。その後レジスト層を剥離し、次に、このクラッ
ド層５１上にコアのＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
２．４μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照
射し、ベーク乾燥処理後硬化した。コア層をベーク乾燥
後、コア層上にＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ
厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベー
ク乾燥処理後硬化した。このような下層クラッド塗布か
ら上層クラッド塗布までのプロセスを１０サイクル繰り
返し導波路多層膜を得た。引き続き、９０度の切削角度
を持つブレードで多層膜端面を切削する事により４５度
ミラー５４を作製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ
型電子線レジストをスピンコートした。これに周期的に
電子線露光し、現像することによりライン幅０．１μｍ
の周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要因
パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応性
イオンエッチングにより下層のエポキシ樹脂を０．１μ
ｍエッチングし、クラッド層５１に周期的散乱要因５３
を得た。その後レジスト層を剥離し、次に、このクラッ
ド層５１上にコアのＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
２．４μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照
射し、ベーク乾燥処理後硬化した。コア層をベーク乾燥
後、コア層上にＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ
厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベー
ク乾燥処理後硬化した。このような下層クラッド塗布か
ら上層クラッド塗布までのプロセスを１０サイクル繰り
返し導波路多層膜を得た。引き続き、９０度の切削角度
を持つブレードで多層膜端面を切削する事により４５度
ミラー５４を作製した。
【００４１】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００４２】（実施例３）図１に示す様に、紫外線硬化
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を、３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４８５で厚
さ２．４μｍである。
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を、３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４８５で厚
さ２．４μｍである。
【００４３】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。次にこのクラッド層５
１上にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚にスピンコート
した。コア層５２をベーク乾燥後、この上に無機系のネ
ガ型電子線レジストをスピンコートした。これに周期的
に電子線露光し、現像することによりライン幅０．１μ
ｍの周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要
因パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応
性イオンエッチングにより下層のＰＭＭＡを０．１μｍ
エッチングし、コア層５２に周期的散乱要因５３を得
た。その後レジスト層を剥離し、次に、コア層５２上に
ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコー
トした。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬
化した。このような下層クラッド塗布から上層クラッド
塗布までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波路多層
膜を得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブレード
で多層膜端面を切削する事により４５度ミラー５４を作
製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。次にこのクラッド層５
１上にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚にスピンコート
した。コア層５２をベーク乾燥後、この上に無機系のネ
ガ型電子線レジストをスピンコートした。これに周期的
に電子線露光し、現像することによりライン幅０．１μ
ｍの周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要
因パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応
性イオンエッチングにより下層のＰＭＭＡを０．１μｍ
エッチングし、コア層５２に周期的散乱要因５３を得
た。その後レジスト層を剥離し、次に、コア層５２上に
ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコー
トした。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬
化した。このような下層クラッド塗布から上層クラッド
塗布までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波路多層
膜を得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブレード
で多層膜端面を切削する事により４５度ミラー５４を作
製した。
【００４４】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００４５】（実施例４）図１に示す様に、高分子多層
構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１、コア層高分子５２とし
て紫外線硬化樹脂を用いた。クラッド層５１は屈折率
１．４７５で厚さ８μｍ、コア層５２は屈折率１．４８
５で厚さ２．４μｍである。
構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１、コア層高分子５２とし
て紫外線硬化樹脂を用いた。クラッド層５１は屈折率
１．４７５で厚さ８μｍ、コア層５２は屈折率１．４８
５で厚さ２．４μｍである。
【００４６】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。次にこのクラッド層５
１上にコアのＵＶ感光性エポキシオリゴマを約２．４μ
ｍ厚スピンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベー
ク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ型電子線
レジストをスピンコートした。これに周期的に電子線露
光し、現像することによりライン幅０．１μｍの周期的
散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要因パタンを
作製したレジストをマスクにして酸素の反応性イオンエ
ッチングによりコア層５２のエポキシ樹脂を０．１μｍ
エッチングし、周期的散乱要因５３を得た。その後レジ
スト層を剥離し、コア層５２をベーク乾燥後、コア層５
２上にＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピ
ンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処
理後硬化した。このような下層クラッド塗布から上層ク
ラッド塗布までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波
路多層膜を得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブ
レードで多層膜端面を切削する事により４５度ミラーを
作製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。次にこのクラッド層５
１上にコアのＵＶ感光性エポキシオリゴマを約２．４μ
ｍ厚スピンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベー
ク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ型電子線
レジストをスピンコートした。これに周期的に電子線露
光し、現像することによりライン幅０．１μｍの周期的
散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要因パタンを
作製したレジストをマスクにして酸素の反応性イオンエ
ッチングによりコア層５２のエポキシ樹脂を０．１μｍ
エッチングし、周期的散乱要因５３を得た。その後レジ
スト層を剥離し、コア層５２をベーク乾燥後、コア層５
２上にＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピ
ンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処
理後硬化した。このような下層クラッド塗布から上層ク
ラッド塗布までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波
路多層膜を得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブ
レードで多層膜端面を切削する事により４５度ミラーを
作製した。
【００４７】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００４８】（実施例５）図１に示す様に、紫外線硬化
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作製
した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡ５２は屈折率１．４８５
で厚さ２．４μｍである。
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作製
した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡ５２は屈折率１．４８５
で厚さ２．４μｍである。
【００４９】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に紫外線硬化樹脂原料を８μｍ厚みで
スピンコートし、紫外線露光して膜化した。次いでＰＭ
ＭＡを２．４μｍスピンコートし積層膜を作製し、１１
０℃で基板を加熱して、ＰＭＭＡ膜の上に周期凹凸模様
のついた金型を押し当てて転写し、スタンプ法にてコア
層５２に周期的散乱要因５３を作製した。さらに紫外線
硬化樹脂コート／紫外線露光／ＰＭＭＡコート／転写の
順に作業を１０サイクル繰り返し、最後に紫外線硬化樹
脂をスピンコートし、紫外線露光を行って本発明のホロ
グラムカードを作製した。引き続き、多層膜端面を４５
度に研磨し、４５度ミラー５４を作製した。
ガラス基板５０上に紫外線硬化樹脂原料を８μｍ厚みで
スピンコートし、紫外線露光して膜化した。次いでＰＭ
ＭＡを２．４μｍスピンコートし積層膜を作製し、１１
０℃で基板を加熱して、ＰＭＭＡ膜の上に周期凹凸模様
のついた金型を押し当てて転写し、スタンプ法にてコア
層５２に周期的散乱要因５３を作製した。さらに紫外線
硬化樹脂コート／紫外線露光／ＰＭＭＡコート／転写の
順に作業を１０サイクル繰り返し、最後に紫外線硬化樹
脂をスピンコートし、紫外線露光を行って本発明のホロ
グラムカードを作製した。引き続き、多層膜端面を４５
度に研磨し、４５度ミラー５４を作製した。
【００５０】光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを用
い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形
した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。
この焦点を各ＰＭＭＡ層の４５度カット位置に合わせる
と、上下方向に回折光が現れた。また、４５度ミラー５
４を、ダイシングソーによりカットして作製する方法を
用いて作製しても、同様の効果を確認することができ
た。
い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形
した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。
この焦点を各ＰＭＭＡ層の４５度カット位置に合わせる
と、上下方向に回折光が現れた。また、４５度ミラー５
４を、ダイシングソーによりカットして作製する方法を
用いて作製しても、同様の効果を確認することができ
た。
【００５１】（実施例６）実施例５に示したホログラム
カードに用いたコアのＰＭＭＡの代りに熱硬化性エポキ
シ樹脂を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．４７５で
厚さ８μｍ、熱硬化性エポキシ樹脂は屈折率１．４８５
で厚さ２．４μｍである。
カードに用いたコアのＰＭＭＡの代りに熱硬化性エポキ
シ樹脂を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．４７５で
厚さ８μｍ、熱硬化性エポキシ樹脂は屈折率１．４８５
で厚さ２．４μｍである。
【００５２】このホログラムカードの作製方法は、実施
例５と同様で、熱硬化性エポキシ樹脂をスピンコート
し、１１０℃で基板を加熱しながら周期凹凸模様のつい
た金型を押し当てて転写し、スタンプ法にてコア層５２
に周期的散乱要因５３を作製した。さらに紫外線硬化樹
脂コート／紫外線露光／熱硬化性エポキシ樹脂コート／
転写の順に作業を１０サイクル繰り返し、最後に紫外線
硬化樹脂をスピンコート、紫外線露光を行った。引き続
き、多層膜端面を４５度に研磨し、４５度ミラー５４を
作製した。
例５と同様で、熱硬化性エポキシ樹脂をスピンコート
し、１１０℃で基板を加熱しながら周期凹凸模様のつい
た金型を押し当てて転写し、スタンプ法にてコア層５２
に周期的散乱要因５３を作製した。さらに紫外線硬化樹
脂コート／紫外線露光／熱硬化性エポキシ樹脂コート／
転写の順に作業を１０サイクル繰り返し、最後に紫外線
硬化樹脂をスピンコート、紫外線露光を行った。引き続
き、多層膜端面を４５度に研磨し、４５度ミラー５４を
作製した。
【００５３】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
【００５４】（実施例７）実施例５に示したホログラム
カードに用いたコアのＰＭＭＡの代りに紫外線硬化性エ
ポキシ樹脂を用いた。クラッドに用いた紫外線硬化樹脂
は屈折率１．４７５で厚さ８μｍ、コアに用いた紫外線
硬化性エポキシ樹脂は屈折率１．４８５で厚さ２．４μ
ｍである。
カードに用いたコアのＰＭＭＡの代りに紫外線硬化性エ
ポキシ樹脂を用いた。クラッドに用いた紫外線硬化樹脂
は屈折率１．４７５で厚さ８μｍ、コアに用いた紫外線
硬化性エポキシ樹脂は屈折率１．４８５で厚さ２．４μ
ｍである。
【００５５】このホログラムカードの作製方法は、実施
例６と同様で、コア用の紫外線硬化性エポキシ樹脂をス
ピンコートし、紫外線照射してゲル状態とする。その後
周期凹凸模様のついた金型を押し当てて１１０℃で基板
を加熱しながら完全に硬化させた。この操作により金型
の凹凸模様がコア層表面上に転写され、周期的散乱要因
５３が作製された。さらにクラッド用紫外線硬化樹脂コ
ート／紫外線照射によりクラッド層硬化／コア用紫外線
硬化性エポキシ樹脂コート／紫外線照射によりコア層ゲ
ル化／金型による転写および熱により硬化の順に作業を
１０サイクル繰り返し、最後に紫外線硬化樹脂をスピン
コート、紫外線露光を行った。引き続き、多層膜端面を
４５度にダイシングソーでカットし、４５度ミラー５４
を作製した。
例６と同様で、コア用の紫外線硬化性エポキシ樹脂をス
ピンコートし、紫外線照射してゲル状態とする。その後
周期凹凸模様のついた金型を押し当てて１１０℃で基板
を加熱しながら完全に硬化させた。この操作により金型
の凹凸模様がコア層表面上に転写され、周期的散乱要因
５３が作製された。さらにクラッド用紫外線硬化樹脂コ
ート／紫外線照射によりクラッド層硬化／コア用紫外線
硬化性エポキシ樹脂コート／紫外線照射によりコア層ゲ
ル化／金型による転写および熱により硬化の順に作業を
１０サイクル繰り返し、最後に紫外線硬化樹脂をスピン
コート、紫外線露光を行った。引き続き、多層膜端面を
４５度にダイシングソーでカットし、４５度ミラー５４
を作製した。
【００５６】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
【００５７】（実施例８）図１に示す様に、紫外線硬化
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作製
した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４８５で厚
さ２．４μｍである。
樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬
化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層構
造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作製
した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）を用いた。紫外線硬化樹脂は屈折率１．
４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４８５で厚
さ２．４μｍである。
【００５８】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に紫外線硬化樹脂原料を８μｍの厚み
でスピンコートし、紫外線露光して膜化した。次いでＰ
ＭＭＡを２．４μｍスピンコートし、電子線ビームを部
分的に照射して屈折率を照射した部分のみ微小に変化さ
せて周期的散乱要因を作製した。さらに紫外線硬化樹脂
コート／紫外線露光／ＰＭＭＡコート／電子線ビーム照
射の順に作業を１０サイクル繰り返し、最後に紫外線硬
化樹脂をスピンコート、紫外線露光を行って本発明のホ
ログラムカードを作製した。引き続き、多層膜端面をダ
イシングソーによりカットして４５度ミラー５４を作製
した。
ガラス基板５０上に紫外線硬化樹脂原料を８μｍの厚み
でスピンコートし、紫外線露光して膜化した。次いでＰ
ＭＭＡを２．４μｍスピンコートし、電子線ビームを部
分的に照射して屈折率を照射した部分のみ微小に変化さ
せて周期的散乱要因を作製した。さらに紫外線硬化樹脂
コート／紫外線露光／ＰＭＭＡコート／電子線ビーム照
射の順に作業を１０サイクル繰り返し、最後に紫外線硬
化樹脂をスピンコート、紫外線露光を行って本発明のホ
ログラムカードを作製した。引き続き、多層膜端面をダ
イシングソーによりカットして４５度ミラー５４を作製
した。
【００５９】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を各ＰＭＭＡ層の４５度カット位置に合わ
せると、上下方向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を各ＰＭＭＡ層の４５度カット位置に合わ
せると、上下方向に回折光が現れた。
【００６０】（実施例９−１）コア用材料としてフッ素
化紫外線硬化性樹脂を用いて実施例８と同様に電子線ビ
ームを照射して屈折率変化を誘起する方法により本発明
のホログラムカードを作製した。この場合、電子線ビー
ムを照射した部分ではフッ素化紫外線硬化性樹脂のフッ
素原子の結合が切断され、屈折率が低くなり、電子線ビ
ームを照射した部分のみ微小に屈折率が変化し、周期的
散乱要因を作製することが可能であった。クラッド用フ
ッ素化紫外線硬化樹脂は屈折率１．４７５で厚さ８μ
ｍ、コア用フッ素化紫外線硬化樹脂は屈折率１．４８５
で厚さ２．４μｍである。さらにクラッド用紫外線硬化
樹脂コート／紫外線露光／フッ素化紫外線硬化性樹脂コ
ート／電子線ビームの照射の順に作業を１０サイクル繰
り返し、最後に紫外線硬化樹脂をスピンコート、紫外線
露光を行って本発明のホログラムカードを作製した。引
き続き、多層膜端面をダイシングソーによりカットして
４５度ミラー５４を作製した。
化紫外線硬化性樹脂を用いて実施例８と同様に電子線ビ
ームを照射して屈折率変化を誘起する方法により本発明
のホログラムカードを作製した。この場合、電子線ビー
ムを照射した部分ではフッ素化紫外線硬化性樹脂のフッ
素原子の結合が切断され、屈折率が低くなり、電子線ビ
ームを照射した部分のみ微小に屈折率が変化し、周期的
散乱要因を作製することが可能であった。クラッド用フ
ッ素化紫外線硬化樹脂は屈折率１．４７５で厚さ８μ
ｍ、コア用フッ素化紫外線硬化樹脂は屈折率１．４８５
で厚さ２．４μｍである。さらにクラッド用紫外線硬化
樹脂コート／紫外線露光／フッ素化紫外線硬化性樹脂コ
ート／電子線ビームの照射の順に作業を１０サイクル繰
り返し、最後に紫外線硬化樹脂をスピンコート、紫外線
露光を行って本発明のホログラムカードを作製した。引
き続き、多層膜端面をダイシングソーによりカットして
４５度ミラー５４を作製した。
【００６１】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を各ＰＭＭＡ層の４５度カット位置に合わ
せると、上下方向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を各ＰＭＭＡ層の４５度カット位置に合わ
せると、上下方向に回折光が現れた。
【００６２】（実施例９−２）実施例９−１におけるフ
ッ素化紫外線硬化性樹脂の代わりにコア材料としてフッ
素系ポリイミド（屈折率１．４８５）を用い、クラッド
材料として同種の屈折率の低いフッ素系ポリイミド（屈
折率１．４７５）を用いて、実施例９−１と同様に本発
明のホログラムカードを作製したところ、実施例９−１
と同様に上下方向に回折光が現れた。
ッ素化紫外線硬化性樹脂の代わりにコア材料としてフッ
素系ポリイミド（屈折率１．４８５）を用い、クラッド
材料として同種の屈折率の低いフッ素系ポリイミド（屈
折率１．４７５）を用いて、実施例９−１と同様に本発
明のホログラムカードを作製したところ、実施例９−１
と同様に上下方向に回折光が現れた。
【００６３】（実施例１０−１）図１に示す様に、紫外
線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫
外線硬化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様
な層構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上
に作製した。クラッド層高分子５１として紫外線硬化樹
脂を用い、コア層高分子５２としてポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）５２を用いた。紫外線硬化樹脂は屈
折率１．４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４
８５で厚さ２．４μｍである。
線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫
外線硬化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様
な層構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上
に作製した。クラッド層高分子５１として紫外線硬化樹
脂を用い、コア層高分子５２としてポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）５２を用いた。紫外線硬化樹脂は屈
折率１．４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４
８５で厚さ２．４μｍである。
【００６４】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。このクラッド層５１上
にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚にスピンコートし
た。コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上にネガ型
フォトレジストを厚さ０．１μｍ厚にスピンコートし
た。これに周期的にレーザービーム露光し、現像するこ
とによりライン幅０．１μｍの周期的散乱要因を作製し
た。コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上にＵＶ感
光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコートし
た。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬化し
た。このような下層クラッド塗布から上層クラッド塗布
までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波路多層膜を
得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブレードで多
層膜端面を切削する事により４５度ミラー５４を作製し
た。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。このクラッド層５１上
にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚にスピンコートし
た。コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上にネガ型
フォトレジストを厚さ０．１μｍ厚にスピンコートし
た。これに周期的にレーザービーム露光し、現像するこ
とによりライン幅０．１μｍの周期的散乱要因を作製し
た。コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上にＵＶ感
光性エポキシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコートし
た。次に全面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬化し
た。このような下層クラッド塗布から上層クラッド塗布
までのプロセスを１０サイクル繰り返し導波路多層膜を
得た。引き続き、９０度の切削角度を持つブレードで多
層膜端面を切削する事により４５度ミラー５４を作製し
た。
【００６５】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると、上
下方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると、上
下方向に回折光が現れた。
【００６６】（実施例１０−２）図１に示す様に、高分
子多層構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０
上に作製した。クラッド層高分子５１、コア層高分子５
２として紫外線硬化樹脂を用いた。クラッド層５１は屈
折率１．４７５で厚さ８μｍ、コア層５２は屈折率１．
４８５で厚さ２．４μｍである。
子多層構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０
上に作製した。クラッド層高分子５１、コア層高分子５
２として紫外線硬化樹脂を用いた。クラッド層５１は屈
折率１．４７５で厚さ８μｍ、コア層５２は屈折率１．
４８５で厚さ２．４μｍである。
【００６７】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。次にこのクラッド層５
１上にコアのＵＶ感光性エポキシオリゴマを約２．４μ
ｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベ
ーク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ型フォ
トレジストをスピンコートした。これに周期的にレーザ
ービーム露光し、現像することによりライン幅０．１μ
ｍの周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要
因パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応
性イオンエッチングによりコア層５２のエポキシ樹脂を
０．１μｍエッチングし、周期的散乱要因５３を得た。
その後レジスト層を剥離し、コア層５２をベーク乾燥
後、コア層５２上にＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８
μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射し、
ベーク乾燥処理後硬化した。このような下層クラッド塗
布から上層クラッド塗布までのプロセスを１０サイクル
繰り返し導波路多層膜を得た。引き続き、９０度の切削
角度を持つブレードで多層膜端面を切削する事により４
５度ミラー５４を作製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。次にこのクラッド層５
１上にコアのＵＶ感光性エポキシオリゴマを約２．４μ
ｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射し、ベ
ーク乾燥処理後硬化した。この上に無機系のネガ型フォ
トレジストをスピンコートした。これに周期的にレーザ
ービーム露光し、現像することによりライン幅０．１μ
ｍの周期的散乱要因パタンを作製した。この周期散乱要
因パタンを作製したレジストをマスクにして酸素の反応
性イオンエッチングによりコア層５２のエポキシ樹脂を
０．１μｍエッチングし、周期的散乱要因５３を得た。
その後レジスト層を剥離し、コア層５２をベーク乾燥
後、コア層５２上にＵＶ感光性エポキシオリゴマを約８
μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射し、
ベーク乾燥処理後硬化した。このような下層クラッド塗
布から上層クラッド塗布までのプロセスを１０サイクル
繰り返し導波路多層膜を得た。引き続き、９０度の切削
角度を持つブレードで多層膜端面を切削する事により４
５度ミラー５４を作製した。
【００６８】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００６９】（実施例１１）図１に示す様に、紫外線硬
化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線
硬化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層
構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としてはＵＶ感光性エポ
キシオリゴマを、コア層高分子５２としてはポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）を用いた。
化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線
硬化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層
構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としてはＵＶ感光性エポ
キシオリゴマを、コア層高分子５２としてはポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）を用いた。
【００７０】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。このクラッド層５１上
にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚にスピンコートし
た。コア層５２をベーク乾燥後、これに周期的に電子線
露光し、現像することにより深さ０．１μｍ、ライン幅
０．１μｍの周期的散乱要因５３を作製した。コア層５
２をベーク乾燥後、コア層５２上にＵＶ感光性エポキシ
オリゴマを約８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に
紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬化した。このような
下層クラッド塗布から上層クラッド塗布までのプロセス
を１０サイクル繰り返し導波路多層膜を得た。引き続
き、９０度の切削角度を持つブレードで多層膜端面を切
削する事により４５度ミラー５４を作製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。このクラッド層５１上
にコアのＰＭＭＡを約２．４μｍ厚にスピンコートし
た。コア層５２をベーク乾燥後、これに周期的に電子線
露光し、現像することにより深さ０．１μｍ、ライン幅
０．１μｍの周期的散乱要因５３を作製した。コア層５
２をベーク乾燥後、コア層５２上にＵＶ感光性エポキシ
オリゴマを約８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に
紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬化した。このような
下層クラッド塗布から上層クラッド塗布までのプロセス
を１０サイクル繰り返し導波路多層膜を得た。引き続
き、９０度の切削角度を持つブレードで多層膜端面を切
削する事により４５度ミラー５４を作製した。
【００７１】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００７２】（実施例１２）図１に示す様に、紫外線硬
化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線
硬化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層
構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を用い、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）５２を用いた。紫外線硬化樹脂は屈
折率１．４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４
８５で厚さ２．４μｍである。
化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／ＰＭＭＡ／紫外線
硬化樹脂／……／ＰＭＭＡ／紫外線硬化樹脂／の様な層
構造を３インチの光学研磨されたガラス基板５０上に作
製した。クラッド層高分子５１としては紫外線硬化樹脂
を用い、コア層高分子５２としてはポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）５２を用いた。紫外線硬化樹脂は屈
折率１．４７５で厚さ８μｍ、ＰＭＭＡは屈折率１．４
８５で厚さ２．４μｍである。
【００７３】このホログラムカードの作製方法は、まず
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。このクラッド層５１上
にコアのＰＭＭＡを２．４μｍ厚にスピンコートした。
コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上に無機系のネ
ガ型電子線レジストを０．１μｍ厚にスピンコートし
た。これに周期的に電子線露光し、現像することにより
ライン幅０．１μｍの周期的散乱要因を作製した。コア
層５２をベーク乾燥後、コア層５２上にＵＶ感光性エポ
キシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコートした。次に全
面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬化した。このよ
うな下層クラッド塗布から上層クラッド塗布までのプロ
セスを１０サイクル繰り返し導波路多層膜を得た。引き
続き、９０度の切削角度を持つブレードで多層膜端面を
切削する事により４５度ミラー５４を作製した。
ガラス基板５０上に、ＵＶ感光性エポキシオリゴマを約
８μｍ厚にスピンコートした。次に全面に紫外線照射
し、ベーク乾燥処理後硬化した。このクラッド層５１上
にコアのＰＭＭＡを２．４μｍ厚にスピンコートした。
コア層５２をベーク乾燥後、コア層５２上に無機系のネ
ガ型電子線レジストを０．１μｍ厚にスピンコートし
た。これに周期的に電子線露光し、現像することにより
ライン幅０．１μｍの周期的散乱要因を作製した。コア
層５２をベーク乾燥後、コア層５２上にＵＶ感光性エポ
キシオリゴマを約８μｍ厚にスピンコートした。次に全
面に紫外線照射し、ベーク乾燥処理後硬化した。このよ
うな下層クラッド塗布から上層クラッド塗布までのプロ
セスを１０サイクル繰り返し導波路多層膜を得た。引き
続き、９０度の切削角度を持つブレードで多層膜端面を
切削する事により４５度ミラー５４を作製した。
【００７４】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると、上
下方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると、上
下方向に回折光が現れた。
【００７５】（実施例１３〜１７）実施例１２において
高分子導波路を構成するコアあるいはクラッドの材料
を、［表１］に示すように、ポリカーボネート、ポリア
ミド、ポリエーテル、ポリシロキサンにすることにより
導波路多層膜を基板上に作製した（図１参照）。
高分子導波路を構成するコアあるいはクラッドの材料
を、［表１］に示すように、ポリカーボネート、ポリア
ミド、ポリエーテル、ポリシロキサンにすることにより
導波路多層膜を基板上に作製した（図１参照）。
【００７６】
【表１】
【００７７】引き続き、それぞれ多層膜の端面を９０度
の切削角度を持つブレードで切削する事により４５度ミ
ラーを作製した。
の切削角度を持つブレードで切削する事により４５度ミ
ラーを作製した。
【００７８】次に波長６８３ｎｍの半導体レーザーを用
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
いコリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成形し
た後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光した。こ
の焦点を各コア層の４５度カット位置にあわせると上下
方向に回折光が現れた。
【００７９】（実施例１８〜２０）実施例１８〜２０
は、高分子導波路を構成するコア層あるいはクラッド層
として圧延法から得られる薄膜を用いることを特徴とす
る再生専用多重ホログラムカードの作製方法の実施例で
ある。
は、高分子導波路を構成するコア層あるいはクラッド層
として圧延法から得られる薄膜を用いることを特徴とす
る再生専用多重ホログラムカードの作製方法の実施例で
ある。
【００８０】（実施例１８）屈折率１．４８５のＰＭＭ
Ａフィルムを１１０℃で加熱しながら周期凹凸模様のつ
いた金型ローラーを押当てて転写し、スタンプ法にて周
期的散乱要因を作製した。次に上下に１．４７５の屈折
率を持つエポキシ樹脂フィルムで挟み込み圧延を行う。
上記作業をフィルム形状のまま、流れ作業で１０サイク
ル繰り返し、エポキシ樹脂／ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／
ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／……／ＰＭＭＡ／エポキシ樹
脂／の様な層構造を作製した（図１参照）。このフィル
ムをカードの大きさに切断し、最後に多層膜端面を４５
度に研磨した。
Ａフィルムを１１０℃で加熱しながら周期凹凸模様のつ
いた金型ローラーを押当てて転写し、スタンプ法にて周
期的散乱要因を作製した。次に上下に１．４７５の屈折
率を持つエポキシ樹脂フィルムで挟み込み圧延を行う。
上記作業をフィルム形状のまま、流れ作業で１０サイク
ル繰り返し、エポキシ樹脂／ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／
ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／……／ＰＭＭＡ／エポキシ樹
脂／の様な層構造を作製した（図１参照）。このフィル
ムをカードの大きさに切断し、最後に多層膜端面を４５
度に研磨した。
【００８１】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
【００８２】（実施例１９）圧延法で作製した屈折率
１．４７５で厚さ８μｍのエポキシ樹脂フィルム上に、
屈折率１．４８５で厚さ２．４μｍである紫外線硬化性
エポキシ樹脂をキャスト法で塗布する。コア部分は紫外
線照射してゲル状態とする。その後周期凹凸模様のつい
た金型を押当て１１０℃で基板を加熱しながら完全に硬
化させた。この操作により金型の凹凸模様がコア表面上
に転写され、周期的散乱要因が作製された。次に上に
１．４７５の屈折率を持つエポキシ樹脂フィルムで挟み
込み圧延を行うことにより導波路構造を得た（図１参
照）。上記作業をフィルム形状のまま、流れ作業でクラ
ッド層／コア用紫外線硬化性エポキシ樹脂コート／紫外
線照射によりコア層ゲル化／金型による転写および熱に
より硬化／エポキシ樹脂フィルムで挟み込み圧延の順に
作業を１０サイクル繰り返しカードの大きさに切断し
た。引き続き、多層膜端面を４５度にダイシングソーで
カットし、４５度ミラー部を作製した。
１．４７５で厚さ８μｍのエポキシ樹脂フィルム上に、
屈折率１．４８５で厚さ２．４μｍである紫外線硬化性
エポキシ樹脂をキャスト法で塗布する。コア部分は紫外
線照射してゲル状態とする。その後周期凹凸模様のつい
た金型を押当て１１０℃で基板を加熱しながら完全に硬
化させた。この操作により金型の凹凸模様がコア表面上
に転写され、周期的散乱要因が作製された。次に上に
１．４７５の屈折率を持つエポキシ樹脂フィルムで挟み
込み圧延を行うことにより導波路構造を得た（図１参
照）。上記作業をフィルム形状のまま、流れ作業でクラ
ッド層／コア用紫外線硬化性エポキシ樹脂コート／紫外
線照射によりコア層ゲル化／金型による転写および熱に
より硬化／エポキシ樹脂フィルムで挟み込み圧延の順に
作業を１０サイクル繰り返しカードの大きさに切断し
た。引き続き、多層膜端面を４５度にダイシングソーで
カットし、４５度ミラー部を作製した。
【００８３】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
【００８４】（実施例２０）カバーフィルムをはがしな
がら屈折率１．４８５のＰＭＭＡフィルム表面上にドラ
イフィルムレジストを熱ラミネートしマスクを通してあ
るいはレーザー光を直接描画し、現像することにより周
期的散乱要因を作製した。次に上下に１．４７５の屈折
率を持つエポキシ樹脂フィルムで挟み込み圧延を行う。
上記作業をフィルム形状のまま、流れ作業で１０サイク
ル繰り返し、エポキシ樹脂／ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／
ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／……／ＰＭＭＡ／エポキシ樹
脂／の様の層構造を作製し、カードの大きさに切断した
（図１参照）。最後に多層膜端面を４５度に研磨した。
がら屈折率１．４８５のＰＭＭＡフィルム表面上にドラ
イフィルムレジストを熱ラミネートしマスクを通してあ
るいはレーザー光を直接描画し、現像することにより周
期的散乱要因を作製した。次に上下に１．４７５の屈折
率を持つエポキシ樹脂フィルムで挟み込み圧延を行う。
上記作業をフィルム形状のまま、流れ作業で１０サイク
ル繰り返し、エポキシ樹脂／ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／
ＰＭＭＡ／エポキシ樹脂／……／ＰＭＭＡ／エポキシ樹
脂／の様の層構造を作製し、カードの大きさに切断した
（図１参照）。最後に多層膜端面を４５度に研磨した。
【００８５】次に光源は６８３ｎｍの半導体レーザーを
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
用い、コリメートレンズで直径５ｍｍの平行ビームに成
形した後、焦点距離１４ｍｍの平凸レンズにて集光し
た。この焦点を４５度カット位置に合わせると、上下方
向に回折光が現れた。
【００８６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の再生専用多
重ホログラムカードによって、大量生産可能な平面ホロ
グラムの手法を用いながら、体積ホログラムの様にデー
タ容量を大きくすることが可能となり、安価で大容量の
再生専用メモリを提供することが可能となった。さら
に、光ディスクの様な回転機構が不要な事から、音楽や
映像再生の為の再生装置が省電力となる利点もある。ま
た、認証カードとして用いる場合には、偽造が困難であ
ることに加え、様々な付加情報を記憶しておく事も可能
となり、利便性が高まる。
重ホログラムカードによって、大量生産可能な平面ホロ
グラムの手法を用いながら、体積ホログラムの様にデー
タ容量を大きくすることが可能となり、安価で大容量の
再生専用メモリを提供することが可能となった。さら
に、光ディスクの様な回転機構が不要な事から、音楽や
映像再生の為の再生装置が省電力となる利点もある。ま
た、認証カードとして用いる場合には、偽造が困難であ
ることに加え、様々な付加情報を記憶しておく事も可能
となり、利便性が高まる。
【図１】本発明の実施の形態に係る再生専用多重ホログ
ラムカードの構造及び光の入出力方法の概観を示す模式
的断面図である。
ラムカードの構造及び光の入出力方法の概観を示す模式
的断面図である。
５０ ３インチの光学研磨されたガラス基板 ５１ クラッド層高分子 ５２ コア層高分子 ５３ 周期的散乱要因 ５４ 反射面（４５度ミラー） ５５ 平面型光導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｈ 1/22 Ｇ０３Ｈ 1/22 Ｇ１１Ｂ 7/00 Ｇ１１Ｂ 7/00 Ｇ１１Ｃ 13/00 Ｇ１１Ｃ 13/00 (72)発明者 今井 欽之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 石井 哲好 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 小澤口 治樹 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−101735（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−224043（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−117683（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−345419（ＪＰ，Ａ) 特開2000−21030（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−160181（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−94472（ＪＰ，Ｕ) 米国特許5515184（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03H 1/00 - 1/30 G02B 6/10
Claims (1)
- 【請求項１】 平面型光導波路に周期的散乱要因を作
り、当該導波路に光を入射した際に生じる散乱光がホロ
グラムからの再生像を形成する平面導波路型ホログラム
層が多層に配置された再生専用多重ホログラムカードに
おいて、構成要素である上記平面型光導波路が高分子導
波路であり、上記平面型光導波路の端面を導波面の法線
に対して斜めにカットし、全反射、もしくは、金属反射
膜あるいは誘電体反射膜コートによる反射を用いること
で、導波面に垂直な方向から光を入射させて導波路内に
光を導入することが可能な機能を持つよう構成したこと
を特徴とする再生専用多重ホログラムカード。
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