JP3358810B2 - 流動床の中でサブストレートを被覆する方法 - Google Patents
流動床の中でサブストレートを被覆する方法Info
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Glanulating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 1.発明の分野 本発明は流動床の中でサブストレートを被覆する方法
に関する。より詳しくは、本発明は凝縮された形（cond
ensed form）で床の中に装入される被覆源材料（coatin
g source materisl）を用いて、高い表面積を有してい
てもよいサブストレートを流動床の中で被覆する方法に
関する。
に関する。より詳しくは、本発明は凝縮された形（cond
ensed form）で床の中に装入される被覆源材料（coatin
g source materisl）を用いて、高い表面積を有してい
てもよいサブストレートを流動床の中で被覆する方法に
関する。
2.関連技術の説明 サブストレート上に被膜を形成させる方法、例えば化
学蒸着（CVD）法は、被覆しようとするサブストレート
を含む反応器に次の構成成分、すなわち（ａ）沈着させ
ようとする物質の前駆体；（ｂ）還元ガス、酸化用ガス
またはその他の反応性ガス；および（ｃ）化学的な移送
および／または熱および物質の移動のために用いられる
不活性な担体ガスのうちの１種または２種以上を含むガ
ス状または蒸気状、すなわち非凝縮状態の被覆源材料を
運ぶのが通例である。これらの材料は高温に保たれてい
る反応器に入ったとたんに反応を起こして、サブストレ
ート表面上に沈着する生成物を生ずる。
学蒸着（CVD）法は、被覆しようとするサブストレート
を含む反応器に次の構成成分、すなわち（ａ）沈着させ
ようとする物質の前駆体；（ｂ）還元ガス、酸化用ガス
またはその他の反応性ガス；および（ｃ）化学的な移送
および／または熱および物質の移動のために用いられる
不活性な担体ガスのうちの１種または２種以上を含むガ
ス状または蒸気状、すなわち非凝縮状態の被覆源材料を
運ぶのが通例である。これらの材料は高温に保たれてい
る反応器に入ったとたんに反応を起こして、サブストレ
ート表面上に沈着する生成物を生ずる。
被覆系の種々の成分が室温で固体または液体である場
合に、それらの成分が常套的にすべて気体または蒸気の
形で被覆反応器中に導入される間、それらの成分はまず
蒸発され、ついで蒸気の形で反応器の中へ運ばれなけれ
ばならない。反応器への装入速度を制御するためには、
蒸気圧および流量を注意深く制御しなければならない。
合に、それらの成分が常套的にすべて気体または蒸気の
形で被覆反応器中に導入される間、それらの成分はまず
蒸発され、ついで蒸気の形で反応器の中へ運ばれなけれ
ばならない。反応器への装入速度を制御するためには、
蒸気圧および流量を注意深く制御しなければならない。
このような蒸気圧の注意深い制御は、複雑化した熱制
御を備えた蒸発器およびこの蒸発器から反応器に至る加
熱された装入管路を順繰りに必要とする。蒸発器の温度
を１度のほんの僅かの部分内に維持するためには痛例熱
浴が使用される。さらに、担体ガスの飽和および流量の
制御もまた誤差の源となるので、目盛調べの作業も必要
となる。非常に正確な組成が要求されるときには、制御
設備および不断の目盛調べが生産性の低下、低い信頼性
および設備費と生産費の高騰を生ずる。
御を備えた蒸発器およびこの蒸発器から反応器に至る加
熱された装入管路を順繰りに必要とする。蒸発器の温度
を１度のほんの僅かの部分内に維持するためには痛例熱
浴が使用される。さらに、担体ガスの飽和および流量の
制御もまた誤差の源となるので、目盛調べの作業も必要
となる。非常に正確な組成が要求されるときには、制御
設備および不断の目盛調べが生産性の低下、低い信頼性
および設備費と生産費の高騰を生ずる。
有機金属化合物のような比較的不安定な分子を被覆前
駆体として使用するときには、さらに別の制限が生ず
る。これらの分子の多くは狭い温度範囲の中で蒸発と分
解または重合を開始する。蒸発器の中で分解または重合
を避けるためには温度をできるだけ低く保たなければな
らないが、これは極めて低い蒸気圧を生じ、そしてこの
蒸気圧は順繰りに極めて低い沈着速度をもたらす。
駆体として使用するときには、さらに別の制限が生ず
る。これらの分子の多くは狭い温度範囲の中で蒸発と分
解または重合を開始する。蒸発器の中で分解または重合
を避けるためには温度をできるだけ低く保たなければな
らないが、これは極めて低い蒸気圧を生じ、そしてこの
蒸気圧は順繰りに極めて低い沈着速度をもたらす。
これらの被覆系のいずれにおいても、被覆源材料をガ
ス状または蒸気（非凝縮）状で使用すると、大量の被覆
源材料をガス状または蒸気状で反応器中に供給するのは
困難であるので、表面積が非常に大きい材料、例えば非
常に小さい粒子を被覆しようとするとき特に厄介とな
る。
ス状または蒸気（非凝縮）状で使用すると、大量の被覆
源材料をガス状または蒸気状で反応器中に供給するのは
困難であるので、表面積が非常に大きい材料、例えば非
常に小さい粒子を被覆しようとするとき特に厄介とな
る。
しかしながら、複雑化した高価な、そして維持するの
が困難な蒸発器の必要性およびこのような蒸発器の使用
に伴う運転条件の制限を避けるか、または最小限に抑え
ることができ；そして大きく、かつ／または複雑な表面
積の目的物を素速く、かつ十分に被覆できる経済的な被
膜形成方法を提供するのが有利となるであろう。
が困難な蒸発器の必要性およびこのような蒸発器の使用
に伴う運転条件の制限を避けるか、または最小限に抑え
ることができ；そして大きく、かつ／または複雑な表面
積の目的物を素速く、かつ十分に被覆できる経済的な被
膜形成方法を提供するのが有利となるであろう。
発明の要約 本発明は、凝縮された状態にある１種または２種以上
の被覆源材料の分解温度および／または蒸発温度および
反応温度よりも高いが、１種または２種以上の被覆源材
料の分解および／または反応によって反応器中に形成さ
れた被覆組成物の蒸発温度よりは低い温度に維持されて
いる流動床反応器中に１種または２種以上の被覆源材料
を凝縮状態で導入し、それによって被覆組成物を形成さ
せる１種または２種以上の被覆源材料の分解および／ま
たは反応がサブストレート表面上に被覆被膜を形成する
ことを含む、加熱された流動床反応器内でサブストレー
ト表面を被覆する方法からなる。
の被覆源材料の分解温度および／または蒸発温度および
反応温度よりも高いが、１種または２種以上の被覆源材
料の分解および／または反応によって反応器中に形成さ
れた被覆組成物の蒸発温度よりは低い温度に維持されて
いる流動床反応器中に１種または２種以上の被覆源材料
を凝縮状態で導入し、それによって被覆組成物を形成さ
せる１種または２種以上の被覆源材料の分解および／ま
たは反応がサブストレート表面上に被覆被膜を形成する
ことを含む、加熱された流動床反応器内でサブストレー
ト表面を被覆する方法からなる。
特に本発明は、高温で源材料をサブストレートと接触
させ、反応又は分解させることにより、現場でサブスト
レート表面上に形成した化学組成物をサブストレート表
面に被覆する方法であり、 （ｉ）流動床反応器内に粒子の流動床を設置し、 （ii）流動床を高温に加熱し、 （iii）加熱された流動床内でサブストレートを浮遊さ
せ、 （iv）浮遊するサブストレートを含む加熱された流動床
中に被覆のための源材料を導入し、前記被覆源材料は固
体又は液体材料として流動床中に導入され、そして該源
材料は床温度にて分解又は反応して流動床中に浮遊する
サブストレート上に必要な被覆を付着させる熱的に分解
可能な固体又は液体源材料であるか、或いは蒸気中で分
解するか又は蒸気の他の成分と反応する、蒸発した源材
料を蒸気中に提供する流動床の温度にて揮発する揮発性
固体又は液体源材料であり、いずれの場合にも流動床中
に浮遊するサブストレート上に所望の被覆を、蒸発した
源材料の分解生成物として又は蒸発した源材料と前記他
の成分との反応生成物として付着させ、 （ｖ）流動床の温度を（ａ）源材料の分解温度よりも高
く、又は揮発性源材料の場合は源材料の蒸発温度よりも
高く、かつ場合により源材料の反応又は分解温度よりも
高いが、（ｂ）サブストレート上に付着した被覆組成物
の蒸発又は分解温度よりも低く維持し、 （vi）被覆工程の最後に流動床反応器から被覆されたサ
ブストレートを取り出す、 ことを特徴とする該方法からなる。
させ、反応又は分解させることにより、現場でサブスト
レート表面上に形成した化学組成物をサブストレート表
面に被覆する方法であり、 （ｉ）流動床反応器内に粒子の流動床を設置し、 （ii）流動床を高温に加熱し、 （iii）加熱された流動床内でサブストレートを浮遊さ
せ、 （iv）浮遊するサブストレートを含む加熱された流動床
中に被覆のための源材料を導入し、前記被覆源材料は固
体又は液体材料として流動床中に導入され、そして該源
材料は床温度にて分解又は反応して流動床中に浮遊する
サブストレート上に必要な被覆を付着させる熱的に分解
可能な固体又は液体源材料であるか、或いは蒸気中で分
解するか又は蒸気の他の成分と反応する、蒸発した源材
料を蒸気中に提供する流動床の温度にて揮発する揮発性
固体又は液体源材料であり、いずれの場合にも流動床中
に浮遊するサブストレート上に所望の被覆を、蒸発した
源材料の分解生成物として又は蒸発した源材料と前記他
の成分との反応生成物として付着させ、 （ｖ）流動床の温度を（ａ）源材料の分解温度よりも高
く、又は揮発性源材料の場合は源材料の蒸発温度よりも
高く、かつ場合により源材料の反応又は分解温度よりも
高いが、（ｂ）サブストレート上に付着した被覆組成物
の蒸発又は分解温度よりも低く維持し、 （vi）被覆工程の最後に流動床反応器から被覆されたサ
ブストレートを取り出す、 ことを特徴とする該方法からなる。
図面の簡単な説明 唯一の図面は本発明方法を図解しているフローシート
である。
である。
発明の詳細な説明 本発明は、加熱された流動床反応器の中で、その反応
器中に凝縮された形で導入される１種または２種以上の
被覆源材料の分解および／または蒸発および反応から生
じた被覆組成物でサブストレート表面を被覆する方法か
らなる。
器中に凝縮された形で導入される１種または２種以上の
被覆源材料の分解および／または蒸発および反応から生
じた被覆組成物でサブストレート表面を被覆する方法か
らなる。
流動床は１種または２種以上の被覆源材料の分解温度
および／または蒸発温度および反応温度よりも高いが、
その結果反応器中で生じた被覆組成物の蒸発温度よりも
低い温度に維持される。１種または２種以上の被覆源材
料の分解および／または蒸発および反応から反応器中で
その場で生じた被覆組成物はその後サブストレート表面
上に被覆被膜を形成する。
および／または蒸発温度および反応温度よりも高いが、
その結果反応器中で生じた被覆組成物の蒸発温度よりも
低い温度に維持される。１種または２種以上の被覆源材
料の分解および／または蒸発および反応から反応器中で
その場で生じた被覆組成物はその後サブストレート表面
上に被覆被膜を形成する。
本発明方法においては、流動床の粒子は反応剤ではな
くて、入ってくる液体または固体の被覆源材料を加熱し
て蒸発させるのに役立ち、そして好ましい実施態様にお
いてはまた、流動床の中でその場で生じた被覆組成物に
よって被覆されるべきサブストレートとしても作用す
る。
くて、入ってくる液体または固体の被覆源材料を加熱し
て蒸発させるのに役立ち、そして好ましい実施態様にお
いてはまた、流動床の中でその場で生じた被覆組成物に
よって被覆されるべきサブストレートとしても作用す
る。
我々のうちの１人によって出願された関連の事例、す
なわち両方とも本出願の譲受人に譲渡され、その結果ク
ロス−リファレンスが形成されている、1989年４月４日
に出願された米国特許出願07/333,180号の継続出願とし
て、1991年２月８日に出願されたサンジュルジョ（Sanj
urjo）の米国特許出願第07/654,395号明細書には、流動
床の中の粒子状の金属反応剤とガス状のハロゲン含有反
応剤とを反応させて、サブストレート上に金属粉末また
は金属被膜を形成させるか、あるいは中間体の反応生成
物を生じさせ、ついでこの反応生成物を流動床内の第二
帯域で第三の反応剤と反応させてサブストレートの上に
金属化合物の粉末または金属化合物の被膜を形成させる
ことによって、流動床で粉末または被膜を形成させるこ
とが記載されている。
なわち両方とも本出願の譲受人に譲渡され、その結果ク
ロス−リファレンスが形成されている、1989年４月４日
に出願された米国特許出願07/333,180号の継続出願とし
て、1991年２月８日に出願されたサンジュルジョ（Sanj
urjo）の米国特許出願第07/654,395号明細書には、流動
床の中の粒子状の金属反応剤とガス状のハロゲン含有反
応剤とを反応させて、サブストレート上に金属粉末また
は金属被膜を形成させるか、あるいは中間体の反応生成
物を生じさせ、ついでこの反応生成物を流動床内の第二
帯域で第三の反応剤と反応させてサブストレートの上に
金属化合物の粉末または金属化合物の被膜を形成させる
ことによって、流動床で粉末または被膜を形成させるこ
とが記載されている。
I. 流動床／サブストレート 反応剤のうちの１つを含んでいない。本発明方法にお
いて使用される流動床は、所望の運転温度範囲内に保つ
ことができる通例のいずれの流動床反応器内で保持させ
てもよい。バッチ型の装置を使用すると、全ての流動床
粒子の上に均一な被膜厚さを保証するのに好ましくなり
得るけれども、装置は連続型またはバッチ型のいずれで
あってもよい。
いて使用される流動床は、所望の運転温度範囲内に保つ
ことができる通例のいずれの流動床反応器内で保持させ
てもよい。バッチ型の装置を使用すると、全ての流動床
粒子の上に均一な被膜厚さを保証するのに好ましくなり
得るけれども、装置は連続型またはバッチ型のいずれで
あってもよい。
流動床を形づくる粒子は、後で検討されるように、
（ａ）被覆源材料、１種または２種以上の分解生成物、
および／または反応器中でそれらから生ずる被覆組成物
（すなわち流動床粒子材料は反応剤ではない）との反応
に化学的に不活性であり；そして（ｂ）反応器内で使用
される圧力、流量、またはその他の流動化条件の下で粒
子の流動化を許す寸法および密度を有するあらゆる種類
の材料からなることができる。
（ａ）被覆源材料、１種または２種以上の分解生成物、
および／または反応器中でそれらから生ずる被覆組成物
（すなわち流動床粒子材料は反応剤ではない）との反応
に化学的に不活性であり；そして（ｂ）反応器内で使用
される圧力、流量、またはその他の流動化条件の下で粒
子の流動化を許す寸法および密度を有するあらゆる種類
の材料からなることができる。
流動床粒子が、反応器の中に装入される１種または２
種以上の被覆源材料の分解および／または反応によって
反応器中に生ずる被覆材料で被覆されるべきサブストレ
ート表面からなる好ましい実施態様においては、この流
動床粒子はそのように被覆できる材料をさらに含んでい
なければならない。
種以上の被覆源材料の分解および／または反応によって
反応器中に生ずる被覆材料で被覆されるべきサブストレ
ート表面からなる好ましい実施態様においては、この流
動床粒子はそのように被覆できる材料をさらに含んでい
なければならない。
流動床粒子は固体（非孔質）であるか、あるいは例え
ば0.2gram/cm3のように低い密度と1000m2/gramのように
高い表面積を有する底密度の多孔質材料からなることが
できる。流動床粒子が、後に論じられるように、使用さ
れる流動条件下の反応器中で流動化できるならば、約20
00ミクロンよりも大きい寸法の粒子を使用することもで
きるけれども、最も好ましくは、流動床粒子の寸法は約
１〜２ミクロンから約2000ミクロンの範囲にある。
ば0.2gram/cm3のように低い密度と1000m2/gramのように
高い表面積を有する底密度の多孔質材料からなることが
できる。流動床粒子が、後に論じられるように、使用さ
れる流動条件下の反応器中で流動化できるならば、約20
00ミクロンよりも大きい寸法の粒子を使用することもで
きるけれども、最も好ましくは、流動床粒子の寸法は約
１〜２ミクロンから約2000ミクロンの範囲にある。
流動床の中で被覆される流動床粒子を構成できる材料
の例は、約20ないし約30ミクロンの範囲にわたる粒子寸
法を有する微小ガラス球を包含するガラス球；約１ない
し約30ミクロンの寸法（最長寸法）の範囲にある雲母フ
レーク；および約１ないし約50ミクロンの範囲の粒子寸
法を有するニッケルおよび銅の粒子を包含するニッケル
および銅の粒子を包含している。本発明方法に従って被
覆できる流動粒子を構成できるその他の材料の例はアル
ミナ、チタニア、シリカ、鉄、クロミア、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）およびその他の圧電材料、並びにフェラ
イトを包含している。
の例は、約20ないし約30ミクロンの範囲にわたる粒子寸
法を有する微小ガラス球を包含するガラス球；約１ない
し約30ミクロンの寸法（最長寸法）の範囲にある雲母フ
レーク；および約１ないし約50ミクロンの範囲の粒子寸
法を有するニッケルおよび銅の粒子を包含するニッケル
および銅の粒子を包含している。本発明方法に従って被
覆できる流動粒子を構成できるその他の材料の例はアル
ミナ、チタニア、シリカ、鉄、クロミア、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）およびその他の圧電材料、並びにフェラ
イトを包含している。
好ましい実施態様においては、流動床粒子は、流動床
の中で現場で生ずる被覆材料によって被覆されるサブス
トレートとして作用するとともに、被覆源材料が分解
し、反応するか、または分解し、そして反応して流動床
粒子表面の上に所望の被膜を形成するように、その被覆
源材料を速やかに加熱する熱源としても作用する。流動
床粒子はまた、流動床の中の１種または２種以上の被覆
源材料の分解および／または反応を促進させる触媒的な
サブストレートまたは表面としても働くことができる。
しかしながら、流動床材料は流動床の中で起こるいずれ
の化学反応の反応剤としても働かないことを再度強調し
なけらばならない。
の中で現場で生ずる被覆材料によって被覆されるサブス
トレートとして作用するとともに、被覆源材料が分解
し、反応するか、または分解し、そして反応して流動床
粒子表面の上に所望の被膜を形成するように、その被覆
源材料を速やかに加熱する熱源としても作用する。流動
床粒子はまた、流動床の中の１種または２種以上の被覆
源材料の分解および／または反応を促進させる触媒的な
サブストレートまたは表面としても働くことができる。
しかしながら、流動床材料は流動床の中で起こるいずれ
の化学反応の反応剤としても働かないことを再度強調し
なけらばならない。
流動床を構成する粒子は好ましくはまた、被膜が沈着
するサブストレートを構成する一方、反応器中でその場
で生ずる被覆組成物によって被覆される別のサブストレ
ート（すなわち粒状でないサブストレート）を流動床内
に据え付けるか、または浮遊させることも本発明の範囲
に入る。このような場合、流動粒子は単に熱媒体として
作用して、被覆組成物が付着しない材料、例えばテフロ
ンボールから多分構成されていてもよい。
するサブストレートを構成する一方、反応器中でその場
で生ずる被覆組成物によって被覆される別のサブストレ
ート（すなわち粒状でないサブストレート）を流動床内
に据え付けるか、または浮遊させることも本発明の範囲
に入る。このような場合、流動粒子は単に熱媒体として
作用して、被覆組成物が付着しない材料、例えばテフロ
ンボールから多分構成されていてもよい。
流動床を流動化させるために使用される流動媒体は、
凝縮された形で反応器中に装入される被覆源材料に対し
て不活性であるか、またはこれと反応しないガス状の媒
体からなることができる。好ましくは、このガス状の流
動媒体はまた、反応器中で被覆源材料から生じた１種ま
たは２種以上の分解生成物あるいは反応生成物と非反応
性である。他の流動手段、例えば振動手段、磁気手段、
超音波手段等を用いてもよい。
凝縮された形で反応器中に装入される被覆源材料に対し
て不活性であるか、またはこれと反応しないガス状の媒
体からなることができる。好ましくは、このガス状の流
動媒体はまた、反応器中で被覆源材料から生じた１種ま
たは２種以上の分解生成物あるいは反応生成物と非反応
性である。他の流動手段、例えば振動手段、磁気手段、
超音波手段等を用いてもよい。
実質的にすべての被覆源材料またはこれから生成した
分解生成物および／または反応生成物と非反応性である
流動用ガスの例はアルゴン、ネオンおよびヘリウムのよ
うな不活性ガスを包含している。後で論ずるような場合
を除いて、ガスが個々の反応および使用されるかまたは
生成する物質に対して不活性であることを条件として、
その他のガス、例えば窒素、水素および酸素でさえも使
用できる場合がある。
分解生成物および／または反応生成物と非反応性である
流動用ガスの例はアルゴン、ネオンおよびヘリウムのよ
うな不活性ガスを包含している。後で論ずるような場合
を除いて、ガスが個々の反応および使用されるかまたは
生成する物質に対して不活性であることを条件として、
その他のガス、例えば窒素、水素および酸素でさえも使
用できる場合がある。
II. 流動床の物理的パラメータ 流動床を通過する流動用ガスの流量は、そのガスの温
度と圧力ばかりでなく、粒子の密度、寸法および形状に
よっても変化できる。通常約５ないし約10cm/secの線流
量が使用される。
度と圧力ばかりでなく、粒子の密度、寸法および形状に
よっても変化できる。通常約５ないし約10cm/secの線流
量が使用される。
流動床の高さはかなり変化してもよいが、少なくとも
１種の液体または固体の被覆源材料が蒸発して分解およ
び／または反応して所望の被覆組成物をサブストレート
上に生ずるのに必要な最短の滞留時間を許すために、反
応器を通る流量に関して十分高くなければならない。典
型的には、分解および／または蒸発および反応は床の高
さ10cm以内で起こる。
１種の液体または固体の被覆源材料が蒸発して分解およ
び／または反応して所望の被覆組成物をサブストレート
上に生ずるのに必要な最短の滞留時間を許すために、反
応器を通る流量に関して十分高くなければならない。典
型的には、分解および／または蒸発および反応は床の高
さ10cm以内で起こる。
流動床は流動用ガスが流動床反応器に入る前にその流
動用ガスを予熱するような慣用手段によって、または反
応器の中の内部加熱コイル、反応器の壁の外側の周りの
外部加熱コイルによって、または高周波、マイクロ波等
のような電磁的手段によって加熱できる。
動用ガスを予熱するような慣用手段によって、または反
応器の中の内部加熱コイル、反応器の壁の外側の周りの
外部加熱コイルによって、または高周波、マイクロ波等
のような電磁的手段によって加熱できる。
唯一の被覆源材料が分解して直接所望の被覆組成物を
生ずる場合を除いて、反応器内部の温度は、入ってくる
固体または液体の被覆源材料を蒸発させ、そしてこの蒸
発した被覆源材料の分解および／または反応によって被
覆組成物の生成を許して、反応器の中でサブストレート
を被覆する所望の被覆組成物を生成させるほど十分高く
維持される。
生ずる場合を除いて、反応器内部の温度は、入ってくる
固体または液体の被覆源材料を蒸発させ、そしてこの蒸
発した被覆源材料の分解および／または反応によって被
覆組成物の生成を許して、反応器の中でサブストレート
を被覆する所望の被覆組成物を生成させるほど十分高く
維持される。
被覆組成物を生ずる反応が起って、その反応が発熱性
である若干の場合には、実際の反応温度は床の温度より
も高くなるが、このような場合でも床の温度は発熱反応
の開始を許すほど十分高くなければならないことに注意
すべきである。
である若干の場合には、実際の反応温度は床の温度より
も高くなるが、このような場合でも床の温度は発熱反応
の開始を許すほど十分高くなければならないことに注意
すべきである。
しかしながら、流動床内の温度は、流動床の中でその
場で生成し、そして反応器の中のサブストレート上に被
覆を形成する被覆組成物の融点、昇華温度または分解温
度よりも低くなければならない。
場で生成し、そして反応器の中のサブストレート上に被
覆を形成する被覆組成物の融点、昇華温度または分解温
度よりも低くなければならない。
流動床反応器内の圧力は有利には、周囲の圧力よりも
僅かしか高くなくて、入ってくるガスの圧力によって床
の十分な流動化を許す圧力である。しかしながら、１ト
ールのように低い値から1500トールのような高い値、好
ましくは約100トールないし約1100トール、そして最も
好ましくは約700トールないし約800トールの範囲の圧力
を反応器の中で使用できる。
僅かしか高くなくて、入ってくるガスの圧力によって床
の十分な流動化を許す圧力である。しかしながら、１ト
ールのように低い値から1500トールのような高い値、好
ましくは約100トールないし約1100トール、そして最も
好ましくは約700トールないし約800トールの範囲の圧力
を反応器の中で使用できる。
III. 被覆源材料 凝縮された形で流動床中に導入される１種または２種
以上の被覆源材料は、通常蒸発後、分解、他の被覆源材
料との反応または分解および反応の両方の組合せによっ
て流動床反応器中に被覆材料を生ずる金属、非金属、有
機または無機のいずれかの化合物または材料からなるこ
とができる。例えば、有機金属化合物および揮発性の金
属ハロゲン化物のようないずれの化学蒸着（CVD）源も
使用できる。
以上の被覆源材料は、通常蒸発後、分解、他の被覆源材
料との反応または分解および反応の両方の組合せによっ
て流動床反応器中に被覆材料を生ずる金属、非金属、有
機または無機のいずれかの化合物または材料からなるこ
とができる。例えば、有機金属化合物および揮発性の金
属ハロゲン化物のようないずれの化学蒸着（CVD）源も
使用できる。
前述のように、２種またはそれ以上の被覆源材料が流
動床反応器中に導入される１つの実施態様においては、
被覆源材料は凝縮された形で流動床反応器の中に導入さ
れなければならないが、他の被覆源材料のうちの少なく
とも１種が凝縮された状態にあるならば、これらの被覆
源材料のうちの１種または２種以上はガス状であっても
よい。
動床反応器中に導入される１つの実施態様においては、
被覆源材料は凝縮された形で流動床反応器の中に導入さ
れなければならないが、他の被覆源材料のうちの少なく
とも１種が凝縮された状態にあるならば、これらの被覆
源材料のうちの１種または２種以上はガス状であっても
よい。
例えば、液体の四塩化チタン（TiCl4）を流動床反応
器中に導入してアンモニアと反応させて窒化チタン被覆
組成物を生成させるときには、アンモニアガスはガス状
の被覆源材料を含んでいてもよい。また、例として、凝
縮された形で流動床中に導入された被覆源材料、例えば
分解してアルミニウムを生じ、ついでこれが酸化されて
アルミナ被覆組成物を生ずる有機アルミニウム化合物の
分解によって生じた金属被覆組成物を酸化するために酸
素ガスを被覆源材料として使用してもよい。凝縮した状
態にある被覆源材料と組み合せて使用できるその他のガ
ス状の被覆源材料は水素；メタン、エタン、プロパンお
よびブタンのようなアルカン；ボラン；硫化水素；およ
び窒素を包含している。
器中に導入してアンモニアと反応させて窒化チタン被覆
組成物を生成させるときには、アンモニアガスはガス状
の被覆源材料を含んでいてもよい。また、例として、凝
縮された形で流動床中に導入された被覆源材料、例えば
分解してアルミニウムを生じ、ついでこれが酸化されて
アルミナ被覆組成物を生ずる有機アルミニウム化合物の
分解によって生じた金属被覆組成物を酸化するために酸
素ガスを被覆源材料として使用してもよい。凝縮した状
態にある被覆源材料と組み合せて使用できるその他のガ
ス状の被覆源材料は水素；メタン、エタン、プロパンお
よびブタンのようなアルカン；ボラン；硫化水素；およ
び窒素を包含している。
このようなガス状の被覆源材料が用いられる幾つかの
場合には、凝縮された形の１種または２種以上の被覆源
材料を反応器中に導入して被覆物前駆体を生成させ、つ
いでガス状の被覆源材料の流れで、例えばサブストレー
ト上に被膜の形で既に形成されている被覆物前駆体の酸
化を開始させる、連続したやり方で本方法を遂行するの
が望ましくなり得る。この連続的な添加は周期的または
脈動する工程を提供するために１回またはそれ以上繰り
返してもよい。
場合には、凝縮された形の１種または２種以上の被覆源
材料を反応器中に導入して被覆物前駆体を生成させ、つ
いでガス状の被覆源材料の流れで、例えばサブストレー
ト上に被膜の形で既に形成されている被覆物前駆体の酸
化を開始させる、連続したやり方で本方法を遂行するの
が望ましくなり得る。この連続的な添加は周期的または
脈動する工程を提供するために１回またはそれ以上繰り
返してもよい。
しかしながら、このような状態においてさえも、本発
明方法は、蒸発した形で流動床反応器まで運ぶのが困難
である被覆源材料、例えば有機金属被覆源材料を凝縮さ
れた状態で運んで流動床反応器中に導入する点で従来技
術とは異なる特徴を有する。しかしながら、本発明方法
の好ましい実施態様においては、すべての被覆源材料が
凝縮された状態で流動床反応器中に導入されることを強
調しなければならない。
明方法は、蒸発した形で流動床反応器まで運ぶのが困難
である被覆源材料、例えば有機金属被覆源材料を凝縮さ
れた状態で運んで流動床反応器中に導入する点で従来技
術とは異なる特徴を有する。しかしながら、本発明方法
の好ましい実施態様においては、すべての被覆源材料が
凝縮された状態で流動床反応器中に導入されることを強
調しなければならない。
“分解”という用語の使用は、不均化反応を包含す
る、元素、化合物または物質の状態のあらゆる変化、ま
たは被覆材料の生成をもたらすか；は別の被覆源材料も
しくはそれの分解生成物と反応して被覆材料を生成でき
る反応剤となる分解生成物の生成をもたらす変化を意味
している。
る、元素、化合物または物質の状態のあらゆる変化、ま
たは被覆材料の生成をもたらすか；は別の被覆源材料も
しくはそれの分解生成物と反応して被覆材料を生成でき
る反応剤となる分解生成物の生成をもたらす変化を意味
している。
本明細書中で使用されている“化学反応”という表現
は、ある被覆源材料の分解生成物と別の被覆源材料反応
剤との反応;2種の被覆源材料反応剤の間の反応；または
２種の異なる被覆源材料の分解生成物の間の反応（単一
の被覆源材料の分解または不均化とは対照的に）を定義
することが意図されている。
は、ある被覆源材料の分解生成物と別の被覆源材料反応
剤との反応;2種の被覆源材料反応剤の間の反応；または
２種の異なる被覆源材料の分解生成物の間の反応（単一
の被覆源材料の分解または不均化とは対照的に）を定義
することが意図されている。
被覆源材料は固体または液体のいずれかの凝縮された
形で流動床反応器の中に装入される。被覆源材料が固体
の形にあるときには、大きな表面接触面積を提供して固
体の被覆源材料を速やかに加熱し、それによってこれを
蒸発および／または分解できるように、粒状の形にある
のが好ましい。粒状の形にあるとき、それらの粒子は、
流動床粒子によってそれらが散らばるのを許し、それに
よって床全体にわたって蒸発または分解する被覆源材料
の均質な濃度を提供するいずれの寸法からなっていても
よい。
形で流動床反応器の中に装入される。被覆源材料が固体
の形にあるときには、大きな表面接触面積を提供して固
体の被覆源材料を速やかに加熱し、それによってこれを
蒸発および／または分解できるように、粒状の形にある
のが好ましい。粒状の形にあるとき、それらの粒子は、
流動床粒子によってそれらが散らばるのを許し、それに
よって床全体にわたって蒸発または分解する被覆源材料
の均質な濃度を提供するいずれの寸法からなっていても
よい。
前述のことを除いて、被覆源材料の粒子寸法には制限
がないけれども、実際には、床を通る流動用ガスの過度
の圧力または流量の使用を避けるために、粒子の寸法は
その直径で約1/4″を超えることは希にしかない。
がないけれども、実際には、床を通る流動用ガスの過度
の圧力または流量の使用を避けるために、粒子の寸法は
その直径で約1/4″を超えることは希にしかない。
反応器中に液体の形で導入されるとき、被覆源材料は
流れとして、小滴として、または噴霧またはエアゾール
として導入してもよい。第二の被覆源材料または非反応
性の流動床粒子のいずれかから構成されていることもで
きる多孔質粒子中に液体の被覆源材料を含浸させてか
ら、この含浸された粒子を流動床の中に装入することも
できる。被覆源材料を液体として流動床中に導入しよう
とするときには、それは溶融した固体材料または適切な
溶剤に溶解させた固体材料からなることができる。この
ような溶剤はまた、被覆源材料からなるか、あるいは反
応器中で単に蒸発して流動用ガスの流れによって運び去
られてもよい。
流れとして、小滴として、または噴霧またはエアゾール
として導入してもよい。第二の被覆源材料または非反応
性の流動床粒子のいずれかから構成されていることもで
きる多孔質粒子中に液体の被覆源材料を含浸させてか
ら、この含浸された粒子を流動床の中に装入することも
できる。被覆源材料を液体として流動床中に導入しよう
とするときには、それは溶融した固体材料または適切な
溶剤に溶解させた固体材料からなることができる。この
ような溶剤はまた、被覆源材料からなるか、あるいは反
応器中で単に蒸発して流動用ガスの流れによって運び去
られてもよい。
固体または液体のいずれの形で反応器中に導入されよ
うとも、この被覆源材料は流動床反応器の頂部、側部ま
たは底部中に導入できるが、好ましくは反応器の頂部通
って導入される。
うとも、この被覆源材料は流動床反応器の頂部、側部ま
たは底部中に導入できるが、好ましくは反応器の頂部通
って導入される。
好ましい実施態様においては、被覆源材料は固体また
は液体の状態で反応器まで運ぶことができなければなら
ず、そして流動床反応器中に導入されて、前述のように
流動床の最低温度まで加熱されたときに（単一の被覆源
材料が分解して、蒸発することなく所望の被覆材料を直
接生ずる特別な場合を除き）、ガス状に変わることがで
きなければならない。これは（ａ）床の中で蒸発して、
流動床の中で蒸発した別の被覆源材料反応剤とその後反
応して所望の被覆組成物を生ずる固体または液体の被覆
源材料の場合；（ｂ）分解するか、または不均化反応を
起こして、蒸発した反応剤となり、そしてこれが別の蒸
発した被覆源材料反応剤と反応して所望の被覆組成物を
生ずる被覆源材料；または（ｃ）分解するか、または不
均化反応を起こして、別の被覆源材料の分解または不均
化によって生じた別の蒸発した反応剤と反応する、蒸発
した反応剤となる被覆源材料を包含している。
は液体の状態で反応器まで運ぶことができなければなら
ず、そして流動床反応器中に導入されて、前述のように
流動床の最低温度まで加熱されたときに（単一の被覆源
材料が分解して、蒸発することなく所望の被覆材料を直
接生ずる特別な場合を除き）、ガス状に変わることがで
きなければならない。これは（ａ）床の中で蒸発して、
流動床の中で蒸発した別の被覆源材料反応剤とその後反
応して所望の被覆組成物を生ずる固体または液体の被覆
源材料の場合；（ｂ）分解するか、または不均化反応を
起こして、蒸発した反応剤となり、そしてこれが別の蒸
発した被覆源材料反応剤と反応して所望の被覆組成物を
生ずる被覆源材料；または（ｃ）分解するか、または不
均化反応を起こして、別の被覆源材料の分解または不均
化によって生じた別の蒸発した反応剤と反応する、蒸発
した反応剤となる被覆源材料を包含している。
下記の式は被覆材料が（１）単一の被覆源材料から生
じた固体の分解生成物（すなわち、この分解生成物は所
望の被覆材料である）；（２）第一および第二の被覆源
材料反応剤の反応生成物；（３）第一の被覆源材料の分
解生成物と、第二の被覆源材料からなる別の反応剤との
反応生成物；および（４）流動床中に導入され、そして
分解された第一および第二の被覆源材料からそれぞれ生
じた２種の分解生成物の反応生成物からそれぞれ構成さ
れる様々な場合を説明するのに役立つであろう。
じた固体の分解生成物（すなわち、この分解生成物は所
望の被覆材料である）；（２）第一および第二の被覆源
材料反応剤の反応生成物；（３）第一の被覆源材料の分
解生成物と、第二の被覆源材料からなる別の反応剤との
反応生成物；および（４）流動床中に導入され、そして
分解された第一および第二の被覆源材料からそれぞれ生
じた２種の分解生成物の反応生成物からそれぞれ構成さ
れる様々な場合を説明するのに役立つであろう。
しかしながら、下記の式で示されるすべての場合に共
通していることは、それぞれの被覆源材料（式の左側に
ある材料または化合物）が凝縮した形で流動反応器中に
導入され；それぞれの被覆源材料が流動床の温度で蒸発
するか、または分解し；そして流動床の温度で蒸発した
状態にならない新しい被覆材料が生成することである。
下記の幾つかの式でわかるように、他の反応生成物が存
在している場合にさらに必要となることは、このような
他の反応生成物または副生物が粒子の所望の被覆を妨げ
ないように、それらが蒸気の状態にあることである。蒸
発できる状態でなければならないこのような他の反応生
成物は、このような反応剤または反応生成物が所望の被
覆材料でなくてガス状であって、流動用ガスの中で床か
ら除去されることを示している垂直の矢印によって、下
記の式の中に示されている。
通していることは、それぞれの被覆源材料（式の左側に
ある材料または化合物）が凝縮した形で流動反応器中に
導入され；それぞれの被覆源材料が流動床の温度で蒸発
するか、または分解し；そして流動床の温度で蒸発した
状態にならない新しい被覆材料が生成することである。
下記の幾つかの式でわかるように、他の反応生成物が存
在している場合にさらに必要となることは、このような
他の反応生成物または副生物が粒子の所望の被覆を妨げ
ないように、それらが蒸気の状態にあることである。蒸
発できる状態でなければならないこのような他の反応生
成物は、このような反応剤または反応生成物が所望の被
覆材料でなくてガス状であって、流動用ガスの中で床か
ら除去されることを示している垂直の矢印によって、下
記の式の中に示されている。
分解のみ （１） AB→Ａ＋Ｂ↑またはＡ↑＋Ｂ 反応のみ （２） Ａ＋Ｂ→AB 分解及び反応 （３） AB＋Ｃ→AC＋Ｂ↑またはBC＋Ａ↑ または （4a）AB＋CD→AC＋Ｂ↑＋Ｄ↑またはAC＋BD↑ または （4b）AB＋CD→BD＋Ａ↑＋Ｃ↑またはBD＋AC↑ 式１のカテゴリーに適合する分解可能な被覆源材料の
例は約300℃で分解して約660℃の融点を有するアルミニ
ウム被覆材料を生ずるトリイソブチルアルミニウム；約
600℃で分解して1455℃の融点を有するニッケル被覆を
生ずるニッケル“レジネート";および約500℃よりも低
い温度で分解してやはりニッケル被膜材料を生ずるニッ
ケルアセチルアセトネートのような有機金属化合物を包
含している。
例は約300℃で分解して約660℃の融点を有するアルミニ
ウム被覆材料を生ずるトリイソブチルアルミニウム；約
600℃で分解して1455℃の融点を有するニッケル被覆を
生ずるニッケル“レジネート";および約500℃よりも低
い温度で分解してやはりニッケル被膜材料を生ずるニッ
ケルアセチルアセトネートのような有機金属化合物を包
含している。
式１のカテゴリーに入る分解可能な有機の被覆源材料
のその他の例は約600℃で分解して約1400℃の融点を有
する弗化ランタンを生ずるランタンヘキサフルオロアセ
チルアセトネート;350〜450℃で分解して約800℃で昇華
する窒化ガリウムを生ずるジエチルガリウムアジド；約
550℃で分解してアルミナ（融点2050℃）を生ずるアル
ミニウムアセチルアセトネート；および約400℃で分解
してジルコニア（融点〜2700℃）を生ずるジルコニウム
β−ジケトネートを包含している。
のその他の例は約600℃で分解して約1400℃の融点を有
する弗化ランタンを生ずるランタンヘキサフルオロアセ
チルアセトネート;350〜450℃で分解して約800℃で昇華
する窒化ガリウムを生ずるジエチルガリウムアジド；約
550℃で分解してアルミナ（融点2050℃）を生ずるアル
ミニウムアセチルアセトネート；および約400℃で分解
してジルコニア（融点〜2700℃）を生ずるジルコニウム
β−ジケトネートを包含している。
分解して被覆化合物を生ずる、式１のカテゴリーに入
る無機の被覆源材料は260℃で分解して1984℃の融点を
有する酸化ニッケル被覆組成物を生ずる硝酸ニッケル
（Ni（NO3）２）；約1000℃で分解して約3000℃の昇華
温度を有する被覆組成物BNを生ずるボラジン（B3 N3
H3）；および約900℃で分解して約1410℃の融点を有す
るシリコン被覆組成物を生ずるトリブロムシランを包含
している。
る無機の被覆源材料は260℃で分解して1984℃の融点を
有する酸化ニッケル被覆組成物を生ずる硝酸ニッケル
（Ni（NO3）２）；約1000℃で分解して約3000℃の昇華
温度を有する被覆組成物BNを生ずるボラジン（B3 N3
H3）；および約900℃で分解して約1410℃の融点を有す
るシリコン被覆組成物を生ずるトリブロムシランを包含
している。
式２のカテゴリーに入る反応剤被覆源材料の混合物の
例は、600℃で互に反応して、1750℃で溶融する酸化チ
タン被覆組成物を生ずる四塩化チタン被覆源材料と水被
覆源材料との液体混合物である。
例は、600℃で互に反応して、1750℃で溶融する酸化チ
タン被覆組成物を生ずる四塩化チタン被覆源材料と水被
覆源材料との液体混合物である。
上記の式３に示されるように、混合物中の１種の被覆
源材料が分解して１種または２種以上の分解生成物とな
り、そしてこれが流動床の中に装入される混合物中の他
の被覆源材料と反応する、被覆源材料の混合物の例は、
トリイソブチルアルミニウムが300℃で分解して分解生
成物／反応剤としてアルミニウムを提供し、ついでこれ
がこの温度で硫黄反応剤と反応して1100℃の融点を有す
る硫化アルミニウム被覆組成物を生ずる、トリイソブチ
ルアルミニウムと硫黄との混合物である。
源材料が分解して１種または２種以上の分解生成物とな
り、そしてこれが流動床の中に装入される混合物中の他
の被覆源材料と反応する、被覆源材料の混合物の例は、
トリイソブチルアルミニウムが300℃で分解して分解生
成物／反応剤としてアルミニウムを提供し、ついでこれ
がこの温度で硫黄反応剤と反応して1100℃の融点を有す
る硫化アルミニウム被覆組成物を生ずる、トリイソブチ
ルアルミニウムと硫黄との混合物である。
上記の式4aまたは4bに示されているように、被覆源材
料の混合物の中の各材料が分解して１種または２種以上
の分解生成物となり、そして被覆源材料が流動床の中で
分解するときこれらの分解生成物が互に反応する、被覆
源材料の混合物の例は、共にそれぞれ約25℃で蒸発し、
そして約600℃で分解してアンチモンとガリウムを生
じ、ついでこれらが互いに反応して約900℃の融点を有
するアンチモン化ガリウム（gallium antimonide）を生
ずる、トリメチルアンチモンとトリメチルガリウムとの
混合物を包含している。
料の混合物の中の各材料が分解して１種または２種以上
の分解生成物となり、そして被覆源材料が流動床の中で
分解するときこれらの分解生成物が互に反応する、被覆
源材料の混合物の例は、共にそれぞれ約25℃で蒸発し、
そして約600℃で分解してアンチモンとガリウムを生
じ、ついでこれらが互いに反応して約900℃の融点を有
するアンチモン化ガリウム（gallium antimonide）を生
ずる、トリメチルアンチモンとトリメチルガリウムとの
混合物を包含している。
以下の実施例は本発明方法をさらに説明するのに役立
つであろう。
つであろう。
実施例Ｉ 1cm/secの線流量（linear flow rate）（60cc/secの
流量）でアルゴンガスを反応器に通すことによって、20
ないし30ミクロンの範囲の平均直径を有する微小ガラス
球の約8cmの平均深さを有する0.5リットルの流動床を流
動床反応器の中に形成させた。外部加熱器で反応器の壁
を加熱することによって床を約300℃ないし450℃未満の
平均温度に維持した。流動床の頂部に0.01cc/secの割合
で液体のトリイソブチル−アルミニウムを滴下状で注入
すると、それは分解してガラス球の上にアルミニウム被
膜を形成した。約20分後に、トリイソブチル−アルミニ
ウムの流れを止め、加熱器を止め、ついで反応器が室温
まで冷却した後に流動用ガスの流れを止めた。被覆され
たガラス球を反応器から取り出して、調べた。前は外観
が白かったガラス球は銀灰色の外観を呈することがわか
り、これはその上に沈着したアルミニウム被膜の存在を
示していた。
流量）でアルゴンガスを反応器に通すことによって、20
ないし30ミクロンの範囲の平均直径を有する微小ガラス
球の約8cmの平均深さを有する0.5リットルの流動床を流
動床反応器の中に形成させた。外部加熱器で反応器の壁
を加熱することによって床を約300℃ないし450℃未満の
平均温度に維持した。流動床の頂部に0.01cc/secの割合
で液体のトリイソブチル−アルミニウムを滴下状で注入
すると、それは分解してガラス球の上にアルミニウム被
膜を形成した。約20分後に、トリイソブチル−アルミニ
ウムの流れを止め、加熱器を止め、ついで反応器が室温
まで冷却した後に流動用ガスの流れを止めた。被覆され
たガラス球を反応器から取り出して、調べた。前は外観
が白かったガラス球は銀灰色の外観を呈することがわか
り、これはその上に沈着したアルミニウム被膜の存在を
示していた。
この方法を長さ１〜30ミクロンの雲母フレークおよび
長さ10ミクロン未満のニッケル粒子を用いて繰り返す
と、それぞれの場合、雲母フレークまたはニッケル粒子
サブストレート上に均一なアルミニウム被覆が生じた。
続いて約100cc/minの流量で酸素または水蒸気のどちら
かの流れを反応器の中に通すと、それぞれのサブストレ
ート表面上に酸化アルミニウム（Al2O3）の被覆が生じ
た。アルミニウムで被覆された雲母フレークとアルミニ
ウムで被覆されたニッケル粒子の両方の場合とも、被膜
をオーガー電子分光分析法（Auger electron spectrosc
opy）、光学的鏡検法（optical microscopy）、および
走査電子鏡検法（scanning election microscopy）（SE
M）によって調べると、満足なものであることがわかっ
た。
長さ10ミクロン未満のニッケル粒子を用いて繰り返す
と、それぞれの場合、雲母フレークまたはニッケル粒子
サブストレート上に均一なアルミニウム被覆が生じた。
続いて約100cc/minの流量で酸素または水蒸気のどちら
かの流れを反応器の中に通すと、それぞれのサブストレ
ート表面上に酸化アルミニウム（Al2O3）の被覆が生じ
た。アルミニウムで被覆された雲母フレークとアルミニ
ウムで被覆されたニッケル粒子の両方の場合とも、被膜
をオーガー電子分光分析法（Auger electron spectrosc
opy）、光学的鏡検法（optical microscopy）、および
走査電子鏡検法（scanning election microscopy）（SE
M）によって調べると、満足なものであることがわかっ
た。
実施例II ５〜8cm/secの線流量で90容量％アルゴン/10容量％水
素ガスからなる流動用ガス混合物を反応器に通すことに
よって、約〜30ミクロンの平均粒子寸法を有する黒鉛粒
子の約5cmの平均床深さを有する0.5リットルの流動床を
流動床反応器の中に形成させた。高周波加熱によって床
を600℃ないし700℃未満の温度に維持した。黒鉛粒子を
床の中に充填する前にこの粒子をニッケルアセチルアセ
トネートと予め混合し、流動化させ、そして加熱した。
ニッケルアセチルアセトネートは流動床の中で分解し
て、黒鉛粒子上にニッケル／酸化ニッケルの被膜を生じ
た。30分後に加熱器を止め、ついで反応器が室温まで冷
却した後に流動用ガスの流れを止めた。被覆された黒鉛
粒子を反応器から取り出して、肉眼で調べた。粒子は銀
灰色のニッケル／酸化ニッケル混合物で被われているこ
とがわかった。ニッケルアセチルアセトネートを塩化ニ
ッケルと硝酸ニッケルとの混合物の水溶液に代えること
によって、黒鉛粒子の上に酸化ニッケルの被膜が生じ
た。
素ガスからなる流動用ガス混合物を反応器に通すことに
よって、約〜30ミクロンの平均粒子寸法を有する黒鉛粒
子の約5cmの平均床深さを有する0.5リットルの流動床を
流動床反応器の中に形成させた。高周波加熱によって床
を600℃ないし700℃未満の温度に維持した。黒鉛粒子を
床の中に充填する前にこの粒子をニッケルアセチルアセ
トネートと予め混合し、流動化させ、そして加熱した。
ニッケルアセチルアセトネートは流動床の中で分解し
て、黒鉛粒子上にニッケル／酸化ニッケルの被膜を生じ
た。30分後に加熱器を止め、ついで反応器が室温まで冷
却した後に流動用ガスの流れを止めた。被覆された黒鉛
粒子を反応器から取り出して、肉眼で調べた。粒子は銀
灰色のニッケル／酸化ニッケル混合物で被われているこ
とがわかった。ニッケルアセチルアセトネートを塩化ニ
ッケルと硝酸ニッケルとの混合物の水溶液に代えること
によって、黒鉛粒子の上に酸化ニッケルの被膜が生じ
た。
実施例III １モルのイットリウムβ−ジケトネート粉末、２モル
のバリウムβ−ジケトネート粉末および３モルの銅β−
ジケトネートを互に徹底的に混合し、そしてアルゴンの
ような流動用ガスを流動床に通しながら、約600℃ない
し約900℃未満の温度に維持されている直径１〜100ミク
ロンの銀粒子を含む流動床反応器の中にこの粉末混合物
を装入することによって、銀粒子上に超電導体（superc
onductor）YBa2 Cu3 O7の被膜を形成させることができ
る。流動化した銀粒子はその上に超電導体YBa2 Cu3 O7
が形成されるサブストレートを構成している。好ましく
は、優れた結果を得るために、約0.1ないし約0.3気圧の
分圧にある酸素および約0.1ないし約0.05気圧の分圧に
あるNO2を反応中流動用ガスに加えることができる。
のバリウムβ−ジケトネート粉末および３モルの銅β−
ジケトネートを互に徹底的に混合し、そしてアルゴンの
ような流動用ガスを流動床に通しながら、約600℃ない
し約900℃未満の温度に維持されている直径１〜100ミク
ロンの銀粒子を含む流動床反応器の中にこの粉末混合物
を装入することによって、銀粒子上に超電導体（superc
onductor）YBa2 Cu3 O7の被膜を形成させることができ
る。流動化した銀粒子はその上に超電導体YBa2 Cu3 O7
が形成されるサブストレートを構成している。好ましく
は、優れた結果を得るために、約0.1ないし約0.3気圧の
分圧にある酸素および約0.1ないし約0.05気圧の分圧に
あるNO2を反応中流動用ガスに加えることができる。
したがって、本発明は、加熱された流動床反応器内で
被覆源材料が蒸発し、そして分解および／または反応し
て被覆材料を生成し、そしてこれが流動床反応器内に維
持されている温度においてサブストレート上に固体の被
膜を形成する、その加熱された流動床反応器まで運ばれ
てその中に導入される１種または２種以上の被覆源材料
から形成された流動床の中でサブストレート上に被覆を
形成させる改良方法を含んでいる。
被覆源材料が蒸発し、そして分解および／または反応し
て被覆材料を生成し、そしてこれが流動床反応器内に維
持されている温度においてサブストレート上に固体の被
膜を形成する、その加熱された流動床反応器まで運ばれ
てその中に導入される１種または２種以上の被覆源材料
から形成された流動床の中でサブストレート上に被覆を
形成させる改良方法を含んでいる。
フロントページの続き (72)発明者 ウツド，バーナード・ジエイ アメリカ合衆国カリフオルニア州 95051、サンタ・クララ、ラ・ヘラン・ ドライヴ 439 (56)参考文献 特開 昭60−251274（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C03C 15/00 - 23/00 C01B 31/00 - 31/36 B22F 1/02
Claims (15)
- 【請求項１】高温で源材料をサブストレートと接触さ
せ、反応又は分解させることにより、現場でサブストレ
ート表面上に形成した化学組成物をサブストレート表面
に被覆する方法であり、 （ｉ）流動床反応器内に粒子の流動床を設置し、 （ii）流動床を高温に加熱し、 （iii）加熱された流動床内でサブストレートを浮遊さ
せ、 （iv）浮遊するサブストレートを含む加熱された流動床
中に被覆のための源材料を導入し、前記被覆源材料は固
体又は液体材料として流動床中に導入され、そして該源
材料は床温度にて分解又は反応して流動床中に浮遊する
サブストレート上に必要な被覆を付着させる熱的に分解
可能な固体又は液体源材料であるか、或いは蒸気中で分
解するか又は蒸気の他の成分と反応する、蒸発した源材
料を蒸気中に提供する流動床の温度にて揮発する揮発性
固体又は液体源材料であり、いずれの場合にも流動床中
に浮遊するサブストレート上に所望の被覆を、蒸発した
源材料の分解生成物として又は蒸発した源材料と前記他
の成分との反応生成物として付着させ、 （ｖ）流動床の温度を（ａ）源材料の分解温度よりも高
く、又は揮発性源材料の場合は源材料の蒸発温度よりも
高く、かつ場合により源材料の反応又は分解温度よりも
高いが、（ｂ）サブストレート上に付着した被覆組成物
の蒸発又は分解温度よりも低く維持し、 （vi）被覆工程の最後に流動床反応器から被覆されたサ
ブストレートを取り出す、 ことを特徴とする該方法。 - 【請求項２】流動床が、被覆されるサブストレートによ
りそれ自体構成され又は被覆されるサブストレートを含
み、サブストレートが粒子の形態であることを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項３】被覆されるサブストレートが、流動化した
粒子の床内で据え付けられ又は浮遊する１種又はそれ以
上の物体であることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項４】流動床が、前記被覆が付着しない材料で形
成された所定の割合の粒子で構成され又は前記所定の割
合の粒子を含むことを特徴とする請求項３の方法。 - 【請求項５】流動床反応器内に流動化ガスを導入するこ
とにより、流動床を流動条件に維持することを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項の方法。 - 【請求項６】液体又は固体源材料が、流動床反応器内に
反応のために導入されるガス状源材料と化学反応するこ
とによりサブストレート表面上に被覆を形成することを
特徴とする請求項１〜５のいずれか１項の方法。 - 【請求項７】前記ガス状源材料が、前記液体又は固体源
材料が導入された後に流動床反応器内に導入されること
を特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項８】前記液体又は固体源材料及び前記ガス状源
材料が、複数のサイクルにおいて交互に流動床反応器内
に導入されることを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】前記ガス状源材料が、アンモニア、水素、
酸素、水蒸気、アルカン、ボラン、硫化水素及び窒素の
１種以上を含む請求項６、７又は８の方法。 - 【請求項１０】前記源材料が２種以上の成分を含み、そ
れぞれが流動床反応器内に固体又は液体にて導入され、
流動床内でそれぞれの成分の蒸発を伴い又は伴わずに共
に反応し、及び／又は前記源材料と反応させる目的で反
応器内に導入される第三のガス状源材料と若しくはそれ
らの反応生成物と反応し、被覆を形成する請求項１〜９
のいずれか１項の方法。 - 【請求項１１】少なくとも１種の源材料が、他の源材料
及び／又はガス状源材料との反応時間において蒸気状態
にある請求項10の方法。 - 【請求項１２】前記液体又は固体源材料が、有機金属化
合物、揮発性無機金属塩又は揮発性有機ボロン化合物の
液体或いは固体であるか、又はそれらを含む請求項１〜
11のいずれか１項の方法。 - 【請求項１３】前記液体又は固体源材料が、トリイソブ
チルアルミニウム、ニッケルレジネート、ニッケルアセ
チルアセトネート、ランタンヘキサフルオロアセチルア
セトネート、ジエチルガリウムアジド、アルミニウムア
セチルアセトネート、ジルコニウムβ−ジケトネート及
び硝酸ニッケル、ボラジン、トリブロモシラン及び四塩
化チタンの１種以上を含む請求項12の方法。 - 【請求項１４】前記液体又は固体源材料がトリイソブチ
ルアルミニウムを含み、分解が酸素及び水蒸気を含む雰
囲気において行なわれ、それによりサブストレートの表
面上に酸化アルミニウムの被覆を形成する請求項12の方
法。 - 【請求項１５】前記液体又は固体源材料がイットリウム
β−ジケトネート、バリウムβ−ジケトネート及び銅β
−ジケトネートの混合物を含み、そして分解プロセスが
１種以上の酸素含有ガスを含む雰囲気において行われ、
それにより式YBa2 Cu3 O7の混合された酸化物被覆をサ
ブストレートの表面に付着させる請求項12の方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10702920B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-07-07 | Othrys Technologies Pty Ltd | Coating of particulate substrates |
| US10814386B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-10-27 | D-Block Coating Pty Ltd | Coating process and coated materials |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9015872D0 (en) * | 1990-07-19 | 1990-09-05 | Secr Defence | Production of ceramic filaments |
| CA2092594A1 (en) * | 1992-03-31 | 1993-10-01 | Makoto Tani | Rare earth superconducting composition and process for production thereof |
| US6428623B2 (en) * | 1993-05-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed |
| JP3417751B2 (ja) * | 1995-02-13 | 2003-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5810934A (en) | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Silicon deposition reactor apparatus |
| US5958156A (en) * | 1996-03-15 | 1999-09-28 | Kemp Development Corporation | Process for treating a particulate material within a rotating retort |
| US6187379B1 (en) * | 1996-04-12 | 2001-02-13 | Georgia Tech Research Corporation | Fluidized bed coating process with liquid reagent |
| WO1998035529A2 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-13 | Sri International | Elastomeric dielectric polymer film sonic actuator |
| US7625420B1 (en) | 1997-02-24 | 2009-12-01 | Cabot Corporation | Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same |
| US5855678A (en) * | 1997-04-30 | 1999-01-05 | Sri International | Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapor deposition, and methods of forming a coated substrate therewith |
| US6039894A (en) * | 1997-12-05 | 2000-03-21 | Sri International | Production of substantially monodisperse phosphor particles |
| US6136725A (en) * | 1998-04-14 | 2000-10-24 | Cvd Systems, Inc. | Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate |
| EP1117477A1 (en) | 1998-10-02 | 2001-07-25 | Sri International | Fluidized bed reactor having a centrally positioned internal heat source |
| US6596084B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-07-22 | Medicalcv, Inc. | Pyrolytic carbon coating apparatus having feed gas actuator |
| US7608989B2 (en) * | 1999-07-20 | 2009-10-27 | Sri International | Compliant electroactive polymer transducers for sonic applications |
| US6725911B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-04-27 | Gas Research Institute | Corrosion resistance treatment of condensing heat exchanger steel structures exposed to a combustion environment |
| US7601225B2 (en) | 2002-06-17 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | System for controlling the sublimation of reactants |
| US8403037B2 (en) | 2009-12-08 | 2013-03-26 | Baker Hughes Incorporated | Dissolvable tool and method |
| US9682425B2 (en) | 2009-12-08 | 2017-06-20 | Baker Hughes Incorporated | Coated metallic powder and method of making the same |
| US7559969B2 (en) * | 2003-09-19 | 2009-07-14 | Sri International | Methods and apparatuses for producing metallic compositions via reduction of metal halides |
| KR20100053536A (ko) | 2007-06-29 | 2010-05-20 | 아트피셜 머슬, 인코퍼레이션 | 감각적 피드백을 부여하는 전기활성 고분자 변환기 |
| US8343583B2 (en) * | 2008-07-10 | 2013-01-01 | Asm International N.V. | Method for vaporizing non-gaseous precursor in a fluidized bed |
| EP2239793A1 (de) | 2009-04-11 | 2010-10-13 | Bayer MaterialScience AG | Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung |
| US9243475B2 (en) | 2009-12-08 | 2016-01-26 | Baker Hughes Incorporated | Extruded powder metal compact |
| US10240419B2 (en) | 2009-12-08 | 2019-03-26 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Downhole flow inhibition tool and method of unplugging a seat |
| TWI542269B (zh) | 2011-03-01 | 2016-07-11 | 拜耳材料科學股份有限公司 | 用於生產可變形聚合物裝置和薄膜的自動化生產方法 |
| CN103703404A (zh) | 2011-03-22 | 2014-04-02 | 拜耳知识产权有限责任公司 | 电活化聚合物致动器双凸透镜系统 |
| US8631876B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-01-21 | Baker Hughes Incorporated | Method of making and using a functionally gradient composite tool |
| US9080098B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-07-14 | Baker Hughes Incorporated | Functionally gradient composite article |
| US9139928B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-09-22 | Baker Hughes Incorporated | Corrodible downhole article and method of removing the article from downhole environment |
| US9707739B2 (en) | 2011-07-22 | 2017-07-18 | Baker Hughes Incorporated | Intermetallic metallic composite, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
| US9833838B2 (en) | 2011-07-29 | 2017-12-05 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Method of controlling the corrosion rate of alloy particles, alloy particle with controlled corrosion rate, and articles comprising the particle |
| US9643250B2 (en) | 2011-07-29 | 2017-05-09 | Baker Hughes Incorporated | Method of controlling the corrosion rate of alloy particles, alloy particle with controlled corrosion rate, and articles comprising the particle |
| US9033055B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-05-19 | Baker Hughes Incorporated | Selectively degradable passage restriction and method |
| US9090956B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-07-28 | Baker Hughes Incorporated | Aluminum alloy powder metal compact |
| US9856547B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-01-02 | Bakers Hughes, A Ge Company, Llc | Nanostructured powder metal compact |
| US9109269B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-08-18 | Baker Hughes Incorporated | Magnesium alloy powder metal compact |
| US9643144B2 (en) * | 2011-09-02 | 2017-05-09 | Baker Hughes Incorporated | Method to generate and disperse nanostructures in a composite material |
| US9010416B2 (en) | 2012-01-25 | 2015-04-21 | Baker Hughes Incorporated | Tubular anchoring system and a seat for use in the same |
| EP2828901B1 (en) | 2012-03-21 | 2017-01-04 | Parker Hannifin Corporation | Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices |
| US9605508B2 (en) | 2012-05-08 | 2017-03-28 | Baker Hughes Incorporated | Disintegrable and conformable metallic seal, and method of making the same |
| US9761790B2 (en) | 2012-06-18 | 2017-09-12 | Parker-Hannifin Corporation | Stretch frame for stretching process |
| WO2014066576A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Bayer Intellectual Property Gmbh | Polymer diode |
| US9816339B2 (en) | 2013-09-03 | 2017-11-14 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Plug reception assembly and method of reducing restriction in a borehole |
| US11167343B2 (en) | 2014-02-21 | 2021-11-09 | Terves, Llc | Galvanically-active in situ formed particles for controlled rate dissolving tools |
| US10865465B2 (en) | 2017-07-27 | 2020-12-15 | Terves, Llc | Degradable metal matrix composite |
| WO2015127174A1 (en) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Terves, Inc. | Fluid activated disintegrating metal system |
| US10689740B2 (en) | 2014-04-18 | 2020-06-23 | Terves, LLCq | Galvanically-active in situ formed particles for controlled rate dissolving tools |
| US10569330B2 (en) * | 2014-04-01 | 2020-02-25 | Forge Nano, Inc. | Energy storage devices having coated passive components |
| US9910026B2 (en) | 2015-01-21 | 2018-03-06 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | High temperature tracers for downhole detection of produced water |
| US10378303B2 (en) | 2015-03-05 | 2019-08-13 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Downhole tool and method of forming the same |
| US10221637B2 (en) | 2015-08-11 | 2019-03-05 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Methods of manufacturing dissolvable tools via liquid-solid state molding |
| US10016810B2 (en) | 2015-12-14 | 2018-07-10 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Methods of manufacturing degradable tools using a galvanic carrier and tools manufactured thereof |
| CN109954876B (zh) * | 2019-05-14 | 2020-06-16 | 广东工业大学 | 一种抗氧化微纳铜材料的制备方法 |
| CN113773060B (zh) * | 2021-08-27 | 2022-05-20 | 广东泛瑞新材料有限公司 | 一种高q值陶瓷材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2830888A (en) * | 1955-09-21 | 1958-04-15 | Nat Distillers Chem Corp | Process for the preparation of titanium and zirconium subchlorides |
| GB925848A (en) * | 1958-07-11 | 1963-05-08 | Laporte Titanium Ltd | Process for the manufacture of titanium dichloride |
| US3304249A (en) * | 1964-02-28 | 1967-02-14 | Katz Herbert | Method of stabilizing a fluidized bed using a glow discharge |
| US3488143A (en) * | 1966-06-08 | 1970-01-06 | Cabot Corp | Metal halides production in fluid bed |
| US3979500A (en) * | 1973-05-02 | 1976-09-07 | Ppg Industries, Inc. | Preparation of finely-divided refractory powders of groups III-V metal borides, carbides, nitrides, silicides and sulfides |
| US3959446A (en) * | 1974-03-01 | 1976-05-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Synthesis of high purity, alpha phase silicon nitride powder |
| FR2309648A1 (fr) * | 1975-04-30 | 1976-11-26 | Anvar | Procede et dispositif pour l'obtention d'un depot de metal de transition |
| US4204028A (en) * | 1978-03-16 | 1980-05-20 | Ppg Industries, Inc. | Conductive metal oxide film for solar energy control |
| JPS57175711A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-28 | Asahi Glass Co Ltd | Synthesis of silicon nitride |
| FR2508063A1 (fr) * | 1981-06-18 | 1982-12-24 | Snecma | Procede, en phase vapeur, pour le depot d'un revetement protecteur sur une piece metallique, dispositif pour sa mise en oeuvre et pieces obtenues selon ledit procede |
| JPS5815013A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Asahi Glass Co Ltd | 珪素の窒化物の合成方法 |
| US4503021A (en) * | 1983-04-26 | 1985-03-05 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Preparation of titanium diboride powder |
| US4452767A (en) * | 1983-04-26 | 1984-06-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for removing oxide contamination from titanium diboride powder |
| JPS60171282A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-04 | 黒崎窯業株式会社 | Ｓｉ↓３Ν↓４−ＳｉＣ系セラミツクス焼結体の製造方法 |
| JPS60251274A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物被覆方法 |
| US4623400A (en) * | 1985-02-22 | 1986-11-18 | Procedyne Corp. | Hard surface coatings for metals in fluidized beds |
| DE3610713A1 (de) * | 1985-09-07 | 1987-03-19 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von silicium und dessen verbindungen in feinstteiliger form |
| JPS6280258A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 表面処理方法及びその装置 |
| JPH0819514B2 (ja) * | 1986-07-07 | 1996-02-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 表面処理方法およびその装置 |
| GB2195663B (en) * | 1986-08-15 | 1990-08-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Chemical vapour deposition method and apparatus therefor |
| JPS6447844A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-22 | Toyota Central Res & Dev | Method and apparatus for treating surface |
| US4990371A (en) * | 1989-08-01 | 1991-02-05 | Gte Products Corporation | Process for coating small solids |
-
1991
- 1991-04-22 US US07/688,149 patent/US5171734A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-04-20 JP JP51175492A patent/JP3358810B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10702920B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-07-07 | Othrys Technologies Pty Ltd | Coating of particulate substrates |
| US10814386B2 (en) | 2016-06-20 | 2020-10-27 | D-Block Coating Pty Ltd | Coating process and coated materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05508442A (ja) | 1993-11-25 |
| DE69216196D1 (de) | 1997-02-06 |
| US5171734A (en) | 1992-12-15 |
| EP0536384B1 (en) | 1996-12-27 |
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| CA2077684A1 (en) | 1992-10-23 |
| DE69216196T2 (de) | 1997-04-17 |
| EP0536384A1 (en) | 1993-04-14 |
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