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JP3253598B2 - Method of manufacturing inkjet head - Google Patents

Method of manufacturing inkjet head

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Publication number
JP3253598B2
JP3253598B2 JP9485199A JP9485199A JP3253598B2 JP 3253598 B2 JP3253598 B2 JP 3253598B2 JP 9485199 A JP9485199 A JP 9485199A JP 9485199 A JP9485199 A JP 9485199A JP 3253598 B2 JP3253598 B2 JP 3253598B2
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JP
Japan
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piezoelectric
pressure chamber
single crystal
ink
silicon single
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道徳 朽網
明 中澤
修 谷口
峰春 塚田
勝春 肥田
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、インク滴を吐出
させて記録を行うためのインクジェットヘッドの製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an ink-jet head for performing recording by discharging ink droplets.

【0002】インクジェット記録方式は、構造が簡単で
カラー化がし易く、騒音も無いなどの特長があり、今後
の記録方式の主流として期待されている。
[0002] The ink jet recording system has features such as a simple structure, easy colorization, and no noise, and is expected as a mainstream of the recording system in the future.

【0003】[0003]

【従来の技術】インクジェットヘッドからインク滴を吐
出させるには、圧力室に面して設けられた振動板を振動
させて、圧力室内のインクに吐出圧力を与えるようにし
ている。
2. Description of the Related Art In order to discharge ink droplets from an ink jet head, a vibration plate provided facing a pressure chamber is vibrated to apply a discharge pressure to ink in the pressure chamber.

【0004】振動板を振動させるのは一般に圧電素子で
あり、圧力室の位置に対応して振動板の表面に密着して
設けられている。そのような圧電素子は、従来は、振動
板とは別に独立して圧力室の大きさに対応する大きさに
形成された後、一つ一つ振動板の表面に接着されてい
た。
Generally, a piezoelectric element vibrates the vibration plate, and is provided in close contact with the surface of the vibration plate corresponding to the position of the pressure chamber. Conventionally, such a piezoelectric element is formed independently of the diaphragm in a size corresponding to the size of the pressure chamber and then adhered to the surface of the diaphragm one by one.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、インクジェッ
トヘッドにはインク吐出ノズルの数と同数の圧電素子を
取り付ける必要があるので、圧電素子を一つ一つ振動板
に密着するのは大変手間がかかり、ヘッドの製造コスト
を押し上げてしまう。
However, since it is necessary to mount the same number of piezoelectric elements as the number of ink ejection nozzles on the ink jet head, it takes a lot of time to adhere the piezoelectric elements to the diaphragm one by one. This increases the manufacturing cost of the head.

【0006】また、ヘッドを小型化するためには圧力室
を高密度に配置しなければならないので、それに合わせ
て圧電素子を小さく形成しなければならず、それに伴っ
て厚さも薄くする必要がある。
Further, in order to reduce the size of the head, the pressure chambers must be arranged at a high density. Therefore, the piezoelectric element must be formed small accordingly, and the thickness must be reduced accordingly. .

【0007】しかし、圧電素子をあまり小さく、薄く形
成すると(例えば、大きさでは1×1mm以下、厚さでは
0.1mm以下)組み立て時などに取り扱うのが困難にな
ってしまうので、圧電素子をあまり小さくすることがで
きず、それがヘッド小型化のネックになっていた。
However, if the piezoelectric element is formed too small and thin (for example, 1 × 1 mm or less in size and 0.1 mm or less in thickness), it becomes difficult to handle at the time of assembly or the like. It could not be made too small, which was the bottleneck for miniaturizing the head.

【0008】そこで本発明は、製造コストを大幅に削減
することができ、しかも高精度で小型化が可能なインク
ジェットヘッドの製造方法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an ink jet head which can greatly reduce the manufacturing cost and can be reduced in size with high accuracy.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、シリ
コン単結晶ウェハに、インクに吐出圧力を加えるための
圧力室とそれに連なるインク流路とを形成し、上記圧力
室に面する壁面の裏側に圧電材料を含有する圧電体ペー
ストを印刷した後加熱、焼成して圧電体層を形成するこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an ink jet head according to the present invention comprises a pressure chamber for applying a discharge pressure to ink on a silicon single crystal wafer and an ink flow path connected thereto. And printing a piezoelectric paste containing a piezoelectric material on the back side of the wall surface facing the pressure chamber, followed by heating and baking to form a piezoelectric layer.

【0010】なお、上記圧力室及び上記インク流路が、
上記シリコン単結晶ウェハにエッチング加工によって形
成されてもよい。また、一枚のシリコン単結晶ウェハに
上記圧力室が複数設けられて、それに対応して上記圧電
体層が複数印刷、焼成され、その後上記シリコン単結晶
ウェハが一つのインクジェットヘッド単位に分割されて
もよい。
The pressure chamber and the ink flow path are
The silicon single crystal wafer may be formed by etching. Further, a plurality of the pressure chambers are provided in one silicon single crystal wafer, and a plurality of the piezoelectric layers are printed and baked correspondingly, and then the silicon single crystal wafer is divided into one inkjet head unit. Is also good.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図1ないし図11は、本発明の第1の実施例
を示しており、まず、図2に示されるように、例えば厚
さ0.5mmのシリコン単結晶ウェハ1に、エッチングに
よって圧力室2とインク流路3とを各々所定の深さに形
成する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 11 show a first embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 2, a silicon single crystal wafer 1 having a thickness of, for example, 0.5 mm is formed with a pressure chamber 2 by etching. Each of the ink flow paths 3 is formed at a predetermined depth.

【0012】図2は一つの圧力室2について図示してあ
るが、図3に示されるように、一枚のシリコン単結晶ウ
ェハ1は、多数のインクジェットヘッド4をまとめて形
成する大きさであり、その一つのインクジェットヘッド
4の一部分Aを示す図4に示されるように、各インクジ
ェットヘッド4に多数の(例えば64個の)圧力室2…
が配列されている。
FIG. 2 shows one pressure chamber 2, but as shown in FIG. 3, one silicon single crystal wafer 1 is large enough to collectively form a number of ink jet heads 4. As shown in FIG. 4 showing a part A of one of the ink jet heads 4, a large number (for example, 64) of pressure chambers 2 are provided in each ink jet head 4.
Are arranged.

【0013】次に、図5に示されるように、シリコン単
結晶ウェハ1を、圧力室2が形成されているのと反対側
の表面から、例えば厚さ0.1mmに研削する。これによ
って、圧力室2の背側の部分が、所定厚さ(例えば0.
02〜0.025mm)の振動板5に形成される。
Next, as shown in FIG. 5, the silicon single crystal wafer 1 is ground to a thickness of, for example, 0.1 mm from the surface opposite to the side on which the pressure chamber 2 is formed. Thereby, the portion on the back side of the pressure chamber 2 has a predetermined thickness (for example, 0.
02 to 0.025 mm).

【0014】次に、図6に示されるように、エッチング
によってノズル孔6が貫通形成されたシリコン単結晶ウ
ェハからなるノズル板7を、圧力室2の表面を塞ぐよう
にシリコン単結晶ウェハ1に接合する。
Next, as shown in FIG. 6, a nozzle plate 7 made of a silicon single crystal wafer having a nozzle hole 6 formed by etching is attached to the silicon single crystal wafer 1 so as to cover the surface of the pressure chamber 2. Join.

【0015】この接合は、接合面を完全に密着させて真
空中で例えば1100℃で30分間加熱することによっ
て接合面が一体化する、いわゆる直接接合によって行う
ことができる。
This bonding can be performed by so-called direct bonding in which the bonding surfaces are completely adhered to each other and heated in vacuum at, for example, 1100 ° C. for 30 minutes to integrate the bonding surfaces.

【0016】ノズル孔6と圧力室2の位置関係は図7に
示されるとおりであり、各圧力室2の端部近くにノズル
孔6が位置するように、シリコン単結晶ウェハ1とノズ
ル板7とが組み合わせられる。
The positional relationship between the nozzle hole 6 and the pressure chamber 2 is as shown in FIG. 7, and the silicon single crystal wafer 1 and the nozzle plate 7 are positioned so that the nozzle hole 6 is located near the end of each pressure chamber 2. Are combined.

【0017】次に、図8に示されるように、シリコン単
結晶ウェハ1の圧力室2と反対側の表面、即ち振動板5
の表面全面に、例えば銀及びパラジウムの粉末とそれら
を結合させるためのバインダと有機溶媒とを混合して粘
度を例えば2000cPに調整した導電ペーストを、例
えばスクリーン印刷法によって厚さ5μmに印刷し、乾
燥後、電気炉で例えば1000℃の高温で2時間加熱し
て、下部電極層8を焼成する。
Next, as shown in FIG. 8, the surface of the silicon single crystal wafer 1 on the side opposite to the pressure chamber 2, that is, the diaphragm 5
A conductive paste whose viscosity is adjusted to, for example, 2,000 cP by mixing, for example, silver and palladium powders, a binder for binding them, and an organic solvent, is printed to a thickness of 5 μm by, for example, a screen printing method, After drying, the lower electrode layer 8 is fired by heating in an electric furnace at a high temperature of, for example, 1000 ° C. for 2 hours.

【0018】シリコン単結晶ウェハ1は1200℃程度
の高温までは溶解されず、歪みも発生しないので、上記
のような焼成時の熱処理に対しては充分に耐えることが
できる。
Since the silicon single crystal wafer 1 is not melted up to a high temperature of about 1200 ° C. and does not generate distortion, it can sufficiently withstand the above-described heat treatment during firing.

【0019】次に、その下部電極層8の表面に、例えば
酸化鉛と酸化ジルコニウムと酸化チタンとからなる圧電
微粉末(PZT)とそれら粉末どうしを結合させるため
のバインダと有機溶媒とを混合して粘度を3000cP
に調整した圧電体ペーストを、スクリーン印刷によって
厚さ30μmで印刷する。
Next, the surface of the lower electrode layer 8 is mixed with a piezoelectric fine powder (PZT) composed of, for example, lead oxide, zirconium oxide and titanium oxide, a binder for binding the powders, and an organic solvent. 3000 cP viscosity
Is adjusted to a thickness of 30 μm by screen printing.

【0020】なお、スクリーン印刷で圧電体層9を形成
する場合、その厚さは5〜100μmの範囲が適してお
り、電極層8,10としては、1〜10μmの厚さで形
成することができる。電極層8,10及び圧電体層9を
焼成する温度は、使用する材料により変わるが、400
〜1500℃の範囲が使用される。
When the piezoelectric layer 9 is formed by screen printing, its thickness is suitably in the range of 5 to 100 μm, and the electrode layers 8 and 10 may be formed in a thickness of 1 to 10 μm. it can. The temperature at which the electrode layers 8, 10 and the piezoelectric layer 9 are fired varies depending on the material used.
A range of 11500 ° C. is used.

【0021】なお圧電体ペーストの材料としては、チタ
ン酸バリュウム系セラミックや、ペロブスカイト構造の
化合物を加えたPMN−PT、又はPNN−PTPZな
どの材料を用いることもできる。
As the material of the piezoelectric paste, a material such as barium titanate ceramic, PMN-PT or PNN-PTPZ to which a compound having a perovskite structure is added can be used.

【0022】スクリーン印刷は、図9に略示されるよう
に、印刷パターンが形成されたスクリーン21をシリコ
ン単結晶ウェハ1の表面に配置して、その上に導電ペー
スト又は圧電体ペースト22を塗り、スキージ23を押
さえ付けながら移動させることによって行われる。
In the screen printing, as schematically shown in FIG. 9, a screen 21 on which a printing pattern is formed is arranged on the surface of the silicon single crystal wafer 1, and a conductive paste or a piezoelectric paste 22 is applied thereon. This is performed by moving the squeegee 23 while pressing it.

【0023】このとき、圧電体ペースト22の印刷は、
圧力室2と位置及び大きさを合わせて行う。そして、印
刷された圧電体ペースト22が乾燥したら、電気炉で例
えば1000℃の高温で2時間加熱し、圧電体ペースト
22から有機溶媒などを焼散させる。
At this time, the printing of the piezoelectric paste 22 is performed as follows.
The pressure chamber 2 is adjusted in position and size. When the printed piezoelectric paste 22 is dried, the piezoelectric paste 22 is heated at a high temperature of, for example, 1000 ° C. for 2 hours in an electric furnace to evaporate an organic solvent or the like from the piezoelectric paste 22.

【0024】これによって、図10及び図11に示され
るように、振動板5の表面に、各圧力室2と位置及び大
きさを合わせて圧電体層9が焼成される。このようにし
て圧電体層9が焼成されたら、最後に、図12に示され
るように、圧電体層9の表面に上部電極層10を厚さ3
μmで印刷、焼成する。上部電極層10の材質及び焼成
条件等は下部電極層8と同じでよい。
As a result, as shown in FIGS. 10 and 11, the piezoelectric layer 9 is fired on the surface of the vibration plate 5 so as to match the position and size of each pressure chamber 2. When the piezoelectric layer 9 is fired in this manner, finally, as shown in FIG.
Print and bake at μm. The material and firing conditions of the upper electrode layer 10 may be the same as those of the lower electrode layer 8.

【0025】このように、本発明においては、振動板5
の表面に、電極層8及び圧電体層9を直接印刷によって
形成するので、製造性にすぐれ、厚み、寸法、形状も所
望のものを高い信頼性で形成することができる。
As described above, in the present invention, the diaphragm 5
Since the electrode layer 8 and the piezoelectric layer 9 are formed on the surface of the substrate by direct printing, it is excellent in manufacturability, and a desired thickness, size, and shape can be formed with high reliability.

【0026】このようにして振動板5の表面に圧電体層
9及び上下電極層8,10が形成されたら、全体を図3
に示される一つ毎のインクジェットヘッド4に分割切断
する。
When the piezoelectric layer 9 and the upper and lower electrode layers 8 and 10 are formed on the surface of the vibration plate 5 in this manner, the whole is shown in FIG.
Is cut into individual inkjet heads 4 as shown in FIG.

【0027】このようにして形成されたインクジェット
ヘッドにおいては、インクをインク流路3から圧力室2
内に満たして、上下両電極8,10間に電圧を印加する
ことによって圧電体層9が変形し、それによって振動板
5が振動して圧力室2内のインクに吐出圧力が加わり、
圧力室2内のインクがノズル孔6からインク滴となって
吐出して記録が行われる。
In the ink-jet head thus formed, ink is supplied from the ink flow path 3 to the pressure chamber 2.
By applying a voltage between the upper and lower electrodes 8 and 10, the piezoelectric layer 9 is deformed, whereby the vibration plate 5 vibrates, and the ejection pressure is applied to the ink in the pressure chamber 2.
The ink in the pressure chamber 2 is ejected as ink droplets from the nozzle holes 6 to perform recording.

【0028】本発明では、印刷の版の厚みを制御するこ
とによって、圧電体層9の厚みを2〜200μmの範囲
で自由に形成できる。したがって、圧電体層9の厚みを
振動板5の厚みに対して最も好ましい厚さにして、粒子
化効率が高く、低い駆動電圧で粒子をノズルから噴射す
ることができる。
In the present invention, by controlling the thickness of the printing plate, the thickness of the piezoelectric layer 9 can be freely formed in the range of 2 to 200 μm. Therefore, by setting the thickness of the piezoelectric layer 9 to the most preferable thickness with respect to the thickness of the vibration plate 5, the particles can be ejected from the nozzle at a high particleization efficiency and a low driving voltage.

【0029】また、振動板5と電極層8、電極層8と圧
電体層9が印刷、焼成により直接接合されるので、従来
のような接着層が無く、粒子化の効率をさらに高くする
ことができる。
Further, since the diaphragm 5 and the electrode layer 8, and the electrode layer 8 and the piezoelectric layer 9 are directly joined by printing and baking, there is no adhesive layer as in the prior art, and the efficiency of particle formation is further improved. Can be.

【0030】図12及び図13は、本発明の第2の実施
例を示しており、ノズル板7として感光性ガラスを用
い、また、下部電極層8は、白金をスパッタリングで蒸
着して形成したものである。
FIGS. 12 and 13 show a second embodiment of the present invention, in which photosensitive glass is used as the nozzle plate 7 and the lower electrode layer 8 is formed by depositing platinum by sputtering. Things.

【0031】この場合、感光性ガラスは、圧電体層9の
焼成温度に耐えられないので、図12に示されるよう
に、シリコン単結晶ウェハ1に対してノズル板7を取り
付ける前に圧電体層9及び上部電極層10の印刷と焼成
を行い、その後で、図13に示されるようにノズル板7
をシリコン単結晶ウェハ1に接着する。
In this case, since the photosensitive glass cannot withstand the sintering temperature of the piezoelectric layer 9, as shown in FIG. 9 and the upper electrode layer 10 are printed and fired, and thereafter, as shown in FIG.
Is bonded to the silicon single crystal wafer 1.

【0032】なお、本発明は上記の各実施例に限定され
るものではなく、例えば印刷については、スクリーン印
刷以外の、凸版や凹版その他どのような印刷方法を用い
てもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, a printing method other than screen printing, such as letterpress or intaglio, may be used.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明によれば、振動板の表面に圧電体
層が印刷、焼成によって形成されるので、組み立て工数
が削減されて大幅なコストダウンが達成される。しかも
圧電体層を印刷技術における限界まで小さく薄く高密度
に形成することが可能なので、インクジェットヘッドを
格段に小型化することができる。
According to the present invention, since the piezoelectric layer is formed on the surface of the diaphragm by printing and firing, the number of assembly steps is reduced, and a significant cost reduction is achieved. Moreover, since the piezoelectric layer can be formed as thin as possible and at a high density to the limit of the printing technology, the size of the ink jet head can be remarkably reduced.

【0034】さらに、本発明においては、インクジェッ
トヘッドを印刷、焼成する素材としてシリコン単結晶ウ
ェハを用いたことにより、熱膨張率が小さいので、焼成
温度が高くても圧電体に割れや変形等が発生し難く、ま
た、シリコン単結晶ウェハは半導体で大きなサイズ(例
えば直径300mm)まで扱われるので一枚から多数の
インクジェットヘッドを製造することができ、しかも平
面の凹凸が少なくて高い寸法精度を得ることができる。
Further, in the present invention, since a single crystal silicon wafer is used as a material for printing and firing the ink jet head, the coefficient of thermal expansion is small. The silicon single crystal wafer is hardly generated, and a single-crystal silicon wafer is handled up to a large size (for example, a diameter of 300 mm), so that one to many ink jet heads can be manufactured, and high dimensional accuracy is obtained with little unevenness on a plane. be able to.

【0035】また、シリコン単結晶ウェハは、異方性エ
ッチングや研削等を利用して振動板として薄い膜状のも
のを均一に形成することができ、ダイシング等で切断す
る際にはバリ等が発生し難い等の特性からも、精度の高
いインクジェットヘッドを製造することができる。
In addition, a silicon single crystal wafer can be formed into a thin film as a diaphragm uniformly by using anisotropic etching, grinding, or the like. An ink jet head with high accuracy can be manufactured even from the characteristics that it hardly occurs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施例の製造工程を示す正面部分断面図
である。
FIG. 1 is a front partial sectional view showing a manufacturing process of a first embodiment.

【図2】第1の実施例の製造工程を示す正面部分断面図
である。
FIG. 2 is a partial front sectional view showing a manufacturing process of the first embodiment.

【図3】第1の実施例の製造工程を示す全体平面図であ
る。
FIG. 3 is an overall plan view showing a manufacturing process of the first embodiment.

【図4】第1の実施例の製造工程を示す平面断面図であ
る。
FIG. 4 is a plan sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図5】第1の実施例の製造工程を示す正面部分断面図
である。
FIG. 5 is a partial front sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図6】第1の実施例の製造工程を示す正面部分断面図
である。
FIG. 6 is a partial front sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図7】第1の実施例の製造工程を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図8】第1の実施例の製造工程を示す正面部分断面図
である。
FIG. 8 is a partial front sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図9】第1の実施例の製造工程を示す側面略示図であ
る。
FIG. 9 is a schematic side view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図10】第1の実施例の製造工程を示す平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図11】第1の実施例の製造工程を示す正面部分断面
図である。
FIG. 11 is a partial front sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment.

【図12】第2の実施例の製造工程を示す正面部分断面
図である。
FIG. 12 is a partial front sectional view showing a manufacturing process of the second embodiment.

【図13】第2の実施例の製造工程を示す正面部分断面
図である。
FIG. 13 is a partial front sectional view showing a manufacturing process of the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリコン単結晶ウェハ 2 圧力室 3 インク流路 5 振動板 9 圧電体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon single crystal wafer 2 Pressure chamber 3 Ink channel 5 Vibration plate 9 Piezoelectric layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚田 峰春 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1 番1号 富士通株式会社内 (72)発明者 肥田 勝春 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1 番1号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−229279(JP,A) 国際公開92/9111(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/16 B41J 2/045 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Minoru Tsukada 4-1-1, Kamidadanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Katsuharu Hida 4-chome, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Fujitsu Limited (56) References JP-A-4-229279 (JP, A) International Publication 92/9111 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B41J 2/16 B41J 2/045

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】シリコン単結晶ウェハに、インクに吐出圧
力を加えるための圧力室とそれに連なるインク流路とを
エッチング加工により形成し、次いで上記圧力室に面す
る壁面の裏側に圧電材料を含有する圧電体ペーストを印
刷した後加熱、焼成して圧電体層を形成することを特徴
とするインクジェットヘッドの製造方法。
A pressure chamber for applying ejection pressure to ink and an ink flow path connected thereto are provided on a silicon single crystal wafer.
A method for manufacturing an ink jet head, comprising: forming a film by etching; and printing a piezoelectric paste containing a piezoelectric material on the back side of the wall surface facing the pressure chamber, and then heating and firing to form a piezoelectric layer. .
【請求項2】一枚のシリコン単結晶ウェハに上記圧力室
が複数設けられて、それに対応して上記圧電体層が複数
印刷、焼成され、その後上記シリコン単結晶ウェハが一
つのインクジェットヘッド単位に分割される請求項1記
載のインクジェットヘッドの製造方法。
2. A plurality of pressure chambers are provided in one silicon single crystal wafer, and a plurality of piezoelectric layers are printed and fired in correspondence with the plurality of pressure chambers. The method for manufacturing an inkjet head according to claim 1, wherein the inkjet head is divided.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8030665B2 (en) 2002-07-08 2011-10-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
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