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JP3176867B2 - CV cable external semiconductive layer shaving machine and shaving method - Google Patents

CV cable external semiconductive layer shaving machine and shaving method

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Publication number
JP3176867B2
JP3176867B2 JP08588497A JP8588497A JP3176867B2 JP 3176867 B2 JP3176867 B2 JP 3176867B2 JP 08588497 A JP08588497 A JP 08588497A JP 8588497 A JP8588497 A JP 8588497A JP 3176867 B2 JP3176867 B2 JP 3176867B2
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JP
Japan
Prior art keywords
cable
semiconductive layer
outer semiconductive
layer
shaving
Prior art date
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JP08588497A
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Japanese (ja)
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JPH10271636A (en
Inventor
正男 松村
義隆 一ノ瀬
陽一 渡部
隆一 鈴木
憲昭 松崎
史郎 丹野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kansai Electric Power Co Inc
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Kansai Electric Power Co Inc
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Kansai Electric Power Co Inc, Hitachi Cable Ltd filed Critical Kansai Electric Power Co Inc
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  • Removal Of Insulation Or Armoring From Wires Or Cables (AREA)
  • Processing Of Terminals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、電力ケーブルを接続
する際に端末処理を行うとき、CVケーブルの外部半導
電層をテーパ状に削り取るCVケーブル外部半導電層削
り機およびその削り機による削り工法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CV cable outer semiconductive layer shaving machine for shaving an outer semiconductive layer of a CV cable into a tapered shape when performing a terminal treatment when connecting a power cable, and a shaving machine using the same. It concerns the construction method.

【0002】[0002]

【従来の技術】絶縁体と同時に押し出されて絶縁体と一
体化された外部半導電層を有するCVケーブルを接続す
る際、その端末処理として行う従来の外部半導電層の剥
ぎ取り作業は、ガラス片等を用いて外部半導電層をケー
ブル軸方向に削り取り、最終的にはエメリークロス(サ
ンドペーパー)等で絶縁体表面を平滑に仕上げて行う作
業工法が行われている。また、切削刃を手動または駆動
モータによりケーブル円周方向に回転させ、外部半導電
層を削り取る外部半導電層削り機を用いる工法も利用さ
れている。(例えば、実公昭58−12498号公報,
実開昭59−75707号公報および実開平5−801
16号公報参照)
2. Description of the Related Art When a CV cable having an external semiconductive layer which is extruded simultaneously with an insulator and integrated with the insulator is connected, a conventional external semiconductive layer stripping operation performed as a terminal treatment is performed using glass. A work method is performed in which the outer semiconductive layer is scraped off in the axial direction of the cable using a piece or the like, and finally the surface of the insulator is smoothly finished with an emery cloth (sandpaper) or the like. In addition, a construction method is also used in which an external semiconductive layer shaving machine for shaving an external semiconductive layer by rotating a cutting blade in a cable circumferential direction manually or by a drive motor is used. (For example, Japanese Utility Model Publication No. 58-12498,
JP-A-59-75707 and JP-A-5-801.
No. 16)

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、外部半導電
層先端部は、電界を緩和するために段差とならないよう
にテーパ状に15〜50mmの長さでペンシリング(鉛
筆削り)を行う必要があるが、CVケーブルの断面形状
が真円でないことから、上記外部半導電層削り機でこの
作業を行うことは非常に困難とされ、また平坦部におい
ては外部半導電層削り機を用いても、ペンシリング部と
同様に最終的にガラス片等の手工具を用いた手作業によ
り仕上げを行わなければならなかった。
By the way, the tip of the outer semiconductive layer must be tapered to a length of 15 to 50 mm so as not to form a step in order to reduce the electric field. However, since the cross-sectional shape of the CV cable is not a perfect circle, it is extremely difficult to perform this work with the above-mentioned external semiconductive layer shaving machine. As in the case of the pencil ring, the finishing must be finally performed by hand using a hand tool such as a piece of glass.

【0004】このように、CVケーブル接続部の外部半
導電層先端部のペンシリング部の形成はどうしても手作
業にならざるをえず、外部半導電層を平坦な切削部から
連続した面で平滑なスロープに削るには高度の熟練を要
し、ガラス片等の喰い込み等によりケーブル絶縁体表面
を傷付けることが懸念されていた。また、外部半導電層
スロープの面を外部半導電層削り機で切削した平坦部と
平滑に連続させるためには、どうしても平坦部をさらに
手作業で削り込む必要があり、外部半導電層先端部近傍
には局所的に絶縁体の薄肉部が生じ、その程度は作業に
より、また、ケーブル円周上においても不均一なものに
なり、処理面上に取り付けられる補強絶縁体との密着性
という観点からも好ましいものではなかった。
As described above, the formation of the pencil ring at the tip of the outer semi-conductive layer of the CV cable connection is inevitably manual work, and the outer semi-conductive layer is smoothed on a continuous surface from the flat cut portion. A high degree of skill is required to sharpen the slope, and there is a concern that the surface of the cable insulator may be damaged by biting a piece of glass or the like. Also, in order to make the surface of the outer semiconductive layer slope smoothly continuous with the flat part cut by the outer semiconductive layer shaving machine, it is absolutely necessary to cut the flat part further by hand. In the vicinity, a thin portion of the insulator locally occurs, and the degree of the thickness becomes uneven due to the work and also on the circumference of the cable, from the viewpoint of adhesion to the reinforcing insulator attached on the processing surface It was not preferable.

【0005】この発明は、このような点に鑑みてなされ
たもので、断面形状が不完全円形のCVケーブルの外部
半導電層を、ケーブルの形状に即して厚さ一定に削り取
る外部半導電層削り機を提供することを目的とする。ま
た、この削り機を適用して、なだらかなテーパ面を形成
させる新規な工法を提供するにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has an external semi-conductive layer for shaving an external semi-conductive layer of a CV cable having an incomplete circular cross section to a constant thickness in accordance with the shape of the cable. It is intended to provide a layer cutter. Another object of the present invention is to provide a new method for forming a gentle taper surface by applying this shaving machine.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、CVケーブル端末処理のための外部半導
電層を削り取る削り機において、切削刃を固定する台座
に取り付けられ、前記切削刃と一体となって上下するガ
イドローラをスプリング力でCVケーブルの外部半導電
層上に押し付け、前記台座を駆動モータ等により前記C
Vケーブルの円周方向に旋回させるとともに前記台座が
係合した螺軸を回転させることによって前記台座を前記
CVケーブルの軸方向に移動できるように構成し、前記
ガイドローラを前記スプリング力で前記外部半導電層の
外形形状に追従させて前記切削刃の切り込み深さを一定
化することにより前記外部半導電層を厚さ一定で削るよ
うに構成したことを特徴とするCVケーブル外部半導電
屑削り機を提供するものである。 また、本発明は、上記
の目的を達成するため、CVケーブルの端末処理のため
に前記CVケーブルの外部半導電層を外部半導電層削り
機によって削り取る削り工法において、外部半導電層削
り機の切削刃を固定する台座が有するガイードローラを
スプリング力によってCVケーブルの外部半導電層上に
押し付けて前記ガイドローラを前記外部半導電層の外形
形状に追従させながら前記切削刃によって前記外部半導
電層を厚さ一定に削るとともに、前記外部半導電層の厚
さに相当する高さの三角形状(テーパ状)の断面を有す
るスペーサを前記外部半導電層のペンシリング要加工部
の近傍に設け、上記ガイドローラを前記スペーサに乗り
上げさせることにより前記切削刃の切り込み深さを徐々
に浅くし、前記外部半導電層を所定の長さの範囲でペン
シリングすることを特徴とするCVケーブル外部半導電
層削り機による削り工法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to the above-mentioned object.
External semi-conductor for CV cable termination processing to achieve
A pedestal that fixes the cutting blade in a shaving machine that cuts the electric layer
To the cutting blade that moves up and down integrally with the cutting blade.
External semi-conductivity of CV cable by spring force of id roller
Layer, and the pedestal is
While turning in the circumferential direction of the V cable,
By rotating the engaged screw shaft, the pedestal is
It is configured to be able to move in the axial direction of the CV cable,
The guide roller is moved by the spring force to the outer semiconductive layer.
Keep the cutting depth of the cutting blade constant according to the external shape
The outer semiconductive layer to a uniform thickness.
CV cable external semiconducting characterized by the following configuration
This is to provide a scraper. In addition, the present invention
For the purpose of CV cable termination
The outer semiconductive layer of the CV cable is cut off.
In the method of shaving with a machine, the outer semiconductive layer
Guide roller on the pedestal for fixing the cutting blade
On the outer semiconductive layer of CV cable by spring force
Press the guide roller to form the outer semiconductive layer
The external semi-conductor is guided by the cutting blade while following the shape.
The thickness of the outer semiconductive layer is reduced while the thickness of the
Has a triangular (tapered) cross section of height equivalent to the height
The part of the outer semiconductive layer that requires penciling
And the guide roller is mounted on the spacer.
The cutting depth of the cutting blade is gradually increased by raising
And the outer semiconductive layer is pen-shaped within a predetermined length.
CV cable external semiconductive characterized by shilling
The purpose of the present invention is to provide a cutting method using a layer cutting machine.

【0007】切削平坦部から連続してペンシリング部に
移動するためには、あくまで眞円でない電力ケーブル形
状に即して、ペンシリングがなされる必要があることか
ら、スペーサの形状は電力ケーブル形状を再現する必要
があり、その意味で厚さ一定のテープあるいはシートを
電力ケーブル上に巻き付けて形成するのが望ましい。こ
の場合、ペンシリング面をより平滑に仕上げるために薄
肉(0.1mmt程度)のテープで階段状のスペーサを
形成する。このスペーサの高さは当然ながら、外部半導
電層を完全にペンシリングするのに充分な高さとする。
さらに、この高さは、ガイドローラ乗り上げによる変形
分を考慮した上で決定する。
In order to continuously move from the flat cutting portion to the pencilling portion, it is necessary to perform the pencilling according to the shape of the power cable which is not perfectly round. Therefore, it is desirable to form a tape or a sheet having a constant thickness by winding it around the power cable. In this case, a stepped spacer is formed with a thin (about 0.1 mmt) tape in order to finish the pencil ring surface more smoothly. The height of this spacer is, of course, high enough to completely pencil the outer semiconductive layer.
Further, the height is determined in consideration of the deformation due to running on the guide roller.

【0008】スペーサの材料としては、ゴムのような弾
性材料はローラ乗り上げ時の変形が大きく、また、ロー
ラの旋回時ゴムの反発力により変形量が変化し、均一な
切削面が得られない。実験によれば、三角形断面を有す
るゴムシート(硬度約70°)をケーブル上に巻き、粘
着テープでバインドしてスペーサを形成した場合、上記
のように反発力による変形量の変化が生じ、平滑なペン
シリングは困難であった。一方、厚さ0.1mmt以下
のマイラーテープを巻き上げてスペーサを形成した場
合、ローラ乗り上げによる変形量はほぼ一定に保たれ、
平滑なペンシリング面が得られることが確認された。
As a material of the spacer, an elastic material such as rubber has a large deformation at the time of riding on the roller, and a deformation amount changes due to a repulsive force of the rubber at the time of turning of the roller, so that a uniform cut surface cannot be obtained. According to an experiment, when a rubber sheet (having a hardness of about 70 °) having a triangular cross section is wound around a cable and bound with an adhesive tape to form a spacer, a change in the amount of deformation due to the repulsive force occurs as described above, and Pencilling was difficult. On the other hand, when a Mylar tape having a thickness of 0.1 mmt or less is wound up to form a spacer, the amount of deformation due to running over the roller is kept substantially constant,
It was confirmed that a smooth pencilling surface was obtained.

【0009】[0009]

【作用】電力ケーブルの断面形状が真円でなくとも、ケ
ーブル形状に合わせて一定厚さに外部半導電層を削り取
ることが可能である。しかもペンシリング部を倣い方式
で平坦部から連続して希望するテーパ面を容易に形成す
ることができる。
According to the present invention, the outer semiconductive layer can be cut to a certain thickness in accordance with the shape of the cable, even if the cross section of the power cable is not a perfect circle. Moreover, the desired tapered surface can be easily formed continuously from the flat portion by the copying method of the pencilling portion.

【0010】[0010]

【実施例】以下、図面に基づいてこの発明のCVケーブ
ル外部半導電層削り機の実施例を説明する。図3はCV
ケーブル接続部の構成を示す横断面図である。即ち、接
続するCVケーブルの端部は段剥ぎしてケーブル導体
1,ケーブル絶縁体2および外部半導電層3を露出させ
る。そして、図2に示すようにケーブル絶縁体と同時に
押し出されてケーブル絶縁体2と一体化された外部半導
電層3の先端部3aを削り取りケーブル絶縁体2を平滑
に仕上げると共に、先端部3aに続く外部半導電層を1
5〜50mmの長さでテーパ状にペンシリング部3bを
形成する端末処理を施す。この後、上記のように端末処
理されたCVケーブル10のケーブル導体1同士を突き
合わせ、接続管4を被せて押圧しケーブル導体1を相互
に接続する。この接続管4の上に埋込シールド電極5を
有するエポキシユニット6を嵌合し、両側からストレス
コーン7を挿入し、これを両側からスプリングユニット
8により押圧してストレスコーン7をエポキシユニット
6とケーブル絶縁体2に密着させ、CVケーブル接続部
は形成される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a CV cable external semiconductive layer shaving machine according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 3 shows CV
It is a cross-sectional view which shows the structure of a cable connection part. That is, the end of the CV cable to be connected is stripped off to expose the cable conductor 1, the cable insulator 2, and the external semiconductive layer 3. Then, as shown in FIG. 2, the tip 3a of the external semiconductive layer 3 which is extruded at the same time as the cable insulator and is integrated with the cable insulator 2 is scraped off, and the cable insulator 2 is smoothed and finished. The next external semiconductive layer is
A terminal treatment for forming the pencilling portion 3b in a tapered shape with a length of 5 to 50 mm is performed. Thereafter, the cable conductors 1 of the CV cable 10 that have been subjected to the terminal treatment as described above are abutted with each other, covered with the connection pipe 4 and pressed to connect the cable conductors 1 to each other. An epoxy unit 6 having a buried shield electrode 5 is fitted onto the connection pipe 4, a stress cone 7 is inserted from both sides, and the stress cone 7 is pressed from both sides by a spring unit 8 to connect the stress cone 7 to the epoxy unit 6. The CV cable connection part is formed by closely adhering to the cable insulator 2.

【0011】図1は、外部半導電層削り機の構成を示す
側面図である。即ち、機枠11内の左右には、回転板1
2,12´がそれぞれ回転可能に設けられ、機枠11に
取り付けられた駆動モータ13により回転駆動される。
左側の回転板12´側にはCVケーブル10を固定する
ための二つ割の固定部材14が設けられ、その中央部に
設けられた穴によりCVケーブル10を挟んで機枠11
に固定するように構成されている。一方、左側の回転板
12の中央部には、ケーブル導体2の先端を固定するた
めのチャック15が設けられていて、ケーブル導体2の
先端を固定して装着する。
FIG. 1 is a side view showing the configuration of an external semiconductive layer shaving machine. That is, the left and right sides of the rotating plate 1
2, 12 ′ are rotatably provided, and are rotatably driven by a drive motor 13 attached to the machine frame 11.
A split fixing member 14 for fixing the CV cable 10 is provided on the left rotating plate 12 'side, and the machine frame 11 is sandwiched between the CV cable 10 by a hole provided at the center thereof.
It is configured to be fixed to. On the other hand, a chuck 15 for fixing the tip of the cable conductor 2 is provided at the center of the left rotating plate 12, and the tip of the cable conductor 2 is fixed and mounted.

【0012】上記回転板12,12´には左右の軸方向
に移動する回転台16を案内するための螺軸17が取り
付けられ、この螺軸17には回転台16を左右に移動さ
せるためのねじ筒16aが嵌合している。そして、スプ
リング18を介して切削刃19およびガイドローラ20
を固定した台座21が取り付けられている。上記ガイド
ローラ20はスプリング22により常にCVケーブル1
0の外部半導電層3の表面に押圧されている。回転板1
2,12´の回転とともに台座21がCVケーブル10
の周りを旋回し、これとともに螺軸15も図示しないモ
ータにより回転して回転台16をあるピッチで右方向へ
移動させ、ガイドローラ20および切削刃19は台座2
1とともに移動され、CVケーブル10の表面の外部半
導電層3を一定の厚さで削り取る。即ち、CVケーブル
の断面形状は必ずしも真円でないが、その表面に必ずガ
イドローラ20が当接して倣いながら切削刃19を案内
するので、絶縁体2の表面に一体に設けられた外部半導
電層3はその断面形状に合わせて一定の厚さで削り取る
ことが可能となる。
A screw shaft 17 for guiding a turntable 16 moving in the left and right axial directions is attached to the rotating plates 12 and 12 '. The screw shaft 17 is used to move the turntable 16 left and right. The screw cylinder 16a is fitted. Then, the cutting blade 19 and the guide roller 20 are
A pedestal 21 to which is fixed. The guide roller 20 is always driven by the CV cable 1 by the spring 22.
0 is pressed against the surface of the external semiconductive layer 3. Rotating plate 1
With the rotation of 2, 12 ', the pedestal 21
, The screw shaft 15 is also rotated by a motor (not shown) to move the rotary table 16 rightward at a certain pitch, and the guide roller 20 and the cutting blade 19
1 to remove the outer semiconductive layer 3 on the surface of the CV cable 10 with a constant thickness. That is, although the cross-sectional shape of the CV cable is not necessarily a perfect circle, the guide blade 20 always comes into contact with the surface of the CV cable to guide the cutting blade 19 while following the surface thereof, so that the external semiconductive layer integrally provided on the surface of the insulator 2 is provided. 3 can be cut off with a constant thickness according to its cross-sectional shape.

【0013】次に、上記CVケーブル外部半導電層削り
機を使用して、ペンシリング部3aを切削して形成する
場合を説明する。まず、外部半導電層3上のペンシリン
グを形成する近傍位置に、形成するテーパ面と同じテー
パ面を有するテーパスペーサ23を薄肉テープあるいは
シートを巻き付けて形成する。従って、このテーパスペ
ーサ23にガイドローラ20が乗り上げることにより、
これに倣いながら切削刃19を案内するので、切削刃1
9がテーパスペーサ23により徐々に持ち上がり、テー
パスペーサ形状に対応した外部半導電層3のペンシリン
グ部3aが形成される。
Next, the case where the pencilling portion 3a is formed by cutting using the CV cable outer semiconductive layer shaving machine will be described. First, a taper spacer 23 having the same taper surface as the taper surface to be formed is formed by winding a thin tape or sheet around the outer semiconductive layer 3 in the vicinity of the position where the pencilling is to be formed. Therefore, when the guide roller 20 rides on the taper spacer 23,
Since the cutting blade 19 is guided while following this, the cutting blade 1
9 is gradually lifted by the taper spacer 23, and the pencilling portion 3a of the external semiconductive layer 3 corresponding to the taper spacer shape is formed.

【0014】上記例では、テーパスペーサを薄肉テープ
あるいはシートを巻き付けて形成するものについて説明
したが、これは表面にテーパ面を内面にCVケーブルの
半導電層の外径に合わせた曲面を有する二つ割りのプラ
スチックあるいは金属のテーパスペーサを取り付けて形
成することもできる。
In the above example, the taper spacer is formed by winding a thin tape or sheet. The taper spacer is divided into two parts having a tapered surface on the inner surface and a curved surface on the inner surface corresponding to the outer diameter of the semiconductive layer of the CV cable. It can also be formed by attaching a plastic or metal taper spacer.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の外部半
導電層削り機によれば、完全真円でないCVケーブルの
外部半導電層を、CVケーブルの形状に合わせて厚さを
一定に削り取ることが可能である。また、外部半導電層
の先端部のペンシリング加工も連続して行うことができ
る。従来、ガラス片等を用いて手作業で行っていた外部
半導電層削り、ペンシリング作業が機械化され、作業者
の技倆によるバラツキが解消され、かつ、ケーブル絶縁
体に外傷を与える懸念もない確実な外部半導電層削りを
行うことが可能となる。さらに、切削刃の回転速度を上
げることにより、作業時間を短縮することが可能であ
る。
As described above, according to the outer semiconductive layer shaving machine of the present invention, the thickness of the outer semiconductive layer of a CV cable which is not perfectly round is uniformly cut off according to the shape of the CV cable. Is possible. Further, the tipping of the outer semiconductive layer can be continuously performed. Conventionally, the external semiconductive layer shaving and pencilling work, which had been manually performed using a piece of glass or the like, has been mechanized, eliminating variations due to the skill of the worker, and there is no fear of causing damage to the cable insulator. This makes it possible to reliably cut the outer semiconductive layer. Further, it is possible to shorten the working time by increasing the rotation speed of the cutting blade.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例の外部半導電層削り機の構成を示す側面
図、
FIG. 1 is a side view showing a configuration of an external semiconductive layer shaving machine according to an embodiment;

【図2】CVケーブルの端末処理部の横断面図、FIG. 2 is a cross-sectional view of a terminal processing unit of the CV cable,

【図3】CVケーブル用接続部の構成例を示す横断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a connection portion for a CV cable.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ケーブル導体 2 ケーブル絶縁体 3 外部半導電層 10 CVケーブル 11 機枠 12,12´ 回転板 13 モータ 14 固定部材 15 チャック 16 回転台 16a ねじ筒 17 螺軸 18 スプリング 19 切削刃 20 ガイドローラ 21 台座 REFERENCE SIGNS LIST 1 cable conductor 2 cable insulator 3 outer semiconductive layer 10 CV cable 11 machine frame 12, 12 ′ rotating plate 13 motor 14 fixing member 15 chuck 16 rotating table 16 a screw cylinder 17 screw shaft 18 spring 19 cutting blade 20 guide roller 21 pedestal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 陽一 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日 立電線株式会社日高工場内 (72)発明者 鈴木 隆一 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日 立電線株式会社日高工場内 (72)発明者 松崎 憲昭 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日 立電線株式会社日高工場内 (72)発明者 丹野 史郎 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日 立電線株式会社パワーシステム研究所内 (56)参考文献 特開 平8−223732(JP,A) 特開 平6−205518(JP,A) 特開 平6−205520(JP,A) 実開 昭59−95720(JP,U) 実開 昭59−95722(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02G 1/14 H02G 1/12 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Yoichi Watanabe 5-1-1 Hidakacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside the Hidaka Factory, Hitachi Cable Corporation (72) Inventor Ryuichi Suzuki Hidakacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture 5-1-1, Hidaka Electric Wire Co., Ltd. (72) Inventor Noriaki Matsuzaki 5-1-1, Hidaka-cho, Hitachi City, Ibaraki Pref. Hitachi, Ltd. In Hidaka Factory (72) Inventor Tanno Shiro 5-1-1, Hidaka-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Power System Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-8-223732 (JP, A) JP-A-6-205518 (JP, A) JP-A-6-205520 (JP, A) Japanese Utility Model Laid-Open No. 5995720 (JP, U) Japanese Utility Model Laid-Open No. 5995722 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H02G 1/14 H02G 1/12

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 CVケーブル端末処理のための外部半導
電層を削り取る削り機において、切削刃を固定する台座
に取り付けられ、前記切削刃と一体となって上下するガ
イドローラをスプリング力でCVケーブルの外部半導電
層上に押し付け、前記台座駆動モータ等により前記C
ケーブル円周方向に旋回させるとともに前記台座が
係合した螺軸を回転させることによって前記台座を前記
CVケーブル軸方向に移できるように構成し前記
ガイドローラを前記スプリング力で前記外部半導電層の
外形形状に追従させて前記切削刃の切り込み深さを一定
化することにより前記外部半導電層を厚さ一定で削る
うに構成したことを特徴とするCVケーブル外部半導電
層削り機。
1. A CV cable sharpener scraping the outer semiconducting layer for terminal processing, mounted on a pedestal for fixing the cutting blade, CV cable guide rollers up and down the cutting blade and together with the spring force wherein C by pressing the outer semiconductive layer, the base drive motor or the like
While turning in the circumferential direction of the V cable ,
By rotating the engaged screw shaft, the pedestal is
Configured to be moved in the axial direction of the CV cable, constant cutting depth of the cutting edge the <br/> guide rollers so as to follow the outer shape of the outer semiconductive layer in the spring force
The outer semiconductive layer to a uniform thickness .
A CV cable outer semi-conductive layer shaving machine characterized by the following configuration .
【請求項2】 CVケーブルの端末処理のために前記C
Vケーブルの外部半導電層を外部半導電層削り機によっ
て削り取る削り工法において、外部半導電層削り機の切
削刃を固定する台座が有するガイドローラをスプリング
力によってCVケーブルの外部半導電層上に押し付けて
前記ガイドローラを前記外部半導電層の外形形状に追従
させながら前記切削刃によって前記外部半導電層を厚さ
一定に削るとともに、前記外部半導電層厚さに相当す
る高さの三角形状(テーパ状)の断面を有するスペーサ
前記外部半導電層のペンシリング要加工近傍に設
け、記ガイドローラを前記スペーサに乗り上げさせる
ことにより前記切削刃の切り込み深さを徐々に浅くし、
前記外部半導電層を所定の長さの範囲でペンシリングす
ることを特徴とするCVケーブル外部半導電層削り機に
よる削り工法。
2. The CV cable for terminal processing of a CV cable.
The outer semiconductive layer of the V cable is
In the external semi-conductive layer shaving machine
Spring guide rollers on the pedestal to fix the cutting blade
By force on the outer semiconductive layer of the CV cable
Follows the outer shape of the outer semiconductive layer with the guide roller
Thickness of the outer semiconductive layer by the cutting blade
Constant over cut in, provided with a spacer having a cross-section of the outer semiconductive layer height triangle shape corresponding to the thickness of the (tapered) in the vicinity of penciling main processing portion of the outer semiconductive layer, before Symbol guide roller gradually shallower depth of cut of the cutting edge by the letting ride on the spacer,
Method scraping by CV cable outer semiconductive layer sharpener characterized by penciling the outer semiconductive layer in a predetermined length range.
【請求項3】 上記三角形状のスペーサを、前記外部半
導電層上に薄肉テープあるいはシートを巻き付けること
により形成することを特徴とする請求項2記載のCVケ
ーブル外部半導電層削り機による削り工法。
Wherein the triangular spacer Rukoto wound a thin tape or sheet to the outer semiconducting layer
Method scraping by CV cable outer semiconductive layer sharpener according to claim 2, wherein the formation child by.
【請求項4】 上記三角形状のスペーサを、軸方向二つ
割りのプラスチック成型体あるいは二つ割りの金属加工
品により形成し、これを前記ペンシリング要加工部の
傍に取り付け、前記外部半導電層削り機によりペンシリ
ングすることを特徴とする請求項2記載のCVケーブル
外部半導電層削り機による削り工法。
Wherein said triangular spacers, formed by molded plastics or split metal workpiece axially split, attached it to near <br/> beside the penciling main processing unit, the external half 3. The method for shaving with a semi-conductive layer shaving machine according to claim 2, wherein the pencil is stuck with a conductive layer shaving machine.
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