JP3039571B2 - 液晶組成物 - Google Patents
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- C09K19/2007—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups
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-
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
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- C09K19/586—Optically active dopants; chiral dopants
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な反強誘電性液晶組
成物に関するものである。
成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、ＯＡ関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液
晶表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでのＣＲ
Ｔ表示素子を上回る、表示容量、表示品質を持つ高性能
大型液晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。しか
しながら、現在のネマチック液晶を使用する限りにおい
ては、液晶テレビ用に採用されているアクテイブマトリ
ックス駆動液晶表示素子でも、製造プロセスの複雑さと
歩留りの低さにより、その大型化、低コスト化は容易で
はない。又、単純マトリックス駆動のＳＴＮ型液晶表示
素子にしても、大容量駆動は必ずしも容易ではなく、応
答時間にも限界があり動画表示は困難である。従って、
ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型液晶表示
素子への要求を満足するものとはいい難いのが実状であ
る。
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、ＯＡ関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液
晶表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでのＣＲ
Ｔ表示素子を上回る、表示容量、表示品質を持つ高性能
大型液晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。しか
しながら、現在のネマチック液晶を使用する限りにおい
ては、液晶テレビ用に採用されているアクテイブマトリ
ックス駆動液晶表示素子でも、製造プロセスの複雑さと
歩留りの低さにより、その大型化、低コスト化は容易で
はない。又、単純マトリックス駆動のＳＴＮ型液晶表示
素子にしても、大容量駆動は必ずしも容易ではなく、応
答時間にも限界があり動画表示は困難である。従って、
ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型液晶表示
素子への要求を満足するものとはいい難いのが実状であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような状況のなか
で、高速液晶表示素子として注目されているのが、強誘
電性液晶物質を用いた液晶表示素子である。クラ−クと
ラガバ−ルにより発表された表面安定化型強誘電性液晶
（ＳＳＦＬＣ）素子は、その従来にない速い応答速度と
広い視野角を有する事が注目され、そのスイッチング特
性に関しては詳細に検討されており、ＳＳＦＬＣ素子に
使用することのできる多くの強誘電性液晶物質が製造さ
れている。しかしながらこれらの強誘電性液晶物質を用
いたＳＳＦＬＣ素子はしきい値特性が不十分である、液
晶層の構造がシェブロン構造をしているなどからコント
ラストが不良である、高速応答の実現が困難である、液
晶分子の配向制御が困難でＳＳＦＬＣの最大の特徴の１
つである双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依
って液晶分子の配向が破壊された場合それの回復が困難
であるなどの種々の要因により実用化までには至ってい
ないのが実状である。
で、高速液晶表示素子として注目されているのが、強誘
電性液晶物質を用いた液晶表示素子である。クラ−クと
ラガバ−ルにより発表された表面安定化型強誘電性液晶
（ＳＳＦＬＣ）素子は、その従来にない速い応答速度と
広い視野角を有する事が注目され、そのスイッチング特
性に関しては詳細に検討されており、ＳＳＦＬＣ素子に
使用することのできる多くの強誘電性液晶物質が製造さ
れている。しかしながらこれらの強誘電性液晶物質を用
いたＳＳＦＬＣ素子はしきい値特性が不十分である、液
晶層の構造がシェブロン構造をしているなどからコント
ラストが不良である、高速応答の実現が困難である、液
晶分子の配向制御が困難でＳＳＦＬＣの最大の特徴の１
つである双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依
って液晶分子の配向が破壊された場合それの回復が困難
であるなどの種々の要因により実用化までには至ってい
ないのが実状である。
【０００４】これとは別に、ＳＳＦＬＣ素子と異なるス
イッチング機構の素子の開発も同時に進められている。
反強誘電相を有する液晶物質（以下、反強誘電性液晶物
質と呼ぶ）の三安定状態間のスイッチングも、これらの
新しいスイッチング機構の１つである（Japanese Journ
al of Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988）。反
強誘電性液晶物質は３つの安定な状態を有し、このよう
な三安定状態間のスイッチングが反強誘電性液晶物質の
第１の特徴である。反強誘電性液晶物質の第２の特徴は
印加電圧に対して明確なしきい値が存在することであ
る。更にメモリ−性を有しておりこれが反強誘電性液晶
物質の第３の特徴である。このような反強誘電性液晶物
質の優れた特徴を利用することにより応答速度が速く、
コントラストが良好な液晶表示素子を製造することがで
きる。また、もう一つの大きな特徴として反強誘電性液
晶物質の層構造が電界により容易にスイッチングする事
があげられ、このことにより欠陥が極めて少なく配向の
自己修復能力のある液晶表示素子の作製が可能となりコ
ントラストに優れた液晶表示素子を実現できる。
イッチング機構の素子の開発も同時に進められている。
反強誘電相を有する液晶物質（以下、反強誘電性液晶物
質と呼ぶ）の三安定状態間のスイッチングも、これらの
新しいスイッチング機構の１つである（Japanese Journ
al of Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988）。反
強誘電性液晶物質は３つの安定な状態を有し、このよう
な三安定状態間のスイッチングが反強誘電性液晶物質の
第１の特徴である。反強誘電性液晶物質の第２の特徴は
印加電圧に対して明確なしきい値が存在することであ
る。更にメモリ−性を有しておりこれが反強誘電性液晶
物質の第３の特徴である。このような反強誘電性液晶物
質の優れた特徴を利用することにより応答速度が速く、
コントラストが良好な液晶表示素子を製造することがで
きる。また、もう一つの大きな特徴として反強誘電性液
晶物質の層構造が電界により容易にスイッチングする事
があげられ、このことにより欠陥が極めて少なく配向の
自己修復能力のある液晶表示素子の作製が可能となりコ
ントラストに優れた液晶表示素子を実現できる。
【０００５】反強誘電性液晶物質としては、特開平１−
２１３３９０、特開平１−３１６３３９，特開平１−３
１６３６７，特開平１−３１６３７２、特開平２−２８
１２８の各公報、及びLiquid Crystals, Vol.6, pp.16
7,1989 に記載のものが既に知られており、更に本発明
者ら、及びその他の研究者らにより新しい反強誘電性液
晶物質が発表されており次第にその数を増している。と
ころで、現在までに製造されている反強誘電性液晶物質
の多くは実用的な面から考えたとき融点が高すぎ、また
反強誘電相の温度範囲も室温付近よりも遥かに高い。従
って、ただ１種類の反強誘電性液晶物質を用いて液晶素
子を製造することは困難で、通常は実用化の為に他の液
晶素子と同様物性のバランスを図るために数種以上の他
の液晶物質を１種もしくはそれ以上の反強誘電性液晶物
質と混合して使用することが必要となる。通常このよう
な混合により融点の低下、並びに反強誘電相の温度範囲
の室温付近までの拡大化についてほぼ満足すべき結果が
得られることが多いが、同時にチルト角の低下、応答速
度の低下など望ましくない効果が出ることも多い。した
がって、反強誘電性液晶物質と混合した場合に融点降
下、反強誘電相の室温付近までへの温度範囲の拡大にの
み効果を持ち、その他の物性には影響を与えないような
混合効果を持つ物質が存在すれば好都合である。本発明
はこのような要請のもとで行われたものであり融点降
下、反強誘電相の室温付近までの温度範囲の拡大に効果
があり、かつその他の物性に影響を与えないような物質
を提供すると同時にそのような物質を混合して得られた
新しい液晶組成物を提供するものである。
２１３３９０、特開平１−３１６３３９，特開平１−３
１６３６７，特開平１−３１６３７２、特開平２−２８
１２８の各公報、及びLiquid Crystals, Vol.6, pp.16
7,1989 に記載のものが既に知られており、更に本発明
者ら、及びその他の研究者らにより新しい反強誘電性液
晶物質が発表されており次第にその数を増している。と
ころで、現在までに製造されている反強誘電性液晶物質
の多くは実用的な面から考えたとき融点が高すぎ、また
反強誘電相の温度範囲も室温付近よりも遥かに高い。従
って、ただ１種類の反強誘電性液晶物質を用いて液晶素
子を製造することは困難で、通常は実用化の為に他の液
晶素子と同様物性のバランスを図るために数種以上の他
の液晶物質を１種もしくはそれ以上の反強誘電性液晶物
質と混合して使用することが必要となる。通常このよう
な混合により融点の低下、並びに反強誘電相の温度範囲
の室温付近までの拡大化についてほぼ満足すべき結果が
得られることが多いが、同時にチルト角の低下、応答速
度の低下など望ましくない効果が出ることも多い。した
がって、反強誘電性液晶物質と混合した場合に融点降
下、反強誘電相の室温付近までへの温度範囲の拡大にの
み効果を持ち、その他の物性には影響を与えないような
混合効果を持つ物質が存在すれば好都合である。本発明
はこのような要請のもとで行われたものであり融点降
下、反強誘電相の室温付近までの温度範囲の拡大に効果
があり、かつその他の物性に影響を与えないような物質
を提供すると同時にそのような物質を混合して得られた
新しい液晶組成物を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は次の一般式
（１）、
（１）、
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中、Ｒは直鎖アルキル基であり、Ｃ＊
は不斉炭素原子を示す。) で表され、該式中のＡが−Ｏ
−、ＸがＨ、ＹがＦ、ｊが２、ｋが１、Ｚが−ＣＦ3 、
Ｌが５、ｍが１、ｎが２である反強誘電性液晶物質、ま
たは該反強誘電性液晶物質と該一般式（１）で表され、
該式中のＡが−Ｏ−、ＸがＨ、ＹがＦ、ｊが２、ｋが１
で、Ｚが−ＣＨ3 、Ｌが０、ｍが０、ｎは８である反強
誘電性液晶物質との混合物に、次の一般式（２）、
は不斉炭素原子を示す。) で表され、該式中のＡが−Ｏ
−、ＸがＨ、ＹがＦ、ｊが２、ｋが１、Ｚが−ＣＦ3 、
Ｌが５、ｍが１、ｎが２である反強誘電性液晶物質、ま
たは該反強誘電性液晶物質と該一般式（１）で表され、
該式中のＡが−Ｏ−、ＸがＨ、ＹがＦ、ｊが２、ｋが１
で、Ｚが−ＣＨ3 、Ｌが０、ｍが０、ｎは８である反強
誘電性液晶物質との混合物に、次の一般式（２）、
【０００９】
【化４】
【００１０】（式中Ｒ’は直鎖アルキル基、Ｂは−Ｏ−
または−（単結合）、Ｚは−ＣＨ3 または−ＣＦ3 、Ｌ
はＺが−ＣＨ3 のとき０、−ＣＦ3 のとき５以上の整
数、ｍはＺが−ＣＨ3 のとき０、−ＣＦ3 のとき１、ｎ
は１以上の整数、ｏ、ｐはＨまたはＦである。）で表さ
れる光学活性物質の１種あるいは２種以上を混合するこ
とを特徴とする液晶組成物である。本発明の一般式
（１）で示される化合物の製造法は既に本発明者らが特
願平２−３１４３０６号、特願平２−３２２４６２号な
どで示しているが例えば次のような方法によって製造す
ることができる。
または−（単結合）、Ｚは−ＣＨ3 または−ＣＦ3 、Ｌ
はＺが−ＣＨ3 のとき０、−ＣＦ3 のとき５以上の整
数、ｍはＺが−ＣＨ3 のとき０、−ＣＦ3 のとき１、ｎ
は１以上の整数、ｏ、ｐはＨまたはＦである。）で表さ
れる光学活性物質の１種あるいは２種以上を混合するこ
とを特徴とする液晶組成物である。本発明の一般式
（１）で示される化合物の製造法は既に本発明者らが特
願平２−３１４３０６号、特願平２−３２２４６２号な
どで示しているが例えば次のような方法によって製造す
ることができる。
【００１１】
【化５】
【００１２】また上記の反応式において用いられている
４−アセトキシ−２−フルオロ安息香酸は、例えばｍ−
フルオロフェノールを出発原料にして次のような方法に
よって製造できる。
４−アセトキシ−２−フルオロ安息香酸は、例えばｍ−
フルオロフェノールを出発原料にして次のような方法に
よって製造できる。
【００１３】
【化６】
【００１４】更に本発明で使用される一般式（２）で示
される化合物は一般式（１）で示される化合物と同様の
方法によって、原料として次の一般式（３）、
される化合物は一般式（１）で示される化合物と同様の
方法によって、原料として次の一般式（３）、
【００１５】
【化７】
【００１６】および次の一般式（４）、
【００１７】
【化８】
【００１８】（但し、一般式（３）および（４）中の記
号は一般式（２）と同じ意味を有する。）で示される化
合物を用いて製造される。本発明で使用される一般式
（１）で示される化合物は反強誘電性を示すが、一般式
（２）で示される化合物は光学活性物質であるものの液
晶相すら示さず、かつ−２０℃以下でも結晶化せず油状
物質である。それ故に、一般式（２）で示される化合物
においては当然のことながらチルト角、光学応答など反
強誘電性液晶物質に固有の性質は観測されない。このよ
うな性状を有する一般式（２）で示される化合物を一般
式（１）で示される化合物に混合した場合、常識的に
は、一般式（１）で示される化合物あるいはそれらの混
合物の反強誘電相が消失したり、チルト角、応答速度が
低下することが予想される。しかしながら一般式（２）
で示される化合物の添加量をある範囲に保つと、即ち一
般式（１）で示される化合物あるいはそれらの混合物に
対して一般式（２）で示される化合物の添加量を３０％
（モル）以下、望ましくは１０％（モル）程度に保つと
一般式（１）で示される化合物、あるいはそれらの混合
物のチルト角、応答速度などの低下なしに融点降下、反
強誘電相の室温付近への温度範囲の拡大のみが達成され
るという予想外の結果が得られることを見出した。なお
一般式（１）で示される化合物あるいはそれらの混合物
に一般式（２）で示される化合物を３０％（モル）以上
混合すると液晶分子の配向性が悪化すると同時に、等方
相の一部が室温付近まで存在したりチルト角が低下する
など望ましくない効果が発現する。
号は一般式（２）と同じ意味を有する。）で示される化
合物を用いて製造される。本発明で使用される一般式
（１）で示される化合物は反強誘電性を示すが、一般式
（２）で示される化合物は光学活性物質であるものの液
晶相すら示さず、かつ−２０℃以下でも結晶化せず油状
物質である。それ故に、一般式（２）で示される化合物
においては当然のことながらチルト角、光学応答など反
強誘電性液晶物質に固有の性質は観測されない。このよ
うな性状を有する一般式（２）で示される化合物を一般
式（１）で示される化合物に混合した場合、常識的に
は、一般式（１）で示される化合物あるいはそれらの混
合物の反強誘電相が消失したり、チルト角、応答速度が
低下することが予想される。しかしながら一般式（２）
で示される化合物の添加量をある範囲に保つと、即ち一
般式（１）で示される化合物あるいはそれらの混合物に
対して一般式（２）で示される化合物の添加量を３０％
（モル）以下、望ましくは１０％（モル）程度に保つと
一般式（１）で示される化合物、あるいはそれらの混合
物のチルト角、応答速度などの低下なしに融点降下、反
強誘電相の室温付近への温度範囲の拡大のみが達成され
るという予想外の結果が得られることを見出した。なお
一般式（１）で示される化合物あるいはそれらの混合物
に一般式（２）で示される化合物を３０％（モル）以上
混合すると液晶分子の配向性が悪化すると同時に、等方
相の一部が室温付近まで存在したりチルト角が低下する
など望ましくない効果が発現する。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、実用的な新規な反強誘電性液
晶組成物を与える方法並びに新規な反強誘電性液晶組成
物を提供する事ができるものである。そして、本発明に
より提供された新規な反強誘電性液晶組成物は、低い融
点と、広い反強誘電相の温度範囲を有し、そしてその特
徴である高速応答性あるいは三安定状態間のスイッチン
グ、明確なしきい値特性、良好なメモリ−性を利用して
実用的に優れた液晶表示素子の製造に用いる事ができ
る。
晶組成物を与える方法並びに新規な反強誘電性液晶組成
物を提供する事ができるものである。そして、本発明に
より提供された新規な反強誘電性液晶組成物は、低い融
点と、広い反強誘電相の温度範囲を有し、そしてその特
徴である高速応答性あるいは三安定状態間のスイッチン
グ、明確なしきい値特性、良好なメモリ−性を利用して
実用的に優れた液晶表示素子の製造に用いる事ができ
る。
【００２０】
【実施例】次に実施例、比較例および参考例を掲げて本
発明を更に具体的に説明するが、本発明はもちろんこれ
に限定されるものではない。
発明を更に具体的に説明するが、本発明はもちろんこれ
に限定されるものではない。
【００２１】参考例１ 次のような化学構造を有する液晶物質（Ａ）、
【００２２】
【化９】
【００２３】および（Ｂ）、
【００２４】
【化１０】
【００２５】を一定の割合で混合し、液晶組成物を調製
し物性を測定したところ次のような結果が得られた。相
系列はＤＳＣ、テクスチャー観察から決定し、また応答
速度、チルト角は３μｍ厚の電極セルに液晶組成物を封
入し測定した。尚、応答速度は３０℃、印加電圧１７．
５Ｖ／μｍの条件で測定した。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）60モル％、（Ｂ）40モル％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； -25 ℃ 15.2 ℃ 101.1℃ 111.9℃ 結晶 ←ＳＩＡ＊← ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 （但し、ＳＣＡ＊は反強誘電相を示す。） 融点；−２５℃以下 応答速度；４８μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；３３゜ 本参考例で示される液晶組成物は優れた物性値を有して
いたが反強誘電相の温度範囲が１５℃から１０１℃と高
温側に偏っていた。
し物性を測定したところ次のような結果が得られた。相
系列はＤＳＣ、テクスチャー観察から決定し、また応答
速度、チルト角は３μｍ厚の電極セルに液晶組成物を封
入し測定した。尚、応答速度は３０℃、印加電圧１７．
５Ｖ／μｍの条件で測定した。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）60モル％、（Ｂ）40モル％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； -25 ℃ 15.2 ℃ 101.1℃ 111.9℃ 結晶 ←ＳＩＡ＊← ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 （但し、ＳＣＡ＊は反強誘電相を示す。） 融点；−２５℃以下 応答速度；４８μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；３３゜ 本参考例で示される液晶組成物は優れた物性値を有して
いたが反強誘電相の温度範囲が１５℃から１０１℃と高
温側に偏っていた。
【００２６】実施例１ 参考例１で示される組成物に次の化学構造を持つ油状の
光学活性物質（Ｃ）、
光学活性物質（Ｃ）、
【００２７】
【化１１】
【００２８】を混合し、参考例１と同様に物性を測定し
た。結果は次の通りであった。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）５４モル％、（Ｂ）３６モル％、（Ｃ）１０モル
％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； ？ 0 ℃ 88℃ 99.9 ℃ 結晶 ← ＳＩＡ＊ ←ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 融点；−２５℃以下 応答速度；４５μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；３２゜ 参考例１における組成物に油状物質である（Ｃ）を１０
モル％添加した結果、反強誘電相の下限温度が０℃迄拡
大され、一方応答速度、チルト角は参考例１の組成物に
おける値を維持した。
た。結果は次の通りであった。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）５４モル％、（Ｂ）３６モル％、（Ｃ）１０モル
％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； ？ 0 ℃ 88℃ 99.9 ℃ 結晶 ← ＳＩＡ＊ ←ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 融点；−２５℃以下 応答速度；４５μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；３２゜ 参考例１における組成物に油状物質である（Ｃ）を１０
モル％添加した結果、反強誘電相の下限温度が０℃迄拡
大され、一方応答速度、チルト角は参考例１の組成物に
おける値を維持した。
【００２９】実施例２ 参考例１で示される組成物に次の化学構造を持つ油状物
質（Ｄ）、
質（Ｄ）、
【００３０】
【化１２】
【００３１】を混合し、参考例１と同様に物性を測定し
た。結果は次の通りであった。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）５４モル％、（Ｂ）３６モル％、（Ｄ）１０モル
％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； ？ -6℃ 87.3℃ 101℃ 結晶 ← ＳＩＡ＊← ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 融点；−２５℃以下 応答速度；４１μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；３０゜ 参考例１における組成物に油状物質である（Ｄ）を１０
モル％添加した結果、反強誘電相の下限温度が−６℃迄
拡大され、一方応答速度、チルト角はほぼ参考例１の組
成物における値を維持した。
た。結果は次の通りであった。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）５４モル％、（Ｂ）３６モル％、（Ｄ）１０モル
％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； ？ -6℃ 87.3℃ 101℃ 結晶 ← ＳＩＡ＊← ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 融点；−２５℃以下 応答速度；４１μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；３０゜ 参考例１における組成物に油状物質である（Ｄ）を１０
モル％添加した結果、反強誘電相の下限温度が−６℃迄
拡大され、一方応答速度、チルト角はほぼ参考例１の組
成物における値を維持した。
【００３２】比較例１ 参考例１で示される組成物に次の化学構造を持つ油状物
質（Ｅ）、
質（Ｅ）、
【００３３】
【化１３】
【００３４】を混合し、参考例１と同様に物性を測定し
た。結果は次の通りであった。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）４２モル％、（Ｂ）２８モル％、（Ｅ）３０モル
％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； ？ -20℃ 72℃ 84℃ 結晶 ← ＳＩＡ＊ ←ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 融点；−２５℃以下 応答速度；２８μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；２９゜ 参考例１における組成物に油状物質である（Ｅ）を３０
モル％添加した結果、反強誘電相の下限温度が−２０℃
迄拡大され、また応答速度は速くなった。一方、３０℃
付近まで等方相の１部が存在し、そのために液晶分子の
配向は不良であった。
た。結果は次の通りであった。 （１）液晶組成物の組成 （Ａ）４２モル％、（Ｂ）２８モル％、（Ｅ）３０モル
％ の混合物。 （２）液晶組成物の相系列、融点、応答速度およびチル
ト角 相系列； ？ -20℃ 72℃ 84℃ 結晶 ← ＳＩＡ＊ ←ＳＣＡ＊← ＳＡ ← 等方相 融点；−２５℃以下 応答速度；２８μsec （反強誘電相→強誘電相） チルト角；２９゜ 参考例１における組成物に油状物質である（Ｅ）を３０
モル％添加した結果、反強誘電相の下限温度が−２０℃
迄拡大され、また応答速度は速くなった。一方、３０℃
付近まで等方相の１部が存在し、そのために液晶分子の
配向は不良であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−213390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−207486（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−243062（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−73318（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−104032（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−139551（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−275839（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09K 19/20
Claims (1)
- 【請求項１】 次の一般式（１）、 【化１】 （式中、Ｒは直鎖アルキル基であり、Ｃ＊は不斉炭素原
子を示す。) で表され、該式中のＡが−Ｏ−、ＸがＨ、
ＹがＦ、ｊが２、ｋが１、Ｚが−ＣＦ3 、Ｌが５、ｍが
１、ｎが２である反強誘電性液晶物質、または該反強誘
電性液晶物質と該一般式（１）で表され、該式中のＡが
−Ｏ−、ＸがＨ、ＹがＦ、ｊが２、ｋが１で、Ｚが−Ｃ
Ｈ3 、Ｌが０、ｍが０、ｎは８である反強誘電性液晶物
質との混合物に、次の一般式（２）、 【化２】 （式中、Ｒ は直鎖アルキル基、Ｂは−Ｏ−または−
（単結合）、Ｚは−ＣＨ3または−ＣＦ3 、ＬはＺが−
ＣＨ3 のとき０、−ＣＦ3 のとき５以上の整数、ｍはＺ
が−ＣＨ3 のとき０、−ＣＦ3 のとき１、ｎは１以上の
整数、ｏ、ｐはＨまたはＦである。）で表される光学活
性物質の１種あるいは２種以上を混合することを特徴と
する液晶組成物。
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- 1991-06-04 JP JP3159614A patent/JP3039571B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1992
- 1992-06-03 DE DE69213565T patent/DE69213565T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1992-06-04 US US07/893,548 patent/US5352382A/en not_active Expired - Fee Related
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