JP3029075B2 - 塩化ビニル樹脂スラリーの水蒸気処理による残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造方法及びその装置 - Google Patents
塩化ビニル樹脂スラリーの水蒸気処理による残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造方法及びその装置Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は未反応の塩化ビニル
モノマー(以下、「VC」と略称することがある)等の
ビニルモノマー類を残留ビニルモノマーとして含有する
塩化ビニル樹脂(以下、「PVC」と略称することがあ
る)スラリーからVCを除去して残留VC含有量の低い
PVCを製造する方法及びそれに用いる装置に関する。
モノマー(以下、「VC」と略称することがある)等の
ビニルモノマー類を残留ビニルモノマーとして含有する
塩化ビニル樹脂(以下、「PVC」と略称することがあ
る)スラリーからVCを除去して残留VC含有量の低い
PVCを製造する方法及びそれに用いる装置に関する。
【0002】詳しくは、本発明は未反応のVCを含有す
る被処理PVCスラリーを多孔板製棚段上に形成された
処理通路へ導入し、多孔板の細孔を通じて水蒸気を下方
から被処理PVCスラリー中に噴射すると共に、該スラ
リー液面の上方からも別の水蒸気を液面に対して円錐状
にしかも、場合によっては間欠的に噴射することによっ
て被処理PVCスラリー中の泡発生を抑制(抑泡)しな
がら、抑制され得ずに発生した泡を早期に消滅(消泡)
させて安定した流動状態を保つことからなる残留VC含
有量の低いPVCを製造する方法及びそれに用いられる
装置に関する。
る被処理PVCスラリーを多孔板製棚段上に形成された
処理通路へ導入し、多孔板の細孔を通じて水蒸気を下方
から被処理PVCスラリー中に噴射すると共に、該スラ
リー液面の上方からも別の水蒸気を液面に対して円錐状
にしかも、場合によっては間欠的に噴射することによっ
て被処理PVCスラリー中の泡発生を抑制(抑泡)しな
がら、抑制され得ずに発生した泡を早期に消滅(消泡)
させて安定した流動状態を保つことからなる残留VC含
有量の低いPVCを製造する方法及びそれに用いられる
装置に関する。
【0003】
【従来の技術】PVC、別名ポリ塩化ビニルは化学的に
も物理的にも優れた特性を備えた樹脂である。その製造
は通常的には、VCを水性媒体中で懸濁重合法、乳化重
合法又は塊状重合法等によって重合させることによって
行なわれている。それらの中でも、懸濁重合法と乳化重
合法とが広く用いられている。両法は何れも、或一定の
重合転化率、一般には80〜95%に達した段階で重合
反応を停止させ、得られた重合体スラリーから水性媒体
を機械的に分離し、熱風乾燥その他の種々の乾燥方法で
水性媒体を除去してポリ塩化ビニル(PVC)粉末を得
る。
も物理的にも優れた特性を備えた樹脂である。その製造
は通常的には、VCを水性媒体中で懸濁重合法、乳化重
合法又は塊状重合法等によって重合させることによって
行なわれている。それらの中でも、懸濁重合法と乳化重
合法とが広く用いられている。両法は何れも、或一定の
重合転化率、一般には80〜95%に達した段階で重合
反応を停止させ、得られた重合体スラリーから水性媒体
を機械的に分離し、熱風乾燥その他の種々の乾燥方法で
水性媒体を除去してポリ塩化ビニル(PVC)粉末を得
る。
【0004】上記の各段階で分離された水性媒体中に
も、乾燥器からの排気中にも、乾燥直後のPVC粉末中
にも依然として少量のVCが残留している。しかし、環
境保全の見地からは残留VCの量を可能な限り減少させ
ることが望ましい。
も、乾燥器からの排気中にも、乾燥直後のPVC粉末中
にも依然として少量のVCが残留している。しかし、環
境保全の見地からは残留VCの量を可能な限り減少させ
ることが望ましい。
【0005】この未反応モノマーを除去又は回収する段
階においては、溝状に処理通路を区画壁で区分された多
孔板製棚段を装着した処理塔の多孔板製棚段上に被処理
スラリーを導入し、多孔板の細孔を通じて下から水蒸気
を噴射する処理が提案されている(特開昭54−869
3号公報及び特開昭56−22305号公報参照)。こ
の処理においては、PVC粉末又はPVCスラリー中に
含有されるVCを多孔板製棚段の下方から導入される水
蒸気に乗せて蒸発分離する。
階においては、溝状に処理通路を区画壁で区分された多
孔板製棚段を装着した処理塔の多孔板製棚段上に被処理
スラリーを導入し、多孔板の細孔を通じて下から水蒸気
を噴射する処理が提案されている(特開昭54−869
3号公報及び特開昭56−22305号公報参照)。こ
の処理においては、PVC粉末又はPVCスラリー中に
含有されるVCを多孔板製棚段の下方から導入される水
蒸気に乗せて蒸発分離する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の処理方法におい
ては、多孔板製棚段上の被処理PVCスラリーが下方か
らの水蒸気の導入(噴射)によって泡立ちを生じて上記
の区画壁を溢流する事態、更に流下管へ流れ込む事態及
びVC抜出し管を経由して凝縮器へ侵入する事態等の好
ましくない事態が往々にして生ずる。その結果、処理装
置の出口に流出する製品PVC粒子中にはVCが依然と
して高水準の量で残留する事態を来す。
ては、多孔板製棚段上の被処理PVCスラリーが下方か
らの水蒸気の導入(噴射)によって泡立ちを生じて上記
の区画壁を溢流する事態、更に流下管へ流れ込む事態及
びVC抜出し管を経由して凝縮器へ侵入する事態等の好
ましくない事態が往々にして生ずる。その結果、処理装
置の出口に流出する製品PVC粒子中にはVCが依然と
して高水準の量で残留する事態を来す。
【0007】更に、上記の泡立ちによって泡に同伴され
て処理装置(塔)の内壁に付着したPVC粒子が高温の
水蒸気に長時間曝されて劣化し、それが該内壁から剥離
してPVCスラリー中に混入すると異物の原因となる。
て処理装置(塔)の内壁に付着したPVC粒子が高温の
水蒸気に長時間曝されて劣化し、それが該内壁から剥離
してPVCスラリー中に混入すると異物の原因となる。
【0008】本発明の目的は上記従来処理において生じ
ていた事態である処理塔(処理装置)内での発泡を抑制
することと共に、抑制され得ずに一旦生じた泡を早期に
消滅させることによって従来法の障害を除去することに
ある。
ていた事態である処理塔(処理装置)内での発泡を抑制
することと共に、抑制され得ずに一旦生じた泡を早期に
消滅させることによって従来法の障害を除去することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記障害の
発生原因を次の様に推定した:被処理PVCスラリー
を多孔板製棚段上で水蒸気処理することによって発生す
る泡はPVC粒子内部から脱離したVC及び水蒸気の気
泡であるこの気泡の発生によって、多孔板上の被処理
PVCスラリーの体積が見掛け上は膨張し、その結果と
して溝状の処理通路を区分する区画壁を溢流して流下管
に流れ込む事態が生じ、更に進めばVC抜出し管を経由
して凝縮器へ侵入する。
発生原因を次の様に推定した:被処理PVCスラリー
を多孔板製棚段上で水蒸気処理することによって発生す
る泡はPVC粒子内部から脱離したVC及び水蒸気の気
泡であるこの気泡の発生によって、多孔板上の被処理
PVCスラリーの体積が見掛け上は膨張し、その結果と
して溝状の処理通路を区分する区画壁を溢流して流下管
に流れ込む事態が生じ、更に進めばVC抜出し管を経由
して凝縮器へ侵入する。
【0010】上記の推定に立って検討を進めた結果、本
発明者等は下記の3条件が同時に充足されることを必須
要件とする本発明に到達した。即ち、請求項1に規定さ
れた本発明によれば、上記の課題を解決でき、本発明の
効果を充分に奏することができる: 1)多孔板製棚段の下方から水蒸気を導入して、それに
よってこの棚段上のPVCスラリーを撹拌する; 2)PVCスラリー液面の上方から同液面に対して水蒸
気を円錐状に噴射する; 3)PVCスラリーからの飛散物又は揮発後の凝固物を
温水によって洗浄する。
発明者等は下記の3条件が同時に充足されることを必須
要件とする本発明に到達した。即ち、請求項1に規定さ
れた本発明によれば、上記の課題を解決でき、本発明の
効果を充分に奏することができる: 1)多孔板製棚段の下方から水蒸気を導入して、それに
よってこの棚段上のPVCスラリーを撹拌する; 2)PVCスラリー液面の上方から同液面に対して水蒸
気を円錐状に噴射する; 3)PVCスラリーからの飛散物又は揮発後の凝固物を
温水によって洗浄する。
【0011】本発明者等は上記問題の解決に鋭意努力の
結果、下記の本発明を完成した。即ち、本発明は被処理
PVCスラリーを前記の多孔板製棚段を装着した塔型処
理装置で処理するに当たり、多孔板製棚段の下方から細
孔を通じて該スラリー中へ水蒸気を噴射する処理の継続
期間中に亘り、該スラリー液面の上方に別途に設けられ
た水蒸気噴射機構例えば、ノズルから被処理PVCスラ
リー液面に対して水蒸気を噴射することからなる被処理
PVCスラリーを処理して残留ビニルモノマー含有量の
低い樹脂粉体を製造する方法及びそれに用いる装置に関
する。
結果、下記の本発明を完成した。即ち、本発明は被処理
PVCスラリーを前記の多孔板製棚段を装着した塔型処
理装置で処理するに当たり、多孔板製棚段の下方から細
孔を通じて該スラリー中へ水蒸気を噴射する処理の継続
期間中に亘り、該スラリー液面の上方に別途に設けられ
た水蒸気噴射機構例えば、ノズルから被処理PVCスラ
リー液面に対して水蒸気を噴射することからなる被処理
PVCスラリーを処理して残留ビニルモノマー含有量の
低い樹脂粉体を製造する方法及びそれに用いる装置に関
する。
【0012】上記の様に被処理PVCスラリー液面の上
方から別途に水蒸気を該液面に対して可能な限り均一に
押圧力を及ぼす様に噴射することによる効果は被処理P
VCスラリー中の泡発生の抑制及び抑制され得ずに発生
した泡を消滅させることにあり、その結果として残留V
C含有量の低いPVCを製造することができる。
方から別途に水蒸気を該液面に対して可能な限り均一に
押圧力を及ぼす様に噴射することによる効果は被処理P
VCスラリー中の泡発生の抑制及び抑制され得ずに発生
した泡を消滅させることにあり、その結果として残留V
C含有量の低いPVCを製造することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
【0014】図1は本発明の方法を実行する為の多孔板
製棚段付き塔型処理装置(図3中で「13」)におい
て、未反応の残留VCを含有する被処理PVCスラリー
を収容して脱VC処理を行なう多孔板製棚段1の模式的
平面図である。この多孔板製棚段1は通常、図2に示さ
れた様に多孔板を処理通路の底板として形成され、多数
の細孔が多孔板製棚段を貫通して設けられている。多孔
板製棚段1の下側から細孔を通じて水蒸気が被処理PV
Cスラリー中に噴射される。
製棚段付き塔型処理装置(図3中で「13」)におい
て、未反応の残留VCを含有する被処理PVCスラリー
を収容して脱VC処理を行なう多孔板製棚段1の模式的
平面図である。この多孔板製棚段1は通常、図2に示さ
れた様に多孔板を処理通路の底板として形成され、多数
の細孔が多孔板製棚段を貫通して設けられている。多孔
板製棚段1の下側から細孔を通じて水蒸気が被処理PV
Cスラリー中に噴射される。
【0015】多孔板製棚段1の上表面には区画壁20〜
23が互い違い(千鳥型)に立ち上がっている。区画壁
20〜23の役割は多孔板製棚段1の上に導入された被
処理PVCスラリーの流れを多孔板製棚段1の上に所定
時間滞留させることにある。その結果、細孔を通じて噴
入された水蒸気から供給される熱によって被処理PVC
スラリー中の未反応VC(残留VC)がストリッピング
されると共に被処理PVCスラリーの媒体である水等が
蒸発除去される。
23が互い違い(千鳥型)に立ち上がっている。区画壁
20〜23の役割は多孔板製棚段1の上に導入された被
処理PVCスラリーの流れを多孔板製棚段1の上に所定
時間滞留させることにある。その結果、細孔を通じて噴
入された水蒸気から供給される熱によって被処理PVC
スラリー中の未反応VC(残留VC)がストリッピング
されると共に被処理PVCスラリーの媒体である水等が
蒸発除去される。
【0016】図2はこの処理系の状況を更に把握する為
のもので、塔型処理装置の模式的縦断面見取り図であ
る。図2においては多孔板製棚段1の上表面から区画壁
2(20、21、22及び23等の総称)が複数列立ち
上がって、収容された被処理PVCスラリーを区分して
いることが明らかに看取される。図2は多孔板製棚段1
が塔型処理装置の最上段に位置する場合を示している。
多孔板製棚段1が第2段目以下に位置する場合には、左
端区画は多孔板製棚段1の直上に位置する別の多孔板製
棚段(不図示)からの流下管の下端に位置することにな
る。また、噴射ノズル付きの温水噴射リング6は直上の
棚板の下方に設置されていて、所定時間経過毎にその噴
射ノズルから温水を噴射して脱VC塔内の洗浄を行な
う。噴射ノズル付きの温水噴射リング6の詳細な構成及
び変形態様並びに具体的運転条件については後記の別項
に説明されている。
のもので、塔型処理装置の模式的縦断面見取り図であ
る。図2においては多孔板製棚段1の上表面から区画壁
2(20、21、22及び23等の総称)が複数列立ち
上がって、収容された被処理PVCスラリーを区分して
いることが明らかに看取される。図2は多孔板製棚段1
が塔型処理装置の最上段に位置する場合を示している。
多孔板製棚段1が第2段目以下に位置する場合には、左
端区画は多孔板製棚段1の直上に位置する別の多孔板製
棚段(不図示)からの流下管の下端に位置することにな
る。また、噴射ノズル付きの温水噴射リング6は直上の
棚板の下方に設置されていて、所定時間経過毎にその噴
射ノズルから温水を噴射して脱VC塔内の洗浄を行な
う。噴射ノズル付きの温水噴射リング6の詳細な構成及
び変形態様並びに具体的運転条件については後記の別項
に説明されている。
【0017】図2の多孔板製棚段1の左端区画へ導入さ
れた被処理PVCスラリーが区画壁20に沿って図面の
手前方向へ流れながら水蒸気処理を受け、区画壁20の
末端で胴板3に達し、右の区画壁21で折り返されて奥
方向へ流れながら水蒸気処理を受け、この状況が繰り返
されて区画壁23と塔壁とによって形成された流下管4
に到る。多孔板製棚段1における処理を終えた被処理P
VCスラリーは流下管4を経由して直下の多孔板製棚段
(不図示)へ流れ込み、上述の処理を繰り返して受けな
がら図3の処理装置13の出口11へ到る。
れた被処理PVCスラリーが区画壁20に沿って図面の
手前方向へ流れながら水蒸気処理を受け、区画壁20の
末端で胴板3に達し、右の区画壁21で折り返されて奥
方向へ流れながら水蒸気処理を受け、この状況が繰り返
されて区画壁23と塔壁とによって形成された流下管4
に到る。多孔板製棚段1における処理を終えた被処理P
VCスラリーは流下管4を経由して直下の多孔板製棚段
(不図示)へ流れ込み、上述の処理を繰り返して受けな
がら図3の処理装置13の出口11へ到る。
【0018】本発明においては、多孔板製棚段1の上で
被処理PVCスラリーが多孔板製棚段の下方から噴射さ
れる水蒸気によって処理されるだけの従来処理に加え
て、該処理の全期間に亙って、被処理PVCスラリー液
面の上方に別途に設けられた水蒸気噴射ノズル5からも
該スラリー液面に対する水蒸気の噴射を受ける。
被処理PVCスラリーが多孔板製棚段の下方から噴射さ
れる水蒸気によって処理されるだけの従来処理に加え
て、該処理の全期間に亙って、被処理PVCスラリー液
面の上方に別途に設けられた水蒸気噴射ノズル5からも
該スラリー液面に対する水蒸気の噴射を受ける。
【0019】本発明における上方からの水蒸気の噴射圧
力は水蒸気噴射ノズル5の出口において通常、1kgf
/cm2(abs.)よりも大で13kgf/cm
2 (abs.)以下、好ましくは1.1〜11kgf/
cm2(abs.)に設定する。低過ぎる噴射圧力では
水蒸気の保有エネルギーが不足する結果として、噴射水
蒸気が所期の泡消滅能力を発揮し得なくなる。逆に高過
ぎる噴射圧力では、被処理PVCスラリーの液面を高圧
の水蒸気が叩いてスラリー液面を波立たせる結果とし
て、発泡を誘発する。
力は水蒸気噴射ノズル5の出口において通常、1kgf
/cm2(abs.)よりも大で13kgf/cm
2 (abs.)以下、好ましくは1.1〜11kgf/
cm2(abs.)に設定する。低過ぎる噴射圧力では
水蒸気の保有エネルギーが不足する結果として、噴射水
蒸気が所期の泡消滅能力を発揮し得なくなる。逆に高過
ぎる噴射圧力では、被処理PVCスラリーの液面を高圧
の水蒸気が叩いてスラリー液面を波立たせる結果とし
て、発泡を誘発する。
【0020】水蒸気の噴射量は多孔板製棚段の面積基準
でその1m2当たり50〜400kg/h、好ましくは
80〜250kg/hに選ぶことが適当である。噴射量
が45kg/h/m2以下では、消泡効果不足を来た
し、噴射量405kg/h/m2では、水蒸気の使用量
が必要量を上回る。水蒸気の噴射は通常、連続的に行な
うが、間欠的に行なってもよい。間欠的に行なう場合に
は水蒸気の実噴射量が上記の範囲に属する様に行なうこ
とが適当である。間欠的噴射を周期的に繰り返す方式も
採用に適する場合がある。
でその1m2当たり50〜400kg/h、好ましくは
80〜250kg/hに選ぶことが適当である。噴射量
が45kg/h/m2以下では、消泡効果不足を来た
し、噴射量405kg/h/m2では、水蒸気の使用量
が必要量を上回る。水蒸気の噴射は通常、連続的に行な
うが、間欠的に行なってもよい。間欠的に行なう場合に
は水蒸気の実噴射量が上記の範囲に属する様に行なうこ
とが適当である。間欠的噴射を周期的に繰り返す方式も
採用に適する場合がある。
【0021】本発明の泡消滅(消泡)又は泡抑制(抑
泡)の為の水蒸気噴射ノズル5の構造は前記多孔板2上
を流れる被処理PVCスラリー液面上の何れの個所へも
均一に噴射水蒸気を配分するものであることが肝要であ
る。この要請は水蒸気噴射ノズル5が多孔板製棚段1の
中心付近上方に設置されている場合には中心から離れる
に従って水蒸気の軌跡も長くなり、その温度(保有熱エ
ネルギー)も低下する事態を可能な限り補償しようとす
ることに端を発する。
泡)の為の水蒸気噴射ノズル5の構造は前記多孔板2上
を流れる被処理PVCスラリー液面上の何れの個所へも
均一に噴射水蒸気を配分するものであることが肝要であ
る。この要請は水蒸気噴射ノズル5が多孔板製棚段1の
中心付近上方に設置されている場合には中心から離れる
に従って水蒸気の軌跡も長くなり、その温度(保有熱エ
ネルギー)も低下する事態を可能な限り補償しようとす
ることに端を発する。
【0022】水蒸気噴射ノズル5の設置位置は被処理P
VCスラリー液面から通常50〜1000mm上方に選
択することが充分な効果発現の為には好ましい。水蒸気
噴射ノズル5を低過ぎる位置に設置した場合には、被処
理PVCスラリー液面に均一に水蒸気を噴射することに
装置的な困難を生ずる。また、水蒸気噴射ノズル5を高
過ぎる位置に設置した場合には、処理装置13全体の高
さを必要以上に増大させる事態を来す。
VCスラリー液面から通常50〜1000mm上方に選
択することが充分な効果発現の為には好ましい。水蒸気
噴射ノズル5を低過ぎる位置に設置した場合には、被処
理PVCスラリー液面に均一に水蒸気を噴射することに
装置的な困難を生ずる。また、水蒸気噴射ノズル5を高
過ぎる位置に設置した場合には、処理装置13全体の高
さを必要以上に増大させる事態を来す。
【0023】被処理PVCスラリー液面に対して上方か
ら噴射される水蒸気団が形成する円錐面の頂角(θ)は
通常、60〜150度、好ましくは100〜135度の
範囲において同一多孔板製棚段1上に存在する被処理P
VCスラリー液面の何れの個所にも可能な限り均一に水
蒸気の作用が及ぽされる様に設定することが好ましい。
水蒸気の作用が不均一に及ぼされると、被処理PVCス
ラリー中に局部的な発泡を引き起こして消泡効果を低減
させる結果を招く。
ら噴射される水蒸気団が形成する円錐面の頂角(θ)は
通常、60〜150度、好ましくは100〜135度の
範囲において同一多孔板製棚段1上に存在する被処理P
VCスラリー液面の何れの個所にも可能な限り均一に水
蒸気の作用が及ぽされる様に設定することが好ましい。
水蒸気の作用が不均一に及ぼされると、被処理PVCス
ラリー中に局部的な発泡を引き起こして消泡効果を低減
させる結果を招く。
【0024】この要請に応える水蒸気噴射ノズル5の構
造の例として、次の様なものを挙げることができる: ・多孔板製棚段の中心からの距離に比例して噴射ノズル
の孔径を増大させる ・多孔板製棚段の中心からの距離に比例して噴射ノズル
の孔数を増加させる ・広角円錐ノズル(頂角θの大きな円錐ノズル)を使用
する。
造の例として、次の様なものを挙げることができる: ・多孔板製棚段の中心からの距離に比例して噴射ノズル
の孔径を増大させる ・多孔板製棚段の中心からの距離に比例して噴射ノズル
の孔数を増加させる ・広角円錐ノズル(頂角θの大きな円錐ノズル)を使用
する。
【0025】本発明における被処理PVCスラリーを処
理する塔型処理装置の胴板3と区画壁20、区画壁20
と21、区画壁21と22、及び区画壁22と23との
間の各処理通路の底板を構成する多孔板は下記の機能を
備えていることを要する: ・その上に存在する被処理PVCスラリーを細孔を通じ
て流下させず、しかも該細孔の閉塞も実質的に起こさな
いこと、 ・その下方から水蒸気を長期間に亙りしかも何れの場所
においても均一に通過させて上方の被処理PVCスラリ
ー中へ送り込めること。
理する塔型処理装置の胴板3と区画壁20、区画壁20
と21、区画壁21と22、及び区画壁22と23との
間の各処理通路の底板を構成する多孔板は下記の機能を
備えていることを要する: ・その上に存在する被処理PVCスラリーを細孔を通じ
て流下させず、しかも該細孔の閉塞も実質的に起こさな
いこと、 ・その下方から水蒸気を長期間に亙りしかも何れの場所
においても均一に通過させて上方の被処理PVCスラリ
ー中へ送り込めること。
【0026】更に、処理通路は図2に示されている様に
流下管4及び図3に示されている被処理PVCスラリー
抜出し管11の様なスラリーの流出路を備えていること
を要する。
流下管4及び図3に示されている被処理PVCスラリー
抜出し管11の様なスラリーの流出路を備えていること
を要する。
【0027】上記の機能を発揮する為には、多孔板製棚
段に設けられた各細孔の直径(内径)を通常5mm以
下、好ましくは0.5〜2mm、最も好ましくは0.7
〜1.5mmに設定する。これに加えて各多孔板製棚段
の開口率(=細孔総面積/多孔板面積;別名「開孔
率」)を0.01〜10%、好ましくは0.04〜4
%、最も好ましくは0.2〜2%に選ぶ。
段に設けられた各細孔の直径(内径)を通常5mm以
下、好ましくは0.5〜2mm、最も好ましくは0.7
〜1.5mmに設定する。これに加えて各多孔板製棚段
の開口率(=細孔総面積/多孔板面積;別名「開孔
率」)を0.01〜10%、好ましくは0.04〜4
%、最も好ましくは0.2〜2%に選ぶ。
【0028】開口率が上記下限値を大幅に下回る場合に
は、多孔板製棚段上の被処理PVCスラリー中に存在す
るPVC粒子が十分には攪拌されない状態を生ずる。そ
の原因は多孔板の細孔を通じて下方から被処理PVCス
ラリー中へ噴射される水蒸気の供給するエネルギーが所
期の攪拌に足りないことにある。逆に多孔板の開口率が
上限値を大幅に上回る場合には、多孔板上に存在する被
処理PVCスラリーが細孔から流下する現象(液洩れ)
が生じたり、液漏れに到らずとも余剰の水蒸気を消費す
る結果を来す。
は、多孔板製棚段上の被処理PVCスラリー中に存在す
るPVC粒子が十分には攪拌されない状態を生ずる。そ
の原因は多孔板の細孔を通じて下方から被処理PVCス
ラリー中へ噴射される水蒸気の供給するエネルギーが所
期の攪拌に足りないことにある。逆に多孔板の開口率が
上限値を大幅に上回る場合には、多孔板上に存在する被
処理PVCスラリーが細孔から流下する現象(液洩れ)
が生じたり、液漏れに到らずとも余剰の水蒸気を消費す
る結果を来す。
【0029】多孔板製棚段1を構成する多孔板の上に被
処理PVCスラリーを処理に必要な時間だけ滞留させる
為には前記処理通路(区画壁20、21、22及び23
等によって区分された通路)を溝型の長い一連の通路に
形成させることが有益である。溝型通路によって形成さ
れる処理通路の流線は図面に例示されている九十九折り
型(羊腸型)、渦巻型、矢車型又は星型(放射状)その
他のものを状況に応じて適宜選択できる。
処理PVCスラリーを処理に必要な時間だけ滞留させる
為には前記処理通路(区画壁20、21、22及び23
等によって区分された通路)を溝型の長い一連の通路に
形成させることが有益である。溝型通路によって形成さ
れる処理通路の流線は図面に例示されている九十九折り
型(羊腸型)、渦巻型、矢車型又は星型(放射状)その
他のものを状況に応じて適宜選択できる。
【0030】要は下記の状態が実現及び維持されながら
被処理PVCスラリーが押出流を形成する様に処理通路
上を移動すれば本発明の効果発現には十分である。 ・多孔板製棚段上に装入された被処理PVCスラリーが
多孔板製棚段上を激しい泡立ちを伴わず、 ・各PVC粒子が多孔板製棚段上に滞留する時間を均一
にし、 ・液状媒体中にPVC粒子が均一に懸濁されて局部的偏
在を生じない。
被処理PVCスラリーが押出流を形成する様に処理通路
上を移動すれば本発明の効果発現には十分である。 ・多孔板製棚段上に装入された被処理PVCスラリーが
多孔板製棚段上を激しい泡立ちを伴わず、 ・各PVC粒子が多孔板製棚段上に滞留する時間を均一
にし、 ・液状媒体中にPVC粒子が均一に懸濁されて局部的偏
在を生じない。
【0031】上述の各種区画壁20、21、22及び2
3等で区分された被処理PVCスラリー処理通路を備え
た多孔板製棚段1は本発明の処理装置13(塔型を包
含)の中に1段以上設けられれば、それに対して本発明
の改良機構及び処理方法を適用して本発明の効果を収め
ることができる。
3等で区分された被処理PVCスラリー処理通路を備え
た多孔板製棚段1は本発明の処理装置13(塔型を包
含)の中に1段以上設けられれば、それに対して本発明
の改良機構及び処理方法を適用して本発明の効果を収め
ることができる。
【0032】本発明の処理装置が2段以上の多孔板製棚
段(例えば、1及び1a)を備えている場合には、下段
に位置する多孔板製棚段1aに対する直上多孔板製棚段
1の下側に温水噴射リング6を設けて多孔板製棚段1の
下面及びそれに連なる胴板内壁面を温水噴射リング6に
穿設された温水噴射ノズルから噴射される温水で洗浄す
ることを要する。温水噴射リング6は温水パイプをリン
グ状に賦形し、棚板1の下面及び胴板内壁に対して所望
の方向へ温水を噴射する噴射ノズルを適当個数及び適切
箇所に設けたものでよい。温水の噴射方向は個々の温水
噴射ノズルの軸が鉛直方向と交差する角度(γ)が10
〜60度となる様に設定することが好ましい。
段(例えば、1及び1a)を備えている場合には、下段
に位置する多孔板製棚段1aに対する直上多孔板製棚段
1の下側に温水噴射リング6を設けて多孔板製棚段1の
下面及びそれに連なる胴板内壁面を温水噴射リング6に
穿設された温水噴射ノズルから噴射される温水で洗浄す
ることを要する。温水噴射リング6は温水パイプをリン
グ状に賦形し、棚板1の下面及び胴板内壁に対して所望
の方向へ温水を噴射する噴射ノズルを適当個数及び適切
箇所に設けたものでよい。温水の噴射方向は個々の温水
噴射ノズルの軸が鉛直方向と交差する角度(γ)が10
〜60度となる様に設定することが好ましい。
【0033】温水噴射リング6の平面形状は通常はギリ
シャ文字のΩ型もしくはΦ型又は渦巻型、星型もしくは
羊腸型(九十九折り)の様なものでも、互に中心を同じ
くする多重リング型でも良い。温水噴射リング6の最大
直径は塔の胴板3の内壁よりも内側に該リング6の外縁
が収まる様に設定すれば済む。しかし、胴板3の内壁に
接近し過ぎれば洗い落とされるPVC粒子等が間隙を閉
塞する恐れを伴う。この様な事態を防ぐ為には胴板3の
内壁から内側へ20mm以上離れる程度に温水噴射リン
グ6の外径を設定すれば十分である。通常用いられる塔
型処理装置の塔内径から見て温水噴射リング6の外径を
通常、150〜2000mmとすることが好ましい。
シャ文字のΩ型もしくはΦ型又は渦巻型、星型もしくは
羊腸型(九十九折り)の様なものでも、互に中心を同じ
くする多重リング型でも良い。温水噴射リング6の最大
直径は塔の胴板3の内壁よりも内側に該リング6の外縁
が収まる様に設定すれば済む。しかし、胴板3の内壁に
接近し過ぎれば洗い落とされるPVC粒子等が間隙を閉
塞する恐れを伴う。この様な事態を防ぐ為には胴板3の
内壁から内側へ20mm以上離れる程度に温水噴射リン
グ6の外径を設定すれば十分である。通常用いられる塔
型処理装置の塔内径から見て温水噴射リング6の外径を
通常、150〜2000mmとすることが好ましい。
【0034】ここで、噴射される温水の温度はPVCス
ラリーの温度±10℃、好ましくは該スラリーの温度±
7℃、更に好ましくはPVCスラリーの温度±5℃であ
ることが好ましい。
ラリーの温度±10℃、好ましくは該スラリーの温度±
7℃、更に好ましくはPVCスラリーの温度±5℃であ
ることが好ましい。
【0035】該温水噴射を90min以下の間隔、好ま
しくは60min以下の間隔で行なうことが残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体を製造する為には好まし
い。また、該温水噴射を1sec以上、好ましくは5s
ec以上行なうことが残留ビニルモノマー含有量の低い
樹脂粉体を製造する為には好ましい。別の観点では、該
温水噴射量は1操作当たり0.1〜50m 3 /h/m 2
とすることが残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体
を製造為には好ましい。ここで、1操作当たりとは、個
々の噴射ノズルからの噴射1回当たりという意味であ
る。即ち、噴射リング6には複数個の噴射ノズルが穿設
され得ることから、複数個の温水噴射ノズルを備えた温
水噴射リング6においては、噴射される温水の全量(全
温水噴射量)は噴射ノズル1個当たりの噴射量とその噴
射ノズルの個数との積となる。
しくは60min以下の間隔で行なうことが残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体を製造する為には好まし
い。また、該温水噴射を1sec以上、好ましくは5s
ec以上行なうことが残留ビニルモノマー含有量の低い
樹脂粉体を製造する為には好ましい。別の観点では、該
温水噴射量は1操作当たり0.1〜50m 3 /h/m 2
とすることが残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体
を製造為には好ましい。ここで、1操作当たりとは、個
々の噴射ノズルからの噴射1回当たりという意味であ
る。即ち、噴射リング6には複数個の噴射ノズルが穿設
され得ることから、複数個の温水噴射ノズルを備えた温
水噴射リング6においては、噴射される温水の全量(全
温水噴射量)は噴射ノズル1個当たりの噴射量とその噴
射ノズルの個数との積となる。
【0036】温水噴射リング6に設けられる噴射ノズル
の開孔形状は円孔、長円孔、スリット等の適宜のものを
使用目的に応じて選択できる。ここで、円孔又は長円孔
の最大直径は通常1〜8mm、他方、スリットの最大長
も通常1〜8mmに選ぶことが好ましい。
の開孔形状は円孔、長円孔、スリット等の適宜のものを
使用目的に応じて選択できる。ここで、円孔又は長円孔
の最大直径は通常1〜8mm、他方、スリットの最大長
も通常1〜8mmに選ぶことが好ましい。
【0037】他方、該多孔板製棚段1の上に存在する被
処理PVCスラリー液面に対して上方から前述の水蒸気
噴射機構5を通ずれば均一に水蒸気噴射を行なうことが
できる。勿論、上記の処理通路を備えた多孔板製棚段1
は処理装置内に複数段組み付けた形、即ち1、1a、1
b及び1c等の配置で通常は用いられる。
処理PVCスラリー液面に対して上方から前述の水蒸気
噴射機構5を通ずれば均一に水蒸気噴射を行なうことが
できる。勿論、上記の処理通路を備えた多孔板製棚段1
は処理装置内に複数段組み付けた形、即ち1、1a、1
b及び1c等の配置で通常は用いられる。
【0038】本発明の処理装置が塔型である場合につい
て説明すれば、塔の内径(内直径:D)にも塔高(H)
にも特別な制限は無い。通常は塔内径(D)300〜3
000mm、好ましくは500〜2000mmに設定す
れば、殆どの使用目的に適合する。また、[塔高(H)
/塔内径(D)]比率はH/D=通常2〜20、好まし
くは5〜15程度に選ぶ。
て説明すれば、塔の内径(内直径:D)にも塔高(H)
にも特別な制限は無い。通常は塔内径(D)300〜3
000mm、好ましくは500〜2000mmに設定す
れば、殆どの使用目的に適合する。また、[塔高(H)
/塔内径(D)]比率はH/D=通常2〜20、好まし
くは5〜15程度に選ぶ。
【0039】本発明の被処理PVCスラリーとは、水性
分散媒及びPVC粒子(粉末)の他に、これらから除去
されるべき残留VCモノマーをも含有するものである。
該スラリーには更に、樹脂製造の為の重合の際に重合系
に添加された懸濁剤例えば、ポリビニルアルコール(P
VA)、カルボキシメチルセルロース(CMC)等、緩
衝剤、粒径調整剤、スケール付着抑制剤又は消泡剤等も
含有され得る。
分散媒及びPVC粒子(粉末)の他に、これらから除去
されるべき残留VCモノマーをも含有するものである。
該スラリーには更に、樹脂製造の為の重合の際に重合系
に添加された懸濁剤例えば、ポリビニルアルコール(P
VA)、カルボキシメチルセルロース(CMC)等、緩
衝剤、粒径調整剤、スケール付着抑制剤又は消泡剤等も
含有され得る。
【0040】PVCは樹脂を構成する分子鎖の結合単位
であるVCの重合体であって、ポリ塩化ビニルの略称で
あり、別名塩化ビニル樹脂である。VCは塩化ビニル
(モノマー)の略称である。
であるVCの重合体であって、ポリ塩化ビニルの略称で
あり、別名塩化ビニル樹脂である。VCは塩化ビニル
(モノマー)の略称である。
【0041】しかし、本発明における被処理PVCはV
Cの単独重合体に限らず、VCと他のビニルモノマーと
の共重合体、オレフィン系重合体へのVCのグラフト重
合体、これらの2種以上の組成物をも包含する概念であ
る。PVCの典型的例としては、重合体の構成単位とな
ったVC単位を50重量%以上含有する重合体を挙げる
ことができる。
Cの単独重合体に限らず、VCと他のビニルモノマーと
の共重合体、オレフィン系重合体へのVCのグラフト重
合体、これらの2種以上の組成物をも包含する概念であ
る。PVCの典型的例としては、重合体の構成単位とな
ったVC単位を50重量%以上含有する重合体を挙げる
ことができる。
【0042】ここで「ビニルモノマー」とは次の様な各
種のものをも包含する概念である: ・ビニルアルコールのカルボン酸エステル類例えば、酢
酸ビニル ・ビニルエーテル類例えば、アルキルビニルエーテル ・不飽和カルボン酸のエステル類例えば、アクリレー
ト、メタクリレート ・ハロゲン化ビニリデン類例えば、塩化ビニリデン、弗
化ビニリデン ・不飽和ニトリル類例えば、アクリルニトリル(別名
「アクリロニトリル」) ・オレフィン類例えば、エチレン、プロピレン。
種のものをも包含する概念である: ・ビニルアルコールのカルボン酸エステル類例えば、酢
酸ビニル ・ビニルエーテル類例えば、アルキルビニルエーテル ・不飽和カルボン酸のエステル類例えば、アクリレー
ト、メタクリレート ・ハロゲン化ビニリデン類例えば、塩化ビニリデン、弗
化ビニリデン ・不飽和ニトリル類例えば、アクリルニトリル(別名
「アクリロニトリル」) ・オレフィン類例えば、エチレン、プロピレン。
【0043】前記の被処理PVCスラリー中に残留する
VCモノマーは如何なる量であろうとも、除去すること
が望まれる。本発明の方法及び処理装置の適用対象であ
る被処理PVCスラリーはPVC粒子に吸収又は吸着さ
れたVCを通常500〜40000ppm含有してい
る。該PVCスラリー中のPVCの濃度(以下、単に
「スラリー濃度」ということがある)は5〜45重量
%、好ましくは10〜40重量%に設定する。この上限
値を大幅に超える場合には被処理PVCスラリーの流動
性悪化を生じ、この下限値を大幅に下回る場合には本発
明の処理装置(塔型)の能力低下を来すばかりで、VC
除去能力には格別の上昇が生じない。
VCモノマーは如何なる量であろうとも、除去すること
が望まれる。本発明の方法及び処理装置の適用対象であ
る被処理PVCスラリーはPVC粒子に吸収又は吸着さ
れたVCを通常500〜40000ppm含有してい
る。該PVCスラリー中のPVCの濃度(以下、単に
「スラリー濃度」ということがある)は5〜45重量
%、好ましくは10〜40重量%に設定する。この上限
値を大幅に超える場合には被処理PVCスラリーの流動
性悪化を生じ、この下限値を大幅に下回る場合には本発
明の処理装置(塔型)の能力低下を来すばかりで、VC
除去能力には格別の上昇が生じない。
【0044】被処理PVCスラリーを前記の流出管4を
備えた多孔板製棚段1の上で水蒸気処理する際のスラリ
ー温度の下限は通常60℃、好ましくは70℃、最も好
ましくは80℃に選ぶ。他方、被処理PVCスラリー温
度の上限は通常130℃、好ましくは120℃、最も好
ましくは110℃に選ぶ。
備えた多孔板製棚段1の上で水蒸気処理する際のスラリ
ー温度の下限は通常60℃、好ましくは70℃、最も好
ましくは80℃に選ぶ。他方、被処理PVCスラリー温
度の上限は通常130℃、好ましくは120℃、最も好
ましくは110℃に選ぶ。
【0045】処理装置中の圧力は被処理PVCスラリー
温度60〜130℃の場合には約0 .2〜3kgf/cm2(abs)である。被処理PV
Cスラリーの温度を高めるに伴って、該スラリー中のP
VC粒子からVCが水蒸気に同伴して気化し易くなる。
しかし、該温度を高め過ぎると、スラリー中のPVC粒
子の着色又は熱劣化を引き起こす。
温度60〜130℃の場合には約0 .2〜3kgf/cm2(abs)である。被処理PV
Cスラリーの温度を高めるに伴って、該スラリー中のP
VC粒子からVCが水蒸気に同伴して気化し易くなる。
しかし、該温度を高め過ぎると、スラリー中のPVC粒
子の着色又は熱劣化を引き起こす。
【0046】上記の被処理スラリーの外にも、本発明の
方法及び処理装置を適用し得る対象としては、下記のス
ラリーも包含される: ・重合反応終了後に反応系を常圧まで降圧する途中で系
内スラリーを貯蔵槽へ開放して得られたPVCスラリー ・重合反応を任意の重合率の段階で停止して、系内スラ
リーをその儘貯蔵槽へ開放して得られたPVCスラリ
ー。
方法及び処理装置を適用し得る対象としては、下記のス
ラリーも包含される: ・重合反応終了後に反応系を常圧まで降圧する途中で系
内スラリーを貯蔵槽へ開放して得られたPVCスラリー ・重合反応を任意の重合率の段階で停止して、系内スラ
リーをその儘貯蔵槽へ開放して得られたPVCスラリ
ー。
【0047】本発明の被処理PVCスラリーは前述の処
理通路を備えた多孔板製棚段1の上側に装入されるに当
たり、50〜100℃に予熱されていることが望まし
い。この予熱は処理装置から排出される処理済みPVC
スラリーと装入される被処理PVCスラリーとの間の熱
交換によって行なわれことが実際的である。この熱交換
によって、排出PVCスラリーも冷却されて好適な排出
温度60〜120℃への温度低下が達成される。
理通路を備えた多孔板製棚段1の上側に装入されるに当
たり、50〜100℃に予熱されていることが望まし
い。この予熱は処理装置から排出される処理済みPVC
スラリーと装入される被処理PVCスラリーとの間の熱
交換によって行なわれことが実際的である。この熱交換
によって、排出PVCスラリーも冷却されて好適な排出
温度60〜120℃への温度低下が達成される。
【0048】被処理PVCスラリーの処理装置内におけ
る滞留時間の下限は1min、好ましくは2min、最
も好ましくは3minであり、滞留時間の上限は約60
minである。被処理PVCスラリーの滞留時間を長く
設定するに伴って被処理PVCスラリー中のPVC粒子
から残留VCモノマーを高度に除去できるが、滞留時間
が長過ぎるとPVC粒子の着色(変色)及び熱劣化等を
引き起こす。
る滞留時間の下限は1min、好ましくは2min、最
も好ましくは3minであり、滞留時間の上限は約60
minである。被処理PVCスラリーの滞留時間を長く
設定するに伴って被処理PVCスラリー中のPVC粒子
から残留VCモノマーを高度に除去できるが、滞留時間
が長過ぎるとPVC粒子の着色(変色)及び熱劣化等を
引き起こす。
【0049】本発明の処理装置内への被処理PVCスラ
リーの装入量(流量)は各多孔板製棚段を構成する多孔
板面積基準で1m2当たり0.1〜300m3/h、好
ましくは1〜100m3/hに調整する。
リーの装入量(流量)は各多孔板製棚段を構成する多孔
板面積基準で1m2当たり0.1〜300m3/h、好
ましくは1〜100m3/hに調整する。
【0050】本発明の処理装置に装着された多孔板製棚
段の下方からの水蒸気導入(噴射)量は被処理PVCス
ラリー1m3当たりで1〜100kg/h、好ましくは
5〜50kg/hである。この水蒸気導入の目的は下記
の諸点にある: ・被処理PVCスラリーを加熱すると共に所定温度に維
持する ・被処理PVCスラリーを充分に攪拌して含有PVC粒
子が沈降することを防ぐ ・被処理PVCスラリー中に残留するVCの気相中への
蒸発・移行を促進する。
段の下方からの水蒸気導入(噴射)量は被処理PVCス
ラリー1m3当たりで1〜100kg/h、好ましくは
5〜50kg/hである。この水蒸気導入の目的は下記
の諸点にある: ・被処理PVCスラリーを加熱すると共に所定温度に維
持する ・被処理PVCスラリーを充分に攪拌して含有PVC粒
子が沈降することを防ぐ ・被処理PVCスラリー中に残留するVCの気相中への
蒸発・移行を促進する。
【0051】特に、被処理PVCスラリー中のPVC粒
子の沈降を防止することは次の2点において重要であ
る: ・被処理PVCスラリー内に含有される各PVC粒子の
滞留時間を均一化する(滞留時間分布を狭める) ・含有PVC粒子中の残留VC及び液状媒体中の残留V
Cの除去を促進する。
子の沈降を防止することは次の2点において重要であ
る: ・被処理PVCスラリー内に含有される各PVC粒子の
滞留時間を均一化する(滞留時間分布を狭める) ・含有PVC粒子中の残留VC及び液状媒体中の残留V
Cの除去を促進する。
【0052】上記の各目的を達成する為には、多孔板製
棚板の下方からの水蒸気導入量を適切に選ぶことが肝要
である。水蒸気の導入量が少な過ぎれば所期の状態を実
現できない。他方、水蒸気の導入量が多過ぎれば、被処
理PVCスラリーの飛沫発生が激しくなる外にフラッデ
ィングが生ずる場合もある。それにも拘らず、被処理P
VCスラリー中のVCの除去効果が格別に向上する訳で
はない。
棚板の下方からの水蒸気導入量を適切に選ぶことが肝要
である。水蒸気の導入量が少な過ぎれば所期の状態を実
現できない。他方、水蒸気の導入量が多過ぎれば、被処
理PVCスラリーの飛沫発生が激しくなる外にフラッデ
ィングが生ずる場合もある。それにも拘らず、被処理P
VCスラリー中のVCの除去効果が格別に向上する訳で
はない。
【0053】
【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
【0054】
【実施例1】図1の形状(多孔板の細孔直径1.3m
m、開口率0.3%)を有し、図3の様に組み立てられ
た多孔板製棚段付き塔型処理装置を用い、被処理PVC
スラリー[PVC(平均重合度=1300);PVC濃
度30重量%、残留VCモノマー濃度30000ppm
(PVC重量基準;以後のVC濃度の単位)]の脱VC
モノマー処理を図3に示された装置及び工程に基づいて
実施した。
m、開口率0.3%)を有し、図3の様に組み立てられ
た多孔板製棚段付き塔型処理装置を用い、被処理PVC
スラリー[PVC(平均重合度=1300);PVC濃
度30重量%、残留VCモノマー濃度30000ppm
(PVC重量基準;以後のVC濃度の単位)]の脱VC
モノマー処理を図3に示された装置及び工程に基づいて
実施した。
【0055】用いられた塔型処理装置13の多孔板製棚
段1の上側に装入できる被処理PVCスラリー量は1段
当り0.87m3、各多孔板製棚段の間隔1600m
m、直径1500mmの各多孔板製棚段上のPVCスラ
リー液深を約500mmとすると共に、処理通路幅(例
えば区画壁21と22との間隔)を200mmとした。
段1の上側に装入できる被処理PVCスラリー量は1段
当り0.87m3、各多孔板製棚段の間隔1600m
m、直径1500mmの各多孔板製棚段上のPVCスラ
リー液深を約500mmとすると共に、処理通路幅(例
えば区画壁21と22との間隔)を200mmとした。
【0056】図3のスラリータンク14から熱交換器1
7に装入されて80℃に予熱された被処理PVCスラリ
ーを図3に示された処理装置13の塔頂室8に流量20
m3/hで装入すると共に、スラリーの上方に位置する
水蒸気噴射ノズル5から被処理PVCスラリーの表面に
向けて水蒸気を頂角θ=約120度の円錐体状に噴射圧
2.5kgf/cm 2 (abs.)及び噴射量96kg
/(h/m 2 )で各段のスラリーにおいて場所的に不均
衡を生じない様に(均一に)噴射した。それと並行し
て、塔底室9に蒸気導入管12から水蒸気(温度110
℃の過熱蒸気)を流量600kg/hで導入した。この
際の被処理PVCスラリーの滞留時間は10minであ
った。
7に装入されて80℃に予熱された被処理PVCスラリ
ーを図3に示された処理装置13の塔頂室8に流量20
m3/hで装入すると共に、スラリーの上方に位置する
水蒸気噴射ノズル5から被処理PVCスラリーの表面に
向けて水蒸気を頂角θ=約120度の円錐体状に噴射圧
2.5kgf/cm 2 (abs.)及び噴射量96kg
/(h/m 2 )で各段のスラリーにおいて場所的に不均
衡を生じない様に(均一に)噴射した。それと並行し
て、塔底室9に蒸気導入管12から水蒸気(温度110
℃の過熱蒸気)を流量600kg/hで導入した。この
際の被処理PVCスラリーの滞留時間は10minであ
った。
【0057】被処理PVCスラリーは図3の処理装置1
3内に装入された後に、多孔板製棚段1上側の処理通路
を順に下段側へ流れながら、多孔板製棚段1の底板に設
けられた細孔を通じて下方から導入される水蒸気で10
0℃に加熱され、多孔板製棚段1の処理通路末端に位置
する流下管4からその下に設けられた多孔板製棚段1a
へ移動してこの処理を繰り返し受け、最終的に処理装置
13の最下段からスラリー出口管11及びスラリーポン
プ19を経由して受入れ槽16へ到る。
3内に装入された後に、多孔板製棚段1上側の処理通路
を順に下段側へ流れながら、多孔板製棚段1の底板に設
けられた細孔を通じて下方から導入される水蒸気で10
0℃に加熱され、多孔板製棚段1の処理通路末端に位置
する流下管4からその下に設けられた多孔板製棚段1a
へ移動してこの処理を繰り返し受け、最終的に処理装置
13の最下段からスラリー出口管11及びスラリーポン
プ19を経由して受入れ槽16へ到る。
【0058】この過程でPVCスラリーは熱交換器17
によって50℃まで冷却された。この排出PVCスラリ
ー中のVC含有量(濃度)は1ppm以下であった。ま
た、処理装置13の塔頂室8で発生した水とVCとの混
合蒸気は塔頂から出て凝縮器15に進入し、そこで凝縮
した水とVCとは分液によって分離される。
によって50℃まで冷却された。この排出PVCスラリ
ー中のVC含有量(濃度)は1ppm以下であった。ま
た、処理装置13の塔頂室8で発生した水とVCとの混
合蒸気は塔頂から出て凝縮器15に進入し、そこで凝縮
した水とVCとは分液によって分離される。
【0059】上述のPVCスラリー処理の全期間に亙
り、被処理PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノ
ズル5を通じて連続的に水蒸気をスラリー液面に対して
圧力2.5kgf/cm2Abs.で噴射してスラリー
液相内の泡発生を抑制すると共に、抑制され得ずに発生
した泡を極力消滅させた。この際の水蒸気噴射量は多孔
板面積基準で1m2当り96kg/hとした。
り、被処理PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノ
ズル5を通じて連続的に水蒸気をスラリー液面に対して
圧力2.5kgf/cm2Abs.で噴射してスラリー
液相内の泡発生を抑制すると共に、抑制され得ずに発生
した泡を極力消滅させた。この際の水蒸気噴射量は多孔
板面積基準で1m2当り96kg/hとした。
【0060】上述のPVC処理時に、温水噴射リング6
から多孔板製棚段毎に温水を流量0.5m3/h/段、
10分間隔で、5秒間に亙り合計量2m 3 /hで各段内
壁面及び直上多孔板製棚段下面へ噴射して塔内を洗浄し
たところ、製品(PVC粉)中には焼け物(異物;胴板
の内壁面等に付着して長時間加熱された結果、熱劣化し
たPVC粒子等)が認められなかった。その結果を表1
に示す。
から多孔板製棚段毎に温水を流量0.5m3/h/段、
10分間隔で、5秒間に亙り合計量2m 3 /hで各段内
壁面及び直上多孔板製棚段下面へ噴射して塔内を洗浄し
たところ、製品(PVC粉)中には焼け物(異物;胴板
の内壁面等に付着して長時間加熱された結果、熱劣化し
たPVC粒子等)が認められなかった。その結果を表1
に示す。
【0061】
【比較例1】実施例1の処理において前記水蒸気噴射ノ
ズル5からの噴射を停止して、他の条件は実施例1と同
様にして操作を行なった。
ズル5からの噴射を停止して、他の条件は実施例1と同
様にして操作を行なった。
【0062】その結果、被処理PVCスラリーが発泡し
て処理済みPVCスラリー出口11におけるPVCスラ
リー中の残留VC濃度が300ppm(PVC基準)に
達した。また、運転開始30分後にVC凝縮器15にP
VCが堆積して閉塞を生じ、運転不能となった。しか
も、製品(PVC粉)中にPVC100g当たり78個
の焼け物(異物)が発生した。その結果を表1に併せて
示す。
て処理済みPVCスラリー出口11におけるPVCスラ
リー中の残留VC濃度が300ppm(PVC基準)に
達した。また、運転開始30分後にVC凝縮器15にP
VCが堆積して閉塞を生じ、運転不能となった。しか
も、製品(PVC粉)中にPVC100g当たり78個
の焼け物(異物)が発生した。その結果を表1に併せて
示す。
【0063】
【比較例2】実施例1の処理において前記温水噴射リン
グ6からの温水噴射を停止して、他の条件は実施例1と
同様にして操作を行なった。
グ6からの温水噴射を停止して、他の条件は実施例1と
同様にして操作を行なった。
【0064】その結果、処理済みPVCスラリー出口1
1におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm
(PVC基準)となったが、製品中(PVC粉)中にP
VC100g当たり122個の焼け物(異物)が発生し
た。結果を表1に併せて示す。
1におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm
(PVC基準)となったが、製品中(PVC粉)中にP
VC100g当たり122個の焼け物(異物)が発生し
た。結果を表1に併せて示す。
【0065】
【比較例3】 PVCスラリー処理の全期間に亙り被処理
PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノズル5の頂
角を45度とした以外には実施例1におけると同一に操
作を行なった。
PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノズル5の頂
角を45度とした以外には実施例1におけると同一に操
作を行なった。
【0066】その結果、水蒸気噴射ノズルから噴射され
る水蒸気が多孔板製棚段上の中央部に偏って噴射された
結果、水蒸気と接触していないPVCスラリー液面から
泡が発生し、処理済PVCスラリー出口11におけるP
VCスラリー中の残留VC濃度が260ppm(PVC
基準)に達した。しかも、運転開始40min後に15
にPVCが堆積して閉塞を生じた結果、運転不能に到っ
た。それに加えて、製品(PVC粉)中にPVC100
当り67個の焼け物(異物)が発生した。その結果を表
1に併せて示す。
る水蒸気が多孔板製棚段上の中央部に偏って噴射された
結果、水蒸気と接触していないPVCスラリー液面から
泡が発生し、処理済PVCスラリー出口11におけるP
VCスラリー中の残留VC濃度が260ppm(PVC
基準)に達した。しかも、運転開始40min後に15
にPVCが堆積して閉塞を生じた結果、運転不能に到っ
た。それに加えて、製品(PVC粉)中にPVC100
当り67個の焼け物(異物)が発生した。その結果を表
1に併せて示す。
【0067】
【実施例2】 温水噴射リング6から多孔板製棚段毎に温
水を流量0.2m3/h/段、10min間陽で5se
c間に亙り次記の各所へ噴射(全噴射量合計0.8m3
/h)して塔内を洗浄する以外には、実施例1における
と同一に操作を行なった。ここで、塔内の各所とは、各
棚段の内壁面及び直上に位置する多孔板製棚段の下面を
いう。
水を流量0.2m3/h/段、10min間陽で5se
c間に亙り次記の各所へ噴射(全噴射量合計0.8m3
/h)して塔内を洗浄する以外には、実施例1における
と同一に操作を行なった。ここで、塔内の各所とは、各
棚段の内壁面及び直上に位置する多孔板製棚段の下面を
いう。
【0068】その結果、処理済PVCスラリー出口11
におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm以
下(PVC基準)へ低下したが、製品中(PVC粉)に
PVC100g当たり2個の焼け物(異物)が発生し
た。その結果を表1に併せ示す。
におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm以
下(PVC基準)へ低下したが、製品中(PVC粉)に
PVC100g当たり2個の焼け物(異物)が発生し
た。その結果を表1に併せ示す。
【0069】
【実施例3】 温水噴射リング6から多孔板製棚段毎に温
水を流量0.05m3/h/段、10min間隔で5s
ec間に亙り次記の各所へ噴射(全噴射量合計0.2m
3/h)して塔内を洗浄する以外には、実施例1におけ
ると同一に操作を行なった。ここで、塔内の各所とは、
各棚段の内壁面及び直上に位置する多孔板製棚段の下面
をいう。
水を流量0.05m3/h/段、10min間隔で5s
ec間に亙り次記の各所へ噴射(全噴射量合計0.2m
3/h)して塔内を洗浄する以外には、実施例1におけ
ると同一に操作を行なった。ここで、塔内の各所とは、
各棚段の内壁面及び直上に位置する多孔板製棚段の下面
をいう。
【0070】その結果、処理済PVCスラリー出口11
におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm以
下(PVC基準)へ低下したが、製品中(PVC粉)に
PVC100g当たり34個の焼け物(異物)が発生し
た。その結果を表1に併せ示す。
におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm以
下(PVC基準)へ低下したが、製品中(PVC粉)に
PVC100g当たり34個の焼け物(異物)が発生し
た。その結果を表1に併せ示す。
【0071】
【実施例4】 温水噴射リング6から多孔板製棚段毎に温
水を流量1.5m3/h/段、5min間隔で10se
cに亙り次記の各所へ噴射(全噴射量合計6.0m3/
h)して塔内を洗浄する以外には、実施例1におけると
同一に操作を行なった。ここで、塔内の各所とは、各棚
段の内壁面及び直上に位置する多孔板製棚段の下面をい
う。
水を流量1.5m3/h/段、5min間隔で10se
cに亙り次記の各所へ噴射(全噴射量合計6.0m3/
h)して塔内を洗浄する以外には、実施例1におけると
同一に操作を行なった。ここで、塔内の各所とは、各棚
段の内壁面及び直上に位置する多孔板製棚段の下面をい
う。
【0072】その結果、処理済PVCスラリー出口11
におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm以
下(PVC基準)へ低下し、製品(PVC粉)中のPV
C100g当たりの焼け物(異物)発生個数は0まで到
達したが、処理済PVCスラリーの濃度が23wt%に
減少した。処理済PVCスラリー濃度の減少に起因して
PVCスラリーの脱水工程における負荷が増大した。そ
の結果を表1に併せ示す。
におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm以
下(PVC基準)へ低下し、製品(PVC粉)中のPV
C100g当たりの焼け物(異物)発生個数は0まで到
達したが、処理済PVCスラリーの濃度が23wt%に
減少した。処理済PVCスラリー濃度の減少に起因して
PVCスラリーの脱水工程における負荷が増大した。そ
の結果を表1に併せ示す。
【0073】
【実施例5】 PVCスラリー処理の全期間に亙り被処理
PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノズル5を通
じて噴射圧力5.0kgf/cm2(Abs.)で連続
的に、しかも均一な面密度になる様に水蒸気を噴射して
スラリー液相内の気泡発生を抑制すると共に、抑制され
得ずに発生した気泡を極力消滅させた。この際には水蒸
気噴射量を多孔板の面積基準(/m2)で153kg/
hに設定した以外には、実施例1におけると同一に操作
を行なった。
PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノズル5を通
じて噴射圧力5.0kgf/cm2(Abs.)で連続
的に、しかも均一な面密度になる様に水蒸気を噴射して
スラリー液相内の気泡発生を抑制すると共に、抑制され
得ずに発生した気泡を極力消滅させた。この際には水蒸
気噴射量を多孔板の面積基準(/m2)で153kg/
hに設定した以外には、実施例1におけると同一に操作
を行なった。
【0074】その結果、処理済PVCスラリーの出口1
1におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm
以下(PVC基準)まで低下すると共に、製品(PVC
粉)中にPVC100g当りの焼け物(異物)の発生個
数は0個に抑制された。その結果を表1に併せ示す。
1におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm
以下(PVC基準)まで低下すると共に、製品(PVC
粉)中にPVC100g当りの焼け物(異物)の発生個
数は0個に抑制された。その結果を表1に併せ示す。
【0075】
【実施例6】 PVCスラリー処理の全期間に亙り被処理
PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノズル5を通
じて噴射圧力11.0kgf/cm2(Abs.)で連
続的に、しかも均一な面密度になる様に水蒸気を噴射し
てスラリー液相内の気泡発生を抑制すると共に、抑制さ
れ得ずに発生した気泡を極力消滅させた。この際には水
蒸気噴射量を多孔板の面積基準(/m2)で226kg
/hに設定した以外には、実施例1におけると同一に操
作を行なった。
PVCスラリー液面の上方から水蒸気噴射ノズル5を通
じて噴射圧力11.0kgf/cm2(Abs.)で連
続的に、しかも均一な面密度になる様に水蒸気を噴射し
てスラリー液相内の気泡発生を抑制すると共に、抑制さ
れ得ずに発生した気泡を極力消滅させた。この際には水
蒸気噴射量を多孔板の面積基準(/m2)で226kg
/hに設定した以外には、実施例1におけると同一に操
作を行なった。
【0076】その結果、処理済PVCスラリーの出口1
1におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm
以下(PVC基準)まで低下し、製品(PVC粉)中に
PVC100g当りの焼け物(異物)の発生個数は8個
であった。この際には、水蒸気の噴射圧力を高めに設定
することによって噴射量を増大させたことに起因して、
PVCスラリーの液面が波打ったことに加えて、気泡
(直径100〜150mm程度)が発生した。その結果
を表1に併せ示す。
1におけるPVCスラリー中の残留VC濃度は1ppm
以下(PVC基準)まで低下し、製品(PVC粉)中に
PVC100g当りの焼け物(異物)の発生個数は8個
であった。この際には、水蒸気の噴射圧力を高めに設定
することによって噴射量を増大させたことに起因して、
PVCスラリーの液面が波打ったことに加えて、気泡
(直径100〜150mm程度)が発生した。その結果
を表1に併せ示す。
【0077】
【発明の効果】本発明の方法及び処理装置を用いれば、
下記の効果を収めることができる。 ・多孔板製棚段上の被処理PVCスラリーが下方からの
水蒸気の噴射によっても泡立ちを殆ど生じない外に、上
記の区画壁を溢流する事態も流下管へ流れ込む事態も実
質的に生じない ・塔頂からVCモノマーが抜出し管を経由して凝縮器へ
侵入する事態等の好ましくない事態が防止される ・処理装置の出口から排出されるPVC粒子中に残留す
るVCモノマー量が所定の水準以下に抑えられる ・被処理PVCスラリーの泡立ちが実質的に抑制される
結果、下記の波及効果も伴う: PVC粒子が泡に同伴される事態が殆ど完全に解消され
る PVC粒子が処理塔の内壁に付着する事態も殆ど生じな
い PVC粒子が水蒸気に長時間曝されて劣化する事態も殆
ど生じない 劣化PVC粒子等の混入による異物の発生は殆ど無い。
下記の効果を収めることができる。 ・多孔板製棚段上の被処理PVCスラリーが下方からの
水蒸気の噴射によっても泡立ちを殆ど生じない外に、上
記の区画壁を溢流する事態も流下管へ流れ込む事態も実
質的に生じない ・塔頂からVCモノマーが抜出し管を経由して凝縮器へ
侵入する事態等の好ましくない事態が防止される ・処理装置の出口から排出されるPVC粒子中に残留す
るVCモノマー量が所定の水準以下に抑えられる ・被処理PVCスラリーの泡立ちが実質的に抑制される
結果、下記の波及効果も伴う: PVC粒子が泡に同伴される事態が殆ど完全に解消され
る PVC粒子が処理塔の内壁に付着する事態も殆ど生じな
い PVC粒子が水蒸気に長時間曝されて劣化する事態も殆
ど生じない 劣化PVC粒子等の混入による異物の発生は殆ど無い。
【0078】
【表1】
【図1】図1は本発明の方法に使用する処理装置を構成
する多孔板製棚段の平面見取り図である。
する多孔板製棚段の平面見取り図である。
【図2】図2は本発明の方法に使用する処理装置を構成
する多孔板製棚段部分の模式的縦断面図である。
する多孔板製棚段部分の模式的縦断面図である。
【図3】図3は本発明の方法の工程と処理装置の構成と
を示す概念的系統図である。
を示す概念的系統図である。
1 本発明の処理装置に組込まれた最上段の多孔板製棚
段 2 本発明の処理装置に組込まれた多孔板 3 本発明の塔型処理装置の外郭を形成する胴板 4 本発明の処理装置に組込まれた多孔板製棚段の下流
端からの流下管 5 本発明の処理装置に組込まれた多孔板製棚段の上方
に設けられた水蒸気噴射ノズル 6 本発明の処理装置に組込まれた温水噴射リング 7 本発明の処理装置に組込まれた最上段の多孔板製棚
段への被処理PVCスラリー装入口 8 本発明の処理装置における塔頂室 9 本発明の処理装置における塔底室 10 本発明の処理装置塔頂からの混合蒸気出口 11 本発明の処理装置に組込まれた最下段の多孔板製
棚段からの処理済みPVCスラリー出口 12 本発明の処理装置塔底への水蒸気導入口 13 本発明の処理装置本体 14 本発明の処理装置へ装入される被処理PVCスラ
リーのスラリータンク15 本発明の処理装置塔頂から
出た混合蒸気の凝縮器 16 本発明の処理装置から排出された処理済みPVC
スラリーの受入れ槽 17 本発明の処理装置に設置された熱交換器 18 本発明の処理装置へ被処理PVCスラリーを装入
するスラリーポンプ 19 本発明の処理装置から処理済みPVCスラリーを
排出するスラリーポンプ 20 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 21 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 22 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 23 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 1a 本発明の処理装置に組込まれた第2段の多孔板製
棚段 1b 本発明の処理装置に組込まれた第3段の多孔板製
棚段 1c 本発明の処理装置に組込まれた第4段(図3では
最下段)の多孔板製棚段 γ 温水噴射リングの噴射ノズル軸と鉛直方向との交差
角度 θ 水蒸気噴射機構から下方へ噴射される水蒸気の円錐
面における頂角
段 2 本発明の処理装置に組込まれた多孔板 3 本発明の塔型処理装置の外郭を形成する胴板 4 本発明の処理装置に組込まれた多孔板製棚段の下流
端からの流下管 5 本発明の処理装置に組込まれた多孔板製棚段の上方
に設けられた水蒸気噴射ノズル 6 本発明の処理装置に組込まれた温水噴射リング 7 本発明の処理装置に組込まれた最上段の多孔板製棚
段への被処理PVCスラリー装入口 8 本発明の処理装置における塔頂室 9 本発明の処理装置における塔底室 10 本発明の処理装置塔頂からの混合蒸気出口 11 本発明の処理装置に組込まれた最下段の多孔板製
棚段からの処理済みPVCスラリー出口 12 本発明の処理装置塔底への水蒸気導入口 13 本発明の処理装置本体 14 本発明の処理装置へ装入される被処理PVCスラ
リーのスラリータンク15 本発明の処理装置塔頂から
出た混合蒸気の凝縮器 16 本発明の処理装置から排出された処理済みPVC
スラリーの受入れ槽 17 本発明の処理装置に設置された熱交換器 18 本発明の処理装置へ被処理PVCスラリーを装入
するスラリーポンプ 19 本発明の処理装置から処理済みPVCスラリーを
排出するスラリーポンプ 20 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 21 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 22 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 23 本発明の処理装置に組込まれた区画壁 1a 本発明の処理装置に組込まれた第2段の多孔板製
棚段 1b 本発明の処理装置に組込まれた第3段の多孔板製
棚段 1c 本発明の処理装置に組込まれた第4段(図3では
最下段)の多孔板製棚段 γ 温水噴射リングの噴射ノズル軸と鉛直方向との交差
角度 θ 水蒸気噴射機構から下方へ噴射される水蒸気の円錐
面における頂角
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内 田 誠 一 千葉県千葉市美浜区真砂2−23−1− 606 (56)参考文献 特開 昭56−22305(JP,A) 特開 昭54−8693(JP,A) 特開 昭54−131687(JP,A) 特開 昭54−62171(JP,A) 特開 平3−65202(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08F 6/00 - 6/24 C08F 14/06 B01D 19/02
Claims (23)
- 【請求項1】 残留ビニルモノマー含有塩化ビニル樹脂
スラリーをその下方から導入される水蒸気で加熱及び攪
拌処理すると共に、該スラリー液面の上方から液面に対
して水蒸気を噴射すること及び該スラリーからの飛散物
又は揮発後の凝固物を温水噴射によって洗浄する操作を
施すことを特徴とする残留ビニルモノマー含有量の低い
樹脂粉体の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の方法において、該スラ
リー液面の上方から噴射される水蒸気の圧力をその噴射
開始点において1kgf/cm2(Abs.)よりも大
とする残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造方
法。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の方法において、
該スラリーの上方から噴射される水蒸気の噴射圧を1.
1〜11kgf/cm2(Λbs.)とする残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項4】 請求項1〜3の何れかに記載の方法にお
いて、該スラリーの上方から噴射される水蒸気を過熱蒸
気とする残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造
方法。 - 【請求項5】 請求項1〜4の何れかに記載の方法にお
いて、該スラリーが処理に供されてから終了するまでの
期間内は押出し流れに近い状態で流れることを特徴とす
る残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項6】 請求項1〜5の何れかに記載の方法にお
いて、該スラリーの温度を70〜150℃に保つ残留ビ
ニルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項7】 請求項1〜6の何れかに記載の方法にお
いて、スラリー液面の上方から該液面に対して円錐体状
に噴射される水蒸気の円錐面の頂角θが30〜150度
である残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造方
法。 - 【請求項8】 請求項1〜7の何れかに記載の方法にお
いて、該スラリーに下方からも供給される水蒸気の量を
各操作当たり1〜100Kg/h/m2とする残留ビニ
ルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項9】 請求項1〜8の何れかに記載の方法にお
いて、噴射される温水の温度が該スラリーの温度±10
℃である残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製
造方法。 - 【請求項10】 請求項1〜9の何れかに記載の方法に
おいて、該温水噴射を90min以下の間隔で行なう残
留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造方法。 - 【請求項11】 請求項1〜10の何れかに記載の方法
において、該温水噴射を60min以下の間隔で行なう
残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項12】 請求項1〜11の何れかに記載の方法
において、該温水噴射を1sec以上行なう残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項13】 請求項1〜12の何れかに記載の方法
において、該温水噴射を5sec以上行なう残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体製造方法。 - 【請求項14】 請求項1〜13に記載の何れかの方法
において、該温水噴射量は1操作当たり0.1〜50m
3/h/m2とする残留ビニルモノマー含有量の低い樹
脂粉体製造方法。 - 【請求項15】 残留ビニルモノマー含有塩化ビニル樹
脂スラリーから該ビニルモノマーを分離除去する為に、
下記の(a)〜(e)に記載された手段を備えているこ
とを特徴とする残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉
体の製造装置: (a)該塔内に設けられた1以上の多孔板製棚段、 (b)該多孔板製棚板上に設けられた該スラリーの処理
通路、 (c)該処理通路の下方から水蒸気を導入する手段、 (d)該スラリー液面の上方から液面に対して水蒸気を
噴射する手段 (e)該多孔板製棚段に対して直上の多孔板製棚段の下
方に位置して温水を水平よりも上方へ噴射する温水噴射
リング。 - 【請求項16】 請求項15に記載の装置において、該
スラリーの処理通路が多孔板製棚段の上で区画壁によっ
て溝状に区分された一連の通路を形成すると共に、該ス
ラリー液面の上方から該液面に対して水蒸気を噴射円錐
面の頂角(θ)が30〜150度の範囲で噴射する機構
を備えていることを特徴とする残留ビニルモノマー含有
量の低い樹脂粉体の製造装置。 - 【請求項17】 請求項15又は16に記載の装置にお
いて、多孔板製棚段に設けられた細孔の平均直径が5m
m以下である残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体
の製造装置。 - 【請求項18】 請求項15〜17の何れかに記載の装
置において、多孔板製棚段の開口率(=細孔面積総和/
多孔板全面積)が0.01〜10%である残留ビニルモ
ノマー含有量の低い樹脂粉体の製造装置。 - 【請求項19】 請求項15〜18の何れかに記載の装
置において、該水蒸気噴射機構が該スラリー液面の上方
50〜1000mmの高さに位置する残留ビニルモノマ
ー含有量の低い樹脂粉体の製造装置。 - 【請求項20】 請求項15〜19の何れかに記載の装
置において、該温水噴射リングの噴射ノズルが直上多孔
板製棚段の下方50〜500mmに位置する残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体の製造装置。 - 【請求項21】 請求項15〜20の何れかに記載の装
置において、該温水噴射リングがパイプからなる最大直
径150〜2000mmのリング状体で、パイプ壁に平
均直径1〜8mmの透孔を複数個有する残留ビニルモノ
マー含有量の低い樹脂粉体の製造装置。 - 【請求項22】 請求項15〜21の何れかに記載の装
置において、該温水噴射リングがパイプからなる最大直
径150〜2000mmの平面形状において略リング状
体で、パイプ壁に最大幅1〜8mmのスリットを複数個
有する残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造
装置。 - 【請求項23】 請求項15〜22の何れかに記載の装
置において、該温水噴射リングの噴射ノズル軸と鉛直方
向との交差角度(γ)が10〜60度である残留ビニル
モノマー含有量の低い樹脂粉体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280633A JP3029075B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 塩化ビニル樹脂スラリーの水蒸気処理による残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4280633A JP3029075B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 塩化ビニル樹脂スラリーの水蒸気処理による残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06107723A JPH06107723A (ja) | 1994-04-19 |
| JP3029075B2 true JP3029075B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17627777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4280633A Expired - Fee Related JP3029075B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 塩化ビニル樹脂スラリーの水蒸気処理による残留ビニルモノマー含有量の低い樹脂粉体の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029075B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12129318B2 (en) | 2020-09-25 | 2024-10-29 | Lg Chem, Ltd. | Method for preparing vinyl chloride-based polymer |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3709568B2 (ja) * | 1994-02-07 | 2005-10-26 | チッソ株式会社 | 残留モノマー除去処理法およびそれに用いる残留モノマー除去処理塔 |
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1992
- 1992-09-25 JP JP4280633A patent/JP3029075B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12129318B2 (en) | 2020-09-25 | 2024-10-29 | Lg Chem, Ltd. | Method for preparing vinyl chloride-based polymer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH06107723A (ja) | 1994-04-19 |
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