JP3011113B2 - 基板の研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
基板の研磨方法及び研磨装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は終点検知方法に関
し、特に化学的機械的研磨（Chemicao MechanicalPolis
hing ：ＣＭＰ）法を用いた金属膜の研磨方法汲び研磨
装置に関するものである。
し、特に化学的機械的研磨（Chemicao MechanicalPolis
hing ：ＣＭＰ）法を用いた金属膜の研磨方法汲び研磨
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体基板
（ウェハ）の表面に形成した金属膜をＣＭＰ法により研
磨する工程が行われるが、この研磨を好適に行うために
は、その研磨の終点を正確に判定して研磨を終了させる
必要がある。この研磨の終点判定の第１の技術として、
図５に特開平６−１２０１８３号公報に記載の技術を示
すように、回転する定盤を用いた技術がある。この技術
では、研磨するウェハ２１をキャリア２２に保持し、か
つ回転される定盤２３の表面には開口２４ａを有する研
磨パッド２４を設けておき、キャリア２２を用いてウェ
ハ２１の表面を研磨パッド２４に押圧させ、かつ研磨パ
ッド２４の表面に研磨剤としてのスラリを供給源２５か
ら供給しながらキャリア２２と定盤２３を回転すること
で、ウェハの表面をＣＭＰ研磨する。このとき、前記研
磨パッド２４の開口２４ａ中に存在するスラリ中のイオ
ンが、定盤側とウェハ側の配線層を介して導通状態とさ
れるため、これらの間に電源２６により通電を行い、そ
の際の電流を電流計２７によって検出する。この検出し
た電流値はウェハ表面での残存膜厚によって変化される
ため、この検出電流を監視することで研磨の終点が可能
となる。。
（ウェハ）の表面に形成した金属膜をＣＭＰ法により研
磨する工程が行われるが、この研磨を好適に行うために
は、その研磨の終点を正確に判定して研磨を終了させる
必要がある。この研磨の終点判定の第１の技術として、
図５に特開平６−１２０１８３号公報に記載の技術を示
すように、回転する定盤を用いた技術がある。この技術
では、研磨するウェハ２１をキャリア２２に保持し、か
つ回転される定盤２３の表面には開口２４ａを有する研
磨パッド２４を設けておき、キャリア２２を用いてウェ
ハ２１の表面を研磨パッド２４に押圧させ、かつ研磨パ
ッド２４の表面に研磨剤としてのスラリを供給源２５か
ら供給しながらキャリア２２と定盤２３を回転すること
で、ウェハの表面をＣＭＰ研磨する。このとき、前記研
磨パッド２４の開口２４ａ中に存在するスラリ中のイオ
ンが、定盤側とウェハ側の配線層を介して導通状態とさ
れるため、これらの間に電源２６により通電を行い、そ
の際の電流を電流計２７によって検出する。この検出し
た電流値はウェハ表面での残存膜厚によって変化される
ため、この検出電流を監視することで研磨の終点が可能
となる。。
【０００３】あるいは、第２の技術としての特開平６−
２１６０９５号公報に記載の技術は、図６に示すよう
に、ウェハ３１の研磨に際して回転（自転）されるキャ
リア３２の回転数をモータ３５において回転計３６で測
定し、回転が常に一定になるように制御装置３７で回転
数を制御する。このような条件を用いて研磨を実行する
と、ウェハ表面の平坦化が進行するにつれて、キャリア
３２にかかるトルクは小さくなる。このトルクは研磨抵
抗測定手段であるトルク計３８にて測定される。そして
測定トルクが蝕和状憑になった時を研磨の終点として判
定する。３３はモータ３３ａで回転駆動され、表面に研
磨パッドを有する定盤、３４はスラリ供給源である。
２１６０９５号公報に記載の技術は、図６に示すよう
に、ウェハ３１の研磨に際して回転（自転）されるキャ
リア３２の回転数をモータ３５において回転計３６で測
定し、回転が常に一定になるように制御装置３７で回転
数を制御する。このような条件を用いて研磨を実行する
と、ウェハ表面の平坦化が進行するにつれて、キャリア
３２にかかるトルクは小さくなる。このトルクは研磨抵
抗測定手段であるトルク計３８にて測定される。そして
測定トルクが蝕和状憑になった時を研磨の終点として判
定する。３３はモータ３３ａで回転駆動され、表面に研
磨パッドを有する定盤、３４はスラリ供給源である。
【０００４】さらに、研磨されるウェハの膜厚や表面状
態を光学的に検出して終点を判定する技術も提案されて
いる。例えば、第３の技術として特開平７−２８３１７
８号公報に記載の技術では、研磨されるウェハの表面側
から裏面側に赤外光等のエネルギを供給し、このエネル
ギがウェハを透過した後のエネルギ変化を検出すること
でウェハの膜厚を検出して研磨の終点を検出する技術が
提案されている。この技術では、赤外光がウェハを透過
する際に、原子及び結合原子に固有の波長のエネルギ吸
収が起きるため、このエネルギ吸収量をモニターするこ
とで研磨の終点を判定している。あるいは、第４の技術
として特開平８−１７７６８号公報に記載の技術よう
に、研磨されるウェハを研磨の途中で光学センサ上に移
動させ、可視光線を利用した光学手法によりウェハある
いは研磨膜の膜厚を測定することでその終点を判定する
技術も提案されている。
態を光学的に検出して終点を判定する技術も提案されて
いる。例えば、第３の技術として特開平７−２８３１７
８号公報に記載の技術では、研磨されるウェハの表面側
から裏面側に赤外光等のエネルギを供給し、このエネル
ギがウェハを透過した後のエネルギ変化を検出すること
でウェハの膜厚を検出して研磨の終点を検出する技術が
提案されている。この技術では、赤外光がウェハを透過
する際に、原子及び結合原子に固有の波長のエネルギ吸
収が起きるため、このエネルギ吸収量をモニターするこ
とで研磨の終点を判定している。あるいは、第４の技術
として特開平８−１７７６８号公報に記載の技術よう
に、研磨されるウェハを研磨の途中で光学センサ上に移
動させ、可視光線を利用した光学手法によりウェハある
いは研磨膜の膜厚を測定することでその終点を判定する
技術も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来の第１の
技術では、ウェハ連続研磨時での電流がどのウェハでも
常に一定範囲にはないため、その都度設定を行う必要が
あり、研磨作業が面倒なものとなる。これは第２の技術
におけるトルク変化を検出する場合についても同じであ
る。その理由は、第１の技術では、研磨パッドの開口内
に常に一定量、一定濃度のスラリが入り込んではおら
ず、また、ウェハ表面及び研磨パッドのパターンの違い
による電流値のバラツキも発生するからである。第２の
技術では、仮に研磨パッド表面再生の為のドレッシング
を行っても、研磨パッド表面は常に劣化していくのでト
ルクの変化（シフト）は必ず起きてしまうからである。
技術では、ウェハ連続研磨時での電流がどのウェハでも
常に一定範囲にはないため、その都度設定を行う必要が
あり、研磨作業が面倒なものとなる。これは第２の技術
におけるトルク変化を検出する場合についても同じであ
る。その理由は、第１の技術では、研磨パッドの開口内
に常に一定量、一定濃度のスラリが入り込んではおら
ず、また、ウェハ表面及び研磨パッドのパターンの違い
による電流値のバラツキも発生するからである。第２の
技術では、仮に研磨パッド表面再生の為のドレッシング
を行っても、研磨パッド表面は常に劣化していくのでト
ルクの変化（シフト）は必ず起きてしまうからである。
【０００６】また、前記した第３の技術では、特定の膜
を対象としてその成分から膜厚を検出しているが、高精
度に研磨対象膜の構成化学成分を検知することが困難で
あり、したがって膜厚を高精度に検出することは困難で
ある。その理由は、多層化、かつ高集積化したウェハ表
面の構造の中で１層のみの化学成分を精度よく検出する
のは困難であるからである。また、異なる材料の膜厚を
検出する際には、その設定をやり直す必要がある。さら
に、第４の技術では、研磨を中断してウェハの測定を行
うため、研磨時間以外の測定時間が必要となり、研磨の
スループットが低下することになる。その理由は、ウェ
ハを保持しているキャリアを研磨パッド上から、光学セ
ンサ上へ移動するからである。
を対象としてその成分から膜厚を検出しているが、高精
度に研磨対象膜の構成化学成分を検知することが困難で
あり、したがって膜厚を高精度に検出することは困難で
ある。その理由は、多層化、かつ高集積化したウェハ表
面の構造の中で１層のみの化学成分を精度よく検出する
のは困難であるからである。また、異なる材料の膜厚を
検出する際には、その設定をやり直す必要がある。さら
に、第４の技術では、研磨を中断してウェハの測定を行
うため、研磨時間以外の測定時間が必要となり、研磨の
スループットが低下することになる。その理由は、ウェ
ハを保持しているキャリアを研磨パッド上から、光学セ
ンサ上へ移動するからである。
【０００７】本発明の目的は、研磨の終点を高精度に判
定して所要の研磨を正確に行うことを可能にした基板の
研磨終点判定方法と研磨装置を提供することにある。
定して所要の研磨を正確に行うことを可能にした基板の
研磨終点判定方法と研磨装置を提供することにある。
【０００８】
【発明を解決するための手段】本発明の研磨方法は、キ
ャリアに支持して研磨を行う基板の反りの状態を検出し
て基板の研磨の終点を判定することを特徴とする。すな
わち、基板の反りが反転したときを終点と判定する。ま
た、基板の反りは、基板の裏面一部とキャリアとの距離
を測定し、測定距離が予め設定された距離にまで低減さ
れたときに終点と判定する。また、この基板の裏面一部
とキャリアとの距離は、基板の裏面での光反射の時間情
報から求めることが好ましい。
ャリアに支持して研磨を行う基板の反りの状態を検出し
て基板の研磨の終点を判定することを特徴とする。すな
わち、基板の反りが反転したときを終点と判定する。ま
た、基板の反りは、基板の裏面一部とキャリアとの距離
を測定し、測定距離が予め設定された距離にまで低減さ
れたときに終点と判定する。また、この基板の裏面一部
とキャリアとの距離は、基板の裏面での光反射の時間情
報から求めることが好ましい。
【０００９】また、本発明の研磨装置は、表面に研磨パ
ッドが形成されて回転駆動される定盤と、この定盤上で
回転可能でかつ定盤の表面に対して往復移動可能に構成
されて研磨される基板を保持するキャリアと、前記研磨
パッドの表面に研磨剤を供給する手段とを備えており、
キャリアに保持した基板を研磨パッドに押し当て、研磨
剤と研磨パッドとにより基板の表面を研磨する研磨装置
において、キャリアに設けられて基板の反り状態を検出
する手段と、この反り状態に基づいて定盤、キャリア、
研磨剤供給手段の各研磨動作を停止させる手段とを備え
ることを特徴とする。ここで、基板の反り状態を検出す
る手段は、基板の裏面と、この基板の裏面に対向される
キャリア内面との距離を測定し、この測定された距離の
変化に基づいて反りの反転を検出する手段として構成さ
れる。例えば、基板の反り状態を検出する手段は、基板
の裏面に対して光を投射し、かつその反射光を受光する
までの時間を測定する手段と、この測定された時間に基
づいて距離を計算する手段で構成される。また、この時
間を測定する手段は、円形板状をした基板の周辺部に対
向する位置に配置される。
ッドが形成されて回転駆動される定盤と、この定盤上で
回転可能でかつ定盤の表面に対して往復移動可能に構成
されて研磨される基板を保持するキャリアと、前記研磨
パッドの表面に研磨剤を供給する手段とを備えており、
キャリアに保持した基板を研磨パッドに押し当て、研磨
剤と研磨パッドとにより基板の表面を研磨する研磨装置
において、キャリアに設けられて基板の反り状態を検出
する手段と、この反り状態に基づいて定盤、キャリア、
研磨剤供給手段の各研磨動作を停止させる手段とを備え
ることを特徴とする。ここで、基板の反り状態を検出す
る手段は、基板の裏面と、この基板の裏面に対向される
キャリア内面との距離を測定し、この測定された距離の
変化に基づいて反りの反転を検出する手段として構成さ
れる。例えば、基板の反り状態を検出する手段は、基板
の裏面に対して光を投射し、かつその反射光を受光する
までの時間を測定する手段と、この測定された時間に基
づいて距離を計算する手段で構成される。また、この時
間を測定する手段は、円形板状をした基板の周辺部に対
向する位置に配置される。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の研磨
装置の全体構成を示す概略構成図であり、回転軸１ａに
よって自転される円形板状をした定盤１の表面には研磨
パッド２が一体に設けられている。この定盤１は、モー
タや変速機等で構成される定盤回転駆動部３により回転
駆動される。また、前記定盤１の上方位置には、研磨す
る半導体基板（ウェハ）４を保持するキャリア５が配置
される。さらに、このキャリア５に隣接する位置には、
研磨剤としてのスラリを前記研磨パッド上に供給するた
めのスラリ供給管６と、スラリ供給制御部７が設けられ
る。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の研磨
装置の全体構成を示す概略構成図であり、回転軸１ａに
よって自転される円形板状をした定盤１の表面には研磨
パッド２が一体に設けられている。この定盤１は、モー
タや変速機等で構成される定盤回転駆動部３により回転
駆動される。また、前記定盤１の上方位置には、研磨す
る半導体基板（ウェハ）４を保持するキャリア５が配置
される。さらに、このキャリア５に隣接する位置には、
研磨剤としてのスラリを前記研磨パッド上に供給するた
めのスラリ供給管６と、スラリ供給制御部７が設けられ
る。
【００１１】前記キャリア５は、図２（ａ），（ｂ）に
その拡大断面図と底面図を示すように、回転軸５ａによ
り回転される下向きの浅皿状に形成されており、その周
縁部には飛出し防止リング８が、底面部には裏面パッド
９がそれぞれ設けられ、これら飛出しリング８と裏面パ
ッド９との間に前記半導体基板４を支承するように構成
される。前記回転軸５ａはモータや減速機等で構成され
るキャリア回転駆動部１０により回転駆動される。ま
た、このキャリア回転駆動部１０を制御し、あるいはキ
ャリア５の上下移動を制御するためのキャリア動作制御
部１１が設けられる。
その拡大断面図と底面図を示すように、回転軸５ａによ
り回転される下向きの浅皿状に形成されており、その周
縁部には飛出し防止リング８が、底面部には裏面パッド
９がそれぞれ設けられ、これら飛出しリング８と裏面パ
ッド９との間に前記半導体基板４を支承するように構成
される。前記回転軸５ａはモータや減速機等で構成され
るキャリア回転駆動部１０により回転駆動される。ま
た、このキャリア回転駆動部１０を制御し、あるいはキ
ャリア５の上下移動を制御するためのキャリア動作制御
部１１が設けられる。
【００１２】また、前記キャリア５の裏面パッド９の周
囲複数箇所、ここでは円周方向に４分した位置にそれぞ
れ光学センサ１２を配置している。この光学センサ１２
の構造の説明は省略するが、内蔵された発光素子で発光
した光をキャリアの下方に出射させ、その反射光を内蔵
された受光素子で受光してその際の時間を検出すること
で、これから裏面パッド９とウェハ４の表面との距離を
測定することが可能とされるものである。前記光学セン
サ１２には光学センサ測定部１３が接続されており、こ
の光学センサ測定部１３はＣＰＵ１４に接続される。そ
して、このＣＰＵ１４には、前記光学センサ１３て測定
した距離に基づいて研磨の終点を判定する終点判定部１
５が接続され、この終点判定部１５には、前記した定盤
回転駆動部３、スラリ供給制御部７、キャリア動作制御
部１１がそれぞれ接続されている。なお、この実施形態
では、前記裏面パッド９はスエードタイプのような湿式
発泡体（連続発泡体）で構成され、飛び出し防止リング
８は結晶性ポリアセタールのようなプラスチックが用い
られる。また、光学センサ１２では測定用の光として可
視光線、或いは赤外領域のレーザ光線を用いている。
囲複数箇所、ここでは円周方向に４分した位置にそれぞ
れ光学センサ１２を配置している。この光学センサ１２
の構造の説明は省略するが、内蔵された発光素子で発光
した光をキャリアの下方に出射させ、その反射光を内蔵
された受光素子で受光してその際の時間を検出すること
で、これから裏面パッド９とウェハ４の表面との距離を
測定することが可能とされるものである。前記光学セン
サ１２には光学センサ測定部１３が接続されており、こ
の光学センサ測定部１３はＣＰＵ１４に接続される。そ
して、このＣＰＵ１４には、前記光学センサ１３て測定
した距離に基づいて研磨の終点を判定する終点判定部１
５が接続され、この終点判定部１５には、前記した定盤
回転駆動部３、スラリ供給制御部７、キャリア動作制御
部１１がそれぞれ接続されている。なお、この実施形態
では、前記裏面パッド９はスエードタイプのような湿式
発泡体（連続発泡体）で構成され、飛び出し防止リング
８は結晶性ポリアセタールのようなプラスチックが用い
られる。また、光学センサ１２では測定用の光として可
視光線、或いは赤外領域のレーザ光線を用いている。
【００１３】次に、本発明の実施の形態における研磨動
作の全体の流れについて説明する。研磨されるウェハ４
をキャリア５の裏面パッド９と飛出しリング８の内部に
内挿し、かつキャリア動作制御部１１によりキャリア５
を下動してウェハ４を定盤１の研磨パッド２上に当接す
る。そして、定盤回転駆動部３により定盤１を回転駆動
するとともに、キャリア回転駆動部１０によりキャリア
５を回転させる。さらに、スラリ供給制御部７によりス
ラリ供給管６から研磨パッド２上にスラリを供給する。
これにより、ウェハ４は研磨パッド２とスラリとにより
その表面のＣＭＰ研磨が実行されることになる。
作の全体の流れについて説明する。研磨されるウェハ４
をキャリア５の裏面パッド９と飛出しリング８の内部に
内挿し、かつキャリア動作制御部１１によりキャリア５
を下動してウェハ４を定盤１の研磨パッド２上に当接す
る。そして、定盤回転駆動部３により定盤１を回転駆動
するとともに、キャリア回転駆動部１０によりキャリア
５を回転させる。さらに、スラリ供給制御部７によりス
ラリ供給管６から研磨パッド２上にスラリを供給する。
これにより、ウェハ４は研磨パッド２とスラリとにより
その表面のＣＭＰ研磨が実行されることになる。
【００１４】そして、この研磨の終点の判定動作は、図
３にフローチャートを示すように、光学センサ１２にお
いて、その光線出射からウェハ４の裏面での反射光の受
光までの時間情報を光学センサ測定部１３に入力する。
さらに、この光学センサ測定部１３からの出力はＣＰＵ
１４に入力され、このＣＰＵ１４において時間情報が距
離情報に変換され、終点判定部１５に入力される。終点
判定部１５では、この距離情報の変化状態を随時検出
し、この検出値が予め設定された距離にまで低減される
たときに研磨の終点と判定し、研磨の終点信号が出力さ
れる。この終点信号の出力先はスラリ供給制御部７、キ
ャリア動作制御部１１、定盤回転駆動部３である。ま
ず、スラリ供給制御部７に終点信号が入力してスラリの
供給を停止させる。続いて、キャリア動作制御部１１に
入力した終点信号により、キャリア５を上方に移動させ
て研磨庄力を０とし、さらに研磨パッド２との接触状態
から離脱させる。そして、キャリア動作制御部１１から
キャリア回転駆動部１０に終点信号が伝達され、キャリ
ア５の回転が停止する。最後に、定盤回転駆動部３に入
力した終点信号により、定盤１の回転が停止し全体の研
磨動作が終了する。
３にフローチャートを示すように、光学センサ１２にお
いて、その光線出射からウェハ４の裏面での反射光の受
光までの時間情報を光学センサ測定部１３に入力する。
さらに、この光学センサ測定部１３からの出力はＣＰＵ
１４に入力され、このＣＰＵ１４において時間情報が距
離情報に変換され、終点判定部１５に入力される。終点
判定部１５では、この距離情報の変化状態を随時検出
し、この検出値が予め設定された距離にまで低減される
たときに研磨の終点と判定し、研磨の終点信号が出力さ
れる。この終点信号の出力先はスラリ供給制御部７、キ
ャリア動作制御部１１、定盤回転駆動部３である。ま
ず、スラリ供給制御部７に終点信号が入力してスラリの
供給を停止させる。続いて、キャリア動作制御部１１に
入力した終点信号により、キャリア５を上方に移動させ
て研磨庄力を０とし、さらに研磨パッド２との接触状態
から離脱させる。そして、キャリア動作制御部１１から
キャリア回転駆動部１０に終点信号が伝達され、キャリ
ア５の回転が停止する。最後に、定盤回転駆動部３に入
力した終点信号により、定盤１の回転が停止し全体の研
磨動作が終了する。
【００１５】図４はその研磨動作の一例を工程順に示す
図である。ここでは、図４（ａ１）のように、ウェハ４
の表面上に下絶縁膜膜４１、配線としてＴｉ膜４２、Ｔ
ｉＮ膜４３、ＡｌＣｕ膜４４、ＴｉＮ膜４５の積層金属
配線、層間絶縁膜としてバイアスＥＣＲＳｉＯ2 膜４
６、金属配線上に開口しているスルーホールをＴｉＮ膜
４７、ブランケットＷ膜４８で埋設した構造が形成され
ているものとする。そして、このウェハ４は図４（ａ
２）に示すように、前記キャリア５内に内挿され裏面パ
ッド９に裏面において支持される。この状態では、ウェ
ハ４の表面上にブランケットＷ膜４８が形成されている
ため、その機械的な強度によってウェハ４は上方に凸の
状態に反った状態となっている。したがって、このとき
に光学センサ１２で検出されるウェハ４の裏面の周辺部
と裏面パッド９との距離Ｌ０は比較的に大きなものとな
っている。このとき、ウェハ４のストレスは５００Ｍｐ
ａで、反り量は４０μｍ程度であった。
図である。ここでは、図４（ａ１）のように、ウェハ４
の表面上に下絶縁膜膜４１、配線としてＴｉ膜４２、Ｔ
ｉＮ膜４３、ＡｌＣｕ膜４４、ＴｉＮ膜４５の積層金属
配線、層間絶縁膜としてバイアスＥＣＲＳｉＯ2 膜４
６、金属配線上に開口しているスルーホールをＴｉＮ膜
４７、ブランケットＷ膜４８で埋設した構造が形成され
ているものとする。そして、このウェハ４は図４（ａ
２）に示すように、前記キャリア５内に内挿され裏面パ
ッド９に裏面において支持される。この状態では、ウェ
ハ４の表面上にブランケットＷ膜４８が形成されている
ため、その機械的な強度によってウェハ４は上方に凸の
状態に反った状態となっている。したがって、このとき
に光学センサ１２で検出されるウェハ４の裏面の周辺部
と裏面パッド９との距離Ｌ０は比較的に大きなものとな
っている。このとき、ウェハ４のストレスは５００Ｍｐ
ａで、反り量は４０μｍ程度であった。
【００１６】このウェハを図１の研磨装置を用いて、定
盤回転数５０ｒｐｍ、キャリア回転数４０ｒｐｍ、研磨
圧力５．０ｐｓｉ、裏面圧力０ｐｓｉ、スラリ供給流量
１００ｃｃ／ｍｉｎの条件で研磨を行った。用いたスラ
リの粒子種はアルミナ粒子、溶液のｐＨは４前後であっ
た。図４（ｂ１）にはブランケットＷ膜４８の研磨途中
の状態を示している。この時のウェハ４は、図４（ｂ
２）に示すように、ブランケットＷ膜４８の膜厚の減少
によってその反り量が低減され、したがって光学センサ
１２で検出される裏面パッド９とウェハ４の裏面との距
離Ｌ１は前記Ｌ０よりも低減される。
盤回転数５０ｒｐｍ、キャリア回転数４０ｒｐｍ、研磨
圧力５．０ｐｓｉ、裏面圧力０ｐｓｉ、スラリ供給流量
１００ｃｃ／ｍｉｎの条件で研磨を行った。用いたスラ
リの粒子種はアルミナ粒子、溶液のｐＨは４前後であっ
た。図４（ｂ１）にはブランケットＷ膜４８の研磨途中
の状態を示している。この時のウェハ４は、図４（ｂ
２）に示すように、ブランケットＷ膜４８の膜厚の減少
によってその反り量が低減され、したがって光学センサ
１２で検出される裏面パッド９とウェハ４の裏面との距
離Ｌ１は前記Ｌ０よりも低減される。
【００１７】引き続いて研磨を行っていくと、図４（ｃ
１）に示すようにブランケットＷ膜４８とＴｉＮ膜４７
が除去されて、Ｗプラグが形成される。この時、図４
（ｃ２）に示すように、ウェハ４は表面のブランケット
Ｗ膜４８が完全に除去されるため、その機械力が解消さ
れて研磨前の反りとは逆の下方に凸の形状になってい
る。このため、ウェハ４の裏面周辺部における裏面パッ
ド９との距離Ｌ２は更に短いものとなり、これを光学セ
ンサ１２により検出することで、ウェハの反りの反転が
検出でき、これにより終点判定部１５における研磨の終
点が判定されることになる。この終点の判定において
は、図４に示したフローチャートに伴う動作が行われる
ことは前記した通りである。
１）に示すようにブランケットＷ膜４８とＴｉＮ膜４７
が除去されて、Ｗプラグが形成される。この時、図４
（ｃ２）に示すように、ウェハ４は表面のブランケット
Ｗ膜４８が完全に除去されるため、その機械力が解消さ
れて研磨前の反りとは逆の下方に凸の形状になってい
る。このため、ウェハ４の裏面周辺部における裏面パッ
ド９との距離Ｌ２は更に短いものとなり、これを光学セ
ンサ１２により検出することで、ウェハの反りの反転が
検出でき、これにより終点判定部１５における研磨の終
点が判定されることになる。この終点の判定において
は、図４に示したフローチャートに伴う動作が行われる
ことは前記した通りである。
【００１８】したがって、この研磨においては、ウェハ
４の反りの状態を検出することで研磨の終点が判定でき
るため、単にウェハの表面状態を検出するための手段を
設ければよく、従来のような複雑な測定機器が不要にな
る。また、特定の膜のみを対象とした研磨の終点検出手
法ではないため、ウェハの表面上の膜の種類如何にかか
わらず研磨の終点を高精度の判定することが可能とな
り、適切な研磨が実現できる。また、終点の判定は研磨
の進行と同時に判定できるため、研磨の効率が低下され
ることはない。
４の反りの状態を検出することで研磨の終点が判定でき
るため、単にウェハの表面状態を検出するための手段を
設ければよく、従来のような複雑な測定機器が不要にな
る。また、特定の膜のみを対象とした研磨の終点検出手
法ではないため、ウェハの表面上の膜の種類如何にかか
わらず研磨の終点を高精度の判定することが可能とな
り、適切な研磨が実現できる。また、終点の判定は研磨
の進行と同時に判定できるため、研磨の効率が低下され
ることはない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板の裏
面一部とキャリアとの距離を測定して基板の反りを検出
し、基板の反りが反転したときを終点と判定する。ま
た、測定した距離が予め設定された距離にまで低減され
たときに終点と判定する。特に、基板の裏面での光反射
の時間情報から基板の裏面一部とキャリアとの距離を求
めて研磨される基板の反りの状態を検出することで基板
表面での膜状態を検出し、基板の研磨終点を判定してい
るため、基板の表面の膜、スラリ、研磨パッド等の種類
によらずに正確に終点検知が行なうことができ、不必要
な過剰研磨を防止するとともに、ウェハ表面のパターン
による反りのばらつきやウェハ間のストレス（反り）の
ばらつきがほとんど無いために、ウェハの連続研磨を行
なう場合でもその設定範囲を変更する必要がなく、研磨
作業が複雑化されることはない。また、研磨を中断する
ことなく、研磨の進行と同時に基板の研磨終点が判定で
きるため、研磨の時間効率が高められ、基板１枚当たり
における研磨時間を短縮して研磨のスループットが向上
する。
面一部とキャリアとの距離を測定して基板の反りを検出
し、基板の反りが反転したときを終点と判定する。ま
た、測定した距離が予め設定された距離にまで低減され
たときに終点と判定する。特に、基板の裏面での光反射
の時間情報から基板の裏面一部とキャリアとの距離を求
めて研磨される基板の反りの状態を検出することで基板
表面での膜状態を検出し、基板の研磨終点を判定してい
るため、基板の表面の膜、スラリ、研磨パッド等の種類
によらずに正確に終点検知が行なうことができ、不必要
な過剰研磨を防止するとともに、ウェハ表面のパターン
による反りのばらつきやウェハ間のストレス（反り）の
ばらつきがほとんど無いために、ウェハの連続研磨を行
なう場合でもその設定範囲を変更する必要がなく、研磨
作業が複雑化されることはない。また、研磨を中断する
ことなく、研磨の進行と同時に基板の研磨終点が判定で
きるため、研磨の時間効率が高められ、基板１枚当たり
における研磨時間を短縮して研磨のスループットが向上
する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、研磨され
る基板の反りの状態を検出することで基板表面での膜状
態を検出し、基板の研磨終点を判定しているため、基板
の表面の膜、スラリ、研磨パッド等の種類によらずに正
確に終点検知が行なうことができ、不必要な過剰研磨を
防止するとともに、ウェハ表面のパターンによる反りの
ばらつきやウェハ間のストレス（反り）のばらつきがほ
とんど無いために、ウェハの連続研磨を行なう場合でも
その設定範囲を変更する必要がなく、研磨作業が複雑化
されることはない。また、研磨を中断することなく、研
磨の進行と同時に基板の研磨終点が判定できるため、研
磨の時間効率が高められ、基板１枚当たりにおける研磨
時間を短縮して研磨のスループットが向上する。
る基板の反りの状態を検出することで基板表面での膜状
態を検出し、基板の研磨終点を判定しているため、基板
の表面の膜、スラリ、研磨パッド等の種類によらずに正
確に終点検知が行なうことができ、不必要な過剰研磨を
防止するとともに、ウェハ表面のパターンによる反りの
ばらつきやウェハ間のストレス（反り）のばらつきがほ
とんど無いために、ウェハの連続研磨を行なう場合でも
その設定範囲を変更する必要がなく、研磨作業が複雑化
されることはない。また、研磨を中断することなく、研
磨の進行と同時に基板の研磨終点が判定できるため、研
磨の時間効率が高められ、基板１枚当たりにおける研磨
時間を短縮して研磨のスループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研磨装置の実施形態の槻略構成を示す
図である。
図である。
【図２】キャリアの拡大断面図とその底面図である。
【図３】終点判定動作を説明するためのフローチャート
である。
である。
【図４】ウェハの研磨状態と終点判定動作との関係を工
程順に示す図である。
程順に示す図である。
【図５】従来の第１の技術を説明するための図である。
【図６】従来の第２の技術を説明するための図である。
１ 定盤 ２ 研磨パッド ３ 定盤回転駆動部 ４ ウェハ ５ キャリア ６ スラリ供給管 ９ 裏面パッド １０ キャリア回転駆動部 １１ キャリア動作制御部 １２ 光学センサ １３ 光学センサ測定部 １４ ＣＰＵ １５ 終点判定部
Claims (7)
- 【請求項１】 表面に膜を有する基板をキャリアに保持
し、前記キャリアにより前記基板を研磨パッドに押し当
てて前記基板表面の前記膜の研磨を行う基板の研磨方法
において、前記基板の裏面の一部と前記キャリアとの距
離を、前記基板の前記裏面での光反射の時間情報から求
めることにより、測定して前記基板の反りの状態を検出
し、前記距離が予め設定された距離にまで低減された時
に前記基板の前記膜の研磨の終点と判定することを特徴
とする基板の研磨方法。 - 【請求項２】 定盤の表面に研磨パッドが形成されて回
転駆動され、キャリアが前記定盤上で回転可能でかつ前
記定盤の表面に対して往復移動可能に構成され表面の膜
が研磨される基板を保持し、前記研磨パッドの表面に研
磨剤が供給され、前記キャリアに保持した前記基板を前
記研磨パッドに押し当て、前記研磨剤と前記研磨パッド
とにより前記基板の表面を研磨する基板の研磨方法にお
いて、前記基板の裏面と前記基板の裏面に対向される前
記キャリア内面との距離を測定し前記基板の反りの状態
を検出し、測定された前記距離の変化に基づいて反りの
反転を検出することにより前記基板の前記膜の研磨の終
点を判定し、前記研磨の終点が判定されたら前記定盤、
前記キャリア、前記研磨剤供給手段の各研磨動作を停止
させることを特徴とする基板の研磨方法。 - 【請求項３】 定盤の表面に研磨パッドが形成されて回
転駆動され、キャリアが前記定盤上で回転可能でかつ前
記定盤の表面に対して往復移動可能に構成され表面の膜
が研磨される基板を保持し、前記研磨パッドの表面に研
磨剤が供給され、前記キャリアに保持した前記基板を前
記研磨パッドに押し当て、前記研磨剤と前記研磨パッド
とにより前記基板の表面を研磨する基板の研磨方法にお
いて、前記基板の裏面と前記基板の裏面に対向される前
記キャリア内面との距離を測定し前記基板の反りの状態
を検出し、前記距離が予め設定された距離にまで低減さ
れた時に前記基板の前記膜の研磨の終点と判定し、前記
研磨の終点が判定されたら前記定盤、前記キャリア、前
記研磨剤供給手段の各研磨動作を停止させることを特徴
とする基板の研磨方法。 - 【請求項４】 表面に研磨パッドが形成されて回転駆動
される定盤と、前記定盤上で回転可能でかつ前記定盤の
表面に対して往復移動可能に構成されて表面 の膜が研磨
される基板を保持するキャリアと、前記研磨パッドの表
面に研磨剤を供給する手段とを備え、前記キャリアに保
持した前記基板を前記研磨パッドに押し当て、前記研磨
剤と前記研磨パッドとにより前記基板の表面を研磨する
研磨装置において、前記基板の裏面と前記基板の裏面に
対向される前記キャリア内面との距離を測定し前記基板
の反り状態を検出し、測定された前記距離の変化に基づ
いて反りの反転を検出することにより前記基板の前記膜
の研磨の終点を判定する手段と、前記研磨の終点が判定
されたら前記定盤、前記キャリア、前記研磨剤供給手段
の各研磨動作を停止させる手段とを備えることを特徴と
する基板の研磨装置。 - 【請求項５】 表面に研磨パッドが形成されて回転駆動
される定盤と、前記定盤上で回転可能でかつ前記定盤の
表面に対して往復移動可能に構成されて表面の膜が研磨
される基板を保持するキャリアと、前記研磨パッドの表
面に研磨剤を供給する手段とを備え、前記キャリアに保
持した前記基板を前記研磨パッドに押し当て、前記研磨
剤と前記研磨パッドとにより前記基板の表面を研磨する
研磨装置において、前記基板の裏面と前記基板の裏面に
対向される前記キャリア内面との距離を測定し前記基板
の反り状態を検出し、前記距離が予め設定された距離に
まで低減された時に前記基板の前記膜の研磨の終点を判
定する手段と、前記研磨の終点が判定されたら前記定
盤、前記キャリア、前記研磨剤供給手段の各研磨動作を
停止させる手段とを備えることを特徴とする基板の研磨
装置。 - 【請求項６】 前記研磨の終点を判定する手段が、前記
基板の前記裏面に対して光を投射し、かつ該光の反射光
を受光するまでの時間を測定する手段と、該時間に基づ
いて前記距離を計算する手段とを含む請求項４または５
に記載の基板の研磨装置。 - 【請求項７】 前記時間を測定する手段は、円形板状を
した前記基板の前記裏面の周辺部に対向する位置に配置
される請求項６に記載の基板の研磨装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30526796A JP3011113B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 基板の研磨方法及び研磨装置 |
| US08/967,951 US5938502A (en) | 1996-11-15 | 1997-11-12 | Polishing method of substrate and polishing device therefor |
| KR1019970060194A KR100335456B1 (ko) | 1996-11-15 | 1997-11-14 | 기판의연마방법및그의연마장치 |
| CN97125230A CN1093790C (zh) | 1996-11-15 | 1997-11-15 | 基片的抛光方法及其抛光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30526796A JP3011113B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 基板の研磨方法及び研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10146753A JPH10146753A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3011113B2 true JP3011113B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17943052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30526796A Expired - Lifetime JP3011113B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 基板の研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5938502A (ja) |
| JP (1) | JP3011113B2 (ja) |
| KR (1) | KR100335456B1 (ja) |
| CN (1) | CN1093790C (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
| US6191038B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-02-20 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
| FR2780552B1 (fr) * | 1998-06-26 | 2000-08-25 | St Microelectronics Sa | Procede de polissage de plaquettes de circuits integres |
| US6152808A (en) * | 1998-08-25 | 2000-11-28 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic substrate polishing systems, semiconductor wafer polishing systems, methods of polishing microelectronic substrates, and methods of polishing wafers |
| US6201253B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-03-13 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting a planarized outer layer of a semiconductor wafer with a confocal optical system |
| US6937915B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for detecting transitions of wafer surface properties in chemical mechanical polishing for process status and control |
| US6696005B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-02-24 | Strasbaugh | Method for making a polishing pad with built-in optical sensor |
| CN101530983B (zh) * | 2002-10-17 | 2011-03-16 | 株式会社荏原制作所 | 抛光状态监测装置和抛光装置以及方法 |
| US6997777B2 (en) * | 2003-06-17 | 2006-02-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Ultrasonic welding method for the manufacture of a polishing pad comprising an optically transmissive region |
| JP2005123485A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| US6955588B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization |
| US20050220986A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Superpower, Inc. | Superconductor fabrication processes |
| EP1853406A1 (en) * | 2005-01-21 | 2007-11-14 | Ebara Corporation | Substrate polishing method and apparatus |
| KR100716935B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2007-05-14 | 두산디앤디 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 화학기계적 연마장치용 로딩디바이스 |
| KR101587226B1 (ko) | 2008-07-31 | 2016-01-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 웨이퍼의 연마 방법 및 양면 연마 장치 |
| CN103921207B (zh) * | 2013-01-10 | 2017-12-05 | 新源蓝宝石科技（深圳）有限公司 | 精磨抛光机 |
| MY180533A (en) * | 2014-03-17 | 2020-12-01 | Shinetsu Chemical Co | Methods for working synthetic quartz glass substrate having a mirror-like surface and method for sensing synthetic quartz glass substrate |
| CN105081974B (zh) * | 2014-05-07 | 2019-02-19 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 电化学抛光终点检测装置及方法 |
| WO2016194931A1 (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | 並木精密宝石株式会社 | 基板の反りのｉｎ－ｓｉｔｕ観察装置及び結晶成長装置 |
| JP2017185589A (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| JP7081544B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2022-06-07 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010870B2 (ja) * | 1979-04-20 | 1985-03-20 | 日本電信電話株式会社 | 薄基板のそり修正装置 |
| US5081796A (en) * | 1990-08-06 | 1992-01-21 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer |
| US5196353A (en) * | 1992-01-03 | 1993-03-23 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer |
| JP3187162B2 (ja) * | 1992-10-08 | 2001-07-11 | 富士通株式会社 | 研磨装置及び半導体装置 |
| JP3177549B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2001-06-18 | 松下電子工業株式会社 | ウェハ研磨量の検出装置及びウェハ研磨量の検出方法 |
| JPH06252113A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の平坦化方法 |
| JPH0724708A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-27 | Toshiba Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
| JP3326443B2 (ja) * | 1993-08-10 | 2002-09-24 | 株式会社ニコン | ウエハ研磨方法及びその装置 |
| JP3311116B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
| US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| US5413941A (en) * | 1994-01-06 | 1995-05-09 | Micron Technology, Inc. | Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes |
| JP3270282B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2002-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH07299732A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-14 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハの研磨方法および研磨装置 |
| JP3311864B2 (ja) * | 1994-06-30 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08174411A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
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