JP3008176B2 - プラズマ処理方法及び処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理方法及
び処理装置に関し、特に一つのプラズマ処理室で被処理
材に対して迅速かつ均質な成膜ができ、また複数の成膜
処理を行うことのできるプラズマ処理方法及び処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２つの処理を一つの処理装置で行
なうものとして特開平３−１２０３６２号が知られてい
る。この処理装置は、複数の処理室を連続的に配置し
て、被処理材を処理装置の一方から他方へ搬送し、その
途中の処理室毎にそれぞれの処理を行なうようにしてい
る。

【０００３】また、別の装置として、特開平３−９７８
６２号が知られている。この装置は、入口槽と出口槽と
の間に中間真空槽を設け、この中間真空槽の両側に成膜
処理槽を設け、中間真空槽より被処理材をそれぞれの成
膜処理槽に搬出入するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前者の装置は、被処理
材を移動させつつ成膜処理を行うことができるので、被
処理材に対し均一な成膜を行うことができる。しかしな
がら、被処理材に対し膜厚を厚くしたい場合、一つの処
理室で行うと一層で膜厚を仕上げる必要がある。成膜の
種類によっては、同じ膜厚にするのに多層で仕上げた方
が早い場合がある。この装置では、多層で仕上げる場合
複数の成膜室を必要とし、しかも被処理材を一方向に搬
送するため、各成膜室の前後に入口室、出口室を設ける
必要があり、処理装置全体が長くなる。

【０００５】また、後者の装置では、被処理材を停止さ
せて成膜処理を行うので、被処理材に対し均一な成膜が
できない。加えて、成膜を複数層で仕上げる場合、複数
の処理室を必要とし、処理装置全体が長くなるという問
題点がある。

【０００６】また、それぞれの装置では、個々の処理を
行なうために個々の処理室を必要とし、しかも、それぞ
れに真空ポンプ、電源、配管等が必要になりコスト高に
なる。

【０００７】そこで、本発明の課題は、１つのプラズマ
処理室を有する処理装置で、多層又は複数の成膜処理を
実現できるプラズマ処理方法を提供することにある。

【０００８】本発明の他の課題は、前記プラズマ処理方
法に適したプラズマ処理装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、被処理
材を室の一端と他端との間で往復移動させる搬送部を備
えた搬送室に隣接してプラズマ処理室を設けて、前記搬
送部により移動する前記被処理材をプラズマ処理可能と
し、前記プラズマ処理室内には複数のハースを設けてそ
れぞれのハースに異なる蒸着物質を収納し、前記搬送部
により一方向に移動する前記被処理材に対して前記異な
る蒸着物質におけるいずれか一つによる成膜処理を行
い、前記搬送部により反対方向に移動する前記被処理材
に対して前記異なる蒸着物質のうち前記一つの蒸着物質
とは異なる蒸着物質による成膜処理を行うことを特徴と
するプラズマ処理方法が得られる。

【００１０】なお、前記搬送室の一端に隣接して更に、
前記搬送部に対する前記被処理材の移し替えを行うため
のハンドリング装置を備えたハンドリング室を設け、該
ハンドリング室に隣接して前記被処理材の出し入れを行
うための出入口室を設け、前記ハンドリング装置により
前記出入口室と前記搬送室との間の前記被処理材の移し
替えを行うようにしても良い。

【００１１】また、前記ハンドリング室に隣接して更に
前記被処理材の加熱室を設け、前記被処理材を前記加熱
室で加熱後、前記ハンドリング装置で前記搬送室に移し
て処理を行うようにしても良い。

【００１２】本発明によれば、また、被処理材を室の一
端と他端との間で往復移動させる搬送部を備えた搬送室
と、この搬送室に隣接して設けられたプラズマ処理室
と、前記搬送室に隣接して設けられて前記被処理材の出
し入れを行うための出入口室とを含み、前記プラズマ処
理室は、その上部に前記搬送室に連通可能な開口を有
し、該開口を通して前記搬送部により移動する前記被処
理材に対してプラズマ処理を行うことができるように前
記搬送室の下部に設けられており、前記搬送部は、前記
プラズマ処理室の前記上部開口部分を通過して前記往復
移動を行う前記被処理材搭載用の搬送台を備え、該搬送
台には前記プラズマ処理室に向けて前記被処理材を露出
させるための開口が設けられていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置が得られる。

【００１３】なお、前記出入口室と前記搬送室との間
に、これらの間で前記被処理材の移し替えを行うための
ハンドリング装置を備えたハンドリング室を設けること
が好ましい。

【００１４】また、前記ハンドリング室に隣接して更に
前記被処理材の加熱室を設けるようにしても良い。

【００１５】本発明によれば、更に、被処理材を室の一
端と他端との間で往復移動させる搬送部を備えた搬送室
と、この搬送室に隣接して設けられたプラズマ処理室
と、前記搬送室に隣接して設けられて前記被処理材の移
し替えを行うためのハンドリング装置を備えたハンドリ
ング室と、前記搬送室に直角な方向で前記ハンドリング
室に隣接して設けられた入口室と、前記ハンドリング室
の前記入口室とは反対側に設けられた出口室とを含み、
前記プラズマ処理室は、その上部に前記搬送室に連通可
能な開口を有し、該開口を通して前記搬送部により移動
する前記被処理材に対してプラズマ処理を行うことがで
きるように前記搬送室の下部に設けられており、前記搬
送部は、前記プラズマ処理室の前記上部開口部分を通過
して前記往復移動を行う前記被処理材搭載用の搬送台を
備え、該搬送台には前記プラズマ処理室に向けて前記被
処理材を露出させるための開口が設けられていることを
特徴とするプラズマ処理装置が得られる。

【００１６】なお、前記ハンドリング室と前記入口室、
前記出口室との間に、少なくとも一方に別の処理室と備
えるようにしても良い。

【００１７】また、前記搬送室には、前記ハンドリング
装置からの前記被処理材を前記搬送部に移し替えるため
の掴み装置を設けることが好ましい。

【００１８】前記ハンドリング装置は、前記ハンドリン
グ室内で昇降可能であることが好ましい。

【００１９】更に、前記出入口室には、昇降可能な多段
の棚を設けても良い。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１は本発明によるプラズマ処理
装置の全体正面図、図２は図１の平面図である。この例
では、プラズマ処理装置１は、被処理材の出入口室１
０、被処理材のハンドリング室２０、被処理材の加熱室
３０、被処理材の搬送室４０、被処理材の成膜室６０、
すなわちプラズマ処理室を有している。なお、各室の間
にはそれぞれ、各室を遮断するためのゲート弁２，３，
４が設けられ密閉可能な構造にされている。また、図示
していないが、それぞれの室を真空にするための真空ポ
ンプがそれぞれに接続配置されている。出入口室１０、
ハンドリング室２０、加熱室３０、搬送室４０はそれぞ
れ、架台５、６、７、８で支持されている。

【００２１】図３はハンドリング室２０及びその周辺の
平面断面図である。出入口室１０は、出入口室本体１１
と出入口室本体１１のハンドリング室２０側に設けられ
た開口部１２と、被処理材９を載置する載置台１３と、
被処理材９を搬出入するための開口部１４と、その開口
部１４を開閉する扉１５とから成る。

【００２２】ハンドリング室２０は、ハンドリング室本
体２１と、該ハンドリング室本体２１の出入口室１０
側、加熱室３０側、及び搬送室４０側にそれぞれ設けら
れた開口部２２、２３、２４と、被処理材９を移し替え
るためのロボット２５とから成る。ロボット２５は、ハ
ンドリング室本体２１に枢支された下アーム２６と、下
アーム２６の先端に枢支された上アーム２７と、この上
アーム２７の先端に枢支された被処理材９の支持台２８
と、それぞれの下アーム２６，上アーム２７を駆動する
モータ２９とから成る。なお、ロボット２５は、アーム
が伸縮するタイプのものでも良い。更に、全体を昇降さ
せるようにしても良い。

【００２３】加熱室３０は、加熱室本体３１と該加熱室
本体３１のハンドリング室２０側に設けられた開口部３
２と、被処理材９を載置する載置台３３と、図示しない
加熱源とから成る。

【００２４】図４は搬送室４０と成膜室６０の拡大正面
断面図、図５は図４のＡ矢視断面図で、図６は図４のＢ
矢視断面図である。搬送室４０は、搬送室本体４１と、
該搬送室本体４１のハンドリング室２０側に設けられた
開口部４２と、搬送室本体４１の長手方向に略全長にわ
たって設けられた走行レール４３と、該走行レール４３
上を走行する搬送台車４４と、該搬送台車４４を移動さ
せるチェーン（又はベルト）４５と、チェーン４５と台
車４４を連結するブラケット４６と、チェーン４５に係
合するスプロケット４７と、スプロケット４７を駆動す
る可変速なモータ４８と、スプロケット軸４９と、搬送
台車４４に設けられて載置された被処理材９を係止する
ための複数の爪５０とから成る。なお、搬送台車４４の
被処理材９の載置面に対応する領域には、開口部５１が
形成されている。これは、搬送台車４４上の被処理材
９、特に下面側を成膜室６０に露出させるためのもので
ある。

【００２５】更に、搬送室本体４１のハンドリング室２
０側には、被処理材９をロボット２５と搬送台車４４と
の間で受け渡しする装置が設けられている。この受け渡
し装置は、被処理材９をハンドリングする掴み具５２
と、掴み具５２を支持するガイドロッド５３と、ガイド
ロッド５３を案内するガイド５４と、ガイドロッド５３
を連結する連結部材５５と、掴み具５２を昇降させるシ
リンダ機構５６とから成る。搬送室本体４１の長手方向
中間部下面には開口部５７が形成されている。

【００２６】成膜室６０は、真空容器６１とその上面に
形成された開口部６２と、真空容器６１の側壁に設けら
れたプラズマガン６３と、真空容器６１の下面に支持台
６４を介して設けられた主ハース６５とから成る。

【００２７】図示の成膜室６０はイオンプレーティング
装置の例であり、その詳細は、図７を参照して説明す
る。真空容器６１の側壁に設けられた筒状部１１２には
圧力勾配型のプラズマガン６３が装着されている。プラ
ズマガン６３は、陰極１１４により一端が閉塞されたガ
ラス管１１５を備えている。このガラス管１１５内で
は、ＬａＢ₆ による円盤１１６、タンタルＴａによるパ
イプ１１７を内蔵したモリブデンＭｏによる円筒１１８
が陰極１１４に固定されている。パイプ１１７は、アル
ゴンＡｒ、ヘリウムＨｅ等の不活性ガスからなるキャリ
アガス１１８をプラズマガン６３内に導入するためのも
のである。

【００２８】ガラス管１１５の陰極１１４と反対側の端
部と筒状部１１２との間には、第１、第２の中間電極１
１９、１２０が同心的に配置されている。第１の中間電
極（第１のグリッド）１１９内にはプラズマビームを収
束するための環状永久磁石１２１が内蔵されている。第
２の中間電極１２０（第２のグリッド）内にもプラズマ
ビームを収束するための電磁石コイル１２２が内蔵され
ている。この電磁石コイル１２２は電源１２３から給電
される。

【００２９】プラズマガン６３が装着された筒状部１１
２の周囲には、プラズマビームを真空容器６１内に導く
ステアリングコイル１２４が設けられている。このステ
アリングコイル１２４はステアリングコイル用の電源１
２５により励磁される。陰極１１４と第１、第２の中間
電極１１９、１２０との間にはそれぞれ、垂下抵抗器１
２６、１２７を介して、可変電圧型の主電源１２８が接
続されている。

【００３０】真空容器６１の内側の底部には、主ハース
６５とその周囲に配置された環状の補助ハース１３１が
設置されている。主ハース６５は、プラズマガン６３か
らのプラズマビームが入射する凹部を有し，ＩＴＯ（イ
ンジウムースズ酸化物）タブレットのような蒸発物質を
収納している。

【００３１】主ハース６５及び補助ハース１３１はいず
れも熱伝導率の良い導電性材料、例えば、銅が使用され
る。主ハース６５に対して補助ハース１３１は、絶縁物
を介して取り付けられている。また、主ハース６５と補
助ハース１３１は、抵抗１４８を介して接続されてい
る。主ハース６５は、主電源１２８の正側に接続されて
いる。従って、主ハース６５は、プラズマガン６３に対
してそのプラズマビームが吸引される陽極を構成してい
る。

【００３２】補助ハース１３１内には環状永久磁石１３
５と電磁石コイル１３６とが収容され、ハースコイル電
源１３８から給電される。この場合、励磁された電磁石
コイル１３６における中心側の磁界の向きは、環状永久
磁石１３５により発生する中心側の磁界と同じ向きにな
るように構成される。ハースコイル電源１３８は可変電
源であり、電圧を変化させることにより、電磁石コイル
１３６に供給する電流を変化できる。搬送台車４４は、
真空容器６１に対しては電気的に絶縁支持されている。
真空容器６１と搬送台車４４との間にはバイアス電源１
４５が接続されている。このことにより、搬送台車４４
はゼロ電位に接続された真空容器６１に対して負電位に
バイアスされている。

【００３３】補助ハース１３１はハース切り替えスイッ
チ１４６を介して主電源１２８の正側に接続されてい
る。主電源１２８には、これと並列に垂下抵抗器１２９
と補助放電電源１４７とがスイッチＳ１を介して接続さ
れている。

【００３４】このイオンプレーティング装置は、成膜の
場合には、プラズマガン６３の陰極と真空容器６１内の
主ハース６５との間で放電を生じさせ、これによりプラ
ズマビーム（図示せず）を生成する。このプラズマビー
ムはステアリングコイル１２４と補助ハース１３１内の
環状永久磁石１３５により決定される磁界に案内されて
主ハース６５に到達する。主ハース６５に収納された蒸
発物質はプラズマビームにより加熱されて蒸発する。こ
の蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化され、負電
圧が印加された被処理材９の表面に付着し、被膜が形成
される。

【００３５】搬送台車４４には、カラーフィルタ等に樹
脂系皮膜が塗布された硝子板等の被処理材９を載せてお
き、真空容器６１を排気する。被処理材９に加熱が必要
ならば加熱室３０で加熱しておく。処理圧力まで真空容
器６１が排気された後、電磁石コイル１２２、１３６、
ステアリングコイル１２４にある設定された電流を通電
し、スイッチ１４６の導通をオフにし、キャリアガス１
１８を真空容器６１内に流入させ、プラズマガン６３に
より主ハース６５との間で放電を行う。その結果、補助
ハース１３１は抵抗１４８により持上げられた中間電極
となり、放電電流は、主ハース６５に流入し、主ハース
６５上にセットされた蒸発物質は蒸気化し、真空容器６
１内に存在するプラズマにより、励起、イオン化、加熱
等をされ、被処理材９上に成膜される。

【００３６】本発明装置の具体的な動作について説明す
る。予めハンドリング室２０、加熱室３０、搬送室４
０、成膜室６０を真空引きしておく。被処理材９を出入
口室１０の扉１５から出入口室１０内に搬入し、載置台
１３に載置する。その後、出入口室１０を真空引きし、
ゲート弁２を開にしてロボット２５で、被処理材９をハ
ンドリングする。被処理材９をハンドリング室２０に搬
入後、ゲート弁２を閉じると共にゲート弁３を開にし
て、被処理材９を加熱室３０に入れる。ゲート弁３を閉
じて、被処理材９を加熱後、ゲート弁３を開にして、ロ
ボット２５で被処理材９を取り出し、ゲート弁３を閉
じ、ゲート弁４を開にして、被処理材９を掴み具５２に
あづける。その後、ゲート弁４を閉じ、被処理材９は掴
み具５２から搬送台車４４の爪５０に載置される。その
後、搬送台車４４が走行して、他端側に移動する。その
際、プラズマガン６３により被処理材９の表面を成膜処
理（イオンプレーティング）を行う。搬送台車４４が他
端側からハンドリング室２０側に移動する際に、被処理
材９に２層目の成膜処理を行なう。膜厚によっては、搬
送台車４４を複数回往復移動させて被処理材９の表面に
多層の成膜処理を行う。また、搬送台車４４の移動速度
を層毎に変化させて成膜速度を向上させることができ
る。その後、被処理材９は、搬送台車４４から掴み具５
２をへてロボット２５から出入口室１０に搬送される。

【００３７】このように、本発明によるプラズマ処理装
置では、一つの成膜装置で被処理材に対して多層の成膜
を行なうので、装置がコンパクトになると共に、コスト
の削減になる。

【００３８】なお、本発明では、成膜装置として、イオ
ンプレーティング以外に、スパッタリング、ＣＶＤも行
なうことができる。更に、被処理材として、ガラス、樹
脂（プラスチック）板があげられる。

【００３９】また、真空容器６１内に複数の、例えば２
個の主ハース６５を設け、この２個の主ハースに異なる
蒸着物質を収納し、搬送台車４４が一方向に走行する
際、一方の蒸着物質を被処理材９の表面に成膜処理し、
搬送台車４４が他方向に走行する際、他方の蒸着物質を
被処理材９の表面に成膜処理を行うようにしても良い。

【００４０】また、出入口室１０を入口室専用とし、別
に、ハンドリング室２０に隣接して出口室を設けるよう
にしても良い。

【００４１】ロボット２５のアーム２６，２７が昇降す
るタイプでは、掴み具５２は必要無い。この場合、出入
口室１０の載置台１３を複数段設けることにより、被処
理材９の各室との受け渡しを効率よく行なうことが出来
る。例えば、処理前の被処理材９を上段に載置しておけ
ば、処理後の被処理材９を下段に載置後、処理前の被処
理材９をハンドリングすることができる。

【００４２】また、図８に示す如く、出入口室８０に被
処理材９を多段に載置できる昇降棚８１を設け、該昇降
棚８１をシリンダ機構８２で昇降させる様にしてもよ
い。この場合、昇降棚８１に収納している被処理材９を
連続して処理できるし、掴み具５２は必要無い。８３は
扉である。

【００４３】更に、図９に示す如く、被処理材９を多段
に昇降可能に載置できる出入口室８０にハンドリング室
２０を介して搬送室４０を設け、搬送室４０の他側には
別のハンドリング室９０を介して被処理材９を一時保管
する出入口室８０と略同構造の一時保管室１００を設け
る。この処理装置では、出入口室８０からの被処理材を
連続して搬送室４０に搬入し、連続して被処理材９の成
膜処理を行ない、その成膜処理された被処理材９をハン
ドリング室９０のロボットを介して一時保管室１００に
収納する。すべての被処理材９に対して成膜処理が終了
すると、今度は一時保管室１００から被処理材９を連続
して搬送室４０に送り、他の成膜処理を行なう。

【００４４】更にまた、図１０に示す如く、搬送室４０
の被処理材９の搬送方向に対し直角な方向で、ハンドリ
ング室２０に隣接して入口室１５０と出口室１６０を設
けるか、あるいは室１５０と室１６０とをそれぞれ処理
室（加熱又はスパッタリング室等）にし、処理室１５０
に隣接して入口室１７を設け、処理室１６０に隣接して
出口室１８０を設けても良い。この処理装置では、被処
理材９を入口室から出口室方向に流れるようにし、被処
理材９に対しプラズマ処理を行う場合のみ搬送室４０に
被処理材９を搬入して処理を行う。

【００４５】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明のプラ
ズマ処理方法及び装置によれば、一つの成膜装置で被処
理材に対する複数層の成膜及び複数の異なる成膜を行な
うことができるので、装置をコンパクトにできると共
に、コストの削減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマ処理装置の全体正面図で
ある。

【図２】図１の装置の平面図である。

【図３】図１に示されたハンドリング室及びその周辺の
平面断面図である。

【図４】図１に示された搬送室と成膜室の拡大正面断面
図である。

【図５】図４のＡ矢視断面図である。

【図６】図４のＢ矢視断面図である。

【図７】本発明に使用される成膜室としてのイオンプレ
ーティング装置の縦断面図である。

【図８】出入口室の他の例を説明するための断面図であ
る。

【図９】本発明によるプラズマ処理装置の他の例を示す
平面図である。

【図１０】本発明によるプラズマ処理装置の更に他の例
を示す平面図である。

【符号の説明】

１ プラズマ処理装置 １０ 出入口室 ２０ ハンドリング室 ３０ 加熱室 ４０ 搬送室 ６０ 成膜室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−330293（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−221035（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−69316（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−67909（ＪＰ，Ａ) 実開 平７−36441（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−55429（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭51−20356（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/68

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理材を室の一端と他端との間で往復
   移動させる搬送部を備えた搬送室に隣接してプラズマ処
   理室を設けて、前記搬送部により移動する前記被処理材
   をプラズマ処理可能とし、前記プラズマ処理室内には複
   数のハースを設けてそれぞれのハースに異なる蒸着物質
   を収納し、前記搬送部により一方向に移動する前記被処
   理材に対して前記異なる蒸着物質におけるいずれか一つ
   による成膜処理を行い、前記搬送部により反対方向に移
   動する前記被処理材に対して前記異なる蒸着物質のうち
   前記一つの蒸着物質とは異なる蒸着物質による成膜処理
   を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 前記搬送室の一端に隣接して更に、前記
   搬送部に対する前記被処理材の移し替えを行うためのハ
   ンドリング装置を備えたハンドリング室を設け、該ハン
   ドリング室に隣接して前記被処理材の出し入れを行うた
   めの出入口室を設け、前記ハンドリング装置により前記
   出入口室と前記搬送室との間の前記被処理材の移し替え
   を行うことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方
   法。
3. 【請求項３】 前記ハンドリング室に隣接して更に前記
   被処理材の加熱室を設け、前記被処理材を前記加熱室で
   加熱後、前記ハンドリング装置で前記搬送室に移して処
   理を行うことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理
   方法。
4. 【請求項４】 被処理材を室の一端と他端との間で往復
   移動させる搬送部を備えた搬送室と、 この搬送室に隣接して設けられたプラズマ処理室と、 前記搬送室に隣接して設けられて前記被処理材の出し入
   れを行うための出入口室とを含み、前記プラズマ処理室は、その上部に前記搬送室に連通可
   能な開口を有し、該開口を通して前記搬送部により移動
   する前記被処理材に対してプラズマ処理を行うことがで
   きるように前記搬送室の下部に設けられており、 前記搬送部は、前記プラズマ処理室の前記上部開口部分
   を通過して前記往復移動を行う前記被処理材搭載用の搬
   送台を備え、該搬送台には前記プラズマ処理室に向けて
   前記被処理材を露出させるための開口が設けられている
   ことを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 前記出入口室と前記搬送室との間に、こ
   れらの間で前記被処理材の移し替えを行うためのハンド
   リング装置を備えたハンドリング室を設けたことを特徴
   とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 前記ハンドリング室に隣接して更に前記
   被処理材の加熱室を設けたことを特徴とする請求項５記
   載のプラズマ処理装置。
7. 【請求項７】 被処理材を室の一端と他端との間で往復
   移動させる搬送部を備えた搬送室と、 この搬送室に隣接して設けられたプラズマ処理室と、 前記搬送室に隣接して設けられて前記被処理材の移し替
   えを行うためのハンドリング装置を備えたハンドリング
   室と、 前記搬送室に直角な方向で前記ハンドリング室に隣接し
   て設けられた入口室と、 前記ハンドリング室の前記入口室とは反対側に設けられ
   た出口室とを含み、前記プラズマ処理室は、その上部に前記搬送室に連通可
   能な開口を有し、該開口を通して前記搬送部により移動
   する前記被処理材に対してプラズマ処理を行うことがで
   きるように前記搬送室の下部に設けられており、 前記搬送部は、前記プラズマ処理室の前記上部開口部分
   を通過して前記往復移動を行う前記被処理材搭載用の搬
   送台を備え、該搬送台には前記プラズマ処理室に向けて
   前記被処理材を露出させるための開口が設けられている
   ことを特徴とするプラズマ処理装置。
8. 【請求項８】 前記ハンドリング室と前記入口室、前記
   出口室との間に、少なくとも一方に別の処理室を備えた
   ことを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
9. 【請求項９】 前記搬送室には、前記ハンドリング装置
   からの前記被処理材を前記搬送部に移し替えるための掴
   み装置を設けたことを特徴とする請求項５または７記載
   のプラズマ処理装置。
10. 【請求項１０】 前記ハンドリング装置は、前記ハンド
    リング室内で昇降可能であることを特徴とする請求項５
    または７記載のプラズマ処理装置。
11. 【請求項１１】 前記出入口室には、昇降可能な多段の
    棚を設けたことを特徴とする請求項５記載のプラズマ処
    理装置。
12. 【請求項１２】 前記プラズマ処理室内には複数のハー
    スを設けてそれぞれのハースに異なる蒸着物質を収納
    し、前記搬送部により一方向に移動する前記被処理材に
    対して前記異なる蒸着物質におけるいずれか一つによる
    プラズマ処理を行い、前記搬送部により反対方向に移動
    する前記被処理材に対して前記異なる蒸着物質のうち前
    記一つの蒸着物質とは異なる蒸着物質によるプラズマ処
    理を行うことを特徴とする請求項４または７記載のプラ
    ズマ処理装置。