JP3075381B2 - 投影露光装置及び転写方法 - Google Patents
投影露光装置及び転写方法Info
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- JP3075381B2 JP3075381B2 JP04061127A JP6112792A JP3075381B2 JP 3075381 B2 JP3075381 B2 JP 3075381B2 JP 04061127 A JP04061127 A JP 04061127A JP 6112792 A JP6112792 A JP 6112792A JP 3075381 B2 JP3075381 B2 JP 3075381B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフ技術を用いて製造す
る際に使用される投影露光装置に関する。
液晶表示素子等をフォトリソグラフ技術を用いて製造す
る際に使用される投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等の回路パターンの形成に
は、一般にフォトリソグラフ技術と呼ばれる工程が必要
である。この工程には通常、レチクル(マスク)パター
ンを半導体ウエハ等の基板上に転写する方法が採用され
る。基板上には、感光性のフォトレジストが塗布されて
おり、照射光像、即ちレチクルパターンの透明部分のパ
ターン形状に応じて、フォトレジストに回路パターンが
転写される。投影露光装置(例えばステッパー)では、
レチクル上に描画された転写すべき回路パターンの像
が、投影光学系を介して基板(ウエハ)上に投影、結像
される。
は、一般にフォトリソグラフ技術と呼ばれる工程が必要
である。この工程には通常、レチクル(マスク)パター
ンを半導体ウエハ等の基板上に転写する方法が採用され
る。基板上には、感光性のフォトレジストが塗布されて
おり、照射光像、即ちレチクルパターンの透明部分のパ
ターン形状に応じて、フォトレジストに回路パターンが
転写される。投影露光装置(例えばステッパー)では、
レチクル上に描画された転写すべき回路パターンの像
が、投影光学系を介して基板(ウエハ)上に投影、結像
される。
【0003】また、レチクルを照明するための照明光学
系中には、フライアイレンズ、ファイバー等のオプティ
カルインテグレータが使用されており、レチクル上に照
射される照明光の強度分布が均一化される。その均一化
を最適に行なうためにフライアイレンズを用いた場合、
レチクル側焦点面(射出面側)とレチクル面(パターン
面)とはほぼフーリエ変換の関係で結ばれており、更に
レチクル側焦点面と光源側焦点面(入射面側)ともフー
リエ変換の関係で結ばれている。従って、レチクルのパ
ターン面と、フライアイレンズの光源側焦点面(正確に
はフライアイレンズの個々のレンズの光源側焦点面)と
は、結像関係(共役関係)で結ばれている。このため、
レチクル上では、フライアイレンズの各光学エレメント
(2次光源像)からの照明光がコンデンサーレンズ等を
介することによってそれぞれ加算(重畳)されることで
平均化され、レチクル上の照度均一性を良好とすること
が可能となっている。
系中には、フライアイレンズ、ファイバー等のオプティ
カルインテグレータが使用されており、レチクル上に照
射される照明光の強度分布が均一化される。その均一化
を最適に行なうためにフライアイレンズを用いた場合、
レチクル側焦点面(射出面側)とレチクル面(パターン
面)とはほぼフーリエ変換の関係で結ばれており、更に
レチクル側焦点面と光源側焦点面(入射面側)ともフー
リエ変換の関係で結ばれている。従って、レチクルのパ
ターン面と、フライアイレンズの光源側焦点面(正確に
はフライアイレンズの個々のレンズの光源側焦点面)と
は、結像関係(共役関係)で結ばれている。このため、
レチクル上では、フライアイレンズの各光学エレメント
(2次光源像)からの照明光がコンデンサーレンズ等を
介することによってそれぞれ加算(重畳)されることで
平均化され、レチクル上の照度均一性を良好とすること
が可能となっている。
【0004】従来の投影露光装置では、上述のフライア
イレンズ等のオプティカルインテグレータ入射面に入射
する照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸を中心と
するほぼ円形内(あるいは矩形内)でほぼ一様になるよ
うにしていた。図11は上述の如き従来の投影露光装置
(ステッパー)の概略的な構成を示しており、照明光束
L140は照明光学系中のフライアイレンズ41c、空
間フィルター(開口絞り)5a及びコンデンサーレンズ
8を介してレチクル9のパターン10を照射する。ここ
で、空間フィルター5aはフライアイレンズ41cのレ
チクル側焦点面414c、即ちレチクルパターン10に
対するフーリエ変換面17(以下、「瞳面」と略す)又
はその近傍に配置されており、投影光学系11の光軸A
Xを中心としたほぼ円形領域の開口を有し、瞳面内にで
きる2次光源(面光源)像を円形に制限する。こうして
レチクル9のパターン10を通過した照明光は、投影光
学系11を介してウエハ13のレジスト層に結像され
る。このとき、照明光学系(41c,5a,8)の開口
数と投影光学系11のレチクル側開口数との比、いわゆ
るσ値は開口絞り(例えば空間フィルター5aの開口
径)により決定され、その値は0.3〜0.6程度が一
般的である。
イレンズ等のオプティカルインテグレータ入射面に入射
する照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸を中心と
するほぼ円形内(あるいは矩形内)でほぼ一様になるよ
うにしていた。図11は上述の如き従来の投影露光装置
(ステッパー)の概略的な構成を示しており、照明光束
L140は照明光学系中のフライアイレンズ41c、空
間フィルター(開口絞り)5a及びコンデンサーレンズ
8を介してレチクル9のパターン10を照射する。ここ
で、空間フィルター5aはフライアイレンズ41cのレ
チクル側焦点面414c、即ちレチクルパターン10に
対するフーリエ変換面17(以下、「瞳面」と略す)又
はその近傍に配置されており、投影光学系11の光軸A
Xを中心としたほぼ円形領域の開口を有し、瞳面内にで
きる2次光源(面光源)像を円形に制限する。こうして
レチクル9のパターン10を通過した照明光は、投影光
学系11を介してウエハ13のレジスト層に結像され
る。このとき、照明光学系(41c,5a,8)の開口
数と投影光学系11のレチクル側開口数との比、いわゆ
るσ値は開口絞り(例えば空間フィルター5aの開口
径)により決定され、その値は0.3〜0.6程度が一
般的である。
【0005】さて、照明光L140はレチクル9にパタ
ーニングされたパターン10により回折され、パターン
10からは0次回折光D0 、+1次回折光Dp 、及び−
1次回折光Dm が発生する。それぞれの回折光(D0 ,
Dm ,Dp )は投影光学系11により集光され、ウエハ
(基板)13上に干渉縞を発生させる。この干渉縞がパ
ターン10の像である。このとき、0次回折光D0 と±
1次回折光Dp ,Dmとがなす角θ(レチクル側)はs
inθ=λ/P(λ:露光波長、P:パターンピッチ)
により決まる。
ーニングされたパターン10により回折され、パターン
10からは0次回折光D0 、+1次回折光Dp 、及び−
1次回折光Dm が発生する。それぞれの回折光(D0 ,
Dm ,Dp )は投影光学系11により集光され、ウエハ
(基板)13上に干渉縞を発生させる。この干渉縞がパ
ターン10の像である。このとき、0次回折光D0 と±
1次回折光Dp ,Dmとがなす角θ(レチクル側)はs
inθ=λ/P(λ:露光波長、P:パターンピッチ)
により決まる。
【0006】ところで、パターンピッチが微細化すると
sinθが大きくなり、sinθが投影光学系11のレ
チクル側開口数(NAR )より大きくなると、±1次回
折光Dp ,Dm は投影光学系11内の瞳(フーリエ変換
面)12の有効径で制限され、投影光学系11を透過で
きなくなる。このとき、ウエハ13上には0次回折光D
0 のみしか到達せず干渉縞は生じない。つまり、sin
θ>NAR となる場合にはパターン10の像は得られ
ず、パターン10をウエハ13上に転写することができ
なくなってしまう。
sinθが大きくなり、sinθが投影光学系11のレ
チクル側開口数(NAR )より大きくなると、±1次回
折光Dp ,Dm は投影光学系11内の瞳(フーリエ変換
面)12の有効径で制限され、投影光学系11を透過で
きなくなる。このとき、ウエハ13上には0次回折光D
0 のみしか到達せず干渉縞は生じない。つまり、sin
θ>NAR となる場合にはパターン10の像は得られ
ず、パターン10をウエハ13上に転写することができ
なくなってしまう。
【0007】以上のことから、今までの投影露光装置に
おいては、sinθ=λ/P≒NAR となるピッチPは
次式で与えられていた。 P≒λ/NAR (1) これより、最小パターンサイズはピッチPの半分である
から、最小パターンサイズは0.5・λ/NAR 程度と
なるが、実際のフォトリソグラフィ工程においてはウエ
ハの湾曲、プロセスによるウエハの段差等の影響又はフ
ォトレジスト自体の厚さのために、ある程度の焦点深度
が必要となる。このため、実用的な最小解像パターンサ
イズは、k・λ/NAR として表される。ここで、kは
プロセス係数と呼ばれ0.6〜0.8程度となる。レチ
クル側開口数NAR とウエハ側開口数NAW との比は、
投影光学系の結像倍率と同じであるので、レチクル上に
おける最小解像パターンサイズはk・λ/NAR 、ウエ
ハ上の最小パターンサイズは、k・λ/NAW =k・λ
/B・NAR (但しBは結像倍率(縮小率))となる。
おいては、sinθ=λ/P≒NAR となるピッチPは
次式で与えられていた。 P≒λ/NAR (1) これより、最小パターンサイズはピッチPの半分である
から、最小パターンサイズは0.5・λ/NAR 程度と
なるが、実際のフォトリソグラフィ工程においてはウエ
ハの湾曲、プロセスによるウエハの段差等の影響又はフ
ォトレジスト自体の厚さのために、ある程度の焦点深度
が必要となる。このため、実用的な最小解像パターンサ
イズは、k・λ/NAR として表される。ここで、kは
プロセス係数と呼ばれ0.6〜0.8程度となる。レチ
クル側開口数NAR とウエハ側開口数NAW との比は、
投影光学系の結像倍率と同じであるので、レチクル上に
おける最小解像パターンサイズはk・λ/NAR 、ウエ
ハ上の最小パターンサイズは、k・λ/NAW =k・λ
/B・NAR (但しBは結像倍率(縮小率))となる。
【0008】従って、より微細なパターンを転写するた
めには、より短い波長の露光光源を使用するか、あるい
はより開口数の大きな投影光学系を使用するかを選択す
る必要があった。勿論、露光波長と開口数の両方を最適
化する試みも考えられる。しかしながら、上記の如き従
来の投影露光装置において、照明光源を現在より短波長
化(例えば200nm以下に)することは、透過光学部
材として使用可能な適当な光学部材が存在しない等の理
由により現時点では困難である。また、投影光学系の開
口数は、現状でも既に理論的限界に近く、これ以上の大
開口化はほぼ望めない状態である。更に、もし現状以上
の大開口化が可能であるとしても、±λ/2NA2 で表
わされる焦点深度は開口数の増加に伴なって急激に減少
し、実使用に必要な焦点深度がますます少なくなるとい
う問題が顕著になってくる。
めには、より短い波長の露光光源を使用するか、あるい
はより開口数の大きな投影光学系を使用するかを選択す
る必要があった。勿論、露光波長と開口数の両方を最適
化する試みも考えられる。しかしながら、上記の如き従
来の投影露光装置において、照明光源を現在より短波長
化(例えば200nm以下に)することは、透過光学部
材として使用可能な適当な光学部材が存在しない等の理
由により現時点では困難である。また、投影光学系の開
口数は、現状でも既に理論的限界に近く、これ以上の大
開口化はほぼ望めない状態である。更に、もし現状以上
の大開口化が可能であるとしても、±λ/2NA2 で表
わされる焦点深度は開口数の増加に伴なって急激に減少
し、実使用に必要な焦点深度がますます少なくなるとい
う問題が顕著になってくる。
【0009】また、レチクルの回路パターンの透過部分
のうち、特定の部分からの透過光の位相を、他の透過部
分からの透過光の位相よりπだけずらす、いわゆる位相
シフトレチクルが、例えば特公昭62−50811号公
報等で提案されている。この位相シフトレチクルを使用
すると、従来よりも微細なパターンの転写が可能とな
る。
のうち、特定の部分からの透過光の位相を、他の透過部
分からの透過光の位相よりπだけずらす、いわゆる位相
シフトレチクルが、例えば特公昭62−50811号公
報等で提案されている。この位相シフトレチクルを使用
すると、従来よりも微細なパターンの転写が可能とな
る。
【0010】ところが、位相シフトレチクルについて
は、その製造工程が複雑になる分コストも高く、また検
査及び修正方法も未だ確立されていないので、多くの問
題が残されている。そこで、位相シフトレチクルを使用
しない投影露光技術として、レチクルの照明方法を改良
することで転写解像力を向上させる試みがなされてい
る。その1つの照明方法は、例えば図11の空間フィル
ター5aを輪帯状の開口にし、フーリエ変換面17上で
照明光学系の光軸の回りに分布する照明光束をカットす
ることにより、レチクル9に達する照明光束に一定の傾
斜を持たせるものである。
は、その製造工程が複雑になる分コストも高く、また検
査及び修正方法も未だ確立されていないので、多くの問
題が残されている。そこで、位相シフトレチクルを使用
しない投影露光技術として、レチクルの照明方法を改良
することで転写解像力を向上させる試みがなされてい
る。その1つの照明方法は、例えば図11の空間フィル
ター5aを輪帯状の開口にし、フーリエ変換面17上で
照明光学系の光軸の回りに分布する照明光束をカットす
ることにより、レチクル9に達する照明光束に一定の傾
斜を持たせるものである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、照明光
学系のフーリエ変換面内での照明光束分布を輪帯状にす
るような特殊な照明方法を採用すると、確かに通常のレ
チクルでも解像力の向上は認められるが、レチクルの全
面に渡って均一な照度分布を補償することが難しくなる
といった問題点が生じた。また、図11のように単に空
間フィルター等のような部分的に照明光束をカットする
部材を設けた系では、当然のことながらレチクル上又は
ウエハ上での照明強度(照度)を大幅に低下させること
になり、照明効率の低下に伴う露光処理時間の増大とい
う問題に直面する。さらに、照明光学系中のフーリエ変
換面には、光源からの光束が集中して通るため、空間フ
ィルター等の遮光部材の光吸収による温度上昇が著しく
なり、照明光学系の熱的な変動による性能劣化の対策
(空冷等)も考える必要がある。
学系のフーリエ変換面内での照明光束分布を輪帯状にす
るような特殊な照明方法を採用すると、確かに通常のレ
チクルでも解像力の向上は認められるが、レチクルの全
面に渡って均一な照度分布を補償することが難しくなる
といった問題点が生じた。また、図11のように単に空
間フィルター等のような部分的に照明光束をカットする
部材を設けた系では、当然のことながらレチクル上又は
ウエハ上での照明強度(照度)を大幅に低下させること
になり、照明効率の低下に伴う露光処理時間の増大とい
う問題に直面する。さらに、照明光学系中のフーリエ変
換面には、光源からの光束が集中して通るため、空間フ
ィルター等の遮光部材の光吸収による温度上昇が著しく
なり、照明光学系の熱的な変動による性能劣化の対策
(空冷等)も考える必要がある。
【0012】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、通常のレチクルを使用しても、高解像度かつ大焦点
深度が得られるとともに、照度均一性の優れた投影露光
装置を提供することを目的とする。更に本発明は、その
ような投影露光装置を用いた高精度な転写方法を提供す
ることをも目的とする。
で、通常のレチクルを使用しても、高解像度かつ大焦点
深度が得られるとともに、照度均一性の優れた投影露光
装置を提供することを目的とする。更に本発明は、その
ような投影露光装置を用いた高精度な転写方法を提供す
ることをも目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の投影
露光装置は、例えば図1(b)に示す如く、所定のパタ
ーンが形成されたマスク(9)を照明光学系からの光で
照明し、そのパターンの像を投影光学系(11)を介し
て感光基板(13)上に結像する投影露光装置におい
て、その照明光学系は、パルス光を発する光源(1)
と、この光源からのパルス光により面光源を形成する面
光源形成手段(41)と、この面光源形成手段からの光
を集光してそのマスク(9)を照明するコンデンサーレ
ンズ(8)とを有し、その光源(1)とその面光源形成
手段(41)との間にその光源(1)からのパルス光を
偏向させる偏向手段(40)を配置する。
露光装置は、例えば図1(b)に示す如く、所定のパタ
ーンが形成されたマスク(9)を照明光学系からの光で
照明し、そのパターンの像を投影光学系(11)を介し
て感光基板(13)上に結像する投影露光装置におい
て、その照明光学系は、パルス光を発する光源(1)
と、この光源からのパルス光により面光源を形成する面
光源形成手段(41)と、この面光源形成手段からの光
を集光してそのマスク(9)を照明するコンデンサーレ
ンズ(8)とを有し、その光源(1)とその面光源形成
手段(41)との間にその光源(1)からのパルス光を
偏向させる偏向手段(40)を配置する。
【0014】そして、この偏向手段(40)を動かすこ
とによりその光源(1)からのパルス光を1個又は複数
個のパルス光毎にその面光源形成手段(41)のその照
明光学系の光軸から偏心した複数の位置(42a及び4
2bに対応する位置)に順次入射させ、その面光源形成
手段により形成される面光源を前記照明光学系の光軸に
対し偏心させるものである。
とによりその光源(1)からのパルス光を1個又は複数
個のパルス光毎にその面光源形成手段(41)のその照
明光学系の光軸から偏心した複数の位置(42a及び4
2bに対応する位置)に順次入射させ、その面光源形成
手段により形成される面光源を前記照明光学系の光軸に
対し偏心させるものである。
【0015】この場合、その面光源形成手段は、例えば
図1(a)に示すように、その照明光学系の光軸から偏
心した位置に設けられた複数個のオプティカルインテグ
レータ(41a,41b)を有し、その偏向手段(4
0)を動かすことにより、その光源(1)からのパルス
光を1個又は複数個のパルス光毎に異なるオプティカル
インテグレータに入射させるようにしてもよい。次に、
本発明による第2の投影露光装置は、所定のパターンが
形成されたマスクを照明光学系からの光で照明し、その
パターンの像を投影光学系を介して感光基板上に結像す
る投影露光装置において、その照明光学系は、光を発す
る光源と、この光源からの光を受けるロッド型インテグ
レータと、このロッド型インテグレータからの光を集光
してそのマスクを照明するコンデンサーレンズとを有
し、その光源とそのロッド型インテグレータとの間に、
そのロッド型インテグレータの入射面に対して斜めに光
を入射させる手段を配置したものである。 また、本発明
による第1及び第2の転写方法は、本発明の第1又は第
2の投影露光装置を用いた転写方法において、その照明
光学系によってそのマスクを照明する照明工程と、その
投影光学系によってそのマスクのパターン像をその感光
基板へ転写する転写工程とを有するものである。
図1(a)に示すように、その照明光学系の光軸から偏
心した位置に設けられた複数個のオプティカルインテグ
レータ(41a,41b)を有し、その偏向手段(4
0)を動かすことにより、その光源(1)からのパルス
光を1個又は複数個のパルス光毎に異なるオプティカル
インテグレータに入射させるようにしてもよい。次に、
本発明による第2の投影露光装置は、所定のパターンが
形成されたマスクを照明光学系からの光で照明し、その
パターンの像を投影光学系を介して感光基板上に結像す
る投影露光装置において、その照明光学系は、光を発す
る光源と、この光源からの光を受けるロッド型インテグ
レータと、このロッド型インテグレータからの光を集光
してそのマスクを照明するコンデンサーレンズとを有
し、その光源とそのロッド型インテグレータとの間に、
そのロッド型インテグレータの入射面に対して斜めに光
を入射させる手段を配置したものである。 また、本発明
による第1及び第2の転写方法は、本発明の第1又は第
2の投影露光装置を用いた転写方法において、その照明
光学系によってそのマスクを照明する照明工程と、その
投影光学系によってそのマスクのパターン像をその感光
基板へ転写する転写工程とを有するものである。
【0016】
【作用】本発明による作用を図10を用いて説明する。
説明の便宜上、面光源形成手段は2個のフライアイレン
ズ41a及び41bを含んで構成され、偏向手段は回転
する偏角プリズム40より構成され、投影光学系11が
レチクル9のレチクルパターン10の像をウエハ13上
に転写するものとする。図10において、本発明におけ
る実質的に分離した複数の2次光源(面光源)はフライ
アイレンズ41a及び41bの射出側面又はその近傍に
形成される。光源からの光束は光軸を中心に回転する偏
角プリズム40によって偏向され、1個又は複数個のパ
ルス光毎にフライアイレンズ41a又は41bのどちら
かを照射するように同期がとられている。ここでフライ
アイレンズ41a及び41bの中心は光軸AXより離れ
た位置にあり、形成された2次光源414a及び414
bはレチクルパターン10のフーリエ変換面17とほぼ
一致しているので、光軸AXとフライアイレンズ41
a,41bとの距離によりこれらフライアイレンズを射
出した光束のレチクル9への入射角が定まる。
説明の便宜上、面光源形成手段は2個のフライアイレン
ズ41a及び41bを含んで構成され、偏向手段は回転
する偏角プリズム40より構成され、投影光学系11が
レチクル9のレチクルパターン10の像をウエハ13上
に転写するものとする。図10において、本発明におけ
る実質的に分離した複数の2次光源(面光源)はフライ
アイレンズ41a及び41bの射出側面又はその近傍に
形成される。光源からの光束は光軸を中心に回転する偏
角プリズム40によって偏向され、1個又は複数個のパ
ルス光毎にフライアイレンズ41a又は41bのどちら
かを照射するように同期がとられている。ここでフライ
アイレンズ41a及び41bの中心は光軸AXより離れ
た位置にあり、形成された2次光源414a及び414
bはレチクルパターン10のフーリエ変換面17とほぼ
一致しているので、光軸AXとフライアイレンズ41
a,41bとの距離によりこれらフライアイレンズを射
出した光束のレチクル9への入射角が定まる。
【0017】レチクル(マスク)9上に描画されたレチ
クルパターン10は、特に回路パターンの場合には一般
に周期的なパターンを多く含んでいる。従って1つのフ
ライアイレンズ41aからの照明光が照射されたレチク
ルパターン10からは、0次回折光成分D0 、±1次回
折光成分Dp ,Dm 及びより高次の回折光成分が、パタ
ーンの微細度に応じた方向に発生する。
クルパターン10は、特に回路パターンの場合には一般
に周期的なパターンを多く含んでいる。従って1つのフ
ライアイレンズ41aからの照明光が照射されたレチク
ルパターン10からは、0次回折光成分D0 、±1次回
折光成分Dp ,Dm 及びより高次の回折光成分が、パタ
ーンの微細度に応じた方向に発生する。
【0018】このとき、照明光束(主光線)が傾いた角
度でレチクル9に入射するから、発生した各次数の回折
光成分も、垂直に照明された場合に比べ、傾き(角度ず
れ)をもってレチクルパターン10から発生する。図1
0中の照明光L130は、光軸に対してψだけ傾いてレ
チクル9に入射する。照明光L130はレチクルパター
ン10により回折され、光軸AXに対してψだけ傾いた
方向に進む0次回折光D0 、0次回折光に対してθp だ
け傾いた+1次回折光Dp 及び0次回折光D0 に対して
θm だけ傾いて進む−1次回折光Dmが発生する。しか
しながら、投影光学系11が両側テレセントリックであ
るとすると、照明光L130は投影光学系11の光軸A
Xに対して角度ψだけ傾いてレチクルパターン10に入
射するので、0次回折光D0 もまた投影光学系の光軸A
Xに対して角度ψだけ傾いた方向に進行する。
度でレチクル9に入射するから、発生した各次数の回折
光成分も、垂直に照明された場合に比べ、傾き(角度ず
れ)をもってレチクルパターン10から発生する。図1
0中の照明光L130は、光軸に対してψだけ傾いてレ
チクル9に入射する。照明光L130はレチクルパター
ン10により回折され、光軸AXに対してψだけ傾いた
方向に進む0次回折光D0 、0次回折光に対してθp だ
け傾いた+1次回折光Dp 及び0次回折光D0 に対して
θm だけ傾いて進む−1次回折光Dmが発生する。しか
しながら、投影光学系11が両側テレセントリックであ
るとすると、照明光L130は投影光学系11の光軸A
Xに対して角度ψだけ傾いてレチクルパターン10に入
射するので、0次回折光D0 もまた投影光学系の光軸A
Xに対して角度ψだけ傾いた方向に進行する。
【0019】従って、+1次回折光Dp は光軸AXに対
して(θp +ψ)の方向に進行し、−1次回折光Dm は
光軸AXに対して(θm −ψ)の方向に進行する。この
とき回折角θp 、θm はそれぞれ sin(θp +ψ)−sinψ=λ/P (2) sin(θm −ψ)+sinψ=λ/P (3) である。
して(θp +ψ)の方向に進行し、−1次回折光Dm は
光軸AXに対して(θm −ψ)の方向に進行する。この
とき回折角θp 、θm はそれぞれ sin(θp +ψ)−sinψ=λ/P (2) sin(θm −ψ)+sinψ=λ/P (3) である。
【0020】ここでは、+1次回折光Dp 、−1次回折
光Dm の両方が投影光学系11の瞳12を透過している
ものとする。レチクルパターン10の微細化に伴って回
折角が増大すると先ず角度(θp +ψ)の方向に進行す
る+1次回折光Dp が投影光学系11の瞳12を透過で
きなくなる。すなわちsin(θp +ψ)>NAR の関
係になってくる。しかし照明光L130が光軸AXに対
して傾いて入射している為、このときの回折角でも−1
次回折光Dm は、投影光学系11を透過可能となる。す
なわちsin(θm −ψ)<NAR の関係になる。
光Dm の両方が投影光学系11の瞳12を透過している
ものとする。レチクルパターン10の微細化に伴って回
折角が増大すると先ず角度(θp +ψ)の方向に進行す
る+1次回折光Dp が投影光学系11の瞳12を透過で
きなくなる。すなわちsin(θp +ψ)>NAR の関
係になってくる。しかし照明光L130が光軸AXに対
して傾いて入射している為、このときの回折角でも−1
次回折光Dm は、投影光学系11を透過可能となる。す
なわちsin(θm −ψ)<NAR の関係になる。
【0021】従って、ウエハ13上には0次回折光D0
と−1次回折光Dm の2光束による干渉縞が生じる。こ
の干渉縞はレチクルパターン10の像であり、レチクル
パターン10が1:1のラインアンドスペースのとき、
約90%のコントラストとなってウエハ13上に塗布さ
れたレジストに、レチクルパターン10の像をパターニ
ングすることが可能となる。
と−1次回折光Dm の2光束による干渉縞が生じる。こ
の干渉縞はレチクルパターン10の像であり、レチクル
パターン10が1:1のラインアンドスペースのとき、
約90%のコントラストとなってウエハ13上に塗布さ
れたレジストに、レチクルパターン10の像をパターニ
ングすることが可能となる。
【0022】このときの解像限界は、 sin(θm −ψ)=NAR (4) となるときであり、従って NAR +sinψ=λ/P P=λ/(NAR +sinψ) (5) が転写可能な最小パターンのレチクル側でのピッチであ
る。
る。
【0023】一例として今sinψを0.5×NAR 程
度に定めるとすれば、転写可能なレチクル上のパターン
の最小ピッチは P=λ/(NAR +0.5NAR ) =2λ/3NAR (6) となる。
度に定めるとすれば、転写可能なレチクル上のパターン
の最小ピッチは P=λ/(NAR +0.5NAR ) =2λ/3NAR (6) となる。
【0024】一方、図11に示したように、照明光の瞳
17上での分布が投影光学系11の光軸AXを中心とす
る円形領域内である従来の露光装置の場合、解像限界は
(1)式に示したようにP≒λ/NAR であった。従っ
て、従来の露光装置より高い解像度が実現できることが
分かる。次に、レチクルパターンに対して特定の入射方
向と入射角で露光光を照射して、0次回折光成分と1次
回折光成分とを用いてウエハ上に結像パターンを形成す
る方法によって、焦点深度も大きくなる理由について説
明する。
17上での分布が投影光学系11の光軸AXを中心とす
る円形領域内である従来の露光装置の場合、解像限界は
(1)式に示したようにP≒λ/NAR であった。従っ
て、従来の露光装置より高い解像度が実現できることが
分かる。次に、レチクルパターンに対して特定の入射方
向と入射角で露光光を照射して、0次回折光成分と1次
回折光成分とを用いてウエハ上に結像パターンを形成す
る方法によって、焦点深度も大きくなる理由について説
明する。
【0025】図10のようにウエハ13が投影光学系1
1の焦点位置(最良結像面)に一致している場合は、レ
チクルパターン10中の1点を出てウエハ13上の1点
に達する各回折光は、投影光学系11のどの部分を通る
ものであってもすべて等しい光路長を有する。このため
従来のように0次回折光成分が投影光学系11の瞳面1
2のほぼ中心(光軸近傍)を貫通する場合でも、0次回
折光成分とその他の回折光成分とで光路長は相等しく、
相互の波長収差も零である。しかし、ウエハ13が投影
光学系11の焦点位置に一致していないデフォーカス状
態の場合、斜めに入射する高次の回折光の光路長は光軸
近傍を通る0次回折光に対して焦点前方(投影光学系1
1から遠ざかる方)では短く、焦点後方(投影光学系1
1に近づく方)では長くなりその差は入射角の差に応じ
たものとなる。従って、0次、1次、・・・の各回折光
は相互に波面収差を形成して焦点位置の前後におけるボ
ケを生じることとなる。
1の焦点位置(最良結像面)に一致している場合は、レ
チクルパターン10中の1点を出てウエハ13上の1点
に達する各回折光は、投影光学系11のどの部分を通る
ものであってもすべて等しい光路長を有する。このため
従来のように0次回折光成分が投影光学系11の瞳面1
2のほぼ中心(光軸近傍)を貫通する場合でも、0次回
折光成分とその他の回折光成分とで光路長は相等しく、
相互の波長収差も零である。しかし、ウエハ13が投影
光学系11の焦点位置に一致していないデフォーカス状
態の場合、斜めに入射する高次の回折光の光路長は光軸
近傍を通る0次回折光に対して焦点前方(投影光学系1
1から遠ざかる方)では短く、焦点後方(投影光学系1
1に近づく方)では長くなりその差は入射角の差に応じ
たものとなる。従って、0次、1次、・・・の各回折光
は相互に波面収差を形成して焦点位置の前後におけるボ
ケを生じることとなる。
【0026】前述のデフォーカスによる波面収差は、ウ
エハ13の焦点位置からのずれ量をΔF、各回折光がウ
エハ上の1点に入射するときの入射角θw の正弦をr
(r=sinθw )とすると、ΔFr2 /2で与えられ
る量である(このときrは各回折光の、瞳面12での光
軸AXからの距離を表わす)。従来の図11に示した投
影露光装置では、0次回折光D0 は光軸AXの近傍を通
るので、r(0次)=0となり、一方±1次回折光D
p 、Dm は、r(1次)=M・λ/Pとなる(Mは投影
光学系の倍率)。従って、0次回折光D0 と±1次回折
光Dp ,Dm とのデフォーカスによる波面収差は以下の
ようになる。 ΔF・M2 (λ/P)2 /2
エハ13の焦点位置からのずれ量をΔF、各回折光がウ
エハ上の1点に入射するときの入射角θw の正弦をr
(r=sinθw )とすると、ΔFr2 /2で与えられ
る量である(このときrは各回折光の、瞳面12での光
軸AXからの距離を表わす)。従来の図11に示した投
影露光装置では、0次回折光D0 は光軸AXの近傍を通
るので、r(0次)=0となり、一方±1次回折光D
p 、Dm は、r(1次)=M・λ/Pとなる(Mは投影
光学系の倍率)。従って、0次回折光D0 と±1次回折
光Dp ,Dm とのデフォーカスによる波面収差は以下の
ようになる。 ΔF・M2 (λ/P)2 /2
【0027】一方、本発明における投影露光装置では、
図10に示すように0次回折光成分D0 は光軸AXから
角度ψだけ傾いた方向に発生するから、瞳面12におけ
る0次回折光成分の光軸AXからの距離はr(0次)=
M・sinψである。一方、−1次回折光成分Dm の瞳
面における光軸からの距離はr(−1次)=M・sin
(θm −ψ)となる。そしてこのとき、sinψ=si
n(θm −ψ)となれば、0次回折光成分D0 と−1次
回折光成分Dm のデフォーカスによる相対的な波面収差
は零となり、ウエハ13が焦点位置より光軸方向に若干
ずれてもレチクルパターン10の像ボケは従来程大きく
生じないことになる。即ち、焦点深度が増大することに
なる。また、(3)式のように、sin(θm −ψ)+
sinψ=λ/Pであるから、照明光束L130のレチ
クル9への入射角ψが、ピッチPのパターンに対して、
sinψ=λ/2Pの関係にすれば照度深度をきわめて
増大させることが可能である。
図10に示すように0次回折光成分D0 は光軸AXから
角度ψだけ傾いた方向に発生するから、瞳面12におけ
る0次回折光成分の光軸AXからの距離はr(0次)=
M・sinψである。一方、−1次回折光成分Dm の瞳
面における光軸からの距離はr(−1次)=M・sin
(θm −ψ)となる。そしてこのとき、sinψ=si
n(θm −ψ)となれば、0次回折光成分D0 と−1次
回折光成分Dm のデフォーカスによる相対的な波面収差
は零となり、ウエハ13が焦点位置より光軸方向に若干
ずれてもレチクルパターン10の像ボケは従来程大きく
生じないことになる。即ち、焦点深度が増大することに
なる。また、(3)式のように、sin(θm −ψ)+
sinψ=λ/Pであるから、照明光束L130のレチ
クル9への入射角ψが、ピッチPのパターンに対して、
sinψ=λ/2Pの関係にすれば照度深度をきわめて
増大させることが可能である。
【0028】更に、本発明は光源より発せられる照明光
束(パルス光)を1個又は複数個のパルス光毎に、順番
に各フライアイレンズ41a,41bに導くために、光
源からの光束を光量的にわずかの損失のみで利用して、
上記の高解像、大焦点深度の投影露光方式を実現するこ
とができる。
束(パルス光)を1個又は複数個のパルス光毎に、順番
に各フライアイレンズ41a,41bに導くために、光
源からの光束を光量的にわずかの損失のみで利用して、
上記の高解像、大焦点深度の投影露光方式を実現するこ
とができる。
【0029】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の種々の実
施例につき図面を参照して説明する。図1(a)は本発
明の一実施例を示し、この図1(a)において、1はレ
ーザー光をパルス的に発生するパルスレーザーの光源で
ある。光源1としては、例えばパルス発光するKrFエ
キシマレーザー等の光源を使用することができる。光源
1から発生された光束(レーザー光)は回転する偏角プ
リズム40によって偏向される。偏角プリズム40は図
示省略した回転機構により照明光学系の光軸を中心に回
転するように支持され、偏角プリズム40の回転ととも
にレーザー光の偏向方向が変化する様になっている。そ
の偏角プリズム40の回転に同期させて所望の偏向方向
になった瞬間に光源1をパルス発光させる事により、照
明光学系の光軸から離れた位置にほぼ軸対称に配置され
たフライアイレンズ41a又は41bのどちらでもレー
ザー光で照射する事が可能となる。
施例につき図面を参照して説明する。図1(a)は本発
明の一実施例を示し、この図1(a)において、1はレ
ーザー光をパルス的に発生するパルスレーザーの光源で
ある。光源1としては、例えばパルス発光するKrFエ
キシマレーザー等の光源を使用することができる。光源
1から発生された光束(レーザー光)は回転する偏角プ
リズム40によって偏向される。偏角プリズム40は図
示省略した回転機構により照明光学系の光軸を中心に回
転するように支持され、偏角プリズム40の回転ととも
にレーザー光の偏向方向が変化する様になっている。そ
の偏角プリズム40の回転に同期させて所望の偏向方向
になった瞬間に光源1をパルス発光させる事により、照
明光学系の光軸から離れた位置にほぼ軸対称に配置され
たフライアイレンズ41a又は41bのどちらでもレー
ザー光で照射する事が可能となる。
【0030】即ち、図1(a)に示す状態では光束は回
転する偏角プリズム40により偏向された後に、固定さ
れた一方の偏角プリズム42aによって同じ角度だけ光
軸方向に偏向されてフライアイレンズ41aに対して垂
直に入射する。この瞬間に光源1をパルス発光させれ
ば、図1(a)に実線で示されている様にフライアイレ
ンズ41aをレーザー光が照射する。このフライアイレ
ンズ41aにより形成された2次光源からの光はコンデ
ンサーレンズ8によりほぼ平行な光束に変換されてレチ
クル9をフライアイレンズ41aの偏心量に応じて傾い
た角度でほぼ均一な照度で照明する。このレチクル9の
パターンの像が投影光学系11によりウエハ13上のレ
ジストに転写される。
転する偏角プリズム40により偏向された後に、固定さ
れた一方の偏角プリズム42aによって同じ角度だけ光
軸方向に偏向されてフライアイレンズ41aに対して垂
直に入射する。この瞬間に光源1をパルス発光させれ
ば、図1(a)に実線で示されている様にフライアイレ
ンズ41aをレーザー光が照射する。このフライアイレ
ンズ41aにより形成された2次光源からの光はコンデ
ンサーレンズ8によりほぼ平行な光束に変換されてレチ
クル9をフライアイレンズ41aの偏心量に応じて傾い
た角度でほぼ均一な照度で照明する。このレチクル9の
パターンの像が投影光学系11によりウエハ13上のレ
ジストに転写される。
【0031】次に、偏角プリズム40が180°回転し
た瞬間に光源1をパルス発光させれば、図1(a)に破
線で示すように、レーザー光は偏角プリズム40によっ
て逆方向に偏向された後に、固定された他方の偏角プリ
ズム42bによって同じ角度だけ光軸方向に偏向されて
フライアイレンズ41bに対して垂直に入射する。この
フライアイレンズ41bにより形成された2次光源から
の光もコンデンサーレンズ8によりほぼ平行な光束に変
換されてレチクル9をほぼ均一な照度で照明する。この
レチクル9のパターンの像が投影光学系11によりウエ
ハ13上のレジストに転写される。
た瞬間に光源1をパルス発光させれば、図1(a)に破
線で示すように、レーザー光は偏角プリズム40によっ
て逆方向に偏向された後に、固定された他方の偏角プリ
ズム42bによって同じ角度だけ光軸方向に偏向されて
フライアイレンズ41bに対して垂直に入射する。この
フライアイレンズ41bにより形成された2次光源から
の光もコンデンサーレンズ8によりほぼ平行な光束に変
換されてレチクル9をほぼ均一な照度で照明する。この
レチクル9のパターンの像が投影光学系11によりウエ
ハ13上のレジストに転写される。
【0032】この様に偏角プリズム40の回転に同期し
てパルスレーザーの光源1を発光させ、フライアイレン
ズ41a及び41bをレーザー光で交互に照射すれば、
時間平均では2つのフライアイレンズ41a及び41b
によってレチクル9を照射しているとの実質的に等しい
と言える。
てパルスレーザーの光源1を発光させ、フライアイレン
ズ41a及び41bをレーザー光で交互に照射すれば、
時間平均では2つのフライアイレンズ41a及び41b
によってレチクル9を照射しているとの実質的に等しい
と言える。
【0033】これに対して、例えば図4(a)に示すよ
うに、ハーフミラー32及びミラー31を用いて光源1
からの光束を2分割する構成では2つのフライアイレン
ズ41a及び41bからの光の間に可干渉性があるため
ウエハ13上での結像に好ましくない影響を及ぼす虞が
ある。しかしながら、図1(a)に示した構成では2つ
のフライアイレンズ41a,41bを交互に照射するた
め可干渉性の影響を除く事ができる。この様にしてフラ
イアイレンズ41a,41bの射出面に2つの分離した
2次光源が形成され、コンデンサーレンズ8によりレチ
クル9がケーラー照明により照明される。
うに、ハーフミラー32及びミラー31を用いて光源1
からの光束を2分割する構成では2つのフライアイレン
ズ41a及び41bからの光の間に可干渉性があるため
ウエハ13上での結像に好ましくない影響を及ぼす虞が
ある。しかしながら、図1(a)に示した構成では2つ
のフライアイレンズ41a,41bを交互に照射するた
め可干渉性の影響を除く事ができる。この様にしてフラ
イアイレンズ41a,41bの射出面に2つの分離した
2次光源が形成され、コンデンサーレンズ8によりレチ
クル9がケーラー照明により照明される。
【0034】ただし、図4(a)のハーフミラー32
を、図4(b)に示すように、モーター32Bにより回
転又は振動されるミラー32Aで置換すれば図1(a)
と同様な作用効果が得られる。即ち、図4(b)におい
ては、ミラー32Aが光源1からの光束から外れている
ので、光源1からのレーザー光はそのままフライアイレ
ンズ41bに入射する。これに対して、図4(c)に示
すように、ミラー32Aが光源1からのレーザー光を反
射する位置に来ると、この反射されたレーザー光はミラ
ー31で反射されてフライアイレンズ41aに入射す
る。従って、ミラー32Aを回転又は振動させるのに同
期して光源1をパルス発光させることにより、フライア
イレンズ41a及び41bに交互にレーザー光を入射さ
せることができる。従って、このような回転又は振動す
るミラー32Aとミラー31との組合せも偏向手段の一
例とみなすことができる。
を、図4(b)に示すように、モーター32Bにより回
転又は振動されるミラー32Aで置換すれば図1(a)
と同様な作用効果が得られる。即ち、図4(b)におい
ては、ミラー32Aが光源1からの光束から外れている
ので、光源1からのレーザー光はそのままフライアイレ
ンズ41bに入射する。これに対して、図4(c)に示
すように、ミラー32Aが光源1からのレーザー光を反
射する位置に来ると、この反射されたレーザー光はミラ
ー31で反射されてフライアイレンズ41aに入射す
る。従って、ミラー32Aを回転又は振動させるのに同
期して光源1をパルス発光させることにより、フライア
イレンズ41a及び41bに交互にレーザー光を入射さ
せることができる。従って、このような回転又は振動す
るミラー32Aとミラー31との組合せも偏向手段の一
例とみなすことができる。
【0035】次に、図1(b)は図1(a)のフライア
イレンズ41a,41bを一体化してフライアイレンズ
41とした場合の実施例である。この図1(b)におい
ては、偏角プリズム40を回転させると、光源1からの
レーザー光は固定された偏角プリズム42a又は42b
を介してフライアイレンズ41の異なる部分に入射す
る。これらフライアイレンズ41の異なる部分に入射す
るレーザー光により形成された2次光源からの光がそれ
ぞれコンデンサーレンズ8を介して順次レチクル9を照
明する。
イレンズ41a,41bを一体化してフライアイレンズ
41とした場合の実施例である。この図1(b)におい
ては、偏角プリズム40を回転させると、光源1からの
レーザー光は固定された偏角プリズム42a又は42b
を介してフライアイレンズ41の異なる部分に入射す
る。これらフライアイレンズ41の異なる部分に入射す
るレーザー光により形成された2次光源からの光がそれ
ぞれコンデンサーレンズ8を介して順次レチクル9を照
明する。
【0036】また、図5(a)及び図5(b)はそれぞ
れフライアイレンズ61a〜61dが4つの場合の実施
例を示し、これら図5(a)及び図5(b)はそれぞれ
フライアイレンズを光源側から見た図である。図5
(a)の如くフライアイレンズ61a〜61dを配置し
た場合には、図1(a)の偏角プリズム40の回転によ
り、仮に光源1から発生される光が連続光であれば、偏
向された光の中心は円周71上を移動する。本実施例で
はパルス発光する光源を用い、光束がフライアイレンズ
上に来た時に発光させることにより、偏角プリズム40
の1回転ごとに4回のパルス発光で4つの光源を形成す
るものである。勿論、光源の発光を制御することで4つ
全てではなく一部のフライアイレンズだけに光をあてる
こともできる。更に、1個のパルス光毎に別のフライア
イレンズに移動するのではなく、例えば2パルス毎又は
3パルス毎等に別のフライアイレンズに移動するように
してもよい。
れフライアイレンズ61a〜61dが4つの場合の実施
例を示し、これら図5(a)及び図5(b)はそれぞれ
フライアイレンズを光源側から見た図である。図5
(a)の如くフライアイレンズ61a〜61dを配置し
た場合には、図1(a)の偏角プリズム40の回転によ
り、仮に光源1から発生される光が連続光であれば、偏
向された光の中心は円周71上を移動する。本実施例で
はパルス発光する光源を用い、光束がフライアイレンズ
上に来た時に発光させることにより、偏角プリズム40
の1回転ごとに4回のパルス発光で4つの光源を形成す
るものである。勿論、光源の発光を制御することで4つ
全てではなく一部のフライアイレンズだけに光をあてる
こともできる。更に、1個のパルス光毎に別のフライア
イレンズに移動するのではなく、例えば2パルス毎又は
3パルス毎等に別のフライアイレンズに移動するように
してもよい。
【0037】また、図5(b)はフライアイレンズ61
a〜61dの間隔を狭くしてフライアイレンズの中心を
通る円周72が図5(a)の円周71よりも小さくな
り、且つ4個のフライアイレンズの配置位置がそれぞれ
45°回転された例である。このように円周の大きさが
変わり、フライアイレンズの配置位置が変わった場合に
は、偏角プリズム40による偏向角の大きさ及び光源1
のパルス発光のタイミングを変えればよい。
a〜61dの間隔を狭くしてフライアイレンズの中心を
通る円周72が図5(a)の円周71よりも小さくな
り、且つ4個のフライアイレンズの配置位置がそれぞれ
45°回転された例である。このように円周の大きさが
変わり、フライアイレンズの配置位置が変わった場合に
は、偏角プリズム40による偏向角の大きさ及び光源1
のパルス発光のタイミングを変えればよい。
【0038】また、図6は図5(a)と等価な構成例を
示し、この例では1つの大型のフライアイレンズ60を
用意し、太線の枠で囲んだ矩形の領域62a,62b,
62c及び62dに順次レーザー光を照射する。これに
より図5(a)と同じ効果を得る事ができ、偏角プリズ
ム40の偏向角と光源のパルス発光のタイミングを調整
すれば、図5(b)と等価にする事も可能となる。
示し、この例では1つの大型のフライアイレンズ60を
用意し、太線の枠で囲んだ矩形の領域62a,62b,
62c及び62dに順次レーザー光を照射する。これに
より図5(a)と同じ効果を得る事ができ、偏角プリズ
ム40の偏向角と光源のパルス発光のタイミングを調整
すれば、図5(b)と等価にする事も可能となる。
【0039】更に、任意のフライアイレンズの配置に対
応するためには偏角プリズム40を図7(a)に示すよ
うに、偏角プリズム400a及び400bの2枚重ねに
置き換えて、これら偏角プリズム400a及び400b
を光軸を中心に相対的に回転可能とすればよい。その相
対的な回転により、レーザー光の偏向角ηを可変にする
事が出来る。この場合、図1(a)に示すフライアイレ
ンズ41a,41b側の偏角プリズム42a,42b
も、偏向角可変とするための図7(a)に示すように、
2枚の偏角プリズム420a及び420bで置き換え
る。そして、偏角プリズム420a及び420bの合成
偏向角が偏角プリズム400a及び400bの合成偏向
角を打ち消すように、偏角プリズム420aと420b
との間の相対回転角を定める事は言うまでもない。ま
た、相対回転角が固定された状態で、1対の偏角プリズ
ム400a,400bともう1対の偏角プリズム420
a,420bとを一体として光軸を中心に回転すること
により、レーザー光を順次異なるフライアイレンズに入
射させる。
応するためには偏角プリズム40を図7(a)に示すよ
うに、偏角プリズム400a及び400bの2枚重ねに
置き換えて、これら偏角プリズム400a及び400b
を光軸を中心に相対的に回転可能とすればよい。その相
対的な回転により、レーザー光の偏向角ηを可変にする
事が出来る。この場合、図1(a)に示すフライアイレ
ンズ41a,41b側の偏角プリズム42a,42b
も、偏向角可変とするための図7(a)に示すように、
2枚の偏角プリズム420a及び420bで置き換え
る。そして、偏角プリズム420a及び420bの合成
偏向角が偏角プリズム400a及び400bの合成偏向
角を打ち消すように、偏角プリズム420aと420b
との間の相対回転角を定める事は言うまでもない。ま
た、相対回転角が固定された状態で、1対の偏角プリズ
ム400a,400bともう1対の偏角プリズム420
a,420bとを一体として光軸を中心に回転すること
により、レーザー光を順次異なるフライアイレンズに入
射させる。
【0040】次に、図7(a)の構成について数値的に
解析する。先ず、光源側の偏角プリズム400a及び4
00bの頂角をそれぞれδ1 及びδ2 、偏角プリズム4
00a及び400bの屈折率をそれぞれn1 及びn2 と
する。これに対応して、フライアイレンズ側の偏角プリ
ズム420a及び420bの頂角をそれぞれδ2 及びδ
1 として、偏角プリズム420a及び420bの屈折率
をそれぞれn2 及びn1 とする。また、偏角プリズム4
00a,400b(の偏向中心)から偏角プリズム42
0a,420b(の偏向中心)までの軸上距離をL、フ
ライアイレンズ41a又は41bに入射するレーザー光
の光軸と照明光学系の光軸との間隔をdとすると、図7
(b)に示すように、間隔dはフライアイレンズ41
a,41bの中心と照明光学系の光軸との距離に等しい
ことが望ましい。
解析する。先ず、光源側の偏角プリズム400a及び4
00bの頂角をそれぞれδ1 及びδ2 、偏角プリズム4
00a及び400bの屈折率をそれぞれn1 及びn2 と
する。これに対応して、フライアイレンズ側の偏角プリ
ズム420a及び420bの頂角をそれぞれδ2 及びδ
1 として、偏角プリズム420a及び420bの屈折率
をそれぞれn2 及びn1 とする。また、偏角プリズム4
00a,400b(の偏向中心)から偏角プリズム42
0a,420b(の偏向中心)までの軸上距離をL、フ
ライアイレンズ41a又は41bに入射するレーザー光
の光軸と照明光学系の光軸との間隔をdとすると、図7
(b)に示すように、間隔dはフライアイレンズ41
a,41bの中心と照明光学系の光軸との距離に等しい
ことが望ましい。
【0041】また、光源側の偏角プリズム400aと偏
角プリズム400bとを図7(c)に示すように、相対
的に回転させるとレーザー光の偏向角ηを変化させるこ
とができ、これに対応してフライアイレンズ側の偏角プ
リズム420aと偏角プリズム420bとを同じ角度だ
け相対的に回転させることにより、レーザー光を照明光
学系の光軸に平行にしてフライアイレンズに供給するこ
とができる。そして、2枚の偏角プリズム400a及び
400bの間の相対的な回転角をΔとすると、レーザー
光と照明光学系の光軸との間隔dは次のようになる。
角プリズム400bとを図7(c)に示すように、相対
的に回転させるとレーザー光の偏向角ηを変化させるこ
とができ、これに対応してフライアイレンズ側の偏角プ
リズム420aと偏角プリズム420bとを同じ角度だ
け相対的に回転させることにより、レーザー光を照明光
学系の光軸に平行にしてフライアイレンズに供給するこ
とができる。そして、2枚の偏角プリズム400a及び
400bの間の相対的な回転角をΔとすると、レーザー
光と照明光学系の光軸との間隔dは次のようになる。
【0042】 d=L{φ1 2 +φ2 2 −2φ1 φ2 cos(π−Δ)}1/2 ただし、φ1 及びφ2 は次のように表される。 φ1 =δ1 (n1 −1)、φ2 =δ2 (n2 −1) 従って、例えばフライアイレンズ41b,41aの間隔
が変化したような場合には、それに追従して相対的な回
転角Δを変化させることにより、フライアイレンズに入
射するレーザー光の照明光学系の光軸からの距離を変化
させることができる。
が変化したような場合には、それに追従して相対的な回
転角Δを変化させることにより、フライアイレンズに入
射するレーザー光の照明光学系の光軸からの距離を変化
させることができる。
【0043】次に、図2(a)はオプティカルインテグ
レータとしてフライアイレンズの代わりにロッド型イン
テグレータ52を用いた実施例である。図2(a)にお
いて、光源1からの光束は回転する偏角プリズム40に
より偏向された後に、偏角プリズム42a又は42bに
よって照明光学系の光軸に平行になる。偏角プリズム4
2a又は42bを射出した光束は集光レンズ51によっ
てロッド型インテグレータ52の入射面近傍に斜めに集
光された後にこのロッド型インテグレータ52に入射
し、内面反射を繰り返しながらロッド型インテグレータ
52の射出面を均一に照明する。このときロッド型イン
テグレータ52からの射出光の角度はロッド型インテグ
レータ52への入射光の角度に対応する。ロッド型イン
テグレータ52の射出面からの光はレンズ53により集
光されて、面55上に2つの分離した2次光源を形成す
る。この2次光源は図1(b)においてフライアイレン
ズ41の射出面に形成される2光源と実質的に等価であ
る。
レータとしてフライアイレンズの代わりにロッド型イン
テグレータ52を用いた実施例である。図2(a)にお
いて、光源1からの光束は回転する偏角プリズム40に
より偏向された後に、偏角プリズム42a又は42bに
よって照明光学系の光軸に平行になる。偏角プリズム4
2a又は42bを射出した光束は集光レンズ51によっ
てロッド型インテグレータ52の入射面近傍に斜めに集
光された後にこのロッド型インテグレータ52に入射
し、内面反射を繰り返しながらロッド型インテグレータ
52の射出面を均一に照明する。このときロッド型イン
テグレータ52からの射出光の角度はロッド型インテグ
レータ52への入射光の角度に対応する。ロッド型イン
テグレータ52の射出面からの光はレンズ53により集
光されて、面55上に2つの分離した2次光源を形成す
る。この2次光源は図1(b)においてフライアイレン
ズ41の射出面に形成される2光源と実質的に等価であ
る。
【0044】図2(b)は、図1(a)におけるフライ
アイレンズ41a,41bをロッド型インテグレータに
置き換えた実施例を示す。この図2(b)において、回
転する偏角プリズム40により偏向された光束は、一方
の偏角プリズム42aにより照明光学系の光軸に平行に
戻された後に、集光レンズ51aにより一方のロッド型
インテグレータ52aの入射面近傍に集光されてそのロ
ッド型インテグレータ52aに入射する。その後、光束
は内面反射を繰り返してロッド型インテグレータ52a
の射出面を均一に照明し、この射出面からの光はレンズ
53aにより集光されて面55上に2次光源を形成す
る。
アイレンズ41a,41bをロッド型インテグレータに
置き換えた実施例を示す。この図2(b)において、回
転する偏角プリズム40により偏向された光束は、一方
の偏角プリズム42aにより照明光学系の光軸に平行に
戻された後に、集光レンズ51aにより一方のロッド型
インテグレータ52aの入射面近傍に集光されてそのロ
ッド型インテグレータ52aに入射する。その後、光束
は内面反射を繰り返してロッド型インテグレータ52a
の射出面を均一に照明し、この射出面からの光はレンズ
53aにより集光されて面55上に2次光源を形成す
る。
【0045】一方、偏角プリズム40が図2(b)の状
態から180°回転した状態では、偏角プリズム40に
より偏向された光束は、他方の偏角プリズム42bによ
り照明光学系の光軸に平行に戻された後に、集光レンズ
51bにより他方のロッド型インテグレータ52bの入
射面近傍に集光されてそのロッド型インテグレータ52
bに入射する。その後、光束は内面反射を繰り返してロ
ッド型インテグレータ52bの射出面を均一に照明し、
この射出面からの光はレンズ53bにより集光されて面
55上に2次光源を形成する。従って、面55上には等
価的に互いに分離された2個の2次光源が形成される
が、これら2次光源は図1(a)においてフライアイレ
ンズ41a,41bの射出面に形成される2次光源と実
質的に等価である。
態から180°回転した状態では、偏角プリズム40に
より偏向された光束は、他方の偏角プリズム42bによ
り照明光学系の光軸に平行に戻された後に、集光レンズ
51bにより他方のロッド型インテグレータ52bの入
射面近傍に集光されてそのロッド型インテグレータ52
bに入射する。その後、光束は内面反射を繰り返してロ
ッド型インテグレータ52bの射出面を均一に照明し、
この射出面からの光はレンズ53bにより集光されて面
55上に2次光源を形成する。従って、面55上には等
価的に互いに分離された2個の2次光源が形成される
が、これら2次光源は図1(a)においてフライアイレ
ンズ41a,41bの射出面に形成される2次光源と実
質的に等価である。
【0046】図3(a)は、図2(b)における集光レ
ンズ51a及び51bをそれぞれフライアイレンズ54
a及び54bで置き換えた例を示す。偏角プリズム42
a又は42bを射出した光束は、それぞれフライアイレ
ンズ54a又は54bを介してロッド型インテグレータ
52a又は52bに入射する。これによれば、レチクル
9における照明光の照度均一性をより改善できる利点が
ある。
ンズ51a及び51bをそれぞれフライアイレンズ54
a及び54bで置き換えた例を示す。偏角プリズム42
a又は42bを射出した光束は、それぞれフライアイレ
ンズ54a又は54bを介してロッド型インテグレータ
52a又は52bに入射する。これによれば、レチクル
9における照明光の照度均一性をより改善できる利点が
ある。
【0047】図3(b)は、図1(a)における偏角プ
リズム40,42a,42cを3枚のミラー33〜35
に置き換えた例を示す。この図3(b)において、光源
1からのレーザービームは、第1のミラー33、第2の
ミラー34及び第3のミラー35で順次反射された後に
フライアイレンズ41a又は41bに入射する。ミラー
33〜35は図示省略した回転機構により一体的に照明
光学系の光軸を中心として回転されるようになってい
る。従って、3枚のミラー33〜35を光軸を中心に一
体として回転する事によりレーザービームのフライアイ
レンズへの入射位置を変えるものであり、基本的には偏
角プリズムを回転させる構成と同様の機能を果たす。し
かしながら、図3(b)の例では、レーザービームの反
射回数が奇数回の場合にはミラーの回転の2倍の回転数
でレーザービームも回転するためレーザービーム断面の
対称性が悪い場合等には好都合である。
リズム40,42a,42cを3枚のミラー33〜35
に置き換えた例を示す。この図3(b)において、光源
1からのレーザービームは、第1のミラー33、第2の
ミラー34及び第3のミラー35で順次反射された後に
フライアイレンズ41a又は41bに入射する。ミラー
33〜35は図示省略した回転機構により一体的に照明
光学系の光軸を中心として回転されるようになってい
る。従って、3枚のミラー33〜35を光軸を中心に一
体として回転する事によりレーザービームのフライアイ
レンズへの入射位置を変えるものであり、基本的には偏
角プリズムを回転させる構成と同様の機能を果たす。し
かしながら、図3(b)の例では、レーザービームの反
射回数が奇数回の場合にはミラーの回転の2倍の回転数
でレーザービームも回転するためレーザービーム断面の
対称性が悪い場合等には好都合である。
【0048】次に露光すべきレチクルパターンに応じ
て、上述の照明光学系をどのように最適にするかを説明
する。分離した複数の2次光源の各位置(光軸と垂直な
面内での位置)は、転写すべきレチクパターンに応じて
決定(変更)するのが良い。この場合の位置決定方法は
作用の項で述べた通り、各2次光源からの照明光束が転
写すべきパターンの微細化(ピッチ)に対して最適な解
像度及び焦点深度の向上効果が得られるようにレチクル
パターンに入射する位置(入射角ψ)を決定すればよ
い。
て、上述の照明光学系をどのように最適にするかを説明
する。分離した複数の2次光源の各位置(光軸と垂直な
面内での位置)は、転写すべきレチクパターンに応じて
決定(変更)するのが良い。この場合の位置決定方法は
作用の項で述べた通り、各2次光源からの照明光束が転
写すべきパターンの微細化(ピッチ)に対して最適な解
像度及び焦点深度の向上効果が得られるようにレチクル
パターンに入射する位置(入射角ψ)を決定すればよ
い。
【0049】次に、各2次光源の位置決定の具体例を図
8及び図9(a)〜(d)を用いて説明する。図8はフ
ライアイレンズ41a,41bからレチクルパターン1
0までの部分を模式的に表す図であり、フライアイレン
ズ41a,41bのレチクル側焦点面414a,414
bが、レチクルパターン10のフーリエ変換面17と一
致している。またこのとき両者をフーリエ変換の関係と
ならしめるレンズ又はレンズ群を一枚のレンズ6として
表してある。更に、レンズ6のフライアイレンズ側主点
からフライアイレンズ41a,41bのレチクル側焦点
面414a,414bまでの距離と、レンズ6のレチク
ル側主点からレチクルパターン10までの距離は共にf
であるとする。
8及び図9(a)〜(d)を用いて説明する。図8はフ
ライアイレンズ41a,41bからレチクルパターン1
0までの部分を模式的に表す図であり、フライアイレン
ズ41a,41bのレチクル側焦点面414a,414
bが、レチクルパターン10のフーリエ変換面17と一
致している。またこのとき両者をフーリエ変換の関係と
ならしめるレンズ又はレンズ群を一枚のレンズ6として
表してある。更に、レンズ6のフライアイレンズ側主点
からフライアイレンズ41a,41bのレチクル側焦点
面414a,414bまでの距離と、レンズ6のレチク
ル側主点からレチクルパターン10までの距離は共にf
であるとする。
【0050】図9(a)及び(c)は共にレチクルパタ
ーン10中に形成される一部分のパターンの例を表わす
図であり、図9(b)は図9(a)のレチクルパターン
の場合に最適なフライアイレンズの中心のフーリエ変換
面17(投影光学系の瞳面)での位置を示し、図9
(d)は図9(c)のレチクルパターンの場合に最適な
各フライアイレンズの位置(最適な各フライアイレンズ
の中心の位置、即ち各2次光源の中心)を表わす図であ
る。
ーン10中に形成される一部分のパターンの例を表わす
図であり、図9(b)は図9(a)のレチクルパターン
の場合に最適なフライアイレンズの中心のフーリエ変換
面17(投影光学系の瞳面)での位置を示し、図9
(d)は図9(c)のレチクルパターンの場合に最適な
各フライアイレンズの位置(最適な各フライアイレンズ
の中心の位置、即ち各2次光源の中心)を表わす図であ
る。
【0051】図9(a)は、いわゆる1次元ラインアン
ドスペースパターンであって、透過部と遮光部が等しい
幅でY方向に帯状に並び、それらがX方向にピッチPで
規則的に並んでいる。このとき、個々のフライアイレン
ズの最適位置は図9(b)に示すようにフーリエ変換面
内に仮定したY方向の線分Lα上及び線分Lβ上の任意
の位置となる。図9(b)はレチクルパターン10に対
するフーリエ変換面17を光軸AX方向から見た図であ
り、且つ、面17内の座標系X,Yは、同一方向からレ
チクルパターン10を見た図9(a)と同一にしてあ
る。
ドスペースパターンであって、透過部と遮光部が等しい
幅でY方向に帯状に並び、それらがX方向にピッチPで
規則的に並んでいる。このとき、個々のフライアイレン
ズの最適位置は図9(b)に示すようにフーリエ変換面
内に仮定したY方向の線分Lα上及び線分Lβ上の任意
の位置となる。図9(b)はレチクルパターン10に対
するフーリエ変換面17を光軸AX方向から見た図であ
り、且つ、面17内の座標系X,Yは、同一方向からレ
チクルパターン10を見た図9(a)と同一にしてあ
る。
【0052】さて、図9(b)において、光軸AXが通
る中心Cから各線分Lα及びLβまでの距離α及びβは
α=βであり、λを露光波長としたとき、α=β=f・
(1/2)・(λ/P)に等しい。この距離α・βをf
・sinψで表わせば、sinψ=λ/2Pであり、こ
れは作用の項で述べた数値と一致している。従って各フ
ライアイレンズの中心(各フライアイレンズのそれぞれ
によって作られる2次光源像の光量分布の各重心)位置
が線分Lα、Lβ上にあれば、図9(a)に示す如きラ
インアンドスペースパターンに対して、各フライアイレ
ンズからの照明光により発生する0次回折光と±1次回
折光の内のどちらか一方との2つの回折光は、投影光学
系瞳面12において光軸AXからほぼ等距離となる位置
を通る。従って前述の如く、ラインアンドスペースパタ
ーン(図9(a))に対する焦点深度を最大とすること
ができ、且つ高解像度を得ることができる。
る中心Cから各線分Lα及びLβまでの距離α及びβは
α=βであり、λを露光波長としたとき、α=β=f・
(1/2)・(λ/P)に等しい。この距離α・βをf
・sinψで表わせば、sinψ=λ/2Pであり、こ
れは作用の項で述べた数値と一致している。従って各フ
ライアイレンズの中心(各フライアイレンズのそれぞれ
によって作られる2次光源像の光量分布の各重心)位置
が線分Lα、Lβ上にあれば、図9(a)に示す如きラ
インアンドスペースパターンに対して、各フライアイレ
ンズからの照明光により発生する0次回折光と±1次回
折光の内のどちらか一方との2つの回折光は、投影光学
系瞳面12において光軸AXからほぼ等距離となる位置
を通る。従って前述の如く、ラインアンドスペースパタ
ーン(図9(a))に対する焦点深度を最大とすること
ができ、且つ高解像度を得ることができる。
【0053】次に図9(c)はレチクルパターンがいわ
ゆる孤立スペースパターンである場合であり、パターン
のX方向(横方向)ピッチがPx、Y方向(縦方向)ピ
ッチがPyとなっている。図9(d)は、この場合の各
フライアイレンズの最適位置を表わす図であり、図9
(c)との位置及び回転の関係は図9(a)、(b)の
関係と同じである。図9(c)の如き、2次元パターン
に照明光が入射するとパターンの2次元方向の周期性
(X:Px、Y:Py)に応じた2次元方向に回折光が
発生する。図9(c)の如き2次元パターンにおいても
回折光中の±1次回折光の内のいずれか一方と0次回折
光とが投影光学系瞳面12において光軸AXからほぼ等
距離となるようにすれば、焦点深度を最大とすることが
できる。図9(c)のパターンではX方向のピッチはP
xであるから、図9(d)に示す如く、α=β=f・
(1/2)・(λ/Px)となる線分Lα、Lβ上に各
フライアイレンズの中心があれば、パターンのX方向成
分について焦点深度を最大とすることができる。同様に
r=ε=f・(1/2)・(λ/Py)となる線分L
γ、Lε上に各フライアイレンズの中心があれば、パタ
ーンY方向成分について焦点深度を最大とすることがで
きる。
ゆる孤立スペースパターンである場合であり、パターン
のX方向(横方向)ピッチがPx、Y方向(縦方向)ピ
ッチがPyとなっている。図9(d)は、この場合の各
フライアイレンズの最適位置を表わす図であり、図9
(c)との位置及び回転の関係は図9(a)、(b)の
関係と同じである。図9(c)の如き、2次元パターン
に照明光が入射するとパターンの2次元方向の周期性
(X:Px、Y:Py)に応じた2次元方向に回折光が
発生する。図9(c)の如き2次元パターンにおいても
回折光中の±1次回折光の内のいずれか一方と0次回折
光とが投影光学系瞳面12において光軸AXからほぼ等
距離となるようにすれば、焦点深度を最大とすることが
できる。図9(c)のパターンではX方向のピッチはP
xであるから、図9(d)に示す如く、α=β=f・
(1/2)・(λ/Px)となる線分Lα、Lβ上に各
フライアイレンズの中心があれば、パターンのX方向成
分について焦点深度を最大とすることができる。同様に
r=ε=f・(1/2)・(λ/Py)となる線分L
γ、Lε上に各フライアイレンズの中心があれば、パタ
ーンY方向成分について焦点深度を最大とすることがで
きる。
【0054】以上、図9(b)又は(d)に示した各位
置に配置したフライアイレンズからの照明光束がレチク
ルパターン10に入射すると、0次回折光成分D0 と、
+1次回折光成分DR 又は−1次回折光成分Dm のいず
れか一方とが、投影光学系11内の瞳面12では光軸A
Xからほぼ等距離となる光路を通る。従って作用の項で
述べたとおり、高解像度及び大焦点深度の投影露光装置
が実現できる。
置に配置したフライアイレンズからの照明光束がレチク
ルパターン10に入射すると、0次回折光成分D0 と、
+1次回折光成分DR 又は−1次回折光成分Dm のいず
れか一方とが、投影光学系11内の瞳面12では光軸A
Xからほぼ等距離となる光路を通る。従って作用の項で
述べたとおり、高解像度及び大焦点深度の投影露光装置
が実現できる。
【0055】以上、レチクルパターン10として図9
(a)又は(c)に示した2例のみを考えたが、他のパ
ターンであってもその周期性(微細度)に着目し、その
パターンからの+1次回折光成分または−1次回折光成
分のいずれか一方と0次回折光成分との2光束が、投影
光学系内の瞳面12では光軸AXからほぼ等距離になる
光路を通るような位置に各フライアイレンズの中心を配
置すればよい。また、図9(a)及び(c)のパターン
例は、ライン部とスペース部の比(デューティ比)が
1:1のパターンであった為、発生する回折光中では±
1次回折光が強くなる。このため、±1次回折光のうち
の一方と0次回折光との位置関係に着目したが、パター
ンがデューティ比1:1から異なる場合等では他の回折
光、例えば±2次回折光のうちの一方と0次回折光との
位置関係が、投影光学系瞳面12において光軸AXから
ほぼ等距離となるようにしてもよい。
(a)又は(c)に示した2例のみを考えたが、他のパ
ターンであってもその周期性(微細度)に着目し、その
パターンからの+1次回折光成分または−1次回折光成
分のいずれか一方と0次回折光成分との2光束が、投影
光学系内の瞳面12では光軸AXからほぼ等距離になる
光路を通るような位置に各フライアイレンズの中心を配
置すればよい。また、図9(a)及び(c)のパターン
例は、ライン部とスペース部の比(デューティ比)が
1:1のパターンであった為、発生する回折光中では±
1次回折光が強くなる。このため、±1次回折光のうち
の一方と0次回折光との位置関係に着目したが、パター
ンがデューティ比1:1から異なる場合等では他の回折
光、例えば±2次回折光のうちの一方と0次回折光との
位置関係が、投影光学系瞳面12において光軸AXから
ほぼ等距離となるようにしてもよい。
【0056】また、レチクルパターン10が図9(d)
の如く2次元の周期性パターンを含む場合、特定の1つ
の0次回折光成分に着目したとき、投影光学系の瞳面1
2上ではその1つの0次回折光成分を中心としてX方向
(第1方向)に分布する1次以上の高次回折光成分と、
Y方向(第2方向)に分布する1次以上の高次回折光成
分とが存在し得る。そこで、特定の1つの0次回折光成
分に対して2次元のパターンの結像を良好に行うものと
すると、第1方向に分布する高次回折光成分の1つと、
第2方向に分布する高次回折光成分の1つと、特定の0
次回折光成分との3つが、瞳面12上で光軸AXからほ
ぼ等距離に分布するように、特定の0次回折光成分(1
つのフライアイレンズ)の位置を調節すればよい。例え
ば、図9(d)中でフライアイレンズ中心位置を点P
ζ,Pη,Pκ,Pμのいずれかと一致させるとよい。
点Pζ,Pη,Pκ,Pμはいずれも線分Lα又はLβ
(X方向の周期性について最適な位置)の交点であるた
めX方向、Y方向のいずれのパターン方向についても最
適な光源位置となる。
の如く2次元の周期性パターンを含む場合、特定の1つ
の0次回折光成分に着目したとき、投影光学系の瞳面1
2上ではその1つの0次回折光成分を中心としてX方向
(第1方向)に分布する1次以上の高次回折光成分と、
Y方向(第2方向)に分布する1次以上の高次回折光成
分とが存在し得る。そこで、特定の1つの0次回折光成
分に対して2次元のパターンの結像を良好に行うものと
すると、第1方向に分布する高次回折光成分の1つと、
第2方向に分布する高次回折光成分の1つと、特定の0
次回折光成分との3つが、瞳面12上で光軸AXからほ
ぼ等距離に分布するように、特定の0次回折光成分(1
つのフライアイレンズ)の位置を調節すればよい。例え
ば、図9(d)中でフライアイレンズ中心位置を点P
ζ,Pη,Pκ,Pμのいずれかと一致させるとよい。
点Pζ,Pη,Pκ,Pμはいずれも線分Lα又はLβ
(X方向の周期性について最適な位置)の交点であるた
めX方向、Y方向のいずれのパターン方向についても最
適な光源位置となる。
【0057】尚、上述において2次元パターンとしてレ
チクル上の同一箇所に2次元の方向性を有するパターン
を仮定したが、同一レチクルパターン中の異なる位置に
異なる方向性を有する複数のパターンが存在する場合に
も上記の方法を適用することができる。レチクル上のパ
ターンが複数の方向性又は微細度を有している場合、フ
ライアイレンズ群の最適位置は、上述の様にパターンの
各方向性及び微細度に対応したものとなるが、或いは各
最適位置の平均位置にフライアイレンズを配置してもよ
い。また、この平均位置は、パターンの微細度や重要度
に応じた重みを加味した加重平均としてもよい。
チクル上の同一箇所に2次元の方向性を有するパターン
を仮定したが、同一レチクルパターン中の異なる位置に
異なる方向性を有する複数のパターンが存在する場合に
も上記の方法を適用することができる。レチクル上のパ
ターンが複数の方向性又は微細度を有している場合、フ
ライアイレンズ群の最適位置は、上述の様にパターンの
各方向性及び微細度に対応したものとなるが、或いは各
最適位置の平均位置にフライアイレンズを配置してもよ
い。また、この平均位置は、パターンの微細度や重要度
に応じた重みを加味した加重平均としてもよい。
【0058】また、各フライアイレンズを射出した光束
の0次回折光成分は、それぞれウエハに対して傾いて入
射する。このときこれらの傾いた入射光束(複数)の光
量重心の方向がウエハに対して垂直でないと、ウエハ1
3の微小デフォーカス時に、転写像の位置がウエハ面内
方向にシフトするという問題が発生する。これを防止す
る為には、各フライアイレンズからの照明光束(複数)
の結像面又はその近傍の面上での光量重心の方向は、ウ
エハと垂直、即ち光軸AXと平行であるようにする。
の0次回折光成分は、それぞれウエハに対して傾いて入
射する。このときこれらの傾いた入射光束(複数)の光
量重心の方向がウエハに対して垂直でないと、ウエハ1
3の微小デフォーカス時に、転写像の位置がウエハ面内
方向にシフトするという問題が発生する。これを防止す
る為には、各フライアイレンズからの照明光束(複数)
の結像面又はその近傍の面上での光量重心の方向は、ウ
エハと垂直、即ち光軸AXと平行であるようにする。
【0059】つまり、各フライアイレンズに光軸(中心
線)を仮定したとき投影光学系11の光軸AXを基準と
したその光軸(中心線)のフーリエ変換面内での位置ベ
クトルと、各フライアイレンズ群から射出される光量と
の積のベクトル和が零になる様にすればよい。また、よ
り簡単な方法としては、フライアイレンズを2m個(m
は自然数)とし、その内のm個の位置を前述の最適化方
法(図9)により決定し、残るm個は前記m個と光軸A
Xについて対称となる位置に配置すればよい。
線)を仮定したとき投影光学系11の光軸AXを基準と
したその光軸(中心線)のフーリエ変換面内での位置ベ
クトルと、各フライアイレンズ群から射出される光量と
の積のベクトル和が零になる様にすればよい。また、よ
り簡単な方法としては、フライアイレンズを2m個(m
は自然数)とし、その内のm個の位置を前述の最適化方
法(図9)により決定し、残るm個は前記m個と光軸A
Xについて対称となる位置に配置すればよい。
【0060】尚、以上の系において、各動作部にはエン
コーダ等の位置検出器を備えておくと良い。例えば主制
御系又は各駆動系は、これらの位置検出器からの位置情
報を基に各構成要素の移動、回転、交換を行なう。ま
た、各フライアイレンズのレンズエレメントの形状であ
るが、通常レチクルの有効エリア又は回路パターンエリ
アは直方形であることが多い。従って、フライアイレン
ズの各エレメントの入射面(レチクルパターンと結像関
係:なぜなら射出面とレチクルパターン面はフーリエ変
換の関係であり、入射面(光源側焦点面)と射出面(レ
チクル側焦点面)も当然フーリエ変換の関係であるた
め)は、レチクルパターン面の平面形状に応じた矩形で
あると、効率よくレチクルのパターン部のみを照射でき
る。
コーダ等の位置検出器を備えておくと良い。例えば主制
御系又は各駆動系は、これらの位置検出器からの位置情
報を基に各構成要素の移動、回転、交換を行なう。ま
た、各フライアイレンズのレンズエレメントの形状であ
るが、通常レチクルの有効エリア又は回路パターンエリ
アは直方形であることが多い。従って、フライアイレン
ズの各エレメントの入射面(レチクルパターンと結像関
係:なぜなら射出面とレチクルパターン面はフーリエ変
換の関係であり、入射面(光源側焦点面)と射出面(レ
チクル側焦点面)も当然フーリエ変換の関係であるた
め)は、レチクルパターン面の平面形状に応じた矩形で
あると、効率よくレチクルのパターン部のみを照射でき
る。
【0061】また、各2次光源の大きさは、射出する各
光束の1つあたりの開口数(レチクル上の角度分布の片
幅)が、投影光学系のレチクル側開口数に対して0.1
から0.3倍程度であるとよい。これは0.1倍以下で
は転写パターン(像)の忠実度が低下し、0.3倍以上
では、高解像度かつ大焦点深度の効果が薄らぐからであ
る。
光束の1つあたりの開口数(レチクル上の角度分布の片
幅)が、投影光学系のレチクル側開口数に対して0.1
から0.3倍程度であるとよい。これは0.1倍以下で
は転写パターン(像)の忠実度が低下し、0.3倍以上
では、高解像度かつ大焦点深度の効果が薄らぐからであ
る。
【0062】また、本発明の実施例で示した装置におい
て、面光源形成手段は、例えば図2(a)、図2(b)
又は図3(a)に示す如くフライアイレンズと等価なロ
ッド型インテグレータに置き換えても良い。更に、上述
実施例では、偏角プリズム又はミラーの回転により光束
を異なる位置に入射させているが、その外に、例えば光
源の前に配置された平行平面板を振動させることによ
り、光源からの光を照明光学系の光軸の上下に振るよう
にしてもよい。
て、面光源形成手段は、例えば図2(a)、図2(b)
又は図3(a)に示す如くフライアイレンズと等価なロ
ッド型インテグレータに置き換えても良い。更に、上述
実施例では、偏角プリズム又はミラーの回転により光束
を異なる位置に入射させているが、その外に、例えば光
源の前に配置された平行平面板を振動させることによ
り、光源からの光を照明光学系の光軸の上下に振るよう
にしてもよい。
【0063】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
れず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、マスクとして通常の透
過及び遮光パターンが形成されたレチクルを使用して
も、従来より高解像度且つ大焦点深度の投影露光装置を
実現することが可能である。しかも本発明によれば、す
でに半導体生産現場で稼動中の投影露光装置の照明光学
系部分を替えるだけでよく、稼動中の装置の投影光学系
をそのまま利用してそれまで以上の高解像度化、即ち大
集積化が可能となる利点がある。この場合、光源からの
パルス光を1個又は複数個パルス光毎に面光源形成手段
の複数の位置に順次入射させているので、途中の光学系
によるパルス光の損失が少ない。
過及び遮光パターンが形成されたレチクルを使用して
も、従来より高解像度且つ大焦点深度の投影露光装置を
実現することが可能である。しかも本発明によれば、す
でに半導体生産現場で稼動中の投影露光装置の照明光学
系部分を替えるだけでよく、稼動中の装置の投影光学系
をそのまま利用してそれまで以上の高解像度化、即ち大
集積化が可能となる利点がある。この場合、光源からの
パルス光を1個又は複数個パルス光毎に面光源形成手段
の複数の位置に順次入射させているので、途中の光学系
によるパルス光の損失が少ない。
【0065】また、面光源形成手段が複数のオプティカ
ルインテグレータを有する場合には、例えば1つの大き
なオプティカルインテグレータを部分的に順次使用する
のに比べて、オプティカルインテグレータの製造が容易
である。
ルインテグレータを有する場合には、例えば1つの大き
なオプティカルインテグレータを部分的に順次使用する
のに比べて、オプティカルインテグレータの製造が容易
である。
【図1】(a)は本発明による投影露光装置の一実施例
の光学系を示す構成図、(b)は図1(a)の複数のフ
ライアイレンズを1個のフライアイレンズで置き換えた
実施例を示す構成図である。
の光学系を示す構成図、(b)は図1(a)の複数のフ
ライアイレンズを1個のフライアイレンズで置き換えた
実施例を示す構成図である。
【図2】(a)は面光源形成手段として1個のロッド型
インテグレータを用いた実施例を示す構成図、(b)は
複数のロッド型インテグレータを用いた実施例を示す構
成図である。
インテグレータを用いた実施例を示す構成図、(b)は
複数のロッド型インテグレータを用いた実施例を示す構
成図である。
【図3】(a)は図2(b)の変形例を示す構成図、
(b)は複数のミラーを回転させて光束を異なる位置に
入射させる実施例を示す構成図である。
(b)は複数のミラーを回転させて光束を異なる位置に
入射させる実施例を示す構成図である。
【図4】(a)はハーフミラーを用いて光束を分割する
場合を示す構成図、(b)は動くミラーと固定ミラーと
を用いて光束を一方のフライアイレンズに入射させる場
合を示す要部の構成図、(c)は動くミラーと固定ミラ
ーとを用いて光束を他方のフライアイレンズに入射させ
る場合を示す要部の構成図である。
場合を示す構成図、(b)は動くミラーと固定ミラーと
を用いて光束を一方のフライアイレンズに入射させる場
合を示す要部の構成図、(c)は動くミラーと固定ミラ
ーとを用いて光束を他方のフライアイレンズに入射させ
る場合を示す要部の構成図である。
【図5】(a)は4個のフライアイレンズを光源側から
見た正面図、(b)は間隔が狭く角度位置が異なる4個
のフライアイレンズを光源側から見た正面図である。
見た正面図、(b)は間隔が狭く角度位置が異なる4個
のフライアイレンズを光源側から見た正面図である。
【図6】1個の大きなフライアイレンズを光源側から見
た正面図である。
た正面図である。
【図7】(a)は偏向角が可変の偏角プリズムを用いた
実施例の要部を示す構成図、(b)は図7(a)のフラ
イアイレンズの正面図、(c)は2枚の偏角プリズムの
相対的な回転の説明図である。
実施例の要部を示す構成図、(b)は図7(a)のフラ
イアイレンズの正面図、(c)は2枚の偏角プリズムの
相対的な回転の説明図である。
【図8】実施例におけるフライアイレンズを含む照明光
学系の要部を示す構成図である。
学系の要部を示す構成図である。
【図9】(a)〜(d)はそれぞれフライアイレンズの
配置方法の説明に供する線図である。
配置方法の説明に供する線図である。
【図10】本発明の原理の説明に供する光学系の構成図
である。
である。
【図11】従来の投影露光装置の投影原理の説明に供す
る光学系の構成図である。
る光学系の構成図である。
1 光源 8 コンデンサーレンズ 9 レチクル 11 投影光学系 12 瞳 13 ウエハ 40,42a,42b 偏角プリズム 41,41a,41b フライアイレンズ 52,52a,52b ロッド型インテグレータ 54a,54b フライアイレンズ 400a,400b,420a,420b 偏角プリズ
ム
ム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (8)
- 【請求項1】 所定のパターンが形成されたマスクを照
明光学系からの光で照明し、前記パターンの像を投影光
学系を介して感光基板上に結像する投影露光装置におい
て、 前記照明光学系は、パルス光を発する光源と、該光源か
らのパルス光により面光源を形成する面光源形成手段
と、該面光源形成手段からの光を集光して前記マスクを
照明するコンデンサーレンズとを有し、 前記光源と前記面光源形成手段との間に前記光源からの
パルス光を偏向させる偏向手段を配置し、 該偏向手段を動かすことにより前記光源からのパルス光
を1個又は複数個のパルス光毎に前記面光源形成手段の
前記照明光学系の光軸から偏心した複数の位置に入射さ
せ、 前記面光源形成手段により形成される面光源を前記照明
光学系の光軸に対し偏心させる事を特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項2】 前記面光源形成手段は、前記照明光学系
の光軸から偏心した位置に設けられた複数個のオプティ
カルインテグレータを有し、前記偏向手段を動かすこと
により、前記光源からのパルス光を1個又は複数個のパ
ルス光毎に異なるオプティカルインテグレータに入射さ
せる事を特徴とする請求項1記載の投影露光装置。 - 【請求項3】 前記面光源形成手段は、オプティカルイ
ンテグレータを有し、前記偏向手段を動かすことによ
り、前記光源からのパルス光を1個または複数個のパル
ス光毎に異なる角度又は異なる位置で前記オプティカル
インテグレータに導く事を特徴とする請求項1又は2記
載の投影露光装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3の何れか一項記載の投影露
光装置を用いた転写方法において、 前記照明光学系によって前記マスクを照明する照明工程
と、 前記投影光学系によって前記マスクのパターン像を前記
感光基板へ転写する転写工程とを有する事を特徴とする
転写方法。 - 【請求項5】 所定のパターンが形成されたマスクを照
明光学系からの光で照明し、前記パターンの像を投影光
学系を介して感光基板上に結像する投影露光装置におい
て、 前記照明光学系は、光を発する光源と、該光源からの光
を受けるロッド型インテグレータと、該ロッド型インテ
グレータからの光を集光して前記マスクを照明するコン
デンサーレンズとを有し、 前記光源と前記ロッド型インテグレータとの間に、前記
ロッド型インテグレータの入射面に対して斜めに光を入
射させる手段を配置した事を特徴とする投影露光装置。 - 【請求項6】 前記ロッド型インテグレータは2次光源
を形成し、前記手段は前記照明光学系の光軸に対して偏
心した2次光源を形成する事を特徴とする請求項5記載
の投影露光装置。 - 【請求項7】 前記ロッド型インテグレータの入射面に
対して斜めに入射する光は、集光している事を特徴とす
る請求項5又は6記載の投影露光装置。 - 【請求項8】 請求項5〜7の何れか一項記載の投影露
光装置を用いた転写方法において、 前記照明光学系によって前記マスクを照明する照明工程
と、 前記投影光学系によって前記マスクのパターン像を前記
感光基板へ転写する転写工程とを有する事を特徴とする
転写方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04061127A JP3075381B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 投影露光装置及び転写方法 |
| US08/008,547 US5300971A (en) | 1992-02-17 | 1993-01-25 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04061127A JP3075381B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 投影露光装置及び転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226227A JPH05226227A (ja) | 1993-09-03 |
| JP3075381B2 true JP3075381B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=13162112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04061127A Expired - Lifetime JP3075381B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 投影露光装置及び転写方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5300971A (ja) |
| JP (1) | JP3075381B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5638211A (en) | 1990-08-21 | 1997-06-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system |
| US6710855B2 (en) * | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6885433B2 (en) * | 1990-11-15 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6897942B2 (en) * | 1990-11-15 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6252647B1 (en) | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6967710B2 (en) | 1990-11-15 | 2005-11-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US5719704A (en) | 1991-09-11 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3102076B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
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| JP2816298B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-10-27 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
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| KR100234357B1 (ko) * | 1992-11-21 | 1999-12-15 | 윤종용 | 투영노광장치 |
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