JP3056431B2 - 研磨工程後処理用の洗浄溶液及びこれを用いた半導体素子の洗浄方法 - Google Patents
研磨工程後処理用の洗浄溶液及びこれを用いた半導体素子の洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨工程以後の半導
体基板の洗浄に用いられる洗浄溶液及びこれを用いた洗
浄方法に係り、特に化学的機械的研磨(Chemical-mechan
ical polishing CMP) 工程以後ウェーハ上に残留する金
属イオン及びスラリー残留物のような汚染物を取り除
き、酸化物層又は絶縁層の表面部が損なわれることによ
り形成された損傷膜質を蝕刻、洗浄するための洗浄溶液
及びこれを用いた洗浄方法に関する。
体基板の洗浄に用いられる洗浄溶液及びこれを用いた洗
浄方法に係り、特に化学的機械的研磨(Chemical-mechan
ical polishing CMP) 工程以後ウェーハ上に残留する金
属イオン及びスラリー残留物のような汚染物を取り除
き、酸化物層又は絶縁層の表面部が損なわれることによ
り形成された損傷膜質を蝕刻、洗浄するための洗浄溶液
及びこれを用いた洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】素子の集積度が増加して多層配線工程が
実用化されるに伴い、フォトリソグラフィ工程のマージ
ンを確保し、かつ、配線の長さを最小化するためにウェ
ーハ上の物質層に対するグローバル平坦化技術が要求さ
れている。現在、下部膜を平坦化させるための方法とし
て、BPSG(Boro-Phospho-Silicate Glass) リフロー、ア
ルミニウムフロー、SOG(Spin On Glass)、エッチバッ
ク、CMP 工程などが用いられている。
実用化されるに伴い、フォトリソグラフィ工程のマージ
ンを確保し、かつ、配線の長さを最小化するためにウェ
ーハ上の物質層に対するグローバル平坦化技術が要求さ
れている。現在、下部膜を平坦化させるための方法とし
て、BPSG(Boro-Phospho-Silicate Glass) リフロー、ア
ルミニウムフロー、SOG(Spin On Glass)、エッチバッ
ク、CMP 工程などが用いられている。
【０００３】このなかで、特にCMP 工程は、リフロー工
程やエッチバック工程とは異なり、低温工程によりグロ
ーバル平坦化を達成し得るので、次世代素子における平
坦化技術として有力な位置を占ている。
程やエッチバック工程とは異なり、低温工程によりグロ
ーバル平坦化を達成し得るので、次世代素子における平
坦化技術として有力な位置を占ている。
【０００４】CMP 工程は、ウェーハを研磨剤と化学物質
とを含むスラリー内で研磨パッドにて研磨することによ
り、ウェーハの表面を平坦化する方法である。参考のた
めに言うと、CMP 工程の例が米国特許第4,671,851 号、
4,910,155 号及び4,944,836号に多数記載されている。
この場合、前記スラリーにはＨ 2Ｏ2 、ＫＩＯ3 、pH調
節のための各種の酸又は塩基などが含まれており、前記
研磨剤の主成分としてはAl2O3 、シリカなどが用いられ
る。ところが、このような研磨剤を用いて研磨工程を施
す場合、スラリー残留物、金属イオンなどを含む各種汚
染物質がウェーハの表面に吸着されて、ウェーハの表面
が非常に損なわれるようになる。
とを含むスラリー内で研磨パッドにて研磨することによ
り、ウェーハの表面を平坦化する方法である。参考のた
めに言うと、CMP 工程の例が米国特許第4,671,851 号、
4,910,155 号及び4,944,836号に多数記載されている。
この場合、前記スラリーにはＨ 2Ｏ2 、ＫＩＯ3 、pH調
節のための各種の酸又は塩基などが含まれており、前記
研磨剤の主成分としてはAl2O3 、シリカなどが用いられ
る。ところが、このような研磨剤を用いて研磨工程を施
す場合、スラリー残留物、金属イオンなどを含む各種汚
染物質がウェーハの表面に吸着されて、ウェーハの表面
が非常に損なわれるようになる。
【０００５】図1 はCMP 工程完了後の半導体素子の汚染
状態を示す図面であり、符号11は半導体基板を、21は前
記半導体基板11の所定領域を露出させてコンタクトホー
ルを具備する酸化物層又は絶縁層を、31はCMP 工程中の
機械的研磨により前記酸化物層又は絶縁層21の表面上に
損なわれた膜質を、41は前記コンタクトホールの底面及
び側面に形成された障壁層を、51は前記コンタクトホー
ルに挿入された金属層( 例えば、タングステン、アルミ
ニウム) を、61はCMP 工程中に形成される汚染層を、71
は前記汚染層61に分布した金属イオン又はスラリー残留
物のような汚染物質をそれぞれ示す。
状態を示す図面であり、符号11は半導体基板を、21は前
記半導体基板11の所定領域を露出させてコンタクトホー
ルを具備する酸化物層又は絶縁層を、31はCMP 工程中の
機械的研磨により前記酸化物層又は絶縁層21の表面上に
損なわれた膜質を、41は前記コンタクトホールの底面及
び側面に形成された障壁層を、51は前記コンタクトホー
ルに挿入された金属層( 例えば、タングステン、アルミ
ニウム) を、61はCMP 工程中に形成される汚染層を、71
は前記汚染層61に分布した金属イオン又はスラリー残留
物のような汚染物質をそれぞれ示す。
【０００６】このように前記汚染物質71を含む汚染層61
と損傷膜質31とを取り除くために、CMP 工程以後洗浄工
程が必然的に要求される。
と損傷膜質31とを取り除くために、CMP 工程以後洗浄工
程が必然的に要求される。
【０００７】かかる洗浄工程において必ず鑑みるべき点
は、汚染層を除去する能力が優れるか、酸化物質層又は
絶縁層を損なわずに損傷膜質のみを効果的に取り除ける
か、障壁層とプラグ導電層が洗浄溶液により腐蝕される
ことを最大限に防止できるか、半導体素子のトポロジー
を破壊しないか、洗浄溶液によりウエーハの表面から取
り除かれた汚染物質の再吸着が防止できるかなどであ
る。
は、汚染層を除去する能力が優れるか、酸化物質層又は
絶縁層を損なわずに損傷膜質のみを効果的に取り除ける
か、障壁層とプラグ導電層が洗浄溶液により腐蝕される
ことを最大限に防止できるか、半導体素子のトポロジー
を破壊しないか、洗浄溶液によりウエーハの表面から取
り除かれた汚染物質の再吸着が防止できるかなどであ
る。
【０００８】CMP 工程以後に行われる従来の洗浄工程の
うちの一つは湿式洗浄方法であって、これは通常脱イオ
ン水、望ましくは汚染物質の効果的な除去のために界面
活性剤を含む純水を用いて行われるスピンスクラッバー
工程及び通常フッ化水素酸又はアンモニア(NH4OH) 溶液
で行われる湿式蝕刻工程からなる。
うちの一つは湿式洗浄方法であって、これは通常脱イオ
ン水、望ましくは汚染物質の効果的な除去のために界面
活性剤を含む純水を用いて行われるスピンスクラッバー
工程及び通常フッ化水素酸又はアンモニア(NH4OH) 溶液
で行われる湿式蝕刻工程からなる。
【０００９】湿式蝕刻は通常等方性工程であり、取り除
きたい層を蝕刻したりストリッピングする場合に、一番
優れた方法である。ところが、金属層と酸化物層が同時
に露出した状況において酸化物層のみを選択的に蝕刻す
ることは大変難しく、この場合には金属層が酸化物層と
共に損なわれる可能性が高い。従って、素子のトポロジ
ーが破壊されやすいという短所がある。
きたい層を蝕刻したりストリッピングする場合に、一番
優れた方法である。ところが、金属層と酸化物層が同時
に露出した状況において酸化物層のみを選択的に蝕刻す
ることは大変難しく、この場合には金属層が酸化物層と
共に損なわれる可能性が高い。従って、素子のトポロジ
ーが破壊されやすいという短所がある。
【００１０】更に他の洗浄方式としては、プラズマ蝕刻
方式を用いる乾式洗浄方法が挙げられる。ところが、こ
のような乾式洗浄方法の場合には、蝕刻工程のうち汚染
物質が生じてウェーハの表面に再付着する現象が起こり
得る上に、多数成分の汚染物を同時に取り除けないの
で、更に湿式洗浄工程を行わなければならないという問
題点がある。
方式を用いる乾式洗浄方法が挙げられる。ところが、こ
のような乾式洗浄方法の場合には、蝕刻工程のうち汚染
物質が生じてウェーハの表面に再付着する現象が起こり
得る上に、多数成分の汚染物を同時に取り除けないの
で、更に湿式洗浄工程を行わなければならないという問
題点がある。
【００１１】従って、酸化物層のみを蝕刻し得るように
選択比を制御することができるならば、湿式蝕刻を用い
た洗浄方法を用いることが望ましい。一般に、湿式洗浄
方法は通常の湿式蝕刻方法と類似するが、CMP 工程後に
半導体素子を湿式洗浄溶液が入っている洗浄槽に浸けた
り、洗浄しようとするシリコンウェーハを回転させなが
らその表面に洗浄溶液を噴射することにより汚染物質層
及び損傷膜質を蝕刻、除去する工程を通して行われる。
選択比を制御することができるならば、湿式蝕刻を用い
た洗浄方法を用いることが望ましい。一般に、湿式洗浄
方法は通常の湿式蝕刻方法と類似するが、CMP 工程後に
半導体素子を湿式洗浄溶液が入っている洗浄槽に浸けた
り、洗浄しようとするシリコンウェーハを回転させなが
らその表面に洗浄溶液を噴射することにより汚染物質層
及び損傷膜質を蝕刻、除去する工程を通して行われる。
【００１２】湿式洗浄方法において、選択比の制御は洗
浄溶液の成分及び各成分間の割合を調節することにより
行われる。従って、洗浄工程時に用いられる洗浄溶液が
洗浄効果に及ぼす影響は非常に大きいと言える。
浄溶液の成分及び各成分間の割合を調節することにより
行われる。従って、洗浄工程時に用いられる洗浄溶液が
洗浄効果に及ぼす影響は非常に大きいと言える。
【００１３】米国特許第5,389,194 号には弗酸とリン酸
の混合溶液が洗浄液として開示されている。
の混合溶液が洗浄液として開示されている。
【００１４】ところが、この洗浄溶液中のフッ化水素成
分は各種副作用をもたらす。第１、障壁層、ボンディン
グパッドなどを過度に腐蝕させ、第２、フッ化水素が低
分子量物質であるのでリン酸と混じる時に混合比率に対
する誤差が大きく、第３、フッ化水素の揮発性により蝕
刻工程が繰り返される場合に蝕刻率が変わるので、工程
の遂行が全般的に不安定となる。
分は各種副作用をもたらす。第１、障壁層、ボンディン
グパッドなどを過度に腐蝕させ、第２、フッ化水素が低
分子量物質であるのでリン酸と混じる時に混合比率に対
する誤差が大きく、第３、フッ化水素の揮発性により蝕
刻工程が繰り返される場合に蝕刻率が変わるので、工程
の遂行が全般的に不安定となる。
【００１５】図２はフッ化水素酸を用いる湿式洗浄方法
の問題点を示した図面であり、符号12は半導体基板を、
22は前記半導体基板12の所定領域を露出させるコンタク
トホールを具備する酸化物層又は絶縁層を、52は前記コ
ンタクトホールに埋め込まれた金属層を、矢印のa は前
記フッ化水素酸が障壁層( 図１の41) に浸透すること
を、矢印のb はフッ化水素酸により障壁層が腐蝕される
ことにより金属層がリフティングされることをそれぞれ
示している。
の問題点を示した図面であり、符号12は半導体基板を、
22は前記半導体基板12の所定領域を露出させるコンタク
トホールを具備する酸化物層又は絶縁層を、52は前記コ
ンタクトホールに埋め込まれた金属層を、矢印のa は前
記フッ化水素酸が障壁層( 図１の41) に浸透すること
を、矢印のb はフッ化水素酸により障壁層が腐蝕される
ことにより金属層がリフティングされることをそれぞれ
示している。
【００１６】図２から分かるように、フッ化水素は汚染
層のみならず障壁層( 図１の41) と反応することにより
金属層の腐蝕を促し、プラグ導電層をリフトして半導体
素子の特性とトポロジーとに致命的な損傷を与える。さ
らに、研磨工程以後酸化物層の表面に残留し得る特定金
属イオンを還元させることによりピッティング(pittin
g) 現象を起こす。これにより前記損なわれた膜質に対
する十分な蝕刻効果を収められなくなり半導体素子の特
性とトポロジーとに致命的な損傷を加えるようになる。
また、研磨工程後酸化物層の表面に残留し得る特定金属
イオンを還元させることによりピッチング現象を起こ
す。
層のみならず障壁層( 図１の41) と反応することにより
金属層の腐蝕を促し、プラグ導電層をリフトして半導体
素子の特性とトポロジーとに致命的な損傷を与える。さ
らに、研磨工程以後酸化物層の表面に残留し得る特定金
属イオンを還元させることによりピッティング(pittin
g) 現象を起こす。これにより前記損なわれた膜質に対
する十分な蝕刻効果を収められなくなり半導体素子の特
性とトポロジーとに致命的な損傷を加えるようになる。
また、研磨工程後酸化物層の表面に残留し得る特定金属
イオンを還元させることによりピッチング現象を起こ
す。
【００１７】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は前述した従来
の問題点を解決するために案出されたものであり、汚染
層に対する洗浄効果に優れ、障壁層及びプラグ導電層を
腐蝕させずに酸化物層又は絶縁層の表面部に形成されて
いる損傷膜質を効果的に取り除くことにより、後続工程
を安定化させ得る洗浄溶液を提供することにその目的が
ある。
の問題点を解決するために案出されたものであり、汚染
層に対する洗浄効果に優れ、障壁層及びプラグ導電層を
腐蝕させずに酸化物層又は絶縁層の表面部に形成されて
いる損傷膜質を効果的に取り除くことにより、後続工程
を安定化させ得る洗浄溶液を提供することにその目的が
ある。
【００１８】また、本発明の他の目的は本発明の洗浄溶
液を用いた洗浄方法を提供することにある。
液を用いた洗浄方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明では、0.1 〜99体積％のリン酸、0.1 〜25体
積％のテトラフルオロホウ酸及び残り分量の脱イオン水
（deionized water)を含む洗浄溶液が提供される。
めに本発明では、0.1 〜99体積％のリン酸、0.1 〜25体
積％のテトラフルオロホウ酸及び残り分量の脱イオン水
（deionized water)を含む洗浄溶液が提供される。
【００２０】本発明の洗浄溶液において、テトラフルオ
ロホウ酸成分は金属イオン及びスラリー残留物を含む汚
染層を洗浄する役割を果たす。
ロホウ酸成分は金属イオン及びスラリー残留物を含む汚
染層を洗浄する役割を果たす。
【００２１】すなわち、下記のテトラフルオロホウ酸の
解離により生成するフッ化水素が酸化物層を蝕刻するこ
とにより、損傷膜質及び汚染物質層が取り除かれる。
解離により生成するフッ化水素が酸化物層を蝕刻するこ
とにより、損傷膜質及び汚染物質層が取り除かれる。
【００２２】HBF4 ⇔ HF + BF 3 (1) 一方、リン酸成分はテトラフルオロホウ酸により他の非
損傷膜質が過度に蝕刻されることを防止し、さらに金属
イオンと結合して金属塩を形成することにより重金属汚
染物質を取り除く。
損傷膜質が過度に蝕刻されることを防止し、さらに金属
イオンと結合して金属塩を形成することにより重金属汚
染物質を取り除く。
【００２３】従って、テトラフルオロホウ酸とリン酸と
を含む洗浄溶液を用いる場合、障壁層とプラグ導電層を
蝕刻せずに、研磨工程のうち損なわれた損傷膜質及び汚
染層のみを選択的に洗浄することができる。
を含む洗浄溶液を用いる場合、障壁層とプラグ導電層を
蝕刻せずに、研磨工程のうち損なわれた損傷膜質及び汚
染層のみを選択的に洗浄することができる。
【００２４】前記テトラフルオロホウ酸の添加量は、洗
浄される汚染層及び損傷膜質の状態と洗浄条件とにより
調節されるが、０．１〜２５体積％であることが望まし
い。
浄される汚染層及び損傷膜質の状態と洗浄条件とにより
調節されるが、０．１〜２５体積％であることが望まし
い。
【００２５】もし、前記添加量が0.1 体積％より少ない
と、汚染層及び損傷膜質に対する蝕刻能力がほとんどな
いので効果的な除去が難しくなる上に、リン酸との混合
時に混合割合に対する誤差が大き過ぎて望ましくない。
と、汚染層及び損傷膜質に対する蝕刻能力がほとんどな
いので効果的な除去が難しくなる上に、リン酸との混合
時に混合割合に対する誤差が大き過ぎて望ましくない。
【００２６】その反面、前記添加量が25体積％を越える
と酸化物層に対する蝕刻率が大き過ぎて工程マージンの
確保が難しく、テトラフルオロホウ酸の解離により生成
されるフッ化水素の量が多くなり過ぎて障壁層及びプラ
グ導電層を過度に腐蝕させるので望ましくない。
と酸化物層に対する蝕刻率が大き過ぎて工程マージンの
確保が難しく、テトラフルオロホウ酸の解離により生成
されるフッ化水素の量が多くなり過ぎて障壁層及びプラ
グ導電層を過度に腐蝕させるので望ましくない。
【００２７】また、本発明の洗浄溶液はイオン性又は非
イオン性界面活性剤を含むことが好ましい。界面活性剤
の添加量はリン酸及びテトラフルオロホウ酸の総体積を
基準にして0.001 〜0.1 体積％であることが望ましい。
イオン性界面活性剤を含むことが好ましい。界面活性剤
の添加量はリン酸及びテトラフルオロホウ酸の総体積を
基準にして0.001 〜0.1 体積％であることが望ましい。
【００２８】界面活性剤を添加すると、シリコンウェー
ハの濡れ性とモルポロジー(morphology)とが改善される
上に、ウェーハから取り除かれた汚染物質が洗浄中にウ
ェーハ表面上に再吸着されることが防止される。
ハの濡れ性とモルポロジー(morphology)とが改善される
上に、ウェーハから取り除かれた汚染物質が洗浄中にウ
ェーハ表面上に再吸着されることが防止される。
【００２９】前記他の目的を達成するために本発明では
化学的機械的研磨工程以後表面に汚染物層又は損傷層が
形成された半導体素子の洗浄方法において、前記洗浄方
法が前記半導体素子を0.1 〜99体積％のリン酸、0.1 〜
25体積％のテトラフルオロホウ酸及び残り分量の脱イオ
ン水を含む洗浄溶液で湿式洗浄する段階を含むことを特
徴とする洗浄方法が提供される。
化学的機械的研磨工程以後表面に汚染物層又は損傷層が
形成された半導体素子の洗浄方法において、前記洗浄方
法が前記半導体素子を0.1 〜99体積％のリン酸、0.1 〜
25体積％のテトラフルオロホウ酸及び残り分量の脱イオ
ン水を含む洗浄溶液で湿式洗浄する段階を含むことを特
徴とする洗浄方法が提供される。
【００３０】また、前記洗浄溶液はイオン性又は非イオ
ン性界面活性剤を更に含むことができるが、その含量は
前記リン酸及びテトラフルオロホウ酸の総体積を基準に
して０．００１〜０．１体積％であることが望ましい。
ン性界面活性剤を更に含むことができるが、その含量は
前記リン酸及びテトラフルオロホウ酸の総体積を基準に
して０．００１〜０．１体積％であることが望ましい。
【００３１】また、本発明の洗浄方法において、洗浄工
程時に洗浄溶液の温度は洗浄されるウェーハの表面上に
露出された障壁層の腐蝕程度、汚染層及び損傷膜質の状
態と洗浄工程の条件を鑑みて、15℃〜50℃の範囲内で調
節することが望ましい。
程時に洗浄溶液の温度は洗浄されるウェーハの表面上に
露出された障壁層の腐蝕程度、汚染層及び損傷膜質の状
態と洗浄工程の条件を鑑みて、15℃〜50℃の範囲内で調
節することが望ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付した
図面に基づき更に詳細に説明する。
図面に基づき更に詳細に説明する。
【００３３】図3A〜図3Cにおいて、符号13は半導体基板
を、23は前記半導体基板13の所定領域を露出させるコン
タクトホール( 図示せず) を具備する酸化物層又は絶縁
層を、33は前記酸化物層又は絶縁層23の表面部に形成さ
れる損傷膜質を、43は障壁層を、53は前記コンタクトホ
ールに埋め込まれるプラグ導電層を、63は汚染層をそれ
ぞれ示し、矢印のc は汚染層と損傷膜質にテトラフルオ
ロホウ酸を含む本発明の洗浄溶液が浸透することを示
す。
を、23は前記半導体基板13の所定領域を露出させるコン
タクトホール( 図示せず) を具備する酸化物層又は絶縁
層を、33は前記酸化物層又は絶縁層23の表面部に形成さ
れる損傷膜質を、43は障壁層を、53は前記コンタクトホ
ールに埋め込まれるプラグ導電層を、63は汚染層をそれ
ぞれ示し、矢印のc は汚染層と損傷膜質にテトラフルオ
ロホウ酸を含む本発明の洗浄溶液が浸透することを示
す。
【００３４】図3AはCMP 工程を行う前の半導体素子を示
す断面図であり、図3Aから分かるようにコンタクトホー
ルを埋め込むプラグ導電層53の表面が平らでない。従っ
て、この半導体素子を研磨処理(CMP工程) してその表面
を平坦化すると、研磨工程を経る間、研磨用のパッド及
び研磨剤がウェーハの表面と機械的- 化学的に反応して
汚染層63を形成し、酸化物層又は絶縁層23と化学的反応
を起こしてその表面部に損傷膜質33を形成する。従っ
て、研磨工程以後半導体素子を洗浄処理することにより
前記汚染層63及び損傷膜質33を取り除くべきである。
す断面図であり、図3Aから分かるようにコンタクトホー
ルを埋め込むプラグ導電層53の表面が平らでない。従っ
て、この半導体素子を研磨処理(CMP工程) してその表面
を平坦化すると、研磨工程を経る間、研磨用のパッド及
び研磨剤がウェーハの表面と機械的- 化学的に反応して
汚染層63を形成し、酸化物層又は絶縁層23と化学的反応
を起こしてその表面部に損傷膜質33を形成する。従っ
て、研磨工程以後半導体素子を洗浄処理することにより
前記汚染層63及び損傷膜質33を取り除くべきである。
【００３５】図3Cは研磨工程以後洗浄処理された半導体
素子を示した断面図である。図3Cから分かるように、研
磨処理された半導体素子( 図3B) をテトラフルオロホウ
酸とリン酸とを含む本発明の洗浄溶液を用いて湿式洗浄
処理すると、障壁層( 図3Bの43) の腐蝕を最大限に防止
しながら汚染層( 図3Bの63) を完全に取り除き、損傷膜
質( 図3Bの33) を効率よく取り除くことにより所望する
トポロジーを有する半導体素子を得ることができる。
素子を示した断面図である。図3Cから分かるように、研
磨処理された半導体素子( 図3B) をテトラフルオロホウ
酸とリン酸とを含む本発明の洗浄溶液を用いて湿式洗浄
処理すると、障壁層( 図3Bの43) の腐蝕を最大限に防止
しながら汚染層( 図3Bの63) を完全に取り除き、損傷膜
質( 図3Bの33) を効率よく取り除くことにより所望する
トポロジーを有する半導体素子を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の洗浄溶液は汚染層に対する洗浄
効果に優れ、障壁層を損なわずに酸化物層又は絶縁層の
表面部に形成された損傷膜質を効率よく取り除くことが
できる。また、長時間にわたって洗浄工程の安定性を保
ち、低コストを実現させる。
効果に優れ、障壁層を損なわずに酸化物層又は絶縁層の
表面部に形成された損傷膜質を効率よく取り除くことが
できる。また、長時間にわたって洗浄工程の安定性を保
ち、低コストを実現させる。
【００３７】従って、本発明の洗浄溶液を用いる洗浄方
法は後続の工程を安定化させることに大いに役立つ。
法は後続の工程を安定化させることに大いに役立つ。
【図１】化学的機械的研磨工程後の半導体素子を示した
図面である。
図面である。
【図２】従来の洗浄溶液を用い汚染層を取り除く時に発
生する問題点を説明するための断面図である。
生する問題点を説明するための断面図である。
【図３】A 〜C は本発明による化学的機械的研磨工程後
の半導体素子の洗浄工程を順次に説明するための図面で
ある。
の半導体素子の洗浄工程を順次に説明するための図面で
ある。
１３…半導体基板 ２３…酸化物層又は絶縁層 ３３…損傷膜質 ４３…障壁層 ５３…プラグ導電層 ６３…汚染層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ１１Ｄ 3/06 Ｃ１１Ｄ 3/06 (72)発明者 高 永 範 大韓民国ソウル特別市瑞草區方背３洞 1038番地 大宇曉螢アパート105棟1003 號 (56)参考文献 米国特許3811974（ＵＳ，Ａ) 米国特許4230522（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 C11D 3/04,3/06
Claims (7)
- 【請求項１】 化学的機械的研磨工程後の湿式洗浄工程
で用いられる洗浄溶液であって、０．１〜９９体積％の
リン酸、０．１〜２５体積％のテトラフルオロホウ酸及
び残り分量の脱イオン水を含む洗浄溶液。 - 【請求項２】 イオン性又は非イオン性の界面活性剤を
更に含むことを特徴とする請求項１に記載の洗浄溶液。 - 【請求項３】 前記イオン性又は非イオン性の界面活性
剤の添加量が前記リン酸及びテトラフルオロホウ酸の総
体積を基準にして０．００１〜０．１体積％であること
を特徴とする請求項２に記載の洗浄溶液。 - 【請求項４】 化学的機械的研磨工程以後表面に汚染層
又は損傷層が形成された半導体素子の洗浄方法におい
て、 前記洗浄方法が前記半導体素子を０．１〜９９体積％の
リン酸、０．１〜２５体積％のテトラフルオロホウ酸及
び残り分量の脱イオン水を含む洗浄液で湿式洗浄する段
階を含むことを特徴とする半導体素子の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記洗浄溶液がイオン性又は非イオン性
の界面活性剤を更に含むことを特徴とする請求項４に記
載の半導体素子の洗浄方法。 - 【請求項６】 前記イオン性又は非イオン性の界面活性
剤の添加量が前記リン酸及びテトラフルオロホウ酸の総
体積を基準にして０．００１〜０．１体積％であること
を特徴とする請求項５に記載の半導体素子の洗浄方法。 - 【請求項７】 前記湿式洗浄時洗浄溶液の温度を１５℃
〜５０℃の範囲内に保つことを特徴とする請求項４に記
載の半導体素子の洗浄方法。
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