JP2999751B2 - シリカ膜の製造装置及びその製造方法 - Google Patents
シリカ膜の製造装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光素子の製造に用い
られるシリカ膜の製造装置及びその製造方法に係り、特
に、火炎加水分解蒸着法(flame hydrolysis deposition
method)を用いるシリカ膜の製造装置及びその製造方法
に関する。
られるシリカ膜の製造装置及びその製造方法に係り、特
に、火炎加水分解蒸着法(flame hydrolysis deposition
method)を用いるシリカ膜の製造装置及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光素子にはシリカ膜が多様に用
いられる。前記シリカ膜は化学気相蒸着法または火炎加
水分解蒸着法で形成する。このうち、前記火炎加水分解
蒸着法は高い蒸着率を有し、高い生産性を保障するため
に前記シリカ膜を形成するのに主な方法として利用され
ている。具体的に火炎加水分解蒸着法を説明すれば、ま
ず、4インチシリコンウェーハを約20枚ほど円板上に装
着してから回転させる。次いで、原料を供給されて火炎
を生成してシリカを生成するトーチを、シリコン基板
(シリコンウェーハ）の装着された円板上で円板の中心
と外郭(円板の円周上)とを直線往復運動させてシリカを
均一に蒸着する。
いられる。前記シリカ膜は化学気相蒸着法または火炎加
水分解蒸着法で形成する。このうち、前記火炎加水分解
蒸着法は高い蒸着率を有し、高い生産性を保障するため
に前記シリカ膜を形成するのに主な方法として利用され
ている。具体的に火炎加水分解蒸着法を説明すれば、ま
ず、4インチシリコンウェーハを約20枚ほど円板上に装
着してから回転させる。次いで、原料を供給されて火炎
を生成してシリカを生成するトーチを、シリコン基板
(シリコンウェーハ）の装着された円板上で円板の中心
と外郭(円板の円周上)とを直線往復運動させてシリカを
均一に蒸着する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の火炎
加水分解蒸着法は、前述したように20枚単位のバッチ生
産により行うので、20枚のウェーハを円板に装着させる
間、生産が中断されて生産性が低下する問題点を有す
る。
加水分解蒸着法は、前述したように20枚単位のバッチ生
産により行うので、20枚のウェーハを円板に装着させる
間、生産が中断されて生産性が低下する問題点を有す
る。
【０００４】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、シリカ膜の製造時に
複数枚のウェーハを円板上に装着させることなく、コン
ベヤーに搬送させて製造することにより、シリカ膜の生
産性を向上させるシリカ膜の製造装置を提供することに
ある。
なされたものであり、その目的は、シリカ膜の製造時に
複数枚のウェーハを円板上に装着させることなく、コン
ベヤーに搬送させて製造することにより、シリカ膜の生
産性を向上させるシリカ膜の製造装置を提供することに
ある。
【０００５】本発明の他の目的は、シリカ膜の製造装置
を用いてシリカ膜の大量生産を可能にするシリカ膜の製
造方法を提供することにある。
を用いてシリカ膜の大量生産を可能にするシリカ膜の製
造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の第１の発明のシリカ膜の製造装置
は、複数のウェーハがローディングされる装着部を具備
し、当該装着部に装着されたウェーハを搬送するコンベ
ヤーと、前記コンベヤーの上部に位置し、火炎を生成さ
せ前記複数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着
部と、前記蒸着部に隣接して前記シリカスートの水分を
除去するか焼部と、前記か焼部に隣接して前記か焼され
たシリカスートを緻密化してシリカ膜を形成する焼結部
とを備えることを要旨とする。従って、シリカ膜の製造
時に複数枚のウェーハを円板上に装着させることなく、
コンベヤーに搬送させて製造することにより、シリカ膜
の生産性を向上できる。
に、請求項１記載の第１の発明のシリカ膜の製造装置
は、複数のウェーハがローディングされる装着部を具備
し、当該装着部に装着されたウェーハを搬送するコンベ
ヤーと、前記コンベヤーの上部に位置し、火炎を生成さ
せ前記複数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着
部と、前記蒸着部に隣接して前記シリカスートの水分を
除去するか焼部と、前記か焼部に隣接して前記か焼され
たシリカスートを緻密化してシリカ膜を形成する焼結部
とを備えることを要旨とする。従って、シリカ膜の製造
時に複数枚のウェーハを円板上に装着させることなく、
コンベヤーに搬送させて製造することにより、シリカ膜
の生産性を向上できる。
【０００７】請求項２記載の第２の発明は、前記装着部
は前記コンベヤーの表面にウェーハ状の陰刻溝で形成さ
れることを要旨とする。
は前記コンベヤーの表面にウェーハ状の陰刻溝で形成さ
れることを要旨とする。
【０００８】請求項３記載の第３の発明は、前記コンベ
ヤーは酸化アルミ二ウムAl2O3、ムライト、炭化珪素Si
C、陽極酸化されたアルミ二ウムAl及び陽極酸化された
タングステンWのうち選択された何れか一つで構成され
ることを要旨とする。
ヤーは酸化アルミ二ウムAl2O3、ムライト、炭化珪素Si
C、陽極酸化されたアルミ二ウムAl及び陽極酸化された
タングステンWのうち選択された何れか一つで構成され
ることを要旨とする。
【０００９】請求項４記載の第４の発明は、前記蒸着部
は原料ガスが供給されて火炎を生成する複数のトーチ
と、前記複数のトーチの運送を制御する運送部とにより
構成されることを要旨とする。
は原料ガスが供給されて火炎を生成する複数のトーチ
と、前記複数のトーチの運送を制御する運送部とにより
構成されることを要旨とする。
【００１０】上記他の技術的課題を達成するために、請
求項５記載の第５の発明のシリカ膜の製造方法は、複数
のウェーハを、装着手段を用いてコンベヤーの装着部に
ローディングする段階と、前記ローディングされた複数
のウェーハを前記コンベヤーを用いて蒸着部に搬送さ
せ、前記複数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する段
階と、前記蒸着部のウェーハを前記コンベヤーを用いて
か焼部に搬送させ、前記シリカスートの水分を除去する
段階と、前記か焼部のウェーハを前記コンベヤーを用い
て焼結部に搬送させ、前記シリカスートを緻密化してシ
リカ膜を形成する段階とを有することを要旨とする。従
って、シリカ膜の製造装置を用いてシリカ膜の大量生産
を可能にできる。
求項５記載の第５の発明のシリカ膜の製造方法は、複数
のウェーハを、装着手段を用いてコンベヤーの装着部に
ローディングする段階と、前記ローディングされた複数
のウェーハを前記コンベヤーを用いて蒸着部に搬送さ
せ、前記複数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する段
階と、前記蒸着部のウェーハを前記コンベヤーを用いて
か焼部に搬送させ、前記シリカスートの水分を除去する
段階と、前記か焼部のウェーハを前記コンベヤーを用い
て焼結部に搬送させ、前記シリカスートを緻密化してシ
リカ膜を形成する段階とを有することを要旨とする。従
って、シリカ膜の製造装置を用いてシリカ膜の大量生産
を可能にできる。
【００１１】請求項６記載の第６の発明は、前記シリカ
スートの脱水は700℃で約30分行うことを要旨とする。
スートの脱水は700℃で約30分行うことを要旨とする。
【００１２】請求項７記載の第７の発明は、前記シリカ
スートの緻密化は約1250℃〜1300℃で約2〜3時間行うこ
とを要旨とする。
スートの緻密化は約1250℃〜1300℃で約2〜3時間行うこ
とを要旨とする。
【００１３】請求項８記載の第８の発明は、前記シリカ
スートは火炎加水分解蒸着法で形成することを要旨とす
る。
スートは火炎加水分解蒸着法で形成することを要旨とす
る。
【００１４】請求項９記載の第９の発明は、前記シリカ
膜を形成する段階の後に前記シリカ膜の表面を研磨する
段階をさらに有することを要旨とする。
膜を形成する段階の後に前記シリカ膜の表面を研磨する
段階をさらに有することを要旨とする。
【００１５】請求項１０記載の第１０の発明は、前記シ
リカ膜の表面研磨は機械的な研磨、化学的な研磨または
化学機械的な研磨を用いて行うことを要旨とする。
リカ膜の表面研磨は機械的な研磨、化学的な研磨または
化学機械的な研磨を用いて行うことを要旨とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の望ましい実施の形態を詳しく説明する。なお、本発
明は多様な形に変形でき、本発明の範囲が後述する実施
の形態に限定されるものではない。また、本発明の実施
の形態は当業者に本発明をさらに詳しく説明するために
提供されるものである。
明の望ましい実施の形態を詳しく説明する。なお、本発
明は多様な形に変形でき、本発明の範囲が後述する実施
の形態に限定されるものではない。また、本発明の実施
の形態は当業者に本発明をさらに詳しく説明するために
提供されるものである。
【００１７】図1は本発明によるシリカ膜の製造装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【００１８】具体的に、本発明によるシリカ膜の製造装
置は、複数のウェーハ11をローディングする装着部を具
備し、当該ローディングされたウェーハ11を搬送させて
生産量を決定するコンベヤー13を備える。前記装着部
は、前記コンベヤー13表面のウェーハ11の装着位置にウ
ェーハ状に陰刻溝で形成されている。前記コンベヤー13
は後続工程で高温工程を経るので、耐熱性材料、例えば
酸化アルミ二ウムAl2O3、ムライト、炭化珪素SiCなどの
セラミックや陽極酸化されたアルミ二ウムAl、陽極酸化
されたタングステンWのような耐熱性金属材料よりな
る。
置は、複数のウェーハ11をローディングする装着部を具
備し、当該ローディングされたウェーハ11を搬送させて
生産量を決定するコンベヤー13を備える。前記装着部
は、前記コンベヤー13表面のウェーハ11の装着位置にウ
ェーハ状に陰刻溝で形成されている。前記コンベヤー13
は後続工程で高温工程を経るので、耐熱性材料、例えば
酸化アルミ二ウムAl2O3、ムライト、炭化珪素SiCなどの
セラミックや陽極酸化されたアルミ二ウムAl、陽極酸化
されたタングステンWのような耐熱性金属材料よりな
る。
【００１９】このような耐熱性金属材料は柔軟性のない
材料なので、柔軟性に富み衝撃を吸収する、いわゆる関
節を有する構造でなければならない。
材料なので、柔軟性に富み衝撃を吸収する、いわゆる関
節を有する構造でなければならない。
【００２０】また、本発明のシリカ膜の製造装置はコン
ベヤー13の上部に位置し、火炎加水分解蒸着法により前
記ウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着部15を備え
る。前記蒸着部15は原料ガスが供給されて火炎を形成す
る複数のトーチ17と、前記複数のトーチ17の運送を制御
する運送部19とを備える。前記複数のトーチ17の駆動は
ウェーハ11の搬送方向に対して垂直方向に直線運動を行
い、蒸着均等性を向上させるために当該トーチ17を3つ
以上装着する。
ベヤー13の上部に位置し、火炎加水分解蒸着法により前
記ウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着部15を備え
る。前記蒸着部15は原料ガスが供給されて火炎を形成す
る複数のトーチ17と、前記複数のトーチ17の運送を制御
する運送部19とを備える。前記複数のトーチ17の駆動は
ウェーハ11の搬送方向に対して垂直方向に直線運動を行
い、蒸着均等性を向上させるために当該トーチ17を3つ
以上装着する。
【００２１】更に、本発明のシリカ膜の製造装置は前記
蒸着部15に隣接して蒸着されたシリカスート(silica so
ot：シリカ粒子）の水分を除去するか焼部(calcination
part)21と、前記か焼されたシリカスートの緻密化を行
ってシリカ膜を形成する焼結部23とを備える。前記か焼
部21および焼結部23はトンネル式高温炉で形成され、ウ
ェーハ11が搬送されながら高温で一定時間留まることに
なる。つまり、本発明のシリカ膜の製造装置は従来と異
なりシリカ膜の製造時に複数枚のウェーハを円板上に装
着させることなく、コンベヤー13に搬送させて製造でき
るので、シリカ膜の生産性を向上させる。なお、前記コ
ンベヤー13、蒸着部15、か焼部21および焼結部23は、例
えば、制御部(図示せず)の制御により駆動、製造工程が
実行される。
蒸着部15に隣接して蒸着されたシリカスート(silica so
ot：シリカ粒子）の水分を除去するか焼部(calcination
part)21と、前記か焼されたシリカスートの緻密化を行
ってシリカ膜を形成する焼結部23とを備える。前記か焼
部21および焼結部23はトンネル式高温炉で形成され、ウ
ェーハ11が搬送されながら高温で一定時間留まることに
なる。つまり、本発明のシリカ膜の製造装置は従来と異
なりシリカ膜の製造時に複数枚のウェーハを円板上に装
着させることなく、コンベヤー13に搬送させて製造でき
るので、シリカ膜の生産性を向上させる。なお、前記コ
ンベヤー13、蒸着部15、か焼部21および焼結部23は、例
えば、制御部(図示せず)の制御により駆動、製造工程が
実行される。
【００２２】ここで、図2及び図3に基づいて蒸着部15の
複数のトーチ17の搬送経路とこれに伴うシリカスートの
厚さ分布を説明する。
複数のトーチ17の搬送経路とこれに伴うシリカスートの
厚さ分布を説明する。
【００２３】図2は図1に示す蒸着部15のトーチ搬送経路
を説明するための図であり、図3は図2のトーチ搬送経路
によるシリカスートの厚さ分布を示す図である。
を説明するための図であり、図3は図2のトーチ搬送経路
によるシリカスートの厚さ分布を示す図である。
【００２４】具体的に、図1に示すコンベヤー13は一定
の速度でY方向に動き、トーチは周期的にX方向にaだけ
往復運動する。この時に形成されるトーチの搬送経路
(a）は周期的な鋸状となる。前記トーチ17から噴射され
るシリカスートの分布は、ほとんどガウス分布(Gaussia
n distribution)を有する。前記ガウス分布の標準偏差
をσとする際、トーチとその次のトーチとの間の中心距
離の最小差は約2σとなるのが均一な蒸着のために最も
望ましい。従って、均一な蒸着のために必要なトーチの
数はｌ/2σとなる。そして、前記各トーチは図2に示さ
れたように独立した搬送経路を有する。これにより、ト
ーチ17が搬送するX方向から縁部のdだけはトーチの経路
が重畳されて他の領域とシリカスートとの面密度が異な
るので、この部分にウェーハが置かれることは避けるべ
きである。
の速度でY方向に動き、トーチは周期的にX方向にaだけ
往復運動する。この時に形成されるトーチの搬送経路
(a）は周期的な鋸状となる。前記トーチ17から噴射され
るシリカスートの分布は、ほとんどガウス分布(Gaussia
n distribution)を有する。前記ガウス分布の標準偏差
をσとする際、トーチとその次のトーチとの間の中心距
離の最小差は約2σとなるのが均一な蒸着のために最も
望ましい。従って、均一な蒸着のために必要なトーチの
数はｌ/2σとなる。そして、前記各トーチは図2に示さ
れたように独立した搬送経路を有する。これにより、ト
ーチ17が搬送するX方向から縁部のdだけはトーチの経路
が重畳されて他の領域とシリカスートとの面密度が異な
るので、この部分にウェーハが置かれることは避けるべ
きである。
【００２５】一方、蒸着率及び均一度を決定する重要な
因子はトーチ17の大きさ、ウェーハ搬送装置とトーチ17
のxとy方向への速度比などである。ウェーハの搬送速度
はか焼工程と焼結工程との工程時間を考慮すべきなの
で、蒸着工程のみでは決められない。そして、図3から
わかるように、蒸着されたシリカスートの厚さ偏差は粒
子分布の標準偏差が小さいほど小さくなるので、できる
だけ小径のトーチを使用することが望ましいが、極端に
小径の場合には装着すべき数が多くなるので非経済的で
ある。
因子はトーチ17の大きさ、ウェーハ搬送装置とトーチ17
のxとy方向への速度比などである。ウェーハの搬送速度
はか焼工程と焼結工程との工程時間を考慮すべきなの
で、蒸着工程のみでは決められない。そして、図3から
わかるように、蒸着されたシリカスートの厚さ偏差は粒
子分布の標準偏差が小さいほど小さくなるので、できる
だけ小径のトーチを使用することが望ましいが、極端に
小径の場合には装着すべき数が多くなるので非経済的で
ある。
【００２６】図4は図1に示したシリカ膜の製造装置を用
いたシリカ膜の製造方法を説明するための流れ図であ
り、図5は図1のシリカ膜の製造装置のか焼部21及び焼結
部23でウェーハが経る温度分布を示すグラフである。
いたシリカ膜の製造方法を説明するための流れ図であ
り、図5は図1のシリカ膜の製造装置のか焼部21及び焼結
部23でウェーハが経る温度分布を示すグラフである。
【００２７】まず、本発明のシリカ膜の製造方法は複数
のウェーハを装着手段を用いてコンベヤー13の装着部に
ローディングする(段階31)。次いで、前記装着された複
数のウェーハ11を前記コンベヤー13を用いて蒸着部15に
搬送させ、前記複数のウェーハ上に火炎加水分解蒸着法
を用いてシリカスートを蒸着する(段階33)。前記蒸着部
15のウェーハ11を前記コンベヤー13を用いてか焼部21に
搬送させ、前記シリカスートの水分を除去する(段階3
5)。前記シリカスートの脱水は図5に示されたように約7
00℃で約30分程のか焼工程を行う。前記か焼部21のウェ
ーハ11を前記コンベヤー13を用いて焼結部23に搬送さ
せ、前記シリカスートを緻密化してシリカ膜を形成する
(段階37)。前記焼結部23におけるシリカスートの緻密化
のため、図5に示したように、1250℃〜1300℃で約2〜3
時間程の焼結工程を行う。前記か焼部21及び焼結部23で
ウェーハが経る温度分布及び工程時間は、常に一定の温
度勾配を経ることによりウェーハに加えられる熱衝撃を
減少させる。
のウェーハを装着手段を用いてコンベヤー13の装着部に
ローディングする(段階31)。次いで、前記装着された複
数のウェーハ11を前記コンベヤー13を用いて蒸着部15に
搬送させ、前記複数のウェーハ上に火炎加水分解蒸着法
を用いてシリカスートを蒸着する(段階33)。前記蒸着部
15のウェーハ11を前記コンベヤー13を用いてか焼部21に
搬送させ、前記シリカスートの水分を除去する(段階3
5)。前記シリカスートの脱水は図5に示されたように約7
00℃で約30分程のか焼工程を行う。前記か焼部21のウェ
ーハ11を前記コンベヤー13を用いて焼結部23に搬送さ
せ、前記シリカスートを緻密化してシリカ膜を形成する
(段階37)。前記焼結部23におけるシリカスートの緻密化
のため、図5に示したように、1250℃〜1300℃で約2〜3
時間程の焼結工程を行う。前記か焼部21及び焼結部23で
ウェーハが経る温度分布及び工程時間は、常に一定の温
度勾配を経ることによりウェーハに加えられる熱衝撃を
減少させる。
【００２８】次いで、必要に応じて前記シリカ膜の平坦
化のために表面を研磨する(段階39)。前記シリカ膜の表
面研磨は機械的な研磨、化学的な研磨または化学機械的
な研磨を用いて行う。前記機械的な研磨は前記シリカ膜
の表面物質より硬度の高い物質を用いて物理的に前記シ
リカ膜の表面を少しずつ磨減らす方法であり、前記化学
的な研磨は前記シリカ膜の表面と反応する化学物質を使
用して表面を少しずつ溶かす方法である。前記化学機械
的な研磨は前記機械的な研磨と化学的な研磨とを同時に
用いて、研磨剤、例えばシリカ膜と反応する水酸化カリ
ウムKOHが添加された研磨剤と前記シリカ膜を化学反応
させながら機械的に研磨して研磨効率を増進させる方法
である。このようにシリカ膜を表面研磨する理由は、光
素子においてシリカ膜の表面が不均一な場合に発生する
光素子の特性、例えば、他の電波で妨害される混信など
の漏話(cross talk)特性を改善させるためである。
化のために表面を研磨する(段階39)。前記シリカ膜の表
面研磨は機械的な研磨、化学的な研磨または化学機械的
な研磨を用いて行う。前記機械的な研磨は前記シリカ膜
の表面物質より硬度の高い物質を用いて物理的に前記シ
リカ膜の表面を少しずつ磨減らす方法であり、前記化学
的な研磨は前記シリカ膜の表面と反応する化学物質を使
用して表面を少しずつ溶かす方法である。前記化学機械
的な研磨は前記機械的な研磨と化学的な研磨とを同時に
用いて、研磨剤、例えばシリカ膜と反応する水酸化カリ
ウムKOHが添加された研磨剤と前記シリカ膜を化学反応
させながら機械的に研磨して研磨効率を増進させる方法
である。このようにシリカ膜を表面研磨する理由は、光
素子においてシリカ膜の表面が不均一な場合に発生する
光素子の特性、例えば、他の電波で妨害される混信など
の漏話(cross talk)特性を改善させるためである。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシリカ膜
の製造装置は、シリカ膜の製造時に複数枚のウェーハを
円板上に装着させることなく、コンベヤーに搬送させて
製造することにより、シリカ膜の生産性を向上させる。
本発明のシリカ膜の製造方法は、一つのバッチを蒸着し
た後、再びウェーハを装着して蒸着システムを安定化し
た後、蒸着を行なう非効率的な方法を使用せずに、図1
のシリカ膜の製造装置を用いて、ウェーハが供給される
と蒸着部、か焼部及び焼結部の順に連続工程が行われ
る。従って、本発明のシリカ膜の製造方法は生産工程を
連続的に進行してウェーハをローディングしたり蒸着部
を安定化させる必要がないため、従来の技術とは異なり
生産性を向上させる。また、本発明のシリカ膜の製造方
法は生産工程が連続的に行われるので、シリカ光素子を
製作するためのシリカ膜の大量生産を可能にしてシリカ
膜の均一性の向上と生産コストを低減できる。更に、シ
リカ膜の生産工程が連続的に行われるので、シリカスー
トを蒸着した後、ウェーハを空気中に露出させる必要が
ないため、汚染と水分によるシリカ膜の劣化を防止でき
る。
の製造装置は、シリカ膜の製造時に複数枚のウェーハを
円板上に装着させることなく、コンベヤーに搬送させて
製造することにより、シリカ膜の生産性を向上させる。
本発明のシリカ膜の製造方法は、一つのバッチを蒸着し
た後、再びウェーハを装着して蒸着システムを安定化し
た後、蒸着を行なう非効率的な方法を使用せずに、図1
のシリカ膜の製造装置を用いて、ウェーハが供給される
と蒸着部、か焼部及び焼結部の順に連続工程が行われ
る。従って、本発明のシリカ膜の製造方法は生産工程を
連続的に進行してウェーハをローディングしたり蒸着部
を安定化させる必要がないため、従来の技術とは異なり
生産性を向上させる。また、本発明のシリカ膜の製造方
法は生産工程が連続的に行われるので、シリカ光素子を
製作するためのシリカ膜の大量生産を可能にしてシリカ
膜の均一性の向上と生産コストを低減できる。更に、シ
リカ膜の生産工程が連続的に行われるので、シリカスー
トを蒸着した後、ウェーハを空気中に露出させる必要が
ないため、汚染と水分によるシリカ膜の劣化を防止でき
る。
【図１】本発明によるシリカ膜の製造装置を示す概略図
である。
である。
【図２】図1に示した蒸着部のトーチの搬送経路を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】図2のトーチの搬送経路に応じるシリカスート
の厚さ分布を示す図である。
の厚さ分布を示す図である。
【図４】図1に示すシリカ膜の製造装置を用いたシリカ
膜の製造方法を説明するための流れ図である。
膜の製造方法を説明するための流れ図である。
【図５】図1のシリカ膜の製造装置のか焼部及び焼結部
でウェーハが経る温度分布を示すグラフである。
でウェーハが経る温度分布を示すグラフである。
11 ウェーハ 13 コンベヤー 15 蒸着部 17 トーチ 19 運送部 21 か焼部 23 焼結部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C01B 33/12 H01L 21/205 H01L 21/31 - 21/318
Claims (10)
- 【請求項１】 複数のウェーハがローディングされる装
着部を具備し、当該装着部に装着されたウェーハを搬送
するコンベヤーと、 前記コンベヤーの上部に位置し、火炎を生成させ前記複
数のウェーハ上にシリカスートを蒸着する蒸着部と、 前記蒸着部に隣接して前記シリカスートの水分を除去す
るか焼部と、 前記か焼部に隣接して前記か焼されたシリカスートを緻
密化してシリカ膜を形成する焼結部と、 を備えることを特徴とするシリカ膜の製造装置。 - 【請求項２】 前記装着部は前記コンベヤーの表面にウ
ェーハ状の陰刻溝で形成されることを特徴とする請求項
１に記載のシリカ膜の製造装置。 - 【請求項３】 前記コンベヤーは酸化アルミ二ウムAl2O
3、ムライト、炭化珪素SiC、陽極酸化されたアルミ二ウ
ムAl及び陽極酸化されたタングステンWのうち選択され
た何れか一つで構成されることを特徴とする請求項１に
記載のシリカ膜の製造装置。 - 【請求項４】 前記蒸着部は原料ガスが供給されて火炎
を生成する複数のトーチと、前記複数のトーチの運送を
制御する運送部とにより構成されることを特徴とする請
求項１に記載のシリカ膜の製造装置。 - 【請求項５】 複数のウェーハを、装着手段を用いてコ
ンベヤーの装着部にローディングする段階と、 前記ローディングされた複数のウェーハを前記コンベヤ
ーを用いて蒸着部に搬送させ、前記複数のウェーハ上に
シリカスートを蒸着する段階と、 前記蒸着部のウェーハを前記コンベヤーを用いてか焼部
に搬送させ、前記シリカスートの水分を除去する段階
と、 前記か焼部のウェーハを前記コンベヤーを用いて焼結部
に搬送させ、前記シリカスートを緻密化してシリカ膜を
形成する段階と、 を有することを特徴とするシリカ膜の製造方法。 - 【請求項６】 前記シリカスートの脱水は700℃で約30
分行うことを特徴とする請求項５に記載のシリカ膜の製
造方法。 - 【請求項７】 前記シリカスートの緻密化は約1250℃〜
1300℃で約2〜3時間行うことを特徴とする請求項５に記
載のシリカ膜の製造方法。 - 【請求項８】 前記シリカスートは火炎加水分解蒸着法
で形成されることを特徴とする請求項５に記載のシリカ
膜の製造方法。 - 【請求項９】 前記シリカ膜を形成する段階の後に前記
シリカ膜の表面を研磨する段階をさらに有することを特
徴とする請求項５に記載のシリカ膜の製造方法。 - 【請求項１０】 前記シリカ膜の表面研磨は機械的な研
磨、化学的な研磨または化学機械的な研磨を用いて行う
ことを特徴とする請求項９に記載のシリカ膜の製造方
法。
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| KR1997-32888 | 1997-07-15 | ||
| KR1019970032888A KR100509510B1 (ko) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 균일한 평면 광도파로 제작방법 |
| KR1997-28145 | 1997-07-15 |
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| DE4418401C1 (de) * | 1994-05-26 | 1995-06-01 | Heraeus Quarzglas | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Platten aus Quarzglas |
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-
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| US6280525B1 (en) | 2001-08-28 |
| GB2326649B (en) | 1999-09-01 |
| GB9813734D0 (en) | 1998-08-26 |
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