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JP2979277B2 - Probe method - Google Patents

Probe method

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Publication number
JP2979277B2
JP2979277B2 JP5039389A JP3938993A JP2979277B2 JP 2979277 B2 JP2979277 B2 JP 2979277B2 JP 5039389 A JP5039389 A JP 5039389A JP 3938993 A JP3938993 A JP 3938993A JP 2979277 B2 JP2979277 B2 JP 2979277B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holding table
axis
probe needle
probe
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP5039389A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06232224A (en
Inventor
晴彦 吉岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP5039389A priority Critical patent/JP2979277B2/en
Publication of JPH06232224A publication Critical patent/JPH06232224A/en
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Publication of JP2979277B2 publication Critical patent/JP2979277B2/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プローブ方法に関す
る。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a probe method .

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
ウエハ製造プロセスが終了してウエハ内にICチップが
完成した後、電極パターンのショート、オープンやIC
チップの入出力特性などを調べるためにプローブ装置に
よるプローブテストと呼ばれる電気的測定が行われ、ウ
エハの状態でICチップの良否が判定される。その後ウ
エハはICチップに分断され、良品のICチップについ
てパッケージングされてから例えば所定のプローブテス
トを行って最終製品の良否が判定される。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
After the wafer manufacturing process is completed and IC chips are completed in the wafer, short-circuiting and opening of the electrode pattern and IC
An electrical measurement called a probe test is performed by a probe device to examine the input / output characteristics of the chip and the like, and the quality of the IC chip is determined in the state of the wafer. Thereafter, the wafer is divided into IC chips, and the non-defective IC chips are packaged, and, for example, a predetermined probe test is performed to determine the quality of the final product.

【0003】従来のプローブ装置は、図6に示すように
X、Y、Z、θ方向に移動可能なウエハ保持台1の上方
側に、ウエハW内のICチップの電極パッド配列に対応
して配列されたプローブ針11を備えたプローブカード
12が配置されている。そしてウエハW内のICチップ
の電極パッドとプローブ針11とを接触させ、コンタク
トリング13を通してテストヘッド14により電気的測
定が行われる。
As shown in FIG. 6, a conventional probe device is arranged above a wafer holder 1 movable in the X, Y, Z, and θ directions in accordance with an electrode pad arrangement of IC chips in a wafer W. A probe card 12 having the arranged probe needles 11 is arranged. Then, an electrode pad of an IC chip in the wafer W is brought into contact with the probe needle 11, and an electrical measurement is performed by the test head 14 through the contact ring 13.

【0004】ところで正確な電気的測定を行うために
は、プローブ針11を電極パッドに確実に接触させなけ
ればならず、このためウエハ保持台1を高精度に制御す
ると共に、測定前にプローブ針11に対して電極パッド
を正確に位置合わせすることが必要である。一方テスト
ヘッド14内には多数の回路部品や配線が組み込まれて
いるため、この中にTVカメラなどを設けることが困難
であることから、テストヘッド14から離れた位置aに
光学系ユニット15を配置し、この光学系ユニット15
の下方側を図7に示すようにアライメント(位置合わ
せ)領域としてここでウエハWの位置合わせを例えば次
のようにして行っている。
In order to perform accurate electrical measurement, the probe needle 11 must be reliably brought into contact with the electrode pad. Therefore, the wafer holder 1 is controlled with high accuracy, and the probe needle 11 is controlled before measurement. It is necessary to accurately align the electrode pads with respect to the eleventh electrode pad. On the other hand, since a large number of circuit components and wirings are incorporated in the test head 14, it is difficult to provide a TV camera or the like in the test head 14. Therefore, the optical system unit 15 is located at a position a away from the test head 14. This optical system unit 15
7 is set as an alignment (alignment) area as shown in FIG. 7, and the alignment of the wafer W is performed as follows, for example.

【0005】即ち先ずアライメント対象のウエハをウエ
ハ保持台1に載置し、このウエハW上に形成された特定
点あるいは基準マークを、ウエハ保持台1を移動させる
ことにより光学系ユニット15の真下に正確に位置させ
て前記特定点あるいは基準マークを認識する。このとき
ボールネジよりなるX軸、Y軸の各モータに取り付けら
れたエンコーダからのパルス数をカウントし、各マーク
間の長さと、その長さを移動するのに必要なパルス数と
にもとずいて移動距離を求める。なお図6ではX軸に関
してのみモータ及びエンコーダを夫々符号18、19に
より示してある。
That is, first, a wafer to be aligned is placed on the wafer holding table 1, and a specific point or reference mark formed on the wafer W is moved directly below the optical system unit 15 by moving the wafer holding table 1. The specific point or fiducial mark is recognized by accurately positioning. At this time, the number of pulses from an encoder attached to each of the X-axis and Y-axis motors composed of ball screws is counted, and based on the length between each mark and the number of pulses required to move the length. To determine the travel distance. In FIG. 6, motors and encoders are indicated by reference numerals 18 and 19 only for the X axis.

【0006】そしてウエハWを測定する場合、前記特定
点あるいは基準マ−ク例えばウエハWの周縁の所定の複
数箇所例えば4ヶ所について光学系ユニット15により
認識して前記アライメント対象のウエハとの移動量の差
を算出することにより位置合わせを行う。この位置合わ
せを行うことによって、プロービング領域でのプローブ
針11とICチップの電極パッドとの位置合わせが自動
的に行われるように、プロービング領域とアライメント
領域との相対位置や、ボールネジの駆動量などが設定さ
れている。電極パッドとプローブ針11との相対位置が
合っていれば、既にアライメント領域にて移動距離を把
握しているので、そのデータにもとずいて保持台1を移
動させることにより、全ての電極パッドが正確にプロー
ブ針11と接触するようになる。
When measuring the wafer W, the optical system unit 15 recognizes the specific point or the reference mark, for example, a plurality of predetermined positions on the periphery of the wafer W, for example, four positions, and moves the wafer W with respect to the alignment target wafer. Alignment is performed by calculating the difference between. By performing this alignment, the relative position between the probing area and the alignment area, the driving amount of the ball screw, and the like are set so that the positioning of the probe needle 11 and the electrode pad of the IC chip in the probing area is automatically performed. Is set. If the relative positions of the electrode pads and the probe needles 11 are matched, the movement distance has already been grasped in the alignment area. Therefore, by moving the holding table 1 based on the data, all the electrode pads can be moved. Comes into contact with the probe needle 11 accurately.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで上述の装置で
は、光学系ユニット15の下のアライメント領域におけ
るウエハ保持台1のデータを、プローブカード12の下
のプロービング領域に転写して使用していることにな
る。従って両方の領域における三次元座標の状態が同じ
であればウエハはプロービング領域においてもアライメ
ント領域と同じように移動するが、次のように状態が異
なるため、ウエハの移動(ICチップの移動)に誤差が
生じる。
In the above-described apparatus, the data of the wafer holder 1 in the alignment area below the optical system unit 15 is transferred to the probing area below the probe card 12 and used. become. Therefore, if the state of the three-dimensional coordinates in both areas is the same, the wafer moves in the probing area in the same manner as in the alignment area. However, since the state is different as follows, the wafer moves (IC chip movement). An error occurs.

【0008】上記の2つの領域は、例えば約700mm
離れており、三次元方向のウエハの姿勢や位置は、この
間のボールネジの加工精度や、ガイドのヨーイング(X
−Y平面上の左右の振れ)、ピッチング(前後の傾き)
及びローリンク(移動軸のまわりの傾き)などの影響に
よって決定され、更に測定する時の環境温度によりボ−
ルネジの伸び縮みが発生したり、更にまたアライメント
領域からプロービング領域に移動するときのボールネジ
の摩擦熱による熱膨脹の影響も加わってウエハはアライ
メント領域からプロービング領域に移動したときに元の
姿勢と変わった姿勢、例えば催かに左右に振れたり、前
後に傾いた状態となる。
[0008] The above two areas are, for example, about 700 mm.
The position and position of the wafer in the three-dimensional direction are determined by the ball screw processing accuracy and the guide yawing (X
-Y-plane deflection), pitching (front-back tilt)
And low link (tilt around the axis of movement).
The wafer changed its original posture when it moved from the alignment area to the probing area due to the expansion and contraction of the screw and the effect of thermal expansion due to the frictional heat of the ball screw when moving from the alignment area to the probing area. The posture, for example, swinging to the left or right, or leaning back and forth.

【0009】このようなウエハ保持台1の位置精度は、
温度一定の場合には、一軸(X方向またはY方向)で±
3〜5μm程度であるが、環境温度変化による影響を考
慮すると、更に精度が悪化する。例えばウエハ保持台1
の設定温度を150℃程度に加熱した場合には、シリコ
ンの熱膨脹係数とボールネジの熱膨脹係数とが大きく異
なることからこの分を補正しなくてはならない。この補
正は前記環境温度一定の条件では成り立つが、例えばこ
の環境温度が変化した場合には、その温度変化に応じた
ボールネジの熱膨脹の変化分、あるいは温度変化に応じ
た前記ヨーイング、ピッチング、ローリングの変化分な
どが誤差となってしまう。
The positional accuracy of the wafer holder 1 is as follows.
When the temperature is constant, ± 1 axis (X direction or Y direction)
Although it is about 3 to 5 μm, the accuracy is further deteriorated in consideration of the influence of the environmental temperature change. For example, wafer holder 1
When the set temperature is heated to about 150 ° C., since the thermal expansion coefficient of silicon and the thermal expansion coefficient of the ball screw greatly differ, this must be corrected. This correction is realized under the condition of the constant environmental temperature. For example, when the environmental temperature changes, the change of the thermal expansion of the ball screw according to the temperature change, or the yawing, pitching, and rolling according to the temperature change. The change is an error.

【0010】従ってウエハ保持台1がプロービング領域
内の所定位置に置かれたとしても、ウエハの姿勢及びI
Cチップの位置は、アライメント領域で予定したものと
は異なってしまう。更にプロービング領域とアライメン
ト領域とでは、ボールネジの状態が上述のように加工精
度やヨーイングなどの影響により異なるため、エンコー
ダの1パルス当りの実際の移動量が異なってくる。以上
のような誤差は、それ程大きなものではないが、DRA
Mが32M、64Mへと移行しつつあるようにデバイス
が増々高集積化しつつあり、電極パッドが微小化しかつ
その数が増大することから、そしてまたウエハが大口径
化していることからこうしたウエハの位置の誤差(IC
チップの位置の誤差)が生じると、ウエハ上の全ての電
極パッドに対して正確に電極パッドに接触させることが
困難になり、精度の高い電気的測定を行うことができな
いという問題がある。
Therefore, even if the wafer holding table 1 is placed at a predetermined position in the probing area, the attitude of the wafer and the I
The position of the C chip is different from the position expected in the alignment area. Further, since the state of the ball screw is different between the probing area and the alignment area due to the influence of machining accuracy, yawing, and the like as described above, the actual amount of movement of the encoder per one pulse is different. Although the above error is not so large, DRA
As devices are becoming more and more highly integrated as M is shifting to 32M and 64M, the size and number of electrode pads are reduced, and the size of such wafers is also increasing. Position error (IC
When the position error of the chip occurs, it is difficult to accurately contact all the electrode pads on the wafer with the electrode pads, and there is a problem that it is not possible to perform highly accurate electrical measurement.

【0011】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、プローブ針を常に正確に被
検査体の電極パッドに接触させることができ、高い精度
で電気的測定を行うことのできるプローブ方法を提供す
ることにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to make it possible to always accurately and accurately contact a probe needle with an electrode pad of an object to be inspected, and to perform electrical measurement with high accuracy. It is to provide a probe method capable of performing the above.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、多数
の被検査チップが縦横に配列された被検査体を、エンコ
ーダが連結されたモータによりX軸及びY軸に沿って
動される保持台に保持させ、この保持台を間欠的に移動
させることにより、プローブ針を被検査チップの電極パ
ッドに順次接触させて被検査体の電気的測定を行うプロ
ーブ方法において、前記プローブ針と電極パッドとを順
次接触させるときの被検査体の移動範囲である測定領域
内にて前記保持台をX軸に沿って移動させて、被検査チ
ップの縦(横)の並びに沿って離れている複数の特定位
置を撮像し、このときの保持台の移動に伴うエンコ−ダ
からのパルス数と特定位置間の距離とに基づいて1パル
ス当たりのX軸方向の保持台の移動量を求める工程と、
前記プローブ針と電極パッドとを順次接触させるときの
被検査体の移動範囲である測定領域内にて前記保持台を
Y軸に沿って移動させて、被検査チップの横(縦)の並
びに沿って離れている複数の特定位置を撮像し、このと
きの保持台の移動に伴うエンコ−ダからのパルス数と特
定位置間の距離とに基づいて1パルス当たりのY軸方向
の保持台の移動量を求める工程と、前記測定領域内にて
被検査体表面上の特定位置を撮像すると共に、前記プロ
ーブ針の針先を撮像し、このときの撮像結果に基づいて
電極パッドとプローブ針との位置合わせを行う工程と、
この工程で位置合わせを行った後、すでに求めた1パル
ス当たりのX軸方向の保持台の移動量及び1パルス当た
りのY軸方向の保持台の移動量に基づいてモ−タを制御
し、これによりプローブ針を被検査チップの電極パッド
に順次接触させて被検査体の電気的測定を行う工程と、
を含むことを特徴とする。
Means for Solving the Problems of claims 1 invention, numerous
The test object in which the chips to be inspected are arranged vertically and horizontally is held on a holding table driven along a X axis and a Y axis by a motor to which an encoder is connected, and the holding table is intermittently held. Pro performed by moving, electrical measurements of the device under test by sequentially contacting the probe with the electrode pads of the inspection chip
In the probe method , the probe needle and the electrode pad are sequentially
Measurement area that is the range of movement of the test object when making the next contact
The holding table is moved along the X axis in the
Multiple locations separated along the vertical (horizontal) row of the
Image of the device, and an encoder associated with the movement of the holding table at this time.
1 pal based on the number of pulses from
Determining the amount of movement of the holding table in the X-axis direction per scan;
When the probe needle and the electrode pad are sequentially contacted
Move the holding table within the measurement area, which is the range of movement of the test object.
Move along the Y-axis to align the horizontal (vertical)
Images of multiple specific locations that are separated along
The number of pulses from the encoder and the characteristics
Y-axis direction per pulse based on distance between fixed positions
Obtaining the moving amount of the holding table, and within the measurement area
While imaging a specific position on the surface of the test object,
The tip of the probe needle is imaged, and based on the imaging result at this time,
A step of aligning the electrode pad with the probe needle;
After positioning in this process, 1 pal
The amount of movement of the holding table in the X-axis direction per pulse and one pulse
The motor is controlled based on the amount of movement of the holding table in the Y-axis direction
This allows the probe needle to be connected to the electrode pad of the chip under test.
A step of making electrical measurement of the test object by sequentially contacting
It is characterized by including .

【0013】[0013]

【作用】測定領域(プロ−ビング領域)に置かれた被検
査体の例えば表面の特定位置を認識手段で認識し、保持
台を移動させて先の特定位置から被検査体上で例えばX
方向に離れている他の特定位置を認識手段で認識する。
このとき演算処理部でエンコーダのパルス数を求め、こ
の操作を例えばY方向についても行うことにより、被検
査体上のX、Y方向の長さとエンコーダのパルス数との
関係を求める。
The recognition means recognizes, for example, a specific position of the surface of the test object placed in the measurement area (probing area) by the recognition means, and moves the holding table to, for example, X on the test object from the previous specific position.
The other specific position separated in the direction is recognized by the recognition means.
At this time, the arithmetic processing unit obtains the number of encoder pulses, and performs this operation in, for example, the Y direction, thereby obtaining the relationship between the length in the X and Y directions on the test object and the number of encoder pulses.

【0014】この関係を用いてモータを制御することに
より、保持台の駆動系例えばボールネジの加工精度や歪
みなどにもとづく制御系の絶対座標中に含まれる誤差に
影響されずに、測定時に被検査体を正確に移動させるこ
とができる。また測定領域内でプローブ針と電極パッド
との相対的位置合わせを行うことにより、別のアライメ
ント領域で位置合わせを行う場合に比べて、領域間の駆
動系の誤差が含まれないので非常に高精度にプローブ針
と電極パッドとを接触させることができる。
By controlling the motor using this relationship, the test system can be inspected at the time of measurement without being affected by errors included in the absolute coordinates of the control system based on the driving system of the holding table, for example, the processing accuracy and distortion of the ball screw. You can move your body accurately. In addition, by performing relative positioning between the probe needle and the electrode pad in the measurement area, compared with the case of performing alignment in another alignment area, there is no error in the drive system between the areas, which is extremely high. The probe needle and the electrode pad can be accurately contacted.

【0015】[0015]

【実施例】図1は、本発明の実施例の概略全体を示す説
明図、図2はこの実施例の上部を示す縦断側面図であ
る。である。この実施例では、ウエハ保持台2はX軸テ
ーブル3の上に、図示しないθ移動機構によりθ方向に
移動自在に設けられており、例えばヒータ(図示せず)
を内蔵している。X軸テーブル3は、Y軸テーブル4の
上をボールネジよりなるX軸31によりガイド部3aに
ガイドされながらX方向に移動できるように構成される
と共に、Y軸テーブル4は、ベーステーブル40の上を
ボールネジよりなるY軸41によりガイド部4aにガイ
ドされながらY方向に移動でるように構成されている。
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an entire embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a vertical sectional side view showing an upper portion of the embodiment. It is. In this embodiment, the wafer holding table 2 is provided on the X-axis table 3 so as to be movable in the θ direction by a θ moving mechanism (not shown), for example, a heater (not shown).
Built-in. The X-axis table 3 is configured to be able to move in the X-direction while being guided on the Y-axis table 4 by the guide portion 3 a by the X-axis 31 composed of a ball screw. Can be moved in the Y direction while being guided by the guide portion 4a by the Y axis 41 composed of a ball screw.

【0016】前記X軸31は、当該X軸31を駆動する
モータ32に連結されており、このモータ32には、エ
ンコーダ33が取り付けられている。またY軸41につ
いてもモータ42及びエンコーダ43が取り付けられて
いる。
The X axis 31 is connected to a motor 32 for driving the X axis 31. An encoder 33 is attached to the motor 32. The motor 42 and the encoder 43 are also attached to the Y axis 41.

【0017】前記ウエハ保持台2の上方側には、インサ
ートリング21に取り付けられたプローブカード22が
配置され、このインサートリング21は装置本体20に
固定されている。プローブカード22の上面側には、図
2の上部断面図に示すように測定系の電極例えばコンタ
クトリング23のポゴピン23aに接触される電極24
が配列される一方、プローブカード22の下面側には、
この電極22aに夫々電気的に接続され、被検査体であ
るウエハ上の電極パッドの配列に対応して接触手段をな
すプローブ針25が配列されている。
A probe card 22 attached to an insert ring 21 is disposed above the wafer holder 2, and the insert ring 21 is fixed to the apparatus main body 20. On the upper surface side of the probe card 22, as shown in the upper sectional view of FIG.
Are arranged on the lower surface side of the probe card 22,
Probe needles 25 which are electrically connected to the electrodes 22a and serve as contact means corresponding to the arrangement of the electrode pads on the wafer to be inspected are arranged.

【0018】前記ウエハ保持台2とプローブ針25との
間の間隙には、中央部の上下両面に夫々開口部51、5
2を備えた筒状の保持部材5が進退自在に設けられ、こ
の保持部材5は、装置本体20の上面内部側に架設され
た2本のガイドレール53、53に両端が案内されて、
プローブ針25の下方側とウエハ保持台2の昇降領域か
ら外れた装置本体20の隅部との間で移動できるように
構成されている。またガイドレール53、53は図示し
ない例えばボールネジを用いた昇降機構に組み合わせて
設けられており、従って保持台部材5は、この例では
Y、Z方向に移動することができる。ただし保持部材5
は、X方向にも移動可能に構成してもよい。
In the gap between the wafer holder 2 and the probe needle 25, openings 51, 5
2 is provided so as to be able to advance and retreat, and both ends of the holding member 5 are guided by two guide rails 53, 53 laid on the inside of the upper surface of the apparatus main body 20.
It is configured to be able to move between the lower side of the probe needle 25 and the corner of the apparatus main body 20 which is out of the elevating area of the wafer holding table 2. The guide rails 53 are provided in combination with an elevating mechanism using, for example, a ball screw (not shown). Therefore, the holding base member 5 can move in the Y and Z directions in this example. However, holding member 5
May be configured to be movable also in the X direction.

【0019】この保持部材5の側端部には、当該保持部
材5内にて長さ方向に光軸が形成されるように、例えば
低倍率表示と高倍率表示との切り替えが可能な位置合わ
せ用のCCDカメラ61が取り付けられると共に、保持
部材5の中央部には、開口部51を介して取り込まれた
プローブ針25の画像を反射してCCDカメラ61内に
伝送させるようにハーフミラーM1が設けられている。
At the side end portion of the holding member 5, for example, an alignment capable of switching between low magnification display and high magnification display is formed so that an optical axis is formed in the holding member 5 in the longitudinal direction. CCD camera 61 is mounted, and a half mirror M1 is provided at the center of the holding member 5 so as to reflect the image of the probe needle 25 taken in through the opening 51 and transmit the image to the CCD camera 61. Is provided.

【0020】更に前記保持部材5内には、ハーフミラー
M1に対してCCDカメラ61とは反対位置でありかつ
CCDカメラ61の光軸上に、全反射ミラーM2が配置
されており、この全反射ミラーM2は、ウエハ保持台2
上のウエハWの表面の画像が開口部52を通ってハーフ
ミラーM1にて全反射ミラーM2側に反射した後、当該
画像をハーフミラーM1に向けて全反射する役割を持つ
ものである。この例ではハーフミラーM1及び全反射ミ
ラーM2により光学系部材が構成される。
Further, in the holding member 5, a total reflection mirror M2 is disposed at a position opposite to the CCD camera 61 with respect to the half mirror M1 and on the optical axis of the CCD camera 61. The mirror M2 is mounted on the wafer holder 2
After the image on the surface of the upper wafer W is reflected by the half mirror M1 toward the total reflection mirror M2 through the opening 52, the image is totally reflected toward the half mirror M1. In this example, an optical system member is configured by the half mirror M1 and the total reflection mirror M2.

【0021】前記CCDカメラ61には画像処理部62
が接続され、この画像処理部62にて、CCDカメラ6
1により撮像された画像を2値化して、この画像と例え
ば予め格納された画像データと比較して一致、不一致か
を判定する機能を有している。この画像データとして
は、例えば後述のようにウエハ上のICチップの配列群
の端部に位置するチップや電極パッドなどについての低
倍率モード、高倍率モードの夫々のデータが相当する。
The CCD camera 61 has an image processing unit 62
Is connected, and the image processing section 62 controls the CCD camera 6
1 has a function of binarizing an image taken by 1, and comparing this image with, for example, image data stored in advance to determine whether they match or not. As the image data, for example, low-magnification mode data and high-magnification mode data on a chip or an electrode pad located at an end of an array of IC chips on a wafer as described later correspond to the image data.

【0022】この画像処理部62の出力側には演算処理
部7が設けられており、この演算処理部7は、前記エン
コーダ33、43よりのパルスが入力されると共に、例
えばウエハW上の特定の部位が画面の所定位置にきたと
きに画像処理部62より出力される認識信号が入力さ
れ、これら信号にもとづいて、ウエハW上の特定位置の
間をウエハ保持台2が移動するときのエンコーダ33ま
たは43のパルス数を演算し、これによりウエハWの移
動距離とパルス数との関係を求めて、例えばX、Y方向
の夫々について1パルスあたりのウエハWの移動距離を
求める機能を有している。この例では保持部材5に保持
された光学系部材、CCDカメラ及び画像処理部によっ
て、ウエハの位置を認識する認識手段が構成される。
An arithmetic processing unit 7 is provided on the output side of the image processing unit 62. The arithmetic processing unit 7 receives pulses from the encoders 33 and 43 and, for example, specifies a pulse on the wafer W. The recognition signal output from the image processing unit 62 is input when the part reaches a predetermined position on the screen, and based on these signals, an encoder for moving the wafer holder 2 between specific positions on the wafer W A function of calculating the number of pulses of 33 or 43, thereby obtaining the relationship between the moving distance of the wafer W and the number of pulses, for example, obtaining the moving distance of the wafer W per pulse in each of the X and Y directions. ing. In this example, recognition means for recognizing the position of the wafer is constituted by the optical system member held by the holding member 5, the CCD camera, and the image processing unit.

【0023】またウエハ保持台1の制御系には、演算処
理部7の演算結果が格納される記憶部71と、ウエハW
の測定時にこの記憶部71内のデータを参照してモータ
32、42を駆動制御し、更にまたウエハWの測定前の
初期位置を設定するために画像処理部62よりの画像デ
ータ例えば電極パッドとプローブ針25との位置ずれ分
の情報にもとづいてモータ32、42及びウエハ保持台
1のθ方向の駆動用のモータを制御してウエハWの位置
合わせを行うモータ制御部72とが設けられている。な
おこのモータ制御部72は、図示していないが、ウエハ
保持台2のZ方向の駆動用モータを制御する機能も持っ
ている。
The control system of the wafer holding table 1 includes a storage unit 71 for storing the calculation results of the calculation processing unit 7,
At the time of measurement, the motors 32 and 42 are drive-controlled with reference to the data in the storage unit 71, and further, image data from the image processing unit 62, such as an electrode pad, for setting an initial position of the wafer W before measurement. A motor control unit 72 for controlling the motors 32 and 42 and the motor for driving the wafer holder 1 in the θ direction based on the information on the positional deviation from the probe needle 25 to perform the alignment of the wafer W is provided. I have. Although not shown, the motor control unit 72 also has a function of controlling a motor for driving the wafer holder 2 in the Z direction.

【0024】またこの実施例におけるプロービング領域
(測定領域)以外の部分について簡単に説明すると、プ
ロービング領域から離れた個所に、ロード、アンロード
用のウエハキャリアCと、このキャリアCから取り出さ
れたウエハをプリアライメントするためのプリアライメ
ントステージ81と、キャリアC、プリアライメントス
テージ81及びウエハ保持台2の間でウエハを受け渡す
搬送アーム82とが配設されている。
The portion other than the probing area (measurement area) in this embodiment will be briefly described. A wafer carrier C for loading and unloading, and a wafer taken out of the carrier C are provided at a position distant from the probing area. A pre-alignment stage 81 for pre-aligning the wafer and a transfer arm 82 for transferring the wafer between the carrier C, the pre-alignment stage 81 and the wafer holding table 2 are provided.

【0025】次に上述実施例の作用について説明する。
例えば今ある同一種類のウエハについて電気的測定を行
う場合、先ずそのウエハ群の1枚を用いて、プロービン
グ領域中におけるウエハの移動量とエンコーダ33、4
3のパルス数との関係を求めて、X−Yの座標系につい
て調べておく。具体的には搬送アーム82によりキャリ
アC内のウエハWをプリアライメントステージ81に受
け渡し、ここでウエハWのオリフラ(オリエンテーショ
ンフラット)の位置を合わせた後、ウエハ保持台2上に
受け渡す。
Next, the operation of the above embodiment will be described.
For example, when electrical measurement is performed on an existing wafer of the same type, first, one of the wafer groups is used to determine the amount of movement of the wafer in the probing area and the encoders 33 and 4.
The relationship with the number of pulses of No. 3 is obtained, and the XY coordinate system is checked. Specifically, the transfer arm 82 transfers the wafer W in the carrier C to the pre-alignment stage 81, where the wafer W is aligned with the orientation flat (orientation flat) and then transferred to the wafer holding table 2.

【0026】続いてウエハWのX方向の座標系を調べる
ために、ウエハW上のICチップの配列方向をX方向
(X軸41の方向)に一致させる。この一致操作はCC
Dカメラ61にて撮像された低倍率モードの画像が画像
処理部62に格納されている画像データと一致するよう
にウエハ保持台2をθ回転させることにより行われる。
ウエハW上のX方向に離れて位置する特定位置、例えば
図3に示すようにウエハW上の被検査体チップであるI
Cチップ100のX方向の両端部に位置する電極パッド
の中心x1、x2を、CCDカメラ61の光軸上に順次
位置させるようにモータ32、42を駆動する。前記特
定位置x1、x2がCCDカメラ61の光軸上に位置し
たときはには既述したようにCCDカメラ61よりの画
像にもとづいて画像処理部62から認識信号が出力され
るため、演算処理部7にて前記特定位置x1、x2間を
ウエハ保持台2を移動させるに必要なX軸31用のエン
コーダ33のパルス数がカウントされる。そしてx1、
x2間の長さは予めわかっているので、プロービング領
域中における、ウエハWのX方向の移動量とパルス数と
の関係が求まり、1パルス当りのX方向の長さがわか
る。
Subsequently, in order to examine the coordinate system of the wafer W in the X direction, the arrangement direction of the IC chips on the wafer W is made to coincide with the X direction (the direction of the X axis 41). This match operation is CC
The rotation is performed by rotating the wafer holder 2 by θ so that the image in the low magnification mode captured by the D camera 61 matches the image data stored in the image processing unit 62.
A specific position on the wafer W that is located away from the wafer W in the X direction, for example, as shown in FIG.
The motors 32 and 42 are driven so that the centers x1 and x2 of the electrode pads located at both ends in the X direction of the C chip 100 are sequentially positioned on the optical axis of the CCD camera 61. When the specific positions x1 and x2 are located on the optical axis of the CCD camera 61, a recognition signal is output from the image processing unit 62 based on the image from the CCD camera 61 as described above. The number of pulses of the encoder 33 for the X-axis 31 required to move the wafer holding table 2 between the specific positions x1 and x2 is counted by the unit 7. And x1,
Since the length between x2 is known in advance, the relationship between the amount of movement of the wafer W in the X direction and the number of pulses in the probing region is determined, and the length in the X direction per pulse is known.

【0027】ここで画像認識の一例について述べると、
はじめにCCDカメラ61の低倍率モードを選択してお
くことにより、CCDカメラ61で撮像した、X方向の
両端部に位置するICチップ画像は図4に示すように表
示され、更にウエハ保持台2を光軸に対して走査するこ
とにより所定の電極パッドPが画面の中心にきたときに
高倍率モードに切り替える。これにより電極パッドPの
拡大画像は図5に示すように表示され、電極パッドPの
中心x1が画面の中心にきたときに画像処理部62から
認識信号が出力される。
Here, an example of image recognition will be described.
First, by selecting the low magnification mode of the CCD camera 61, the IC chip images located at both ends in the X direction, which are captured by the CCD camera 61, are displayed as shown in FIG. When the predetermined electrode pad P comes to the center of the screen by scanning with respect to the optical axis, the mode is switched to the high magnification mode. Thereby, the enlarged image of the electrode pad P is displayed as shown in FIG. 5, and the recognition signal is output from the image processing unit 62 when the center x1 of the electrode pad P comes to the center of the screen.

【0028】そしてY方向についても、ウエハW上のY
方向に離れて位置する特定の位置として同様に両端部の
電極パッドの中心を用い、同様の操作を行うことにより
ウエハWの移動量とエンコーダ43のパルス数との関係
が求まり、1パルス当りのY方向の長さがわかる。これ
らX方向、Y方向の1パルス当りの長さのデータは記憶
部71に格納される。
In the Y direction, the Y
Similarly, by using the centers of the electrode pads at both ends as specific positions located apart from each other in the same direction and performing the same operation, the relationship between the amount of movement of the wafer W and the number of pulses of the encoder 43 is obtained, and The length in the Y direction is known. The length data per pulse in the X and Y directions is stored in the storage unit 71.

【0029】このようなウエハWのX−Y座標系のデー
タを得るにあたっては、ウエハWを実際に測定するとき
に同じ条件で行われ、例えばウエハ保持台2に内蔵され
た図示しないヒータによりウエハWを約150℃程度に
加熱した状態で行われる。
Obtaining such data of the XY coordinate system of the wafer W is performed under the same conditions when actually measuring the wafer W. For example, the wafer W is provided by a heater (not shown) built in the wafer holder 2. This is performed in a state where W is heated to about 150 ° C.

【0030】次に当該ウエハWについてプローブ針25
に対して位置合わせを行う。この位置合わせは、カメラ
61により低倍率モードで撮像し、特定のICチップの
全電極パッド内にプローブ針25の針先が位置するよう
に、ウエハ保持台2を移動させて粗調整を行い、次いで
高倍率モードに切り替えて撮像し、特定の電極パッドの
中心に針先が位置するようにウエハ保持台2を移動させ
て微調整を行う。これらの調整は、X、Y、θ方向につ
いて行われる。その後光学系部材の保持部材5をガイド
レール53に沿ってプロービング領域から外れた領域に
図示しない駆動機構により退避させた後、ウエハ保持台
2を上昇させてプローブ針25と電極パッドとを接触さ
せ、テストヘッド26とICチップとの間で電気信号の
授受を行って電気的測定を行う。
Next, the probe W
Is aligned with respect to. This alignment is performed by the camera 61 in the low-magnification mode, and the wafer holder 2 is moved so that the tips of the probe needles 25 are located within all the electrode pads of the specific IC chip, and the coarse adjustment is performed. Next, the mode is switched to the high magnification mode to perform imaging, and fine adjustment is performed by moving the wafer holder 2 so that the needle tip is located at the center of the specific electrode pad. These adjustments are made in the X, Y, and θ directions. After that, the holding member 5 of the optical system member is retracted along the guide rail 53 to a region outside the probing region by a driving mechanism (not shown), and then the wafer holding table 2 is raised to bring the probe needle 25 into contact with the electrode pad. An electric signal is transmitted and received between the test head 26 and the IC chip to perform an electric measurement.

【0031】このような実施例によれば、ウエハWのI
Cチップの配列パターンを基準スケールとして、ウエハ
Wがどれだけ移動するとエンコーダのパルスがいくつカ
ウントされるかということを、ウエハWの測定領域であ
るプロービング領域(ウエハWの測定時にウエハWが移
動する領域)内にて予め調べておき、そのデータにもと
づいて、ウエハWの測定時にウエハ保持台2を移動させ
ている。従ってボールネジ31、41の加工精度やウエ
ハWを加熱したときのシリコンとボールネジ31、41
との熱膨脹にもとづく誤差などが制御系の絶対座標中に
含まれていても、プロービング領域とアライメント領域
とが同じであるため、これら誤差は測定時のウエハWの
移動制御の中には含まれてない。この結果ウエハW上の
いずれの電極パッドに対してもプローブ針25を正確に
接触させることができ、電気的測定を高い精度で行うこ
とができる。
According to such an embodiment, the I
Using the array pattern of the C chips as a reference scale, how much the wafer W moves and how many encoder pulses are counted is determined by the probing area (the wafer W moves when the wafer W is measured) which is the measurement area of the wafer W. In this case, the wafer holding table 2 is moved when the wafer W is measured based on the data. Accordingly, the processing accuracy of the ball screws 31 and 41 and the silicon and the ball screws 31 and 41 when the wafer W is heated.
Even if errors due to thermal expansion of the wafer W are included in the absolute coordinates of the control system, since the probing area and the alignment area are the same, these errors are included in the movement control of the wafer W during measurement. Not. As a result, the probe needles 25 can be accurately brought into contact with any of the electrode pads on the wafer W, and electrical measurement can be performed with high accuracy.

【0032】またプロービング領域内でプローブ針25
と電極パッドとの位置合わせを行うので、別のアライメ
ント領域で位置合わせを行う場合に比べて領域間のボー
ルネジの加工精度や歪みの誤差が含まれないので、この
点からも高い精度でプローブ針25と電極パッドとを接
触させることができる。
In the probing area, the probe needle 25
Since the alignment between the probe and the electrode pad is performed, errors in the processing accuracy and distortion of the ball screw between the regions are not included as compared with the case where alignment is performed in another alignment region. 25 can be brought into contact with the electrode pads.

【0033】以上においてウエハW上の特定位置を認識
するにあたっては、ウエハW上のX方向(あるいはY方
向)に並ぶ3個以上のチップを特定位置とし、ウエハW
領域を分割して各分割領域毎にパルス数と長さとの関係
を調べてもよいし、あるいは製品として用いない専用の
ウエハW上に特定位置をなす多数マークを付しておいて
もよい。
In recognizing the specific position on the wafer W, three or more chips arranged in the X direction (or the Y direction) on the wafer W are set as the specific position and the wafer W
The region may be divided and the relationship between the number of pulses and the length may be examined for each divided region, or a number of marks forming a specific position may be added on a dedicated wafer W not used as a product.

【0034】そしてウエハ上の各チップや各マークの角
度も画像処理部62により認識し、ウエハがどの位置に
きたときにウエハ保持台2をθ方向にどのくらい移動
(回転)させればよいのかというθ方向の情報について
も、記憶部71に記憶しておき、ウエハの測定時にこの
情報にもとづいてθ駆動用のモータを制御してもよい。
このようにすれば、ボールネジの歪みなどの誤差につい
ても補正することができる。
Then, the angle of each chip and each mark on the wafer is also recognized by the image processing unit 62, and when the wafer is at which position, how much the wafer holder 2 should be moved (rotated) in the θ direction. The information in the θ direction may be stored in the storage unit 71, and the θ driving motor may be controlled based on this information when measuring the wafer.
In this way, errors such as distortion of the ball screw can be corrected.

【0035】更にまたプローブ針25の針先と電極パッ
ドとの位置合わせは、各ウエハWの測定毎に行わなくと
も、はじめの1枚について位置合わせを行っておき、そ
の位置を記憶させておくようにしてもよいし、またその
位置合わせのときに光学系部材を上下動させて針先及び
電極パッド夫々に対して焦点合わせを行うが、このとき
の光学系部材の昇降量にもとづいて針先のウエハとのZ
方向の距離を記憶しておくようにしてもよい。
Further, the alignment of the probe tip of the probe needle 25 with the electrode pad is not performed for each measurement of each wafer W, but is performed for the first wafer, and the position is stored. The optical system member may be moved up and down to perform focusing on each of the needle tip and the electrode pad at the time of the alignment, and the needle may be adjusted based on the amount of elevation of the optical system member at this time. Z with previous wafer
The distance in the direction may be stored.

【0036】なおプローブ針と電極パッドとは別々の光
学系部材で画像をとり込んでもよいし、あるいはプロー
ブ針の上から両方の画像を取り込んでもよい。また針先
の代りに相対的位置が決まっているマークを用いてもよ
い。
The image of the probe needle and the electrode pad may be captured by separate optical members, or both images may be captured from above the probe needle. Alternatively, a mark whose relative position is fixed may be used instead of the needle point.

【0037】そして上述のパルス数とウエハW上の長さ
の関係の把握は、環境温度の変化などに応じて適宜行え
ばよく、例えば各ウエハW毎に行ってもよい。また認識
手段としては、CCDカメラを用いれば分解能が高いの
で好ましいが、これに限定されることなく、例えばレー
ザ干渉計を用いてウエハWの位置を認識するようにして
もよい。
The relationship between the number of pulses and the length on the wafer W described above may be appropriately determined in accordance with a change in environmental temperature or the like. For example, the relationship may be determined for each wafer W. As the recognition means, it is preferable to use a CCD camera because the resolution is high, but the present invention is not limited to this. For example, the position of the wafer W may be recognized using a laser interferometer.

【0038】[0038]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、測定領域内に
おいて、プローブ針の針先と電極パッドとの平面的位置
が合うようにモータを制御して保持台を位置設定してい
るので、別のアライメント領域で位置合わせを行う場合
に比べて高精度に位置合わせを行うことができる。そし
て被検査体の移動量とウエハ保持台の駆動用のモータに
連結されたエンコーダのパルス数との関係を把握し、こ
の関係にもとづいて保持台を移動させているため、保持
台の駆動系に機械精度などによる誤差が含まれていても
被検査体とプローブ針との位置が正確に合うように被検
査体が移動するので、精度の高い測定を行うことができ
る。
According to the first aspect of the present invention, the position of the holding table is controlled by controlling the motor so that the two-dimensional position between the tip of the probe needle and the electrode pad is matched in the measurement area. In addition, positioning can be performed with higher accuracy than when positioning is performed in another alignment region. Then, the relationship between the amount of movement of the object to be inspected and the number of pulses of the encoder connected to the motor for driving the wafer holder is grasped, and the holder is moved based on this relationship. Even if an error due to mechanical accuracy or the like is included, the object to be inspected moves so that the position of the object to be inspected and the probe needle are accurately aligned, so that highly accurate measurement can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例の一部を示す縦断側面図であ
る。
FIG. 2 is a longitudinal sectional side view showing a part of the embodiment of the present invention.

【図3】半導体ウエハの特定位置の一例を示す説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a specific position of a semiconductor wafer.

【図4】CCDカメラによる低倍率モード時の画像を示
す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an image in a low magnification mode by a CCD camera.

【図5】CCDカメラによる高倍率モード時の画像を示
す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an image in a high magnification mode by a CCD camera.

【図6】従来のプローブ装置の一部を示す縦断側面図で
ある。
FIG. 6 is a vertical sectional side view showing a part of a conventional probe device.

【図7】従来のプローブ装置のアライメント領域を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing an alignment area of a conventional probe device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 ウエハ保持台 22 プローブカード 25 プローブ針 31、41 ボールネジ 32、42 モータ 33、43 エンコーダ 6 光学系部材の保持部材 61 CCDカメラ 62 画像処理部 7 演算処理部 71 記憶部 72 モータ制御部 2 Wafer Holder 22 Probe Card 25 Probe Needle 31, 41 Ball Screw 32, 42 Motor 33, 43 Encoder 6 Holding Member of Optical System Member 61 CCD Camera 62 Image Processing Unit 7 Arithmetic Processing Unit 71 Storage Unit 72 Motor Control Unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/66 G12B 5/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/66 G12B 5/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 多数の被検査チップが縦横に配列された
被検査体を、エンコーダが連結されたモータによりX軸
及びY軸に沿って駆動される保持台に保持させ、この保
持台を間欠的に移動させることにより、プローブ針を
検査チップの電極パッドに順次接触させて被検査体の電
気的測定を行うプローブ方法において、前記プローブ針と電極パッドとを順次接触させるときの
被検査体の移動範囲である測定領域内にて前記保持台を
X軸に沿って移動させて、被検査チップの縦(横)の並
びに沿って離れている複数の特定位置を撮像し、このと
きの保持台の移動に伴うエンコ−ダからのパルス数と特
定位置間の距離とに基づいて1パルス当たりのX軸方向
の保持台の移動量を求める工程と、 前記プローブ針と電極パッドとを順次接触させるときの
被検査体の移動範囲である測定領域内にて前記保持台を
Y軸に沿って移動させて、被検査チップの横(縦)の並
びに沿って離れている複数の特定位置を撮像し、このと
きの保持台の移動に伴うエンコ−ダからのパルス数と特
定位置間の距離とに基づいて1パルス当たりのY軸方向
の保持台の移動量を求める工程と、 前記測定領域内にて被検査体表面上の特定位置を撮像す
ると共に、前記プローブ針の針先を撮像し、このときの
撮像結果に基づいて電極パッドとプローブ針との位置合
わせを行う工程と、 この工程で位置合わせを行った後、すでに求めた1パル
ス当たりのX軸方向の保持台の移動量及び1パルス当た
りのY軸方向の保持台の移動量に基づいてモ−タを制御
し、これによりプローブ針を被検査チップの電極パッド
に順次接触させて被検査体の電気的測定を行う工程と、
を含むことを特徴とするプローブ方法。
1. A test object in which a large number of chips to be inspected are arranged vertically and horizontally by an X-axis by a motor to which an encoder is connected.
And a holding table driven along the Y-axis and intermittently moving the holding table to cover the probe needle.
In a probe method for performing electrical measurement of a device under test by sequentially contacting electrode pads of a test chip, the probe needle and the electrode pad may be sequentially contacted.
Move the holding table within the measurement area, which is the range of movement of the test object.
Move along the X-axis to align the chip vertically (horizontally)
Images of multiple specific locations that are separated along
The number of pulses from the encoder and the characteristics
X-axis direction per pulse based on distance between fixed positions
The step of determining the amount of movement of the holding table, and the step of sequentially contacting the probe needle and the electrode pad.
Move the holding table within the measurement area, which is the range of movement of the test object.
Move along the Y-axis to align the horizontal (vertical)
Images of multiple specific locations that are separated along
The number of pulses from the encoder and the characteristics
Y-axis direction per pulse based on distance between fixed positions
Calculating the moving amount of the holding table, and imaging a specific position on the surface of the test object in the measurement area.
And image the tip of the probe needle.
Position of the electrode pad and probe needle based on the imaging result
And performing Align, after alignment in this step, 1 pulse already determined
The amount of movement of the holding table in the X-axis direction per pulse and one pulse
The motor is controlled based on the amount of movement of the holding table in the Y-axis direction
This allows the probe needle to be
A step of making electrical measurement of the test object by sequentially contacting
A probe method, comprising:
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