JP2949731B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2949731B2 JP2949731B2 JP1246548A JP24654889A JP2949731B2 JP 2949731 B2 JP2949731 B2 JP 2949731B2 JP 1246548 A JP1246548 A JP 1246548A JP 24654889 A JP24654889 A JP 24654889A JP 2949731 B2 JP2949731 B2 JP 2949731B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、発散磁界型の電子サイクロトロン共鳴（EC
R）プラズマ装置を用いて基体の処理を行う半導体装置
の製造方法に関し、特に被処理基体へのダメージが少な
い異方性エッチングを可能とする半導体装置の製造方法
に関する。
R）プラズマ装置を用いて基体の処理を行う半導体装置
の製造方法に関し、特に被処理基体へのダメージが少な
い異方性エッチングを可能とする半導体装置の製造方法
に関する。
本発明は、発散磁界型の電子サイクロトロン共鳴（EC
R）プラズマ装置を用いて基体の処理を行う半導体装置
の製造方法において、プラズマ生成室内に不活性ガスを
導入し、且つ反応室内に臭素を含むガスを導入して被処
理基体上の高融点金属ポリサイド膜のエッチングを行う
ことにより、被処理基体へのダメージが少ない異方性エ
ッチングを行う。
R）プラズマ装置を用いて基体の処理を行う半導体装置
の製造方法において、プラズマ生成室内に不活性ガスを
導入し、且つ反応室内に臭素を含むガスを導入して被処
理基体上の高融点金属ポリサイド膜のエッチングを行う
ことにより、被処理基体へのダメージが少ない異方性エ
ッチングを行う。
従来、半導体集積回路は、高集積化と共に微細化が図
られ、さらに高機能化、高速化、高信頼化が要求されて
いる。半導体装置の高速化を実現するには、ゲート配線
等の各種配線の低抵抗化が必須であり、これに適する材
料として高融点金属シリサイドを用いることが有用であ
る。
られ、さらに高機能化、高速化、高信頼化が要求されて
いる。半導体装置の高速化を実現するには、ゲート配線
等の各種配線の低抵抗化が必須であり、これに適する材
料として高融点金属シリサイドを用いることが有用であ
る。
従来のプロセス、特にゲートプロセスとの互換性を保
証する目的で、不純物を導入した多結晶シリコン層と高
融点金属シリサイドを積層したポリサイド膜が知られて
いる。これは、デバイス特性や信頼性に最も影響を与え
易いゲート絶縁膜との界面に多結晶シリコンを配し、そ
の上の高融点金属シリサイド層で低抵抗化を図るもので
ある。
証する目的で、不純物を導入した多結晶シリコン層と高
融点金属シリサイドを積層したポリサイド膜が知られて
いる。これは、デバイス特性や信頼性に最も影響を与え
易いゲート絶縁膜との界面に多結晶シリコンを配し、そ
の上の高融点金属シリサイド層で低抵抗化を図るもので
ある。
ところで、高集積度を有する半導体装置の製造におい
ては、微細パターンを実現するために異方性エッチング
が有用である。
ては、微細パターンを実現するために異方性エッチング
が有用である。
上述のポリサイド膜に異方性エッチングを施すとき、
エッチングの制御が困難である。すなわち、ポリサイド
膜のエッチングにおいては、生成するハロゲン化合物の
蒸気圧の差に起因して上層の高融点金属シリサイド層よ
りも下層の多結晶シリコン層が速くエッチングされるこ
と、あるいは多結晶シリコンの粒界にハロゲンが蓄積し
て異方性が低下すること等の理由により、パターンにア
ンダカットやくびれ等を生じやすいためである。
エッチングの制御が困難である。すなわち、ポリサイド
膜のエッチングにおいては、生成するハロゲン化合物の
蒸気圧の差に起因して上層の高融点金属シリサイド層よ
りも下層の多結晶シリコン層が速くエッチングされるこ
と、あるいは多結晶シリコンの粒界にハロゲンが蓄積し
て異方性が低下すること等の理由により、パターンにア
ンダカットやくびれ等を生じやすいためである。
ゲート配線の形成は、特に自己整合技術においてチャ
ネル長に直接影響を与えるために高い寸法精度が要求さ
れるので、上述のようなパターン異常が発生しないよう
にエッチングを行う必要がある。このため、ポリサイド
膜の上下層のエッチング速度の差を小さく抑え、且つ異
方性エッチングを達成するために、フロン113（C2Cl
3F3）、フロン114（C2Cl2F4）、フロン115（C2ClF5）等
のフロン系ガスが使用されている。このガスは、分子中
の塩素とフッ素がそれぞれ効果的にエッチングに寄与
し、しかも炭素系ポリマーの堆積によって側壁保護を行
いながら異方性の高いエッチングを行えることから広く
用いられている。
ネル長に直接影響を与えるために高い寸法精度が要求さ
れるので、上述のようなパターン異常が発生しないよう
にエッチングを行う必要がある。このため、ポリサイド
膜の上下層のエッチング速度の差を小さく抑え、且つ異
方性エッチングを達成するために、フロン113（C2Cl
3F3）、フロン114（C2Cl2F4）、フロン115（C2ClF5）等
のフロン系ガスが使用されている。このガスは、分子中
の塩素とフッ素がそれぞれ効果的にエッチングに寄与
し、しかも炭素系ポリマーの堆積によって側壁保護を行
いながら異方性の高いエッチングを行えることから広く
用いられている。
しかし、炭素系ポリマーは側壁保護膜としてエッチン
グ断面に堆積するのみならず、エッチング装置の内壁に
も堆積して汚染の原因となる。また、炭素原子を含むエ
ッチングガスを使用すると、酸化シリコン等の下地に対
する選択比が低下するという問題もある。
グ断面に堆積するのみならず、エッチング装置の内壁に
も堆積して汚染の原因となる。また、炭素原子を含むエ
ッチングガスを使用すると、酸化シリコン等の下地に対
する選択比が低下するという問題もある。
そこで、炭素原子を含まないエッチングガスを用いる
エッチング技術として、プロシーディングス・オブ・ド
ライ・プロセス・シンポジウム（1988）、第58〜63ペー
ジ、講演番号II−５に、マイクロ波ダウン・ストリーム
・アッシャーを接続したRIE（反応性イオンエッチン
グ）装置を使用してHBrガスにより多結晶シリコンのエ
ッチングを行う技術が開示されている。
エッチング技術として、プロシーディングス・オブ・ド
ライ・プロセス・シンポジウム（1988）、第58〜63ペー
ジ、講演番号II−５に、マイクロ波ダウン・ストリーム
・アッシャーを接続したRIE（反応性イオンエッチン
グ）装置を使用してHBrガスにより多結晶シリコンのエ
ッチングを行う技術が開示されている。
上記文献に記載されるRIE装置内におけるエッチング
は、ある程度高いエネルギーを有するエッチング種によ
って行われるため、例えば多結晶シリコンからなるゲー
ト配線を形成しようとする場合、ゲート酸化膜である酸
化シリコンに対する選択比が低くなり、ダメージを発生
させ易い。特に、サブミクロン加工技術によりゲート電
極幅が0.35〜0.5μｍまで微細化されている。この微細
化に伴ってゲート酸化膜の膜厚も80〜120Åの薄膜化さ
れ、接合の深さも0.1〜0.15μｍと浅くなっているた
め、選択比の低いエッチング条件下ではオーバーエッチ
時にゲート酸化膜が除去され、さらに接合の劣化や破壊
が生ずるおそれある。
は、ある程度高いエネルギーを有するエッチング種によ
って行われるため、例えば多結晶シリコンからなるゲー
ト配線を形成しようとする場合、ゲート酸化膜である酸
化シリコンに対する選択比が低くなり、ダメージを発生
させ易い。特に、サブミクロン加工技術によりゲート電
極幅が0.35〜0.5μｍまで微細化されている。この微細
化に伴ってゲート酸化膜の膜厚も80〜120Åの薄膜化さ
れ、接合の深さも0.1〜0.15μｍと浅くなっているた
め、選択比の低いエッチング条件下ではオーバーエッチ
時にゲート酸化膜が除去され、さらに接合の劣化や破壊
が生ずるおそれある。
そこで、本発明の目的は、被処理基体上の高融点金属
ポリサイド膜を高い異方性を維持してエッチングを行う
ことを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
ポリサイド膜を高い異方性を維持してエッチングを行う
ことを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上述の目的を
達成するため、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ
を生成するプラズマ生成室と、生成したプラズマを照射
する被処理基体を配設した反応室とを有するプラズマ処
理装置を用い、前記プラズマ生成室内に不活性ガスを導
入すると共に、前記反応室内に臭素を含むガスを円環状
のパイプの多数のガス吹き出し口を有する先端から導入
しながら被処理基体上の高融点金属ポリサイドのエッチ
ングを行うようにしたものである。
達成するため、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ
を生成するプラズマ生成室と、生成したプラズマを照射
する被処理基体を配設した反応室とを有するプラズマ処
理装置を用い、前記プラズマ生成室内に不活性ガスを導
入すると共に、前記反応室内に臭素を含むガスを円環状
のパイプの多数のガス吹き出し口を有する先端から導入
しながら被処理基体上の高融点金属ポリサイドのエッチ
ングを行うようにしたものである。
本発明方法に用いられる発散磁界型のECRプラズマ装
置は、高真空下において磁場勾配によりプラズマ生成室
から反応室へ向けてプラズマ流を引き出すものであり、
散乱が少なく方向性に優れたエッチングを行うことがで
き、ECRプラズマ装置はSi−Si結合（結合エネルギーは
3.1eV）を選択的に切断できるエネルギー範囲のイオン
を効率良く生成することができるため、例えば多結晶シ
リコンと酸化シリコン（Si−Ｏ結合エネルギーは8.4e
V）の選択比を大きく設定してエッチングを行うことが
できる。
置は、高真空下において磁場勾配によりプラズマ生成室
から反応室へ向けてプラズマ流を引き出すものであり、
散乱が少なく方向性に優れたエッチングを行うことがで
き、ECRプラズマ装置はSi−Si結合（結合エネルギーは
3.1eV）を選択的に切断できるエネルギー範囲のイオン
を効率良く生成することができるため、例えば多結晶シ
リコンと酸化シリコン（Si−Ｏ結合エネルギーは8.4e
V）の選択比を大きく設定してエッチングを行うことが
できる。
この発散磁界型のECRプラズマ装置は、発散磁界中で
はプラズマ流が進行と共に磁界に沿って広がるため、被
処理基体の中央部の周辺部との間で処理状態が不均一と
なり易い点を、プラズマ生成室内に不活性ガスを導入
し、反応室内に臭素を含むガスを導入することにより解
消される。
はプラズマ流が進行と共に磁界に沿って広がるため、被
処理基体の中央部の周辺部との間で処理状態が不均一と
なり易い点を、プラズマ生成室内に不活性ガスを導入
し、反応室内に臭素を含むガスを導入することにより解
消される。
本発明方法は、まずECR条件が達成されたプラズマ生
成室内において電子がマイクロ波のエネルギーを共鳴的
に吸収し、これが不活性ガス分子に衝突してプラズマを
生成させる。不活性ガス分子が例えばアルゴンの場合、
プラズマ中にはアルゴンイオン、電子の他中性種である
準安定状態のアルゴンラジカルが存在している。準安定
状態のアルゴンラジカルは、寿命が比較的長く、プラズ
マ生成室から磁場勾配により反応室内へ引き出されても
失活しない。そこで、このアルゴンラジカルを被処理基
体の近傍において臭素を含むガスと衝突させ、これを解
離させて臭素ラジカルを発生させる。臭素ラジカルは、
被処理基体、特にポリサイド膜の表面に付着し、そこで
アルゴンイオンの運動エネルギーを受け取ってエッチン
グの反応エネルギーに利用する。
成室内において電子がマイクロ波のエネルギーを共鳴的
に吸収し、これが不活性ガス分子に衝突してプラズマを
生成させる。不活性ガス分子が例えばアルゴンの場合、
プラズマ中にはアルゴンイオン、電子の他中性種である
準安定状態のアルゴンラジカルが存在している。準安定
状態のアルゴンラジカルは、寿命が比較的長く、プラズ
マ生成室から磁場勾配により反応室内へ引き出されても
失活しない。そこで、このアルゴンラジカルを被処理基
体の近傍において臭素を含むガスと衝突させ、これを解
離させて臭素ラジカルを発生させる。臭素ラジカルは、
被処理基体、特にポリサイド膜の表面に付着し、そこで
アルゴンイオンの運動エネルギーを受け取ってエッチン
グの反応エネルギーに利用する。
以上の過程から明らかなように、本発明方法によるエ
ッチングは、本質的に不活性ガスイオンの照射面におい
てのみ進行するため、特に側壁保護膜の形成を伴わなく
とも異方性エッチングが達成できる。また、設計時に予
め側壁保護膜によるゲート電極幅の増加分を見込む必要
がないため、寸法精度の向上も併せて達成される。
ッチングは、本質的に不活性ガスイオンの照射面におい
てのみ進行するため、特に側壁保護膜の形成を伴わなく
とも異方性エッチングが達成できる。また、設計時に予
め側壁保護膜によるゲート電極幅の増加分を見込む必要
がないため、寸法精度の向上も併せて達成される。
以下、本発明の好適な実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
本発明方法に用いる発散磁界型のECRプラズマ装置
は、第１図に示すように、図示しないマイクロ波発生源
により発生したマイクロ波を導くための矩形導波管１、
この矩形導波管１に石英ガラス板等からなるマイクロ波
導入窓２を介して接続され電子サイクロトロン共鳴を利
用してプラズマを発生させるためのプラズマ生成室３、
このプラズマ生成室３で生成したプラズマを引き出すた
めのプラズマ引き出し窓４、ウェハ等の被処理基体５を
保持するサセプター６を有し、所定の処理が行われる反
応室７、矩形導波管１の一端部からプラズマ生成室３に
亘ってこれらを周回するように配設された磁気コイル
８、プラズマ生成室３にガスを導入するための一次ガス
導入系９、反応室７にガスを導入するための二次ガス導
入系10、反応室７から第１図中矢印Ａ方向に接続される
排気系統（図示せず。）等を主たる構成要素して構成さ
れる。
は、第１図に示すように、図示しないマイクロ波発生源
により発生したマイクロ波を導くための矩形導波管１、
この矩形導波管１に石英ガラス板等からなるマイクロ波
導入窓２を介して接続され電子サイクロトロン共鳴を利
用してプラズマを発生させるためのプラズマ生成室３、
このプラズマ生成室３で生成したプラズマを引き出すた
めのプラズマ引き出し窓４、ウェハ等の被処理基体５を
保持するサセプター６を有し、所定の処理が行われる反
応室７、矩形導波管１の一端部からプラズマ生成室３に
亘ってこれらを周回するように配設された磁気コイル
８、プラズマ生成室３にガスを導入するための一次ガス
導入系９、反応室７にガスを導入するための二次ガス導
入系10、反応室７から第１図中矢印Ａ方向に接続される
排気系統（図示せず。）等を主たる構成要素して構成さ
れる。
プラズマ生成室３の外壁は、二重構造に構成され、冷
却水管11を通じて冷水を導入することによりプラズマ生
成による温度上昇が抑制されている。また、イオンエネ
ルギーを精密に制御する目的で、被処理基体５及びサセ
プター６に高周波バイアスを印加するための高周波電源
12も配設されている。
却水管11を通じて冷水を導入することによりプラズマ生
成による温度上昇が抑制されている。また、イオンエネ
ルギーを精密に制御する目的で、被処理基体５及びサセ
プター６に高周波バイアスを印加するための高周波電源
12も配設されている。
本発明方法では、一次ガス導入系９から不活性ガス、
二次ガス導入系10から臭素を含むガスが導入される。
二次ガス導入系10から臭素を含むガスが導入される。
ここで不活性ガスとしては、アルゴン（Ar）、クリプ
トン（Kr）、キセノン（Xe）等が使用される。
トン（Kr）、キセノン（Xe）等が使用される。
また、臭素を含むガスとしては、臭化水素ガス（HB
r）、臭素ガス（Br2）、あるいはこれらに適当な希釈ガ
スを混合したものが使用される。臭素を含むガスは、で
きるだけ被処理基体の近傍において均一に分布する必要
があるので、二次ガス導入系10としては、その先端に多
数のガス吹出し口を有する円環状のパイプとされたもの
が用いられる。
r）、臭素ガス（Br2）、あるいはこれらに適当な希釈ガ
スを混合したものが使用される。臭素を含むガスは、で
きるだけ被処理基体の近傍において均一に分布する必要
があるので、二次ガス導入系10としては、その先端に多
数のガス吹出し口を有する円環状のパイプとされたもの
が用いられる。
このようなECRプラズマ装置を用いて、実際に多結晶
シリコン層とタングステンシリサイドを積層した高融点
金属ポリサイド膜のエッチングを行った。ここで、装置
内の真空度を５×10-3Torrとし、周波数2.45GHz、パワ
ー800Wのマイクロ波を矩形導波管１からマイクロ波導入
窓２を介してプラズマ生成室３へ導入すると共に、磁気
コイル８により磁束密度875Gaussの磁場を形成し、ECR
条件を達成させた。この状態で、一次ガス導入系９から
流量40SCCMにてArガスを、また二次ガス導入系10から流
量20SCCMにてHBrガスを導入し、300Wの高周波バイアス
を印加してエッチングを行ったところ、くびれやアンダ
カット等のない、極めて異方性の高いパターンが得られ
た。
シリコン層とタングステンシリサイドを積層した高融点
金属ポリサイド膜のエッチングを行った。ここで、装置
内の真空度を５×10-3Torrとし、周波数2.45GHz、パワ
ー800Wのマイクロ波を矩形導波管１からマイクロ波導入
窓２を介してプラズマ生成室３へ導入すると共に、磁気
コイル８により磁束密度875Gaussの磁場を形成し、ECR
条件を達成させた。この状態で、一次ガス導入系９から
流量40SCCMにてArガスを、また二次ガス導入系10から流
量20SCCMにてHBrガスを導入し、300Wの高周波バイアス
を印加してエッチングを行ったところ、くびれやアンダ
カット等のない、極めて異方性の高いパターンが得られ
た。
以上の説明からも明らかなように、本発明方法は、発
散磁界型のECRプラズマ装置において、被処理基体上の
高融点金属ポリサイド膜のエッチングが行われるためダ
メージが少なく、高い異方性が実現される。さらに、実
際のエッチングに関与するエッチング種が被処理基体の
近傍で生成され、しかも臭素を含むガスが被処理基体の
近傍において均一に分布されるので処理の均一性も高い
ものとなる。
散磁界型のECRプラズマ装置において、被処理基体上の
高融点金属ポリサイド膜のエッチングが行われるためダ
メージが少なく、高い異方性が実現される。さらに、実
際のエッチングに関与するエッチング種が被処理基体の
近傍で生成され、しかも臭素を含むガスが被処理基体の
近傍において均一に分布されるので処理の均一性も高い
ものとなる。
第１図は本発明方法に使用されるECRプラズマ装置を示
す概略断面図である。 ３……プラズマ生成室、５……被処理基体、７……反応
室、９……一次ガス導入系、10……二次ガス導入系。
す概略断面図である。 ３……プラズマ生成室、５……被処理基体、７……反応
室、９……一次ガス導入系、10……二次ガス導入系。
Claims (1)
- 【請求項１】電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを
生成するプラズマ生成室と、生成されたプラズマを照射
する被処理基体が配設される反応室とを有するプラズマ
処理装置を用い、 前記プラズマ生成室内に不活性ガスを導入すると共に、
前記反応室に臭素を含むガスを円環状のパイプの多数の
ガス吹き出し口を有する先端から導入しながら被処理基
体上の高融点金属ポリサイド膜のエッチングを行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246548A JP2949731B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246548A JP2949731B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109728A JPH03109728A (ja) | 1991-05-09 |
| JP2949731B2 true JP2949731B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=17150054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246548A Expired - Fee Related JP2949731B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949731B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216060A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理方法 |
| JPH07335612A (ja) | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| USRE39895E1 (en) | 1994-06-13 | 2007-10-23 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method |
| KR100408137B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2003-12-06 | 학교법인 성균관대학 | 중성빔을 이용한 층대층 식각장치 및 식각방법 |
| JP2008101959A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hioki Ee Corp | 基板治具ボードおよびこれを組み込んだ基板検査用治具ユニット |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1246548A patent/JP2949731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03109728A (ja) | 1991-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |