JP2816635B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2816635B2 JP2816635B2 JP5020856A JP2085693A JP2816635B2 JP 2816635 B2 JP2816635 B2 JP 2816635B2 JP 5020856 A JP5020856 A JP 5020856A JP 2085693 A JP2085693 A JP 2085693A JP 2816635 B2 JP2816635 B2 JP 2816635B2
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- Japan
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- gauge
- lead
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- low
- semiconductor
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は差圧あるいは圧力を検出
する半導体圧力センサに関する。
する半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体圧力センサとして
はＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラムを利用したもの
が知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力セ
ンサは、半導体基板の表面に不純物の拡散もしくはイオ
ン打ち込み技術によりピエゾ領域として作用するゲージ
を形成すると共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成
し、裏面の一部をエッチングによって除去することによ
り厚さ２０μｍ〜５０μｍ程度の起歪部、すなわちダイ
ヤフラムを形成して構成したもので、ダイヤフラムの表
裏面に測定圧力をそれぞれ加えると、ダイヤフラムの変
形に伴いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に
伴う出力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するもの
である。ピエゾ抵抗係数はｐ型、ｎ型共に半導体基板へ
の不純物のドーピング量が多くなるにつれて低下する。
このため、ゲージの比抵抗の変化率を大きくして、圧力
に対する感度を上げるには不純物濃度を低く設定する。
また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型と，ｎ型で異なり、ｐ型
のほうがより大きく、このためｎ型半導体上にｐ型抵抗
層を設けるのが一般的である。
はＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラムを利用したもの
が知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力セ
ンサは、半導体基板の表面に不純物の拡散もしくはイオ
ン打ち込み技術によりピエゾ領域として作用するゲージ
を形成すると共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成
し、裏面の一部をエッチングによって除去することによ
り厚さ２０μｍ〜５０μｍ程度の起歪部、すなわちダイ
ヤフラムを形成して構成したもので、ダイヤフラムの表
裏面に測定圧力をそれぞれ加えると、ダイヤフラムの変
形に伴いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に
伴う出力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するもの
である。ピエゾ抵抗係数はｐ型、ｎ型共に半導体基板へ
の不純物のドーピング量が多くなるにつれて低下する。
このため、ゲージの比抵抗の変化率を大きくして、圧力
に対する感度を上げるには不純物濃度を低く設定する。
また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型と，ｎ型で異なり、ｐ型
のほうがより大きく、このためｎ型半導体上にｐ型抵抗
層を設けるのが一般的である。
【０００３】図６および図７は従来の半導体圧力センサ
におけるゲージを示す平面図およびＶＩＩ−ＶＩＩ線断
面図である。これらの図において、１はＳｉ単結晶から
なる半導体基板（ｎ型）、２は半導体基板１の表面に半
径方向に形成されたピエゾ領域として作用する折り返し
ゲージ（ｐ型）で、このゲージ２は所定のシート抵抗を
有する低濃度（１０１９個／ｃｍ３）のゲージ部２ａ，
２ｂと、ゲージ部２ａ，２ｂ間を連結する連結部３と、
リードアウト部４ａ，４ｂとからなり、連結部３とリー
ドアウト部４ａ，４ｂがゲージ部２ａ，２ｂに対するこ
れらの影響を除くため一般に高濃度（１０２１個／ｃｍ
３）の導電型（ｐ＋型）半導体物質領域を形成してい
る。５ａ，５ｂは蒸着によって形成されたアルミニウム
からなるリードで、これらリード５ａ，５ｂの一端は各
リードアウト部４ａ，４ｂにそれぞれ接続されている。
におけるゲージを示す平面図およびＶＩＩ−ＶＩＩ線断
面図である。これらの図において、１はＳｉ単結晶から
なる半導体基板（ｎ型）、２は半導体基板１の表面に半
径方向に形成されたピエゾ領域として作用する折り返し
ゲージ（ｐ型）で、このゲージ２は所定のシート抵抗を
有する低濃度（１０１９個／ｃｍ３）のゲージ部２ａ，
２ｂと、ゲージ部２ａ，２ｂ間を連結する連結部３と、
リードアウト部４ａ，４ｂとからなり、連結部３とリー
ドアウト部４ａ，４ｂがゲージ部２ａ，２ｂに対するこ
れらの影響を除くため一般に高濃度（１０２１個／ｃｍ
３）の導電型（ｐ＋型）半導体物質領域を形成してい
る。５ａ，５ｂは蒸着によって形成されたアルミニウム
からなるリードで、これらリード５ａ，５ｂの一端は各
リードアウト部４ａ，４ｂにそれぞれ接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ｐｎ接合に
逆方向電圧を印加すると、飽和電流Ｉｓが僅かに流れる
だけであるが、ある電圧を越えると、急に電流が流れ出
す。この現象をブレークダウン（降伏）といい、この電
圧をブレークダウン電圧（ＶＢ）という。ＶＢ電圧を越
えて高い電圧を印加するとｐｎ接合が機械的に破壊す
る。これはｐｎ接合に印加された電圧が高くなると、電
界が強くなって導電電子や正孔のエネルギが大きくな
り、他の電子と衝突したときに価電子結合を破壊して電
子なだれ増倍が急激に生じるためである。そのため、Ｖ
Ｂ電圧は高いことが望ましいが、連結部３およびリード
アウト部４ａ，４ｂは不純物濃度が高く低抵抗の導電型
（ｐ＋型）半導体物質領域を形成しているため、空乏層
の厚さが小さく、電界が強くなるので耐電圧が小さく、
ＶＢ電圧が低いという問題があった。
逆方向電圧を印加すると、飽和電流Ｉｓが僅かに流れる
だけであるが、ある電圧を越えると、急に電流が流れ出
す。この現象をブレークダウン（降伏）といい、この電
圧をブレークダウン電圧（ＶＢ）という。ＶＢ電圧を越
えて高い電圧を印加するとｐｎ接合が機械的に破壊す
る。これはｐｎ接合に印加された電圧が高くなると、電
界が強くなって導電電子や正孔のエネルギが大きくな
り、他の電子と衝突したときに価電子結合を破壊して電
子なだれ増倍が急激に生じるためである。そのため、Ｖ
Ｂ電圧は高いことが望ましいが、連結部３およびリード
アウト部４ａ，４ｂは不純物濃度が高く低抵抗の導電型
（ｐ＋型）半導体物質領域を形成しているため、空乏層
の厚さが小さく、電界が強くなるので耐電圧が小さく、
ＶＢ電圧が低いという問題があった。
【０００５】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、導電型（ｐ＋型）半導体物質領域のＶＢ電圧を高
くすることができるようにした半導体圧力センサを提供
することにある。
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、導電型（ｐ＋型）半導体物質領域のＶＢ電圧を高
くすることができるようにした半導体圧力センサを提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
本発明は、半導体基板の表面にピエゾ領域として作用す
る半径方向ゲージおよび円周方向ゲージを形成し、前記
半径方向ゲージの連結部およびリードアウト部をゲージ
部より高濃度に形成した半導体圧力センサにおいて、前
記半導体基板の内部に低濃度の導電型半導体物質領域を
形成してなり、この低濃度導電型半導体物質領域は前記
連結部とリードアウト部の少なくともいずれか一方を取
り囲み前記ゲージ部は取り囲まないように形成されてい
るものである。
本発明は、半導体基板の表面にピエゾ領域として作用す
る半径方向ゲージおよび円周方向ゲージを形成し、前記
半径方向ゲージの連結部およびリードアウト部をゲージ
部より高濃度に形成した半導体圧力センサにおいて、前
記半導体基板の内部に低濃度の導電型半導体物質領域を
形成してなり、この低濃度導電型半導体物質領域は前記
連結部とリードアウト部の少なくともいずれか一方を取
り囲み前記ゲージ部は取り囲まないように形成されてい
るものである。
【０００７】
【作用】連結部およびもしくはリードアウト部を取り囲
む低濃度の導電型半導体物質領域は、空乏層の厚みが大
きく、電界が弱くなるので、耐電圧を大きくし、導電型
（ｐ＋型）半導体物質領域のＶＢ電圧を上げる。ゲージ
部間の電流は低抵抗層を形成する連結部およびリードア
ウト部を通るため、連結部およびもしくはリードアウト
部を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域を設けても
抵抗値に影響を及ぼすことはない。
む低濃度の導電型半導体物質領域は、空乏層の厚みが大
きく、電界が弱くなるので、耐電圧を大きくし、導電型
（ｐ＋型）半導体物質領域のＶＢ電圧を上げる。ゲージ
部間の電流は低抵抗層を形成する連結部およびリードア
ウト部を通るため、連結部およびもしくはリードアウト
部を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域を設けても
抵抗値に影響を及ぼすことはない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体圧力センサ
の一実施例を示す平面図、図２は同センサの断面図、図
３は半径方向ゲージの平面図、図４は同ゲージの要部断
面図である。なお、図中図６および図７と同一構成部材
のものに対しては同一符号をもって示す。図１および図
２において、半導体基板１は（１００）面のｎ型単結晶
Ｓｉからなり、エッチングによりその裏面中央部を除去
されることにより差圧または圧力に感応する薄肉円板状
の感圧ダイヤフラム部１０を備え、表面側に差圧または
圧力を検出する半径方向ゲージ２および円周方向ゲージ
２Ａが設けられ、バックプレート１１上に静電接合によ
って一体的に接合されている。バックプレート１１は、
半導体基板１と熱膨張係数が近似したパイレックスガラ
ス、セラミックス等によって形成され、中央には前記半
導体基板１の裏面に形成された凹部１２を介してダイヤ
フラム部１０の裏面側に測定すべき圧力の一方を導く貫
通孔１３が形成されている。
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体圧力センサ
の一実施例を示す平面図、図２は同センサの断面図、図
３は半径方向ゲージの平面図、図４は同ゲージの要部断
面図である。なお、図中図６および図７と同一構成部材
のものに対しては同一符号をもって示す。図１および図
２において、半導体基板１は（１００）面のｎ型単結晶
Ｓｉからなり、エッチングによりその裏面中央部を除去
されることにより差圧または圧力に感応する薄肉円板状
の感圧ダイヤフラム部１０を備え、表面側に差圧または
圧力を検出する半径方向ゲージ２および円周方向ゲージ
２Ａが設けられ、バックプレート１１上に静電接合によ
って一体的に接合されている。バックプレート１１は、
半導体基板１と熱膨張係数が近似したパイレックスガラ
ス、セラミックス等によって形成され、中央には前記半
導体基板１の裏面に形成された凹部１２を介してダイヤ
フラム部１０の裏面側に測定すべき圧力の一方を導く貫
通孔１３が形成されている。
【０００９】前記半径方向ゲージ２は、前記感圧ダイヤ
フラム部１０の上面で差圧または圧力の印加時にダイヤ
フラム部１０に発生する半径方向と周方向の応力が最大
となる周縁部寄りに拡散またはイオン打ち込み法によっ
て４つ形成されており、ホイールストーンブリッジに結
線されることで出力電圧を差動的に出力する。また、半
径方向ゲージ２は、半径方向、すなわちダイヤフラム部
１０の中心を含む直線と平行に形成されることにより図
１および図３に示すように折り返しゲージを形成するこ
とで、低濃度（１０１９個／ｃｍ３）で所定のシート抵
抗を有し、結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係
数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向と平行なゲージ
部２ａ，２ｂと、高濃度（１０２１個／ｃｍ３）の導電
型（ｐ＋型）半導体物質領域を形成しゲージ部２ａ，２
ｂ間を連結する連結部３と、リードアウト部４ａ，４ｂ
と、半導体基板１の内部に形成されて前記連結部３およ
びリードアウト部４ａ，４ｂを取り囲み半導体基板１か
らアイソレートする低濃度（１０１９個／ｃｍ３）の導
電型半導体物質領域１４（図４）とで構成されている。
連結部３、リードアウト部４ａ，４ｂおよび導電型半導
体物質領域１４の製作に際しては、先ず低濃度の不純物
（ボロン等）を拡散またはイオン打ち込みにより半導体
基板１にドープすることにより低濃度の導電型半導体物
質領域１４を形成し、しかる後この領域１４の所定箇所
に同じ不純物を高濃度でそれぞれドープすることにより
高濃度の連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを基
板１と非接触で形成すればよい。
フラム部１０の上面で差圧または圧力の印加時にダイヤ
フラム部１０に発生する半径方向と周方向の応力が最大
となる周縁部寄りに拡散またはイオン打ち込み法によっ
て４つ形成されており、ホイールストーンブリッジに結
線されることで出力電圧を差動的に出力する。また、半
径方向ゲージ２は、半径方向、すなわちダイヤフラム部
１０の中心を含む直線と平行に形成されることにより図
１および図３に示すように折り返しゲージを形成するこ
とで、低濃度（１０１９個／ｃｍ３）で所定のシート抵
抗を有し、結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係
数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向と平行なゲージ
部２ａ，２ｂと、高濃度（１０２１個／ｃｍ３）の導電
型（ｐ＋型）半導体物質領域を形成しゲージ部２ａ，２
ｂ間を連結する連結部３と、リードアウト部４ａ，４ｂ
と、半導体基板１の内部に形成されて前記連結部３およ
びリードアウト部４ａ，４ｂを取り囲み半導体基板１か
らアイソレートする低濃度（１０１９個／ｃｍ３）の導
電型半導体物質領域１４（図４）とで構成されている。
連結部３、リードアウト部４ａ，４ｂおよび導電型半導
体物質領域１４の製作に際しては、先ず低濃度の不純物
（ボロン等）を拡散またはイオン打ち込みにより半導体
基板１にドープすることにより低濃度の導電型半導体物
質領域１４を形成し、しかる後この領域１４の所定箇所
に同じ不純物を高濃度でそれぞれドープすることにより
高濃度の連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを基
板１と非接触で形成すればよい。
【００１０】図５は低濃度の不純物と高濃度の不純物を
ドープした場合の不純物濃度と深さの関係を示す図であ
る。
ドープした場合の不純物濃度と深さの関係を示す図であ
る。
【００１１】なお、図１において、１５は信号取出し用
端子部、１６は電源端子部である。
端子部、１６は電源端子部である。
【００１２】このような構成からなる半導体圧力センサ
においては、図３および図４に示すように半径方向ゲー
ジ２の連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを半導
体基板１の内部に形成した低濃度の導電型半導体物質領
域１４で取り囲み、半導体基板１からアイソレートして
いるので、空乏層の厚みが大きく、電界が弱くなるの
で、耐電圧を大きくし、したがって、ｐｎ接合に逆方向
の電圧を印加した場合のゲージ２のＶＢ電圧を高くする
ことができる。この場合、ゲージ部２ａ，２ｂ間の電流
は低抵抗層を形成する連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを通るため、連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域１４
を設けても抵抗値に影響を何等及ぼすことはない。
においては、図３および図４に示すように半径方向ゲー
ジ２の連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを半導
体基板１の内部に形成した低濃度の導電型半導体物質領
域１４で取り囲み、半導体基板１からアイソレートして
いるので、空乏層の厚みが大きく、電界が弱くなるの
で、耐電圧を大きくし、したがって、ｐｎ接合に逆方向
の電圧を印加した場合のゲージ２のＶＢ電圧を高くする
ことができる。この場合、ゲージ部２ａ，２ｂ間の電流
は低抵抗層を形成する連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを通るため、連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域１４
を設けても抵抗値に影響を何等及ぼすことはない。
【００１３】なお、上記実施例は連結部およびリードア
ウト部の両方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域
を形成したが、これに限らず少なくともいずれか一方の
みを取り囲むようにしてもよい。また、本実施例は折り
返しゲージを形成する半径方向のゲージ２について説明
したが、本発明はこれに何等特定されるものではなく、
連結部を有さない円周方向のゲージ２Ａに対しても適用
実施し得ることは勿論であり、その場合はそのリードア
ウト部を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域を形成
すればよい。さらにまた、上記実施例は半導体基板１を
ｎ型シリコン、ピエゾ抵抗領域である半径方向ゲージ２
および円周方向ゲージ２Ａをｐ型シリコンによって構成
した場合について説明したが、これはｐ型シリコンから
なるピエゾ抵抗体を用いた方が、ｎ型に比較して圧力−
抵抗のリニアリティがよく、ピエゾ抵抗係数が最大とな
る（１００）面、＜１１０＞結晶軸方向において対称性
の良好な正逆両方向の出力が取り出せるからであるが、
本発明はこれに何等特定されるものではなく、ｐ型の基
板にｎ型のピエゾ領域を形成してもよいことは勿論であ
る。
ウト部の両方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域
を形成したが、これに限らず少なくともいずれか一方の
みを取り囲むようにしてもよい。また、本実施例は折り
返しゲージを形成する半径方向のゲージ２について説明
したが、本発明はこれに何等特定されるものではなく、
連結部を有さない円周方向のゲージ２Ａに対しても適用
実施し得ることは勿論であり、その場合はそのリードア
ウト部を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域を形成
すればよい。さらにまた、上記実施例は半導体基板１を
ｎ型シリコン、ピエゾ抵抗領域である半径方向ゲージ２
および円周方向ゲージ２Ａをｐ型シリコンによって構成
した場合について説明したが、これはｐ型シリコンから
なるピエゾ抵抗体を用いた方が、ｎ型に比較して圧力−
抵抗のリニアリティがよく、ピエゾ抵抗係数が最大とな
る（１００）面、＜１１０＞結晶軸方向において対称性
の良好な正逆両方向の出力が取り出せるからであるが、
本発明はこれに何等特定されるものではなく、ｐ型の基
板にｎ型のピエゾ領域を形成してもよいことは勿論であ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
圧力センサは、半導体基板の表面にピエゾ領域として作
用する半径方向ゲージおよび円周方向ゲージを形成し、
前記半径方向ゲージの連結部およびリードアウト部をゲ
ージ部より高濃度に形成した半導体圧力センサにおい
て、前記半導体基板の内部に低濃度の導電型半導体物質
領域を形成してなり、この低濃度導電型半導体物質領域
は前記連結部とリードアウト部の少なくともいずれか一
方を取り囲み前記ゲージ部は取り囲まないように形成さ
れているので、連結部およびもしくはリードアウト部に
よる空乏層に比べて低濃度の導電型半導体物質領域の空
乏層の厚みが大きく、このため電界が弱くなるので、耐
電圧を大きくし、導電型（ｐ＋型）半導体物質領域のＶ
Ｂ電圧を上げることができる。また、ゲージ部間の電流
は低抵抗層を形成する連結部およびリードアウト部を通
るため、連結部およびもしくはリードアウト部を取り囲
む低濃度の導電型半導体物質領域を設けても抵抗値等に
影響を及ぼすことはなく、差圧または圧力を正確に検出
することができる。
圧力センサは、半導体基板の表面にピエゾ領域として作
用する半径方向ゲージおよび円周方向ゲージを形成し、
前記半径方向ゲージの連結部およびリードアウト部をゲ
ージ部より高濃度に形成した半導体圧力センサにおい
て、前記半導体基板の内部に低濃度の導電型半導体物質
領域を形成してなり、この低濃度導電型半導体物質領域
は前記連結部とリードアウト部の少なくともいずれか一
方を取り囲み前記ゲージ部は取り囲まないように形成さ
れているので、連結部およびもしくはリードアウト部に
よる空乏層に比べて低濃度の導電型半導体物質領域の空
乏層の厚みが大きく、このため電界が弱くなるので、耐
電圧を大きくし、導電型（ｐ＋型）半導体物質領域のＶ
Ｂ電圧を上げることができる。また、ゲージ部間の電流
は低抵抗層を形成する連結部およびリードアウト部を通
るため、連結部およびもしくはリードアウト部を取り囲
む低濃度の導電型半導体物質領域を設けても抵抗値等に
影響を及ぼすことはなく、差圧または圧力を正確に検出
することができる。
【図１】 本発明に係る半導体圧力センサの一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】 同センサの断面図である。
【図３】 半径方向ゲージの平面図である。
【図４】 同ゲージの要部断面図である。
【図５】 低濃度の不純物と高濃度の不純物をドープし
た場合の不純物濃度と深さの関係を示す図である。
た場合の不純物濃度と深さの関係を示す図である。
【図６】 従来の半導体圧力センサにおけるゲージの平
面図である。
面図である。
【図７】 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
１…半導体基板、２…折り返しゲージ、２Ａ…円周方向
ゲージ、２ａ，２ｂ…ゲージ部、３…連結部、４ａ，４
ｂ…リードアウト部、５ａ，５ｂ…リード、１０…ダイ
ヤフラム部、１１…バックプレート、１４…導電型半導
体物質領域。
ゲージ、２ａ，２ｂ…ゲージ部、３…連結部、４ａ，４
ｂ…リードアウト部、５ａ，５ｂ…リード、１０…ダイ
ヤフラム部、１１…バックプレート、１４…導電型半導
体物質領域。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面にピエゾ領域として作
用する半径方向ゲージおよび円周方向ゲージを形成し、
前記半径方向ゲージの連結部およびリードアウト部をゲ
ージ部より高濃度に形成した半導体圧力センサにおい
て、 前記半導体基板の内部に低濃度の導電型半導体物質領域
を形成してなり、この低濃度導電型半導体物質領域は前
記連結部とリードアウト部の少なくともいずれか一方を
取り囲み前記ゲージ部は取り囲まないように形成されて
いることを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020856A JP2816635B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体圧力センサ |
| US08/177,112 US5412993A (en) | 1993-01-14 | 1994-01-03 | Pressure detection gage for semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020856A JP2816635B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213743A JPH06213743A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2816635B2 true JP2816635B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=12038758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5020856A Expired - Lifetime JP2816635B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5412993A (ja) |
| JP (1) | JP2816635B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19503236B4 (de) * | 1995-02-02 | 2006-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat |
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