JP2848960B2

JP2848960B2 - 低圧下でのプリント配線板の鑞接法

Info

Publication number: JP2848960B2
Application number: JP5516255A
Authority: JP
Inventors: ヴァンドケ，エルンスト
Original assignee: Linde GmbH
Current assignee: Linde GmbH
Priority date: 1992-07-31
Filing date: 1993-03-17
Publication date: 1999-01-20
Anticipated expiration: 2014-01-20
Also published as: JPH08501898A

Description

【発明の詳細な説明】［技術分野］本発明は、電子構成素子をプリント配線板又は、鑞接
によって接合すべきその他の素子と鑞接する方法に関す
るものである。

［背景技術］最終的に鑞接すべき差込み可能・装嵌可能又は表面取
付け可能な電子構成素子（＝Surface Mounted Devices
＝SMDs）を備えたプリント配線板の形態で構成された電
子構成ユニットの使用は、ますます増加の一途を辿って
いる。この電子構成ユニットを製造すためには、適当に
処理準備されたプリント配線板に相応の構成素子を装備
する必要があり、これらの構成素子は鑞接工程に先立っ
て、場合によっては接着剤又は鑞ペーストによって予め
位置決めされ、かつ、最終的にプリント配線板と構成素
子とは鑞接工程によって固定的にかつ導電可能に互いに
接合されねばならない。今日この鑞接工程は第１の慣用
方式では鑞波式鑞接設備によって実施され、この鑞接設
備では鑞は、プリント配線板に下方から接触する単数又
は複数の鑞波によって相応の区域に付着され、こうして
対応構成素子同士が鑞接される。第２に、構成素子に鑞
ペースト、鑞形成物又は鑞溶着物を付着させておくよう
な方式の場合には、前記の鑞ペースト又は鑞形成物の鑞
成分が単に再溶融されればよい（リフロー鑞接法＝Refl
owloeten）。

第１と第２のいずれの方式の場合にも良質の鑞接継手
を得るためにはフラックス剤が当然使用されねばならな
い。鑞波式鑞接の場合には本来の鑞接工程雨に該フラッ
クス剤が塗布されるか、或いは使用される鑞ペースト又
は鑞形成物は鑞並びにフラックス剤を共に含有してい
る。該フラックス剤は、就中、鑞接を損なうことになり
被加工材表面の金属酸化物相を破壊すると共に鑞接工程
時に関係金属の酸化を阻止する限りでは、鑞接プロセス
に貢献する。更にまた、液状化された鑞の表面張力も避
けられる。要するにフラックス剤は多機能的であり、従
ってその組成は多数の物質から成っている。しかしなが
ら鑞接工程のあと、フラックス剤の残滓がプリント配線
板面に残り、不利な結果を惹起することになる。この不
利な結果の例としては、プリント配線板面に位置してい
る導電路間の絶縁抵抗の或いは該導電路の時期尚早の腐
食が挙げられる。それゆえにフラックス剤の残滓を除去
する必要がある。この除去は周囲のように鑞接工程後に
FCKW又はCKWによりプリント配線板にクリーニング処理
を施すことによって得られる。しかしながら、今ここで
挙げた、しかも周知のように環境を汚染する公害物質の
使用は今日（FCKW−オゾン問題の観点から）最低限に抑
えられるか又は全的に避けられねばならない。

最近の対処法では、フラックス剤の必要性は、基板の
鑞接段階に先立って、低圧プラズマによる該基板の前処
理段階を前置し、その際マイクロ波の適用下及び／又は
グロー放電下でプロセスガスからプラズマを発生させる
ことによって（ドイツ連邦共和国特許第3936955号明細
書参照）少なくとも減少される。しかしながら前記の前
処理段階に続いて鑞接工程は再び標準圧下の気中でか、
又は極く局所的に保護ガスを局限供給することによって
実施される。この場合要するに、前処理時点と鑞接時点
との間の滞留中に、酸素に対する遮断がないために改め
て鑞接部位において酸化物の付着及び／又は酸化物生成
が発生し、これによって鑞接成績にネガティブな影響を
及ぼすという不都合な事態が生じる。この理由に基づい
て概して前記公知の方法では、フラックス剤又は同等作
用の助剤を使用することを完全に断念する訳にはいかな
い状態にある。

更にまた、鑞を予め、要するに実装前に、該被加工材
面に配置して冷却し、その際に表面酸化物層を形成する
ようにした、フラックス剤を使用しない鑞接法が、米国
特許第号4,921,157号明細書に基づいて公知になってい
る。この鑞被着に続いて、対応面に対する鑞継手を形成
しようとする本来の鑞接プロセスが始めて行われる。そ
の場合、接合すべき２つの面を鑞接するためには、すで
に存在している鑞接は再液状化（リフロー）されねばな
らない。要するに前掲米国特許明細書に記載の発明は特
にリフロー原理に基づいており、この場合すでに存在し
ている鑞の再液状化が特別の問題を孕んでいるのは周知
の通りである。この問題の解決手段として、前掲米国特
許明細書では、リフロー前に、また部分的にはリフロー
時に、フッ素含有プラズマを既存の鑞ビードに作用させ
て（通常はフラックス剤によって攻撃される）酸化物層
を破壊し、次いで再び周辺圧でか又はプラズマ作用下で
所期の継手を形成することが提案されている。要するに
この場合も鑞接プロセスを助成するためにプラズマ前処
理が適用されはするが、リフロー式鑞接は、鑞波式鑞接
とは異なった問題点を有している。

［発明の開示］そこで本発明の課題は、僅かなエラー発生率でもっ
て、素子を実行したプリント配線板の高品質鑞接を提供
することである。

前記課題を解決するための本発明の方法上の構成手段
は、表面実装するために電子構成素子をプリント配線板
に供給する供給段階と、鑞接段階に前置された予熱段階
と、鑞浴から発生される液相鑞から成る単数又は複数の
流動鑞波面に沿って前記プリント配線板を搬送して該搬
送時に単数又は複数の鑞波によつて鑞接操作を行う鑞接
段階と、鑞を硬化させるために前記鑞接段階に後置され
た冷却段階とから成る鑞波式鑞接プロセスに従って電子
構成素子をプリント配線板と鑞接する方法において、少
なくとも鑞波式鑞接工程自体を、低圧下で、しかもプロ
セスガスのプラズマ作用下で実施する点にある。

有利な実施態様では、例えば加熱段階及び冷却段階の
ような前置の処理段階、中間の処理段階又は後置の処理
段階は、鑞接工程時と等しい低圧下で実装され、その場
合100mbar以下、特に0.5〜20mbarの低圧下で稼働が行な
われる。

有利な実施態様では、予熱段階時に、鑞接によって接
合すべき素子に、前処理ゾーンで発生されるプラズマ作
用によってか又は該前処理ゾーン内へ達するプラズマ作
用によって前処理が施され、その際該前処理ゾーンの雰
囲気を形成するために、鑞接雰囲気を生成するのと同じ
プロセスガスを使用される。しかし別の適用例では、予
熱段階時の雰囲気が、鑞接工程時のガス雰囲気とは異な
った雰囲気であるのが有利である。

少なくともプラズマとして還元作用性並びに酸化作用
性のプロセスガスが選ばれるのが特に有利である。この
ようにすれば酸化物もその他の不純物例えば油脂性の残
滓も共に被加工材の処理中に効果的に除去され、或いは
遠ざけられる。

本発明ではプロセスガスとしては 0.5〜10容量％の酸素、 80〜20容量％の水素及び 20〜80容量％のCF₄,N₂又はAr から成っている混合気体を使用するのが特に有利であ
る。

原理的には公知ではあるが本発明は、マイクロ波、高
周波及び／又はグロー放電の作用によってプロセスガス
混合気体からプラズマを発生させるのが有利である。

本発明の特に有利な構成では、プラズマ生成が鑞接工
程の直接的な周辺で、つまり鑞接部位で行なわれ、従っ
て特に鑞接は強力なプラズマ雰囲気中で行なわれる。こ
の手段によって、更なる品質上の利点が得られる。本発
明の特に有利な実施態様では、鑞波式鑞接の場合、鑞浴
が鑞波によってグロー放電の陰極として接続されて、直
接そこでプラズマが生成される。

多数の事例において鑞接部位でプラズマを発生させる
場合には更に、別の部位で別のプラズマを独自に発生さ
せる必要もなくなるという可能性も得られる。それとい
うのは鑞接部位で発生させたプラズマの効力が、該鑞接
部位の前方に位置している鑞接設備領域内へも到達する
ので、こうして充分な鑞接準備が前記の別の部位でもす
でに得られるからである。

本発明の鑞接法のその他の有利な実施態様は特許請求
の範囲の従属請求項の記載から明らかである。

同じく前記課題を解決するための本発明の装置上の構
成手段は、鑞接ステーション及びその他の複数の処理ス
テーション、つまり予熱ステーション並びに冷却ゾーン
又は進出ゾーンを備えた連続式の鑞波式鑞接設備におい
て、鑞接ステーション及びその他の複数の処理ステーシ
ョンを包囲していて周辺に対して気密な設備室が設けら
れており、かつ、該設備室内に低圧を発生させる手順並
びに、鑞波を発生させる部位において、鑞浴を該鑞浴の
上位に配置された陽極に対して陰極として接続するか、
又は鑞波の領域にマイクロ波送出器又はHF発振器を配置
することにより低圧雰囲気をプラズマ状態で形成するた
めの装置が設けられている点にある。

種々異なった設備領域内のガス雰囲気が異なっている
場合には、個々の処理ステーション間、特に場合によっ
ては予熱ゾーンと鑞接ゾーンとの間に、にガス流堰止め
用邪魔板部材が組込まれているのが有利である。

［図面の簡単な説明］図１は一部断面して示した本発明による鑞波式鑞接設
備の概略的な側面図である。

図２は本発明による連続式リフロー鑞接設備の概略断
面図である。

［発明を実施するための最良の形態］次に図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明す
る。

図１に示されている鑞接設備は、入口エアロックゲー
ト１及び、入口・前処理ステーション２と引渡しステー
ション３と鑞波式鑞接ステーション４と進出通路５とを
備えた設備室６、並びに出口エアロックゲート７を装備
した形式の鑞波式鑞接設備である。

図示の鑞接整備の稼働過程は次の通りである。すなわ
ち最初に、プリント配線板10を積載したスタックユニッ
ト13が入口エアロックゲート１内へ導入される。このた
めに外寄りのロックゲートスライダ11が先ず開かれ、従
って入口気閘室は周辺雰囲気圧下におかれる。前記ロッ
クゲートスライダ11を閉鎖した後に切換え可能なポンプ
16によって入口エアロックゲート１から空気が吸出され
る。適正時間を経過した後、つまり空気が入口気閘室か
ら充分に排気されると、該入口気閘室にはプロセスガス
又は不活性ガス、例えば窒素が注入される。この吸出・
冷却サイクルは、場合によっては雰囲気純度の理由から
複数回行なうことができる。最後にポンプによる排気が
行なわれ、この排気は、鑞接設備の設備室６内、要する
に入口・前処理ステーション２、引渡しステーション３
及び鑞波式鑞接ステーション内並びに進出通路５内にも
現存しているような圧力レベルが入口エアロックゲート
１内に形成されるまで実施される。本例では設備室６内
では約１〜２ミリバールの圧力レベルが、該設備室６の
下位に配置されたメインポンプ18と適切なプロセスガス
の供給とによって維持されている。この圧力レベルは要
するに最終的に入口エアロックゲート１の気閘室内でも
形成されねばならない。

入口エアロックゲート１と設備室６との間の圧力平衡
が完全に行なわれたら、内寄りのロックゲートスライダ
12が開かれてプリント配線板10が１枚ずつスタックユニ
ット13から入口・前処理ステーション２内へ移送され
る。この移送のためには、入口エアロックゲート１内に
配置された押出し装置14が使用され、該押出し装置は、
スタックユニット13の区画からプリント配線板を送り出
し、かつ、高さ及び走行速度をその都度適正に調整され
たベルトコンベヤ22に前記プリント配線板を乗せて搬送
する。設備室内へのプロセスガスの最初の供給は、内寄
りのロックゲートスライダ12の後方で設備室６内の上方
に配置されたノズルアッセンブリ21を介して行なわれ
る。該ノズルアッセンブリによってプロセスガスは適当
量（該プロセスガス量は実質的に、メンポンプ18の設定
排気出力並びに所期の設備圧力に関連している）鑞接設
備内へ導入される（図示の設備では、全体としては、約
0.2〜0.5Nm³/h、一般に概して、0.1〜2.0Nm³/hのプロセ
スガスが供給さればならない）。入口・前処理ステーシ
ョン２内ではノズルアッセンブリ21の近傍にマイクロ波
送出器23が配置されている。該マイクロ波送出器はプロ
セスガスからプラズマを発生するため、つまりプロセス
ガスから反応性の基とイオンとを含む混合気体を作るた
めに使用される。このためにマイクロ波の励振は電力10
0〜1000ワット及び周波数約2.5GHzで行なわれる。この
ようにして入口・前処理ステーション２において、有利
には２〜８容量％の酸素 40〜60容量％の水素及び 30〜55容量％のテトラフルオール炭素（CF₄）から
成るプロセスガスから実効プラズマが発生される。前記
混合気体から得られたこのプラズマは酸化作用並びに還
元作用を有しているので、その結果、充分な作用時間を
経たのちに、処理すべきプリント配線板から油脂性物質
並びに、常に存在しているところの、鑞接プロセスを妨
害する金属酸化物層が共に鑞接設備の入口の後方ですで
に除去されることになる。通常の場合、プリント配線板
をプラズマの作用領域内に滞在させるために必要な滞在
時間は0.5〜3.0分である。この作用時間は図示の鑞接設
備では、入口・前処理ステーション２内における搬送速
度の制御によって安易に維持される。

更にまた図示の鑞接設備に関して付記しておくべきこ
とは、プリント配線板10が、入口・前処理ステーション
２から出てベルトコンベヤ31によって引渡しステーショ
ン３へ移行した後にも該プリント配線板がプラズマの作
用領域を完全には脱却せず、該引渡しステーション３の
領域内においても、前記入口・前処理ステーション２で
発生されたプラズマの作用を受けていることである。ま
さしく本発明では公知の方法とは異なってプリント配線
板は低圧下でプロセスガス又は部分的なプラズマガスの
作用を受けた状態にあるのであり、かつより高い圧力
に、場合によっては不純な雰囲気に再度曝されることは
ない。要するに、改めて酸素が添加されたり、或いは酸
化が生じたりするような事態は原則的に避けられ、鑞接
のために好ましい部品処理準備状態が維持される訳であ
る。

引渡しステーション３の終端部でプリント配線板は、
複数の支持エレメント46を有する自由懸垂搬送式の吊り
搬送装置44に引渡される。この引渡しのためにベルトコ
ンベヤ31と吊り搬送装置44とは搬送速度を同期化されて
いる。いまや吊り搬送装置44は適当な上り勾配角度でプ
リント配線板10を２つの鑞波40及び42（二重鑞波式鑞接
＝Doppelwellenloeten）搬送しかつ該鑞波を超えて移送
し、その際、赤外線照射器から成る前置の予熱装置28を
介して予熱される。両鑞波40,42によって鑞接が施され
るが、この場合、抗粘着剤で前処理の施されたプリント
配線区域に鑞が接触することはない。鑞接工程自体では
低圧条件及びプロセスガス雰囲気によって、フラックス
剤添加物を必要としない易動性かつ微湿潤性の鑞が生じ
る。この場合前記鑞波40,42に隣接して別のプロセスガ
ス供給部34を配置しておくのが有利である。

本発明の特に有利な実施態様では２つの鑞接40,42と
共に鑞浴48が、吊り搬送装置44の上位に配置された陽極
49に対して陰極として成極されており、こうして鑞浴と
鑞波との直ぐ上方でグロー放電式プラズマ生成が行なわ
れ、その結果、鑞接プロセスに対する格別の能動化と付
加的な有利な作用が生じる。このようにすれば著しく高
品質の鑞接継手が得られかつ鑞接エラー発生率が特に低
くなる。本発明の有利な実施態様ではプラズマ生成が鑞
波形成と共に、適当に配置されたマイクロ波送出器又は
HF発振器によって得ることができる。

多くの場合、例えば原則としてプリント配線板が標準
尺度以上に汚染及び／又は酸化されていない場合には、
本発明の鑞接設備は、入口・前処理ステーション２にお
ける独自のプラズマ形成なしに稼働することもできる。
それというのは、鑞波部位で発生されたプラズマは、鑞
波へのプリント配線板の供給時にすでに該プリント配線
板に充分に前処理を施す一方、鑞接動作においてさえも
プラズマ作用が不変的に維持されるからである。この場
合また一般にも言えることであるが、プラズマの作用は
該プラズマの直接的な発生範囲にだけ限定されるもので
ないのは勿論のことである。

鑞波式鑞接ステーション４を通過した後、いま鑞接さ
れたばかりのプリント配線板は、鑞波式鑞接設備の進出
通路５内へ入る。該進出通路は搬送装置51を有し、これ
によってプリント配線板は鑞波式鑞接ステーション４か
ら引取られて移送される。進出通路５は、所属のロック
ゲートスライダを有する出口エアロックゲート７に達し
ている。該出口エアロックゲートにはプリント配線板は
前記搬送装置51によって次のように給送される。すなわ
ち、例えば２枚のプリント配線板が吊り搬送装置装置44
から搬送装置51に受渡されると直ちに、両プリント配線
板は次のプリント配線板が到着するまでに高速度送りで
出口エアロックゲート７内へ移送されるので、該エアロ
ックゲートで実施すべき気閘式排出プロセスに要する時
間が得られる。気閘式排出プロセスのために出力エアロ
ックゲート７には空気又は例えば窒素が周辺達するまで
注入され、次いで出口エアロックゲートのロックゲート
スライダが開かれる。出口エアロックゲート７から進出
したプリント配線板は完全に処理済みである。それとい
うのは、フラックス剤を用いない処理方式に基づいて、
従来慣用の後浄化作業の必要がないからである。前記出
口エアロックゲート７が、次の気閘式排出プロセスのた
めに再び排気されねばならないのは勿論である。

図２には、本発明の連続式リフロー（Reflow）鑞接設
備が図示されており、この場合はプリント配線板は順次
相前後して搬送装置73上に配列されている鑞接設備を通
って搬送される（図２ではプリント配線板の図示は省か
れている）。

連続式リフロー鑞接設備は入口エアロックゲート71、
予熱・前処理ステーション72、鑞接ステーション74及び
出口エアロックゲート76を有している。主要な設備区域
の減圧化、要するに予熱・前処理ステーション72、鑞接
ステーション74並びに短い進出ゾーン75（これは共に設
備室に相当する）の減圧化はポンプ装置（図示せず）に
よって行なわれる。入口エアロックゲート71を介して、
加工すべきプリント配線板は個別的にか又は小グループ
毎に鑞接設備内へ導入され、この場合気閘室内へのプリ
ント配線板の装入は、前述のスタックユニット式に従っ
て行なわれ、これは、与えられた装入サイクル時間（最
小限の約10秒乃至20秒）内に問題なく行なうことができ
る。プリント配線板を搬送するためには、前記装入サイ
クルに合わせて搬送装置73によるステップ・バイ・ステ
ップ式送りが行なわれ、これによってプリント配線板は
１つのステーションから次のステーションへ移送され、
かつ究極的に鑞接設備全体を通って搬送される。

その際、入口エアロックゲート71からプリント配線板
は先ず予熱・前処理ステーション72内へ移行する。そこ
でプラズマガスの供給と最初の作用が行なわれる。

図示の例では外部のプラズマ発生装置80においてプロ
セスガスからプラズマが形成され、次いで予熱・前処理
ステーション72に供給される。プロセスガスとしては例
えば５％酸素と60％水素と35％と四弗化炭素（CF₄）と
から成る混合気体PG1が使用される。更に予熱・前処理
ステーション72の領域内で適当な加熱装置によってプリ
ント配線板は約150℃に予熱される。該領域の通過搬送
時間及び該領域における処理時間は約20秒乃至240秒で
ある。これに続いてプリント配線板は鑞接ステーション
74内へ進入する。この場合、前処理ゾーン並びに鑞接ゾ
ーンは共に5mbar以下の圧力レベルにある。しかしなが
ら本例では鑞接ゾーンには、前記のようなプロセスガス
混合気体は供給されず、むしろCF₄の代りに窒素を含ん
だ混合気体PG2が供給される。それというのは前室つま
り予熱・前処理ステーション72による高効率プロセスガ
スの後方では、不活性ガスを含んだ鑞接プロセスガスで
充分であり、しかもこの場合もプラズマ形成は外部で行
なわれるからである。鑞接ステーション74では最終的
に、鑞接ステーション74の天井に配置された放熱器によ
って鑞接がレリーズされる（温度約210℃）。すなわち
例えば鑞接溶着物の形で付着された鑞、要するに適当量
配量されて位置決めされた鑞接プリント配線板上で溶融
されて各部材の鑞接が行なわれる。図示の鑞接設備では
鑞接ステーションは隔壁78,79によって、気密にではな
いが、ガス流を堰止めるように前置の予熱・前処理ステ
ーション72と後置の進出ゾーン75から仕切られている。
このようにすれば種々異なった設備区域内に異なった雰
囲気を一層良好に維持することが可能である。

鑞接ステーション74におけるリフロー動作に基づい
て、進出ゾーン75内ではすでにプリント配線位置の冷却
が始まり、この場合該進出ゾーンには例えば窒素を供給
することも可能である。該進出ゾーン75からプリント配
線板は最後に出口エアロックゲート76内へ移行し、ここ
で例えばやはり窒素供給によって完全に冷却されて気閘
室は標準圧に上げられる。これをもってプリント配線板
の鑞接は終了するが、この場合やはり全鑞接工程にとっ
て有利なことは、フラックス剤を含まない鑞又はフラッ
クス剤成分を可能な限り微量にしか含まない鑞を使用す
ることである。更にまた図２に示した鑞接法上の実施態
様を、隔壁を設けず、かつ予熱・前処理ステーション72
へのプラズマ供給なしに幾分単純化して、しかも概ね充
分な効果を発揮するように構成することも可能であり、
この場合は前記予熱・前処理ステーション72はその雰囲
気を鑞接ステーション74から受取ることになる。

このようにして、要するに低圧下で、かつプラズマガ
ス雰囲気中及びプロセスガス雰囲気中で鑞接のすべての
実質的な処理段階を実施することによって、フラックス
剤の使用を省き、従ってFCKWを遊離する後浄化処理の必
要もなく環境保全的に製造された高品質の鑞接継手、特
に仕上げ鑞接の施されたプリント配線板を供給する新規
な鑞接法が得られる。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05K 3/34 506 B23K 1/20 B23K 31/02 310

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】表面実装するために電子構成素子をプリン
ト配線板に供給する供給段階と、鑞接段階に前置された
予熱段階と、鑞浴から発生される液相鑞から成る単数又
は複数の流動鑞波面に沿って前記プリント配線板を搬送
して該搬送時に単数又は複数の鑞波によつて鑞接操作を
行う鑞接段階と、鑞を硬化させるために前記鑞接段階に
後置された冷却段階とから成る鑞波式鑞接プロセスに従
って電子構成素子をプリント配線板と鑞接する方法にお
いて、少なくとも鑞波式鑞接工程自体を、低圧下で、し
かもプロセスガスのプラズマ作用下で実施することを特
徴とする、プリント配線板と電子構成素子との鑞接法。
【請求項２】鑞接工程に前置された処理段階又は該鑞接
工程に後置された処理段階を、鑞接工程自体に等しい低
圧下で実施する、請求項１記載の鑞接法。
【請求項３】100mbar以下の低圧下で稼働する、請求項
１又は２記載の鑞接法。
【請求項４】予熱段階時に、予熱部で発生されるプラズ
マ作用によってか、又は該予熱部内へ達するプラズマ作
用によって、接合すべき電子構成素子に前処理を施し、
しかも前記予熱部にプラズマ雰囲気を形成するために、
鑞接雰囲気を形成するためのと同じプロセスガスを使用
する、請求項１から３までのいずれか１項記載の鑞接
法。
【請求項５】予熱段階時における雰囲気が、鑞接工程時
のガス雰囲気とは異なった雰囲気である、請求項４記載
の鑞接法。
【請求項６】少なくともプラズマとして、酸素と水素と
を同時に含む還元作用性並びに酸化作用性のプロセスガ
スを使用する請求項１から５までのいずれか１項記載の
鑞接法。
【請求項７】プロセスガスとして 0.5〜10容量％の酸素、 80〜20容量％の水素及び 20〜80容量％のCF₄,N₂又はAr から成る混合気体を使用する、請求項６記載の鑞接法。
【請求項８】プロセスガスからマイクロ波、高周波及び
／又は適当なエネルギーを有するグロー放電によって、
プラズマ作用又はプラズマを発生させる、請求項１から
７までのいずれか１項記載の鑞接法。
【請求項９】鑞接操作の直接的な周辺で、つまり鑞接部
位で、プラズマを発生させる、請求項１から８までのい
ずれか１項記載の鑞接法。
【請求項１０】鑞浴（48）をグロー放電の陰極として接
続する、請求項９記載の鑞接法。
【請求項１１】プラズマを鑞接設備の外部で発生させ、
次いで、鑞接設備に供給する、請求項１から８までのい
ずれか１項記載の鑞接法。
【請求項１２】プロセスガスを処理現場の手前で混合す
る、請求項１から11までのいずれか１項記載の鑞接法。
【請求項１３】プロセスガスを仕上げ混合気体として準
備する、請求項１から11までのいずれか１項記載の鑞接
法。
【請求項１４】赤外光線、マイクロ波又はその他適当な
電磁波を介して予熱を行う、請求項１から13までのいず
れか１項記載の鑞接法。
【請求項１５】プラズマを介してエネルギーを投入する
ことによって予熱を行う、請求項１から13までのいずれ
か１項記載の鑞接法。
【請求項１６】鑞接ステーション（４）及びその他の複
数の処理ステーション、つまり予熱ステーション（28）
並びに冷却ゾーン又は進出ゾーン（５）を備えた連続式
の鑞波式鑞接設備において、鑞接ステーション（４）及
びその他の複数の処理ステーションを包囲していて周辺
に対して気密にされた設備室（６）が設けられており、
かつ、該設備室内に低圧を発生させる手段（18）並び
に、鑞波（40,42）を発生させる部位において、鑞浴（4
8）を該鑞浴（48）の上位に配置された陽極（49）に対
して陰極として接続するか、又は鑞波の領域にマイクロ
波送出器又はHF発振器を配置することにより低圧雰囲気
をプラズマ状態で形成するための装置が設けられている
ことを特徴とする、連続式の鑞波式鑞接設備。
【請求項１７】個々のステーション間にガス流堰止め用
邪魔板部材（78,79）が設けられている、請求項16記載
の鑞波式鑞接設備。