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JP2844125B2 - Hexaazaisoulitanium derivative and method for producing the same - Google Patents

Hexaazaisoulitanium derivative and method for producing the same

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Publication number
JP2844125B2
JP2844125B2 JP8523412A JP52341296A JP2844125B2 JP 2844125 B2 JP2844125 B2 JP 2844125B2 JP 8523412 A JP8523412 A JP 8523412A JP 52341296 A JP52341296 A JP 52341296A JP 2844125 B2 JP2844125 B2 JP 2844125B2
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Japan
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hexaazaisowurtzitane
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保 児玉
正弘 東條
池田  正紀
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Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Kogyo KK
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は、アシル基を有するヘキサアザイソウルチタ
ン誘導体およびその製造方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group and a method for producing the same.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体中には、高密度でN−A基(A:アシル基)やN−
H基が含まれ、該N−A基やN−H基は各種ニトロ化方
法によりN−NO2に転換できる。
In the hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group of the present invention, an NA group (A: acyl group) or N-
Include H group, the N-A group and N-H groups can be converted by various nitration methods N-NO 2.

したがって、本発明のアシル基を有するヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体は火薬や火薬類の添加剤として使用
されるポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導体の
前駆体として有用である。特に、本発明のアシル基を有
するヘキサアザイソウルチタン誘導体は、火薬製品の機
械的特性、爆轟速度、爆轟圧力、燃焼速度、圧力指数、
感度、耐熱性等の火薬性能を調節する添加剤として有用
であるポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導体の
前駆体として有用である。またヘキサニトロヘキサアザ
イソウルチタン(以下「HNW」と言う)は次世代の高性
能火薬材料として有望視されているが、本発明のヘキサ
アザイソウルチタン誘導体は、その前駆体としても有用
である。
Therefore, the hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group of the present invention is useful as a precursor of a polynitrated hexaazaisowurtzitane derivative used as an explosive or an additive for explosives. In particular, the hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group of the present invention can be used for explosive product mechanical properties, detonation rate, detonation pressure, burning rate, pressure index,
It is useful as a precursor of a polynitrated hexaazaisowurtzitane derivative, which is useful as an additive for controlling explosive performance such as sensitivity and heat resistance. In addition, hexanitrohexaazaisowurtzitane (hereinafter referred to as "HNW") is regarded as a promising next-generation high explosive material, but the hexaazaisowurtzitane derivative of the present invention is useful as a precursor thereof. is there.

また本発明のヘキサアザイソウルチタン誘導体は、該
物質中に含まれるN−A基(A:アシル基)やN−H基の
反応性を利用して、主鎖中や側鎖中に高密度にアシル基
を含有する高極性ポリマーに誘導可能である。この高極
性ポリマーは、高親水性ポリマーや高誘電率ポリマーと
して有用である。
In addition, the hexaazaisowurtzitanium derivative of the present invention utilizes the reactivity of the N—A group (A: acyl group) and the N—H group contained in the substance to form a highly active compound in the main chain or side chain. It can be derived into highly polar polymers containing acyl groups in density. This highly polar polymer is useful as a highly hydrophilic polymer or a high dielectric constant polymer.

本発明のヘキサアザイソウルチタン誘導体は、その反
応性を利用して多官能架橋剤として使用することもでき
る。
The hexaazaisowurtzitane derivative of the present invention can be used as a polyfunctional crosslinking agent by utilizing its reactivity.

さらに、本発明のヘキサアザイソウルチタン誘導体
は、そのままポリマー改質剤等の添加剤としても使用す
ることも可能である。
Further, the hexaazaisowurtzitane derivative of the present invention can be used as it is as an additive such as a polymer modifier.

<背景技術> これまでに、本願に関係のあるヘキサアザイソウルチ
タン(以下「W」と略す)骨格を有する化合物として
は、HNW以外に、 (1)ヘキサキス(アリールメチル)ヘキサアザイソウ
ルチタン(以下「HBW」と略す) (2)テトラアセチルジベンジルヘキサアザイソウルチ
タン(以下「TADBW」と略す)] (3)カルバミル基を有するヘキサアザイソウルチタン
(以下「HCW」と略す)〔特開平6−321962〕が知られ
ている。
<Background Art> Compounds having a hexaazaisowurtzitane (hereinafter abbreviated as “W”) skeleton related to the present application include, in addition to HNW, (1) hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane (Hereinafter abbreviated as "HBW") (2) Tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane (hereinafter abbreviated as "TADBW")] (3) Hexaazaisowurtzitane having a carbamyl group (hereinafter abbreviated as "HCW") [ JP-A-6-321962] is known.

(1)のHBWは、種々のアリールメチルアミンとグリ
オキサールを縮合させることで得られることが知られて
いる。[J.Org.Chem.,vol.55,1459−1466(1990)] また(2)のTADBWは、火薬原料として有用であると
いう報告がある[The Militarily Critical Technol
ogies List,Offioe of the Under Secretary of
Defense for Acquisition,12−22,October(199
2)]が、それがどのような方法でどのような構造の火
薬に変換できるのか示されていない。またTADBWの製造
法についても何も示されていない。
It is known that HBW of (1) can be obtained by condensing glyoxal with various arylmethylamines. [J. Org. Chem., Vol. 55, 1459-1466 (1990)] Also, there is a report that TADBW of (2) is useful as a raw material for explosives [The Militarily Critical Technol.
ogies List, Offioe of the Under Secretary of
Defense for Acquisition, 12-22, October (199
2)], however, is not shown how or how it can be converted into gunpowder. Nothing is said about the manufacturing method of TADBW.

なおHNWについては、その特性についてInternational
Symposium on Energetic Materials Technology
PROCEEDINGS,SEPTEMBER 24−27,76−81(1995);COM
BUSTION AND FLAME 87,145−151(1991)などに報告
されているが、その製造方法については報告されていな
い。
As for the characteristics of HNW, International
Symposium on Energetic Materials Technology
PROCEEDINGS, SEPTEMBER 24-27, 76-81 (1995); COM
BUSTION AND FLAME 87,145-151 (1991), etc., but no report on the production method.

そこで、本発明者らが、HNWなどのポリニトロ化ヘキ
サアザイソウルチタン誘導体の製造法を見出すべく、HB
WおよびTADBWを種々のニトロ化条件でニトロ化する事を
試みたが、HBWおよびTADBWより実質的に十分な量のポリ
ニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導体を得ることが
できなかった。またさらに、HBWおよびTADBWはベンジル
基を含み、ニトロ化条件下では種々のニトロ化合物と親
和性の良いニトロ化芳香族が副生成物として生成するた
め、目的物であるポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタ
ン誘導体の分離精製が困難であるという問題もある。
Therefore, the present inventors, in order to find a method for producing a polynitrated hexaazaisosoultitanium derivative such as HNW, HBW
Attempts to nitrate W and TADBW under various nitration conditions failed to obtain a substantially sufficient amount of polynitrated hexaazaisowurtzitanium derivatives from HBW and TADBW. Furthermore, HBW and TADBW contain a benzyl group, and under nitration conditions, nitrated aromatics having a high affinity for various nitro compounds are produced as by-products. There is also a problem that it is difficult to separate and purify the derivative.

(3)のHCWは、高収率で得ることは難しい。その理
由として、該物質の製造中に強酸である塩酸が発生し、
原料であるHBWの分解を誘発するためと考えられる。
It is difficult to obtain HCW of (3) in high yield. The reason is that hydrochloric acid, which is a strong acid, is generated during the production of the substance,
It is considered to induce the decomposition of HBW as a raw material.

以上のように上記(1)(2)(3)のW骨格を有す
る化合物は、いずれもHNWまたは類似構造のポリニトロ
化ヘキサアザイソウルチタン誘導体を工業的に有利に製
造するための前駆体としては適さない。
As described above, the compounds having a W skeleton of the above (1), (2) and (3) are all used as precursors for industrially and advantageously producing polynitronitrated hexaazaisowurtzitane derivatives having HNW or a similar structure. Is not suitable.

<発明の開示> 本発明者らは、ポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタ
ン誘導体の工業的に有利な製造方法を確立すべく、容易
にポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導体に変換
できる前駆体の構造の探索とその合成法について鋭意検
討を行った。
<Disclosure of the Invention> In order to establish an industrially advantageous production method of a polynitrated hexaazaisowurtzitane derivative, the present inventors have developed a structure of a precursor that can be easily converted to a polynitrated hexaazaisowurtzitane derivative. The search and the synthesis method were studied diligently.

その結果、極性基部分としてN−アシル基結合とN−
H結合のみを含有するヘキサアシルヘキサアザイソウル
チタン誘導体が、ポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタ
ン誘導体の前駆体として有用であることを見出し、さら
に該前駆体の工業的に有利な高収率の製造方法を見出
し、本発明を完成した。
As a result, the N-acyl group bond and N-
Hexaacylhexaazaisowurtzitanium derivatives containing only H bonds have been found to be useful as precursors of polynitrated hexaazaisowurtzitane derivatives, and furthermore, industrially advantageous high yield production of the precursors We found a method and completed the present invention.

本発明の他の目的は、N−アシル基やN−H基のよう
な高極性官能基を高密度で含有する新タイプの機能性材
料を開発することにもある。
Another object of the present invention is to develop a new type of functional material containing a high-polarity functional group such as an N-acyl group or an NH group at a high density.

すなわち、本発明は、一般式(1)で表わされるアシ
ル基を有するヘキサアザイソウルチタン誘導体およびそ
の製造方法を提供するものである。
That is, the present invention provides a hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group represented by the general formula (1) and a method for producing the same.

WAnH(6-n) (1) [式中、nは4〜6の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Hは水素原子、Wは下式(2)で表される6価のヘ
キサアザイソウルチタン残基を表わす。] 本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体は、前記一般式(1)で表わされる。
WA n H (6-n) (1) wherein n is an integer of 4 to 6, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, and W is represented by the following formula (2) It represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue. ] The hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group of the present invention is represented by the general formula (1).

本発明に於けるアシル基Aは、炭素数1〜10のアシル
基であればどのようなものでも用いることができ、本発
明で使用されている還元的脱アリールメチル反応の条件
下で安定な置換基を有していてもよい。通常、アシル基
Aとしては、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソ
ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、2−フェニルアセ
チルなどが用いられ、好ましくは、炭素数2〜5のアシ
ル基、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バ
レリルなどが用いられ、さらに好ましくは炭素数2〜3
のアシル基、例えば、アセチル、プロピオニルなどが用
いられる。また式(1)のn個のアシル基はそれぞれ同
一のものでも、異なったものでもよい。
As the acyl group A in the present invention, any acyl group having 1 to 10 carbon atoms can be used, which is stable under the conditions of the reductive dearylmethyl reaction used in the present invention. It may have a substituent. Usually, as the acyl group A, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, hexanoyl, 2-phenylacetyl and the like are used, and preferably, an acyl group having 2 to 5 carbon atoms, for example, acetyl, propionyl, butyryl, valeryl And more preferably 2 to 3 carbon atoms.
For example, acetyl, propionyl and the like are used. The n acyl groups of the formula (1) may be the same or different.

本発明の式(1)で表わされる、アシル基を有するヘ
キサアザイソウルチタン誘導体WAnH(6-n)は、nの数に
よっては、同一のnであっても、アシル基、水素原子の
置換する位置の違いにより複数の異性体をとることがで
きる。
The hexaazaisowurtzitane derivative WA n H (6-n) having an acyl group represented by the formula (1) of the present invention may be an acyl group or a hydrogen atom depending on the number of n, even if n is the same. A plurality of isomers can be taken depending on the substitution position of

例えば、WA4H2で表わされる化合物の代表的な構造と
しては、(3)式で表わされる構造が挙げられるが、そ
の構造異性体であっても良い。
For example, a typical structure of the compound represented by WA 4 H 2 is a structure represented by the formula (3), but a structural isomer thereof may be used.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体WAnH(6-n)において、nは4〜6の整数であり、
好ましくは4および6である。
In the hexaazaisowurtzitane derivative WA n H (6-n) having an acyl group of the present invention, n is an integer of 4 to 6,
Preferably they are 4 and 6.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体の好ましい構造の一つとして、式(1)において
nが6である誘導体、すなわち、下式(4) WA6 (4) [式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Wは、6価のヘ
キサアザイソウルチタン残基を表わす。] に示すヘキサアシルヘキサアザイソウルチタンが挙げら
れる。この化合物は、構造が単純なため、高純度な物質
に精製しやすい点で、好ましい。またヘキサアセチル体
は、昇華精製でき、反応生成物中より容易に高純度のWA
6が得られるという利点もある。
As one of preferred structures of the hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group of the present invention, a derivative in which n is 6 in the formula (1), that is, the following formula (4) WA 6 (4) Represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. Hexacylhexaazaisowurtzitane shown below. This compound is preferable because it has a simple structure and can be easily purified into a high-purity substance. The hexaacetyl compound can be purified by sublimation, making it easier to obtain high-purity WA from the reaction product.
There is also the advantage that 6 can be obtained.

好ましい構造の一つとして、式(1)で表わされるヘ
キサアザイソウルチタン誘導体の内、nが4であるヘキ
サアシルヘキサアザイソウルチタンが挙げられる。この
化合物は、反応性の高いN−H基を含んでいるので、こ
の部分のみを、選択的に反応させることができる点で好
ましい。例えば、このN−H基を選択的にニトロ化する
事でジニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導体が容易
に高収率で得られる。
As a preferred structure, among the hexaazaisowurtzitanium derivatives represented by the formula (1), hexaacylhexaazaisowurtzitanium in which n is 4 is exemplified. Since this compound contains a highly reactive NH group, only this portion is preferable because it can be selectively reacted. For example, by selectively nitrating this NH group, a dinitrated hexaazaisowurtzitanium derivative can be easily obtained in high yield.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
化合物中には、高密度の>N−A基(A:アシル基)や>
N−H基が含まれ、これらの基は、いずれも各種ニトロ
化方法により>N−NO2に転換し得る。
In the hexaazaisowurtzitane compound having an acyl group of the present invention, high-density> NA groups (A: acyl groups) and>
Contains N-H groups, these groups are all be transformed into> N-NO 2 by various nitration methods.

以下に、式(1)で表わされるヘキサアザイソウルチ
タン誘導体の合成例を示す。
Hereinafter, a synthesis example of the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (1) will be described.

本発明のWA6は、次の反応式(5)で表わされるよう
にWAnH(6-n)をアシル化剤を用いてアシル化することに
よっても得られる。
The WA 6 of the present invention can also be obtained by acylating WA n H (6-n) with an acylating agent as represented by the following reaction formula (5).

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Hは水素原子、Wは6価のヘキサアザイソウルチタ
ン残基を表わす。〕 式(5)で表わされる反応に用いられるWAnH
(6-n)は、本発明者らにより初めて合成された文献に未
記載の物質の一つであるが、この物質の製造方法につい
ては後述する。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 5, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H represents a hydrogen atom, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. WA n H used in the reaction represented by the formula (5)
(6-n) is one of the substances not described in the literature synthesized for the first time by the present inventors, and the method for producing this substance will be described later.

(5)の反応に用いられるアシル化剤としては、2級
アミンをアシル化するものならばいずれも使用できる
が、通常、塩化アセチル、臭化アセチル、塩化プロピオ
ニルなどのハロゲン化アシル;N−アセトキシコハク酸イ
ミド、N−プロピオニルオキシコハク酸イミド、N−
(2−フェニルアセトキシ)コハク酸イミドなどのN−
ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステル;無水
酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、酢酸−ギ酸混合酸
の無水物などのカルボン酸無水物;アセチルイミダゾー
ル、プロピオニルイミダゾールなどのアシルイミダゾー
ルなどが挙げられる。これらのアシル化剤の中で、好ま
しくは、塩化アセチル、塩化プロピオニルなどのハロゲ
ン化アシルが使用され得る。
As the acylating agent used in the reaction (5), any acylating agent can be used as long as it can acylate a secondary amine. Usually, acyl halides such as acetyl chloride, acetyl bromide and propionyl chloride; N-acetoxy Succinimide, N-propionyloxysuccinimide, N-
N- such as (2-phenylacetoxy) succinimide
Carboxylic acid esters of hydroxysuccinimide; carboxylic anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, butyric anhydride, and acetic acid-formic acid mixed acid anhydrides; and acylimidazoles such as acetylimidazole and propionylimidazole. Of these acylating agents, preferably, acyl halides such as acetyl chloride and propionyl chloride can be used.

(5)の反応に用いられる溶媒は、WAnH(6-n)を溶か
し、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であればよい。例え
ば、酢酸、プロピオン酸、酪酸などのカルボン酸;ジメ
チルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの非プロ
トン性極性溶媒;無水酢酸、無水プロピオン酸などのカ
ルボン酸無水物などが挙げられる。好ましくは、無水酢
酸、無水プロピオン酸などのカルボン酸無水物が用いら
れる。上記溶媒は、単独でまたは二種以上を混合して用
いてもよい。
The solvent used in the reaction (5) may be any solvent that dissolves WA n H (6-n) and does not adversely affect the reaction. For example, carboxylic acids such as acetic acid, propionic acid and butyric acid; aprotic polar solvents such as dimethylsulfoxide and dimethylacetamide; and carboxylic anhydrides such as acetic anhydride and propionic anhydride. Preferably, carboxylic anhydrides such as acetic anhydride and propionic anhydride are used. The above solvents may be used alone or in combination of two or more.

(5)の反応における反応温度は、通常、−10〜300
℃、好ましくは0〜150℃の範囲である。
The reaction temperature in the reaction (5) is usually -10 to 300
° C, preferably in the range of 0 to 150 ° C.

本発明のWA6は、次の反応式(6)で表わされるよう
に、WAnB(6-n)を還元的脱アリールメチルし、その後、
アシル化することによっても得られる。
The WA 6 of the present invention is obtained by reductive dearylmethylation of WA n B (6-n) as represented by the following reaction formula (6),
It can also be obtained by acylation.

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10アシル
基、Bは後述の式(15)のアリールメチル基、Wは6価
のヘキサアザイソウルチタン残基を表わす。〕 このWAnB(6-n)は、ここでは式(VII)という。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 5, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group represented by the following formula (15), and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. This WA n B (6-n) is referred to herein as formula (VII).

(6)の反応に用いられるWAnB(6-n)は、どのような
方法で作られたものでも使用できる。このWAnB
(6-n)は、後述の様にWB6から製造できるので、その方法
で製造されたWAnB(6-n)または既存の物質を使用しても
よい。
WA n B (6-n) used in the reaction (6) may be prepared by any method. This WA n B
Since (6-n) can be produced from WB 6 as described later, WA n B (6-n) produced by that method or an existing substance may be used.

(6)の反応の1)還元的脱アリールメチルの工程
は、WAnB(6-n)の脱アリールメチル反応を進行させる方
法であればどの様な方法を用いても良い。通常、還元剤
の存在下に、還元用触媒の接触させることにより行なわ
れる。
In the step of 1) reductive dearylmethylation of the reaction (6), any method may be used as long as it allows the dearylmethylation reaction of WA n B (6-n) to proceed. Usually, it is carried out by contacting a reducing catalyst in the presence of a reducing agent.

通常、還元剤としては、水素、ヒドラジン、ギ酸など
が使用され、好ましくは、水素が用いられる。触媒とし
ては、通常、白金族に属する金属、またはその誘導体が
用いられ、好ましくは、Pd(OAc)、PdCl2、Pd(N
O3、PdO、Pd(OH)、Pd3Pb1、Pd3Te1などのPd化
合物、Pd合金およびPd金属;RuCl3などのRu化合物、Ru合
金およびRu金属などが用いられ、さらに好ましくは、Pd
(OAc)、PdCl2などのPd化合物、Pd合金およびPd金属
が使用される。これらの触媒は、そのまま使用する、あ
るいは活性炭、シリカ、アルミナ、シリカ−アルミナ、
ゼオライト、活性白土などの各種担体に担持させて使用
することもできる。反応に供する前に触媒を還元処理し
てもよい。固体触媒の場合には、シリル化やアシル化な
どの処理を行なうことで、表面酸点を不活性化させる、
あるいはNaOHなどアルカリ性の物質を吸着させることに
よって固体表面の酸性度を変化させることもできる。触
媒の量は、その触媒の還元活性によっても変わり得る
が、使用する触媒金属の、WAnB(6-n)に対する重量比で
表現して、通常、0.0001〜10、好ましくは0.001〜1の
範囲で使用される。
Usually, hydrogen, hydrazine, formic acid and the like are used as the reducing agent, and preferably, hydrogen is used. As the catalyst, a metal belonging to the platinum group or a derivative thereof is usually used. Preferably, Pd (OAc) 2 , PdCl 2 , Pd (N
O 3 ) 2 , PdO, Pd (OH) 2 , Pd compounds such as Pd 3 Pb 1 and Pd 3 Te 1 , Pd alloys and Pd metals; Ru compounds such as RuCl 3 , Ru alloys and Ru metals, More preferably, Pd
(OAc) 2, Pd compounds such as PdCl 2, Pd alloys and metallic Pd are used. These catalysts can be used as they are, or activated carbon, silica, alumina, silica-alumina,
It can be used by being supported on various carriers such as zeolite and activated clay. Before the reaction, the catalyst may be subjected to a reduction treatment. In the case of a solid catalyst, a treatment such as silylation or acylation is performed to inactivate surface acid sites.
Alternatively, the acidity of the solid surface can be changed by adsorbing an alkaline substance such as NaOH. The amount of the catalyst may vary depending on the reduction activity of the catalyst, but is usually 0.0001 to 10, preferably 0.001 to 1, expressed as a weight ratio of the catalyst metal used to WA n B (6-n) . Used in range.

(6)の反応における1)還元的脱アリールメチルの
工程で用いられる溶媒は、WAnB(6-n)を溶解し、反応に
悪影響を及ぼさない溶媒であればよい。例えば、酢酸、
プロピオン酸、酪酸などのカルボン酸;ジメチルアセト
アミドなどのアミド化合物;N,N−ジメチルアニリンなど
のアミン化合物などが挙げられる。これらの溶媒は単独
または二種以上混合して使用できる。反応速度の点から
酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸を用いることが好
ましい。
The solvent used in the step of 1) reductive dearylmethylation in the reaction of (6) may be any solvent that dissolves WA n B (6-n) and does not adversely affect the reaction. For example, acetic acid,
Carboxylic acids such as propionic acid and butyric acid; amide compounds such as dimethylacetamide; amine compounds such as N, N-dimethylaniline. These solvents can be used alone or in combination of two or more. It is preferable to use a carboxylic acid such as acetic acid or propionic acid from the viewpoint of the reaction rate.

溶媒の量は、用いる溶媒の溶解度や反応温度によって
も変わり得るが、使用するWAnB(6-n)に対する重量比で
表現して、通常、1〜500、好ましくは5〜100の範囲で
使用される。
The amount of the solvent may vary depending on the solubility of the solvent used and the reaction temperature, but is expressed in terms of a weight ratio to the used WA n B (6-n) , and is usually in the range of 1 to 500, preferably 5 to 100. used.

反応圧力は、通常、0.1〜1000、好ましくは1〜100kg
f/cm2の範囲であり、還元剤として水素を用いる場合に
は、水素の分圧で表現して、好ましくは0.1〜500kgf/cm
2、さらに好ましくは1〜100kgf/cm2の範囲である。水
素以外に、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス
が存在してもよい。
Reaction pressure is usually 0.1 to 1000, preferably 1 to 100 kg
in the range of f / cm 2, when using hydrogen as the reducing agent is represented by the partial pressure of hydrogen, preferably 0.1~500kgf / cm
2 , more preferably in the range of 1 to 100 kgf / cm 2 . In addition to hydrogen, an inert gas such as nitrogen, argon, and helium may be present.

反応温度は、通常、−20〜300℃、好ましくは、0〜2
00℃の範囲である。
The reaction temperature is usually -20 to 300C, preferably 0 to 2C.
It is in the range of 00 ° C.

反応時間は、使用する触媒、溶媒などの条件によって
も変わり得るが、通常、0.1〜500時間、好ましくは1〜
200時間である。
The reaction time may vary depending on conditions such as the catalyst and solvent used, but is usually 0.1 to 500 hours, preferably 1 to 500 hours.
200 hours.

(6)の反応の1)還元的脱アリールメチルの工程に
よりWAnH(6-n)〔nは4〜5の整数〕を合成し、それを
次の2)アシル化の工程でアシル化する。
In the reaction of (6), WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 5] is synthesized by the step of 1) reductive dearylmethylation, and it is acylated in the following 2) acylation step. I do.

(6)の反応の2)アシル化の工程において使用され
るアシル化剤、溶媒、反応温度などの反応条件は、先に
反応(5)で述べたと同様のもの、および反応条件を用
いることができる。
The reaction conditions such as the acylating agent, the solvent, and the reaction temperature used in the 2) acylation step of the reaction (6) may be the same as those described in the reaction (5) and the reaction conditions. it can.

本発明のWA6は、次の反応式(7)で表わされるよう
に、WB6をアシル化剤存在下で還元的脱アリールメチル
した後、アシル化剤不存在下で還元的脱アリールメチル
し、その後アシル化することによっても得られる。
WA 6 of the present invention, as represented by the following reaction formula (7), the WB 6 was reductively de-arylmethyl in the presence acylating agent, reductive de-arylmethyl and in the absence acylating agent , Followed by acylation.

〔式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Bはアリールメ
チル基、Wは6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
わす。〕 このWB6は、ここでは式(VI)という。
[Wherein A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. This WB 6 is referred to herein as equation (VI).

(7)の反応の1)アシル化剤存在下での還元的脱ア
リールメチルの工程は、通常、還元剤存在下、還元用触
媒と接触させることにより行なわれる。そのような還元
剤および触媒としては、WB6の脱アリールメチル反応を
進行させ、反応系中のアシル化剤を失活させないものな
らば、どのような組み合わせでも用いることができる。
還元剤としては、通常、水素、ギ酸などが使用され、好
ましくは水素が用いられる。触媒としては、先に反応
(6)の1)還元的脱アリールメチルの工程で述べたと
同じものが使用できる。
In the reaction (7), 1) the step of reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent is usually carried out by contacting with a reducing catalyst in the presence of a reducing agent. Such a reducing agent and a catalyst, was allowed to proceed for de-arylmethyl reaction WB 6, the acylating agent in the reaction system so long as it does not deactivate, it can be used in any combination.
As the reducing agent, hydrogen, formic acid and the like are usually used, and preferably, hydrogen is used. As the catalyst, the same catalyst as described in the step of 1) reductive dearylmethyl in the reaction (6) can be used.

触媒の量は、その触媒の還元活性によっても変わり得
るが、使用する触媒金属の、WB6に対する重量比で表現
して、通常、0.0001〜20、好ましくは0.001〜10の範囲
で使用される。
The amount of catalyst may vary depending on the reducing activity of the catalyst, the catalyst metal to be used, expressed by weight relative to the WB 6, usually 0.0001, preferably used in the range of 0.001 to 10.

(7)の反応のアシル化剤存在下での還元的脱アリー
ルメチルの工程で用いられるアシル化剤としては、2級
アミンをアシル化できるものであればいずれも使用でき
るが、通常、N−アセトキシコハク酸イミド、N−プロ
ピオニルオキシコハク酸イミド、N−(2−フェニルア
セトキシ)コハク酸イミドなどのN−ヒドロキシコハク
酸イミドのカルボン酸エステル;無水酢酸、無水プロピ
オン酸、無水酪酸、酢酸−ギ酸混合酸の無水物などのカ
ルボン酸無水物;アセチルイミダゾール、プロピオニル
イミダゾールなどのアシルイミダゾールなどが挙げられ
る。これらのアシル化剤の中で、N−アセトキシコハク
酸イミド、N−プロピオニルオキシコハク酸イミドなど
のN−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステル
を使用すると、WAnB(6-n)〔nは4〜5の整数〕の選択
性が向上する。したがって、N−ヒドロキシコハク酸イ
ミドのカルボン酸エステルが好ましく用いられる。これ
らのアシル化剤は、単独または二種以上混合して使用で
きる。特に、N−アセトキシコハク酸イミド、N−プロ
ピオニルオキシコハク酸イミドなどのN−ヒドロキシコ
ハク酸イミドのカルボン酸エステルと、無水酢酸、無水
プロピオン酸などのカルボン酸無水物を混合して使用す
ると、反応(7)の1)の工程の反応速度が向上し、ま
たWAnB(6-n)〔nは4〜5の整数〕の選択性が向上する
ため、特に好ましい。
As the acylating agent used in the step of reductive dearylmethylation in the presence of the acylating agent in the reaction (7), any acylating agent capable of acylating a secondary amine can be used. N-hydroxysuccinimide carboxylate such as acetoxysuccinimide, N-propionyloxysuccinimide, N- (2-phenylacetoxy) succinimide; acetic anhydride, propionic anhydride, butyric anhydride, acetic acid-formic acid Carboxylic acid anhydrides such as mixed acid anhydrides; acylimidazoles such as acetylimidazole and propionylimidazole; When N-hydroxysuccinimide carboxylic acid esters such as N-acetoxysuccinimide and N-propionyloxysuccinimide are used among these acylating agents, WA n B (6-n) (n is Integer of 4 to 5]. Therefore, carboxylic acid esters of N-hydroxysuccinimide are preferably used. These acylating agents can be used alone or in combination of two or more. In particular, when a carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide such as N-acetoxysuccinimide or N-propionyloxysuccinimide and a carboxylic anhydride such as acetic anhydride or propionic anhydride are used in combination, It is particularly preferable because the reaction rate in step (1) of (7) is improved and the selectivity of WA n B (6-n) [n is an integer of 4 to 5] is improved.

前記アシル化剤の量は、その反応性、反応方法や反応
条件によっても異なるが、WB6のアリールメチル基に対
するモル比で表現して、通常、0.1〜100、好ましくは、
1〜50の範囲で使用される。アシル化剤として、N−ヒ
ドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルとカルボ
ン酸無水物を混合して用いる場合のカルボン酸無水物の
量は、N−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エス
テルに対するモル比で表現して、通常、0.01〜100、好
ましくは、0.1〜10の範囲で使用される。
The amount of the acylating agent, the reactivity varies depending on the reaction method and reaction conditions, expressed in molar ratio to the arylmethyl groups of WB 6, usually, 0.1 to 100, preferably,
Used in the range of 1-50. When the carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide and the carboxylic acid anhydride are used as a mixture as the acylating agent, the amount of the carboxylic acid anhydride is represented by the molar ratio to the carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide. Usually, it is used in the range of 0.01 to 100, preferably 0.1 to 10.

(7)の反応の1)アシル化剤存在下での還元的脱ア
リールメチルの工程で用いられる溶媒は、WB6を溶解
し、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であればよい。例え
ば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、
クメン、シメン、ジイソプロピルベンゼン、フェニルエ
チルエーテルなどの芳香族化合物;テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテルなど
の環状または直鎖状または分岐鎖状エーテル;メタノー
ル、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコー
ル、t−ブチルアルコールなどの脂肪族アルコールなど
が挙げられる。これらの溶媒は単独または二種以上を混
合して使用できる。上記溶媒のうち、ベンゼン、トルエ
ン、エチルベンゼン、キシレンなどの芳香族化合物を用
いると、WB6の脱アリールメチルの反応速度が向上する
ため好ましい。
The solvent used in the reductive de-arylmethyl at 1) the presence acylating agent reaction (7) step, to dissolve the WB 6, it may be any solvent which does not adversely influence the reaction. For example, benzene, toluene, ethylbenzene, xylene,
Aromatic compounds such as cumene, cymene, diisopropylbenzene, phenylethyl ether; cyclic or linear or branched ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, tetrahydropyran, diethyl ether, dipropyl ether, diisopropyl ether; methanol, ethanol, propanol And aliphatic alcohols such as isopropyl alcohol and t-butyl alcohol. These solvents can be used alone or in combination of two or more. Among the above solvents, benzene, toluene, ethylbenzene, the use of aromatic compounds such as xylene, preferably to improve the reaction rate of de arylmethyl the WB 6.

溶媒の量は、用いる溶媒の溶解度や反応温度によって
も変わり得るが、使用するWB6に対する重量比で表現し
て、通常、0.1〜100、好ましくは1〜100の範囲で使用
される。
The amount of the solvent is may also vary depending on the solubility and the reaction temperature of the solvent used, expressed by weight relative to the WB 6 used is usually 0.1 to 100, preferably used in the range of 1 to 100.

反応圧力は、通常、0.1〜1000、好ましくは1〜300kg
f/cm2の範囲であり、還元剤として水素を用いる場合に
は、場合によっては圧力が高いほど反応速度が向上する
ため、水素の分圧で表現して、好ましくは0.1〜500kgf/
cm2、さらに好ましくは、1〜200kgf/cm2の範囲であ
る。水素以外に、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活
性ガスが存在してもよい。
Reaction pressure is usually 0.1 to 1000, preferably 1 to 300 kg
in the range of f / cm 2, in the case of using hydrogen as a reducing agent, and optionally to improve the reaction rate higher pressures, expressed at a partial pressure of hydrogen, preferably 0.1~500Kgf /
cm 2 , more preferably in the range of 1 to 200 kgf / cm 2 . In addition to hydrogen, an inert gas such as nitrogen, argon, and helium may be present.

反応温度は、通常、−20〜300℃、好ましくは0〜200
℃の範囲である。
The reaction temperature is generally -20 to 300 ° C, preferably 0 to 200 ° C.
It is in the range of ° C.

反応時間は、使用する触媒、アシル化剤、溶媒などの
条件によっても変わり得るが、通常、0.1〜500時間、好
ましくは1〜200時間の範囲である。
The reaction time may vary depending on conditions such as a catalyst, an acylating agent and a solvent to be used, but is usually in the range of 0.1 to 500 hours, preferably 1 to 200 hours.

(7)の反応の1)アシル化剤存在下での還元的脱ア
リールメチルの工程でWAnB(6-n)[nは4〜5の整数]
を合成し、それを次の工程で使用する。
In the step (1) of the reaction (7), in the step of reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent, WA n B (6-n) [n is an integer of 4 to 5]
And use it in the next step.

(7)の反応の2)アシル化剤不存在下での還元的脱
アリールメチルの工程で使用する触媒、還元剤、溶媒、
および反応温度、反応圧力など反応条件は、先の1)ア
シル化剤存在下での還元的脱アリールメチルの工程で使
用したものおよび条件をそのまま使用することができ
る。あるいは先に反応(6)の1)還元的脱アリールメ
チルの工程で述べたと同様のものおよび反応条件を使用
することもできる。
A catalyst, a reducing agent, a solvent, used in the step of 2) reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent in the reaction of (7);
The reaction conditions such as the reaction temperature and the reaction pressure can be the same as those used in the above 1) step of reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent. Alternatively, the same ones and reaction conditions as described in the step (1) of the reaction (6) 1) Reductive dearylmethyl can also be used.

(7)の反応の1)アシル化剤存在下での脱アリール
メチルの工程で得られた反応液からアシル化剤を除いて
得られる反応混合物を2)アシル化剤不存在下での脱ア
リールメチルの工程で反応物として使用することもでき
る。このとき、還元用触媒および溶媒を分離しないで、
引き続き、アシル化剤不存在下での還元的脱アリールメ
チルの工程に使用することは好ましい。
The reaction mixture obtained by removing the acylating agent from the reaction solution obtained in the step (1) of the reaction (7) 1) dearylmethylation in the presence of the acylating agent is used for 2) dearyllation in the absence of the acylating agent. It can also be used as a reactant in the methyl step. At this time, without separating the reducing catalyst and the solvent,
Subsequent use in the step of reductive dearylmethyl in the absence of an acylating agent is preferred.

(7)の反応の2)アシル化剤不存在下での還元的脱
アリールメチルの工程でWAnH(6-n)[nは4〜5の整
数]を合成し、それの次の3)アシル化の工程で使用す
る。
In the step (2) of the reaction (7) in the step of reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent, WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 5] is synthesized. ) Used in the acylation step.

(7)の反応の3)アシル化の工程において使用され
るアシル化剤、溶媒、および反応温度のなどの反応条件
は、先に反応(5)で述べたと同様のものおよび反応条
件を用いることもできる。
The reaction conditions such as the acylating agent, the solvent, and the reaction temperature used in the 3) acylation step of the reaction (7) are the same as those described in the reaction (5) and the reaction conditions. Can also.

(7)の反応の3)アシル化の工程は、(7)の2)
アシル化剤不存在下での還元的脱アリールメチルの工程
で得られた反応液をそのままで、あるいは還元用の触媒
および/または溶媒を除いたものを出発原料として使用
することができる。
The step (3) of the acylation of the reaction (7) includes the step (2) of (7).
The reaction solution obtained in the step of reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent can be used as it is, or a solution from which a reduction catalyst and / or a solvent has been removed can be used as a starting material.

本発明のWA6は、反応式(8)で表わされるようにWAn
B(6-n)をアシル化剤存在下で還元的脱アリールメチルす
ることによっても得られる。
The WA 6 of the present invention has a WA n as represented by the reaction formula (8).
It can also be obtained by reductive dearylmethylation of B (6-n) in the presence of an acylating agent.

[式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Bはアリールメチル基、Wは6価のヘキサアザイソ
ウルチタン残基を表わす。] (8)の反応の還元剤、触媒、アシル化剤、溶媒、お
よび反応温度、反応圧力などの反応条件は、反応(13)
で後述するものと同様のものが使用できる。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 5, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue. The reaction conditions of the reaction (8) such as a reducing agent, a catalyst, an acylating agent, a solvent, and a reaction temperature and a reaction pressure are as follows.
And the same as those described later can be used.

本発明のWA6は、次の式(9)で表わされるようにWB6
をアシル化剤存在下で還元的脱アリールメチルすること
によっても得られる。
The WA 6 of the present invention has a WB 6 as expressed by the following equation (9).
Can be obtained by reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent.

[式中、Bはアリールメチル基、Aは炭素数1〜10のア
シル基、Wは6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
わす。〕 (9)の反応の反応条件などは、先に反応(7)の
1)アシル化剤存在下での還元的脱アリールメチルの工
程で述べたと同じ条件などを用いることができる。
[In the formula, B represents an arylmethyl group, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. The reaction conditions and the like for the reaction (9) can be the same as those described above in the step (1) of the reaction (7), 1) Reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体の好ましい構造の一つであるWAnH(6-n)は、次の
式(10)で表わされるようにWAnB(6-n)をアシル化剤不
存在下で還元的脱アリールメチルすることによって得ら
れる。
It is one of the preferred structure of the hexa-A Zai Seoul titanium derivative having an acyl group of the present invention WA n H (6-n) is, WA n B as represented by the following formula (10) (6-n) By reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent.

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Bはアリールメチル基、Wは6価のヘキサアザイソ
ウルチタン残基を表わす。〕 (10)の反応は、先に反応(6)の1)還元的脱アリ
ールメチルの工程で述べたと同じ条件などを用いること
ができる。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 5, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue. The reaction (10) can be performed under the same conditions as described in the step (1) of the reaction (6), 1) Reductive dearylmethyl.

本発明のWAnH(6-n)は、次の式(11)で表わされるよ
うにWB6を1)アシル化剤存在下で還元的脱アリールメ
チルした後、2)アシル化剤不存在下で還元的脱アリー
ルメチルすることによっても得られる。
The WA n H (6-n) of the present invention is obtained by subjecting WB 6 to 1) reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent and then 2) absence of an acylating agent as represented by the following formula (11). Also obtained by reductive dearylmethylation below.

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Bはアリールメチル基、Hは水素原子、Wは6価の
ヘキサアザイソウルチタン残基を表わす。〕 (11)の反応の1)アシル化剤存在下での還元的脱ア
リールメチルの工程は、先に反応(7)の1)アシル化
剤存在下での還元的脱アリールメチルの工程で述べたと
同じ反応条件などを用いることができる。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 5, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group, H represents a hydrogen atom, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. The step of 1) reductive dearylmethylation in the presence of the acylating agent in the reaction (11) is described in the step of 1) reductive dearylmethylization in the presence of the acylating agent in the reaction (7). The same reaction conditions as described above can be used.

(11)の反応の1)アシル化剤存在下での還元的脱ア
リールメチルの工程で、WAnB(6-n)〔nは4〜5の整
数〕を合成し、次の2)の工程で使用する。
In the step (1) of the reaction (11) in the step of reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent, WA n B (6-n) [n is an integer of 4 to 5] is synthesized, and the following 2) Used in the process.

(11)の反応の2)アシル化剤不存在下での還元的脱
アリールメチルの工程は、先に反応(7)の2)アシル
化剤不存在下での還元的脱アリールメチルの工程で述べ
たと同じ反応条件などを用いることができる。
The step of the 2) reductive dearylmethyl reaction in the absence of the acylating agent in the reaction (11) is the same as the step of 2) the reductive dearylmethyl reaction in the absence of the acylating agent in the reaction (7). The same reaction conditions and the like as described can be used.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体の合成原料として使用されるWAnB(6-n)は、次の
式(12)で表わされるようにWB6をアシル化剤存在下で
還元的脱アリールメチルすることにより得られる。
WA n B (6-n) used as a raw material for synthesizing the hexaazaisowurtzitanium derivative having an acyl group of the present invention is obtained by converting WB 6 in the presence of an acylating agent as represented by the following formula (12). Obtained by reductive dearylmethylation.

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Bはアリールメチル基、Hは水素原子、Wは6価の
ヘキサアザイソウルチタン残基を表わす。〕 (12)の反応は、先に反応(7)の1)アシル化剤存
在下での還元的脱アリールメチルの工程で述べたと同じ
反応条件などを用いることができる。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 5, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group, H represents a hydrogen atom, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. The reaction (12) can be carried out under the same reaction conditions as described in the step (1) of the reaction (7), ie, the step of reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent.

本発明のアシル化剤存在下での還元的脱アリールメチ
ル反応において、形成されたN−アシル基が、さらに還
元され、N−アルキル基に変換される反応も生じる。N
−アルキル基を有するヘキサアザイソウルチタン誘導体
の代表的なものとして、WA4R2が挙げられる。
In the reductive dearylmethyl reaction in the presence of the acylating agent of the present invention, a reaction in which the formed N-acyl group is further reduced and converted to an N-alkyl group also occurs. N
- as hexa A wood Seoul representative titanium derivative having an alkyl group include WA 4 R 2.

WA4R2は、次の式(13)で表わされるようにWAnB(6-n)
をアシル化剤存在下で還元的脱アリールメチルすること
により得られる。
WA 4 R 2 is represented by WA n B (6-n) as represented by the following equation (13 ).
By reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent.

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Bはアリールメチル基、Rは炭素数1〜10のアルキ
ル基、Wは6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表わ
す。〕 (13)の反応は、先に反応(6)の1)還元的脱アリ
ールメチルの工程の反応条件などにアシル化を付加した
条件で反応を進行させることができる。
[In the formula, n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B is an arylmethyl group, R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W is hexavalent hexaazaisowurtzitanium. Represents a residue. In the reaction (13), the reaction can be allowed to proceed under conditions in which the acylation is added to the reaction conditions in the step (1) of the reductive dearylmethylation of the reaction (6).

アシル化は、先に反応(7)の1)アシル化剤存在下
での還元的脱アリールメチルの工程に述べたと同様のア
シル化剤および条件などを使用することができる。
For acylation, the same acylating agent and conditions as described in the step (1) of the reaction (7), 1) Reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent, and the like can be used.

(13)の反応の溶媒、触媒、アシル化剤、および反応
温度、反応圧力などの条件は、先に反応(7)の1)ア
シル化剤存在下での還元的脱アリールメチルの工程と同
様のものおよび条件を用いることもできる。
The conditions such as the solvent, catalyst, acylating agent, reaction temperature, and reaction pressure of the reaction (13) are the same as those in the step (1) of the reaction (7), 1) reductive dearylmethyl in the presence of the acylating agent. And conditions can also be used.

WA4R2は、次の式(14)で表わされるようにWB6をアシ
ル化剤存在下で還元的脱アリールメチルすることによっ
ても得られる。
WA 4 R 2 can also be obtained by reductive dearylmethylation of WB 6 in the presence of an acylating agent as represented by the following formula (14).

〔式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Bはアリールメ
チル基、Rは炭素数1〜10のアルキル基、Wは6価のヘ
キサアザイソウルチタン残基を表わす。〕 (14)の反応は、先に反応(7)の1)アシル化剤存
在下での還元的脱アリールメチルの工程で述べたと同じ
反応条件などを使用することができる。
[In the formula, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B represents an arylmethyl group, R represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue. In the reaction (14), the same reaction conditions as described in the step (1) of the reaction (7) 1) Reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent can be used.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体の合成原料として用いられるWBやWAnB(6-n)〔n
は4〜5の整数〕に於いてBとして表わされるアリール
メチル基とは、アリール基(Ar)により置換されたメチ
ル基を示し、通常は、炭素数7〜21のものが使用され
る。アリールメチル基Bの代表的な構造としては、一般
式(15) −CH2Ar (15) 〔Arは炭素数6から20の芳香族基を表わす〕 で表わされる置換基である。Ar中の炭素数としては、通
常は、6〜20、好ましくは、6〜10、特に好ましくは6
である。Arとしては、例えば、フェニル;トリル(o
−、m−、p−各置換体)、エチルフェニル(o−、m
−、p−各置換体)、キシリルなどの、各種アルキルフ
ェニル基類;メトキシフェニル(o−、m−、p−各置
換体)、エトキシフェニル(o−、m−、p−各置換
体)、ブトキシフェニル(o−、m−、p−各置換体)
などの、各種アルコキシフェニル基類;ナフチル基およ
び各種置換ナフチル基などが挙げられ、好ましくはフェ
ニル基、および各種アルコキシフェニル基類が用いられ
る。6個のアリールメチル基はそれぞれ同一のもので
も、異なったものでもよい。
WB or WA n B (6-n) [n used as a raw material for synthesizing the hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group of the present invention
Is an integer of 4 to 5], and the arylmethyl group represented by B represents a methyl group substituted by an aryl group (Ar), and usually has 7 to 21 carbon atoms. Representative structures of arylmethyl group B, the general formula (15) -CH 2 Ar (15 ) [Ar represents an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms] is a substituent represented by. The number of carbon atoms in Ar is usually 6 to 20, preferably 6 to 10, particularly preferably 6 to 10.
It is. Ar is, for example, phenyl; tolyl (o
-, M-, p-substituted), ethylphenyl (o-, m-
-, P-substituted), xylyl and other alkylphenyl groups; methoxyphenyl (o-, m-, p-substituted) and ethoxyphenyl (o-, m-, p-substituted) , Butoxyphenyl (o-, m-, p-substituted)
And the like; naphthyl groups and various substituted naphthyl groups; and the like, preferably phenyl groups and various alkoxyphenyl groups. Each of the six arylmethyl groups may be the same or different.

本発明の式(1)で表わされる化合物は、各種方法で
製造されるが、その具体的な製造法の例を先に説明し
た。
The compound represented by the formula (1) of the present invention can be produced by various methods, and specific examples of the production method have been described above.

前述の式(1)で表わされる化合物の製造方法の最大
の特徴は、WB6をアシル化剤存在下での還元的脱アリー
ルメチルする工程を利用することにある。
The greatest feature of the process for the preparation of compounds represented by the aforementioned formula (1) is to use the process of reductive de-arylmethyl of the WB 6 in the presence of an acylating agent.

この反応は、次の反応式(16)で表わされる。 This reaction is represented by the following reaction formula (16).

〔式中、pは1〜5の整数、nは4〜6の整数、Bはア
リールメチル基、Aは炭素数1〜10のアシル基、Hは水
素原子、Wは6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
す。〕 (16)の反応におけるWApB(6-p)とWAnH(6-n)の混合比
は、WApB(6-p)のWAnH(6-n)に対するmol比で表現して0.0
01〜1000、好ましくは0.01〜100の範囲である。
[In the formula, p is an integer of 1 to 5, n is an integer of 4 to 6, B is an arylmethyl group, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, and W is a hexavalent hexaazide. Represents a soul titanium residue. The mixing ratio of WA p B (6-p) and WA n H (6-n) in the reaction (16) is represented by the molar ratio of WA p B (6-p) to WA n H (6-n) . Express 0.0
The range is from 01 to 1000, preferably from 0.01 to 100.

このWApB(6-p)は、ここでは式(VIII)という。This WA p B (6-p) is herein referred to as formula (VIII).

(16)の反応は、先に反応(12)で述べたと同じ反応
条件などを用いることができる。
For the reaction of (16), the same reaction conditions and the like as described in the reaction (12) can be used.

すなわち、WB6をアシル化剤存在下で還元的脱アリー
ルメチルすることにより、1)アリールメチル基の還元
的脱離によるN−H結合の形成と2)そのアシル化によ
るN−アシル基の形成を逐次的に進行させることが、本
発明の式(1)で表わされるヘキサアザイソウルチタン
誘導体を製造するにあたり重要なことである。
That is, by reductive de-arylmethyl the WB 6 in the presence of an acylating agent, 1) Formation of N-H bonds by reductive elimination of the arylmethyl group and 2) formation of N- acyl groups by their acylation Is important in producing the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (1) of the present invention.

(16)式では、WB6からWApB(6-p)〔pは1〜5の整
数〕が生成するだけでなく、さらに反応が進んだWAnH
(6-n)も生成することを示している。
In the equation (16), not only WA p B (6-p) [p is an integer of 1 to 5] is generated from WB 6 but also WA n H
(6-n) is also generated.

以下で、まず(16)式の推定反応経路を簡単に説明
し、その後この反応の有用性、利用法を説明する。
Hereinafter, first, the estimated reaction path of the equation (16) will be briefly described, and then, the usefulness and utilization of this reaction will be described.

(16)の反応において生成が確認された物質から推定
した詳細な反応経路を式(17)に示す。なお、反応条件
によっては、副反応として、生成したN−アシル基の還
元によるN−アルキル基の形成が生じるので、その生成
物についても式(17)に示しておく。
Formula (17) shows the detailed reaction route estimated from the substance confirmed to be formed in the reaction of (16). Note that, depending on the reaction conditions, as a side reaction, the N-acyl group formed is reduced to form an N-alkyl group. The product is also shown in the formula (17).

〔式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Bはアリールメ
チル基、Rは炭素数1〜10のアルキル基、Hは水素原
子、Wは6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表わ
す。〕 ここで、N−アシル基が還元されるとN−アルキル基
となり、生成物には還元されないWAnH(6-n)、WA6と、還
元されたWAnR(6-n)とが混在することになり、これら個
々の化合物を下式(V)で表す。
[Wherein A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B is an arylmethyl group, R is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, and W is a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue. Express. Here, when the N-acyl group is reduced to an N-alkyl group, the product is not reduced to WA n H (6-n) , WA 6 and reduced WA n R (6-n) . Are mixed, and these individual compounds are represented by the following formula (V).

WAtQ(6-t) (V) 〔式中、tは4〜6の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Qは各々独立して水素原子及び/又は炭素数1〜10
のアルキル基、Wは下式(2)で表される6価のヘキサ
アザイソウルチタン残基を表す。〕 その際、製造の過程ではWA6を含まない混在物、即
ち、上式(V)でt=6を含まないt=4〜5の個々の
ものを下式(XII)として表す。
WA t Q (6-t) (V) wherein t is an integer of 4 to 6, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q is each independently a hydrogen atom and / or 1 to 10 carbon atoms.
And W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2). ] At that time, inclusions containing no WA 6 in the manufacturing process, i.e., represents what the above equation for each t = 4 to 5 containing no t = 6 in (V) as the following formula (XII).

WAnQ(6-n) (XII) (16)の反応においては、バッチ反応で行なう場合に
は反応時間に応じて、また、連続反応で行なう場合には
接触時間に応じて、得られる生成物の組成比は変化す
る。使用する触媒や溶媒の種類、反応温度、反応時間な
どによってもその組成比は変わり得る。したがって、反
応条件を適切に設定することにより、これらの生成物の
生成比を適宜変えることができる。
WA n Q (6-n) (XII) In the reaction of (16), the composition ratio of the obtained product changes according to the reaction time when performing a batch reaction, or according to the contact time when performing a continuous reaction. The composition ratio can also vary depending on the type of catalyst and solvent used, the reaction temperature, the reaction time, and the like. Therefore, by appropriately setting the reaction conditions, the production ratio of these products can be appropriately changed.

(16)の反応の有用性を以下で述べる。WB6より本発
明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン誘導体
を得る目的で、アシル化剤を存在させないでWB6の還元
的脱アリールメチルによるWHnB(6-n)〔n:1〜6の整数〕
の形成を図り、それをアシル化しようとしても、W骨格
が分解してしまい、目的物を高収率で得ることはできな
い。これは、WB6のアシル化剤不存在下での脱アリール
メチルにより得られるWHB5、WH2B4、WH3B3などの2級ア
ミンを含むヘキサアザイソウルチタン誘導体が、構造的
に不安定なための推測される。それに対し、本発明のア
シル化剤存在下での還元的脱アリールメチルの方法を用
いれば、骨格が分解することなく、アシル基を有するヘ
キサアザイソウルチタン誘導体を合成することができ
る。これは、反応初期に生成するWHB5やWH2B4などのア
リールメチル基を有する不安定な2級アミンが反応系中
で直ちにアシル化され安定化するために骨格の分解が抑
制され、脱アリールメチルおよびアシル化が引き続き進
行し得るためと考えられる。
The usefulness of the reaction (16) will be described below. In order to obtain a hexa A wood Seoul titanium derivative having an acyl group of the present invention from WB 6, WH n B in the absence of an acylating agent by reductive de-arylmethyl the WB 6 (6-n) [n:. 1 to 6 integer)
And the acylation thereof is attempted, the W skeleton is decomposed, and the desired product cannot be obtained in high yield. This is because hexaazaisowurtzitane derivatives containing secondary amines such as WHB 5 , WH 2 B 4 and WH 3 B 3 obtained by dearylmethylation in the absence of an acylating agent of WB 6 are structurally Guessed for instability. On the other hand, by using the method of the present invention for reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent, a hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group can be synthesized without decomposition of the skeleton. This decomposition of the skeleton can be suppressed to unstable secondary amine with an aryl methyl group such as WHB 5 and WH 2 B 4 to generate the initial stage of the reaction is stabilized immediately acylated in the reaction system, de It is believed that arylmethyl and acylation could continue to proceed.

遡って見るに、一般式(1)で表わされる本発明のア
シル基を有するヘキサアザイソウルチタン誘導体は、上
記のように、WB6のアシル化剤存在下での還元的脱アリ
ールメチル化反応により一気に合成することも可能であ
るが、この場合のように反応を完結させようとすると多
種類の生成物が同時に形成されるし、副反応も顕著とな
る。そこで、本発明者らがWAnH(6-n)〔nは4〜6の整
数〕を工業的に有利に、高選択的、かつ高収率で得る方
法を見いだすべく、検討した結果、先述の(12)、(1
0)および(5)の各反応をその順に実施することによ
り、特に良好な結果が得られた。
See back, hexamethylene A wood Seoul titanium derivative having an acyl group of the present invention represented by the general formula (1), as described above, reductive de-aryl methylation reaction with an acylating agent in the presence of WB 6 However, if the reaction is to be completed as in this case, many types of products are formed at the same time, and side reactions become remarkable. Therefore, the present inventors have studied to find a method for obtaining WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 6] industrially advantageously, with high selectivity, and with high yield. (12), (1
By carrying out each of the reactions (0) and (5) in that order, particularly good results were obtained.

以下に、(12)、(10)、(5)式の各反応につい
て、さらに詳しく説明する。
Hereinafter, each reaction of the formulas (12), (10), and (5) will be described in more detail.

I.反応(12): 先述の反応(12)に於いて、WAnB(6-n)を高収率で得
るためには、 1)脱アリールメチル化反応が途中で止まるように、反
応試薬の種類や量を調整する、 2)反応進行状況をガスクロマトグラフィーや液体クロ
マトグラフィーでモニターしていて、反応を適当な時点
で中断する、 3)またWB6の良溶媒であるが、WAnB(6-n)に対しては貧
溶媒であるような溶媒(例えば、エチルベンゼンやトル
エンのような芳香族化合物)を使用して、WB6の脱アリ
ールメチル化反応により形成されたWAnB(6-n)を反応液
から析出させてしまう方法、 などの各種の方法が採用可能である。
I. Reaction (12): In order to obtain WA n B (6-n) in a high yield in the above-mentioned reaction (12), 1) the reaction should be carried out so that the dearylmethylation reaction is stopped halfway. Adjust the type and amount of reagents. 2) Monitor the progress of the reaction by gas chromatography or liquid chromatography and stop the reaction at an appropriate time. 3) Also a good solvent for WB 6 , but WA WA n formed by the dearylmethylation reaction of WB 6 using a solvent that is a poor solvent for n B (6-n) (eg, an aromatic compound such as ethylbenzene or toluene) Various methods such as a method of precipitating B (6-n) from the reaction solution can be adopted.

上記の1)、2)、3)の方法の中では、3)の方法
が操作が容易であるので工業的に特に有用である。
Among the above methods 1), 2) and 3), the method 3) is particularly useful industrially because the operation is easy.

(12)の反応において、副反応を抑制してWAnB(6-n)
の選択率を高くするためには、アシル化剤としてN−ア
セトキシコハク酸イミドのようなN−ヒドロキシコハク
酸イミドのカルボン酸エステル、さらに、このようなN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルと無
水酢酸などのカルボン酸無水物との混合物を採用するこ
とが収率も選択率も向上させるために有効である。この
ような、N−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エ
ステルによるWAnB(6-n)の選択性が向上する効果の理由
は明らかではないが、該カルボン酸エステルとカルボン
酸無水物のような他のアシル化剤との反応性や立体的規
制による基質選択性などの差によるものと考えられる。
In the reaction of (12), side reactions are suppressed to reduce WA n B (6-n)
In order to increase the selectivity of N, a carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide such as N-acetoxysuccinimide is further used as an acylating agent.
It is effective to employ a mixture of a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide and a carboxylic anhydride such as acetic anhydride in order to improve the yield and the selectivity. The reason for the effect of improving the selectivity of WA n B (6-n) by the carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide is not clear, but such carboxylic acid ester and carboxylic acid anhydride as those of carboxylic acid anhydride are not clear. This is probably due to differences in reactivity with other acylating agents and substrate selectivity due to steric restrictions.

以上のようなN−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボ
ン酸エステルによるWAnB(6-n)の顕著な選択性の向上の
効果は、本発明者らにより初めて見い出されたものであ
り、WAnB(6-n)を経済的に有利に合成するために極めて
重要である。
The effect of improving the remarkable selectivity of more than WA n B such by N- hydroxy carboxylic acid ester of the succinic acid imide as (6-n) are those for the first time been found by the present inventors, WA n B It is extremely important to economically synthesize (6-n) .

II.反応(10): 反応(12)で得られたWAnB(6-n)をさらにアシル化剤
存在下で還元的脱アリールメチル化してWA6を合成しよ
うとした場合、N−アシル基結合の還元によるN−アル
キル基結合の形成などの副反応が起るので、高選択率で
WA6を形成させることは困難である。
II. Reaction (10): When WA 6 is synthesized by reductive dearylmethylation of WA n B (6-n) obtained in reaction (12) in the presence of an acylating agent, N-acyl Since side reactions such as formation of N-alkyl group bond by reduction of group bond occur, high selectivity
It is difficult to form a WA 6.

それに対して、(10)の反応のようなWAnB(6-n)のア
シル化剤不存在下での還元的脱アリールメチル化反応に
おいては、N−アルキル体の形成などの副反応が抑制さ
れ、高選択率で反応が進行することが本発明者らにより
見い出された。この反応溶液からは、簡単な単利操作で
高純度のWAnB(6-n)が高収率で得られるので、この反応
方法は、WAnH(6-n)の合成法としては極めて有用であ
る。
On the other hand, in the reductive dearylmethylation reaction of WA n B (6-n) in the absence of an acylating agent as in the reaction (10), side reactions such as formation of an N-alkyl compound may occur. The present inventors have found that the reaction is suppressed and the reaction proceeds at a high selectivity. From this reaction solution, high-purity WA n B (6-n) can be obtained in a high yield by a simple simple operation, so this reaction method is extremely useful as a method for synthesizing WA n H (6-n). Useful.

先述のように、WB6のアシル化剤不存在下での還元的
脱アリールメチル化反応においては、生成するWHnB
(6-n)〔n:1〜6の整数〕が反応系中で不安定なためか、
高収率で単離することは困難である。それに対して、上
記のように、WAnH(6-n)〔nは4〜5の整数〕は安定な
化合物であり高収率で合成することが出来る。
As described above, in the reductive dearylmethylation reaction of WB 6 in the absence of an acylating agent, the resulting WH n B
(6-n) [n: an integer of 1 to 6] is unstable in the reaction system,
It is difficult to isolate in high yield. On the other hand, as described above, WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 5] is a stable compound and can be synthesized in high yield.

このようなWAnB(6-n)[nは1〜6の整数]とWAnH
(6-n)[nは4〜5の整数]の特性に差が生ずる理由は
明らかではないが、アシル基Aとアリールメチル基Bの
それぞれの特性がそれぞれの化合物中のヘキサアザイソ
ウルチタン骨格の安定性に影響を及ぼしているからと考
えられる。
WA n B (6-n) [n is an integer of 1 to 6] and WA n H
(6-n) It is not clear why there is a difference in the properties of [n is an integer of 4 to 5], but the properties of the acyl group A and the arylmethyl group B are different from those of the hexaazaisowurtzitanium in each compound. It is considered that this affects the stability of the skeleton.

上記のようなWAnB(6-n)〔nは1〜6の整数〕とWAnH
(6-n)〔nは4〜5の整数〕の特性上の差は本発明者ら
により初めて確認されたものである。またWAnH
(6-n)〔n:4〜5の整数〕で表わされるヘキサアザイソウ
ルチタン化合物は、公知文献に未記載の化合物であり、
本発明により初めて合成された。
WA n B (6-n) [n is an integer of 1 to 6] and WA n H
The difference in characteristics of (6-n) [n is an integer of 4 to 5] has been confirmed for the first time by the present inventors. Also WA n H
(6-n) [n: an integer of 4 to 5] represented by the hexaazaisowurtzitane compound is a compound not described in known literature,
First synthesized according to the present invention.

III.反応(5): WAnH(6-n)〔nは4〜5の整数〕は、そのままでも、
先に<技術分野>で説明したように、ポリニトロ化ヘキ
サアザイソウルチタン誘導体の前駆体や高極性ポリマー
原料などの各種機能材料として有用であるが、必要に応
じて(5)式の方法で容易にWA6に変換できる。
III. Reaction (5): WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 5]
As described above in <Technical Field>, it is useful as a functional material such as a precursor of a polynitrated hexaazaisowurtzitanium derivative or a raw material of a high-polarity polymer. It can be easily converted to WA 6.

WA6も本発明により初めて合成された公知文献に未記
載の化合物であり、前記のWAnH(6-n)と同様に各種機能
材料として有用である。
WA 6 is also a compound synthesized for the first time according to the present invention and not described in known literature, and is useful as various functional materials like WA n H (6-n) described above.

本発明の一般式(1)で表わされるアシル基を有する
ヘキサアザイソウルチタン誘導体WAnH(6-n)〔nは4〜
6の整数〕を出発物質とし、ニトロ化反応と組み合わせ
ることにより、ポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタン
誘導体を得ることができる。
Hexaazaisowurtzitane derivative WA n H (6-n) having an acyl group represented by the general formula (1) of the present invention [n is 4 to
[Integer of 6] is used as a starting material, and a polynitrated hexaazaisowurtzitane derivative can be obtained by combining it with a nitration reaction.

以下に、本発明のWAnH(6-n)〔nは4〜6の整数〕の
N−H基、N−A基をニトロ化し、N−NO2基に転換す
る例を示す。
Hereinafter, an example of nitrating the NH group and the NA group of WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 6] of the present invention and converting it into an N-NO 2 group will be described.

本発明のWAnH(6-n)〔Nは4〜5の整数〕中のN−H
基は、各種のニトロ化方法によりN−NO2基に変換でき
るが、好ましくは、下式(18)で表わされるように二段
階の方法で行うと収率が向上するためよい。
N - H in WA n H (6-n) [N is an integer of 4 to 5] of the present invention
The group can be converted into an N-NO 2 group by various nitration methods, but preferably is performed in a two-stage method as represented by the following formula (18) because the yield is improved because the yield is improved.

すなわち、反応(18)に示されるように、まずWAnH
(6-n)のN−H基をニトロソ化しN−NO基に変換させた
後、そのN−NO基をN−NO2基にニトロ化することによ
り、高収率でWAn(NO2(6-n)が得られる。
That is, as shown in reaction (18), first, WA n H
(6-n) after the N-H group is converted to N-NO groups to nitrosation, by nitrating the N-NO groups to N-NO 2 group, in high yield WA n (NO 2 ) (6-n) is obtained.

〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Hは水素原子、(NO)はニトロソ基、(NO2)はニ
トロ基、Wは6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
わす。〕 このWAn(NO)(6-n)は、ここでは式(IX)といい、ま
た、WAn(NO2(6-n)は、ここでは式(X)という。
Wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, (NO) is a nitroso group, (NO 2 ) is a nitro group, and W is a hexavalent hexaa Represents the Xysoulitanium residue. This WA n (NO) (6-n) is here referred to as equation (IX), and WA n (NO 2 ) (6-n) is here referred to as equation (X).

(18)の反応のニトロソ化の工程に使用されるニトロ
ソ化剤としては、WAnH(6-n)をニトロソ化し、WAn(NO)
(6-n)を生成するものであればどのようなものを用いて
もよいが、通常は、亜硝酸ナトリウムと酸の混合物、四
酸化二窒素、塩化ニトロシルなどが用いられる。
As the nitrosating agent used in the nitrosation step of the reaction (18), WA n H (6-n) is nitrosated, and WA n (NO)
Any substance that produces (6-n) may be used, but usually a mixture of sodium nitrite and an acid, nitrous oxide, nitrosyl chloride and the like are used.

反応温度は通常−50〜200℃、好ましくは−30〜100
℃、さらに好ましくは−20〜50℃の範囲である。
The reaction temperature is usually -50 to 200C, preferably -30 to 100.
° C, more preferably in the range of -20 to 50 ° C.

(18)の反応のニトロ化の工程に用いられる酸化剤
は、ニトロソ基を酸化し、ニトロ基を生成するものであ
れば、どのようなものでもよい。通常、硝酸、過酸化水
素などが用いられる。これらの酸化剤の内、好ましく
は、硝酸が用いられる。これらの酸化剤は、単独または
二種以上混合して用いてもよい。
The oxidizing agent used in the nitration step of the reaction (18) may be any oxidizing agent that oxidizes a nitroso group to generate a nitro group. Usually, nitric acid, hydrogen peroxide and the like are used. Of these oxidants, nitric acid is preferably used. These oxidizing agents may be used alone or in combination of two or more.

反応温度は、通常−50℃〜200℃、好ましくは−30℃
〜150℃、さらに好ましくは−20℃〜60℃の範囲であ
る。
The reaction temperature is usually -50 ° C to 200 ° C, preferably -30 ° C.
To 150 ° C, more preferably -20 ° C to 60 ° C.

本発明のWAnH(6-n)〔nは4〜6の整数〕中のN−A
基も、容易にN−NO2基に変換できる。その例として、
例えば、WA6は各種のニトロ化剤によるニトロ化によ
り、WA4(NO2のようなポリニトロ化ヘキサアザイソ
ウルチタン誘導体へ変換できる。
NA in WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 6] of the present invention
Group, can be readily converted into N-NO 2 group. As an example,
For example, WA 6 can be converted to a polynitrated hexaazaisowurtzitane derivative such as WA 4 (NO 2 ) 2 by nitration with various nitrating agents.

またさらに反応式(19)で表わされるようにWAnE
(6-n)で表わされる各種ヘキサアザイソウルチタン誘導
体をニトロ化し、ヘキサニトロヘキサアザイソウルチタ
ン[W(NO2]を得ることもできる。
Further, as shown in reaction equation (19), WA n E
Various hexaazaisowyritanium titanium derivatives represented by (6-n) can be nitrated to obtain hexanitrohexaazaisowurtzitanium [W (NO 2 ) 6 ].

[式中、nは4〜6の整数、Aは炭素数1〜10ののアシ
ル基、Eはニトロソ基またはニトロ基、Wは6価のヘキ
サアザイソウルチタン残基を表す。] このW(NO2は、ここでは式(XI)という。
[In the formula, n represents an integer of 4 to 6, A represents an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, E represents a nitroso group or a nitro group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtitanium residue. This W (NO 2 ) 6 is referred to herein as formula (XI).

WAnE(6-n)中のN−A基をN−NO2基に変換するニトロ
化剤としては、N−A基をN−NO2基に変換可能なもの
であれば良い。その例としては、例えば硝酸を含有する
各種のニトロ化剤が挙げられ、より具体的には、例え
ば、硝酸/硫酸系や硝酸/トリフルオロ酢酸系のような
強プロトン酸含有ニトロ化剤が挙げられる。
The WA n E (6-n) N-A group in the nitrating agent to be converted to N-NO 2 group, as long as it can convert the N-A group to N-NO 2 group. Examples thereof include various nitrating agents containing nitric acid, and more specifically, nitrating agents containing a strong protonic acid such as a nitric acid / sulfuric acid system or a nitric acid / trifluoroacetic acid system. Can be

反応温度は、通常、−50〜120℃、好ましくは、−20
〜60℃である。
The reaction temperature is usually -50 to 120 ° C, preferably -20.
~ 60 ° C.

反応時間は、通常、0.1〜500時間、好ましくは、1〜
200時間である。
The reaction time is generally 0.1 to 500 hours, preferably 1 to 500 hours.
200 hours.

以上のようにW骨格中のN−H基及びN−A基は容易
にニトロ基に変換される官能基であるので、本発明のWA
nH(6-n)〔Nは4〜6の整数〕を中間体として各種のポ
リニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導体が高収率で
製造できる。
As described above, the NH and NA groups in the W skeleton are functional groups that can be easily converted to nitro groups.
n H (6-n) [N is an integer of 4-6] Various polynitro hexa- A wood Seoul titanium derivative as an intermediate can be produced in high yield.

これらのポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘導
体は、火薬製品の機械的特性、爆轟速度、爆轟圧力、燃
焼速度、圧力指数、感度、耐熱性等の火薬性能を調節す
る添加剤あるいは高性能火薬として有用である。
These polynitrated hexaaza soul soul titanium derivatives are additives or high-performance explosives that control explosive performance such as mechanical properties, detonation speed, detonation pressure, burning rate, pressure index, sensitivity, heat resistance, etc. of explosive products. Useful as

その有用性の一例を以下に示す。 An example of its usefulness is shown below.

例えば、WA4(NO2は、 1)HNWやシクロテトラメチレンテトラニトラミン(以
下「HMX」と言う)およびシクロトリメチレントリニト
ラミン(以下「RDX」と言う)といった多ニトラミン基
含有環状構造をとる高性能火薬と同様の構造を有し、耐
熱性ではHNW、HMXやRDXより優れている。〔火薬製品に
添加しても製品の耐熱性を著しく低下させることは無
い。〕 2)HNW、HMX、RDXといったニトラミン化合物とは異な
り、骨格中にN−ニトロ基以外にN−A基を有する為
か、ポリウレタンなどのバインダー成分との親和性が良
い。
For example, WA 4 (NO 2 ) 2 is: 1) a polynitramine group-containing cyclic group such as HNW, cyclotetramethylenetetranitramine (hereinafter “HMX”) and cyclotrimethylenetrinitramine (hereinafter “RDX”). It has the same structure as a high-performance explosive that takes a structure, and is superior to HNW, HMX and RDX in heat resistance. [When added to explosive products, the heat resistance of the product is not significantly reduced. 2) Unlike nitramine compounds such as HNW, HMX, and RDX, they have good affinity with binder components such as polyurethane because they have NA groups in addition to N-nitro groups in the skeleton.

といった性質を有する。It has such a property.

これらの性質を活かし、このWA4(NO2を、ニトラ
ミン化合物(HNW,HMX,RDXなど)とポリウレタンなどの
バインダーからなる火薬類に添加し、固体成分(ニトラ
ミン化合物)とバインダーとの接着性を向上させること
ができる。
Taking advantage of these properties, this WA 4 (NO 2 ) 2 is added to explosives composed of nitramine compounds (HNW, HMX, RDX, etc.) and binders such as polyurethane, to bond solid components (nitramine compounds) and binders. Performance can be improved.

このWA4(NO2は、ニトロ化により容易にHNWに誘
導出来るのでHNWの原料としても有用である。またHNW
は、高密度で高エネルギーを有しているので高性能爆薬
や無煙推進薬の酸化剤として極めて有用である。
This WA 4 (NO 2 ) 2 can be easily derived into HNW by nitration, and is therefore useful as a raw material for HNW. Also HNW
Is highly useful as an oxidizing agent for high-performance explosives and smokeless propellants because of its high density and high energy.

本発明のテトラアシルヘキサアザイソウルチタンWA4H
2をジカルボン酸ハライド、ジカルボン酸ジエステルな
どのジカルボン酸誘導体と反応させることにより、ヘキ
サアザイソウルチタン骨格を主鎖に有する高極性ポリマ
ーが得られる。
Tetra acyl hexa A wood Seoul titanium WA 4 H of the present invention
By reacting 2 with a dicarboxylic acid derivative such as dicarboxylic acid halide or dicarboxylic acid diester, a highly polar polymer having a hexaazaisowurtzitane skeleton in the main chain can be obtained.

本発明のアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン
誘導体WAnH(6-n)〔nは4〜6の整数〕を合成する際の
アシル化剤として特定の官能基を有するアシル化剤を用
いることにより、架橋性のポリアシルヘキサアザイソウ
ルチタンが得られる。
The acylating agent having a specific functional group is used as an acylating agent when synthesizing the acyl - containing hexaazaisowurtzitane derivative WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 6] of the present invention. Thereby, a crosslinkable polyacylhexaazaisowurtzitane can be obtained.

また本発明のWAnH(6-n)〔nは4〜6の整数〕は、そ
のままポリマーの改質剤などの添加剤としても使用でき
る。
WA n H (6-n) [n is an integer of 4 to 6] of the present invention can be used as it is as an additive such as a polymer modifier.

<図面の簡単な説明> 図1は、本発明の生成物の製造工程を表す系統図であ
る。この系統図から判るように、本発明のアシル基を有
するヘキサアザイソウルチタン誘導体WAtQ(6-t)(Wは
6価のヘキサアザイソウルチタン残基、Qは各々独立し
て水素原子及び/又は炭素数1〜10のアルキル基、tは
4〜6の整数)は、WB6(Wは上記の基、Bは炭素数7
〜21のアリールメチル基)から直接、もしくはアシル基
およびアリールメチル基を有するヘキサアザイソウルチ
タン誘導体WAnB(6-n)(W、Bは上記のとおり、nは4
〜5の整数)、又はWApB(6-p)(W、Bは上記のとお
り、pは1〜5の整数)を介して製造される。
<Brief Description of the Drawings> FIG. 1 is a system diagram showing a production process of a product of the present invention. As can be seen from the system diagram, hexamethylene A wood Seoul titanium derivative WA t Q (6-t) (W is a hexavalent hexa A wood Seoul titanium residue having an acyl group of the present invention, Q is each independently hydrogen Atom and / or alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, t is an integer of 4 to 6) is WB 6 (W is the above group, B is 7 carbon atoms)
~ 21 arylmethyl group) directly, or a hexaazaisowurtzitane derivative WA n B (6-n) having an acyl group and an arylmethyl group (W and B are as described above, and n is 4)
5 integer), or WA p B (6-p) (W, B are as above, p is is produced via an integer of 1 to 5).

このアシル基を有するヘキサアザイソウルチタン誘導
体WAtQ(6-t)(W、A、Qおよびtは上記のとおり)
は、直接、もしくはニトロソ基を有するWAn(NO)(6-n)
(W、Aは上記のとおり、nは4〜5の整数)及び/又
はニトロ基を有するWAn(NO2(6-n)(W、Aは上記の
とおり、nは4〜5の整数)を介して、容易に、かつ高
収率でW(NO2(Wは上記のとおり)に変換でき
る。
Hexaazaisowurtzitane derivative WA t Q (6-t) having this acyl group (W, A, Q and t are as described above)
Is WA n (NO) (6-n) directly or having a nitroso group
(W and A are as described above, n is an integer of 4 to 5) and / or a nitro group-containing WA n (NO 2 ) (6-n) (W and A are as described above and n is 4 to 5) Via an integer) and can be converted easily and in high yield to W (NO 2 ) 6 (W is as defined above).

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
The present invention is not limited in any way by these examples.

各測定は下記によって行われた。 Each measurement was performed as follows.

(1)1H−NMR 日本電子(株)製の機器JNM−FX−200を使用した。(1) 1 H-NMR JNM-FX-200 manufactured by JEOL Ltd. was used.

(2)13C−NMR 日本電子(株)製の機器JNM−GX−400を使用した。(2) 13 C-NMR JNM-GX-400 manufactured by JEOL Ltd. was used.

(3)13C−1H COSY(13C−1Hシフト相関NMR) 日本電子(株)製の機器JNM−GX−400を使用した。13
Cと1Hの相互作用を測定する方法である。この測定によ
13Cか1Hのどちらかの帰属ができている場合、その13C
または1Hの結合している1Hまたは13Cのケミカルシフト
が判る。
(3) 13 C- 1 H COSY ( 13 C- 1 H shift correlation NMR) JNM-GX-400 manufactured by JEOL Ltd. was used. 13
A method for measuring the interaction of the C and 1 H. If either 13 C or 1 H can be assigned by this measurement, the 13 C
Alternatively, the chemical shift of 1 H or 13 C to which 1 H is bound is found.

(4)EI(Electron Impact)−マススペクトル ヒューレット・パッカード社製の機種HP5790Bを使用
した。
(4) EI (Electron Impact)-Mass Spectrum Model HP5790B manufactured by Hewlett-Packard Company was used.

(5)GC(Gas Chromatography)−マススペクトル 1)ヒューレット・パッカード社製の機種HP5890Aを
使用した。
(5) GC (Gas Chromatography)-Mass Spectrum 1) A model HP5890A manufactured by Hewlett-Packard Company was used.

2)カラム:金属capillary column 0.25mm i.d.
×15m Ultra ALLOY(HT)、Filmthickness 1.15μm 3)温 度:カラム;100℃〜340℃(20min)、<20℃
/min昇温>注入口;340℃、GC/MS接続部;340℃ 4)キャリアガス:He Total Flow;100ml/min、Colu
mnpressure;100kPa (6)FD(Field Desorption)−マススペクトル 日本電子(株)製の機種 JEOL HX−110を使用し、
試料数μgを約10μlのメタノールに溶解し、このうち
数μlをエミッター上に塗布して測定を行った。
2) Column: metal capillary column 0.25mm id
× 15m Ultra ALLOY (HT), Filmthickness 1.15μm 3) Temperature: column; 100 ° C to 340 ° C (20 min), <20 ° C
/ min temperature rise> Injection port; 340 ° C, GC / MS connection part; 340 ° C 4) Carrier gas: He Total Flow; 100ml / min, Colu
mnpressure; 100kPa (6) FD (Field Desorption)-Mass spectrum Using JEOL HX-110 model manufactured by JEOL Ltd.
A few μg of a sample was dissolved in about 10 μl of methanol, and several μl of the solution was applied on an emitter for measurement.

(7)赤外吸収スペクトル 日本分光(株)製の機器FT/IR−5Mを使用し、KBr法で
測定した。
(7) Infrared absorption spectrum Measured by the KBr method using an instrument FT / IR-5M manufactured by JASCO Corporation.

(8)示差走査熱量測定装置(DSC) セイコー電子工業(株)製の機器DSC−220Cを使用し
た。
(8) Differential Scanning Calorimeter (DSC) An instrument DSC-220C manufactured by Seiko Electronic Industry Co., Ltd. was used.

(9)高速液体クロマトグラフィー 次の装置および条件で測定した。(9) High Performance Liquid Chromatography The measurement was performed using the following apparatus and conditions.

1)装置:WATERS社製の610 アイソクラティックシス
テム 600 コントローラー 600E ポンプ 486 Tunable Absorbance Detector 2)カラム:WATERS社製のマイクロボンダスフェアー 粒子径 5ミクロン 充填剤 C18 ポアーサイズ 100オングストローム カラムサイズ 3.9mm×15cm 3)移動相液体:アセトニトリル/水(60/40) 4)流量 :0.5ml/min 5)カラム温度:40℃ 実施例1〔WA6をWA4H2のアセチル化により得る方法〕 テトラアセチルヘキサアザイソウルチタン1.0g(2.98
mmol)を無水酢酸100mlに溶かし、塩化アセチル5g(63.
7mmol)を加え、1時間撹拌した。その後、溶媒を減圧
留去した後、残留物を酢酸エチルに溶解した。該溶液に
ヘキサンを添加して沈殿を析出させ、白色固体のヘキサ
アセチルヘキサアザイソウルチタン1.16g(収率93%)
を得た。
1) Equipment: WATERS 610 Isocratic System 600 Controller 600E Pump 486 Tunable Absorbance Detector 2) Column: WATERS Micro Bonder Sphere Particle Size 5 microns Filler C18 Pore Size 100 Angstrom Column Size 3.9mm x 15cm 3) Mobile phase liquid: acetonitrile / water (60/40) 4) Flow rate: 0.5 ml / min 5) Column temperature: 40 ° C. Example 1 [Method for obtaining WA 6 by acetylation of WA 4 H 2 ] Tetraacetylhexaazai Seoul Titanium 1.0g (2.98
mmol) in 100 ml of acetic anhydride and 5 g of acetyl chloride (63.
7 mmol) and stirred for 1 hour. Thereafter, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was dissolved in ethyl acetate. Hexane was added to the solution to precipitate a precipitate, and 1.16 g of hexaacetylhexaazaisowurtzitanium as a white solid (93% yield)
I got

このヘキサアセチルヘキサアザイソウルチタンを昇華
精製用器具に入れ、270℃のオイルバスに浸け、10mmHg
の減圧度で昇華できることを確認した。
Put this hexaacetylhexaazaisosoultitanium into a sublimation purification tool, immerse it in an oil bath at 270 ° C,
It was confirmed that sublimation could be achieved at a reduced pressure.

ヘキサアセチルヘキサアザイソウルチタンの分析結果
を以下に示す。1 H−NMR(溶媒CDCl3、テトラメチルシラン(以下「TM
S」と言う)標準、測定温度60度)、δ(ppm) 2.05(s,6H,COCH3),2.14(s,6H,COCH3),2.41(s,6
H,COCH3),6.42(s,2H,CH),6.48(d,2H,CH),6.94(d,
2H,CH)。
The analysis results of hexaacetylhexaazaisowurtzitane are shown below. 1 H-NMR (solvent CDCl 3 , tetramethylsilane (hereinafter “TM
S ”) standard, measurement temperature 60 degrees), δ (ppm) 2.05 (s, 6H, COCH 3 ), 2.14 (s, 6H, COCH 3 ), 2.41 (s, 6)
H, COCH 3 ), 6.42 (s, 2H, CH), 6.48 (d, 2H, CH), 6.94 (d,
2H, CH).

1H−NMRスペクトルにより、6個のアセチル基と6個
のW骨格上の水素が確認された。13 C−NMR(溶媒CDCl3、TMS標準)、δ(ppm) 20.74(CH3),21.55(CH3),61.09(CH),66.55(C
H),72.17(CH),167.60(C=O),168,31 (C=
O),168.79(C=O)。
The 1 H-NMR spectrum confirmed six acetyl groups and six hydrogen atoms on the W skeleton. 13 C-NMR (solvent CDCl 3 , TMS standard), δ (ppm) 20.74 (CH 3 ), 21.55 (CH 3 ), 61.09 (CH), 66.55 (C
H), 72.17 (CH), 167.60 (C = O), 168, 31 (C =
O), 168.79 (C = O).

13C−NMRにより、アセチル基のメチル基炭素とカルボ
ニル炭素、およびW骨格炭素が確認された。
By 13 C-NMR, the methyl group carbon and the carbonyl carbon of the acetyl group, and the W skeleton carbon were confirmed.

13C−1H COSYにより、1Hの結合している13Cを帰属し
た。
The 13 C- 1 H COSY, were assigned to 13 C bound of 1 H.

EI−マススペクトル〔mは親分子の分子量を示す。〕 420(5%,m/z),377(5%,[m−COCH3]/z),335
(10%),295(15%),208(12%),165(10%),123
(12%),43(100%,COCH3)。
EI-mass spectrum [m indicates the molecular weight of the parent molecule. ] 420 (5%, m / z ), 377 (5%, [m-COCH 3] / z), 335
(10%), 295 (15%), 208 (12%), 165 (10%), 123
(12%), 43 (100%, COCH 3 ).

EI−マススペクトルよりヘキサアセチルヘキサアザイ
ソウルチタンの親イオンピーク〔420〕および親分子よ
り一つのアセチル基が外れた分子のイオンピーク〔37
7〕、およびアセチル基のイオンピーク〔43〕を確認し
た。
From the EI-mass spectrum, the parent ion peak of hexaacetylhexaazaisowurtzitane [420] and the ion peak of a molecule in which one acetyl group is removed from the parent molecule [37]
7] and an acetyl group ion peak [43].

赤外吸収スペクトル(IR)をKBr法で測定した結果、1
660cm-1付近にアセチル基のカルボニル基(C=O)の
伸縮振動の吸収が確認された。
As a result of measuring the infrared absorption spectrum (IR) by the KBr method, 1
At around 660 cm −1 , absorption of stretching vibration of the carbonyl group of the acetyl group (C = O) was confirmed.

実施例2〔WA6をWA4B2より合成する方法〕 テトラアセチルジベンジルヘキサアザイソウルチタン
3.67g(7.11mmol),Pd(OAc)2 1.6g(7.11mmol),酢
酸150ml,および回転子を300mlマイクロボンベに入れ、
窒素置換した。その後、マイクロボンベに水素を5kgf/c
m2−G迄圧入し、スターラーで15時間撹拌した。マイク
ロボンベより反応溶液を取り出し、触媒を濾過し、溶媒
を減圧留去した後の残固体の酢酸エチル100mlで洗い取
り出した。この白色固体を無水酢酸200mlに溶かし、そ
の上に塩化アセチル5g(63.7mmol)を加え、1時間撹拌
した。その後、溶媒を減圧留去し、トルエンで再結晶
し、白色固体のヘキサアセチルヘキサアザイソウルチタ
ン2.09g(収率70%)を得た。
Example 2 [Method for synthesizing WA 6 from WA 4 B 2 ] Tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane
3.67 g (7.11 mmol), Pd (OAc) 2 1.6 g (7.11 mmol), 150 ml of acetic acid, and a rotor were placed in a 300 ml microbomb,
It was replaced with nitrogen. After that, 5kgf / c of hydrogen was added to the micro cylinder.
The pressure was increased to m 2 -G, and the mixture was stirred with a stirrer for 15 hours. The reaction solution was taken out from the micro-bomb, the catalyst was filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was washed with 100 ml of residual solid ethyl acetate and taken out. This white solid was dissolved in 200 ml of acetic anhydride, and 5 g (63.7 mmol) of acetyl chloride was added thereto, followed by stirring for 1 hour. Thereafter, the solvent was distilled off under reduced pressure and recrystallized from toluene to obtain 2.09 g (yield 70%) of hexaacetylhexaazaisowurtzitane as a white solid.

実施例3〔WA6をWA4B2より合成する際に、還元的脱アリ
ールメチル工程での生成物を溶液から取り出さずに、そ
のままアセチル化工程を行う方法〕 実施例2と同様の操作を行ない、テトラアセチルジベ
ンジルヘキサアザイソウルチタンを還元的脱フェニルメ
チルして得られた、還元用触媒および溶媒を含む反応溶
液に、塩化アセチル5g(63.7mmol)を加え、3時間撹拌
し、触媒を濾過し、溶媒を減圧留去した後の残固体をト
ルエンで再結晶し、白色固体のヘキサアセチルヘキサア
ザイソウルチタン1.92g(収率64%)を得た。
Example 3 [A method of performing the acetylation step without removing the product in the reductive dearylmethyl step from the solution when synthesizing WA 6 from WA 4 B 2 ] The same operation as in Example 2 was performed. 5 g (63.7 mmol) of acetyl chloride was added to the reaction solution containing the reducing catalyst and the solvent obtained by reductive dephenylmethylation of tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitanium, and the mixture was stirred for 3 hours. After filtration, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the remaining solid was recrystallized from toluene to obtain 1.92 g (64% yield) of hexaacetylhexaazaisowurtzitane as a white solid.

実施例4〔WA6をWB6より合成する方法〕 ヘキサベンジルヘキサアザイソウルチタン1.89g(2.6
6mmol)、10%Pd−C 1.70g(1.60mg原子)、N−アセ
トキシコハク酸イミド5.0g(31.8mmol)、エチルベンゼ
ン160ml、無水酢酸3.24g(31.8mmol)、および回転子を
内容量300mlのマイクロボンベに入れ、ボンベ内を水素
置換した。その後、ボンベ内に水素を10kgf/cm2−G迄
圧入し、60度のオイルバスにつけ、スターラーで40時間
撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後、ボンベ内よ
り反応溶液を取り出し、析出したWAnB(6-n)〔nは4ま
たは5〕と還元用触媒を濾過により取り出し、それと酢
酸50mlを300mlのマイクロボンベに入れ、水素を5kgf/cm
2−G迄圧入し、20時間撹拌した。反応終了後、反応溶
液に塩化アセチル5g(63.7mmol)を加え1時間撹拌し
た。その後、反応溶液より、溶媒を減圧留去し、クロロ
ホルム200mlを加え、WA6を主成分とする固体を溶かし、
触媒を濾過し、ろ液を減圧で溶媒留去し、残固体をトル
エンで再結晶し、白色固体のヘキサアセチルヘキサアザ
イソウルチタン0.50g(収率45%)を得た。
Example 4 [Method for synthesizing WA 6 from WB 6 ] 1.89 g of hexabenzylhexaazaisowurtzitane (2.6 g
6 mmol), 1.70 g (1.60 mg atom) of 10% Pd-C, 5.0 g (31.8 mmol) of N-acetoxysuccinimide, 160 ml of ethylbenzene, 3.24 g (31.8 mmol) of acetic anhydride, and a rotor having a content of 300 ml. It was placed in a cylinder and the inside of the cylinder was replaced with hydrogen. Thereafter, hydrogen was injected into the cylinder to 10 kgf / cm 2 -G, placed in a 60 ° oil bath, and stirred with a stirrer for 40 hours. After cooling the reaction solution to room temperature, the reaction solution was taken out of the bomb, and the precipitated WA n B (6-n) [n is 4 or 5] and the reducing catalyst were taken out by filtration. Put in a cylinder, hydrogen 5kgf / cm
The pressure was increased to 2- G, and the mixture was stirred for 20 hours. After completion of the reaction, 5 g (63.7 mmol) of acetyl chloride was added to the reaction solution, and the mixture was stirred for 1 hour. Thereafter, the solvent was distilled off from the reaction solution under reduced pressure, and 200 ml of chloroform was added to dissolve the solid containing WA 6 as a main component.
The catalyst was filtered, the filtrate was evaporated under reduced pressure, and the residual solid was recrystallized from toluene to obtain 0.50 g (yield: 45%) of hexaacetylhexaazaisowurtzitanium as a white solid.

実施例5〔WAnH(6-n)およびWA6をWB6より合成する方
法〕 ヘキサベンジルヘキサアザイソウルチタンのアセチル
化剤存在下での還元的脱ベンジル反応は、実施例4と同
様の方法で行ない、反応終了後、ボンベ内より反応溶液
を取り出し、析出した固形分と還元用触媒を濾過し、濾
紙上の固体をクロロホルム200mlで洗った。濾液(反応
溶液とクロロホルム洗浄液)を溶媒留去し、残固体をク
ロロホルム200mlに溶かし、それに28%アンモニア水200
mlを加え、激しく30分間撹拌することにより、N−アセ
トキシコハク酸イミドを分解して水相側へ除去した。ク
ロロホルム層を取り出し、溶媒を留去し得た白色固体を
酢酸50mlに溶かし、Pd(OAc)2 0.6g(2.66mmol)を加
え、100mlマイクロボンベに入れ、水素を5kgf/cm2−G
迄圧入し、20時間撹拌した。この時点でのヘキサアセチ
ルヘキサアザイソウルチタンの収率をガスクロマトグラ
フィーで分析したところ、0.3%であった。その後、塩
化アセチル5g(63.7mmol)を加え1時間撹拌した後、溶
媒を減圧留去し、残固体にクロロホルムを200ml加え、
触媒を濾過により除去し、濾液を溶媒留去後の残固体を
トルエンで再結晶し、ヘキサアセチルヘキサアザイソウ
ルチタン0.39g(収率35%)を得た。この結果は、塩化
アセチルを加える前の反応溶液中に、テトラアセチルヘ
キサアザイソウルチタン、ペンタアセチルヘキサアザイ
ソウルチタンといった2級アミンを有するヘキサアザイ
ソウルチタン化合物が生成していることを示している。
Example 5 [Method for synthesizing WA n H (6-n) and WA 6 from WB 6 ] The reductive debenzylation reaction of hexabenzylhexaazaisowurtzitane in the presence of an acetylating agent is the same as in Example 4. After the completion of the reaction, the reaction solution was taken out of the cylinder, the precipitated solid content and the reducing catalyst were filtered, and the solid on the filter paper was washed with 200 ml of chloroform. The filtrate (reaction solution and chloroform washing solution) was evaporated, and the remaining solid was dissolved in 200 ml of chloroform.
Then, N-acetoxysuccinimide was decomposed and removed to the aqueous phase side by adding vigorous stirring for 30 minutes. The chloroform layer was taken out, the solvent was distilled off, and the white solid obtained was dissolved in 50 ml of acetic acid, 0.6 g (2.66 mmol) of Pd (OAc) 2 was added, and the mixture was placed in a 100 ml microbomb and hydrogen was added at 5 kgf / cm 2 -G.
And the mixture was stirred for 20 hours. The yield of hexaacetylhexaazaisowurtzitanium at this point was analyzed by gas chromatography and found to be 0.3%. Thereafter, 5 g (63.7 mmol) of acetyl chloride was added, and the mixture was stirred for 1 hour. The solvent was distilled off under reduced pressure, and 200 ml of chloroform was added to the remaining solid.
The catalyst was removed by filtration, and the remaining solid after evaporating the solvent from the filtrate was recrystallized from toluene to obtain 0.39 g (yield 35%) of hexaacetylhexaazaisowurtzitane. This result indicates that hexaazaisowurtzitane compounds having secondary amines such as tetraacetylhexaazaisowurtzitane and pentaacetylhexaazaisowurtzitane were formed in the reaction solution before adding acetyl chloride. ing.

実施例6〔WA4Et2(Et:エチル基)をWA4B2より合成する
方法〕 テトラアセチルジベンジルヘキサアザイソウルチタン
0.50g(0.97mmol),10%Pd−C0.21g(0.19mg原子)、無
水酢酸2.37g(23.3mmol)、酢酸50ml、および回転子を
内容量100mlのマイクロボンベに入れ、水素置換した。
その後、水素を50kgf/cm2−G迄圧入し、スターラーで1
5時間撹拌した。反応終了後、マイクロボンベ内より反
応溶液を取り出し、触媒を濾過により除去し、濾液を溶
媒留去した後の残固体をクロロホルム/ヘキサン系によ
る再沈殿法で精製することにより、白色固体のジエチル
テトラアセチルヘキサアザイソウルチタンを得た。反応
条件及び収率を表1に示した。
Example 6 [Method of synthesizing WA 4 Et 2 (Et: ethyl group) from WA 4 B 2 ] Tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane
0.50 g (0.97 mmol), 0.21 g (0.19 mg atom) of 10% Pd—C, 2.37 g (23.3 mmol) of acetic anhydride, 50 ml of acetic acid, and a rotator were placed in a 100 ml microbomb and replaced with hydrogen.
Then, pressurize hydrogen to 50kgf / cm 2 -G and stir with a stirrer.
Stir for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was taken out of the micro-bomb, the catalyst was removed by filtration, and the filtrate was evaporated, and the residual solid was purified by a reprecipitation method using a chloroform / hexane system to obtain diethyl tetraethyl as a white solid. Acetyl hexaaza soul soul titanium was obtained. Table 1 shows the reaction conditions and the yield.

ジエチルテトラアセチルヘキサアザイソウルチタンの
分析結果を以下に示す。
The analysis results of diethyltetraacetylhexaazaisowurtzitane are shown below.

EI−マススペクトル 392(1%,m/z)、278(1%)、236(10%)、193
(25%)、138(30%)、109(45%)、97(20%)、81
(81%)、69(60%)、56(20%)、43(100%,COC
H3)、29(20%、CH2CH3)、28(52%)、15(20%、CH
3)。
EI-mass spectrum 392 (1%, m / z), 278 (1%), 236 (10%), 193
(25%), 138 (30%), 109 (45%), 97 (20%), 81
(81%), 69 (60%), 56 (20%), 43 (100%, COC
H 3), 29 (20% , CH 2 CH 3), 28 (52%), 15 (20%, CH
3 ).

EI−マススペクトルよりテトラアセチルジエチルヘキ
サアザイソウルチタンの親イオンピーク〔392〕、アセ
チル基のイオンピーク〔43〕、およびエチル基のイオン
ピーク〔29〕が確認された。1 H−NMRスペクトル(溶媒CDCl3、TMS標準)、δ(ppm) 1.25(t,6H,エチル基のCH3)2.14(s,12H,COCH3),2.
90(m,4H,エチル基のCH2),5.20(d,2H,CH),5.74(d,2
H,CH),6.40(s,2H,CH)。
From the EI-mass spectrum, a parent ion peak [392] of tetraacetyldiethylhexaazaisowurtzitanium, an acetyl group ion peak [43], and an ethyl group ion peak [29] were confirmed. 1 H-NMR spectrum (solvent CDCl 3 , TMS standard), δ (ppm) 1.25 (t, 6 H, CH 3 of ethyl group) 2.14 (s, 12 H, COCH 3 ), 2.
90 (m, 4H, CH 2 of ethyl group), 5.20 (d, 2H, CH), 5.74 (d, 2
H, CH), 6.40 (s, 2H, CH).

1H−NMRスペクトルよりエチル基、アセチル基、およ
びW骨格のメチン基が確認された。
From the 1 H-NMR spectrum, an ethyl group, an acetyl group, and a methine group of a W skeleton were confirmed.

実施例7〜12〔WA4B2をアシル化剤存在下で還元的脱ア
リールメチルすることによるWA6およびWA4R2の合成、お
よびそれらの生成比の反応条件による変化〕 アシル化剤の種類、量、溶媒、触媒種、触媒量、水素
圧力、反応時間を変えたことの他は、実施例6と同様の
方法で反応を行なった。反応条件および生成物の収率を
表1に示した。
Examples 7 to 12 [Synthesis of WA 6 and WA 4 R 2 by Reductive Dearylmethylation of WA 4 B 2 in the Presence of Acylating Agent, and Change of Their Formation Ratio by Reaction Conditions] The reaction was carried out in the same manner as in Example 6, except that the kind, amount, solvent, catalyst type, amount of catalyst, hydrogen pressure and reaction time were changed. The reaction conditions and product yields are shown in Table 1.

表1より、ヘキサアセチルヘキサアザイソウルチタン
およびジエチルテトラアセチルヘキサアザイソウルチタ
ンは、種々の触媒を用いて合成できることが判る。
Table 1 shows that hexaacetylhexaazaisowurtzitanium and diethyltetraacetylhexaazaisowurtzitanium can be synthesized using various catalysts.

実施例13〔WB6をアシル化剤存在下で還元的脱アリール
メチルすることによるWA4B2、WA5Bなどの種々のアセチ
ル基を有するヘキサアザイソウルチタン誘導体の合成〕 水素圧力を50kgf/cm2、反応温度を室温、反応時間を2
00時間とした他は、実施例4と同様の方法でヘキサベン
ジルヘキサアザイソウルチタンのアセチル化剤存在下で
の還元的脱ベンジル反応を行なった。
Example 13 [Synthesis of hexaazaisowurtzitane derivatives having various acetyl groups such as WA 4 B 2 and WA 5 B by reductive dearylmethylation of WB 6 in the presence of an acylating agent] The hydrogen pressure was set to 50 kgf. / cm 2 , reaction temperature is room temperature, reaction time is 2
A reductive debenzylation reaction of hexabenzylhexaazaisowurtzitane in the presence of an acetylating agent was performed in the same manner as in Example 4 except that the time was changed to 00 hours.

反応終了後、GC−マススペクトルによる反応生成物の
分析を行ない、生成物としてテトラアセチルジベンジル
ヘキサアザイソウルチタン、ペンタアセチルベンジルヘ
キサアザイソウルチタン、ヘキサアセチルヘキサアザイ
ソウルチタン、エチルペンタアセチルヘキサアザイソウ
ルチタン、ジエチルテラアセチルヘキサアザイソウルチ
タンの生成が確認された。それらの収率をガスクロマト
グラフィーで分析した結果、テトラアセチルジベンジル
ヘキサアザイソウルチタンが70%、ペンタアセチルベン
ジルヘキサアザイソウルチタンが6.2%.ヘキサアセチ
ルヘキサアザイソウルチタンが0.9%、エチルペンタア
セチルヘキサアザイソウルチタンが1.3%、ジエチルテ
トラアセチルヘキサアザイソウルチタンが1.1%の収率
で生成していることを確認した。これらの生成物のEI−
マススペクトルを以下に示す。
After completion of the reaction, the reaction product was analyzed by GC-mass spectrum, and as products, tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane, pentaacetylbenzylhexaazaisowurtzitane, hexaacetylhexaazaisowurtzitane, ethylpentaacetyl The formation of hexaazaisowurtzitane and diethyl teraacetylhexaazaisowurtzitane was confirmed. As a result of analyzing the yield by gas chromatography, tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane was 70%, and pentaacetylbenzylhexaazaisowurtzitane was 6.2%. It was confirmed that 0.9% of hexaacetylhexaazaisowurtzitanium, 1.3% of ethylpentaacetylhexaazaisowurtzitanium, and 1.1% of diethyltetraacetylhexaazaisowurtzitanium were produced. The EI- of these products
The mass spectrum is shown below.

ペンタアセチルベンジルヘキサアザイソウルチタンのEI
−マススペクトル 468(2%、m/z)、425(3%、[m−COCH3]/z)、
255(12%)、91(66%、CH2Ph)、43(100%、COC
H3)。
Pentaacetylbenzylhexaaza soul titanium EI
- mass spectrum 468 (2%, m / z ), 425 (3%, [m-COCH 3] / z),
255 (12%), 91 (66%, CH 2 Ph), 43 (100%, COC
H 3).

エチルペンタアセチルヘキサアザイソウルチタンのEI−
マススペクトル 406(1%、m/z)、363(1%、[m−COCH3]/z)、
278(2%)、236(5%)、193(10%)、109(12
%)、43(100%、COCH3)、29(15%、CH2CH3)、15
(8%、CH3)。
EI- of ethylpentaacetylhexaazaisosoultitanium
Mass spectrum 406 (1%, m / z ), 363 (1%, [m-COCH 3] / z),
278 (2%), 236 (5%), 193 (10%), 109 (12
%), 43 (100%, COCH 3 ), 29 (15%, CH 2 CH 3 ), 15
(8%, CH 3).

ジエチルテトラアセチルヘキサアザイソウルチタンのEI
−マススペクトル 392(1%、m/z)、278(1%)、236(10%)、193
(25%)、138(30%)、109(45%)、97(20%)、81
(81%)、69(60%)、56(20%)、43(100%、COC
H3)、29(20%、CH2CH3)、28(52%)、15(20%、CH
3)。
EI of diethyltetraacetylhexaazaisosoul titanium
Mass spectra 392 (1%, m / z), 278 (1%), 236 (10%), 193
(25%), 138 (30%), 109 (45%), 97 (20%), 81
(81%), 69 (60%), 56 (20%), 43 (100%, COC
H 3), 29 (20% , CH 2 CH 3), 28 (52%), 15 (20%, CH
3 ).

ヘキサアセチルヘキサアザイソウルチタンのEI−マスス
ペクトル 420(5%、m/z)、377(5%、[m−COCH3]/z)、
335(10%)、295(15%)、208(12%)、165(10
%)、123(12%)、43(100%、COCH3)。
EI- mass spectrum 420 of hexa acetyl hexamethylene A wood Seoul titanium (5%, m / z) , 377 (5%, [m-COCH 3] / z),
335 (10%), 295 (15%), 208 (12%), 165 (10
%), 123 (12%) , 43 (100%, COCH 3).

実施例14〔WB6のアシル化剤存在下での還元的脱アリー
ルメチル工程において、アシル化剤としてN−ヒドロキ
シコハク酸イミドのカルボン酸エステルを使用せず、カ
ルボン酸無水物のみを使用する場合の反応〕 N−アセトキシコハク酸イミドを用いず、無水酢酸を
32.4g使用したことの他は、実施例13と同様の方法で反
応を行なった。反応途中で、反応溶液をサンプリング
し、成分をFD−マススペクトルで分析した結果、ジアセ
チルテトラベンジルヘキサアザイソウルチタン(M+61
2)、トリアセチルトリベンジルヘキサアザイソウルチ
タン(M+564)が中間体として生成していることが判っ
た。またアセチル基の還元された生成物として、エチル
ジアセチルトリベンジルヘキサアザイソウルチタン(M+
550)、エチルトリアセチルジベンジルヘキサアザイソ
ウルチタン(M+502)、ジエチルジアセチルジベンジル
ヘキサアザイソウルチタン(M+488)の生成が確認され
た。
Example 14 (In the case of using only a carboxylic anhydride without using a carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide as an acylating agent in the reductive dearylmethyl step in the presence of an acylating agent of WB 6 Reaction of acetic anhydride without using N-acetoxysuccinimide
The reaction was carried out in the same manner as in Example 13 except that 32.4 g was used. During the reaction, the reaction solution was sampled, and the components were analyzed by FD-mass spectrum. As a result, diacetyltetrabenzylhexaazaisowurtzitanium (M + 61
2), it was found that triacetyltribenzylhexaazaisowurtzitane (M + 564) was produced as an intermediate. Ethyl diacetyltribenzylhexaazaisowurtzitane (M +
550), ethyltriacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane (M + 502), and diethyldiacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane (M + 488).

反応終了後の生成物のガスクロマトグラフィーにより
求めた収率は、トリアセチルトリベンジルヘキサアザイ
ソウルチタン13%、エチルジアセチルトリベンジルヘキ
サアザイソウルチタン3.1%、テトラアセチルジベンジ
ルヘキサアザイソウルチタン7.5%、エチルトリアセチ
ルジベンジルヘキサアザイソウルチタン32%、ジエチル
ジアセチルジベンジルヘキサアザイソウルチタン30%、
ペンタアセチルベンジルヘキサアザイソウルチタン1.6
%、エチルテトラアセチルベンジルヘキサアザイソウル
チタン1.1%、ジエチルトリアセチルベンジルヘキサア
ザイソウルチタン6.2%、ヘキサアセチルヘキサアザイ
ソウルチタン0.5%、エチルペンタアセチルヘキサアザ
イソウルチタン1.2%、ジエチルテトラアセチルヘキサ
アザイソウルチタン1.1%であった。
The yield of the product after the reaction was determined by gas chromatography, which was 13% for triacetyltribenzylhexaazaisowurtzitane, 3.1% for ethyldiacetyltribenzylhexaazaisowurtzitanium, and 3.1% for tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitanium. 7.5%, Ethyl triacetyl dibenzyl hexa aza soul soul titanium 32%, Diethyl diacetyl dibenzyl hexa aza soul soul titanium 30%,
Pentaacetylbenzylhexaaza soul titanium 1.6
%, Ethyltetraacetylbenzylhexaazaisowurtzitane 1.1%, Diethyltriacetylbenzylhexaazaisowurtzitane 6.2%, Hexaacetylhexaazaisowyltitanium 0.5%, Ethylpentaacetylhexaazaisowurtzitane 1.2%, Diethyltetraacetyl Hexaazaisoul titanium 1.1%.

この結果より、アシル化剤としてN−ヒドロキシコハ
ク酸イミドのカルボン酸エステルを使用しない場合は、
アシル基の還元反応によるアルキル基の生成が顕著であ
ることが判る。
From these results, when the carboxylic acid ester of N-hydroxysuccinimide is not used as the acylating agent,
It turns out that the generation of an alkyl group by the reduction reaction of an acyl group is remarkable.

実施例15 〔WB6のアシル化剤存在下での還元的脱アリールメチル
工程において、アシル化剤としてN−アセトキシコハク
酸イミドを単独で使用する場合の反応〕 無水酢酸を用いず、N−アセトキシコハク酸イミドを
7.5g使用したことの他は、実施例13と同様の方法で反応
を行なった。反応途中で、反応溶液をサンプリングし、
成分をFD−マススペクトルで分析した結果、ペンタベン
ジルヘキサアザイソウルチタン(「M+H]+619)、ア
セチルペンタベンジルヘキサアザイソウルチタン(M+66
0)、ジアセチルテトラベンジルヘキサアザイソウルチ
タン(M+612)、トリアセチルトリベンジルヘキサアザ
イソウルチタン(M+564)が中間体としていることが判
った。反応終了後の生成物のガスクロマトグラフィーに
よる収率は、ジアセチルテトラベンジルヘキサアザイソ
ウルチタン74%、トリアセチルトリベンジルヘキサアザ
イソウルチタン15%、テトラアセチルジベンジルヘキサ
アザイソウルチタン3%であった。
Example 15 [Reaction when N-acetoxysuccinimide is used alone as an acylating agent in the reductive dearylmethyl step in the presence of an acylating agent of WB 6 ] N-acetoxy was used without using acetic anhydride. Succinimide
The reaction was carried out in the same manner as in Example 13 except that 7.5 g was used. During the reaction, sample the reaction solution,
Analysis of the components FD- in mass spectrum, penta benzyl hexa A wood Seoul titanium ( "M + H] + 619), acetyl penta benzyl hexamethylene A wood Seoul titanium (M + 66
0), diacetyltetrabenzylhexaazaisowurtzitane (M + 612) and triacetyltribenzylhexaazaisowurtzitane (M + 564) were found to be intermediates. After the reaction was completed, the yield of the product by gas chromatography was 74% for diacetyltetrabenzylhexaazaisowurtzitane, 15% for triacetyltribenzylhexaazaisowurtzitanium, and 3% for tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitanium. there were.

この結果より、WB6のアシル化剤存在下での還元的脱
アリールメチル工程において、アシル化剤としてN−ヒ
ドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルを単独で
使用した場合、WA4B2以前のアシル基の還元反応による
アルキル基の生成は抑制できることが判る。しかし、N
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルとカ
ルボン酸無水物を混合して使用する場合に比べ、反応速
度は低いことも判る。
From this result, when used in the reductive de-arylmethyl steps with an acylating agent in the presence of WB 6, the carboxylic acid ester of N- hydroxysuccinimide alone as an acylating agent, WA 4 B 2 earlier acyl It is understood that the formation of an alkyl group by the reduction reaction of the group can be suppressed. But N
It can also be seen that the reaction rate is lower than when using a mixture of a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide and a carboxylic anhydride.

実施例16〔WA4H2をWA2B2より合成する方法〕 テトラアセチルジベンジルヘキサアザイソウルチタン
3.67g(7.11mmol),Pd(OAc)2 1.60g(7.11mmol),酢
酸150ml,および回転子を300mlマイクロボンベに入れ、
窒素置換した。その後、マイクロボンベに水素を5kgf/c
m2−G迄圧入し、スターラーで15時間撹拌した。マイク
ロボンベより反応溶液を取り出し、触媒を濾過し、溶媒
を減圧留去した後の残固体の酢酸エチル100mlで洗い、
白色固体テトラアセチルヘキサアザイソウルチタン1.67
g(収率71%)を得た。
Example 16 [Method of Synthesizing WA 4 H 2 from WA 2 B 2 ] Tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane
3.67 g (7.11 mmol), 1.60 g (7.11 mmol) of Pd (OAc) 2 , 150 ml of acetic acid, and a rotor were placed in a 300 ml microbomb,
It was replaced with nitrogen. After that, 5kgf / c of hydrogen was added to the micro cylinder.
The pressure was increased to m 2 -G, and the mixture was stirred with a stirrer for 15 hours. The reaction solution was taken out of the microbomb, the catalyst was filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was washed with 100 ml of residual ethyl acetate.
White solid tetraacetylhexaaza soul titanium 1.67
g (yield 71%) was obtained.

テトラアセチルヘキサアザイソウルチタンの分析結果
を以下に示す。1 H−NMR(溶媒D2O、TMS標準)、δ(ppm) 1.98(s,6H,COCH3),2.00(s,6H,COCH3),5.29(m,2
H,CH),5.50(m,2H,CH),6.35(m,2H,CH)。
The analysis results of tetraacetylhexaazaisosoultitanium are shown below. 1 H-NMR (solvent D 2 O, TMS standard), δ (ppm) 1.98 (s, 6H, COCH 3 ), 2.00 (s, 6H, COCH 3 ), 5.29 (m, 2
H, CH), 5.50 (m, 2H, CH), 6.35 (m, 2H, CH).

1H−NMRにより、4個のアセチル基とW骨格のメチン
基を確認した。
1 H-NMR confirmed four acetyl groups and a methine group in the W skeleton.

赤外吸収スペクトル(IR)を測定した結果、3300〜34
00cm-1の二本の2級アミン(N−H基)の伸縮振動の吸
収が確認された。また1660cm-1付近にアセチル基のカル
ボニル(C=O)基の伸縮振動が確認された。これらよ
り、W骨格の置換基として、アセチル基とN−H基が存
在することが判る。
As a result of measuring the infrared absorption spectrum (IR), 3300 to 34
Absorption of stretching vibration of two secondary amines (N—H groups) of 00 cm −1 was confirmed. Also, stretching vibration of the carbonyl (C = O) group of the acetyl group was confirmed at around 1660 cm −1 . From these, it is found that an acetyl group and an NH group exist as substituents of the W skeleton.

実施例17〔WA4H2をWA4B2より合成する反応において、実
施例16と異なった触媒を使用し、反応温度を変化させて
の反応〕 テトラアセチルジベンジルヘキサアザイソウルチタン
1.20g(2.33mmol),10%Pd−C 0.496g(0.466mmo
l),酢酸60ml,および回転子を300mlマイクロボンベに
入れ、窒素置換した。その後、マイクロボンベに水素を
3kgf/cm2−G迄圧入し、40℃のオイルバスにつけ、スタ
ーラーで5時間撹拌した。マイクロボンベより反応溶液
を取り出し、触媒を濾過し、溶媒を減圧留去した後の残
固体を酢酸エチル100mlで洗い、白色固体のテトラアセ
チルヘキサアザイソウルチタン0.57g(収率73%)を得
た。
Example 17 [Reaction for synthesizing WA 4 H 2 from WA 4 B 2 using a different catalyst from Example 16 and changing the reaction temperature] Tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane
1.20 g (2.33 mmol), 10% Pd-C 0.496 g (0.466 mmo
l), acetic acid 60 ml, and a rotor were placed in a 300 ml microbomb, and the atmosphere was replaced with nitrogen. Then, add hydrogen to the micro cylinder
It was press-fitted to 3 kgf / cm 2 -G, put in a 40 ° C. oil bath, and stirred with a stirrer for 5 hours. The reaction solution was taken out from the microbomb, the catalyst was filtered off, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The remaining solid was washed with 100 ml of ethyl acetate to obtain 0.57 g of tetraacetylhexaazaisowurtzitanium as a white solid (yield 73%). Was.

その結果、本実施例に於いても実施例16とほぼ同様に
WA2H2が合成できることが判る。
As a result, in this embodiment, almost the same as in Embodiment 16
It can be seen that WA 2 H 2 can be synthesized.

実施例18〔WB6のアシル化剤存在下での還元的脱アリー
ルメチル工程におけるWAnH(6-n)の生成〕 ヘキサベンジルヘキサアザイソウルチタンのアセチル
化剤存在下での還元的脱ベンジル反応を、反応時間を20
0時間としたことの他は、実施例4の方法と同様の方法
で行なった。反応終了後反応液をガスクロマトグラフィ
ーで分析した結果、ヘキサアセチルヘキサアザイソウル
チタンは、0.8%しか生成していなかったが、高速液体
クロマトグラフィーによりテトラアセチルヘキサアザイ
ソウルチタンが存在していることが確認された。上記反
応液に塩化アセチルを加え、一時間撹拌した後には、ヘ
キサアセチルヘキサアザイソウルチタンが5%ガスクロ
マトグラフィーで確認された。このことからも、反応系
内にテトラアセチルヘキサアザイソウルチタン、および
ペンタアセチルヘキサアザイソウルチタンが存在してい
るとが判る。
Example 18 [Production of WA n H (6-n) in Reductive Dearylmethyl Step in the Presence of Acylating Agent of WB 6 ] Reductive Deprotection of Hexabenzylhexaazaisowurtzitane in the Presence of Acetylating Agent Benzyl reaction, reaction time 20
The procedure was performed in the same manner as in Example 4 except that the time was set to 0 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was analyzed by gas chromatography. As a result, only 0.8% of hexaacetylhexaazaisowurtzitanium was produced, but tetraacetylhexaazaisowurtzitanium was present by high performance liquid chromatography. It was confirmed that. After adding acetyl chloride to the above reaction solution and stirring for one hour, hexaacetylhexaazaisowurtzitanium was confirmed by 5% gas chromatography. This also indicates that tetraacetylhexaazaisowurtzitane and pentaacetylhexaazaisowurtzitane are present in the reaction system.

実施例19〔WA4B2をWB6のアシル化剤存在下での還元的脱
アリールメチル反応による得る方法〕 ヘキサベンジルヘキサアザイソウルチタン1.89g(2.6
6mmol)、10%Pd−C 1.70g(1.60mg原子)、N−アセ
トキシコハク酸イミド5.0g(31.8mmol)、エチルベンゼ
ン160ml、無水酢酸3.24g(31.8mmol)、および回転子を
内容量300mlのマイクロボンベに入れ、ボンベ内を水素
置換した。その後、ボンベ内に水素を50kgf/cm2−G迄
圧入し、スターラーで20時間撹拌した。ボンベ内より反
応溶液を取り出し、触媒と析出した固体を濾過し、濾紙
上の固体をクロロホルム200mlで洗った。濾液(反応溶
液とクロロホルム洗浄液)を溶媒留去し、残固体をクロ
ロホルム200mlに溶かし、それに28%アンモニア水200ml
を加え、激しく30分間撹拌した。この操作により、N−
アセトキシコハク酸イミドが有機層から除去される。ク
ロロホルム層を取り出し、溶媒留去し、白色固体1.29g
を得た。これを、エチルベンゼンで再結晶し、白色固体
1.03g(収率75%)を得た。このものの分析をFD−マス
スペクトル、1Hおよび13C−NMR、13C−1H COSYを用い
て構造解析を行ない、テトラアセチルジベンジルヘキサ
アザイソウルチタンであることを確認した。テトラアセ
チルジベンジルヘキサアザイソウルチタンの分析結果を
以下に示す。
Example 19 [Method for obtaining WA 4 B 2 by reductive dearylmethylation reaction in the presence of an acylating agent for WB 6 ] 1.89 g (2.6 g) of hexabenzylhexaazaisowurtzitane
6 mmol), 1.70 g (1.60 mg atom) of 10% Pd-C, 5.0 g (31.8 mmol) of N-acetoxysuccinimide, 160 ml of ethylbenzene, 3.24 g (31.8 mmol) of acetic anhydride, and a rotor having a content of 300 ml. It was placed in a cylinder and the inside of the cylinder was replaced with hydrogen. Thereafter, hydrogen was injected into the cylinder to 50 kgf / cm 2 -G and stirred with a stirrer for 20 hours. The reaction solution was taken out of the cylinder, the catalyst and the precipitated solid were filtered, and the solid on the filter paper was washed with 200 ml of chloroform. The filtrate (reaction solution and washing solution of chloroform) was evaporated, and the remaining solid was dissolved in 200 ml of chloroform.
Was added and stirred vigorously for 30 minutes. By this operation, N-
The acetoxysuccinimide is removed from the organic layer. Take out the chloroform layer, evaporate the solvent, and obtain 1.29 g of a white solid.
I got This is recrystallized from ethylbenzene to give a white solid
1.03 g (yield 75%) was obtained. The analysis of this compound FD- Mass spectrum, subjected to structural analysis by 1 H and 13 C-NMR, 13 C- 1 H COSY, was confirmed to be tetra acetyl dibenzyl hexa A wood Seoul titanium. The analysis results of tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane are shown below.

FD−マススペクトル 517([M+H])。1 H−NMRスペクトル(溶媒CDCl3、TMS標準)δ(ppm) 1.94(s,6H,COCH3),2.15(s,6H,COCH3),4.06(d,2
H,CH2)4.29(d,2H,CH2),5.09(d,2H,CH),5.70(d,2
H,CH),6.42(s,2H,CH),7.3〜7.5(m,10H,Ph)。
FD-mass spectrum 517 ([M + H] + ). 1 H-NMR spectrum (solvent CDCl 3 , TMS standard) δ (ppm) 1.94 (s, 6H, COCH 3 ), 2.15 (s, 6H, COCH 3 ), 4.06 (d, 2
H, CH 2 ) 4.29 (d, 2H, CH 2 ), 5.09 (d, 2H, CH), 5.70 (d, 2
H, CH), 6.42 (s, 2H, CH), 7.3-7.5 (m, 10H, Ph).

1H−NMRスペクトルにより、4個のアセチル基、2個
のベンジル基、6個のW骨格中のメチン基が確認され
た。13 C−NMR(溶媒CDCl3、TMS標準) δ(ppm) 20.737(CH3),22.111(CH3),56.428(CH2),69.679
(CH),70.592(CH),128.056(Ph),128.673(Ph),12
8.928(Ph),136.742(Ph),168.263(CO)。
1 H-NMR spectrum confirmed four acetyl groups, two benzyl groups, and six methine groups in the W skeleton. 13 C-NMR (solvent CDCl 3 , TMS standard) δ (ppm) 20.737 (CH 3 ), 22.111 (CH 3 ), 56.428 (CH 2 ), 69.679
(CH), 70.592 (CH), 128.056 (Ph), 128.673 (Ph), 12
8.928 (Ph), 136.742 (Ph), 168.263 (CO).

13C−NMRスペクトルにより、アセチル基、ベンジル基
のフェニル基およびメチレン基、W骨格中のメチン基が
確認される。
The 13 C-NMR spectrum confirms an acetyl group, a phenyl group and a methylene group of a benzyl group, and a methine group in the W skeleton.

1H−13C COSYにより、1Hの結合している13Cを帰属し
た。
By 1 H- 13 C COZY, was assigned to 13 C bound of 1 H.

実施例20〔WA4H2をニトロソ化し、WA4(NO)を合成し
た後、それを酸化しWA4(NO2を合成する方法〕 テトラアセチルヘキサアザイソウルチタン0.336g(1m
mol)と50%酢酸10mlを100ml反応容器に入れ、0℃まで
冷やす。0℃で撹拌しながらゆっくりと4mol/l亜硝酸ナ
トリウム水溶液2mlを滴下する。その後、30℃に昇温
し、4時間撹拌する。反応溶液にクロロホルム50mlを加
え、激しく撹拌する。静置後、有機層を取り出し、溶媒
を減圧留去することによりジニトロソテトラアセチルヘ
キサアザイソウルチタンが0.373g(収率95%)で得られ
る。
Example 20 [Method of nitrosating WA 4 H 2 to synthesize WA 4 (NO) 2 , and then oxidizing it to synthesize WA 4 (NO 2 ) 2 ] 0.336 g (1 m
mol) and 10 ml of 50% acetic acid into a 100 ml reaction vessel and cool to 0 ° C. While stirring at 0 ° C., 2 ml of a 4 mol / l sodium nitrite aqueous solution is slowly added dropwise. Thereafter, the temperature is raised to 30 ° C. and the mixture is stirred for 4 hours. 50 ml of chloroform is added to the reaction solution and stirred vigorously. After standing, the organic layer is taken out and the solvent is distilled off under reduced pressure to obtain 0.373 g (yield 95%) of dinitrosotetraacetylhexaazaisowurtzitane.

100ml反応容器に100%硝酸30mlを入れ、それにジニト
ロソテトラアセチルヘキサアザイソウルチタン0.9262g
(2.35mmol)を加え、室温で5時間撹拌する。その後、
減圧で硝酸を留去し、ジニトロテトラアセチルヘキサア
ザイソウルチタン0.955g(収率95%)が得られる。
30 ml of 100% nitric acid is placed in a 100 ml reaction vessel, and 0.9262 g of dinitrosotetraacetylhexaazaisole titanium is added to the reaction vessel.
(2.35 mmol) and stir at room temperature for 5 hours. afterwards,
The nitric acid is distilled off under reduced pressure to obtain 0.955 g (95% yield) of dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitane.

ジニトロソテトラアセチルヘキサアザイソウルチタン
の分析結果を次に示す。1 HNMR(溶媒CDCl3、TMS標準)δ(ppm) 2.05(s,6H,COCH3)、2.17(s,6H,COCH3)、5.46(m,
2H,CH)、6.62(m,2H,CH)、7.30(s,2H,CH) 1HNMRスペクトルより、4個のアセチル基と6個のW
骨格のメチン基を確認した。
The analysis results of dinitrosotetraacetylhexaazaisowurtzitane are shown below. 1 H NMR (solvent CDCl 3 , TMS standard) δ (ppm) 2.05 (s, 6H, COCH 3 ), 2.17 (s, 6H, COCH 3 ), 5.46 (m,
2H, CH), 6.62 (m, 2H, CH), 7.30 (s, 2H, CH) 1 HNMR spectra show that 4 acetyl groups and 6 W
The methine group of the skeleton was confirmed.

赤外吸収(IR)スペクトルを測定した結果、1670cm-1
付近にアセチル基のカルボニル基(C=O)の吸収、15
00cm-1付近、1380cm-1付近および1350cm-1付近にニトロ
ソ基に由来すると思われる吸収を確認した。
As a result of measuring an infrared absorption (IR) spectrum, 1670 cm −1
Absorption of carbonyl group of acetyl group (C = O), 15
At around 00 cm −1, around 1380 cm −1 , and around 1350 cm −1 , absorptions considered to be derived from nitroso groups were confirmed.

なおテトラアセチルヘキサアザイソウルチタンで確認
されたN−H基の吸収は、完全に消失した。
In addition, the absorption of the NH group confirmed by tetraacetylhexaazaisowurtzitane completely disappeared.

ジニトロテトラアセチルヘキサアザイソウルチタンの
分析結果を次に示す。1 HNMR(溶媒DMSO−d6、TMS標準)δ(ppm) 2.10(s,12H,COCH3),6.75(m,2H,CH),7.35(7.35pp
mにシングレットのピークトップが有り、その低磁場側
にショルダーを有するピーク,4H,CH) 赤外吸収スペクトル(IR)を測定した結果、1680cm-1
付近にアセチル基のカルボニル(C=O)基の伸縮振動
の吸収が確認され、1570cm-1付近と1300cm-1付近にニト
ロ基の伸縮振動の吸収が確認された。このことより、W
骨格の置換基として、ニトロ基とアセチル基が存在する
事が判る。
The analysis results of dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitane are shown below. 1 H NMR (solvent DMSO-d 6 , TMS standard) δ (ppm) 2.10 (s, 12 H, COCH 3 ), 6.75 (m, 2 H, CH), 7.35 (7.35 pp
m has a peak top of a singlet and a peak with a shoulder on the low magnetic field side, 4H, CH) As a result of measuring an infrared absorption spectrum (IR), 1680 cm −1
The absorption of the stretching vibration of the carbonyl (C = O) group of the acetyl group was confirmed near, and the absorption of the stretching vibration of the nitro group was confirmed near 1570 cm -1 and around 1300 cm -1 . From this, W
It turns out that a nitro group and an acetyl group exist as a substituent of a skeleton.

FD−マススペクトルを測定した結果、m/z426の親イオ
ンピークを確認した。
As a result of measuring the FD-mass spectrum, a parent ion peak at m / z 426 was confirmed.

分解温度をセイコー電子工業DSC 220Cを用い示差走
査熱量測定(differential scanning calorimeter,DS
C)をした(昇温速度:10℃/min)結果、発熱ピークトッ
プ温度が314℃付近んであった。この温度はHNWの発熱ピ
ークトップ温度(250℃付近)より高く、ジニトロテト
ラアセチルヘキサアザイソウルチタンは耐熱性に優れた
ニトラミン化合物であることが判る。
The decomposition temperature was measured using a differential scanning calorimeter (DS) using Seiko Denshi Kogyo DSC 220C.
C) (heating rate: 10 ° C./min), the exothermic peak top temperature was around 314 ° C. This temperature is higher than the exothermic peak top temperature of HNW (around 250 ° C.), indicating that dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitane is a nitramine compound having excellent heat resistance.

実施例21〔WA6をニトロ化し、WA4(NO2を合成する
方法〕 無水酢酸5mlを100ml反応容器に入れ、0℃まで冷却す
る。その後撹拌しながら0℃でゆっくり100%硝酸5mlを
滴下する。その後、五酸化二窒素0.5gを加える。その
後、ヘキサアセチルヘキサアザイソウルチタン0.1g(0.
238mmol)を加える。
Example 21 [Method for nitrating WA 6 to synthesize WA 4 (NO 2 ) 2 ] 5 ml of acetic anhydride is placed in a 100 ml reaction vessel and cooled to 0 ° C. Thereafter, 5 ml of 100% nitric acid is slowly added dropwise at 0 ° C. while stirring. Thereafter, 0.5 g of dinitrogen pentoxide is added. Then, 0.1 g of hexaacetylhexaazaisosoul titanium (0.
238 mmol).

その後、一時間毎に4回五酸化二窒素0.5gを加える。
反応溶液を氷水でクエンチした後、液体成分を減圧留去
した残存固体を高速液体クロマトグラフィー分析により
ジニトロテトラアセチルヘキサアザイソウルチタンの生
成が確認された。
Thereafter, 0.5 g of dinitrogen pentoxide is added four times every hour.
After the reaction solution was quenched with ice water, the liquid component was distilled off under reduced pressure, and the remaining solid was analyzed by high performance liquid chromatography to confirm the formation of dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitanium.

実施例22[WA4(NO2をニトロ化し、W(NO2
合成する反応] 200ml反応容器を0℃のバスに浸け、硫酸25mlを入
れ、そこへ100%硝酸25mlをゆっくり滴下する。その混
酸中にジニトロテトラアセチルヘキサアザイソウルチタ
ンを0.2g(0.457mmol)加え、0℃で8時間撹拌し、そ
の後室温で67時間撹拌する。反応終了後、反応溶液中の
有機成分をクロロホルムで抽出(200ml×2回)し、ク
ロロホルム相を減圧で溶媒留去して得られた固体を10%
NaHCO3水で洗浄し、ヘキサニトロヘキサアザイソウルチ
タン0.06gを得た(収率30%)。生成物の構造は以下の
分析により確認した。
Example 22 [Reaction for nitrating WA 4 (NO 2 ) 2 to synthesize W (NO 2 ) 6 ] A 200 ml reaction vessel was immersed in a bath at 0 ° C., 25 ml of sulfuric acid was added, and 25 ml of 100% nitric acid was slowly added thereto. Drip. 0.2 g (0.457 mmol) of dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitanium is added to the mixed acid, and the mixture is stirred at 0 ° C. for 8 hours and then at room temperature for 67 hours. After completion of the reaction, the organic component in the reaction solution was extracted with chloroform (200 ml × 2 times), and the chloroform phase was evaporated under reduced pressure to obtain a 10% solid.
After washing with NaHCO 3 water, hexanitrohexaazaisowoulitanium 0.06 g was obtained (30% yield). The structure of the product was confirmed by the following analysis.

赤外吸収(IR)スペクトルをKBr法で測定した結果、1
605cm-1付近にニトロ基の逆対称伸縮振動の吸収、1325c
m-1付近と1270cm-1付近に二本のニトロ基の対称伸縮振
動の吸収、945cm-1付近と880cm-1付近に二本のニトロ基
の変角の吸収、3030cm-1付近にW骨格のメチン基の伸縮
振動の吸収が確認された。
As a result of measuring the infrared absorption (IR) spectrum by the KBr method, 1
Absorption of anti-symmetric stretching vibration of nitro group around 605cm -1 , 1325c
m -1 and near 1270 cm -1 near the two absorption symmetric stretching vibration of nitro groups, the absorption of the bending of the nitro group of two in the vicinity of 945 cm -1 and near 880 cm -1, W skeleton around 3030 cm -1 The absorption of stretching vibration of the methine group was confirmed.

これらの特性吸収は、文献[COMBUSTION AND FLAME
87:145−151(1991)]に記載されたヘキサニトロヘ
キサアザイソウルチタンのIRスペクトルの特性吸収と一
致する。なお、原料として使用したジニトロテトラアセ
チルヘキサアザイソウルチタンのアセチル基のカルボニ
ル基(C=O)の1680cm-1付近の吸収は完全に消失して
いる。
These characteristic absorptions are described in the literature [COMBUSTION AND FLAME
87: 145-151 (1991)], which is consistent with the characteristic absorption of the IR spectrum of hexanitrohexaazaisowurtzitane. The absorption of the carbonyl group (C = O) of the acetyl group of dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitanium used as a raw material around 1680 cm −1 completely disappeared.

これの結果より、ジニトロテトラアセチルヘキサアザ
イソウルチタンのアセチル基がニトロ基に変換され、ヘ
キサニトロヘキサアザイソウルチタンが生成したことが
判る。
From this result, it is understood that the acetyl group of dinitrotetraacetylhexaazaisowurtzitanium was converted to a nitro group, and hexanitrohexaazaisowurtzitanium was formed.

なおHNWの諸特性について報告されている文献[Inter
national Symposium on Energetic Materials Tec
hnology PROCEEDINGS、SEPTEMBER 24−27、76−81(1
995)]に記載されている高速液体クロマトグラフィー
と同じ条件で上記生成物を分析したところ、文献と同じ
保持時間を示した。
In addition, the literature reported about various characteristics of HNW [Inter
national Symposium on Energetic Materials Tec
hnology PROCEEDINGS, SEPTEMBER 24-27, 76-81 (1
995)], the product was analyzed under the same conditions as in the high performance liquid chromatography described above, and showed the same retention time as the literature.

また、EI−マススペクトルを測定した結果、フラグメ
ントイオンピークとして392(親イオン−NO2)、316、2
13、46(NO2)といったイオンピークが確認された。こ
れらのイオンピークも上記文献[International Sympo
sium on Energetic Materials Technology PROCEE
DINGS、SEPTEMBER 24−27、76−81(1995)]に記載さ
れたヘキサニトロヘキサアザイソウルチタンの特性ピー
クと一致する。
Further, as a result of measuring the EI-mass spectrum, 392 (parent ion-NO 2 ), 316, 2
Ion peaks of 13, 46 (NO 2 ) were confirmed. These ion peaks are also described in the above document [International Sympo
sium on Energetic Materials Technology PROCEE
DINGS, SEPTEMBER 24-27, 76-81 (1995)].

比較例1〔WB6をアシル化剤不存在下で還元的脱アリー
ルメチルした後に、アシル化する反応〕 ヘキサベンジルヘキサアザイソウルチタン3.0g(4.24
mmol)、Pd(OAc)2 0.476g(2.12mmol)、テトラヒド
ロフラン(THF)75ml、エタノール75ml、および回転子
を300mlマイクロボンベに入れ、ボンベ内を水素置換し
た後、水素を10kgf/cm2−Gまで圧入し、室温で300時間
撹拌した。この時、ガスクロマトグラフィーにより、WB
6の脱アリールメチル反応により生成トルエンの量を測
定した結果、ほぼ100%ベンジル基が脱離していること
が判った。そこで、反応溶液を取り出し、還元触媒を除
去し、溶液を減圧下で溶媒留去した後、アセチル化剤と
して無水酢酸100mlを加え、その後、塩化アセチル10ml
を加えたが、ガスクロマトグラフィーでは、アシル基を
有するヘキサアザイソウルチタン誘導体は確認されなか
った。
Comparative Example 1 [the WB 6 after reductive de-arylmethyl absence acylating agent, the acylation reaction] hex benzyl hexamethylene A wood Seoul titanium 3.0 g (4.24
mmol), 0.476 g (2.12 mmol) of Pd (OAc) 2 , 75 ml of tetrahydrofuran (THF), 75 ml of ethanol, and a rotor in a 300 ml microbomb, and after replacing the inside of the bomb with hydrogen, hydrogen was added at 10 kgf / cm 2 -G. And stirred at room temperature for 300 hours. At this time, WB by gas chromatography
As a result of measuring the amount of toluene generated by the dearylmethyl reaction of No. 6 , it was found that almost 100% of the benzyl group had been eliminated. Then, the reaction solution was taken out, the reduction catalyst was removed, the solvent was distilled off under reduced pressure, and 100 ml of acetic anhydride was added as an acetylating agent.
However, gas chromatography did not confirm any hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group.

このことは、WB6をアシル化剤不存在下で還元的脱ア
リールメチルするとW骨格が分解することを示唆してい
る。
This is, W skeleton when a WB 6 to reductive de-arylmethyl absence acylating agent suggesting that decomposition.

比較例2〔WB6をアシル化剤不存在下で還元的脱アリー
ルメチルした後に、アシル化する反応〕 アシル化剤を加えないことの他は、実施例19と同様の
方法でヘキサベンジルヘキサアザイソウルチタンのアシ
ル化剤不存在下での還元的脱アリールメチルを行い、反
応終了後に、反応溶液に実施例19で使用したアシル化剤
を同量加え、5時間窒素雰囲気下で撹拌し、その後、実
施例19と同様の方法で反応溶液を処理したが、テトラア
セチルジベンジルヘキサアザイソウルチタンの存在は確
認できなかった。
Comparative Example 2 [the WB 6 after reductive de-arylmethyl with an acylating agent in the absence, the reaction acylating] Other possible without the addition of the acylating agent, hexa benzyl hexa A in the same manner as in Example 19 After performing reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent of zysoulitoltitanium, and after completion of the reaction, the same amount of the acylating agent used in Example 19 was added to the reaction solution, and the mixture was stirred under a nitrogen atmosphere for 5 hours. Thereafter, the reaction solution was treated in the same manner as in Example 19, but the presence of tetraacetyldibenzylhexaazaisowurtzitane could not be confirmed.

<産業上の利用可能性> 本発明により、火薬原料および火薬製品の添加剤とし
て有用であるポリニトロ化ヘキサアザイソウルチタン誘
導体の前駆体、高極性ポリマーの原料、高密度架橋剤、
およびポリマー添加剤として有用である、アシル基を有
するヘキサアザイソウルチタン誘導体が得られる。
<Industrial Applicability> According to the present invention, a precursor of a polynitrated hexaazaisosoultitanium derivative useful as an explosive raw material and an additive for an explosive product, a raw material of a highly polar polymer, a high-density crosslinking agent,
And a hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group, which is useful as a polymer additive.

Claims (53)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】次の式(V)で表されるアシル基を有する
ヘキサアザイソウルチタン誘導体。 WAtQ(6-t) (V) 〔式中、tは4〜6の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Qは各々独立して水素原子及び/又は炭素数1〜10
のアルキル基、Wは下式(2)で表される6価のヘキサ
アザイソウルチタン残基を残す。〕
1. A hexaazaisowurtzitane derivative having an acyl group represented by the following formula (V): WA t Q (6-t) (V) wherein t is an integer of 4 to 6, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q is each independently a hydrogen atom and / or 1 to 10 carbon atoms.
The alkyl group W leaves a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2). ]
【請求項2】tが6である請求項1のヘキサアザイソウ
ルチタン誘導体。
2. The derivative of claim 1, wherein t is 6.
【請求項3】tが4である請求項1のヘキサアザイソウ
ルチタン誘導体。
3. The derivative of claim 1, wherein t is 4.
【請求項4】下記の式(1)で表されるヘキサアザイソ
ウルチタン誘導体をアシル化剤でアシル化する次の式
(4)で表されるヘキサアシルヘキサアザイソウルチタ
ンの製造方法。 WA6 (4) 〔式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Wは次式(2)
で表される6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、nは4〜5の整数、Hは水素原子、AおよびW
は上記で定義された基を表す。〕
4. A method for producing a hexaacylhexaazaisowurtzitane represented by the following formula (4), wherein a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (1) is acylated with an acylating agent. WA 6 (4) wherein A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W is the following formula (2)
Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ] WA n H (6-n) (1) wherein n is an integer of 4 to 5, H is a hydrogen atom, A and W
Represents a group defined above. ]
【請求項5】nが4である請求項4のヘキサアシルヘキ
サアザイソウルチタンの製造方法。
5. The method for producing hexaacylhexaazaisowurtzitane according to claim 4, wherein n is 4.
【請求項6】下記の式(VII)で表されるヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体をアシル化剤不存在下で還元的脱ア
リールメチルして下記の式(1)で表されるヘキサアザ
イソウルチタン誘導体を合成し、その後、式(1)で表
されるヘキサアザイソウルチタン誘導体をアシル化剤で
アシル化する次の式(4)で表されるヘキサアシルヘキ
サアザイソウルチタン製造方法。 WA6 (4) 〔式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Wは下式(2)
で表される6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
す。〕 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、nは4〜5の整数、Bは炭素数7〜21のアリー
ルメチル基、AおよびWは上記で定義された基を表
す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、nは4〜5の整数、Hは水素原子、AおよびW
は上記で定義された基を表す。〕
6. A hexaazaisulfurium derivative represented by the following formula (1) obtained by subjecting a hexaazaisowurtzine derivative represented by the following formula (VII) to reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent: A method for producing a hexaacylhexaazaisowurtzitane represented by the following formula (4), comprising synthesizing a titanium derivative and then acylating the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (1) with an acylating agent. WA 6 (4) wherein A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W is the following formula (2)
Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ] WA n B (6-n) (VII) wherein n is an integer of 4 to 5, B is an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and A and W represent the groups defined above. WA n H (6-n) (1) wherein n is an integer of 4 to 5, H is a hydrogen atom, A and W
Represents a group defined above. ]
【請求項7】nが4である請求項6のヘキサアシルヘキ
サアザイソウルチタンの製造方法。
7. The method for producing hexaacylhexaazaisowurtzitane according to claim 6, wherein n is 4.
【請求項8】下記の式(VI)で表されるヘキサキス(ア
リールメチル)ヘキサアザイソウルチタンをアシル化剤
存在下で還元的脱アリールメチルして下記の式(VII)
で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を合成し、
次いで、式(VII)で表されるヘキサアザイソウルチタ
ン誘導体をアシル化剤不存在下で還元的脱アリールメチ
ルして下記の式(1)で表されるヘキサアザイソウルチ
タン誘導体を合成し、その後、一般式(1)で表される
ヘキサアザイソウルチタン誘導体をアシル化剤でアシル
化する次の式(4)で表されるヘキサアシルヘキサアザ
イソウルチタンの製造方法。 WA6 (4) 〔式中、Aは炭素数1〜10のアシル基、Wは下式(2)
で表される6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表
す。〕 WB6 (VI) 〔式中、Bは炭素数7〜21のアリールメチル基、Wは上
記で定義された基を表す。〕 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、nは4〜5の整数、B、AおよびWは上記で定
義された基を表す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、nは4〜5の整数、Hは水素原子、AおよびW
は上記で定義された基を表す。〕
8. A hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (VI) is subjected to reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent to obtain the following formula (VII)
Synthesizes a hexaazaisowurtzitane derivative represented by
Next, the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VII) is reductively dearylmethylated in the absence of an acylating agent to synthesize a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (1). Then, a method for producing a hexaacylhexaazaisowurtzitane represented by the following formula (4), wherein the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the general formula (1) is acylated with an acylating agent. WA 6 (4) wherein A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and W is the following formula (2)
Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ] WB 6 (VI) [wherein, B represents an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and W represents a group defined above. WA n B (6-n) (VII) wherein n is an integer of 4 to 5, and B, A and W represent the groups defined above. WA n H (6-n) (1) wherein n is an integer of 4 to 5, H is a hydrogen atom, A and W
Represents a group defined above. ]
【請求項9】式(1)および式(VII)に於けるnが4
である請求項8のヘキサアシルヘキサアザイソウルチタ
ンの製造方法。
9. In the formulas (1) and (VII), n is 4
The method for producing hexaacylhexaazaisowurtzitane according to claim 8, wherein
【請求項10】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルであ
り、一般式(1)で表されるヘキサアザイソウルチタン
誘導体のアシル化剤がアシルハライドである請求項8ま
たは9のヘキサアシルヘキサアザイソウルチタンの製造
方法。
10. An acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane represented by the formula (VI)
The acyl acylating agent of a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the general formula (1) is an acyl halide, which is a carboxylic acid ester of -hydroxysuccinimide. Production method.
【請求項11】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルとカ
ルボン酸無水物との混合物であり、式(1)で表される
ヘキサアザイソウルチタン誘導体のアシル化剤がアシル
ハライドである請求項8または9のヘキサアシルヘキサ
アザイソウルチタンの製造方法。
11. An acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the formula (VI)
The hexoxy succinimide is a mixture of a carboxylic acid ester and a carboxylic anhydride, and the acylating agent for the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (1) is an acyl halide. A method for producing acylhexaazaisosoultitanium.
【請求項12】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がカ
ルボン酸無水物であり、一般式(1)で表されるヘキサ
アザイソウルチタン誘導体のアシル化剤がアシルハライ
ドである請求項8または9のヘキサアシルヘキサアザイ
ソウルチタンの製造方法。
12. The hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium acylating agent represented by the formula (VI) is a carboxylic anhydride, and the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the general formula (1) The method for producing hexaacylhexaazaisowurtzitane according to claim 8 or 9, wherein the acylating agent is an acyl halide.
【請求項13】下記の式(VII)で表されるヘキサアザ
イソウルチタン誘導体をアシル化剤不存在下で還元的脱
アリールメチルしてなる次の式(1)で表されるヘキサ
アザイソウルチタン誘導体の製造方法。 WAnH(6-n) (1) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Hは水素原子、Wは下式(2)で表される6価ヘキ
サアザイソウルチタン残基を表す。〕 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、nは4〜5の整数、Bは炭素数7〜21のアリー
ルメチル基、AおよびWは上記で定義された基を表
す。〕
13. A hexaazaisoulate represented by the following formula (1) obtained by subjecting a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (VII) to reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent: A method for producing a soul titanium derivative. WA n H (6-n) (1) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, and W is represented by the following formula (2) Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue. ] WA n B (6-n) (VII) wherein n is an integer of 4 to 5, B is an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and A and W represent the groups defined above. ]
【請求項14】式(1)および式(VII)に於けるnが
4である請求項13のヘキサアザイソウルチタン誘導体の
製造方法。
14. The method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 13, wherein n in the formulas (1) and (VII) is 4.
【請求項15】下記の式(VI)で表されるヘキサキス
(アリールメチル)ヘキサアザイソウルチタンをアシル
化剤存在下で還元的脱アリールメチルして、下記の式
(VII)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を
合成し、次いで、該式(VII)で表されるヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体をアシル化剤不存在下で還元的脱ア
リールメチルしてなる次の式(1)で表されるヘキサア
ザイソウルチタン誘導体の製造方法。 WAnH(6-n) (1) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Hは水素原子、Wは下式(2)で表される6価のヘ
キサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WB6 (VI) 〔式中、Bは炭素数7〜21のアリールメチル基、Wは上
記で定義された基を表す。〕 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、nは上記整数、B、AおよびWは上記で定義さ
れた基を表す。〕
15. A reductive dearylmethylation of hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (VI) in the presence of an acylating agent, and represented by the following formula (VII) The following formula (1) is obtained by synthesizing a hexaazaisowurtzitane derivative and then subjecting the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VII) to reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent. A method for producing the represented hexaazaisowurtzitane derivative. WA n H (6-n) (1) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, and W is represented by the following formula (2) Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue. ] WB 6 (VI) [wherein, B represents an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and W represents a group defined above. WA n B (6-n) (VII) wherein n is the integer described above, and B, A and W represent the groups defined above. ]
【請求項16】式(1)および式(VII)に於けるnが
4である請求項15のヘキサアザイソウルチタン誘導体の
製造方法。
16. The method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 15, wherein n in the formulas (1) and (VII) is 4.
【請求項17】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルであ
る請求項15または16のヘキサアザイソウルチタン誘導体
の製造方法。
17. An acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the formula (VI)
17. The method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 15, which is a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide.
【請求項18】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルとカ
ルボン酸無水物との混合物である請求項15または16のヘ
キサアザイソウルチタン誘導体の製造方法。
18. An acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane represented by the formula (VI)
17. The method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 15, which is a mixture of a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide and a carboxylic anhydride.
【請求項19】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がカ
ルボン酸無水物である請求項15または16のヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体の製造方法。
19. The process for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 15 or 16, wherein the acylating agent of hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtitanium represented by the formula (VI) is a carboxylic anhydride.
【請求項20】下記の式(VI)で表されるヘキサキス
(アリールメチル)ヘキサアザイソウルチタンをアシル
化剤存在下で還元的脱アリールメチルして、次の式(VI
I)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を合成
し、次いで、該式(VII)で表されるヘキサアザイソウ
ルチタン誘導体を分離することからなる次の式(VII)
で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体の製造方
法。 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Bは炭素数7〜21のアリールメチル基、Wは下式
(2)で表される6価のヘキサアザイソウルチタン残基
を表す。〕 WB6 (VI) 〔式中、A、BおよびWは上記で定義された基を表
す。〕
20. Reductive dearylmethylation of hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (VI) in the presence of an acylating agent to give the following formula (VI)
The following formula (VII) comprising synthesizing a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (I) and separating the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VII)
A method for producing a hexaazaisoulitanium derivative represented by the formula: WA n B (6-n) (VII) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, B is an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and W is It represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by (2). ] WB 6 (VI) wherein A, B and W represent the groups defined above. ]
【請求項21】式(VII)に於けるnが4である請求項2
0のヘキサアザイソウルチタン誘導体の製造方法。
21. The method according to claim 2, wherein n in the formula (VII) is 4.
A method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative.
【請求項22】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルであ
る請求項20または21のヘキサアザイソウルチタン誘導体
の製造方法。
22. The acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane represented by the formula (VI)
22. The method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 20 or 21, which is a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide.
【請求項23】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がN
−ヒドロキシコハク酸イミドのカルボン酸エステルとカ
ルボン酸無水物との混合物である請求項20または21のヘ
キサアザイソウルチタン誘導体の製造方法。
23. The acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane represented by the formula (VI)
22. The method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 20, which is a mixture of a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide and a carboxylic anhydride.
【請求項24】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤がカ
ルボン酸無水物である請求項20または21のヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体の製造方法。
24. The process for producing a hexaazaisowurtzitane derivative according to claim 20 or 21, wherein the acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane represented by the formula (VI) is a carboxylic anhydride.
【請求項25】下記の式(VI)で表されるヘキサキス
(アリールメチル)ヘキサアザイソウルチタンをアシル
化剤存在下で還元的脱アリールメチルして、式(VIII)
で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を合成し、
次いで、該式(VIII)で表されるヘキサアザイソウルチ
タン誘導体を更にアシル化剤存在下で還元的脱アリール
メチルしてなる次の式(V)で表されるヘキサアザイソ
ウルチタン誘導体、又はそれと下記の式(VIII)で表さ
れるヘキサアザイソウルチタン誘導体との混合物の製造
方法。 WAtQ(6-t) (V) 〔式中、tは4〜6の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Qは各々独立して水素原子及び/又は炭素数1〜10
のアルキル基、Wは下式(2)で表される6価のヘキサ
アザイソウルチタン残基を表す。〕 WApB(6-p) (VIII) 〔式中、pは1〜5の整数、Bは炭素数7〜21のアリー
ルメチル基、AおよびWは上記で定義された基を表
す。〕 WB6 (VI) 〔式中、A、BおよびWは上記で定義された基を表
す。〕
(25) A hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (VI) is subjected to reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent to give a compound of the formula (VIII)
Synthesizes a hexaazaisowurtzitane derivative represented by
Next, a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (V), which is obtained by further subjecting the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VIII) to reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent, Alternatively, a method for producing a mixture of the same with a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (VIII): WA t Q (6-t) (V) wherein t is an integer of 4 to 6, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q is each independently a hydrogen atom and / or 1 to 10 carbon atoms.
And W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2). ] WA p B (6-p) (VIII) wherein, p is an integer of 1 to 5, B represents an arylmethyl group, A and W are as defined above group of 7 to 21 carbon atoms. WB 6 (VI) wherein A, B and W represent the groups defined above. ]
【請求項26】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤、お
よび式(VIII)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘
導体のアシル化剤がN−ヒドロキシコハク酸イミドのカ
ルボン酸エステルである請求項25の製造方法。
26. An acylating agent for a hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the formula (VI) and an acylating agent for a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VIII) are N- 26. The production method according to claim 25, which is a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide.
【請求項27】式(6)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤、お
よび式(VIII)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘
導体のアシル化剤がN−ヒドロキシコハク酸イミドのカ
ルボン酸エステルとカルボン酸無水物との混合物である
請求項25の製造方法。
27. An acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtitanium represented by the formula (6) and an acylating agent for a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VIII) are N- 26. The production method according to claim 25, which is a mixture of a carboxylic acid ester of hydroxysuccinimide and a carboxylic anhydride.
【請求項28】式(VI)で表されるヘキサキス(アリー
ルメチル)ヘキサアザイソウルチタンのアシル化剤、お
よび式(VIII)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘
導体のアシル化剤がカルボン酸無水物である請求項25の
製造方法。
28. An acylating agent for hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtitanium represented by the formula (VI) and an acylating agent for a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (VIII) are carboxylic acid 26. The production method according to claim 25, which is an anhydride.
【請求項29】下記の式(IX)で表されるニトロソ基を
有するヘキサアザイソウルチタン誘導体。 WAn(NO)(6-n) (IX) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、NOはニトロソ基、Wは下式(2)で表される6価の
ヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕
29. A hexaazaisowurtzitane derivative having a nitroso group represented by the following formula (IX). WA n (NO) (6-n) (IX) [wherein, n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, NO is a nitroso group, and W is represented by the following formula (2). Represents the hexavalent hexaazaisowurtzitane residue to be formed. ]
【請求項30】下記一般式(X)で表されるニトロ基を
有するヘキサアザイソウルチタン誘導体。 WAn(NO2(6-n) (X) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、NO2はニトロ基、Wは上記式(2)で表される6価
のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕
30. A hexaazaisowurtzitane derivative having a nitro group represented by the following general formula (X). WA n (NO 2 ) (6-n) (X) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, NO 2 is a nitro group, and W is the above formula (2) Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ]
【請求項31】下記の式(1)、(4)、(IX)、
(X)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体をニ
トロ化剤でニトロ化する次の式(XI)で表されるヘキサ
ニトロヘキサアザイソウルチタンの製造方法。 W(NO2 (XI) 〔式中、NO2はニトロ基、Wは下記式(2)で表される
6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WA6 (4) WAnH(6-n) (1) WAn(NO)(6-n) (IX) WAn(NO2(6-n) (X) 〔式(4)、(1)、(IX)、(X)中、nは4〜5の
整数、Aは炭素数1〜10のアシル基、Hは水素原子、B
はアリールメチル基、NOはニトロソ基、NO2はニトロ
基、Wは上記式(2)で表される6価のヘキサアザイソ
ウルチタン残基を表す。〕
31. The following formulas (1), (4), (IX),
A method for producing hexanitrohexaazaisowurtzitane represented by the following formula (XI), wherein the hexaazaisowurtzitane derivative represented by (X) is nitrated with a nitrating agent. W (NO 2 ) 6 (XI) [wherein, NO 2 represents a nitro group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2). ] WA 6 (4) WA n H (6-n) (1) WA n (NO) (6-n) (IX) WA n (NO 2 ) (6-n) (X) [Equation (4), ( 1), (IX) and (X), n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, B is
The arylmethyl group, NO is a nitroso group, NO 2 represents a nitro group, W represents a hexavalent hexa A wood Seoul titanium residue represented by the formula (2). ]
【請求項32】式(1)、(4)、(IX)、(X)で表
されるヘキサアザイソウルチタン誘導体のニトロ化剤が
強プロトン酸含有ニトロ化剤である請求項31の製造方
法。
32. The method according to claim 31, wherein the nitrating agent of the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (1), (4), (IX) or (X) is a nitrating agent containing a strong protonic acid. Method.
【請求項33】強プロトン酸が硫酸およびトリフルオロ
酢酸からなる群から選ばれた1種である請求項32の製造
方法。
33. The method according to claim 32, wherein the strong protic acid is one selected from the group consisting of sulfuric acid and trifluoroacetic acid.
【請求項34】下記の式(VI)で表されるヘキサキス
(アリールメチル)ヘキサアザイソウルチタンをアシル
化剤存在下で還元的脱アリールメチルして、下記の式
(VII)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を
合成し、それをアシル化剤不存在下で還元的脱アリール
メチルして下記の式(1)で表されるヘキサアザイソウ
ルチタン誘導体とし、次いで、該誘導体をニトロ化する
次の式(XI)で表されるヘキサニトロヘキサアザイソウ
ルチタンの製造方法。 W(NO2 (XI) 〔式中、NO2はニトロ基、Wは下記式(2)で表される
6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WB6 (VI) 〔式中、Bは炭素数7〜21のアリールメチル基、Wは上
記で定義された基を表す。〕 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、BおよびWは上記で定義された基を表す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、Hは水素原子、nは上記整数、AおよびWは上
記で定義された基を表す。〕
34. Hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitane represented by the following formula (VI) is subjected to reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent, and is represented by the following formula (VII). A hexaazaisowurtzitanium derivative is synthesized and subjected to reductive dearylmethylation in the absence of an acylating agent to obtain a hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the following formula (1). A method for producing hexanitrohexaazaisosoultitanium represented by the following formula (XI): W (NO 2 ) 6 (XI) [wherein, NO 2 represents a nitro group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2). ] WB 6 (VI) [wherein, B represents an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and W represents a group defined above. WA n B (6-n) (VII) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and B and W represent the groups defined above. WA n H (6-n) (1) [wherein, H is a hydrogen atom, n is the integer described above, and A and W represent the groups defined above. ]
【請求項35】式(1)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロ化剤が強プロトン酸含有ニトロ化
剤である請求項34の製造方法。
35. The method according to claim 34, wherein the nitrating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (1) is a strong protonic acid-containing nitrating agent.
【請求項36】強プロトン酸が硫酸およびトリフルオロ
酢酸からなる群から選ばれた1種である請求項35の製造
方法。
36. The method according to claim 35, wherein the strong protic acid is one selected from the group consisting of sulfuric acid and trifluoroacetic acid.
【請求項37】下記の式(1)で表されるヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体をニトロソ化して、下記の式(IX)
で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を合成し、
それをニトロ化して、下記の式(X)で表されるヘキサ
アザイソウルチタン誘導体とし、次いで、該誘導体をニ
トロ化する次の式(XI)で表されるヘキサニトロヘキサ
アザイソウルチタンの製造方法。 W(NO2 (XI) 〔式中、NO2はニトロ基、Wは下記式(2)で表される
6価のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Hは水素原子、Wは上記で定義された基を表す。〕 WAn(NO)(6-n) (IX) 〔式中、、NOはニトロソ基、nは上記整数、A、Hおよ
びWは上記で定義された基を表す。〕 WAn(NO2(6-n) (X) 〔式中、、NO2はニトロ基、nは上記整数、A、Hおよ
びWは上記で定義された基を表す。〕
37. Nitrosation of a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (1) to give the following formula (IX)
Synthesizes a hexaazaisowurtzitane derivative represented by
It is nitrated to give a hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the following formula (X), and then the derivative is nitrated to form a hexanitrohexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (XI): Production method. W (NO 2 ) 6 (XI) [wherein, NO 2 represents a nitro group, and W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2). ] WA n H (6-n) (1) [wherein, n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, H is a hydrogen atom, and W is a group defined above. WA n (NO) (6-n) (IX) [wherein, NO represents a nitroso group, n represents the above integer, and A, H and W represent the groups defined above. WA n (NO 2 ) (6-n) (X) [wherein, NO 2 is a nitro group, n is the above integer, and A, H and W represent the groups defined above]. ]
【請求項38】式(1)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロソ化剤が亜硝酸ナトリウムと酸の
混合物である請求項37の製造方法。
38. The process according to claim 37, wherein the nitrosating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (1) is a mixture of sodium nitrite and an acid.
【請求項39】式(IX)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロソ化剤が硝酸である請求項37の製
造方法。
39. The method according to claim 37, wherein the nitrosating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (IX) is nitric acid.
【請求項40】式(IX)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロ化剤が過酸化水素、または過酸化
水素と硝酸との混合物である請求項37の製造方法。
40. The method according to claim 37, wherein the nitrating agent of the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (IX) is hydrogen peroxide or a mixture of hydrogen peroxide and nitric acid.
【請求項41】式(X)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロ化剤が強プロトン酸含有ニトロ化
剤である請求項37の製造方法。
41. The method according to claim 37, wherein the nitrating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (X) is a nitrating agent containing a strong protonic acid.
【請求項42】強プロトン酸が硫酸およびトリフルオロ
酢酸からなる群から選ばれた1種である請求項41の製造
方法。
42. The method according to claim 41, wherein the strong protonic acid is one selected from the group consisting of sulfuric acid and trifluoroacetic acid.
【請求項43】下記の式(1)で表されるヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体をニトロソ化剤でニトロソ化してな
る次の式(IX)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘
導体の製造方法。 WAn(NO)(6-n) (IX) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、NOはニトロソ基、Wは下記式(2)で表される6価
のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、Hは水素原子、nは上記整数、AおよびWは上
記で定義された基を表す。〕
43. A method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (IX), wherein a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (1) is nitrosated with a nitrosating agent. WA n (NO) (6-n) (IX) [wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, NO is a nitroso group, and W is represented by the following formula (2). Represents the hexavalent hexaazaisowurtzitane residue to be formed. ] WA n H (6-n) (1) [wherein, H is a hydrogen atom, n is the integer described above, and A and W represent the groups defined above. ]
【請求項44】式(1)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロソ化剤が亜硫酸ナトリウムと酸の
混合物である請求項43の製造方法。
44. The method according to claim 43, wherein the nitrosating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (1) is a mixture of sodium sulfite and an acid.
【請求項45】下記の式(IX)で表されるヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体をニロ化剤でニトロ化してなる次の
式(X)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体の
製造方法。 WAn(NO2(6-n) (X) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、NO2はニトロ基、Wは下記式(2)で表される6価
のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WAn(NO)(6-n) (IX) 〔式中、、NOはニトロソ基、nは上記整数、A、Hおよ
びWは上記で定義された基を表す。〕
45. A method for producing a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (X), wherein a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (IX) is nitrated with a nitrating agent. WA n (NO 2 ) (6-n) (X) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, NO 2 is a nitro group, and W is a compound represented by the following formula (2) Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ] WA n (NO) (6-n) (IX) [wherein, NO represents a nitroso group, n represents the above integer, and A, H, and W represent the groups defined above. ]
【請求項46】式(IX)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロ化剤が硝酸である請求項45の製造
方法。
46. The method according to claim 45, wherein the nitrating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (IX) is nitric acid.
【請求項47】式(IX)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体のニトロソ化剤が過酸化水素、または過酸
化水素と硝酸との混合物である請求項45の製造方法。
47. The method according to claim 45, wherein the nitrosating agent of the hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the formula (IX) is hydrogen peroxide or a mixture of hydrogen peroxide and nitric acid.
【請求項48】下記の式(1)で表されるヘキサアザイ
ソウルチタン誘導体をニロ化剤でニトロ化してなる次の
式(X)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体の
製造方法。 WAn(NO2(6-n) (X) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、NO2はニトロ基、Wは下記式(2)で表される6価
のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WAnH(6-n) (1) 〔式中、Hは水素原子、nは上記整数、AおよびWは上
記で定義された基を表す。〕
48. A process for producing a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (X), wherein a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the following formula (1) is nitrated with a nitrolating agent. WA n (NO 2 ) (6-n) (X) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, NO 2 is a nitro group, and W is a compound represented by the following formula (2) Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ] WA n H (6-n) (1) [wherein, H is a hydrogen atom, n is the integer described above, and A and W represent the groups defined above. ]
【請求項49】式(1)で
表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体のニトロ化剤
が硝酸、または硝酸と五酸化二窒素との混合物である請
求項48の製造方法。
49. The method according to claim 48, wherein the nitrating agent of the hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (1) is nitric acid or a mixture of nitric acid and nitrous oxide.
【請求項50】下記の式(4)で表されるヘキサアシル
ヘキサアザイソウルチタンをニトロ化剤でニトロ化して
なる次の式(X)で表されるヘキサアザイソウルチタン
誘導体の製造方法。 WAn(NO2(6-n) (X) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、NO2はニトロ基、Wは下記式(2)で表される6価
のヘキサアザイソウルチタン残基を表す。〕 WA6 (4) 〔式中、AおよびWは上記で定義された基を表す。〕
50. A method for producing a hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the following formula (X), wherein a hexaacylhexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (4) is nitrated with a nitrating agent: . WA n (NO 2 ) (6-n) (X) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, NO 2 is a nitro group, and W is a compound represented by the following formula (2) Represents a hexavalent hexaazaisowurtzitane residue represented by ] WA 6 (4) wherein A and W represent the groups defined above. ]
【請求項51】ニトロ化剤が硝酸と五酸化二窒素との混
合物である請求項50の製造方法。
51. The method according to claim 50, wherein the nitrating agent is a mixture of nitric acid and nitrous oxide.
【請求項52】下記の式(VI)で表されるヘキサキス
(アリールメチル)ヘキサアザイソウルチタンをアシル
化剤存在下で還元的脱アリールメチルして、次の式(XI
I)で表されるヘキサアザイソウルチタン誘導体を合成
し、次いで、該誘導体を分離する次の式(XII)で表さ
れるヘキサニトロヘキサアザイソウルチタンの製造方
法。 WAnQ(6-n) (XII) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Qは各々独立して水素原子及び/又は炭素数1〜10
のアルキル基であるが但し全てが水素原子である場合を
除く、Wは下式(2)で表される6価のヘキサアザイソ
ウルチタン残基を表す。〕 WB6 (VI) 〔式中、Bは炭素数7〜21のアリールメチル基、Wは上
記で定義された基を表す。〕
52. Hexakis (arylmethyl) hexaazaisowurtzitanium represented by the following formula (VI) is subjected to reductive dearylmethylation in the presence of an acylating agent to give the following formula (XI)
A method for synthesizing a hexaazaisowurtzitane derivative represented by the formula (I) and then separating the derivative, thereby producing a hexanitrohexaazaisowurtzitane represented by the following formula (XII). WA n Q (6-n) (XII) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q is each independently a hydrogen atom and / or 1 to 10 carbon atoms.
W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2) except that all are hydrogen atoms. ] WB 6 (VI) [wherein, B represents an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, and W represents a group defined above. ]
【請求項53】下記の式(VII)で表されるヘキサアザ
イソウルチタン誘導体をアシル化剤存在下で還元的脱ア
リールメチルして、次の式(XII)で表されるヘキサア
ザイソウルチタン誘導体を合成し、次いで、該誘導体を
分離する次の式(XII)で表されるヘキサアザイソウル
チタン誘導体の製造方法。 WAnQ(6-n) (XII) 〔式中、nは4〜5の整数、Aは炭素数1〜10のアシル
基、Qは各々独立して水素原子及び/又は炭素数1〜10
のアルキル基であるが但し全てが水素原子である場合を
除く、Wは下式(2)で表される6価のヘキサアザイソ
ウルチタン残基を表す。〕 WAnB(6-n) (VII) 〔式中、Bは炭素数7〜21のアリールメチル基、nは上
記整数、AおよびWは上記で定義された基を表す。〕
53. A hexaazaisulfurium derivative represented by the following formula (XII), which is reductively dearylmethylated in the presence of an acylating agent of a hexaazaisowurtzine derivative represented by the following formula (VII): A method for producing a hexaazaisowurtzitanium derivative represented by the following formula (XII), in which a titanium derivative is synthesized and then separated. WA n Q (6-n) (XII) wherein n is an integer of 4 to 5, A is an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and Q is each independently a hydrogen atom and / or 1 to 10 carbon atoms.
W represents a hexavalent hexaazaisowurtzitanium residue represented by the following formula (2) except that all are hydrogen atoms. ] WA n B (6-n) (VII) [wherein, B is an arylmethyl group having 7 to 21 carbon atoms, n is the integer described above, and A and W represent the groups defined above. ]
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WO1997020785A1 (en) 1995-12-07 1997-06-12 Thiokol Corporation Improved hydrogenolysis of 2,4,6,8,10,12-hexabenzyl-2,4,6,8,10,12-hexaazatetracyclo [5.5.0.0?5,9.03,11¿]dodecane

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