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JP2711435B2 - 新規な2,3−ジヒドロ−4h−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩 - Google Patents

新規な2,3−ジヒドロ−4h−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩

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Publication number
JP2711435B2
JP2711435B2 JP7002492A JP249295A JP2711435B2 JP 2711435 B2 JP2711435 B2 JP 2711435B2 JP 7002492 A JP7002492 A JP 7002492A JP 249295 A JP249295 A JP 249295A JP 2711435 B2 JP2711435 B2 JP 2711435B2
Authority
JP
Japan
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group
optionally substituted
benzopyran
dihydro
atom
Prior art date
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JP7002492A
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JPH07267943A (ja
Inventor
俊太郎 高野
長作 吉田
太喜広 稲場
啓一 田中
隆恒 竹野
秀嘉 長木
智也 霜鳥
伸治 牧野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyama Chemical Co Ltd
Original Assignee
Toyama Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyama Chemical Co Ltd filed Critical Toyama Chemical Co Ltd
Priority to JP7002492A priority Critical patent/JP2711435B2/ja
Publication of JPH07267943A publication Critical patent/JPH07267943A/ja
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  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Pyrane Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般式[1]
【化7】 [式中、R1は、ハロゲン原子で置換されていてもよい
低級アルキル、低級アルケニルまたはアリール基を;R
2は、水素原子、アルキル基またはアシル基を;R3は、
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アジド基、カルボ
キシル基、ヒドロキシル基、ホルミル基もしくはアルコ
キシカルボニル基または置換されていてもよいアルキ
ル、アルコキシ、フェノキシ、シクロアルキル、カルバ
モイル、アミノもしくはフェニル基を;R4は、水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基、アシル基、ヒドロキシル基もしくはアルコキシカル
ボニル基または置換されていてもよいアルキル、アルコ
キシ、アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキニル、
低級アルケニル、スルファモイル、アルキルスルフィニ
ル、アルキルスルホニル、アミジノ、フェニルもしくは
複素環式基、または式
【化8】 もしくは式
【化9】 (式中、R6は、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基
もしくはアルコキシカルボニル基または置換されていて
もよいアルキル、シクロアルキル、フェニル、アミノ、
アシル、カルバモイル、アルキルスルホニル、イミノメ
チルもしくはアミジノ基;R7は、水素原子、置換され
ていてもよいアルキル、アルコキシ、フェニル、シクロ
アルキルもしくは複素環式基を示すかまたはR6とR7
隣接する窒素原子と一緒になって3〜7員環の置換され
ていてもよい複素環式基を示す。)を;R5は、置換され
ていてもよいフェニル、チエニル、フリルまたはピリジ
ル基を;およびZは、酸素原子、硫黄原子またはイミノ
基を示す。]で表わされる2,3−ジヒドロ−4H−1
−ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩に関す
る。
【0002】
【従来の技術】特開平2-49778号公報に記載されたつぎ
の一般式[A]
【化10】 [式中、R1、R2、R3、R4、R5およびZは、前記し
た意味を有する。]で表わされる4H−1−ベンゾピラ
ン−4−オン誘導体またはその塩は、優れた抗炎症作
用、解熱鎮痛作用、抗関節炎作用および抗アレルギー作
用を有し、優れた治療効果を発揮する化合物である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一般式[A]で表わさ
れる4H−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体またはそ
の塩を製造するための有用な中間体が求められている。
【0004】
【課題を解決するための手段】このような状況下におい
て、本発明者らは鋭意研究を行った結果、一般式[1]
で表わされる2,3−ジヒドロ−4H−1−ベンゾピラ
ン−4−オン誘導体またはその塩が一般式[A]で表わ
される4H−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体または
その塩を製造する為の有用な中間体であることを見出
し、本発明を完成するに至った。以下、本発明化合物に
ついて詳述する。
【0005】本明細書において各用語は、特にことわら
ない限り、以下の意味を有する。アルキル基とは、たと
えば、メチル、エチル、n-プロピル、iso-プロピル、n-
ブチル、iso-ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチルおよびオクチルなどのC18アルキル基
を;シクロアルキル基とは、たとえば、シクロプロピ
ル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルお
よびシクロヘプチルなどのC38シクロアルキル基を;
低級アルキル基とは、たとえば、メチル、エチル、n-プ
ロピル、iso-プロピル、n-ブチル、iso-ブチル、tert−
ブチルおよびペンチルなどのC15アルキル基を;低級
アルケニル基とは、たとえば、ビニル、アリル、1−プ
ロペニルおよび1−ブテニルなどのC25アルケニル基
を;アルコキシ基とは、たとえば、−O−アルキル基
(アルキル基は、上記したC18アルキル基を示す。)
を;アシル基とは、たとえば、ホルミル基またはアセチ
ル、プロピオニルおよびブチリル基などのC28アルカ
ノイル基またはメトキサリルおよびエトキサリルなどの
アルコキシオキサリル基、シクロヘキサンカルボニルな
どのC38シクロアルキルカルボニル基またはベンゾイ
ル基などのアロイル基などを;アルコキシカルボニル基
とは、たとえば、−COOアルキル基(アルキル基は、
上記したC18アルキル基を示す。)を;ハロゲン原子
とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原
子などを;アルキルチオ基とは、たとえば、−S−アル
キル基(アルキル基は、上記したC18アルキル基を示
す。)を;アルキルスルフィニル基とは、たとえば、メ
チルスルフィニルおよびエチルスルフィニルなどのC1
4アルキルスルフィニル基を;アルキルスルホニル基
とは、たとえば、メチルスルホニルおよびエチルスルホ
ニルなどのC14アルキルスルホニル基を;アリール基
とは、たとえば、フェニルおよびナフチルなどの基を;
アシルアミノ基とは、たとえば、−NH−アシル基(ア
シル基は、上記したと同様の意味を有する。)を;アル
キルアミノ基とは、たとえば、−NH−アルキル基(ア
ルキル基は、上記したC18アルキル基を示す。)を;
ジアルキルアミノ基とは、たとえば、
【0006】
【化11】 (アルキル基は、上記したC18アルキル基を示す。)
を;ハロアルキル基とは、たとえば、クロロメチル、フ
ルオロメチル、ジクロロメチル、トリフルオロメチル、
ジクロロエチルおよびトリクロロエチルなどのハロ−C
18アルキル基を;アルキルスルホニルオキシ基とは、
たとえば、アルキルスルホニル−O−基(アルキルスル
ホニル基は、上記したC14アルキルスルホニル基を示
す。)を;アリールスルホニルオキシ基とは、たとえ
ば、フェニルスルホニルオキシおよびp-トルエンスルホ
ニルオキシなどの基を;低級アルキニル基とは、たとえ
ば、エチニルおよび2−プロピニルなどのC25アルキ
ニル基を;複素環式基とは、たとえば、チエニル、フリ
ル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チア
ゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ベンズイミダ
ゾリル、ベンズチアゾリル、1,2,3−チアジアゾリ
ル、1,2,4−チアジアゾリル、1,3,4−チアジアゾ
リル、1,3,4−オキサジアゾリル、1,2,3−トリア
ゾリル、1,2,4−トリアゾリル、テトラゾリル、ピリ
ジル、キノリル、イソキノリル、ピリミジニル、ピペラ
ジニル、ピラジニル、ピリダジニル、1,2,3,4−テ
トラヒドロキノリル、1,2,4−トリアジニル、イミダ
ゾ[1,2−b][1,2,4]トリアジニル、ピロリジ
ニル、モルホリニルおよびキヌクリジニルなどの酸素原
子、窒素原子および硫黄原子から選ばれる少なくとも1
つの異項原子を含有する4〜6員または縮合複素環式基
を示す。
【0007】一般式[1]において、R6 およびR7
隣接する窒素原子と一緒になって3〜7員環の複素環式
基を形成する場合、その複素環式基としては、たとえ
ば、アゼチジン−1−イル、ピロリジン−1−イル、ピ
ペリジン−1−イルおよびピロール−1−イルなどの3
〜7員環の含窒素複素環式基が挙げられる。
【0008】また、R3におけるアルキル、アルコキ
シ、シクロアルキル、フェノキシ、アミノ、カルバモイ
ルおよびフェニル基;R4におけるアルキル、アルコキ
シ、アルキルチオ、フェニルチオ、アミジノ、低級アル
ケニル、低級アルキニル、スルファモイル、アルキルス
ルフィニル、アルキルスルホニル、フェニルおよび複素
環式基;R6におけるアルキル、シクロアルキル、フェ
ニル、アミノ、アシル、カルバモイル、アルキルスルホ
ニル、イミノメチルおよびアミジノ基;R7におけるア
ルキル、アルコキシ、シクロアルキル、フェニルおよび
複素環式基;R6およびR7が隣接する窒素原子と一緒に
なって形成される3〜7員環の複素環式基;並びにR5
におけるフェニル、チエニル、フリルおよびピリジル基
は、ハロゲン原子、アルコキシ、アルキルチオ、フェノ
キシ、カルボキシル、アシル、アルコキシカルボニル、
カルバモイル、スルファモイル、シアノ、アルキルスル
ホニル、ヒドロキシル、メルカプト、アシルアミノ、ア
ルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルキル、シクロア
ルキル、オキソ、ニトロ、ハロアルキル、アミノ、フェ
ニル、アルコキシカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ
および複素環式基から選ばれる一種以上の置換基で置換
されていてもよい。
【0009】一般式[1]の2,3−ジヒドロ−4H−
1−ベンゾピラン−4−オン誘導体の塩としては、医薬
として許容される塩、たとえば、ナトリウムおよびカリ
ウムなどのアルカリ金属との塩;カルシウムおよびマグ
ネシウムなどのアルカリ土類金属との塩;アンモニウム
塩、トリエチルアミンおよびピリジンなどの有機アミン
類との塩;リジン、アルギニンおよびオルニチンなどの
アミノ酸との塩;塩酸、臭化水素酸および硫酸などの鉱
酸との塩;フマル酸、マレイン酸、リンゴ酸およびクエ
ン酸などの有機カルボン酸との塩;メタンスルホン酸、
p−トルエンスルホン酸およびナフタレンジスルホン酸
などのスルホン酸との塩などが挙げられる。
【0010】本発明化合物は、さらに全ての異性体(幾
何異性体、光学異性体)、水和物、溶媒和物および結晶
形を包含するものである。一般式[1]の2,3−ジヒ
ドロ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体または
その塩は、たとえば、つぎに示す方法によって製造する
ことができる。
【0011】
【化12】
【化13】
【0012】[式中、R1、R2、R3、R4、R5および
Zは、前記した意味を有し、R8は、低級アルキル基
を;R9は、置換されていてもよいアルキルまたはフェ
ニル基を;R3aは、R3で説明したと同様の水素原子ま
たは置換されていてもよいアルキル、シクロアルキルも
しくはフェニル基を;R4aは、R4で説明したと同様の
水素原子、シアノ、アシルもしくはアルコキシカルボニ
ル基または置換されていてもよいアルキルもしくはフェ
ニル基または式
【化14】 (R6およびR7は、前記した意味を有する。)を;X
は、ハロゲン原子を;Yは、ハロゲン原子または水素原
子を;〜は、(E)異性体または(Z)異性体またはそ
れらの混合物であることを意味する。] 一般式[1−1]〜[1−6]の化合物は、塩としても
得ることもでき、それらの塩としては、一般式[1]の
化合物の塩と同様のものが挙げられる。以下、各製造法
について説明する。
【0013】(製造法1)一般式[4]の化合物を閉環
反応に付すことによって一般式[1]の化合物を得るこ
とができる。この反応においては溶媒を用いてもよく、
その溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であ
れば特に限定されないが、たとえば、ベンゼン、キシレ
ンなどを使用することができる。しかしながら、この反
応は溶媒の不存在下に行うこともできる。この閉環反応
では縮合剤が使用され、その縮合剤としては、五酸化リ
ン、ポリリン酸、塩化亜鉛、濃硫酸、ハロゲノスルホン
酸、無水硫酸および濃硫酸−塩化アセチルなどが挙げら
れる。これらの縮合剤の使用量は、一般式[4]の化合
物に対して、1〜50倍モルである。この反応は通常0〜12
0℃で、30分〜24時間実施すればよい。また、一般式
[4]の化合物を塩化チオニルまたは五塩化リンなどの
酸ハロゲン化剤を使用して、カルボン酸ハライドとした
後、塩化アルミニウムなどのルイス酸を使用してフリー
デル・クラフト反応を行うことにより閉環することもで
きる。
【0014】(製造法2)一般式[8]の化合物を一般
式[9]の化合物の反応性誘導体と反応させることによ
り、一般式[1]の化合物を得ることができる。この反
応で使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさな
い溶媒であれば特に限定されないが、たとえば、塩化メ
チレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタンなどの
ハロゲン化炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類;ジ
メチルスルホキシドなどのスルホキシド類などが挙げら
れる。また、ピリジンなどの有機アミンを溶媒として使
用することもできる。この反応は塩基の存在下に行うこ
ともでき、その塩基としては、水素化ナトリウム、水素
化カリウムなどのアルカリ金属水素化物;ナトリウムメ
トキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム tert-ブト
キシドなどのアルカリ金属アルコキシド;炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩;トリエチ
ルアミン、ピリジンなどの有機アミン類などが挙げられ
る。一般式[9]の化合物の反応性誘導体としては、た
とえば、酸ハライド、酸無水物などが挙げられる。塩基
および一般式[9]の化合物の反応性誘導体の使用量
は、一般式[8]の化合物に対して、それぞれ、1〜1.5
倍モルである。この反応は−30〜150℃で、30分〜24時
間実施すればよい。
【0015】(製造法3)一般式[1−1]の化合物を
ハロゲン化剤と反応させることにより、一般式[1−
2]の化合物を得ることができる。この反応に使用され
る溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれ
ばとくに限定されないが、たとえば、塩化メチレン、
1,2−ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン
化炭化水素類;メタノール、エタノールなどのアルコー
ル類;酢酸エチルなどのエステル類;酢酸、ギ酸などの
有機カルボン酸類などが挙げられ、これらの溶媒は、二
種以上混合して用いてもよいこの反応に使用されるハロ
ゲン化剤としては、たとえば、塩素、臭素、塩化スルフ
リルなどが挙げられる。ハロゲン化剤の使用量は、一般
式[1−1]の化合物に対して、0.9〜1.1倍モルであ
る。この反応は通常、0〜100℃、好ましくは、10〜40℃
で、30分〜3時間実施すればよい。
【0016】(製造法4)一般式[1−2]の化合物を
四フッ化ホウ素酸銀の存在下、一般式[10]の化合物
と反応させることにより、一般式[1−3]の化合物を
得ることができる。この反応において、一般式[10]
の化合物を溶媒として用いてもよい。この反応で使用さ
れる四フッ化ホウ素酸銀および一般式[10]の化合物
の使用量は、一般式[1−2]の化合物に対して、それ
ぞれ1〜5倍モルおよび10〜100倍モルである。この反応
は通常、20〜100℃で、30分〜24時間実施すればよい。
【0017】(製造法5)一般式[1−4]の化合物を
塩基の存在下、チオエーテル化反応に付すことにより、
一般式[1−5]の化合物を得ることができる。 (i)Yがハロゲン原子である一般式[1−4]の化合物
を塩基の存在下、一般式 R9SH [11] (R9は前記した意味を有する。)の化合物を反応させ
ることにより、一般式[1−5]の化合物を得ることが
できる。この反応に使用される溶媒としては、反応に悪
影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定されないが、た
とえば、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、クロ
ロホルムなどのハロゲン化炭化水素類;メタノール、エ
タノールなどのアルコール類;N,N−ジメチルホルム
アミドなどのアミド類;アセトンなどのケトン類;テト
ラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類などが挙
げられ、これらの溶媒は二種以上混合して用いてもよ
い。この反応で使用される塩基としては、トリエチルア
ミン、ピリジンなどの有機塩基;金属ナトリウム、金属
カリウムなどのアルカリ金属;炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウムなどのアルカリ金属炭酸塩;ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム tert-ブトキシド
などのアルカリ金属アルコキシドなどが挙げられる。塩
基および一般式[11]の化合物の使用量は、一般式
[1−4]の化合物に対して、それぞれ、1〜10倍モル
および1〜5倍モルである。この反応は通常、0〜150℃
で、30分〜24時間実施すればよい。
【0018】(ii)Yが水素原子である一般式[1−4]
の化合物を塩基と反応させた後、チオエーテル化剤を反
応させることにより、一般式[1−5]の化合物を得る
ことができる。この反応に使用される溶媒としては、反
応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定されない
が、たとえば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどのエーテル類;ベンゼン、トルエン
などの芳香族炭化水素類;ヘキサメチルホスホリックト
リアミド(HMPA)などが挙げられ、これらの溶媒は
二種以上混合して用いてもよい。この反応で使用される
塩基としては、たとえば、ブチルリチウム、フェニルリ
チウム、リチウムジイソプロピルアミン、リチウムヘキ
サメチルジシラザンなどの有機リチウム化合物などが挙
げられる。また、チオエーテル化剤としては、たとえ
ば、ジメチルジスルフィド、ジフェニルジスルフィドな
どのジスルフィド;メタンチオールスルホン酸メチル、
ベンゼンチオールスルホン酸メチルなどのチオールスル
ホナート;メチルスルフェニルクロリド、フェニルスル
フェニルクロリドなどのハロゲン化スルフェニルなどが
挙げられる。塩基およびチオエーテル化剤の使用量は、
一般式[1−4]の化合物に対して、それぞれ、1〜10
倍モルである。この反応は通常、−78〜0℃で、1時間〜
24時間実施すればよい。
【0019】(製造法6)一般式[1−1]の化合物を
一般式[1−1]の化合物に対して2〜2.5倍モルのハロ
ゲン化剤と反応させることにより、一般式[1−6]の
化合物を得ることができる。この反応は製造法3で説明
したと同様に実施することができる。なお、原料化合物
および中間体を塩として用いる場合、それらの塩として
は、一般式[1]の化合物の塩と同様のものが挙げられ
る。つぎに、本発明の原料化合物は、たとえば、つぎの
製造法によって製造することができる。
【0020】
【化15】
【0021】[式中、R1 、R2、R3、R4、R5
3a、R4a、X、Zおよび〜は前記した意味を有し;R
10はアシル基を意味する。] なお、原料化合物および中間体も塩として用いることが
でき、これらの塩としては、一般式[1]の化合物の塩
と同様のものが挙げられる。以下、各製造法について説
明する。
【0022】(製造法A)一般式[2]の化合物を塩基
の存在下、一般式[3]の化合物と反応させることによ
り、一般式[4]の化合物を得ることができる。この反
応に使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさな
い溶媒であれば特に限定されないが、たとえば、水、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシドまたは水と有機溶媒(た
とえば、N,N−ジメチルホルムアミド、ジオキサン、
メタノール、エタノールなど)との混合溶媒などが挙げ
られる。この反応に使用される塩基としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化
物;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウム tert-ブトキシドのようなアルカリ金属アルコキ
シド;水素化ナトリウム、水素化カリウムのようなアル
カリ金属水素化物などが挙げられる。また、一般式
[3]の化合物の代わりに、β−プロピオラクトンまた
はその誘導体を使用してもよい。塩基および一般式
[3]の化合物の使用量は、一般式[2]の化合物に対
して、それぞれ、1〜10倍モルおよび1〜5倍モルであ
る。この反応は通常、20〜100℃で、30分〜24時間実施
すればよい。4位にR5−Z−基(式中、R5およびZは
前記した意味を有する。)を有する3−ニトロフェノー
ル(参照:特開昭57−203079号)を、通常のニトロ基の
還元並びに前述した製造法2に記載のスルホニル化を行
うことにより、原料である一般式[2]の化合物を得る
ことができる。
【0023】(製造法B)一般式[5]の化合物を前記
した製造法Aおよび製造法1の方法に準じて、一般式
[3]の化合物と反応させることにより、一般式[6]
の化合物を得、ついで、一般式[6]の化合物を閉環反
応に付すことにより、一般式[7]の化合物を得ること
ができる。一般式[7]の化合物を酸触媒の存在下、脱
アシル化反応に付すことにより、一般式[8]の化合物
を製造することができる。この反応に使用される溶媒と
しては、水および水と有機溶媒(たとえば、メタノー
ル、エタノール、ジオキサン、テトラヒドロフランな
ど)との混合物が挙げられる。この反応に使用される酸
触媒としては、塩酸、硫酸などの鉱酸またはパラトルエ
ンスルホン酸などの有機酸などが挙げられる。酸触媒の
使用量は、一般式[7]の化合物に対して、0.1〜50倍
モルである。この反応は通常、0〜150℃で、30分〜24時
間実施すればよい。
【0024】さらに、本発明化合物および原料化合物
は、たとえば、通常知られている酸化、還元、脱水、加
水分解、ハロゲン化、アルキル化、アシル化、アミド
化、アルキルスルホニル化、アルケニルスルホニル化、
アリールスルホニル化、エステル化、イミノ化、脱アル
キル化、ヘテロ環形成反応などを適宜組合わせることに
より、他の目的化合物または他の原料化合物に誘導する
こともできる。
【0025】また、R3、R4およびR5がホルミル、ア
シル、シアノ、カルバモイルもしくはカルボキシル基で
あるかまたはこれらの官能基で置換された基である一般
式[1]の化合物は、他の目的化合物に誘導することが
できる。たとえば、R3、R4およびR5 がホルミル基ま
たはホルミルで置換された基である一般式[1]の化合
物は、テトラヘドロン・レターズ[Tetrahedron.Let
t.]第1187頁〜第1190頁(1974年);シンセティック・コ
ミニュケーションズ[Synth.Comm.]第10巻、第889頁〜
895頁(1980年)、テトラヘドロン[Tetrahedron]第30
巻、第3563頁〜3568頁(1974年)、カレント・サイエンス
[Curr.Sci.]第49巻、第18頁〜第19頁(1980年)、テト
ラヘドロン・レターズ[Tetrahedron Lett.]第1955頁〜
第1998頁(1973年)、米国特許第4,196,128号および第3,9
06,005号、オーストラリア特許第516,897号などに記載
されている方法に準じてR3、R4およびR5がカルボキ
シル、シアノ、ハロゲン、ニトロまたはヒドロキシル基
であるかまたはこれらの基で置換された基である他の目
的化合物に変換することもできる。また、R3、R4およ
びR5がアシル基またはアシル基で置換された基である
一般式[1]の化合物は、通常知られている反応、たと
えば、ウィテッヒ(Wittig)反応により、R3、R4およ
びR5がアルケニル基であるかまたはアルケニル基で置
換された基である目的化合物に誘導することもできる。
この反応は、オーガニック・リアクション[Organic Re
action]第14巻、第270 頁〜第490頁に記載されている
方法に準じて行うことができる。あるいはグリニャール
(Grignard)反応によりアシル基を、相当するアルコー
ルに誘導することもできる。この反応は、日本化学会
編、実験化学講座、第18巻、有機化合物の反応、第363
頁〜第408頁(丸善)に記載されている方法に準じて行
うことができる。また、R3、R4およびR5がカルボキ
シル基またはカルボキシル基で置換された基である一般
式[1]の化合物は、クルチウス(Curtius)転移により
3、R4およびR5がアミノもしくはアルコキシカルボ
ニルアミノ基であるかまたはアミノもしくはアルコキシ
カルボニルアミノ基で置換された基である目的化合物に
誘導することもできる。この反応はオーガニック・リア
クション[Organic Reaction]第3巻、第337頁〜第449
頁に記載されている方法に準じて行うことができる。
【0026】なお、原料化合物または目的化合物におい
て、それらがヒドロキシル基、アミノ基またはカルボキ
シル基などを有する場合、これらの基はたとえば、プロ
テクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセ
シス[Protective Groups inOrganic Synthesis ティ
ー・ダブリュー・グリーン(T.W.Green)著、(1981年)ジ
ョン・ウィリー・アンド・サンズ社(John Wiley & Son
s,Inc.)]に記載の保護基で保護されていてもよく、必要
に応じて常法で該保護基を脱離することもできる。つぎ
に本発明の一般式[1]の化合物から一般式[A]を製
造する方法について説明する。
【0027】
【化16】
【0028】[式中、R1、R2、R3、R4、R5、Xお
よびZは、前記した意味を有する。]
【0029】(製造法イ)一般式[1]の化合物を脱水
素化反応に付すことにより、一般式[A]の化合物を得
ることができる。脱水素化反応は、たとえば、つぎのよ
うなものが挙げられる。 (i)一般式[1]の化合物を脱水素化剤と反応させるこ
とにより、一般式[A]の化合物を得ることができる。
この反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響を及
ぼさない溶媒であれば特に限定されないが、たとえば、
水;酢酸;無水酢酸;ベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類;ジオキサンなどのエーテル類な
どが挙げられる。この反応に使用される脱水素化剤とし
ては、たとえば、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−
1,4−ベンゾキノン(DDQ)、クロラニル、トリチ
ルパークロレート、トリチルフルオロボレート、二酸化
セレン、パラジウム−炭素などが挙げられる。この反応
における脱水素化剤の使用量は、一般式[1]の化合物
に対して、0.5〜5倍モルである。この反応は通常、0〜1
50℃で、30分〜72時間実施すればよい。
【0030】(ii)また、一般式[1]の化合物にハロゲ
ン化剤を反応させた後、塩基を作用させることによって
も一般式[A]の化合物を得ることができる。ハロゲン
化反応に使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼ
さないものであれば特に限定されないが、たとえば、塩
化メチレン、1,2−ジクロロエタン、クロロホルムな
どのハロゲン化炭化水素類;メタノール、エタノールな
どのアルコール類;酢酸エチルなどのエステル類;酢
酸、ギ酸などの有機カルボン酸類などが挙げられ、これ
らの溶媒は二種以上混合して用いてもよい。この反応に
使用されるハロゲン化剤としては、たとえば、塩素、臭
素、塩化スルフリルなどが挙げられる。ハロゲン化剤の
使用量は、一般式[1]の化合物に対して、0.9 〜1.1
倍モルである。この反応は通常、0〜100℃、好ましくは
10〜40℃で、30分〜3時間実施すればよい。ついで、得
られたハロゲン体に塩基を反応させる際、使用される溶
媒としては、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特
に限定されないが、たとえば、塩化メチレン、1,2−
ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水
素類;メタノール、エタノールなどのアルコール類;
N,N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類;ピリジ
ンなどが挙げられ、これらの溶媒は二種以上混合して用
いてもよい。この反応に用いられる塩基としては、トリ
エチルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウ
ンデク−7−エン(DBU)、ピリジンなどの有機塩
基、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの炭酸アルカリ
などが挙げられる。塩基の使用量は、一般式[1]の化
合物に対して、1〜10倍モルである。この反応は通常、0
〜100℃で、30分〜24時間実施すればよい。
【0031】(製造法ロ)一般式[1−2]の化合物を
アジ化ナトリウムもしくはアジ化カリウムなどのアジ化
アルカリまたはアジ化アンモニウムと反応させることに
より、一般式[A−1]の化合物を得ることができる。
この反応はケミカル・アブストラクト(C.A.) 第89巻、4
3022pに記載の方法に準じて行うことができる。この反
応に使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさな
い溶媒であれば特に限定されないが、たとえば、水;
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類;スルホラン;アセトニトリルな
どのニトリル類;アセトンなどのケトン類;ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類;メタノール、エタノ
ールなどのアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキ
サンなどのエーテル類などが挙げられ、これらの溶媒は
二種以上混合して用いてもよい。アジ化アルカリまたは
アジ化アンモニウムの使用量は、一般式[1−2]の化
合物に対して、それぞれ1〜5倍モルである。この反応は
通常、室温〜100℃で、30分〜12時間実施すればよい。
【0032】(製造法ハ)一般式[1−6]の化合物を
塩基と反応させることにより、一般式[A−2]の化合
物を得ることができる。この反応に使用される溶媒とし
ては、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定
されないが、たとえば、塩化メチレン、1,2−ジクロ
ロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類;
メタノール、エタノールなどのアルコール類;酢酸エチ
ルなどのエステル類;N,N−ジメチルホルムアミドな
どのアミド類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類;ピリジン;2,6−ルチジンなどが挙げられ、こ
れらの溶媒は二種以上混合して用いてもよい。この反応
に使用される塩基としては、たとえば、トリエチルアミ
ン、ピリジン、2,6−ルチジン、DBUなどの有機塩
基;炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属
炭酸塩などが挙げられる。塩基の使用量は、一般式[1
−6]の化合物に対して、1〜5倍モルである。この反応
は通常、20〜150℃で、10分〜24時間実施すればよい。
【0033】
【発明の効果】本発明の一般式[1]で表わされる化合
物は、優れた抗炎症作用、解熱鎮痛作用、抗関節炎作用
および抗アレルギー作用を有し、優れた治療効果を発揮
する化合物である一般式[A]の中間体として有用であ
る。
【0034】
【実施例】つぎに、本発明を参考例および実施例を挙げ
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。なお、溶媒の混合比はすべて容量比であり、カラム
クロマトグラフィーにおける担体はメルク社製のシリカ
ゲル[キーゼルゲル60、アート.7734(Kieselgel 60,Ar
t.7734) ]を用いた。また、以下に使用される略号はつ
ぎの意味を有する。 Me;メチル、Et;エチル、i-Pr;イソプロピル、
Ac;アセチル、IPA;イソプロピルアルコール、I
PE;ジイソプロピルエーテル、Bz;ベンゾイル、D
MSO;ジメチルスルホキシド、〜;(E)体、(Z)
体またはそれらの混合物 また表中の[ ]は再結晶溶媒を示す。
【0035】参考例1 (1)3−ニトロ−4−フェノキシフェノール23.1gにエタ
ノール120mlおよび水120mlを加え、60℃で加熱溶解させ
る。ついで、4N塩酸2.3mlを加え、反応温度を65〜70℃
に保ちながら鉄粉16.8gを20分間を要して分割添加す
る。この混合物を同温度で30分間撹拌した後、反応液を
熱時濾過し、濾液に水50mlを加え、放冷した後、析出晶
を濾取すれば、融点156〜157℃を示す3−アミノ−4−
フェノキシフェノール16.5g(収率82.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3400,3320,1590,1453,1230 同様にして、表1の化合物を得た。
【0036】
【化17】
【0037】
【表1】
【0038】(2)3−アミノ−4−フェノキシフェノー
ル20.1gおよびピリジン23.7gを塩化メチレン200mlに溶
解させる。氷冷下メタンスルホニルクロリド12.6gを含
む塩化メチレン60ml溶液を30分間を要して滴下する。こ
の混合物を同温度で2時間反応させ、これに水200mlを加
えた後、4N塩酸でpH3に調整し、有機層を分取する。有
機層を水および飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥する。減圧下に溶媒を留去し、得ら
れた結晶をベンゼンから再結晶すれば、融点138〜140℃
を示す3−メチルスルホニルアミノ−4−フェノキシフ
ェノール23.7g(収率84.9%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3440,3250,1318,1215,1150 同様にして、表2〜3の化合物を得た。
【0039】
【化18】
【0040】
【表2】
【0041】
【表3】
【0042】参考例2 3−アミノ−4−フェノキシフェノール20.1gを酢酸60m
lに溶解させ、これに氷冷下、無水酢酸30mlを加えた
後、この混合物を20〜25℃で1時間撹拌する。減圧下に
溶媒を留去し、得られた結晶をトルエンから再結晶すれ
ば、融点151〜153℃を示す3−アセチルアミノ−4−フ
ェノキシフェノール22.6g(収率93%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3440,3190,1665,1605,1540,1450,1238,12
15
【0043】参考例3 (1)水酸化ナトリウム8.0gを水240mlに溶解させ、これに
3−アセチルアミノ−4−フェノキシフェノール24.3g
を溶解させる。ついで、これに3−クロロプロピオン酸
10.9gを加え、この混合物を30分間還流する。反応液を
水冷し、析出晶を濾去した後、濾液を4N塩酸でpH9に調
整し、酢酸エチル50mlずつで2回洗浄する。水層を分取
し、4N塩酸でpH4に調整した後、酢酸エチル200mlで抽
出する。抽出液を水および飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下に溶媒を留去
し、得られた結晶にジエチルエーテルを加え、析出した
結晶を濾取すれば、融点138〜140℃を示す3−(3−ア
セチルアミノ−4−フェノキシフェノキシ)プロピオン
酸10.0g(収率31.7%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3270,1730,1630,1590,1540,1475,1425,12
20 NMR(d6-DMSO)δ値;2.00(3H,s),2.68(2H,t,J=6Hz),4.14
(2H,t,J=6Hz),6.50 〜7.92(7H,m),7.67(1H,d,J=2.4Hz),
9.22(1H,bs)
【0044】(2)後述する実施例1(2)と同様にして、
つぎの化合物を得た。 ・7−アセチルアミノ−2,3−ジヒドロ−6−フェノ
キシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン 融点;214〜215℃(アセトニトリル−酢酸エチルから再
結晶) IR(KBr)cm-1;3305,1700,1665,1615,1590,1520,1438,12
70,1245,1220 NMR(CDCl3+d6-DMSO)δ値;2.16(3H,s),2.69(2H,t,J=6H
z),4.49(2H,t,J=6Hz),6.75 〜7.54(5H,m),7.19(1H,s),
8.06(1H,s),9.32(1H,bs)
【0045】実施例1 (1)水酸化ナトリウム4gを溶解させた水250mlに3−メチ
ルスルホニルアミノ−4−フェノキシフェノール27.9g
を溶解させる。これに3−クロロプロピオン酸10.9gお
よび水酸化ナトリウム4gを水30mlに溶解させた水溶液を
加え、この混合物を30分間還流する。反応液を水冷した
後、4N塩酸でpH8に調整する。これに酢酸エチル70mlを
加え、水層を分取する。水層を4N塩酸でpH4に調整し、
酢酸エチル100mlで抽出する。抽出した有機層を水およ
び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥する。ついで、減圧下に溶媒を留去し、得られた残留
物にジエチルエーテルを加える。析出固体を濾取すれ
ば、融点145〜149℃を示す3−(3−メチルスルホニル
アミノ−4−フェノキシフェノキシ)プロピオン酸8.1g
(収率23.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3250,1705,1482,1325,1210,1145 同様にしてつぎの化合物を得た。 ・3−(3−メチルスルホニルアミノ−4−フェノキシ
フェノキシ)−3−メチルプロピオン酸 融点;121〜124℃ IR(KBr)cm-1;3350,1710,1500,1335,1215,1155
【0046】(2)3−(3−メチルスルホニルアミノ−
4−フェノキシフェノキシ)プロピオン酸3.51gおよび
ポリリン酸70gを混合し、この混合物を65〜70℃で1.5時
間撹拌する。反応液を氷水300mlに導入し、酢酸エチル2
00mlで2回抽出する。抽出した有機層を合わせ、水およ
び飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥する。ついで、減圧下に溶媒を留去し、得られた
結晶をメタノールから再結晶すれば、融点143〜144℃を
示す2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−
6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン1
8.7g(収率56.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3120,1665,1610,1485,1440,1320,1265,12
15,1160,1135 NMR(CDCl3)δ値;2.74(2H,t,J=6Hz),3.10(3H,s),4.53(2
H,t,J=6Hz),6.91〜7.49(7H,m),7.40(1H,s)
【0047】実施例2 3−ブロモ−2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニル
アミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4
−オン4.12g、四フッ化ホウ素酸銀9.37gおよびメタノー
ル100mlを混合し、この混合物を4時間還流する。反応液
を冷却した後、不溶物を濾去し、減圧下に溶媒を留去す
る。得られた残留物をカラムクロマトグラフィー(溶出
液;トルエン:酢酸エチル=5:1)で精製すれば、2,
3−ジヒドロ−3−メトキシ−7−メチルスルホニルア
ミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−
オン1.27g(収率35%)を得る。 融点;139〜141℃(エタノールから再結晶) IR(KBr)cm-1;3230,1680,1610,1490,1450,1330,1260,12
10,1150
【0048】実施例3 3−ブロモ−2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニル
アミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4
−オン2.06gおよびメチルメルカプタン480mgを塩化メチ
レン50mlに溶解させ、これに0〜5℃でトリエチルアミン
2.02gを加え、この混合物を室温で1時間撹拌する。反応
液を水30mlに導入し、有機層を分取する。有機層を水で
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下
に溶媒を留去し、得られた残留物をカラムクロマトグラ
フィー(溶出液;トルエン:酢酸エチル=50:1)で精製
すれば、2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミ
ノ−3−メチルチオ−6−フェノキシ−4H−1−ベン
ゾピラン−4−オン900mg(収率47.4%)を得る。 融点;126〜128℃(エタノールから再結晶) IR(KBr)cm-1;3250,1690,1610,1480,1440,1340,1260,12
20,1160,1140
【0049】実施例4 (1)7−アセチルアミノ−2,3−ジヒドロ−6−フェ
ノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン29.7g、エ
タノール30mlおよび6N塩酸300mlを混合し、この混合物
を1時間還流する。反応液を氷水3lに導入し、析出した
結晶を濾取した後、エタノールから再結晶すれば、融点
154〜155℃を示す7−アミノ−2,3−ジヒドロ−6−
フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン23.5g
(収率92.2%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3470,3330,1655,1610,1570,1500,1460,13
20,1300,1255
【0050】(2)7−アミノ−2,3−ジヒドロ−6−
フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン25.5g
をピリジン200mlに溶解させ、これに20〜25℃に保ちな
がらメタンスルホニルクロリド12.6gを滴下する。この
混合物を同温度で12時間反応させた後、減圧下に反応液
の溶媒を留去する。得られた残留物を酢酸エチル200ml
に溶解させ、1N水酸化ナトリウム水溶液500mlずつで2
回抽出する。抽出した水層を合わせ、4N塩酸でpH4に調
整し、酢酸エチル300mlずつで2回抽出する。抽出した有
機層を合わせ、水および飽和食塩水で順次洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下に溶媒を留去
し、得られた結晶をメタノールから再結晶すれば、2,
3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−6−フェ
ノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン27.0g(収
率81.1%)を得る。この化合物の物性(融点およびIR)
は、実施例1(2)で得られた化合物の物性と一致した。
同様にして、表4〜7の化合物を得た。
【0051】
【化19】
【0052】
【表4】
【0053】
【化20】
【0054】
【表5】
【0055】
【表6】
【0056】
【表7】
【0057】実施例5 3−(3−メチルスルホニルアミノ−4−フェノキシフ
ェノキシ)−3−メチルプロピオン酸5.69gにポリリン
酸100gを加え、この混合物を65℃で1時間撹拌する。つ
いで、反応液を氷水400mlに導入し、これに酢酸エチル1
50mlを加えた後、有機層を分取する。減圧下に溶媒を留
去する。得られた残留物を1N水酸化ナトリウム水溶液1
50mlに溶解させ、この溶液をジエチルエーテルで洗浄し
た後、4N塩酸でpH4に調整し、これに酢酸エチル150ml
を加え、有機層を分取する。有機層を水および飽和食塩
水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物をカラムク
ロマトグラフィー(溶出液;トルエン:酢酸エチル=2
5:1)で精製した後、エタノールから再結晶すれば、2,
3−ジヒドロ−2−メチル−7−メチルスルホニルアミ
ノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オ
ン2.16g(収率40%)を得る。この化合物の物性(融点
およびIR)は、実施例4で得られた化合物の物性と一致
した。
【0058】実施例6 2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−6−
フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン33.3g
をクロロホルム300mlに溶解させる。この溶液に反応温
度を25〜30℃に保ちながら、臭素16.3gを30分間を要し
て滴下する。滴下終了後、この混合物を25〜30℃で30分
間撹拌し、これに水100mlを加えた後、有機層を分取す
る。有機層を5%チオ硫酸ナトリウム水溶液、水および
飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。減圧下に溶媒を留去すれば、3−ブロモ−
2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−6−
フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン40.1g
(収率97.3%)を得る。 融点;137〜140℃(トルエンから再結晶) IR(KBr)cm-1;3250,1680,1610,1485,1325,1260,1205 NMR(CDCl3)δ値;3.14(3H,s),4.54 〜4.70(3H,m),6.91
〜7.38(8H,m)
【0059】実施例7 2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−6−
フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン1.00g
を無水テトラヒドロフラン−ヘキサメチルホスホリック
トリアミド(7:3)の混合液10mlに溶解させる。この溶
液に−78℃で1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラ
ザン1.17gおよびn-ブチルリチウム6.6ミリモルから調製
した1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン−リ
チウム塩のテトラヒドロフラン溶液10mlを加え、この混
合物を40分間撹拌した後、同温度でメタンチオールスル
ホン酸メチル500mgを加え、この混合物を15分間撹拌す
る。ついで、反応液を室温まで昇温する。反応液を氷冷
下、2N塩酸80mlに導入し、この混合物を酢酸エチル40m
lずつで2回抽出する。抽出液を合わせ、水および飽和食
塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。減圧下に溶媒を留去し、得られた油状物をカラムク
ロマトグラフィー(溶出液;トルエン:酢酸エチル=5
0:1)で精製すれば、2,3−ジヒドロ−7−メチルス
ルホニルアミノ−3−メチルチオ−6−フェノキシ−4
H−1−ベンゾピラン−4−オン480mg(収率39.6%)を
得る。この化合物の物性(融点およびIR)は、実施例4
(2)で得られた化合物の物性と一致した。
【0060】製造例1 2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−6−
フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン3.33g
および2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−
ベンゾキノン3.40gをジオキサン60mlに加え、この混合
物を12時間還流する。水冷した後、析出物を濾去し、減
圧下に溶媒を留去する。得られた残留物をカラムクロマ
トグラフィー(溶出液;トルエン:酢酸エチル=5:1)
で精製すれば、7−メチルスルホニルアミノ−6−フェ
ノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン2.68g(収
率81%)を得る。 融点;216.7〜217.6℃(アセトニトリルから再結晶) IR(KBr)cm-1;3110,1620,1585,1560,1485,1465,1440,13
20,1140 NMR(CDCl3 +d6 -DMSO)δ値;3.12(3H,s),6.24(1H,d,J=6
Hz),6.98〜7.53(6H,m),7.75(1H,s),7.90(1H,d,J=6Hz),
9.20(1H,bs)
【0061】製造例2 2,3−ジヒドロ−3−メトキシ−7−メチルスルホニ
ルアミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−
4−オン3.63g、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ
−1,4−ベンゾキノン3.41gおよびジオキサン150mlを
混合し、48時間還流する。反応液を冷却し、析出物を濾
去した後、減圧下に溶媒を留去する。得られた残留物を
カラムクロマトグラフィー(溶出液;トルエン:酢酸エ
チル=3:1)で精製すれば、3−メトキシ−7−メチル
スルホニルアミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾ
ピラン−4−オン1.91g(収率52.9%)を得る。 融点;164〜166℃(エタノールから再結晶) IR(KBr)cm-1;1610,1480,1460,1330,1260,1215,1175,11
40
【0062】製造例3 2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニルアミノ−3−
メチルチオ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン
−4−オン350mgおよび2,3−ジクロロ−5,6−ジ
シアノ−1,4−ベンゾキノン1.08gをジオキサン14ml
中で9時間還流する。ついで、減圧下に溶媒を留去し、
得られた残留物をカラムクロマトグラフィー(溶出液;
トルエン:酢酸エチル=10:1)で精製すれば、7−メチ
ルスルホニルアミノ−3−メチルチオ−6−フェノキシ
−4H−1−ベンゾピラン−4−オン160mg(収率45.7
%)を得る。 融点;175〜176℃(アセトニトリルから再結晶) IR(KBr)cm-1;3120,1600,1480,1420,1310,1210,1140
【0063】製造例4 製造例1、製造例2または製造例3と同様にして、表8
〜14の化合物を得た。
【0064】
【化21】
【0065】
【表8】
【0066】
【表9】
【0067】
【表10】
【0068】
【表11】
【0069】
【表12】
【0070】
【表13】
【0071】
【表14】
【0072】製造例5 3−ブロモ−2,3−ジヒドロ−7−メチルスルホニル
アミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラン−4
−オン40.1gをN,N−ジメチルホルムアミド280mlに溶
解させる。ついで、これにアジ化ナトリウム13.9gを加
え、この混合物を70〜75℃で1時間撹拌する。反応液を
水1.5lおよび酢酸エチル300mlの混合溶媒に導入し、濃
塩酸でpH0.1に調整した後、水層を分取する。水層を酢
酸エチル200mlで洗浄した後、10%水酸化ナトリウム水溶
液でpH4.0に調整し、酢酸エチル500mlずつで2回抽出す
る。抽出した有機層を合わせ、水および飽和食塩水で順
次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧
下に溶媒を留去し、得られた結晶をエタノールから再結
晶すれば、融点162〜163℃を示す3−アミノ−7−メチ
ルスルホニルアミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベン
ゾピラン−4−オン2.84g(収率82.1%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3440,3330,3180,1600,1580,1550,1480,14
65,1330,1205,1150 NMR(d6-DMSO)δ値;3.19(3H,s),5.50 〜7.00(2H,br),7.
04〜7.49(5H,m),7.35(1H,s),7.62(1H,s),7.94(1H,s)
【0073】製造例6 製造例5と同様にして、表15〜16の化合物を得た。
【0074】
【化22】
【0075】
【表15】
【0076】
【表16】
【0077】製造例7 3,3−ジブロモ−2,3−ジヒドロ−7−メチルスル
ホニルアミノ−6−フェノキシ−4H−1−ベンゾピラ
ン−4−オン4.81gをピリジン20mlに溶解させ、この溶
液を20分間還流する。反応液を水200mlに導入し、濃塩
酸でpH4に調整した後、酢酸エチル100mlずつで2回抽出
する。抽出した有機層を合わせ、水および飽和食塩水で
順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減
圧下に溶媒を留去し、得られた結晶をアセトニトリルか
ら再結晶すれば、融点215〜216℃を示す3−ブロモ−7
−メチルスルホニルアミノ−6−フェノキシ−4H−1
−ベンゾピラン−4−オン3.30g(収率82%)を得る。 IR(KBr)cm-1;3100,3080,1635,1620,1485,1455,1335,11
55 NMR(d6-DMSO)δ値;3.23(3H,s),7.06 〜7.66(5H,m), 7.
30(1H,s),7.72(1H,s),8.81(1H,s),10.07(1H,s) 同様にして、つぎの化合物を得た。 3−クロロ−7−メチルスルホニルアミノ−6−フェノ
キシ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン 融点;200 〜201℃(酢酸エチル−ジイソプロピルエー
テルから再結晶) IR(KBr)cm-1;3220,3050,1645,1600,1560,1480,1450
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 A61K 31/445 ABG A61K 31/445 ABG C07D 311/24 C07D 311/24 311/36 311/36 405/12 213 405/12 213 257 257 409/12 311 409/12 311 (72)発明者 長木 秀嘉 富山県富山市奥田町24−8 (72)発明者 霜鳥 智也 富山県富山市小杉175−3 (72)発明者 牧野 伸治 富山県黒部市三日市3490 (56)参考文献 特開 昭57−203079(JP,A) 特開 昭61−251679(JP,A)

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式[1] 【化1】 [式中、R1は、ハロゲン原子で置換されていてもよい
    低級アルキル、低級アルケニルまたはアリール基を;R
    2は、水素原子、アルキル基またはアシル基を;R3は、
    水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アジド基、カルボ
    キシル基、ヒドロキシル基、ホルミル基もしくはアルコ
    キシカルボニル基または置換されていてもよいアルキ
    ル、アルコキシ、フェノキシ、シクロアルキル、カルバ
    モイル、アミノもしくはフェニル基を;R4は、水素原
    子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
    基、アシル基、ヒドロキシル基もしくはアルコキシカル
    ボニル基または置換されていてもよいアルキル、アルコ
    キシ、アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキニル、
    低級アルケニル、スルファモイル、アルキルスルフィニ
    ル、アルキルスルホニル、アミジノ、フェニルもしくは
    複素環式基、または式 【化2】 もしくは式 【化3】 (式中、R6は、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基
    もしくはアルコキシカルボニル基または置換されていて
    もよいアルキル、シクロアルキル、フェニル、アミノ、
    アシル、カルバモイル、アルキルスルホニル、イミノメ
    チルもしくはアミジノ基;R7は、水素原子、置換され
    ていてもよいアルキル、アルコキシ、フェニル、シクロ
    アルキルもしくは複素環式基を示すかまたはR6とR7
    隣接する窒素原子と一緒になって3〜7員環の置換され
    ていてもよい複素環式基を示す。)を;R5は、置換され
    ていてもよいフェニル、チエニル、フリルまたはピリジ
    ル基を;およびZは、酸素原子、硫黄原子またはイミノ
    基を示す。]で表わされる2,3−ジヒドロ−4H−1
    −ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩。
  2. 【請求項2】 Zが、酸素原子または硫黄原子を;R5
    が、置換されていてもよいフェニルまたはピリジル基
    を;R1が、ハロゲン原子で置換されていてもよい低級
    アルキル基または低級アルケニル基を;R2が、水素原
    子またはアシル基を;R3およびR4が、同一または異な
    って、水素原子、カルバモイル基、カルボキシル基、ヒ
    ドロキシル基もしくはアルコキシカルボニル基または置
    換されていてもよいアルキル、アルコキシもしくはフェ
    ニル基である請求項1記載の2,3−ジヒドロ−4H−
    1−ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩。
  3. 【請求項3】 R5が、置換されていてもよいフェニル
    またはピリジル基を;Zが、酸素原子または硫黄原子
    を;R1が、ハロゲン原子で置換されていてもよい低級
    アルキルまたは低級アルケニル基を;R2が、水素原子
    またはアシル基を;R4が、 【化4】 (式中、R6が、水素原子、ヒドロキシル基もしくはア
    ルコキシカルボニル基または置換されていてもよいアル
    キル、シクロアルキル、フェニル、アシルもしくはカル
    バモイル基を;R7が、水素原子または置換されていて
    もよいアルキル基を示すかまたはR6およびR7が、隣接
    する窒素原子と一緒になって置換されていてもよい4〜
    6員環の複素環式基を示す。)で表わされる基を;R3
    が、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カルバモイル
    基、カルボキシル基、ヒドロキシル基もしくはアルコキ
    シカルボニル基または置換されていてもよいアルキル、
    アルコキシ、アミノもしくはフェニル基である請求項1
    記載の2,3−ジヒドロ−4H−1−ベンゾピラン−4
    −オン誘導体またはその塩。
  4. 【請求項4】 Zが、酸素原子である請求項1〜3のい
    ずれかの項記載の2,3−ジヒドロ−4H−1−ベンゾ
    ピラン−4−オン誘導体またはその塩。
  5. 【請求項5】 R1が、低級アルキル基である請求項1
    〜4のいずれかの項記載の2,3−ジヒドロ−4H−1
    −ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩。
  6. 【請求項6】 R2が、水素原子である請求項1〜5の
    いずれかの項記載の2,3−ジヒドロ−4H−1−ベン
    ゾピラン−4−オン誘導体またはその塩。
  7. 【請求項7】 R3が、水素原子またはアルキル基であ
    る請求項1〜6のいずれかの項記載の2,3−ジヒドロ
    −4H−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその
    塩。
  8. 【請求項8】 R4が、置換されていてもよいアルキル
    チオ、フェニルチオ、アルキルスルフィニル、アルキル
    スルホニル、または 【化5】 もしくは 【化6】 (式中、R6が、水素原子、ヒドロキシル基もしくはア
    ルコキシカルボニル基または置換されていてもよいアル
    キル、シクロアルキル、フェニル、アシル、カルバモイ
    ルもしくはアルキルスルホニル基を;R7が、水素原
    子、置換されていてもよいアルキル、アルコキシもしく
    は複素環式基を示すかまたはR6とR7が、隣接する窒素
    原子と一緒になって3〜7員環の置換されていてもよい
    複素環式基を示す。))で表わされる基である請求項1
    記載の2,3−ジヒドロ−4H−1−ベンゾピラン−4
    −オン誘導体またはその塩。
  9. 【請求項9】 R4が、アルキルチオ、ホルミルアミノ
    またはカルバモイル基である請求項1記載の2,3−ジ
    ヒドロ−4H−1−ベンゾピラン−4−オン誘導体また
    はその塩。
  10. 【請求項10】 R5が、置換されていてもよいフェニ
    ル基である請求項9記載の2,3−ジヒドロ−4H−1
    −ベンゾピラン−4−オン誘導体またはその塩。
  11. 【請求項11】 R5が、ハロゲン原子、ヒドロキシル
    基、アミノ基、カルボキシル基、ハロアルキル基、アル
    キル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシ
    ルアミノ基およびカルバモイル基から選ばれる少なくて
    も1つの置換基で置換されていてもよいフェニル基であ
    る請求項10記載の2,3−ジヒドロ−4H−1−ベン
    ゾピラン−4−オン誘導体またはその塩。
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