JP2767703B2 - 芳香族カルボン酸類の電解還元方法 - Google Patents
芳香族カルボン酸類の電解還元方法Info
- Publication number
- JP2767703B2 JP2767703B2 JP1126782A JP12678289A JP2767703B2 JP 2767703 B2 JP2767703 B2 JP 2767703B2 JP 1126782 A JP1126782 A JP 1126782A JP 12678289 A JP12678289 A JP 12678289A JP 2767703 B2 JP2767703 B2 JP 2767703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- anode
- acid
- electrolytic
- aromatic carboxylic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- -1 aromatic carboxylic acids Chemical class 0.000 title description 10
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 23
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 15
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- DOBUSJIVSSJEDA-UHFFFAOYSA-L 1,3-dioxa-2$l^{6}-thia-4-mercuracyclobutane 2,2-dioxide Chemical compound [Hg+2].[O-]S([O-])(=O)=O DOBUSJIVSSJEDA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000370 mercury sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 40
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- DNUYOWCKBJFOGS-UHFFFAOYSA-N 2-[[10-(2,2-dicarboxyethyl)anthracen-9-yl]methyl]propanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC(C(=O)O)C(O)=O)=C(C=CC=C3)C3=C(CC(C(O)=O)C(O)=O)C2=C1 DNUYOWCKBJFOGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N meta--hydroxybenzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1 IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 21
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 16
- OKVJCVWFVRATSG-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC(O)=C1 OKVJCVWFVRATSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 14
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- NXTDJHZGHOFSQG-UHFFFAOYSA-N 3-phenoxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 NXTDJHZGHOFSQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003938 benzyl alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001559 benzoic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- KGANAERDZBAECK-UHFFFAOYSA-N (3-phenoxyphenyl)methanol Chemical compound OCC1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 KGANAERDZBAECK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZNQSWJZTWOTKM-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethoxybenzoic acid Chemical compound COC1=CC=C(C(O)=O)C(OC)=C1OC HZNQSWJZTWOTKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKFFSWPNFCXGIQ-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tetraethylazanium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 QKFFSWPNFCXGIQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- VYFOAVADNIHPTR-UHFFFAOYSA-N isatoic anhydride Chemical compound NC1=CC=CC=C1CO VYFOAVADNIHPTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- DGJVVEVPKPOLEV-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trimethoxyphenyl)methanol Chemical compound COC1=CC=C(CO)C(OC)=C1OC DGJVVEVPKPOLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGMNPSAERQZUIM-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethyl)benzoic acid Chemical compound OCC1=CC=CC=C1C(O)=O MGMNPSAERQZUIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKRSYEPBQPFNRB-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1 PKRSYEPBQPFNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REAVCZWUMGIGSW-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tetrabutylazanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC REAVCZWUMGIGSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FHVCZJGBXWNGIZ-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FHVCZJGBXWNGIZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAPBOZYXTLDPKL-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tetrapropylazanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CCC[N+](CCC)(CCC)CCC QAPBOZYXTLDPKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)C=C1 BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUFIZHPPRJVXJC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ta+5].[Ir+]=O.[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Ta+5].[Ir+]=O.[O-2].[O-2] PUFIZHPPRJVXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QTQUJRIHTSIVOF-UHFFFAOYSA-N amino(phenyl)methanol Chemical compound NC(O)C1=CC=CC=C1 QTQUJRIHTSIVOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 238000010349 cathodic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N mercury sodium Chemical compound [Na].[Hg] MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000487 osmium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- JIWAALDUIFCBLV-UHFFFAOYSA-N oxoosmium Chemical compound [Os]=O JIWAALDUIFCBLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N oxorhodium Chemical compound [Rh]=O SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001023 sodium amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は芳香族カルボン酸類を出発原料にして、相当
するベンジルアルコール類を製造する方法に関するもの
である。
するベンジルアルコール類を製造する方法に関するもの
である。
ベンジルアルコール類の中には、農・医薬の中間体あ
るいは香料などとして有用な化合物が多いが、現状では
それらの安価な製造方法による工業的供給には至ってい
ない。
るいは香料などとして有用な化合物が多いが、現状では
それらの安価な製造方法による工業的供給には至ってい
ない。
酸性水溶液中で芳香族カルボン酸を電解還元する方法
は良く知られている。例えばナトリウムアマルガム及び
15重量%硫酸の存在下、70℃で電解還元する方法も提案
〔ベルヒテ(Bericht)38,1752(1905)〕されているも
のの、収率が低く工業的方法にはなり得なかった。
は良く知られている。例えばナトリウムアマルガム及び
15重量%硫酸の存在下、70℃で電解還元する方法も提案
〔ベルヒテ(Bericht)38,1752(1905)〕されているも
のの、収率が低く工業的方法にはなり得なかった。
本発明者は先にm−ヒドロキシ安息香酸、又はそのエ
ステル等を水溶液、水可溶性有機溶媒中でpH4以下にて
電解還元する方法を提案した(特開昭60−234987)。
ステル等を水溶液、水可溶性有機溶媒中でpH4以下にて
電解還元する方法を提案した(特開昭60−234987)。
更にその電解反応時、隔膜として陽イオン交換膜を用
い支持電解質として、第4級アンモニウム塩類を添加し
て電解還元する方法も提案した(特開昭60−243293)。
い支持電解質として、第4級アンモニウム塩類を添加し
て電解還元する方法も提案した(特開昭60−243293)。
又、本発明者らはm−ヒドロキシ安息香酸以外の安息
香酸類とし、例えばテレフタル酸を用いて高純度p−キ
シリレングリコールの電解還元法も提案している(特開
昭62−297482)。
香酸類とし、例えばテレフタル酸を用いて高純度p−キ
シリレングリコールの電解還元法も提案している(特開
昭62−297482)。
その他にも我々は同様にm−ヒドロキシ安息香酸以外
の安息香酸類としてm−フェノキシ安息香酸の電解還元
法も提案している(特開昭63−171889、特開昭63−1928
83)。
の安息香酸類としてm−フェノキシ安息香酸の電解還元
法も提案している(特開昭63−171889、特開昭63−1928
83)。
それらの芳香族カルボン酸類の電解還元は、通常、酸
性水溶液中で行われる。酸性水溶液としては、陰極での
電解反応に不活性な酸性物質であれば特に限定はない
が、コスト的に通常鉱酸を用いるのが望ましく、特に材
質及び収率の点から硫酸が使用されている。
性水溶液中で行われる。酸性水溶液としては、陰極での
電解反応に不活性な酸性物質であれば特に限定はない
が、コスト的に通常鉱酸を用いるのが望ましく、特に材
質及び収率の点から硫酸が使用されている。
電解反応に用いる陰極材料としては、水素過電圧の高
いもの、具体的には亜鉛、鉛、カドミウム、水銀等が用
いられる。
いもの、具体的には亜鉛、鉛、カドミウム、水銀等が用
いられる。
対する陽極については、硫酸水溶液中で侵食されず、
またたとえ金属イオンとして溶出しても、陰極反応に悪
影響をおよぼさない金属材料が使用され、通常白金、酸
化鉛、鉛、鉛合金が使用されている。
またたとえ金属イオンとして溶出しても、陰極反応に悪
影響をおよぼさない金属材料が使用され、通常白金、酸
化鉛、鉛、鉛合金が使用されている。
しかし、上記の白金、酸化鉛、鉛、鉛合金といった陽
極材料を用いた場合、通常の使用電圧(0.1A/dm2〜100A
/dm2)においてそれらの酸素過電圧が高く、酸化能力が
強いため、陽極、陰極槽を分離しない単一電解槽中で芳
香族カルボン酸類の電解反応を実施した場合、還元反応
と同時に酸化反応が進行し、目的物のベンジルアルコー
ル類の収率は大幅に低下する。
極材料を用いた場合、通常の使用電圧(0.1A/dm2〜100A
/dm2)においてそれらの酸素過電圧が高く、酸化能力が
強いため、陽極、陰極槽を分離しない単一電解槽中で芳
香族カルボン酸類の電解反応を実施した場合、還元反応
と同時に酸化反応が進行し、目的物のベンジルアルコー
ル類の収率は大幅に低下する。
すなわち、陽極表面での酸化反応を抑制し、高収率で
目的物を得るためには、陽極、陰極槽をイオン交換膜等
の隔膜で分離した陽陰極槽分離型電解槽中で、陰極槽の
みに原料を添加して電解反応を行う必要があった。(図
−6、7参照) しかしながら、本電解反応を工業化する上で、陽陰極
槽分離型電解槽を使用した場合、隔膜の抵抗による電力
コストのアップ、隔膜としての消耗材料費の支出増、反
応中に陰極槽から陽極槽への物質移動は避けられず、そ
の移動ロスによる収率抵下等の問題が生じ、また、溶解
槽として陽極、陰極の2個を設置する必要があり、装置
的に複雑になる。また、隔膜を取り付けるため、電解槽
の形状や電極の形状が制限される等の欠点があった。
目的物を得るためには、陽極、陰極槽をイオン交換膜等
の隔膜で分離した陽陰極槽分離型電解槽中で、陰極槽の
みに原料を添加して電解反応を行う必要があった。(図
−6、7参照) しかしながら、本電解反応を工業化する上で、陽陰極
槽分離型電解槽を使用した場合、隔膜の抵抗による電力
コストのアップ、隔膜としての消耗材料費の支出増、反
応中に陰極槽から陽極槽への物質移動は避けられず、そ
の移動ロスによる収率抵下等の問題が生じ、また、溶解
槽として陽極、陰極の2個を設置する必要があり、装置
的に複雑になる。また、隔膜を取り付けるため、電解槽
の形状や電極の形状が制限される等の欠点があった。
本発明の課題は、芳香族カルボン酸類の電解還元反応
を酸性水溶液中で行う場合、プロセス的に繁雑な陽陰極
槽分離型電解槽を用いることなく、陽極、陰極溶解槽を
分離しない単一電解槽中で実施し、高収率で相当するベ
ンジルアルコールを製造する改善された方法を提供する
ことである。
を酸性水溶液中で行う場合、プロセス的に繁雑な陽陰極
槽分離型電解槽を用いることなく、陽極、陰極溶解槽を
分離しない単一電解槽中で実施し、高収率で相当するベ
ンジルアルコールを製造する改善された方法を提供する
ことである。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し
た結果、陽極電位を下げて電解反応を行うことで、陽陰
極槽を分離しない単一電解槽中で該反応を実施すると、
陽極による有機物(この場合原料の芳香族カルボン酸及
び/または、原料由来の有機物である還元生成物のベン
ジルアルコール、中間体のベンズアルデヒド、ラジカル
アニオン中間体等をさす)の酸化分解反応が抑制され、
目的の相当するベンジルアルコールが好選択率で得られ
ることを見出した。
た結果、陽極電位を下げて電解反応を行うことで、陽陰
極槽を分離しない単一電解槽中で該反応を実施すると、
陽極による有機物(この場合原料の芳香族カルボン酸及
び/または、原料由来の有機物である還元生成物のベン
ジルアルコール、中間体のベンズアルデヒド、ラジカル
アニオン中間体等をさす)の酸化分解反応が抑制され、
目的の相当するベンジルアルコールが好選択率で得られ
ることを見出した。
図−3は、単一電解槽中、陽極の電位を一定に規制し
て、安息香酸類の陰極還元反応を実施し、陽極電位と相
応するベンジルアルコール選択率の関係を示す。図−3
から明らかな通り、陽極電位が低い場合は、ベンジルア
ルコール選択率は高いが、陽極電位を上げていくに従
い、選択率が低下し、陽極電位が、15重量%硫酸水溶液
中で25℃で+1.1V(硫酸水銀電極基準、標準水素電極換
算で+1.7V)を越えたあたりでいずれの安息香酸の還元
においても急激にベンジルアルコール選択率の低下がみ
られた。
て、安息香酸類の陰極還元反応を実施し、陽極電位と相
応するベンジルアルコール選択率の関係を示す。図−3
から明らかな通り、陽極電位が低い場合は、ベンジルア
ルコール選択率は高いが、陽極電位を上げていくに従
い、選択率が低下し、陽極電位が、15重量%硫酸水溶液
中で25℃で+1.1V(硫酸水銀電極基準、標準水素電極換
算で+1.7V)を越えたあたりでいずれの安息香酸の還元
においても急激にベンジルアルコール選択率の低下がみ
られた。
本発明者らは該反応を単一電解槽中で選択率良く実施
するためには、陽極電位が+1.1V以下で反応を行うこと
が好ましいことを見出した。しかし、通常、酸性水溶液
中で安定に使用される白金、酸化鉛、鉛、鉛合金といっ
た本来高い酸素過電圧(実用的な電流密度0.1A/dm2〜10
0A/dm2において+1.1V以上)を有する陽極材料を使用し
た場合、酸性水溶液中で+1.1V以下の低陽極電位に保持
して、電解反応を行おうとすると、電流密度を0.1A/dm2
よりさらに極端に落として通電しなければならず、反応
時間が長くなり、電解槽の効率が低下する。そこで本来
実用的な電解反応電流密度(通常0.1A/dm2〜100A/dm2程
度)において+1.1V以下の酸素過電圧を有する電極材質
を陽極に使用することによって、陽極、陰極溶解槽を分
離しない単一電解槽を用いて工業的に実施可能なプロセ
スが設計できることを見出た。
するためには、陽極電位が+1.1V以下で反応を行うこと
が好ましいことを見出した。しかし、通常、酸性水溶液
中で安定に使用される白金、酸化鉛、鉛、鉛合金といっ
た本来高い酸素過電圧(実用的な電流密度0.1A/dm2〜10
0A/dm2において+1.1V以上)を有する陽極材料を使用し
た場合、酸性水溶液中で+1.1V以下の低陽極電位に保持
して、電解反応を行おうとすると、電流密度を0.1A/dm2
よりさらに極端に落として通電しなければならず、反応
時間が長くなり、電解槽の効率が低下する。そこで本来
実用的な電解反応電流密度(通常0.1A/dm2〜100A/dm2程
度)において+1.1V以下の酸素過電圧を有する電極材質
を陽極に使用することによって、陽極、陰極溶解槽を分
離しない単一電解槽を用いて工業的に実施可能なプロセ
スが設計できることを見出た。
すなわち、酸性水溶液中での電解反応において陽極で
は、水の電気分解による酸素発生と、原料の芳香族カル
ボン酸及び/または、原料由来の有機化合物の酸化分解
反応が競争して起こる。そこで酸素過電圧の低い陽極材
料を用いることで低い電位で陽極での水の電気分解を起
こさせ、酸素発生反応を優先させることで、目的のベン
ジルアルコール収率低下の原因となる陽極による有機物
の酸化分解反応が抑制できることを見出し本発明を完成
させた。
は、水の電気分解による酸素発生と、原料の芳香族カル
ボン酸及び/または、原料由来の有機化合物の酸化分解
反応が競争して起こる。そこで酸素過電圧の低い陽極材
料を用いることで低い電位で陽極での水の電気分解を起
こさせ、酸素発生反応を優先させることで、目的のベン
ジルアルコール収率低下の原因となる陽極による有機物
の酸化分解反応が抑制できることを見出し本発明を完成
させた。
即ち、本発明は酸性水溶液中で、芳香族カルボン酸類
を電解還元して、相当するベンジルアルコールを製造す
るに際して、酸素発生用陽極材質として、酸素過電圧の
低い陽極材質を使用し、有機物の酸化分解反応を抑制さ
せながら反応させることを特徴とする芳香族カルボン酸
類の電解還元方法である。
を電解還元して、相当するベンジルアルコールを製造す
るに際して、酸素発生用陽極材質として、酸素過電圧の
低い陽極材質を使用し、有機物の酸化分解反応を抑制さ
せながら反応させることを特徴とする芳香族カルボン酸
類の電解還元方法である。
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明において、原料となる芳香族カルボン酸類とし
ては、通常の隔膜を用いた2極室電解槽において、還元
可能なカルボン酸であれば特に限定されるものではない
が、例えば、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、アルコキ
シ安息香酸、フェノキシ安息香酸、アミノ安息香酸、ア
ルキル安息香酸、イソフタル酸、ヒドロキシメチル安息
香酸等が挙げられる。
ては、通常の隔膜を用いた2極室電解槽において、還元
可能なカルボン酸であれば特に限定されるものではない
が、例えば、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、アルコキ
シ安息香酸、フェノキシ安息香酸、アミノ安息香酸、ア
ルキル安息香酸、イソフタル酸、ヒドロキシメチル安息
香酸等が挙げられる。
本発明に使用する陽極材質は、酸素過電圧の低い材料
であり、例えば、酸性水溶液中で安定な金属酸化物で、
その酸素過電圧が使用電流密度が0.1A/dm2〜100A/dm2に
おいて、硫酸水銀電極基準で+1.1V(15重量%硫酸水溶
液中、25℃で測定、標準水素電極換算で+1.7V)以下で
ある酸化物を使用し、又、その酸化物は金属基材表面に
被覆したものでもよい。
であり、例えば、酸性水溶液中で安定な金属酸化物で、
その酸素過電圧が使用電流密度が0.1A/dm2〜100A/dm2に
おいて、硫酸水銀電極基準で+1.1V(15重量%硫酸水溶
液中、25℃で測定、標準水素電極換算で+1.7V)以下で
ある酸化物を使用し、又、その酸化物は金属基材表面に
被覆したものでもよい。
その場合の酸化物としては、例として酸化ルテニウ
ム、酸化ロジウム、酸化パラジウム、酸化オスミウム、
酸化イリジウム、酸化白金、酸化スズ、酸化タンタル及
び酸化コバルト等あるいはそれらの混合物が挙げられ
る。
ム、酸化ロジウム、酸化パラジウム、酸化オスミウム、
酸化イリジウム、酸化白金、酸化スズ、酸化タンタル及
び酸化コバルト等あるいはそれらの混合物が挙げられ
る。
工業的には通常、金属チタンの基材表面に白金族金属
を主成分とする酸化物被覆層を有するDSE(Dimensinall
y stable Electrode)が望ましい。
を主成分とする酸化物被覆層を有するDSE(Dimensinall
y stable Electrode)が望ましい。
本発明において、酸性水溶液としては、陰極での電解
反応に不活性な酸性物質であれば、特に限定するもので
はないが、コスト的に通常鉱酸を用いるのが望ましく、
特に材質及び収率の点から硫酸が好ましい鉱酸であり、
通常1〜50重量%の硫酸水溶液が用いられる。
反応に不活性な酸性物質であれば、特に限定するもので
はないが、コスト的に通常鉱酸を用いるのが望ましく、
特に材質及び収率の点から硫酸が好ましい鉱酸であり、
通常1〜50重量%の硫酸水溶液が用いられる。
また、本発明においては原料の芳香族カルボン酸類の
溶解度を上げるために、電解反応液中に第4級アンモニ
ウム塩類を添加したり、非プロトン性極性溶媒を添加し
たり、その両方を添加することも好ましい方法である。
溶解度を上げるために、電解反応液中に第4級アンモニ
ウム塩類を添加したり、非プロトン性極性溶媒を添加し
たり、その両方を添加することも好ましい方法である。
第4級アンモニウム塩としては、一般式(I) (式中、R1、R2、R3、R4は低級アルキル基であり、Xは
p−トルエンスルホン酸、硫酸、塩酸、または臭化水素
のいずれかの酸基を示す。)で表され、これらのアンモ
ニウム塩としては、テトラエチルアンモニウムp−トル
エンスルホネート、テトラメチルアンモニウムp−トル
エンスルホネート、テトラプロピルアンモニウムp−ト
ルエンスルホネート、テトラブチルアンモニウムp−ト
ルエンスルホネート及びこれらのp−トルエンスルホン
酸塩に代わる硫酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩が挙げられ
る。これらの塩は使用する酸性水溶液に対し、最高60重
量%迄添加することができる。
p−トルエンスルホン酸、硫酸、塩酸、または臭化水素
のいずれかの酸基を示す。)で表され、これらのアンモ
ニウム塩としては、テトラエチルアンモニウムp−トル
エンスルホネート、テトラメチルアンモニウムp−トル
エンスルホネート、テトラプロピルアンモニウムp−ト
ルエンスルホネート、テトラブチルアンモニウムp−ト
ルエンスルホネート及びこれらのp−トルエンスルホン
酸塩に代わる硫酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩が挙げられ
る。これらの塩は使用する酸性水溶液に対し、最高60重
量%迄添加することができる。
非プロトン性極性溶媒として、アセトニトリル、N,
N′−ジメチルイミダゾリジノン、N,N−ジメチルホルム
アミド、N−メチル−2−ピロリドン、スルホラン等が
挙げられ、これらの極性溶媒は、使用する酸性水溶液に
対して、最高10重量倍迄添加することができる。
N′−ジメチルイミダゾリジノン、N,N−ジメチルホルム
アミド、N−メチル−2−ピロリドン、スルホラン等が
挙げられ、これらの極性溶媒は、使用する酸性水溶液に
対して、最高10重量倍迄添加することができる。
芳香族カルボン酸類の酸性水溶液中の濃度は通常1〜
40重量%の範囲である。
40重量%の範囲である。
本発明において、電解還元反応は20〜100℃の温度範
囲で実施する。又、電解に用いる電極のうち特に陰極材
料は水素過電圧の高いもの、具体的には亜鉛、鉛、カド
ミウム、水銀を用いる。
囲で実施する。又、電解に用いる電極のうち特に陰極材
料は水素過電圧の高いもの、具体的には亜鉛、鉛、カド
ミウム、水銀を用いる。
本発明の電解還元において、電流密度は好ましくは1
〜30A/dm2である。理論的には4電子還元であり、4Fr/m
olの通電量であるが、電流効率は20〜80%程度であるの
で、反応を完結させるには8〜20Fr/mol電気量を通す必
要がある。
〜30A/dm2である。理論的には4電子還元であり、4Fr/m
olの通電量であるが、電流効率は20〜80%程度であるの
で、反応を完結させるには8〜20Fr/mol電気量を通す必
要がある。
本発明において使用される電解装置としては、特に限
定されるものではないが、基本的には隔膜を用いないビ
ーカー型の電解槽中に電解液をはり陽陰極を取り付け、
直流電源にて通電する方法がとられる(図−1参照) また、フィルタープレス型の電解装置であれば図−2
のように、陽陰極電解室及び溶解槽を分離しない単一電
解装置が使用できる。
定されるものではないが、基本的には隔膜を用いないビ
ーカー型の電解槽中に電解液をはり陽陰極を取り付け、
直流電源にて通電する方法がとられる(図−1参照) また、フィルタープレス型の電解装置であれば図−2
のように、陽陰極電解室及び溶解槽を分離しない単一電
解装置が使用できる。
また、水溶液中での電解反応時においては水の電気分
解により、陽極からは酸素が発生し、陰極においては原
料の安息香酸類の還元以外に副反応として水の電気分解
による水素が発生するため、酸素と水素の混合による爆
発の危険がある。
解により、陽極からは酸素が発生し、陰極においては原
料の安息香酸類の還元以外に副反応として水の電気分解
による水素が発生するため、酸素と水素の混合による爆
発の危険がある。
爆発の危険をさける方法として、例えば、電解槽ある
いは電解室、気液分離器内に窒素あるいはアルゴンとい
った不活性ガスを強制的に吹き込む方法、さらに電槽内
を減圧し、ガスを有効に屋外に抜き出す方法が挙げられ
る。
いは電解室、気液分離器内に窒素あるいはアルゴンとい
った不活性ガスを強制的に吹き込む方法、さらに電槽内
を減圧し、ガスを有効に屋外に抜き出す方法が挙げられ
る。
また、電解槽あるいは電解室中の水素および酸素を稀
釈し、水素の爆発限界の下限以下で反応を実施する方
法、あるいは酸素と水素の混合防止を目的として図−4
に示したように電解槽自身は分離せず、発生ガスの混合
の危険性のある部分のみに隔膜を設置した装置や、フィ
ルタープレス型であれば図−5に示したように、溶解槽
は一個で分離せず電解室のみを隔膜で分離した単一装置
を使用することもできる。
釈し、水素の爆発限界の下限以下で反応を実施する方
法、あるいは酸素と水素の混合防止を目的として図−4
に示したように電解槽自身は分離せず、発生ガスの混合
の危険性のある部分のみに隔膜を設置した装置や、フィ
ルタープレス型であれば図−5に示したように、溶解槽
は一個で分離せず電解室のみを隔膜で分離した単一装置
を使用することもできる。
通常芳香族カルボン酸類の電解還元において、陽陰極
分離型電解装置で反応を行う場合、陽極室での目的物の
回収率を上げるために、陰極側から陽極側への有機物移
動をできるだけ少なくし、なおかつ、陽極側から陰極側
へのプロトン移動を円滑に行うために、隔膜として陽イ
オン交換膜が用いられるが、陽イオン交換膜は高価であ
り、また長期運転における安定性にも問題がある。
分離型電解装置で反応を行う場合、陽極室での目的物の
回収率を上げるために、陰極側から陽極側への有機物移
動をできるだけ少なくし、なおかつ、陽極側から陰極側
へのプロトン移動を円滑に行うために、隔膜として陽イ
オン交換膜が用いられるが、陽イオン交換膜は高価であ
り、また長期運転における安定性にも問題がある。
しかし本発明に利用できる隔膜は、陰極側から陽極側
への有機物移動、陽極側から陰極側へのプロトン移動を
考慮する必要はなく、陽陰極で発生したガスの分離が可
能で廉価で安定な中性ポリマー膜、アスベスト膜、ガラ
ス隔膜などが利用できる。
への有機物移動、陽極側から陰極側へのプロトン移動を
考慮する必要はなく、陽陰極で発生したガスの分離が可
能で廉価で安定な中性ポリマー膜、アスベスト膜、ガラ
ス隔膜などが利用できる。
芳香族カルボン酸類の電解還元反応を、酸性水溶液
で、通常の酸素過電圧の高い陽極材質で行い、目的物を
高収率でうるには、陽極、陰極を隔膜で分離した2極室
電解槽で行う必要があった。そのため工業的には複雑な
装置、槽の形状等の制約があった。
で、通常の酸素過電圧の高い陽極材質で行い、目的物を
高収率でうるには、陽極、陰極を隔膜で分離した2極室
電解槽で行う必要があった。そのため工業的には複雑な
装置、槽の形状等の制約があった。
しかし、本発明のように、陽極に酸素過電圧の低い材
質を用いると、単一電解装置で高収率で目的物をうるこ
とができ、工業的に実施する場合、電解室のみに隔膜を
設け簡単な単一装置で電解ができ実用上極めて有利な方
法である。
質を用いると、単一電解装置で高収率で目的物をうるこ
とができ、工業的に実施する場合、電解室のみに隔膜を
設け簡単な単一装置で電解ができ実用上極めて有利な方
法である。
以下、実施例にて本発明を詳しく説明する。例中の
「%」は重量%を示す。陽極の酸素過電圧は15重量%硫
酸水中、25℃で参照電極に硫酸水銀電極を用いて測定し
た値を示す。
「%」は重量%を示す。陽極の酸素過電圧は15重量%硫
酸水中、25℃で参照電極に硫酸水銀電極を用いて測定し
た値を示す。
実施例1 100ml容量の円筒型の単一電解セルに、15重量%硫酸
水溶液を25gと、m−ヒドロキシ安息香酸1gを装入し
た。陰極として6cm2の鉛板、陽極として6cm2の表面に酸
化イリジウムをコーティングしたチタン板(酸素過電圧
は+0.95V vs Hg2SO4)を用いた。
水溶液を25gと、m−ヒドロキシ安息香酸1gを装入し
た。陰極として6cm2の鉛板、陽極として6cm2の表面に酸
化イリジウムをコーティングしたチタン板(酸素過電圧
は+0.95V vs Hg2SO4)を用いた。
電解セルを50℃に保ちつつ、1Aの直流定電流を2時間
通電した(10.3Fr/mol)。
通電した(10.3Fr/mol)。
その後、反応液は液体クロマトグラフィー(HPLC)で
分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ安息香酸に対し
て、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率2.5%、m−ヒド
ロキシベンジルアルコール収率86.9%であった(電流効
率37.9%)。
分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ安息香酸に対し
て、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率2.5%、m−ヒド
ロキシベンジルアルコール収率86.9%であった(電流効
率37.9%)。
実施例2 酸化イリジウムをコーティングしたチタン板の陽極に
変えて、酸化イリジウム−酸化タンタルをコーティング
したチタン板(酸素過電圧は+0.88Vvs Hg2SO4であっ
た)を陽極として用いた以外は実施例1と全く同様の実
験を行った。
変えて、酸化イリジウム−酸化タンタルをコーティング
したチタン板(酸素過電圧は+0.88Vvs Hg2SO4であっ
た)を陽極として用いた以外は実施例1と全く同様の実
験を行った。
反応液を液体クロマトグラフィー(HPLC)で分析した
結果、仕込みm−ヒドロキシ安息香酸に対して、m−ヒ
ドロキシ安息香酸の残存率2.1%、m−ヒドロキシベン
ジルアルコール収率88.5%であった(電流効率38.0
%)。
結果、仕込みm−ヒドロキシ安息香酸に対して、m−ヒ
ドロキシ安息香酸の残存率2.1%、m−ヒドロキシベン
ジルアルコール収率88.5%であった(電流効率38.0
%)。
実施例3 反応原料として、m−ヒドロキシ安息香酸に変えて、
安息香酸0.88gを使用した以外は実施例1と全く同様の
実験を行った。
安息香酸0.88gを使用した以外は実施例1と全く同様の
実験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込み安息香酸に対し
て、安息香酸の残存率0.9%、ベンジルアルコール収率9
1.5%であった(電流収率38.5%)。
て、安息香酸の残存率0.9%、ベンジルアルコール収率9
1.5%であった(電流収率38.5%)。
実施例4 反応原料として、m−ヒドロキシ安息香酸に変えて、
m−フェノキシ安息香酸0.78gとテトラエチルアンモニ
ウムp−トルエンスルホン酸1gを添加し、1Aの直流定電
流を1.5時間通電した(15.4Fr/mol)以外は、実施例1
と全く同様の実験を行った。
m−フェノキシ安息香酸0.78gとテトラエチルアンモニ
ウムp−トルエンスルホン酸1gを添加し、1Aの直流定電
流を1.5時間通電した(15.4Fr/mol)以外は、実施例1
と全く同様の実験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込みm−フェノキシ
安息香酸に対して、m−フェノキシ安息香酸の残存率1.
1%、m−フェノキシベンジルアルコール収率90.5%で
あった(電流効率25.7%)。
安息香酸に対して、m−フェノキシ安息香酸の残存率1.
1%、m−フェノキシベンジルアルコール収率90.5%で
あった(電流効率25.7%)。
実施例5 反応原料として、m−ヒドロキシ安息香酸に変えて、
o−アミノ安息香酸0.99gを使用した以外は実施例1と
全く同様の実験を行った。
o−アミノ安息香酸0.99gを使用した以外は実施例1と
全く同様の実験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込みo−アミノ安息
香酸に対して、o−アミノ安息香酸の残存率0.5%、o
−アミノベンジルアルコール収率81.2%であった(電流
効率38.6%)。
香酸に対して、o−アミノ安息香酸の残存率0.5%、o
−アミノベンジルアルコール収率81.2%であった(電流
効率38.6%)。
実施例6 反応原料として、m−ヒドロキシ安息香酸に変えて2,
3,4−トリメトキシ安息香酸1.54gを使用し、さらにアセ
トニトリル5gを添加した以外は実施例1と全く同様の実
験を行った。
3,4−トリメトキシ安息香酸1.54gを使用し、さらにアセ
トニトリル5gを添加した以外は実施例1と全く同様の実
験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込み2,3,4−トリメ
トキシ安息香酸に対して、2,3,4−トリメトキシ安息香
酸の残存率5.2%、2,3,4−トリメトキシベンジルアルコ
ール収率82.6%であった(電流効率36.8%)。
トキシ安息香酸に対して、2,3,4−トリメトキシ安息香
酸の残存率5.2%、2,3,4−トリメトキシベンジルアルコ
ール収率82.6%であった(電流効率36.8%)。
実施例7 図−5に示すようなフィルタープレス型単一電解装置
で、300ml容量の溶解槽を備えた装置に、15重量%硫酸
水溶液と250gと、m−ヒドロキシ安息香酸10gを装入し
た。
で、300ml容量の溶解槽を備えた装置に、15重量%硫酸
水溶液と250gと、m−ヒドロキシ安息香酸10gを装入し
た。
陰極として有効面積50cm2の鉛板、陽極として有効面
積50cm2の表面に酸化イリジウムをコーティングしたチ
タン板(酸素過電圧は+0.88VS Hg2SO4)を用い両極の
間にアスベスト隔膜を設けて両極で発生する気体の混合
を防止した。
積50cm2の表面に酸化イリジウムをコーティングしたチ
タン板(酸素過電圧は+0.88VS Hg2SO4)を用い両極の
間にアスベスト隔膜を設けて両極で発生する気体の混合
を防止した。
電解セルを50℃に保ちつつ、5Aの直流定電流を4時間
通電した(10.3Fr/mol)。
通電した(10.3Fr/mol)。
その後、反応液は液体クロマトグラフィー(HPLC)で
分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ安息香酸に対し
て、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率2.0%、m−ヒド
ロキシベンジルアルコール収率88.6%であった(電流効
率38.0%)。
分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ安息香酸に対し
て、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率2.0%、m−ヒド
ロキシベンジルアルコール収率88.6%であった(電流効
率38.0%)。
比較例1 陽極として酸化イリジウムに変えて、白金板(酸素過
電圧+1.3V vs Hg2SO4)を使用した以外は実施例1と全
く同様の実験を行った。
電圧+1.3V vs Hg2SO4)を使用した以外は実施例1と全
く同様の実験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ
安息香酸に対して、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率0.
2%、m−ヒドロキシベンジルアルコール収率17.2%で
あった。
安息香酸に対して、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率0.
2%、m−ヒドロキシベンジルアルコール収率17.2%で
あった。
比較例2 陽極として酸化イリジウムに変えて、鉛板(酸素過電
圧+1.4V vs Hg2SO4)を使用した以外は実施例1と全く
同様の実験を行った。
圧+1.4V vs Hg2SO4)を使用した以外は実施例1と全く
同様の実験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ
安息香酸に対して、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率0.
6%、m−ヒドロキシベンジルアルコール収率5.9%であ
った。
安息香酸に対して、m−ヒドロキシ安息香酸の残存率0.
6%、m−ヒドロキシベンジルアルコール収率5.9%であ
った。
比較例3 反応原料として、m−ヒドロキシ安息香酸に変えて安
息香酸0.78gを使用した以外は比較例1と全く同様の実
験を行った。
息香酸0.78gを使用した以外は比較例1と全く同様の実
験を行った。
反応液はHPLCで分析した結果、仕込み安息香酸に対し
て、安息香酸残存率1.2%、ベンジルアルコール収率26.
2%であった。
て、安息香酸残存率1.2%、ベンジルアルコール収率26.
2%であった。
参考例 両極室とも100mlの容量を有し、隔膜としてセレミオ
ンCMV(旭硝子(株)の商品名の陽イオン交換膜)で隔
離されたH型電解セルを使用して、両極室に15%の硫酸
水溶液50gずつ仕込む。陰極として6cm2の鉛板、陽極と
して6cm2の白金板(酸素過電圧は+1.3Vvs Hg2SO4)を
用いた。
ンCMV(旭硝子(株)の商品名の陽イオン交換膜)で隔
離されたH型電解セルを使用して、両極室に15%の硫酸
水溶液50gずつ仕込む。陰極として6cm2の鉛板、陽極と
して6cm2の白金板(酸素過電圧は+1.3Vvs Hg2SO4)を
用いた。
電解セルを50℃に保ちつつ、陰極室にm−ヒドロキシ
安息香酸2gを仕込み、1Aの直流定電流を4時間通電した
(10.3Fr/mol)。
安息香酸2gを仕込み、1Aの直流定電流を4時間通電した
(10.3Fr/mol)。
陰極液はHPLCで分析した結果、仕込みm−ヒドロキシ
安息香酸の残存率2.3%、m−ヒドロキシベンジルアル
コール収率83.0%であった(電流効率37.9%)。
安息香酸の残存率2.3%、m−ヒドロキシベンジルアル
コール収率83.0%であった(電流効率37.9%)。
実施例、比較例、参考例の結果から明らかな通り、酸
性水溶液中で芳香族カルボン酸類を電解還元して、相当
するベンジルアルコールを製造するに際して、酸素発生
用陽極材質として酸素過電圧の低い陽極材質を使用する
ことで、陽極、陰極を隔膜等で分離しない単一電解装置
で隔膜で分離した通常の方法と同様に収率良く反応が進
行した。
性水溶液中で芳香族カルボン酸類を電解還元して、相当
するベンジルアルコールを製造するに際して、酸素発生
用陽極材質として酸素過電圧の低い陽極材質を使用する
ことで、陽極、陰極を隔膜等で分離しない単一電解装置
で隔膜で分離した通常の方法と同様に収率良く反応が進
行した。
また、実施例7のように陽陰極の部分のみに隔膜を設
けた場合、両極で発生する気体混合を防止しながら単一
装置で電解を行う事ができる。すなわち、本方法は、本
電解反応の工業化において、単一電解装置で芳香族カル
ボン酸類の還元を低コストで効率よく行うことのできる
極めて価値ある発明である。
けた場合、両極で発生する気体混合を防止しながら単一
装置で電解を行う事ができる。すなわち、本方法は、本
電解反応の工業化において、単一電解装置で芳香族カル
ボン酸類の還元を低コストで効率よく行うことのできる
極めて価値ある発明である。
図−1は隔膜を用いない本発明のビーカー型単一電解装
置の概略断面図であり、図−2は同じくフィルタープレ
ス型単一電解装置の概略断面図である。 図−3は安息香酸類の電解還元によるベンジルアルコー
ル類の単一電解槽反応における陽極電位とベンジルアル
コール選択率の関係を示すものである。 図−4は本発明の陽陰極間のみに隔膜を用いた槽型の単
一装置の概略断面図であり、図−5は同じくフィルター
プレス型の電解装置の概略断面図である。 図−6は従来のH型陽陰極分離型電解装置の概略断面図
であり、図−7は同じくフィルタープレス型陽陰極分離
型電解装置の概略断面図である。 図中の各符号の意味はそれぞれ次のようである。 1:陽極槽 2:陰極槽 3:陽極板 4:陰極板 5:隔膜 6:陽極溶解槽 7:陰極溶解槽 8:電解槽 9:溶解槽 10:気液分離器 11:ポンプ 12:気体 A:m−ヒドロキシベンジルアルコールの場合 B:ベンジルアルコールの場合 C:m−フェノキシベンジルアルコールの場合 D:o−アミノベンジルアルコールの場合
置の概略断面図であり、図−2は同じくフィルタープレ
ス型単一電解装置の概略断面図である。 図−3は安息香酸類の電解還元によるベンジルアルコー
ル類の単一電解槽反応における陽極電位とベンジルアル
コール選択率の関係を示すものである。 図−4は本発明の陽陰極間のみに隔膜を用いた槽型の単
一装置の概略断面図であり、図−5は同じくフィルター
プレス型の電解装置の概略断面図である。 図−6は従来のH型陽陰極分離型電解装置の概略断面図
であり、図−7は同じくフィルタープレス型陽陰極分離
型電解装置の概略断面図である。 図中の各符号の意味はそれぞれ次のようである。 1:陽極槽 2:陰極槽 3:陽極板 4:陰極板 5:隔膜 6:陽極溶解槽 7:陰極溶解槽 8:電解槽 9:溶解槽 10:気液分離器 11:ポンプ 12:気体 A:m−ヒドロキシベンジルアルコールの場合 B:ベンジルアルコールの場合 C:m−フェノキシベンジルアルコールの場合 D:o−アミノベンジルアルコールの場合
Claims (1)
- 【請求項1】酸性水溶液中で、芳香族カルボン酸類を電
解還元し、相当するベンジルアルコールを製造するに際
して、酸素発生用陽極材質として、酸素過電圧が、使用
電流密度0.1A/dm2〜100A/dm2において、15重量%硫酸水
溶液中25℃で、硫酸水銀電極基準で+1.1V(標準水素電
極換算で+1.7V)以下である陽極材質を使用し、反応さ
せることを特徴とする芳香族カルボン酸類の電解還元方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126782A JP2767703B2 (ja) | 1988-06-20 | 1989-05-22 | 芳香族カルボン酸類の電解還元方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017888 | 1988-06-20 | ||
| JP63-150178 | 1988-06-20 | ||
| JP1126782A JP2767703B2 (ja) | 1988-06-20 | 1989-05-22 | 芳香族カルボン酸類の電解還元方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277590A JPH0277590A (ja) | 1990-03-16 |
| JP2767703B2 true JP2767703B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=26462907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126782A Expired - Lifetime JP2767703B2 (ja) | 1988-06-20 | 1989-05-22 | 芳香族カルボン酸類の電解還元方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767703B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4605393B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-01-05 | 栗田工業株式会社 | 電解ガス処理装置および硫酸リサイクル型洗浄システム |
| GB201002609D0 (en) * | 2010-02-16 | 2010-03-31 | Statoil Asa | Alkanol |
| JP6436110B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2018-12-12 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | シート処理装置及び画像形成装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234987A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | m−ハイドロオキシベンジルアルコ−ルの製造方法 |
| JPS6257717A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | プレスブレ−キの自動金型交換装置 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1126782A patent/JP2767703B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0277590A (ja) | 1990-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1335973C (en) | Process for preparing quaternary ammonium hydroxides | |
| FI74945B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av hydroksifoereningar genom elektrokemisk reduktion. | |
| US4938854A (en) | Method for purifying quaternary ammonium hydroxides | |
| JP5198457B2 (ja) | ハロゲン化4−アミノピコリン酸の改善された電気化学的還元 | |
| JP2767703B2 (ja) | 芳香族カルボン酸類の電解還元方法 | |
| US4990227A (en) | Preparation of hydroxycarboxylic esters | |
| US7666293B2 (en) | Electrochemical reduction of halogenated 4-aminopicolinic acids | |
| WO1988009398A1 (en) | Electrochemical synthesis of substituted amines in basic media | |
| JP4755458B2 (ja) | 2−アルキン−1−アセタールの製造方法 | |
| US5108558A (en) | Process for the electroreduction of aromatic carboxylic acids | |
| JPS6131192B2 (ja) | ||
| JPS6342713B2 (ja) | ||
| US20040163968A1 (en) | Electrochemical production of dyes using graphite felt electrodes | |
| KR890002864B1 (ko) | m-히드록시벤질알코올의 제조방법 | |
| JPS6342712B2 (ja) | ||
| JP2622115B2 (ja) | ベンジルアルコール類の製造方法 | |
| JPH07238393A (ja) | 3−アルキル−4− ブロモ−2,6− ジクロロアシルアニリドを電解的脱臭素化することによって3−アルキル−2,6− ジクロロアシルアニリドを製造する方法 | |
| JP2632832B2 (ja) | ポリフルオロベンジルアルコールの製造方法 | |
| JP2902755B2 (ja) | m―ヒドロキシベンジルアルコールの製造法 | |
| JP3282633B2 (ja) | 水酸化第四級アンモニウム水溶液の製造方法 | |
| Tomilov et al. | Electroreduction of pentafluorobenzoic acid | |
| JPH0143030B2 (ja) | ||
| JPH0676671B2 (ja) | m−ヒドロキシベンジルアルコ−ル製造法 | |
| JPH06329602A (ja) | 水酸化第四級アンモニウム水溶液の製造方法 | |
| JPS6347791B2 (ja) |