JP2694369B2 - 窒化珪素質焼結体 - Google Patents
窒化珪素質焼結体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ガスタービンやターボロータ等の熱機関に
好適な高温における抗折強度、靱性に優れた窒化珪素質
焼結体に関する。
好適な高温における抗折強度、靱性に優れた窒化珪素質
焼結体に関する。
(従来技術) 従来から、窒化珪素質焼結体は高温における強度、硬
度、熱的化学的安定性に優れることからエンジニアリン
グセラミックス、特に熱機関用材料として注目されてい
る。
度、熱的化学的安定性に優れることからエンジニアリン
グセラミックス、特に熱機関用材料として注目されてい
る。
一般に、これら窒化珪素質焼結体を製造するには窒化
珪素自体が難焼結性であることから、希土類元素酸化物
等の各種の焼結助剤を添加し、ホットプレス法、常圧焼
成法またはガス圧力焼成法等が採用されている。また、
最近では所望の組成からなる窒化珪素成形体の表面にガ
ラス等からなる不透過性シールを形成し、高圧力下で焼
成する(以下、シールHIPという)ことにより高密度、
高強度の焼結体を得る方法が提案されている。
珪素自体が難焼結性であることから、希土類元素酸化物
等の各種の焼結助剤を添加し、ホットプレス法、常圧焼
成法またはガス圧力焼成法等が採用されている。また、
最近では所望の組成からなる窒化珪素成形体の表面にガ
ラス等からなる不透過性シールを形成し、高圧力下で焼
成する(以下、シールHIPという)ことにより高密度、
高強度の焼結体を得る方法が提案されている。
一方、組成の点からは、前述したようにY2O3等の希土
類元素酸化物の他、Al2O3、MgO等の酸化物が焼結助剤と
しても最も一般的に使用されているが、焼結体の高温特
性を考慮した場合、Al2O3やMgOなどが焼結体中に含まれ
ると焼結体の粒界に低融点物質が生成されるために高温
強度や高温耐酸化性が低下するという見地から、上記の
酸化物を実質的に含まないSi3N4‐RE2O3(希土類酸化
物)−SiO2の単純三元組成系が検討されている。
類元素酸化物の他、Al2O3、MgO等の酸化物が焼結助剤と
しても最も一般的に使用されているが、焼結体の高温特
性を考慮した場合、Al2O3やMgOなどが焼結体中に含まれ
ると焼結体の粒界に低融点物質が生成されるために高温
強度や高温耐酸化性が低下するという見地から、上記の
酸化物を実質的に含まないSi3N4‐RE2O3(希土類酸化
物)−SiO2の単純三元組成系が検討されている。
また、焼結体の組織の点からは、高温特性を決定する
要因として焼結体中の粒界相が注目されており、粒界相
自体の強度を向上させることを目的として粒界相を実質
上結晶化させる試みがなされている。そこで最近に至っ
ては、上記の単純三元系の組成に対し、焼成条件の検討
あるいは焼結体の熱処理等によって粒界にSi3N4‐RE2O3
(希土類酸化物)−SiO2からなる各種の結晶相、例えば
アパタイト、YAM、ワラストナイト等を析出させること
も行われている。
要因として焼結体中の粒界相が注目されており、粒界相
自体の強度を向上させることを目的として粒界相を実質
上結晶化させる試みがなされている。そこで最近に至っ
ては、上記の単純三元系の組成に対し、焼成条件の検討
あるいは焼結体の熱処理等によって粒界にSi3N4‐RE2O3
(希土類酸化物)−SiO2からなる各種の結晶相、例えば
アパタイト、YAM、ワラストナイト等を析出させること
も行われている。
しかし、粒界相の結晶化は高温強度に対しある程度の
効果を有するものの、粒界に特定の結晶相のみを安定し
て析出させることは非常に困難であり、また、場合によ
っては粒界相に結晶相以外に低融点のガラス相が生成す
ることによって特性を劣化させる場合もある。
効果を有するものの、粒界に特定の結晶相のみを安定し
て析出させることは非常に困難であり、また、場合によ
っては粒界相に結晶相以外に低融点のガラス相が生成す
ることによって特性を劣化させる場合もある。
そこで、本発明者等は、上記の三元系の組成において
SiO2/RE2O3モル比が2を越え、25以下からなるSiO2を
過剰に含む組成をシールHIP法によって低温焼成するこ
とによって、微細な窒化珪素粒状組織からなり、粒界相
が珪素、希土類元素、酸素および窒素から構成される室
温強度、高温強度並びに耐酸化性に優れた焼結体が得ら
れることを提案した。
SiO2/RE2O3モル比が2を越え、25以下からなるSiO2を
過剰に含む組成をシールHIP法によって低温焼成するこ
とによって、微細な窒化珪素粒状組織からなり、粒界相
が珪素、希土類元素、酸素および窒素から構成される室
温強度、高温強度並びに耐酸化性に優れた焼結体が得ら
れることを提案した。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記の焼結体は従来品に比較して抗折
強度、耐酸化性については優れた特性を有するが、組織
が微細粒状組織であることに起因して、外部からのクラ
ックの進展に対し、充分な効力を持たなくなり、所謂焼
結体自体の靱性が劣化しやすいという欠点を有すること
がわかった。
強度、耐酸化性については優れた特性を有するが、組織
が微細粒状組織であることに起因して、外部からのクラ
ックの進展に対し、充分な効力を持たなくなり、所謂焼
結体自体の靱性が劣化しやすいという欠点を有すること
がわかった。
(発明の目的) よって、本発明は上記の優れた強度並びに耐酸化性を
維持しつつ、優れた靱性をも兼ね備えた焼結体を提供す
ることを目的とするものである。
維持しつつ、優れた靱性をも兼ね備えた焼結体を提供す
ることを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明者等は、上記の問題点に対して検討を加えた結
果、先に提案したSi3N4‐RE2O3(希土類酸化物)−SiO2
系の組成物を用い、焼結体の組織を針状粒子からなる微
細構造を形成することによって優れた室温抗折強度並び
に高温抗折強度を維持しつつ、靱性(K1c)を高めるこ
とができることを知見した。
果、先に提案したSi3N4‐RE2O3(希土類酸化物)−SiO2
系の組成物を用い、焼結体の組織を針状粒子からなる微
細構造を形成することによって優れた室温抗折強度並び
に高温抗折強度を維持しつつ、靱性(K1c)を高めるこ
とができることを知見した。
即ち、本発明は、窒化珪素が70乃至99モル%と、希土
類元素酸化物が0.1〜5モル%と、過剰酸素がSiO2換算
で25モル%以下からなり、(過剰酸素/希土類元素酸化
物)モル比が2より大きく、25以下の範囲にある窒化珪
素質焼結体であり、該焼結体の窒化珪素焼結の平均アス
ペクト比が3以上、平均粒子径(長径)が15μm以下
で、且つ靱性(K1c)が6MPa・m1/2以上であることを特
徴とする窒化珪素質焼結体を提供するものである。
類元素酸化物が0.1〜5モル%と、過剰酸素がSiO2換算
で25モル%以下からなり、(過剰酸素/希土類元素酸化
物)モル比が2より大きく、25以下の範囲にある窒化珪
素質焼結体であり、該焼結体の窒化珪素焼結の平均アス
ペクト比が3以上、平均粒子径(長径)が15μm以下
で、且つ靱性(K1c)が6MPa・m1/2以上であることを特
徴とする窒化珪素質焼結体を提供するものである。
以下、本発明を詳述する。
本発明の焼結体を構成する組成は、窒化珪素が70〜99
モル%、特に80〜93.5モル%と、希土類元素酸化物0.1
〜5モル%、特に0.5〜4モル%、過剰酸素がSiO2換算
で25モル%以下、特に6〜20モル%の割合からなる。な
お、過剰酸素とは焼結体の系全体に含まれる全酸素量か
ら希土類元素酸化物として混入した化学量論的量で混入
した酸素を除いた酸素量で、具体的には窒化珪素原料中
の不純物酸素、あるいはSiO2として添加された酸素から
構成されるものであり、本発明ではいずれもSiO2換算量
を示すものである。
モル%、特に80〜93.5モル%と、希土類元素酸化物0.1
〜5モル%、特に0.5〜4モル%、過剰酸素がSiO2換算
で25モル%以下、特に6〜20モル%の割合からなる。な
お、過剰酸素とは焼結体の系全体に含まれる全酸素量か
ら希土類元素酸化物として混入した化学量論的量で混入
した酸素を除いた酸素量で、具体的には窒化珪素原料中
の不純物酸素、あるいはSiO2として添加された酸素から
構成されるものであり、本発明ではいずれもSiO2換算量
を示すものである。
本発明における組成上の特徴は、(過剰酸素/希土類
元素酸化物)モル比が2より大きく、25以下、特に3〜
20の割合からなる点にある。このモル比を上記の範囲に
限定した理由はこのモル比が2以下では高温における耐
酸化性が劣化し易く、逆に25を越えると低融点のガラス
が生成されやすくなり高温特性が劣化する。また、窒化
珪素、希土類酸化物、過剰酸素のいずれかが前述の範囲
を逸脱しても室温強度ならびに高温強度が劣化し、本発
明の目的が達成されない。
元素酸化物)モル比が2より大きく、25以下、特に3〜
20の割合からなる点にある。このモル比を上記の範囲に
限定した理由はこのモル比が2以下では高温における耐
酸化性が劣化し易く、逆に25を越えると低融点のガラス
が生成されやすくなり高温特性が劣化する。また、窒化
珪素、希土類酸化物、過剰酸素のいずれかが前述の範囲
を逸脱しても室温強度ならびに高温強度が劣化し、本発
明の目的が達成されない。
本発明によれば、上記特定の組成系において、焼結体
中の窒化珪素結晶粒子の平均アスペクト比を3以上、特
に5以上で且つ平均粒子径(長径)を15μm以下、、特
に10μm以下の組織にすることによって、前述した優れ
た強度、耐酸化性を維持しつつ焼結体の靱性を大幅に向
上させることができる。平均アスペクト比が3を下回る
と所望の靱性が得られず、平均粒子径が15μmを越える
とこれら粒子が破壊源となりやすく、強度が低下する。
中の窒化珪素結晶粒子の平均アスペクト比を3以上、特
に5以上で且つ平均粒子径(長径)を15μm以下、、特
に10μm以下の組織にすることによって、前述した優れ
た強度、耐酸化性を維持しつつ焼結体の靱性を大幅に向
上させることができる。平均アスペクト比が3を下回る
と所望の靱性が得られず、平均粒子径が15μmを越える
とこれら粒子が破壊源となりやすく、強度が低下する。
上記の構成からなる窒化珪素質焼結体を製造する方法
としては、各種の製法が挙げられるが、特に優れた特性
を得るためにはシールHIP法が好適である。よってここ
ではシールHIP法を例にとって説明する。
としては、各種の製法が挙げられるが、特に優れた特性
を得るためにはシールHIP法が好適である。よってここ
ではシールHIP法を例にとって説明する。
まず、原料粉末として窒化珪素粉末、希土類元素酸化
物粉末、さらに場合によりSiO2粉末を用いる。窒化珪素
粉末は、焼結性を促進するためBET比表面積が3〜20m2/
g、α化率95%以上であることが望ましい。また、酸素
含有量は一般に市販品で0.8〜1.4重量%程度含有される
が、SiO2の添加によって任意に調整できる。
物粉末、さらに場合によりSiO2粉末を用いる。窒化珪素
粉末は、焼結性を促進するためBET比表面積が3〜20m2/
g、α化率95%以上であることが望ましい。また、酸素
含有量は一般に市販品で0.8〜1.4重量%程度含有される
が、SiO2の添加によって任意に調整できる。
これらの粉末を用いて前述した組成に秤量混合し、バ
インダーを添加して造粒後、成形する。成形は周知の方
法を採用でき、具体的にはプレス成形、押し出し成形、
鋳込み成形、射出成形等が採用できる。
インダーを添加して造粒後、成形する。成形は周知の方
法を採用でき、具体的にはプレス成形、押し出し成形、
鋳込み成形、射出成形等が採用できる。
このようにして得られた成形体は脱バインダーした
後、焼成工程においてシール材であるガラス等との反応
を防止することを目的としてBN粉末等のガラスと濡れ性
の悪い粉末を成形体表面に塗布する。成形体表面へのBN
等のガラスとの濡れ性の悪い粉末の塗布は、BN等の粉末
をスラリー化して成形体に塗布するか、またはスラリー
をスプレー塗布することもできる。なお、成形体表面へ
の塗布量はその厚みが1〜10mm程度が望ましい。
後、焼成工程においてシール材であるガラス等との反応
を防止することを目的としてBN粉末等のガラスと濡れ性
の悪い粉末を成形体表面に塗布する。成形体表面へのBN
等のガラスとの濡れ性の悪い粉末の塗布は、BN等の粉末
をスラリー化して成形体に塗布するか、またはスラリー
をスプレー塗布することもできる。なお、成形体表面へ
の塗布量はその厚みが1〜10mm程度が望ましい。
上記BN等の粉末塗布後に乾燥工程が必要であり、この
時成形体にクラックが生じやすいため、BN塗布前の成形
体を一旦1200〜1600℃の不活性ガス雰囲気下で仮焼して
おくことが望ましい。
時成形体にクラックが生じやすいため、BN塗布前の成形
体を一旦1200〜1600℃の不活性ガス雰囲気下で仮焼して
おくことが望ましい。
また、BN粉末中には、B2O3等の不純物が存在し、これ
が焼成時、焼結体中に混入して低融点の粒界を形成し焼
結体の高温特性を劣化させることから、焼成前に1200〜
1450℃の減圧下で熱処理し、この不純物を除去すること
が望ましい。なお、この時の条件は窒化珪素の分解が生
じない条件で行うことが必要である。
が焼成時、焼結体中に混入して低融点の粒界を形成し焼
結体の高温特性を劣化させることから、焼成前に1200〜
1450℃の減圧下で熱処理し、この不純物を除去すること
が望ましい。なお、この時の条件は窒化珪素の分解が生
じない条件で行うことが必要である。
次に、BNが塗布された成形体に対し焼成時シールを形
成するガラス粉末をその表面に塗布するかあるいはガラ
ス製カプセル内に封入する。また他の方法として、前記
成形体を内部にガラス粉末が充填された耐熱容器内に埋
めることもできる。その後、成形体をHIP法により高温
高圧下で焼成する。
成するガラス粉末をその表面に塗布するかあるいはガラ
ス製カプセル内に封入する。また他の方法として、前記
成形体を内部にガラス粉末が充填された耐熱容器内に埋
めることもできる。その後、成形体をHIP法により高温
高圧下で焼成する。
次に、第1図に本発明の焼結体を得るための具体的な
焼成パターンを示した。第1図によれば、まず点A−B
において減圧下で炉内の温度を昇温して成形体に含まれ
る水分を除去する。
焼成パターンを示した。第1図によれば、まず点A−B
において減圧下で炉内の温度を昇温して成形体に含まれ
る水分を除去する。
次に点B−Cにおいて成形体表面に存在するガラスの
軟化点以上の焼成温度にまで昇温すると同時に、該温度
における窒化珪素の分解平衡圧と同等もしくはそれより
0.01〜0.2MPa程度高い分圧の窒素ガスを導入しつつガラ
スを軟化させ成形体表面にガラスによるガス不透過性膜
を形成する。
軟化点以上の焼成温度にまで昇温すると同時に、該温度
における窒化珪素の分解平衡圧と同等もしくはそれより
0.01〜0.2MPa程度高い分圧の窒素ガスを導入しつつガラ
スを軟化させ成形体表面にガラスによるガス不透過性膜
を形成する。
ガス不透過性膜が成形体表面に完全に形成された後、
点C−Dにおいて炉内圧力を充分に緻密化しうる条件
下、例えば50MPa以上の圧力まで上昇させる。この時の
圧力媒体には窒素、アルゴンの不活性ガスが用いられ
る。この段階で、希土類酸化物、SiO2および窒化珪素に
より液相が生成されて焼成が進行し、点Dではその緻密
化はほぼ終了する。
点C−Dにおいて炉内圧力を充分に緻密化しうる条件
下、例えば50MPa以上の圧力まで上昇させる。この時の
圧力媒体には窒素、アルゴンの不活性ガスが用いられ
る。この段階で、希土類酸化物、SiO2および窒化珪素に
より液相が生成されて焼成が進行し、点Dではその緻密
化はほぼ終了する。
その後、点D−Eにおいて最高温度圧力下で所定時間
保持して結晶を成長させた後、点E以降、温度、圧力を
共に下げ焼成を終了する。なお、この時の最高温度は14
50〜1800℃、特に1500〜1750℃に設定される。
保持して結晶を成長させた後、点E以降、温度、圧力を
共に下げ焼成を終了する。なお、この時の最高温度は14
50〜1800℃、特に1500〜1750℃に設定される。
本発明において、前述した優れた特性を有する焼結体
を得るためには、例えば、点Dにおいて緻密化がほぼ終
了した段階で焼結体中に多量のα−Si3N4を残存させ、
その状態で所定時間維持して窒化珪素を針状化させる。
通常、窒化珪素の針状化はα−Si3N4からβ−Si3N4への
転移に付随し液相を生じる温度にて起こるが、点C−D
間においてα−β転移を進行させ過ぎると、出発原料と
して高β−Si3N4含有原料を用いた場合と同様な状態と
なり、本発明の目的とする有効な針状化が阻害される。
を得るためには、例えば、点Dにおいて緻密化がほぼ終
了した段階で焼結体中に多量のα−Si3N4を残存させ、
その状態で所定時間維持して窒化珪素を針状化させる。
通常、窒化珪素の針状化はα−Si3N4からβ−Si3N4への
転移に付随し液相を生じる温度にて起こるが、点C−D
間においてα−β転移を進行させ過ぎると、出発原料と
して高β−Si3N4含有原料を用いた場合と同様な状態と
なり、本発明の目的とする有効な針状化が阻害される。
そこで、点C−D間の昇圧速度を50MPa/Hr以上に高め
ることによって点Dにおける焼結体中のα−Si3N4量を
高めることができる。
ることによって点Dにおける焼結体中のα−Si3N4量を
高めることができる。
なお、HIP時における焼成条件として焼成温度を1450
〜1800℃の範囲に限定した理由は、この温度範囲におい
て微細な針状組織が形成されるためで、1450℃未満では
緻密化が達成されず、1800℃を越えると異常粒成長が生
じ易く、機械的特性の向上が望めない。また圧力は緻密
化に不可欠の要因であり、50MPa未満では緻密体が得ら
れない。なお、点D−E間は組織の針状化が進行するに
充分時間保持し、具体的には1〜5Hr程度保持する。ま
た点E以降の冷却速度は500〜1500℃/Hrが好適である。
〜1800℃の範囲に限定した理由は、この温度範囲におい
て微細な針状組織が形成されるためで、1450℃未満では
緻密化が達成されず、1800℃を越えると異常粒成長が生
じ易く、機械的特性の向上が望めない。また圧力は緻密
化に不可欠の要因であり、50MPa未満では緻密体が得ら
れない。なお、点D−E間は組織の針状化が進行するに
充分時間保持し、具体的には1〜5Hr程度保持する。ま
た点E以降の冷却速度は500〜1500℃/Hrが好適である。
このようにして得られる焼結体は、針状化したβ−窒
化珪素結晶相と、場合により少量のα−窒化珪素結晶
相、該結晶相の粒界に珪素、希土類元素、酸素、窒素が
存在するが、上記のような製法によれば、高融点ガラス
相の他にSi2N2Oで表わされるシリコンオキシナイトライ
ド結晶相あるいはRE2O3・2SiO2(RE:希土類元素)で表
されるダイシリケート結晶相が生成する場合もある。こ
のような粒界組織は従来から知られた各種結晶相に比較
して高温強度、耐酸化性において優れた特性を有すると
ともに安定して製造することができるというメリットを
有する。
化珪素結晶相と、場合により少量のα−窒化珪素結晶
相、該結晶相の粒界に珪素、希土類元素、酸素、窒素が
存在するが、上記のような製法によれば、高融点ガラス
相の他にSi2N2Oで表わされるシリコンオキシナイトライ
ド結晶相あるいはRE2O3・2SiO2(RE:希土類元素)で表
されるダイシリケート結晶相が生成する場合もある。こ
のような粒界組織は従来から知られた各種結晶相に比較
して高温強度、耐酸化性において優れた特性を有すると
ともに安定して製造することができるというメリットを
有する。
また、この焼結体に対し、所定の条件、例えば非酸化
性雰囲気で1200〜1700℃の温度で熱処理し、あるいは酸
化性雰囲気で熱処理することによって特性の改善を図る
こともできる。
性雰囲気で1200〜1700℃の温度で熱処理し、あるいは酸
化性雰囲気で熱処理することによって特性の改善を図る
こともできる。
以下、本発明を次の例で説明する。
(実施例) 原料粉末として、窒化珪素粉末(BET比表面積5m2/
g、α化率99%、不純物酸素量1.0重量%)と、各種希土
類酸化物あるいはSiO2粉末を用いて、第1表に示す組成
に成るように調合し混合後、1t/cm2でプレス成形後、14
00℃で仮焼した。
g、α化率99%、不純物酸素量1.0重量%)と、各種希土
類酸化物あるいはSiO2粉末を用いて、第1表に示す組成
に成るように調合し混合後、1t/cm2でプレス成形後、14
00℃で仮焼した。
得られた成形体に対し、約粒径1〜5μmのBN粉末の
ペーストを1〜10mmの厚みで塗布後、0.2Torrの減圧下
で1350℃の熱処理し、不純物の除去を行った。
ペーストを1〜10mmの厚みで塗布後、0.2Torrの減圧下
で1350℃の熱処理し、不純物の除去を行った。
その後、SiO2を主成分とするガラスを1〜10mmの厚み
で塗布した。
で塗布した。
このように処理された成形体を熱間静水圧焼成炉に配
置して、第1図の焼成パターンに基づき、焼成を行っ
た。まず、減圧下500℃で水分除去した後に窒素ガス0.1
MPaの雰囲気下で、炉内の温度をガラスの軟化点温度以
上にまで昇温し、さらに第1表に示した各焼成温度まで
約900℃/Hrの昇温速度で上昇させた。成形体表面にガラ
スシールが完成したことを確認し、炉内の圧力をArを圧
力媒体として第1表に示す昇圧速度で昇圧し、所定の条
件で焼成した。焼成後はいずれも1000℃/Hrの冷却速度
で冷却した。
置して、第1図の焼成パターンに基づき、焼成を行っ
た。まず、減圧下500℃で水分除去した後に窒素ガス0.1
MPaの雰囲気下で、炉内の温度をガラスの軟化点温度以
上にまで昇温し、さらに第1表に示した各焼成温度まで
約900℃/Hrの昇温速度で上昇させた。成形体表面にガラ
スシールが完成したことを確認し、炉内の圧力をArを圧
力媒体として第1表に示す昇圧速度で昇圧し、所定の条
件で焼成した。焼成後はいずれも1000℃/Hrの冷却速度
で冷却した。
次に、ガラス除去後の焼結体に対し、JISR1601に従
い、室温、1200℃および1400℃における4点曲げ抗折強
度およびIM法によりK1cを測定した。さらに、1400℃に
おける酸化重量増を調べた。
い、室温、1200℃および1400℃における4点曲げ抗折強
度およびIM法によりK1cを測定した。さらに、1400℃に
おける酸化重量増を調べた。
また、各焼結体の鏡面写真から窒化珪素結晶粒の平均
アスペクト比および平均粒径(長径)を測定した。
アスペクト比および平均粒径(長径)を測定した。
結果は第1表に示した。
第1表によれば、(過剰酸素/希土類元素酸化物)モ
ル比が2より低い試料9,14では室温強度及び1400℃の強
度が低い。また、上記モル比が25を越える試料5では強
度が低い。また、焼成温度を高く設定した試料10は異常
粒成長が生じており同様に強度が低いものであった。
ル比が2より低い試料9,14では室温強度及び1400℃の強
度が低い。また、上記モル比が25を越える試料5では強
度が低い。また、焼成温度を高く設定した試料10は異常
粒成長が生じており同様に強度が低いものであった。
さらに、焼成時に昇圧速度を遅く設定した試料11、15
はいずれもアスペクト比が小さく、靱性の向上効果が見
られなかった。
はいずれもアスペクト比が小さく、靱性の向上効果が見
られなかった。
これらの比較例に対し本発明の試料はいずれも粒径が
小さく、またアスペクト比が大きく、特性的にも1100MP
a以上の抗折強度、6.0MPam1/2以上の優れた靱性を有す
るとともに高温耐酸化性においても0.1mg/cm2以下の優
れた特性を有することが理解される。
小さく、またアスペクト比が大きく、特性的にも1100MP
a以上の抗折強度、6.0MPam1/2以上の優れた靱性を有す
るとともに高温耐酸化性においても0.1mg/cm2以下の優
れた特性を有することが理解される。
(発明の効果) 以上詳述した通り、本発明の窒化珪素質焼結体によれ
ば、Si3N4‐RE2O3(希土類酸化物)−SiO2(過剰酸化)
の単純三元組成系においてその過剰酸素量を多く含む系
において、組織上窒化珪素結晶粒子を針状化した微細な
構造を形成することによって、室温、高温において優れ
た強度を維持し、高い靱性を付与することができる。
ば、Si3N4‐RE2O3(希土類酸化物)−SiO2(過剰酸化)
の単純三元組成系においてその過剰酸素量を多く含む系
において、組織上窒化珪素結晶粒子を針状化した微細な
構造を形成することによって、室温、高温において優れ
た強度を維持し、高い靱性を付与することができる。
これにより、窒化珪素質焼結体の熱機関等の高温用構
造材料をはじめ、各種機械構造部品としてその用途をさ
らに拡充することができる。
造材料をはじめ、各種機械構造部品としてその用途をさ
らに拡充することができる。
第1図は、本発明の窒化珪素質結晶体を得るための具体
的な焼成パターンを示す。
的な焼成パターンを示す。
Claims (1)
- 【請求項1】窒化珪素70乃至99モル%と、希土類元素酸
化物0.1〜5モル%と、過剰酸素(SiO2換算量)25%モ
ル以下からなり、(過剰酸素/希土類元素酸化物)モル
比が2より大きく、25以下の範囲にある窒化珪素質焼結
体であって、該焼結体の窒化珪素結晶の平均アスペクト
比が3以上、平均粒子径(長径)が15μm以下であり、
且つ靱性(K1c)が6MPa・m1/2以上であることを特徴と
する窒化珪素質焼結体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308621A JP2694369B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 窒化珪素質焼結体 |
| US07/618,480 US5114889A (en) | 1989-11-27 | 1990-11-27 | Silicon nitride sintered body and process for preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308621A JP2694369B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 窒化珪素質焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03170374A JPH03170374A (ja) | 1991-07-23 |
| JP2694369B2 true JP2694369B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=17983253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308621A Expired - Fee Related JP2694369B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 窒化珪素質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694369B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0016787D0 (en) | 2000-07-07 | 2000-08-30 | Pfizer Ltd | Compounds useful in therapy |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308621A patent/JP2694369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03170374A (ja) | 1991-07-23 |
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