JP2668511B2

JP2668511B2 - 電子部材用樹脂組成物

Info

Publication number: JP2668511B2
Application number: JP6227311A
Authority: JP
Inventors: 宏之門出; 多希雄田坂; 郁恵渡▲邉▼; 孝夫木村
Original assignee: Otsuka Chemical Co Ltd
Current assignee: Otsuka Chemical Co Ltd
Priority date: 1993-08-30
Filing date: 1994-08-29
Publication date: 1997-10-27
Anticipated expiration: 2012-10-27
Also published as: JPH07118529A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子部材用樹脂組成物
に関し、詳しくは、低比誘電率、低誘電正接、高耐熱
性、高機械的強度及び良好な熱伝導性を兼備し、電子機
器の回路基板材料として好適な電子部材用樹脂組成物に
関する。なお、本明細書における比誘電率及び誘電正接
の数値は、特に断りのない限り、１ＭＨｚ、２５℃の条
件下で測定した値とする。

【０００２】

【従来の技術とその課題】電子機器の回路基板材料に
は、比誘電率や誘電正接等の誘電特性が低く、耐熱性や
機械的強度等の物理的特性に優れることが要求される。
比誘電率（ε）とは、誘電体内の分極の程度を示すパラ
メーターであり、比誘電率が高い程電気信号の伝播遅延
が大きくなる（Ｔｄ＝３．３√ε、Ｔｄ；電気信号伝播
遅延時間）。従って、信号の伝播速度を高め、高速演算
を可能にするためには、比誘電率は低い方が好ましい。
誘電正接（ｔａｎδ）とは、誘電体内に伝播する信号が
熱に変換されて失われる量を示すパラメーターであり、
誘電正接が低い程信号の損失が少なくなり、信号伝達率
が向上する。

【０００３】従来、回路基板材料としては、ガラスクロ
スにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸、硬化させて
なる通称“ガラエポ基板”が一般に用いられてきたが、
その比誘電率は４．５〜５．５と高く、誘電正接も０．
０２０〜０．０３５と大きいため、特にＭＨｚ帯以上の
高周波域における信号の伝達速度及び伝達率は満足でき
るものではない。

【０００４】最近、合成樹脂特に熱可塑性樹脂は、その
易成形性により電子部材の材料として広く使用されてい
る。

【０００５】耐熱性や機械的強度等の改良を目的とし
て、電子部材用の合成樹脂に各種のウィスカーや繊維状
物等の強化繊維を添加することは、一般に行われてい
る。例えば、特開平３−３５５８５号公報によれば、こ
のような強化繊維として、ガラス繊維やチタン酸カリウ
ムウィスカー等が提案されている。

【０００６】しかし、ガラス繊維を合成樹脂に添加する
と、比誘電率の上昇は比較的小さく抑えられるものの、
誘電正接が著しく増大する。また、ガラス繊維は、繊維
径５〜１５μｍと太く、繊維長１００μｍ以上と長いた
め、成形品の表面平滑性が損なわれ、該成形品の表面に
微細回路をメッキするのが困難になることがあり、更に
ワイヤーボンダーで回路を接続する際に、ワイヤーボン
ダーの先端部を傷めることがある。

【０００７】チタン酸カリウムウィスカーは、繊維径
０．０５〜２μｍ、繊維長２〜５０μｍとミクロな繊維
であり、耐熱性や機械的強度の向上、熱膨張係数の低下
等には有効であるが、比誘電率及び誘電正接を著しく上
昇させ、信号伝達速度の遅延、伝達率の低下をもたら
す。しかも、該ウィスカーに含まれるカリウム等のアル
カリ成分は、電子機器の電極や配線を腐食させたり、断
線や電流の漏れ等を引き起こしたりする。

【０００８】更に、ホウ酸アルミニウムウィスカーやホ
ウ酸マグネシウムウィスカーも、強化繊維としては公知
である（特開平２−１６６１３４号公報、同３−２０３
９６１号公報等）。しかし、これらのウィスカーを合成
樹脂に混合した場合に、樹脂の誘電正接や熱伝導率が改
善されるとの報告はない。

【０００９】一方、ポリエーテルイミド、ポリフェニレ
ンエーテル、及び相溶化剤としての芳香族ビニル系樹脂
又は無水マレイン酸系樹脂からなり、良好な耐熱性、機
械的強度、電気絶縁性、成形性を有し、電子部材の材料
として好適な熱可塑性樹脂組成物が提案されている（特
開平５−３２８８０号公報、特願平５−１８５６１６号
明細書、同５−１８５６１７号明細書等）。ただし、こ
れらの組成物は、比誘電率は３前後と良好であるが、誘
電正接は約０．００３であり、特にＭＨｚ帯以上の高周
波用の回路基板材料とするには、誘電正接を更に低下さ
せる必要がある。

【００１０】本発明は、以上のような問題がなく、低比
誘電率、低誘電正接、高耐熱性、高機械的強度及び良好
な熱伝導性を兼備し、電子機器の回路基板材料として好
適な電子部材用樹脂組成物を提供することを目的とす
る。

【００１１】本発明者らは、上記目的を達成するため
に、鋭意検討した結果、特定のポリエーテルイミド、特
定のポリフェニレンエーテル、及び芳香族ビニル系樹脂
からなる樹脂組成物に、特定の組成を有するウィスカー
を特定量配合することにより、高周波域での使用に支障
をきたす程の比誘電率の上昇を伴うことなく、誘電正接
を高周波域での使用に適した範囲（０．００１前後また
はそれ以下）まで低下させることができ、その傾向は高
周波域になる程一層顕著化し、併せて熱伝導率、耐熱性
及び機械的強度をも向上させることができること、従っ
て電子部材用材料、特にＭＨｚ帯以上の高周波用の回路
基板材料として極めて望ましい組成物が得られることを
見出し、本発明を完成するに至った。

【００１２】すなわち、本発明は、（Ａ）特定のポリエ
ーテルイミド、（Ｂ）特定のポリフェニレンエーテル、
及び（Ｃ）芳香族ビニル系樹脂からなるマトリックス樹
脂に、一般式ａＡ_ｘＯ_ｙ・ｂＢ_２Ｏ_３（ここで、１≦ａ
≦９、１≦ｂ≦９であり、Ａは２価又は３価の元素、ｘ
＝ｙ＝１又はｘ＝２、ｙ＝３）で示される組成からなる
ウィスカーを、前記マトリックス樹脂及びウィスカーの
合計重量を基準にして５〜６０％の割合で配合してなる
ことを特徴とする電子部材用樹脂組成物を要旨とする。

【００１３】本発明におけるマトリックス樹脂は、
（Ａ）成分である特定のポリエーテルイミド、（Ｂ）成
分である特定のポリフェニレンエーテル、及び（Ｃ）成
分の芳香族ビニル系樹脂からなるものである。

【００１４】（Ａ）成分のポリエーテルイミドは、化３
の一般式Ａで表されるものを使用する。

【００１５】

【化３】を表し、ｎは１０〜１０００の整数を表す。

【００１６】一般式Ａのポリエーテルイミドの中でも、
その性能、製造、コスト等の面で好ましい具体例とし
て、化４の構造式で示されるものが挙げられる。

【００１７】

【化４】式中ｎは、１０〜１０００の整数を表す。

【００１８】ポリエーテルイミドは、１種を単独で又は
２種以上を混合して使用することができる。（Ａ）成分
のポリエーテルイミドの配合量は、特に制限されず、広
い範囲から適宜選択できるが、一般に、ポリエーテルイ
ミドの量が少なすぎると、機械的強度、耐熱性等の向上
が不充分となり、逆に多すぎると、比誘電率、誘電正接
が大きくなる傾向を示すので、これらのバランスを考慮
すると、通常は、１〜９９重量部程度、好ましくは１０
〜９０重量部、更に好ましくは２０〜８０重量部程度と
すればよい。

【００１９】（Ｂ）成分のポリフエニレンエーテルは、
化５の一般式Ｂで表されるものを使用する。

【００２０】

【化５】式中、Ｘ_１〜Ｘ_４は水素又はメチル基を表し、ｎは１０
〜１０００の整数を表す。

【００２１】一般式Ｂのポリフェニレンエーテルの中で
も、その性能、製造、コスト等の面で好ましい具体例と
して、化６の構造式で示されるものが挙げられる。ま
た、成形加工性、熱安定性の向上を目的として、スチレ
ン系の樹脂により変性した変性ポリフェニレンエーテル
も使用することができる。

【００２２】

【化６】式中ｎは、１０〜１０００の整数を表す。

【００２３】ポリフェニレンエーテルは、１種を単独で
又は２種以上を混合して使用することができる。（Ｂ）
成分のポリフェニレンエーテルの配合量も、特に制限さ
れず、広い範囲から適宜選択できるが、一般に、ポリフ
ェニレンエーテルの量が多すぎると、機械的強度、耐熱
性等の向上が不充分となり、逆に少なすぎると、比誘電
率、誘電正接が増大するので、これらのバランスを考慮
すると、通常は、９９〜１重量部程度、好ましくは９０
〜１０重量部、更に好ましくは８０〜２０重量部程度と
すればよい。

【００２４】（Ｃ）成分の芳香族ビニル系樹脂は、
（Ａ）成分，（Ｂ）成分を相溶化するものであれば、特
に制限されないが、中でも、相溶化性能、生産性、コス
ト等を考慮すると、エポキシ化合物やマレイン酸等によ
って変性された芳香族ビニル系樹脂が好ましく使用でき
る。具体的には、例えば、スチレン−グリシジルメタク
リレートランダム共重合体、エポキシ変性スチレン−ス
チレングラフト共重合体、エポキシ変性スチレン−メチ
ルメタクリレートグラフト共重合体等のエポキシ変性ス
チレン系共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、スチレン−フェニルマレイミド共重合体等の無水マ
レイン酸系化合物−スチレン共重合体等が挙げられる。

【００２５】相溶化性能等を考慮すると、エポキシ変性
スチレン−スチレングラフト共重合体、エポキシ変性ス
チレン−メチルメタクリレートグラフト共重合体、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体等が特に好ましい。

【００２６】芳香族ビニル系樹脂は、１種を単独で又は
２種以上を混合して使用することができる。（Ｃ）成分
の芳香族ビニル系樹脂の配合量も、特に制限されず、広
い範囲から適宜選択できるが、得られるマトリックス樹
脂の耐熱性と機械的強度のバランスを考慮すると、
（Ａ）成分，（Ｂ）成分の合計量の０．１〜３０重量％
程度、好ましくは０．５〜２０重量％程度とすればよ
い。

【００２７】（Ｃ）成分の配合量が少なすぎると、ポリ
エーテルイミドとポリフェニレンエーテルの相溶性が低
下して、均一なポリマーアロイが製造できない虞れがあ
るばかりか、機械的物性が安定しない傾向がある。逆に
多すぎると、耐熱性、機械的強度等がいずれも低下する
傾向が見られる。

【００２８】なお、（Ｃ）成分として、エポキシ変性ス
チレン−スチレングラフト共重合体、エポキシ変性スチ
レン−メチルメタクリレートグラフト共重合体等を用い
る場合には、これらの相溶化性能が著しく大きいため、
配合量は、０．１〜１重量部程度でも充分な効果を発揮
するが、通常は０．１〜３０重量部、好ましくは０．１
〜１０重量部程度とすればよい。

【００２９】また、（Ｃ）成分として、スチレン−無水
マレイン酸共重合体、スチレン−フェニルマレイミド共
重合体等の無水マレイン酸系化合物−スチレン共重合体
や、スチレン−グリシジルメタクリレート共重合体等を
用いる場合には、配合量は、１．０〜３０重量部程度、
２０重量部程度までとすればよい。

【００３０】本発明で使用される一般式ａＡ_ｘＯ_ｙ・ｂ
Ｂ_２Ｏ_３で示されるウィスカーとしては、１≦ａ≦９、
１≦ｂ≦９の整数又は小数、ＡはＡｌ、Ｍｇ、Ｎｉより
なる群から選ばれる２価又は３価の元素、ｘ＝ｙ＝１又
はｘ＝２、ｙ＝３のものが挙げられ、具体的には、
「Ａ」がＡｌであるホウ酸アルミニウムウィスカー、
「Ａ」がＭｇであるホウ酸マグネシウムウィスカー、
「Ａ」がＮｉであるホウ酸ニッケルウィスカーが挙げら
れる。

【００３１】ホウ酸アルミニウムウィスカーは、白色針
状結晶であり、例えば、“Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．ｆｒ．Ｍ
ｉｎｅｒａｌ．Ｃｒｉｓｔａｌｏｇｒ．（１９７７），
１００，２８〜３２”、“Ｚｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔｆ
ｕｒａｎｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｕｎｄａｌｌｇｅ
ｍｅｉｎｅＣｈｅｍｉｅ，Ｂａｎｄ２８４，１９５
６，ｐ２７２〜２７７”、“Ｇｌａｓｔｅｃｈｎ．Ｂｅ
ｒ．”第２８巻，第２号（１９５５），第４７〜５１
頁、特開昭６３−３１９２９９号公報、同６３−３１９
２９８号公報等多数の文献に記載されている。

【００３２】ホウ酸アルミニウムウィスカーは、例え
ば、アルミニウム水酸化物及びアルミニウム無機塩の中
から選ばれる少なくとも１種のアルミニウム供給成分
と、ホウ素の酸化物、酸素酸及びアルカリ金属塩の中か
ら選ばれる少なくとも１種のホウ素供給成分とを、アル
カリ金属の硫酸塩、塩化物及び炭酸塩の中から選ばれる
少なくとも１種の溶融剤の存在下、６００〜１２００℃
の範囲の焼成温度に加熱して、反応、育成させることに
より、容易に製造される。

【００３３】誘電正接の低下効果等を考慮すると、好ま
しいホウ酸アルミニウムウィスカーの具体例としては、
式９Ａｌ_２Ｏ_３・２Ｂ_２Ｏ_３又は式２Ａｌ_２Ｏ_３・Ｂ_２
Ｏ_３で示されるもの等が挙げられる。

【００３４】式９Ａｌ_２Ｏ_３・２Ｂ_２Ｏ_３で示されるホ
ウ酸アルミニウムウィスカーは、真比重２．９３〜２．
９５、融点１４２０〜１４６０℃であり、焼成温度９０
０〜１２００℃にて製造されたものが特に好ましい。ま
た、式２Ａｌ_２Ｏ_３・Ｂ_２Ｏ_３で示されるホウ酸アルミ
ニウムウィスカーは、真比重２．９２〜２．９４、融点
１０３０〜１０７０℃であり、焼成温度６００〜１００
０℃にて製造されたものが特に好ましい。

【００３５】現在市販されているホウ酸アルミニウムウ
ィスカーとしては、例えば、式９Ａｌ_２Ｏ_３・２Ｂ_２Ｏ
_３で示されるもの（四国化成工業（株）製商品名“アル
ボレックスＧ”）があり、このものの平均繊維径は０．
５〜１μｍ、平均繊維長は１０〜３０μｍである。

【００３６】ホウ酸マグネシウムウィスカーも、白色針
状結晶であり、例えば、マグネシウムの酸化物、水酸化
物及び無機酸塩の中から選ばれる少なくとも１種のマグ
ネシウム供給成分と、ホウ素の酸化物、酸素酸及びその
アルカリ金属塩の中から選ばれる少なくとも１種のホウ
素供給成分とを、ハロゲン化ナトリウム及びハロゲン化
カリウムの中から選ばれる少なくとも１種の溶融剤の存
在下に、６００〜１０００℃の焼成温度に加熱して、反
応、育成させることにより、容易に製造される。

【００３７】好ましいホウ酸マグネシウムウィスカーの
具体例としては、式２ＭｇＯ・Ｂ_２Ｏ_３で示されるもの
が挙げられる。この式で示されるものの中でも、真比重
２．９０〜２．９２、融点１３２０〜１３６０℃のもの
が特に好ましい。

【００３８】ウィスカーは、１種を単独で又は２種以上
を混合して使用することができる。

【００３９】ウィスカーの繊維径及び繊維長は、特に制
限されず、本発明の樹脂組成物の用途、物理的特性と誘
電特性のバランス、ウィスカー自体の製造のし易さ等に
応じて、広い範囲から適宜選択できるが、通常、繊維径
は、０．０５〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜２μｍ
程度、繊維長は、２〜１００μｍ程度、好ましくは１０
〜５０μｍ程度とすればよい。

【００４０】ウィスカーは、そのまま又は適当な大きさ
の顆粒にしてマトリックス樹脂に添加してもよい。ウィ
スカーの顆粒化には、水又は適当なバインダーを用いて
もよい。

【００４１】ウィスカーの配合量は、通常、マトリック
ス樹脂とウィスカーの合計量に対し、５〜６０重量％程
度、好ましくは１０〜５０重量％程度とすればよい。こ
の範囲から、本発明の樹脂組成物の用途、物理的特性と
誘電特性のバランス等を考慮して決定すればよい。ウィ
スカーの量が５重量％未満では、誘電正接の低下効果
や、機械的強度、耐熱性及び熱伝導性の改良効果が充分
でなく、６０重量％を超えると、マトリックス樹脂への
混練溶融が困難になったり、混練、分散操作の際に粘度
上昇を招き、成形が著しく困難になる。

【００４２】本発明においては、必須成分の他に、公知
の樹脂添加剤を配合することができる。具体的には、例
えば、（１）ポリマーとウィスカーの界面の親和性や接
合性を向上させ、機械的強度を改良するためのシラン系
カップリング剤、チタネート系カップリング剤、ジルコ
アルミネート系カップリング剤、（２）メッキ性を改良
するためのタルク等の微粒子性充填剤、（３）熱安定性
を改良するための酸化防止剤、（４）耐光性を改良する
ための紫外線吸収剤、（５）難燃性を改良するための難
燃剤及び難燃助剤、（６）潤滑性を付与するための滑
剤、摺動性改良剤（固体潤滑剤、液体潤滑剤）、（７）
耐衝撃性を改良するための耐衝撃性付与剤、（８）着色
するための染料、顔料等の着色剤等が挙げられる。

【００４３】また、本発明の目的を損なわない範囲で、
ガラス繊維、ミルドガラスファイバー、チタン酸カリウ
ムウィスカー、窒化ケイ素ウィスカー、酸化亜鉛ウィス
カー、塩基性硫酸マグネシウムウィスカー、酸化マグネ
シウムウィスカー等の強化繊維をも、適宜、目的に応じ
て、併用することができる。

【００４４】本発明の樹脂組成物は、公知の方法に従
い、各成分を混合することにより製造できる。例えば、
加熱機能と混合機能を備えた混合ミキサーや、一軸ある
いは二軸のスクリュー押出機等の製造装置を使用するこ
とができる。中でも、二軸スクリュー押出機を用い、メ
インホッパーより樹脂成分を所定の配合で混合して供給
し、溶融混練中のものに、ウィスカー成分を投入し、更
に混練する方法が最も望ましい。

【００４５】本発明の樹脂組成物を用いて、例えば回路
基板を製造するに当たっては、公知の方法が広く採用で
きる。例えば、本発明の樹脂組成物を成形して所望の形
状の成形物を得、これに、必要に応じて、エッチングを
施したり、又は銅等の金属箔を貼着した後、回路を印刷
すればよい。

【００４６】なお、以上詳述した本発明の電子部材用樹
脂組成物は、次のような好ましい実施態様を有する。〔１〕（Ｃ）成分が、エポキシ変性スチレン系共重合体
及びマレイン酸変性スチレン共重合体よりなる群から選
ばれる少なくとも１つの芳香族ビニル系樹脂である。〔２〕（Ｃ）の芳香族ビニル系樹脂が、（Ａ）のポリエ
ーテルイミドと（Ｂ）のポリフェニレンエーテルとの合
計１００重量部に対して０．１〜３０重量部の、エポキ
シ変性スチレン−スチレングラフト共重合体及びエポキ
シ変性スチレン−メチルメタクリレートグラフト共重合
体よりなる群から選ばれる少なくとも１つである。〔３〕（Ｃ）の芳香族ビニル系樹脂が、（Ａ）のポリエ
ーテルイミドと（Ｂ）のポリフェニレンエーテルとの合
計１００重量部に対して１〜３０重量部の、無水マレイ
ン酸系化合物−スチレン共重合体から選ばれる少なくと
も１つである。

【００４７】

【実施例】

参考例１９Ａｌ_２Ｏ_３・２Ｂ_２Ｏ_３の組成を持ち、繊維径０．５
〜１．０μｍ，繊維長１０〜３０μｍのホウ酸アルミニ
ウムウィスカー（以下、「ホウ酸アルミニウムウィスカ
ーＡ」と言う）（四国化成工業（株）製商品名“アルボ
レックスＧ”）と炭素微粉末とを５：２（重量比）の割
合で均一に混合し、これをアルミナ製坩堝に入れ、真空
電気炉中にて１２００℃で２時間加熱処理した。炭素成
分を除去するために、更にシリコンユニット電気炉中に
て大気雰囲気下９００℃で３時間処理した。得られた粉
末を分級処理し、９Ａｌ_２Ｏ_３・１．５Ｂ_２Ｏ_３の組成
を持ち、平均繊維径０．８μｍ，平均繊維長１３μｍの
ホウ酸アルミニウムウィスカー（以下、「ホウ酸アルミ
ニウムウィスカーＢ」と言う）を得た。

【００４８】実施例１〜３及び比較例１〜５（Ａ）成分として“ウルテム♯１０１０−１０００”
（日本ジーイープラスチックス（株）販売の商品名）
を、（Ｂ）成分としてガラス転移温度２０６．５℃、固
有粘度η_ｒｅｌ０．５５（クロロホルム中、２３℃で測
定）のポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレン）
エーテル又は変性ポリフェニレンエーテル（旭化成
（株）製商品名“ザイロンＰＸＬ９１０２”）を、
（Ｃ）成分としてエポキシ変性スチレン−スチレングラ
フト共重合体（東亜合成化学工業（株）製商品名“ＲＥ
ＳＥＤＡＧＰ−５００”）、エポキシ変性スチレン−
メチルメタクリレート共重合体（東亜合成化学工業
（株）製商品名“ＲＥＳＥＤＡＧＰ−３００”）又は
無水マレイン酸系化合物−スチレン共重合体（アーコケ
ミカルジャパン（株）製商品名“ダイラークＤ３３
２”）を、ウィスカーとして、ホウ酸アルミニウムウィ
スカーＡ（アルボレックスＧ）、ホウ酸アルミニウムウ
ィスカーＢ（参考例１で得たもの）又は２ＭｇＯ・Ｂ_２
Ｏ_３の組成を持ち、繊維径０．５〜２．０μｍ，繊維長
２０〜４０μｍのホウ酸マグネシウムウィスカー（大塚
化学（株）製商品名“スワナイト”）、及び比較のため
のＫ_２Ｏ・６ＴｉＯ_２の組成を持ち、平均繊維径０．４
μｍ，平均繊維長１５μｍのチタン酸カリウムウィスカ
ー（大塚化学（株）製商品名“ティスモＮ”）を、それ
ぞれ使用した。

【００４９】二軸押出機（池貝鉄工（株）製商品名“Ｐ
ＣＭ４５”）を用い、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分をメイン
ホッパーから投入し、ウィスカーをサイドホッパーから
途中投入する方式を採用し、シリンダー温度を３４０℃
にして、表１〜表３に示す各配合にて溶融混練した後、
ペレットを作成した。ペレットを乾燥後、“ミニマット
２６／１５Ｂ”（住友重機械工業（株）製商品名）に
て、シリンダー温度３４０℃、金型温度８０℃、射出圧
力１４００ｋｇｆ／ｃｍ^２にて射出成形した。

【００５０】この成形体につき、比誘電率及び誘電正接
はＪＩＳＫ−６９１１、熱伝導率はＪＩＳＡ−１４１３
（平板直接法）、曲げ強度及び曲げ弾性率はＪＩＳＫ−
７２０３、アイゾット衝撃強さ（後ノッチ付き）はＪＩ
ＳＫ−７１１０、荷重たわみ温度はＡＳＴＭＤ６４８
（荷重１８．５ｋｇｆ）により、それぞれ測定した。測
定結果をまとめて表１〜表６に示す。なお、表示した数
値は、全て重量部を表す。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【表３】

【００５４】

【表４】

【００５５】

【表５】

【００５６】

【表６】

【００５７】表１〜表６から次のことが明らかである。
実施例１〜４と比較例１から、ホウ酸アルミニウムウィ
スカーを５〜６０％の割合で配合することにより、ポリ
エーテルイミドとポリフェニレンエーテルのポリマーア
ロイの特長である低比誘電率を維持したまま、誘電正接
を小さくする効果が大きく、併せて機械的物性及び耐熱
性（熱変形温度）が向上することが分かる。また、熱伝
導率を大きくし、放熱性を上げる効果も大きいことが分
かる。

【００５８】実施例１〜４と比較例２〜３から、ポリマ
ーアロイ化することにより、それぞれの優れた特性（ポ
リフェニレンエーテルの靱性及び誘電特性に優れる点
と、ポリエーテルイミドの曲げ特性に優れる点と）を兼
備し、電気、電子機器の回路基板材料として、極めて望
ましい樹脂組成物であることが分かる。

【００５９】実施例１〜４と比較例４から、（Ｃ）成分
（相溶化剤）を使用しないと、殊に機械的物性に劣るの
に対し、（Ｃ）成分としてのエポキシ変性スチレン−ス
チレングラフト共重合体を１重量部未満添加したのみで
相溶性が改変され、物性が大幅に改良されることが分か
る。

【００６０】比較例５から、類似形状のウィスカーで
も、チタン酸カリウムウィスカーでは、比誘電率及び誘
電正接が大きくなり、殊に誘電正接のアップ率が大で、
回路基板材料としては不適であること、及び熱伝導率も
若干小さく、放熱性に劣ることも明らかである。

【００６１】なお、実施例２の樹脂組成物の１２ＧＨｚ
での誘電特性を空洞摂動法（村田製作所製商品名“ＤＲ
Ｇ−８８２０”）にて測定したところ、比誘電率は２．
９、誘電正接は９×１０^−４と、ＧＨｚ帯でも良好な誘
電特性を示し、高周波材料として実用性の高いことが確
認できた。

【００６２】実施例１０〜１３より、ポリフェニレンエ
ーテルとして変性ポリフェニレンエーテルを使用した場
合、耐熱性（荷重たわみ温度）に若干の低下が見られる
が、誘電率や誘電正接等の特性に遜色はないことが分か
る。

【００６３】ホウ酸マグネシウムウィスカーは、補強効
果はホウ酸アルミニウムウィスカーに若干劣るものの、
誘電特性は更に優れ、比誘電率を低く維持でき、誘電正
接を下げる効果はホウ酸アルミニウムウィスカーより更
に大きいことが分かる。

【００６４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル及び芳香
族ビニル系樹脂を含む組成物に、一般式ａＡ_ｘＯ_ｙ・ｂ
Ｂ_２Ｏ_３で示されるウィスカーを配合することにより、
比誘電率の上昇を実用上問題ない範囲に抑え、かつ誘電
正接を高周波域での使用に適した範囲（０．００１前後
又はそれ以下）まで低下させることができ、併せて、熱
伝導性、耐熱性及び機械的強度をも向上させることがで
きるので、電子部材材料、特に高周波用の回路基板材料
として極めて望ましい電子部材用樹脂組成物を提供する
ことができる。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ａ (72)発明者渡▲邉▼ 郁恵東京都港区芝浦１丁目１番１号株式会社コスモ総合研究所内 (72)発明者木村孝夫埼玉県幸手市権現堂1134−２株式会社コスモ総合研究所研究開発センター内 (56)参考文献特開平５−179140（ＪＰ，Ａ) 特開平４−153264（ＪＰ，Ａ) 特開平５−32880（ＪＰ，Ａ) 特開平６−220249（ＪＰ，Ａ) 特表平３−502107（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）一般式Ａで表されるポリエーテル
イミド、（Ｂ）一般式Ｂで表されるポリフェニレンエー
テル、及び（Ｃ）芳香族ビニル系樹脂からなるマトリッ
クス樹脂に、一般式ａＡ_ｘＯ_ｙ・ｂＢ_２Ｏ_３（ここで、
１≦ａ≦９、１≦ｂ≦９であり、ＡはＡｌ、Ｍｇ又はＮ
ｉ、ｘ＝ｙ＝１又はｘ＝２、ｙ＝３）で示される組成か
らなるウィスカーを、前記マトリックス樹脂及びウィス
カーの合計重量を基準にして５〜６０％の割合で配合し
てなることを特徴とする電子部材用樹脂組成物。【化１】を表し、ｎは１０〜１０００の整数を表す。【化２】式中、Ｘ_１〜Ｘ_４は水素又はメチル基を表し、ｎは１０
〜１０００の整数を表す。
【請求項２】（Ｃ）成分の芳香族ビニル系樹脂が、エ
ポキシ化合物またはマレイン酸によって変性された芳香
族ビニル系樹脂であることを特徴とする請求項１記載の
電子部材用樹脂組成物。
【請求項３】（Ｃ）成分の芳香族ビニル系樹脂が、
（Ａ）のポリエーテルイミドと（Ｂ）のポリフェニレン
エーテルとの合計量の０．１〜３０重量％のエポキシ変
性スチレン−スチレングラフト共重合体およびエポキシ
変性スチレン−メチルメタクリレートグラフト共重合体
から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請
求項１又は２記載の電子部材用樹脂組成物。
【請求項４】（Ｃ）成分の芳香族ビニル系樹脂が、
（Ａ）のポリエーテルイミドと（Ｂ）のポリフェニレン
エーテルとの合計量の１．０〜３０重量％のマレイン酸
系化合物−スチレン共重合体およびスチレン−グリシジ
ルメタクリレート共重合体から選ばれる少なくとも１つ
であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部材
用樹脂組成物。
【請求項５】ウィスカーが、式９Ａｌ_２Ｏ_３・２Ｂ_２
Ｏ_３で示されるホウ酸アルミニウム及び式２ＭｇＯ・Ｂ
_２Ｏ_３で示されるホウ酸マグネシウムからなる群から選
ばれる少なくとも１種であり、かつ繊維径が０．０５〜
５μｍ、繊維長が２〜１００μｍである請求項１〜４の
いずれかに記載の電子部材用樹脂組成物。