JP2023001636A - 感光性ポリイミド樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は、前記本発明の樹脂組成物で被覆した基板を紫外線照射により露光し、未露光部を現像除去することを特徴とするパターン形成方法、を提供する。
さらに、本発明は、前記本発明の樹脂組成物を用いて形成された層間絶縁膜、パッシベーション膜又は表面保護膜を有する半導体パッケージ、磁気素子、表示素子又は有機多層配線基板を提供する。
また、ポリイミド樹脂組成物を用いて形成される膜の厚みが大きい場合、例えば、10μm以上の場合には、本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物にさらに光塩基発生剤とエポキシ樹脂を含有させ、光塩基発生剤によりエポキシ樹脂を光架橋させることにより、十分な架橋構造を実現することができる。
本発明における(A)溶剤可溶性ポリイミドは、(a)脂環式酸二無水物残基と、(b)特定の構造を有するジアミン残基を同一の繰り返し単位中に有するブロック共重合体である。(b)特定の構造を有するジアミン残基は、(b-1)アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミン、及び(b-2)インダン構造を有する芳香族ジアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種のジアミンの残基である。
(a)脂環式酸二無水物残基を提供する脂環式酸二無水物としては、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン-1,2,4,5-テトラカルボン酸 二無水物、3,3’,4,4’-ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、カルボニル-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、メチレン-4 ,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、1,2-エチレン-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、1,1-エチニリ デン-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、2,2-プ ロピリデン-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、1, 1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2,2-プロピリデン-4,4’-ビス(シクロ ヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、オキシ-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、チオ-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2- ジカルボン酸)二無水物、スルホニル-4,4’-ビス(シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸)二無水物、ビシクロ〔2,2,2〕オクト-7-エン-2,3,5,6-テト ラカルボン酸二無水物、1-カルボキシメチル-2,3,5-シクロペンタントリカルボ ン酸-2,6:3,5-二無水物、3-カルボキシメチル-1,2,4-シクロペンタント リカルボン酸1,4:2,3-二無水物が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上の混合物として用いることもできる。中でも、低熱膨張率化を達成するためには、炭素数4~7のシクロアルカンのテトラカルボン酸二無水物が好ましく、更には1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物又は1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物が好ましい。
(b-1)アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミンの残基
アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミン残基(一般式[I]中のAr1)としては、アミノ基のオルト位に炭素数1~12、好ましくは炭素数1~5、更に好ましくは炭素数1~3の直鎖又は分岐のアルキル基を有する芳香族ジアミンの残基が挙げられ、具体的には下記式(1)~(3)で表される構造の芳香族ジアミンや、ジベンゾチオフェンスルホン構造等を有する複素環式ジアミンの残基が挙げられる。
上記式(2)において、遊離結合(アミノ基が結合する2つの結合位置)は、好ましくはR11(連結基)に対してメタ位またはパラ位に存在するが、中でも低熱膨張係数化を図るため、主鎖骨格の直線性が高いポリイミドを得るという観点から、パラ位に存在することが好ましい。R5とR6は遊離結合の2つのオルト位に結合している。R11は単結合,-アルキル基(アルキル基の炭素数nは1~6)-,-フルオレン基―,-O-,-S-,-SS-,-SO-,-SO2-,-CO-,-COO-,-NH-,-CONH-,-CON-アルキル基-(アルキル基の炭素数nは1~6),及び-CON-ベンジル基-から選ばれる基を表す。
上記式(3)において、遊離結合(アミノ基が結合する2つの結合位置)は2-,3-,6-または7-位に存在し、R5とR6は遊離結合の2つのオルト位に結合している。
上記式(1)~(3)において、R7~R10は炭素数1~12の直鎖又は分岐のアルキル基、アルコキシ基(Cはn=1~12)又はアルコキシアルキル基(Cはn=2~12)、好ましくは炭素数1~5のアルキル基、更に好ましくは炭素数1~3のアルキル基である。
本発明において、インダン構造を有する芳香族ジアミン残基(一般式[II]中のAr2)とは、下記式(5)又は(6)で表される構造を有するアミンの残基が挙げられる。
(b-2)インダン構造を有する芳香族ジアミンの残基としては、上記式(6)で表されるフェニルインダン構造を有する芳香族ジアミンの残基であるのが好ましい。
溶剤可溶性ポリイミドの合成方法は公知の方法を用いればよく、特に制限されないが、上述した(a)脂環式酸二無水物と(b)ジアミンをほぼ等量用いて、有機極性溶媒中、触媒及び脱水剤の存在下、160~200℃で数時間反応させることにより、溶剤可溶性のポリイミドを合成できる。有機極性溶媒としては、N-メチルピロリドン(NMP)、γ-ブチロラクトン、N,N’-ジメチルアセトアミド、N,N’-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、テトラヒドロチオフェン-1,1-オキシド等が用いられる。
本発明においては、感光性ポリイミド樹脂組成物にもう1つの必須成分として(B)ジアジド化合物を添加する。(B)ジアジド化合物は、(A)溶剤可溶性ポリイミドをポリマー間架橋させるための光架橋剤であり、(B)ジアジド化合物を本発明の特定の構造を有する(A)溶剤可溶性ポリイミドと組み合わせて使用することにより、露光・現像性が顕著に向上するという効果がある。
(C)エポキシ樹脂としては、特に限定されることはなく、光塩基発生剤との反応性や感光性ポリイミド樹脂組成物との相溶性により選択することができ、エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラツク型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、結晶性エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等を用いることができ、それらの高分子エポキシ樹脂を用いることもできる。感光性ポリイミド樹脂組成物中の(C)エポキシ樹脂の含有量は、(A)溶剤可溶性ポリイミド100重量部に対し2~50重量部が好ましく、2~20部が最も好ましい。
(D)光塩基発生剤は、紫外線の照射によってアニオン(塩基)を発生する成分であり、非イオン型とイオン型に大別される。非イオン型としては、光吸収して第1級アミンや第2級アミン、イミダゾール等を発生するものがあり、イオン型にはアミジン、グアニジン、ホスファゼン等の有機強塩基を発生するものがある。
(D)光塩基発生剤は、(C)エポキシ樹脂との反応において第1級アミンや第2級アミンを発生するものは連鎖的な反応が起こりにくいため、非イオン型ではイミダゾール、イオン型ではアミジン、グアニジン等を発生するものが好適である。
感光性ポリイミド樹脂組成物中の(D)光塩基発生剤の含有量は、(C)エポキシ樹脂に対し0.1~3重量%が好ましい。
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物には、それぞれの最終用途に適合させるために光増感剤を含有させてパターン解像の感度を高めることができる。光増感剤としては、特に長波長(>350nm)側に作用するものが好ましい。光増感剤としては、例えば、アントラセン系増感剤、チオキサントン系増感剤等が挙げられる。光増感剤の含有量は感光性ポリイミド樹脂組成物に対し0.05~2重量%程度が好ましい。
アントラセン系増感剤としては市販品を使用することができる。市販品としては、例えば、「アントラキュアー UVS-1331」、「アントラキュアー UVS-1101」「アントラキュアー UVS-1221」(以上、川崎化成工業社製)等が挙げられる。
本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物には、通常の感光性ポリイミド樹脂組成物中に添加される改質剤、例えば、カップリング剤、可塑剤、膜形成樹脂、界面活性剤、安定剤、スペクトル感度調節剤等を添加してもよい。とりわけ、基板に対するポリイミドの密着性がよくない場合には、カップリング剤、特に例えばビニルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス-(トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、3-ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、N-[3-(トリエトキシシリル)プロピル]フタルアミド酸、7-オクテニルトリメトキシシラン、8-グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-8-アミノオクチルトリメトキシシラン、8-メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、3-トリメトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、N-(1-フェニルエチリデン)-3-(トリエトキシシリル)-1-プロピルアミン、 N-(1-フェニルエチリデン)-3-(トリメトキシシリル)-1-プロピルアミン等のシランカップリング剤を添加することにより基板への密着性を良好にすることができる。この場合、シランカップリング剤の添加量は、感光性ポリイミド樹脂組成物の0.1~5重量%が好ましい。シランカップリング剤を添加しても密着性が良くない場合には、これらのカップリング剤を用いて基板の表面処理を行うことが効果的である。
ヒンダードフェノール化合物としては、例えば、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5-エチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン及び、1,3,5-トリス(4-トリエチルメチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン等が挙げられる。
この場合、ヒンダードフェノール化合物の添加量は、感光性ポリイミド樹脂組成物の0.1~2重量%が好ましい。また、その他の併用可能な樹脂としては、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂等が挙げられる。
上述した成分を含有する感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて、基板上に感光性ポリイミドパターンを製造することができる。具体的には、(1)上述した本発明の感光性ポリイミド樹脂組成物を基板上に塗布することによって樹脂層を該基板上に形成する工程と、(2)該樹脂層を露光する工程と、(3)該露光後の樹脂層を現像して、電子部品の絶縁材料、並びに半導体パッケージにおけるパッシベーション膜、バッファーコート膜及び層間絶縁膜等の感光性ポリイミドパターンを形成する工程と、(4)該感光性ポリイミドパターンを加熱処理することによって永久絶縁膜として完成させる工程とを含む方法により、感光性ポリイミドパターンを製造することができる。
(1)感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって樹脂層を該基板上に形成する工程:
本工程では、本発明の感光性樹脂組成物をシリコンウェハー、金属基板、セラミック基板、有機基板等の基材上に塗布し、必要に応じてその後乾燥させて樹脂層を形成する。塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
本工程では、上記工程(1)で形成した樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク若しくはレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク及び/又は現像前ベークを施してもよい。ベーク条件の範囲は、温度は40~120℃であり、時間は10~240秒間が好ましいが、本発明の感光性樹脂組成物の諸特性を阻害するものでない限り、この範囲に限定されない。
本工程においては、露光後の感光性樹脂層の未露光部を現像除去する。現像方法としては、従来知られているフォトレジストの現像方法、例えば回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸漬法等の中から任意の方法を選択して使用することができる。また、現像の後、感光性ポリイミドパターンの形状を調整する等の目的で、必要に応じて任意の温度及び時間の組合せによる現像後ベークを施してもよい。
本工程では、上記現像により得られた感光性ポリイミドパターンを加熱することによって、永久絶縁膜として完成させる。即ち、ポリアミック酸タイプと違い、既にイミド化が終了しているため、溶剤等の残留物を取り除くことにより永久絶縁膜として完成できる。加熱硬化の方法としては、ホットプレートによるもの、オーブンを用いるもの、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いるもの等種々の方法を選ぶことができる。加熱は、含有溶剤等を蒸発させる十分な条件であり、例えば150~300℃で30分~2時間程度の条件で行うことができる。加熱の際の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。
合成実施例1
ガラス製のセパラブル三つ口フラスコに、撹拌機、チッ素導入管、及び水分受容器を備えた冷却管を取り付けた。4,4-オキシジフタル酸無水物(以下ODPAという)14.39g(0.046モル)、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(以下CBDAという)9.10g(0.046モル)、3,7-ジアミノ-2,8-ジメチルジベンゾチオフェンスルホン(以下TSNという)(アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミン)21.64g(0.079モル)、バレロラクトン1.9g(0.019モル)、ピリジン3.0g(0.04モル)、NMP125g、トルエン50gを仕込み、室温で、窒素雰囲気下、180rpmで30分撹拌した後、180℃に昇温して1.5時間加熱撹拌した。反応中、トルエン-水の共沸分を除いた。
室温に冷却して、ピロメリット酸無水物(以下PMDAという)21.32g(0.098モル)、2,2-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(以下TFMBという)34.17g(0.107モル)、NMP400g、を加え、室温で30分撹拌した後、180℃に昇温して、1時間加熱撹拌した。水-トルエンの共沸の還流物を系外に除きながら、180℃で5時間加熱撹拌して反応を終了した。固形分15重量%のブロック共重合ポリイミド溶液を得た。
ガラス製のセパラブル三つ口フラスコに、撹拌機、チッ素導入管、及び水分受容器を備えた冷却管を取り付けた。4,4-オキシジフタル酸無水物(以下ODPAという)14.39g(0.046モル)、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(以下CBDAという)9.10g(0.046モル)、3,7-ジアミノ-2,8-ジメチルジベンゾチオフェンスルホン(以下TSNという)(アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミン)21.64g(0.079モル)、バレロラクトン1.9g(0.019モル)、ピリジン3.0g(0.04モル)、NMP125g、トルエン50gを仕込み、室温で、窒素雰囲気下、180rpmで30分撹拌した後、180℃に昇温して1.5時間加熱撹拌した。反応中、トルエン-水の共沸分を除いた。
室温に冷却して、ODPA15.33g(0.049モル)、CBDA9.69g(0.049モル)、2,2-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(以下TFMBという)34.17g(0.107モル)、NMP420g、を加え、室温で30分撹拌した後、180℃に昇温して、1時間加熱撹拌した。水-トルエンの共沸の還流物を系外に除きながら、180℃で5時間加熱撹拌して反応を終了した。固形分15重量%のブロック共重合ポリイミド溶液を得た。
ガラス製のセパラブル三つ口フラスコに、撹拌機、チッ素導入管、及び水分受容器を備えた冷却管を取り付けた。4,4-オキシジフタル酸無水物(以下ODPAという)14.39g(0.046モル)、trans-1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸2無水物9.75g(0.046モル)、3,7-ジアミノ-2,8-ジメチルジベンゾチオフェンスルホン(以下TSNという)(アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミン)21.64g(0.079モル)、バレロラクトン1.9g(0.019モル)、ピリジン3.0g(0.04モル)、NMP130g、トルエン50gを仕込み、室温で、窒素雰囲気下、180rpmで30分撹拌した後、180℃に昇温して1.5時間加熱撹拌した。反応中、トルエン-水の共沸分を除いた。
室温に冷却して、ピロメリット酸無水物(以下PMDAという)21.32g(0.098モル)、2,2-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(以下TFMBという)34.17g(0.107モル)、NMP400g、を加え、室温で30分撹拌した後、180℃に昇温して、1時間加熱撹拌した。水-トルエンの共沸の還流物を系外に除きながら、180℃で5時間加熱撹拌して反応を終了した。固形分15重量%のブロック共重合ポリイミド溶液を得た。
ガラス製のセパラブル三つ口フラスコに、撹拌機、チッ素導入管、及び水分受容器を備えた冷却管を取り付けた。4,4-オキシジフタル酸無水物(以下ODPAという)14.39g(0.046モル)、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(以下CBDAという)9.10g(0.046モル)、5-アミノ-1-(4’-アミノフェニル)-1,3,3-トリメチルインダン21.04g(0.079モル)(フェニルインダン構造含有芳香族ジアミン)、バレロラクトン1.9g(0.019モル)、ピリジン3.0g(0.04モル)、NMP125g、トルエン50gを仕込み、室温で、窒素雰囲気下、180rpmで30分撹拌した後、180℃に昇温して1.5時間加熱撹拌した。反応中、トルエン-水の共沸分を除いた。
室温に冷却して、ピロメリット酸無水物(以下PMDAという)21.32g(0.098モル)、2,2-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(以下TFMBという)34.17g(0.107モル)、NMP400g、を加え、室温で30分撹拌した後、180℃に昇温して、1時間加熱撹拌した。水-トルエンの共沸の還流物を系外に除きながら、180℃で5時間加熱撹拌して反応を終了した。固形分15重量%のブロック共重合ポリイミド溶液を得た。
ガラス製のセパラブル三つ口フラスコに、撹拌機、チッ素導入管、及び水分受容器を備えた冷却管を取り付けた。3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物(以下BTDAという)64.45g(0.2モル)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン29.23g(0.1モル)、バレロラクトン1.5g(0.015モル)、ピリジン2.4g(0.03モル)、NMP200g、トルエン30gを仕込み、室温で、窒素雰囲気下、200rpmで30分撹拌した後、180℃に昇温して1時間加熱撹拌した。反応中、トルエン-水の共沸分を除いた。
室温に冷却して、BTDA48.33g(0.15モル)、2,4-ジエチル-6-メチル-1,3-ベンゼンジアミン44.57g(0.25モル)(N-に対しオルソ位にアルキル基を有する芳香族ジアミン)、NMP360g、トルエン90gを加え、室温で30分撹拌した後、180℃に昇温して、1時間加熱撹拌した。水-トルエンの共沸の還流物を系外に除きながら、180℃で2時間30分加熱撹拌して反応を終了した。得られた生成物にNMPを加えて希釈し、固形分20重量%のブロック共重合ポリイミド溶液を得た。
以下の実施例及び比較例において、「部」は「重量部」を意味する。
合成実施例1~4のブロック共重合ポリイミド溶液(固形分15重量%)500部に2,6-ジ(4’-アジドベンザル)-4-エチルシクロヘキサノン40部、9,10-ジブトキシアントラセン0.06部を加え、NMPにて溶解させて固形分20wt%の感光性樹脂組成とした。
合成実施例1~4のブロック共重合ポリイミド溶液(固形分15重量%)500部に、2,6-ジ(4’-アジドベンザル)-4-エチルシクロヘキサノン40部、9,10-ジブトキシアントラセン0.06部、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン0.75部、5-メチル-1H-ベンゾトリアール0.075部、1,3,5-トリス(4-トリエチルメチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン0.75部を加え、NMPに溶解して固形分20%の感光性樹脂組成物とした。
合成実施例1のブロック共重合ポリイミド溶液(固形分15重量%)500部に、2,6-ジ(4’-アジドベンザル)-4-エチルシクロヘキサノン40部、9,10-ジブトキシアントラセン0.06部、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン0.75部、5-メチル-1H-ベンゾトリアール0.075部、1,3,5-トリス(4-トリエチルメチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン0.75部、TEPIC-VL(3官能エポキシ:日産化学工業社製)4部、WPBG(光塩基発生剤:富士フィルム和光純薬社製)0.075部を加え、NMPに溶解して固形分20%の感光性樹脂組成物とした。
合成比較例1のブロック共重合ポリイミド溶液(固形分20重量%)500部に、2,6-ジ(4’-アジドベンザル)-4-エチルシクロヘキサノン20部、9,10-ジブトキシアントラセン1部、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン1部、5-メチル-1H-ベンゾトリアール0.1部、1,3,5-トリス(4-トリエチルメチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン1部を加え、安息香酸メチルに溶解して固形分25%の感光性樹脂組成物とした。
1.機械的強度、熱膨張係数及び5%熱重量減少温度
前記各実施例及び比較例の樹脂組成物(実施例1~3は、事前にシランカップリング剤処理した樹脂組成物)を、6インチシリコンウェハーに最終乾燥後の膜厚さが15~17μmとなるようにスピンコートし、90℃360秒間プリベークを行った後、高圧水銀灯を用いて、i線換算で2,500mJ/cm2全波長露光を行い、NMP溶液(比較例はシクロペンタノン溶液)に120秒浸漬後に、250℃(又は200℃)90分加熱乾燥を行い、乾燥樹脂膜を作製した。
この樹脂乾燥膜をフッ化水素酸等によりウェハーから剥離して、機械的強度、熱膨張係数及び5%熱重量減少温度測定用の試験サンプルとした。
上記で作製したシリコンウェハー上に形成した乾燥樹脂膜を用いる。
(1)試験面にカッターナイフを用いて、素地に達する11本の切り傷をつけ100個の碁盤目を作る。カッターガイドを使用し、切り傷の間隔は1mmとする。
(2)碁盤目部分にセロテープ(登録商標)を強く圧着させ、テープの端を45°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目の状態を標準図と比較して評価する。常態とHAST(80℃×85%RH)における240時間後の密着強度を判定する。
前記各実施例及び比較例で得られた樹脂組成物(実施例1~3は、事前にシランカップリング剤処理した樹脂組成物)を、6インチシリコンウェハーに最終乾燥後の膜厚さが5~7μm及び10~12μmとなるようにスピンコートし、90℃で240秒間及び90℃で300秒間プリベークを行った後に膜厚計で厚さ(t1)を測定する。次に高圧水銀灯を用いて、i線換算で1,000(又は2,500)mJ/cm2全波長露光を行い、NMP溶液(比較例はシクロペンタノン溶液)に120秒浸漬後に膜厚計で厚さ(t2)を測定する。更に250℃(又は200℃)90分加熱乾燥を行い、その後に膜厚計で厚さ(t3)を測定する。この値から、t2/t1、t3/t1及びt3/t2を計算し残膜率とした。
パターン評価は以下の方法により行った。
(1)解像度
前記各実施例及び比較例で得られた樹脂組成物(実施例1~3は、事前にシランカップリング剤処理した樹脂組成物)を6インチのシリコンウェハー上に滴下して30秒間回転塗布し、次いで、90℃のホットプレートで240秒間プリベークした。この時、ベーク後の膜厚が約6~8μmとなるよう塗布回転を調節した。次いで、高圧水銀灯を用いて露光した。i線にて測定した露光量は1,000mJ/cm2であった。その後、NMP溶液(比較例はシクロペンタノン溶液)で現像し、次いでリンスしてから250℃(又は200℃)90分加熱乾燥した。L/S=5/5,10/10,15/15,20/20,30/30,50/50μm、正方形ビアホールパターン10,15,20,30,40,50μmのうち解像している最小のものを解像度とした。
上記(1)と同様の方法でパターン加工を行い、まず、現像後の膜表面に異常がないかを目視で観察した。次に、光学顕微鏡で15μmの正方形ビアホールパターンを観察し、パターンのコーナーにひびが入っている場合をクラックありとした。更に、L/S=15/15のパターンエッジを観察し、現像残りが発生している場合を残渣ありとした。
Claims (12)
- 溶剤可溶性ポリイミド及びジアジド化合物を必須成分として含有する感光性ポリイミド樹脂組成物であって、前記溶剤可溶性ポリイミドが、(a)脂環式酸二無水物残基と、(b)アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミン及びインダン構造を有する芳香族ジアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種のジアミンの残基を同一の繰り返し単位中に有するブロック共重合体であることを特徴とする感光性ポリイミド樹脂組成物。
- 前記溶剤可溶性ポリイミドが(b)アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミンの残基を有し、該芳香族ジアミンの2つのアミノ基が互いにベンゼン環のパラ位に存在する、請求項1記載の樹脂組成物。
- 前記溶剤可溶性ポリイミドが(b)アミノ基のオルト位にアルキル基を有する芳香族ジアミンの残基を有し、該芳香族ジアミンが連結基により連結された2つのベンゼン環を有し、芳香族ジアミンの2つのアミノ基が、該連結基に対しパラ位に存在する、請求項1記載の樹脂組成物。
- 前記(a)脂環式酸二無水物残基が、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物の残基である、請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記(b)少なくとも1種のジアミンの残基が、3,7-ジアミノ-2,8-ジメチルジベンゾチオフェンスルホンの残基である、請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記ジアジド化合物が、2,6-ジ(4’-アジドベンザル)-4-エチルシクロヘキサノンである、請求項1~5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記ジアジド化合物の含有量が、前記溶剤可溶性ポリイミド100重量部に対し5.0~100重量部である、請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記感光性ポリイミド樹脂組成物の熱膨張係数が20ppm/℃以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記感光性ポリイミド樹脂組成物が、更にエポキシ樹脂及び光塩基発生剤を含有する、請求項1~8のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記感光性ポリイミド樹脂組成物が、ネガ型溶剤現像組成物である、請求項1~9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の樹脂組成物で被覆した基板を紫外線照射により露光し、未露光部を現像除去することを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の樹脂組成物を用いて形成された層間絶縁膜、パッシベーション膜又は表面保護膜を有する半導体パッケージ、磁気素子、表示素子又は有機多層配線基板。
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