JP2022144930A - インプリント方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】未処理のショットが処理対象のショットに与える影響を抑制すること。
【解決手段】実施形態のインプリント方法は、複数のショットに樹脂が塗布された基板を処理するインプリント方法であって、複数のショットのうち、インプリント処理の対象となる対象ショット、及びインプリント処理の対象とならない対象外ショットの少なくともいずれかの情報を取得し、複数のショットについて、情報に基づく対象ショットに対しては第１の処理を行うことを決定し、情報に基づく対象外ショットに対しては第２の処理を行うことを決定し、第１の処理は、樹脂にテンプレートを押し当て、光を照射して樹脂を硬化させ、樹脂からテンプレートを離型して、樹脂にテンプレートが有するパターンを転写する処理であり、第２の処理は、樹脂にテンプレートを押し当てることなく樹脂に光を照射する処理である。
【選択図】図１１

Description

本発明の実施形態は、インプリント方法および半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の製造工程にはインプリント処理が含まれる場合がある。インプリント処理では、例えば基板上に塗布した光硬化性樹脂にテンプレートを押し当てて、テンプレートが有するパターンを転写する。基板には複数のショットが形成されており、事前検査で不良と判定されたショットについてはインプリント処理がスキップされる。

しかしながら、未処理の不良ショットに塗布された光硬化性樹脂が、インプリント処理の対象となるショット内に流れ込み、対象ショットに悪影響を及ぼしてしまう場合がある。

特開２０１４－２４１３９８号公報

１つの実施形態は、未処理のショットが処理対象のショットに与える影響を抑制することができるインプリント方法および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

実施形態のインプリント方法は、複数のショットに樹脂が塗布された基板を処理するインプリント方法であって、前記複数のショットのうち、インプリント処理の対象となる対象ショット、及びインプリント処理の対象とならない対象外ショットの少なくともいずれかの情報を取得し、前記複数のショットについて、前記情報に基づく前記対象ショットに対しては第１の処理を行うことを決定し、前記情報に基づく前記対象外ショットに対しては第２の処理を行うことを決定し、前記第１の処理は、前記樹脂にテンプレートを押し当て、光を照射して前記樹脂を硬化させ、前記樹脂から前記テンプレートを離型して、前記樹脂に前記テンプレートが有するパターンを転写する処理であり、前記第２の処理は、前記樹脂にテンプレートを押し当てることなく前記樹脂に光を照射する処理である。

図１は、実施形態１にかかるインプリント装置の構成の一例を示す図である。 図２は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程で得られるウェハの一例を示す平面図である。 図３は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハを形成する処理を示す断面図である。 図４は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに対して行われるインプリント処理を示す断面図である。 図５は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程で被加工膜を加工する処理を示す断面図である。 図６は、実施形態１のインプリント装置によるインプリント処理前のウェハの一例を示す平面図である。 図７は、実施形態１にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図８は、実施形態１にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図９は、実施形態１にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図１０は、実施形態１にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図１１は、実施形態１にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図１２は、実施形態１にかかるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。 図１３は、実施形態２にかかるインプリント装置により取得された所定の対象ショットの観測画像を示す図である。 図１４は、実施形態２にかかるインプリント装置により取得された他の対象ショットの観測画像を示す図である。 図１５は、実施形態２にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図１６は、実施形態２にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図１７は、実施形態２にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。 図１８は、実施形態２にかかるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。 図１９は、実施形態２の変形例にかかるインプリント装置が備えるスプレッドスコープの構成の一例を示す図である。

以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。

［実施形態１］
以下、図面を参照して実施形態１について詳細に説明する。

（インプリント装置の構成例）
図１は、実施形態１にかかるインプリント装置１の構成の一例を示す図である。図１に示すように、インプリント装置１は、テンプレートステージ８１、ウェハステージ８２、アライメントスコープ８３、スプレッドスコープ８４、基準マーク８５、アライメント部８６、ステージベース８８、光源８９、及び制御部９０を備えている。

また、インプリント装置１には、基板としてのウェハ３０上のレジストにパターンを転写するテンプレート１０がインストールされている。テンプレート１０は、石英等の透明部材で構成されており、ウェハ３０が載置されるウェハステージ８２側にパターンを向けて配置される。

また、インプリント装置１の制御部９０には、各種情報の取得が可能なように設計装置２及び検査装置３が接続されている。

設計装置２は、半導体装置の製造工程の当初において、半導体装置のデザイン及び半導体装置内の配線その他の構成のレイアウト、並びにウェハ上における半導体装置のレイアウト等をデザインする装置である。設計装置２は、インプリント装置１の制御部９０に、例えばインプリント処理の対象となるウェハ３０に関する各種レイアウトの情報を送信する。

検査装置３は、例えばインプリント処理前のウェハ３０に対して所定の検査を実施する装置である。検査装置３は、インプリント装置１の制御部９０にウェハ３０の検査結果を送信する。ただし、インプリント装置１の制御部９０には、複数の検査装置が接続されていてもよい。

ウェハステージ８２は、ウェハチャック８２ｂ及び本体８２ａを備える。ウェハチャック８２ｂは、ウェハ３０を本体８２ａ上の所定位置に固定する。ウェハステージ８２上には、基準マーク８５が設けられている。基準マーク８５は、ウェハ３０をウェハステージ８２上にロードする際の位置合わせに用いられる。

ウェハステージ８２は、ウェハ３０を載置するとともに、載置したウェハ３０と平行な平面内（水平面内）を移動する。ウェハステージ８２は、ウェハ３０への転写処理を行う際に、ウェハ３０をテンプレート１０の下方側に移動させる。

ステージベース８８は、テンプレートステージ８１によってテンプレート１０を支持するとともに、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレート１０のパターンをウェハ３０上のレジストに押し当てる。

ステージベース８８上には、アライメント部８６が設けられている。アライメント部８６は、ウェハ３０及びテンプレート１０に設けられた位置合わせマーク等に基づき、ウェハ３０の位置検出やテンプレート１０の位置検出を行う。

アライメント部８６は、検出系８６ａ及び照明系８６ｂを備える。照明系８６ｂは、ウェハ３０及びテンプレート１０に光を照射する。検出系８６ａは、アライメントスコープ８３により、ウェハ３０とテンプレート１０とに設けられた位置合わせマーク等の画像を検出し、その検出結果に基づきウェハ３０とテンプレート１０との位置合わせを行う。また、検出系８６ａは、スプレッドスコープ８４により、ウェハ３０のレジストにテンプレート１０が押し当てられた際、テンプレート１０のパターンにレジストが充填されたか否かを検出する。

検出系８６ａ及び照明系８６ｂは、それぞれ結像部としてのダイクロイックミラー等のミラー８６ｘ，８６ｙを備える。ミラー８６ｘ，８６ｙは、照明系８６ｂからの光によってウェハ３０及びテンプレート１０からの画像を結像させる。具体的には、照明系８６ｂからの光Ｌｂは、ミラー８６ｙによりテンプレート１０及びウェハ３０が配置される下方へと反射される。ウェハ３０及びテンプレート１０からの光Ｌａは、ミラー８６ｘにより検出系８６ａ側へと反射され、スプレッドスコープ８４へと進行する。ウェハ３０及びテンプレート１０からの光Ｌｃは、ミラー８６ｘ，８６ｙを透過して、上方のアライメントスコープ８３へと進行する。

光源８９は、例えば紫外光等のレジストを硬化することが可能な光を照射する装置であり、ステージベース８８の上方に設けられている。光源８９は、テンプレート１０がレジストに押し当てられた状態で、テンプレート１０上から光を照射する。ただし、レジストを硬化することが可能であれば、光源８９が照射する光は、紫外光以外の赤外光、可視光、または電磁波等であってもよい。

制御部９０は、インプリント装置１を制御するための各種処理を行う情報処理装置である。制御部９０は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等を備え、プログラムにしたがって所定の演算処理および制御処理を行うコンピュータを含んで構成される。

制御部９０は、アライメントスコープ８３及びスプレッドスコープ８４等により取得された観測画像に基づいて、インプリント処理に関わる機構である、テンプレートステージ８１、ウェハステージ８２、ステージベース８８、及び光源８９等を制御する。このとき、制御部９０は、上述の設計装置２から取得したレイアウト情報および上述の検査装置３から取得した検査結果を参照する。

（半導体装置の製造方法）
次に、図２～図５を用いて、実施形態１の半導体装置の製造方法について説明する。実施形態１の半導体装置の製造方法は、ウェハ３０に対するインプリント処理を含む。まずは、インプリント処理の対象となるウェハ３０を形成する処理について説明する。

図２は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程で得られるウェハ２０の一例を示す平面図である。ウェハ２０は、後述する図３の処理を経て、インプリント処理の対象となるウェハ３０となる。

図２に示すように、ウェハ２０は、複数の製造工程を経て形成された複数のショットＳＨ（ＳＨｗ，ＳＨｐ，ＳＨａ）を有する。これらの個々のショットＳＨは、半導体装置の製造工程において個々の処理の単位となる要素である。例えば、後に実施されるインプリント処理であれば、テンプレート１０が１回押し当てられるごとに１つのショットＳＨが処理される。

ウェハ２０に形成された複数のショットＳＨのうち、通常ショットＳＨｗは、ウェハ２０の周縁部以外の領域に形成されたショットＳＨである。通常ショットＳＨｗは、設計上、ショットＳＨが備えるべき所定の構成を全て備え、例えば所定面積の矩形の形状を有している。ウェハ２０が、この後に実施される複数の製造工程を経ることで、１つの通常ショットＳＨｗからは１つ以上の半導体装置が得られる。

ウェハ２０に形成された複数のショットＳＨのうち、欠けショットＳＨｐは、ウェハ２０の周縁部に形成されたショットＳＨである。このため、欠けショットＳＨｐは、ショットＳＨの一部がウェハ２０の外周からはみ出すように形成され、設計上、ショットＳＨが備えるべき所定の構成の一部を有していない。つまり、欠けショットＳＨｐは、ショットＳＨが有するべき面積に満たない所定の割合の面積しか有さず、矩形の形状の一部が欠けたショットＳＨとなっている。欠けショットＳＨｐの形状および面積等に応じて、１つ以上の半導体装置が得られる欠けショットＳＨｐと、半導体装置が１つも得られない欠けショットＳＨｐとが存在しうる。

ウェハ２０に形成された複数のショットＳＨのうち、不良ショットＳＨａは、これまでの製造工程において、なんらかの欠陥が生じたショットＳＨである。製造工程において生じ得る欠陥としては、例えばパーティクル数、汚染レベル等が所定範囲を超えてしまったり、所定の製造工程において得られるべき構成が、規定された規格から外れてしまったりすることが挙げられる。これらの不良判定は、所定の製造工程を経た後に種々の検査装置によって実施される検査結果に基づいて行われる。一般的に、１つのウェハにおける不良ショットＳＨａの数は、より多くの製造工程を経ていくほど増加していく傾向にある。

なお、図２の例においては、複数の通常ショットＳＨｗのうちの１つが不良判定を受けて不良ショットＳＨａとなっている。しかしながら、欠けショットＳＨｐに対しても不良判定がなされてもよい。

図３は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハ３０を形成する処理を示す断面図である。基板としてのウェハ３０は、ウェハ２０が所定の製造工程を経ることで得られるウェハであり、上述のように、インプリント処理の対象となるウェハである。なお、図３においては、所定のショットＳＨにおけるウェハの断面図が示されている。

図３（ａ）に示すように、ウェハ２０は、シリコン基板１００、及びシリコン基板１００上に形成された被加工膜１２０を備える。被加工膜１２０は、後述する積層マスク構造を用いた加工の対象となる膜であり、例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜等の単層膜、または複数の膜が積層された積層膜である。

被加工膜１２０上にはＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）膜１３０が形成される。ＳＯＣ膜１３０は、例えばスピン塗布（スピンコート）法によって形成される膜であり、カーボンを含む有機系の膜である。

図３（ｂ）に示すように、ＳＯＣ膜１３０上にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜１４０が形成される。ＳＯＧ膜１４０は、例えばスピン塗布法によって形成される膜であり、シリコン酸化膜等の無機系の膜である。

ＳＯＧ膜１４０上には密着膜１５０が形成される。密着膜１５０は、例えばフッ素原子やケイ素原子を含む界面活性剤またはシランカップリング剤等が添加された有機膜である。密着膜１５０は、この後に形成されるレジスト膜１６０と、ＳＯＧ膜１４０との密着性を高める。

図３（ｃ）に示すように、密着膜１５０上にレジスト膜１６０が形成される。レジスト膜１６０としては、所謂フォトレジスト材、または、シリコン含有レジスト材等を用いることができ、例えばスピン塗布法によって形成される光硬化性樹脂の一例である。このようなフォトレジスト材およびシリコン含有レジスト材等を含むインプリント材は、ウェハ２０上に膜状に配置可能な粘度を有していることが望ましい。インプリント材の粘度は、例えば０．１ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい。図３（ｃ）に示すレジスト膜１６０は、後述するインプリント処理の対象膜であり、インプリント処理を施されるまで流動性を持った液状の形態を有する。

なお、被加工膜１２０上に形成されたＳＯＣ膜１３０、ＳＯＧ膜１４０、密着膜１５０、及びレジスト膜１６０は、積層マスク構造とも称される。積層マスク構造における各膜の異なるエッチングガスに対するエッチング耐性の違いを利用しながら、順次、各膜をパターニングしていくことで、厚膜のマスク構造を維持しながら被加工膜１２０を加工することができる。

ここまでの処理によって、インプリント処理対象のウェハ３０が形成される。

図４は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハ３０に対して行われるインプリント処理を示す断面図である。図４においても、所定のショットＳＨにおけるウェハ３０の断面図を示す。なお、図４においては、上述のインプリント装置１のうち、各処理に関わる構成のみを示す。

ここで、上述の複数のショットＳＨ（ＳＨｗ，ＳＨｐ，ＳＨａ）のうち、欠けショットＳＨｐの中の幾つか、及び全てのまたは幾つかの不良ショットＳＨａはインプリント処理の対象とならない。なお、上述の図３に示した種々の製造工程を経ているので、ウェハ３０における不良ショットＳＨａの数は、上述の図２に示したウェハ２０における数よりも増加している場合がある。

図４（ａ）に示すように、ウェハ３０はインプリント装置１内に搬入され、ウェハ３０が有する所定のショットＳＨがテンプレート１０の下方に位置するよう、ウェハステージ８２によって移動される。これにより、ウェハ３０の所定のショットＳＨと、テンプレート１０のパターン１０ｐとが互いに対向するよう配置される。

アライメントスコープ８３は、テンプレート１０及びウェハ３０の上方から、テンプレート１０に設けられた図示しないアライメントマークと、ウェハ３０に形成された図示しないアライメントマークとを観測する。

制御部９０は、アライメントスコープ８３から観測画像を取得する。また、制御部９０は、この観測画像を参照しつつ、テンプレート１０及びウェハ３０のアライメントマーク同士が上下方向に重なり合うようウェハステージ８２を移動させる。これにより、ウェハ３０のインプリント処理対象のショットＳＨと、テンプレート１０のパターン１０ｐとがラフアライメントされる。ラフアライメントとは、テンプレート１０をウェハ３０のレジスト膜１６０に押し当てる前に、ウェハ３０のショットＳＨとテンプレート１０のパターン１０ｐとの位置を大まかに合わせる動作である。

図４（ｂ）に示すように、制御部９０は、テンプレート１０及びウェハ３０の上方から、スプレッドスコープ８４によって、テンプレート１０及びウェハ３０を観測しつつ、テンプレート１０を降下させていく。

これにより、ウェハ３０のレジスト膜１６０にテンプレート１０が押し当てられる。このとき、ウェハ３０とテンプレート１０との接触を抑制するため、テンプレート１０のパターン１０ｐの凸部がレジスト膜１６０の底面よりも若干上方に位置するよう、テンプレート１０の下降位置が調整される。

ウェハ３０のレジスト膜１６０にテンプレート１０が接触すると、制御部９０は、スプレッドスコープ８４からの観測画像を参照しつつ、テンプレート１０及びウェハ３０のファインアライメントを行う。ファインアライメントとは、レジスト膜１６０にテンプレート１０を接触させた状態で、ウェハ３０のショットＳＨとテンプレート１０のパターン１０ｐとの位置を精密に合わせる動作である。

一方、ウェハ３０のレジスト膜１６０にテンプレート１０が押し当てられると、テンプレート１０が有するパターン１０ｐの凹凸に追従するように、パターン１０ｐの凹部にレジスト膜１６０が充填されていく。

制御部９０は、スプレッドスコープ８４からの観測画像を参照しつつ、ファインアライメントと並行して、場合によっては、ファインアライメントが終了した後も、テンプレート１０のパターン１０ｐの凹部にレジスト膜１６０が充填されるまで、レジスト膜１６０にテンプレート１０を押し当てた状態を維持する。

図４（ｃ）に示すように、テンプレート１０のパターン１０ｐの凹部にレジスト膜１６０が充填されると、レジスト膜１６０にテンプレート１０を押し当てた状態を維持したまま、テンプレート１０及びウェハ３０の上方から光源８９が紫外光Ｌｅを照射する。紫外光Ｌｅは、例えば波長が１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下のいずれかの波長を有していることが好ましい。ただし、上述のように、レジスト膜１６０を硬化させることが可能であれば、照射する光は、紫外光以外の赤外光、可視光、または電磁波等であってもよい。

紫外光Ｌｅは、透明なテンプレート１０を透過してレジスト膜１６０に照射される。これにより、例えば光硬化性樹脂であるレジスト膜１６０が硬化して、テンプレート１０のパターン１０ｐが転写されたレジストパターン１６０ｐが形成される。

図４（ｄ）に示すように、テンプレート１０を上昇させると、レジストパターン１６０ｐからテンプレート１０が離型される。

レジストパターン１６０ｐは、テンプレート１０のパターン１０ｐが反転したパターンを有する。また、レジストパターン１６０ｐの凸パターン間の凹部には、レジスト残膜１６０ｒが形成されている。テンプレート１０を押し当てた際、テンプレート１０のパターン１０ｐの凸部が、レジスト膜１６０の底面よりも若干上方に維持されたためである。

以上により、ウェハ３０に対するインプリント処理が終了する。

図５は、実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程で被加工膜１２０を加工する処理を示す断面図である。図５に示す処理により、レジストパターン１６０ｐを含む積層マスク構造を用いて被加工膜１２０が加工され、被加工膜１２０にレジストパターン１６０ｐが転写される。なお、図５においても、所定のショットＳＨにおけるウェハ３０の断面図を示す。

図５（ａ）に示すように、インプリント処理によって形成されたレジストパターン１６０ｐは、凸パターン間にレジスト残膜１６０ｒを有する。また、インプリント処理後のレジストパターン１６０ｐにはリンス処理がなされている。

図５（ｂ）に示すように、例えば酸素プラズマ等による異方性エッチングを用いて、レジストパターン１６０ｐの凸パターン間のレジスト残膜１６０ｒ及び密着膜１５０を除去する。密着膜１５０は、パターニングされた密着膜１５０ｐとなる。また、レジストパターン１６０ｐをマスクとしてＳＯＧ膜１４０をエッチングし、ＳＯＧパターン１４０ｐを形成する。

図５（ｃ）に示すように、ＳＯＧパターン１４０ｐをマスクとしてＳＯＣ膜１３０をエッチングし、ＳＯＣパターン１３０ｐを形成する。なお、レジストパターン１６０ｐ及び密着膜１５０ｐは、ＳＯＣパターン１３０ｐと類似する有機系膜である。したがって、この処理において、レジストパターン１６０ｐ及び密着膜１５０ｐが消失する。

図５（ｄ）に示すように、ＳＯＣパターン１３０ｐをマスクとして被加工膜１２０をエッチングし、パターニングされた被加工膜１２０ｐを形成する。そして、ＳＯＣパターン１３０ｐ上のＳＯＧパターン１４０ｐを除去する。または、被加工膜１２０ｐのエッチング時に、ＳＯＧパターン１４０ｐが消失するよう、予めＳＯＧパターン１４０ｐの膜厚が調整されていてもよい。

図５（ｅ）に示すように、酸素プラズマを用いたアッシングにより、ＳＯＣパターン１３０ｐを除去する。以上により、パターンが形成された被加工膜１２０ｐが得られる。

これ以降、更に種々の製造工程を経て、実施形態１の半導体装置が製造される。

（インプリント装置の動作例）
次に、図６～図１１を用いて、実施形態１のインプリント装置１の動作例について説明する。

図６は、実施形態１のインプリント装置１によるインプリント処理前のウェハ３０の一例を示す平面図である。図６に示すように、インプリント装置１の制御部９０は、ウェハ３０に対するインプリント処理に先立って、上述の設計装置２および検査装置３から、ウェハ３０が備える複数のショットＳＨのうち、インプリント処理の対象とならない対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉの情報を取得する。

上述のように、インプリント装置１の制御部９０は、設計装置２からウェハ３０に関するレイアウト情報を取得する。レイアウト情報には、ウェハ３０の周縁部に配置される欠けショットＳＨｐのうち、インプリント処理の対象とならない対象外ショットＳＨｐｉに関する情報が含まれる。対象外ショットＳＨｐｉは、ウェハ３０の周縁部以外の領域に配置された通常ショットＳＨｗに対し、所定の割合以上で一部分が欠けたショットＳＨである。

つまり、欠けショットＳＨｐのうち、所定面積に満たない小さな欠けショットＳＨｐからは半導体装置を１つも取得することができず、インプリント処理を行うメリットが無い。また、欠けショットＳＨｐの面積があまりにも小さすぎる場合、テンプレート１０を安定的に押し当てて、インプリント処理を行うことが困難である。このため、そのような欠けショットＳＨｐはインプリント処理の対象外とされる。

また、インプリント装置１の制御部９０は、検査装置３からウェハ３０の検査結果を取得する。検査結果には、ウェハ３０が備える複数のショットＳＨのうち、検査装置３によって不良判定されたことにより、インプリント処理の対象とならなくなった対象外ショットＳＨａｉに関する情報が含まれる。

例えば不良の原因がパーティクルまたは異物等である場合、インプリント処理を行うことで、テンプレート１０にパーティクルまたは異物等が付着して汚染されてしまったり、テンプレート１０とウェハ３０との間のゴミ噛み等により、テンプレート１０及びウェハ３０等が破損してしまったりする恐れがある。このため、全てのまたは幾つかの不良ショットＳＨａはインプリント処理の対象外とされる。

なお、上述のように、インプリント装置１の制御部９０には、複数の検査装置が接続されてよく、対象外ショットＳＨａｉは、これらの複数の検査装置からもたらされた情報の累積結果により得られる情報であってもよい。図６の例では、図２に示した不良ショットＳＨａに加え、もう１つの通常ショットＳＨｗが対象外ショットＳＨａｉとして指定されている。

このように、インプリント処理の対象とならない対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉには、所定面積未満の欠けショットＳＨｐ、及びインプリント処理の前までに不良判定された不良ショットＳＨａが含まれ得る。

制御部９０は、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉに関する情報、及び設計装置２から取得したレイアウト情報に基づき、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉ以外のショットＳＨをインプリント処理の対象となる対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔとして識別する。対象ショットＳＨｐｔは、ウェハ３０の周縁部の欠けショットＳＨｐのうち、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉ以外のショットＳＨである。対象ショットＳＨｗｔは、ウェハ３０の周縁部以外に配置された通常ショットＳＨｗのうち、対象外ショットＳＨａｉ以外のショットＳＨである。

ただし、制御部９０が、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉの情報と共に、または、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉの情報に替えて、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの情報を設計装置２及び検査装置３から取得してもよい。対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉの情報に替えて対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの情報を取得した場合には、制御部９０は、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔ以外のショットＳＨを対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉとして識別する。

ところで、インプリント装置１においては、ウェハ３０が備える複数のショットＳＨについてインプリント処理を行う処理順が予め決定されている。複数のショットＳＨの処理順は、効率的な処理が可能なように、例えば互いに近接するショットＳＨに対して順次、インプリント処理が行われるように決定されている。

複数のショットＳＨのそのような処理順としては、例えばラスタスキャン方式がある。ラスタスキャン方式では、例えば図７～図１１に示すように、紙面の水平方向に並ぶ１列分のショットＳＨについて順次インプリント処理を行い、１列分の処理が終了するごとに、紙面の垂直方向に隣接する１列分のショットＳＨについて順次インプリント処理を行う。このように、ウェハ３０の下端または上端から処理を開始し、反対側の端部で処理を終了することで、複数のショットＳＨに対して効率的にインプリント処理を行うことができる。

ただし、ラスタスキャン方式を用いて、紙面の垂直方向に並ぶ１列分のショットＳＨについて順次インプリント処理を行い、１列分の処理が終了するごとに、紙面の水平方向に隣接する１列分のショットＳＨについて順次インプリント処理を行ってもよい。このように、ウェハ３０の右端または左端から処理を開始し、反対側の端部で処理を終了することによっても、複数のショットＳＨに対して効率的にインプリント処理を行うことが可能である。

図７～図１１は、実施形態１にかかるインプリント装置１によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。以下に、図７～図１１について、より詳細に説明する。

図７に示すように、インプリント装置１の制御部９０は、ウェハ３０を載置したウェハステージ８２を移動させ、ウェハ３０の下端部の１列分のショットＳＨについて順次、処理を実施する。図７の例では、紙面右端のショットＳＨから紙面左端のショットＳＨへと処理を進めているが、処理順は紙面左端から紙面右端へと進む逆順であってもよい。

ウェハ３０の下端部のショットＳＨは全て欠けショットＳＨｐであり、右端から順に、対象外ショットＳＨｐｉ、４つの対象ショットＳＨｐｔ、及び対象外ショットＳＨｐｉとなっている。制御部９０は、両端の対象外ショットＳＨｐｉに対しては非押印処理ＰＲｉｒを行い、中央の４つの対象ショットＳＨｐｔに対しては押印処理ＰＲｓｔを行う。

第１の処理としての押印処理ＰＲｓｔは、上述のように、レジスト膜１６０にテンプレート１０を押し当て、テンプレート１０を介して紫外光を照射してレジスト膜１６０を硬化させ、レジスト膜１６０からテンプレート１０を離型して、レジスト膜１６０にテンプレート１０が有するパターン１０ｐを転写する処理である。これにより、対象ショットＳＨｐｔに配置されたレジスト膜１６０がレジストパターン１６０ｐとなる。

第２の処理としての非押印処理ＰＲｉｒは、レジスト膜１６０にテンプレート１０を押し当てることなくレジスト膜１６０に紫外光を照射する処理である。このとき、レジスト膜１６０への紫外光の照射は、レジスト膜１６０に非接触の状態でレジスト膜１６０上方に位置するテンプレート１０を介して行われてよい。これにより、対象外ショットＳＨｐｉに配置されたレジスト膜１６０は、テンプレート１０のパターン１０ｐが転写されることなく硬化される。なお、照射される光または電磁波は、紫外光に限定されなくてよい。また、照射される光または電磁波は押印処理ＰＲｓｔと同じ波長でなくてもよい。

非押印処理ＰＲｉｒにおいて、レジスト膜１６０は、上述の押印処理ＰＲｓｔ時と同程度にまで硬化されてもよく、同程度にまで硬化されなくともよい。つまり、レジスト膜１６０の軟度が、押印処理ＰＲｓｔ時と同程度であってもよく、または、押印処理ＰＲｓｔ時より高くともよい。すなわち、非押印処理ＰＲｉｒ前と比較して、レジスト膜１６０の粘度が高くなればよい。非押印処理ＰＲｉｒは、非押印処理ＰＲｉｒ後のレジスト膜１６０の粘度が、例えば１５０ｍＰａ・ｓ以上となる条件で行うことが望ましい。

上記いずれの場合においても、紫外光の照射後のレジスト膜１６０は、紫外光の照射前よりも粘度が増し、略流動性を有さなくなる。換言すれば、非押印処理ＰＲｉｒにおいては、レジスト膜１６０の流動性が略消失する程度にレジスト膜１６０を硬化させる。

非押印処理ＰＲｉｒにおける紫外光の照射強度、照射時間、及び照射波長等の照射条件は、押印処理ＰＲｓｔにおける照射条件と同一でもよく、異なっていてもよい。非押印処理ＰＲｉｒの照射条件を異ならせる場合には、押印処理ＰＲｓｔよりも照射強度を小さくしたり、照射時間を短くしたり等、照射条件を緩和させてもよい。

なお、ウェハ３０の下端部のショットＳＨの処理において、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒ等の処理内容によらず、予め決められた処理順が維持されることに留意されたい。

図８に示すように、ウェハ３０の下端部の全てのショットＳＨに対する処理が終了すると、制御部９０は、紙面の上方向に隣接する１列分のショットＳＨの処理を実施する。図７の例のように、ウェハ３０の下端部のショットＳＨを右端から左端に向かって処理した場合には、下端部から２列目のショットＳＨを左端から右端に向かって処理する。２列目のショットＳＨは、いずれもインプリント処理の対象となる対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔであるので、全てのショットＳＨに対して押印処理ＰＲｓｔが行われる。

ウェハ３０の下端部から２列目のショットＳＨの処理が全て終了すると、制御部９０は、紙面の上方向に隣接する３列目のショットＳＨの処理を実施する。図８の例では、２列目のショットＳＨの処理を左端から右端へと行っているので、３列目のショットＳＨは右端から左端へと処理されていく。

ここで、３列目の右端から４つ目は対象外ショットＳＨａｉである。制御部９０は、右端から順に３つの対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行った後、４つ目の対象外ショットＳＨａｉに対しては、テンプレート１０を押し当てることなく非押印処理ＰＲｉｒを行う。３列目の右端から５つ目以降は全て対象ショットＳＨｗｔ，ＳＨｐｔであるので、制御部９０は、これらの対象ショットＳＨｗｔ，ＳＨｐｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行う。

図９に示すように、ウェハ３０の下端部から３列目の全てのショットＳＨに対する処理が終了すると、制御部９０は、上方向に隣接する４列目のショットＳＨの処理を実施する。つまり、制御部９０は、３列目とは逆向きに、左端から順に対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行っていく。そして、制御部９０は、左端から４つ目の対象外ショットＳＨａｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを行う。さらに、制御部９０は、それ以降、右端までの対象ショットＳＨｗｔ，ＳＨｐｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行う。

図１０に示すように、ウェハ３０の下端部から４列目の全てのショットＳＨに対する処理が終了すると、制御部９０は、上方向に隣接する５列目のショットＳＨ、そして６列目のショットＳＨの処理を順次実施する。５列目および６列目はいずれも対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔである。制御部９０は、４列目とは逆向きに、右端から左端へと５列目の全ての対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行う。そして、制御部９０は、５列目とは逆向きに、左端から右端へと６列目の全ての対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行う。

図１１に示すように、ウェハ３０の上端部の２列においては、左右両端部が対象外ショットＳＨｐｉであり、中央部の全てが対象ショットＳＨｗｔ，ＳＨｐｔである。制御部９０は、ウェハ３０の上端部から２列目の右端にある対象外ショットＳＨｐｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを実施後、２列目中央の複数の対象ショットＳＨｗｔ，ＳＨｐｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行う、更に、２列目左端の対象外ショットＳＨｐｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを行う。

同様に、制御部９０は、ウェハ３０の上端部の左端にある対象外ショットＳＨｐｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを行った後、上端部中央の複数の対象ショットＳＨｐｔに対して押印処理ＰＲｓｔを行う、更に、上端部右端の対象外ショットＳＨｐｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを行う。

以上により、ウェハ３０が有する全てのショットＳＨに対し、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒのいずれかの処理が行われる。

（インプリント処理の例）
次に、図１２を用いて、実施形態１のインプリント装置１によるインプリント処理の例について説明する。図１２は、実施形態１にかかるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。

図１２に示すように、実施形態１のインプリント方法では、複数のショットＳＨにレジスト膜１６０が塗布されたウェハ３０を処理する。

すなわち、インプリント装置１の制御部９０は、前もって、インプリント処理の対象となるウェハ３０のレイアウト及び事前検査の結果をそれぞれ設計装置２及び検査装置３から取得する（ステップＳ１１１）。

制御部９０は、レイアウト及び事前検査の結果を取得したウェハ３０を図示しない搬送機構等によってインプリント装置１の内部へと搬入する（ステップＳ１１２）。

ただし、ステップＳ１１１の処理は、ウェハ３０が有する複数のショットＳＨのうち、最初のショットＳＨに対する処理が開始される前までに行われればよく、例えばステップＳ１１１，Ｓ１１２の処理順は逆であってもよい。

これ以降、ウェハ３０の複数のショットＳＨに対して、予め決定された処理順にしたがって処理が実施される。その際、制御部９０は、処理対象となるショットＳＨがテンプレート１０の下方位置に配置されるよう、ウェハステージ８２を適宜駆動させる。

ウェハ３０の複数のショットＳＨのうち、所定のショットＳＨがテンプレート１０の下方位置に配置されると、制御部９０は、設計装置２及び検査装置３から取得済みの情報に基づいて、そのショットＳＨが対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉのいずれかに該当するか否かを判定する（ステップＳ１２１）。

上記のショットＳＨが対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉのいずれにも該当しない場合、つまり、上記のショットＳＨが対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔのいずれかであった場合（ステップＳ１２１：Ｎｏ）、制御部９０は、ステップＳ１３１，Ｓ１３２，Ｓ１４１～Ｓ１４５の処理を実施する。

すなわち、制御部９０は、アライメントスコープ８３からの観測画像に基づいて、テンプレート１０とウェハ３０のショットＳＨとのラフアライメントを行う（ステップＳ１３１）。ラフアライメントが終了すると、制御部９０は、スプレッドスコープ８４からの観測画像を参照しつつ（ステップＳ１３２）、テンプレートステージ８１を降下させ、テンプレート１０の下方位置に配置されたショットＳＨのレジスト膜１６０にテンプレート１０を接触させて、ファインアライメントを行う（ステップＳ１４１）。

制御部９０は、レジスト膜１６０へのパターン１０ｐの転写が可能な押印位置でテンプレート１０を静止させる（ステップＳ１４２）。そして、制御部９０は、引き続き、スプレッドスコープ８４からの観測画像を参照しつつ、テンプレート１０のパターン１０ｐがレジスト膜１６０によって充填されたか否かを判定する（ステップＳ１４３）。パターン１０ｐに未充填部分がある場合には（ステップＳ１４３：Ｎｏ）テンプレート１０の押印を継続する（ステップＳ１４２）。

なお、ステップＳ１４１～Ｓ１４３までの少なくとも一部の処理は並行して行われてもよい。

パターン１０ｐの未充填部分が無くなったら（ステップＳ１４３：Ｙｅｓ）、押印中のショットＳＨのレジスト膜１６０に対し、テンプレート１０を介して光源８９から紫外光を照射する（ステップＳ１４４）。

制御部９０は、紫外光の照射後、テンプレートステージ８１を上昇させ、テンプレート１０のパターン１０ｐが転写されたレジストパターン１６０ｐから、テンプレート１０を離型する（ステップＳ１４５）。

一方、制御部９０は、ショットＳＨが対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉのいずれかに該当する場合には（ステップＳ１２１：Ｙｅｓ）、テンプレート１０の下方位置に配置されたショットＳＨのレジスト膜１６０に対し、テンプレート１０を接触させることなく、テンプレート１０を介して光源８９から紫外光を照射する（ステップＳ１５１）。

ただし、制御部９０は、ステップＳ１５１の処理を行う前に、ステップＳ１３１と同様のラフアライメント処理を行ってもよい。これにより、光源８９による照射領域が、テンプレート１０の下方位置のショットＳＨに限定されやすくなり、そのショットＳＨの周辺のショットＳＨまでもが硬化してしまうのを抑制することができる。

テンプレート１０の下方位置のショットＳＨに対し、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒのいずれかの処理が終了すると、制御部９０は、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒのいずれの処理も行われていない未処理のショットＳＨが有るか否かを判定する（ステップＳ１６１）。

未処理のショットＳＨが有る場合には（ステップＳ１６１：Ｙｅｓ）、制御部９０は未処理のショットＳＨに対してステップＳ１２１からの処理を繰り返す。全てのショットＳＨが処理済みとなると（ステップＳ１６１：Ｎｏ）、制御部９０は、全部のショットＳＨが処理済みとなったウェハ３０を、図示しない搬送機構等によってインプリント装置１の外部へと搬出する（ステップＳ１６２）。

以上により、実施形態１のインプリント装置１によるインプリント処理が終了する。

（概括）
インプリント処理を行う際、レジスト等のインプリント材は、例えばインクジェット法によってウェハ上に配置される。インクジェット法では、例えば個々のショットごとに、テンプレートの押印直前にインプリント材の液滴を滴下させる。インプリント処理において、テンプレートが液滴状のインプリント材に押し当てられることによって、インプリント材がショット全体に膜状に広がって、ショット全体を覆うレジストパターンを形成することができる。

一方で、インプリント材をウェハ上に配置する方法として、スピン塗布（スピンコート）法が検討されている。スピン塗布法では、スピン塗布装置等を用い、スピン塗布装置が備える回転支持台上に保持したウェハを高速回転させ、ウェハにインプリント材を滴下する。インプリント材は遠心力によってウェハの全体に塗布され、ウェハ全面を覆うレジスト膜等のインプリント材の膜が形成される。スピン塗布法によりインプリント材を塗布することで、ショットごとにインプリント材が広がるのを待つ時間が削減されるので、インプリント処理のスループットを向上させることができる。

しかしながら、スピン塗布法には課題も存在する。例えば、インプリント処理においては、不良ショット及び一部の欠けショットの処理がスキップされることがある。処理がスキップされたショットに配置されたレジスト膜は未硬化のままであり、流動性を有する。このため、所定時間が経過すると、未処理のショットから処理済みのショットへと、未硬化のレジストが流れ込んでしまう場合がある。これにより、処理済みのショットに形成されたレジストパターンが破損してしまい、半導体装置の歩留まりが低下してしまうことがある。

実施形態１のインプリント処理によれば、複数のショットＳＨについて予め決定された処理順を維持しつつ、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対しては押印処理ＰＲｓｔを行うことを決定し、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉに対しては非押印処理ＰＲｉｒを行うことを決定する。これにより、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉのレジスト膜１６０が対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔへと流れ込むのが抑制され、未処理のショットＳＨが処理対象のショットＳＨに与える影響を抑制することができる。

実施形態１のインプリント処理によれば、複数のショットＳＨのうち、インプリント処理の対象となる対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔ、及びインプリント処理の対象とならない対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉの少なくともいずれかの情報を取得する。

このように、レイアウト情報を取得して、通常ショットＳＨｗよりも所定の割合以上で一部分が欠けた欠けショットＳＨｐを対象外ショットＳＨｐｉとすることにより、不要な押印処理の実施を削減してスループットを向上させることができ、また、面積の小さい欠けショットＳＨｐに対して不安定な押印処理が行われるのを抑制することができる。

また上記のように、検査結果を取得して、事前検査によって不良と判定された不良ショットＳＨａを対象外ショットＳＨａｉとすることにより、不要な押印処理の実施を削減してスループットを向上させることができ、また、例えば不良ショットＳＨａのパーティクルまたは異物等によってテンプレート１０が汚染されてしまったり、テンプレート１０及びウェハ３０が破損してしまったりするのを抑制することができる。

実施形態１のインプリント処理によれば、複数のショットＳＨのうち、互いに近接するショットＳＨに対して順次、処理が行われるように処理順が決定されている。これにより、効率的にインプリント処理を実施することができ、また、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉが未処理のまま長時間放置されて、レジスト膜１６０の流れ込みが起きてしまうのを抑制することができる。

［実施形態２］
以下、図面を参照して実施形態２について詳細に説明する。実施形態２のインプリント処理では、インプリント処理中にも不良ショットの判定を行う点が、上述の実施形態１のインプリント処理とは異なる。

なお、実施形態２のインプリント処理は、実施形態２のインプリント装置が備える制御部によって、例えば上述の実施形態１のインプリント装置１と同様の各構成を制御することで実施可能である。よって、以下においては、実施形態２のインプリント装置が備える制御部を除く各部に対し、上述の図１のインプリント装置１と同様の符号を用いて説明を行う。

（インプリント装置の動作例）
実施形態２のインプリント装置の制御部は、個々の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して押印処理を行う際に、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観の観測画像を取得する。対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観は、例えばスプレッドスコープ８４により観測される。そして、実施形態２の制御部は、観測された外観から、個々の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔが不良を有するか否かを判定する。

図１３は、実施形態２にかかるインプリント装置により取得された所定の対象ショットＳＨｗｔの観測画像８４ｉｍを示す図である。図１３に示す対象ショットＳＨｗｔには、外観上、不良は認められない。このような場合、実施形態２の制御部は、対象ショットＳＨｗｔを、そのままインプリント処理の対象とすることとし、対象ショットＳＨｗｔに対して、当初の予定通り押印処理ＰＲｓｔを行う。

なお、実施形態２の制御部は、外観上、不良が認められなかったショットＳＨが、欠けのある対象ショットＳＨｐｔであった場合も、そのままインプリント処理の対象とすることとし、その対象ショットＳＨｐｔに対して、当初の予定通り押印処理ＰＲｓｔを行う。

図１４は、実施形態２にかかるインプリント装置により取得された他の対象ショットＳＨｗｔの観測画像８４ｉｍを示す図である。図１４に示す対象ショットＳＨｗｔには、外観上の不良ＤＦが認められる。なお、ここでの不良ＤＦは、パーティクル、異物、形状異常等、外観から判別可能な種々の不良でありうる。

このような場合、実施形態２の制御部は、対象ショットＳＨｗｔを、インプリント処理の対象としないこととし、その対象ショットＳＨｗｔに対し、押印処理ＰＲｓｔに替えて非押印処理ＰＲｉｒを行う。

なお、実施形態２の制御部は、外観上、不良が認められたショットＳＨが、欠けのある対象ショットＳＨｐｔであった場合も、インプリント処理の対象としないこととし、その対象ショットＳＨｐｔに対して、押印処理ＰＲｓｔに替えて非押印処理ＰＲｉｒを行う。

換言すれば、実施形態２の制御部は、外観上、不良が認められた対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔを対象外ショットｒｉに指定し、事前に対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉに指定されていたショットＳＨと同様、新たに指定された対象外ショットｒｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを行う。

図１５～図１７は、実施形態２にかかるインプリント装置によるインプリント処理の動作の一例について説明する図である。図１５～図１７に示すウェハ３０は、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔ及び対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉが、上述の図６のウェハ３０と同様の配置を有するものとする。

図１５に示すように、実施形態２のインプリント処理は、ウェハ３０に対して上述の実施形態１の例と同様に進められる。ただし、実施形態２のインプリント処理では、個々の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する処理前に、それらの外観の観測画像が取得される。また、個々の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観に基づいて、それらの対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔが不良を有するか否かが判定される。

ここで、ウェハ３０の上端部から３列目のショットＳＨの処理中に、左端から６つ目の対象ショットＳＨｗｔにおいて、外観上の不良が認められたものとする。この場合、実施形態２の制御部は、この対象ショットＳＨｗｔを対象外ショットＳＨｒｉに指定する。

図１６に示すように、実施形態２の制御部は、上記の対象外ショットＳＨｒｉに対して非押印処理ＰＲｉｒを行う。

図１７に示すように、実施形態２の制御部は、その後も、個々の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観に基づいて、それらの対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔが不良を有するか否かを判定しつつ、残りのショットＳＨに対しても、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒのいずれかの処理を行う。

以上により、ウェハ３０が有する全てのショットＳＨに対し、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒのいずれかの処理が行われる。

（インプリント処理の例）
次に、図１８を用いて、実施形態２のインプリント装置によるインプリント処理の例について説明する。図１８は、実施形態２にかかるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。

図１８に示すように、ステップＳ１１１～Ｓ１３２までの処理は、上述の図１２のステップＳ１１１～Ｓ１３２までの処理と同様である。

すなわち、実施形態２の制御部は、複数の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して、予め決定された処理順を維持しつつインプリント処理を行う際に、複数の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔのそれぞれに対し、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観を観測する（ステップＳ１３２）。

実施形態２の制御部は、観測した対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観から、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔが不良を有するか否かを判定する（ステップＳ１３３）。なお、外観による良否判定は、スプレッドスコープ８４からの観測画像を参照して、テンプレート１０の下方位置に配置された対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して行われる。

実施形態２の制御部は、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔが不良を有さない場合（ステップＳ１３３：Ｎｏ）、実施形態２の制御部は、上述の図１２と同様、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対して、ステップＳ１４１～Ｓ１４５の処理を行う。

ただし、ステップＳ１３１のラフアライメント処理は、ステップＳ１３２，Ｓ１３３の処理により、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに不良が認められないと判定された後に行われてもよい。

対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔが不良を有していた場合（ステップＳ１３３：Ｙｅｓ）、実施形態２の制御部は、不良を有する対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔを対象外ショットＳＨｒｉに指定する（ステップＳ１３４）。また、実施形態２の制御部は、対象外ショットＳＨｒｉに対して、上述の図１２と同様、ステップＳ１５１の処理を行う。

また、テンプレート１０の下方位置に配置したショットＳＨが対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉのいずれかに該当する場合にも（ステップＳ１２１：Ｙｅｓ）、実施形態２の制御部は、その対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉに対し、上述の図１２と同様、ステップＳ１５１の処理を行う。

なお、実施形態２の制御部は、対象外ショットＳＨｒｉ，ＳＨｐｉ，ＳＨａｉに対してステップＳ１５１の処理を行う前に、ステップＳ１３１と同様のラフアライメント処理を行ってもよい。

テンプレート１０の下方位置のショットＳＨに対し、押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒのいずれかの処理が終了すると、上述の図１２と同様、ステップＳ１６１の処理が行われた後、ステップＳ１２１からの処理が繰り返され、あるいは、ステップＳ１６２の処理が行われる。

以上により、実施形態２のインプリント装置によるインプリント処理が終了する。

実施形態２のインプリント処理によれば、上述の実施形態１のインプリント処理と同様の効果を奏する。

実施形態２のインプリント処理によれば、不良を有さないと判定した対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対しては押印処理ＰＲｓｔを行うことの決定を維持し、不良を有すると判定した対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対しては非押印処理ＰＲｉｒを行うことを再度、決定する。

これにより、インプリント処理前の事前検査の結果のみならず、リアルタイムのショットＳＨの状態に基づいて、インプリント処理を行うか否かを決定することができる。よって、不要な押印処理の実施を更に削減してスループットをいっそう向上させることができる。また、テンプレート１０の汚染、並びにテンプレート１０及びウェハ３０の破損をいっそう抑制することができる。

（変形例）
次に、図１９を用いて、実施形態２の変形例のインプリント処理について説明する。変形例のインプリント処理では、所定のショットＳＨに対する押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒと並行して、次のショットＳＨに対する良否判定を行う点が、上述の実施形態２のインプリント処理とは異なる。

上記のように、所定のショットＳＨに対する押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒと、次のショットＳＨに対する良否判定とが並行して実施可能となるよう、変形例のインプリント装置は、図１９に示すように、例えば複数のスプレッドスコープ８４ａ～８４ｄを備える。

図１９は、実施形態２の変形例にかかるインプリント装置が備えるスプレッドスコープ８４ａ～８４ｄの構成の一例を示す図である。図１９に示すように、スプレッドスコープ８４ａ～８４ｄは、所定の領域の略中心方向の下方位置を向いて、所定の領域を取り囲むように配置されている。ただし、図１９の例によらず、変形例のスプレッドスコープは、２つ、３つ、または５つ以上設けられていてもよい。

このような構成により、変形例のインプリント装置は、所定の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する押印処理ＰＲｓｔと並行して、次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する良否判定を実施する。

つまり、スプレッドスコープ８４ａ～８４ｄのうち、少なくとも１つは、ファインアライメント処理および押印処理ＰＲｓｔが進行中の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔを含む観測画像を撮像する。このような観測画像から、変形例の制御部は、対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対するテンプレート１０のファインアライメント処理の状況、及び押印中のテンプレート１０のパターン１０ｐ内へのレジスト膜１６０の充填状況を判別する。

一方、スプレッドスコープ８４ａ～８４ｄのうち、少なくとも他の１つは、ファインアライメント処理および押印処理ＰＲｓｔが進行中の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔを含む観測画像を撮像する。このような観測画像から、変形例の制御部は、次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観を判別し、不良があるか否かを判定する。

また、変形例のインプリント装置は、所定の対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉ，ＳＨｒｉに対する非押印処理ＰＲｉｒと並行して、次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する良否判定を実施する。

この場合、非押印処理ＰＲｉｒが進行中の対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉ，ＳＨｒｉを撮像するスプレッドスコープ８４ａ～８４ｄは不要である。

一方、スプレッドスコープ８４ａ～８４ｄのうち、少なくとも１つは、非押印処理ＰＲｉｒが進行中の対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉ，ＳＨｒｉの次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔを含む観測画像を撮像する。このような観測画像から、変形例の制御部は、次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔの外観を判別し、不良があるか否かを判定する。

なお、次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する良否判定は、所定の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する押印処理ＰＲｓｔ、または、所定の対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉ，ＳＨｒｉに対する非押印処理ＰＲｉｒが終了するまでに終了していることが好ましい。これにより、次の対象ショットＳＨｐｔ，ＳＨｗｔに対する処理を速やかに開始することが可能となる。

変形例のインプリント処理によれば、所定のショットＳＨに対する押印処理ＰＲｓｔまたは非押印処理ＰＲｉｒと、次のショットＳＨに対する良否判定とを並行して行う。これにより、インプリント処理のスループットが、よりいっそう向上する。

［その他の実施形態］
上述の実施形態１，２及び変形例では、インプリント装置の制御部が、事前に対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉに関する情報を取得することとした。しかし、設計装置２から取得したレイアウト情報、及び検査装置３から取得した検査結果に基づいて、インプリント装置の制御部が、対象外ショットＳＨｐｉ，ＳＨａｉを決定してもよい。

上述の実施形態１，２及び変形例では、インプリント装置によるインプリント処理は、半導体装置の製造に用いられることとした。しかし、インプリント処理は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）、磁気記録装置等の電子デバイス及び磁気記録媒体等の製造に用いることも可能である。また、インプリント処理では、１つのレジスト膜に膜厚の異なる複数のレジストパターンを形成することが可能である。よって、インプリント処理を用いて、階段状の段差を備える構造、及びレンズ状の構造を形成してもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…インプリント装置、１０…テンプレート、２０，３０…ウェハ、１６０…レジスト膜、ＰＲｉｒ…非押印処理、ＰＲｓｔ…押印処理、ＳＨａ…不良ショット、ＳＨｐ…欠けショット、ＳＨｗ…通常ショット、ＳＨａｉ，ＳＨｐｉ，ＳＨｒｉ…対象外ショット、ＳＨｐｔ，ＳＨｗｔ…対象ショット。

Claims (5)

1. 複数のショットに樹脂が塗布された基板を処理するインプリント方法であって、
   前記複数のショットのうち、インプリント処理の対象となる対象ショット、及びインプリント処理の対象とならない対象外ショットの少なくともいずれかの情報を取得し、
   前記複数のショットについて、前記情報に基づく前記対象ショットに対しては第１の処理を行うことを決定し、前記情報に基づく前記対象外ショットに対しては第２の処理を行うことを決定し、
   前記第１の処理は、前記樹脂にテンプレートを押し当て、光を照射して前記樹脂を硬化させ、前記樹脂から前記テンプレートを離型して、前記樹脂に前記テンプレートが有するパターンを転写する処理であり、
   前記第２の処理は、前記樹脂にテンプレートを押し当てることなく前記樹脂に光を照射する処理である、
   インプリント方法。
2. 前記対象外ショットは、
   前記基板の周縁部に配置され、通常のショットよりも所定の割合以上で一部分が欠けた欠けショット、及び、
   事前検査によって不良と判定された不良ショット、の少なくともいずれかを含む、
   請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記対象ショットは複数あり、
   前記複数の対象ショットに対して前記インプリント処理を行うときに、
   前記複数の対象ショットのそれぞれに対し、
   前記対象ショットの外観を観測し、
   観測した前記外観から、前記対象ショットが不良を有するか否かを判定し、
   不良を有さないと判定した前記対象ショットに対しては前記第１の処理を行うことの決定を維持し、
   不良を有すると判定した前記対象ショットに対しては前記第２の処理を行うことを再度、決定する、
   請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
4. 前記インプリント処理の処理順は、
   前記複数のショットのうち、互いに近接するショットに対して順次、前記処理が行われるように決定されている、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
5. 複数のショットに樹脂が塗布された基板のインプリント処理を含む半導体装置の製造方法であって、
   前記基板に前記インプリント処理を行う場合、
   前記複数のショットのうち、インプリント処理の対象となる対象ショット、及びインプリント処理の対象とならない対象外ショットの少なくともいずれかの情報を取得し、
   前記複数のショットについて、前記情報に基づく前記対象ショットに対しては第１の処理を行うことを決定し、前記情報に基づく前記対象外ショットに対しては第２の処理を行うことを決定し、
   前記第１の処理は、前記樹脂にテンプレートを押し当て、光を照射して前記樹脂を硬化させ、前記樹脂から前記テンプレートを離型して、前記樹脂に前記テンプレートが有するパターンを転写する処理であり、
   前記第２の処理は、前記樹脂にテンプレートを押し当てることなく前記樹脂に光を照射する処理である、
   半導体装置の製造方法。

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