JP2018109085A - シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(A)(A−1)下記式(1)で表されるシロキサン単位を含むオルガノポリシロキサン、
(A−2)ケイ素原子を含まないエポキシ基含有有機化合物、
(B)酸無水物基含有有機化合物:(A)成分中のエポキシ基1個に対する(B)成分中の酸無水物基の個数が0.3〜1.0個となる量、
(C)硬化触媒、及び
(D)酸化防止剤
を含有するシリコーン樹脂組成物を提供する。
上記のシリコーン樹脂組成物の硬化物で前記光半導体素子が封止されたものである光半導体装置を提供する。
(A)(A−1)下記式(1)で表されるシロキサン単位を含むオルガノポリシロキサン、
(A−2)ケイ素原子を含まないエポキシ基含有有機化合物、
(B)酸無水物基含有有機化合物:(A)成分中のエポキシ基1個に対する(B)成分中の酸無水物基の個数が0.3〜1.0個となる量、
(C)硬化触媒、及び
(D)酸化防止剤
を含有するシリコーン樹脂組成物である。
本発明のシリコーン樹脂組成物は、下記に示す(A)〜(D)成分を含有するものである。以下、各成分について詳細に説明する。
(A−1)成分
本発明のシリコーン樹脂組成物は、(A−1)成分として、下記式(1)で表されるシロキサン単位を含むオルガノポリシロキサンを含有する。なお、各シロキサン単位はブロックで共重合されていてもよいし、ランダムで共重合されていてもよい。
本発明のシリコーン樹脂組成物は、(A−2)成分として、ケイ素原子を含まないエポキシ基含有有機化合物を含有する。(A−2)成分としては、グリシジル基を有するエポキシ樹脂と脂環式エポキシ基を有するエポキシ基含有有機化合物が挙げられるが、耐熱性、耐UV性、高Tg化という観点から脂環式エポキシ基を有するエポキシ基含有有機化合物が望ましい。特に、上記式(2)で表される基を2つ含むものが好ましい(ただし、R4は互いに異なっていてよい)。具体的には、(3,3’,4,4’−ジエポキシ)ビシクロヘキシル、1,2−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)エタン、1−(エポキシエチル)−3,4−エポキシシクロヘキサン、3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートなどが挙げられる。これらの中でも、下記式(8)で表される3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートが特に好ましい。
本発明のシリコーン樹脂組成物は、(B)成分として、酸無水物基含有有機化合物を含有する。この(B)成分は、エポキシ基との反応性を有する酸無水物基含有有機化合物であり、硬化剤として作用する。なお、酸無水物基含有有機化合物における酸無水物基は−CO−O−CO−で表される。
本発明のシリコーン樹脂組成物は、(C)成分として、硬化触媒を含有する。硬化触媒は、特に限定されるものではなく、シリコーン樹脂組成物に従来使用されている硬化触媒から選択すればよい。例えば、テトラブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの第四級ホスホニウム塩、トリフェニルフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化触媒、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の三級アミン系硬化触媒、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7 フェノール塩、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7 オクチル酸塩、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7 p−トルエンスルホン酸塩、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7 ギ酸塩等の第四級アンモニウム塩、オクチル酸亜鉛、ナフチル酸亜鉛等の有機カルボン酸塩、アルミニウムビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネート、アルミニウムエチルアセトアセテート・ジイソプロピレート等のアルミキレート化合物、2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類などが挙げられる。これらの中でも、第四級ホスホニウム塩及び第四級アンモニウム塩が好ましい。
本発明のシリコーン樹脂組成物は、(D)成分として、酸化防止剤を含有する。(D)成分は該シリコーン樹脂組成物の耐熱性を向上させるために添加するものである。(D)成分の酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤やリン系酸化防止剤が好ましく、具体的には、亜リン酸化合物、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられる。特には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましい。ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオナート、N,N’−プロパン−1,3−ジイルビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオナミド]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、6,6’−ジ−t−ブチル−2,2’−チオジ−p−クレゾール、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)]、ベンゼンプロパン酸,3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシ,C7−C9側鎖アルキルエステル、ジエチル[[3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシフェニル]メチル]ホスホネート、2,2’−エチリデンビス[4,6−ジ−t−ブチルフェノール]、3,3’,3”,5,5’,5”−ヘキサ−t−ブチル−a,a’,a”−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、カルシウムジエチルビス[[[3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−4−ヒドロキシフェニル]メチル]ホスホネート]、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−t−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート]、ヘキサメチレン ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、1,3,5−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−トリオン、1,3,5−トリス[(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリル)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、6,6’−ジ−t−ブチル−4,4’−チオジ−m−クレゾール、ジフェニルアミン、N−フェニルベンゼンアミンと2,4,4−トリメチルペンテンの反応生成物、2,6−ジ−t−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミノ)フェノール、3,4−ジヒドロ−2,5,7,8−テトラメチル−2−(4,8,12−トリメチルトリデシル)−2H−1−ベンゾピラン−6−オール、2’,3−ビス[[3−[3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル]プロピオニル]]プロピオノヒドラジド、ジドデシル3,3’−チオジプロピオネート、ジオクタデシル3,3’−チオジプロピオネート等が例示される。また、フェノール系酸化防止剤とリン系酸化防止剤とを併用して用いることが好ましい。
また、本発明では、光半導体素子が封止された光半導体装置であって、
上述の本発明のシリコーン樹脂組成物の硬化物で前記光半導体素子が封止されたものである光半導体装置を提供する。
[GPC測定条件]
展開溶媒:テトラヒドロフラン
流速:0.6mL/min
カラム:TSK Guardcоlumn SuperH−L
TSKgel SuperH4000(6.0mmI.D×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mmI.D×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mmI.D×15cm×2)
(いずれも東ソー社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:20μL(試料濃度:0.5質量%−テトラヒドロフラン溶液)
検出器:示差屈折率計(RI)
[合成例1]
[オルガノポリシロキサン1の合成]
反応容器に、テトラメチルジメトキシ−1,4−シルフェニレン254g、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン246g、イソプロピルアルコール500g、及びトルエン750gを入れ、攪拌した後、触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムの25質量%水溶液12g、及び水110gを加え、3時間反応させた。反応終了後、リン酸二水素ナトリウム水溶液で中和し、熱水で水洗した後、トルエンを減圧下で溜去することで、下記式(9)で表されるシロキサン単位を含む分岐状のオルガノポリシロキサン1を得た。
[オルガノポリシロキサン2の合成]
反応容器に、X1O−(Me2SiO)a1−X1(X1は水素原子又はメチル基であり、a1は1〜8の整数であり平均3.5である)139g、テトラメチルジメトキシ−1,4−シルフェニレン254g、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン246g、イソプロピルアルコール500g、及びトルエン900gを加え、攪拌した後、触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムの25質量%水溶液12g、及び水110gを加え、3時間反応させた。反応終了後、リン酸二水素ナトリウム水溶液で中和し、熱水で水洗した後、トルエンを減圧下で溜去することで、下記式(10)で表されるシロキサン単位を含む分岐状のオルガノポリシロキサン2を得た。
[オルガノポリシロキサン3の合成]
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン99g、テトラメチルジメトキシ−1,4−シルフェニレン254g、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン246g、イソプロピルアルコール500g、及びトルエン900gを加え、攪拌した後、触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムの25質量%水溶液16g、及び水130gを加え、3時間反応させた。反応終了後、リン酸二水素ナトリウム水溶液で中和し、熱水で水洗した後、トルエンを減圧下で溜去することで、下記式(11)で表されるシロキサン単位を含む分岐状のオルガノポリシロキサン3を得た。
[オルガノポリシロキサン4の合成]
反応容器に、X2O−(Me2SiO)a2−X2(X2は水素原子又はメチル基であり、a2は1〜8の整数であり平均3.5である)277g、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン246g、及びイソプロピルアルコール500gを加え、攪拌した後、触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムの25質量%水溶液12g、及び水110gを加え、3時間反応させた。反応終了後、トルエン900gを加えて攪拌し、リン酸二水素ナトリウム水溶液で中和し、熱水で水洗した後、トルエンを減圧下で溜去することで、下記式(12)で表されるシロキサン単位を含む分岐状のオルガノポリシロキサン4を得た。
下記表1に示す組成及び配合量(質量部)でシリコーン樹脂組成物を調製した。表1に記載の各成分は以下の通りである。また、表1中、空欄は「0」を意味する。
(A−2)成分
エポキシ樹脂:3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート
(ダイセル化学工業株式会社製、セロキサイド2021P、エポキシ当量:130)
酸無水物基含有有機化合物1:4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸
(新日本理化株式会社製、リカシッドMH)
酸無水物基含有有機化合物2:シクロヘキサン−1,2,4−トリカルボン酸−1,2−無水物
(三菱ガス化学株式会社製、H−TMAn)
硬化触媒:第四級ホスホニウム塩
(サンアプロ株式会社製、U−CAT5003)
酸化防止剤1:フェノール系酸化防止剤、化合物名:ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオナート]
(株式会社ADEKA社製、アデカスタブAO−60)
酸化防止剤2:リン系酸化防止剤、化合物名:イソデシルジフェニルホスファイト
(株式会社ADEKA社製、アデカスタブ135A)
シランカップリング剤:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
(信越化学工業株式会社製、KBM−803)
上記のようにして調製した各シリコーン樹脂組成物及び各組成物から得られる硬化物を、以下の方法で評価した。なお、評価に用いた硬化物は、各組成物を100℃で1時間加熱し、次いで150℃で4時間加熱することで作製した。
各組成物の粘度を、東機産業製B型回転粘度計(製品名:TVB−15M)にて、23℃で測定した。結果を表1に示す。
上記方法により各組成物を硬化して、55mm×15mm×4mm厚の板状硬化物を作製した。各硬化物の硬さ(タイプD)をJIS K 6253−3:2012に準拠して測定した。結果を表1に示す。
上記方法により各組成物を硬化して、1mm厚のシート状硬化物を作製した。該硬化物の波長450nmにおける光透過率(T0)を分光光度計U−4100(日立ハイテック社製)にて測定した。次いで、該硬化物を150℃で400時間加熱した。加熱後の各硬化物の光透過率(T1)をT0と同じ方法で測定した。T1/T0(%)の値を表1に示す。
上記方法により各組成物を硬化して、1mm厚のシート状硬化物を作製した。各硬化物の水蒸気透過率をJIS K 7129:2008に準拠して測定した。結果を表1に示す。
40mm×6mm×1mm厚の板状硬化物を作製し、下記条件でのDMA(Dynamic Mechanical Analysis)により粘弾性特性を測定し、得られた貯蔵弾性率(E’)と損失弾性率(E”)の商で表される損失係数(tanδ=E”/E’)の極大点の温度を求め、その値をTgとした。結果を表1に示す。
メーカー:TA INSTRUMENT JAPAN株式会社
機種:Q800−1494−DMA Q−800
測定温度:25℃〜300℃
昇温速度:5℃/min
周波数:1Hz
測定モード:引張振動
上記方法により5mm×16mm×4mm厚の板状硬化物を作製した。下記条件でのTMA(Thermal Mechanical Analysis)により線膨張係数を測定し、50℃から100℃までの平均線膨張係数を熱膨張係数として算出した。結果を表1に示す。
メーカー:日立ハイテクサイエンス株式会社
機種:EXSTAR TMA/SS6100
測定温度:−80℃〜320℃
測定荷重:20mN
昇温速度:5℃/min
上記方法により10mm×120mm×4mm厚の板状硬化物を作製した。各硬化物の曲げ強さ及び曲げ弾性率をJIS K 7171:2016に準拠して、オートグラフAG−IS(島津製作所製)を用いて測定した。結果を表1に示す。
Claims (7)
- (A)(A−1)下記式(1)で表されるシロキサン単位を含むオルガノポリシロキサン、
(式中、R1は炭素数6〜12の1価芳香族炭化水素基であり、R2は炭素数1〜12の1価脂肪族炭化水素基であり、R3は炭素数7〜50の1価脂環式エポキシ基であり、RはR1及びR2から選ばれる基であり、k、m、n、p、q、rは0≦k<0.4、0≦m<0.5、0.1≦n≦0.8、0≦p≦0.5、0.1≦q≦0.8、0≦r<0.5、かつ0.2≦k+m+n+p+q+r≦1を満たす数である。)
(A−2)ケイ素原子を含まないエポキシ基含有有機化合物、
(B)酸無水物基含有有機化合物:(A)成分中のエポキシ基1個に対する(B)成分中の酸無水物基の個数が0.3〜1.0個となる量、
(C)硬化触媒、及び
(D)酸化防止剤
を含有するものであることを特徴とするシリコーン樹脂組成物。 - 前記(B)成分が、2種以上の酸無水物基含有有機化合物を含むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコーン樹脂組成物。
- 前記(D)成分が、フェノール系酸化防止剤とリン系酸化防止剤とを含むものであることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコーン樹脂組成物。
- 前記シリコーン樹脂組成物が、更に、(E)シランカップリング剤を含有するものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコーン樹脂組成物。
- 前記シリコーン樹脂組成物が、光半導体素子封止用の樹脂組成物であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のシリコーン樹脂組成物。
- 光半導体素子が封止された光半導体装置であって、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコーン樹脂組成物の硬化物で前記光半導体素子が封止されたものであることを特徴とする光半導体装置。
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