JP2018101797A - チップ電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明は、内部コイル部を支持する力を増加させることにより、磁性体層を積層し圧着する過程での内部コイル部の変形を防止し、内部コイル部の変形による露出不良を改善することができるチップ電子部品及びその製造方法を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。

チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタと共に電子回路をなしてノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子であり、電磁気的特性を用いてキャパシタと組み合わせて特定周波数帯域の信号を増幅させる共振回路、フィルター（Ｆｉｌｔｅｒ）回路等の構成に用いられる。

最近では、各種の通信デバイス又はディスプレーデバイス等のＩＴデバイスの小型化及び薄膜化が加速化しており、このようなＩＴデバイスに用いられるインダクタ、キャパシタ、トランジスタ等の各種の素子も小型化及び薄型化するための研究が行われている。

また、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、消費電力が増加している。このような消費電力の増加に伴い、電子機器の電源回路に用いられるＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）又はＤＣ‐ＤＣコンバーター（ＤＣ‐ＤＣ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）のスイッチング周波数（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）が高周波化され、出力電流が増加している。よって、ＰＭＩＣ又はＤＣ‐ＤＣコンバーターの出力電流の安定化に用いられるパワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）の使用が増加している。

パワーインダクタの開発は小型化、高電流化及び低直流抵抗を目標としているが、従来の積層型パワーインダクタとしてはこれを具現するのに限界があるため、薄膜の絶縁基板の上下面にメッキで形成されるコイルパターンの上に磁性粉末を樹脂と混合して形成させた薄膜型インダクタの開発が行われている。

薄膜型インダクタの場合、メッキでコイルパターンを形成した後、インダクタンスを最大限確保するためにコイルパターンが形成された部位を除いた領域の絶縁基板を除去する。しかしながら、コイルパターンが形成された部位を除いた全ての領域が除去された絶縁基板はコイルを支持する力が足りないため、磁性体層を積層して圧着する過程でコイルの変形が発生し、コイルの変形による露出不良が発生するという問題がある。

日本特開２００６−２７８４７９号公報

本発明の目的は、内部コイル部を支持する力を増加させることにより、磁性体層を積層し圧着する過程での内部コイル部の変形を防止し、内部コイル部の変形による露出不良を改善することができるチップ電子部品及びその製造方法を提供することである。

本発明の一実施形態によれば、絶縁基板を含む磁性体本体と、上記絶縁基板の少なくとも一面に形成される内部コイル部と、上記磁性体本体の端面に形成され、上記内部コイル部と接続する外部電極と、を含み、上記絶縁基板は上記内部コイル部が形成されていないブリッジパターン部を含むチップ電子部品が提供される。

上記ブリッジパターン部は上記磁性体本体の対向する両端面に露出することができる。

上記ブリッジパターン部は上記内部コイル部の引出部が露出する上記磁性体本体の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出することができる。

上記ブリッジパターン部は上記絶縁基板上に形成された内部コイル部の変形を防止することができる。

上記絶縁基板の厚さをｔ、上記ブリッジパターン部が露出する磁性体本体の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する上記ブリッジパターン部の断面積の比は０．０２〜０．８８であれば良い。

上記絶縁基板の中央部は貫通ホールを形成し、上記貫通ホールは磁性体で充填されてコア部を形成することができる。

上記絶縁基板はポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板及び金属系軟磁性基板からなる群から選択されたいずれか一つ以上であれば良い。

本発明の他の実施形態によれば、中央部に貫通ホールが形成された絶縁基板を含む磁性体本体と、上記絶縁基板の両面に形成され、上記磁性体本体の対向する両端面に第１の引出部及び第２の引出部が露出する内部コイル部と、上記磁性体本体の両端面に形成され、上記内部コイル部の第１の引出部及び第２の引出部とそれぞれ接続する第１の外部電極及び第２の外部電極と、を含み、上記絶縁基板は上記内部コイル部の第１の引出部及び第２の引出部が露出する磁性体本体の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出して上記内部コイル部の変形を防止するブリッジパターン部を含むチップ電子部品が提供される。

上記絶縁基板の厚さをｔ、上記ブリッジパターン部が露出する磁性体本体の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する上記ブリッジパターン部の断面積の比は０．０２〜０．８８であれば良い。

上記貫通ホールは磁性体で充填されてコア部を形成することができる。

上記絶縁基板はポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板及び金属系軟磁性基板からなる群から選択されたいずれか一つ以上であれば良い。

本発明の他の実施形態によれば、絶縁基板の少なくとも一面に内部コイル部を形成する段階と、上記絶縁基板から上記内部コイル部が形成されていない部分を除去する段階と、上記内部コイル部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の端面に上記内部コイル部と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含み、上記内部コイル部が形成されていない部分の絶縁基板を除去する段階で上記内部コイル部が形成されていない部分の一部を除いて絶縁基板を除去してブリッジパターン部を形成するチップ電子部品の製造方法が提供される。

上記ブリッジパターン部は上記磁性体本体の対向する両端面に露出するように形成されることができる。

上記ブリッジパターン部は上記内部コイル部の引出部が露出する上記磁性体本体の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出するように形成されることができる。

上記ブリッジパターン部は上記磁性体層を積層して磁性体本体を形成するときに上記絶縁基板上に形成された内部コイル部の変形を防止することができる。

上記絶縁基板の厚さをｔ、上記ブリッジパターン部が露出する磁性体本体の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する上記ブリッジパターン部の断面積の比は０．０２〜０．８８であれば良い。

上記絶縁基板の中央部は貫通ホールを形成し、上記磁性体層を積層する段階で上記貫通ホールに磁性体が充填されてコア部を形成することができる。

本発明は、内部コイル部を支持する力を増加させることにより、磁性体層を積層し圧着する過程での内部コイル部の変形を防止し、内部コイル部の変形による露出不良を改善することができる。

また、コイルの周辺に流れる磁束を遮断することにより、コイルの周辺が磁化されることを防止して電流の印加によるインダクタンス（Ｌ）値の変化特性を改善し且つ充填される磁性体の体積を十分に確保して高い最大インダクタンス値を具現することができる。

本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部を示す概略斜視図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品のブリッジパターン部の断面積を示すための概略斜視図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示す工程図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示す図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示す図である。 本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示す図である。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

[チップ電子部品]
以下では、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を説明するにあたり、特に、薄膜型インダクタを例に挙げて説明するが、これに制限されない。

図１は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部を示す概略斜視図である。

図１を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型チップインダクタ１００が示されている。上記チップ電子部品は、チップインダクタ以外にもチップビーズ（ｃｈｉｐ ｂｅａｄｓ）、チップフィルター（ｃｈｉｐ ｆｉｌｔｅｒ）等に適宜応用されることができる。

上記薄膜型インダクタ１００は、磁性体本体５０と、絶縁基板２０と、内部コイル部４０と、外部電極８１、８２と、を含む。

磁性体本体５０は、薄膜型インダクタ１００の外観をなし、磁気特性を示す材料であれば特に制限されず、例えば、フェライト又は金属系軟磁性材料が充填されて形成されることができる。

上記フェライトとしては、Ｍｎ‐Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ‐Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ‐Ｚｎ‐Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ‐Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト又はＬｉ系フェライト等の公知のフェライトを含むことができる。

上記金属系軟磁性材料は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む合金であれば良く、例えば、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｂ‐Ｃｒ系非晶質金属粒子を含むことができるが、これに制限されない。

上記金属系軟磁性材料は、粒子直径が０．１μｍ〜３０μｍであり、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等の高分子上に分散された形で含まれることができる。

磁性体本体５０は、六面体の形状を有することができる。なお、本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図１に表示されたＬ、Ｗ及びＴはそれぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。上記磁性体本体５０は、長さ方向の長さが幅方向の長さより大きい直六面体の形状を有することができる。

上記磁性体本体５０の内部に形成される絶縁基板２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板又は金属系軟磁性基板等であれば良い。

上記絶縁基板２０の一面にはコイル状のパターンを有する内部コイル部４０が形成され、上記絶縁基板２０の反対面にもコイル状のパターンを有する内部コイル部４０が形成されることができる。

上記内部コイル部４０は、コイルパターンがスパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状に形成されることができる。上記絶縁基板２０の一面と反対面に形成される内部コイル部４０は、上記絶縁基板２０に形成されるビア電極４５を介して電気的に接続されることができる。

上記内部コイル部４０は、磁性体本体５０の対向する両端面にそれぞれ露出する第１の引出部４１と、第２の引出部４２と、を含むことができる。

上記絶縁基板２０の一面に形成された内部コイル部４０は磁性体本体５０の一端面に露出する第１の引出部４１を含み、上記絶縁基板２０の反対面に形成された内部コイル部４０は第１の引出部４１が露出する磁性体本体５０の一端面と対向する他端面に露出する第２の引出部４２を含むことができる。

上記内部コイル部４０及びビア電極４５は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成され、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）又はこれらの合金等で形成されることができる。

上記内部コイル部４０が形成されていない絶縁基板２０の中央部には貫通ホールが形成され、上記貫通ホールはフェライト又は金属系軟磁性材料等の磁性体で充填されてコア部５５を形成することができる。磁性体で充填されるコア部５５を形成することにより、インダクタンス（Ｌ）を向上させることができる。

上記絶縁基板２０は、内部コイル部４０が形成されていない領域のブリッジパターン部２５を含むことができる。

従来では、内部コイル部４０が形成された部位を除いた全ての領域の絶縁基板２０を除去したが、本発明の一実施形態では、内部コイル部４０が形成されていない一部領域の絶縁基板２０を除去せずにブリッジパターン部２５を形成することにより、内部コイル部４０を支持する力を増加させ、磁性体層の積層及び圧着時の内部コイル部４０の変形を防止することができる。例えば、ブリッジパターン部２５を形成したことにより内部コイル部４０の変形が防止されてコイルの変形による露出不良率が９．２％から０．３４％に顕著に減少した。

図２及び図３は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図である。

図２及び図３を参照すると、上記ブリッジパターン部２５は、磁性体本体５０の対向する両端面に露出することができる。

例えば、上記ブリッジパターン部２５は、上記内部コイル部４０の第１の引出部４１及び第２の引出部４２が露出する磁性体本体５０の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出することができる。

一方、ブリッジパターン部２５は、図２及び図３に示されている別々の実施形態のようにその体積が異なっても良い。

但し、ブリッジパターン部２５の位置及び形状は、図２及び図３に限定されず、内部コイル部４０が形成されていない絶縁基板２０の一部領域及び内部コイル部４０の変形が防止できる形状であればいずれのものでも良い。

図４は、本発明の一実施形態によるチップ電子部品のブリッジパターン部の断面積を示すための概略斜視図である。

図４を参照すると、絶縁基板２０の厚さをｔ、ブリッジパターン部２５が露出する磁性体本体５０の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する上記ブリッジパターン部２５の断面積の比は０．０２〜０．８８であれば良い。

ブリッジパターン部２５の断面積比が上記範囲を満たす場合、内部コイル部４０の変形を効果的に防止することができる上、非磁性体である絶縁基板２０が磁束の流れを遮断して電流の印加によるインダクタンスの変化が減少する効果が向上し、且つ磁性体本体５０に充填される磁性体の体積を十分に確保して高いインダクタンス値を具現することができる。

ブリッジパターン部２５の断面積比が０．０２未満の場合は、内部コイル部４０を支持する力が足りないため、磁性体層の積層及び圧着過程で内部コイル部４０の変形による露出不良が発生し、０．８８を超える場合は、磁性体の体積減少によってインダクタンス値が大きく減少する可能性がある。

一方、上記内部コイル部４０は、絶縁層で被覆されることができる。

絶縁層は、スクリーン印刷法、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光及び現像による工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程等の公知の方法で形成されることができ、真空ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）工程、ＣＶＤ（気相蒸着法）等で形成されることもできる。内部コイル部４０は、絶縁層で被覆されるため、磁性体本体５０をなす磁性体材料と直接接触しないことができる。

上記磁性体本体５０の両端面に露出する上記内部コイル部４０の第１の引出部４１及び第２の引出部４２とそれぞれ接続するよう、磁性体本体５０の両端面には第１の外部電極及び第２の外部電極８１、８２が形成されることができる。

上記第１の外部電極及び第２の外部電極８１、８２は、磁性体本体５０の長さ方向の両端面に形成され、且つ磁性体本体５０の厚さ方向の両端面及び／又は幅方向の両端面に伸びて形成されることができる。

上記第１及び第２の外部電極８１、８２は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成され、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）又は銀（Ａｇ）等の単独又はこれらの合金等で形成されることができる。

[チップ電子部品の製造方法]
図５は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示す工程図であり、図６〜図８は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を順に示す図である。

図６を参照すると、まず、絶縁基板２０の少なくとも一面に内部コイル部４０を形成することができる。

上記絶縁基板２０としては、特に制限されず、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板又は金属系軟磁性基板等を用い、４０〜１００μｍの厚さを有することができる。

上記内部コイル部４０の形成方法としては、例えば、電気メッキ法が挙げられるが、これに制限されない。内部コイル部４０は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成され、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）又はこれらの合金等で形成されることができる。

上記絶縁基板２０の一部にホールを形成し伝導性物質を充填してビア電極４５を形成し、上記ビア電極４５を介して絶縁基板２０の一面と反対面に形成される内部コイル部４０を電気的に接続させることができる。

上記内部コイル部４０は、両端面にそれぞれ露出する第１の引出部４１と第２の引出部４２とを含むことができる。

上記絶縁基板２０の一面に形成された内部コイル部４０は一端面に露出する第１の引出部４１を含み、上記絶縁基板２０の反対面に形成された内部コイル部４０は第１の引出部４１が露出する一端面と対向する他端面に露出する第２の引出部４２を含むことができる。

図７を参照すると、上記絶縁基板２０から内部コイル部４０が形成されていない部分を除去することができる。

絶縁基板２０の除去は、ドリル、レーザー、サンドブラスト、パンチング加工等を用いて行われることができる。例えば、絶縁基板２０は、ＣＯ_２レーザーを用いて除去されることができる。

上記内部コイル部４０が形成されていない絶縁基板２０の中央部を除去して、絶縁基板２０を貫通する貫通ホールを形成することができる。

この際、上記絶縁基板２０から内部コイル部４０が形成されていない部分の一部を除いて除去して、ブリッジパターン部２５を形成することができる。

従来では、内部コイル部４０が形成された部位を除いた全ての領域の絶縁基板２０を除去したが、本発明の一実施形態では、内部コイル部４０が形成されていない一部領域の絶縁基板２０を除去せずにブリッジパターン部２５を形成することにより、内部コイル部４０を支持する力を増加させ、磁性体層の積層及び圧着時の内部コイル部４０の変形を防止することができる。

上記ブリッジパターン部２５は、上記内部コイル部４０の第１の引出部４１及び第２の引出部４２が露出する両端面と直交する方向の対向する両端面に露出することができる。

上記絶縁基板２０の厚さをｔ、ブリッジパターン部２５が露出する磁性体本体５０の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する上記ブリッジパターン部２５の断面積の比は０．０２〜０．８８であれば良い。

ブリッジパターン部２５の断面積比が上記範囲を満たす場合、内部コイル部４０の変形を効果的に防止することができる上、非磁性体である絶縁基板２０が磁束の流れを遮断して電流の印加によるインダクタンスの変化が減少する効果が向上し、且つ磁性体本体５０に充填される磁性体の体積を十分に確保して高いインダクタンス値を具現することができる。

ブリッジパターン部２５の断面積比が０．０２未満の場合は、内部コイル部４０を支持する力が足りないため、磁性体層の積層及び圧着過程で内部コイル部４０の変形による露出不良が発生し、０．８８を超える場合は、磁性体の体積減少によってインダクタンス値が大きく減少する可能性がある。

上記内部コイル部４０の表面には、内部コイル部４０を被覆する絶縁層を形成することができる。絶縁層は、スクリーン印刷法、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光及び現像による工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程、真空ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）工程、ＣＶＤ（気相蒸着法）等の方法で形成されることができるが、これに制限されない。

図８を参照すると、内部コイル部４０が形成された絶縁基板２０の上部及び下部に磁性体層５１を積層して磁性体本体５０を形成することができる。

磁性体層５１を絶縁基板２０の両面に積層し、ラミネート法や静水圧プレス法により圧着して磁性体本体５０を形成することができる。

この際、上記絶縁基板２０の中央部に形成された貫通ホールが磁性体で充填されてコア部５５を形成することができる。

次に、上記磁性体本体５０の両端面に露出する上記内部コイル部４０の第１の引出部４１及び第２の引出部４２とそれぞれ接続するよう、磁性体本体５０の両端面に第１の外部電極及び第２の外部電極８１、８２を形成することができる。

上記第１及び第２の外部電極８１、８２は、電気伝導性に優れた金属を含むペースト、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）又は銀（Ａｇ）等の単独又はこれらの合金等を含む伝導性ペーストを用いて形成されることができる。

第１及び第２の外部電極８１、８２は、その形成方法に特別な制限はなく、外部電極８１、８２の形状によってプリンティングのみならずディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法等を行って形成されることができる。

その他、上述した本発明の一実施形態によるチップ電子部品の特徴と同じ部分については、その詳細な説明を省略する。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

１００ 薄膜型インダクタ
４５ ビア電極
２０ 絶縁基板
５０ 磁性体本体
２５ ブリッジパターン部
５１ 磁性体層
５５ コア部
４０ 内部コイル部
８１、８２ 第１及び第２の外部電極
４１ 第１の引出部
４２ 第２の引出部

Claims (17)

1. 絶縁基板を含む磁性体本体と、
   前記絶縁基板の少なくとも一面に形成される内部コイル部と、
   前記磁性体本体の端面に形成され、前記内部コイル部と接続する外部電極と、
   を含み、
   前記絶縁基板は前記内部コイル部が形成されていないブリッジパターン部を含む、チップ電子部品。
2. 前記ブリッジパターン部は前記磁性体本体の対向する両端面に露出する、請求項１に記載のチップ電子部品。
3. 前記ブリッジパターン部は前記内部コイル部の引出部が露出する前記磁性体本体の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出する、請求項１又は２に記載のチップ電子部品。
4. 前記ブリッジパターン部は前記絶縁基板上に形成された内部コイル部の変形を防止する、請求項１から３の何れか１項に記載のチップ電子部品。
5. 前記絶縁基板の厚さをｔ、前記ブリッジパターン部が露出する磁性体本体の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する前記ブリッジパターン部の断面積の比は０．０２〜０．８８である、請求項１から４の何れか１項に記載のチップ電子部品。
6. 前記絶縁基板の中央部は貫通ホールを形成し、前記貫通ホールは磁性体で充填されてコア部を形成する、請求項１から５の何れか１項に記載のチップ電子部品。
7. 前記絶縁基板はポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板及び金属系軟磁性基板からなる群から選択されたいずれか一つ以上である、請求項１から６の何れか１項に記載のチップ電子部品。
8. 中央部に貫通ホールが形成された絶縁基板を含む磁性体本体と、
   前記絶縁基板の両面に形成され、前記磁性体本体の対向する両端面に第１の引出部及び第２の引出部が露出する内部コイル部と、
   前記磁性体本体の両端面に形成され、前記内部コイル部の第１の引出部と接続する第１の外部電極、及び第２の引出部と接続する第２の外部電極と、
   を含み、
   前記絶縁基板は前記内部コイル部の第１の引出部及び第２の引出部が露出する磁性体本体の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出して前記内部コイル部の変形を防止するブリッジパターン部を含む、チップ電子部品。
9. 前記絶縁基板の厚さをｔ、前記ブリッジパターン部が露出する磁性体本体の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する前記ブリッジパターン部の断面積の比は０．０２〜０．８８である、請求項８に記載のチップ電子部品。
10. 前記貫通ホールは磁性体で充填されてコア部を形成する、請求項８又は９に記載のチップ電子部品。
11. 前記絶縁基板はポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板及び金属系軟磁性基板からなる群から選択されたいずれか一つ以上である、請求項８から１０の何れか１項に記載のチップ電子部品。
12. 絶縁基板の少なくとも一面に内部コイル部を形成する段階と、
    前記絶縁基板から前記内部コイル部が形成されていない部分を除去する段階と、
    前記内部コイル部が形成された絶縁基板の上部及び下部に磁性体層を積層して磁性体本体を形成する段階と、
    前記磁性体本体の端面に前記内部コイル部と接続されるように外部電極を形成する段階と、
    を含み、
    前記内部コイル部が形成されていない部分の絶縁基板を除去する段階で前記内部コイル部が形成されていない部分の一部を除いて絶縁基板を除去してブリッジパターン部を形成する、チップ電子部品の製造方法。
13. 前記ブリッジパターン部は前記磁性体本体の対向する両端面に露出するように形成される、請求項１２に記載のチップ電子部品の製造方法。
14. 前記ブリッジパターン部は前記内部コイル部の引出部が露出する前記磁性体本体の両端面と直交する方向の対向する両端面に露出するように形成される、請求項１２又は１３に記載のチップ電子部品の製造方法。
15. 前記ブリッジパターン部は前記磁性体層を積層して磁性体本体を形成するときに前記絶縁基板上に形成された内部コイル部の変形を防止する、請求項１２から１４の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
16. 前記絶縁基板の厚さをｔ、前記ブリッジパターン部が露出する磁性体本体の一端面の長さをｌとしたとき、ｔ×ｌの断面積に対する前記ブリッジパターン部の断面積の比は０．０２〜０．８８である、請求項１２から１５の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
17. 前記絶縁基板の中央部は貫通ホールを形成し、前記磁性体層を積層する段階で前記貫通ホールに磁性体が充填されてコア部を形成する、請求項１２から１６の何れか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。

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