JP2018172545A - 圧縮成形用固形封止材、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成形後及び熱処理後における反り挙動の安定性に優れる圧縮成形用の固形封止材、並びにこれを用いる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、を含有し、前記エポキシ樹脂が、エポキシ当量が１０００ｇ／ｍｏｌ以上であるエポキシ変性シリコーン化合物を含む、圧縮成形用固形封止材。【選択図】なし

Description

本発明は、圧縮成形用固形封止材、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

従来から、トランジスタ、ＩＣ等の電子部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹脂による封止が主流となっている。封止用の樹脂としては、電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性等の諸特性のバランスに優れるエポキシ基が主に使用されている。

近年、電子部品のプリント配線板への高密度実装化に伴い、半導体装置の実装形態としては従来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケージが主流になっている。表面実装型のパッケージは、実装密度を高くし、かつ実装高さを低くするために、薄型化と小型化が進んでいる。また素子の多機能化と大容量化によって、チップ面積の増大と多ピン化が進み、さらにはパッド（電極）数の増大によって、パッドピッチの縮小化とパッド寸法の縮小化、いわゆる狭パッドピッチ化も進んでいる。また、さらなる小型軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といったものから、より多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）へ移行しつつある。

パッケージの小型化と多機能化に伴い、内蔵するワイヤーが細線化され、通常のトランスファー成形においてはワイヤー流れの発生等が問題とされるようになった。これらの問題を解決するために、圧縮成形が開発された。現在、圧縮成形はＢＧＡタイプのパッケージのみならず、ＦＯ（Ｆａｎ Ｏｕｔ）型パッケージにも使用されている。現在では、その中でもＦＯ−ＷＬＰ（Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）において多く用いられている。

圧縮成形用の封止材としては、液状のものが広く用いられている（例えば、特許文献１参照）。一方、液状の封止材は価格が比較的高いため、パッケージの製造コストが高くなる傾向にある。また、圧縮成形による実装技術においては、大面積の基板上に配置された複数の素子を一括して封止するため、基板と封止材の熱膨張率の違い等が原因となって生じる成形後の反りが問題となっている。さらに、圧縮成形による実装技術においては、成形時のみならず、成形後の再配線工程等において様々な熱履歴を受ける場合がある。その過程で反り挙動が変わってしまい、このために他工程へのハンドリングが困難になってしまうという懸念が存在する。そこで、圧縮成形用の封止材の固形化が検討されている（例えば、非特許文献１参照）。

国際公開第０９／１４２０６５号パンフレット

Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ（ＥＣＴＣ ２００９ １２８９−１２９６）

上記のように、固形封止材は液状封止材に比べて反りの抑制効果に優れているが、成形後及び熱処理後における反り挙動の安定性のいっそうの向上が固形封止材に望まれている。
本発明は上記事情に鑑み、成形後及び熱処理後における反り挙動の安定性に優れる圧縮成形用の固形封止材、並びにこれを用いる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
＜１＞エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、を含有し、前記エポキシ樹脂が、エポキシ当量が１０００ｇ／ｍｏｌ以上であるエポキシ変性シリコーン化合物を含む、圧縮成形用固形封止材。

＜２＞前記エポキシ変性シリコーン化合物が、後述する一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を含む、＜１＞に記載の圧縮成形用固形封止材。

〔一般式（１）中、ｌは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基又は炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基（ただし、Ｒ^２の少なくとも一方はエポキシ基を有する１価の有機基である）を表す。〕

〔一般式（２）中、ｍは０又は１以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表す。〕

〔一般式（３）中、ｐは０又は１以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、ｒは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の１価の置換又は非置換の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表し、Ｒ^３は、それぞれ独立に、アルキルオキシ、フェニル基、アラルキル基又はフェノール基を表す。〕

〔前記一般式（４）中、ｓは０又は１以上の整数を表し、ｔは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表す。〕

＜３＞前記エポキシ樹脂における前記エポキシ変性シリコーン化合物の割合が５質量％〜１００質量％である、＜１＞又は＜２＞に記載の圧縮成形用固形封止材。

＜４＞前記エポキシ樹脂がトリフェニルメタン型エポキシ樹脂をさらに含む、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。

＜５＞前記硬化剤がトリフェニルメタン型フェノール樹脂を含む、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。

＜６＞成形温度１７５℃以下、及び成形後の熱処理温度１５０℃以下の条件で硬化させたときのガラス転移温度が１５０℃以上である、＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。

＜７＞前記無機充填材が目開き７５μｍ以下の篩を通過可能である、＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。

＜８＞半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材を配置する工程と、前記支持体上に配置された前記圧縮成形用固形封止材を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。

＜９＞支持体と、前記支持体上に配置される半導体チップと、前記半導体チップを封止している＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材の硬化物と、を備える半導体装置。

本発明によれば、成形後及び熱処理後における反り挙動の安定性に優れる圧縮成形用の固形封止材、並びにこれを用いる半導体装置の製造方法及び半導体装置が提供される。

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。

本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「〜」を用いて示された数値範囲には、「〜」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において「積層」との語は、層を積み重ねることを示し、二以上の層が結合されていてもよく、二以上の層が着脱可能であってもよい。

＜圧縮成形用固形封止材＞
本実施形態の圧縮成形用固形封止材（以下、「封止材」とも称する）は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、を含有し、前記エポキシ樹脂が、エポキシ当量が１０００ｇ／ｍｏｌ以上であるエポキシ変性シリコーン化合物（以下、「特定シリコーン化合物」とも称する）を含む。

上記封止材は固形であるであるため、液状の封止材に比べて成形後の熱収縮が小さく、反りが発生しにくい。さらに、本発明者らの検討の結果、上記封止材は従来の固形封止材に比べて成形後の熱処理後における反り挙動の安定性に優れていることがわかった。その理由は必ずしも明らかではないが、封止材に含まれる特定シリコーン化合物が熱処理後の反り挙動の安定性の向上に寄与しているためと考えられる。

本開示において「固形封止材」とは、常温（２５℃）において固形である封止材を意味する。「シリコーン化合物」とは、シロキサン結合で形成される主鎖を有する化合物を意味する。「エポキシ変性シリコーン化合物」とは、エポキシ基を有するシリコーン化合物を意味する。

（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂は、特定シリコーン化合物を含む。エポキシ樹脂における特定シリコーン化合物の割合は、５質量％〜１００質量％であることが好ましく、１０質量％〜９０質量％であることが好ましく、３０質量％〜７０質量％であることがより好ましい。

特定シリコーン化合物は、エポキシ当量が１０００ｇ／ｍｏｌ以上であるエポキシ変性シリコーン化合物であれば、特に制限されない。封止材に含まれる特定シリコーン化合物は、１種のみでも２種以上でもよい。

熱処理後の反り挙動の安定性向上の観点からは、特定シリコーン化合物のエポキシ当量（エポキシ基１個あたりの分子量）は、１０００ｇ／ｍｏｌ以上であり、２０００ｇ／ｍｏｌ以上であることが好ましく、３０００ｇ／ｍｏｌ以上であることがより好ましい。

流動性の観点からは、特定シリコーン化合物のエポキシ当量は１０００００ｇ／ｍｏｌ以下であることが好ましく、５００００ｇ／ｍｏｌ以下であることがより好ましく、１００００ｇ／ｍｏｌ以下であることがさらに好ましい。

特定シリコーン化合物におけるエポキシ基の位置は、特に制限されない。例えば、シロキサン結合で形成される主鎖の末端（片末端又は両末端）であっても、側鎖であっても、その両方であってもよい。特定シリコーン化合物におけるエポキシ基は、脂環式エポキシ基であってもよい。

特定シリコーン化合物としては、例えば、下記一般式（１）〜（４）で表される化合物が挙げられる。

一般式（１）中、ｌは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基又は炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基（ただし、Ｒ^２の少なくとも一方はエポキシ基を有する１価の有機基である）を表す。

一般式（２）中、ｍは０又は１以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表す。

一般式（３）中、ｐは０又は１以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、ｒは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の１価の置換又は非置換の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表し、Ｒ^３は、それぞれ独立に、アルキルオキシ基、フェニル基、アラルキル基又はフェノール基を表す。

前記一般式（４）中、ｓは０又は１以上の整数を表し、ｔは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表す。

一般式（１）〜（４）において、Ｒ^１又はＲ^２で表される炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基としては、アルキル基、アリール基、アルケニル基等が挙げられる。中でも炭素数１〜１８のアルキル基又はフェニル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜３のアルキル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。アルキル基は直鎖状、環状又は分岐状であってよい。

一般式（１）〜（４）において、Ｒ^２で表されるエポキシ基を有する１価の有機基としては、例えば、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、及びこれらの基が炭素数１〜２０の置換又は非置換のアルキル基に結合してなる基が挙げられる。

一般式（３）において、Ｒ^３で表されるアルキルオキシ基としては、酸素原子に炭素数１〜１０のアルキル基が結合した基が挙げられ、酸素原子に炭素数１〜５のアルキル基が結合した基が好ましく、酸素原子に炭素数１〜３のアルキル基が結合した基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。

一般式（３）において、Ｒ^３で表されるアラルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基にアリール基が結合した基が挙げられ、炭素数１〜５のアルキル基にアリール基が結合した基が好ましく、炭素数１〜３のアルキル基にアリール基が結合した基がより好ましく、メチル基にフェニル基が結合した基（ベンジル基）がさらに好ましい。

一般式（１）〜（４）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ該当する括弧内の構造で表されるシロキサン単位の数である。ｌ、（ｍ＋ｎ）、（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び（ｓ＋ｔ）の値は、特に制限されない。例えば、１〜１００の範囲であってよく、１〜６０の範囲であることが好ましい。

一般式（２）〜（４）において、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔに該当する括弧内の構造で表されるシロキサン単位は、ブロック状に配列されていてもよく、ランダムに配列されていてもよい。また、各シロキサン単位の数が２以上である場合、それらの構造は同じであっても異なっていてもよい。

特定シリコーン化合物は、市販品としても入手可能である。例えば、信越化学工業株式会社製の両末端にエポキシ基を有する「Ｘ−２２−１６３Ａ」（エポキシ当量：１０００ｇ／ｍｏｌ）、「Ｘ−２２−１６３Ｂ」（エポキシ当量：１７５０ｇ／ｍｏｌ）、「Ｘ−２２−１６３Ｃ」（エポキシ当量：２７００ｇ／ｍｏｌ）、両末端に脂環式エポキシ基を有する、「Ｘ−２２−１６９Ｂ」（エポキシ当量：１７００ｇ／ｍｏｌ）、一方の末端にエポキシ基を有する「Ｘ−２２−１７３０Ｘ」（エポキシ当量：４５００ｇ／ｍｏｌ）、側鎖及び両末端にエポキシ基を有する「Ｘ−２２−９００２」（エポキシ当量：５０００ｇ／ｍｏｌ）、「ＫＦ−１００１」（エポキシ当量：３５００ｇ／ｍｏｌ）、「Ｘ−２２−４７４１」（エポキシ当量：２５００ｇ／ｍｏｌ）、「ＫＦ−１００２」（エポキシ当量：４３００ｇ／ｍｏｌ）、及び側鎖に脂環式エポキシ基を有する「ＫＦ−１０２」（エポキシ当量：３６００ｇ／ｍｏｌ）が挙げられる。

エポキシ樹脂は、特定シリコーン化合物以外のエポキシ樹脂を含有してもよい。特定シリコーン化合物以外のエポキシ樹脂は特に制限されず、封止材の材料として一般に使用されているものから選択できる。
具体的には、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール化合物及びα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等の脂肪族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものであるノボラック型エポキシ樹脂（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）；上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂；上記フェノール化合物及びナフトール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒下で共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものである共重合型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のジグリシジルエーテルであるジフェニルメタン型エポキシ樹脂；アルキル置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂；スチルベン系フェノール化合物のジグリシジルエーテルであるスチルベン型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ等のジグリシジルエーテルである硫黄原子含有エポキシ樹脂；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテルであるエポキシ樹脂；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等の多価カルボン酸化合物のグリシジルエステルであるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；アニリン、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したものであるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエンとフェノール化合物の共縮合樹脂をエポキシ化したものであるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；分子内のオレフィン結合をエポキシ化したものであるビニルシクロヘキセンジエポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン等の脂環型エポキシ樹脂；パラキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるパラキシリレン変性エポキシ樹脂；メタキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるメタキシリレン変性エポキシ樹脂；テルペン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるテルペン変性エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルである多環芳香環変性エポキシ樹脂；ナフタレン環含有フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるナフタレン型エポキシ樹脂；ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ハイドロキノン型エポキシ樹脂；トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂；フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるアラルキル型エポキシ樹脂；などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂は、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂を含むことが好ましい。封止材がトリフェニルメタン型エポキシ樹脂を含むことで、封止材に良好な耐熱性及び低反り性を付与することができ、反り挙動の安定化がより向上する傾向にある。

トリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組合せて用いてもよい。トリフェニルメタン型エポキシ樹脂の性能を充分に発揮するために、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂のエポキシ樹脂全体における含有率は２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることさらに好ましい。

封止材としての諸特性のバランスの観点からは、エポキシ樹脂は、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂と、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を含むことが好ましい。

トリフェニルメタン型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニレン型エポキシ樹脂及びジヒドロアントラセン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも一種が好ましい。

エポキシ樹脂は、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂を含まず、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を含むこともまた好ましい。この場合は、ビフェニル型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニレン型エポキシ樹脂及びジヒドロアントラセン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことがより好ましい。

充填性及び耐リフロー性の観点からは、エポキシ樹脂は、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂と、アルキル置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦのジグリシジルエーテルであるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種と、を含むことが好ましく、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂と、ビフェニル型エポキシ樹脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種と、を含むことがより好ましい。

上述のビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂は、それぞれ１種を単独で用いても２種以上を組合せて用いてもよい。

ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種は、その性能を充分に発揮するために、エポキシ樹脂全体における含有率が４０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。

エポキシ樹脂は、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むこともまた好ましい。

硬化性の観点からはノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、低吸湿性の観点からはジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましく、耐熱性及び低反り性の観点からはナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂は、アラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物及びジヒドロアントラセン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むこともまた好ましい。

接着性の観点からはアラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物が好ましく、硬化性と接着の観点からはジヒドロアントラセン型エポキシ樹脂が好ましい。

封止材に含まれるエポキシ樹脂の含有率は、特に制限されない。例えば、封止材全体の３質量％〜１５質量％であることが好ましく、５質量％〜１０質量％であることがより好ましい。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されない。反り挙動の安定化の観点からは、１５０ｇ／ｍｏｌ〜３００ｇ／ｍｏｌであることが好ましく、１５５ｇ／ｍｏｌ〜２８０ｇ／ｍｏｌであることがより好ましい。

以下、エポキシ樹脂の具体例について説明する。
ビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＩＩ）で表されるエポキシ樹脂が好ましい。下記一般式（ＩＩ）で表されるエポキシ樹脂の中でもＲ^８のうち酸素原子が置換している位置を４及び４’位としたときの３，３’，５，５’位がメチル基であり、それ以外のＲ^８が水素原子であるＹＸ−４０００Ｈ（三菱化学株式会社、商品名）、全てのＲ^８が水素原子である４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、全てのＲ^８が水素原子の場合及びＲ^８のうち酸素原子が置換している位置を４及び４’位としたときの３，３’，５，５’位がメチル基でそれ以外のＲ^８が水素原子である場合の混合品であるＹＬ−６１２１Ｈ（三菱化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＩＩ）中、Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数４〜１８の芳香族基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

スチルベン型エポキシ樹脂は、スチルベン骨格を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂が好ましい。下記一般式（ＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、Ｒ^９のうち酸素原子が置換している位置を４及び４’位としたときの３，３’，５，５’位がメチル基であり、それ以外のＲ^９が水素原子であり、Ｒ^１０の全てが水素原子である場合と、Ｒ^９のうち３，３’，５，５’位のうちの３つがメチル基であり、１つがｔ−ブチル基であり、それ以外のＲ^９が水素原子であり、Ｒ^１０の全てが水素原子である場合との混合品であるＥＳＬＶ−２１０（住友化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＩＩＩ）中、Ｒ^９及びＲ^１０は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

ジフェニルメタン型エポキシ樹脂は、ジフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂が好ましい。下記一般式（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、Ｒ^１１の全てが水素原子であり、Ｒ^１２のうち酸素原子が置換している位置を４及び４’位としたときの３，３’，５，５’位がメチル基であり、それ以外のＲ^１２が水素原子であるＹＳＬＶ−８０ＸＹ（新日鉄住金化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＩＶ）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

硫黄原子含有型エポキシ樹脂は、硫黄原子を含有するエポキシ樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（Ｖ）で表されるエポキシ樹脂が挙げられる。下記一般式（Ｖ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、Ｒ^１３のうち酸素原子が置換している位置を４及び４’位としたときの３，３’位がｔ−ブチル基であり、６，６’位がメチル基であり、それ以外のＲ^１３が水素原子であるＹＳＬＶ−１２０ＴＥ（新日鉄住金化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（Ｖ）中、Ｒ^１３は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

ノボラック型エポキシ樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化して得られるエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂をグリリシジルエーテル化等の手法を用いてエポキシ化して得られるエポキシ樹脂が好ましく、下記一般式（ＶＩ）で表されるエポキシ樹脂がより好ましい。下記一般式（ＶＩ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、Ｒ^１４の全てが水素原子であり、Ｒ^１５がメチル基であり、ｉ＝１であるＥＳＣＮ−１９０、ＥＳＣＮ−１９５（住友化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＶＩ）中、Ｒ^１４は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１５は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉは各々独立に０〜３の整数を示す。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂は、ジシクロペンタジエン骨格を有する化合物を原料としてエポキシ化して得られるエポキシ樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＶＩＩ）で表されるエポキシ樹脂が好ましい。下記一般式（ＶＩＩ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、ｉ＝０であるＨＰ−７２００（ＤＩＣ株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＶＩＩ）中、Ｒ^１６は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉは各々独立に０〜３の整数を示す。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

トリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、トリフェニルメタン骨格を持つ化合物を原料とするエポキシ樹脂であれば特に制限されない。例えば、トリフェニルメタン骨格を持つ化合物とフェノール性水酸基を有する化合物とのノボラック型フェノール樹脂等のトリフェニルメタン型フェノール樹脂をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂が好ましく、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂がより好ましい。下記一般式（ＶＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、ｉが０であり、ｋが０である１０３２Ｈ６０（三菱化学株式会社、商品名）、ＥＰＰＮ−５０２Ｈ（日本化薬株式会社、商品名）、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（日本化薬株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ^１７及びＲ^１８は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉは各々独立に０〜３の整数、ｋは各々独立に０〜４の整数を示す。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

ナフトール化合物及びフェノール化合物と、アルデヒド化合物とから得られるノボラック樹脂をエポキシ化した共重合型エポキシ樹脂は、ナフトール骨格を有する化合物及びフェノール骨格を有する化合物を原料とするエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。例えば、ナフトール骨格を有する化合物及びフェノール骨格を有する化合物を用いたノボラック型フェノール樹脂をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂が好ましく、下記一般式（ＩＸ）で表されるエポキシ樹脂がより好ましい。下記一般式（ＩＸ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、Ｒ^２１がメチル基でｉが１であり、ｊが０であり、ｋが０であるＮＣ−７３００（日本化薬株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＩＸ）中、Ｒ^１９〜Ｒ^２１は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉは各々独立に０〜３の整数、ｊは各々独立に０〜２の整数、ｋは各々独立に０〜４の整数を示す。ｌ及びｍはそれぞれ平均値であり、０〜１０の数であり、（ｌ＋ｍ）は０〜１０の数を示す。式（ＩＸ）で表されるエポキシ樹脂の末端は、下記式（ＩＸ−１）又は（ＩＸ−２）のいずれか一方である。式（ＩＸ−１）及び（ＩＸ−２）において、Ｒ^１９〜Ｒ^２１は、ｉ、ｊ及びｋの定義は式（ＩＸ）におけるＲ^１９〜Ｒ^２１は、ｉ、ｊ及びｋの定義と同じである。ｎは１（メチレン基を介して結合する場合）又は０（メチレン基を介して結合しない場合）である。

上記一般式（ＩＸ）で表されるエポキシ樹脂としては、ｌ個の構成単位及びｍ個の構成単位をランダムに含むランダム共重合体、交互に含む交互共重合体、規則的に含む共重合体、ブロック状に含むブロック共重合体等が挙げられる。これらのいずれか１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アラルキル型エポキシ樹脂は、フェノール、クレゾール等のフェノール化合物及びナフトール、ジメチルナフトール等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル又はこれらの誘導体から合成されるフェノール樹脂と、を原料とするエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。例えば、フェノール、クレゾール等のフェノール化合物及びナフトール、ジメチルナフトール等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル又はこれらの誘導体とから合成されるフェノール樹脂をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂が好ましく、下記一般式（Ｘ）及び（ＸＩ）で表されるエポキシ樹脂がより好ましい。

下記一般式（Ｘ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、ｉが０であり、Ｒ^３８が水素原子であるＮＣ−３０００Ｓ（日本化薬株式会社、商品名）、ｉが０であり、Ｒ^３８が水素原子であるエポキシ樹脂と一般式（ＩＩ）の全てのＲ^８が水素原子であるエポキシ樹脂を質量比８０：２０で混合したＣＥＲ−３０００（日本化薬株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。また、下記一般式（ＸＩ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、ｉが０であり、ｊが０であり、ｋが０であるＥＳＮ−１７５（新日鉄住金化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（Ｘ）及び（ＸＩ）において、Ｒ^３８は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３７、Ｒ^３９〜Ｒ^４１は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉはそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｊはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、ｋはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｌはそれぞれ独立に０〜６の整数を示す。ｎは平均値であり、それぞれ独立に０〜１０の数である。

上記一般式（ＩＩ）〜（ＸＩ）中のＲ^８〜Ｒ^２１及びＲ^３７〜Ｒ^４１について、「それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい」とは、例えば、式（ＩＩ）中の８〜８８個のＲ^８の全てが同一でも異なっていてもよいことを意味している。他のＲ^９〜Ｒ^２１及びＲ^３７〜Ｒ^４１についても、式中に含まれるそれぞれの個数について全てが同一でも異なっていてもよいことを意味している。また、Ｒ^８〜Ｒ^２１及びＲ^３７〜Ｒ^４１はそれぞれが同一でも異なっていてもよい。例えば、Ｒ^９とＲ^１０の全てについて同一でも異なっていてもよい。
また、一般式（ＩＩＩ）〜（ＸＩ）における炭素数１〜１８の有機基はアルキル基又はアリール基であることが好ましい。

上記一般式（ＩＩ）〜（ＸＩ）中のｎは、平均値であり、それぞれ独立に０〜１０の範囲であることが好ましい。ｎが１０以下であると樹脂成分の溶融粘度が高くなりすぎず、硬化性樹脂組成物の溶融成形時の粘度が低下し、充填不良、ボンディングワイヤ（素子とリードを接続する金線）の変形等の発生が抑制される傾向にある。ｎは０〜４の範囲に設定されることがより好ましい。

（Ｂ）硬化剤
硬化剤は特に制限されず、封止材の材料として一般に使用されているものから選択できる。
具体的には、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、置換又は非置換のビフェノール等の多価フェノール化合物；フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール化合物及びα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル等とから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂；パラキシリレン及びメタキシリレンの少なくとも一方で変性されたフェノール樹脂；メラミン変性フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ジシクロペンタジエンとから共重合により合成されるジシクロペンタジエン型フェノール樹脂及びジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂；シクロペンタジエン変性フェノール樹脂；多環芳香環変性フェノール樹脂；ビフェニル型フェノール樹脂；上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂；これら２種以上を共重合して得たフェノール樹脂などが挙げられる。これらのフェノール硬化剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

硬化剤は、トリフェニルメタン型フェノール樹脂を含むことが好ましい。硬化剤としてトリフェニルメタン型フェノール樹脂を含むことで、封止材の硬化物のガラス転移温度が高くなり、反り挙動の安定性がより向上する傾向にある。また、エポキシ樹脂としてトリフェニルメタン型エポキシ樹脂と、硬化剤としてトリフェニルメタン型フェノール樹脂とを含むことで、封止材の硬化物のガラス転移温度がより高くなり、耐熱性がより向上して、反り挙動の安定性がより向上する傾向にある。

硬化剤がトリフェニルメタン型フェノール樹脂を含む場合、その含有率は、硬化剤全体の２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。

硬化剤は、トリフェニルメタン型フェノール樹脂と、トリフェニルメタン型フェノール樹脂以外の硬化剤とを含んでもよい。トリフェニルメタン型フェノール樹脂以外の硬化剤としては、ビフェニル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ノボラック型フェノール樹脂がより好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、及びナフトールノボラック樹脂（ナフタレン型フェノール樹脂）からなる群より選択される少なくとも１種を含むことがさらに好ましい。
硬化剤がノボラック型フェノール樹脂を用いる場合、その含有率は、その性能を発揮するために硬化剤全体の３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。
硬化剤が、ビフェニル型フェノール樹脂又はアラルキル型フェノール樹脂を含むことは、接触角を小さくすることが出来るため好ましい。

硬化剤は、トリフェニルメタン型フェノール樹脂を含まず、トリフェニルメタン型フェノール樹脂以外の硬化剤を含むこともまた好ましい。この場合は、ビフェニル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

硬化剤の水酸基当量は、特に制限されない。反り挙動の安定化の観点からは、５０ｇ／ｍｏｌ〜１５０ｇ／ｍｏｌであることが好ましく、７５ｇ／ｍｏｌ〜１２５ｇ／ｍｏｌであることがより好ましい。

エポキシ樹脂と硬化剤の割合は、特に制限されない。それぞれの未反応分を少なく抑えるために、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）が０．５〜２の範囲となる割合であることが好ましく、０．６〜１．３の範囲となる割合であることがより好ましい。封止材の成形性及び耐リフロー性の観点からは、０．８〜１．２の範囲となる割合であることがさらに好ましい。

以下、硬化剤の具体例について説明する。
アラルキル型フェノール樹脂としては、フェノール性化合物と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル等とから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等が挙げられる。アラルキル型フェノール樹脂は、更に他のフェノール樹脂と共重合していてもよい。共重合したアラルキル型フェノール樹脂としては、ベンズアルデヒド型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂との共重合型フェノール樹脂、サリチルアルデヒド型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂との共重合型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂との共重合型フェノール樹脂等が挙げられる。

アラルキル型フェノール樹脂は、フェノール化合物及びナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種と、ジメトキシパラキシレン、ビス（メトキシメチル）ビフェニル又はこれらの誘導体と、から合成されるフェノール樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＸＩＩ）〜（ＸＩＶ）で表されるフェノール樹脂が好ましい。

式（ＸＩＩ）〜（ＸＩＶ）において、Ｒ^２３は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２２、Ｒ^２４、Ｒ^２５及びＲ^２８は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２６及びＲ^２７は水酸基又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉはそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｊはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、ｋはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐはそれぞれ独立に０〜４の整数である。ｎは平均値であり、それぞれ独立に０〜１０の数である。

上記一般式（ＸＩＩ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｉが０であり、Ｒ^２３が全て水素原子であるＭＥＨ−７８５１（明和化成株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

上記一般式（ＸＩＩＩ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｉが０であり、ｋが０であるＸＬ−２２５、ＸＬＣ（三井化学株式会社、商品名）、ＭＥＨ−７８００（明和化成株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

上記一般式（ＸＩＶ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｊが０であり、ｋが０であり、ｐが０であるＳＮ−１７０（新日鉄住金化学株式会社、商品名）、ｊが０であり、ｋが１であり、Ｒ^２７が水酸基であり、ｐが０であるＳＮ−３９５（新日鉄住金化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂は、ジシクロペンタジエン骨格を有する化合物を原料として得られるフェノール樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＸＶ）で表されるフェノール樹脂が好ましい。下記一般式（ＸＶ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｉが０であるＤＰＰ（新日本石油化学株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＸＶ）中、Ｒ^２９は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉは各々独立に０〜３の整数を示す。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

トリフェニルメタン型フェノール樹脂は、トリフェニルメタン骨格を有する化合物を原料として得られるフェノール樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＸＶＩ）で表されるフェノール樹脂が好ましい。

下記一般式（ＸＶＩ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｉが０であり、ｋが０であるＭＥＨ−７５００（明和化成株式会社、商品名）、ＨＥ９１０−１０（エア・ウォーター株式会社）等が市販品として入手可能である。

式（ＸＶＩ）中、Ｒ^３０及びＲ^３１は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉはそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｋはそれぞれ独立に０〜４の整数である。ｎは平均値であり、０〜１０の数である。

ベンズアルデヒド型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂との共重合型フェノール樹脂は、ベンズアルデヒド骨格を有する化合物を原料として得られるフェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂との共重合型フェノール樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＸＶＩＩ）で表されるフェノール樹脂が好ましい。

下記一般式（ＸＶＩＩ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｉが０であり、ｋが０であり、ｑが０であるＨＥ−５１０（エア・ウォーター・ケミカル株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＸＶＩＩ）中、Ｒ^３２〜Ｒ^３４は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉはそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｋはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｑはそれぞれ独立に０〜５の整数である。ｌ及びｍはそれぞれ平均値であり、それぞれ独立に０〜１１の数である。ただし、ｌとｍの合計は１〜１１の数である。

ノボラック型フェノール樹脂は、フェノール化合物及びナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のフェノール性化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるフェノール樹脂であれば特に限定されない。例えば、下記一般式（ＸＶＩＩＩ）で表されるフェノール樹脂が好ましい。

下記一般式（ＸＶＩＩＩ）で表されるフェノール樹脂の中でも、ｉが０であり、Ｒ^３５が全て水素原子であるタマノル７５８、７５９（荒川化学工業株式会社、商品名）、ＨＰ−８５０Ｎ（日立化成株式会社、商品名）等が市販品として入手可能である。

式（ＸＶＩＩＩ）中、Ｒ^３５は水素原子又は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３６は炭素数１〜１８の１価の有機基を示し、それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい。ｉは各々独立に０〜３の整数を示す。ｎは平均値であり、０〜１０の数を示す。

上記一般式（ＸＩＩ）〜（ＸＶＩＩＩ）におけるＲ^２２〜Ｒ^３６について記載した「それぞれ全てが同一でも異なっていてもよい」は、例えば、式（ＸＩＩ）中のｉ個のＲ^２２の全てが同一でも相互に異なっていてもよいことを意味している。他のＲ^２３〜Ｒ^３６についても、式中に含まれるそれぞれの個数について全てが同一でも相互に異なっていてもよいことを意味している。また、Ｒ^２２〜Ｒ^３６は、それぞれが同一でも異なっていてもよい。例えば、Ｒ^２２及びＲ^２３の全てについて同一でも異なっていてもよく、Ｒ^３０及びＲ^３１の全てについて同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（ＸＩＩ）〜（ＸＶＩＩＩ）におけるｎは、０〜１０の範囲であることが好ましい。

（Ｃ）無機充填材
封止材は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のために、無機充填材を含む。無機充填材としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維等が挙げられる。
中でも、充填性及び線膨張係数の低減の観点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。高熱伝導性の観点からは、アルミナが好ましい。無機充填材は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。無機充填材の形状は、充填性及び金型摩耗性の観点からは、球形が好ましい。

無機充填材の含有率は、充填性及び信頼性の観点から、封止材全体の８０質量％以上であることが好ましい。無機充填材の含有率が８０質量％であると、無機充填材の含有率が８０質量％未満である場合に比べて反りがより有効に抑制される傾向にある。充填性の観点及び封止材の調製のしやすさの観点からは、無機充填材の含有率は９５質量％以下であることが好ましい。

本開示において、封止材中の無機充填材の含有率は、次のようにして測定される。先ず、封止材の総質量を測定し、この封止材を４００℃で２時間、次いで７００℃で３時間焼成し、樹脂、溶剤等の無機充填材以外の成分を除去する。次いで、残存した無機充填材の質量を測定し、得られた値から封止材の総質量に対する無機充填材の質量の割合を計算する。

封止材は、成形品の状態でレーザー等により開口部が形成される場合がある。その為、レーザーによる開口部の形成のしやすさの観点から、無機充填材は、分級処理により所定の粒度に制御されたものであることが好ましい。例えば、目開きが７５μｍ以下である篩を通過可能なものであることが好ましい。無機充填材の分級処理は、湿式又は乾式を問わず、通常使用されるふるい機、分級装置等を用いて行うことができる。使用する装置としては、エア式分級装置、静電式分級装置、音波振動式分級装置、電磁振動式分級装置等が挙げられる。

充填性の観点からは、無機充填材は、使用する篩の目開きが７５μｍ以下である篩を通過可能である（粗粒が除去された）ものであることが好ましい。また、上述した開口部の微細化が進んだ場合を考えると、目開きがより細かい（例えば２０μｍ）篩を通過できるものであることがより好ましい。尚、分級精度はある一定の目開きを通過させた後、再びその目開きを通過させた時の残分が１％未満であることが望ましい。

（硬化促進剤）
封止材は、硬化性の観点から、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤は、封止材に一般に使用されているものであれば特に制限はない。
具体的には、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１，５−ジアザ−ビシクロ［４．３．０］ノネン、５、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン等のシクロアミジン化合物；これらのシクロアミジン化合物に、無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類及びこれらの誘導体；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体；トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；これらのホスフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩；これらの誘導体などが挙げられる。これらの硬化促進剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも充填性及び耐リフロー性の観点からは、有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好ましい。

封止材が硬化促進剤を含む場合、その含有率は特に制限されない。例えば、封止材全体の０．００５質量％〜２質量％であることが好ましく、０．０１質量％〜０．５質量％であることがより好ましい。硬化促進剤の含有率が０．００５質量％以上であると、短時間での硬化性に優れる傾向にある。硬化促進剤の含有率が２質量％以下であると、良好な硬化速度を維持することができ、良好な成形品を得ることができる。

（カップリング剤）
封止材は、封止材に含まれる樹脂成分、又はフレーム等の封止材が接する部材と無機充填材との間の接着性を高めるために、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は、封止材に一般に使用されているものであれば特に制限はない。
具体的には、１級、２級及び３級アミノ基から選ばれる少なくとも１種のアミノ基を有するシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げられる。

これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン等の不飽和結合を有するシランカップリング剤、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン等のエポキシ基を有するシランカップリング剤、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシランカップリング剤；イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタンカップリング剤；などが挙げられる。これらのカップリング剤は１種を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも充填性の観点からは、シランカップリング剤が好ましく、エポキシ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

封止材がカップリング剤を含む場合、その含有率は、封止材全体の０．０３７質量％〜４．７５質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜３質量％であることがより好ましく、０．１質量％〜２．５質量％であることがさらに好ましい。カップリング剤の含有率が０．０３７質量％以上であると、樹脂成分又はフレームとの接着性が向上する傾向にある。カップリング剤の含有率が４．７５質量％以下であると、パッケージの成形性が向上する傾向がある。

封止材がカップリング剤を含む場合、カップリング剤が無機充填材の表面を被覆した状態であることが好ましい。この場合、カップリング剤による無機充填材の被覆率（以下、被覆率とも称する）は、０．３〜１．０とすることが好ましく、０．４〜０．９とすることがより好ましく、０．５〜０．８の範囲とすることがさらに好ましい。被覆率が１．０以下であると、成形時に発生する揮発分による気泡が減少して、特に封止材の厚みが小さい部分におけるボイドの発生が抑制される傾向にある。被覆率が０．３以上であると、樹脂成分と無機充填材との接着力が高まり、成形品強度がより向上する傾向にある。

本開示において、カップリング剤による無機充填材の被覆率Ｘは、下記式（Ａ）のように定義される。式（Ａ）において、Ｓｃ及びＳｆは、それぞれ封止材における全カップリング剤の総最小被覆面積と全充填材の総表面積を表し、それぞれ式（Ｂ）及び式（Ｃ）式で定義される。

式（Ａ）：Ｘ（％）＝（Ｓｃ／Ｓｆ）×１００
式（Ｂ）：Ｓｃ＝Ａ１×Ｗ１＋Ａ２＋×Ｗ２＋…＋Ａｎ×Ｍｎ
式（Ｃ）：Ｓｆ＝Ｂ１×Ｗ１＋Ｂ２×Ｗ２＋…＋Ｂｌ×Ｗｌ

式（Ｂ）においてｎは、使用するカップリング剤の種類の数を表し、式（Ｃ）においてｌは、使用する無機充填材の種類の数を表す。ＡとＭは、それぞれ各カップリング剤の最小被覆面積及びその使用量を表し、ＢとＷは、それぞれ各無機充填材の比表面積及びその使用量を表す。カップリング剤の最小被覆面積とは、カップリング剤が単分子膜として充填材を覆うと仮定した際の、カップリング剤単位重量あたりの面積であり、以下の（Ｄ）式で示される。

式（Ｄ）：最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）＝（６．０２×１０２３×１３×１０−２０）／カップリング剤の分子量

上記式において、使用するカップリング剤及び無機充填材のそれぞれの最小被覆面積及び比表面積が既知であれば、式（Ａ）、式（Ｂ）及び式（Ｃ）より、目的の被覆率が得られるカップリング剤及び無機充填材の使用量を算出することができる。

（難燃剤）
封止材は、難燃剤を含んでもよい。難燃剤は、半導体封止樹脂材料に一般に使用されているもので特に制限はない。例えば、テトラブロモビスフェノールＡのジグリシジルエーテル化物、ブロム化フェノールノボラックエポキシ樹脂等のブロム化エポキシ樹脂；酸化アンチモン、赤リン、リン酸エステル等の燐化合物；メラミン、メラミンシアヌレート、メラミン変性フェノール樹脂、グアナミン変性フェノール樹脂等の含窒素化合物；シクロホスファゼン等の燐／窒素含有化合物；酸化亜鉛、酸化鉄、酸化モリブデン、フェロセン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、複合金属水酸化物等の金属化合物；などが挙げられる。近年の環境問題や高温放置特性の観点からは非ハロゲン、非アンチモン系の難燃剤が好ましい。中でも充填性の観点からはリン酸エステルが好ましく、安全性及び耐湿性の観点からは複合金属水酸化物が好ましい。

前記複合金属水酸化物は、下記組成式（ＸＸ）で示される化合物が好ましい。
ｐ（Ｍ１_ａＯ_ｂ）・ｑ（Ｍ２_ｃＯ_ｄ）・ｒ（Ｍ３_ｃＯ_ｄ）・ｍ（Ｈ_２Ｏ） （ＸＸ）
ここで、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｐ、ｑ及びｍは正の数を示し、ｒは０又は正の数を示す。
中でも、上記組成式（ＸＸ）中のｒが０である化合物、すなわち、下記組成式（ＸＸａ）で示される化合物がさらに好ましい。
ｍ（Ｍ１_ａＯ_ｂ）・ｎ（Ｍ２_ｃＯ_ｄ）・ｌ（Ｈ_２Ｏ） （ＸＸａ）
ここで、Ｍ１及びＭ２は互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｍ、ｎ及びｌは正の数を示す。

前記組成式（ＸＸ）及び（ＸＸａ）中のＭ１及びＭ２は、互いに異なる金属元素であれば特に制限はない。難燃性の観点からは、Ｍ１とＭ２が同一とならないようにＭ１が第３周期の金属元素、ＩＩＡ族のアルカリ土類金属元素、ＩＶＢ族、ＩＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＩＡ族及びＩＶＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ２がＩＩＩＢ〜ＩＩＢ族の遷移金属元素から選ばれることが好ましく、Ｍ１がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ２が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の観点からは、Ｍ１がマグネシウムであり、Ｍ２が亜鉛又はニッケルであることが好ましく、Ｍ１がマグネシウムであり、Ｍ２が亜鉛であることがより好ましい。

前記組成式（ＸＸ）中のｐ、ｑ、ｒのモル比は特に制限されないが、ｒが０であり、ｐ及びｑのモル比（ｐ／ｑ）が９９／１〜５０／５０であることが好ましい。すなわち、上記組成式（ＸＸａ）中のｍ及びｎのモル比（ｍ／ｎ）が９９／１〜５０／５０であることが好ましい。
なお、前記金属元素の分類は、典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期率表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて行う。

複合金属水酸化物の形状は、特に制限されない。流動性、充填性の観点からは、平板状よりも適度の厚みを有する多面体形状が好ましい。複合金属水酸化物は、金属水酸化物に比べ、多面体状の結晶が得られやすい。

封止材が難燃剤を含む場合、その含有率は、特に制限されない。例えば、封止材全体の０．５質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．７質量％〜１５質量％であることがより好ましく、１．４質量％〜１２質量％がさらに好ましい。難燃材の含有率が０．５質量％以上であると、充分な難燃性が得られる傾向にあり、２０質量％以下であると、充填性及び耐リフロー性が向上する傾向にある。

（陰イオン交換体）
封止材は、半導体素子の耐湿性及び高温放置特性を向上させる観点から、陰イオン交換体を含有してもよい。陰イオン交換体は、特に制限はなく、従来公知のものを用いることができる。例えば、ハイドロタルサイト類、及びマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス等から選ばれる元素の含水酸化物が挙げられる。陰イオン交換体は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、下記組成式（ＸＸＩ）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
Ｍｇ_１−ＸＡｌ_Ｘ（ＯＨ）_２（ＣＯ_３）_Ｘ／２・ｍＨ_２Ｏ …（ＸＸＩ）
（０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）

（その他の成分）
封止材は、必要に応じて上述した成分以外の成分を含んでもよい。例えば、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム粉末等の応力緩和剤（ただし、特定シリコーン化合物に該当するものを除く）などを必要に応じて含有することができる。

（硬化性樹脂組成物の調製方法）
硬化性樹脂組成物の調製方法は、特に制限されない。一般的な手法としては、所定の配合量の成分をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機等によって溶融混練し、冷却し、粉砕する方法を挙げることができる。より具体的には、例えば、上述した成分の所定量を均一に撹拌及び混合し、予め７０℃〜１４０℃に加熱してあるニーダー、ロール、エクストルーダー等で混練し、冷却し、粉砕する方法を挙げることができる。

硬化性樹脂組成物は、常温常圧下（例えば、２５℃、大気圧下）において固体であることが好ましい。硬化性樹脂組成物が固体である場合の形状は特に制限されず、粉状、粒状、タブレット状等が挙げられる。硬化性樹脂組成物がタブレット状である場合の寸法及び質量は、パッケージの成形条件に合うような寸法及び質量となるようにすることが取り扱

封止材を成形する方法は、特に制限されない。例えば、通常使用される成形機を用いて所定の加熱温度で溶融押出して成形する方法、加熱しながら射出成形する方法等が挙げられる。成形に際し、加熱温度等の条件は特に制限されるものではない。例えば、成形温度（金型温度）は１００℃〜１７５℃の範囲とすることが好ましく、低反りの観点から１５０℃以下とすることがより好ましい。また、成形後、得られた封止材の硬化物に対し、さらに成形後熱処理（アフターキュア）を施してもよい。

（ガラス転移温度）
反り抑制の観点からは、封止材は、成形温度１７５℃以下、及び成形後の熱処理温度１５０℃以下の条件で硬化させたときのガラス転移温度が１５０℃以上であることが好ましく、１６０℃以上であることがより好ましい。

封止材の硬化物のガラス転移温度が前記条件を満たすようにする方法としては、例えば、封止材のエポキシ樹脂としてトリフェニルメタン型エポキシ樹脂（好ましくは、一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物）の少なくとも１種と、硬化剤としてトリフェニルメタン型フェノール樹脂（好ましくは、一般式（ＸＶＩ）で示される化合物）の少なくとも１種と、を用いる方法が挙げられる。

封止材の硬化物のガラス転移温度の測定方法としては、ＴＭＡ法（示差膨張方式）を用いることができる。例えば、アフターキュア前後のそれぞれの硬化物から切り出された、１９ｍｍ×３ｍｍ×３ｍｍのサイズを有する試験片の線膨張曲線を、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で測定する方法によって測定される。ガラス転移温度は、線膨張係数の屈曲点に基づいて決定される。更に、線膨張曲線から、ガラス転移温度以下の温度領域（ガラス領域）における所定の温度における線膨張係数が読み取られる。通常、４０℃における線膨張係数は、ガラス領域における線膨張係数である。線膨張曲線の測定は、例えば、セイコーインスツルメンツ社製ＴＭＡＳＳ６０００を用いて行われる。

（封止材の調製及び使用方法）
封止材は、その原材料を充分に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できる。一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機、らいかい機、プラネタリミキサ等によって混合又は溶融混練した後、冷却し、必要に応じて脱泡、粉砕する方法等を挙げることができる。

＜半導体装置の製造方法＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に上述した封止材を配置する工程と、前記支持体上に配置された封止材を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、を含む。

上記方法は、複数の半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に上述した実施形態の封止材を配置する工程と、前記支持体上に配置された封止材を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、前記支持体を個片化する工程と、を含むものであってもよい。

封止材を硬化して半導体チップを封止する方法は特に制限されず、一般的な圧縮成形法により行うことができる。また、半導体装置の製造に使用する支持体及び半導体チップの種類は特に制限されず、半導体装置の製造に一般的に用いられるものを使用できる。

＜半導体装置＞
本実施形態の半導体装置は、支持体と、前記支持体上に配置される半導体チップと、前記半導体チップを封止している上述した実施形態の封止材の硬化物と、を備える。

上記半導体装置を製造する方法は特に制限されず、例えば、上述した実施形態の半導体装置の製造方法により製造することができる。また、半導体装置に使用する支持体及び半導体チップの種類は特に制限されず、半導体装置の製造に一般的に用いられるものを使用できる。

以下、上記実施形態を実施例により具体的に説明するが、上記実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、封止材及び半導体装置の評価は、特記しない限り後に説明する評価方法に基づいて行った。

表１に示す材料を表１に示す配合となるように予備混合（ドライブレンド）し、さらにロール表面温度を９０℃〜１１０℃に設定した二軸ロールで１５分間混練して、封止材を調製した。次いで、封止材を冷却粉砕し、直径４３ｍｍの金型で成形温度２５℃にて厚さ５．５ｍｍのタブレット（ペレット状）成形を行い、実施例１〜６及び比較例１〜２の封止材の硬化物を作製した。

表１に示す各材料の詳細は、下記のとおりである。表１中の数値は各材料の配合量（質量部）を示し、空欄は未配合であることを示す。

・エポキシ樹脂１：トリフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社、商品名：ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ、エポキシ当量：１６９ｇ／ｍｏｌ、軟化点：６０℃）
・エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社、商品名：ＹＸ−４０００、エポキシ当量：２８０ｇ／ｍｏｌ、融点：１０５℃）
・エポキシ樹脂３：一般式（２）で表されるシリコーン化合物（信越化学工業株式会社、商品名：ＫＦ−１００１、エポキシ当量：３５００ｇ／ｍｏｌ）
・エポキシ樹脂４：一般式（４）で表されるシリコーン化合物（東レ・ダウコーニング株式会社、商品名：ＢＹ１６−８７６、エポキシ当量：２８００ｇ／ｍｏｌ）
・エポキシ樹脂５：一般式（３）で表されるシリコーン化合物（信越化学工業株式会社、商品名：Ｘ−２２−９００２、エポキシ当量：５０００ｇ／ｍｏｌ）
・硬化剤１：トリフェニルメタン型フェノール樹脂（エア・ウォーター株式会社、商品名：ＨＥ９１０−１０、水酸基当量：８３ｇ／ｍｏｌ）

・無機充填材１：目開きが２０μｍである篩を通過した球状溶融シリカ（体積平均粒子径：１１．２μｍ、比表面積：３．１ｍ^２／ｇ）
・無機充填材２：目開きが７５μｍである篩を通過した球状溶融シリカ（体積平均粒子径：０．６μｍ、比表面積：７．０ｍ^２／ｇ）
・硬化促進剤：トリイソブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加物
・カップリング剤：シランカップリング剤（信越化学工業株式会社、製品名：ＫＢＭ−４０３）
・着色剤：カーボンブラック（三菱化学株式会社、製品名：ＭＡ−６００ＭＪ−Ｓ）
・添加剤１：両末端変性型シリコーンオイル（信越化学工業株式会社、商品名：Ｘ−２２−４９５２
・添加剤２：軟化点８０℃のポリシロキサン（東レ・ダウコーニング株式会社、商品名：ＡＹ４２−１１９）

作製した実施例１〜６及び比較例１〜２の半導体封止樹脂材料を以下の試験により評価した。評価結果を表１に示す。表１中の「−」は未評価であることを示す。

＜物性の測定＞
作製した封止材の硬化物について、ガラス転移温度（Ｔｇ、℃）をＴＭＡ法（示差膨張方式）により、上記した方法で測定した。結果を表１に示す。

作製した封止材の成形体について、熱膨張率（ＣＴＥ、ｐｐｍ／℃）を測定した。測定は、熱機械分析装置ＴＭＡ８１４０（理学電気株式会社製商品名）を用いて昇温速度３℃／ｍｉｎ、測定温度範囲０〜２５０℃で熱膨張量を測定し、低温側の直線の接線と高温側の直線の接線との交点をガラス転移温度とし、低温側の直線の勾配を熱膨張率として表した。ガラス転移温度以下の場合をＣＴＥ１（＜Ｔｇ）、ガラス転移温度以上の場合をＣＴＥ２（＞Ｔｇ）として表１に示す。

作製した封止材の成形体について、弾性率（ＧＰａ）を株式会社エー・アンド・デイ製のテンシロンを用い、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準拠した３点支持型曲げ試験で、２５℃での曲げ弾性率（ＧＰａ）を求めた。結果を表１に示す。

作製した封止材の成形体について、成形収縮率（％）を下記記載の条件にて測定した。具体的には、予め測定した成形温度（１７５℃）での金型の長さと、室温（２５℃）での試験片の長さから、下記式により成形収縮率（％）を求めた。結果を表１に示す。
成形収縮率（％）＝［（Ｄ−ｄ）／Ｄ］×１００
Ｄ：金型のキャビティの長さ
ｄ：試験片の長さ

＜反りの評価＞
６インチシリコンウェハ（厚さ：６５０μｍ）を用いて、反りの評価を行った。具体的には、シリコンウエハの片面の全面に、硬化後の厚みが５００μｍとなるように封止材を配置し、成形温度を１３０℃とし、６００秒間の条件で封止材を成形した。その後、１７５℃、６時間の条件にて熱処理を行い、硬化させた。次いで、シリコンウエハの封止材の硬化物が配置された面が上になるようにシリコンウエハを平らな台の上に置き、台からのシリコンウエハの高さ(ｍｍ）を定規で測定した。測定は２点で行い、その平均値を表１に示す。また、１２インチシリコンウェハ（厚さ：７５０μｍ）を用いた反りの測定も、上記と同様にして行った。結果を表１に示す。

＜検討結果＞
エポキシ樹脂として特定シリコーン化合物を用いた実施例１〜６では、エポキシ樹脂として特定シリコーン化合物を用いてない比較例１、２に比べ、シリコンウエハの反りの低減効果が大幅に向上した。
さらに、エポキシ樹脂として特定シリコーン化合物を１０質量部用いた実施例３でも充分な反りの低減効果が得られることがわかった。また、実施例３と実施例４、５との比較から、エポキシ樹脂における特定シリコーン化合物の割合を増加させるに従って反りの低減効果が増大することがわかった。

Claims (9)

1. エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、を含有し、前記エポキシ樹脂が、エポキシ当量が１０００ｇ／ｍｏｌ以上であるエポキシ変性シリコーン化合物を含む、圧縮成形用固形封止材。
2. 前記エポキシ変性シリコーン化合物が下記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を含む、請求項１に記載の圧縮成形用固形封止材。
   
   〔一般式（１）中、ｌは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基又は炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基（ただし、Ｒ^２の少なくとも一方はエポキシ基を有する１価の有機基である）を表す。〕
   
   〔一般式（２）中、ｍは０又は１以上の整数を表し、ｎは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表す。〕
   
   〔一般式（３）中、ｐは０又は１以上の整数を表し、ｑは１以上の整数を表し、ｒは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の１価の置換又は非置換の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表し、Ｒ^３は、それぞれ独立に、アルキルオキシ、フェニル基、アラルキル基又はフェノール基を表す。〕
   
   〔前記一般式（４）中、ｓは０又は１以上の整数を表し、ｔは１以上の整数を表す。また、Ｒ^１は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は、それぞれ独立に、エポキシ基を有する１価の有機基を表す。〕
3. 前記エポキシ樹脂における前記エポキシ変性シリコーン化合物の割合が５質量％〜１００質量％である、請求項１又は請求項２に記載の圧縮成形用固形封止材。
4. 前記エポキシ樹脂がトリフェニルメタン型エポキシ樹脂をさらに含む、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。
5. 前記硬化剤がトリフェニルメタン型フェノール樹脂を含む、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。
6. 成形温度１７５℃以下、及び成形後の熱処理温度１５０℃以下の条件で硬化させたときのガラス転移温度が１５０℃以上である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。
7. 前記無機充填材が目開き７５μｍ以下の篩を通過可能である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材。
8. 半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材を配置する工程と、前記支持体上に配置された前記圧縮成形用固形封止材を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
9. 支持体と、前記支持体上に配置される半導体チップと、前記半導体チップを封止している請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の圧縮成形用固形封止材の硬化物と、を備える半導体装置。