JP2018169464A - 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[式(1)中、R11は水素原子又はメチル基を示し、Y1は水素原子又はグリシジル基を示し、n1は1以上の整数を示す。なお、複数存在するR11及びY1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも一つのY1はグリシジル基を示す。]
[式(2)中、R12は水素原子又はメチル基を示し、Y2はそれぞれ独立に水素原子又はグリシジル基を示す。なお、2つのR12は同一でも異なっていてもよい。但し、Y2の少なくとも一方はグリシジル基を示す。]
[式(4)中、R13は水素原子又はメチル基を示し、Y3はそれぞれ独立に水素原子又はグリシジル基を示す。なお、2つのR13は同一でも異なっていてもよい。但し、Y3の少なくとも一方はグリシジル基を示す。]
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(A)成分として(A)酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂、(B)成分として(B)エチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)成分として(C)光重合開始剤、(D)成分として(D)無機フィラー、(E)成分として(E)硬化剤及び(F)成分として(F)ビスマレイミド化合物を含有する。本実施形態の感光性樹脂組成物において、(A)酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂は、下記一般式(1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂及び一般式(2)又は(4)で表される構造単位を有するビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも1種のエポキシ樹脂と、ビニル基含有モノカルボン酸とのエステル化物に、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を付加した付加反応物を含み、(F)ビスマレイミド化合物の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量を基準として0.3〜35質量%である。
式(1)中、R11は水素原子又はメチル基を示し、Y1は水素原子又はグリシジル基を示し、n1は1以上の整数を示す。なお、複数存在するR11及びY1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも一つのY1はグリシジル基を示す。
アルカリ現像が可能であり、解像性及び接着性に優れる観点から、(A)成分は、一般式(1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂及び一般式(2)又は(4)で表される構造単位を有するビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも1種のエポキシ樹脂と、ビニル基含有モノカルボン酸とのエステル化物に、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を付加した付加反応物を含む。すなわち、(A)成分は、一般式(1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂及び一般式(2)又は(4)で表される構造単位を有するビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも1種のエポキシ樹脂(a)と、ビニル基含有モノカルボン酸(b)とを反応させて得られる樹脂(A’)に、飽和又は不飽和多塩基酸無水物(c)を反応させて得られる樹脂(A”)を含む。
(B)成分であるエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物としては、エチレン性不飽和基を1以上有する化合物であれば特に限定されない。
(C)成分である光重合開始剤としては、(B)成分を重合させることができれば、特に限定されない。(C)成分としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾイン化合物;アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−1−プロパノン、N,N−ジメチルアミノアセトフェノン等のアセトフェノン化合物;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−アミルアントラキノン、2−アミノアントラキノン等のアントラキノン化合物;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン化合物;アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール化合物;ベンゾフェノン、メチルベンゾフェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルサルファイド等のベンゾフェノン化合物;2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4−ジ(p−メトキシフェニル)−5−フェニルイミダゾール二量体、2−(2,4−ジメトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等のイミダゾール化合物;9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン化合物;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)フェニル]−2−(O−ベンゾイルオキシム)、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]エタノン1−(O−アセチルオキシム)、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−[O−(エトキシカルボニル)オキシム]等のオキシムエステル化合物;N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の三級アミンが挙げられる。(C)成分は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(D)成分である無機フィラーとしては、例えば、シリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、チタニア(TiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、ジルコニア(ZrO2)、窒化ケイ素(Si3N4)、チタン酸バリウム(BaO・TiO2)、炭酸バリウム(BaCO3)、炭酸マグネシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、チタン酸鉛(PbO・TiO2)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)、酸化ガリウム(Ga2O3)、スピネル(MgO・Al2O3)、ムライト(3Al2O3・2SiO2)、コーディエライト(2MgO・2Al2O3/5SiO2)、タルク(3MgO・4SiO2・H2O)、チタン酸アルミニウム(TiO2−Al2O3)、イットリア含有ジルコニア(Y2O3−ZrO2)、ケイ酸バリウム(BaO・8SiO2)、窒化ホウ素(BN)、炭酸カルシウム(CaCO3)、硫酸バリウム(BaSO4)、硫酸カルシウム(CaSO4)、酸化亜鉛(ZnO)、チタン酸マグネシウム(MgO・TiO2)、ハイドロタルサイト、雲母、焼成カオリン、カーボン(C)等を使用することができる。(D)成分は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
(E)成分である硬化剤としては、それ自体が熱、紫外線等で硬化する化合物、又は、(A)成分のカルボキシル基又は水酸基と、熱、紫外線等で反応して硬化する化合物を用いることができる。(E)成分を用いることで、感光性樹脂組成物から形成される硬化膜の耐熱性、接着性、耐薬品性等を向上させることができる。
(F)成分であるビスマレイミド化合物は、公知の方法(例えば、特公昭51−6153号公報、米国特許第3018290号明細書を参照)に従って、ジアミン化合物と無水マレイン酸を反応させて、ジアミン化合物をマレイミド化することにより合成される。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、製造装置の識別性又は外観を向上させる観点から、(G)成分として顔料を更に含有してもよい。(G)成分としては、配線を隠蔽する等の際に所望の色を発色する着色剤を用いることができる。(G)成分としては、例えば、フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の公知の着色剤が挙げられる。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(H)成分としてエラストマーを更に含有することができる。エラストマーを含有することにより、感光性樹脂組成物から形成される硬化膜の可とう性、アンダーフィルとの密着性等をより向上させることができる。(H)成分は、特に、特に、本実施形態の感光性樹脂組成物を半導体パッケージ基板に用いる場合に好適に使用することができる。感光性樹脂組成物に(H)成分を添加することにより、(A)成分の硬化収縮による樹脂内部の歪み(内部応力)に起因する可とう性及び接着強度の低下を抑えることができる。
式中、Y11は炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数4〜8のシクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基又はスルホニル基を示し、R21及びR22はそれぞれ独立にハロゲン原子又は炭素数1〜12のアルキル基を示し、p及びqはそれぞれ独立に0〜4の整数を示し、rは0又は1を示す。
本実施形態の感光性樹脂組成物には、形成される硬化膜の耐熱性、接着性、耐薬品性等の諸特性をさらに向上させる目的で、硬化促進剤を添加してもよい。
本実施形態の感光性エレメントは、支持フィルムと、本実施形態の感光性樹脂組成物からなる感光層とを備える。図1は、本実施形態の感光性エレメントを模式的に示す断面図である。図1に示されるように、感光性エレメント1は、支持フィルム10と、支持フィルム10上に形成された感光層20とを備えている。また、感光層20上には、感光層20を被覆する保護フィルム30を更に備えていてもよい。
本実施形態のレジストパターンの形成方法は、基板上に、本実施形態の感光性樹脂組成物を用いて感光層を形成する工程と、感光層を所定のパターン露光し、露光後加熱処理を行う工程と、加熱処理後の感光層を現像し、得られた樹脂パターンを露光又は加熱処理する工程とを含む。
本実施形態の半導体装置は、本実施形態の感光性樹脂組成物の硬化物を備えている。本実施形態の感光性樹脂組成物の硬化物は、例えば、半導体素子の表面保護膜及び/又は層間絶縁膜として好適に用いることができる。半導体素子の表面保護膜(オーバーコート膜)及び/又は層間絶縁膜(パッシベーション膜)、あるいは、多層プリント配線板におけるソルダーレジスト及び/又は層間絶縁層として好適に用いることができる。
撹拌機、還流冷却器及び温度計を備えたフラスコに、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂(EXA−7376、DIC(株)製、一般式(II)中、Y3及びY4がグリシジル基、R12が水素原子である構造を有するビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量:186)350質量部、アクリル酸70質量部、メチルハイドロキノン0.5質量部及びカルビトールアセテート120質量部を仕込み、90℃で加熱攪拌して混合物を完全に溶解した。次に、得られた溶液を60℃に冷却し、トリフェニルホスフィン2質量部を加え、100℃に加熱して、溶液の酸価が1mgKOH/g以下になるまで反応させた。反応後の溶液に、テトラヒドロ無水フタル酸(THPAC)98質量部とカルビトールアセテート85質量部とを加え、80℃で6時間反応させた。その後、室温まで冷却し、固形分が73質量%である(A1)成分としてのTHPAC変性ビスフェノールFノボラック型エポキシアクリレート(エポキシアクリレート(1))を得た。
撹拌機、還流冷却器及び温度計を備えたフラスコに、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(一般式(IV)中、Y6が水素原子、R14が水素原子である構造を有するビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量:526)1052質量部、アクリル酸144質量部、メチルハイドロキノン1質量部、カルビトールアセテート850質量部及びソルベントナフサ100質量部を仕込み、70℃で加熱撹拌して混合物を溶解した。次に、溶液を50℃に冷却し、トリフェニルホスフィン2質量部及びソルベントナフサ75質量部を加え、100℃に加熱して、溶液の酸価が1mgKOH/g以下になるまで反応させた。次に、反応後の溶液に、THPAC745質量部、カルビトールアセテート75質量部及びソルベントナフサ75質量部を加え、80℃で6時間反応させた。その後、室温まで冷却し、固形分酸価が80mgKOH/g、固形分が62質量%である(A2)成分としてのTHPAC変性ビスフェノールF型エポキシアクリレート(エポキシアクリレート(2))を得た。
表1に示す配合量(単位:質量部)で各成分を配合し、3本ロールミルで混練し、固形分濃度が70質量%になるようにカルビトールアセテートを加えて、感光性樹脂組成物を得た。なお、表1中の各成分の配合量は、固形分の質量部である。
・エポキシアクリレート(1):合成例1で得られた酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂
・エポキシアクリレート(2):合成例2で得られた酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂
・DPHA:ジペンタエリストールヘキサアクリレート(日本化薬(株)製、商品名)
・イルガキュア907:2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−1−プロパノン(BASF社製、商品名)
・DETX−S:2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬(株)製、商品名)
・B34:硫酸バリウム粒子(堺化学工業(株)製、商品名、平均粒径:0.3μm)
・SFP20M:シリカ粒子(デンカ(株)製、商品名、平均粒径:0.3μm)
・YX4000X:ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製、商品名)
・BMI−3000:ビスマレイミド化合物(大和化成工業)
・フタロシアニン系顔料:(山陽色素(株)製、商品名)
・PB−3600:エポキシ化ポリブタジエン(ダイセル化学(株)製、商品名)
実施例及び比較例の感光性樹脂組成物を支持フィルムである16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人(株)製、商品名「G2−16」)上に、乾燥後の膜厚が25μmとなるように均一に塗布した後、熱風対流式乾燥機を用いて75℃で約30分間乾燥して感光層を形成した。次いで、感光層の支持エレメントと接している側とは反対側の表面上に、ポリエチレンフィルム(タマポリ(株)製、商品名「NF−15」)を保護フィルムとして貼り合わせ、感光性エレメントを得た。
感光性エレメントの保護フィルムを剥離しながら厚さ1.0mmの銅張積層基板(日立化成(株)製、商品名「MCL−E−67」)上に、連プレス式真空ラミネータ((株)名機製作所製、商品名「MVLP−500」)を用いて、圧着圧力0.4MPa、プレス熱板温度80℃、真空引き時間40秒間、ラミネートプレス時間20秒間、気圧4kPa以下で行い、感光層をラミネートし、積層体を得た。次いで、積層体の支持体を剥がし、所定サイズのビアパターンを有するネガマスクを介してi線露光装置(ウシオ(株)製、商品名「UX−2240SM―XJ−01」)を用いて100〜500mJ/cm2の範囲で50mJ/cm2ずつ変化させながら露光した。その後、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液で30℃での最短現像時間(感光層の未露光部が除去される最短時間)の2倍に相当する時間、1.765×105Paの圧力でスプレー現像し、未露光部を溶解現像した。次に、紫外線露光装置(GS YUASA製、商品名「6kW×2」)を用いて2000mJ/cm2の露光量で露光し、170℃で1時間加熱して、試験片を作製した。その後、金属顕微鏡を用い、以下の基準で評価した。
A:開口するマスクの最小径が50μm未満。
B:開口するマスクの最小径が50〜100μm。
C:開口するマスクの最小径が100μm超。
上記積層体の支持体を剥がし、i線露光装置を用いて500mJ/cm2で全面露光した後、紫外線露光装置を用いて2000mJ/cm2の露光量で露光し、170℃で1時間加熱し、銅張積層基板上に硬化膜を形成した。
A:ピール強度が0.6kN/m超。
B:ピール強度が0.4〜0.60kN/m。
C:ピール強度が0.4kN/m未満。
上記積層体の支持体を剥がし、i線露光装置を用いて500mJ/cm2で全面露光した後、紫外線露光装置を用いて2000mJ/cm2の露光量で露光し、170℃で1時間加熱し、銅張積層基板上に硬化膜を形成して、試験片を作製した。試験片の硬化膜上に、直径3.0mmの円形であるモールドアンダーフィル(日立化成(株))製、商品名「CEL−C−3730」)を接着後、試験片に対して平行方向にモールドアンダーフィルを引っかき、モールドアンダーフィル剥離後の試験片面の様子を観察した。以下の基準で、判断した。
A:アンダーフィルと硬化膜とが高強度で密着したことにより、剥離部分にレジストがなくなり、試験片材料の銅箔面が析出した。
C:アンダーフィルと硬化膜との密着不良により、剥離部分にレジストが残った。
感光性エレメントの保護層を剥離しながら6インチのウェハ上にプレス式真空ラミネータを用いて、圧着圧力0.4MPa、プレス熱板温度80℃、真空引き時間40秒間、ラミネートプレス時間20秒間、気圧4kPa以下で行い、感光層をラミネートし、積層体を得た。次いで、積層体の支持体を剥がし、i線露光装置を用いて500mJ/cm2で全面露光した。次に、紫外線露光装置を用いて2000mJ/cm2の露光量で露光し、170℃で1時間加熱し、シリコンウェハ上に硬化膜を形成した。その後、エポキシ接着剤のついたAl製スタッドを硬化膜上に垂直に設置し、オーブンで150℃、1時間加熱処理を行い、試験片を得た。試験片上のスタッドを薄膜密着強度測定装置(QuadGroup社製)のチャックへ固定し、硬化膜に対して垂直に力を加え、以下の基準で評価した。
A:エポキシ接着剤が凝集破壊。
C:硬化膜とシリコンウェハとの界面で剥離。
感光性エレメントの保護層を剥離しながら厚さ40μmの銅無し積層基板(340mm×340mm、日立化成(株)製、商品名「MCL−E−700」)上に、連プレス式真空ラミネータを用いて、圧着圧力0.4MPa、プレス熱板温度80℃、真空引き時間40秒間、ラミネートプレス時間20秒間、気圧4kPa以下で行い、感光層をラミネートし、積層体を得た。次に、積層体の支持体を剥がし、所定サイズのビアパターンを有するネガマスクを介してi線露光装置を用いて100〜500mJ/cm2の範囲で50mJ/cm2ずつ変化させながら露光した。その後、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液で30℃での最短現像時間(感光性樹脂組成物層の未露光部が除去される最短時間)の2倍に相当する時間、1.765×105Paの圧力でスプレー現像し、未露光部を溶解現像した。次に、紫外線露光装置を用いて2000mJ/cm2の露光量で露光し、170℃で1時間加熱して、基板上に硬化膜が形成された試験片を作製した。
A:反りが1mm未満。
B:反りが1〜2mm。
C:反りが2mm超。
A:変形が200mm超。
B:変形が100〜200mm。
C:変形が100mm未満。
Claims (7)
- (A)酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂、(B)エチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)無機フィラー、(E)硬化剤及び(F)ビスマレイミド化合物を含有する感光性樹脂組成物であり、
前記(A)酸変性ビニル基含有エポキシ樹脂が、下記一般式(1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂及び下記一般式(2)又は(4)で表される構造単位を有するビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも1種のエポキシ樹脂と、ビニル基含有モノカルボン酸とのエステル化物に、飽和又は不飽和多塩基酸無水物を付加した付加反応物を含み、
前記(F)ビスマレイミド化合物の含有量が、前記感光性樹脂組成物の全固形分量を基準として0.3〜35質量%である、感光性樹脂組成物。
[式(1)中、R11は水素原子又はメチル基を示し、Y1は水素原子又はグリシジル基を示し、n1は1以上の整数を示す。なお、複数存在するR11及びY1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも一つのY1はグリシジル基を示す。]
[式(2)中、R12は水素原子又はメチル基を示し、Y2はそれぞれ独立に水素原子又はグリシジル基を示す。なお、2つのR12は同一でも異なっていてもよい。但し、Y2の少なくとも一方はグリシジル基を示す。]
[式(4)中、R13は水素原子又はメチル基を示し、Y3はそれぞれ独立に水素原子又はグリシジル基を示す。なお、2つのR13は同一でも異なっていてもよい。但し、Y3の少なくとも一方はグリシジル基を示す。] - (B)エチレン性不飽和基を有する光重合性化合物が、エチレン性不飽和基を3以上有する光重合性化合物を含む、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- (G)顔料を更に含有する、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
- (H)エラストマーを更に含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 支持フィルムと、該支持フィルム上に形成された請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光層と、を備える、感光性エレメント。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物を、表面保護膜又は層間絶縁膜として備える、半導体装置。
- 基板上に、請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を用いて感光層を形成する工程と、
前記感光層を所定のパターン露光し、露光後加熱処理を行う工程と、
前記加熱処理後の前記感光層を現像し、得られた樹脂パターンを露光又は加熱処理する工程と、
を含む、レジストパターンの形成方法。
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