JP2018152805A - Microwave equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】 グランドパターンから他方の信号線路への電磁界の再結合を抑制することで、配線間のアイソレーション性能を向上させる。
【解決手段】 誘電体基板と、誘電体基板の上面に形成され、RF(Radio Frequency)信号を伝送するRF信号線路と、誘電体基板の上面に形成され、RF信号線路とは異なる他方の信号線路と、誘電体基板の上面に形成され、RF信号線路と他方の信号線路の間に配置されて、接地されたグランドパターンと、を備え、上記グランドパターンにおける上記他方の信号線路側の一部は、抵抗パターンを形成する。
【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To improve isolation performance between wirings by suppressing recombination of an electromagnetic field from a ground pattern to the other signal line.
A dielectric substrate, an RF signal line that is formed on an upper surface of the dielectric substrate, and transmits an RF (Radio Frequency) signal, and another signal that is formed on the upper surface of the dielectric substrate and is different from the RF signal line. A ground pattern formed on the upper surface of the dielectric substrate, disposed between the RF signal line and the other signal line, and grounded, and a part of the ground pattern on the other signal line side Forms a resistance pattern.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、マイクロ波信号を伝送するマイクロ波装置に関するものである。 The present invention relates to a microwave device that transmits a microwave signal.
近年、観測レーダの高分解能化が求められており、レーダ周波数の広帯域化、高周波化、レーダ出力の高出力化が望まれている。レーダは、RF(Radio Frequency)信号を送受信する送受信モジュールから構成される。送受信モジュールは、高周波信号の生成、増幅、周波数変換処理等を行う半導体チップ、コンデンサ等のデバイスが実装されるマイクロ波装置と、半導体チップを収容する金属製容器から成る。 In recent years, there has been a demand for higher resolution of observation radars, and a wider radar frequency, higher frequency, and higher radar output are desired. The radar includes a transmission / reception module that transmits / receives an RF (Radio Frequency) signal. The transmission / reception module includes a semiconductor device that performs generation, amplification, frequency conversion processing, and the like of a high-frequency signal, a microwave device on which a device such as a capacitor is mounted, and a metal container that houses the semiconductor chip.
レーダ周波数の広帯域化、高周波化に伴い、送受信モジュールの金属製容器を小型にする必要がある。この場合、送受信モジュール内のマイクロ波装置において、デバイスに接続されるRF信号線路やバイアス線路等の配線間の距離は縮まり、配線間のアイソレーション性能が悪化し、必要なモジュール性能の確保が難しくなる。また、レーダ出力の高出力化に伴い、送受信モジュールの利得は必然的に高くなるため、所要のモジュール性能を確保するためには、マイクロ波装置におけるデバイスの配線間に、高いアイソレーション性能が必要となる。 As the radar frequency becomes wider and higher, it is necessary to reduce the size of the metal container of the transmission / reception module. In this case, in the microwave device in the transmission / reception module, the distance between the wires such as the RF signal line and the bias line connected to the device is reduced, the isolation performance between the wires is deteriorated, and it is difficult to ensure the necessary module performance. Become. In addition, as the radar output increases, the gain of the transceiver module inevitably increases. Therefore, in order to ensure the required module performance, high isolation performance is required between the device wirings in the microwave device. It becomes.
従来、マイクロ波装置の信号配線間にグランドパターンを設けるなどして、配線間のアイソレーション性能を高めていた(例えば特許文献1参照)。 Conventionally, isolation performance between wirings has been improved by providing a ground pattern between signal wirings of a microwave device (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、従来のマイクロ波装置は、RF信号線路から他方の信号線路への電磁界結合に加えて、RF信号線路からグランドパターンへの電磁界結合により、更にグランドパターンから他方の信号線路への電磁界の再結合が生じる。この再結合を抑制することができないため、配線間の良好なアイソレーションを確保することができないという問題があった。 However, in the conventional microwave device, in addition to the electromagnetic coupling from the RF signal line to the other signal line, the electromagnetic coupling from the ground pattern to the other signal line is further performed by the electromagnetic coupling from the RF signal line to the ground pattern. Recombination of the field occurs. Since this recombination cannot be suppressed, there was a problem that good isolation between wirings could not be secured.
この問題について更に図3、図4を用いて説明する。
図3は比較例としてのマイクロ波装置の構成例を示す図である。図4は比較例の配線間の電磁界結合状況として、電磁界シミュレータでの解析結果を示す図である。
図3において、マイクロ波装置は、誘電体基板6の上面にRF信号線路1と他方の信号線路2とグランドパターン4が形成される。RF信号線路1はマイクロ波のRF信号を伝送する。他方の信号線路2は例えばバイアス信号を印加するバイアス線路である。誘電体基板6の下面はグランドパターン7が形成される。ビアホール3は誘電体基板6の内部を貫通し、グランドパターン4とグランドパターン7の間を接続する。RF信号線路1と他方の信号線路2の間にグランドパターン4が配置される。また、図3において、RF信号線路1から他方の信号線路2への結合S1と、RF信号線路1から他方の信号線路2への結合S2を図示している。
This problem will be further described with reference to FIGS.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a microwave device as a comparative example. FIG. 4 is a diagram illustrating an analysis result in an electromagnetic field simulator as an electromagnetic field coupling state between the wirings of the comparative example.
In FIG. 3, in the microwave device, an RF signal line 1, the other signal line 2, and a ground pattern 4 are formed on the upper surface of a dielectric substrate 6. The RF signal line 1 transmits a microwave RF signal. The other signal line 2 is a bias line for applying a bias signal, for example. A ground pattern 7 is formed on the lower surface of the dielectric substrate 6. The via hole 3 penetrates the inside of the dielectric substrate 6 and connects between the ground pattern 4 and the ground pattern 7. A ground pattern 4 is disposed between the RF signal line 1 and the other signal line 2. Further, in FIG. 3, a coupling S1 from the RF signal line 1 to the other signal line 2 and a coupling S2 from the RF signal line 1 to the other signal line 2 are illustrated.
図4において、RF信号線路1、他方の信号線路2、ビアホール3、およびグランドパターン4の各配線間の断面図を示し、矢印線にて電磁界結合の状況を示している。図4の結合S1はRF信号線路1から他方の信号線路2への直接の電磁界結合の状況を示している。図4の結合S2はグランドパターン4を介在した他方の信号線路2への電磁界結合の状況を示している。グランドパターン4はビアホール3により接地されている。図4において、結合S1と結合S2の両方が合わさって、RF信号線路1と他方の信号線路2の配線間の結合を形成していることが解る。 4, a cross-sectional view between each wiring of the RF signal line 1, the other signal line 2, the via hole 3, and the ground pattern 4 is shown, and the state of electromagnetic coupling is indicated by an arrow line. Coupling S1 in FIG. 4 shows the situation of direct electromagnetic coupling from the RF signal line 1 to the other signal line 2. Coupling S2 in FIG. 4 shows the state of electromagnetic coupling to the other signal line 2 with the ground pattern 4 interposed. The ground pattern 4 is grounded by the via hole 3. In FIG. 4, it can be seen that both the coupling S <b> 1 and the coupling S <b> 2 are combined to form a coupling between the wiring of the RF signal line 1 and the other signal line 2.
この発明は係る課題を解決するためになされたものであって、グランドパターンを介在したRF信号線路から他方の信号線路への電磁界の再結合を抑制することで、配線間のアイソレーション性能を向上させることを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and by suppressing recombination of the electromagnetic field from the RF signal line through the ground pattern to the other signal line, the isolation performance between the wirings is improved. The purpose is to improve.
この発明によるマイクロ波装置は、誘電体基板と、誘電体基板の上面に形成され、RF(Radio Frequency)信号を伝送するRF信号線路と、誘電体基板の上面に形成され、RF信号線路とは異なる他方の信号線路と、誘電体基板の上面に形成され、RF信号線路と他方の信号線路の間に配置されて、接地されたグランドパターンと、を備え、上記グランドパターンにおける上記他方の信号線路側の一部は、抵抗パターンを形成したものである。 The microwave device according to the present invention includes a dielectric substrate, an RF signal line formed on the upper surface of the dielectric substrate, for transmitting an RF (Radio Frequency) signal, an upper surface of the dielectric substrate, and an RF signal line. The other signal line formed on the top surface of the dielectric substrate, disposed between the RF signal line and the other signal line, and grounded, and the other signal line in the ground pattern. A part of the side is formed with a resistance pattern.
この発明によれば、RF信号線路から他方の信号線路2へのグランドパターンを介在した電磁界の再結合を抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress recombination of the electromagnetic field through the ground pattern from the RF signal line to the other signal line 2.
実施の形態1.
図1は、この発明に係る実施の形態1によるマイクロ波装置の構成を示す図である。
図1において、実施の形態1によるマイクロ波装置は、誘電体基板6の上面にRF(Radio Frequency)信号線路1と、他方の信号線路2と、グランドパターン4が形成される。誘電体基板6の下面はグランドが接続されて接地されたグランドパターン7が形成される。誘電体基板6は、例えば増幅器、移相器、周波数混合器等の図示しないマイクロ波回路が接続される。実施の形態1によるマイクロ波装置は、例えばマイクロ波の送受信回路、送受信モジュール、またはRFモジュールを構成する。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a microwave device according to Embodiment 1 of the present invention.
1, in the microwave device according to the first embodiment, an RF (Radio Frequency) signal line 1, the other signal line 2, and a ground pattern 4 are formed on the upper surface of a dielectric substrate 6. A ground pattern 7 is formed on the lower surface of the dielectric substrate 6 by being connected to the ground. The dielectric substrate 6 is connected to a microwave circuit (not shown) such as an amplifier, a phase shifter, and a frequency mixer. The microwave device according to Embodiment 1 constitutes, for example, a microwave transmission / reception circuit, a transmission / reception module, or an RF module.
RF信号線路1は、誘電体基板6に接続されるマイクロ波回路に対し、マイクロ波帯、ミリ波帯等のRF信号を伝送する分布定数線路である。他方の信号線路2は、誘電体基板6に接続されるマイクロ波回路に対し、RF信号線路1との混信を避けるべく異なる信号を送信する線路であり、分布定数線路であっても良い。他方の信号線路2は、例えばバイアス信号を印加するバイアス線路である。図1は、RF信号線路1と他方の信号線路2が平行に配線され、離間して配置された状態を図示している。
なお、図示しないマイクロ波回路への接続点の付近で、RF信号線路1と他方の信号線路2の両者の間隔が拡がるまたは狭まり、両者が非平行に配置されていても良い。
The RF signal line 1 is a distributed constant line that transmits an RF signal of a microwave band, a millimeter wave band, or the like to a microwave circuit connected to the dielectric substrate 6. The other signal line 2 is a line that transmits a different signal to the microwave circuit connected to the dielectric substrate 6 so as to avoid interference with the RF signal line 1, and may be a distributed constant line. The other signal line 2 is a bias line for applying a bias signal, for example. FIG. 1 illustrates a state in which the RF signal line 1 and the other signal line 2 are wired in parallel and are spaced apart from each other.
In addition, in the vicinity of a connection point to a microwave circuit (not shown), the interval between the RF signal line 1 and the other signal line 2 may be widened or narrowed, and both may be arranged non-parallel.
複数のビアホール3は誘電体基板6の内部を貫通し、グランドパターン4とグランドパターン7の間をそれぞれ接続する。RF信号線路1と他方の信号線路2の間には、グランドパターン4が配置される。グランドパターン4における他方の信号線路2側の一部は、抵抗パターン5を形成している。また、グランドパターン4におけるRF信号線路1側の他の部分4bは、金、銀、または銅等からなる金属導体膜を形成している。抵抗パターン5は薄膜抵抗で構成され、グランドパターン4における他の部分4bに接して配置される。すなわち、抵抗パターン5は、比較例の図3と比べて、グランドパターン4の金属導体膜の一部が薄膜抵抗で置き換わった構成となっている。グランドパターン4における他の部分4bと抵抗パターン5との境界部分またはその周辺では、ビアホール3の上端がグランドパターン4における他の部分4bに接続されている。ビアホール3は、当該境界領域に沿って複数配列される。 The plurality of via holes 3 penetrate the inside of the dielectric substrate 6 and connect the ground pattern 4 and the ground pattern 7 respectively. A ground pattern 4 is disposed between the RF signal line 1 and the other signal line 2. A part of the ground pattern 4 on the other signal line 2 side forms a resistance pattern 5. The other portion 4b on the RF signal line 1 side of the ground pattern 4 forms a metal conductor film made of gold, silver, copper or the like. The resistance pattern 5 is formed of a thin film resistor, and is disposed in contact with the other portion 4 b in the ground pattern 4. That is, the resistance pattern 5 has a configuration in which a part of the metal conductor film of the ground pattern 4 is replaced with a thin film resistor as compared with FIG. 3 of the comparative example. The upper end of the via hole 3 is connected to the other portion 4 b in the ground pattern 4 at or around the boundary portion between the other portion 4 b and the resistance pattern 5 in the ground pattern 4. A plurality of via holes 3 are arranged along the boundary region.
次に、実施の形態1によるマイクロ波装置の動作について説明する。
図1において、実施の形態1によるマイクロ波装置は、RF信号線路1がRF信号を伝送する。また、他方の信号線路2が低周波の制御信号または直流信号等のバイアス信号を伝える。RF信号線路1の電磁界放射7により、RF信号線路1から他方の信号線路2に対して、RF信号の結合S1を生じる。
Next, the operation of the microwave device according to the first embodiment will be described.
In FIG. 1, in the microwave device according to the first embodiment, an RF signal line 1 transmits an RF signal. The other signal line 2 transmits a low-frequency control signal or a bias signal such as a DC signal. Due to the electromagnetic field radiation 7 of the RF signal line 1, an RF signal coupling S 1 is generated from the RF signal line 1 to the other signal line 2.
また、実施の形態1によるマイクロ波装置では、グランドパターン4から他方の信号線路2への電磁界放射による結合S2が抑えられる。これにより、図3の比較例に比べて、グランドパターン4から他方の信号線路2への結合S2が抑制される。 In the microwave device according to the first embodiment, the coupling S2 due to electromagnetic field radiation from the ground pattern 4 to the other signal line 2 is suppressed. Thereby, compared with the comparative example of FIG. 3, the coupling S2 from the ground pattern 4 to the other signal line 2 is suppressed.
ここで抵抗パターン5による結合S2の抑制効果を図を用いて説明する。図2は、RF信号線路1と他方の信号線路2の間の電磁界アイソレーション解析結果を示す図であって、配線間の電磁界結合状況を示している。図2において、図1と同一の符号は同一のものである。グランドパターン4の他方の信号線路2側は、グランドパターン4におけるRF信号の伝送方向の端縁に沿って抵抗パターン5が装着されている。 Here, the effect of suppressing the coupling S2 by the resistance pattern 5 will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram showing a result of electromagnetic field isolation analysis between the RF signal line 1 and the other signal line 2, and shows an electromagnetic field coupling state between wirings. In FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same. On the other signal line 2 side of the ground pattern 4, a resistance pattern 5 is attached along the edge of the ground pattern 4 in the RF signal transmission direction.
図2において、RF信号線路1からグランドパターン4に結合したRF信号は、抵抗パターン5の効果により、他方の信号線路2への結合が抑制される。これによりRF信号線路1と他方の信号線路2の間の電磁結合に対するアイソレーションを高めることができる。 In FIG. 2, the RF signal coupled from the RF signal line 1 to the ground pattern 4 is suppressed from being coupled to the other signal line 2 due to the effect of the resistance pattern 5. Thereby, the isolation with respect to the electromagnetic coupling between the RF signal line 1 and the other signal line 2 can be enhanced.
以上説明した通り、実施の形態1によるマイクロ波装置は、マイクロ波装置内の配線間に配置されるグランドパターン4の一部に抵抗パターン5を設けたことを特徴とする。すなわち、誘電体基板6と、誘電体基板6の上面に形成され、RF信号を伝送するRF信号線路1と、誘電体基板6の上面に形成され、RF信号線路1とは離間して配置された異なる他方の信号線路2と、誘電体基板6の上面に形成され、RF信号線路1と他方の信号線路2の間に配置されて、接地されたグランドパターン4を備え、上記グランドパターン4における上記他方の信号線路2側の一部は、抵抗パターン5を形成したものである。また、グランドパターン4は、上記RF信号線路1の信号伝送方向に沿って複数のビアホール3が配列されても良い。また、上記グランドパターン4の他の部分は金属導体からなり、上記グランドパターン4の他の部分と抵抗パターン5の境界部分に、上記ビアホール3が配列されても良い。 As described above, the microwave device according to the first embodiment is characterized in that the resistance pattern 5 is provided on a part of the ground pattern 4 arranged between the wirings in the microwave device. That is, the dielectric substrate 6, the RF signal line 1 that is formed on the upper surface of the dielectric substrate 6 and transmits an RF signal, and the upper surface of the dielectric substrate 6, and is spaced apart from the RF signal line 1. A ground pattern 4 formed on the upper surface of the other signal line 2 and the dielectric substrate 6, disposed between the RF signal line 1 and the other signal line 2, and grounded. A part of the other signal line 2 side is formed with a resistance pattern 5. In the ground pattern 4, a plurality of via holes 3 may be arranged along the signal transmission direction of the RF signal line 1. The other part of the ground pattern 4 may be made of a metal conductor, and the via hole 3 may be arranged at a boundary part between the other part of the ground pattern 4 and the resistance pattern 5.
これにより、一旦RF信号線路1からグランドパターン4に電磁界結合したRF信号が、他方の信号線路2(バイアス線路)へ再結合することを抑制することができるので、RF信号線路1と他方の信号線路2間の電磁結合に対するアイソレーション特性を高めることができる。 As a result, the RF signal once electromagnetically coupled from the RF signal line 1 to the ground pattern 4 can be prevented from being recoupled to the other signal line 2 (bias line). Isolation characteristics for electromagnetic coupling between the signal lines 2 can be enhanced.
また、抵抗パターン5の効果によって、RF信号線路1から他方の信号線路2(バイアス線路)に漏れ込んだ不要な高周波を除去し、マイクロ波装置内の配線間のアイソレーション特性を向上する。これによって、マイクロ波装置におけるRF信号の通過特性、反射特性等の信号処理性能を向上させる効果がある。延いては、マイクロ波装置の高出力化、高周波化、および装置全体の高アイソレーション化、小型化に寄与することができる。 Further, the effect of the resistance pattern 5 removes unnecessary high frequency leaking from the RF signal line 1 to the other signal line 2 (bias line), thereby improving the isolation characteristics between the wires in the microwave device. As a result, there is an effect of improving signal processing performance such as RF signal passing characteristics and reflection characteristics in the microwave device. As a result, it is possible to contribute to higher output and higher frequency of the microwave device and higher isolation and size reduction of the entire device.
なお、抵抗パターン5の製造は、周知の薄膜抵抗の製造技術および製造プロセスを用いて行うことが可能であり、新たな製造プロセスを準備する必要は必ずしもない。このため、比較的容易に製造プロセスを導入することができる。 The resistance pattern 5 can be manufactured using a well-known thin film resistor manufacturing technique and manufacturing process, and it is not always necessary to prepare a new manufacturing process. For this reason, a manufacturing process can be introduced comparatively easily.
1 RF信号線路、2 他方の信号線路、3 ビアホール、4 グランドパターン、5 抵抗パターン、6 誘電体基板。 1 RF signal line, 2 other signal line, 3 via hole, 4 ground pattern, 5 resistance pattern, 6 dielectric substrate.
Claims (3)
誘電体基板の上面に形成され、RF(Radio Frequency)信号を伝送するRF信号線路と、
誘電体基板の上面に形成され、RF信号線路とは異なる他方の信号線路と、
誘電体基板の上面に形成され、RF信号線路と他方の信号線路の間に配置されて、接地されたグランドパターンと、
を備え、
上記グランドパターンにおける上記他方の信号線路側の一部は、抵抗パターンを形成したマイクロ波装置。 A dielectric substrate;
An RF signal line that is formed on the top surface of the dielectric substrate and transmits an RF (Radio Frequency) signal;
Formed on the top surface of the dielectric substrate, the other signal line different from the RF signal line;
A ground pattern formed on the top surface of the dielectric substrate, disposed between the RF signal line and the other signal line, and grounded;
With
A microwave device in which a part of the other signal line side in the ground pattern forms a resistance pattern.
上記グランドパターンの他の部分と抵抗パターンの境界部分に、上記ビアホールが配列された請求項2記載のマイクロ波装置。 The other part of the ground pattern is made of a metal conductor,
3. The microwave device according to claim 2, wherein the via hole is arranged at a boundary portion between the other portion of the ground pattern and the resistance pattern.
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