JP2018014717A - Ｓａｗベースの電子素子とフィルタデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】複数の側面及び例が、入力信号及び出力信号が導電体側壁に電磁的に結合することにより生じる伝播特性の劣化を防止するべく構成された電子素子及びフィルタデバイスを提供する。【解決手段】電子素子２００は、上面２１０ａ、下面２１０ｂ及び側面２１０ｃを有する圧電体からなる素子基板２１０を含む。素子基板の上面には、複数のＳＡＷ共振器２３１〜、２３５〜を含む回路が形成される。電子素子２００はさらに、上面２２０ａ及び下面２２０ｂを有する封止基板２２０と、素子基板の上面と封止基板の下面との間に導電体を含んだ側壁２７０とを有し、キャビティを構成する。側壁は、回路の周縁を取り囲んで回路のグランド電位に接続される。【選択図】図３Ｂ

Description

従来、電子部品を構成する技術は、圧電体からなる素子基板の上面の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器のような微小電気機械素子を形成し、当該素子を金属のスペーサにより取り囲み、その後当該素子を封止基板で封止することを含む。複数の例が特許文献１及び２に開示される。

図１Ａ及び１Ｂは、ＳＡＷ共振器がフィルタを構成する従来の電子素子の構成例を示す。図１Ａは、素子基板１１０の上面１１０ａに配置されたＳＡＷ共振器を示す平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＬ−Ｌ線断面図である。図１Ａは、図１ＢのＰ−Ｐ線断面図に対応する。

従来の電子素子１００は、配線１４０を有するフィルタ回路を含む。配線１４０は、圧電体からなる素子基板１１０の上面１１０ａに形成された複数のＳＡＷ共振器１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、１３７を接続する。ＳＡＷ共振器１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、１３７はそれぞれ、２つの反射電極間に挟まれるように配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。さらに、素子基板１１０の上面１１０ａには、金属のような導電体からなる側壁１７０が、外周に沿ってフィルタ回路を取り囲むように形成される。封止基板１２０の下面１２０ｂは、側壁１７０によって支持されて素子基板１１０の上面１１０ａ及び側壁１７０とともにキャビティを画定する。

柱状信号電極１５１、１５４及びグランド電極１５５、１５６、１５７がそれぞれ、素子基板１１０の上面１１０ａに形成された信号パッド１４１、１４４及びグランドパッド１４５、１４６、１４７に接続され、貫通孔１２０ｃを介して封止基板１２０を上面１２０ａから下面１２０ｂへと貫通する。外部信号電極パッド１８１及び外部グランド電極パッド１８５が、封止基板１２０の上面１２０ａに形成される。各信号電極１５１、１５４及び各グランド電極１５５、１５６、１５７がそれぞれ、各外部信号電極パッド１８１及び各外部グランド電極パッド１８５に接続される。

図２は、図１Ａ及び１Ｂの電子素子の回路図を示す。電子素子１００は、ＳＡＷ共振器１３１、１３２、１３３、１３４が直列共振器として配列され、かつ、ＳＡＷ共振器１３５、１３６、１３７が並列共振器として配列されたラダー型フィルタを含む。

特開２００８−２８８４９７号公報 特開２０１４−１４３６４０号公報

複数の側面及び実施形態が、封止された弾性表面波共振器等を含むべく構成された電子素子、及び当該電子素子を含むフィルタデバイスに関する。

図１に示される従来の電子素子において、導電体からなる側壁１７０は、フィルタ回路から電気的に隔離される。そのため、入力側の信号パッド１４１と出力側の信号パッド１４３とが側壁１７０を介して容量結合して図２に示される寄生容量１１１が生じ、フィルタ回路の伝播特性が劣化することがある。さらに、かかるフィルタ回路が使用されるフィルタデバイスは時々、十分な分離特性が確保できないことがある。

所定の側面及び実施形態が、上面に共振器が形成された圧電基板と、導電体からなる側壁と、入出力信号が当該側壁に電磁的に結合することにより生じる伝播特性の劣化を防止する封止基板とを含む電子素子を与える。さらに、複数の側面及び実施形態が、電子素子が使用されるフィルタデバイスにおいて十分な分離特性を与えることができる。

一実施形態によれば、電子フィルタが、上面、下面及び側面を有する圧電基板と、当該圧電基板の上面に形成された複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含むフィルタ回路と、上面及び下面を有する封止基板と、当該圧電基板の上面と当該封止基板の下面との間にキャビティを画定するべく形成された導電性の側壁とを含み、当該側壁は、当該フィルタ回路の周縁を取り囲んで当該フィルタ回路のグランド電位に接続される。

一例において、フィルタ回路は、入力に対応する第１信号パッド、及び出力に対応する第２信号パッドを含む。複数の共振器は、第１信号パッドと第２信号パッドとの間に直列に接続された複数の直列共振器と、当該複数の直列共振器とグランド電位との間に並列に接続された複数の並列共振器とを含むラダー型フィルタを形成するように配列してよい。一例において、側壁は、フィルタ回路に向かって突出する突起部を含む。他例において、突起部は、複数の直列共振器の一つと複数の並列共振器の一つとの間に隔壁を形成する。

一例において、フィルタ回路はさらに、複数の並列共振器に接続された複数のグランドパッドを含む。電子フィルタはさらに、封止基板の上面に配置された複数の外部信号電極パッドと、当該封止基板の上面に配置された複数の外部グランド電極パッドとをさらに含んでよく、当該複数の外部信号電極パッドはそれぞれが第１信号パッド及び第２信号パッドの一方に第１柱状電極を介して接続され、当該複数の外部グランド電極パッドはそれぞれが当該複数のグランドパッドのそれぞれに第２柱状電極を介して接続されてよい。一例において、電子フィルタはさらに、第２柱状電極と側壁との間に配置された隔壁を含む。

一例において、フィルタ回路はさらに、側壁に接続されるが複数の共振器のいずれにも接続されない付加グランドパッドを含む。

他例において、複数のグランドパッドの少なくとも一つが側壁に接続される。電子フィルタはさらに、封止基板の下面に配置された配線層を含んでよく、側壁は圧電基板の上面と当該配線層との間に延びてよい。一例において、電子フィルタはさらに、封止基板の上面に配置されて複数のグランドパッドに複数の柱状電極を介して接続された複数の電極パッドを含んでよく、当該柱状電極の少なくとも２つが配線層によって互いに接続されてよい。他例において、電子フィルタはさらに、封止基板の上面に配置されて配線層に接続された外部グランド電極パッドを含む。

一例において、配線層は、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含む付加回路を含む。一例において、付加回路はインダクタを含み、当該インダクタは、渦巻形状又はメアンダ形状を有する導線から形成される。他例において、付加回路はキャパシタを含み、当該キャパシタは、互いに対向するように位置決めされた導線により形成される。

一例において、電子フィルタはさらに、複数の共振器の少なくとも一つを覆うべく圧電基板の上面に配置された導電シールド層を含む。

他例において、電子フィルタはさらに、圧電基板の側面及び側壁を覆うべく配置された導電シールド層を含む。導電シールド層はさらに、圧電基板の下面を覆うべく配置されてよい。

所定の実施形態が、電子フィルタの一例を含むフィルタモジュールに向けられる。

他の実施形態が無線機器に向けられる。無線機器は、アンテナと、当該アンテナによる送信のための送信信号を生成し、当該アンテナからの受信信号を処理するべく構成された送受信器と、当該アンテナと当該送受信器との間に結合されて選択的に当該無線機器を受信モード及び送信モード間で設定するべく構成されたアンテナスイッチモジュールと、当該アンテナスイッチモジュールと当該送受信器との間に結合された当該フィルタモジュールの一例とを含み、当該フィルタモジュールは、当該送信信号及び当該受信信号の少なくとも一方をフィルタリングするべく構成される。

他実施形態によれば、フィルタデバイスが、上面を有する圧電基板と、当該圧電基板の上面に形成されて複数の共振器を含む一対のフィルタ回路と、下面を有する封止基板と、当該圧電基板の上面と当該封止基板の下面との間にキャビティを画定するべく配置された導電性の側壁とを含み、当該側壁は、当該一対のフィルタ回路の周縁を取り囲み、当該一対のフィルタ回路のグランド電位に電気的に接続される。

一例において、一対のフィルタ回路は第１フィルタ回路及び第２フィルタ回路を含み、側壁は、第１及び第２フィルタ回路間の接続部に向かって突出する突起部を含み、当該突起部は、第１及び第２フィルタ回路間に隔壁を形成する。

かかる典型的な側面及び実施形態の、さらなる他側面、実施形態及び利点が以下に説明される。ここに開示される複数の実施形態は、ここに開示の複数の原理の少なくとも一つに整合する任意の態様で他の実施形態と組み合わせることができる。「一実施形態」、「いくつかの実施形態」、「代替実施形態」、「様々な実施形態」、「所定の実施形態」、「一つの実施形態」等の言及は、必ずしも互いに排他的というわけではなく、記載される特定の特徴、構造又は特性が少なくとも一つの実施形態に含まれ得ることを示すことが意図される。ここでのそのような用語の登場は、からなずしもすべてが同じ実施形態を言及するわけではない。

少なくとも一つの実施形態の様々な側面が、縮尺どおりとなるようには意図されない添付図面を参照して以下に説明される。図面は、様々な側面及び実施形態の例示及びさらなる理解を与えるべく含まれ、本明細書に組み入れられて本明細書の一部をなすが、本発明の限界を定めることを意図するわけではない。図面において、様々な図面に例示されるのと同一又はほぼ同一の構成要素はそれぞれ、同じ番号で表される。明確性を目的として、すべての部品が、すべての図面において標識されるわけではない。

図１Ａは従来の一例の電子素子の平面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示される従来の一例の電子素子の対応断面図である。 図１Ａ及び１Ｂの従来の電子素子の回路図である。 本発明の複数の側面に係る一例の電子素子の平面図である。 図３Ａに示される電子素子の対応断面図である。 本発明の複数の側面に係る電子素子の回路図である。 本発明の複数の側面に係る電子素子の周波数特性を示すグラフである。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 図７Ａは、本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の平面図であり、図７Ｂは、図７Ａに示される電子素子の対応断面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る比較例の電子素子を示す平面図である。 図１２Ａは、図１１Ａ及び１１Ｂの電子素子の周波数特性を示すグラフであり、図１２Ｂは、周波数範囲を拡大した図１２Ａの周波数特性を示すグラフである。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 本発明の複数の側面に係る他例の電子素子の構成を示す平面図である。 図１８Ａ〜Ｃは、本発明の複数の側面に係る図１７の電子素子に含まれ得る付加回路の例を示す図である。 本発明の複数の側面に係る一例の電子素子を含む一例のフィルタモジュールのブロック図である。 本発明の複数の側面に係るＳＡＷフィルタモジュールを含む一例の無線機器のブロック図である。

本発明の様々な側面及び実施形態に係る電子素子及びフィルタデバイスが、図面を参照して以下に説明される。

図３Ａ及び３Ｂは、所定の側面に係る電子素子２００の構成を模式的に示す。図３Ａは、素子基板２１０の上面２１０ａにおける回路配列を示す平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのＬ−Ｌ線断面図である。図３Ａは、図３ＢのＰ−Ｐ線断面図に対応する。

所定の実施形態に係る電子素子２００において、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）のような圧電体からなる素子基板２１０の平坦な上面２１０ａに、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含む電子回路が形成される。素子基板２１０の上面２１０ａには、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７が形成される。これらはそれぞれ、ＳＡＷを励起するインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、ＳＡＷ伝播方向においてＩＤＴ電極を挟み込むべく配置された一対の反射電極とを含む。ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７は、配線２４０によって互いに接続されてフィルタ回路を形成する。

金属のような導電体からなる側壁２７０が、素子基板２１０の上面２１０ａに形成され、外周に沿って電子回路を取り囲むように延びる。例えばシリコン（Ｓｉ）のような材料からなる封止基板２２０が側壁２７０によって支持され、封止基板２２０の下面２２０ｂが、素子基板２１０の上面２１０ａから所定の間隙を有して素子基板２１０の上面２１０ａに形成された電子回路を封止する。側壁２７０は、素子基板２１０の上面２１０ａと封止基板２２０の下面２２０ｂとの間隙に対応する高さを有する。封止基板２２０の下面２２０ｂ、素子基板２１０の上面２１０ａ、及び側壁２７０によってキャビティが画定される。素子基板２１０の上面２１０ａに形成された電子回路は、素子基板２１０、封止基板２２０及び側壁２７０によって保護されるようにキャビティ内に収容される。このキャビティ内でＳＡＷが励起される。

素子基板２１０の上面２１０ａでは、信号パッド２４１、２４４がＳＡＷ共振器２３１、２３４に接続され、グランドパッド２４５、２４６、２４７がＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続される。柱状信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７がそれぞれ、信号パッド２４１、２４４及びグランドパッド２４５、２４６、２４７に形成され、貫通孔２２０ｃを介して封止基板２２０を下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された関連外部信号電極パッド２８１及び外部グランド電極パッド２８５に接続される。

所定の実施形態では、グランドパッド２４５、２４６、２４７は、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７から、グランド電極２５５、２５６、２５７が接続される部分を経由して側壁２７０へと延びる。グランドパッド２４５、２４６、２４７はまた、側壁２７０の底部の下にも延びる。さらに、素子基板２１０の上面２１０ａの外周に沿ってグランドパッド２４５、２４６を接続するように延びる付加的なグランドパッド２６０もまた側壁２７０に到達し、側壁２７０の底部にまで延びる。したがって、グランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０は、この実施形態において側壁２７０に電気的に接続される。側壁２７０は、グランド電位を有するように構成される。

図４は、所定の実施形態に係る電子素子２００の回路図である。電子素子２００は、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４が直列共振器として配列され、かつ、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７が並列共振器として配列されたラダー型フィルタを形成する。上述のように、側壁２７０は、素子基板２１０の上面２１０ａに形成された電子回路のグランドパッド２４５、２４６、２４７、２４８に接続されてグランド電位を有するように構成される。したがって、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００の安定した伝播特性が確保される。

図５は、所定の実施形態に係る電子素子２００のＳＡＷ伝播特性を示すグラフである。横軸は規格化周波数を表し、縦軸は減衰レベルを表す。図５において、実線Ａが電子素子２００の一実施形態に対応する一方、破線Ｂは、図１Ａ及び１Ｂに示される従来の電子素子１００の周波数特性に対応する。従来の電子素子と比べ、ここに開示の電子素子２００の実施形態では、規格化周波数が０．９５以下又は１．０５以上に存在する阻止帯域において十分な減衰が達成されていることがわかる。

さらに、図１Ａ及び１Ｂの従来の電子素子１００を参照すると、グランドパッド１４５、１４６、１６０はＳＡＷ共振器１３５、１３６に接続され、側壁１７０から間隙１６０Ａだけ離間され、グランドパッド１４７はＳＡＷ共振器１３７に接続され、側壁１７０から間隙１４７Ａだけ離間される。電子素子２００の所定の実施形態によれば、グランドパッド２４５、２４６、２６０及び２４７は、従来の電子素子１００のグランドパッドを、側壁２７０の底部まで延びるようにパターン修正することによって達成することができる。したがって、所定の実施形態に係る電子素子２００は、従来の電子素子１００のパターン修正によって実現することができる。

所定の実施形態によれば、素子基板２１０の圧電体にはニオブ酸リチウムが使用され、ラダー型フィルタはＳＡＷ共振器によって形成されるが、他の実施形態では圧電体を、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）としてよく、共振器を、例えば圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）としてよく、フィルタを、例えば二重モード型ＳＡＷ（ＤＭＳ）フィルタとしてよい。さらに、側壁２７０を、アルミニウムのような金属又は導電性樹脂により例示される導電体としてよい。

図６は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ａの構成を示す。この例が、図３Ａ及び３Ｂに示される電子素子２００と異なるのは、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続されたグランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０が、側壁２７０から離間されて側壁２７０に接続されない点と、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７との接続しないように配列されたグランドパッド２４８、２４９及び柱状グランド電極２５８、２５９が含まれる点とにある。

電子素子２００ａにおいて、圧電体の平坦な素子基板２１０の上面２１０ａには、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７が形成されて配線２４０により相互接続され、フィルタ回路のような電子回路が形成される。金属の側壁２７０が、素子基板２１０の上面２１０ａに形成され、外周に沿ってフィルタ回路を取り囲むように延びる。例えば図３Ｂに示されるように、封止基板２２０は側壁２７０により支持され、素子基板２１０の上面２１０ａに形成された電子回路を封止する。封止基板２２０の下面２２０ｂ、素子基板２１０の上面２１０ａ、及び側壁２７０によってキャビティが画定される。

素子基板２１０の上面２１０ａでは、信号パッド２４１、２４４がＳＡＷ共振器２３１、２３４に接続され、グランドパッド２４５、２４６、２４７がＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続される。柱状信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、信号パッド２４１、２４４及びグランドパッド２４５、２４６、２４７に形成され、貫通孔２２０ｃを介して封止基板２２０を下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された関連する外部信号電極パッド２８１及び外部グランド電極パッド２８５に接続される。

図６の例において、グランドパッド２４５、２４６、２４７は、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７から、グランド電極２５５、２５６、２５７が接続されるエリアまで延びるが、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて側壁２７０から離間される。さらに、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて外周に沿ってグランドパッド２４５、２４６を接続するように延びるグランドパッド２６０は、側壁２７０から離間される。図６に示されるように、間隙２６０Ａがグランドパッド２４５、２４６、２６０と側壁２７０との間に設けられ、間隙２４７Ａがグランドパッド２４７と側壁２７０との間に設けられる。

さらに、電子素子２００ａにおいて、グランドパッド２４８、２４９は、素子基板２１０の上面２１０ａの上方のキャビティ内において側壁２７０に隣接するように配置される。グランドパッド２４８、２４９は、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続されないが、側壁２７０には接続される。柱状グランド電極２５８、２５９はグランドパッド２４８、２４９に形成される。グランド電極２５８、２５９は、例えば図３Ｂのグランド電極２５５と同様、貫通孔２２０ｃを封止基板２２０の下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。封止基板２２０の上面２２０ａでは、各グランド電極２５８、２５９が、関連する外部グランド電極パッド２８５に接続される。

この例では、側壁２７０は、グランドパッド２４８、２４９及びグランド電極２５８、２５９との接続を介してグランド電位を有するように構成される。したがって、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ａの安定したＳＡＷ伝播特性を確保することができる。さらに、図１に示される従来の電子素子１００と比べ、電子素子２００ａは、グランドパッド２４８、２４９及びグランド電極２５８、２５９を、図３Ｂに示される関連する外部グランド電極パッド２８５とともに加えることによって達成することができるので、フィルタ回路の設計変更が不要となり、その結果、電子素子２００ａを様々な電子デバイスに含めることを容易に達成することができる。

図７Ａ及び７Ｂは、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｂの構成を示す。この例が図３Ａ及び３Ｂに示される電子素子２００と異なるのは、分離壁２６１が側壁２７０に沿って、ＳＡＷ共振器２３５、２３６に接続されたグランドパッド２４５、２４６、２６０に配置され、分離壁２６２が側壁２７０に沿って、ＳＡＷ共振器２３７に接続されたグランドパッド２４７に配置される点である。

電子素子２００ｂにおいて、圧電体の平坦な素子基板２１０の上面２１０ａには、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７が形成されて配線２４０により相互接続され、フィルタ回路のような電子回路が形成される。金属の側壁２７０が、素子基板２１０の上面２１０ａに形成され、外周に沿ってフィルタ回路を取り囲むように延びる。封止基板２２０は、下面２２０ｂが側壁２７０によって支持され、素子基板２１０の上面２１０ａに形成されたフィルタ回路を取り囲むので、素子基板２１０の上面２１０ａ及び側壁２７０とともにキャビティを画定する。

素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、信号パッド２４１、２４４がＳＡＷ共振器２３１、２３４に接続され、グランドパッド２４５、２４６、２４７がＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続される。柱状信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、信号パッド２４１、２４４及びグランドパッド２４５、２４６、２４７に形成され、貫通孔２２０ｃを介して封止基板２２０を下面２２０ｂから上面２２０へと貫通する。信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された関連する外部信号電極パッド２８１及び外部グランド電極パッド２８５に接続される。

この例では、グランドパッド２４５、２４６、２４７は、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７から、グランド電極２５５、２５６、２５７に接続される部分を経由して側壁２７０へと延びる。グランドパッド２４５、２４６、２４７はまた、側壁２７０の底部の下に配置される。さらに、素子基板２１０の上面２１０ａの外周に沿ってグランドパッド２４５、２４６を接続するように延びるグランドパッド２６０もまた側壁２７０に到達し、側壁２７０の底部にまで延びる。

この例において、なおも図７Ａ及び７Ｂを参照すると、グランドパッド２４５、２４６、２６０上において、分離壁２６１がグランド電極２５５、２５６を側壁２７０から所定の間隙だけ分離する。分離壁２６１は、所定の幅及び高さを有して側壁２７０に沿って延び、二酸化ケイ素のような誘電体からなる。さらに、グランドパッド２４７において、分離壁２６２がグランド電極２５７を側壁２７０から所定の間隙だけ分離する。分離壁２６２もまた所定の幅及び高さを有して側壁２７０に沿って延び、誘電体からなる。わかることだが、分離壁２６１、２６２は、側壁２７０に沿った方向においてグランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０のエリアを越えて素子基板２１０の上面２１０ａに延びてよい。

この電子素子２００ｂにおいて、グランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０は、グランド電位を有するように構成された側壁２７０に電気的に接続される。したがって、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｂの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

さらに、電子素子２００ｂでは、グランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０において側壁２７０に沿って配置された分離壁２６１、２６２により、分離壁２６１、２６２の内側の領域に位置決めされたグランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０が側壁２７０から物理的に分離される。したがって、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７を含む電子回路を形成するプロセスの後にグランドパッド２４５、２４６、２４７、２６０に側壁２７０を接合するプロセスにおいて、当該接合プロセスにおいて生じ得る飛沫のような異物の侵入を分離壁２６１、２６２によって防止することができるので、電子素子２００ｂの安定動作を確保することができる。

図８は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｃの構成を示す。この例が、図３Ａ及び３Ｂに示される電子素子２００と異なるのは、素子基板２１０の上面２１０ａに形成された側壁２７０が複数の突起部を含む点にある。複数の突起部は、ＳＡＷ共振器２３１及び２３５間に挟まれるように突出した第１突起部２７１と、ＳＡＷ共振器２３４及び２３６間に挟まれるように突出した第２突起部２７２と、ＳＡＷ共振器２３４及び２３７間に挟まれるように突出した第３突起部２７３とを含む。

電子素子２００ｃにおいて、圧電体の平坦な素子基板２１０の上面２１０ａには、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７が形成されて配線２４０により相互接続され、フィルタ回路のような電子回路が形成される。素子基板２１０の上面２１０ａに金属の側壁２７０が形成され、外周に沿ってフィルタ回路を取り囲むように延びる。側壁２７０からは、側壁２７０と同様の幅及び高さを有する突起部２７１、２７２、２７３が、側壁２７０の延びる方向に直交する方向に突出し、それぞれが、ＳＡＷ共振器２３１及び２３５間、ＳＡＷ共振器２３４及び２３６間、並びにＳＡＷ共振器２３４及び２３７間に介在する。

素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、信号パッド２４１、２４４がＳＡＷ共振器２３１、２３４に接続され、グランドパッド２４５、２４６、２４７がＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続される。柱状信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、信号パッド２４１、２４４及びグランドパッド２４５、２４６、２４７に形成され、例えば図３Ｂに示されるように、貫通孔２２０ｃを介して封止基板２２０を下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、例えば図３Ｂに示されるように、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された関連する外部信号電極パッド２８１及び外部グランド電極パッド２８５に接続される。

電子素子２００ｃでは、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、グランドパッド２４５、２４６、２４７はそれぞれ、ＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７から、グランド電極２５５、２５６、２５７が接続された部分を経由して側壁２７０まで延びる。グランドパッド２４５、２４６、２４７はまた、側壁２７０の底部の下に配置される。さらに、素子基板２１０の上面２１０ａの外周に沿ってグランドパッド２４５、２４６を接続するように延びるグランドパッド２６０もまた側壁２７０に到達し、側壁２７０の底部にまで延びる。

この例では、側壁２７０の突起部２７１、２７２、２７３はそれぞれ、ＳＡＷ共振器２３１及び２３５間、ＳＡＷ共振器２３４及び２３６間、並びにＳＡＷ共振器２３４及び２３７間に介在して隔壁を形成する。突起部２７１、２７３により、直列共振器としてのＳＡＷ共振器２３１、２３４と、並列共振器としてのＳＡＷ共振器２３５、２３７との間のＳＡＷの干渉を抑制することができる。さらに、突起部２７２、２７３により、直列共振器の最終段に対応するＳＡＷ共振器２３４と、出力側の信号パッド２４４とを、電子回路の他の部分から電磁的に遮蔽することができる。したがって、ＳＡＷ共振器２３１、２３４、２３５、２３６、２３７により形成されたラダー型フィルタにおける直列共振器と並列共振器との干渉が防止され、出力段と他の部分との結合が低減されるので、ＳＡＷの伝播特性を確保することができる。

わかることだが、側壁２７０の延びる方向に実質的に直交する方向に突出する突起部２７１、２７２、２７３が図８に例示されているにもかかわらず、様々な例は、この構成に限られない。突起部２７１、２７２、２７３は、ＳＡＷの干渉抑制又は電磁的遮蔽のような突起部の望ましい機能が達成できるのであれば、側壁２７０に実質的に直交して突出する形状に限られず、任意の様々な異なる形状としてよい。

図９は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｄのレイアウトを示す。電子素子２００ｄは、素子基板２１０の上面２１０ａに形成された側壁２７０が複数の突起部も含む点を除き、図６に示される電子素子２００ａと同様の構成を有する。具体的に、この例の側壁２７０は、ＳＡＷ共振器２３１及び２３５間に突出する第１突起部２７１と、ＳＡＷ共振器２３４及び２３６間に突出する第２突起部２７２と、ＳＡＷ共振器２３４及び２３７間に突出する第３突起部２７３とを含む。

図９に示される例において、圧電体の平坦な素子基板２１０の上面２１０ａには、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７が形成されて配線２４０により相互接続され、フィルタ回路のような電子回路が形成される。金属の側壁２７０が、素子基板２１０の上面２１０ａに形成され、外周に沿ってフィルタ回路を取り囲むように延びる。側壁２７０からは、側壁２７０と同様の幅及び高さを有する突起部２７１、２７２、２７３が、側壁２７０の延びる方向に直交する方向に突出し、それぞれが、ＳＡＷ共振器２３１及び２３５間に、ＳＡＷ共振器２３４及び２３６間に、並びにＳＡＷ共振器２３４及び２３７間に介在する。

素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、信号パッド２４１、２４４がＳＡＷ共振器２３１、２３４に接続され、グランドパッド２４５、２４６、２４７がＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続される。柱状信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、信号パッド２４１、２４４及びグランドパッド２４５、２４６、２４７に形成され、例えば図３Ｂに示されるように、貫通孔２２０ｃを介して封止基板２２０を下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、例えば図３Ｂに示されるように、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された関連する外部信号電極パッド２８１及び外部グランド電極パッド２８５に接続される。

電子素子２００ｄでは、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、グランドパッド２４５、２４６、２４７はＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７から、グランド電極２５５、２５６、２５７が接続される領域まで延びるが、側壁２７０からは離間される。さらに、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて外周に沿ってグランドパッド２４５、２４６を接続するように延びるグランドパッド２６０は、側壁２７０から離間される。図９に示されるように、グランドパッド２４５、２４６、２６０と側壁２７０との間に間隙２６０Ａが設けられ、グランドパッド２４７と側壁２７０との間に間隙２４７Ａが設けられる。

さらに、電子素子２００ｄでは、素子基板２１０の上面２１０ａの上方のキャビティ内において、グランドパッド２４８、２４９が側壁２７０に隣接するように配置される。グランドパッド２４８、２４９は、ＳＡＷ共振器２３５、２３５、２３７には接続されないが、側壁２７０には接続される。柱状グランド電極２５８、２５９は、グランドパッド２４８、２４９に接続される。グランド電極２５８、２５９は、例えば図３Ｂに示されるように、貫通孔２２０ｃを封止基板２２０の下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。グランド電極２５８、２５９はそれぞれ、例えば図３Ｂに示されるように、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された外部グランド電極パッドに接続される。

この例では、図６を参照して上述された例と同様、側壁２７０は、グランドパッド２４８、２４９及びグランド電極２５８、２５９によってグランド電位を有するように構成される。したがって、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｄの安定した伝播特性が確保される。さらに、図１に示される従来の電子素子１００と比べ、電子素子２００ｄは、グランドパッド２４８、２４９及びグランド電極２５８、２５９を加えることによって達成することができるので、フィルタ回路の設計変更が不要となり、その結果、電子素子２００ｄを他のデバイスに含めることを容易に達成することができる。

さらに、電子素子２００ｄでは、側壁２７０の突起部２７１、２７２、２７３がそれぞれ、ＳＡＷ共振器２３１及び２３５間、ＳＡＷ共振器２３４及び２３６間、並びにＳＡＷ共振器２３４及び２３７間に介在して隔壁を形成する。突起部２７１、２７３により、図４に示されるものようなラダー型フィルタにおける直列共振器としてのＳＡＷ共振器２３１、２３４と、並列共振器としてのＳＡＷ共振器２３５、２３７との間のＳＡＷの干渉を抑制することができる。さらに、突起部２７２、２７３により、直列共振器の最終段に対応するＳＡＷ共振器２３４と、出力２０２側の信号パッド２４４とを、電子回路の他の部分から電磁的に遮蔽することができる。したがって、ＳＡＷ共振器２３１、２３４、２３５、２３６、２３７により形成されたラダー型フィルタにおける直列共振器と並列共振器との干渉が防止され、出力段と他の部分との結合が低減されるので、ＳＡＷ伝播特性を確保することができる。

図１０は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｅの平面図である。この例において、ニオブ酸リチウムのような圧電基板の素子基板３１０の平坦な上面３１０ａに、２つのフィルタ回路３３０Ａ、３３０Ｂを含むフィルタデバイスが形成される。フィルタ回路３３０ＡはＳＡＷ共振器３３１、３３２、３３３、３３４、３３５を含む。フィルタ回路３３０ＢはＳＡＷ共振器３３６、３３７、３３８、３３９、３４０を含む。金属のような導電体からなる側壁３７０が、外周に沿って回路を取り囲むように素子基板３１０の上面３１０ａに形成される。側壁３７０は封止基板（図示せず）を支持する。素子基板３１０の上面３１０ａ、側壁３７０、及び封止基板の上面により、キャビティが画定され、フィルタ回路３３０Ａ、３３０Ｂが格納される。

フィルタ回路３３０Ａにおいて、ＳＡＷ共振器３３１に接続された信号パッド３４１に柱状信号電極３５１が接続され、ＳＡＷ共振器３３４、３３５に接続されたグランドパッド３４４に柱状グランド電極３５４が接続される。グランドパッド３４４は側壁３７０に接続されかつ側壁３７０に到達する。さらに、フィルタ回路３３０ＡのＳＡＷ共振器３３３及びフィルタ回路３３０ＢのＳＡＷ共振器３３６に接続された信号パッド３４３に、柱状信号電極３５３が接続される。

フィルタ回路３３０Ｂにおいて、ＳＡＷ共振器３３８に接続された信号パッド３４８に柱状信号電極３５８が接続され、ＳＡＷ共振器３３９、３４０に接続されたグランドパッド３４９に柱状グランド電極３５９が接続される。さらに、フィルタ回路３３０Ａ及び３３０Ｂのいずれにも接続されないグランドパッド３６１が、側壁３７０に隣接しかつ側壁３７０に接続される。グランドパッド３６１にはグランド電極３６２が接続される。

フィルタ回路３３０Ａの信号電極３５１及びグランド電極３５４、フィルタ回路３３０Ｂの信号電極３５８及びグランド電極３５９、さらにはフィルタ回路３３０Ａ又は３３０Ｂに接続されないグランド電極３６２が、例えば図３Ｂに示される信号電極２５１及びグランド電極２５５と同様に、貫通孔を封止基板（図示せず）の下面から上面へと貫通する。信号電極３５１、３５８及びグランド電極３５４、３５９、３６２は、封止基板（図示せず）の上面に形成された信号電極パッド及びグランド電極パッドに接続される。

この例において、側壁３７０からは、素子基板３１０の上面３１０ａに形成された側壁３７０と同様の幅及び高さを有する突起部３７４が、素子基板３１０の上面３１０ａの外周により画定された実質矩形の一辺の略中央からフィルタ回路３３０Ａ、３３０Ｂに向かって、側壁３７０の延びる方向に実質的に直交する方向に突出し、フィルタ回路３３０Ａをフィルタ回路３３０Ｂから分離する。さらに、当該対向辺の略中央からは、突起部３７４と同様に構成された突起部３７５が、側壁３７０からフィルタ回路３３０Ａ、３３０Ｂに向かって突出し、フィルタ回路３３０Ａをフィルタ回路３３０Ｂから分離するように延びる。これら突起部３７４及び３７５の先端同士の間に形成された間隙を、フィルタ回路３３０Ａ及び３３０Ｂを接続する信号パッド３４３が通り抜ける。

電子素子２００ｅにおいて、側壁３７０の突起部３７４、３７５がフィルタ回路３３０Ａ及び３３０Ｂ間の電気的遮蔽を形成するので、ＳＡＷの干渉が抑制され、フィルタ回路３３０Ａ、３３０Ｂそれぞれの安定した動作が確保される。側壁３７０は、グランドパッド３４４、３６１に電気的に接続され、グランド電位となるように構成される。したがって、側壁３７０を介した入力側の信号パッド３４１と出力側の信号パッド３４８との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｅの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。さらに、この構成により、フィルタ回路３３０Ａ、３３０Ｂを含むフィルタデバイスの分離特性が改善される。

図１１Ａは、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｆを例示する。この例において、グランドパッドと側壁とは一箇所のみで接続される。比較を目的として、図１１Ｂは、図３Ａに示された例と同様の、グランドパッドと側壁とが２箇所で接続される電子素子２００を示す。図１１Ａの電子素子２００ｆが図３Ａ及び３Ｂに示される電子素子２００とさらに異なるのは、ＳＡＷ共振器２３５、２３６に接続されたグランドパッド２４５、２４６、２６０が、側壁２７０から離間し、側壁２７０に接続されない点である。

電子素子２００ｆにおいて、圧電体の平坦な素子基板２１０の上面２１０ａには、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７が形成されて配線２４０により相互接続され、フィルタ回路のような電子回路が形成される。金属の側壁２７０が、素子基板２１０の上面２１０ａに形成され、外周に沿ってフィルタ回路を取り囲むように延びる。封止基板２２０（図３Ｂ）の下面２２０ｂは、素子基板２１０の上面２１０ａに形成されたフィルタ回路を取り囲む側壁２７０によって支持されることにより、素子基板２１０の上面２１０ａ、及び側壁２７０とともにキャビティを画定する。

素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、信号パッド２４１、２４４がＳＡＷ共振器２３１、２３４に接続され、グランドパッド２４５、２４６、２４７がＳＡＷ共振器２３５、２３６、２３７に接続される。柱状信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、信号パッド２４１、２４４及びグランドパッド２４５、２４６、２４７に形成され、例えば図３Ｂに示されるように、貫通孔２２０ｃを介して封止基板２２０を下面２２０ｂから上面２２０ａへと貫通する。信号電極２５１、２５４及びグランド電極２５５、２５６、２５７はそれぞれ、例えば図３Ｂに示されるように、封止基板２２０の上面２２０ａに形成された関連する外部信号電極パッド２８１及び外部グランド電極パッド２８５に接続される。

電子素子２００ｆでは、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて、グランドパッド２４５、２４６はＳＡＷ共振器２３５、２３６から、グランド電極２５５、２５６が接続される領域まで延びるが、側壁２７０からは離間される。さらに、素子基板２１０の上面２１０ａにおいて外周に沿ってグランドパッド２４５、２４６を接続するように延びるグランドパッド２６０は、側壁２７０から離間される。図１１Ａに示されるように、グランドパッド２４５、２４６、２６０と側壁２７０との間に間隙２６０Ａが設けられる一方、グランドパッド２４７は、ＳＡＷ共振器２３７から側壁２７０へと延び、グランド電極２５７に接続された部分を経由して側壁２７０に接続される。

図１１Ａに示される電子回路２００ｆと比べると、図１１Ｂに例示の電子回路２００はいくつかの点で異なる。すなわち、第一に、間隙２６０Ａが存在しない。第二に、グランドパッド２４５、２４６がＳＡＷ共振器２３５、２３６から側壁２７０へと延び、グランド電極２５５、２５６が接続された部分を経由して側壁２７０に接続される。第三に、グランドパッド２４５、２４６を接続して素子基板２１０の上面２１０ａの外周に沿って延びるグランドパッド２６０もまた側壁２７０に到達しかつ側壁２７０に接続される。図１１Ｂに示される例において、側壁２７０は、一方はグランドパッド２４５、２４６、２６０に対応し、他方はグランドパッド２４７に対応する２箇所においてグランドパッドに接続される。

図１２Ａ及び１２Ｂは、一例の電子素子２００ｆのＳＡＷ伝播特性を示す。図１２Ａは、通過帯域の近傍の周波数特性を示す。横軸は規格化周波数を表し、縦軸は減衰レベルを表す。図１２Ａにおいて、実線Ｂが図１１Ｂに示される電子素子２００の一例の周波数特性に対応する一方、破線Ａは、図１１Ａに示される電子素子２００ｆの例の周波数特性に対応する。図１２Ｂは、同様に広帯域の減衰レベルを示す。

図１２Ａを参照すると、通過帯域の近傍、規格化周波数の０．９５以下、及び１．０５以上においては、図１１Ｂの例よりも大きな減衰が得られる。他方、図１２Ｂを参照すると、図１１Ａに示される例による一箇所において電子素子２００ｆの側壁２７０に接続されたグランドパッドの構成よりも、高い領域において大きな減衰が得られる。したがって、電子素子２００の側壁２７０を、一箇所又は２箇所のいずれかを介してグランドパッドに接続するべきかを決定することにより、通過帯域付近及び高域における減衰特性を制御することができる。

わかることだが、図１１Ａの例においても、グランドパッド２４７が側壁２７０に電気的に接続されることにより、側壁２７０はグランド電位にされる。したがって、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｆの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

図１３は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｇを示す。図１３は、図３Ｂに示される電子素子２００の、図３ＡのＬ−Ｌ線断面図に対応する。電子素子２００ｇが図３Ａ及び３Ｂの例と異なるのは、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２２３４、２３５、２３６、２３７のそれぞれにドーム状のシールド層が形成される点である。

図１３に示されるように、金属からなるシールド層２１１、２１２がそれぞれ、ＳＡＷ共振器２３１、２３５を覆うように形成される。同様に、他のＳＡＷ共振器２３２、２３３、２３４、２３６、２３７にもシールド層が形成される。シールド層は、側壁２７０に接続されてグランド電位とされてよく、又は側壁２７０に接続されなくてもよい。

電子素子２００ｇにおいて、ＳＡＷ共振器２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７それぞれにシールド層を配置することにより、他の回路素子との電磁的結合を防止することができるので、ＳＡＷの干渉を遮断することができる。さらに、シールド層によりＳＡＷ共振器を封止基板２２０から遮蔽することができるので、この遮蔽を、側壁２７０の遮蔽とは別個に行うことができる。したがって、この例において、電子素子２００ｇの安定した動作を確保することができる。さらに、図３Ａ及び３Ｂの例と同様、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｇの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

図１４は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｈを示す。図１４は、図３Ｂに示される電子素子２００の、図３ＡのＬ−Ｌ線断面図に対応する。電子素子２００ｈが図３Ａ及び３Ｂの例と異なるのは、素子基板２１０の側面２１０ｃ及び側壁２７０の外面２７０ａを覆うように金属のシールド層が形成される点である。

図１４に示されるように、金属のシールド層２９０が、電子素子２００ｈにおいて、素子基板２１０の下面２１０ｂから封止基板２２０の下面２２０ｂまで延びるように形成される。シールド層２９０は、素子基板２１０の側面２１０ｃ、及び側壁２７０を少なくとも部分的に覆う。この例では、かかるシールド層２９０により、素子基板２１０の上面２１０ａに形成された電子回路を外部の電磁場から遮蔽することができる。したがって、電子素子２００ｈの安定な動作を確保することができる。さらに、図３Ａ及び３Ｂの例と同様、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｈの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

図１５は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｉを例示する。図１５は、図３Ｂに示される電子素子２００の、図３ＡのＬ−Ｌ線断面図に対応する。電子素子２００ｉは、図３Ａ及び３Ｂに示される例と同様であるが、金属のシールド層２９２が、下面２１０ｂ全体、素子基板２１０の側面２１０ｃ、及び側壁２７０の外面２７０ａを覆う点が異なる。

図１５に示されるように、金属のシールド層２９２が、電子素子２００ｉにおいて下面２１０ｂ全体を覆うように形成され、側面２１０ｃに接触して素子基板２１０の上面２１０ａまで延びる。シールド層２９２はさらに、側壁２７０の外面２７０ａに接触して封止基板２２０の下面２２０ｂまで延び、側壁２７０の外面２７０ａから所定の厚さを有する。この例において、かかるシールド層２９２により、素子基板２１０の上面２１０ａに形成された電子回路を外部の電磁場から遮蔽することができる。電子素子２００ｉでは、素子基板２１０の下面１２０ｂもまたシールド層２９２により覆われるので、下面２１０ｂがシールド層２９０により覆われていない電子素子２００ｈと比べて高い遮蔽効果を達成することができる。したがって、図１５の例において、電子素子２００ｉのさらに安定した動作を確保することができる。加えて、図３Ａ及び３Ｂの例と同様、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｉの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

図１６は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｊを示す。図１６は、図３Ｂに示される電子素子２００の、図３ＡのＬ−Ｌ線断面図に対応する。電子素子２００ｊは、図３Ａ及び３Ｂの電子素子２００と同様であるが、封止基板２２０の下面２２０ｂに配線層２９３が配置され、封止基板２２０の上面２２０ａに外部グランド電極パッド２８９が配置される点が異なる。

この例において、図１６に示されるように、配線層２９３は封止基板２２０の下面２２０ｂに接触するように配置され、素子基板２１０の上面２１０ａに配置された側壁２７０と封止基板２２０の下面２２０ｂとの間に介在する。配線層２９３は、誘電体の中に導電材料を配列することによって形成される。

さらに、図１６に示される例において、外部グランド電極パッド２８９は、封止基板２２０の上面２２０ａに配置される。外部グランド電極パッド２８９に接続された柱状グランド電極２５２が、封止基板２２０の貫通孔２２０ｃを貫通して配線層２９３まで延び、その後、配線層２９３内に形成されたグランドパッド２９７を介して他のグランド電極２５５に接続される。

図１６の例によれば、複数のグランド電極２５５及び２５２間の接続が、配線層２９３を含むことによって可能となる。したがって、配線層２９３が延びる範囲内における外部グランド電極パッド２８９の位置の、設計の柔軟性を与えることができる。さらに、図３Ａ及び３Ｂの例と同様、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｊの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

図１７は、所定の側面に係る他例の電子素子２００ｋを例示する。この例は、図１６の例と同様であるが、封止基板２２０の下面２２０ｂに配置された配線層２９３に付加回路２９８がさらに形成される点が異なる。

この例において、図１７に示されるように、配線層２９３は封止基板２２０の下面２２０ｂに接触するように配置され、素子基板２１０の上面２１０ａに配置された側壁２７０と封止基板２２０の下面２２０ｂとの間に介在する。さらに、封止基板２２０の上面２２０ａに外部信号電極パッド２８８が配置される。外部信号電極パッド２８８には柱状信号電極２５３が接続され、封止基板２２０の貫通孔２２０ｃを貫通し、配線層２９３に形成された他の信号電極パッド２９４に接続される。配線層２９３には、さらに他の信号電極パッド２９６が形成される。信号電極パッド２９４及び２９６間に付加回路２９８が形成される。

図１８Ａ、１８Ｂ及び１８Ｃは付加回路２９８の例を示す。付加回路２９８は、信号電極パッド２９４及び２９６を接続する一以上の導線によって形成されてよい。例えば、付加回路２９８は、図１８Ａに示されるような渦巻形状のインダクタ、図１８Ｂに示されるようなメアンダ形状のインダクタ、又は図１８Ｃに示されるような互いに対向する導線により形成されたキャパシタとしてよい。さらに、付加回路２９８は、図１８Ａ〜Ｃに示される例に限られず、他の部品を形成してよい。わかることだが、付加回路２９８が、例えば図１７に示される配線層２９３に配置されるにもかかわらず、付加回路２９８は、素子基板２１０の上面２１０ａに形成されてよい。

配線層２９３の存在ゆえに、電子素子２００ｋによれば、配線層２９３が延びる範囲内において外部信号電極パッド２８８の位置を柔軟に設計することができる。さらに、配線層２９３に付加回路２９８を配置することにより、電子回路の減衰特性等を調整することができる。またさらに、図３Ａ及び３Ｂの例と同様、側壁２７０を介した入力２０１側の信号パッド２４１と出力２０２側の信号パッド２４４との電磁的結合が抑制され、電子素子２００ｋの安定したＳＡＷ伝播特性が確保される。

電子素子２００の様々な例及び実施形態と、そのバリエーション２００ａ〜ｋとは、究極的には、例えば、無線通信機器のような電子機器において使用されるモジュールに組み入れ、及び当該モジュールとしてパッケージ化することができる。図１９は、例えば図４に示されるもののような、ＳＡＷフィルタ４００を含むフィルタモジュール５００の一例を示すブロック図である。ＳＡＷフィルタ４００は、一以上の接続パッド４１２を含む一以上のダイ４１０に実装することができる。例えば、ＳＡＷフィルタ４００は、ＳＡＷフィルタの入力２０１に対応する接続パッド４１２、及びＳＡＷフィルタの出力２０２に対応する他の接続パッド４１２を含み得る。パッケージ化モジュール５００は、ダイ４１０を含む複数の構成要素を受容するべく構成されたパッケージング基板５１０を含む。複数の接続パッド５１２は、パッケージング基板５１０上に配置することができ、ＳＡＷフィルタダイ４１０の様々な接続パッド４１２が、パッケージング基板５１０上の接続パッド５１２に、電気コネクタ５１４を介して接続され得る。電気コネクタ５１４は、例えば、はんだバンプ又はワイヤボンドでよく、ＳＡＷフィルタ４００へ及びＳＡＷフィルタ４００から様々な信号が通過することが許容される。モジュール５００は随意的に、ここでの開示に鑑み半導体製造業の当業者にわかるであろう、例えば一以上の付加フィルタ、増幅器、前置フィルタ、変調器、復調器、ダウンコンバータ等のような、他の回路ダイ５２０をさらに含む。いくつかの実施形態において、モジュール５００はまた、例えば、モジュール５００を保護し及びその取り扱いを容易にするための一以上のパッケージング構造物を含んでよい。このようなパッケージング構造物は、パッケージング基板３２０にわたって形成されて様々な回路及びその部品を実質的にカプセル化する寸法とされたオーバモールドを含み得る。

上述のように、ＳＡＷフィルタ４００の様々な例及び実施形態は、多様な電子機器に使用することができる。例えば、ＳＡＷフィルタ４００は、アンテナデュプレクサ又はダイプレクサとして構成することができる。これらは、ＲＦフロントエンドモジュール及び通信機器のような様々な電子機器に組み入れることができる。

図２０は、フィルタモジュール５００を含む無線機器６００の一例のブロック図である。無線機器６００は、音声又はデータ通信のために構成されたセルラー電話機、スマートフォン、タブレット、モデム、通信ネットワーク、又は任意の他のポータブル若しくは非ポータブルデバイスであってよい。無線機器６００は、アンテナ６１０から信号を受信及び送信できる。アンテナ６１０は、例えば送信モード及び受信モード間の、又は例えば送信モード及び受信モード内の異なる周波数帯域間の、切り替えを可能とするように構成されたアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）６２０に結合される。無線機器６００はさらに、送信のための信号を生成し、及び／又は受信した信号を処理するように構成された送受信器６３０を含む。送信のために生成された信号は電力増幅器（ＰＡ）６４０が受信する。ＰＡ６４０は、送受信器６３０からの生成された信号を増幅する。受信した信号は、低雑音増幅器（ＬＮＡ）６４５によって増幅された後、送受信器６３０へと与えられる。またも図２０に示されるように、アンテナ６１０は、アンテナスイッチモジュール６２０及びＬＮＡ６４５を介して送受信器６３０に与えられる信号を受信するとともに、送受信器６３０、ＰＡ６４０及びアンテナスイッチモジュール６２０を介して無線機器６００から信号を送信する。しかしながら、他例において、複数のアンテナを使用してよい。

電力増幅器６４０は、広い範囲のＲＦ又は他の周波数帯域の送信信号を増幅するべく使用することができる。例えば、電力増幅器６４０は、無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）信号又は任意の他の適切なパルス信号を送信する補助となるように、電力増幅器の出力をパルス化するべく使用可能なイネーブル信号を受信することができる。電力増幅器６４０は、例えば、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ）（登録商標）信号、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）信号、広帯域符号分割多元接続（Ｗ−ＣＤＭＡ）信号、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）信号又はＥＤＧＥ信号を含む様々なタイプの信号のいずれかを増幅するように構成することができる。所定の実施形態において、電力増幅器６４０、及びスイッチ等を含む関連部品は、例えば、高電子移動度トランジスタ（ｐＨＥＭＴ）若しくは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＢｉＦＥＴ）を使用するガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に、又は相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタを使用するシリコン基板上に作製してよい。

図２０に示される例において、フィルタモジュール５００は、電力増幅器６４０とアンテナスイッチモジュール６２０との間に位置決めされた送信経路に示される。しかしながら、様々な他の構成を実装することもできる。例えば、無線機器６００は、送信経路又は受信経路に一以上のフィルタモジュール５００を含んでよい。さらに、フィルタモジュール５００は、いずれかの経路において増幅器又はスイッチの前又は後に位置決めしてよい。

図２０の無線機器６００はさらに、送受信器６３０に接続されて無線機器６００の動作のための電力を管理する電力管理サブシステム６５０を含む。電力管理システム６５０はまた、無線機器６００のベース帯域サブシステム６６０及び様々な他の構成要素の動作も制御可能である。電力管理システム６５０は、無線機器６００の様々な部品のために電力を供給する電池（図示せず）を含み又は当該電池に接続されてよい。

所定の実施形態において、ベース帯域サブシステム６６０は、ユーザとの間でやりとりされる音声又はデータの様々な入力及び出力を容易にするべくユーザインタフェイス６７０に接続される。ベース帯域サブシステム６６０はまた、無線機器の動作を容易にし及び／又はユーザのための情報記憶を与えるべく、データ及び／又は命令を記憶するべく構成されたメモリ６８０に接続されてよい。

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正及び改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正及び改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。わかることだが、ここに説明される複数の実施形態は適用上、本説明に記載される構造の詳細及び部品の配列に限られない。ここに説明される概念及び技術は、他の実施形態において実装が可能であり、様々な態様で実施又は実行が可能である。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。また、ここで使用される表現及び用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」及びこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目及びその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一を超える、及びすべてのものを示すように解釈され得る。ここに開示される複数の実施形態は、ここに開示の複数の原理の少なくとも一つに整合する任意の態様で他の実施形態と組み合わせることができる。「一実施形態」、「いくつかの実施形態」、「代替実施形態」、「様々な実施形態」、「一つの実施形態」等の言及は、必ずしも互いに排他的というわけではなく、記載される特定の特徴、構造又は特性が少なくとも一つの実施形態に含まれ得ることを示すことが意図される。ここでのそのような用語の登場は、からなずしもすべてが同じ実施形態を言及するわけではない。したがって、上記説明は例示にすぎず、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の適切な構築から決定するべきである。

Claims (23)

1. 電子フィルタであって、
   上面、下面及び側面を有する圧電基板と、
   前記圧電基板の上面に形成された複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含むフィルタ回路と、
   上面及び下面を有する封止基板と、
   前記圧電基板の上面と前記封止基板の下面との間にキャビティを画定するべく形成された導電性の側壁と
   を含み、
   前記側壁は、前記フィルタ回路の周縁を取り囲んで前記フィルタ回路のグランド電位に接続される電子フィルタ。
2. 前記フィルタ回路は、入力に対応する第１信号パッド、及び出力に対応する第２信号パッドを含む請求項１の電子フィルタ。
3. 前記複数の共振器は、
   前記第１信号パッドと前記第２信号パッドとの間に直列に接続された複数の直列共振器と、
   前記複数の直列共振器と前記グランド電位との間に並列に接続された複数の並列共振器と
   を含むラダー型フィルタを形成する請求項２の電子フィルタ。
4. 前記側壁は、前記フィルタ回路に向かって突出する突起部を含む請求項３の電子フィルタ。
5. 前記突起部は、前記複数の直列共振器の一つと前記複数の並列共振器の一つとの間に隔壁を形成する請求項４の電子フィルタ。
6. 前記フィルタ回路はさらに、前記複数の並列共振器に接続された複数のグランドパッドを含む請求項３の電子フィルタ。
7. 前記封止基板の上面に配置された複数の外部信号電極パッドと、
   前記封止基板の上面に配置された複数の外部グランド電極パッドと
   をさらに含み、
   前記複数の外部信号電極パッドはそれぞれが前記第１信号パッド及び第２信号パッドの一方に第１柱状電極を介して接続され、
   前記複数の外部グランド電極パッドはそれぞれが前記複数のグランドパッドのそれぞれに第２柱状電極を介して接続される請求項６の電子フィルタ。
8. 前記第２柱状電極と前記側壁との間に配置された隔壁をさらに含む請求項７の電子フィルタ。
9. 前記フィルタ回路はさらに、前記側壁に接続されるが前記複数の共振器のいずれにも接続されない付加グランドパッドを含む請求項６の電子フィルタ。
10. 前記複数のグランドパッドの少なくとも一つが前記側壁に接続される請求項６の電子フィルタ。
11. 前記封止基板の下面に配置された配線層をさらに含み、
    前記側壁は前記圧電基板の上面と前記配線層との間に延びる請求項１０の電子フィルタ。
12. 前記封止基板の上面に配置されて前記複数のグランドパッドに複数の柱状電極を介して接続された複数の電極パッドをさらに含み、
    前記柱状電極の少なくとも２つが前記配線層によって互いに接続される請求項１１の電子フィルタ。
13. 前記封止基板の上面に配置されて前記配線層に接続された外部グランド電極パッドをさらに含む請求項１１の電子フィルタ。
14. 前記配線層は、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含む付加回路を含む請求項１３の電子フィルタ。
15. 前記付加回路は前記インダクタを含み、
    前記インダクタは、渦巻形状又はメアンダ形状を有する導線から形成される請求項１４の電子フィルタ。
16. 前記付加回路は前記キャパシタを含み、
    前記キャパシタは、互いに対向するように位置決めされた導線により形成される請求項１５の電子フィルタ。
17. 前記複数の共振器の少なくとも一つを覆うべく前記圧電基板の上面に配置された導電シールド層をさらに含む請求項１の電子フィルタ。
18. 前記圧電基板の側面及び前記側壁を覆うべく配置された導電シールド層をさらに含む請求項１の電子フィルタ。
19. 前記導電シールド層はさらに前記圧電基板の下面を覆うべく配置される請求項１８の電子フィルタ。
20. 請求項１〜１９のいずれか一項の電子フィルタを含むフィルタモジュール。
21. 無線機器であって、
    アンテナと、
    前記アンテナによる送信のための送信信号を生成し、前記アンテナからの受信信号を処理するべく構成された送受信器と、
    前記アンテナと前記送受信器との間に結合されて選択的に前記無線機器を受信モード及び送信モード間で設定するべく構成されたアンテナスイッチモジュールと、
    前記アンテナスイッチモジュールと前記送受信器の間に結合された請求項２０のフィルタモジュールと
    を含み、
    前記フィルタモジュールは、前記送信信号及び前記受信信号の少なくとも一方をフィルタリングするべく構成される無線機器。
22. フィルタデバイスであって、
    上面を有する圧電基板と、
    前記圧電基板の上面に形成されて複数の共振器を含む一対のフィルタ回路と、
    下面を有する封止基板と、
    前記圧電基板の上面と前記封止基板の下面との間にキャビティを形成するべく配置された導電性の側壁と
    を含み、
    前記側壁は、前記一対のフィルタ回路の周縁を取り囲み、前記一対のフィルタ回路のグランド電位に電気的に接続されるフィルタデバイス。
23. 前記一対のフィルタ回路は第１フィルタ回路及び第２フィルタ回路を含み、
    前記側壁は、前記第１フィルタ回路と前記第２フィルタ回路との接続部に向かって突出する突起部を含み、
    前記突起部は、前記第１フィルタ回路と前記第２フィルタ回路との間に隔壁を形成する請求項２２のフィルタデバイス。
    

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