JP2016037483A - 二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】希土類イオンの種類を選択することによって、励起スペクトルが波長２５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいてブロードであり、かつ、発光スペクトルが波長６１０ｎｍ近傍、波長５４０ｎｍ近傍または波長６４０ｎｍ近傍においてシャープであり、赤色蛍光体または緑色蛍光体として用いられる二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器を提供する。
【解決手段】第１錯体構造と第２錯体構造とが対をなしてなる基本骨格を有する二核錯体であって、第１錯体構造および第２錯体構造は、カルボン酸アニオンに希土類元素カチオンが化学結合してなり、第１錯体構造の一方の酸素は、第１錯体構造中の希土類元素カチオンに結合し、第１錯体構造の他方の酸素は、第１錯体構造中の希土類元素カチオンと、第２錯体構造中の希土類元素カチオンと結合していることを特徴とする二核錯体。
【選択図】なし

Description

本発明は、二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器に関する。

白色発光ダイオード（Light Emitting Diode、ＬＥＤ）は、表示用、照明用、表示装置のバックライト用等に用いられている。
白色ＬＥＤとしては、一般的に、青色ＬＥＤ素子と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を備えたものが用いられている。このような構成の白色ＬＥＤが広く用いられている理由としては、表示装置のバックライトに用いた場合、ＲＧＢの三原色に対応したカラーフィルターとの整合性に優れる点、照明用に用いた場合、演色性に優れる点等の利点が挙げられるからである。

白色ＬＥＤとしては、例えば、発光ピーク波長が４２０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色領域にある青色ＬＥＤ素子と、発光ピーク波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍの緑色領域にある緑色蛍光体（ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ^２＋）と、発光ピーク波長が６００ｎｍ〜７８０ｎｍの赤色領域にある赤色蛍光体（ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋）と、を備えたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
ここで、図１７は、この白色ＬＥＤの発光スペクトルの一例を示すグラフである。
しかしながら、上記の赤色蛍光体は、図１８に示すように、発光スペクトルの半値全幅が広く、発光主波長（６５０ｎｍ近傍）よりも長波長側の深赤領域にまで発光成分が存在する。深赤領域（６５０ｎｍより長波長側の領域）の光は視感度が低いため、人間の目では、その領域の光の明るさを感じることができないので、その領域の光は損失となる。つまり、深赤領域の光は、白色ＬＥＤの発光効率を低下させる原因となる。

従来、赤色蛍光体としては、無機系の母体結晶に発光中心として希土類イオンをドープしたものが用いられている。希土類イオンとしては、主にＥｕ^２＋（発光ピーク波長が赤色〜緑色領域にある）やＣｅ^３＋（発光ピーク波長が緑色〜黄色領域にある）が用いられる。赤色蛍光体は、これらの希土類イオンの４ｆ軌道−５ｄ軌道間遷移に起因して発光する。４ｆ軌道−５ｄ軌道間遷移に起因する赤色蛍光体の発光は、母体結晶の影響を受けて、発光スペクトルがブロードになる特徴がある。
また、希土類イオンの４ｆ軌道−４ｆ軌道間遷移に起因する赤色蛍光体の発光は、希土類イオンの４ｆ軌道の外側に存在する５ｓ軌道や５ｐ軌道による遮蔽効果により、母体結晶の影響を受け難く、発光スペクトルがシャープになることが知られている。特に、希土類錯体は、希土類イオンに配位した配位子の影響により、本来、禁制遷移である４ｆ軌道−４ｆ軌道間遷移が許容遷移となり、遷移確率が高くなる（吸収率が高く、発光効率が高い）ことが知られている。
また、白色光源としては、青色光源と、希土類錯体と、を備えたものが知られている（例えば、特許文献２参照）。

特許第３８３７５８８号公報 特許第３８９７１１０号公報

しかしながら、希土類錯体の吸収帯は、紫外領域に存在するため、近紫外発光（励起波長４０５ｎｍ）や青色発光（励起波長４５０ｎｍ）の励起光源（青色ＬＥＤ素子）からの発光を吸収し、その光によって励起し、発光することが不可能である。
また、特許文献１の白色ＬＥＤでは、赤色蛍光体の励起（吸収）スペクトルがブロードであるが、発光スペクトルもブロードである。
さらに、特許文献２の白色光源では、希土類錯体の発光スペクトルは、希土類錯体の４ｆ軌道−４ｆ軌道間遷移に起因してシャープであるが、希土類錯体の励起スペクトルもシャープであるため、青色光源からの発光により、希土類錯体を励起することが難しい。したがって、希土類錯体のシャープな励起スペクトルに応じて、青色光源の発光ピーク波長を合わせる必要がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、希土類イオンの種類を選択することによって、励起スペクトルが波長２５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいてブロードであり、かつ、発光スペクトルが波長６１０ｎｍ近傍においてシャープであり、赤色蛍光体として用いられる二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、希土類イオンの種類を選択することによって、励起スペクトルが波長２５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいてブロードであり、かつ、発光スペクトルが波長５４０ｎｍ近傍においてシャープであり、緑色蛍光体として用いられる二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、希土類イオンの種類を選択することによって、励起スペクトルが波長２５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいてブロードであり、かつ、発光スペクトルが波長６４０ｎｍ近傍においてシャープであり、赤色蛍光体として用いられる二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器を提供することを目的とする。

本発明の１つの態様の二核錯体は、第１錯体構造と第２錯体構造とが対をなしてなる基本骨格を有する二核錯体であって、前記第１錯体構造および前記第２錯体構造は、カルボン酸アニオンに希土類元素カチオンが化学結合してなり、前記第１錯体構造の一方の酸素は、前記第１錯体構造中の前記希土類元素カチオンに結合し、前記第１錯体構造の他方の酸素は、前記第１錯体構造中の前記希土類元素カチオンと、前記第２錯体構造中の前記希土類元素カチオンと結合していることを特徴とする。

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記基本骨格は、下記一般式（１）で表わされるものであってもよい。

（式中、Ｒは、水素原子、重水素原子、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ａは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選択される少なくとも１種のカチオンを表わす。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子を表す。）

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記第１錯体構造の前記希土類元素カチオンおよび前記第２錯体構造の前記希土類元素カチオンのそれぞれに、光を吸収し、その光エネルギーを前記希土類元素カチオンに供給する光増感性の配位子が少なくとも１個配位結合していてもよい。

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記第１錯体構造の前記希土類元素カチオンおよび前記第２錯体構造の前記希土類元素カチオンのそれぞれに、光を吸収し、その光エネルギーを前記希土類元素カチオンに供給する光増感性の配位子が２個または３個配位結合していてもよい。

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記配位子は、少なくともπ共役を有していてもよい。

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記配位子は、２座配位子であってもよい。

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記配位子は、下記一般式（２）〜（４）で表わされるものであってもよい。

（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表し、Ｄは、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表す。）

（式中、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表す。）

（式中、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表し、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、炭素を除くＩＶｂ族原子、窒素を除くＶｂ族原子、酸素を除くＶＩｂ族原子を表わし、Ｙは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表わす。ａおよびｂは、それぞれ独立して、０または１を表わす。）

本発明の１つの態様の二核錯体において、前記配位子は、下記一般式（５）で表わされるものであってもよい。

（式中、Ｒ^７は、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素類、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した類を表す。Ｘ^３は、炭素を除くＩＶｂ族原子、窒素を除くＶｂ族原子、酸素を除くＶＩｂ族原子を表わし、ｃは、０または１を表わす。）

本発明の１つの態様の発光素子は、半導体発光素子と、該半導体発光素子全体を包囲する樹脂と、該樹脂中に分散され、前記半導体発光素子からの発光により励起されて、励起波長とは異なる波長の蛍光を発する少なくとも２つの蛍光体と、を備え、前記２つの蛍光体の１つは、本発明の１つの態様の二核錯体からなることを特徴とする。

本発明の１つの態様の発光素子は、前記半導体発光素子からの発光の発光ピーク波長が、３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の発光素子は、前記二核錯体が、少なくともＥｕを含み、前記二核錯体の発光ピーク波長が、６０５ｎｍ以上６２０ｎｍ以下、前記二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の発光素子は、前記二核錯体が、少なくともＴｂを含み、前記二核錯体の発光ピーク波長が、５３５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、前記二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の発光素子は、前記二核錯体が、少なくともＳｍを含み、前記二核錯体の発光ピーク波長が、６３５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下、前記二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の色変換基板は、光透過性を有する透明基板と、該透明基板の一面に設けられ、外光により励起されて、励起波長とは異なる波長の光を発する色変換層と、を備え、前記色変換層は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の二核錯体を含むことを特徴とする。

本発明の１つの態様の色変換基板は、前記外光の発光ピーク波長は、３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の色変換基板は、前記二核錯体が、少なくともＥｕを含み、前記二核錯体の発光ピーク波長は、６０５ｎｍ以上６２０ｎｍ以下、前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の色変換基板は、前記二核錯体が、少なくともＴｂを含み、前記二核錯体の発光ピーク波長は、５３５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の色変換基板は、前記二核錯体が、少なくともＳｍを含み、前記二核錯体の発光ピーク波長は、６３５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下、前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であってもよい。

本発明の１つの態様の電子機器は、本発明の１つの態様の発光素子および本発明の１つの態様の色変換基板の少なくとも一方を備えたことを特徴とする。

本発明の態様によれば、希土類イオンの種類を選択することによって、励起スペクトルが波長２５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいてブロードであり、かつ、発光スペクトルが波長６１０ｎｍ近傍、波長５４０ｎｍ近傍または波長６４０ｎｍ近傍においてシャープであり、赤色蛍光体または緑色蛍光体として用いられる二核錯体およびそれを用いた発光素子、色変換基板、電子機器を提供することができる。

本発明の第１実施形態である二核錯体の基本骨格を示す分子モデルである。 本発明の第１実施形態である二核錯体を示す分子モデルである。 本発明の第２実施形態である発光素子の一例として白色発光ダイオードの概略構成を示す断面図である。 本発明の第３実施形態である色変換基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の第４実施形態である照明装置の第１例として、シーリングライトを示す概略斜視図である。 本発明の第４実施形態である照明装置の第２例として、照明スタンドを示す概略斜視図である。 本発明の第５実施形態である電子機器の第１例として、携帯電話を示す概略正面図である。 本発明の第５実施形態である電子機器の第２例として、薄型テレビを示す概略正面図である。 本発明の第５実施形態である電子機器の第３例として、携帯型ゲーム機を示す概略正面図である。 本発明の第５実施形態である電子機器の第４例として、ノートパソコンを示す概略斜視図である。 実施例１で得られたＥｕ^３＋希土類錯体 [Ｅｕ（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）_３・ｎＨ_２Ｏ]の励起スペクトルの測定結果を示すグラフである。 実施例１で得られたＥｕ^３＋希土類錯体 [Ｅｕ（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）_３・ｎＨ_２Ｏ]の発光スペクトルの測定結果を示すグラフである。 実施例２で得られたＴｂ^３＋希土類錯体 [Ｅｕ（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）_３・ｎＨ_２Ｏ]の励起スペクトルの測定結果を示すグラフである。 実施例２で得られたＴｂ^３＋希土類錯体 [Ｅｕ（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）_３・ｎＨ_２Ｏ]の発光スペクトルの測定結果を示すグラフである。 実施例３で得られたＳｍ^３＋希土類錯体 [Ｅｕ（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）_３・ｎＨ_２Ｏ]の励起スペクトルの測定結果を示すグラフである。 実施例３で得られたＳｍ^３＋希土類錯体 [Ｅｕ（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）_３・ｎＨ_２Ｏ]の発光スペクトルの測定結果を示すグラフである。 従来の赤色蛍光体を用いた白色ＬＥＤの発光スペクトルの一例を示すグラフである。 従来の赤色蛍光体の発光スペクトルの一例を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の全ての図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

［第１実施形態］（二核錯体）
本実施形態の二核錯体は、第１錯体構造と第２錯体構造とが対をなしてなる基本骨格を有する二核錯体であって、第１錯体構造および第２錯体構造は、カルボン酸アニオンに希土類元素カチオンが化学結合してなり、第１錯体構造の一方の酸素は、第１錯体構造中の希土類元素カチオンに結合し、第１錯体構造の他方の酸素は、第１錯体構造中の希土類元素カチオンと、第２錯体構造中の希土類元素カチオンと結合している。

本実施形態の二核錯体において、基本骨格は、例えば、下記一般式（１）および図１で表わされる化合物から構成される。なお、図１において、Ｒはメチル基（−ＣＨ_３）である。

（式中、Ｒは、水素原子、重水素原子、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ａは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選択される少なくとも１種のカチオンを表わす。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子を表す。）

すなわち、本実施形態の二核錯体は、２つの希土類元素カチオンＡを、２つのカルボン酸アニオンＲＣＯＯ⁻で接続した構造をなしている。

上記一般式（１）において、Ｘで表わされるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（１）において、ＲがＣ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基である場合、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。

環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としては、これら環状のアルキル基の１個以上の水素原子が、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基で置換されたもの等が挙げられる。

また、アルキル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（１）において、Ｒで表わされるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキレン基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基はとしては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。

また、アルキレン基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（１）において、Ｒで表わされるアルキニル基は、直鎖状および分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキニル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）等が挙げられる。

また、アルキニル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（１）において、Ｒで表わされるアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよい。

アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が挙げられる。また、これらアリール基の１個以上の水素原子が、さらに、これらアリール基や、Ｒで表わされる上記のアルキル基で置換されていてもよい。

上記一般式（１）において、Ｒで表わされるヘテロアリール基としては、Ｒで表わされるアリール基のうち、芳香環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基およびＲにおける環状のアルキル基において、炭素原子間の１個以上の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換され、さらに環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基が挙げられる。
ヘテロ原子として好ましいものとしては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子等が挙げられる。芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数は、特に限定されないが、１〜２であることが好ましい。そして、芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数が２以上である場合、これら複数個のヘテロ原子は、全て同一であってもよいし、全て異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

上記一般式（１）で表わされる化合物を基本骨格として有する二核錯体は、Ｒとしてアルキル基を有する場合、適切な溶媒を選択することで、溶媒への溶解性が向上する。溶媒への溶解性が高い二核錯体を用いることにより、二核錯体の取り扱い性がより向上し、例えば、後述する発光素子であれば発光効率が高いものが容易に得られる。

Ａは、希土類元素のカチオンを表わし、具体的には、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イットリウム（Ｙｂ）およびルテシウム（Ｌｕ）からなる群から選択される少なくとも１種の希土類元素のカチオン（希土類元素カチオン）である。
希土類元素カチオンは、通常、３価のカチオンであるが、２価または４価のカチオンであってもよい。

これらの希土類元素カチオンは、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
希土類元素カチオンは、２種以上を併用してもよいが、少なくとも１種が、赤色発光（発光ピーク波長が６００ｎｍ〜７８０ｎｍ）を有するものであることが好ましい。また、少なくとも１種の希土類元素カチオンは、発光ピーク波長が６００ｎｍ〜６５０ｎｍであることがより好ましい。この点（発光ピーク波長）を鑑みると、希土類元素カチオンとしては、サマリウムイオン（Ｓｍ^３＋）、エルビウムイオン（Ｅｕ^３＋）が好ましい。

本実施形態の二核錯体において、第１錯体構造の希土類元素カチオンおよび第２錯体構造の希土類元素カチオンのそれぞれに、光を吸収し、その光エネルギーを希土類元素カチオンに供給する光増感性の配位子が少なくとも１個配位結合していることが好ましい。

本実施形態の二核錯体において、光増感性の配位子は、下記一般式（２）〜（５）で表わされるものであってもよい。

（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表し、Ｄは、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表す。）

上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２がＣ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基である場合、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。

環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としては、これら環状のアルキル基の１個以上の水素原子が、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基で置換されたもの等が挙げられる。

また、アルキル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２で表わされるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキレン基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。

また、アルキレン基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２で表わされるアルキニル基は、直鎖状および分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキニル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）等が挙げられる。

また、アルキニル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２で表わされるアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよい。

アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が挙げられる。また、これらアリール基の１個以上の水素原子が、さらに、これらアリール基や、Ｒ^１およびＲ^２で表わされる上記のアルキル基で置換されていてもよい。

上記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２で表わされるヘテロアリール基としては、Ｒ^１およびＲ^２で表わされるアリール基のうち、芳香環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基、並びに、Ｒ^１およびＲ^２における環状のアルキル基において、炭素原子間の１個以上の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換され、さらに環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基が挙げられる。
ヘテロ原子として好ましいものとしては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子等が挙げられる。芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数は、特に限定されないが、１〜２であることが好ましい。そして、芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数が２以上である場合、これら複数個のヘテロ原子は、全て同一であってもよいし、全て異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

上記一般式（２）において、Ｄで表わされるハロゲン原子としては、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｄで表わされるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。

環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としては、これら環状のアルキル基の１個以上の水素原子が、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基で置換されたもの等が挙げられる。

また、アルキル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｄで表わされるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキレン基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。

また、アルキレン基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｄで表わされるアルキニル基は、直鎖状および分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキニル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）等が挙げられる。

また、アルキニル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（２）で表わされる光増感性の配位子は、Ｒ^１、Ｒ^２およびＤとしてアルキル基を有する場合、適切な溶媒を選択することで、溶媒への溶解性が向上する。溶媒への溶解性が高い光増感性の配位子を用いることにより、二核錯体の取り扱い性がより向上し、例えば、後述する発光素子であれば発光効率が高いものが容易に得られる。

（式中、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表す。）

上記一般式（３）において、Ｒ^３およびＲ^４がＣ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基である場合、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。

環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としては、これら環状のアルキル基の１個以上の水素原子が、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基で置換されたもの等が挙げられる。

また、アルキル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（３）において、Ｒ^３およびＲ^４で表わされるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキレン基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。

また、アルキレン基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（３）において、Ｒ^３およびＲ^４で表わされるアルキニル基は、直鎖状および分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキニル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）等が挙げられる。

また、アルキニル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（３）において、Ｒ^３およびＲ^４で表わされるアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよい。

アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が挙げられる。また、これらアリール基の１個以上の水素原子が、さらに、これらアリール基や、Ｒ^３およびＲ^４で表わされる上記のアルキル基で置換されていてもよい。

上記一般式（３）において、Ｒ^３およびＲ^４で表わされるヘテロアリール基としては、Ｒ^３およびＲ^４で表わされるアリール基のうち、芳香環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基、並びに、Ｒ^３およびＲ^４における環状のアルキル基において、炭素原子間の１個以上の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換され、さらに環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基が挙げられる。
ヘテロ原子として好ましいものとしては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子等が挙げられる。芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数は、特に限定されないが、１〜２であることが好ましい。そして、芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数が２以上である場合、これら複数個のヘテロ原子は、全て同一であってもよいし、全て異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

上記一般式（３）で表わされる光増感性の配位子は、Ｒ^３およびＲ^４としてアルキル基を有する場合、適切な溶媒を選択することで、溶媒への溶解性が向上する。溶媒への溶解性が高い光増感性の配位子を用いることにより、二核錯体の取り扱い性がより向上し、例えば、後述する発光素子であれば発光効率が高いものが容易に得られる。

（式中、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表し、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、炭素を除くＩＶｂ族原子、窒素を除くＶｂ族原子、酸素を除くＶＩｂ族原子を表わし、Ｙは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表わす。ａおよびｂは、それぞれ独立して、０または１を表わす。）

上記一般式（４）において、Ｒ^５およびＲ^６がＣ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基である場合、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。

環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としては、これら環状のアルキル基の１個以上の水素原子が、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基で置換されたもの等が挙げられる。

また、アルキル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｒ^５およびＲ^６で表わされるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキレン基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。

また、アルキレン基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｒ^５およびＲ^６で表わされるアルキニル基は、直鎖状および分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキニル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）等が挙げられる。

また、アルキニル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｒ^５およびＲ^６で表わされるアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよい。

アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が挙げられる。また、これらアリール基の１個以上の水素原子が、さらに、これらアリール基や、Ｒ^５およびＲ^６で表わされる上記のアルキル基で置換されていてもよい。

上記一般式（４）において、Ｒ^５およびＲ^６で表わされるヘテロアリール基としては、Ｒ^５およびＲ^６で表わされるアリール基のうち、芳香環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基、並びに、Ｒ^５およびＲ^６における環状のアルキル基において、炭素原子間の１個以上の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換され、さらに環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基が挙げられる。
ヘテロ原子として好ましいものとしては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子等が挙げられる。芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数は、特に限定されないが、１〜２であることが好ましい。そして、芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数が２以上である場合、これら複数個のヘテロ原子は、全て同一であってもよいし、全て異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

上記一般式（４）で表わされる光増感性の配位子は、Ｒ^５およびＲ^６としてアルキル基を有する場合、適切な溶媒を選択することで、溶媒への溶解性が向上する。溶媒への溶解性が高い光増感性の配位子を用いることにより、二核錯体の取り扱い性がより向上し、例えば、後述する発光素子であれば発光効率が高いものが容易に得られる。

上記一般式（４）において、Ｘ^１およびＸ^２で表わされる炭素を除くＩＶｂ族原子としては、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｘ^１およびＸ^２で表わされる窒素を除くＶｂ族原子としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）が挙げられる。

上記一般式（４）において、Ｘ^１およびＸ^２で表わされる酸素を除くＶＩｂ族原子としては、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、ポロニウム（Ｐｏ）が挙げられる。

（式中、Ｒ^７は、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素類、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した類を表す。Ｘ^３は、炭素を除くＩＶｂ族原子、窒素を除くＶｂ族原子、酸素を除くＶＩｂ族原子を表わし、ｃは、０または１を表わす。）

上記一般式（５）において、Ｒ^７がＣ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基である場合、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基またはＣ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。

環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。さらに、アルキル基としては、これら環状のアルキル基の１個以上の水素原子が、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基で置換されたもの等が挙げられる。

また、アルキル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（５）において、Ｒ^７で表わされるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキレン基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。

また、アルキレン基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（５）において、Ｒ^７で表わされるアルキニル基は、直鎖状および分岐鎖状および環状のいずれでもよい。アルキニル基が環状である場合、単環状および多環状のいずれでもよい。

直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）等が挙げられる。

また、アルキニル基中の１つまたは２つ以上の水素原子は、任意にハロゲン原子に置換されていてもよい。水素原子と置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（５）において、Ｒ^７で表わされるアリール基は、単環状および多環状のいずれでもよい。

アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が挙げられる。また、これらアリール基の１個以上の水素原子が、さらに、これらアリール基や、Ｒ^７で表わされる上記のアルキル基で置換されていてもよい。

上記一般式（５）において、Ｒ^７で表わされるヘテロアリール基としては、Ｒ^７で表わされるアリール基のうち、芳香環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基およびＲ^７における環状のアルキル基において、炭素原子間の１個以上の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換され、さらに環骨格を構成する１個以上の炭素原子、または、その炭素原子がこれに結合している水素原子とともに、ヘテロ原子で置換され、かつ、芳香族性を有する基が挙げられる。
ヘテロ原子として好ましいものとしては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子等が挙げられる。芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数は、特に限定されないが、１〜２であることが好ましい。そして、芳香環骨格を構成するヘテロ原子の数が２以上である場合、これら複数個のヘテロ原子は、全て同一であってもよいし、全て異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。

上記一般式（５）で表わされる光増感性の配位子は、Ｒ^７としてアルキル基を有する場合、適切な溶媒を選択することで、溶媒への溶解性が向上する。溶媒への溶解性が高い光増感性の配位子を用いることにより、二核錯体の取り扱い性がより向上し、例えば、後述する発光素子であれば発光効率が高いものが容易に得られる。

上記一般式（５）において、Ｘ^３で表わされる炭素を除くＩＶｂ族原子は、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）が挙げられる。

上記一般式（５）において、Ｘ^３で表わされる窒素を除くＶｂ族原子は、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）が挙げられる。

上記一般式（５）において、Ｘ^３で表わされる酸素を除くＶＩｂ族原子は、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、ポロニウム（Ｐｏ）が挙げられる。

本実施形態の二核錯体は、例えば、上記一般式（１）で表わされる基本骨格と、上記一般式（２）で表わされる光増感性の配位子とから構成され、下記一般式（６）で表わされる。すなわち、下記一般式（６）表わされる二核錯体では、上記一般式（１）で表わされる基本骨格の希土類元素カチオンのそれぞれに、上記一般式（２）で表わされる光増感性の配位子が少なくとも１個、通常は２個または３個配位結合している。

（式中、ｎは、１、２または３を表わす。）

また、本実施形態の二核錯体は、例えば、上記一般式（１）で表わされる基本骨格と、上記一般式（３）で表わされる光増感性の配位子とから構成され、下記一般式（７）で表わされる。すなわち、下記一般式（７）表わされる二核錯体では、上記一般式（１）で表わされる基本骨格の希土類元素カチオンのそれぞれに、上記一般式（３）で表わされる光増感性の配位子が少なくとも１個、通常は２個または３個配位結合している。

（式中、ｎは、１、２または３を表わす。）

また、本実施形態の二核錯体は、例えば、上記一般式（１）で表わされる基本骨格と、上記一般式（４）で表わされる光増感性の配位子とから構成され、下記一般式（８）で表わされる。すなわち、下記一般式（８）表わされる二核錯体では、上記一般式（１）で表わされる基本骨格の希土類元素カチオンのそれぞれに、上記一般式（４）で表わされる光増感性の配位子が少なくとも１個、通常は２個または３個配位結合している。

（式中、ｎは、１、２または３を表わす。）

また、本実施形態の二核錯体は、例えば、上記一般式（１）で表わされる基本骨格と、上記一般式（５）で表わされる光増感性の配位子とから構成され、下記一般式（９）で表わされる。すなわち、下記一般式（９）表わされる二核錯体では、上記一般式（１）で表わされる基本骨格の希土類元素カチオンのそれぞれに、上記一般式（５）で表わされる光増感性の配位子が少なくとも１個、通常は２個または３個配位結合している。

（式中、ｎは、１、２または３を表わす。）

なお、上記一般式（６）〜（９）において、基本骨格を構成する第１錯体構造の希土類元素カチオンおよび第２錯体構造の希土類元素カチオンのそれぞれに配位結合する配位子は１〜３個であり、空間的に配位可能であれば、配位子の数は特に限定されない。上記一般式（１）で表わされる二核錯体の基本骨格を構成するＡであるカチオン（希土類イオン）は、３^＋（３価）で安定となる場合が多い。また、カルボン酸アニオン（ＲＣＯＯ⁻）は、１⁻（１価）であるので、それぞれのカチオンには、配位子が２個配位して安定になると考えられる。また、希土類イオンの中には、４^＋（４価）になりうるものもあるので、その場合、それぞれのカチオンには、配位子が３個配位して安定になると考えられる。

また、上記一般式（６）〜（９）では、基本骨格を構成する第１錯体構造の希土類元素カチオンおよび第２錯体構造の希土類元素カチオンのそれぞれに、同種の光増感性の配位子が１個、２個または３個配位結合している場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、例えば、第１錯体構造の希土類元素カチオンの希土類元素カチオンに上記一般式（２）〜（５）で表わされる光増感性の配位子が１個、２個または３個配位結合し、第２錯体構造の希土類元素カチオンに配位子として水分子が配位結合していてもよく、上記一般式（２）〜（５）で表わされる光増感性の配位子以外に、水分子や下記式（１１）〜（１８）に示されるアニオンが配位子として配位結合していてもよい。

３価の希土類イオンの発光機構は、ｆ軌道間の遷移（ｆ−ｆ遷移）に由来する。元来、このｆ−ｆ遷移は、禁制遷移と呼ばれる非常に発光効率が低い遷移である。しかし、本来、禁制遷移であるｆ−ｆ遷移も希土類イオン周囲のアニオン（配位子）の配置により禁制が崩れて、ｆ−ｆ遷移が許容となる（発光効率が高くなる。発光の輝度が高まる）。
一般に、下記式（１１）〜（１８）に示されるようなアニオンが希土類イオン周囲に配位することにより、希土類イオンの発光効率を高めることができる。

本実施形態の二核錯体としては、具体的には、図２に示すように、上記一般式（６）において、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）、Ｒ^１およびＲ^２がＣＦ_３、Ｄが水素であるものが挙げられる。すなわち、この例の二核錯体は、上記一般式（２）で表わされる光増感性の配位子が、下記式（１０）で表わされるヘキサフロロアセチルアセトン（Ｃ_５Ｏ_２ＨＦ_６）のアニオン（（Ｃ_５Ｏ_２ＨＦ_６）⁻）である。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１１）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１１）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１１）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、１，１´−ビフェニル−２，２´−ジイルビスジフェニルホスフィンオキシド（ＢＩＰＨＥＰＯ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１２）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１２）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１２）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、２個のトリフェニルホスフィンオキサイド（ＴＰＰＯ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１３）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１３）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１３）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、２個のジフェニルフォスフィンオキサイド（ＯＰＰＯ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１４）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１４）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１４）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、ジフェニルホスフィノプロピルジフェニルホスフィンオキサイド（ＤＰＰＰＯ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１５）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１５）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１５）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、｛ｂｉｓ［ｏ−（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｏｒｙｌ）ｐｙｒｉｄｙｌ］ｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈａｎｅ ｏｘｉｄｅ｝（ＤＰＹＰＰＯ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１６）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１６）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１６）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、ｂｉｓ［ｏ−（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｏｒｙｌ）ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ］ｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈａｎｅ ｏｘｉｄｅ（ＤＰＢＴＰＯ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１７）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１７）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１７）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、２個のジフェニルホスフィノジメチルキサンテン（４，５−ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｏｒｙｌ）−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌｘａｎｔｈｅｎｅ、ｘａｎｔｐｏ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

また、本実施形態の二核錯体としては、具体的には、下記式（１８）で表わされる化合物が挙げられる。なお、下記式（１８）において、上記一般式（１）で表わされ、Ｒがメチル基（−ＣＨ_３）、Ａがユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）である基本骨格を、Ｅｕ（III）と略す。下記式（１８）で表わされる化合物は、Ｅｕ（III）のユウロピウムイオン（Ｅｕ^３＋）のそれぞれに、ジターシャリブチルホスフィノジメチルキサンテン（４，５−ｂｉｓ（ｄｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｒｙ）−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌｘａｎｔｈｅｎｅ、ｔＢｕ−ｘａｎｔｐｏ）のアニオンと、３個のヘキサフロロアセチルアセトン（ｈｆａ）のアニオンと、が配位結合している。

（二核錯体の製造方法）
上記一般式（６）〜（９）で表わされる二核錯体は、以下のような製造方法により製造される。
純水に、希土類酢酸塩（例えば、酢酸ユウロピウム）を溶解して、希土類酢酸塩の水溶液を調製する。
次いで、希土類酢酸塩の水溶液に、配位子を添加して、室温〜１００℃の温度下、１時間〜１０時間程度撹拌する。
次いで、配位子を添加した希土類酢酸塩の水溶液を、晶析法または液−液抽出法等により精製して、上記一般式（６）〜（９）で表わされる二核錯体を得る。
さらに、得られた二核錯体を、メタノールやクロロホルム等の有機溶媒を用いて再結晶することにより、純度の高い二核錯体が得られる。

本実施形態の二核錯体によれば、励起スペクトルが波長２５０ｎｍ〜４５０ｎｍにおいてブロードであり、かつ、青色ＬＥＤ素子から発光された発光ピーク波長が４２０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色領域の光を吸収して、発光スペクトルが波長６１０ｎｍ近傍においてシャープである可視光領域の光（蛍光）を発光することができる。よって、本実施形態の二核錯体は、白色ＬＥＤの赤色蛍光体として用いた場合、深赤領域（６５０ｎｍより長波長側の領域）における光の損失がないので、青色ＬＥＤ素子の発光ピーク波長を調節することなく、発光効率に優れた白色ＬＥＤを実現することができる。

［第２実施形態］（発光素子）
本実施形態の発光素子は、半導体発光素子と、その半導体発光素子全体を包囲する樹脂と、その樹脂中に分散され、半導体発光素子からの発光により励起されて、励起波長とは異なる波長の蛍光を発する少なくとも２つの蛍光体と、を備え、蛍光体の１つは、上述の第１実施形態の二核錯体からなる。

以下、図３を参照して、本実施形態の発光素子を詳細に説明する。図３は、本実施形態の発光素子の一例として白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ）１０の概略構成を示す断面図である。
白色ＬＥＤ１０は、半導体発光素子１１と、半導体発光素子１１全体を包囲する樹脂１２と、樹脂１２中に分散された蛍光体１３，１４（緑色蛍光体１３、赤色蛍光体１４）と、半導体発光素子１１、樹脂１２および蛍光体１３，１４を収容する枠体１５と、半導体発光素子１１および枠体１５が載置されるリードフレーム１６とから概略構成されている。

枠体１５は、反射面１５ａを有する凹部１５ｂを備える。反射面１５ａには、出射光を効率よく取り出すために、銀またはアルミニウムを含む金属膜からなる反射膜が設けられていてもよい。
反射面１５ａに金属膜が設けられていない場合には、枠体１５が光反射性を有する材料構成（例えば、ナイロン系樹脂またはシリコーン系樹脂等の樹脂中に、酸化チタンを高濃度で含有させ、反射率を高めた構造）を有することが好ましい。
凹部１５ｂの断面形状は、リードフレーム１６から離れる方向に断面形状が幅広くなる逆テーパー形状をなしている。すなわち、凹部１５ｂの底面１５ｃの幅は、枠体１５の上面１５ｄ側の開口幅よりも狭くなっている。
枠体１５は、ナイロン系樹脂材料に一対のリードフレーム１６Ａ，１６Ｂがインサート成形されたものである。リードフレーム１６Ａ，１６Ｂの一端は、枠体１５の凹部１５ｂの底面１５ｃにおいて露出させられるとともに、互いに離間して配置されている。また、リードフレーム１６Ａ，１６Ｂの他端は、所定の長さに切断されるとともに、枠体１５の外面１５ｅ（凹部１５ｂよりも下側の外面）に沿って折り曲げられ、枠体１５の外部に延出されて、外部端子をなしている。

半導体発光素子１１は、ボンディングワイヤ１７により、その上部電極（図示略）と、リードフレーム１６Ａの一端部およびリードフレーム１６Ｂの一端部とがワイヤボンデイングされ、電気的に接続されている。これにより、半導体発光素子１１は、枠体１５の凹部１５ｂの底面１５ｃにおける所定の位置に固着されている。

枠体１５の凹部１５ｂの底面１５ｃに配置された半導体発光素子１１全体、並びに、その近傍に配置されたリードフレーム１６Ａ，１６Ｂの一端およびボンディングワイヤ１７は、凹部１５ｂ内に充填された透明な樹脂１２により封止されている。また、樹脂１２中には、蛍光体１３，１４と、蛍光体１３，１４の沈降を抑制するための沈降抑制材１８とが分散されている。沈降抑制材１８としては、シリカの微粉末等が用いられる。
蛍光体１３，１４とともに、沈降抑制材１８を分散させることにより、樹脂１２を硬化させるまでの時間がばらついても、蛍光体１３，１４の沈降の影響が抑制される。蛍光体１３，１４は、樹脂１２中に均一に分散された状態が維持されることが好ましい。蛍光体１３，１４とともに、沈降抑制材１８を分散させることにより、蛍光体１３，１４の偏りに起因する製造ばらつきや出射光の色むらを抑制することができる。

半導体発光素子１１は、ＧａＮ系半導体発光素子であって、底面とは反対側の面に２つの電極（アノード電極とカソード電極）が形成されている。半導体発光素子１１からの発光（出射光）の発光ピーク波長は、３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であり、例えば、出射光は青色領域にある４４５ｎｍにピーク波長を有する。

樹脂１２としては、半導体発光素子１１、緑色蛍光体１３および赤色蛍光体１４からの発光を透過するものであれば、特に限定されない。樹脂１２としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が用いられ、具体的には、ポリメタクリル酸メチル等のメタクリル樹脂；ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体等のスチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリエステル樹脂；フェノキシ樹脂；ブチラール樹脂；ポリビニルアルコール；エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセルロース系樹脂；エポキシ樹脂；フェノール樹脂；付加反応型シリコーン樹脂、縮合反応型シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、これらの樹脂の中でも、波長の短い１次光（半導体発光素子１１の出射光）に対して耐久性の高いことから、シリコーン樹脂が好ましい。

緑色蛍光体１３としては、発光ピーク波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍの緑色領域にある緑色の２次光を発光するものであれば、特に限定されないが、例えば、Ｅｕ賦活βサイアロン（Ｓｉ_{（６−ｚ）}Ａｌ_ｚＯ_ｚＮ_{（８−ｚ）}：Ｅｕ^２＋）が用いられる。

赤色蛍光体１４としては、上述の第１実施形態の二核錯体が用いられる。
二核錯体は、少なくともＥｕを含み、二核錯体の発光ピーク波長が、６０５ｎｍ以上６２０ｎｍ以下、二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、二核錯体は、少なくともＴｂを含み、二核錯体の発光ピーク波長が、５３５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、二核錯体は、少なくともＳｍを含み、二核錯体の発光ピーク波長が、６３５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下、二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であることが好ましい。

白色ＬＥＤ１０の目的に応じて、緑色蛍光体１３と赤色蛍光体１４に、他の蛍光体を混ぜることにより、発光スペクトルを調整することができる。
白色ＬＥＤ１０を照明として用いる場合、演色性のよい発光スペクトルが得られること、また、白色ＬＥＤ１０をバックライトとして用いる場合、色再現域（色域）を拡大できることから、「半導体発光素子１１と、緑色蛍光体１３と、赤色蛍光体１４との組み合わせ」が多用される。
また、緑色蛍光体１３の代わりに黄色蛍光体を用いた、「半導体発光素子１１と、黄色蛍光体と、赤色蛍光体１４との組み合わせ」であってもよい。

黄色蛍光体としては、発光ピーク波長が５６０ｎｍ近傍の黄色領域にある黄色の２次光を発光するものであれば、特に限定されないが、例えば、Ｃｅ：ＹＡＧ、ＢＯＳＥ（Ｂａ、Ｓｒ、Ｏ、Ｅｕ）、Ｅｕ賦活αサイアロン等が用いられる。
黄色蛍光体を用いた場合、白色ＬＥＤ１０としては、半導体発光素子１１からの発光（発光ピーク波長が４２０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色領域にある青色光）である１次光と、黄色蛍光体と赤色蛍光体１４の発光（蛍光）である２次光との合成光を発光する、いわゆる擬似白色タイプの白色ＬＥＤが得られる。なお、黄色蛍光体であっても、黄色成分以外に、緑色成分および赤色成分を有している。

また、赤色蛍光体１４に加えて、発光ピーク波長が６００ｎｍ〜７８０ｎｍの赤色領域にある赤色の２次光を発光する赤色蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ^２＋）を混合して用いることもできる。

蛍光体とは、紫外光または可視光を吸収して、可視光または赤外光を発光し、放射する光機能材料である。緑色蛍光体１３および赤色蛍光体１４以外の他の蛍光体としては、有機蛍光体または無機蛍光体が用いられる。

有機蛍光体としては、クマリン系色素、ペリレン系色素、フタロシアニン系色素、スチルベン系色素、シアニン系色素、ポリフェニレン系色素，キサンテン系色素，ピリジン系色素、オキサジン系色素、クリセン系色素、チオフラビン系色素、ペリレン系色素、ピレン系色素、アントラセン系色素、アクリドン系色素、アクリジン系色素、フルオレン系色素、ターフェニル系色素、エテン系色素、ブタジエン系色素、ヘキサトリエン系色素、オキサゾール系色素、クマリン系色素、スチルベン系色素、ジフェニルメタン系色素、トリフェニルメタン系色素、チアゾール系色素、チアジン系色素、ナフタルイミド系色素、アントラキノン系色素等が好適に用いられる。具体的には、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）等のクマリン系色素、クマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のローダミン系色素、１−エチル−２−〔４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル〕ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素、シアニン系色素、オキサジン系色素等が用いられる。

無機蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの粒子等の添加による物理的処理によるもの、さらに、それらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、一般的には無機蛍光体を用いることが好ましい。

無機蛍光体の中でも、結晶母体であるＹ_２Ｏ_３、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４等に代表される金属酸化物、Ｓｒ_２Ｓｉ_５Ｎ_８等に代表される金属窒化物、Ｃａ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ等に代表されるリン酸塩およびＺｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳ等に代表される硫化物に、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類金属のイオンやＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｂ等の金属のイオンを付活元素または共付活元素として組み合わせたものが好ましい。

結晶母体の好ましい具体例としては、例えば、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ、ＳｒＧａ_２Ｓ_４、ＳｒＳ、ＣａＳ、ＺｎＳ等の硫化物、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ等の酸硫化物、（Ｙ，Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２、ＹＡｌＯ_３、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７、ＢａＡｌ_１２Ｏ_１９、ＣｅＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＳｒＡｌ_２Ｏ_４、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２等のアルミン酸塩、Ｙ_２ＳｉＯ_５、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４等の珪酸塩、ＳｎＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３等の酸化物、ＧｄＭｇＢ_５Ｏ_１０、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ_３等の硼酸塩、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６（Ｆ，Ｃｌ）_２、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２等のハロリン酸塩、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７、（Ｌａ，Ｃｅ）ＰＯ_４4等のリン酸塩、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ_３等の金属窒化物等が挙げられる。

ただし、結晶母体、および、付活元素または共付活元素は、元素組成が特に限定されず、同族の元素と一部置き換えることもでき、得られた無機蛍光体が紫外領域から可視領域の光を吸収して、可視光を発するものであればいかなるものでも用いられる。

無機蛍光体としては、具体的には、以下に挙げる赤色無機蛍光体、緑色無機蛍光体、青色無機蛍光体、黄色無機蛍光体等が用いられる。しかしながら、これらの蛍光体はあくまでも例示であり、本実施形態で用いられる蛍光体はこれらに限定されない。

無機蛍光体のうち、赤色領域の光を発光する赤色無機蛍光体としては、例えば、赤色破断面を有する破断粒子から構成され、赤色領域の光を発光する（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、赤色領域の光を発光する（Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活希土類オキシカルコゲナイド系蛍光体等が挙げられる。

また、赤色無機蛍光体としては、例えば、特開２００４−３００２４７号公報に記載されている、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＷおよびＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する酸窒化物および酸硫化物の少なくともいずれか一方を含有する蛍光体であって、Ａｌ元素の一部または全部がＧａ元素で置換されたアルファサイアロン構造をもつ酸窒化物を含有する蛍光体も用いることができる。

さらに、赤色無機蛍光体としては、例えば、（Ｌａ，Ｙ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ等のＥｕ付活酸硫化物蛍光体、Ｙ（Ｖ，Ｐ）Ｏ_４：Ｅｕ、Ｙ_２Ｏ_３：Ｅｕ等のＥｕ付活酸化物蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｂａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活珪酸塩蛍光体、ＬｉＷ_２Ｏ_８：Ｅｕ、ＬｉＷ_２Ｏ_８：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｅｕ_２Ｗ_２Ｏ_９、Ｅｕ_２Ｗ_２Ｏ_９：Ｎｂ、Ｅｕ_２Ｗ_２Ｏ_９：Ｓｍ等のＥｕ付活タングステン酸塩蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ等のＥｕ付活硫化物蛍光体、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ、Ｃａ_２Ｙ_８（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）_３ＳｉＯ_５：Ｅｕ、Ｓｒ_２ＢａＳｉＯ_５：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、（Ｙ，Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、（Ｔｂ，Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ等のＣｅ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＮ_２：Ｅｕ、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ等のＥｕ付活窒化物蛍光体、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｃｅ等のＣｅ付活窒化物蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロリン酸塩蛍光体、（Ｂａ_３Ｍｇ）Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）_３（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活珪酸塩蛍光体、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ等のＭｎ付活ゲルマン酸塩蛍光体、Ｅｕ付活αサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体、（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）_２Ｏ_３：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活酸化物蛍光体、（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活酸硫化物蛍光体、（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）ＶＯ4：Ｅｕ，Ｂｉ等のＥｕ，Ｂｉ付活バナジン酸塩蛍光体、ＳｒＹ_２Ｓ_４：Ｅｕ，Ｃｅ等のＥｕ，Ｃｅ付活硫化物蛍光体、ＣａＬａ_２Ｓ_４：Ｃｅ等のＣｅ付活硫化物蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＰ_２Ｏ_７：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活リン酸塩蛍光体、（Ｙ，Ｌｕ）_２ＷＯ_６：Ｅｕ，Ｍｏ等のＥｕ，Ｍｏ付活タングステン酸塩蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_ｘＳｉ_ｙＮ_ｚ：Ｅｕ，Ｃｅ（但し、ｘ、ｙ、ｚは、１以上の整数）等のＥｕ，Ｃｅ付活窒化物蛍光
体、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロリン酸塩蛍光体、（（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ，Ｔｂ）_１−ｘＳｃ_ｘＣｅ_ｙ）_２（Ｃａ，Ｍｇ）_１−ｒ（Ｍｇ，Ｚｎ）_２＋ｒＳｉ_ｚ−ｑＧｅ_ｑＯ_１２＋δ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｍｇ）_３（ＰＯ_４）_２：Ｓｎ^２＋のＳｎ付活リン酸塩蛍光体等を用いることも可能である。

さらに、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋、Ｃａ_２Ｙ_２（ＳｉＯ_４）_６：Ｅｕ^３＋、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋、ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋、ＣａＳ：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ^３＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_５．５Ｆ：Ｍｎ^４＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３:Ｅｕ^２＋、ＣａＡｌＳｉＮ_３:Ｅｕ^２＋、ＳｒＳｉＮ_２:Ｅｕ^２＋、ＳｒＡｌＳｉＮ_３:Ｅｕ^２＋、Ｃａ_２Ｓｉ_５Ｎ_８:Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_５Ｎ_８:Ｅｕ^２＋、Ｂａ_２ＡｌＳｉ_５Ｎ_８:Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_２Ｎ_４:Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ａｌ_２Ｏ_２Ｎ_６:Ｅｕ^２＋、ＳｒＳｃ_２Ｏ_４:Ｅｕ^２＋、(Ｓｒ，Ｂａ)_３ＳｉＯ_５:Ｅｕ^２＋、Ｍｇ_２ＴｉＯ_４:Ｍｎ^２＋等が挙げられる。

また、赤色無機蛍光体のうち、発光ピーク波長が５８０ｎｍ〜６２０ｎｍ、好ましくは５９０ｎｍ〜６１０ｎｍの範囲内にあるものは、橙色無機蛍光体として好適に用いることができる。このような橙色無機蛍光体としては、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）_３ＳｉＯ_５：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｍｇ）_３（ＰＯ_４）_２：Ｓｎ^２＋等が挙げられる。

無機蛍光体のうち、緑色領域の光を発光する緑色無機蛍光体としては、例えば、緑色破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の光を発光する（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、緑色破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の光を発光する（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類シリケート系蛍光体等が挙げられる。

また、緑色無機蛍光体としては、例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ）_９（Ｓｃ，Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）_２（Ｓｉ，Ｇｅ）_６Ｏ_２４：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活珪酸塩蛍光体、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７−Ｓｒ_２Ｂ_２Ｏ_５：Ｅｕ等のＥｕ付活硼酸リン酸塩蛍光体、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８−２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ等のＥｕ付活ハロ珪酸塩蛍光体、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ等のＭｎ付活珪酸塩蛍光体、ＣｅＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｔｂ、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ1_２：Ｔｂ等のＴｂ付活アルミン酸塩蛍光体、Ｃａ_２Ｙ_８（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｔｂ、Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４：Ｔｂ等のＴｂ付活珪酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）Ｇａ_２Ｓ_４：Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等のＥｕ，Ｔｂ，Ｓｍ付活チオガレート蛍光体、Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇａ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ等のＣｅ付活アルミン酸塩蛍光体、Ｃａ_３Ｓｃ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｃａ_３（Ｓｃ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｌｉ）_２Ｓｉ_３Ｏ_１２：Ｃｅ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、ＣａＳｃ_２Ｏ_４：Ｃｅ等のＣｅ付活酸化物蛍光体、ＳｒＳｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｅｕ、Ｅｕ付活βサイアロン、Ｅｕ付活αサイアロン等のＥｕ付活酸窒化物蛍光体、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活アルミン酸塩蛍光体、ＳｒＡｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ等のＴｂ付活酸硫化物蛍光体、ＬａＰＯ_４：Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活リン酸塩蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の硫化物蛍光体、（Ｙ，Ｇａ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ）ＢＯ_３：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｎａ_２Ｇｄ_２Ｂ_２Ｏ_７：Ｃｅ，Ｔｂ、（Ｂａ，Ｓｒ）_２（Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）Ｂ_２Ｏ_６：Ｋ，Ｃｅ，Ｔｂ等のＣｅ，Ｔｂ付活硼酸塩蛍光体、Ｃａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロ珪酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｓ_４：Ｅｕ等のＥｕ付活チオアルミネート蛍光体やチオガレー
ト蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ）_８（Ｍｇ，Ｚｎ）（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活ハロ珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。

さらに、（ＢａＭｇ）Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、（ＳｒＢａ）Ａｌ_１２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、（ＢａＭｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ^７−Ｓｒ_２Ｂ_２Ｏ_５：Ｅｕ^２＋、（ＢａＣａＭｇ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８−２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ^２＋、Ｚｒ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋、Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、（Ｓｉ，Ａｌ)_６(Ｏ，Ｎ)_８:Ｅｕ^２＋、Ｃａ_３(Ｓｃ，Ｍｇ)_２Ｓｉ_３Ｏ_１２:Ｃｅ^３＋、ＳｒＳｉ_２(Ｏ，Ｃｌ)_２Ｎ_２: Ｅｕ^２＋等が挙げられる。

無機蛍光体のうち、青色領域の光を発光する青色無機蛍光体としては、例えば、規則的な結晶成長形状として、ほぼ六角形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の光を発光するＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活バリウムマグネシウムアルミネート系蛍光体、規則的な結晶成長形状として、ほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の光を発光する（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活ハロリン酸カルシウム系蛍光体、規則的な結晶成長形状として、ほぼ立方体形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の光を発光する（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２Ｂ_５Ｏ_９Ｃｌ：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、青色領域の光を発光する（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）Ａｌ_２Ｏ_４：Ｅｕまたは（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕで表わされるユウロピウム付活アルカリ土類アルミネート系蛍光体等が挙げられる。

また、青色無機蛍光体としては、例えば、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ等のＳｎ付活リン酸塩蛍光体、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、ＢａＡｌ_８Ｏ_１３：Ｅｕ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ等のＣｅ付活チオガレート蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｔｂ，Ｓｍ等のＥｕ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｍｎ等のＥｕ，Ｍｎ付活アルミン酸塩蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ，Ｍｎ，Ｓｂ等のＥｕ付活ハロリン酸塩蛍光体、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ等のＥｕ付活珪酸塩蛍光体、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ等のＥｕ付活リン酸塩蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等の硫化物蛍光体、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ等のＣｅ付活珪酸塩蛍光体、ＣａＷＯ_４等のタングステン酸塩蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＢＰＯ_５：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｃａ）_１０（ＰＯ_４）_６・ｎＢ_２Ｏ_３：Ｅｕ、２ＳｒＯ・０．８４Ｐ_２Ｏ_５・０．１６Ｂ_２Ｏ_３：Ｅｕ等のＥｕ，Ｍｎ付活硼酸リン酸塩蛍光体、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８・２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ等のＥｕ付活ハロ珪酸塩蛍光体等を用いることも可能である。

さらに、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ_２、０ Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃ_ｌ２：Ｅｕ^２＋、ＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。

無機蛍光体のうち、黄色領域の光を発光する黄色無機蛍光体としては、例えば、各種の酸化物系、窒化物系、酸窒化物系、硫化物系、酸硫化物系等の蛍光体が挙げられる。特に、ＲＥ_３Ｍ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、ＬｕおよびＳｍからなる群から選択される少なくとも１種の元素を表し、Ｍは、Ａｌ、ＧａおよびＳｃからなる群から選択される少なくとも１種の元素を表す。）やＭ_２Ｍ_３Ｍ_４Ｏ_１２：Ｃｅ（ここで、Ｍ_２は２価の金属元素、Ｍ_３は３価の金属元素、Ｍ_４は４価の金属元素を表す。）等で表されるガーネット構造を有するガーネット系蛍光体、ＡＥ_２Ｍ_５Ｏ_４：Ｅｕ（ここで、ＡＥは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素を表し、Ｍ_５は、ＳｉおよびＧｅの少なくともいずれか一方を表す。）等で表されるオルソシリケート系蛍光体、これらの蛍光体の構成元素の酸素の一部が窒素で置換された酸窒化物系蛍光体、ＡＥＡｌＳｉＮ_３：Ｃｅ（ここで、ＡＥは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素を表す。）等のＣａＡｌＳｉＮ_３構造を有する窒化物系蛍光体等のＣｅで付活した蛍光体が挙げられる。

また、黄色無機蛍光体としては、例えば、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｇａ_２Ｓ_４：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｇａ，Ａｌ）_２Ｓ_４：Ｅｕ等の硫化物系蛍光体、Ｃａ_ｘ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ等のＳｉＡｌＯＮ構造を有する酸窒化物系蛍光体等のＥｕで付活した蛍光体を用いることも可能である。

また、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も、蛍光性があれば、緑色蛍光体１３および赤色蛍光体１４以外の他の蛍光体として用いることができる。

このような白色ＬＥＤ１０は、一対のリードフレーム１６Ａ，１６Ｂ間に電圧を印加すると、半導体発光素子１１が青色領域の光（１次光）を発光し、半導体発光素子１１の周囲に配置された蛍光体１３，１４が、この青色領域の光の一部を吸収し、可視光領域の蛍光（２次光）を発することにより、１次光と２次光とが混合された出射光が、ほぼ白色光となるように設計されている。

本実施形態の発光素子（白色ＬＥＤ１０）によれば、半導体発光素子１１と、緑色蛍光体１３と、赤色蛍光体１４と、を備え、赤色蛍光体１４としては、上述の第１実施形態の二核錯体が用いられているので、深赤領域（６５０ｎｍより長波長側の領域）における光の損失がなく、半導体発光素子１１の発光ピーク波長を調節することなく、発光効率に優れた発光素子とすることができる。

［第３実施形態］（色変換基板）
本実施形態の色変換基板は、光透過性を有する透明基板と、その透明基板の一面に設けられ、外光により励起されて、励起波長とは異なる波長の光を発する色変換層と、を備え、色変換層は、上述の第１実施形態の二核錯体を含む。

以下、図４を参照して、本実施形態の色変換基板を詳細に説明する。図４は、本実施形態の色変換基板２０の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の色変換基板２０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａ上に設けられたカラーフィルター層２２と、カラーフィルター層２２上に設けられた色変換層２３と、カラーフィルター層２２および色変換層２３からなる画素（赤色画素３１、緑色画素３２、青色画素３３）を区画する隔壁２４とから概略構成されている。

カラーフィルター層２２のうち赤色画素３１を構成する領域のものは、赤色カラーフィルター層４１である。また、カラーフィルター層２２のうち緑色画素３２を構成する領域のものは、緑色カラーフィルター層４２である。また、カラーフィルター層２２のうち青色画素３３を構成する領域のものは、青色カラーフィルター層４３である。

色変換層２３のうち赤色画素３１を構成する領域のものは、赤色色変換層５１である。また、色変換層２３のうち緑色画素３２を構成する領域のものは、緑色色変換層５２である。また、色変換層２３のうち青色画素３３を構成する領域のものは、青色色変換層５３である。
色変換層２３は、励起光源となる近紫外光、青色光、青緑色光または白色光を吸収し、波長分布変換を行って可視光域の光を発光する。

透明基板２１は、後述する励起光源から発する光を射出する側の基板をなし、光透過性を有する必要がある。透明基板２１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなる透明なプラスチック基板等が挙げられるが、これらの基板に限定されるものではない。
透明基板２１の具体例としては、例えば、液晶ディスプレイ等に一般的に用いられる、厚さ０．７ｍｍのガラス基板が挙げられる。

また、色変換基板２０に湾曲部、折り曲げ部を形成する必要がある場合、透明基板２１としては、上記のプラスチック基板を用いることが好ましい。
また、ガスバリア性を向上させる必要がある場合、透明基板２１としては、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板を用いることがさらに好ましい。これにより、透明基板２１としてプラスチック基板を用いた場合に最大の問題となる、水分の透過による波長変換材料の劣化を防止することができる。

赤色カラーフィルター層４１、緑色カラーフィルター層４２および青色カラーフィルター層４３は、外光のうち、色変換層２３に含まれる各蛍光体を励起する励起光（励起光源から発する光）を吸収するため、外光による色変換層２３の発光を低減・防止することができ、色変換基板２０による表示のコントラストの低下を低減・防止することができる。一方、赤色カラーフィルター層４１、緑色カラーフィルター層４２および青色カラーフィルター層４３によって、色変換層２３に吸収されず、色変換層２３を透過した励起光が外部に漏れ出すことを防止できるので、色変換層２３からの発光と励起光の混色による発光の色純度の低下を防止することができる。

赤色カラーフィルター層４１、緑色カラーフィルター層４２および青色カラーフィルター層４３としては、例えば、染料、顔料および樹脂からなるもの、または、染料、顔料のみからなるものが挙げられる。
染料、顔料および樹脂からなるカラーフィルター層としては、染料、顔料をバインダー樹脂中に溶解または分散させた固形状態のものが挙げられる。
カラーフィルター層に用いられる染料、顔料としては、ペリレン、イソインドリン、シアニン、アゾ、オキサジン、フタロシアニン、キナクリドン、アントラキノン、ジケトピロロピロール等が挙げられる。

色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）は、蛍光体が分散されてなるものであり、蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んで構成されてもよく、これらの材料が高分子材料（透明樹脂）または無機材料中に分散して構成されてもよい。
また、赤色色変換層５１と、緑色色変換層５２と、青色色変換層５３との間には、隔壁２４が形成されていなくてもよいが、赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３からの発光が混色することを防止するために、隔壁２４が形成されていることが好ましい。

赤色色変換層５１は、紫外の波長域から青緑色の波長域の励起光（以下、単に「励起光」と言うこともある。）のうち、紫外の波長域の光（紫外光）、青色の波長域の光、緑色の波長域の光を吸収し、赤色の波長域の光を発光する。
緑色色変換層５２は、励起光のうち、紫外の波長域の光（紫外光）、青色の波長域の光を吸収し、緑色の波長域の光を発光する。
青色色変換層５３は、励起光のうち、紫外の波長域の光（紫外光）を吸収し、青色の波長域の光を発光する。

また、色変換基板２０では、励起光源からの光を画素の光として直接用いてもよい。例えば、励起光として青色の波長域の光を用いた場合、その光を青色画素３３の光として直接用いてもよい。

色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）の厚さは、通常１００ｎｍ〜１００μｍであるが、１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。
色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）の厚さが１００ｎｍ未満であれば、色変換層２３が励起光源から照射される青色の波長域の光を十分吸収することが不可能であるため、色変換効率の低下や、変換光に青色の透過光が混ざることによる発光の色純度の低下といった問題が生じることがある。さらに、励起光源から照射される青色の波長域の光の吸収量を高め、色純度を低下させない程度に、変換光に青色の透過光が混ざること低減するためには、色変換層２３の厚さは、１μｍ以上であることが好ましい。一方、色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）の厚さが１００μｍを超えても、励起光源から照射される青色の波長域の光は、厚さが１００μｍ以下（１００ｎｍ以上）の場合でも十分に吸収されるため、色変換効率の上昇にはつながらない。そのため、単に材料を消費するのみであり、材料コストの増加につながる。

赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３を形成する蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。

赤色蛍光体に用いられる有機系蛍光体材料としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ Ｄ Ｃ Ｍ ）等のシアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート等のピリジン系色素、および、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１等のローダミン系色素、スルホローダミン１０１等、オキサジン系色素等が挙げられる。
赤色蛍光体に用いられる無機系蛍光体材料としては、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋、Ｃａ_２Ｙ_２（ＳｉＯ_４）_６：Ｅｕ^３＋、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋、ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋、ＣａＳ：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ^３＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_５．５Ｆ：Ｍｎ^４＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、および、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５等が挙げられる。
また、赤色蛍光体は、上述の第１実施形態の二核錯体を含む。

緑色蛍光体としては、上述の第１実施形態の二核錯体が用いられる。

本実施形態の色変換基板では、二核錯体は、少なくともＥｕを含み、二核錯体の発光ピーク波長が、６０５ｎｍ以上６２０ｎｍ以下、二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、二核錯体は、少なくともＴｂを含み、二核錯体の発光ピーク波長が、５３５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、二核錯体は、少なくともＳｍを含み、二核錯体の発光ピーク波長が、６３５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下、二核錯体の発光ピークの半値全幅が、１５ｎｍ以下であることが好ましい。

青色蛍光体に用いられる有機系蛍光体材料としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン（Ｂｉｓ−ＭＳＢ）、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベン（ＤＰＳ）等のスチルベン系色素、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン（クマリン４）等のクマリン系色素、ＢＯＱＰ、ＰＢＢＯ、ＢＯＴ、ＰＯＰＯＰ等が挙げられる。
青色蛍光体に用いられる無機系蛍光体材料としては、ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ_２、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋、ＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。

色変換層２３を構成する高分子材料（透明樹脂）としては、可視光領域の４００〜７００ｎｍの全波長領域において透過率が８０％以上のものが好ましく、９５％以上のものがより好ましい。
透明樹脂には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および感光性樹脂が含まれる。また、これらの透明樹脂の前駆体には、放射線照射により硬化して透明樹脂を生成する反応性モノマーまたは反応性オリゴマーが含まれる。これらの反応性モノマーまたは反応性オリゴマーは、１種が用いられるか、または、２種以上が混合されて用いられる。

色変換層２３を構成する高分子材料（透明樹脂）は、反応性モノマーまたは反応性オリゴマーと、透過光に光吸収領域を有する光重合開始剤とから構成されている。

（反応性モノマー、反応性オリゴマー）
反応性モノマーおよび反応性オリゴマーとは、後述する光重合開始剤が光を吸収することにより発生するラジカルによって重合が誘発されるモノマーおよびオリゴマーのことをいい、本発明においては当該性質を有するモノマーおよびオリゴマーであれば、いかなるモノマーおよびオリゴマーも使用可能である。反応性モノマーおよび反応性オリゴマーとしては、少なくとも１つの重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物を用いることができる。反応性モノマーおよび反応性オリゴマーとしては、例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、フルオレン系、シクロオレフィン系、イミド系、シリコーン系、有機・無機ハイブリッド系、ポリカーボネート系、ＴＡＣ系、ポリスチレン系、フッ素系、ポリエチレンテレフタレート系、ＭＳ系、ポリビニルアルコール系、ポバール系、アルキド系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型材料が用いられる。

反応性モノマーおよび反応性オリゴマーとしては、具体的には、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、および、前記のアクリレート基をメタクリレート基に置換したもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート、テトラヒドロフルフリールアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクレリート、ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート、フェノール−エチレンオキサイド変性アクリレート、フェノール−プロピレンオキサイド変性アクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド変性ジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、ペンタエリストールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート等のアクリレートモノマー、および、これらのアクリレート基をメタクリレート基に置換したもの、ポリウレタン構造を有するオリゴマーにアクリレート基を結合させたウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエステル構造を有するオリゴマーにアクリレート基を結合させたポリエステルアクリレートオリゴマー、エポキシ基を有するオリゴマーにアクリレート基を結合させたエポキシアクリレートオリゴマー、ポリウレタン構造を有するオリゴマーにメタクリレート基を結合させたウレタンメタクリレートオリゴマー、ポリエステル構造を有するオリゴマーにメタクリレート基を結合させたポリエステルメタクリレートオリゴマー、エポキシ基を有するオリゴマーにメタクリレート基を結合させたエポキシメタクリレートオリゴマー、アクリレート基を有するポリウレタンアクリレート、アクリレート基を有するポリエステルアクリレート、アクリレート基を有するエポキシアクリレート樹脂、メタクリレート基を有するポリウレタンメタクリレート、メタクリレート基を有するポリエステルメタクリレート、メタクリレート基を有するエポキシメタクリレート樹脂等が挙げられる。

上記の反応性モノマーおよび反応性オリゴマーは、本発明に使用することができる反応性モノマーおよび反応性オリゴマーの一例であり、これらに限定されるものではない。
また、このような反応性モノマーおよび反応性オリゴマーの含有量は、色変換層２３を構成する高分子材料（透明樹脂）の不揮発成分の１０〜９０質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％であることがより好ましい。

反応性モノマーおよび反応性オリゴマーは、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応性モノマーおよび反応性オリゴマーの中でも、３官能以上の多官能アクリレートモノマーは、特に好適に用いられる。

（光重合開始剤）
光重合開始剤とは、光を吸収することによりラジカルを発生し、上記の反応性モノマーおよび反応性オリゴマーの重合反応を開始させるためのものである。
光重合開始剤としては、ラジカル発生型の光重合開始剤、酸発生型の光重合開始剤、塩基発生型の光重合開始剤、可視光重合開始剤等が用いられる。
酸発生型の光重合開始剤は、紫外線等を照射することで、酸が発生し、ビニル基、エポキシ基等のカチオン重合性官能基を有する物質の重合を開始させる。

可視光重合開始剤としては、例えば、アシルホスフィンオキシド化合物、α−アミノアルキルフェノン化合物、α−ヒドロキシアルキルフェノン化合物、チタノセン型光重合開始剤、水素引抜型のラジカル型光重合開始剤、オキシムエステル型光重合開始剤、カチオン型光重合開始剤および酸発生剤等が挙げられる。これらの可視光重合開始剤の中でも、アシルホスフィンオキシド化合物が特に好ましい。

アシルホスフィンオキシド化合物としては、例えば、モノアシルホスフィンオキシドおよびビスアシルホスフィンオキシド等が挙げられる。
アシルホスフィンオキシド化合物としては、具体的には、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、Ｎ，Ｎ’テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、２−エチルアントラキノン、フェナントレン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル類、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール２量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール２量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール２量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール２量体、２，４，５−トリアリールイミダゾール２量体、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン、２−トリクロロメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（ｐ−シアノスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（ｐ−メトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール等のハロメチルチアゾール化合物、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ｐ−メトキシスチリル−Ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（１−ｐ−ジメチルアミノフェニル−１，３−ブタジエニル）−Ｓ−トリアジン、２−トリクロロメチル−４−アミノ−６−ｐ−メトキシスチリル−Ｓ−トリアジン、２−（ナフト−１−イル）−４，６−ビス−トリクロロメチル−Ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス−トリクロロメチル−Ｓ−トリアジン、２−（４−ブトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス−トリクロロメチル−Ｓ−トリアジン等のハロメチル−Ｓ−トリアジン系化合物、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパノン、１，２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、イルガキュア−３６９（チバスペシャルティケミカルズ社製）、イルガキュア−６５１（チバスペシャルティケミカルズ社製）、イルガキュア−９０７（チバスペシャルティケミカルズ社製）等の光重合開始剤が挙げられる。
これらの光重合開始剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。

光硬化型材料の硬化に使用する光としては、例えば、紫外光、可視光、近赤外線光、白熱灯、蛍光灯および太陽光等が挙げられる。このような光を照射できる光源としては、例えば、カーボンアーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ハロゲンランプ、蛍光ランプ、タングステンランプ、可視光レーザー、発光ダイオード（ＬＥＤ）等が挙げられる。
光源の具体例としては、例えば、放射波長３６０〜６００ｎｍの範囲内のある領域の近紫外光または可視光を照射することができ、軽量かつ小型の半導体レーザーおよびＬＥＤ等が挙げられる。
半導体レーザーとしては、例えば、半導体バイオレットレーザー、半導体ブルーバイオレットレーザー、半導体ブルーレーザー等が挙げられる。
ＬＥＤとしては、例えば、青色ＬＥＤが挙げられる。
また、上記以外に、光硬化型材料の硬化に使用する光としては、長波長の可視光、赤外線および近赤外線レーザー照射機も用いることができる。
さらに、これらの光源とモノクロメータやカットフィルターを用い、特定波長の光のみ用いてもよい。

また、光硬化型材料の硬化に用いられる光としては、透明基板２１側から入射させ、カラーフィルター層２２（赤色カラーフィルター層４１、緑色カラーフィルター層４２、青色カラーフィルター層４３）を透過した光を用いてもよい。
このとき、赤色カラーフィルター層４１上に配設された赤色色変換層５１を構成する光硬化型材料を重合（硬化）させるとき、赤色カラーフィルター層４１を透過した赤色の波長域の光を、光硬化型材料を硬化させる光として用いる。
また、緑色カラーフィルター層４２上に配設された緑色色変換層５２を構成する光硬化型材料を重合（硬化）させるとき、緑色カラーフィルター層４２を透過した緑色の波長域の光を、光硬化型材料を硬化させる光として用いる。
また、青色カラーフィルター層４３上に配設された青色色変換層５３を構成する光硬化型材料を重合（硬化）させるとき、青色カラーフィルター層４３を透過した青色の波長域の光を、光硬化型材料を硬化させる光として用いる。

このとき、赤色色変換層５１を構成する光硬化型材料としては、赤色カラーフィルター層４１を透過した赤色の波長域の光で重合（硬化）するものが用いられる。
また、緑色色変換層５２を構成する光硬化型材料としては、緑色カラーフィルター層４２を透過した緑色の波長域の光で重合（硬化）するものが用いられる。
また、青色色変換層５３を構成する光硬化型材料としては、青色カラーフィルター層４３を透過した青色の波長域の光で重合（硬化）するものが用いられる。

上記の青色色変換層５３を構成する光硬化型材料に含まれる光重合開始剤としては、上記の光重合開始剤のうち、芳香族ケトン類、ベンゾインエーテル類、ベンゾイン類、イミダゾール２量体類、ハロメチルチアゾール化合物、ハロメチル−Ｓ−トリアジン系化合物、ベンゾフェノン、［４−（メチルフェニルチオ）フェニル］フェニルメタノン、エチルアントラキノン、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、メチルベンゾインホルメート、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、２，４，６−トリメチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、（２−ヒドロキシ−２−メチル−１−（４−（１−メチルビニル）フェニル）プロパノン、２−［（２−ジメチルアミノエチル）アミノ］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン−ジメチル硫酸塩、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、Ｏｃｔｅｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製のＱＵＡＮＴＡＣＵＲＥ ＩＴＸ，ＡＢＱ，ＣＰＴＸ，ＢＭＳ，ＥＰＤ，ＤＭＢ，ＭＣＡ，ＥＨＡ、みどり化学製のＴＡＺ−１００，１０１，１０２，１０４，１０６，１０７，１０８、等が用いられる。

上記の緑色色変換層５２を構成する光硬化型材料に含まれる光重合開始剤としては、上記の青色色変換層５３を構成する光硬化型材料に含まれる光重合開始剤、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイドやビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド、Ｏｃｔｅｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製のＱＵＡＮＴＡＣＵＲＥ ＱＴＸ、みどり化学製のＴＡＺ−１１０，１１３，１１８，１２０，１２１，１２２，１２３、Ｌａｍｂｅｒｔｉ製のＥＳＡ ＣＵＲＥ ＫＴＯ４６等が用いられる。

上記の赤色色変換層５１を構成する光硬化型材料に含まれる光重合開始剤としては、上記の青色色変換層５３を構成する光硬化型材料に含まれる光重合開始剤、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウムやη５−シクロペンタジエニル−η６−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフルオロフォスフェイト（１−）等のメタロセン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、みどり化学社製のＴＡＺ−１１４等が用いられる。

色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）には、光散乱層を適用してもよい。
光散乱層を形成する材料としては、樹脂中に光散乱性粒子を分散したものを用いることが好ましい。
光散乱性粒子としては、有機材料により構成された粒子（有機微粒子）、無機材料または無機材料により構成された粒子（無機微粒子）が用いられるが、無機微粒子が好ましい。光散乱層を形成する材料として光散乱性粒子を用いることにより、外部（例えば、発光素子）からの指向性を有する光を、より等方的かつ効果的に拡散または散乱させることができる。特に、無機微粒子を用いることにより、光および熱に安定な光散乱層を形成することができる。
また、光散乱性粒子としては、透明度が高いものであることが好ましい。
また、光散乱性粒子としては、母材となる樹脂よりも高屈折率のものであることが好ましい。
また、励起光が光散乱層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が好ましい。

光散乱性粒子として、有機微粒子を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル−スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。

光散乱性粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。
また、光散乱性粒子として、無機微粒子を用いる場合には、例えば、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（屈折率 アナタース型：２．５０、ルチル型：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）（屈折率：２.４）等が挙げられる。

光散乱性粒子と混合して用いられ、光散乱層を形成する樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂（屈折率：１．４９）、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。

また、色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）における透明基板１１とは反対側の面（以下、「一方の面」と言うこともある。）２３ａを覆うように、封止膜が設けられていてもよい。
封止膜は、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて、色変換層２３の一方の面２１３ａに樹脂を塗布することによって形成される。あるいは、色変換層２３の一方の面２３ａを覆うように、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等からなる無機膜を形成した後、さらに、その無機膜を覆うように、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布するか、または、無機膜を覆うように樹脂膜を貼り合わせることによって、封止膜を形成することもできる。

この封止膜により、色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）に、外部からの酸素や水分が混入するのを防止することができ、ひいては、色変換層２３の劣化を低減することができる。さらに、色変換基板２０を表示装置に適用したとき、色変換層２３に含まれる酸素や水分が液晶層、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等に到達し、液晶層、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等を劣化させることを防止することができる。

さらに、封止膜における色変換層２３と接する面とは反対側の面を覆うように、平坦化膜が設けられていてもよい。
平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
平坦化膜の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。
また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。
この平坦化膜により、色変換基板２０を、有機光源または液晶層と組み合わせた場合に、色変換基板２０と、有機光源または液晶層との間に空隙が生じることを防止でき、かつ、色変換基板２０と、有機光源または液晶層との密着性を向上することができる。

透明基板２１の一方の面２１ａにおいて、色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）からなる各画素（赤色画素３１、緑色画素３２、青色画素３３）間には、光吸収性の隔壁２４が設けられている。この隔壁２４により、色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）の蛍光体が発光した光を吸収し、色変換基板２０の隣接する画素間において、発光色のコントラストを向上することができる。
隔壁２４の膜厚は、通常、１００ｎｍ〜１００μｍ程度であるが、１００ｎｍ〜１０μｍであることが好ましい。

また、隔壁２４は、光反射性または光散乱性のバンクをなしていることが好ましい。これにより、色変換層２３（赤色色変換層５１、緑色色変換層５２、青色色変換層５３）からの等方発光のうち、側面方向へ発光（色変換層２３を通しての導波成分）して、透明基板２１側に取り出すことができない発光の損失成分を、光反射性または光散乱性のバンクにより、所望の画素内に反射、散乱させることで、発光を有効利用することができるようになり、所望の画素以外への発光の漏れによる色純度の低下を防止することができる。また、色変換層２３からの発光を、各画素内に反射させることができるようになり、色変換層２３からの発光を有効利用できるので、発光効率を向上することができるとともに、消費電力を低下させることができる。
さらに、光反射性または光散乱性のバンクの膜厚は、色変換層２３の総膜厚より厚いことが好ましい。これにより、色変換層２３内を導波し、側面方向へ発光して、透明基板２１側に取り出すことができない発光の損失成分を有効利用することができるようになる。

光反射性または光散乱性のバンクを形成する材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属等の反射膜、酸化チタン等の散乱膜が挙げられる。

隔壁２４の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ_２Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料、金、銀、アルミニウム等の金属等が挙げられる。
隔壁２４の材料として、金属を用いることにより、色変換層２３に含まれる蛍光体からの発光を反射させ、所望の方向にのみ、発光させることが可能となり、ひいては、発光効率を向上させることができるため好ましい。また、隔壁２４自体が反射性でない場合、隔壁２４上に金属からなる反射膜を形成すれば、色変換層２３に含まれる蛍光体からの発光を所望の方向に反射させることが可能となる。また、隔壁２４上に金属からなる反射膜を形成する方法としては、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、隔壁２４のパターニング方法としては、従来のフォトリソグラフィー法等が挙げられる。

本実施形態の色変換基板２０は、外光の発光ピーク波長は、３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であることが好ましい。

次に、色変換基板の製造方法の一例を説明する。
（ブラックマトリックスの形成）
厚さが０．７ｍｍの５インチのガラス基板を水洗後、純水超音波洗浄を１０分間、アセトン超音波洗浄を１０分間、２−プロパノール蒸気洗浄を５分間、この順序でそれぞれ行い、１００℃で１時間、ガラス基板を乾燥させる。
次いで、ブラックマトリックス形成用組成物としてＢＫレジスト（東京応化社製）を、スピンコート法によって洗浄済みのガラス基板上に塗布し、７０℃で１５分間プリベークして膜厚１μｍの塗膜を形成する。この塗膜上に、目的とするパターンを形成するためのフォトマスク（画素ピッチ５７μｍ、線幅６μｍ、サブピクセルサイズ１３μｍ×５１μｍ）を設置し、ｉ線を露光量１００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、塗膜を露光する。次いで、現像液として炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行うことで、膜厚１μｍの画素パターン状のブラックマトリックスを形成する。

（隔壁の形成）
次いで、隔壁形成用組成物として、アクリル系樹脂、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、カップリング剤、光酸発生剤および有機溶媒から配合されてなるポジ型レジストを用い、ブラックマトリックスを形成したガラス基板上に、スピンコート法によって、このバンク形成用組成物を塗布し、９０℃で２分間プリベークして膜厚１０μｍの塗膜を形成する。この塗膜上に、ブラックマトリックス上に隔壁が形成される様に設計されたフォトマスクを設置し、ｉ線を露光量３００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、塗膜を露光する。
次いで、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像することで、画素パターン状の構造物を得る。引き続き、ポスト露光（ｉ線を露光量３００ｍＪ／ｃｍ^２照射）した後、２２０℃、１時間ポストベイクすることで、膜厚８μｍの隔壁を形成する。

（反射層の形成）
次いで、隔壁が形成された基板の表面にアルミニウム１００ｎｍを真空蒸着により形成した後に、既存の金属薄膜パターン形成用のポジ型レジストをスピンコート法により塗布し、隔壁を含む基板表面の全面を覆う。
次いで、隔壁の領域に、該ポジ型レジストが残るように設計されたフォトマスクを介して露光し、現像、アルミニウムのエッチング液に浸漬することで、画素領域のアルミニウム薄膜を除去する。
次いで、隔壁の領域に残った該ポジ型レジストをアセトンに浸漬することで剥離し、隔壁の表面だけに、アルミニウムからなる反射層を形成する。

（色変換層の形成）
次いで、反射層が形成された隔壁によって区画された各サブピクセル領域に、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルターおよび青色カラーフィルターを、既存のフォトリソグラフィー法によってパターニングして形成する。これらカラーフィルターの膜厚は、すべて２μｍである。
次いで、赤色変換材料として、上述の第１実施形態の二核錯体（青色から赤色への色変換材料）を既存のネガ型レジスト中の樹脂成分に対して１質量％となる量だけ加え、超音波を掛けて溶解させ、溶液（赤色変換層用組成物）を得る。
次いで、得られた溶液を反射層、隔壁およびブラックマトリックスが形成された基板に塗布し、スピンコート法により塗膜を得る。
次いで、得られた塗膜に対して、隔壁によって区画され、赤色カラーフィルターが形成されたサブピクセル領域だけに光が照射されるように設計されたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、前記塗膜を硬化させる。さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、パターンを形成する。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することで、赤色変換層を形成する。
次いで、緑色変換材料として、上述の第１実施形態の二核錯体（青色から緑色への色変換材料）を用いること以外は赤色変換材料と同様の手法にて、該材料を含む緑色変換層を緑色カラーフィルターが形成されたサブピクセル領域だけに形成する。このときの赤色変換層と緑色変換層の膜厚は、共に５μｍである。

（光散乱層の形成）
次いで、光散乱粒子として平均粒径２００ｎｍの酸化チタンを、バインダー樹脂であるエポキシ樹脂（日本化薬社製「ＳＵ−８」）に加えて、自動乳鉢でよくすり混ぜた後、分散攪拌装置（プライミクス社製「フィルミックス（登録商標）４０−４０型」）を用いて、これを１５分間攪拌することにより、光散乱層形成用組成物を調製する。
次いで、得られた光散乱層形成用組成物を緑色変換層まで形成されたガラス基板上に塗布し、スピンコート法により塗膜を形成する。
次いで、得られた塗膜に対して、窒素雰囲気下において、青色カラーフィルターが形成されたサブピクセル領域だけに光が照射されるように設計されたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、前記塗膜を硬化させる。さらに、この硬化物を備えたガラス基板を有機溶媒に浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、パターンを形成する。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することで、光散乱層（青色光散乱層）を形成する。得られた光散乱層の厚さは４μｍである。

以上により、上述の第１実施形態二核錯体を色変換材料として用いた色変換基板を得る。
得られた色変換基板は、青色の入射光源として、青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた基板や、青色バックライトに、液晶やマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）による光の透過と遮光のスイッチングを備えた基板を用いることで、カラー表示が可能な色変換方式のディスプレイが得られる。

［第４実施形態］（照明装置）
本実施形態の照明装置は、上述の第２実施形態の発光素子を備えてなる。

以下、図５および図６を参照して、本実施形態の照明装置を詳細に説明する。
図５は、本実施形態の照明装置の第１例として、シーリングライトを示す概略斜視図である。
本実施形態のシーリングライト６０は、発光部６１と、吊下線６２と、電源コード６３とから概略構成されている。そして、発光部６１は、上述の第２実施形態の発光素子から構成されている。

図６は、本実施形態の照明装置の第２例として、照明スタンドを示す概略斜視図である。
本実施形態の照明スタンド７０は、発光部７１と、スタンド７２と、メインスイッチ７３と、電源コード７４とから概略構成されている。そして、発光部７１は、上述の第２実施形態の発光素子から構成されている。

本実施形態のシーリングライト６０は、発光部６１が上述の第２実施形態の発光素子から構成されていることにより、特に発光効率に優れる。
また、本実施形態の照明スタンド７０は、発光部７１が上述の第２実施形態の発光素子から構成されていることにより、特に発光効率に優れる。
上述の本実施形態の照明装置は、各種電子機器への適用に好適である。

［第５実施形態］（電子機器）
本実施形態の電子機器は、上述の第２実施形態の発光素子を備えてなる。

以下、図７〜図１０を参照して、本実施形態の電子機器を詳細に説明する。
図７は、本実施形態の電子機器の第１例として、携帯電話を示す概略正面図である。
本実施形態の携帯電話８０は、音声入力部８１と、音声出力部８２と、アンテナ８３と、操作スイッチ８４と、表示部８５と、筐体８６とから概略構成されている。そして、表示部８５は、バックライトとして、上述の第２実施形態の発光素子を備える。

図８は、本実施形態の電子機器の第２例として、薄型テレビを示す概略正面図である。
本実施形態の薄型テレビ９０は、表示部９１と、スピーカ９２と、キャビネット９３と、スタンド９４とから概略構成されている。そして、表示部９１は、バックライトとして、上述の第２実施形態の発光素子を備える。

図９は、本実施形態の電子機器の第３例として、携帯型ゲーム機を示す概略正面図である。
本実施形態の携帯型ゲーム機１００は、操作ボタン１０１，１０２と、外部接続端子１０３と、表示部１０４と、筐体１０５とから概略構成されている。そして、表示部１０４は、バックライトとして、上述の第２実施形態の発光素子を備える。

図１０は、本実施形態の電子機器の第４例として、ノートパソコンを示す概略斜視図である。
本実施形態のノートパソコン１１０は、表示部１１１と、キーボード１１２と、タッチパッド１１３と、メインスイッチ１１４と、カメラ１１５と、記録媒体スロット１１６と、筐体１１７とから概略構成されている。そして、表示部１１１は、バックライトとして、上述の第２実施形態の発光素子を備える。

上述の本実施形態の電子機器は、いずれも上述の第２実施形態の発光素子を備えているので、特に優れた発光効率で映像を表示できる。

以上、本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲内において、設計要求等に基づき種々変更可能である。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
合成原料として、Ｅｕｒｏｐｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ ｍｏｎｏｈｙｄｒａｔｅ（酢酸ユウロピウム・ｎ水和物／Ｅｕ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_３・ｎＨ_２Ｏ；純度９９．９％、レアメタリック社製）、２，４−Ｐｅｎｔａｎｅｄｉｏｎｅ，１，１，１，５，５，５−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏ（ヘキサフロロペンタジオン／Ｃ_５Ｈ_２Ｆ_６Ｏ_２；ＣＡＳ．１５２２−２２−１、純度９５％、東京化成社製）を用いた。
酢酸ユウロピウムの分子量は、ｎ＝２と仮定すると、約３６５．１３[ｇ／ｍｏｌ]である。ヘキサフロロペンタジオンの分子量は、約２０８．０６[ｇ／ｍｏｌ]である。
酢酸ユウロピウム粉末を７．０２０ｇ秤量し、三口フラスコに投入した。
次いで、三口フラスコに純水を５０ｍＬ投入した。回転子を用いて、室温で撹拌しながら酢酸ユウロピウム粉末を純水に溶解させた。
次いで、ヘキサフロロペンタジオン約１０ｇを秤量し、滴下漏斗を用いてゆっくりと酢酸ユウロピウム水溶液に滴下した。酢酸ユウロピウムとヘキサフロロペンタジオンの配合モル比は約１：２．５である。
滴下完了後、室温・大気中にて約３時間、回転子を用いて混合溶液を撹拌した。混合溶液は徐々に白濁し固体物が析出した。３時間撹拌後、吸引濾過し析出物を分離した。
この工程により、約１１．１８ｇの固体合成物（ユウロピウム二核錯体）が得られた。

次に、得られた固体合成物の結晶性を向上させるため、メタノール−水混合溶媒による再結晶工程を２回行った。
まず、ビーカーを用い、良溶媒であるメタノール約５０ｍＬに固体合成物（ユウロピウム二核錯体）を加え、室温にて完全に溶解させた。
次いで、ユウロピウム二核錯体の溶液に、室温にて貧溶媒である純水を少量ずつ加え、溶液が白濁するまで純水を加え続けた。
溶液が白濁したら、溶液の温度を約６５℃に昇温し、析出物を完全に溶解させた。このときの純水の添加量は約３８ｍＬであった。
この溶液を断熱性の高い箱の中に、約１日放置して、溶液を徐冷した。これにより、白色の棒状の結晶が析出した。
次いで、吸引濾過により、溶液から結晶を分離した。
以上の工程（再結晶工程）を２回行った。その結果、最終的に得られた結晶（ユウロピウム二核錯体）は４．４１ｇであった。

（単結晶Ｘ線構造解析）
得られた結晶の構造を同定するために、単結晶Ｘ線構造解析を行った。
単結晶Ｘ線構造解析装置としては、「ＸｔａＬＡＢ Ｐ２００ ＭＭ００７ＨＦ−ＤＷ」（リガク社製）を用いた。
試料サイズは０．１３ｍｍ×０．０２ｍｍ×０．００１ｍｍであった。
結晶は低温装置のガス流にて急速凍結させた。
測定温度を−１８０℃とした。
Ｘ線源はＣｕＫα（λ＝１．５４１８７Å）であった。
回折データを解析した結果、図２に示すユーロピウム二核錯体（上記一般式（６）で表わされる二核錯体）が得られていることを確認できた。

（フーリエ変換型赤外分光）
得られた結晶に対して、ＫＢｒ法により、フーリエ変換型赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）スペクトルを測定した。
Ｃ＝Ｏの伸縮振動に対応する波数ν＝１６５０ｃｍ^−１、および、Ｃ−Ｆの伸縮振動に対応する波数ν＝１１４５ｃｍ^−１〜１２５８ｃｍ^−１付近に吸収ピークが得られたことから、上記式（１０）で表されるヘキサフロロアセチルアセトン（Ｃ_５Ｏ_２Ｈ_２Ｆ_６）のアニオン（（Ｃ_５Ｏ_２ＨＦ_６）⁻）が配位していることが推測できた。

（液体クロマトグラフィー測定）
得られた結晶に対して、液体クロマトグラフィー測定を行った。
溶媒としてはアセトニトリルを用い、カラムとしては逆相カラムを用いた（逆相クロマトグラフィー）。
波長２５４ｎｍの紫外光の吸光度の時間変化をモニタした。
その結果、吸光度のピークは単一ピークが得られたことから、合成したユウロピウム二核錯体はほぼ単一組成の物質が得られていることが推測できた。

また、励起・発光スペクトル測定装置 Ｆｌｕｏｒｏ Ｍａｘ−４（堀場製作所社製）を用いて、得られたユウロピウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｅｕ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）の励起スペクトルおよび発光スペクトルを測定した。励起スペクトルの測定において、光検出波長を６１４ｎｍとした。発光スペクトルの測定において、励起波長を４５０ｎｍとした。励起スペクトルの測定結果を図１１に示す。発光スペクトルの測定結果を図１２に示す。
図１１の結果から、ユウロピウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｅｕ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）の励起帯域は波長２５０ｎｍ〜４７５ｎｍとなり、広帯域に広がっており、励起スペクトルがブロードであった。また、図１２の結果から、ユーロピウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｅｕ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）は、発光ピーク波長が６１４ｎｍであり、発光スペクトルがシャープであった。

［実施例２］
合成原料として、Ｔｅｒｂｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ ｍｏｎｏｈｙｄｒａｔｅ（酢酸テルビウム・ｎ水和物／Ｅｕ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_３・ｎＨ_２Ｏ；純度９９．９％、レアメタリック社製）、２，４−Ｐｅｎｔａｎｅｄｉｏｎｅ，１，１，１，５，５，５−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏ（ヘキサフロロペンタジオン／Ｃ_５Ｈ_２Ｆ_６Ｏ_２；ＣＡＳ．１５２２−２２−１、純度９５％、東京化成社製）を用いた。
酢酸テルビウムの分子量は、ｎ＝２と仮定すると、約３７２．０９[ｇ／ｍｏｌ]である。ヘキサフロロペンタジオンの分子量は、約２０８．０６[ｇ／ｍｏｌ]である。
酢酸テルビウム粉末を７．１５３ｇ秤量し、三口フラスコに投入した。
次いで、三口フラスコに純水を５０ｍＬ投入した。回転子を用いて、室温で撹拌しながら酢酸テルビウム粉末を純水に溶解させた。
次いで、ヘキサフロロペンタジオン約１０ｇを秤量し、滴下漏斗を用いてゆっくりと酢酸テルビウム水溶液に滴下した。酢酸テルビウムとヘキサフロロペンタジオンの配合モル比は約１：２．５である。
滴下完了後、室温・大気中にて約３時間、回転子を用いて混合溶液を撹拌した。混合溶液は徐々に白濁し固体物が析出した。３時間撹拌後、吸引濾過し析出物を分離した。
この工程により、約１０．２０６ｇの固体合成物（テルビウム二核錯体）が得られた。

次に、得られた固体合成物の結晶性を向上させるため、メタノール−水混合溶媒による再結晶工程を２回行った。
まず、ビーカーを用い、良溶媒であるメタノール約５０ｍＬに固体合成物（テルビウム二核錯体）を加え、室温にて完全に溶解させた。
次いで、テルビウム二核錯体の溶液に、室温にて貧溶媒である純水を少量ずつ加え、溶液が白濁するまで純水を加え続けた。
溶液が白濁したら、溶液の温度を約６５℃に昇温し、析出物を完全に溶解させた。このときの純水の添加量は約３８ｍＬであった。
この溶液を断熱性の高い箱の中に、約１日放置して、溶液を徐冷した。これにより、白色の棒状の結晶が析出した。
次いで、吸引濾過により、溶液から結晶を分離した。
以上の工程（再結晶工程）を２回行った。その結果、最終的に得られた結晶（テルビウム二核錯体）は３．９７５ｇであった。

励起・発光スペクトル測定装置 Ｆｌｕｏｒｏ Ｍａｘ−４（堀場製作所社製）を用いて、得られたテルビウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｔｂ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）の励起スペクトルおよび発光スペクトルを測定した。励起スペクトルの測定において、光検出波長を５４２ｎｍとした。発光スペクトルの測定において、励起波長を４５０ｎｍとした。励起スペクトルの測定結果を図１３に示す。発光スペクトルの測定結果を図１４に示す。
図１３の結果から、テルビウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｔｂ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）の励起帯域は波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍとなり、広帯域に広がっており、励起スペクトルがブロードであった。また、図１４の結果から、テルビウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｔｂ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）は、発光ピーク波長が５４０ｎｍであり、発光スペクトルがシャープであった。

［実施例３］
合成原料として、Ｓａｍａｒｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ ｍｏｎｏｈｙｄｒａｔｅ（酢酸サマリウム・ｎ水和物／Ｓｍ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_３・ｎＨ_２Ｏ；純度９９．９％、レアメタリック社製）、２，４−Ｐｅｎｔａｎｅｄｉｏｎｅ，１，１，１，５，５，５−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏ（ヘキサフロロペンタジオン／Ｃ_５Ｈ_２Ｆ_６Ｏ_２；ＣＡＳ．１５２２−２２−１、純度９５％、東京化成社製）を用いた。
酢酸サマリウムの分子量は、ｎ＝２と仮定すると、約３６３．５２[ｇ／ｍｏｌ]である。ヘキサフロロペンタジオンの分子量は、約２０８．０６[ｇ／ｍｏｌ]である。
酢酸サマリウム粉末を６．９８７ｇ秤量し、三口フラスコに投入した。
次いで、三口フラスコに純水を５０ｍＬ投入した。回転子を用いて、室温で撹拌しながら酢酸サマリウム粉末を純水に溶解させた。
次いで、ヘキサフロロペンタジオン約１０ｇを秤量し、滴下漏斗を用いてゆっくりと酢酸サマリウム水溶液に滴下した。酢酸サマリウムとヘキサフロロペンタジオンの配合モル比は約１：２．５である。
滴下完了後、室温・大気中にて約３時間、回転子を用いて混合溶液を撹拌した。混合溶液は徐々に白濁し固体物が析出した。３時間撹拌後、吸引濾過し析出物を分離した。
この工程により、約１０．３０７ｇの固体合成物（サマリウム二核錯体）が得られた。

次に、得られた固体合成物の結晶性を向上させるため、メタノール−水混合溶媒による再結晶工程を２回行った。
まず、ビーカーを用い、良溶媒であるメタノール約５０ｍＬに固体合成物（サマリウム二核錯体）を加え、室温にて完全に溶解させた。
次いで、サマリウム二核錯体の溶液に、室温にて貧溶媒である純水を少量ずつ加え、溶液が白濁するまで純水を加え続けた。
溶液が白濁したら、溶液の温度を約６５℃に昇温し、析出物を完全に溶解させた。このときの純水の添加量は約３８ｍＬであった。
この溶液を断熱性の高い箱の中に、約１日放置して、溶液を徐冷した。これにより、白色の棒状の結晶が析出した。
次いで、吸引濾過により、溶液から結晶を分離した。
以上の工程（再結晶工程）を２回行った。その結果、最終的に得られた結晶（サマリウム二核錯体）は４．０６８ｇであった。

励起・発光スペクトル測定装置 Ｆｌｕｏｒｏ Ｍａｘ−４（堀場製作所社製）を用いて、得られたサマリウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｓｍ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）の励起スペクトルおよび発光スペクトルを測定した。励起スペクトルの測定において、光検出波長を６４１ｎｍとした。発光スペクトルの測定において、励起波長を４００ｎｍとした。励起スペクトルの測定結果を図１５に示す。発光スペクトルの測定結果を図１６に示す。
図１５の結果から、サマリウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｓｍ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）の励起帯域は波長３００ｎｍ〜４６０ｎｍとなり、広帯域に広がっており、励起スペクトルがブロードであった。また、図１６の結果から、サマリウム二核錯体（Ｃ_２４Ｈ_１８Ｓｍ_２Ｆ_２４Ｏ_１６）は、発光ピーク波長が６４０ｎｍであり、発光スペクトルがシャープであった。

以上、実施例１〜３の希土類錯体は、白色ＬＥＤの励起光源として広く用いられている近紫外ＬＥＤ素子や青色ＬＥＤ素子を用いた場合の励起波長である４００ｎｍ〜４５０ｎｍにも励起帯が存在し、発光ピーク波長が５４０ｎｍ〜６４０ｎｍに存在するので、一般的に使用されている近紫外ＬＥＤ素子や青色ＬＥＤ素子と組合せて、白色ＬＥＤに適用することができる。

本発明は、白色ＬＥＤに利用可能である。

１０・・・白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ）、１１・・・半導体発光素子、１３・・・蛍光体（緑色蛍光体）、１４・・・蛍光体（赤色蛍光体）、１５・・・枠体、１６（１６Ａ，１６Ｂ）・・・リードフレーム、１７・・・ボンディングワイヤ、１８・・・沈降抑制材。

Claims (19)

1. 第１錯体構造と第２錯体構造とが対をなしてなる基本骨格を有する二核錯体であって、
   前記第１錯体構造および前記第２錯体構造は、カルボン酸アニオンに希土類元素カチオンが化学結合してなり、
   前記第１錯体構造の一方の酸素は、前記第１錯体構造中の前記希土類元素カチオンに結合し、
   前記第１錯体構造の他方の酸素は、前記第１錯体構造中の前記希土類元素カチオンと、前記第２錯体構造中の前記希土類元素カチオンと結合していることを特徴とする二核錯体。
2. 前記基本骨格は、下記一般式（１）で表わされることを特徴とする請求項１に記載の二核錯体。
   

   

   （式中、Ｒは、水素原子、重水素原子、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ａは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選択される少なくとも１種のカチオンを表わす。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子を表す。）
3. 前記第１錯体構造の前記希土類元素カチオンおよび前記第２錯体構造の前記希土類元素カチオンのそれぞれに、光を吸収し、その光エネルギーを前記希土類元素カチオンに供給する光増感性の配位子が少なくとも１個配位結合していることを特徴とする請求項１または２に記載の二核錯体。
4. 前記第１錯体構造の前記希土類元素カチオンおよび前記第２錯体構造の前記希土類元素カチオンのそれぞれに、光を吸収し、その光エネルギーを前記希土類元素カチオンに供給する光増感性の配位子が２個または３個配位結合していることを特徴とする請求項３に記載の二核錯体。
5. 前記配位子は、少なくともπ共役を有することを特徴とする請求項３または４に記載の二核錯体。
6. 前記配位子は、２座配位子であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の二核錯体。
7. 前記配位子は、下記一般式（２）〜（４）で表わされることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の二核錯体。
   

   

   （式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表し、Ｄは、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表す。）
   

   

   （式中、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表す。Ｘは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表す。）
   

   

   （式中、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立して、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素基、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した基を表し、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立して、炭素を除くＩＶｂ族原子、窒素を除くＶｂ族原子、酸素を除くＶＩｂ族原子を表わし、Ｙは、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、リン原子を表わす。ａおよびｂは、それぞれ独立して、０または１を表わす。）
8. 前記配位子は、下記一般式（５）で表わされることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の二核錯体。
   

   

   （式中、Ｒ^７は、Ｃ_ｎＨ_ｍで表される炭化水素類、Ｃ_ｎＨ_ｍＸで表される炭化水素からＨを他の元素に置換した類を表す。Ｘ^３は、炭素を除くＩＶｂ族原子、窒素を除くＶｂ族原子、酸素を除くＶＩｂ族原子を表わし、ｃは、０または１を表わす。）
9. 半導体発光素子と、該半導体発光素子全体を包囲する樹脂と、該樹脂中に分散され、前記半導体発光素子からの発光により励起されて、励起波長とは異なる波長の蛍光を発する少なくとも２つの蛍光体と、を備え、
   前記２つの蛍光体の１つは、請求項１〜８のいずれか１項に記載の二核錯体からなることを特徴とする発光素子。
10. 前記半導体発光素子からの発光の発光ピーク波長は、３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の発光素子。
11. 前記二核錯体は、少なくともＥｕを含み、
    前記二核錯体の発光ピーク波長は、６０５ｎｍ以上６２０ｎｍ以下、
    前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光素子。
12. 前記二核錯体は、少なくともＴｂを含み、
    前記二核錯体の発光ピーク波長は、５３５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、
    前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光素子。
13. 前記二核錯体は、少なくともＳｍを含み、
    前記二核錯体の発光ピーク波長は、６３５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下、
    前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光素子。
14. 光透過性を有する透明基板と、該透明基板の一面に設けられ、外光により励起されて、励起波長とは異なる波長の光を発する色変換層と、を備え、
    前記色変換層は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の二核錯体を含むことを特徴とする色変換基板。
15. 前記外光の発光ピーク波長は、３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の色変換基板。
16. 前記二核錯体は、少なくともＥｕを含み、
    前記二核錯体の発光ピーク波長は、６０５ｎｍ以上６２０ｎｍ以下、
    前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の色変換基板。
17. 前記二核錯体は、少なくともＴｂを含み、
    前記二核錯体の発光ピーク波長は、５３５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下、
    前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の色変換基板。
18. 前記二核錯体は、少なくともＳｍを含み、
    前記二核錯体の発光ピーク波長は、６３５ｎｍ以上６５０ｎｍ以下、
    前記二核錯体の発光ピークの半値全幅は、１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の色変換基板。
19. 請求項９〜１３のいずれか１項に記載の発光素子および請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の色変換基板の少なくとも一方を備えたことを特徴とする電子機器。

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