JP2016033632A - 光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像素子が内蔵された撮像装置に用いられる光学素子が、固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、該入射面に入射した光が透過して固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備える透明基板と、入射面及び出射面の少なくとも一方の面上を被覆するように形成されたエッチングストッパ層と、透明基板の中心部に形成され、光の一部を透過する透光部と、透光部の外周を枠状に取り囲むように、エッチングストッパ層上に形成され、光の一部を遮光する遮光部と、を備える。
【選択図】図1
Description
ガラス基板の成形工程では、所望の光学特性を備えたガラス組成からなるガラス板を用意し、外形寸法が最終形状(つまり、カバーガラス100の形状)と略同一となるように、公知の切断方法にて切断する。切断方法は、ダイヤモンドカッターにて切断線を刻設した後に折り割りする方法や、ダイシング装置にて切断する方法がある。なお、この工程で用いるガラス板は、ラッピングなどの粗研磨によって、最終形状に近い板厚寸法まで加工されたものを用いてもよい。ガラス板が切断されると、洗浄され、ガラス基材101が得られる。
次に、SiO2薄膜の形成工程において、ガラス基材101の入射面101a上に、スパッタリング法や真空蒸着法等によって、光学膜厚が略λ/2のSiO2薄膜(つまり、エッチングストッパ層103)を形成する。なお、本実施形態においては、中心波長λを480nm、SiO2の屈折率を1.45とし、設計値としては物理膜厚が約166nmのSiO2薄膜を形成するものとするが、実際の製造工程においては、±10%程度の公差範囲内でばらつき、166nm±10%のSiO2薄膜が形成される。
次に、Cr薄膜の形成工程において、エッチングストッパ層103上に、スパッタリング法や真空蒸着法等によって、遮光膜105のベースとなる、物理膜厚が約0.1μmのCr薄膜を形成する。
レジストコート・ベーキング工程では、Cr薄膜の表面に、フォトレジストを塗布し、所定の時間ベーキングを行う。フォトレジストは、紫外又は赤外の波長領域の光によって溶解性が変化するものであればよく、特に材料は制限されない。また、フォトレジストの塗布方法としては、周知のスピンコート法、ディップコート法等を適用することができる。
露光・レジスト現像工程では、先ず、遮光膜105がパターンニングされたフォトマスクを介して、フォトレジストに光を照射する。そして、フォトレジストに応じた現像液を用いて、フォトレジストを現像し、遮光膜105のパターンに応じたレジストを形成する。
パターンニング工程では、ガラス基材101をCrエッチング液に浸漬して、レジストが形成されていない部分のCr薄膜をエッチングする。エッチングの進行に伴い、レジストが形成されていない部分のCr薄膜がエッチング液中に溶出するが、上述したように、本実施形態においては、Cr薄膜の下側(つまり、Cr薄膜とガラス基材101との間)にエッチングストッパ層103が形成されているため、これによってエッチングがストップし、エッチング液によってガラス基材101の入射面101aが削られることがない。従って、本実施形態においては、ガラス基材101の入射面101aが粗面化することはなく、ガラス基材101の入射面101aに入射する光は乱れることなくガラス基材101内に導かれ、出射面101bから出射される。また、本実施形態の構成によれば、エッチングストッパ層103によってエッチングを確実にストップさせることができるため、ガラス基材101全体を比較的長時間に亘ってエッチング液に浸すことができ、Cr薄膜のエッチング残りがなく、エッジの綺麗な遮光膜105を形成することができる。なお、Crエッチング液としては、例えば、硝酸第二セリウム塩:10〜20%、過塩素酸:5〜10%、水:70〜85%の混合溶液が用いられる。
レジスト剥離工程では、アルコール等のレジスト剥離剤に浸漬して、レジストを剥離する。これによって、ガラス基材101上には、遮光膜105が形成される。
100、100A、100B カバーガラス
101 ガラス基材
101a 入射面
101b 出射面
103 エッチングストッパ層
105 遮光膜
110 反射防止膜
200 固体撮像素子
300 パッケージ
Claims (14)
- 固体撮像素子が内蔵された撮像装置に用いられる光学素子であって、
固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、該入射面に入射した光が透過して前記固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備える透明基板と、
前記入射面及び前記出射面の少なくとも一方の面上を被覆するように形成されたエッチングストッパ層と、
前記透明基板の中心部に形成され、前記光の一部を透過する透光部と、
前記透光部の外周を枠状に取り囲むように、前記エッチングストッパ層上に形成され、前記光の一部を遮光する遮光部と、
を備えることを特徴とする光学素子。 - 少なくとも前記透光部を覆う機能膜を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光学素子。
- 前記機能膜は、反射防止、赤外線カット、紫外線カットの少なくとも1つ以上の機能を有する光学薄膜であることを特徴とする請求項2に記載の光学素子。
- 前記機能膜は、Al2O3、ZrO2、MgF2が順に積層された反射防止膜であることを特徴とする請求項2に記載の光学素子。
- 前記エッチングストッパ層が、SiO2、Al2O3又はZrO2の薄膜で形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記光の中心波長をλとしたとき、前記エッチングストッパ層の光学膜厚が、略λ/2であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記エッチングストッパ層の物理膜厚が、前記透明基板の板厚に対して、0.3〜200.0ppmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記透明基板の板厚が、0.1〜1.0mmであり、前記エッチングストッパ層の物理膜厚が、0.3〜20.0nmであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記遮光部が、少なくともCrを含む薄膜によって形成されていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記遮光部が、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによって形成されることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記透光部の面積が、前記固体撮像素子の受光面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記光学素子は、前記固体撮像素子を収容するパッケージの前面に取り付けられるカバーガラスであることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記透明基板は、近赤外線領域の波長の光を吸収する近赤外線吸収ガラスであることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記近赤外線吸収ガラスは、Cu2+を含有するフツリン酸塩系ガラス、又はCu2+を含有するリン酸塩系ガラスからなることを特徴とする請求項13に記載の光学素子。
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